JP2008091571A - Plasma processing equipment, its using method, and process for manufacturing gas supply pipe parts - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、ガスをプラズマ化させて被処理体をプラズマ処理するプラズマ処理装置、プラズマ処理装置の使用方法およびガス供給管パーツの製造方法に関する。より詳細には、プラズマ処理装置へのガスの供給に関する。 The present invention relates to a plasma processing apparatus that converts a plasma into a gas to process an object to be processed, a method for using the plasma processing apparatus, and a method for manufacturing a gas supply pipe part. More specifically, it relates to the supply of gas to the plasma processing apparatus.
従来から、処理室内の上段および下段にそれぞれ一体的に設けられた２系統のガスシャワーヘッドから複数種類の異なるガスをそれぞれ供給するプラズマ処理装置が提案されている（たとえば、特許文献１を参照。）。 Conventionally, there has been proposed a plasma processing apparatus that supplies a plurality of different gases from two gas shower heads that are integrally provided in the upper and lower stages of the processing chamber, respectively (see, for example, Patent Document 1). ).
このうち、上段のガスシャワーヘッドは、たとえば、アルゴンガスなどのプラズマ励起ガスを処理室内に供給するために用いられる。一方、下段のガスシャワーヘッドは、たとえば、シランガスなどの処理ガスを処理室内に供給するために用いられる。このようにして異なるガスを処理室内の所望の位置にそれぞれ噴射する機構を設けることにより、プラズマが均一に生成され、被処理体上に均一かつ良質なプラズマ処理を施すことができる。 Among these, the upper gas shower head is used, for example, to supply a plasma excitation gas such as argon gas into the processing chamber. On the other hand, the lower gas shower head is used, for example, to supply a processing gas such as silane gas into the processing chamber. By providing a mechanism for injecting different gases to desired positions in the processing chamber in this way, plasma is uniformly generated, and uniform and high-quality plasma processing can be performed on the object to be processed.
しかしながら、ガスシャワーヘッドに設けられたガス穴の直径が０．１〜０．５ｍｍであると、ガスシャワーヘッドから噴き出されるガスの流速は、音速程度となる。この結果、異なるガスをガス種の性質に合わせて処理室内の所望の位置に噴射しても、噴射された各ガスの流速が非常に早いために、処理室内にて過剰に攪拌されてしまい、良好なプラズマ処理を行うことができない。 However, when the diameter of the gas hole provided in the gas shower head is 0.1 to 0.5 mm, the flow velocity of the gas ejected from the gas shower head is about the speed of sound. As a result, even if different gases are injected to a desired position in the processing chamber in accordance with the nature of the gas species, the flow rate of each injected gas is very fast, and thus the gas is excessively stirred in the processing chamber. Good plasma treatment cannot be performed.
そこで、ガスの過剰な攪拌を抑制するために、ガス噴射孔を大きくすることも考えられる、しかし、その場合、ガス噴射孔の位置がガス供給源から遠いほどガス噴射孔から噴射されるガスの流量が少なくなり、プラズマが不均一に生成されるという問題が生じる。 Therefore, it is conceivable to enlarge the gas injection hole in order to suppress excessive stirring of the gas. However, in this case, the farther the gas injection hole is from the gas supply source, the more the gas injected from the gas injection hole. The problem is that the flow rate is reduced and plasma is generated non-uniformly.
上記問題を解消するために、本発明では、ガスの過剰な攪拌を抑制し、ガスの流れを良好にするプラズマ処理装置、プラズマ処理装置の使用方法およびガス供給管パーツの製造方法が提供される。 In order to solve the above problems, the present invention provides a plasma processing apparatus, a method for using the plasma processing apparatus, and a method for manufacturing a gas supply pipe part that suppress excessive gas stirring and improve the gas flow. .
すなわち、上記課題を解決するために、本発明のある観点によれば、ガスをプラズマ化させ、被処理体をプラズマ処理する処理室を備えたプラズマ処理装置であって、第１の噴射孔を複数有する複数本の第１のガス供給管パーツと、上記複数の第１の噴射孔が被処理体と対向する上記処理室の天井面に向かって開口するように、各第１のガス供給管パーツを上記各第１のガス供給管パーツの両端にてそれぞれ支持する第１の壁と、上記第１の壁の内部に設けられた第１のガス通路と、第１のガスを上記第１のガス通路から上記複数本の第１のガス供給管パーツへ通し、上記複数の第１の噴射孔から上記処理室に供給する第１のガス供給手段と、上記第１のガス供給管パーツより被処理体に近い位置に設けられ、第２の噴射孔を複数有する複数本の第２のガス供給管パーツと、上記複数の第２の噴射孔が被処理体に向かって開口するように、各第２のガス供給管パーツを上記各第２のガス供給管パーツの両端にてそれぞれ支持する第２の壁と、上記第２の壁の内部に設けられた第２のガス通路と、第２のガスを上記第２のガス通路から上記複数本の第２のガス供給管パーツへ通し、上記複数の第２の噴射孔から上記処理室に供給する第２のガス供給手段とを備えたプラズマ処理装置が供給される。 That is, in order to solve the above-described problem, according to one aspect of the present invention, a plasma processing apparatus including a processing chamber that converts a gas into plasma and plasma-processes an object to be processed. A plurality of first gas supply pipe parts and a plurality of first gas supply pipes such that the plurality of first injection holes open toward the ceiling surface of the processing chamber facing the object to be processed. A first wall for supporting the parts at both ends of each of the first gas supply pipe parts; a first gas passage provided in the first wall; and a first gas for the first gas. A first gas supply means for supplying gas from the gas passage to the plurality of first gas supply pipe parts and supplying the processing chamber from the plurality of first injection holes; and the first gas supply pipe parts. A plurality of second injection holes provided at positions close to the object to be processed The second gas supply pipe parts and the second gas supply pipe parts are arranged at both ends of the second gas supply pipe parts so that the plurality of second injection holes open toward the object to be processed. And a second gas passage provided inside the second wall, and a plurality of second gas supplies from the second gas passage. A plasma processing apparatus is provided that includes a second gas supply unit that is supplied to the processing chamber from the plurality of second injection holes through the tube parts.
これによれば、複数の第１の噴射孔が被処理体と対向する処理室の天井面に向かって開口している。よって、第１のガスは、天井面に向かって噴き出され、天井面に衝突して速度を落としながら、被処理体側に拡散していく。このようにして、第１のガスは、その速度を低下させながら、処理室内全体に万遍なく供給される。この結果、第１のガスが均一にプラズマ化され、生成されたプラズマにより、被処理体に向かって供給される第２のガスを均一にプラズマ化することができる。 According to this, the some 1st injection hole is opening toward the ceiling surface of the process chamber facing a to-be-processed object. Therefore, the first gas is jetted toward the ceiling surface, and diffuses toward the object to be processed while colliding with the ceiling surface and reducing the speed. In this way, the first gas is uniformly supplied to the entire processing chamber while reducing its speed. As a result, the first gas is uniformly converted into plasma, and the second gas supplied toward the object to be processed can be uniformly converted into plasma by the generated plasma.
また、かかる構成によれば、第１のガス供給管パーツおよび第２のガス供給管パーツは、別々に複数本設けられていて、一体的に形成されていない。これにより、ガス供給管パーツを損傷した場合にも、そのパーツのみを交換すればよいので、メンテナンスが容易な装置を利用者に提供することができる。 Moreover, according to this structure, the 1st gas supply pipe part and the 2nd gas supply pipe part are provided with two or more separately, and are not integrally formed. As a result, even if the gas supply pipe part is damaged, only the part needs to be replaced, so that an apparatus that can be easily maintained can be provided to the user.
上記第１のガス通路には、第１のバッファ空間が設けられ、上記第１のガス供給手段は、上記第１のバッファ空間を介して上記複数本の第１のガス供給管パーツの両端から上記第１のガスを供給してもよい。また、上記第２のガス通路には、第２のバッファ空間が設けられ、上記第２のガス供給手段は、上記第２のバッファ空間を介して上記複数本の第２のガス供給管パーツの両端から上記第２のガスを供給してもよい。 The first gas passage is provided with a first buffer space, and the first gas supply means is provided from both ends of the plurality of first gas supply pipe parts via the first buffer space. The first gas may be supplied. The second gas passage is provided with a second buffer space, and the second gas supply means is configured to connect the plurality of second gas supply pipe parts through the second buffer space. The second gas may be supplied from both ends.
これによれば、第１のガスは、第１のバッファ空間を通って第１のガス供給管パーツから処理室に供給される。また、第２のガスは、第２のバッファ空間を通って第２のガス供給管パーツから処理室に供給される。ここで、処理室内の圧力は数十ｍＴｏｒｒ〜数百ｍＴｏｒｒ程度、第１および第２のガス供給管パーツ内部の圧力は数Ｔｏｒｒ〜数十Ｔｏｒｒ程度、第１および第２のバッファ空間は数十〜数百Ｔｏｒｒ程度である。したがって、第１および第２のガスは、直ちに各ガス供給管パーツを通って各噴射孔から噴射されることなく、減速しながら第１および第２のバッファ空間全体に均一に広がり、一時的にバッファ空間内を滞留した後、各ガス供給管パーツ内部を通過して各噴射孔から処理室Ｕ内に導入される。 According to this, the first gas is supplied to the processing chamber from the first gas supply pipe part through the first buffer space. The second gas is supplied to the processing chamber from the second gas supply pipe part through the second buffer space. Here, the pressure in the processing chamber is about several tens mTorr to several hundreds mTorr, the pressure inside the first and second gas supply pipe parts is about several Torr to several tens Torr, and the first and second buffer spaces are several tens of Torr. About several hundred Torr. Accordingly, the first and second gases are not immediately injected from the injection holes through the gas supply pipe parts, but are uniformly spread throughout the first and second buffer spaces while being decelerated. After staying in the buffer space, the gas passes through each gas supply pipe part and is introduced into the processing chamber U from each injection hole.
これによれば、ガスは、一時的にバッファ空間内を滞留している間に、低速および均一化した状態になり、その後、処理室内全体に万遍なく供給される。この結果、第１および第２のガスが過剰に攪拌されることなく、各ガスから均一にプラズマが生成され、均一に生成されたプラズマにより、被処理体上に均一かつ良質なプラズマ処理を施すことができる。 According to this, the gas is in a low speed and uniform state while temporarily staying in the buffer space, and then is supplied uniformly throughout the processing chamber. As a result, plasma is uniformly generated from each gas without excessively stirring the first and second gases, and a uniform and high-quality plasma treatment is performed on the object to be processed by the uniformly generated plasma. be able to.
また、上記第１の壁および上記第２の壁は、金属から形成されていてもよい。これによれば、処理室内に供給されるエネルギーがマイクロ波の電界エネルギーである場合、マイクロ波は、金属を透過しない。よって、マイクロ波は、第１および第２のバッファ空間内に入り込むことができない。この結果、第１および第２のバッファ空間中でプラズマが生成されることはない。これにより、各バッファ空間内で異常放電が生じることによって、各バッファ空間近傍が焼損したり、各バッファ空間内にて各ガスが化学反応を起こすことにより各バッファ空間の内壁に反応生成物が付着することを回避することができる。 Further, the first wall and the second wall may be made of metal. According to this, when the energy supplied into the processing chamber is microwave electric field energy, the microwave does not pass through the metal. Therefore, the microwave cannot enter the first and second buffer spaces. As a result, plasma is not generated in the first and second buffer spaces. As a result, abnormal discharge occurs in each buffer space, the vicinity of each buffer space burns out, and each gas causes a chemical reaction in each buffer space, causing reaction products to adhere to the inner wall of each buffer space. Can be avoided.
上記複数本の第１のガス供給管パーツおよび上記複数本の第２のガス供給管パーツは、非金属から形成されていてもよい。 The plurality of first gas supply pipe parts and the plurality of second gas supply pipe parts may be formed of a nonmetal.
特に、第１および第２のガス供給管パーツが誘電体から形成されている場合、各ガス供給管パーツが金属から形成されている場合に比べ、各ガス供給管パーツの表面に生じるシースの影響が少ない。このため、ガス供給管パーツの表面近傍の電磁界が乱れず、プラズマ生成の分布を歪めることがない。この結果、処理室内にてより均一なプラズマを生成することができる。また、ガスシャワーヘッドが金属から形成されていたときに生じていた問題、すなわち、ガス供給管が熱変形したり（たとえば、ガス供給管がプラズマの熱で折れたり、溶ける）、ガス供給管がプラズマ処理中に腐食するという問題を解消することができる。 In particular, when the first and second gas supply pipe parts are made of a dielectric, the influence of the sheath generated on the surface of each gas supply pipe part is greater than when each gas supply pipe part is made of metal. Less is. For this reason, the electromagnetic field near the surface of the gas supply pipe part is not disturbed, and the distribution of plasma generation is not distorted. As a result, more uniform plasma can be generated in the processing chamber. Further, the problem that occurred when the gas shower head was made of metal, that is, the gas supply pipe was thermally deformed (for example, the gas supply pipe was broken or melted by the heat of the plasma), or the gas supply pipe was The problem of corrosion during plasma processing can be solved.
上記複数の第１および上記複数の第２の噴射孔は、それぞれ等間隔に設けられていてもよい。これによれば、等間隔に配置された各噴射孔から、減速された各ガスが、等方向に均等に拡散される。これにより、均一に拡散された各ガスからより均一なプラズマを生成することができる。 The plurality of first and the plurality of second injection holes may be provided at equal intervals. According to this, each decelerated gas is uniformly diffused in equal directions from each injection hole arranged at equal intervals. Thereby, more uniform plasma can be generated from each gas diffused uniformly.
上記複数本の第１のガス供給管パーツは、互いに平行に設けられ、上記複数本の第２のガス供給管パーツは、互いに平行であって、上記複数本の第１のガス供給管パーツに垂直に設けられていてもよい。 The plurality of first gas supply pipe parts are provided in parallel to each other, and the plurality of second gas supply pipe parts are parallel to each other, and are connected to the plurality of first gas supply pipe parts. It may be provided vertically.
また、この場合、上記複数本の第１のガス供給管パーツと上記複数本の第２のガス供給管パーツとにより十字をなす部分にて反対側に向けて開口していてもよい。 In this case, the plurality of first gas supply pipe parts and the plurality of second gas supply pipe parts may be opened toward the opposite side at a cross-shaped portion.
上記複数の第２の噴射孔は、第２の多孔質体（ポーラス材）により塞がれていてもよい。さらに、上記複数の第１の噴射孔は、第２の多孔質体により塞がれていてもよい。 The plurality of second injection holes may be blocked by a second porous body (porous material). Furthermore, the plurality of first injection holes may be closed by a second porous body.
一般的に、中空のガス管を通るガスの流速Ｖは、ガスの流量Ｑおよびガス管の断面積Ａを用いて次式（１）のように表される。
Ｖ＝Ｑ／Ａ・・・（１）
In general, the flow velocity V of the gas passing through the hollow gas pipe is expressed by the following equation (1) using the gas flow rate Q and the cross-sectional area A of the gas pipe.
V = Q / A (1)
ここで、処理容器内の圧力ｐが１Ｔｏｒｒ、処理容器内に噴射するガスの総流量Ｑが２．０×１０―３ｍ３／ｍｉｎ、ガス穴の総数が２２４００個の場合、ガス穴１個あたりのガス流量Ｑは１４８８．１ｍｍ３／ｓｅｃとなる。また、たとえば、噴射孔の直径が０.５ｍｍのとき、ガス穴１個の断面積Ａは、０．１９６３５ｍｍ２となる。 Here, when the pressure p in the processing container is 1 Torr, the total flow rate Q of the gas injected into the processing container is 2.0 × 10 −3 m 3 / min, and the total number of gas holes is 22400, one gas hole The per unit gas flow rate Q is 1488.1 mm 3 / sec. For example, when the diameter of the injection hole is 0.5 mm, the cross-sectional area A of one gas hole is 0.19635 mm 2 .
処理容器内の圧力ｐおよび体積ｖが一定であると仮定した場合、直径が０.５ｍｍのガスシャワーヘッドの噴射孔から噴射されるガスの流速Ｖ０は、式（１）を用いて次のように計算される。ただし、１ａｔｍ＝７６０Ｔｏｒｒとする。
Ｖ０＝１４８８．１×７６０／０．１９６３５＝５７６０ｍ／ｓ
Assuming that the pressure p and the volume v in the processing container are constant, the flow velocity V 0 of the gas injected from the injection hole of the gas shower head having a diameter of 0.5 mm is expressed by the following equation (1). Is calculated as follows. However, 1 atm = 760 Torr.
V 0 = 1488.1 × 760 / 0.19635 = 5760 m / s
一方、各第１および各第２の噴射孔が多孔質体により塞がれている場合のガスの流速について考える。処理容器内の圧力ｐおよび体積ｖが一定であると仮定した場合、多孔質体から噴射されるガスの流速Ｖｔは、式（１）を用いて次のように計算される。ただし、この場合、総断面積Ａは、多孔質体の噴き出し口の断面積と気孔率との積で求められ、多孔質体の噴き出し口の直径が３ｍｍ、気孔率が５０％のとき、総断面積Ａは、具体的には、３．５３４３ｍｍ２となる。よって、ガス流速Ｖｔは、次のようにして求められる。
Ｖｔ＝１４８８．１×７６０／３．５３４３＝３２０．２ｍ／ｓ
On the other hand, let us consider the gas flow velocity when each of the first and second injection holes is closed by a porous body. When it is assumed that the pressure p and the volume v in the processing container are constant, the flow velocity V t of the gas injected from the porous body is calculated as follows using the equation (1). However, in this case, the total cross-sectional area A is obtained by the product of the cross-sectional area of the outlet of the porous body and the porosity, and when the diameter of the outlet of the porous body is 3 mm and the porosity is 50%, Specifically, the cross-sectional area A is 3.5343 mm 2 . Therefore, the gas flow velocity V t is obtained as follows.
V t = 1488.1 × 760 / 3.5343 = 320.2 m / s
これらの計算結果によれば、直径が３ｍｍの多孔質体の噴き出し口から噴射されるガスの流速Ｖｔは、直径が０．５ｍｍのガス管の噴射孔から噴射されるガスの流速Ｖ０の１／２０程度と非常に小さくなり、音速以下となる。この結果、音速以下のガス流速Ｖｔにて多孔質体からガスを噴き出すことができる。これにより、各ガスの攪拌を効率的に抑え、各ガスから均一なプラズマを生成することができ、被処理体に良好なプラズマ処理を施すことができる。 According to these calculation results, the flow velocity V t of the gas injected from the outlet of the porous body having a diameter of 3 mm is equal to the flow velocity V 0 of the gas injected from the injection hole of the gas pipe having the diameter of 0.5 mm. It becomes very small, about 1/20, and is below the sound speed. As a result, it is possible spewing gas from the porous body at subsonic gas flow velocity V t. Thereby, stirring of each gas can be suppressed efficiently, uniform plasma can be generated from each gas, and a good plasma treatment can be performed on the object to be processed.
上記複数本の第１のガス供給管パーツおよび上記複数本の第２のガス供給管パーツは、第１の多孔質体により形成され、上記複数の第１の噴射孔および上記複数の第２の噴射孔となる位置を除いてゾルゲル法により封止されていてもよい。 The plurality of first gas supply pipe parts and the plurality of second gas supply pipe parts are formed of a first porous body, and the plurality of first injection holes and the plurality of second gas supply parts. It may be sealed by a sol-gel method except for the position to be the injection hole.
また、上記複数本の第１のガス供給管パーツおよび上記複数本の第２のガス供給管パーツは、第１の多孔質体と、上記第１の多孔質体に隣接して上記複数の第１の噴射孔および上記複数の第２の噴射孔となる位置に設けられる第２の多孔質体と、により形成され、上記第１の多孔質体および上記第２の多孔質体は、上記複数の第１の噴射孔および上記複数の第２の噴射孔となる位置を除いてゾルゲル法により封止されていてもよい。 The plurality of first gas supply pipe parts and the plurality of second gas supply pipe parts include a first porous body and the plurality of second gas supply pipe parts adjacent to the first porous body. One injection hole and a second porous body provided at a position to be the plurality of second injection holes, and the first porous body and the second porous body include the plurality of the plurality of second injection holes. It may be sealed by the sol-gel method except for the positions of the first injection holes and the plurality of second injection holes.
このとき、上記第１の多孔質体の気孔率は、上記複数本の第１のガス供給管パーツおよび上記複数本の第２のガス供給管パーツの内部にてプラズマが生じないように、予め所定の値に定められていてもよい。 At this time, the porosity of the first porous body is set in advance so that plasma is not generated inside the plurality of first gas supply pipe parts and the plurality of second gas supply pipe parts. It may be set to a predetermined value.
これによれば、第１および第２のガス供給管パーツ内は、多孔質体から形成されて、各ガス供給管パーツの内部にてプラズマが生じない。これにより、各ガス供給管パーツ内で異常放電が生じ、各各ガス供給管パーツが焼損したり、第１および第２のガス供給管パーツ内にて反応性ガスが化学反応を起こすことにより第１および第２のガス供給管パーツ内に反応生成物が付着することを回避することができる。 According to this, the first and second gas supply pipe parts are formed of the porous body, and no plasma is generated inside each gas supply pipe part. As a result, abnormal discharge occurs in each gas supply pipe part, each gas supply pipe part burns out, and the reactive gas causes a chemical reaction in the first and second gas supply pipe parts. It is possible to avoid the reaction product from adhering in the first and second gas supply pipe parts.
なお、第１の多孔質体の気孔率がとりえる所定の値とは、第１の多孔質体の平均気孔径が、第１の多孔質体を通過するガスのミーンフリーパス（平均自由工程）未満となる値である。たとえば、アルゴンガスのミーンフリーパスは、圧力が１ｍＴｏｒｒ、温度が室温のとき、７５ｍｍ程度であるから、第１の多孔質体内の圧力が１Ｔｏｒｒ、温度が室温のとき、第１の多孔質体内でのアルゴンガスのミーンフリーパスは、７５μｍ程度となる。ポーラス材の気孔率が、０．６未満であれば、第１の多孔質体内部の平均気孔径は７５μｍ未満となるため、アルゴンガスが第１の多孔質体の内部に入っても、そのほとんどは内壁に衝突してしまう。したがって、第１の多孔質体の気孔率が、０．６未満であれば、プラズマは、第１の多孔質体内部で生成されないと考えられる。 The predetermined value that can be taken by the porosity of the first porous body means that the average pore diameter of the first porous body is a mean free path of gas passing through the first porous body (mean free step). ) Is a value less than. For example, the mean free path of argon gas is about 75 mm when the pressure is 1 mTorr and the temperature is room temperature. Therefore, when the pressure in the first porous body is 1 Torr and the temperature is room temperature, The mean free pass of argon gas is about 75 μm. If the porosity of the porous material is less than 0.6, the average pore diameter inside the first porous body is less than 75 μm, so even if argon gas enters the inside of the first porous body, Most will collide with the inner wall. Therefore, if the porosity of the first porous body is less than 0.6, it is considered that plasma is not generated inside the first porous body.
また、上記第２の多孔質体の気孔率は、上記第２の多孔質体から噴き出されるガスの流速が音速以下になるように、予め所定の値に定められていてもよい。 Further, the porosity of the second porous body may be set to a predetermined value in advance so that the flow velocity of the gas ejected from the second porous body is equal to or lower than the speed of sound.
これによれば、第１および第２の噴射孔に設けられた第２の多孔質体にガスが通されるとき、第１および第２のガスは、音速以下まで減速する。これにより、第１および第２のガスを、その流速を音速以下に減速してから処理室内に噴射させることができる。これにより、各ガスの過剰な攪拌を抑えて各ガスからより均一なプラズマを生成することができる。 According to this, when the gas is passed through the second porous body provided in the first and second injection holes, the first and second gases are decelerated to the speed of sound or less. As a result, the first and second gases can be injected into the processing chamber after the flow velocity is reduced below the sonic velocity. Thereby, it is possible to suppress the excessive stirring of each gas and generate more uniform plasma from each gas.
上記複数の第１の噴射孔のうち、隣接する噴射孔は、スリット状の開口で繋がり、上記複数の第２の噴射孔のうち、隣接する噴射孔は、スリット状の開口で繋がっていてもよい。 Of the plurality of first injection holes, adjacent injection holes are connected by slit-shaped openings, and among the plurality of second injection holes, adjacent injection holes are connected by slit-shaped openings. Good.
これによれば、第１および第２のガスは、第１および第２の噴射孔のみならず、スリット状の開口からも少しずつ漏れ出す。これにより、第１のガスが、処理室内全体に均等な間隔にて設けられた第１のガス供給管パーツ全体から処理室の天井面に向けて減速された状態で万遍なく噴き出されるとともに、第２のガスが、第１のガスが噴き出される方向と反対側（すなわち、被処理体側）に向けて減速された状態で万遍なく噴き出される。これにより、各ガスからより均一なプラズマを生成することができる。 According to this, the 1st and 2nd gas leaks little by little not only from the 1st and 2nd injection hole but from the slit-like opening. As a result, the first gas is uniformly ejected in a state of being decelerated from the entire first gas supply pipe parts provided at equal intervals throughout the processing chamber toward the ceiling surface of the processing chamber. The second gas is uniformly ejected while being decelerated toward the side opposite to the direction in which the first gas is ejected (that is, the object side). Thereby, more uniform plasma can be generated from each gas.
上記スリット状の開口は、第３の多孔質体にて塞がれていてもよい。さらに、上記第３の多孔質体の気孔率は、上記第３の多孔質体から噴き出されるガスの流速が音速以下になるように、予め所定の値に定められることができる。これによれば、第３の多孔質体を通過して処理室内に供給される各ガスを音速以下まで減速させることにより、ガスの過剰な攪拌を抑制することができる。 The slit-shaped opening may be closed with a third porous body. Furthermore, the porosity of the third porous body can be set in advance to a predetermined value so that the flow velocity of the gas ejected from the third porous body is equal to or lower than the speed of sound. According to this, excessive stirring of the gas can be suppressed by decelerating each gas supplied to the processing chamber through the third porous body to a speed of sound or less.
各多孔質体は、第１の多孔質体、第２の多孔質体および第３の多孔質体の順に気孔率が高くなっていてもよい。これにより、各ガスが輸送されている間、各ガスを輸送する部材（たとえば、ガス供給管パーツなど）の内部にて、プラズマが生成されることを防止することができるとともに、充分に減速させた状態で各ガスを処理室内に供給させることができる。 Each porous body may have a higher porosity in the order of the first porous body, the second porous body, and the third porous body. As a result, while each gas is being transported, plasma can be prevented from being generated inside a member (for example, a gas supply pipe part) that transports each gas, and the gas can be sufficiently decelerated. In this state, each gas can be supplied into the processing chamber.
上記第１のガスは、少なくとも不活性ガスを含み、上記第２のガスは、少なくとも反応性ガスを含んでいてもよい。これによれば、第１のガスは、不活性ガス、すなわち、非堆積性のガスであるため、処理室の天井面に向けて噴き出されても、反応生成物が天井面に付着することがない。これにより、天井面に堆積した反応生成物がパーティクルとなって、被処理体の表面に混入することを回避することができる。 The first gas may include at least an inert gas, and the second gas may include at least a reactive gas. According to this, since the first gas is an inert gas, that is, a non-depositing gas, the reaction product adheres to the ceiling surface even if it is ejected toward the ceiling surface of the processing chamber. There is no. Thereby, it can avoid that the reaction product deposited on the ceiling surface becomes particles and is mixed into the surface of the object to be processed.
上記第１のガスまたは上記第２のガスの少なくともいずれかは、複数のガスを混合した混合ガスであって、上記混合ガスが過剰反応する場合を除き、上記第１のガスは、上記第２のガスよりも結合エネルギーが大きいガスであってもよい。 At least one of the first gas and the second gas is a mixed gas obtained by mixing a plurality of gases, and the first gas is the second gas except when the mixed gas is excessively reacted. A gas having a larger binding energy than the other gas may be used.
これによれば、まず、結合エネルギーの大きい第１のガスが、入射直後の強いマイクロ波の電界エネルギーによってプラズマ化される。第１のガスがプラズマ着火した後、第１のガスより結合エネルギーの小さい第２のガスが、第１のガスが吹き出される位置より下方の位置に吹き出される。このとき、第１のガスおよび第２のガスは減速しながら別々の位置に吹き出されるので、各ガスが過剰に攪拌されて混ざり合うことはない。これにより、第２のガスは、第１のガスをプラズマ化するためにパワーを消費して弱められたマイクロ波の電界エネルギーによって、たとえば、良質の膜を形成するためのプリカーサー（前駆体）まで解離する（それ以上解離は進まない）。この結果、被処理体を精度よくプラズマ処理することができる。 According to this, first, the first gas having a large binding energy is turned into plasma by the strong microwave electric field energy immediately after incidence. After the first gas is ignited by plasma, the second gas having a binding energy smaller than that of the first gas is blown to a position below the position where the first gas is blown. At this time, since the first gas and the second gas are blown out to different positions while decelerating, the gases are not excessively stirred and mixed. As a result, the second gas, for example, reaches a precursor (precursor) for forming a high-quality film by the electric field energy of the microwave that is consumed and weakened to turn the first gas into plasma. Dissociate (no further dissociation). As a result, the object to be processed can be plasma-processed with high accuracy.
ただし、上記第１のガスまたは上記第２のガスの少なくともいずれかが、複数のガスを混合した混合ガスであって、その混合ガスが過剰反応する場合などの特殊な場合には、第１のガスおよび第２のガスの結合エネルギーの大小関係に関わらず、過剰反応が起きないように各ガスの噴射位置が決定される。 However, in a special case such as a case where at least one of the first gas and the second gas is a mixed gas in which a plurality of gases are mixed and the mixed gas is excessively reacted, the first gas Regardless of the magnitude relationship between the binding energy of the gas and the second gas, the injection position of each gas is determined so that excessive reaction does not occur.
また、上記課題を解決するために、本発明の別の観点によれば、ガスをプラズマ化することによって、被処理体をプラズマ処理するプラズマ処理装置の使用方法であって、第１のガスを複数本の第１のガス供給管パーツの両端から上記複数本の第１のガス供給管パーツに通し、その第１のガスを被処理体と対向する処理室の天井面に向かって開口する各第１のガス供給管パーツの第１の噴射孔から噴き出し、第２のガスを上記第１のガス供給管パーツより被処理体に近い位置に設けられた複数本の第２のガス供給管パーツの両端から上記複数本の第２のガス供給管パーツに通し、その第２のガスを被処理体に向かって開口する各第２のガス供給管パーツの第２の噴射孔から噴き出すプラズマ処理装置の使用方法が供給される。 In order to solve the above-described problem, according to another aspect of the present invention, there is provided a method of using a plasma processing apparatus for plasma processing a target object by converting a gas into a plasma. Each of the first gas supply pipe parts is passed from the both ends of the plurality of first gas supply pipe parts to the plurality of first gas supply pipe parts, and the first gas is opened toward the ceiling surface of the processing chamber facing the object to be processed. A plurality of second gas supply pipe parts which are ejected from the first injection holes of the first gas supply pipe parts and the second gas is provided at a position closer to the object to be processed than the first gas supply pipe parts. The plasma processing apparatus which passes from the both ends of the second gas supply pipe parts to the plurality of second gas supply pipe parts and ejects the second gas from the second injection holes of the second gas supply pipe parts which open toward the object to be processed How to use is supplied.
これによれば、各ガス供給管パーツを流れ、各噴射孔から噴き出されるガスを減速させ、処理室内にてガスの流れを良好に保ち、各ガスの過剰な攪拌を抑えることにより、各ガスから均一なプラズマを生成することができる。 According to this, each gas supply pipe part is flown, the gas ejected from each injection hole is decelerated, the gas flow is kept good in the processing chamber, and the excessive stirring of each gas is suppressed. A uniform plasma can be generated.
また、上記課題を解決するために、本発明の別の観点によれば、プラズマ処理装置に使用され、ガスを噴射する噴射孔を有するガス供給管パーツの製造方法であって、ガス供給管パーツを第１の多孔質体にて成形し、複数の噴射孔となる部分をマスクした後、ゾルゲル法により封止し、上記マスクをガス供給管パーツから除去するプラズマ処理装置の製造方法が供給される。 In order to solve the above problems, according to another aspect of the present invention, there is provided a method for manufacturing a gas supply pipe part used in a plasma processing apparatus and having an injection hole for injecting a gas, the gas supply pipe part A method for manufacturing a plasma processing apparatus is provided in which the first porous body is molded, the portions to be a plurality of injection holes are masked, sealed by a sol-gel method, and the mask is removed from the gas supply pipe parts. The
これによれば、各ガスが輸送されている間、各ガスを輸送する部材（たとえば、ガス供給管パーツなど）の内部にて、プラズマが生成されることを防止することができるとともに、充分に減速させた状態で各ガスを処理室内に供給させることができる。 According to this, while each gas is being transported, it is possible to prevent plasma from being generated inside a member (for example, a gas supply pipe part) that transports each gas, and sufficiently Each gas can be supplied into the processing chamber in a decelerated state.
以上説明したように、本発明によれば、ガスの過剰な攪拌を抑制し、ガスの流れを良好にするプラズマ処理装置、プラズマ処理装置の使用方法およびガス供給管パーツの製造方法を提供することができる。 As described above, according to the present invention, it is possible to provide a plasma processing apparatus, a method of using the plasma processing apparatus, and a method of manufacturing a gas supply pipe part that suppress excessive gas stirring and improve the gas flow. Can do.
（第１実施形態）
以下に添付図面を参照しながら、本発明の第１実施形態にかかるプラズマ処理装置について、本装置を縦方向（ｙ軸に垂直な方向）に切断した断面図である図１、および、処理室の天井面を示した図２を参照しながら説明する。また、以下の説明では、本実施形態にかかるプラズマ処理装置としてマイクロ波プラズマ処理装置を用いた、ゲート酸化膜形成プロセスを例に挙げて説明する。
(First embodiment)
FIG. 1 is a cross-sectional view of the plasma processing apparatus according to the first embodiment of the present invention cut in the longitudinal direction (direction perpendicular to the y-axis) and the processing chamber with reference to the accompanying drawings. 2 will be described with reference to FIG. In the following description, a gate oxide film forming process using a microwave plasma processing apparatus as the plasma processing apparatus according to the present embodiment will be described as an example.
なお、以下の説明及び添付図面において、同一の構成及び機能を有する構成要素については、同一符号を付することにより重複説明を省略する。また、本明細書中１ｍＴｏｒｒは（１０−３×１０１３２５／７６０）Ｐａ、１ｓｃｃｍは（１０−６／６０）ｍ３／ｓｅｃとする。 In the following description and the accompanying drawings, components having the same configuration and function are denoted by the same reference numerals, and redundant description is omitted. In this specification, 1 mTorr is (10 −3 × 101325/760) Pa, and 1 sccm is (10 −6 / 60) m 3 / sec.
（マイクロ波プラズマ処理装置の構成）
マイクロ波プラズマ処理装置１００は、処理容器１０と蓋体２０とを有している。処理容器１０は、その上部が開口された有底立方体形状を有している。処理容器１０と蓋体２０とは、蓋本体２１の下面外周部と処理容器１０の上面外周部との間に配設されたＯリング３２により密閉され、これにより、プラズマ処理を施す処理室Ｕが形成されている。処理容器１０および蓋体２０は、たとえば、アルミニウム等の金属からなり、電気的に接地されている。
(Configuration of microwave plasma processing equipment)
The microwave
処理容器１０には、その内部にてガラス基板（以下「基板」という）Ｇを載置するためのサセプタ１１（載置台）が設けられている。サセプタ１１は、たとえば窒化アルミニウムからなり、その内部には、給電部１１ａおよびヒータ１１ｂが設けられている。
The
給電部１１ａには、整合器１２ａ（たとえば、コンデンサ）を介して高周波電源１２ｂが接続されている。また、給電部１１ａには、コイル１３ａを介して高圧直流電源１３ｂが接続されている。整合器１２ａ、高周波電源１２ｂ、コイル１３ａおよび高圧直流電源１３ｂは、処理容器１０の外部に設けられている。また、高周波電源１２ｂおよび高圧直流電源１３ｂは、接地されている。
A high
給電部１１ａは、高周波電源１２ｂから出力された高周波電力により処理容器１０の内部に所定のバイアス電圧を印加するようになっている。また、給電部１１ａは、高圧直流電源１３ｂから出力された直流電圧により基板Ｇを静電吸着するようになっている。
The
ヒータ１１ｂには、処理容器１０の外部に設けられた交流電源１４が接続されていて、交流電源１４から出力された交流電圧により基板Ｇを所定の温度に保持するようになっている。
An
処理容器１０の底面は筒状に開口され、その外部周縁にはベローズ１５の一端が装着されている。また、ベローズ１５の他端は昇降プレート１６に固着されている。このようにして、処理容器１０底面の開口部分は、ベローズ１５および昇降プレート１６により密閉されている。
The bottom surface of the
サセプタ１１は、昇降プレート１６上に配設された筒体１７に支持されていて、昇降プレート１６および筒体１７と一体となって昇降し、これにより、サセプタ１１を処理プロセスに応じた高さに調整するようになっている。また、サセプタ１１の周囲には、処理室Ｕのガスの流れを好ましい状態に制御するためのバッフル板１８が設けられている。
The
処理容器１０の底部には、処理容器１０の外部に設けられた真空ポンプ（図示せず）が備えられている。真空ポンプは、ガス排出管１９を介して処理容器１０内のガスを排出することにより、処理室Ｕを所望の真空度まで減圧する。
A vacuum pump (not shown) provided outside the
蓋体２０は、蓋本体２１、６本の導波管３３、スロットアンテナ３０、および、誘電体窓（複数枚の誘電体パーツ３１から構成）を有している。
The
６本の導波管３３は、その断面形状が矩形状であり、蓋本体２１の内部にて平行に並べて設けられている。各導波管３３の内部は、フッ素樹脂（たとえばテフロン（登録商標））、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）、石英などの誘電部材３４で充填されていて、その誘電部材３４により、λｇ１＝λｃ／（ε１）１／２の式に従って各導波管３３の管内波長λｇ１が制御される。ここで、λｃは自由空間の波長、ε１は誘電部材３４の誘電率である。
The six
各導波管３３は、上部にて開口し、その開口には、可動部３５が昇降自在に挿入されている。可動部３５は、アルミニウムなどの非磁性金属体である導電性材料から形成されている。
Each
蓋本体２１の外部であって、各可動部３５の上面には、昇降機構３６がそれぞれ設けられている。昇降機構３６は、誘電部材３４の上面までを限度として、可動部３５を昇降移動させるようになっている。これにより、導波管３３は、その高さを任意に変えることができる。
An elevating
各導波管３３下部のスロットアンテナ３０は、蓋本体２１の下方にて蓋本体２１に設けられたアンテナとして機能する。スロットアンテナ３０には、各導波管３３の下面にてスロット３７が設けられている。かかる構成により、処理室Ｕから天井面を見上げた図２に示したように、導波管３３毎に１３個、全部で７８個（＝１３×６）のスロット３７が、天井面全面にて等間隔に設けられている。
The
誘電体窓は、３９枚の誘電体パーツ３１から構成され、各誘電体パーツ３１はタイル状に形成されている。１３枚の誘電体パーツ３１は、１つのマイクロ波発生器４０に対してＹ分岐管４１を介して接続された２本の導波管３３を跨ぐように３列に設けられている。
The dielectric window is composed of 39
各誘電体パーツ３１は、互いに隣接する２本の導波管３３（すなわち、Ｙ分岐管４１を介して同じマイクロ波発生器４０に接続された２本の導波管３３）の下面に設けられた２６個（＝１３個×２列）のスロット３７のうち、ｙ座標が同一となる２つのスロット３７を跨ぐようにそれぞれ取り付けられている。以上の構成により、スロットアンテナ３０の下面には、全部で３９枚（＝１３枚×３列）の誘電体パーツ３１が取り付けられる。
Each
各誘電体パーツ３１は、石英ガラス、ＡｌＮ、Ａｌ２Ｏ３、サファイア、ＳｉＮ、セラミックスなどの誘電材料を用いて形成されている。図１および図１の誘電体パーツ３１近傍を一部拡大した図３に示したように、各誘電体パーツ３１には、基板Ｇと対向する面にて凹凸が形成されている。このように、各誘電体パーツ３１に凹部または凸部の少なくともいずれかを設けることによって、表面波が、各誘電体パーツ３１の表面を伝播する際の電界エネルギーの損失を増加させ、これにより、表面波の伝播を抑止することができる。この結果、定在波の発生を抑制して、均一なプラズマを生成することができる。誘電体パーツ３１と梁２６との間は、Ｏリング５０により密閉され、これにより、プラズマ処理を施す処理室Ｕが気密に保持されている。
Each
なお、各導波管３３の下面に形成されるスロット３７の個数は任意であり、たとえば、各導波管３３の下面にそれぞれ１２個ずつのスロット３７を設け、スロットアンテナ３０の下面に全部で３６枚（＝１２枚×３列）の誘電体パーツ３１を配設させてもよい。また、各誘電体パーツ３１の上面に設けるスロット３７の個数も２つに限られず、１つ、または、３つ以上であってもよい。
The number of
スロットアンテナ３０の下面には、図２に示したように、３９枚の誘電体パーツ３１を、１３枚×３列に配列させた状態で支持するための梁２６が格子状に形成されている。梁２６は、アルミニウムなどの非磁性金属体である導電性材料にて形成されている。
On the lower surface of the
図１および図２に示したように、ｙ軸方向にて対向する処理容器１０の側壁１０ａ１（第１の壁に相当）には、その内部にて第１のガス通路４２ａが設けられている。第１のガス通路４２ａは、処理容器１０の両側壁１０ａ１の内部にてその一部が直方体の形状をした第１のバッファ空間４２ａ１を有している。
As shown in FIGS. 1 and 2, the side wall 10a1 (corresponding to the first wall) of the
両側壁１０ａ１の第１のガス通路４２ａには、１６本の第１のガス供給管パーツ２８ａ（ガスパイプ）がその両端部にて連結されていて、互いに平行して等間隔に配置されている。すなわち、１６本の第１のガス供給管パーツ２８ａの両端は、両側壁１０ａ１の第１のバッファ空間４２ａ１に貫入していて、これにより、各第１のガス供給管パーツ２８ａと第１のガス通路４２ａとが連通する。各第１のガス供給管パーツ２８ａは、非金属から形成され、たとえば、アルミナなどの誘電体から形成されている。各第１のガス供給管パーツ２８ａには、処理室Ｕの天井部に向かって開口する噴射孔Ａ（第１の噴射孔に相当）が、等間隔に１６個設けられている。
Sixteen first gas
ｘ軸方向にて対向する処理容器１０の側壁１０ｂ１（第２の壁に相当）には、その内部にて第２のガス通路４２ｂが設けられている。第２のガス通路４２ｂは、処理容器１０の両側壁１０ｂ１の内部にてその一部が直方体の形状をした第２のバッファ空間４２ｂ１を有している。
A
両側壁１０ｂ１の第２のガス通路４２ｂには、１６本の第２のガス供給管パーツ２８ｂ（ガスパイプ）がその両端部にて連結されていて、互いに平行して等間隔に配置されている。また、１６本の第２のガス供給管パーツ２８ｂは、１６本の第１のガス供給管パーツ２８ａより基板Ｇに近い位置にて互いに平行に、かつ、１６本の第１のガス供給管パーツ２８ａに対して垂直になるように等間隔に配置されている。各第２のガス供給管パーツ２８ｂの両端は、両側壁１０ｂ１の第２のバッファ空間４２ｂ１に貫入していて、これにより、１６本の第２のガス供給管パーツ２８ｂと第２のガス通路４２ｂとが連通する。各第２のガス供給管パーツ２８ｂは、非金属から形成され、たとえば、アルミナなどの誘電体から形成されている。
Sixteen second gas
各第２のガス供給管パーツ２８ｂには、サセプタ１１に載置された基板Ｇに向かって開口する噴射孔Ｂ（第２の噴射孔に相当）が、等間隔に１６個設けられている。噴射孔Ａと噴射孔Ｂとは、第１のガス供給管パーツ２８ａと第２のガス供給管パーツ２８ｂとにより十字をなす部分にて上下に向かって（反対側に向けて）それぞれ開口している。
Each second gas
各バッファ空間４２ａ１、４２ｂ１に貫入している各ガス供給管パーツ２８と処理容器１０の内壁との間は、図３のＯリング５１により密閉され、これにより、プラズマ処理を施す処理室Ｕが気密に保持されている。
The gas
ガス供給源４３は、複数のバルブ４３ａ１、４３ａ３、４３ｂ１、４３ｂ３、４３ｂ５、４３ｂ７、複数のマスフローコントローラ４３ａ２、４３ｂ２、４３ｂ６、アルゴンガス供給源４３ａ４、酸素ガス供給源４３ｂ４およびシランガス供給源４３ｂ８から構成されている。
The
アルゴンガス供給源４３ａ４および酸素ガス供給源４３ｂ４には、第１のガス通路４２ａの第１のバッファ空間４２ａ１を介して第１のガス供給管パーツ２８ａが接続されている。アルゴンガス供給源４３ａ４および酸素ガス供給源４３ｂ４は、各バルブの開閉および各マスフローコントローラの開度をそれぞれ制御することにより、所望の濃度のアルゴンガスおよび酸素ガスを第１のガス供給管パーツ２８ａから天井面に向けて噴き出すようになっている。
The first gas
このように、アルゴンガスおよび酸素ガスを、アルゴンガス供給源４３ａ４および酸素ガス供給源４３ｂ４から第１のガス通路４２ａを介して複数本の第１のガス供給管パーツ２８ａへ通し、複数の噴射孔Ａから処理室Ｕに供給する機構および動作は、第１のガスを第１のガス通路から複数本の第１のガス供給管パーツへ通し、複数の第１の噴射孔から処理室に供給する第１のガス供給手段の機能により実行される。
As described above, the argon gas and the oxygen gas are passed from the argon gas supply source 43a4 and the oxygen gas supply source 43b4 to the plurality of first gas
また、シランガス供給源４３ｂ８には、第２のガス通路４２ｂの第２のバッファ空間４２ｂ１を介して第２のガス供給管パーツ２８ｂが接続されている。シランガス供給源４３ｂ８は、各バルブの開閉および各マスフローコントローラの開度をそれぞれ制御することにより、所望の濃度のシランガスを第２のガス供給管パーツ２８ｂから基板Ｇに向けて噴き出すようになっている。
Further, the second gas
このように、シランガスを、シランガス供給源４３ｂ８から第２のガス通路４２ｂから複数本の第２のガス供給管パーツ２８ｂへ通し、複数の噴射孔Ｂから処理室Ｕに供給する機構および動作は、第２のガスを第２のガス通路から複数本の第２のガス供給管パーツへ通し、複数の第２の噴射孔から処理室に供給する第２のガス供給手段の機能により実行される。
As described above, the mechanism and the operation of supplying the silane gas from the silane gas supply source 43b8 to the plurality of second gas
冷却水配管４４には、マイクロ波プラズマ処理装置１００の外部に配置された冷却水供給源４５が接続されていて、冷却水供給源４５から供給された冷却水が冷却水配管４４内を循環して冷却水供給源４５に戻ることにより、蓋本体２１は、所望の温度に保たれるようになっている。
A cooling
以上に説明した構成により、図２に示した３つのマイクロ波発生器４０から出力された、たとえば、２．４５ＧＨｚ×３のマイクロ波は、各Ｙ分岐管４１を経由して各導波管３３を伝播し、各スロット３７を通り、各誘電体パーツ３１を透過して処理室Ｕ内に入射されるようになっている。
With the configuration described above, for example, 2.45 GHz × 3 microwaves output from the three
（アルゴンガスおよび酸素ガスの供給）
つぎに、マイクロ波プラズマ処理装置１００を用いたプラズマの生成について説明する。図３および図４に示したように、アルゴンガスおよび酸素ガスは、第１のガス通路４２ａの第１のバッファ空間４２ａ１を介して１６本の第１のガス供給管パーツ２８ａの両端から中央へ向かって供給され、第１のガス供給管パーツ２８ａを通る間に、等間隔に設けられた多数の噴射孔Ａから、処理室Ｕの天井面に向かって上向きに噴き出される。
(Supply of argon gas and oxygen gas)
Next, generation of plasma using the microwave
このようにして、天井面に向かって噴き出されたアルゴンガスおよび酸素ガスは、処理室Ｕの天井面に衝突して速度を落としながら、方向を変えて基板Ｇ側に拡散していく。このようにして、アルゴンガスおよび酸素ガスは、その速度を低下させながら、処理室内全体に万遍なく供給される。この結果、過剰に攪拌することなく、均一に拡散されたアルゴンガスおよび酸素ガスをマイクロ波の電界エネルギーにより均一にプラズマ化することができる。 In this manner, the argon gas and oxygen gas ejected toward the ceiling surface change the direction and diffuse to the substrate G side while colliding with the ceiling surface of the processing chamber U to reduce the speed. In this way, the argon gas and the oxygen gas are uniformly supplied to the entire processing chamber while reducing the speed thereof. As a result, the uniformly diffused argon gas and oxygen gas can be uniformly converted into plasma by microwave electric field energy without excessive stirring.
なお、アルゴンガスおよび酸素ガスの混合ガスが、処理室Ｕの天井面に向けて噴き出されても、混合ガスは、不活性ガス、非堆積性のガスであるため、化学反応により反応生成物が天井面に付着することがない。これにより、天井面に堆積した反応生成物がパーティクルとなって、基板Ｇ上に形成されたゲート酸化膜を劣化させることを回避することができる。 Even if the mixed gas of argon gas and oxygen gas is jetted toward the ceiling surface of the processing chamber U, the mixed gas is an inert gas and a non-depositing gas, and therefore a reaction product is generated by a chemical reaction. Will not adhere to the ceiling. Thereby, it can be avoided that the reaction product deposited on the ceiling surface becomes particles and deteriorates the gate oxide film formed on the substrate G.
（シランガスの供給）
このようにして、アルゴンガスおよび酸素ガスがプラズマ着火後、図３および図５に示したように、シランガスは、第２のガス通路４２ｂの第２のバッファ空間４２ｂ１を介して、１６本の第２のガス供給管パーツ２８ｂの両端から中央へ向かって供給され、第２のガス供給管パーツ２８ｂを通る間に、等間隔に設けられた多数の噴射孔Ｂから、基板Ｇに向かって下向きに噴き出される。
(Silane gas supply)
In this way, after the argon gas and oxygen gas are ignited by plasma, as shown in FIG. 3 and FIG. 5, the silane gas passes through the second buffer space 42b1 of the
噴き出されたシランガスは、アルゴンガスおよび酸素ガスから均一に生成されたプラズマと、アルゴンガスおよび酸素ガスをプラズマ化するためにパワーを消費して弱められたマイクロ波の電界エネルギーによって、たとえば、良質の膜を形成するためのプリカーサー（前駆体）まで解離する（それ以上解離は進まない）。この結果、基板Ｇ上に均一かつ良質なゲート酸化膜を形成することができる。 The ejected silane gas, for example, has a good quality due to the plasma generated uniformly from argon gas and oxygen gas and the electric field energy of the microwave that is consumed and weakened to turn argon gas and oxygen gas into plasma. Dissociates up to a precursor (precursor) for forming the film (dissociation does not proceed any further). As a result, a uniform and high-quality gate oxide film can be formed on the substrate G.
（バッファ空間）
上述したように、第１のガス通路４２ａおよび第２のガス通路４２ｂには、第１のバッファ空間４２ａ１および第２のバッファ空間４２ｂ１がそれぞれ設けられている。これらにより、各ガスは、より低速な状態で均一に処理室内に噴き出される。そのメカニズムについて以下に説明する。
(Buffer space)
As described above, the first buffer space 42a1 and the second buffer space 42b1 are provided in the
図４に示したように、アルゴンガスおよび酸素ガスは、第１のガス通路４２ａを通過して第１のバッファ空間４２ａ１の両端から第１のバッファ空間４２ａ１に入り込む。また、図５に示したように、シランガスは、第２のガス通路４２ｂを通過して第２のバッファ空間４２ｂ１の両端から第２のバッファ空間４２ｂ１に入り込む。
As shown in FIG. 4, argon gas and oxygen gas pass through the
このとき、処理室内の圧力は数十ｍＴｏｒｒ〜数百ｍＴｏｒｒ程度、第１および第２のガス供給管パーツ内部の圧力は数Ｔｏｒｒ〜数十Ｔｏｒｒ程度、第１および第２のバッファ空間は数十〜数百Ｔｏｒｒ程度である。したがって、各ガスは、減速しながら第１および第２のバッファ空間４２ａ１，４２ｂ１の全体に均一に広がり、一時的に第１および第２のバッファ空間４２ａ１，４２ｂ１の空間内を滞留した後、第１および第２のガス供給管パーツ２８ａ、２８ｂの内部を通過して噴射孔Ａ、Ｂから処理室Ｕ内に導入される。
At this time, the pressure in the processing chamber is about several tens of mTorr to several hundreds of mTorr, the pressure inside the first and second gas supply pipe parts is about several Torr to several tens of Torr, and the first and second buffer spaces are several tens of Torr. About several hundred Torr. Accordingly, each gas spreads uniformly throughout the first and second buffer spaces 42a1 and 42b1 while decelerating, and temporarily stays in the first and second buffer spaces 42a1 and 42b1. The gas passes through the insides of the first and second gas
この結果、一時的に第１および第２のバッファ空間４２ａ１，４２ｂ１の空間内を滞留している間に、各ガスは、減速するとともに均一化し、その後、方向の偏りもほとんどない状態で第１および第２のガス供給管パーツ２８ａ、２８ｂを経由して処理室内全体に万遍なく供給される。この結果、各ガスが過剰に攪拌されることなく、処理室内に均一に拡散された各ガスから均一にプラズマが生成され、均一に生成されたプラズマにより、基板Ｇ上に均一かつ良質なゲート酸化膜を形成することができる。
As a result, while temporarily retaining in the first and second buffer spaces 42a1 and 42b1, the respective gases decelerate and become uniform, and then the first in a state where there is almost no deviation in direction. In addition, the gas is uniformly supplied to the entire processing chamber via the second gas
また、このとき、第１および第２のバッファ空間４２ａ１，４２ｂ１が設けられている処理容器１０の側壁１０ａ１，１０ｂ１は、金属から形成されている。よって、処理室内に供給されるマイクロ波は、金属を透過しない。これにより、第１および第２のバッファ空間４２ａ１，４２ｂ１内にマイクロ波が入り込むことがない。この結果、第１および第２のバッファ空間４２ａ１，４２ｂ１中に滞留している各ガスが各バッファ空間４２ａ１，４２ｂ１内でプラズマ化することがない。これにより、各バッファ空間内で異常放電が生じ、各壁面が焼損したり、各バッファ空間４２ａ１，４２ｂ１内にて各ガスが化学反応を起こすことにより各バッファ空間４２ａ１，４２ｂ１内に反応生成物が付着することを回避することができる。
At this time, the side walls 10a1 and 10b1 of the
さらに、１６本の第１および第２のガス供給管パーツ２８ａ、２８ｂは、すべて非金属（本実施形態では、アルミナ）から形成されている。これにより、第１および第２のガス供給管パーツ２８ａ、２８ｂが金属から形成されていたときのように、第１および第２のガス供給管パーツ２８ａ、２８ｂの表面に生じるシースの影響が少ないため、第１および第２のガス供給管パーツ２８ａ、２８ｂの表面近傍の電磁界が乱れず、プラズマ生成の分布を歪めることがない。この結果、より均一なプラズマを生成することができる。また、ガス供給管パーツが金属から形成されていたときに生じていた問題、すなわち、ガス供給管パーツが熱変形したり（たとえば、ガス供給管パーツがプラズマの熱で折れたり、溶ける）、ガス供給管パーツがプラズマ処理中に腐食するという問題を解消することができる。
Further, the 16 first and second gas
（ポーラス部材）
本実施形態にかかるマイクロ波プラズマ処理装置１００では、さらに、第１および第２のガス供給管パーツ２８ａ、２８ｂの各噴射孔Ａ，Ｂをポーラス材（多孔質体）にて塞ぐほうがよい。
(Porous member)
In the microwave
図６（ａ）に示したように、第１のガス供給管パーツ２８ａの噴射孔Ａをポーラス材にて塞ぎ、図６（ｂ）に示したように、第２のガス供給管パーツ２８ｂの噴射孔Ｂをポーラス材にて塞ぐ場合、バルク材２８Ｂで構成された第１および第２のガス供給管パーツ２８ａ，２８ｂに設けられた直径１〜３ｍｍの開口にポーラス材２８Ｐを詰めて、接着剤にてポーラス材２８Ｐをバルク材２８Ｂに固着する。
As shown in FIG. 6 (a), the injection hole A of the first gas
一般的に、中空のガス管を通るガスの流速Ｖは、ガスの流量Ｑおよびガス管の断面積Ａを用いて次式（１）のように表される。
Ｖ＝Ｑ／Ａ・・・（１）
In general, the flow velocity V of the gas passing through the hollow gas pipe is expressed by the following equation (1) using the gas flow rate Q and the cross-sectional area A of the gas pipe.
V = Q / A (1)
ここで、処理容器内の圧力ｐが１Ｔｏｒｒ、処理容器内に噴射するガスの総流量Ｑが２．０×１０―３ｍ３／ｍｉｎ、ガス穴の総数が２２４００個の場合、ガス穴１個あたりのガス流量Ｑは１４８８．１ｍｍ３／ｓｅｃとなる。また、たとえば、噴射孔の直径が０.５ｍｍのとき、ガス穴１個の断面積Ａは、０．１９６３５ｍｍ２となる。 Here, when the pressure p in the processing container is 1 Torr, the total flow rate Q of the gas injected into the processing container is 2.0 × 10 −3 m 3 / min, and the total number of gas holes is 22400, one gas hole The per unit gas flow rate Q is 1488.1 mm 3 / sec. For example, when the diameter of the injection hole is 0.5 mm, the cross-sectional area A of one gas hole is 0.19635 mm 2 .
処理容器内の圧力ｐおよび体積ｖが一定であると仮定した場合、直径が０.５ｍｍのガスシャワーヘッドの噴射孔から噴射されるガスの流速Ｖ０は、式（１）を用いて次のように計算される。ただし、１ａｔｍ＝７６０Ｔｏｒｒとする。
Ｖ０＝１４８８．１×７６０／０．１９６３５＝５７６０ｍ／ｓ
Assuming that the pressure p and the volume v in the processing container are constant, the flow velocity V 0 of the gas injected from the injection hole of the gas shower head having a diameter of 0.5 mm is expressed by the following equation (1). Is calculated as follows. However, 1 atm = 760 Torr.
V 0 = 1488.1 × 760 / 0.19635 = 5760 m / s
一方、各第１および各第２の噴射孔がポーラス材により塞がれている場合のガスの流速を計算した図７を参照すると、処理容器内の圧力ｐおよび体積ｖが一定であると仮定した場合、ポーラス材から噴射されるガスの流速Ｖｔは、式（１）を用いて次のように計算される。ただし、この場合、総断面積Ａは、ポーラス材の噴き出し口の断面積と気孔率との積で求められ、ポーラス材の噴き出し口の直径が３ｍｍ、気孔率が５０％のとき、総断面積Ａは、噴き出し口の断面積×気孔率で表され、具体的には、３．５３４３ｍｍ２となる。よって、ガス流速Ｖｔは、次のようにして求められる。
Ｖｔ＝１４８８．１×７６０／３．５３４３＝３２０．２ｍ／ｓ
On the other hand, referring to FIG. 7 in which the gas flow velocity is calculated when each of the first and second injection holes is closed by the porous material, it is assumed that the pressure p and the volume v in the processing container are constant. In this case, the flow velocity V t of the gas injected from the porous material is calculated as follows using the equation (1). However, in this case, the total cross-sectional area A is obtained by the product of the cross-sectional area of the porous material outlet and the porosity, and when the diameter of the porous material outlet is 3 mm and the porosity is 50%, the total cross-sectional area is A is expressed by the cross-sectional area of the ejection port × the porosity, and specifically, 3.5343 mm 2 . Therefore, the gas flow velocity V t is obtained as follows.
V t = 1488.1 × 760 / 3.5343 = 320.2 m / s
これらの計算結果によれば、直径が３ｍｍのポーラス材の噴き出し口から噴射されるガスの流速Ｖｔは、直径が０．５ｍｍのガス管の噴射孔から噴射されるガスの流速Ｖ０の１／２０程度と非常に小さくなり、音速以下となる。この結果、音速以下のガス流速Ｖｔにてポーラス材から各ガスを噴き出すことができる。これにより、各ガスの攪拌を効率的に抑え、各ガスから均一なプラズマを生成することができ、基板Ｇ上により均一かつ良質なゲート酸化膜を形成することができる。 According to these calculation results, the flow velocity V t of the gas injected from the ejection port of the porous material having a diameter of 3 mm is 1 of the flow velocity V 0 of the gas injected from the injection hole of the gas pipe having the diameter of 0.5 mm. / 20 becomes very small and becomes less than the speed of sound. As a result, it is possible spewing the gases from the porous member at subsonic gas flow velocity V t. Thereby, stirring of each gas can be efficiently suppressed, uniform plasma can be generated from each gas, and a more uniform and high-quality gate oxide film can be formed on the substrate G.
なお、第１のガス供給管パーツ２８ａおよび第２のガス供給管パーツ２８ｂは、別々に複数本設けられていて、一体的に形成されていない。これにより、ガス供給管パーツを損傷した場合にも、そのパーツのみを交換すればよいので、メンテナンスが容易な装置を利用者に提供することができる。
In addition, the 1st gas
（第２実施形態）
つぎに、第２実施形態にかかるマイクロ波プラズマ処理装置１００について説明する。第２実施形態にかかるマイクロ波プラズマ処理装置１００は、第１および第２のガス供給管パーツ２８ａ、２８ｂ全体がポーラス材により形成されている点で、噴射孔の開口のみにポーラス材を使用した第１実施形態にかかる第１および第２のガス供給管パーツ２８ａ、２８ｂと構成上相異する。よって、このように構成上相異する本実施形態にかかるガス供給管パーツ２８の製造方法を中心に本実施形態にかかるマイクロ波プラズマ処理装置１００について、図８を参照しながら説明する。
(Second Embodiment)
Next, a microwave
（ポーラス材を充填させたガス供給管パーツ２８の製造方法）
（１）まず、ガス供給管パーツ２８となるポーラス材２８Ｐ（第１の多孔質体に相当）をシリンダ状に成型する。
（２）つぎに、噴射孔Ａ、Ｂとなる位置を直径１〜３ｍｍのマスク６０にてマスキングする。
（３）耐食性の高いＹ２Ｏ３ゾル６１をポーラス材２８Ｐに浸漬させ，ポーラス２８ＰをＹ２Ｏ３ゾル６１でコーティング（すなわち，ガス供給管パーツ２８を有機溶剤に分散させたゾル（コロイド溶液）で封孔）する。
（４）加熱により、コーティングしたＹ２Ｏ３ゾル６１をゲル化させる。これにより，ポーラス材２８Ｐ内のガラス部分（ＳｉＯ２）がＦ系ガスや塩素系ガスにより腐食されることを回避することができる。
（５）最後に、マスク６０を除去し、ガスの噴射孔Ａ、Ｂとなる位置を露出させる。これにより、ポーラス材２８Ｐを用いたガス供給管パーツ２８が完成する。
なお，（４）の封孔処理に用いる溶液は，Ｙ２Ｏ３ゾルに限られず，周期律表第３ａ族に属する元素から選択されたものを用いることができる。
(Manufacturing method of gas
(1) First, a
(2) Next, the positions of the injection holes A and B are masked with a
(3) Y 2 O 3 sol 61 having high corrosion resistance is immersed in
(4) The coated Y 2 O 3 sol 61 is gelled by heating. Thus, it is possible to prevent the glass portion of the
(5) Finally, the
The solution used for the sealing treatment in (4) is not limited to Y 2 O 3 sol, and a solution selected from elements belonging to Group 3a of the periodic table can be used.
ポーラス材２８Ｐの気孔率がとりえる値は、ポーラス材２８Ｐの平均気孔径が、ポーラス材２８Ｐを通過するガスのミーンフリーパス（平均自由工程）未満となる値である。たとえば、アルゴンガスのミーンフリーパスは、圧力が１ｍＴｏｒｒ、温度が室温のとき、７５ｍｍ程度であるから、ポーラス材２８Ｐ内部の圧力が１Ｔｏｒｒ、温度が室温のとき、ポーラス材２８Ｐ内でのアルゴンガスのミーンフリーパスは、７５μｍ程度となる。よって、ポーラス材２８Ｐの気孔率が、０．６未満であれば、ポーラス材２８Ｐ内部の平均気孔径は７５μｍ未満となるため、アルゴンガスがポーラス材２８Ｐの内部に入っても、そのほとんどは内壁に衝突してしまう。したがって、ポーラス材２８Ｐの気孔率が、０．６未満であれば、プラズマは、ポーラス材２８Ｐ内部で生成されないと考えられる。
The value that the porosity of the
この結果、ポーラス材２８Ｐの気孔率がとりえる値は、ガスが音速以下（図７では、０．５以上）となり、かつ、ポーラス材２８Ｐ内部でプラズマが生成されない値（図７では、０．６以下）となる。これによれば、第１および第２のガス供給管パーツ２８ａ、２８ｂ内は、ポーラス材２８Ｐにより充填されているため、各ガス供給管パーツの内部にてプラズマが生じない。これにより、各ガス供給管パーツ内で異常放電が生じ、各ガス供給管パーツが焼損したり、各ガス供給管パーツ内にて反応性ガスが化学反応を起こすことにより各ガス供給管パーツ内に反応生成物が付着することを回避することができる。
As a result, the value of the porosity of the
以上、本実施形態によれば、各ガスの過剰な攪拌を抑えて、処理室内のガスの流れをより適正化することにより、より均一なプラズマを生成することができる。 As described above, according to this embodiment, it is possible to generate more uniform plasma by suppressing excessive stirring of each gas and optimizing the flow of gas in the processing chamber.
（第３実施形態）
つぎに、第３実施形態にかかるマイクロ波プラズマ処理装置１００について説明する。第３実施形態にかかるマイクロ波プラズマ処理装置１００は、第１および第２のガス供給管パーツ２８ａ、２８ｂが２種類のポーラス材（第１および第２のポーラス材）により形成される点で、１種類のポーラス材のみを用いた第２実施形態にかかる第１および第２のガス供給管パーツ２８ａ、２８ｂと構成上相違する。よって、このように構成上相異する本実施形態にかかるガス供給管パーツ２８の製造方法を中心に本実施形態にかかるマイクロ波プラズマ処理装置１００について、図９を参照しながら説明する。
(Third embodiment)
Next, a microwave
（２種類のポーラス材を用いたガス供給管パーツ２８の製造方法）
（１）まず、ガス供給管パーツ２８となる第１のポーラス材２８Ｐ１をシリンダ状に成型する。噴射孔Ａ、Ｂとなる位置には、直径１〜３ｍｍの凹みが設けられる。
（２）つぎに、凹みに第２のポーラス材２８Ｐ２を埋め込む。第１のポーラス材２８Ｐ１と第２のポーラス材２８Ｐ２との間は、接着剤にて接合される。ここで、第１のポーラス材２８Ｐ１の気孔率は、第２のポーラス材２８Ｐ２の気孔率より大きい。
（３）第２のポーラス材２８Ｐ２が設けられた位置をマスク６０にてマスキングする。
（４）耐食性の高いＹ２Ｏ３ゾル６１をポーラス材に浸漬させ，ポーラス材をＹ２Ｏ３ゾル６１でコーティングした後、加熱により、コーティングしたＹ２Ｏ３ゾル６１をゲル化させる。
（５）最後に、マスク６０を除去し、ガスの噴射孔Ａ、Ｂとなる位置を露出させる。これにより、２種類のポーラス材（第１のポーラス材２８Ｐ１、第２のポーラス材２８Ｐ２）を用いたガス供給管パーツ２８が完成する。
(Manufacturing method of gas
(1) First, the first porous material 28P1 to be the gas
(2) Next, the second porous material 28P2 is embedded in the recess. The first porous material 28P1 and the second porous material 28P2 are joined with an adhesive. Here, the porosity of the first porous material 28P1 is larger than the porosity of the second porous material 28P2.
(3) The position where the second porous material 28P2 is provided is masked with the
(4) corrosion resistance higher Y 2 O 3
(5) Finally, the
このようにして製造されたガス供給管パーツ２８を構成する第１のポーラス材２８Ｐ１の気孔率は、第２のポーラス材２８Ｐ２の気孔率より大きい。これにより、第１のポーラス材２８Ｐ１は、主に、ガス供給管パーツ２８内にてガスがプラズマ化しないように機能し、第２のポーラス材２８Ｐ２は、ガスが処理室に噴出されるときにガスの流速を低下させるように機能する。
The porosity of the first porous material 28P1 constituting the gas
これにより、ガス供給管パーツ内で異常放電が生じ、ガス供給管パーツが焼損したり、各ガス供給管パーツ内にて反応性ガスが化学反応を起こすことにより各ガス供給管パーツ内に反応生成物が付着することを回避しながら、各ガスの流速を効果的に低下させて噴出させることができる。この結果、各ガスの過剰な攪拌を抑えて、処理室内のガスの流れをより適正化することにより、より均一なプラズマを生成することができる。 As a result, abnormal discharge occurs in the gas supply pipe parts, the gas supply pipe parts burn out, and the reactive gas causes a chemical reaction in each gas supply pipe part to generate a reaction in each gas supply pipe part. While avoiding the attachment of objects, the flow velocity of each gas can be effectively reduced and ejected. As a result, it is possible to generate more uniform plasma by suppressing excessive stirring of each gas and optimizing the gas flow in the processing chamber.
（第４実施形態）
つぎに、第４実施形態にかかるマイクロ波プラズマ処理装置１００について説明する。第４実施形態にかかるマイクロ波プラズマ処理装置１００は、第１および第２のガス供給管パーツ２８ａ、２８ｂが３種類のポーラス材により形成される点で、２種類のポーラス材を用いた第３実施形態にかかる第１および第２のガス供給管パーツ２８ａ、２８ｂと構成上相違する。よって、上記構成上の相異点を中心に本実施形態にかかるマイクロ波プラズマ処理装置１００について、図１０を参照しながら説明する。
(Fourth embodiment)
Next, a microwave
図１０（ａ）は、格子状に設けられた第１および第２のガス供給管パーツ２８ａ、２８ｂを基板側から見上げたときの各ガス供給管パーツの一部を拡大した図である。また、図１０（ｂ）は、第１および第２のガス供給管パーツ２８ａ、２８ｂを天井面側から見下ろしたときの各ガス供給管パーツの一部を拡大した図である。
FIG. 10A is an enlarged view of a part of each gas supply pipe part when the first and second gas
図１０（ａ）（ｂ）に示されたように、本実施形態にかかる第１および第２のガス供給管パーツ２８ａ、２８ｂの内部は、第３の実施形態と同様に、主に第１のポーラス材２８Ｐ１により構成されていて、噴射孔Ａ，Ｂの露出部分のみに第２のポーラス材２８Ｐ２が埋め込まれている。さらに、本実施形態では、隣接する噴射孔Ａおよび隣接する噴射孔Ｂの間は、スリット状の噴射孔Ｃ（開口）によりそれぞれ繋がっている。この噴射孔Ｃの露出部分には、第３のポーラス材２８Ｐ３が埋め込まれている。
As shown in FIGS. 10A and 10B, the interiors of the first and second gas
これによれば、各ガスは、噴射孔Ａ、Ｂのみならず、スリット状の噴射孔Ｃからも少しずつ漏れ出す。これにより、アルゴンガスおよび酸素ガスが、平行に設けられた１６本の第１のガス供給管パーツ２８ａ全体から処理室Ｕの天井面に向けて、減速された状態で万遍なく噴き出されるとともに、シランガスが、アルゴンガスおよび酸素ガスが噴き出される方向と反対側（すなわち、基板Ｇ側）に向けて減速された状態で万遍なく噴き出される。これにより、各ガスの過剰な攪拌を抑えて、各ガスからより均一なプラズマを生成することができる。
According to this, each gas leaks not only from the injection holes A and B but also from the slit-shaped injection holes C little by little. Thereby, the argon gas and the oxygen gas are uniformly ejected in a decelerated state from the entire 16 first gas
なお、第１および第２のガス供給管パーツ２８ａ、２８ｂを構成する各ポーラス材は、第１のポーラス材２８Ｐ１、第２のポーラス材２８Ｐ２および第３のポーラス材２８Ｐ３の順に気孔率が高くなっていてもよい。これにより、主に、第１のポーラス材２８Ｐ１により各ガスの輸送時にプラズマが生成されることを防ぐことができるとともに、主に、第２のポーラス材２８Ｐ２および第３のポーラス材２８Ｐ３により各ガスを効果的に減速させてから、減速されたガスを噴射孔Ａ，Ｂ，Ｃから非常に均一な状態で処理室Ｕの内部に供給させることができる。
The porous materials constituting the first and second gas
（ガス種）
上段のガス噴射孔Ａから噴射されるガスは、少なくとも不活性ガスを含み、下段のガス噴射孔Ｂから噴射されるガスは、少なくとも反応性ガスを含む。また、一般的には、上段のガス噴射孔Ａから噴射されるガス（第１のガス）は、下段の（すなわち、ガス噴射孔Ａより下方に位置する）ガス噴射孔Ｂから噴射されるガス（第２のガス）よりも結合エネルギーが大きいガスであることが好ましい。
(Gas type)
The gas injected from the upper gas injection hole A includes at least an inert gas, and the gas injected from the lower gas injection hole B includes at least a reactive gas. In general, the gas (first gas) injected from the upper gas injection hole A is injected from the lower gas injection hole B (that is, located below the gas injection hole A). It is preferable that the gas has a higher binding energy than the (second gas).
これによれば、前述したように、まず、結合エネルギーの大きい第１のガスが、比較的強いマイクロ波の電界エネルギーによってプラズマ化される。つぎに、供給されたガスがプラズマ着火した後、第１のガスより結合エネルギーの小さい第２のガスが、ガス噴射孔Ａの位置および梁２６が突出した位置より下方に設置されたガス噴射孔Ｂから噴射される。これにより、第２のガスは、第１のガスをプラズマ化するためにパワーを消費して弱められたマイクロ波の電界エネルギーによって、良質の膜を形成するためのプリカーサー（前駆体）まで解離する。この結果、良質のゲート酸化膜を形成することができる。
According to this, as described above, first, the first gas having a large binding energy is turned into plasma by the relatively strong microwave electric field energy. Next, after the supplied gas is ignited by plasma, a second gas having a binding energy smaller than that of the first gas is installed below the position of the gas injection hole A and the position where the
この原則に基づけば、ＯとＯとの分子結合エネルギーは、５．２（ｅＶ）、ＳｉとＨとの分子結合エネルギーは、３．２（ｅＶ）、Ａｒのイオン化エネルギーは、１５．７５９（ｅＶ）であることから、本来的には、結合エネルギーが大きいアルゴンガスを上段から噴射させ、結合エネルギーが小さいシランガスおよび酸素ガスの混合ガスを下段から噴射させるほうがよい。 Based on this principle, the molecular bond energy between O and O is 5.2 (eV), the molecular bond energy between Si and H is 3.2 (eV), and the ionization energy of Ar is 15.759 ( Therefore, it is better to inject argon gas having a large binding energy from the upper stage and to inject a mixed gas of silane gas and oxygen gas having a lower binding energy from the lower stage.
ただし、複数のガスとを混合すると、その混合ガスが過剰反応してしまうなどの特殊な場合には、第１のガスおよび第２のガスの結合エネルギーの大小関係に関わらず、過剰反応が起きないように各ガスの噴射位置が決定される。 However, in a special case such as when a mixture of a plurality of gases results in an excessive reaction of the mixed gas, an excessive reaction occurs regardless of the magnitude relationship of the binding energy of the first gas and the second gas. The injection position of each gas is determined so as not to be present.
以上説明したように、本発明の各実施形態にかかるマイクロ波プラズマ処理装置１００によれば、ガスの過剰な攪拌を抑制し、ガスの流れを良好にして均一かつ良質なプラズマ処理を基板Ｇ上に施すことができる。
As described above, according to the microwave
なお、ガラス基板のサイズは、７２０ｍｍ×７２０ｍｍ以上であればよく、たとえば、Ｇ３基板サイズで７２０ｍｍ×７２０ｍｍ（チャンバ内の径：４００ｍｍ×５００ｍｍ）、Ｇ４．５基板サイズで７３０ｍｍ×９２０ｍｍ（チャンバ内の径：１０００ｍｍ×１１９０ｍｍ）、Ｇ５基板サイズで１１００ｍｍ×１３００ｍｍ（チャンバ内の径：１４７０ｍｍ×１５９０ｍｍ）である。上記大きさの処理室内に１〜８Ｗ／ｃｍ２のパワーのマイクロ波が供給される。 The size of the glass substrate may be 720 mm × 720 mm or more, for example, G3 substrate size is 720 mm × 720 mm (chamber diameter: 400 mm × 500 mm), and G4.5 substrate size is 730 mm × 920 mm (chamber interior). Diameter: 1000 mm × 1190 mm) and G5 substrate size is 1100 mm × 1300 mm (diameter in chamber: 1470 mm × 1590 mm). A microwave having a power of 1 to 8 W / cm 2 is supplied into the processing chamber having the above size.
上記実施形態において、各部の動作はお互いに関連しており、互いの関連を考慮しながら、一連の動作として置き換えることができる。そして、このように置き換えることにより、プラズマ処理装置の発明の実施形態を、プラズマ処理装置の使用方法の実施形態とすることができる。 In the above embodiment, the operations of the respective units are related to each other, and can be replaced as a series of operations in consideration of the relationship between each other. And by replacing in this way, embodiment of the invention of a plasma processing apparatus can be made into embodiment of the usage method of a plasma processing apparatus.
以上、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施形態について説明したが、本発明は係る例に限定されないことは言うまでもない。当業者であれば、特許請求の範囲に記載された範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。 As mentioned above, although preferred embodiment of this invention was described referring an accompanying drawing, it cannot be overemphasized that this invention is not limited to the example which concerns. It will be apparent to those skilled in the art that various changes and modifications can be made within the scope of the claims, and these are naturally within the technical scope of the present invention. Understood.
たとえば、本発明にかかるプラズマ処理装置は、上述したように多数の誘電体パーツを有するマイクロ波プラズマ処理装置（ＣＭＥＰ：Cellular Microwave Excitation Plasma）であってもよく、タイル状に分断されていない大面積の誘電体を有するマイクロ波プラズマ処理装置（ＳＷＰ：Surface Wave Plasma）であってもよい。ＳＷＰは，表面波の伝播を抑制させないマイクロ波プラズマ処理装置の一例であり，ＣＭＥＰは，表面波の伝播を抑制するマイクロ波プラズマ処理装置の一例である。 For example, the plasma processing apparatus according to the present invention may be a microwave plasma processing apparatus (CMEP: Cellular Microwave Excitation Plasma) having a large number of dielectric parts as described above, and has a large area that is not divided into tiles. The microwave plasma processing apparatus (SWP: Surface Wave Plasma) which has a dielectric material may be sufficient. SWP is an example of a microwave plasma processing apparatus that does not suppress the propagation of surface waves, and CMEP is an example of a microwave plasma processing apparatus that suppresses the propagation of surface waves.
また、上記実施形態では、大型ディスプレイ装置製造において大型のガラス基板を処理するためのマイクロ波プラズマ処理装置について説明したが、本発明は半導体装置製造用のマイクロ波プラズマ処理装置にも適用できる。 Moreover, although the said embodiment demonstrated the microwave plasma processing apparatus for processing a large sized glass substrate in large display apparatus manufacture, this invention is applicable also to the microwave plasma processing apparatus for semiconductor device manufacture.
さらに、本発明は、マイクロ波プラズマ処理装置のみならず、種々のプラズマ処理装置に使用することができ、そのプラズマの発生方法は、平行平板型、ＩＣＰ（Inductive Coupling Plasma）型、マグネトロン型、ＥＣＲ（Electron Cyclotron Resonance）型、ヘリコン波型、表面波（ＳＷＰ，ＣＭＥＰ）型、ＲＬＳＡ（Radial
Line SlotAntenna）型であってもよい。
Furthermore, the present invention can be used not only in a microwave plasma processing apparatus but also in various plasma processing apparatuses. The plasma generation method is parallel plate type, ICP (Inductive Coupling Plasma) type, magnetron type, ECR. (Electron Cyclotron Resonance) type, helicon wave type, surface wave (SWP, CMEP) type, RLSA (Radial
Line SlotAntenna) type.
また、本発明にかかるプラズマ処理装置では、成膜処理に限られず、拡散処理、エッチング処理、アッシング処理などのあらゆるプラズマ処理を実行することができる。 Further, the plasma processing apparatus according to the present invention is not limited to the film forming process, and can perform all plasma processes such as a diffusion process, an etching process, and an ashing process.
１０ 処理容器
２０ 蓋体
２１ 蓋本体
２８ａ 第１のガス供給管パーツ
２８ｂ 第２のガス供給管パーツ
２８Ｐ ポーラス材
２８Ｐ１ 第１のポーラス材
２８Ｐ２ 第２のポーラス材
２８Ｐ３ 第３のポーラス材
３１ 誘電体パーツ
４２ａ 第１のガス通路
４２ａ１ 第１のバッファ空間
４２ｂ 第２のガス通路
４２ｂ１ 第２のバッファ空間
１００ マイクロ波プラズマ処理装置
Ｕ 処理室
Ａ，Ｂ，Ｃ 噴射孔
DESCRIPTION OF
Claims (22)
第１の噴射孔を複数有する複数本の第１のガス供給管パーツと、
前記複数の第１の噴射孔が被処理体と対向する前記処理室の天井面に向かって開口するように、各第１のガス供給管パーツを前記各第１のガス供給管パーツの両端にてそれぞれ支持する第１の壁と、
前記第１の壁の内部に設けられた第１のガス通路と、
第１のガスを前記第１のガス通路から前記複数本の第１のガス供給管パーツへ通し、前記複数の第１の噴射孔から前記処理室に供給する第１のガス供給手段と、
前記第１のガス供給管パーツより被処理体に近い位置に設けられ、第２の噴射孔を複数有する複数本の第２のガス供給管パーツと、
前記複数の第２の噴射孔が被処理体に向かって開口するように、各第２のガス供給管パーツを前記各第２のガス供給管パーツの両端にてそれぞれ支持する第２の壁と、
前記第２の壁の内部に設けられた第２のガス通路と、
第２のガスを前記第２のガス通路から前記複数本の第２のガス供給管パーツへ通し、前記複数の第２の噴射孔から前記処理室に供給する第２のガス供給手段とを備えたプラズマ処理装置。 A plasma processing apparatus having a processing chamber for converting a gas into plasma and processing an object to be processed,
A plurality of first gas supply pipe parts having a plurality of first injection holes;
The first gas supply pipe parts are arranged at both ends of the first gas supply pipe parts so that the plurality of first injection holes open toward the ceiling surface of the processing chamber facing the object to be processed. A first wall each supporting
A first gas passage provided inside the first wall;
First gas supply means for passing a first gas from the first gas passage to the plurality of first gas supply pipe parts and supplying the processing chamber from the plurality of first injection holes;
A plurality of second gas supply pipe parts provided at a position closer to the object to be processed than the first gas supply pipe parts, and having a plurality of second injection holes;
A second wall for supporting each of the second gas supply pipe parts at both ends of each of the second gas supply pipe parts such that the plurality of second injection holes open toward the object to be processed; ,
A second gas passage provided in the second wall;
A second gas supply means for passing a second gas from the second gas passage to the plurality of second gas supply pipe parts and supplying the second gas to the processing chamber from the plurality of second injection holes; Plasma processing equipment.
前記第１のガス供給手段は、前記第１のバッファ空間を介して前記複数本の第１のガス供給管パーツの両端から前記第１のガスを供給し、
前記第２のガス通路には、第２のバッファ空間が設けられ、
前記第２のガス供給手段は、前記第２のバッファ空間を介して前記複数本の第２のガス供給管パーツの両端から前記第２のガスを供給する請求項１に記載されたプラズマ処理装置。 The first gas passage is provided with a first buffer space,
The first gas supply means supplies the first gas from both ends of the plurality of first gas supply pipe parts via the first buffer space,
A second buffer space is provided in the second gas passage,
2. The plasma processing apparatus according to claim 1, wherein the second gas supply unit supplies the second gas from both ends of the plurality of second gas supply pipe parts via the second buffer space. .
前記複数の第２の噴射孔は、等間隔に設けられている請求項１〜５のいずれかに記載されたプラズマ処理装置。 The plurality of first injection holes are provided at equal intervals,
The plasma processing apparatus according to claim 1, wherein the plurality of second injection holes are provided at equal intervals.
前記複数本の第２のガス供給管パーツは、互いに平行であって、前記複数本の第１のガス供給管パーツに垂直に設けられている請求項１〜６のいずれかに記載されたプラズマ処理装置。 The plurality of first gas supply pipe parts are provided in parallel to each other,
The plasma according to any one of claims 1 to 6, wherein the plurality of second gas supply pipe parts are provided parallel to each other and perpendicular to the plurality of first gas supply pipe parts. Processing equipment.
前記複数本の第１のガス供給管パーツと前記複数本の第２のガス供給管パーツとにより十字をなす部分にて反対側に向けて開口している請求項１〜７のいずれかに記載されたプラズマ処理装置。 The plurality of first injection holes and the plurality of second injection holes are:
8. The opening according to claim 1, wherein the plurality of first gas supply pipe parts and the plurality of second gas supply pipe parts are open toward the opposite side at a cross-shaped portion. Plasma processing apparatus.
第１の多孔質体により形成され、前記複数の第１の噴射孔および前記複数の第２の噴射孔となる位置を除いてゾルゲル法により封止されている請求項１〜８のいずれかに記載されたプラズマ処理装置。 The plurality of first gas supply pipe parts and the plurality of second gas supply pipe parts are:
It is formed by the 1st porous body, and is sealed by the sol gel method except the position used as these 1st injection holes and these 2nd injection holes. The plasma processing apparatus described.
第１の多孔質体と、前記第１の多孔質体に隣接して前記複数の第１の噴射孔および前記複数の第２の噴射孔となる位置に設けられる第２の多孔質体と、により形成され、
前記第１の多孔質体および前記第２の多孔質体は、
前記複数の第１の噴射孔および前記複数の第２の噴射孔となる位置を除いてゾルゲル法により封止されている請求項１〜８のいずれかに記載されたプラズマ処理装置。 The plurality of first gas supply pipe parts and the plurality of second gas supply pipe parts are:
A first porous body, a second porous body provided in a position adjacent to the first porous body and serving as the plurality of first injection holes and the plurality of second injection holes, Formed by
The first porous body and the second porous body are:
The plasma processing apparatus according to any one of claims 1 to 8, wherein the plasma processing apparatus is sealed by a sol-gel method except for the positions serving as the plurality of first injection holes and the plurality of second injection holes.
前記複数の第２の噴射孔のうち、隣接する噴射孔は、スリット状の開口で繋がっている請求項１２に記載されたプラズマ処理装置。 Among the plurality of first injection holes, adjacent injection holes are connected by a slit-shaped opening,
The plasma processing apparatus according to claim 12, wherein among the plurality of second injection holes, adjacent injection holes are connected by a slit-shaped opening.
前記複数本の第１のガス供給管パーツおよび前記複数本の第２のガス供給管パーツの内部にてプラズマが生じないように、予め所定の値に定められている請求項１１〜１５のいずれかに記載されたプラズマ処理装置。 The porosity of the first porous body is
16. The device according to claim 11, wherein a predetermined value is set in advance so that plasma is not generated in the plurality of first gas supply pipe parts and the plurality of second gas supply pipe parts. A plasma processing apparatus as described above.
前記第２の多孔質体から噴き出されるガスの流速が音速以下になるように、予め所定の値に定められている請求項９、１０、１２〜１４のいずれかに記載されたプラズマ処理装置。 The porosity of the second porous body is
The plasma processing apparatus according to any one of claims 9, 10, and 12 to 14, wherein a predetermined value is set in advance such that a flow velocity of gas ejected from the second porous body is equal to or lower than a sound velocity. .
前記第３の多孔質体から噴き出されるガスの流速が音速以下になるように、予め所定の値に定められている請求項１４または請求項１５のいずれかに記載されたプラズマ処理装置。 The porosity of the third porous body is
The plasma processing apparatus according to claim 14 or 15, wherein a predetermined value is set in advance so that a flow velocity of the gas ejected from the third porous body is equal to or lower than a sound velocity.
前記第１のガスは、前記第２のガスよりも結合エネルギーが大きいガスである請求項１〜１９のいずれかに記載されたプラズマ処理装置。 At least one of the first gas and the second gas is a mixed gas in which a plurality of gases are mixed, except when the mixed gas is excessively reacted,
The plasma processing apparatus according to claim 1, wherein the first gas is a gas having a binding energy larger than that of the second gas.
複数本の第１のガス供給管パーツの両端から前記複数本の第１のガス供給管パーツに第１のガスを通し、
前記複数本の第１のガス供給管パーツに設けられ、被処理体と対向する処理室の天井面に向かって開口する第１の噴射孔から第１のガスを噴き出させ、
前記第１のガス供給管パーツより被処理体に近い位置に設けられた複数本の第２のガス供給管パーツの両端から前記複数本の第２のガス供給管パーツに第２のガスを通し、
前記複数本の第２のガス供給管パーツに設けられ、被処理体に向かって開口する第２の噴射孔から第２のガスを噴き出させるプラズマ処理装置の使用方法。 A method of using a plasma processing apparatus for plasma processing a target object by converting a gas into plasma,
The first gas is passed through the plurality of first gas supply pipe parts from both ends of the plurality of first gas supply pipe parts,
The first gas is provided in the plurality of first gas supply pipe parts, and the first gas is ejected from a first injection hole that opens toward the ceiling surface of the processing chamber facing the object to be processed.
The second gas is passed through the plurality of second gas supply pipe parts from both ends of the plurality of second gas supply pipe parts provided at positions closer to the object to be processed than the first gas supply pipe parts. ,
A method of using a plasma processing apparatus, wherein the second gas is ejected from a second injection hole provided in the plurality of second gas supply pipe parts and opening toward the object to be processed.
ガス供給管パーツを第１の多孔質体にて成形し、
複数の噴射孔となる部分をマスクした後、ゾルゲル法により封止し、
前記マスクをガス供給管パーツから除去するガス供給管パーツの製造方法。 A method for manufacturing a gas supply pipe part used in a plasma processing apparatus and having an injection hole for injecting a gas,
Molding the gas supply pipe parts with the first porous body,
After masking the part to be a plurality of injection holes, sealing by sol-gel method,
A method for manufacturing a gas supply pipe part, wherein the mask is removed from the gas supply pipe part.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2006269945A JP5005999B2 (en) | 2006-09-29 | 2006-09-29 | Plasma processing apparatus and method of using plasma processing apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2006269945A JP5005999B2 (en) | 2006-09-29 | 2006-09-29 | Plasma processing apparatus and method of using plasma processing apparatus |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2008091571A true JP2008091571A (en) | 2008-04-17 |
| JP5005999B2 JP5005999B2 (en) | 2012-08-22 |
Family
ID=39375433
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2006269945A Expired - Fee Related JP5005999B2 (en) | 2006-09-29 | 2006-09-29 | Plasma processing apparatus and method of using plasma processing apparatus |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP5005999B2 (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010010297A (en) * | 2008-06-25 | 2010-01-14 | Tokyo Electron Ltd | Microwave plasma processing apparatus |
| WO2011055644A1 (en) * | 2009-11-06 | 2011-05-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07312348A (en) * | 1994-03-23 | 1995-11-28 | Tokyo Electron Ltd | Method and apparatus for treatment |
| JPH10241891A (en) * | 1997-02-21 | 1998-09-11 | Sumitomo Metal Ind Ltd | Plasma processor |
| WO2000074127A1 (en) * | 1999-05-26 | 2000-12-07 | Tokyo Electron Limited | Plasma process device |
-
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Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07312348A (en) * | 1994-03-23 | 1995-11-28 | Tokyo Electron Ltd | Method and apparatus for treatment |
| JPH10241891A (en) * | 1997-02-21 | 1998-09-11 | Sumitomo Metal Ind Ltd | Plasma processor |
| WO2000074127A1 (en) * | 1999-05-26 | 2000-12-07 | Tokyo Electron Limited | Plasma process device |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010010297A (en) * | 2008-06-25 | 2010-01-14 | Tokyo Electron Ltd | Microwave plasma processing apparatus |
| WO2011055644A1 (en) * | 2009-11-06 | 2011-05-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
| US8927351B2 (en) | 2009-11-06 | 2015-01-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
| US9384976B2 (en) | 2009-11-06 | 2016-07-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP5005999B2 (en) | 2012-08-22 |
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| A977 | Report on retrieval |
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| A131 | Notification of reasons for refusal |
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| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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