JP2008098418A - 基板処理方法および基板処理システム、ならびにコンピュータ読取可能な記憶媒体 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】被エッチング膜としての低誘電率層間絶縁膜、および、その上に形成された所定の回路パターンを有するエッチングマスクとしてのフォトレジスト膜を有する基板を準備し(工程1)、フォトレジスト膜を介して低誘電率層間絶縁膜をエッチングして低誘電率層間絶縁膜に溝および/または孔を形成し(工程2)、水素含有ガスを高温の触媒に接触させることにより生成された水素ラジカルを用いて、フォトレジスト膜をアッシングし(工程3)、アッシングにより前記低誘電率層間絶縁膜に入ったダメージを所定の回復ガスを供給することにより回復させる(工程4)。
【選択図】図5
Description
図1は、本発明に係る基板処理方法を実施するために用いられる基板処理システムの概略構造を示す平面図である。この基板処理システム100は、フォトリソグラフィー工程によりエッチング対象であるLow−k膜の上に所定の回路パターンを有するエッチングマスクとしてのフォトレジスト膜が形成された半導体ウエハW(基板)を処理するものであり、プラズマエッチングを行うためのエッチングユニット1、2と、アッシングを行うためのアッシングユニット3と、シリル化処理ユニット4とを備えており、これらの各ユニット1〜4は六角形をなすウエハ搬送室5の4つの辺にそれぞれ対応して設けられている。また、ウエハ搬送室5の他の2つの辺にはそれぞれロードロック室6、7が設けられている。これらロードロック室6、7のウエハ搬送室5と反対側にはウエハ搬入出室8が設けられており、ウエハ搬入出室8のロードロック室6、7と反対側にはウエハWを収容可能な3つのキャリアCを取り付けるポート9、10、11が設けられている。
まず、エッチングユニット1について、図2の概略断面図を参照して説明する。
このエッチングユニット1は、半導体ウエハWのLow−k膜に対してプラズマエッチングを行うものであり、真空保持可能な略円筒状に形成されたチャンバ41を具備し、その内部の底部には、絶縁板42を介して、サセプタ43が配置されている。サセプタ43は下部電極を兼ねたものであり、その上面にウエハWが載置されるようになっている。符号44はハイパスフィルタ(HPF)である。
アッシングユニット3は、半導体ウエハWを収容する真空に保持可能な略円筒状のチャンバ71を有しており、チャンバ71の底部には、剥離すべきフォトレジスト膜等を有する半導体ウエハWを載置するサセプタ72が設けられている。サセプタ72内には、その上の半導体ウエハWを加熱するヒータ73が埋設されている。ヒータ73はヒータ電源74から給電されるようになっている。
シリル化処理ユニット4は、半導体ウエハWを収容する真空に保持可能な略円筒状のチャンバ101を備えており、チャンバ101の底部には、回復処理を行うべき半導体ウエハWを載置するサセプタ102が設けられている。サセプタ102には、その上の半導体ウエハWを加熱するヒータ103が埋設されている。ヒータ103はヒータ電源104から給電されるようになっている。
図5は、基板処理システム100において行われる処理の工程を説明するためのフローチャートである。ここでは、被処理体である半導体ウエハWとして、図6に示すように、Si基板201の上にSiO2膜202、SiC等からなるエッチングストッパ膜203、被エッチング膜としてのLow−k膜204を順次形成し、さらにその上にキャップ膜(SiO2)205を介して反射防止膜(BARC)206を形成し、その上にフォトレジスト膜207を形成した後、フォトリソグラフィー工程によりフォトレジスト膜207に所定の配線パターンを形成したものを準備する(工程1)。なお、Low−k膜としては、Siを含みメチル基を骨格に有するものを好適に用いることができる。
ここでは、図7に示すように、Si基板301の上に、SiO2膜302、エッチングストップ膜としてのSiC膜303、Low−k膜であるポーラスMSQ(methyl-hydrogen-SilsesQuioxane)膜304、SiO2キャップ膜305、有機系のBARC306、ArFレジスト膜307を順次形成し、フォトリソグラフィによりArFレジスト膜307に所定のパターンを形成した300mmウエハサンプルを準備し、ArFレジスト膜307をマスクとしてポーラスMSQ膜304を図2に示す装置でCF4ガスおよびArガスを用いてプラズマエッチングして図7のAパターンとBパターンのトレンチを形成し、その後アッシングによりArFレジスト膜307および有機系のBARC306を除去し、さらにシリル化処理を行った。ポーラスMSQ膜304、SiO2キャップ膜305、有機系のBARC306、ArFレジスト膜307の厚さは、それぞれ100nm、60nm、30nm、70nmであった。
3;アッシングユニット
4;シリル化処理ユニット
30;制御部
31;ユーザーインターフェース
32;記憶部
71;チャンバ
72;サセプタ
75;シャワーヘッド
79;H2ガス供給源
83;排気口
86;排気装置
87;触媒ワイヤ
89;可変直流電源
91;放射温度計
101;チャンバ
102;サセプタ
103;ヒータ
109;シリル化剤供給源
204;Low−k膜
206;反射防止膜(BARC)
207;フォトレジスト膜
W…半導体ウエハ(基板)
Claims (20)
- 被エッチング膜としての低誘電率層間絶縁膜、および、その上に形成された所定の回路パターンを有するエッチングマスクとしてのフォトレジスト膜を有する基板を準備する工程と、
前記フォトレジスト膜を介して前記低誘電率層間絶縁膜をエッチングし、前記低誘電率層間絶縁膜に溝および/または孔を形成する工程と、
水素含有ガスを高温の触媒に接触させることにより生成された水素ラジカルを用いて、前記フォトレジスト膜をアッシングする工程と、
前記アッシングにより前記低誘電率層間絶縁膜に入ったダメージを所定の回復ガスを供給することにより回復させる工程と
を有することを特徴とする基板処理方法。 - 前記エッチング工程の後に前記低誘電率層間絶縁膜に入ったダメージを所定の回復ガスを供給することにより回復させる工程をさらに有することを特徴とする請求項1に記載の基板処理方法。
- 前記アッシング工程の際の前記水素含有ガスはH2ガスであることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の基板処理方法。
- 前記ダメージを回復させる工程は、回復ガスとしてシリル化ガスを用いたシリル化処理により行われることを特徴とする請求項1から請求項3のいずれか1項に記載の基板処理方法。
- 前記シリル化処理は、回復ガスとして、分子内にシラザン結合(Si−N)を有する化合物を用いて行なうことを特徴とする請求項4に記載の基板処理方法。
- 前記分子内にシラザン結合を有する化合物が、TMDS(1,1,3,3-Tetramethyldisilazane)、TMSDMA(Dimethylaminotrimethylsilane)、DMSDMA(Dimethylsilyldimethylamine)のいずれかであることを特徴とする請求項5に記載の基板処理方法。
- 前記エッチング工程と、前記アッシング工程と、前記回復工程とは、それぞれ別々の処理容器で行われることを特徴とする請求項1から請求項6のいずれか1項に記載の基板処理方法。
- 前記エッチング工程と、前記アッシング工程と、前記回復工程とが、同一の処理容器内で行われることを特徴とする請求項1から請求項6のいずれか1項に記載の基板処理方法。
- 前記アッシング工程と、前記回復工程とが同一の処理容器内で行われることを特徴とする請求項1から請求項6のいずれか1項に記載の基板処理方法。
- 前記エッチング工程と、前記回復工程とが同一の処理容器内で行われることを特徴とする請求項1から請求項6のいずれか1項に記載の基板処理方法。
- 前記エッチング工程と、前記アッシング工程とが同一の処理容器内で行われることを特徴とする請求項1から請求項6のいずれか1項に記載の基板処理方法。
- 所定パターンが形成されたフォトレジスト膜をエッチングマスクとして基板上に形成された低誘電率層間絶縁膜をドライエッチングして前記低誘電率層間絶縁膜に溝および/または孔を形成するドライエッチング装置と、
水素含有ガスを高温の触媒に接触させることにより生成された水素ラジカルを用いて、前記フォトレジスト膜をアッシングするアッシング装置と、
所定の回復ガスを供給して回復処理することにより前記被エッチング膜に入ったダメージを回復させる回復処理装置と
を具備することを特徴とする基板処理システム。 - 前記ドライエッチング装置と、前記アッシング装置と、前記回復処理装置とは、別個の処理容器を有していることを特徴とする請求項12に記載の基板処理システム。
- 前記アッシング装置と前記回復処理装置とは共通の処理容器を有し、前記処理容器内でアッシング処理と回復処理の両方を施すことを特徴とする請求項12に記載の基板処理システム。
- 前記ドライエッチング装置と前記回復処理装置とは共通の処理容器を有し、前記処理容器内でドライエッチング処理と回復処理の両方を施すことを特徴とする請求項12に記載の基板処理システム。
- 前記ドライエッチング装置と前記アッシング装置とは共通の処理容器を有し、前記処理容器内でドライエッチング処理とアッシング処理の両方を施すことを特徴とする請求項12に記載の基板処理システム。
- 前記ドライエッチング装置と、前記アッシング装置と、前記回復処理装置とは、それぞれ真空雰囲気の処理容器内でドライエッチング、アッシング、回復処理を行い、前記処理容器間で真空を破ることなく基板を搬送する搬送機構をさらに具備することを特徴とする請求項12から請求項16のいずれか1項に記載の基板処理システム。
- 前記ドライエッチング装置と前記アッシング装置と前記回復処理装置とは共通の処理容器を有し、前記処理容器内でドライエッチング処理とアッシング処理と回復処理を全て施すことを特徴とする請求項12に記載の基板処理システム。
- 前記回復処理装置は、回復ガスとしてシリル化ガスを用いたシリル化処理を行うことを特徴とする請求項12から請求項18のいずれか1項に記載の基板処理システム。
- コンピュータ上で動作する制御プログラムが記憶されたコンピュータ読取可能な記憶媒体であって、
前記制御プログラムは、実行時に、請求項1から請求項11のいずれか1項に記載の基板処理方法が行われるように、コンピュータに基板処理システムを制御させることを特徴とするコンピュータ読取可能な記憶媒体。
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