JP2008094655A - Dielectric ceramic raw material composition, ceramic substrate and method of manufacturing multilayer ceramic substrate - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a dielectric ceramic raw material composition suitable for being fired using a non-shrinkage process in the manufacture of a multilayer ceramic substrate. <P>SOLUTION: The dielectric ceramic raw material composition comprises 100 pts.wt. (Ca<SB>1-x</SB>Sr<SB>x</SB>)WO<SB>4</SB>based ceramic (0≤x≤1.0) and 25-70 pts.wt. borosilicate glass containing 3-10 wt.% Li expressed in terms of LiO<SB>2</SB>, 31-49 wt.% Mg expressed in terms of MgO, 6-10 wt.% Zn expressed in terms of ZnO, 17-29 wt.% B expressed in terms of B<SB>2</SB>O<SB>3</SB>and 18-34 wt.% Si expressed in terms of SiO<SB>2</SB>, wherein at least one kind of CaWO<SB>4</SB>crystal phase, SrWO<SB>4</SB>crystal phase and (Ca,Sr)WO<SB>4</SB>crystal phase, and Li<SB>2</SB>(Mg, Zn)SiO<SB>4</SB>crystal phase are deposited. The dielectric ceramic raw material composition is suitably used as a material for a ceramic green sheet 25 for a substrate in a composite laminated structure 21 to be fired in the non-shrinkage process. <P>COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT

Description

この発明は、誘電体セラミック原料組成物、この誘電体セラミック原料組成物を用いて構成されるセラミック基板、およびこの誘電体セラミック原料組成物を用いて実施される多層セラミック基板の製造方法に関するものである。   The present invention relates to a dielectric ceramic raw material composition, a ceramic substrate constituted using the dielectric ceramic raw material composition, and a method for producing a multilayer ceramic substrate carried out using the dielectric ceramic raw material composition. is there.

この発明にとって興味ある誘電体セラミック原料組成物として、たとえば特開2000−72541号公報(特許文献1)には、主結晶である(Ba,Ca)WO+TiOの1モルに対して、ホウケイ酸ガラスを1〜30重量%添加した、マイクロ波用誘電体セラミックが記載されている。この特許文献1では、ホウケイ酸ガラスの添加量として、主結晶1モルに対して1〜30重量%添加するとの表現が採用されているが、CaWOセラミック100重量部に対する添加量に換算すると、CaWOの100重量部に対して、0.1〜3.6重量%の添加量となる。 As a dielectric ceramic raw material composition that is of interest for this invention, for example, Japanese Patent Laid-Open No. 2000-72541 (Patent Document 1) discloses borosilicate with respect to 1 mol of (Ba, Ca) WO 4 + TiO 2 as a main crystal. A dielectric ceramic for microwaves, to which 1 to 30% by weight of acid glass is added, is described. In Patent Document 1, the expression of adding 1 to 30% by weight with respect to 1 mol of the main crystal is adopted as the addition amount of the borosilicate glass, but when converted to the addition amount with respect to 100 parts by weight of the CaWO 4 ceramic, The addition amount is 0.1 to 3.6% by weight with respect to 100 parts by weight of CaWO 4 .

他方、特許第2554415号公報(特許文献2)には、高い寸法精度が要求される多層セラミック基板の製造に適した、いわゆる無収縮プロセスによる多層セラミック基板の製造方法が記載されている。無収縮プロセスにより多層セラミック基板を製造するために、基板用セラミックグリーンシートを複数積層してなるもので多層セラミック基板となるべき生の積層体の少なくとも一方主面に、基板用セラミックグリーンシートの焼成温度では焼結しない無機材料粉末を含む収縮抑制用グリーンシートを配置して、複合積層構造物が形成される。次いで、基板用セラミックグリーンシートは焼結するが、収縮抑制用グリーンシートが焼結しない条件下で、上記複合積層構造物が焼成される。そして、焼成後の複合積層構造物から、収縮抑制用グリーンシートに由来する未焼結部分が除去され、焼結後の多層セラミック基板が取り出される。   On the other hand, Japanese Patent No. 2554415 (Patent Document 2) describes a method for manufacturing a multilayer ceramic substrate by a so-called non-shrink process suitable for manufacturing a multilayer ceramic substrate requiring high dimensional accuracy. In order to produce a multilayer ceramic substrate by a non-shrinking process, a ceramic green sheet for substrate is fired on at least one main surface of a raw laminate that is formed by laminating a plurality of ceramic green sheets for substrate and is to be a multilayer ceramic substrate. A composite laminate structure is formed by disposing a green sheet for suppressing shrinkage containing an inorganic material powder that does not sinter at a temperature. Next, the composite laminated structure is fired under the condition that the ceramic green sheet for substrate is sintered but the green sheet for shrinkage suppression is not sintered. And the unsintered part originating in the green sheet for shrinkage | contraction suppression is removed from the composite laminated structure after baking, and the multilayer ceramic substrate after sintering is taken out.

前述した特許文献1に記載の誘電体セラミック原料組成物によれば、多層セラミック基板に備える導体パターンを銀や銅をもって構成する場合であっても、誘電体セラミック原料組成物との同時焼成が可能であり、また、マイクロ波帯で高いQ値が得られる。しかしながら、特許文献1に記載の誘電体セラミック原料組成物は、ガラスの添加量が比較的少ないため、特許文献2に記載の無収縮プロセスを用いて多層セラミック基板を製造する場合の基板用セラミックグリーンシートの材料として用いるのには適していない。   According to the dielectric ceramic raw material composition described in Patent Document 1 described above, even when the conductor pattern provided in the multilayer ceramic substrate is composed of silver or copper, simultaneous firing with the dielectric ceramic raw material composition is possible. In addition, a high Q value can be obtained in the microwave band. However, since the dielectric ceramic raw material composition described in Patent Document 1 has a relatively small amount of glass added, the ceramic green for a substrate in the case of producing a multilayer ceramic substrate using the non-shrinkage process described in Patent Document 2 It is not suitable for use as a sheet material.

すなわち、無収縮プロセスにおいては、基板用セラミックグリーンシート中のガラス成分が収縮抑制用グリーンシート中へと拡散することによって、互いの間で密着力を得ており、それによって、収縮抑制用グリーンシートによる収縮抑制作用が基板用セラミックグリーンシートに確実に及ぼされ、基板用セラミックグリーンシートの収縮が抑制される。しかしながら、特許文献1に記載の誘電体セラミック原料組成物におけるガラス添加量では十分な密着力が得られず、焼成時において、収縮抑制用グリーンシートの剥離が発生し、その結果、基板用セラミックグリーンシートに対して拘束力を適正に及ぼすことができないことがある。   That is, in the non-shrinkage process, the glass component in the ceramic green sheet for substrate diffuses into the shrinkage-suppressing green sheet, thereby obtaining an adhesion force between them. The shrinkage-inhibiting action due to is reliably exerted on the ceramic green sheet for substrates, and the shrinkage of the ceramic green sheets for substrates is suppressed. However, sufficient adhesion cannot be obtained with the glass addition amount in the dielectric ceramic raw material composition described in Patent Document 1, and the green sheet for suppressing shrinkage is peeled off during firing. In some cases, the restraining force cannot be properly applied to the seat.

なお、特許文献1では、段落「0023」に記載されるように、ホウケイ酸ガラスとして、SiOが65〜80%、Bが5〜25%、およびAlが1〜5%それぞれ含む組成のものが開示されている。特許文献1に記載の誘電体セラミック原料組成物において、前述した密着力を十分に得るようにするため、上記のような組成のホウケイ酸ガラスを仮に多量に添加した場合には、マイクロ波帯でのQ値が大幅に低下するという問題に遭遇する。このことから、高いQ値を維持したまま、無収縮プロセスを適用して多層セラミック基板を製造しようとするには、ガラスの組成および添加量の制御が非常に重要であることがわかる。 In Patent Document 1, as described in paragraph “0023”, as borosilicate glass, SiO 2 is 65 to 80%, B 2 O 3 is 5 to 25%, and Al 2 O 3 is 1 to 5 % Of each composition is disclosed. In the dielectric ceramic raw material composition described in Patent Document 1, in order to sufficiently obtain the above-mentioned adhesion, when a large amount of the borosilicate glass having the above composition is added, A problem is encountered in that the Q value of the is significantly reduced. From this, it can be seen that control of glass composition and addition amount is very important in order to produce a multilayer ceramic substrate by applying a non-shrink process while maintaining a high Q value.

他方、無収縮プロセスによらずに、特許文献1に記載の誘電体セラミック原料組成物を用いて多層セラミック基板を製造すると、ガラス添加量が少ないため、焼成時において反りが生じやすいという問題に遭遇する。
特開2000−72541号公報 特許第2554415号公報
On the other hand, when a multilayer ceramic substrate is manufactured using the dielectric ceramic raw material composition described in Patent Document 1 without using a non-shrinking process, a problem is encountered that warpage is likely to occur during firing because the amount of glass added is small. To do.
JP 2000-72541 A Japanese Patent No. 2554415

そこで、この発明の目的は、上述したような問題を解決し得る誘電体セラミック原料組成物を提供しようとすることである。   Accordingly, an object of the present invention is to provide a dielectric ceramic raw material composition that can solve the above-described problems.

この発明の他の目的は、上述の誘電体セラミック原料組成物を用いて構成されるセラミック基板を提供しようとすることである。   Another object of the present invention is to provide a ceramic substrate constituted by using the above-mentioned dielectric ceramic raw material composition.

この発明のさらに他の目的は、上述した誘電体セラミック原料組成物を用いて実施される多層セラミック基板の製造方法を提供しようとすることである。   Still another object of the present invention is to provide a method for producing a multilayer ceramic substrate, which is carried out using the above-mentioned dielectric ceramic raw material composition.

この発明に係る誘電体セラミック原料組成物は、(Ca1−xSr)WO系セラミック(ただし、0≦x≦1.0)と、ホウケイ酸ガラスとを含むものであるが、前述した技術的課題を解決するため、次のような構成を備えることを特徴としている。 The dielectric ceramic raw material composition according to the present invention includes (Ca 1-x Sr x ) WO 4 ceramics (where 0 ≦ x ≦ 1.0) and borosilicate glass. In order to solve the problem, it is characterized by having the following configuration.

まず、ホウケイ酸ガラスは、リチウムをLiO換算で3〜10重量%、マグネシウムをMgO換算で31〜49重量%、亜鉛をZnO換算で6〜10重量%、ホウ素をB換算で17〜29重量%、およびケイ素をSiO換算で18〜34重量%含有する。 First, the borosilicate glass is composed of 3 to 10% by weight of lithium in terms of Li 2 O, 31 to 49% by weight of magnesium in terms of MgO, 6 to 10% by weight of zinc in terms of ZnO, and boron in terms of B 2 O 3 . It contains 17 to 29% by weight and silicon in an amount of 18 to 34% by weight in terms of SiO 2 .

また、上記のホウケイ酸ガラスは、(Ca1−xSr)WO系セラミック100重量部に対して、25〜70重量部含む。 Further, the borosilicate glass, to the (Ca 1-x Sr x) WO 4 -based ceramic 100 parts by weight, including 25 to 70 parts by weight.

そして、この発明に係る誘電体セラミック原料組成物には、CaWO結晶相、SrWO結晶相および(Ca,Sr)WO結晶相の少なくとも1種の結晶相ならびにLi(Mg,Zn)SiO結晶相が析出している。 The dielectric ceramic raw material composition according to the present invention includes at least one crystal phase of CaWO 4 crystal phase, SrWO 4 crystal phase and (Ca, Sr) WO 4 crystal phase, and Li 2 (Mg, Zn) SiO 2. Four crystal phases are precipitated.

この発明は、上述したような誘電体セラミック原料組成物を焼結させてなる誘電体セラミック層を備える、セラミック基板にも向けられる。   The present invention is also directed to a ceramic substrate including a dielectric ceramic layer obtained by sintering the dielectric ceramic raw material composition as described above.

上記のセラミック基板は、単層の構造のものも含むが、この発明は、複数の誘電体セラミック層を積層してなる積層体を備える、多層構造のセラミック基板に有利に適用される。上記積層体は、その表面および/または内部に所定の導体パターンを有する。   Although the ceramic substrate includes a single-layer structure, the present invention is advantageously applied to a multilayer-structure ceramic substrate including a laminate formed by laminating a plurality of dielectric ceramic layers. The laminate has a predetermined conductor pattern on the surface and / or inside thereof.

上述の導体パターンは、金、銀または銅を主成分とすることが好ましい。   The above-mentioned conductor pattern preferably contains gold, silver or copper as a main component.

この発明は、さらに、多層セラミック基板の製造方法にも向けられる。   The present invention is further directed to a method for producing a multilayer ceramic substrate.

この発明に係る多層セラミック基板の製造方法は、この発明に係る誘電体セラミック原料組成物を含む基板用セラミックグリーンシートを複数積層してなる生の積層体の少なくとも一方主面に、基板用セラミックグリーンシートの焼成温度では焼結しない無機材料粉末を含む収縮抑制用グリーンシートを配置して、複合積層構造物を形成する工程と、この複合積層構造物を、基板用セラミックグリーンシートは焼結するが、収縮抑制用グリーンシートが焼結しない条件下で焼成する工程と、焼成後の複合積層構造物から収縮抑制用グリーンシートに由来する未焼結部分を除去する工程とを備えることを特徴としている。   The method for producing a multilayer ceramic substrate according to the present invention comprises a ceramic green for a substrate on at least one main surface of a raw laminate obtained by laminating a plurality of ceramic green sheets for a substrate containing the dielectric ceramic raw material composition according to the present invention. A step of forming a composite laminate structure by disposing a green sheet for suppressing shrinkage containing an inorganic material powder that does not sinter at the firing temperature of the sheet, and a ceramic green sheet for a substrate is sintered with this composite laminate structure And a step of firing under a condition in which the shrinkage-suppressing green sheet is not sintered, and a step of removing an unsintered portion derived from the shrinkage-suppressing green sheet from the fired composite laminate structure. .

この発明に係る誘電体セラミック原料組成物によれば、ホウケイ酸ガラスを、(Ca1−xSr)WO系セラミック100重量部に対して、25〜70重量部というように比較的多く含んでいるので、無収縮プロセスによる焼成工程において、収縮抑制用グリーンシートに対して十分な密着力をもたらすことができ、無収縮プロセスによる焼成を良好な状態で実施することができる。 According to the dielectric ceramic raw material composition of the present invention, the borosilicate glass is relatively contained in an amount of 25 to 70 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the (Ca 1-x Sr x ) WO 4 ceramic. Therefore, in the firing step by the non-shrinkage process, sufficient adhesion can be provided to the shrinkage-suppressing green sheet, and the firing by the non-shrinkage process can be performed in a good state.

また、この発明に係る誘電体セラミック原料組成物によれば、上述のように、ホウケイ酸ガラスを比較的多く含むにもかかわらず、マイクロ波帯において高いQ値を有するセラミック基板を得ることができる。   Moreover, according to the dielectric ceramic raw material composition according to the present invention, as described above, a ceramic substrate having a high Q value in the microwave band can be obtained despite containing a relatively large amount of borosilicate glass. .

また、この発明に係る誘電体セラミック原料組成物によれば、無収縮プロセスを適用しない場合であっても、焼成時の反りの小さいセラミック基板を得ることができる。   Moreover, according to the dielectric ceramic raw material composition according to the present invention, a ceramic substrate having a small warp during firing can be obtained even when the non-shrinkage process is not applied.

また、この発明に係る誘電体セラミック原料組成物は、800〜1000℃といった比較的低温での焼成によって焼結する。したがって、この発明に係る誘電体セラミック原料組成物を焼結させてなる複数の誘電体セラミック層をもって構成される積層体と、積層体の表面および/または内部に形成される所定の導体パターンとを備える、セラミック基板において、導体パターンの主成分として、金、銀または銅を用いたとしても、導体パターンの、誘電体セラミック原料組成物との同時焼成が可能である。また、導体パターンの主成分として、金、銀または銅を用いれば、導体パターンの電気抵抗を低くすることができ、導体パターンの電気抵抗に起因する挿入損失を低減することができる。   The dielectric ceramic raw material composition according to the present invention is sintered by firing at a relatively low temperature of 800 to 1000 ° C. Therefore, a laminate composed of a plurality of dielectric ceramic layers obtained by sintering the dielectric ceramic raw material composition according to the present invention, and a predetermined conductor pattern formed on the surface and / or inside of the laminate. In the ceramic substrate provided, even if gold, silver or copper is used as the main component of the conductor pattern, the conductor pattern can be co-fired with the dielectric ceramic raw material composition. If gold, silver, or copper is used as the main component of the conductor pattern, the electrical resistance of the conductor pattern can be reduced, and the insertion loss due to the electrical resistance of the conductor pattern can be reduced.

図1は、この発明に係る誘電体セラミック原料組成物を用いて製造されるセラミック基板の一例としての多層セラミック基板1を図解的に示す断面図である。   FIG. 1 is a cross-sectional view schematically showing a multilayer ceramic substrate 1 as an example of a ceramic substrate manufactured using a dielectric ceramic raw material composition according to the present invention.

多層セラミック基板1は、積層された複数の誘電体セラミック層2をもって構成される積層体3を備えている。この積層体3において、誘電体セラミック層2の特定のものに関連して種々の導体パターンが設けられている。   The multilayer ceramic substrate 1 includes a multilayer body 3 including a plurality of dielectric ceramic layers 2 stacked. In this laminate 3, various conductor patterns are provided in association with specific ones of the dielectric ceramic layers 2.

上述した導体パターンとしては、積層体3の積層方向における端面上に形成されるいくつかの外部導体膜4および5、誘電体セラミック層2の間の特定の界面に沿って形成されるいくつかの内部導体膜6、ならびに誘電体セラミック層2の特定のものを貫通するように形成されるいくつかのビアホール導体7等がある。   As the above-mentioned conductor pattern, some external conductor films 4 and 5 formed on the end face in the stacking direction of the laminate 3 and some interfaces formed along a specific interface between the dielectric ceramic layers 2 are used. There are an internal conductor film 6 and several via-hole conductors 7 formed so as to penetrate a specific one of the dielectric ceramic layer 2.

上述した外部導体膜4は、積層体3の外表面上に搭載されるべき電子部品8および9への接続のために用いられる。図1では、たとえば半導体デバイスのように、バンプ電極10を備える電子部品8、および、たとえばチップコンデンサのように、面状の端子電極11を備える電子部品9が図示されている。   The external conductor film 4 described above is used for connection to the electronic components 8 and 9 to be mounted on the outer surface of the multilayer body 3. In FIG. 1, an electronic component 8 including a bump electrode 10 such as a semiconductor device and an electronic component 9 including a planar terminal electrode 11 such as a chip capacitor are illustrated.

また、外部導体膜5は、この多層セラミック基板1を実装するマザーボード(図示せず。)への接続のために用いられる。   The external conductor film 5 is used for connection to a mother board (not shown) on which the multilayer ceramic substrate 1 is mounted.

このような多層セラミック基板1は、好ましくは、次のようにして製造される。   Such a multilayer ceramic substrate 1 is preferably manufactured as follows.

図2は、多層セラミック基板1の製造の途中で作製される複合積層構造物21を示す断面図である。複合積層構造物21は、得ようとする多層セラミック基板1の積層体3となるべき生の積層体22と、生の積層体22の各主面上に配置される収縮抑制用グリーンシート23および24とを備えている。   FIG. 2 is a cross-sectional view showing a composite laminated structure 21 produced during the production of the multilayer ceramic substrate 1. The composite laminate structure 21 includes a raw laminate 22 to be the laminate 3 of the multilayer ceramic substrate 1 to be obtained, a shrinkage-suppressing green sheet 23 disposed on each main surface of the raw laminate 22, and 24.

生の積層体22は、前述した誘電体セラミック層2となるべき複数の基板用セラミックグリーンシート25を備えている。これら基板用セラミックグリーンシート25に関連して、前述した導体パターンとしての導体膜4〜6およびビアホール導体7が設けられている。このような生の積層体22は、次のようにして製造される。   The raw laminate 22 includes a plurality of substrate ceramic green sheets 25 to be the dielectric ceramic layer 2 described above. In connection with these ceramic green sheets 25 for substrates, the above-described conductor films 4 to 6 and via-hole conductors 7 as conductor patterns are provided. Such a raw laminate 22 is manufactured as follows.

まず、この発明に係る誘電体セラミック原料組成物からなる原料粉末が用意される。この誘電体セラミック原料組成物の詳細については後述する。上記原料粉末に、ポリビニルブチラールのような有機バインダと、トルエンおよびイソプロピルアルコールのような溶剤と、ジ−n−ブチルフタレートのような可塑剤と、その他、必要に応じて、分散剤等の添加物とを加えてスラリー化することによって、セラミックスラリーが作製される。次いで、セラミックスラリーに対して、ポリエチレンテレフタレートのような有機樹脂からなるキャリアフィルム上で、ドクターブレード法を適用することによって、シート状に成形された基板用セラミックグリーンシート25が得られる。   First, a raw material powder comprising a dielectric ceramic raw material composition according to the present invention is prepared. Details of the dielectric ceramic raw material composition will be described later. To the raw material powder, an organic binder such as polyvinyl butyral, a solvent such as toluene and isopropyl alcohol, a plasticizer such as di-n-butyl phthalate, and other additives such as a dispersant as necessary. Is added to form a slurry to produce a ceramic slurry. Next, by applying a doctor blade method to a ceramic slurry on a carrier film made of an organic resin such as polyethylene terephthalate, a ceramic green sheet 25 for a substrate formed into a sheet shape is obtained.

次に、たとえば、金、銀または銅を導電成分の主成分として含む導電性ペーストが用意され、基板用セラミックグリーンシート25の特定のものに所望の導体パターンが設けられる。より具体的には、基板用セラミックグリーンシート25にビアホール導体7のための貫通孔が設けられ、貫通孔に導電性ペーストが充填され、また、内部導体膜6のための導電性ペースト膜、ならびに必要に応じて外部導体膜4および5のための導電性ペースト膜がたとえばスクリーン印刷法によって形成される。   Next, for example, a conductive paste containing gold, silver, or copper as a main component of a conductive component is prepared, and a desired conductor pattern is provided on a specific one of the ceramic green sheets 25 for a substrate. More specifically, the substrate ceramic green sheet 25 is provided with a through hole for the via-hole conductor 7, and the through hole is filled with a conductive paste, and the conductive paste film for the internal conductor film 6, and If necessary, conductive paste films for the outer conductor films 4 and 5 are formed by, for example, a screen printing method.

次に、複数の基板用セラミックグリーンシート25が、所定の順序で積層され、積層方向にたとえば1500kgf/cmの圧力をもって圧着されることによって、生の積層体22が得られる。なお、外部導体膜4および5については、生の積層体22を得た後に形成されてもよい。 Next, a plurality of ceramic green sheets for substrate 25 are laminated in a predetermined order, and pressed in the laminating direction with a pressure of, for example, 1500 kgf / cm 2 to obtain a raw laminated body 22. The external conductor films 4 and 5 may be formed after obtaining the raw laminate 22.

他方、収縮抑制用グリーンシート23および24が用意される。収縮抑制用グリーンシート23および24は、上述した基板用セラミックグリーンシート25の焼成温度では焼結しない無機材料粉末に、ポリビニルブチラールのような有機バインダと、トルエンおよびイソプロピルアルコールのような溶剤と、その他、必要に応じて、適当な添加物とを加えてスラリー化することによって得られたスラリーをシート状に成形することによって得られる。上述の無機材料粉末としては、たとえば、アルミナ、ジルコニア、マグネシア、酸化チタン、チタン酸バリウム、炭化ケイ素または窒化アルミニウムを主成分とするものが有利に用いられる。   On the other hand, shrinkage suppressing green sheets 23 and 24 are prepared. The shrinkage-suppressing green sheets 23 and 24 are made of an inorganic material powder that is not sintered at the firing temperature of the substrate ceramic green sheet 25 described above, an organic binder such as polyvinyl butyral, a solvent such as toluene and isopropyl alcohol, and the like. If necessary, it is obtained by forming a slurry obtained by adding a suitable additive and slurrying it into a sheet. As the above-mentioned inorganic material powder, for example, a powder mainly composed of alumina, zirconia, magnesia, titanium oxide, barium titanate, silicon carbide or aluminum nitride is advantageously used.

次に、上述のようにして得られた収縮抑制用グリーンシート23および24は、生の積層体22の各主面上に配置され、積層方向に圧着されることによって、複合積層構造物21が得られる。   Next, the shrinkage-suppressing green sheets 23 and 24 obtained as described above are arranged on the respective main surfaces of the raw laminate 22 and pressed in the laminating direction, whereby the composite laminate structure 21 is formed. can get.

次に、複合積層構造物21は、基板用セラミックグリーンシート25は焼結するが、収縮抑制用グリーンシート23および24が焼結しない条件下で焼成される。この焼成にあたって、たとえば800℃以上であって、導体パターンに含まれる金属の融点以下、たとえば銅または金であれば、1030℃以下の温度が適用される。また、導体パターンに含まれる金属が銅である場合、焼成は、窒素雰囲気のような非酸化性雰囲気中で行なわれ、900℃以下の温度で脱バインダを完了させ、また、降温時には、酸素分圧を低くして、焼成完了時に銅が実質的に酸化しないようにされる。また、焼成温度がたとえば980℃以上であるならば、導体パターンに含まれる金属として、銀を用いることができないが、パラジウムが20重量%以上のAg−Pd系合金であれば、これを用いることができる。この場合には、焼成を空気中で実施することができる。焼成温度がたとえば950℃以下であるならば、導体パターンに含まれる金属として、銀を問題なく用いることができる。   Next, the composite laminated structure 21 is fired under the condition that the ceramic green sheet 25 for the substrate is sintered but the green sheets 23 and 24 for shrinkage suppression are not sintered. In this firing, a temperature of, for example, 800 ° C. or higher and not higher than the melting point of the metal contained in the conductor pattern, for example, copper or gold, is 1030 ° C. or lower. Further, when the metal contained in the conductor pattern is copper, the firing is performed in a non-oxidizing atmosphere such as a nitrogen atmosphere, and the binder removal is completed at a temperature of 900 ° C. or lower. The pressure is lowered so that the copper is not substantially oxidized upon completion of firing. Also, if the firing temperature is, for example, 980 ° C. or higher, silver cannot be used as the metal contained in the conductor pattern, but if it is an Ag—Pd alloy with 20% by weight or more of palladium, this should be used. Can do. In this case, calcination can be carried out in air. If the firing temperature is, for example, 950 ° C. or lower, silver can be used without any problem as the metal contained in the conductor pattern.

上述の焼成工程において、生の積層体22は、収縮抑制用グリーンシート23および24によって、その主面方向での収縮が抑制されながら焼結し、焼結状態の積層体3が得られる。このとき、焼成後の積層体3は、生の積層体22に比べて、厚み方向にのみ実質的に収縮している。他方、収縮抑制用グリーンシート23および24においては、焼結が実質的に生じていない。   In the firing step described above, the green laminate 22 is sintered while the shrinkage in the principal surface direction is suppressed by the shrinkage-suppressing green sheets 23 and 24, and the sintered laminate 3 is obtained. At this time, the fired laminated body 3 is substantially contracted only in the thickness direction as compared with the raw laminated body 22. On the other hand, the shrinkage-suppressing green sheets 23 and 24 are not substantially sintered.

次に、焼成後の複合積層構造物21から、収縮抑制用グリーンシート23および24に由来する未焼結部分が除去され、焼結状態にある積層体3が取り出される。その後、電子部品8および9が積層体3上に搭載されることによって、図1に示すような多層セラミック基板1が得られる。   Next, the unsintered portion derived from the shrinkage-suppressing green sheets 23 and 24 is removed from the fired composite laminate structure 21, and the laminate 3 in a sintered state is taken out. Thereafter, the electronic components 8 and 9 are mounted on the multilayer body 3, whereby the multilayer ceramic substrate 1 as shown in FIG. 1 is obtained.

なお、多層セラミック基板1を製造するにあたり、上述のような収縮抑制用グリーンシート23および24は、その一方のみが用いられてもよい。また、これら収縮抑制用グリーンシートのない状態で生の積層体22を焼成するようにしてもよい。   In manufacturing the multilayer ceramic substrate 1, only one of the above-described shrinkage-suppressing green sheets 23 and 24 may be used. Further, the raw laminate 22 may be fired in the absence of these shrinkage suppressing green sheets.

前述した基板用セラミックグリーンシート25を構成するセラミックスラリーに含まれる誘電体セラミック原料組成物は、(Ca1−xSr)WO系セラミック(ただし、0≦x≦1.0)と、ホウケイ酸ガラスとを含んでいる。ホウケイ酸ガラスは、リチウムをLiO換算で3〜10重量%、マグネシウムをMgO換算で31〜49重量%、亜鉛をZnO換算で6〜10重量%、ホウ素をB換算で17〜29重量%、およびケイ素をSiO換算で18〜34重量%含有するものである。また、ホウケイ酸ガラスは、(Ca1−xSr)WO系セラミック100重量部に対して、25〜70重量部含んでいる。そして、この誘電体セラミック原料組成物には、(Ca,Sr)WO結晶相およびLi(Mg,Zn)SiO結晶相が析出している。 The dielectric ceramic raw material composition contained in the ceramic slurry constituting the ceramic green sheet for substrate 25 described above includes (Ca 1-x Sr x ) WO 4 -based ceramic (where 0 ≦ x ≦ 1.0), borosilicate Contains acid glass. Borosilicate glass is composed of 3 to 10% by weight of lithium in terms of Li 2 O, 31 to 49% by weight of magnesium in terms of MgO, 6 to 10% by weight of zinc in terms of ZnO, and 17 to 30% in terms of boron in terms of B 2 O 3. 29% by weight and silicon containing 18 to 34% by weight in terms of SiO 2 . Furthermore, borosilicate glass, to the (Ca 1-x Sr x) WO 4 -based ceramic 100 parts by weight, it contains 25 to 70 parts by weight. In this dielectric ceramic raw material composition, a (Ca, Sr) WO 4 crystal phase and a Li 2 (Mg, Zn) SiO 4 crystal phase are precipitated.

上述のような組成の誘電体セラミック原料組成物を基板用セラミックグリーンシート25において用いることにより、前述した無収縮プロセスによる焼成を良好な状態で実施することができるとともに、得られた多層セラミック基板1において高いQ値を与えることができる。   By using the dielectric ceramic raw material composition having the above-described composition in the ceramic green sheet 25 for a substrate, firing by the above-described shrinkage-free process can be performed in a good state, and the obtained multilayer ceramic substrate 1 Can provide a high Q value.

次に、この発明による効果を確認するために実施した実験例について説明する。   Next, experimental examples carried out to confirm the effects of the present invention will be described.

まず、誘電体セラミック原料組成物に含まれるガラス粉末として、表1に示すような種々の組成のものを用意した。   First, glass powders having various compositions as shown in Table 1 were prepared as glass powders contained in the dielectric ceramic raw material composition.

Figure 2008094655
Figure 2008094655

表1において、「ガラス記号」に*を付したものは、この発明の範囲外のものである。   In Table 1, the “glass symbol” with an asterisk is outside the scope of the present invention.

表1に示したガラス粉末のうち、「ガラス化不可」または「ガラス化困難」であったガラスG5、G16およびG17を除いて、平均粒径1〜2μmになるまで粉砕し、誘電体セラミック原料組成物に含有させるべきガラス粉末とした。   Among the glass powders shown in Table 1, except for the glasses G5, G16 and G17 which were “not vitrified” or “difficult to vitrify”, they were pulverized to an average particle diameter of 1 to 2 μm, It was set as the glass powder which should be contained in a composition.

なお、この発明の範囲内の組成を有するガラス粉末には、Li(Mg,Zn)SiO結晶相が析出していることが確認された。 Note that the glass powder having a composition within the scope of the invention, it was confirmed that Li 2 (Mg, Zn) has SiO 4 crystal phase are precipitated.

他方、誘電体セラミック原料組成物に含まれる(Ca,Sr)WO粉末を得るための原料粉末として、CaCO、SrCO、およびWOの各粉末を用意し、これら粉末を化学量論比組成で(Ca1−xSr)WO(ただし、0≦x≦1.0)となるように秤量し、16時間湿式混合した後、乾燥し、この混合物を、1100〜1200℃で1〜3時間仮焼した後、粉砕して、(Ca,Sr)WO粉末を得た。表2の「(Ca1−xSr)WOにおける“x”」の欄に、得られた各試料に係る(Ca1−xSr)WOにおける“x”の値が示されている。 On the other hand, CaCO 3 , SrCO 3 , and WO 3 powders were prepared as raw material powders for obtaining (Ca, Sr) WO 4 powders contained in the dielectric ceramic raw material composition, and these powders were stoichiometrically ratiod. The composition was weighed so as to be (Ca 1-x Sr x ) WO 4 (where 0 ≦ x ≦ 1.0), wet-mixed for 16 hours, and then dried. After calcination for ˜3 hours, the mixture was pulverized to obtain (Ca, Sr) WO 4 powder. The value of “x” in (Ca 1-x Sr x ) WO 4 relating to each obtained sample is shown in the column “x” in (Ca 1-x Sr x ) WO 4 in Table 2. Yes.

なお、上記(Ca,Sr)WO粉末には、CaWO結晶相、SrWO結晶相および(Ca,Sr)WO結晶相の少なくとも1種の結晶相が析出していることが確認された。 In addition, it was confirmed that at least one crystal phase of CaWO 4 crystal phase, SrWO 4 crystal phase, and (Ca, Sr) WO 4 crystal phase is precipitated in the (Ca, Sr) WO 4 powder. .

次に、表2に示す重量比となるように、(Ca,Sr)WO粉末とガラス粉末G1〜G19とを秤量し、これらをトルエンおよびエチルアルコールの混合液に分散させて、平均粒径が1〜2μmになるまで粉砕した。得られたスラリーに、有機バインダとしてポリビニルブチラール樹脂、可塑剤としてフタル酸ジオクチルを、無機粉末100重量部に対して、それぞれ、15重量部、7.5重量部の割合で分散させ、減圧下で脱泡処理を行なって、セラミックスラリーを得た。なお、表2の「ガラス」の欄において、「種類」は、表1の「ガラス記号」に対応し、「添加量」については、(Ca,Sr)WO粉末100重量部に対する重量比が重量部を単位として示されている。 Next, (Ca, Sr) WO 4 powder and glass powders G1 to G19 are weighed so as to have the weight ratio shown in Table 2, and these are dispersed in a mixed solution of toluene and ethyl alcohol to obtain an average particle diameter. Was crushed until the particle size became 1-2 μm. In the obtained slurry, polyvinyl butyral resin as an organic binder and dioctyl phthalate as a plasticizer are dispersed at a ratio of 15 parts by weight and 7.5 parts by weight, respectively, with respect to 100 parts by weight of the inorganic powder. Defoaming treatment was performed to obtain a ceramic slurry. In the column of “Glass” in Table 2, “Type” corresponds to “Glass symbol” in Table 1, and “Addition amount” has a weight ratio of 100 parts by weight of (Ca, Sr) WO 4 powder. It is shown in parts by weight.

次に、上記セラミックスラリーをドクターブレード法によってシート状に成形し、乾燥させ、次いで、適当な大きさにカットして、厚さ50μmの基板用セラミックグリーンシートを得た。   Next, the ceramic slurry was formed into a sheet by the doctor blade method, dried, and then cut into an appropriate size to obtain a ceramic green sheet for a substrate having a thickness of 50 μm.

他方、Al粉末をトルエンおよびエチルアルコールの混合液に分散させて、平均粒径が1〜2μmになるまで粉砕した。得られたスラリーに、有機バインダとしてポリビニルブチラール樹脂、可塑剤としてフタル酸ジオクチルを、無機粉末100重量部に対して、それぞれ、15重量部、7.5重量部の割合で分散させ、減圧下で脱泡処理を行なって、セラミックスラリーを得た。このセラミックスラリーを用いて、上述の基板用セラミックグリーンシートの場合と同様の工程を経て、厚さ100μmの収縮抑制用グリーンシートを得た。 On the other hand, Al 2 O 3 powder was dispersed in a mixed solution of toluene and ethyl alcohol and pulverized until the average particle size became 1 to 2 μm. In the obtained slurry, polyvinyl butyral resin as an organic binder and dioctyl phthalate as a plasticizer are dispersed at a ratio of 15 parts by weight and 7.5 parts by weight, respectively, with respect to 100 parts by weight of the inorganic powder. Defoaming treatment was performed to obtain a ceramic slurry. Using this ceramic slurry, a green sheet for shrinkage suppression having a thickness of 100 μm was obtained through the same steps as those for the ceramic green sheet for substrates described above.

このようにして得られた基板用セラミックグリーンシートおよび収縮抑制用グリーンシートを、平面寸法が50mm×50mmとなるようにカットし、次いで、図2に示すような複合積層構造物が得られるように積層し、温度60℃および圧力1500kgf/cmを付与して熱圧着した。 The substrate ceramic green sheet and the shrinkage-suppressing green sheet thus obtained are cut so that the planar dimension is 50 mm × 50 mm, and then a composite laminated structure as shown in FIG. 2 is obtained. They were laminated and thermocompression bonded with a temperature of 60 ° C. and a pressure of 1500 kgf / cm 2 .

次に、上記のようにして得られた複合積層構造物を、大気中において、800〜1000℃の温度で焼成し、焼成後の複合積層構造物から、収縮抑制用グリーンシートに由来する未焼結部分を超音波洗浄により取り除き、焼結した積層体からなる多層セラミック基板を得た。   Next, the composite laminate structure obtained as described above is fired in the air at a temperature of 800 to 1000 ° C., and the fired composite laminate structure is unfired derived from the green sheet for shrinkage suppression. The bonded portion was removed by ultrasonic cleaning to obtain a multilayer ceramic substrate made of a sintered laminate.

次に、得られた各試料に係る多層セラミック基板について、摂動法により、3GHzにおける比誘電率εおよびQ値を測定し、Q値については、これらに共振周波数fを乗じたQ×f値を求めた。比誘電率εおよびQ×f値が表2に示されている。 Next, with respect to the obtained multilayer ceramic substrate according to each sample, the relative dielectric constant ε r and the Q value at 3 GHz are measured by the perturbation method, and the Q value is obtained by multiplying these by the resonance frequency f. Asked. The relative dielectric constant ε r and the Q × f value are shown in Table 2.

また、上述のように、比誘電率εおよびQ×f値を求めた試料について、PCT(プレッシャ・クッカー・テスト)を温度120℃および相対湿度95%の条件下で100時間行なった後にQ値に著しい劣化がないかどうかを判定した。その結果が、表2の「化学的安定性」の欄に示されている。「化学的安定性」の欄において、「○」は、Q値に著しい劣化がなく、化学的安定性が良好であったことを示し、「×」は、Q値に著しい劣化があり、化学的安定性が良好でなかったことを示している。 In addition, as described above, the sample for which the relative permittivity ε r and the Q × f value were obtained was subjected to PCT (pressure cooker test) for 100 hours at a temperature of 120 ° C. and a relative humidity of 95%. It was judged whether there was any significant deterioration in the value. The result is shown in the column of “Chemical stability” in Table 2. In the column of “Chemical Stability”, “◯” indicates that the Q value was not significantly deteriorated and the chemical stability was good, and “X” indicates that the Q value was significantly deteriorated, This indicates that the mechanical stability was not good.

Figure 2008094655
Figure 2008094655

表2において、試料番号に*が付されているものは、この発明の範囲外のものである。   In Table 2, the sample numbers marked with * are outside the scope of the present invention.

この発明の範囲内にある、ガラスG2〜G4、G7、G11〜G14およびG18を25〜70重量部の範囲で含有させた、試料3、4、7〜9、11〜13、17、18、20、22、24および25では、表2に示すように、無収縮プロセスによる焼成を問題なく進めることができ、マイクロ波帯において5000GHz以上のQ×f値を示し、化学的安定性に優れた多層セラミック基板が得られた。   Samples 3, 4, 7-9, 11-13, 17, 18, containing glass G2 to G4, G7, G11 to G14 and G18 in the range of the present invention in a range of 25 to 70 parts by weight, In 20, 22, 24 and 25, as shown in Table 2, firing by a non-shrinking process can proceed without any problem, and a Q × f value of 5000 GHz or more in the microwave band is exhibited, and chemical stability is excellent. A multilayer ceramic substrate was obtained.

これに対して、ガラスG1は、表1に示すように、LiOが3重量%未満であり、これを用いた試料1では、表2に示すように、1000℃以下の温度では焼結しなかった。他方、ガラスG19はLiOが10重量%を超えており、これを用いた試料26では、Q×f値が5000GHz未満となり、化学的安定性も劣っていた。 On the other hand, as shown in Table 1, the glass G1 has less than 3% by weight of Li 2 O. In the sample 1 using this, the glass G1 is sintered at a temperature of 1000 ° C. or less as shown in Table 2. I did not. On the other hand, the glass G19 has a Li 2 O content exceeding 10% by weight, and in the sample 26 using this, the Q × f value was less than 5000 GHz, and the chemical stability was also inferior.

ガラスG6は、MgOが31重量%未満であり、これを用いた試料10では、Q×f値が5000GHz未満と低くなった。他方、ガラスG5は、MgOが49重量%を超え、そのため、ガラス化できなかった。   In the glass G6, MgO was less than 31% by weight, and in the sample 10 using this, the Q × f value was as low as less than 5000 GHz. On the other hand, in the glass G5, MgO exceeded 49% by weight, and therefore could not be vitrified.

ガラスG16は、Bが17重量%未満であり、ガラス化が困難であった。他方、ガラスG10は、Bが29重量%を超えており、これを用いた試料16では、Q×f値が5000GHz未満となり、化学的安定性も劣っていた。 Glass G16 had B 2 O 3 of less than 17% by weight and was difficult to vitrify. On the other hand, in the glass G10, B 2 O 3 exceeded 29% by weight, and in the sample 16 using the glass G10, the Q × f value was less than 5000 GHz, and the chemical stability was also inferior.

ガラスG17は、SiOが18重量%未満であり、ガラス化できなかった。他方、ガラスG9は、SiOが34重量%を超えており、これを用いた試料15では、Q×f値が5000GHz未満と低かった。 Glass G17 had SiO 2 of less than 18% by weight and could not be vitrified. On the other hand, in the glass G9, SiO 2 exceeded 34% by weight, and in the sample 15 using the glass G9, the Q × f value was as low as less than 5000 GHz.

ガラスG8は、ZnOが6重量%未満であり、これを用いた試料14では、化学的安定性が劣っていた。他方、ガラスG15は、ZnOが10重量%を超えており、これを用いた試料23では、化学的安定性が劣っていた。   Glass G8 has less than 6 wt% ZnO, and the sample 14 using this has poor chemical stability. On the other hand, in the glass G15, ZnO exceeded 10% by weight, and in the sample 23 using this, the chemical stability was inferior.

次に、ガラスの添加量について考察する。   Next, the amount of glass added will be considered.

ガラスの添加量については、前述したように、25〜70重量部の範囲内にあるものが、この発明の範囲内の試料である。   About the addition amount of glass, as mentioned above, what is in the range of 25-70 weight part is a sample in the range of this invention.

これに対して、試料2、6および19のように、ガラスの添加量が25重量部未満では、収縮抑制用グリーンシートとの密着力が弱く、焼成時に剥離してしまった。他方、試料5および21のように、ガラスの添加量が70重量部を超えると、Q×f値が5000GHz未満となった。   On the other hand, as in Samples 2, 6, and 19, when the amount of glass added was less than 25 parts by weight, the adhesion to the shrinkage-suppressing green sheet was weak and peeled off during firing. On the other hand, as in Samples 5 and 21, when the added amount of glass exceeded 70 parts by weight, the Q × f value was less than 5000 GHz.

この発明の一実施形態による多層セラミック基板1を図解的に示す断面図である。1 is a cross-sectional view schematically showing a multilayer ceramic substrate 1 according to an embodiment of the present invention. 図1に示した多層セラミック基板1を製造するために作製される複合積層構造物21を図解的に示す断面図である。FIG. 2 is a cross-sectional view schematically showing a composite laminated structure 21 produced for manufacturing the multilayer ceramic substrate 1 shown in FIG. 1.

符号の説明Explanation of symbols

1 多層セラミック基板
2 誘電体セラミック層
3 積層体
4,5 外部導体膜
6 内部導体膜
7 ビアホール導体
21 複合積層構造物
22 生の積層体
23,24 収縮抑制用グリーンシート
25 基板用セラミックグリーンシート
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Multilayer ceramic substrate 2 Dielectric ceramic layer 3 Laminated body 4,5 External conductor film 6 Internal conductor film 7 Via-hole conductor 21 Composite laminated structure 22 Raw laminated body 23, 24 Shrinkage suppression green sheet 25 Ceramic green sheet for substrate

Claims (5)

(Ca1−xSr)WO系セラミック(ただし、0≦x≦1.0)と、
リチウムをLiO換算で3〜10重量%、マグネシウムをMgO換算で31〜49重量%、亜鉛をZnO換算で6〜10重量%、ホウ素をB換算で17〜29重量%、およびケイ素をSiO換算で18〜34重量%含有する、ホウケイ酸ガラスと
を含み、
前記ホウケイ酸ガラスは、前記(Ca1−xSr)WO系セラミック100重量部に対して、25〜70重量部含み、
CaWO結晶相、SrWO結晶相および(Ca,Sr)WO結晶相の少なくとも1種の結晶相ならびにLi(Mg,Zn)SiO結晶相が析出している、
誘電体セラミック原料組成物。
(Ca 1-x Sr x ) WO 4 ceramics (where 0 ≦ x ≦ 1.0),
3-10 wt% of lithium in Li 2 O in terms of, 31 to 49 wt% of magnesium in terms of MgO, 6 to 10 wt% of zinc calculated as ZnO, 17-29 wt% of boron in terms of B 2 O 3, and Containing borosilicate glass containing 18 to 34% by weight of silicon in terms of SiO 2 ;
The borosilicate glass contains 25 to 70 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the (Ca 1-x Sr x ) WO 4 -based ceramic,
At least one crystal phase of CaWO 4 crystal phase, SrWO 4 crystal phase and (Ca, Sr) WO 4 crystal phase and Li 2 (Mg, Zn) SiO 4 crystal phase are precipitated,
Dielectric ceramic raw material composition.
請求項1に記載の誘電体セラミック原料組成物を焼結させてなる誘電体セラミック層を備える、セラミック基板。   A ceramic substrate comprising a dielectric ceramic layer formed by sintering the dielectric ceramic raw material composition according to claim 1. 複数の前記誘電体セラミック層を積層してなる積層体を備え、前記積層体の表面および/または内部に所定の導体パターンを有する、請求項2に記載のセラミック基板。   3. The ceramic substrate according to claim 2, comprising a laminated body formed by laminating a plurality of the dielectric ceramic layers, and having a predetermined conductor pattern on a surface and / or inside of the laminated body. 前記導体パターンは、金、銀または銅を主成分とする、請求項3に記載のセラミック基板。   The ceramic substrate according to claim 3, wherein the conductive pattern is mainly composed of gold, silver, or copper. 請求項1に記載の誘電体セラミック原料組成物を含む基板用セラミックグリーンシートを複数積層してなる生の積層体の少なくとも一方主面に、前記基板用セラミックグリーンシートの焼成温度では焼結しない無機材料粉末を含む収縮抑制用グリーンシートを配置して、複合積層構造物を形成する工程と、
前記複合積層構造物を、前記基板用セラミックグリーンシートは焼結するが、前記収縮抑制用グリーンシートが焼結しない条件下で焼成する工程と、
焼成後の前記複合積層構造物から、前記収縮抑制用グリーンシートに由来する未焼結部分を除去する工程と
を備える、多層セラミック基板の製造方法。
An inorganic material that does not sinter at least at one main surface of a raw laminate formed by laminating a plurality of ceramic green sheets for substrates containing the dielectric ceramic raw material composition according to claim 1 at the firing temperature of the ceramic green sheets for substrates. Arranging a green sheet for shrinkage suppression containing material powder to form a composite laminated structure; and
Firing the composite laminate structure under a condition in which the ceramic green sheet for the substrate is sintered but the green sheet for shrinkage suppression is not sintered;
And a step of removing an unsintered portion derived from the shrinkage-suppressing green sheet from the fired composite laminated structure.
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