JP2008091920A - 基板の処理システム - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 洗浄装置3に隣接して水分除去装置4を設ける。水分除去装置4では、ウェハWに高温ガスを供給してウェハWに付着した水分を完全に除去する。水分除去装置4と成膜装置5、6との間の搬送部7は、ケーシング21で覆う。ケーシング21内には、乾燥気体を供給し、搬送部7内を乾燥雰囲気にする。水分除去装置4で水分の除去されたウェハWを、乾燥雰囲気内を通して成膜装置5、6に搬送する。
【選択図】 図1
Description
以上のように、基板処理システム1を構成する搬入出部2、搬送部7、洗浄装置3、水分除去室4、第1の成膜装置5及び第2の成膜装置は、各々で個別に雰囲気制御できるので、結果的に基板処理システム1内の全体を雰囲気制御できる。
3 洗浄装置
4 水分除去装置
5 第1の成膜装置
6 第2の成膜装置
7 搬送部
21 ケーシング
74 第1のガス供給ノズル
75 第2のガス供給ノズル
W ウェハ
Claims (4)
- 基板の処理システムであって、
洗浄液を用いて基板を洗浄する洗浄装置と、
前記洗浄装置で洗浄された基板に付着した水分を除去する水分除去装置と、
前記水分除去装置で水分の除去された基板を乾燥雰囲気内を通して基板の他の処理装置に搬送するための搬送部と、を備え、
前記水分除去装置は、当該水分除去装置内を減圧する減圧装置と、当該水分除去装置内の全体に酸素ガス以外のガスを供給するためのガス供給部とを備え、
前記搬送部は、基板の搬送通路を覆うケーシングを備え、
前記搬送部には、前記搬送通路のケーシング内の雰囲気を減圧する減圧機構と、前記搬送通路のケーシング内に乾燥気体を供給する乾燥気体供給部が設けられていることを特徴とする、基板の処理システム。 - 前記水分除去装置内の圧力を、前記洗浄装置内の圧力よりも低く、かつ前記搬送部内の圧力よりも高くすることを特徴とする、請求項1に記載の基板の処理システム。
- 前記乾燥気体は、酸素ガス以外の気体であることを特徴とする、請求項1又は2に記載の基板の処理システム。
- 前記減圧機構は、前記搬送通路内の圧力が前記他の処理装置内の圧力と前記水分除去装置内の圧力の間になるように制御できる制御部を備えたことを特徴とする、請求項1〜3のいずれかに記載の基板の処理システム。
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