JP2008104122A - Radiation imaging apparatus, and method and device for interpolation of semiconductor detector - Google Patents

Radiation imaging apparatus, and method and device for interpolation of semiconductor detector Download PDF

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To more effectively use a current pixel type semiconductor device. <P>SOLUTION: Each of energy signals e<SB>1</SB>outputted from pixel type semiconductor devices 1a of a semiconductor detector 1 is analyzed by a pixel energy spectrum analysis device 3 to obtain each of pixel values, the pixel values are sorted into first to third classes C<SB>1</SB>, C<SB>2</SB>, C<SB>3</SB>, for example, corresponding to degrees of performance of the pixel type semiconductor devices 1a by a shorter 4. Values of an attention pixel of the second class C<SB>2</SB>and a defect pixel of the third class C<SB>3</SB>, for example, sorted as low-performance pixels of the pixel type semiconductor devices 2a are interpolated by an interpolation processing device 6, respectively. <P>COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT

Description

本発明は、例えば医療用の核医学検査に用いるガンマ線イメージングや工業用のガンマ線による非破壊検査、観測衛星などのＸ線半導体イメージング装置、並びにＸ線半導体イメージング装置に用いる半導体検出器の補間方法及びその装置に関する。   The present invention relates to, for example, gamma ray imaging used for medical nuclear medicine inspection, non-destructive inspection using industrial gamma rays, X-ray semiconductor imaging devices such as observation satellites, and a semiconductor detector interpolation method used for X-ray semiconductor imaging devices, and It relates to the device.

ガンマ線イメージングには、半導体検出器が用いられている。この半導体検出器は、ガンマ線を検出し、そのエネルギ信号を出力する。この半導体検出器には、１つの半導体チップが用いられている。この半導体チップには、多数のピクセル型半導体素子が縦横方向に設けられている。これらピクセル型半導体素子は、それぞれガンマ線を検出してエネルギ信号を出力する。又、ピクセル型半導体素子は、位置識別信号を出力する。これらピクセル型半導体素子は、それぞれ各画素に対応し、これら半導体素子から出力される各エネルギ信号は、それぞれ各画素値（ピクセルデータ）として求められる。   A semiconductor detector is used for gamma ray imaging. This semiconductor detector detects gamma rays and outputs an energy signal thereof. One semiconductor chip is used for this semiconductor detector. In this semiconductor chip, a large number of pixel-type semiconductor elements are provided in the vertical and horizontal directions. Each of these pixel type semiconductor elements detects gamma rays and outputs an energy signal. The pixel type semiconductor element outputs a position identification signal. Each of these pixel type semiconductor elements corresponds to each pixel, and each energy signal output from these semiconductor elements is obtained as each pixel value (pixel data).

しかしながら、これらピクセル型半導体素子は、現状ではそれぞれ各画素値のばらつきが大きい。このため、全ての画素値の平均値を求め、画素値が平均値よりもかけ離れている場合には、当該画素を欠損と判断してその画素値を捨てるか、又は欠損画素の周りの各画素の値を用いて欠損画素の値を補間して求めている。   However, these pixel-type semiconductor elements currently have large variations in pixel values. For this reason, if the average value of all the pixel values is obtained and the pixel value is far from the average value, the pixel is judged to be missing and the pixel value is discarded, or each pixel around the missing pixel Is used to interpolate the missing pixel value.

半導体検出器中において欠損画素の数が多くなると、半導体検出器から出力されるエネルギ信号から取得される画像データの画質が低下する。画像データの画質低下が大きい場合、半導体検出器は不良品として使用できない。一方、ピクセル型半導体素子は、製造面での歩留まりが悪い。性能の良いピクセル型半導体素子のみを選択すると、ピクセル型半導体素子そのもののコストが高くなる。このような状況の下、現状のピクセル型半導体素子をより良く有効に用いる手法の要望がある。
特開平１１−３３７６４５号公報 When the number of defective pixels increases in the semiconductor detector, the image quality of the image data acquired from the energy signal output from the semiconductor detector decreases. When the image quality degradation of the image data is large, the semiconductor detector cannot be used as a defective product. On the other hand, the pixel-type semiconductor element has a poor manufacturing yield. If only a pixel-type semiconductor element with good performance is selected, the cost of the pixel-type semiconductor element itself increases. Under such circumstances, there is a demand for a method for using the current pixel type semiconductor device more effectively.
JP 11-337645 A

本発明の目的は、現状のピクセル型半導体素子をより良く有効に用いることができる放射線イメージング装置並びに半導体検出器の補間方法及びその装置を提供することにある。   An object of the present invention is to provide a radiation imaging apparatus, an interpolation method for a semiconductor detector, and an apparatus for the radiation imaging apparatus that can use the current pixel type semiconductor element more effectively.

本発明の請求項１に記載の放射線イメージング装置は、複数の半導体素子により各画素を形成する半導体検出器を備えたもので、複数の半導体素子のそれぞれの特性を少なくとも３つに分類して記憶する記憶部と、記憶部に記憶された少なくとも３つの分類に基づいて半導体素子の出力に対する補正処理の種類を変更して補正処理を行なう補正部と、補正部の出力に基づいて放射線の分布画像を生成する画像生成部とを具備する。   A radiation imaging apparatus according to a first aspect of the present invention includes a semiconductor detector that forms each pixel by a plurality of semiconductor elements, and classifies and stores at least three characteristics of each of the plurality of semiconductor elements. A storage unit that performs correction processing by changing the type of correction processing for the output of the semiconductor element based on at least three classifications stored in the storage unit, and a radiation distribution image based on the output of the correction unit And an image generation unit for generating.

本発明の請求項１２に記載の半導体検出器の補間方法は、複数の半導体素子から各画素を形成する半導体検出器の補間方法において、各半導体素子からそれぞれ出力される各エネルギデータを解析し、各エネルギデータの解析結果に基づいて各半導体素子の性能をそれぞれ少なくとも３つに分類し、少なくとも３つの分類結果のうち各半導体素子の性能が低いと分類された各画素の値をそれぞれ補間処理する。   The semiconductor detector interpolation method according to claim 12 of the present invention is a semiconductor detector interpolation method in which each pixel is formed from a plurality of semiconductor elements, and each energy data output from each semiconductor element is analyzed, Based on the analysis result of each energy data, the performance of each semiconductor element is classified into at least three, and the value of each pixel classified as having the low performance of each semiconductor element among the at least three classification results is interpolated. .

本発明の請求項１３に記載の複数の半導体素子から各画素を形成する半導体検出器の補間装置において、各半導体素子からそれぞれ出力される各エネルギ信号を解析する解析部と、解析部の解析結果に基づいて各半導体素子の性能をそれぞれ少なくとも３つに分類する分類部と、分類部の分類結果のうち各半導体素子の性能が低いと分類された各画素の値をそれぞれ補間処理する補正部とを具備する。   In the semiconductor detector interpolating apparatus for forming each pixel from a plurality of semiconductor elements according to claim 13 of the present invention, an analysis unit for analyzing each energy signal output from each semiconductor element, and an analysis result of the analysis unit A classification unit that classifies the performance of each semiconductor element into at least three based on the classification, a correction unit that interpolates the values of each pixel classified as having a low performance of each semiconductor element among the classification results of the classification unit; It comprises.

本発明によれば、現状のピクセル型半導体素子をより良く有効に用いることができる放射線イメージング装置並びに半導体検出器の補間方法及びその装置を提供できる。   ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the radiation imaging apparatus which can use the present pixel type semiconductor element better and effectively, the interpolation method of a semiconductor detector, and its apparatus can be provided.

以下、本発明の一実施の形態について図面を参照して説明する。
図１は半導体検出器の補間装置の構成図を示す。半導体検出器１は、複数のピクセル型半導体素子１ａを縦横方向に配置して成る。この半導体検出器１は、例えば医療用の核医学検査に用いるガンマ線イメージング装置に用いられる。各ピクセル型半導体素子１ａは、それぞれガンマ線ｇを検出してエネルギ信号を出力する。この半導体検出器１には、面線源２が対向して設けられる。この面線源２は、複数のピクセル型半導体素子１ａの性能を分類するときに半導体検出器１に対向して設けられる。この面線源２は、ガンマ線ｇを対向する面に対して均一に放射する。これにより、半導体検出器１には、均一なガンマ線ｇが入射する。この半導体検出器１は、面線源２から放射されたガンマ線ｇを各ピクセル型半導体素子１ａで検出し、これらピクセル型半導体素子１ａから各エネルギ信号ｅ１を出力する。これらエネルギ信号ｅ１は、均一性測定データとしてピクセル・エネルギスペクトラム解析装置３に送られる。又、各エネルギ信号ｅ１は、エネルギスペクトラムデータとしてピクセル・エネルギスペクトラム解析装置３に送られる。エネルギスペクトラムデータは、ガンマ線ｇのエネルギ強度の分布を示す。 Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.
FIG. 1 shows a configuration diagram of an interpolation device for a semiconductor detector. The semiconductor detector 1 is formed by arranging a plurality of pixel-type semiconductor elements 1a in the vertical and horizontal directions. This semiconductor detector 1 is used for a gamma ray imaging apparatus used for a medical nuclear medicine examination, for example. Each pixel type semiconductor element 1a detects a gamma ray g and outputs an energy signal. The semiconductor detector 1 is provided with a surface ray source 2 facing the semiconductor detector 1. The surface ray source 2 is provided to face the semiconductor detector 1 when classifying the performance of the plurality of pixel type semiconductor elements 1a. The surface ray source 2 emits gamma rays g uniformly to the opposing surface. As a result, uniform gamma rays g are incident on the semiconductor detector 1. The semiconductor detector 1, the gamma rays g emitted from the surface-ray source 2 is detected at each pixel type semiconductor device 1a, and outputs each energy signal e 1 from these pixel-type semiconductor device 1a. These energy signals e 1 are sent to the pixel energy spectrum analyzer 3 as uniformity measurement data. Each energy signal e 1 is sent to the pixel energy spectrum analyzing apparatus 3 as energy spectrum data. The energy spectrum data indicates the energy intensity distribution of the gamma ray g.

一方、半導体検出器１は、例えば医療用の核医学検査に用いるガンマ線イメージング装置に設けられて核医学検査を行う場合、人体等の被検体内に投与された薬品からのガンマ線ｇを各ピクセル型半導体素子１ａで検出し、これらピクセル型半導体素子１ａから各エネルギ信号ｅ１を出力する。 On the other hand, the semiconductor detector 1 is provided, for example, in a gamma ray imaging apparatus used for medical nuclear medicine examination, and performs gamma ray g from a medicine administered into a subject such as a human body for each pixel type. detected by the semiconductor element 1a, and outputs each energy signal e 1 from these pixel-type semiconductor device 1a.

ピクセル・エネルギスペクトラム解析装置３は、半導体検出器１の各ピクセル型半導体素子１ａから出力される各エネルギ信号ｅ１を解析する。このピクセル・エネルギスペクトラム解析装置３は、半導体検出器１の各ピクセル型半導体素子１ａから出力される各エネルギ信号ｅ１を収集してカウントし、この収集カウント値から各画素値（ピクセルデータ）を求める。 The pixel energy spectrum analyzer 3 analyzes each energy signal e 1 output from each pixel type semiconductor element 1 a of the semiconductor detector 1. The pixel energy spectrum analyzer 3 collects and counts each energy signal e 1 output from each pixel type semiconductor element 1a of the semiconductor detector 1, and calculates each pixel value (pixel data) from the collected count value. Ask.

半導体検出器１が理想の半導体検出器であり、全てのピクセル型半導体素子１ａから正常な各エネルギ信号が出力されていれば、図２に示すように半導体検出器１の全ての画素の値は、一定の値、例えば「１００」となる。同図では半導体検出器１の各画素を１ａとしている。この画素１ａの値「１００」は、半導体検出器１における全ての画素数の例えば２分の１乃至３分の２の画素の値の平均値であって、説明が分かり易いように仮に画素値「１００」にしており、「５０」又は「３０」でもよい。実際の半導体検出器１は、各画素１ａ毎にばらつきがあり、例えば図３に示すように画素値「１００」「０」「５０」「１４０」「１０００」等の値をとる。   If the semiconductor detector 1 is an ideal semiconductor detector and normal energy signals are output from all pixel-type semiconductor elements 1a, the values of all pixels of the semiconductor detector 1 are as shown in FIG. A constant value, for example, “100”. In the figure, each pixel of the semiconductor detector 1 is denoted by 1a. The value “100” of the pixel 1a is an average value of, for example, one-half to two-thirds of the total number of pixels in the semiconductor detector 1, and is assumed to be a pixel value for easy understanding. It is “100” and may be “50” or “30”. The actual semiconductor detector 1 varies for each pixel 1a, and takes values such as pixel values “100” “0” “50” “140” “1000” as shown in FIG.

ピクセル・エネルギスペクトラム解析装置３は、各ピクセル型半導体素子１ａから出力される各エネルギ信号ｅ１の形をカーブ解析してディスプレイ等に表示したり、各エネルギ信号ｅ１のピーク位置、このピーク位置のカウント値、半値幅（ＦＷＨＭ）を解析する。 The pixel energy spectrum analyzer 3 analyzes the shape of each energy signal e 1 output from each pixel type semiconductor element 1a and displays it on a display or the like, or displays the peak position of each energy signal e 1 and the peak position. The count value and half-value width (FWHM) are analyzed.

分類装置４は、ピクセル・エネルギスペクトラム解析装置３の解析結果、例えば図３に示す半導体検出器１の画素ごとの各画素値に基づいて各ピクセル型半導体素子１ａの性能をそれぞれ少なくとも３つに分類（以下、ピクセル分類と称する）する。この分類装置４は、３つに分類として例えば各ピクセル型半導体素子１ａの性能が正常である第１の分類と、ピクセル型半導体素子１ａから出力されるエネルギ信号ｅ１を補正すれば使用可能とする第２の分類と、ピクセル型半導体素子１ａから出力されるエネルギ信号ｅ１の補正が不可能で異常である第３の分類とにピクセル分類する。 The classification device 4 classifies the performance of each pixel type semiconductor element 1a into at least three based on the analysis result of the pixel energy spectrum analysis device 3, for example, each pixel value for each pixel of the semiconductor detector 1 shown in FIG. (Hereinafter referred to as pixel classification). The classification apparatus 4, first classification performance as classified into three for example, each pixel type semiconductor device 1a is normal, usable by correcting the energy signal e 1 output from the pixel-type semiconductor device 1a second and classification, to a third classification and the pixel classification is abnormal is impossible to correct the energy signal e 1 output from the pixel-type semiconductor device 1a to.

具体的に第１の分類Ｃ１は、ピクセル型半導体素子１ａからエネルギ信号ｅ１が正常に出力され、画像毎のエネルギーウィンドウ設定やエネルギ信号ｅ１の強度を補正することにより正常な画像を取得できる。この第１の分類Ｃ１は、図４に示すように半導体検出器１における全ての画素数の例えば２分の１乃至３分の２の画素の値の平均値ＡＶを中間値としてそれを跨いで設定された画素値範囲である。第１の分類Ｃ１の画素は、正常ピクセルと称する。
第２の分類Ｃ２は、第１の分類Ｃ１と比較してエネルギ分解能やエネルギ信号ｅ１の強度のばらつきが大きいが、当該画素の周辺の複数の画素値を用いて補間処理することにより画像の取得を可能とする。この第２の分類Ｃ２は、図４に示すように第１の分類Ｃ１の画素値範囲よりも正負側に画素値が大きく設定された各画素値範囲である。第２の分類Ｃ２の画素は、注意ピクセルと称する。
第３の分類Ｃ３は、ピクセル型半導体素子１ａからエネルギ信号ｅ１が出力されない、又は常に異常なレベルのエネルギ信号ｅ１が出力され続けられている。この第３の分類Ｃ３は、図４に示すように第２の分類Ｃ２の画素値範囲よりも正負側に画素値が大きく設定された各画素値範囲である。第３の分類Ｃ３の画素は、データに応じた出力信号を全く出せない画素で、欠損ピクセルと称する。 Classification C 1 of specifically First, get a normal image by the energy signal e 1 from the pixel-type semiconductor device 1a will be output properly, to correct the intensity of the energy window settings or energy signal e 1 of each image it can. As shown in FIG. 4, the first classification C 1 includes, as an intermediate value, an average value AV of the values of, for example, one-half to two-thirds of the total number of pixels in the semiconductor detector 1, and straddles it. This is the pixel value range set in. The first pixel classification C 1 of is referred to as a normal pixel.
Second category C 2 is the variation in the intensity of the energy resolution and the energy signal e 1 compared first category C 1 is large, by interpolation processing using a plurality of pixel values of the peripheral of the pixel Enable image acquisition. The second category C 2 is the first pixel value range in which the pixel values in the positive and negative side is set larger than the pixel value range of classification C 1 of 4. Second pixel classification C 2 of, called attention pixel.
The third classification C 3 of is not output the energy signal e 1 from the pixel-type semiconductor device 1a, or is always abnormal levels energy signal e 1 of which continue to be output. The third classification C 3 of a pixel value range pixel values in the positive and negative side of the second pixel value range of classification C 2 of is set larger as shown in FIG. Third pixel classification C 3 to have exactly put out no pixel output signal corresponding to data, referred to as missing pixels.

分類装置４は、第２の分類Ｃ２に分類されたピクセル型半導体素子１ａを、この第２の分類Ｃ２の画素値範囲内においてピクセル型半導体素子１ａの性能の程度に応じてさらに複数の段階にピクセル分類する。この分類装置４は、図５に示すように第２の分類Ｃ２の各画素値範囲内をそれぞれ例えば３段階ｄ１、ｄ２、ｄ３にピクセル分類する。第１段階ｄ１は、第２の分類Ｃ２の各画素値範囲内で第１の分類Ｃ１の画素値範囲に隣接する。第２段階ｄ２は、第２の分類Ｃ２の各画素値範囲内の中間に設定される。第３段階ｄ３は、第２の分類Ｃ２の各画素値範囲内で第３の分類Ｃ３の各画素値範囲に隣接する。 Classifying device 4, a second category C 2 to the classified pixels semiconductor element 1a, the second classification C 2 pixel type semiconductor device 1a in the pixel value range performance further more according to the degree of Classify pixels into stages. As shown in FIG. 5, the classification device 4 classifies pixels within the pixel value ranges of the second classification C 2 into, for example, three stages d 1 , d 2 , and d 3 . The first stage d 1 is adjacent to the pixel value range of the first classification C 1 within each pixel value range of the second classification C 2 . The second stage d 2 is set to an intermediate in the second pixel value range of classification C 2. Third stage d 3 is adjacent to the third pixel value range of the classification C 3 in the second pixel value range of classification C 2.

分類装置４は、メモリ５を備える。この分類装置４は、第１、第２又は第３の分類Ｃ１、Ｃ２、Ｃ３にピクセル分類した結果をデータテーブル化してメモリ５に記憶する。なお、メモリ５には、第２の分類Ｃ２と第３の分類Ｃ３とに分類した結果のみを記憶してもよい。図６はデータテーブル１０の模式図を示す。このデータテーブル１０は、複数の欄１０ａを縦横方向に配列して形成されており、各欄１０ａが半導体検出器１の各画素１ａに対応する。ここで、第１の分類Ｃ１にピクセル分類した画素１ａを符号「０」とし、第２の分類Ｃ２にピクセル分類した画素１ａを符号「１」とし、第３の分類Ｃ３にピクセル分類した画素１ａを符号「２」としている。データテーブル１０の各欄１０ａは、半導体検出器１の各画素１ａに対応するので、欄１０ａの位置から画素の座標（ｘ，ｙ）が分かる。 The classification device 4 includes a memory 5. The classification device 4 stores the result of pixel classification into the data table in the data classification into the first, second, or third classification C 1 , C 2 , C 3 . It is to be noted that the memory 5, only the results of classification in the second class C 2 and the third classification C 3 of may be stored. FIG. 6 is a schematic diagram of the data table 10. The data table 10 is formed by arranging a plurality of columns 10 a in the vertical and horizontal directions, and each column 10 a corresponds to each pixel 1 a of the semiconductor detector 1. Here, the first classification C pixel 1a that pixels classified into 1 and a code "0", the second class C 2 pixels 1a that pixels classified into the code "1", pixels classified into the third category C 3 The obtained pixel 1a is denoted by reference numeral “2”. Since each column 10a of the data table 10 corresponds to each pixel 1a of the semiconductor detector 1, the coordinates (x, y) of the pixel can be known from the position of the column 10a.

データテーブル１０は、「ｘ座標、ｙ座標、ピクセル分類」のように記述してもよい。例えば「０，２，符号０」であれば、ｘ座標が「０」でｙ座標が「２」の画素は、正常ピクセルである。「１０，２５，符号１」であれば、ｘ座標が「１０」でｙ座標が「２５」の画素は、注意ピクセルである。「２０，２０，符号２」であれば、ｘ座標が「２０」でｙ座標が「２０」の画素は、欠損ピクセルである。「３０，１０，符号１」であれば、ｘ座標が「３０」でｙ座標が「１０」の画素は、注意ピクセルである。   The data table 10 may be described as “x coordinate, y coordinate, pixel classification”. For example, if “0, 2, code 0”, a pixel having an x coordinate of “0” and a y coordinate of “2” is a normal pixel. In the case of “10, 25, code 1”, a pixel whose x coordinate is “10” and y coordinate is “25” is a caution pixel. In the case of “20, 20, code 2”, a pixel whose x coordinate is “20” and y coordinate is “20” is a defective pixel. In the case of “30, 10, code 1”, a pixel whose x coordinate is “30” and y coordinate is “10” is a caution pixel.

データテーブル１０は、予め設定されたｘ座標、ｙ座標の順序に従ってピクセル分類を記述してもよい。例えば、「０，０，１，０，０，２，２，０，０，０，２，……，０」である。この場合、（ｘ，ｙ）座標は、「（ｘ１，ｙ１），（ｘ１，ｙ２）（ｘ１，ｙ３）…（ｘｎ，ｙｍ）」である。なお、データテーブル１０のフォーマットは、各画素のｘｙ座標とピクセル分類とが分かればよいので、如何なるフォーマットでもよい。 The data table 10 may describe pixel classifications according to a preset order of x coordinate and y coordinate. For example, “0, 0, 1, 0, 0, 2, 2, 0, 0, 0, 2,..., 0”. In this case, the (x, y) coordinates are “(x 1 , y 1 ), (x 1 , y 2 ) (x 1 , y 3 )... (X n , y m )”. Note that the format of the data table 10 may be any format as long as the xy coordinates and pixel classification of each pixel are known.

データテーブル１０は、ピクセル分類の結果として第１、第２又は第３の分類Ｃ１、Ｃ２、Ｃ３に限らず、第２の分類Ｃ２の各画素値範囲内をピクセル分類した結果の例えば３段階ｄ１、ｄ２、ｄ３も記憶する。これら３段階ｄ１、ｄ２、ｄ３の分類結果は、例えば図６に示す該当する座標の各欄１０ａに記憶される。 The data table 10 is not limited to the first, second, or third classification C 1 , C 2 , or C 3 as a result of the pixel classification, but is a result of pixel classification within each pixel value range of the second classification C 2 . For example, the three stages d 1 , d 2 and d 3 are also stored. The classification results of these three stages d 1 , d 2 , and d 3 are stored in each column 10a of the corresponding coordinates shown in FIG. 6, for example.

補間処理装置６は、分類装置４のピクセル分類結果のうちピクセル型半導体素子１ａの性能が低いと分類された例えば第２の分類Ｃ２と第３の分類Ｃ３の各画素の値をそれぞれ補間処理する。例えば、補間処理装置６は、図７に示すように各画素ｐ１、ｐ２、…、ｐ９のうち注目画素ｐ５の画素値と、この注目画素ｐ５の周囲に配置されている複数の周辺画素ｐ１、ｐ２、ｐ３、ｐ４、ｐ６、ｐ７、ｐ８、ｐ９の各画素値との平均値処理を行い、この平均値を注目画素ｐ５に補間する。この場合、補間処理装置６は、注目画素ｐ５が第２の分類Ｃ２に分類された注意ピクセルであれば、注目画素ｐ５を平均値処理に含める。又、補間処理部６は、注目画素ｐ５が第３の分類Ｃ３に分類された欠損ピクセルであれば、注目画素ｐ５を平均値処理から除く。 The interpolation processing device 6 interpolates, for example, the values of the respective pixels of the second classification C 2 and the third classification C 3 that are classified as having a low performance of the pixel type semiconductor element 1a among the pixel classification results of the classification device 4. To process. For example, as shown in FIG. 7, the interpolation processing device 6 includes a pixel value of the target pixel p 5 among the pixels p 1 , p 2 ,..., P 9 and a plurality of pixels arranged around the target pixel p 5 . The pixel values of the surrounding pixels p 1 , p 2 , p 3 , p 4 , p 6 , p 7 , p 8 , and p 9 are averaged, and the average value is interpolated to the target pixel p 5 . In this case, the interpolation processing unit 6, as long as care pixels to which the pixel of interest p 5 is classified into the second category C 2, including the pixel of interest p 5 to the average value processing. Further, the interpolation processing unit 6, if the pixel of interest p 5 is classified into the third category C 3 deficient pixels, excluding the pixel of interest p 5 from the average value processing.

補間処理装置６は、図７に示すように注目画素ｐ５の画素値と複数の周辺画素ｐ１、ｐ２、ｐ３、ｐ４、ｐ６、ｐ７、ｐ８、ｐ９の各画素値とに対して重み付けを行う。例えば、補間処理装置６は、第２の分類Ｃ２内で３段階ｄ１、ｄ２、ｄ３に分類された各ピクセル型半導体素子１ａに対応する各画素値のうち注目画素ｐ５の画素値と複数の周辺画素ｐ１、ｐ２、ｐ３、ｐ４、ｐ６、ｐ７、ｐ８、ｐ９の各画素値とに対して重み付けを行い、この重み付けされた各画素値に対して平均値処理を行う。 As shown in FIG. 7, the interpolation processing device 6 includes a pixel value of the target pixel p 5 and a plurality of peripheral pixels p 1 , p 2 , p 3 , p 4 , p 6 , p 7 , p 8 , and p 9 . Weights values. For example, the interpolation processing unit 6, pixels of the pixel of interest p 5 out of each pixel value corresponding to the second class C 2 within three stages d 1, d 2, each pixel type semiconductor device 1a, which is classified into d 3 And weighting each of the peripheral pixels p 1 , p 2 , p 3 , p 4 , p 6 , p 7 , p 8 , and p 9 , and for each of the weighted pixel values Average value processing.

補間処理装置６には、重み付けデータメモリ７が接続されている。この重み付けデータメモリ７には、重み付けデータが記憶されている。図８（ａ）（ｂ）（ｃ）は重み付けデータＧ１、Ｇ２、Ｇ３の一例の模式図を示す。これら重み付けデータＧ１、Ｇ２、Ｇ３は、第２の分類Ｃ２内をさらに３段階ｄ１、ｄ２、ｄ３にピクセル分類された各画素に対して重み付けするもので、各段階ｄ１、ｄ２、ｄ３に応じて重み付け値が異なる。 A weighting data memory 7 is connected to the interpolation processing device 6. The weighting data memory 7 stores weighting data. FIGS. 8A, 8B, and 8C are schematic diagrams showing examples of weighting data G 1 , G 2 , and G 3 . These weighted data G 1 , G 2 , and G 3 are for weighting each pixel classified into three stages d 1 , d 2 , and d 3 in the second classification C 2 , and each stage d The weighting value varies depending on 1 , d 2 , and d 3 .

図８（ａ）に示す重み付けデータＧ１は、第２の分類Ｃ２内の第１段階ｄ１に分類されたピクセル型半導体素子１ａに対応する画素を注目画素として重み付けを行う。この重み付けデータＧ１は、注目画素に対する重みを周辺画素の重みよりも大きく設定されている。第１段階ｄ１は、第１の分類Ｃ１の正常ピクセルに接して設けられている。従って、注目画素に対する正確度が正常ピクセルと近似して扱える。これにより、注目画素に対する重みを周辺画素の重みよりも大きく設定し、注目画素に対する寄与率を大きくしている。 Figure 8 weighting data G 1 shown in (a), it performs weighting the pixels corresponding to the second first stage d 1 to classified pixel type semiconductor device 1a in the classification C 2 as the target pixel. The weighting data G 1 is set larger than the weight of the peripheral pixels a weighting for the pixel of interest. The first stage d 1 is provided in contact with the normal pixels of the first classification C 1 . Therefore, the accuracy with respect to the target pixel can be treated as being approximate to that of a normal pixel. Thereby, the weight for the pixel of interest is set larger than the weight of the surrounding pixels, and the contribution ratio for the pixel of interest is increased.

同図（ｂ）に示す重み付けデータＧ２は、第２の分類Ｃ２内の第２段階ｄ２に分類されたピクセル型半導体素子１ａに対応する画素を注目画素として重み付けを行う。この重み付けデータＧ２は、注目画素と周辺画素との重みを同一に設定している。
同図（ｃ）に示す重み付けデータＧ３は、第２の分類Ｃ２内の第３段階ｄ３に分類されたピクセル型半導体素子１ａに対応する画素を注目画素として重み付けを行う。この重み付けデータＧ３は、注目画素に対する重みを周辺画素の重みよりも小さく設定されている。 Weighting data G 2 shown in (b) performs weighting pixels corresponding to the second second stage d 2 to the classified pixels semiconductor device 1a in the classification C 2 as the target pixel. The weighted data G 2 are set the weight of the target pixel and peripheral pixels in the same.
Weighting data G 3 shown in (c) performs the weighting pixels corresponding to the second third stage d 3 to classified pixel type semiconductor device 1a in the classification C 2 as the target pixel. The weighting data G 3 are, is set smaller than the weight of the peripheral pixels a weighting for the pixel of interest.

第３段階ｄ３は、第３の分類Ｃ３の欠損ピクセルに接して設けられている。従って、注目画素に対する正確度が欠損ピクセルと近似して扱える。これにより、注目画素に対する重みを周辺画素の重みよりも小さく設定し、注目画素に対する寄与率を小さくしている。 Third stage d 3 is provided in contact with the third defect pixel classification C 3 of. Accordingly, the accuracy with respect to the target pixel can be treated as being approximate to that of the defective pixel. Thereby, the weight for the pixel of interest is set smaller than the weight of the surrounding pixels, and the contribution rate to the pixel of interest is reduced.

補間処理装置６は、補間処理した被検体の画像Ｓを生成する、すなわち放射線の分布画像を生成する画像生成部として機能する。   The interpolation processing device 6 functions as an image generation unit that generates an image S of the subject subjected to the interpolation processing, that is, generates a radiation distribution image.

一方、例えば医療用の核医学検査に用いるガンマ線イメージング装置に設けられて核医学検査を行う場合、半導体検出器１は、人体等の被検体内に投与された薬品からのガンマ線ｇを各ピクセル型半導体素子１ａで検出し、これらピクセル型半導体素子１ａから各エネルギ信号ｅ１を出力する。データ収集装置８は、各ピクセル型半導体素子１ａから出力される各エネルギ信号ｅ１を収集してカウントし、この収集カウント値から被検体の画像の各画素値（ピクセルデータ）を求める。
均一性補正装置９は、被検体の画像の各画素値に対して例えば感度の均一性の補正を行い、均一性補正の行われた被検体の画像を補間処理装置６に送る。 On the other hand, for example, when a nuclear medicine examination is performed by being provided in a gamma ray imaging apparatus used for medical nuclear medicine examination, the semiconductor detector 1 uses gamma rays g from a medicine administered into a subject such as a human body for each pixel type. detected by the semiconductor element 1a, and outputs each energy signal e 1 from these pixel-type semiconductor device 1a. Data collecting device 8 counts by collecting the energy signal e 1 output from each pixel type semiconductor device 1a, obtains the pixel values of the subject image (pixel data) from the collection count value.
The uniformity correction device 9 performs, for example, sensitivity uniformity correction on each pixel value of the subject image, and sends the subject image subjected to the uniformity correction to the interpolation processing device 6.

次に、上記の如く構成された装置による半導体検出器１に対する補間処理について説明する。
面線源２は、ガンマ線ｇを均一に面放射する。半導体検出器１は、均一なガンマ線ｇを各ピクセル型半導体素子１ａで検出し、これらピクセル型半導体素子１ａから各エネルギ信号ｅ１を出力する。これらエネルギ信号ｅ１は、均一性測定データとしてピクセル・エネルギスペクトラム解析装置３に送られる。 Next, an interpolation process for the semiconductor detector 1 by the apparatus configured as described above will be described.
The surface ray source 2 uniformly emits gamma rays g. Semiconductor detector 1, a uniform gamma ray g detected at each pixel type semiconductor device 1a, and outputs each energy signal e 1 from these pixel-type semiconductor device 1a. These energy signals e 1 are sent to the pixel energy spectrum analyzer 3 as uniformity measurement data.

このピクセル・エネルギスペクトラム解析装置３は、半導体検出器１の各ピクセル型半導体素子１ａから出力される各エネルギ信号ｅ１を収集してカウントし、この収集カウント値から各画素値（ピクセルデータ）を求める。 The pixel energy spectrum analyzer 3 collects and counts each energy signal e 1 output from each pixel type semiconductor element 1a of the semiconductor detector 1, and calculates each pixel value (pixel data) from the collected count value. Ask.

ピクセル・エネルギスペクトラム解析装置３は、半導体検出器１の各ピクセル型半導体素子１ａから出力される各エネルギ信号ｅ１を解析する。このピクセル・エネルギスペクトラム解析装置３は、半導体検出器１の各ピクセル型半導体素子１ａから出力される各エネルギ信号ｅ１を収集してカウントし、この収集カウント値から各画素値（ピクセルデータ）を求める。図３は半導体検出器１の各画素の値を示し、例えば各画素値「１００」「０」「５０」「１４０」「１０００」等のように各画素間にばらつきがある。なお、ピクセル・エネルギスペクトラム解析装置３は、各ピクセル型半導体素子１ａから出力される各エネルギ信号ｅ１の形をカーブ解析してディスプレイ等に表示したり、各エネルギ信号ｅ１のピーク位置、このピーク位置のカウント値、半値幅（ＦＷＨＭ）を解析する。 The pixel energy spectrum analyzer 3 analyzes each energy signal e 1 output from each pixel type semiconductor element 1 a of the semiconductor detector 1. The pixel energy spectrum analyzer 3 collects and counts each energy signal e 1 output from each pixel type semiconductor element 1a of the semiconductor detector 1, and calculates each pixel value (pixel data) from the collected count value. Ask. FIG. 3 shows the value of each pixel of the semiconductor detector 1, and there are variations among the pixels, for example, the pixel values “100” “0” “50” “140” “1000”, and the like. The pixel energy spectrum analyzer 3 analyzes the shape of each energy signal e 1 output from each pixel type semiconductor element 1a and displays it on a display or the like, or displays the peak position of each energy signal e 1 The peak position count value and half width (FWHM) are analyzed.

分類装置４は、ピクセル・エネルギスペクトラム解析装置３の解析結果、例えば図３に示す半導体検出器１の各画素の画素値を受け取り、これら画素を３つにピクセル分類、例えば図４に示すように各ピクセル型半導体素子１ａの性能が正常である第１の分類Ｃ１と、ピクセル型半導体素子１ａから出力されるエネルギ信号ｅ１を補正すれば使用可能とする第２の分類Ｃ２と、ピクセル型半導体素子１ａから出力されるエネルギ信号ｅ１の補正が不可能で異常である第３の分類Ｃ３とにピクセル分類する。このうち第１の分類Ｃ１の画素は、正常ピクセルである。第２の分類Ｃ２の画素は、注意ピクセルである。第３の分類Ｃ３の画素は、欠損ピクセルである。 The classification device 4 receives the analysis result of the pixel energy spectrum analysis device 3, for example, the pixel value of each pixel of the semiconductor detector 1 shown in FIG. 3, and classifies these pixels into three pixels, for example, as shown in FIG. A first classification C 1 in which the performance of each pixel type semiconductor element 1a is normal, a second classification C 2 that can be used by correcting the energy signal e 1 output from the pixel type semiconductor element 1a, and a pixel type semiconductor device 1a of the energy signal e 1 output from the correction to a third classification C 3 and the pixel classification is abnormal impossible. Among the first pixel classification C 1 of a normal pixel. Second pixel classification C 2 of a care pixel. Third pixel classification C 3 of a defective pixel.

分類装置４は、第２の分類Ｃ２に分類されたピクセル型半導体素子１ａを、この第２の分類Ｃ２の画素値範囲内においてピクセル型半導体素子１ａの性能の程度に応じてさらに複数の段階にピクセル分類する。この分類装置４は、図５に示すように第２の分類Ｃ２の各画素値範囲内をそれぞれ例えば３段階ｄ１、ｄ２、ｄ３にピクセル分類する。この分類装置４は、第１、第２又は第３の分類Ｃ１、Ｃ２、Ｃ３にピクセル分類した結果を例えば図６に示すようにデータテーブル化してメモリ５に記憶すると共に、第２の分類Ｃ２の各画素値範囲内をピクセル分類した結果の例えば３段階ｄ１、ｄ２、ｄ３もメモリ５に記憶する。 Classifying device 4, a second category C 2 to the classified pixels semiconductor element 1a, the second classification C 2 pixel type semiconductor device 1a in the pixel value range performance further more according to the degree of Classify pixels into stages. As shown in FIG. 5, the classification device 4 classifies pixels within the pixel value ranges of the second classification C 2 into, for example, three stages d 1 , d 2 , and d 3 . The classification device 4 stores the result of pixel classification into the first, second, or third classification C 1 , C 2 , C 3 in a data table as shown in FIG. For example, three stages d 1 , d 2 , and d 3 as a result of pixel classification within each pixel value range of the classification C 2 are also stored in the memory 5.

一方、例えば医療用の核医学検査に用いるガンマ線イメージングに設けられて核医学検査を行う場合、半導体検出器１は、人体等の被検体内に投与された薬品からのガンマ線ｇを各ピクセル型半導体素子１ａで検出し、これらピクセル型半導体素子１ａから各エネルギ信号ｅ１を出力する。データ収集装置８は、各ピクセル型半導体素子１ａから出力される各エネルギ信号ｅ１を収集してカウントし、この収集カウント値から被検体の画像の各画素値（ピクセルデータ）を求める。均一性補正装置９は、被検体の画像の各画素値に対して例えば感度の均一性の補正を行い、均一性補正の行われた被検体の画像を補間処理装置６に送る。 On the other hand, for example, when performing a nuclear medicine examination provided in gamma-ray imaging used for medical nuclear medicine examination, the semiconductor detector 1 uses gamma rays g from a medicine administered into a subject such as a human body for each pixel type semiconductor. detected by the element 1a, and outputs each energy signal e 1 from these pixel-type semiconductor device 1a. Data collecting device 8 counts by collecting the energy signal e 1 output from each pixel type semiconductor device 1a, obtains the pixel values of the subject image (pixel data) from the collection count value. The uniformity correction device 9 performs, for example, sensitivity uniformity correction on each pixel value of the subject image, and sends the subject image subjected to the uniformity correction to the interpolation processing device 6.

補間処理装置６は、均一性補正装置９により均一性補正された被検体の画像を受け取り、この画像に対して分類装置４によるピクセル分類結果のうちピクセル型半導体素子１ａの性能が低いと分類された例えば第２の分類Ｃ２と第３の分類Ｃ３の各画素の値をそれぞれ補間処理する。例えば、補間処理装置６は、図７に示すように各画素ｐ１、ｐ２、…、ｐ９のうち注目画素ｐ５の画素値と、この注目画素ｐ５の周囲に配置されている複数の周辺画素ｐ１、ｐ２、ｐ３、ｐ４、ｐ６、ｐ７、ｐ８、ｐ９の各画素値との平均値処理を行い、この平均値を注目画素ｐ５に補間する。この場合、補間処理装置６は、注目画素ｐ５が第２の分類Ｃ２に分類された注意ピクセルであれば、注目画素ｐ５を平均値処理に含める。又、補間処理部６は、注目画素ｐ５が第３の分類Ｃ３に分類された欠損ピクセルであれば、注目画素ｐ５を平均値処理から除く。 The interpolation processing device 6 receives the image of the subject whose uniformity has been corrected by the uniformity correction device 9, and is classified as having a low performance of the pixel type semiconductor element 1a in the pixel classification result by the classification device 4 for this image. and for example, a second classification C 2 and the values of third pixels of the classification C 3 of respectively the interpolation process. For example, as shown in FIG. 7, the interpolation processing device 6 includes a pixel value of the target pixel p 5 among the pixels p 1 , p 2 ,..., P 9 and a plurality of pixels arranged around the target pixel p 5 . The pixel values of the surrounding pixels p 1 , p 2 , p 3 , p 4 , p 6 , p 7 , p 8 , and p 9 are averaged, and the average value is interpolated to the target pixel p 5 . In this case, the interpolation processing unit 6, as long as care pixels to which the pixel of interest p 5 is classified into the second category C 2, including the pixel of interest p 5 to the average value processing. Further, the interpolation processing unit 6, if the pixel of interest p 5 is classified into the third category C 3 deficient pixels, excluding the pixel of interest p 5 from the average value processing.

ここで、補間処理の具体的な例について説明する。図９は半導体検出器１における各ピクセル型半導体素子１ａに対応する各画素ｐ１、ｐ２、…、ｐ９を示す。同図では第１乃至第４の領域Ｈ１〜Ｈ４に対する補間処理を説明する。これら領域Ｈ１〜Ｈ４において各画素は、便宜上、符号ｐ１、ｐ２、…、ｐ９により示す。
先ず、第１の領域Ｈ１において画素ｐ５が注目画素となり、各画素ｐ１、ｐ２、ｐ３、ｐ４、ｐ６、ｐ７、ｐ８、ｐ９が周辺画素になる。注目画素ｐ５が注意ピクセルに分類されると、補間処理装置６は、注目画素ｐ５に対する補間処理を行うとき注目画素ｐ５を含めて平均値処理を行う。すなわち注目画素ｐ５に対する補間処理は、
（ｐ１＋ｐ２＋ｐ３＋ｐ４＋ｐ５＋ｐ６＋ｐ７＋ｐ８＋ｐ９）／９．０ …（１）
を計算し、この計算値を注目画素ｐ５の画素値として注目画素ｐ５に入れ替える。なお、上記式（１）において各画素ｐ１、ｐ２、ｐ３、ｐ４、ｐ５、ｐ６、ｐ７、ｐ８、ｐ９は画素値を示すものとする。
注目画素ｐ５が欠損ピクセルに分類されると、補間処理装置６は、注目画素ｐ５に対する補間処理を行うとき注目画素ｐ５を除いて平均値処理を行う。すなわち注目画素ｐ５に対する補間処理は、
（ｐ１＋ｐ２＋ｐ３＋ｐ４＋ｐ６＋ｐ７＋ｐ８＋ｐ９）／８．０ …（２）
を計算し、この計算値を注目画素ｐ５の画素値として注目画素ｐ５に入れ替える。 Here, a specific example of the interpolation process will be described. FIG. 9 shows each pixel p 1 , p 2 ,..., P 9 corresponding to each pixel type semiconductor element 1 a in the semiconductor detector 1. In the figure, an interpolation process for the first to fourth regions H 1 to H 4 will be described. In the regions H 1 to H 4 , each pixel is denoted by reference signs p 1 , p 2 ,..., P 9 for convenience.
First, in the first region H 1 , the pixel p 5 is a target pixel, and the pixels p 1 , p 2 , p 3 , p 4 , p 6 , p 7 , p 8 , and p 9 are peripheral pixels. When the pixel of interest p 5 is classified as noted pixel, the interpolation processing unit 6 performs average processing including the pixel of interest p 5 when performing the interpolation processing for the pixel of interest p 5. That is, the interpolation process for the target pixel p 5 is
(P 1 + p 2 + p 3 + p 4 + p 5 + p 6 + p 7 + p 8 + p 9 ) /9.0 (1)
It was calculated, replacing the pixel of interest p 5 The calculated value as a pixel value of the pixel of interest p 5. The above formula each pixel in (1) p 1, p 2 , p 3, p 4, p 5, p 6, p 7, p 8, p 9 denote the pixel values.
When the pixel of interest p 5 is classified as defective pixels, the interpolation processing unit 6 performs average processing except the pixel of interest p 5 when performing the interpolation processing for the pixel of interest p 5. That is, the interpolation process for the target pixel p 5 is
(P 1 + p 2 + p 3 + p 4 + p 6 + p 7 + p 8 + p 9 ) /8.0 (2)
It was calculated, replacing the pixel of interest p 5 The calculated value as a pixel value of the pixel of interest p 5.

次に、第２の領域Ｈ２は、周辺に画像の境界がある場合である。この第２の領域Ｈ２において画素ｐ５が注目画素となり、各画素ｐ４、ｐ７、ｐ８が周辺画素になる。注目画素ｐ５が注意ピクセルに分類されると、補間処理装置６は、注目画素ｐ５に対する補間処理を行うとき注目画素ｐ５を含めて平均値処理を行う。すなわち注目画素ｐ５に対する補間処理は、
（ｐ４＋ｐ５＋ｐ７＋ｐ８）／４．０ …（３）
を計算し、この計算値を注目画素ｐ５の画素値として注目画素ｐ５に入れ替える。
注目画素ｐ５が欠損ピクセルに分類されると、補間処理装置６は、注目画素ｐ５に対する補間処理を行うとき注目画素ｐ５を除いて平均値処理を行う。すなわち注目画素ｐ５に対する補間処理は、
（ｐ４＋ｐ７＋ｐ８）／３．０ …（４）
を計算し、この計算値を注目画素ｐ５の画素値として注目画素ｐ５に入れ替える。 Next, the second region H 2 is when there is an image boundary around. The second pixel p 5 in the area of H 2 becomes a target pixel, each pixel p 4, p 7, p 8 is peripheral pixels. When the pixel of interest p 5 is classified as noted pixel, the interpolation processing unit 6 performs average processing including the pixel of interest p 5 when performing the interpolation processing for the pixel of interest p 5. That is, the interpolation process for the target pixel p 5 is
(P 4 + p 5 + p 7 + p 8 ) /4.0 (3)
It was calculated, replacing the pixel of interest p 5 The calculated value as a pixel value of the pixel of interest p 5.
When the pixel of interest p 5 is classified as defective pixels, the interpolation processing unit 6 performs average processing except the pixel of interest p 5 when performing the interpolation processing for the pixel of interest p 5. That is, the interpolation process for the target pixel p 5 is
(P 4 + p 7 + p 8 ) /3.0 (4)
It was calculated, replacing the pixel of interest p 5 The calculated value as a pixel value of the pixel of interest p 5.

次に、第３の領域Ｈ３は、周辺に欠損ピクセルがある場合である。ここではｐ６を欠損ピクセルとする。第３の領域Ｈ３において画素ｐ５が注目画素となり、各画素ｐ１、ｐ２、ｐ３、ｐ４、ｐ６、ｐ７、ｐ８、ｐ９が周辺画素になる。注目画素ｐ５が注意ピクセルに分類されると、補間処理装置６は、注目画素ｐ５に対する補間処理を行うとき注目画素ｐ５を含めて平均値処理を行う。なお、欠損ピクセルｐ６は、除かれる。すなわち注目画素ｐ５に対する補間処理は、
（ｐ１＋ｐ２＋ｐ３＋ｐ４＋ｐ５＋ｐ７＋ｐ８＋ｐ９）／８．０ …（５）
を計算し、この計算値を注目画素ｐ５の画素値として注目画素ｐ５に入れ替える。
注目画素ｐ５が欠損ピクセルに分類されると、補間処理装置６は、注目画素ｐ５に対する補間処理を行うとき注目画素ｐ５を除いて平均値処理を行う。欠損ピクセルｐ６も除かれる。すなわち注目画素ｐ５に対する補間処理は、
（ｐ１＋ｐ２＋ｐ３＋ｐ４＋ｐ７＋ｐ８＋ｐ９）／７．０ …（６）
を計算し、この計算値を注目画素ｐ５の画素値として注目画素ｐ５に入れ替える。 Next, the third region H 3 is the case where there is a defective pixel in the periphery. Here, it is assumed the p 6 deficiency pixels. In the third region H 3 , the pixel p 5 is the target pixel, and the pixels p 1 , p 2 , p 3 , p 4 , p 6 , p 7 , p 8 , and p 9 are peripheral pixels. When the pixel of interest p 5 is classified as noted pixel, the interpolation processing unit 6 performs average processing including the pixel of interest p 5 when performing the interpolation processing for the pixel of interest p 5. Note that defective pixel p 6 is eliminated. That is, the interpolation process for the target pixel p 5 is
(P 1 + p 2 + p 3 + p 4 + p 5 + p 7 + p 8 + p 9 ) /8.0 (5)
It was calculated, replacing the pixel of interest p 5 The calculated value as a pixel value of the pixel of interest p 5.
When the pixel of interest p 5 is classified as defective pixels, the interpolation processing unit 6 performs average processing except the pixel of interest p 5 when performing the interpolation processing for the pixel of interest p 5. Defect pixel p 6 is also removed. That is, the interpolation process for the target pixel p 5 is
(P 1 + p 2 + p 3 + p 4 + p 7 + p 8 + p 9 ) /7.0 (6)
It was calculated, replacing the pixel of interest p 5 The calculated value as a pixel value of the pixel of interest p 5.

次に、第４の領域Ｈ４は、周辺に画像の境界があると共に、周辺に欠損ピクセルがある場合である。ここではｐ１、ｐ７を欠損ピクセルとする。第４の領域Ｈ４において画素ｐ５が注目画素となり、各画素ｐ１、ｐ２、ｐ４、ｐ５、ｐ７、ｐ８が周辺画素になる。注目画素ｐ５が注意ピクセルに分類されると、補間処理装置６は、注目画素ｐ５に対する補間処理を行うとき注目画素ｐ５を含めて平均値処理を行う。なお、欠損ピクセルｐ１、ｐ７は、除かれる。すなわち注目画素ｐ５に対する補間処理は、
（ｐ２＋ｐ４＋ｐ５＋ｐ８）／４．０ …（７）
を計算し、この計算値を注目画素ｐ５の画素値として注目画素ｐ５に入れ替える。
注目画素ｐ５が欠損ピクセルに分類されると、補間処理装置６は、注目画素ｐ５に対する補間処理を行うとき注目画素ｐ５を除いて平均値処理を行う。欠損ピクセルｐ１、ｐ７も除かれる。すなわち注目画素ｐ５に対する補間処理は、
（ｐ２＋ｐ４＋ｐ８）／３．０ …（８）
を計算し、この計算値を注目画素ｐ５の画素値として注目画素ｐ５に入れ替える。 Next, the fourth region H 4, as well there is an image boundary around a case where there is a defective pixel in the periphery. Here, let p 1 and p 7 be missing pixels. In the fourth region H 4 , the pixel p 5 is the target pixel, and the pixels p 1 , p 2 , p 4 , p 5 , p 7 , and p 8 are peripheral pixels. When the pixel of interest p 5 is classified as noted pixel, the interpolation processing unit 6 performs average processing including the pixel of interest p 5 when performing the interpolation processing for the pixel of interest p 5. Note that the missing pixels p 1 and p 7 are excluded. That is, the interpolation process for the target pixel p 5 is
(P 2 + p 4 + p 5 + p 8 ) /4.0 (7)
It was calculated, replacing the pixel of interest p 5 The calculated value as a pixel value of the pixel of interest p 5.
When the pixel of interest p 5 is classified as defective pixels, the interpolation processing unit 6 performs average processing except the pixel of interest p 5 when performing the interpolation processing for the pixel of interest p 5. The missing pixels p 1 and p 7 are also removed. That is, the interpolation process for the target pixel p 5 is
(P 2 + p 4 + p 8 ) /3.0 (8)
It was calculated, replacing the pixel of interest p 5 The calculated value as a pixel value of the pixel of interest p 5.

又、補間処理装置６は、図７に示すように注目画素ｐ５の画素値と複数の周辺画素ｐ１、ｐ２、ｐ３、ｐ４、ｐ６、ｐ７、ｐ８、ｐ９の各画素値とに対して重み付けを行う。なお、上記補間処理の具体的な説明は、重み付けが注目画素ｐ５と、各周辺画素ｐ１、ｐ２、ｐ３、ｐ４、ｐ６、ｐ７、ｐ８、ｐ９に対して全て「１」である。すなわち、図８（ｂ）に示す重み付けデータＧ２を用いたのと同一である。 Further, the interpolation processing unit 6, the pixel values and a plurality of peripheral pixels p 1 of the pixel of interest p 5 as shown in FIG. 7, p 2, p 3, the p 4, p 6, p 7 , p 8, p 9 Weighting is performed on each pixel value. Note that the specific description of the above interpolation processing is all for the pixel of interest p 5 and the surrounding pixels p 1 , p 2 , p 3 , p 4 , p 6 , p 7 , p 8 , p 9 . “1”. That is the same as that used weighted data G 2 shown in Figure 8 (b).

これに対して補間処理装置６は、例えば第２の分類Ｃ２内で３段階ｄ１、ｄ２、ｄ３に分類された各ピクセル型半導体素子１ａに対応する各画素値のうち注目画素ｐ５の画素値と複数の周辺画素ｐ１、ｐ２、ｐ３、ｐ４、ｐ６、ｐ７、ｐ８、ｐ９の各画素値とに対して重み付けを行い、この重み付けされた各画素値に対して平均値処理を行う。重み付けは、重み付けデータメモリ７に記憶されている各重み付けデータＧ１、Ｇ２、Ｇ３を用いる。 On the other hand, the interpolation processing device 6, for example, the target pixel p among the pixel values corresponding to the pixel type semiconductor elements 1 a classified into the three stages d 1 , d 2 , and d 3 in the second classification C 2 . The pixel value of 5 and the pixel values of a plurality of peripheral pixels p 1 , p 2 , p 3 , p 4 , p 6 , p 7 , p 8 , p 9 are weighted, and each weighted pixel Average value processing is performed on values. For the weighting, the respective weighting data G 1 , G 2 , G 3 stored in the weighting data memory 7 are used.

例えば、第１の領域Ｈ１において注目画素ｐ５が図５に示す注意ピクセル中の第１段階ｄ１に分類されると、補間処理装置６は、注目画素ｐ５に対する補間処理を行うとき、図８（ａ）に示す重み付けデータＧ１を用いて注目画素ｐ５の画素値と各周辺画素ｐ１、ｐ２、ｐ３、ｐ４、ｐ６、ｐ７、ｐ８、ｐ９の各画素値とを重み付けをして注目画素ｐ５を含めて平均値処理を行う。すなわち注目画素ｐ５に対する補間処理は、
（１・ｐ１＋１・ｐ２＋１・ｐ３＋１・ｐ４＋２・ｐ５＋１・ｐ６
＋１・ｐ７＋１・ｐ８＋１・ｐ９）／９．０ …（９）
を計算し、この計算値を注目画素ｐ５の画素値として注目画素ｐ５に入れ替える。 For example, when the target pixel p 5 is classified into the first stage d 1 in the attention pixel shown in FIG. 5 in the first region H 1 , the interpolation processing device 6 performs the interpolation process on the target pixel p 5 . Figure 8 pixel values and the surrounding pixel p 1 of the pixel of interest p 5 using weighted data G 1 shown in (a), p 2, p 3, p 4, each of p 6, p 7, p 8 , p 9 including the pixel of interest p 5 by weighting the pixel values for averaging value processing. That is, the interpolation process for the target pixel p 5 is
(1 · p 1 + 1 · p 2 + 1 · p 3 + 1 · p 4 + 2 · p 5 + 1 · p 6
+ 1 · p 7 + 1 · p 8 + 1 · p 9 ) /9.0 (9)
It was calculated, replacing the pixel of interest p 5 The calculated value as a pixel value of the pixel of interest p 5.

又、第１の領域Ｈ１において注目画素ｐ５が図５に示す注意ピクセル中の第３段階ｄ３に分類されると、補間処理装置６は、注目画素ｐ５に対する補間処理を行うとき、図８（ｃ）に示す重み付けデータＧ３を用いて注目画素ｐ５の画素値と各周辺画素ｐ１、ｐ２、ｐ３、ｐ４、ｐ６、ｐ７、ｐ８、ｐ９の各画素値とを重み付けをして注目画素ｐ５を含めて平均値処理を行う。すなわち注目画素ｐ５に対する補間処理は、
（２・ｐ１＋２・ｐ２＋２・ｐ３＋２・ｐ４＋１・ｐ５＋２・ｐ６
＋２・ｐ７＋２・ｐ８＋２・ｐ９）／９．０ …（１０）
を計算し、この計算値を注目画素ｐ５の画素値として注目画素ｐ５に入れ替える。
しかるに、補間処理装置６は、補間処理した被検体の画像Ｓを生成する、すなわち放射線の分布画像を生成する。 Further, when the pixel of interest p 5 in the first region H 1 is classified into the third stage d 3 in attention pixel shown in FIG. 5, the interpolation processing unit 6, when performing the interpolation processing for the pixel of interest p 5, Figure 8 pixel values and the surrounding pixel p 1 of the pixel of interest p 5 using weighted data G 3 shown in (c), p 2, p 3, p 4, each of p 6, p 7, p 8 , p 9 including the pixel of interest p 5 by weighting the pixel values for averaging value processing. That is, the interpolation process for the target pixel p 5 is
(2 · p 1 + 2 · p 2 + 2 · p 3 + 2 · p 4 + 1 · p 5 + 2 · p 6
+ 2 · p 7 + 2 · p 8 + 2 · p 9 ) /9.0 (10)
It was calculated, replacing the pixel of interest p 5 The calculated value as a pixel value of the pixel of interest p 5.
However, the interpolation processing device 6 generates an image S of the subject subjected to the interpolation processing, that is, generates a radiation distribution image.

このように上記一実施の形態によれば、半導体検出器１の各ピクセル型半導体素子１ａから出力される各エネルギ信号ｅ１をピクセル・エネルギスペクトラム解析装置３による解析により各画素値（ピクセルデータ）を求め、これら画素値を分類装置４によって各ピクセル型半導体素子１ａの性能の程度に応じた例えば第１乃至第３の分類Ｃ１、Ｃ２、Ｃ３にピクセル分類し、このうちピクセル型半導体素子１ａの性能が低いと分類された例えば第２の分類Ｃ２の注意ピクセルと第３の分類Ｃ３の欠損ピクセルとの各画素の値を補間処理装置６によりそれぞれ補間処理する。 As described above, according to the embodiment, each energy value e 1 output from each pixel type semiconductor element 1 a of the semiconductor detector 1 is analyzed by the pixel energy spectrum analysis device 3 to obtain each pixel value (pixel data). These pixel values are classified into, for example, first to third classifications C 1 , C 2 , and C 3 according to the performance level of each pixel type semiconductor element 1a by the classification device 4, and among these, the pixel type semiconductor For example, the interpolation processing device 6 performs interpolation processing on the values of the pixels of the attention pixel of the second classification C2 and the missing pixel of the third classification C3 classified as the performance of the element 1a is low.

これにより、従来、正常ピクセルのみを用い、画素値が平均値よりもかけ離れている欠損ピクセルを捨てていたが、注意ピクセルと欠損ピクセルとに対しても、これら注意ピクセルと欠損ピクセルとの各画素値を補間処理によって入れ替えることができる。注意ピクセルに対しては、当該注意ピクセルの画素値を含めて補間処理を行い、欠損ピクセルに対しては、当該欠損ピクセルの画素値を除いて補間処理を行うことにより、注意ピクセルと欠損ピクセルとの各画素値を実際の画素値に近い値に入れ替えることができる。注意ピクセルは、正常ピクセルと比較してエネルギ分解能やエネルギ信号ｅ１の強度のばらつきが大きいが、当該画素の周辺の複数の画素値を用いて補間処理することにより画像の取得を可能とする画素であるので、補間処理に含めることが可能である。従って、注意ピクセルや欠損ピクセルとなった性能不足のピクセル型半導体素子１ａの画素値を有効に用いることができる。 As a result, conventionally, only normal pixels are used, and defective pixels whose pixel values are far from the average value are discarded. However, for each of the attention pixel and the defective pixel, each of the attention pixel and the defective pixel Values can be exchanged by interpolation processing. For the attention pixel, interpolation processing is performed including the pixel value of the attention pixel, and for the missing pixel, interpolation processing is performed by excluding the pixel value of the defective pixel. Each pixel value can be replaced with a value close to the actual pixel value. The attention pixel has a large variation in energy resolution and intensity of the energy signal e 1 compared to the normal pixel, but a pixel that can acquire an image by performing interpolation processing using a plurality of pixel values around the pixel. Therefore, it can be included in the interpolation process. Therefore, the pixel value of the pixel-type semiconductor element 1a with insufficient performance that is a caution pixel or a defective pixel can be used effectively.

しかるに、注意ピクセルや欠損ピクセルに分類された各画素の値が補間処理により求められ、例えば画像の取得に用いることができる。この結果、半導体検出器１中における欠損画素の数が多くなっても画像データの画質を低下させずに取得でき、現状の半導体検出器１をより良く有効に用いることができる。   However, the value of each pixel classified as a caution pixel or a defective pixel is obtained by interpolation processing, and can be used, for example, for acquiring an image. As a result, even if the number of defective pixels in the semiconductor detector 1 increases, it can be acquired without degrading the image quality of the image data, and the current semiconductor detector 1 can be used more effectively.

補間処理は、例えば図９に示すように注目画素ｐ５の周辺に画像の境界や欠損ピクセルが無い場合の第２の領域Ｈ１や、周辺に画像の境界がある第２の領域Ｈ２、周辺に欠損ピクセルがある第３の領域Ｈ３、周辺に画像の境界があると共に、周辺に欠損ピクセルがある第４の領域Ｈ４に対してもそれぞれ注目画素ｐ５の補間処理ができる。 Interpolation processing, for example, the second region H 1 and the case where the target pixel p 5 of the image around the boundary and defect pixels is not shown in FIG. 9, the second region H 2 there is an image boundary around, third region H 3 with missing pixels around, the there is an image boundary around may interpolation process for each pixel of interest p 5 with respect to the fourth region H 4 with missing pixels around.

補間処理装置６は、例えば第２の分類Ｃ２内の注意ピクセルを３段階ｄ１、ｄ２、ｄ３に分類し、このうち第１段階ｄ１の注意ピクセルに対して重み付けデータＧ１を用いて補間処理し、第３段階ｄ３の注意ピクセルに対して重み付けデータＧ３を用いて補間処理する。第１段階ｄ１の注意ピクセルに対して重み付けデータＧ１を用いることにより、注目画素に対する重みを周辺画素の重みよりも大きく設定し、注目画素に対する寄与率を大きくした補間処理ができる。第３段階ｄ３の欠損ピクセルに対して重み付けデータＧ３を用いることにより、注目画素に対する重みを周辺画素の重みよりも小さく設定し、注目画素に対する寄与率を小さくした補間処理ができる。これにより、第２の分類Ｃ２内で、ピクセル型半導体素子１ａの性能の程度に応じた重み付けを行って補間処理ができる。
以上のような補間処理は、半導体検出器１におけるピクセル型半導体素子１ａ自体やハードウエア系を変更せずに画像の画質を向上できる。又、補間処理に要する計算時間も従来と変わらない。 For example, the interpolation processing device 6 classifies the attention pixel in the second classification C 2 into three stages d 1 , d 2 , and d 3 , and among them, assigns weighting data G 1 to the attention pixel in the first stage d 1. and interpolation processing by using, an interpolation process using weighted data G 3 for the third stage d 3 Note pixel. By using the weighting data G 1 for the attention pixel in the first stage d 1 , an interpolation process can be performed in which the weight for the target pixel is set larger than the weights of the surrounding pixels and the contribution ratio to the target pixel is increased. By using the weighting data G 3 for the missing pixel in the third stage d 3 , interpolation processing can be performed in which the weight for the target pixel is set smaller than the weights of the surrounding pixels and the contribution ratio to the target pixel is reduced. Thus, the second inner classification C 2, it is interpolated by weighting according to the degree of performance of the pixel-type semiconductor device 1a.
The interpolation processing as described above can improve the image quality without changing the pixel type semiconductor element 1a itself or the hardware system in the semiconductor detector 1. Further, the calculation time required for the interpolation processing is not different from the conventional one.

上記一実施の形態は、例えば医療用の核医学検査に用いるガンマ線イメージング装置に用いられる半導体検出器１について説明したが、これに限らず、Ｘ線等の放射線検出器にも適用できる。
補間処理は、線形補間、３次元スプライン補間等の非線形補間を用いてもよい。
なお、本発明は上記実施形態そのままに限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。また、上記実施形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合わせにより、種々の発明を形成できる。例えば、実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。さらに、異なる実施形態にわたる構成要素を適宜組み合わせてもよい。 In the above-described embodiment, for example, the semiconductor detector 1 used in the gamma-ray imaging apparatus used for the medical nuclear medicine examination has been described. However, the present invention is not limited to this and can be applied to a radiation detector such as an X-ray.
The interpolation process may use nonlinear interpolation such as linear interpolation and three-dimensional spline interpolation.
Note that the present invention is not limited to the above-described embodiment as it is, and can be embodied by modifying the constituent elements without departing from the scope of the invention in the implementation stage. In addition, various inventions can be formed by appropriately combining a plurality of components disclosed in the embodiment. For example, some components may be deleted from all the components shown in the embodiment. Furthermore, constituent elements over different embodiments may be appropriately combined.

本発明に係るガンマ線イメージング装置に用いられる半導体検出器の補間装置の一実施の形態を示す構成図。The block diagram which shows one Embodiment of the interpolation apparatus of the semiconductor detector used for the gamma ray imaging apparatus which concerns on this invention. 同装置のピクセル・エネルギスペクトラム解析装置により取得される理想の半導体検出器の画素値を示す模式図。The schematic diagram which shows the pixel value of the ideal semiconductor detector acquired by the pixel energy spectrum analyzer of the apparatus. 同装置のピクセル・エネルギスペクトラム解析装置により取得される実際の半導体検出器の画素値を示す模式図。The schematic diagram which shows the pixel value of the actual semiconductor detector acquired by the pixel energy spectrum analyzer of the apparatus. 同装置の分類装置による各画素（ピクセル型半導体素子）の正常、注意及び欠損ピクセルの分類を示す模式図。The schematic diagram which shows the classification | category of the normal, attention, and defect pixel of each pixel (pixel type semiconductor device) by the classification device of the same apparatus. 同装置の分類装置による注意ピクセル内の分類を示す模式図。The schematic diagram which shows the classification | category in the attention pixel by the classification device of the apparatus. 同装置の分類装置による分類結果を記憶するデータテーブルの模式図。The schematic diagram of the data table which memorize | stores the classification result by the classification device of the apparatus. 同装置の補間処理装置による補間処理の説明をするための注目画素及び周辺画素を示す模式図。The schematic diagram which shows the attention pixel and peripheral pixel for demonstrating the interpolation process by the interpolation processing apparatus of the apparatus. 同装置の補間処理装置に用いる重み付けデータの模式図。The schematic diagram of the weighting data used for the interpolation processing apparatus of the apparatus. 同装置の補間処理装置による補間処理の具体例を説明するための模式図。The schematic diagram for demonstrating the specific example of the interpolation process by the interpolation processing apparatus of the apparatus.

符号の説明Explanation of symbols

１：半導体検出器、１ａ：ピクセル型半導体素子、２：面線源、３：ピクセル・エネルギスペクトラム解析装置、４：分類装置、５：メモリ、６：補間処理装置、７：重み付けデータメモリ、８：データ収集装置、９：均一性補正装置、１０：データテーブル、１０ａ：欄。   1: Semiconductor detector, 1a: Pixel type semiconductor element, 2: Surface source, 3: Pixel energy spectrum analyzer, 4: Classification device, 5: Memory, 6: Interpolation processing device, 7: Weighted data memory, 8 : Data collection device, 9: Uniformity correction device, 10: Data table, 10a: column.

Claims (22)

複数の半導体素子により各画素を形成する半導体検出器を備えた放射線イメージング装置において、
前記複数の半導体素子のそれぞれの特性を少なくとも３つに分類して記憶する記憶部と、
前記記憶部に記憶された前記少なくとも３つの分類に基づいて前記半導体素子の出力に対する補正処理の種類を変更して補正処理を行なう補正部と、
前記補正部の出力に基づいて放射線の分布画像を生成する画像生成部と、
を具備することを特徴とする放射線イメージング装置。 In a radiation imaging apparatus including a semiconductor detector that forms each pixel by a plurality of semiconductor elements,
A storage unit that classifies and stores at least three characteristics of each of the plurality of semiconductor elements;
A correction unit that performs correction processing by changing the type of correction processing for the output of the semiconductor element based on the at least three classifications stored in the storage unit;
An image generation unit that generates a radiation distribution image based on the output of the correction unit;
A radiation imaging apparatus comprising: 前記記憶部は、前記各半導体素子の性能の応じて正常である第１の分類と、補正を可能とする第２の分類と、補正が不可能で異常である第３の分類とを記憶することを特徴とする請求項１記載の放射線イメージング装置。   The storage unit stores a first classification that is normal according to the performance of each semiconductor element, a second classification that enables correction, and a third classification that cannot be corrected and is abnormal. The radiation imaging apparatus according to claim 1. 前記記憶部は、前記第２の分類に分類された前記半導体素子を、前記第２の分類内において前記各半導体素子の性能の程度に応じた複数の段階の分類を記憶することを特徴とする請求項２記載の放射線イメージング装置。   The storage unit stores the semiconductor elements classified into the second classification in a plurality of stages according to the degree of performance of each semiconductor element in the second classification. The radiation imaging apparatus according to claim 2. 前記記憶部は、少なくとも前記第２の分類と前記第３の分類とに分類された前記各半導体素子をデータテーブル化して記憶するメモリを有することを特徴とする請求項２記載の放射線イメージング装置。   The radiation imaging apparatus according to claim 2, wherein the storage unit includes a memory that stores at least the semiconductor elements classified into the second classification and the third classification in a data table. 前記データテーブルは、前記半導体素子の座標と、前記少なくとも前記第２の分類又は前記第３の分類の分類結果とから形成されることを特徴とする請求項４記載の放射線イメージング装置。   The radiation imaging apparatus according to claim 4, wherein the data table is formed from coordinates of the semiconductor element and a classification result of the at least the second classification or the third classification. 前記補正部は、前記半導体素子の性能の分類から前記各半導体素子の性能が低いと分類された前記各画素の値をそれぞれ補間処理することを特徴とする請求項４記載の放射線イメージング装置。   5. The radiation imaging apparatus according to claim 4, wherein the correction unit performs interpolation processing on the value of each pixel classified as having a low performance of each semiconductor element from the classification of the performance of the semiconductor element. 前記補正部は、前記各画素のうち注目画素の前記画素値と前記注目画素の周囲に配置されている複数の周辺画素の前記各画素値との少なくとも平均値処理を行うことを特徴とする請求項６記載の放射線イメージング装置。   The correction unit performs at least an average value process of the pixel value of a target pixel and the pixel values of a plurality of peripheral pixels arranged around the target pixel among the pixels. Item 7. The radiation imaging apparatus according to Item 6. 前記補正部は、前記注目画素の前記画素値と前記複数の周辺画素の前記各画素値とに対して重み付けを行うことを特徴とする請求項７記載の放射線イメージング装置。   The radiation imaging apparatus according to claim 7, wherein the correction unit weights the pixel value of the target pixel and the pixel values of the plurality of peripheral pixels. 前記補正部は、前記第２の分類内で前記複数の段階に分類された前記各半導体素子に対応する前記各画素値のうち注目画素の前記画素値と前記注目画素の周囲に配置されている複数の周辺画素の前記各画素値とに対して重み付けを行い、この重み付けされた前記各画素値に対して少なくとも平均値処理を行うことを特徴とする請求項３記載の放射線イメージング装置。   The correction unit is arranged around the pixel value of the pixel of interest and the pixel of interest among the pixel values corresponding to the semiconductor elements classified into the plurality of stages in the second classification. 4. The radiation imaging apparatus according to claim 3, wherein weighting is performed on each pixel value of a plurality of peripheral pixels, and at least average value processing is performed on each weighted pixel value. 前記補正部は、前記複数の段階別に前記重み付け値を異ならせることを特徴とする請求項９記載の放射線イメージング装置。   The radiation imaging apparatus according to claim 9, wherein the correction unit varies the weighting value for each of the plurality of stages. 前記補正部は、前記各画素値の平均値処理を行う場合、前記第２の分類に分類された前記半導体素子に対応する前記画素値を含み、前記第３の分類に分類された前記半導体素子に対応する前記画素値を除くことを特徴とする請求項７乃至１０のうちいずれか１項記載の放射線イメージング装置。   The correction unit includes the pixel value corresponding to the semiconductor element classified into the second classification and performs the average value processing of the pixel values, and the semiconductor element classified into the third classification The radiation imaging apparatus according to claim 7, wherein the pixel value corresponding to is excluded. 複数の半導体素子から各画素を形成する半導体検出器の補間方法において、
前記各半導体素子からそれぞれ出力される各エネルギデータを解析し、
前記各エネルギデータの解析結果に基づいて前記各半導体素子の性能をそれぞれ少なくとも３つに分類し、
前記少なくとも３つの分類結果のうち前記各半導体素子の性能が低いと分類された前記各画素の値をそれぞれ補間処理する、
ことを特徴とする半導体検出器の補間方法。 In the semiconductor detector interpolation method for forming each pixel from a plurality of semiconductor elements,
Analyzing each energy data output from each semiconductor element,
Based on the analysis result of each energy data, the performance of each semiconductor element is classified into at least three,
Interpolating each pixel value classified as having a low performance of each semiconductor element among the at least three classification results;
An interpolating method for a semiconductor detector. 複数の半導体素子から各画素を形成する半導体検出器の補間装置において、
前記各半導体素子からそれぞれ出力される各エネルギ信号を解析する解析部と、
前記解析部の解析結果に基づいて前記各半導体素子の性能をそれぞれ少なくとも３つに分類する分類部と、
前記分類部の分類結果のうち前記各半導体素子の性能が低いと分類された前記各画素の値をそれぞれ補間処理する補正部と、
を具備することを特徴とする半導体検出器の補間装置。 In the semiconductor detector interpolating device for forming each pixel from a plurality of semiconductor elements,
An analysis unit for analyzing each energy signal output from each of the semiconductor elements;
A classification unit for classifying the performance of each semiconductor element into at least three based on the analysis result of the analysis unit;
A correction unit that interpolates the value of each pixel classified as having a low performance of each semiconductor element among the classification results of the classification unit;
An interpolating device for a semiconductor detector, comprising: 前記分類部は、前記各半導体素子の性能の応じて正常である第１の分類と、補正を可能とする第２の分類と、補正が不可能で異常である第３の分類とに分類することを特徴とする請求項１３記載の半導体検出器の補間装置。   The classifying unit classifies the first classification that is normal according to the performance of each semiconductor element, the second classification that enables correction, and the third classification that cannot be corrected and is abnormal. 14. The semiconductor detector interpolating device according to claim 13, wherein the interpolating device is a semiconductor detector. 前記分類部は、前記第２の分類に分類された前記半導体素子を、前記第２の分類内において前記各半導体素子の性能の程度に応じて複数の段階に分類することを特徴とする請求項１４記載の半導体検出器の補間装置。   The said classification | category part classifies the said semiconductor element classified into the said 2nd classification into a several step according to the grade of the performance of each said semiconductor element within the said 2nd classification. 14. The semiconductor detector interpolating device according to 14. 前記分類部により少なくとも前記第２の分類と前記第３の分類とに分類された前記各半導体素子をデータテーブル化して記憶するメモリを有することを特徴とする請求項１４記載の半導体検出器の補間装置。   15. The semiconductor detector interpolation according to claim 14, further comprising a memory for storing each of the semiconductor elements classified into at least the second classification and the third classification by the classification unit in a data table. apparatus. 前記データテーブルは、前記半導体素子の座標と、前記少なくとも前記第２の分類又は前記第３の分類の分類結果とから形成されることを特徴とする請求項１６記載の半導体検出器の補間装置。   17. The semiconductor detector interpolation device according to claim 16, wherein the data table is formed from the coordinates of the semiconductor element and the classification result of the at least the second classification or the third classification. 前記補正部は、前記各画素のうち注目画素の前記画素値と前記注目画素の周囲に配置されている複数の周辺画素の前記各画素値との少なくとも平均値処理を行う、
ことを特徴とする請求項１３記載の半導体検出器の補間装置。 The correction unit performs at least an average value process of the pixel value of the target pixel among the pixels and the pixel values of a plurality of peripheral pixels arranged around the target pixel.
14. The semiconductor detector interpolating device according to claim 13, wherein the interpolating device is a semiconductor detector. 前記補正部は、前記注目画素の前記画素値と前記複数の周辺画素の前記各画素値とに対して重み付けを行うことを特徴とする請求項１８記載の半導体検出器の補間装置。   19. The semiconductor detector interpolation device according to claim 18, wherein the correction unit weights the pixel value of the target pixel and the pixel values of the plurality of peripheral pixels. 前記補正部は、前記第２の分類内で前記複数の段階に分類された前記各半導体素子に対応する前記各画素値のうち注目画素の前記画素値と前記注目画素の周囲に配置されている複数の周辺画素の前記各画素値とに対して重み付けを行い、この重み付けされた前記各画素値に対して少なくとも平均値処理を行う、
ことを特徴とする請求項１５記載の半導体検出器の補間装置。 The correction unit is arranged around the pixel value of the pixel of interest and the pixel of interest among the pixel values corresponding to the semiconductor elements classified into the plurality of stages in the second classification. Weighting each pixel value of a plurality of surrounding pixels, and performing at least an average value processing on each weighted pixel value,
The semiconductor detector interpolating device according to claim 15. 前記補正部は、前記複数の段階別に前記重み付け値を異ならせることを特徴とする請求項２０記載の半導体検出器の補間装置。   21. The semiconductor detector interpolating apparatus according to claim 20, wherein the correction unit varies the weighting value for each of the plurality of stages. 前記補正部は、前記各画素値の平均値処理を行う場合、前記第２の分類に分類された前記半導体素子に対応する前記画素値を含み、前記第３の分類に分類された前記半導体素子に対応する前記画素値を除くことを特徴とする請求項１８乃至２１のうちいずれか１項記載の半導体検出器の補間装置。   The correction unit includes the pixel value corresponding to the semiconductor element classified into the second classification and performs the average value processing of the pixel values, and the semiconductor element classified into the third classification The interpolating device for a semiconductor detector according to any one of claims 18 to 21, wherein the pixel value corresponding to is excluded.
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