JP2008124135A - Micromachining treatment agent, and micromachining treatment method using it - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、半導体装置、液晶表示装置、マイクロマシン（ｍｉｃｒｏ ｅｌｅｃｔｒｏ ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ ｓｙｓｔｅｍｓ；ＭＥＭＳ）デバイス等の製造に於いて、微細加工や洗浄処理等に用いる微細加工処理剤、及びそれを用いた微細加工処理方法に関し、特にシリコン化合物含有膜と、ポリシリコン膜又はアモルファスシリコン膜とが少なくとも積層された積層膜の微細加工に用いる微細加工処理剤、及びそれを用いた微細加工処理方法に関する。 The present invention relates to a fine processing agent used for fine processing, cleaning processing, and the like in manufacturing of a semiconductor device, a liquid crystal display device, a micro electro mechanical systems (MEMS) device, and a fine processing method using the same. In particular, the present invention relates to a fine processing agent used for fine processing of a laminated film in which a silicon compound-containing film and at least a polysilicon film or an amorphous silicon film are laminated, and a fine processing method using the same.
近年、シリコンウェハの機械的特性が注目され、理想的な弾性材料として、アクチュエータ、バルブ、ノズル、プリンタ用ヘッド、並びに流量、圧力及び加速度等の各種物理量を検知する半導体センサ等の種々のデバイスに応用されている。その結果、シリコンウェハに対しては、各種の用途に応じて高集積化、微細化、高感度化、高機能化が要求されている。この種のデバイスはマイクロマシンと称されており、それらの製造にはマイクロマシニング技術と呼ばれる微細加工処理技術が用いられる。 In recent years, mechanical properties of silicon wafers have attracted attention, and as ideal elastic materials, actuators, valves, nozzles, printer heads, and various devices such as semiconductor sensors that detect various physical quantities such as flow rate, pressure, and acceleration. Applied. As a result, silicon wafers are required to be highly integrated, miniaturized, highly sensitive, and highly functional depending on various applications. This type of device is called a micromachine, and a micromachining technique called a micromachining technique is used for manufacturing the device.
マイクロマシンの多くはシリコン基板上に形成され、各部の加工には半導体集積回路で培われた微細加工処理技術が用いられているが、マイクロマシンは半導体集積回路とは異なり物理的な可動部を有する。その為、マイクロマシンには基板から遊離した微小部品や、梁構造を形成するための立体加工も必要である。 Many micromachines are formed on a silicon substrate, and the micromachining technology cultivated in the semiconductor integrated circuit is used for processing each part. However, unlike the semiconductor integrated circuit, the micromachine has a physically movable part. For this reason, micromachines also require three-dimensional processing to form minute parts released from the substrate and beam structures.
マイクロマシニング技術に於いて、目的とする立体的な構造を形成するために、例えばエッチング速度に関し、シリコンの単結晶の面方位依存性を利用した異方性ウェットエッチング技術（下記、特許文献１参照）や、シリコン酸化膜及びアルミニウムに影響を与えずに窒化チタン及びチタンをエッチングするドライエッチング技術（下記、特許文献２参照）によって実現することもできる。
In the micromachining technology, an anisotropic wet etching technology that uses the plane orientation dependence of silicon single crystal, for example, with respect to the etching rate in order to form a desired three-dimensional structure (see
しかし、マイクロマシニング技術に於いて最も特色のある固有の技術は、可動部を形成した後に犠牲層を除去する方法である。これは、微細加工により可動部となる構造体を、その構造体材料とエッチレートの選択比のとれる材料、即ち、犠牲層上に形成し、最終的に前記構造体を基板から分離する必要が生じたときに、この犠牲層を除去するものである（下記、特許文献３参照）。除去方法としては、等方的なエッチングや、加熱により昇華若しくは分解する材料を用いてウエハを加熱する方法が挙げられる。 However, the most specific and unique technique in the micromachining technique is a method of removing the sacrificial layer after the movable part is formed. This is because it is necessary to form a structure that becomes a movable part by microfabrication on a material that can have a selective ratio between the structure material and the etch rate, that is, a sacrificial layer, and finally separate the structure from the substrate. When this occurs, the sacrificial layer is removed (see Patent Document 3 below). Examples of the removal method include isotropic etching and a method of heating the wafer using a material that sublimes or decomposes by heating.
例えば、シリコン基板（シリコンウェハ）上に、ポリシリコン膜からなる梁状の立体構造物を形成する例を挙げる。先ず、図１（ａ）に示すように、シリコン基板１上にシリコン酸化膜からなる犠牲層２、ポリシリコン膜３を順次形成する。次に、これらの層が積層されたシリコン基板１をフッ化水素酸に浸漬して、前記犠牲層２をエッチング除去する。これにより、図１（ｂ）に示すように、ポリシリコン膜３による梁状の立体構造物が得られる。この様な立体構造物を有するシリコン基板１は、アクチュエータ、圧力センサ等のマイクロマシンの一部に適用される。
For example, an example in which a beam-like three-dimensional structure made of a polysilicon film is formed on a silicon substrate (silicon wafer) will be given. First, as shown in FIG. 1A, a sacrificial layer 2 made of a silicon oxide film and a polysilicon film 3 are sequentially formed on a
しかし、マイクロマシンに高度な機能を具備させるためには、アクチュエータ、圧力センサ、制御回路等を一体化、集積化することが不可欠である。このため、シリコンウェハの一部をフォトレジストで被い、メタル配線構造等の非エッチング箇所を保護する必要がある。この場合、従来のフッ化水素酸を用いてエッチングを行うと、フォトレジストが剥がれ、メタル配線構造等の保護すべき部分までエッチングするという問題がある。また従来のフッ化水素とフッ化アンモニウムの混合水溶液であるバッファードフッ酸溶液を用いてエッチングを行うと、立体構造を形成するポリシリコン膜をエッチングするという問題がある。 However, in order to provide a micromachine with advanced functions, it is essential to integrate and integrate actuators, pressure sensors, control circuits, and the like. For this reason, it is necessary to cover a part of the silicon wafer with a photoresist to protect a non-etched portion such as a metal wiring structure. In this case, when etching is performed using conventional hydrofluoric acid, there is a problem that the photoresist is peeled off and etching is performed up to a portion to be protected such as a metal wiring structure. Further, when etching is performed using a buffered hydrofluoric acid solution which is a conventional mixed aqueous solution of hydrogen fluoride and ammonium fluoride, there is a problem that a polysilicon film forming a three-dimensional structure is etched.
本発明は前記問題点に鑑みなされたものであり、その目的は、少なくともシリコン化合物含有膜と、ポリシリコン膜又はアモルファスシリコン膜とが積層された積層膜を微細加工する際に、シリコン化合物含有膜のみを選択的に微細加工することが可能な微細加工処理剤、及びそれを用いた微細加工処理方法を提供することにある。 The present invention has been made in view of the above-mentioned problems, and the object thereof is to provide a silicon compound-containing film when finely processing a laminated film in which at least a silicon compound-containing film and a polysilicon film or an amorphous silicon film are laminated. An object of the present invention is to provide a fine processing agent capable of selectively finely processing only a thin film, and a fine processing method using the same.
本願発明者等は、前記従来の問題点を解決すべく、微細加工処理剤、及びそれを用いた微細加工処理方法について検討した。その結果、フッ化水素、フッ化アンモニウム及び特定の界面活性剤の含有量を各々調整することにより、シリコン化合物含有膜と、ポリシリコン膜又はアモルファスシリコン膜とが少なくとも積層された積層膜を微細加工する際に、シリコン化合物含有膜のみを選択的に微細加工できることを見出して、本発明を完成させるに至った。 The inventors of the present application have studied a fine processing agent and a fine processing method using the same in order to solve the conventional problems. As a result, by adjusting the content of hydrogen fluoride, ammonium fluoride, and specific surfactants, microfabrication of a laminated film in which at least a silicon compound-containing film and a polysilicon film or an amorphous silicon film are laminated In doing so, the inventors have found that only the silicon compound-containing film can be selectively finely processed, and have completed the present invention.
即ち、本発明に係る微細加工処理剤は、前記の課題を解決する為に、少なくともシリコン化合物含有膜と、ポリシリコン膜又はアモルファスシリコン膜とが積層された積層膜を微細加工する微細加工処理剤であって、０．０５〜１０重量％のフッ化水素、１０〜３９重量％のフッ化アンモニウム及び水を含む混合溶液に、脂肪族アミン（一般式ＣｍＨ２ｍ＋１ＮＨ２；ｍは６〜１０の整数を表す。）又は脂肪族アミノハイドロフロライド（一般式ＣｎＨ２ｎ＋１ＮＨ３Ｆ；ｎは６〜１０の整数を表す。）の少なくとも何れか一方の界面活性剤を０．００１〜０．１重量％添加したものであり、前記フッ化水素の含有量をＸ重量％、前記フッ化アンモニウムの含有量をＹ重量％とした場合に、Ｘ及びＹは下記数式を満たす範囲内にあり、かつ、前記シリコン化合物含有膜と、ポリシリコン膜又はアモルファスシリコン膜とのエッチレートの選択比（シリコン化合物含有膜／ポリシリコン膜、又はシリコン化合物含有膜／アモルファスシリコン膜）が１０００以上であることを特徴とする。 That is, the fine processing agent according to the present invention is a fine processing agent that finely processes a laminated film in which at least a silicon compound-containing film and a polysilicon film or an amorphous silicon film are laminated in order to solve the above-described problems. A mixed solution containing 0.05 to 10% by weight of hydrogen fluoride, 10 to 39% by weight of ammonium fluoride and water is mixed with an aliphatic amine (general formula C m H 2m + 1 NH 2 ; 10 represents an integer of 10) or aliphatic aminohydrofluoride (general formula C n H 2n + 1 NH 3 F; n represents an integer of 6 to 10). 0.1 wt% is added, and when the content of hydrogen fluoride is X wt% and the content of ammonium fluoride is Y wt%, X and Y are within the range satisfying the following formula: Yes In addition, the etching rate selection ratio (silicon compound-containing film / polysilicon film, or silicon compound-containing film / amorphous silicon film) between the silicon compound-containing film and the polysilicon film or the amorphous silicon film is 1000 or more. Features.
前記構成に於いては、フッ化水素の含有量（Ｘ重量％）と、フッ化アンモニウムの含有量（Ｙ重量％）とが、前記数式で示す範囲内にあり、かつ、シリコン化合物含有膜と、ポリシリコン膜又はアモルファスシリコン膜とのエッチレートの選択比（シリコン化合物含有膜／ポリシリコン膜、又はシリコン化合物含有膜／アモルファスシリコン膜）が１０００以上であるので、これにより、ポリシリコン膜又はアモルファスシリコン膜に対して、シリコン化合物含有膜のみを選択的に微細加工することができる。尚、微細加工とは、シリコン化合物含有膜のエッチングや、それらの表面のクリーニングを含む意味である。 In the above configuration, the content of hydrogen fluoride (X wt%) and the content of ammonium fluoride (Y wt%) are within the range represented by the above formula, and the silicon compound containing film The etching rate selection ratio (silicon compound-containing film / polysilicon film, or silicon compound-containing film / amorphous silicon film) with respect to the polysilicon film or amorphous silicon film is 1000 or more. Only the silicon compound-containing film can be selectively finely processed with respect to the silicon film. Note that the microfabrication means etching of silicon compound-containing films and cleaning of their surfaces.
前記シリコン化合物含有膜は、熱シリコン酸化膜、ノンドープシリケートガラス膜、リンドープシリケートガラス膜、ボロンドープシリケートガラス膜、リンボロンドープシリケートガラス膜、ＴＥＯＳ膜、フッ素含有シリコン酸化膜、炭素含有シリコン酸化膜、シリコン酸窒化膜、自然酸化膜からなる群より選択される１種の単層、又は任意に選択される２種以上の積層膜であることが好ましい。 The silicon compound-containing film includes a thermal silicon oxide film, a non-doped silicate glass film, a phosphorus-doped silicate glass film, a boron-doped silicate glass film, a phosphorus-doped silicate glass film, a TEOS film, a fluorine-containing silicon oxide film, and a carbon-containing silicon oxide film. It is preferably a single monolayer selected from the group consisting of a silicon oxynitride film and a natural oxide film, or two or more arbitrarily selected laminated films.
前記ポリシリコン膜又はアモルファスシリコン膜には、リン、ボロン及び砒素からなる群より選ばれる少なくとも何れか１つがドープされていてもよい。 The polysilicon film or the amorphous silicon film may be doped with at least one selected from the group consisting of phosphorus, boron, and arsenic.
前記シリコン化合物含有膜に対する２５℃でのエッチレートが１〜５０００ｎｍ／分の範囲であることが好ましい。これにより、シリコン化合物含有膜に対する微細加工処理の処理時間が長時間となるのを防止して生産効率の向上が図れると共に、微細加工後のシリコン化合物含有膜の膜厚及び表面粗度の制御を容易にする。 The etch rate at 25 ° C. for the silicon compound-containing film is preferably in the range of 1 to 5000 nm / min. As a result, it is possible to improve the production efficiency by preventing the processing time of the fine processing for the silicon compound-containing film from being prolonged, and to control the film thickness and surface roughness of the silicon compound-containing film after the fine processing. make it easier.
また、本発明に係る微細加工処理方法は、前記の課題を解決する為に、前記に記載の微細加工処理剤を用いて、シリコン化合物含有膜と、ポリシリコン膜又はアモルファスシリコン膜とが少なくとも積層された積層膜を微細加工することを特徴とする。 Moreover, in order to solve the above-described problem, the microfabrication processing method according to the present invention uses at least the above-described micromachining treatment agent to laminate a silicon compound-containing film and a polysilicon film or an amorphous silicon film. The laminated film is finely processed.
前記方法では、フッ化水素の含有量（Ｘ重量％）と、フッ化アンモニウムの含有量（Ｙ重量％）とが、前記数式で示す範囲内にあり、かつ、シリコン化合物含有膜と、ポリシリコン膜又はアモルファスシリコン膜とのエッチレートの選択比が１０００以上の微細加工処理剤を使用する。従って、シリコン化合物含有膜と、ポリシリコン膜又はアモルファスシリコン膜とが少なくとも積層された積層膜に対し、シリコン化合物含有膜のみを選択的に微細加工処理することができる。 In the method, the content of hydrogen fluoride (X wt%) and the content of ammonium fluoride (Y wt%) are within the range indicated by the above formula, and the silicon compound-containing film and polysilicon A fine processing agent having an etch rate selection ratio of 1000 or more with respect to the film or the amorphous silicon film is used. Accordingly, only the silicon compound-containing film can be selectively finely processed with respect to the laminated film in which the silicon compound-containing film and the polysilicon film or the amorphous silicon film are laminated at least.
本発明によれば、シリコン化合物含有膜と、ポリシリコン膜又はアモルファスシリコン膜とが少なくとも積層された積層膜に対し、シリコン化合物含有膜のみを選択的に微細加工処理することができるので、例えば半導体装置、液晶表示装置、マイクロマシンデバイス等の製造に於いて好適な微細加工を可能にする。 According to the present invention, only a silicon compound-containing film can be selectively microfabricated with respect to a laminated film in which a silicon compound-containing film and a polysilicon film or an amorphous silicon film are at least laminated. This enables fine processing suitable for manufacturing devices, liquid crystal display devices, micromachine devices and the like.
本発明の実施の一形態について、以下に説明する。
本実施の形態に係る微細加工処理剤は、フッ化水素、フッ化アンモニウム及び水を含む混合溶液に、脂肪族アミン又は脂肪族アミノハイドロフロライドの少なくとも何れか一方の界面活性剤を添加したものである。
One embodiment of the present invention will be described below.
The fine processing agent according to the present embodiment is obtained by adding a surfactant of at least one of aliphatic amine or aliphatic aminohydrofluoride to a mixed solution containing hydrogen fluoride, ammonium fluoride, and water. It is.
フッ化水素の含有量は、０．０５〜１０重量％の範囲内であることが好適であり、１〜８重量％の範囲内であることがより好適である。フッ化水素の含有量が０．０５重量％未満であると、フッ化水素の濃度制御が困難である為、エッチレートのバラツキが大きくなる場合がある。またフッ化水素の含有量が１０重量％を超えると、シリコン化合物含有膜に対するエッチレートが大きくなり過ぎ、エッチングの制御性が低下する。 The content of hydrogen fluoride is preferably in the range of 0.05 to 10% by weight, and more preferably in the range of 1 to 8% by weight. When the content of hydrogen fluoride is less than 0.05% by weight, it is difficult to control the concentration of hydrogen fluoride, and thus there may be a large variation in etch rate. On the other hand, when the content of hydrogen fluoride exceeds 10% by weight, the etching rate for the silicon compound-containing film becomes too high, and the controllability of etching is lowered.
フッ化アンモニウムの含有量は１０〜３９重量％の範囲内であることが好適であり、１５〜２５重量％の範囲内であることがより好適である。前記数値範囲内にすることにより、相対的に水分量が大きくなるのを防止し、使用時に於ける微細加工処理剤の蒸発量を抑制して、組成変化の安定化を図ると共に、フッ化アンモニウムの絶対量の減少、フッ化水素の濃度及び絶対量の増加を抑制して、エッチレートの制御を可能にする。フッ化アンモニウムの含有量が１０重量％未満であると、相対的に微細加工処理剤中の水の濃度が大きくなる。この為、使用時の微細加工処理剤の蒸発量が大きくなり、蒸発による組成の変化が大きくなる場合がある。またフッ化アンモニウムの含有量が３９重量％を超えると、使用の際、蒸発によりフッ化アンモニウムがフッ化水素とアンモニウムガスに分解し、アンモニウムガスが蒸発する。そのため、蒸発が進むにつれてフッ化アンモニウムの絶対量が減少し、フッ化水素の濃度及び絶対量が増加する。この為、組成及びエッチレートの制御が困難になる場合がある。 The content of ammonium fluoride is preferably in the range of 10 to 39% by weight, and more preferably in the range of 15 to 25% by weight. By making it within the above-mentioned numerical range, it is possible to prevent a relative increase in the amount of water, to suppress the evaporation amount of the fine processing agent during use, to stabilize the composition change, and to make ammonium fluoride. The etching rate can be controlled by suppressing the decrease of the absolute amount of hydrogen, the concentration of hydrogen fluoride, and the increase of the absolute amount. When the content of ammonium fluoride is less than 10% by weight, the concentration of water in the fine processing agent is relatively increased. For this reason, the amount of evaporation of the fine processing agent during use increases, and the change in composition due to evaporation may increase. On the other hand, when the content of ammonium fluoride exceeds 39% by weight, during use, ammonium fluoride is decomposed into hydrogen fluoride and ammonium gas by evaporation, and ammonium gas evaporates. Therefore, as evaporation proceeds, the absolute amount of ammonium fluoride decreases, and the concentration and absolute amount of hydrogen fluoride increase. For this reason, it may be difficult to control the composition and the etch rate.
前記界面活性剤に於ける脂肪族アミンは、一般式ＣｍＨ２ｍ＋１ＮＨ２（ｍは６〜１０の整数を表す）で表される。より具体的には、ｎ−ヘプチルアミン、２−アミノヘプタン、１，４−ジメチルヘプチルアミン、２−アミノオクタン、１，５−ジメチルヘキシルアミン、２−エチルヘキシルアミン、ｎ−ノニルアミン等が例示できる。これらの脂肪族アミンのうち、ｎ−ヘキシルアミン、ｎ−オクチルアミン、ｎ−アミノデカンが安価であり、入手し易いためより好ましい。 The aliphatic amine in the surfactant is represented by the general formula C m H 2m + 1 NH 2 (m represents an integer of 6 to 10). More specifically, n-heptylamine, 2-aminoheptane, 1,4-dimethylheptylamine, 2-aminooctane, 1,5-dimethylhexylamine, 2-ethylhexylamine, n-nonylamine and the like can be exemplified. Among these aliphatic amines, n-hexylamine, n-octylamine, and n-aminodecane are more preferable because they are inexpensive and easily available.
前記界面活性剤に於ける脂肪族アミノハイドロフロライドは、一般式ＣｎＨ２ｎ＋１ＮＨ３Ｆ（ｎは６〜１０の整数を表す）で表される。より具体的には、ｎ−ヘプチルアミノハイドロフロオライド、２−アミノヘプタンハイドロフロオライド、１，４−ジメチルヘプチルアミノハイドロフロライド、２−アミノオクタンハイドロフロライド、１，５−ジメチルヘキシルアミノハイドロフロライド、２−エチルヘキシルアミノフロライド、ｎ−ノニルアミノハイドロフロライド等が例示できる。これらの脂肪族アミノハイドロフロライドのうち、ｎ−ヘキシルアミノハイドロフロライド、ｎ−オクチルアミノハイドロフロライド、ｎ−アミノデカンハイドロフロライドが原料となるｎ−ヘキシルアミン、ｎ−オクチルアミン、ｎ−アミノデカンが安価であり、入手し易いためより好ましい。 The aliphatic aminohydrofluoride in the surfactant is represented by the general formula C n H 2n + 1 NH 3 F (n represents an integer of 6 to 10). More specifically, n-heptylaminohydrofluoride, 2-aminoheptane hydrofluoride, 1,4-dimethylheptylaminohydrofluoride, 2-aminooctane hydrofluoride, 1,5-dimethylhexylamino Examples include hydrofluoride, 2-ethylhexylamino fluoride, n-nonylamino hydrofluoride and the like. Of these aliphatic aminohydrofluorides, n-hexylaminohydrofluoride, n-octylaminohydrofluoride, n-hexylamine, n-octylamine, n- Aminodecane is more preferable because it is inexpensive and easily available.
前記脂肪族アミンの一般式ＣｍＨ２ｍ＋１ＮＨ２に於けるｍ、及び前記脂肪族アミノハイドロフロライドの一般式ＣｎＨ２ｎ＋１ＮＨ３Ｆに於けるｎは、それぞれ６〜８の範囲内であることが好ましい。ｍ及びｎが６未満の場合、多量の界面活性剤の添加を要する。その結果、微細加工処理剤中に含まれるメタルなどの不純物量が増加する恐れがある。また、ｍ及びｎが１０を超える場合、その様な界面活性剤は室温で固体となる。その結果、微細加工処理剤の調製の際の操作性が低下する恐れがある。 M in the general formula C m H 2m + 1 NH 2 of the aliphatic amine and n in the general formula C n H 2n + 1 NH 3 F of the aliphatic aminohydrofluoride are in the range of 6 to 8, respectively. Preferably there is. When m and n are less than 6, a large amount of surfactant needs to be added. As a result, the amount of impurities such as metal contained in the fine processing agent may increase. Moreover, when m and n exceed 10, such surfactant becomes solid at room temperature. As a result, the operability during the preparation of the fine processing agent may be reduced.
前記界面活性剤の添加量は、０．００１〜０．１重量％の範囲内であることが好適であり、０．００５〜０．０５重量％の範囲内であることがより好適である。界面活性剤を前記数値範囲内の添加量で添加することにより、ポリシリコン膜又はアモルファスシリコン膜に対するエッチレートが大きくなり過ぎるのを抑制すると共に、臨界ミセル濃度を超えてパーティクル数が増加するのを抑制し、基板の汚染を防止することができる。 The addition amount of the surfactant is preferably in the range of 0.001 to 0.1% by weight, and more preferably in the range of 0.005 to 0.05% by weight. By adding the surfactant in an addition amount within the above numerical range, it is possible to prevent the etch rate for the polysilicon film or the amorphous silicon film from becoming too large, and to increase the number of particles exceeding the critical micelle concentration. It is possible to suppress the contamination of the substrate.
微細加工処理剤に於けるフッ化水素とフッ化アンモニウムのモル比（フッ化アンモニウム／フッ化水素）は１．５以上であり、２以上であることが好ましく、２〜３であることがより好ましい。また、重量比（フッ化アンモニウム／フッ化水素）の場合、２．７８以上であり、３．７以上であることが好ましく、３．７〜５．５５であることがより好ましい。 The molar ratio of hydrogen fluoride to ammonium fluoride (ammonium fluoride / hydrogen fluoride) in the fine processing agent is 1.5 or more, preferably 2 or more, and more preferably 2 to 3. preferable. In the case of weight ratio (ammonium fluoride / hydrogen fluoride), it is 2.78 or more, preferably 3.7 or more, and more preferably 3.7 to 5.55.
フッ化水素とフッ化アンモニウムとのモル比、又は重量比が前記の範囲であると、例えば、シリコンウェハに於いて、メタル配線構造等の非エッチング箇所を保護する観点から、その一部をフォトレジストで被覆する場合がある。この場合、当該フォトレジストは、従来のエッチング液に対して、少なくともエッチング処理の間、エッチングされない耐性を有している。 If the molar ratio or the weight ratio of hydrogen fluoride and ammonium fluoride is within the above range, for example, a part of the silicon wafer is photo-protected from the viewpoint of protecting a non-etched portion such as a metal wiring structure. It may be covered with a resist. In this case, the photoresist has a resistance against being etched at least during the etching process with respect to a conventional etching solution.
更に、前記フッ化水素の含有量をＸ重量％、前記フッ化アンモニウムの含有量をＹ重量％とし、残りの成分が水及び界面活性剤である場合、Ｘ及びＹは下記数式を満たす範囲内にある。当該数式を満たす範囲内にある場合、本発明の微細加工処理剤は、シリコン化合物含有膜と、ポリシリコン膜又はアモルファスシリコン膜とのエッチレートの選択比（シリコン化合物含有膜／ポリシリコン膜、又はシリコン化合物含有膜／アモルファスシリコン膜）が１０００以上となる。その結果、シリコン化合物含有膜と、ポリシリコン膜又はアモルファスシリコン膜とが積層された積層膜に対し、シリコン化合物含有膜のみを選択的に微細加工することができる。 Furthermore, when the content of the hydrogen fluoride is X wt%, the content of the ammonium fluoride is Y wt%, and the remaining components are water and a surfactant, X and Y are within the range satisfying the following formula: It is in. When it falls within the range satisfying the mathematical formula, the microfabrication processing agent of the present invention can select the etch rate between the silicon compound-containing film and the polysilicon film or the amorphous silicon film (silicon compound-containing film / polysilicon film, or (Silicon compound-containing film / amorphous silicon film) is 1000 or more. As a result, only the silicon compound-containing film can be selectively finely processed with respect to the laminated film in which the silicon compound-containing film and the polysilicon film or the amorphous silicon film are laminated.
また、本実施の形態の微細加工処理剤は、２５℃に於けるシリコン化合物含有膜に対するエッチレートが１〜５０００ｎｍ／分の範囲内であることが好ましい。エッチレートが１ｎｍ／分未満であると、エッチング等の微細加工処理に時間を要し、生産効率の低下を招来する場合がある。また、５０００ｎｍ／分を超えると、エッチング後の膜厚の制御性の低下や基板表面（シリコン化合物含有膜等の形成面とは反対側の面）の荒れが顕著になり、歩留まりが低下する場合がある。前記シリコン化合物含有膜に対するエッチレートは、１〜５０００ｎｍ／分の範囲内であることがより好ましく、１０〜５００ｎｍ／分の範囲内であることが特に好ましい。 Moreover, it is preferable that the fine processing agent of this Embodiment has the etch rate with respect to the silicon compound containing film | membrane in 25 degreeC in the range of 1-5000 nm / min. If the etch rate is less than 1 nm / min, it takes time for fine processing such as etching, which may lead to a decrease in production efficiency. Moreover, when it exceeds 5000 nm / min, when the controllability of the film thickness after etching and the roughness of the substrate surface (the surface opposite to the surface on which the silicon compound-containing film is formed) become remarkable, the yield decreases. There is. The etch rate for the silicon compound-containing film is more preferably in the range of 1 to 5000 nm / min, and particularly preferably in the range of 10 to 500 nm / min.
本実施の形態の微細加工処理剤は、その効果を阻害しない範囲内に於いて、界面活性剤以外の添加剤を混合することも可能である。前記添加剤としては、例えば、塩酸（及びその溶液）、硫酸溶液、リン酸溶液等の酸性物質、過酸化水素、キレート剤等が例示できる。 In the fine processing agent of the present embodiment, additives other than the surfactant can be mixed within a range that does not impair the effect. Examples of the additive include acidic substances such as hydrochloric acid (and its solution), sulfuric acid solution, phosphoric acid solution, hydrogen peroxide, chelating agent, and the like.
前記シリコン化合物含有膜としては、例えば、シリコン熱酸化膜、ノンドープシリケートガラス膜、リンドープシリケートガラス膜、ボロンドープシリケートガラス膜、リンボロンドープシリケートガラス膜、ＴＥＯＳ膜、フッ素含有シリコン酸化膜、炭素含有シリコン酸化膜、シリコン酸窒化膜、自然酸化膜等が例示できる。エッチングを行うシリコン酸化膜は１種のみが表面に露出していてもよいし、複数種が表面に露出していてもよい。 Examples of the silicon compound-containing film include a silicon thermal oxide film, a non-doped silicate glass film, a phosphorus-doped silicate glass film, a boron-doped silicate glass film, a phosphorus-doped silicate glass film, a TEOS film, a fluorine-containing silicon oxide film, and a carbon-containing film. Examples thereof include a silicon oxide film, a silicon oxynitride film, and a natural oxide film. Only one type of silicon oxide film to be etched may be exposed on the surface, or a plurality of types may be exposed on the surface.
前記ポリシリコン膜又はアモルファスシリコン膜はノンドープでもよく、或いは、リン、ボロン及び砒素からなる群より選ばれる少なくとも何れか１つがドープされていてもよい。また、微細加工を行うポリシリコン膜は１種のみが表面に露出していてもよいし、複数種が表面に露出していてもよい。 The polysilicon film or amorphous silicon film may be non-doped, or may be doped with at least one selected from the group consisting of phosphorus, boron and arsenic. Further, only one type of polysilicon film to be finely processed may be exposed on the surface, or a plurality of types may be exposed on the surface.
求められる微細加工処理剤の純度によっては、添加する脂肪族アミン及び／又は脂肪族アミノハイドロフロライドの界面活性剤を蒸留、イオン交換樹脂、イオン交換膜、電気透析、又は濾過等により精製して用いてもよい。また、微細加工処理剤を循環濾過等により精製してもよい。 Depending on the required purity of the fine processing agent, the added aliphatic amine and / or aliphatic aminohydrofluoride surfactant may be purified by distillation, ion exchange resin, ion exchange membrane, electrodialysis, or filtration. It may be used. Further, the fine processing agent may be purified by circulating filtration or the like.
次に、本実施の形態に係る微細加工処理剤を用いた微細加工処理方法について、ウェットエッチングを例にして説明する。 Next, a microfabrication processing method using the microfabrication processing agent according to the present embodiment will be described using wet etching as an example.
本実施の形態の微細加工処理剤は、種々のウェットエッチング法に採用される。エッチング方法としては、浸漬式やスプレー式等があるが、いずれの方法にも本発明の微細加工処理剤は採用され得る。浸漬式は、エッチング工程での蒸発により微細加工処理剤の組成変化が少ないので好適である。 The fine processing agent of the present embodiment is employed in various wet etching methods. As an etching method, there are an immersion method, a spray method, and the like, and the microfabrication processing agent of the present invention can be adopted in any method. The immersion method is preferable because the composition change of the fine processing agent is small due to evaporation in the etching process.
微細加工処理剤をエッチング液として使用した場合のエッチング温度は、５〜５０℃の範囲内であることが好適であり、１５〜３５℃の範囲内であることがより好適であり、２０〜３０℃の範囲内であることが更に好適である。前記範囲内であると、微細加工処理剤の蒸発を抑制することができ、組成変化を防止することができる。また、高温度ではシリコン化合物含有膜や基板表面の荒れが増大し、低温度では微細加工処理剤の粘度が上昇して洗浄効果が悪化し、均一性が低下するというデメリットを回避できる。尚、エッチング温度によっては膜毎にエッチレートが変化するので、ポリシリコン膜又はアモルファスシリコン膜に対するエッチレートとシリコン化合物含有膜に対するエッチレートとの差も影響を受ける場合がある。よって、エッチング温度を設定する場合には、シリコン化合物含有膜と、ポリシリコン膜又はアモルファスシリコン膜とのエッチレートの選択比（シリコン化合物含有膜／ポリシリコン膜、又はシリコン化合物含有膜／アモルファスシリコン膜）が１０００以上となる様に考慮するのが望ましい。 When the fine processing agent is used as an etching solution, the etching temperature is preferably in the range of 5 to 50 ° C, more preferably in the range of 15 to 35 ° C, and 20 to 30. More preferably, it is within the range of ° C. Within the above range, evaporation of the fine processing agent can be suppressed and compositional change can be prevented. Further, it is possible to avoid the demerit that the roughness of the silicon compound-containing film and the substrate surface is increased at a high temperature, and the viscosity of the fine processing agent is increased to deteriorate the cleaning effect and the uniformity is decreased at a low temperature. Note that since the etch rate varies from film to film depending on the etching temperature, the difference between the etch rate for the polysilicon film or amorphous silicon film and the etch rate for the silicon compound-containing film may be affected. Therefore, when the etching temperature is set, the selectivity of the etching rate between the silicon compound-containing film and the polysilicon film or the amorphous silicon film (silicon compound-containing film / polysilicon film, or silicon compound-containing film / amorphous silicon film) ) Is desirably 1000 or more.
本実施の形態の微細加工処理剤は、シリコン化合物含有膜がフォトレジスト等により被覆されている場合にも、該フォトレジストに剥がれが生じることない。その結果、シリコン化合物含有膜に於いて微細加工が不要な部分が微細加工されるのを防止、微細化高精度を向上させることができる。本実施の形態に係る微細加工処理剤に対し、耐性を示すフォトレジストとしては特に限定されず、例えば東京応化工業（株）社製のＯＦＰＲ−８００等が例示できる。 The fine processing agent of this embodiment does not peel off the photoresist even when the silicon compound-containing film is covered with a photoresist or the like. As a result, in the silicon compound-containing film, it is possible to prevent a portion that does not require fine processing from being finely processed, and to improve the fineness and high accuracy. The photoresist showing resistance to the fine processing agent according to the present embodiment is not particularly limited, and examples thereof include OFPR-800 manufactured by Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd.
以下に、この発明の好適な実施例を例示的に詳しく説明する。但し、この実施例に記載されている材料や配合量等は、特に限定的な記載がない限りは、この発明の範囲をそれらのみに限定する趣旨のものではなく、単なる説明例に過ぎない。 Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail by way of example. However, the materials, blending amounts, and the like described in the examples are not intended to limit the scope of the present invention only to them, but are merely illustrative examples, unless otherwise specified.
（ａ）シリコン熱酸化膜、ＴＥＯＳ膜、及びノンドープポリシリコン膜のエッチレート
光学式膜厚測定装置（ナノメトリクスジャパン（株）社製、Ｎａｎｏｓｐｅｃ６１００）を用いてエッチング前後のシリコン熱酸化膜、ＴＥＯＳ膜、及びノンドープポリシリコン膜の膜厚をそれぞれ測定し、エッチングによる膜厚変化を測定した。３つ以上の異なるエッチング時間に於いて前記測定を繰り返し実施し、エッチレートを算出した。
(A) Etch rate of silicon thermal oxide film, TEOS film, and non-doped polysilicon film Silicon thermal oxide film and TEOS film before and after etching using an optical film thickness measuring apparatus (Nanospec 6100, manufactured by Nanometrics Japan Co., Ltd.) The thickness of the non-doped polysilicon film was measured, and the change in thickness due to etching was measured. The above measurement was repeated at three or more different etching times to calculate the etch rate.
（ｂ）フォトレジストパターンの耐性
シリコン酸化膜上に、フォトレジスト（東京応化工業（株）社製 ＯＦＰＲ−８００）でパターンを形成したシリコンウェハを、各エッチング液に１０分間浸漬し、各微細加工処理剤によるフォトレジストパターンの剥がれを目視で観察した。尚、フォトレジストパターンの耐性の評価は、フォトレジストパターンの剥がれが確認されたものを「×」、確認されなかったものを「○」とした。
(B) Photoresist pattern resistance A silicon wafer, on which a pattern (OFPR-800, manufactured by Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd.) is formed on a silicon oxide film, is immersed in each etching solution for 10 minutes, and each fine processing is performed. The peeling of the photoresist pattern by the treating agent was visually observed. The evaluation of the resistance of the photoresist pattern was “X” when the peeling of the photoresist pattern was confirmed, and “◯” when the photoresist pattern was not confirmed.
（実施例１）
フッ化水素酸（ステラケミファ（株）製、半導体用高純度グレード、濃度５０重量％）１８重量部と、フッ化アンモニウム溶液（ステラケミファ社製、半導体用高純度グレード、濃度４０重量％）４２６３重量部と、超純水５７１９重量部とを混合した薬液に、２重量部の界面活性剤（ｎ−オクチルアミン）を添加し、撹拌混合した後、混合液を２５℃に調温し３時間静置した。これにより、フッ化水素０．０９重量％、フッ化アンモニウム１７．０５重量％、界面活性剤（ｎ−オクチルアミン）０．０２重量％のエッチング液（微細加工処理剤）を調製した。
(Example 1)
18 parts by weight of hydrofluoric acid (manufactured by Stella Chemifa Co., Ltd., high purity grade for semiconductors, concentration 50% by weight) and ammonium fluoride solution (manufactured by Stella Chemifa Corporation, high purity grade for semiconductors, concentration 40% by weight) 4263 2 parts by weight of a surfactant (n-octylamine) is added to a chemical solution in which 5 parts by weight of ultrapure water and 5719 parts by weight of ultrapure water are mixed, and the mixture is stirred and mixed. Left to stand. As a result, an etching solution (fine processing agent) containing 0.09% by weight of hydrogen fluoride, 17.05% by weight of ammonium fluoride, and 0.02% by weight of a surfactant (n-octylamine) was prepared.
次に、前記エッチング液を、蒸発面積が７８ｃｍ２の容器に５００ｇを入れ、２５℃で蒸発させたときの、エッチング液の蒸発量を測定すると共に、フッ化水素及びフッ化アンモニウムの濃度及び絶対量を測定し、更にシリコン熱酸化膜に対する２５℃のエッチレートを測定した。測定は、蒸発時間が０時間、２４時間、７２時間のときにそれぞれ行った。結果を下記表１に表す。 Next, 500 g of the etching solution was put into a container having an evaporation area of 78 cm 2 and evaporated at 25 ° C., and the evaporation amount of the etching solution was measured, and the concentrations and absolute values of hydrogen fluoride and ammonium fluoride were measured. The amount was measured, and an etch rate of 25 ° C. with respect to the silicon thermal oxide film was measured. The measurement was performed when the evaporation time was 0 hours, 24 hours, and 72 hours, respectively. The results are shown in Table 1 below.
（比較例１）
フッ化水素の濃度を０．５１重量％、フッ化アンモニウムの濃度を０重量％、界面活性剤（ｎ−オクチルアミン）の濃度を０重量％にしたこと以外は、前記実施例１と同様にして、本比較例に係るエッチング液を調製し、更に、実施例１と同様にして、エッチング液の蒸発量、フッ化水素及びフッ化アンモニウムの濃度及び絶対量、並びにシリコン熱酸化膜に対する２５℃のエッチレートを測定した。結果を下記表１に表す。
(Comparative Example 1)
Example 1 was repeated except that the concentration of hydrogen fluoride was 0.51% by weight, the concentration of ammonium fluoride was 0% by weight, and the concentration of surfactant (n-octylamine) was 0% by weight. Then, an etching solution according to this comparative example was prepared. Further, in the same manner as in Example 1, the evaporation amount of the etching solution, the concentration and absolute amount of hydrogen fluoride and ammonium fluoride, and 25 ° C. with respect to the silicon thermal oxide film The etch rate of was measured. The results are shown in Table 1 below.
（比較例２）
フッ化水素の濃度を０．１２重量％、フッ化アンモニウムの濃度を３９．９０重量％、界面活性剤（ｎ−オクチルアミン）の濃度を０.０１重量％にしたこと以外は、前記実施例１と同様にして、本比較例に係るエッチング液を調製し、更に、実施例１と同様にして、エッチング液の蒸発量、フッ化水素及びフッ化アンモニウムの濃度及び絶対量、並びにシリコン熱酸化膜に対する２５℃のエッチレートを測定した。結果を下記表１に表す。
(Comparative Example 2)
Example 1 except that the concentration of hydrogen fluoride was 0.12% by weight, the concentration of ammonium fluoride was 39.90% by weight, and the concentration of surfactant (n-octylamine) was 0.01% by weight. As in Example 1, an etching solution according to this comparative example was prepared. Further, in the same manner as in Example 1, the evaporation amount of the etching solution, the concentrations and absolute amounts of hydrogen fluoride and ammonium fluoride, and silicon thermal oxidation The etch rate at 25 ° C. for the film was measured. The results are shown in Table 1 below.
（実施例２）
フッ化水素酸（ステラケミファ（株）製、半導体用高純度グレード、濃度５０重量％）１重量部と、フッ化アンモニウム（ステラケミファ（株）社製、半導体用高純度グレード、濃度４０重量％）２５重量部と、超純水７４重量部とを混合した薬液に、５重量部の界面活性剤（ｎ−ヘキシルアミン（東京化成工業（株）社製）を添加し、攪拌混合した後、該混合液を２５℃に調温し、３時間静置した。これにより、本実施例に係るエッチング液を調製した。
(Example 2)
1 part by weight of hydrofluoric acid (manufactured by Stella Chemifa Corporation, high-purity grade for semiconductor, concentration 50% by weight) and ammonium fluoride (manufactured by Stella Chemifa Corporation, high-purity grade for semiconductor, concentration 40% by weight) ) After adding 5 parts by weight of a surfactant (n-hexylamine (manufactured by Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.)) to a chemical solution in which 25 parts by weight and 74 parts by weight of ultrapure water were mixed, The mixed solution was adjusted to 25 ° C. and allowed to stand for 3 hours, thereby preparing an etching solution according to this example.
次に、ＴＥＯＳ膜及びノンドープポリシリコン膜に対するエッチレートを評価した。またフォトレジストパターンの耐性を評価した。結果を下記表２に示す。 Next, the etch rate for the TEOS film and the non-doped polysilicon film was evaluated. Moreover, the tolerance of the photoresist pattern was evaluated. The results are shown in Table 2 below.
（実施例３〜１２）
実施例３〜１２に於いては、表２に示す通りにフッ化水素及びフッ化アンモニウムの含有量と、脂肪族アミン及び脂肪族アミノハイドロフロライドからなる界面活性剤の含有量及び種類を変更したこと以外は、前記実施例２と同様にして微細加工処理剤を調製した。更に、各実施例で得られたエッチング液を用いて、ＴＥＯＳ膜及びノンドープポリシリコン膜に対するエッチレート、フォトレジストパターンの耐性を評価した。結果を下記表２に示す。
(Examples 3 to 12)
In Examples 3 to 12, the contents of hydrogen fluoride and ammonium fluoride and the contents and types of surfactants composed of aliphatic amine and aliphatic aminohydrofluoride were changed as shown in Table 2. A fine processing agent was prepared in the same manner as in Example 2 except that. Furthermore, the etching rate obtained with respect to the TEOS film and the non-doped polysilicon film and the resistance of the photoresist pattern were evaluated using the etching solution obtained in each example. The results are shown in Table 2 below.
（比較例３）
比較例３に於いては、表２に示す通りにフッ化水素及びフッ化アンモニウムの含有量と、脂肪族アミン、及び脂肪族アミノハイドロフロライドからなる界面活性剤の含有量及び種類を変更したこと以外は、前記実施例１と同様にして微細加工処理剤を調製した。更に、本比較例で得られたエッチング液を用いて、ＴＥＯＳ膜及びノンドープポリシリコン膜に対するエッチレート、フォトレジストパターンの耐性を評価した。結果を下記表２に示す。
(Comparative Example 3)
In Comparative Example 3, as shown in Table 2, the content of hydrogen fluoride and ammonium fluoride, and the content and type of surfactant composed of aliphatic amine and aliphatic aminohydrofluoride were changed. A fine processing agent was prepared in the same manner as in Example 1 except that. Furthermore, using the etching solution obtained in this comparative example, the etch rate and the resistance of the photoresist pattern to the TEOS film and the non-doped polysilicon film were evaluated. The results are shown in Table 2 below.
（比較例４〜１６）
比較例４〜１６に於いては、表２に示す通りにフッ化水素及びフッ化アンモニウムの含有量を変更し、脂肪族アミン及び脂肪族アミノハイドロフロライドからなる界面活性剤を添加しなかったこと以外は、前記実施例２と同様にして微細加工処理剤を調製した。更に、各比較例で得られたエッチング液を用いて、ＴＥＯＳ膜及びノンドープポリシリコン膜に対するエッチレート、フォトレジストパターンの耐性を評価した。結果を下記表２に示す。
(Comparative Examples 4 to 16)
In Comparative Examples 4 to 16, the contents of hydrogen fluoride and ammonium fluoride were changed as shown in Table 2, and a surfactant composed of aliphatic amine and aliphatic aminohydrofluoride was not added. Except for this, a fine processing agent was prepared in the same manner as in Example 2. Furthermore, using the etching solutions obtained in the respective comparative examples, the etch rate and the resistance of the photoresist pattern to the TEOS film and the non-doped polysilicon film were evaluated. The results are shown in Table 2 below.
（実施例１３〜２８）
本実施例１３〜２８に於いては、表３に示す通りにエッチング温度を１７℃、３５℃又は４５℃に変更したこと以外は、それぞれ実施例５〜１１と同様にしてエッチング液を調製し、更にＴＥＯＳ膜及びノンドープポリシリコン膜に対するエッチレートの評価を行った。結果を下記表３に示す。
(Examples 13 to 28)
In Examples 13 to 28, etching solutions were prepared in the same manner as in Examples 5 to 11 except that the etching temperature was changed to 17 ° C., 35 ° C., or 45 ° C. as shown in Table 3. Further, the etching rate for the TEOS film and the non-doped polysilicon film was evaluated. The results are shown in Table 3 below.
（結果）
下記表１から明らかなように、フッ化アンモニウムの濃度が１０重量％未満であると、相対的に微細加工処理剤中の水の濃度が大きくなるため、使用の際の微細加工処理剤の蒸発量が大きくなり、蒸発による組成の変化が大きくなった。また、フッ化アンモニウムの濃度が３９重量％を超えると、使用の際、蒸発によりフッ化アンモニウムがフッ化水素とアンモニウムガスに分解し、アンモニウムガスが蒸発した。そのため、蒸発が進むにつれてフッ化アンモニウムの絶対量が減少し、かつ、フッ化水素の濃度及び絶対量が増加するため、エッチング液の組成及びシリコン熱酸化膜に対するエッチレートの制御が困難であった。
(result)
As is clear from Table 1 below, when the concentration of ammonium fluoride is less than 10% by weight, the concentration of water in the microfabrication processing agent becomes relatively large. The amount increased and the composition change due to evaporation increased. When the concentration of ammonium fluoride exceeded 39% by weight, during use, ammonium fluoride was decomposed into hydrogen fluoride and ammonium gas by evaporation, and ammonium gas was evaporated. Therefore, the absolute amount of ammonium fluoride decreases as the evaporation proceeds, and the concentration and absolute amount of hydrogen fluoride increase, making it difficult to control the composition of the etchant and the etch rate for the silicon thermal oxide film. .
下記表２から明らかなように、比較例３〜１６に係る微細加工処理剤では、ノンドープポリシリコン膜に対するＴＥＯＳ膜のエッチング選択比が（ＴＥＯＳ膜／ノンドープポリシリコン膜）が１０００以上を満たしており、ＴＥＯＳ膜のみを選択的にエッチングできることが確認された。また、何れもフォトレジストパターンの剥がれが確認されず、フォトレジストの耐性を有していることが確認された。 As is clear from Table 2 below, in the microfabrication processing agents according to Comparative Examples 3 to 16, the TEOS film etching selectivity with respect to the non-doped polysilicon film (TEOS film / non-doped polysilicon film) satisfies 1000 or more. It was confirmed that only the TEOS film can be selectively etched. Moreover, in any case, peeling of the photoresist pattern was not confirmed, and it was confirmed that the resist had resistance to the photoresist.
一方、比較例３、９、１０に於いては、エッチレートの選択比が１０００以上の値を示したものの、フォトレジストパターンが剥がれ、耐性が無いことが確認された。また、他の比較例に於いては、エッチレートの選択比が１０００未満であり、ＴＥＯＳ膜のみを選択的にエッチングできないことが確認された。 On the other hand, in Comparative Examples 3, 9, and 10, although the selectivity of the etch rate showed a value of 1000 or more, it was confirmed that the photoresist pattern peeled off and there was no resistance. Further, in other comparative examples, it was confirmed that the etching rate selection ratio was less than 1000, and only the TEOS film could not be selectively etched.
下記表３から明らかなように、エッチング温度を１７、３５、４５℃に変化させた場合にも、エッチング選択比（ＴＥＯＳ膜／ノンドープポリシリコン膜）は１０００を超えており、またエッチング選択比を制御できることが分かった。 As apparent from Table 3 below, the etching selectivity (TEOS film / non-doped polysilicon film) exceeded 1000 even when the etching temperature was changed to 17, 35, and 45 ° C., and the etching selectivity was It turns out that it can be controlled.
１ シリコン基板
２ シリコン酸化膜
３ ポリシリコン膜
1 Silicon substrate 2 Silicon oxide film 3 Polysilicon film
Claims (5)
０．０５〜１０重量％のフッ化水素、１０〜３９重量％のフッ化アンモニウム及び水を含む混合溶液に、脂肪族アミン（一般式ＣｍＨ２ｍ＋１ＮＨ２；ｍは６〜１０の整数を表す。）又は脂肪族アミノハイドロフロライド（一般式ＣｎＨ２ｎ＋１ＮＨ３Ｆ；ｎは６〜１０の整数を表す。）の少なくとも何れか一方の界面活性剤を０．００１〜０．１重量％添加したものであり、
前記フッ化水素の含有量をＸ重量％、前記フッ化アンモニウムの含有量をＹ重量％とした場合に、Ｘ及びＹは下記数式を満たす範囲内にあり、
かつ、前記シリコン化合物含有膜と、ポリシリコン膜又はアモルファスシリコン膜とのエッチレートの選択比（シリコン化合物含有膜／ポリシリコン膜、又はシリコン化合物含有膜／アモルファスシリコン膜）が１０００以上であることを特徴とする微細加工処理剤。
To a mixed solution containing 0.05 to 10% by weight of hydrogen fluoride, 10 to 39% by weight of ammonium fluoride and water, an aliphatic amine (general formula C m H 2m + 1 NH 2 ; m is an integer of 6 to 10) . represents) or an aliphatic amino hydro fluoride (general formula C n H 2n + 1 NH 3 F; 0.001~0.1 weight of at least one surfactant and n represents an integer of 6-10). % Added,
When the content of the hydrogen fluoride is X wt% and the content of the ammonium fluoride is Y wt%, X and Y are in a range satisfying the following formula,
In addition, the etching rate selection ratio (silicon compound-containing film / polysilicon film, or silicon compound-containing film / amorphous silicon film) between the silicon compound-containing film and the polysilicon film or the amorphous silicon film is 1000 or more. A fine processing agent.
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