JP2008080607A

JP2008080607A - Electrooptic device, its drive method, and electronic equipment

Info

Publication number: JP2008080607A
Application number: JP2006262312A
Authority: JP
Inventors: Shinsuke Fujikawa; 紳介藤川
Original assignee: Seiko Epson Corp
Current assignee: Seiko Epson Corp
Priority date: 2006-09-27
Filing date: 2006-09-27
Publication date: 2008-04-10

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To reduce the delay of the movement of an electrooptic element relating to the technology controlling the electrooptic element. <P>SOLUTION: A drive transistor TDR generates and blocks drive current IDR according to a data signal Si supplied to a gate electrode. The electrooptic element E shows a gradation sequence according to the drive current IDR supplied via a node N from the drive transistor TDR. A capacitance element C includes a first electrode E1 and a second electrode E2 connected to the node N. A control section 42 changes the electric potential of the first electrode E1 in a direction of reducing the voltage applied to the electrooptic element E triggered by the data signal Si changing from a low level to a high level. <P>COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT

Description

本発明は、電気光学素子を制御する技術に関する。 The present invention relates to a technique for controlling an electro-optical element.

図１７に示すように、有機発光ダイオード素子などの電気光学素子Ｅの制御にトランジスタ（以下「駆動トランジスタ」という）ＴDRを利用した電気光学装置が従来から提案されている（例えば特許文献１）。駆動トランジスタＴDRのゲート電極には図１８のデータ信号Ｓが供給される。データ信号Ｓがローレベルに遷移して駆動トランジスタＴDRが導通状態に変化すると、駆動トランジスタＴDRを通過した駆動電流ＩDRが供給されて電気光学素子Ｅは発光する。データ信号Ｓがハイレベルに遷移すると駆動トランジスタＴDRが非導通状態に変化するから、駆動電流ＩDRの供給が停止して電気光学素子Ｅは消灯する。
特開２００６−９５８１２号公報 As shown in FIG. 17, an electro-optical device using a transistor (hereinafter referred to as “driving transistor”) TDR for controlling an electro-optical element E such as an organic light-emitting diode element has been conventionally proposed (for example, Patent Document 1). The data signal S of FIG. 18 is supplied to the gate electrode of the driving transistor TDR. When the data signal S transitions to a low level and the driving transistor TDR changes to a conductive state, the driving current IDR that has passed through the driving transistor TDR is supplied and the electro-optical element E emits light. When the data signal S transitions to a high level, the driving transistor TDR changes to a non-conducting state, so that the supply of the driving current IDR is stopped and the electro-optical element E is turned off.
JP 2006-95812 A

図１７に破線で図示されるように、等価回路的にみると電気光学素子Ｅには容量が付随するから、駆動電流ＩDRの電流値はデータ信号Ｓの変動から遅延した時点で目標値に到達する。したがって、電気光学素子Ｅの発光強度Ｌは、図１８に示すようにデータ信号Ｓがローレベルに変化した時点ｔa1から時間長ＴＲ0だけ遅延した時点で目標値Ｌ0に到達し、データ信号Ｓがハイレベルに変化した時点ｔb1から時間長ＴＦ0だけ遅延した時点でゼロとなる。電気光学素子Ｅの消灯時には駆動トランジスタＴDRがオフ状態に変化することで電気光学素子Ｅの陽極がハイインピーダンス状態となるから、駆動電流ＩDRの電流値の低下が遅延する（さらには電気光学素子Ｅの消灯の時期が遅延する）という問題は特に深刻化する。 As shown by a broken line in FIG. 17, since the electro-optic element E has a capacitance when viewed in terms of an equivalent circuit, the current value of the drive current IDR reaches the target value when delayed from the fluctuation of the data signal S. To do. Accordingly, the emission intensity L of the electro-optical element E reaches the target value L0 when the data signal S is delayed by the time length TR0 from the time ta1 when the data signal S changes to the low level, as shown in FIG. It becomes zero when it is delayed by the time length TF0 from the time tb1 when the level is changed. When the electro-optical element E is turned off, the drive transistor TDR is changed to an off state, so that the anode of the electro-optical element E is in a high impedance state. The problem of delaying the turn-off time is particularly serious.

なお、電気光学素子Ｅを画素に利用した表示装置において電気光学素子Ｅの発光の単位となる時間長（例えば水平走査期間）は数十msec程度である。これに対し、露光装置の光源に電気光学素子Ｅを利用した電子写真方式の画像形成装置において電気光学素子Ｅの発光の単位となる時間長は１０μsec程度であるから、電気光学素子Ｅの動作の遅延は特に顕著な問題となる。以上の事情に鑑みて、本発明は、電気光学素子の動作の遅延を軽減するという課題の解決を目的としている。 In the display device using the electro-optical element E as a pixel, the time length (for example, horizontal scanning period) that is a unit of light emission of the electro-optical element E is about several tens of msec. On the other hand, in the electrophotographic image forming apparatus using the electro-optical element E as the light source of the exposure apparatus, the time length that is a unit of light emission of the electro-optical element E is about 10 μsec. Delay is a particularly significant problem. In view of the above circumstances, an object of the present invention is to solve the problem of reducing the delay in operation of an electro-optical element.

以上の課題を解決するために、本発明のひとつの態様に係る電気光学装置は、ゲート電極に供給されるデータ信号がオン電位である場合に駆動電流を生成するとともにオフ電位である場合に駆動電流の生成を停止する駆動トランジスタと、駆動トランジスタからノードを経て供給される駆動電流に応じた階調となる電気光学素子と、第１電極とノードに接続された第２電極とを含む容量素子と、データ信号がオン電位からオフ電位に変化することを契機として、電気光学素子に印加される電圧を低下させる方向に第１電極の電位を変動させる制御手段（例えば制御部４２）とを具備する。データ信号のオン電位とは駆動トランジスタを導通状態（オン状態）に変化させる電位であり、オフ電位とは駆動トランジスタを非導通状態（オフ状態）に変化させる電位である。 In order to solve the above problems, an electro-optical device according to one aspect of the present invention generates a drive current when a data signal supplied to a gate electrode is an on-potential and drives when the data signal is an off-potential. A capacitive element including a driving transistor that stops generation of current, an electro-optical element having a gradation corresponding to a driving current supplied from the driving transistor via a node, and a first electrode and a second electrode connected to the node And a control means (for example, control unit 42) for changing the potential of the first electrode in a direction to decrease the voltage applied to the electro-optic element when the data signal changes from the on potential to the off potential. To do. The ON potential of the data signal is a potential that changes the driving transistor to a conductive state (ON state), and the OFF potential is a potential that changes the driving transistor to a non-conductive state (OFF state).

以上の形態によれば、データ信号がオン電位からオフ電位に変化することを契機として第１電極の電位が変動するから、電気光学素子に印加される電圧の低下がデータ信号に応じて促進される。したがって、図１７の構成と比較して電気光学素子を迅速に消灯させることができる。 According to the above embodiment, since the potential of the first electrode fluctuates when the data signal changes from the on potential to the off potential, a decrease in the voltage applied to the electro-optic element is promoted according to the data signal. The Accordingly, it is possible to quickly turn off the electro-optical element as compared with the configuration of FIG.

本発明の好適な態様において、制御手段は、データ信号がオフ電位からオン電位に変化することを契機として、電気光学素子に供給される電圧を上昇させる方向に第１電極の電位を変動させる。以上の態様によれば、データ信号がオフ電位からオン電位に変化することを契機として第１電極の電位が変動するから、電気光学素子に印加される電圧の上昇がデータ信号に応じて促進される。したがって、図１７の構成と比較して電気光学素子を迅速に発光させることができる。 In a preferred aspect of the present invention, the control unit varies the potential of the first electrode in the direction of increasing the voltage supplied to the electro-optic element when the data signal changes from the off potential to the on potential. According to the above aspect, since the potential of the first electrode fluctuates when the data signal changes from the off potential to the on potential, an increase in the voltage applied to the electro-optic element is promoted according to the data signal. The Therefore, the electro-optic element can emit light more quickly than the configuration of FIG.

本発明の好適な態様において、制御手段は、データ信号の電位の変化から遅延した時点で第１電極の電位を変動させる。以上の態様によれば、駆動トランジスタの動作から遅延した時点で第１電極の電位が変動するから、駆動トランジスタがオン状態およびオフ状態の一方から他方に変動している最中に第１電極の電位が変動する事態は有効に回避される。したがって、電気光学素子の動作の迅速化という効果を確実に得ることが可能となる。制御手段の典型例は、データ信号のレベルを反転させて第１電極に供給するインバータである。 In a preferred aspect of the present invention, the control means varies the potential of the first electrode at a time delayed from the change in the potential of the data signal. According to the above aspect, since the potential of the first electrode fluctuates when it is delayed from the operation of the driving transistor, the first electrode is changed while the driving transistor is changing from one of the on state and the off state to the other. The situation where the potential fluctuates is effectively avoided. Therefore, it is possible to reliably obtain the effect of speeding up the operation of the electro-optic element. A typical example of the control means is an inverter that inverts the level of the data signal and supplies it to the first electrode.

本発明の好適な態様に係る電気光学装置は、制御手段が第１電極の電位を変動させたときのノードの電位の変動を所定の電位までの範囲に制限する変動制限手段をさらに具備する。変動制限手段の典型例は、ノードと所定の電位が供給される配線との間に介挿されたダイオードである。以上の態様によれば、電気光学素子の動作後におけるノードの電位が所期値に均一化されるから、電気光学素子の次回の発光を所期の時期から開始させることが可能となる。
さらに好適な態様において、電気光学素子は、両端間の電圧が閾値電圧を上回ると発光する発光素子であり、所定の電位（例えば図１２や図１３の電位ＶLMT）は、当該電位がノードに供給されたときに閾値電圧と同等の電圧が電気光学素子に印加されるように選定される。以上の態様によれば、閾値電圧と同等の電圧が電気光学素子に印加されるように電気光学素子の動作後におけるノードの電位が設定されるから、次回の駆動前に電気光学素子の電圧を閾値電圧まで変化させる期間が削減される。したがって、電気光学素子をいっそう迅速に動作させることが可能である。 The electro-optical device according to a preferred aspect of the present invention further includes a variation limiting unit that limits the fluctuation of the node potential when the control unit varies the potential of the first electrode to a range up to a predetermined potential. A typical example of the variation limiting means is a diode interposed between a node and a wiring to which a predetermined potential is supplied. According to the above aspect, the potential of the node after the operation of the electro-optical element is equalized to a predetermined value, so that the next light emission of the electro-optical element can be started from the predetermined time.
In a further preferred aspect, the electro-optical element is a light-emitting element that emits light when the voltage between both ends exceeds a threshold voltage, and a predetermined potential (for example, the potential VLMT in FIGS. 12 and 13) is supplied to the node. When selected, a voltage equivalent to the threshold voltage is applied to the electro-optic element. According to the above aspect, since the potential of the node after the operation of the electro-optic element is set so that a voltage equivalent to the threshold voltage is applied to the electro-optic element, the voltage of the electro-optic element is set before the next driving. The period for changing to the threshold voltage is reduced. Therefore, it is possible to operate the electro-optic element more quickly.

本発明の具体的な態様において、第１電極と第２電極とは、駆動トランジスタを構成する導電体と同層から形成される。以上の態様によれば、第１電極や第２電極が駆動トランジスタとは別個に形成された構成と比較して製造工程が簡素化されるという利点がある。
例えば、駆動トランジスタは、ゲート絶縁層を挟んでゲート電極に対向する半導体層を含み、第１電極および第２電極の一方は半導体層と同層から形成され、第１電極および第２電極の他方はゲート電極と同層から形成され、第１電極と第２電極との間にはゲート絶縁層が介在する（例えば図７参照）。以上の態様によれば、充分に薄く形成されたゲート絶縁層を挟んで第１電極と第２電極とが対向するから、容量素子を容易に大容量化することが可能である。
また、別の態様において、第１電極および第２電極とは平行配線容量を形成する。例えば、第１電極と第２電極とは、各々が形成された基板に垂直な方向からみて相互に重なり合わない（例えば図８参照）。以上の態様によれば、第１電極と第２電極とが基板に垂直な方向に短絡する不具合が有効に防止されるという利点がある。 In a specific aspect of the present invention, the first electrode and the second electrode are formed from the same layer as the conductor constituting the driving transistor. According to the above aspect, there exists an advantage that a manufacturing process is simplified compared with the structure in which the 1st electrode and the 2nd electrode were formed separately from the drive transistor.
For example, the driving transistor includes a semiconductor layer facing the gate electrode with the gate insulating layer interposed therebetween, and one of the first electrode and the second electrode is formed from the same layer as the semiconductor layer, and the other of the first electrode and the second electrode Is formed from the same layer as the gate electrode, and a gate insulating layer is interposed between the first electrode and the second electrode (see, for example, FIG. 7). According to the above aspect, since the first electrode and the second electrode face each other with the sufficiently thin gate insulating layer interposed therebetween, the capacity of the capacitor can be easily increased.
In another aspect, the first electrode and the second electrode form a parallel wiring capacitance. For example, the first electrode and the second electrode do not overlap each other when viewed from the direction perpendicular to the substrate on which each is formed (see, for example, FIG. 8). According to the above aspect, there exists an advantage that the malfunction which a 1st electrode and a 2nd electrode short-circuit in the direction perpendicular | vertical to a board | substrate is prevented effectively.

本発明に係る電気光学装置は各種の電子機器に利用される。本発明に係る電子機器の典型例は、以上の各態様に係る電気光学装置を感光体ドラムなどの像担持体の露光に利用した電子写真方式の画像形成装置である。ひとつの形態に係る画像形成装置は、露光によって潜像が形成される像担持体（例えば感光体ドラム）と、像担持体を露光する本発明の電気光学装置と、像担持体の潜像に対する現像剤（例えばトナー）の付加によって顕像を形成する現像器とを含む。 The electro-optical device according to the invention is used in various electronic apparatuses. A typical example of the electronic apparatus according to the present invention is an electrophotographic image forming apparatus in which the electro-optical device according to each of the above embodiments is used for exposure of an image carrier such as a photosensitive drum. An image forming apparatus according to one aspect includes an image carrier (for example, a photosensitive drum) on which a latent image is formed by exposure, the electro-optical device of the present invention that exposes the image carrier, and a latent image on the image carrier. And a developer that forms a visible image by adding a developer (for example, toner).

もっとも、本発明に係る電気光学装置の用途は像担持体の露光に限定されない。例えば、スキャナなどの画像読取装置においては、本発明に係る電気光学装置を原稿の照明に利用することが可能である。この画像読取装置は、以上の各態様に係る電気光学装置と、電気光学装置から出射して読取対象（原稿）で反射した光を電気信号に変換する受光装置（例えばＣＣＤ（Charge Coupled Device）素子などの受光素子）とを具備する。 However, the use of the electro-optical device according to the present invention is not limited to the exposure of the image carrier. For example, in an image reading apparatus such as a scanner, the electro-optical device according to the present invention can be used for illuminating a document. The image reading apparatus includes an electro-optical device according to each of the above aspects, and a light-receiving device (for example, a CCD (Charge Coupled Device) element that converts light emitted from the electro-optical device and reflected by a reading target (original) into an electric signal. Etc.).

さらに、電気光学素子がマトリクス状に配列された電気光学装置は、パーソナルコンピュータや携帯電話機など各種の電子機器の表示装置としても利用される。なお、表示装置に利用される電気光学素子の発光の単位となる時間長と比較すると、画像形成装置に利用される電気光学素子の発光の単位となる時間長は一般的に短い。したがって、電気光学素子の動作が迅速化される以上の各態様に係る電気光学装置は、電子写真方式の画像形成装置における露光装置の光源として特に好適に採用される。 Furthermore, an electro-optical device in which electro-optical elements are arranged in a matrix is also used as a display device for various electronic devices such as a personal computer and a mobile phone. Note that the time length that is a unit of light emission of the electro-optical element used in the image forming apparatus is generally shorter than the time length that is a unit of light emission of the electro-optical element used in the display device. Therefore, the electro-optical device according to each of the above aspects in which the operation of the electro-optical element is speeded up is particularly preferably employed as a light source of an exposure apparatus in an electrophotographic image forming apparatus.

以上の各態様に係る電気光学装置を駆動する方法としても本発明は特定される。本発明のひとつの態様に係る駆動方法は、ゲート電極に供給されるデータ信号がオン電位である場合に駆動電流を生成するとともにオフ電位である場合に駆動電流の生成を停止する駆動トランジスタと、駆動トランジスタからノードを経て供給される駆動電流に応じた階調となる電気光学素子と、第１電極とノードに接続された第２電極とを含む容量素子とを具備する電気光学装置を駆動する方法であって、データ信号をオン電位またはオフ電位に設定することで電気光学素子を駆動する一方、データ信号をオン電位からオフ電位に変化させることを契機として、電気光学素子に印加される電圧を低下させる方向に第１電極の電位を変動させる。以上の駆動方法によっても、本発明に係る電気光学装置と同様の作用および効果が奏される。 The present invention is also specified as a method of driving the electro-optical device according to each of the above aspects. A driving method according to one aspect of the present invention includes a driving transistor that generates a driving current when a data signal supplied to a gate electrode is an on potential and stops generating a driving current when the data signal is an off potential; Driving an electro-optical device including an electro-optical element having a gradation corresponding to a driving current supplied from a driving transistor via a node, and a capacitor element including a first electrode and a second electrode connected to the node. A voltage applied to an electro-optic element triggered by changing the data signal from an on-potential to an off-potential while driving the electro-optic element by setting the data signal to an on potential or an off potential. The potential of the first electrode is changed in the direction of decreasing the voltage. Also by the above driving method, the same operation and effect as the electro-optical device according to the invention can be obtained.

さらに、以上の各態様に係る電気光学装置に使用される回路としても本発明は特定される。本発明のひとつの態様に係る駆動回路（例えば図１の駆動回路４０）は、ノードを経て供給される駆動電流に応じた階調となる電気光学素子を駆動する回路であって、ゲート電極に供給されるデータ信号がオン電位である場合に駆動電流を生成するとともにオフ電位である場合に駆動電流の生成を停止する駆動トランジスタと、第１電極とノードに接続された第２電極とを含む容量素子と、データ信号がオン電位からオフ電位に変化することを契機として、電気光学素子に印加される電圧を低下させる方向に第１電極の電位を変動させる制御手段とを具備する。以上の駆動回路によっても、本発明に係る電気光学装置と同様の作用および効果が奏される。 Furthermore, the present invention is specified as a circuit used in the electro-optical device according to each of the above aspects. A driving circuit according to one embodiment of the present invention (for example, the driving circuit 40 in FIG. 1) is a circuit that drives an electro-optical element having a gray level corresponding to a driving current supplied via a node, and is used as a gate electrode. A drive transistor that generates a drive current when the supplied data signal is an on-potential and stops generating the drive current when the data signal is an off-potential; and a second electrode connected to the first electrode and the node A capacitor element and control means for changing the potential of the first electrode in the direction of decreasing the voltage applied to the electro-optic element when the data signal changes from the on potential to the off potential. The drive circuit described above also provides the same operations and effects as the electro-optical device according to the present invention.

＜Ａ：第１実施形態＞
＜Ａ−１：電気光学装置の構成＞
図１は、本発明の第１実施形態に係る電気光学装置の構成を示すブロック図である。電気光学装置１００は、電子写真方式の画像形成装置において感光体ドラムを露光する露光装置（ラインヘッド）として利用される。図１に示すように、電気光学装置１００は、素子部２０と制御回路３０と駆動回路４０とが平板状の基板１０に配置された構造となっている。 <A: First Embodiment>
<A-1: Configuration of electro-optical device>
FIG. 1 is a block diagram showing the configuration of the electro-optical device according to the first embodiment of the invention. The electro-optical device 100 is used as an exposure device (line head) that exposes a photosensitive drum in an electrophotographic image forming apparatus. As shown in FIG. 1, the electro-optical device 100 has a structure in which an element unit 20, a control circuit 30, and a drive circuit 40 are arranged on a flat substrate 10.

素子部２０は、主走査方向に沿って直線状に配列するｎ個の電気光学素子Ｅを含む（ｎは自然数）。電気光学素子Ｅは、相互に対向する陽極と陰極との間に有機ＥＬ（Electroluminescence）材料の発光層が介在する有機発光ダイオード素子である。なお、ｎ個の電気光学素子Ｅを複数列（例えば２列かつ千鳥状）に配列した構成も採用される。 The element unit 20 includes n electro-optic elements E arranged in a straight line along the main scanning direction (n is a natural number). The electro-optic element E is an organic light emitting diode element in which a light emitting layer of an organic EL (Electroluminescence) material is interposed between an anode and a cathode facing each other. A configuration in which n electro-optical elements E are arranged in a plurality of rows (for example, 2 rows and staggered) is also employed.

制御回路３０は、データ信号Ｓ1〜Ｓnを出力する回路である。データ信号Ｓi（ｉは１≦ｉ≦ｎを満たす整数）は、第ｉ番目の電気光学素子Ｅについて発光または消灯を指示する２値の電圧信号である。制御回路３０は、ひとつまたは複数のＩＣチップで構成されてもよいし、各電気光学素子Ｅとともに基板１０の表面に形成された多数の能動素子（例えば半導体層が低温ポリシリコンで形成された薄膜トランジスタ）で構成されてもよい。 The control circuit 30 is a circuit that outputs data signals S1 to Sn. The data signal Si (i is an integer satisfying 1 ≦ i ≦ n) is a binary voltage signal that instructs the i-th electro-optical element E to emit light or turn off. The control circuit 30 may be composed of one or a plurality of IC chips, or a number of active elements (for example, thin film transistors in which a semiconductor layer is formed of low-temperature polysilicon) formed on the surface of the substrate 10 together with the electro-optical elements E. ).

駆動回路４０は、各々が別個の電気光学素子Ｅに対応するｎ個の単位回路Ｕを含む。制御回路３０が出力したデータ信号Ｓiはデータ線３２を介して第ｉ段目の単位回路Ｕに供給される。第ｉ段目の単位回路Ｕは、データ信号Ｓiに応じて生成した駆動電流ＩDRの供給によって第ｉ番目の電気光学素子Ｅを駆動する。各単位回路Ｕが電気光学素子Ｅを選択的に発光させることで感光体ドラムの表面には所望の潜像が形成される。 The drive circuit 40 includes n unit circuits U each corresponding to a separate electro-optical element E. The data signal Si output from the control circuit 30 is supplied to the i-th unit circuit U through the data line 32. The i-th unit circuit U drives the i-th electro-optic element E by supplying a drive current IDR generated according to the data signal Si. Each unit circuit U selectively causes the electro-optical element E to emit light, whereby a desired latent image is formed on the surface of the photosensitive drum.

図２は、各単位回路Ｕの具体的な構成を示す回路図である。同図においては第ｉ段目に位置するひとつの単位回路Ｕが代表的に図示されている。図２に示すように、素子部２０の各電気光学素子Ｅは、陽極側電位線１１と陰極側電位線１２とを連結する経路上に配置され、当該経路上の電流（以下「駆動電流」という）ＩDRの電流値に応じた強度（光度）で発光する。陽極側電位線１１には陽極側電位ＶELが供給される。陰極側電位線１２には、陽極側電位ＶELよりも低位の陰極側電位ＶCTが供給される。 FIG. 2 is a circuit diagram showing a specific configuration of each unit circuit U. In the drawing, one unit circuit U located at the i-th stage is representatively shown. As shown in FIG. 2, each electro-optic element E of the element unit 20 is arranged on a path connecting the anode side potential line 11 and the cathode side potential line 12, and a current on the path (hereinafter “drive current”). It emits light with an intensity (luminous intensity) corresponding to the current value of IDR. The anode side potential line 11 is supplied with the anode side potential VEL. The cathode side potential line 12 is supplied with a cathode side potential VCT lower than the anode side potential VEL.

図２に示すように、単位回路Ｕは、駆動トランジスタＴDRと容量素子Ｃと制御部４２とを含む。駆動トランジスタＴDRは、駆動電流ＩDRの経路上（陽極側電位線１１と電気光学素子Ｅの陽極との間）に配置されたＰチャネル型の薄膜トランジスタである。制御回路３０が出力したデータ信号Ｓiは駆動トランジスタＴDRのゲート電極に供給される。 As shown in FIG. 2, the unit circuit U includes a drive transistor TDR, a capacitive element C, and a control unit 42. The drive transistor TDR is a P-channel type thin film transistor disposed on the path of the drive current IDR (between the anode-side potential line 11 and the anode of the electro-optic element E). The data signal Si output from the control circuit 30 is supplied to the gate electrode of the drive transistor TDR.

駆動トランジスタＴDRは、飽和領域で動作し、ゲート電極の電位（データ信号Ｓiの電位）に応じた電流値の駆動電流ＩDRを生成する定電流源として機能する。データ信号Ｓiがローレベルに遷移すると駆動トランジスタＴDRは導通状態に変化する。したがって、駆動電流ＩDRが陽極側電位線１１から駆動トランジスタＴDRを経由して電気光学素子Ｅに供給され、これによって電気光学素子Ｅは発光する。一方、データ信号Ｓiがハイレベルに遷移すると駆動トランジスタＴDRは非導通状態に変化して駆動電流ＩDRの経路が遮断される。したがって、電気光学素子Ｅに対する駆動電流ＩDRの供給は停止して電気光学素子Ｅは消灯する。 The drive transistor TDR operates in a saturation region and functions as a constant current source that generates a drive current IDR having a current value corresponding to the potential of the gate electrode (the potential of the data signal Si). When the data signal Si transitions to a low level, the drive transistor TDR changes to a conductive state. Accordingly, the drive current IDR is supplied from the anode-side potential line 11 to the electro-optical element E via the drive transistor TDR, whereby the electro-optical element E emits light. On the other hand, when the data signal Si transits to a high level, the drive transistor TDR changes to a non-conductive state and the path of the drive current IDR is cut off. Accordingly, the supply of the drive current IDR to the electro-optical element E is stopped and the electro-optical element E is turned off.

容量素子Ｃは、第１電極Ｅ1と第２電極Ｅ2とを含む。第２電極Ｅ2は、駆動トランジスタＴDRから電気光学素子Ｅに供給される駆動電流ＩDRの経路上にあるノードＮ（電気光学素子Ｅの陽極と駆動トランジスタＴDRのドレイン電極との接続点）に対して電気的に接続される。 The capacitive element C includes a first electrode E1 and a second electrode E2. The second electrode E2 is connected to a node N (a connection point between the anode of the electro-optic element E and the drain electrode of the drive transistor TDR) on the path of the drive current IDR supplied from the drive transistor TDR to the electro-optic element E. Electrically connected.

制御部４２は、第１電極Ｅ1の電位をデータ信号Ｓiに応じて制御する手段である。本形態の制御部４２はひとつのインバータ４２１で構成される。インバータ４２１の入力端は駆動トランジスタＴDRのゲート電極およびデータ線３２に接続される。インバータ４２１の出力端は容量素子Ｃの第１電極Ｅ1に接続される。したがって、第１電極Ｅ1には、データ信号Ｓiのレベルを反転した電位Ｖ1が供給される。 The control unit 42 is means for controlling the potential of the first electrode E1 according to the data signal Si. The control unit 42 of this embodiment is configured by one inverter 421. The input terminal of the inverter 421 is connected to the gate electrode of the driving transistor TDR and the data line 32. The output terminal of the inverter 421 is connected to the first electrode E1 of the capacitive element C. Accordingly, the potential V1 obtained by inverting the level of the data signal Si is supplied to the first electrode E1.

＜Ａ−２：電気光学装置の動作＞
次に、図３を参照しながら単位回路Ｕの動作を説明する。同図においては、時点ｔa1から時点ｔb1までの期間にてデータ信号Ｓiをローレベルに設定した場合が例示されている。データ信号Ｓiがローレベルを維持する時間長は、第ｉ番目の電気光学素子Ｅに指定された階調に応じて制御される（パルス幅変調による階調制御）。なお、図３においては、図１７の構成における発光強度Ｌの変遷が本形態との対比のために破線で併記されている。 <A-2: Operation of the electro-optical device>
Next, the operation of the unit circuit U will be described with reference to FIG. In the figure, the case where the data signal Si is set to the low level in the period from the time point ta1 to the time point tb1 is illustrated. The length of time for which the data signal Si is maintained at the low level is controlled according to the gradation designated for the i-th electro-optic element E (gradation control by pulse width modulation). In FIG. 3, the transition of the light emission intensity L in the configuration of FIG. 17 is shown with a broken line for comparison with this embodiment.

データ信号Ｓiが時点ｔa1にてハイレベルからローレベルに遷移すると、駆動トランジスタＴDRが導通状態に変化する。電気光学素子Ｅやこれに接続された配線には容量が付随するから、駆動電流ＩDRは、駆動トランジスタＴDRが導通状態に変化した時点ｔa1から徐々に上昇していく。したがって、電気光学素子Ｅの発光強度Ｌは、時点ｔa1と同時に目標値Ｌ0に到達するわけではなく、図３に示すように時点ｔa1から時間の経過とともに徐々に上昇していく。なお、ノードＮには容量素子Ｃが付加されているから、時点ｔa1から時点ｔa2までの区間においては、電気光学素子Ｅの発光強度Ｌは、図１７の構成と比較して低速に（すなわち図１８よりも緩やかな曲線に沿って）上昇する。 When the data signal Si changes from the high level to the low level at the time point ta1, the driving transistor TDR changes to the conductive state. Since the electro-optic element E and the wiring connected thereto have a capacitance, the drive current IDR gradually increases from the time ta1 when the drive transistor TDR changes to the conductive state. Accordingly, the light emission intensity L of the electro-optical element E does not reach the target value L0 simultaneously with the time point ta1, but gradually increases as time passes from the time point ta1 as shown in FIG. Since the capacitive element C is added to the node N, the emission intensity L of the electro-optical element E is lower than that in the configuration of FIG. 17 (that is, in FIG. 17) in the section from the time point ta1 to the time point ta2. Rising along a gentler curve than 18).

図３に示すように、第１電極Ｅ1の電位Ｖ1は、データ信号Ｓiがローレベルに遷移する時点ｔa1から時間長Δ1（インバータ４２１の遅延時間）だけ遅延した時点ｔa2にてローレベルからハイレベルに遷移する。第２電極Ｅ2は第１電極Ｅ1とともに容量素子Ｃを構成するから、電位Ｖ1がローレベルからハイレベルに遷移すると、第２電極Ｅ2に接続されたノードＮ（電気光学素子Ｅの陽極）の電位Ｖ2も電位Ｖ1の変動量に応じて上昇する。したがって、電気光学素子Ｅの発光強度Ｌは、時点ｔa1から時点ｔa2までの期間内よりも急峻に上昇して目標値Ｌ0に到達する。以上のように電気光学素子Ｅの発光強度Ｌの上昇が制御部４２によって増進されるから、本形態において時点ｔa1から電気光学素子Ｅの発光強度Ｌが目標値Ｌ0に到達するまでの時間長ＴＲは、図１７の構成における時間長ＴＲ0よりも短縮される。 As shown in FIG. 3, the potential V1 of the first electrode E1 is changed from the low level to the high level at the time ta2 delayed by the time length Δ1 (delay time of the inverter 421) from the time ta1 when the data signal Si transits to the low level. Transition to. Since the second electrode E2 forms the capacitive element C together with the first electrode E1, when the potential V1 transitions from low level to high level, the potential of the node N (the anode of the electro-optic element E) connected to the second electrode E2 V2 also rises according to the amount of change in potential V1. Accordingly, the light emission intensity L of the electro-optic element E rises more steeply than in the period from the time point ta1 to the time point ta2 and reaches the target value L0. As described above, since the increase in the light emission intensity L of the electro-optical element E is promoted by the control unit 42, in this embodiment, the time length TR from the time point ta1 until the light emission intensity L of the electro-optical element E reaches the target value L0. Is shorter than the time length TR0 in the configuration of FIG.

次に、データ信号Ｓiが時点ｔb1にてローレベルからハイレベルに遷移して駆動トランジスタＴDRが非導通状態に変化すると、駆動電流ＩDRは、電気光学素子Ｅの電気的な特性に起因して時点ｔb1から低下し始める。したがって、電気光学素子Ｅの発光強度Ｌは、図３に示すように時点ｔb1から時間の経過とともに徐々に低下していく。なお、ノードＮには容量素子Ｃが付加されているから、時点ｔb1から時点ｔb2までの区間においては、電気光学素子Ｅの発光強度Ｌは、図１７の構成と比較して低速に（すなわち図１８よりも緩やかな曲線に沿って）低下する。 Next, when the data signal Si changes from the low level to the high level at the time point tb1 and the driving transistor TDR changes to the non-conducting state, the driving current IDR is changed to the time point due to the electrical characteristics of the electro-optical element E. It starts to decrease from tb1. Accordingly, the light emission intensity L of the electro-optical element E gradually decreases with time from the time tb1 as shown in FIG. Since the capacitive element C is added to the node N, the emission intensity L of the electro-optical element E is lower than that in the configuration of FIG. 17 (that is, in the figure) in the section from the time point tb1 to the time point tb2. (Along a gentler curve than 18).

時点ｔb1においてデータ信号Ｓiがハイレベルに遷移すると、第１電極Ｅ1の電位Ｖ1は、図３に示すように、時点ｔb1から時間長Δ2（＝Δ1）だけ遅延した時点ｔb2にてハイレベルからローレベルに遷移する。ノードＮ（電気光学素子Ｅの陽極）は第１電極Ｅ1と容量的に結合しているから、ノードの電位Ｖ2は電位Ｖ1の変動量に応じて低下する。したがって、電気光学素子Ｅの発光強度Ｌは、時点ｔb1から時点ｔb2までの期間内よりも急峻に低下してゼロに到達する。以上のように電気光学素子Ｅの発光強度Ｌの低下が制御部４２によって増進されるから、本形態において時点ｔb1から電気光学素子Ｅの発光強度Ｌがゼロに低下するまでの時間長ＴＦは、図１７の構成における時間長ＴＦ0よりも短縮される。 When the data signal Si transitions to the high level at the time tb1, the potential V1 of the first electrode E1 is changed from the high level to the low at the time tb2 delayed by the time length Δ2 (= Δ1) from the time tb1, as shown in FIG. Transition to level. Since the node N (the anode of the electro-optic element E) is capacitively coupled to the first electrode E1, the node potential V2 decreases according to the amount of fluctuation of the potential V1. Accordingly, the light emission intensity L of the electro-optic element E decreases sharply and reaches zero in the period from the time point tb1 to the time point tb2. As described above, since the decrease in the light emission intensity L of the electro-optical element E is promoted by the control unit 42, in this embodiment, the time length TF from the time tb1 until the light emission intensity L of the electro-optical element E decreases to zero is It is shorter than the time length TF0 in the configuration of FIG.

以上に説明したように、本形態によれば、電気光学素子Ｅに印加される電圧（電位Ｖ2）の変動がデータ信号Ｓiに応じて促進されるから、図１７の構成と比較して電気光学素子Ｅを迅速に発光および消灯させることが可能となる。なお、駆動トランジスタＴDRが非導通状態に変化する消灯時においては電気光学素子Ｅの陽極がハイインピーダンス状態となるから、図１７の構成のもとでは電気光学素子Ｅの消灯が顕著に遅延する。したがって、電気光学素子Ｅの動作が迅速化されるという本形態の効果は、電気光学素子Ｅの消灯時に特に有効である。 As described above, according to the present embodiment, since the fluctuation of the voltage (potential V2) applied to the electro-optical element E is accelerated according to the data signal Si, the electro-optic is compared with the configuration of FIG. The element E can be quickly turned on and off. Note that when the drive transistor TDR changes to a non-conduction state, the anode of the electro-optic element E is in a high impedance state, so that the extinction of the electro-optic element E is significantly delayed under the configuration of FIG. Therefore, the effect of this embodiment that the operation of the electro-optical element E is speeded up is particularly effective when the electro-optical element E is turned off.

ところで、例えばデータ信号Ｓiがハイレベルに遷移する時点ｔb1と同時に第１電極Ｅ1の電位Ｖ1がローレベルに変化するとすれば、駆動トランジスタＴDRが未だ導通状態にある段階で電位Ｖ2が変動する可能性がある。しかし、駆動トランジスタＴDRが導通状態にある段階では電位Ｖ2の低下が抑制されるから、電気光学素子Ｅの消灯が迅速化されるという効果は減殺される。これに対して本形態の制御部４２は、インバータ４２１の動作遅延を積極的に利用することで、データ信号Ｓiのレベルが変化する時点ｔb1から時間長Δ2だけ遅延した時点ｔb2で第１電極Ｅ1の電位Ｖ1を変動させるから、電気光学素子Ｅの陽極の電位Ｖ2は、データ信号Ｓiに応じて駆動トランジスタＴDRが完全に非導通状態に変化した段階で低下する。したがって、電位Ｖ2は充分に低下するから、電気光学素子Ｅの消灯を迅速化するという効果を確実に得ることができる。 By the way, for example, if the potential V1 of the first electrode E1 changes to the low level simultaneously with the time tb1 when the data signal Si changes to the high level, the potential V2 may change when the drive transistor TDR is still in the conductive state. There is. However, since the decrease in the potential V2 is suppressed at the stage where the drive transistor TDR is in the conductive state, the effect that the turn-off of the electro-optical element E is accelerated is diminished. On the other hand, the control unit 42 of the present embodiment positively uses the operation delay of the inverter 421, so that the first electrode E1 at the time tb2 delayed by the time length Δ2 from the time tb1 when the level of the data signal Si changes. Therefore, the potential V2 of the anode of the electro-optic element E is lowered when the driving transistor TDR is completely changed to the non-conductive state according to the data signal Si. Therefore, since the potential V2 is sufficiently lowered, the effect of speeding up the turn-off of the electro-optical element E can be obtained with certainty.

電気光学素子Ｅの消灯を迅速化するための構成としては、図４に例示されるように、電気光学素子Ｅの陽極と陰極との電気的な接続をデータ信号Ｓiに応じて制御するトランジスタＴSWが配置された構成も考えられる。同図の構成においては、電気光学素子Ｅの消灯に際してデータ信号Ｓiがローレベルからハイレベルに遷移すると、駆動トランジスタＴDRが非導通状態に変化することで駆動電流ＩDRの供給が停止するとともに、トランジスタＴSWが導通状態に変化することで陽極と陰極とが短絡して電気光学素子Ｅは消灯する。 As a configuration for speeding up the turn-off of the electro-optic element E, as illustrated in FIG. 4, a transistor TSW that controls the electrical connection between the anode and the cathode of the electro-optic element E according to the data signal Si. A configuration in which is arranged is also conceivable. In the configuration of FIG. 6, when the data signal Si changes from low level to high level when the electro-optic element E is turned off, the driving transistor TDR changes from the non-conductive state to stop the supply of the driving current IDR, and the transistor When TSW changes to the conductive state, the anode and the cathode are short-circuited, and the electro-optic element E is turned off.

図４の構成においては、電気光学素子Ｅの消灯時にトランジスタＴSWを確実に導通させるために、データ信号Ｓiの振幅を電気光学素子Ｅの特性（動作点）に応じて充分に確保する必要がある。しかし、大振幅のデータ信号Ｓiを生成するためには制御回路３０の大規模化が不可欠であり、さらには制御回路３０にて消費される電力が増大するという問題もある。これに対し、本形態においてデータ信号Ｓiに必要な振幅は図４の構成と比較して低減されるから、制御回路３０の規模を縮小するとともに消費電力を低減できるという利点がある。 In the configuration of FIG. 4, it is necessary to sufficiently secure the amplitude of the data signal Si according to the characteristics (operating point) of the electro-optical element E in order to ensure that the transistor TSW is turned on when the electro-optical element E is turned off. . However, in order to generate the data signal Si having a large amplitude, it is indispensable to increase the scale of the control circuit 30, and there is also a problem that the power consumed by the control circuit 30 increases. On the other hand, the amplitude required for the data signal Si in the present embodiment is reduced as compared with the configuration of FIG. 4, and thus there is an advantage that the scale of the control circuit 30 can be reduced and the power consumption can be reduced.

なお、駆動トランジスタＴDRの導電型は任意である。例えば、Ｎチャネル型の駆動トランジスタＴDRを採用する場合には、図５に示すように、電気光学素子Ｅの陽極と陰極との関係や陽極側電位線１１と陰極側電位線１２との関係を図２の構成から逆転させればよい。図５の構成において、電気光学素子Ｅの発光時には、データ信号Ｓiがハイレベルに遷移したことを契機として制御部４２が第１電極Ｅ1の電位Ｖ1を低下させるから、ノードＮ（電気光学素子Ｅの陰極）の電位Ｖ2が低下して電気光学素子Ｅの発光強度Ｌは迅速に目標値Ｌ0に到達する。一方、電気光学素子Ｅの消灯時には、データ信号Ｓiがローレベルに遷移したことを契機として制御部４２が電位Ｖ1を上昇させるから、電位Ｖ2の上昇によって電気光学素子Ｅの発光強度Ｌは迅速にゼロに到達する。図５の構成によっても図２の構成と同様の効果が奏される。 Note that the conductivity type of the drive transistor TDR is arbitrary. For example, when an N-channel type drive transistor TDR is employed, the relationship between the anode and the cathode of the electro-optic element E and the relationship between the anode-side potential line 11 and the cathode-side potential line 12 as shown in FIG. What is necessary is just to reverse from the structure of FIG. In the configuration of FIG. 5, when the electro-optical element E emits light, the control unit 42 lowers the potential V1 of the first electrode E1 triggered by the transition of the data signal Si to the high level, so that the node N (electro-optical element E The potential V2 of the cathode) decreases and the emission intensity L of the electro-optic element E quickly reaches the target value L0. On the other hand, when the electro-optic element E is turned off, the control unit 42 raises the potential V1 triggered by the transition of the data signal Si to the low level, so that the emission intensity L of the electro-optic element E is rapidly increased by the rise of the potential V2. Reach zero. The same effect as that of the configuration of FIG. 2 can be obtained by the configuration of FIG.

＜Ａ−３：単位回路Ｕの具体的な構造＞
次に、図２に例示した単位回路Ｕの具体的な構造を説明する。図６は、単位回路Ｕの具体的な構造を示す平面図およびａ−ａ線における断面図である。図６に示すように、駆動トランジスタＴDRは、基板１０の表面に半導体材料（例えば低温ポリシリコン）で形成された半導体層４３１と、ゲート絶縁層Ｆ1を挟んで半導体層４３１（チャネル領域）に対向するゲート電極４３２とを含む薄膜トランジスタである。ゲート電極４３２は、データ線３２から延在した部分に相当する。 <A-3: Specific Structure of Unit Circuit U>
Next, a specific structure of the unit circuit U illustrated in FIG. 2 will be described. FIG. 6 is a plan view showing a specific structure of the unit circuit U and a cross-sectional view taken along the line aa. As shown in FIG. 6, the driving transistor TDR is opposed to the semiconductor layer 431 formed of a semiconductor material (for example, low-temperature polysilicon) on the surface of the substrate 10 and the semiconductor layer 431 (channel region) with the gate insulating layer F1 interposed therebetween. A thin film transistor including a gate electrode 432. The gate electrode 432 corresponds to a portion extending from the data line 32.

ゲート絶縁層Ｆ1の面上には配線４５が形成される。配線４５とゲート電極４３２（データ線３２）とは、単一の導電膜の選択的な除去によって一括的に形成される。なお、配線４５とゲート電極４３２との関係のように、複数の要素が共通の膜体（単層であるか複数層であるかは不問である）の選択的な除去によって同一の工程で形成されることを以下では単に「同層から形成される」と表記する。配線４５は、電気光学素子Ｅの陽極に接続される。 A wiring 45 is formed on the surface of the gate insulating layer F1. The wiring 45 and the gate electrode 432 (data line 32) are collectively formed by selective removal of a single conductive film. Note that, as in the relationship between the wiring 45 and the gate electrode 432, a plurality of elements are formed in the same process by selective removal of a common film body (whether it is a single layer or a plurality of layers). Hereinafter, this is simply referred to as “formed from the same layer”. The wiring 45 is connected to the anode of the electro-optical element E.

配線４５とゲート電極４３２とは絶縁層Ｆ2に覆われる。絶縁層Ｆ2の面上には陽極側電位線１１と配線４６とが同層から形成される。陽極側電位線１１は半導体層４３１のソース領域に導通して駆動トランジスタＴDRのソース電極として機能する。配線４６は半導体層４３１のドレイン領域に導通して駆動トランジスタＴDRのドレイン電極として機能する。また、配線４６は配線４５に導通する。すなわち、駆動トランジスタＴDRのドレイン領域は、配線４６と配線４５とを介して電気光学素子Ｅの陽極に接続される。 The wiring 45 and the gate electrode 432 are covered with the insulating layer F2. On the surface of the insulating layer F2, the anode-side potential line 11 and the wiring 46 are formed from the same layer. The anode-side potential line 11 is conducted to the source region of the semiconductor layer 431 and functions as the source electrode of the driving transistor TDR. The wiring 46 conducts to the drain region of the semiconductor layer 431 and functions as the drain electrode of the driving transistor TDR. Further, the wiring 46 is electrically connected to the wiring 45. That is, the drain region of the drive transistor TDR is connected to the anode of the electro-optic element E via the wiring 46 and the wiring 45.

制御部４２のインバータ４２１は、図６に示すようにＰチャネル型のトランジスタＴPとＮチャネル型のトランジスタＴNとから構成される。トランジスタＴPおよびＴNの構造は駆動トランジスタＴDRと同様である。データ線３２から延在して駆動トランジスタＴDRのゲート電極４３２に至る配線の途中の部分がトランジスタＴPおよびＴNの各々のゲート電極（インバータ４２１の入力端）となる。 As shown in FIG. 6, the inverter 421 of the control unit 42 includes a P-channel transistor TP and an N-channel transistor TN. The structure of the transistors TP and TN is the same as that of the drive transistor TDR. The middle part of the wiring extending from the data line 32 to the gate electrode 432 of the driving transistor TDR is the gate electrode (input terminal of the inverter 421) of each of the transistors TP and TN.

図６に示すように、絶縁層Ｆ2の面上には、電源線１６と接地線１７と配線４７とが陽極側電位線１１や配線４６と同層から形成される。電源電位ＶDDが供給される電源線１６はトランジスタＴPのソース領域に接続され、接地電位ＶSSが供給される接地線１７はトランジスタＴNのソース領域に接続される。配線４７（インバータ４２１の出力端）は、トランジスタＴPおよびＴNの各々のドレイン領域に接続される。 As shown in FIG. 6, on the surface of the insulating layer F 2, the power supply line 16, the ground line 17, and the wiring 47 are formed from the same layer as the anode side potential line 11 and the wiring 46. The power supply line 16 to which the power supply potential VDD is supplied is connected to the source region of the transistor TP, and the ground line 17 to which the ground potential VSS is supplied is connected to the source region of the transistor TN. The wiring 47 (output terminal of the inverter 421) is connected to the drain regions of the transistors TP and TN.

配線４７は第１電極Ｅ1を含み、配線４５は第２電極Ｅ2を含む。図６の断面図に示すように、第１電極Ｅ1と第２電極Ｅ2とが絶縁層Ｆ2を挟んで対向することで容量素子Ｃが構成される。以上のように駆動トランジスタＴDRを構成する各要素と第１電極Ｅ1および第２電極Ｅ2とが同層から形成される構成によれば、各々が別層から形成される構成と比較して、製造工程の簡素化や製造コストの低減が実現されるという利点がある。 The wiring 47 includes a first electrode E1, and the wiring 45 includes a second electrode E2. As shown in the cross-sectional view of FIG. 6, the capacitive element C is configured by the first electrode E1 and the second electrode E2 facing each other with the insulating layer F2 interposed therebetween. As described above, according to the configuration in which each element constituting the drive transistor TDR and the first electrode E1 and the second electrode E2 are formed from the same layer, the manufacturing is performed as compared with the configuration in which each is formed from a different layer. There is an advantage that the process can be simplified and the manufacturing cost can be reduced.

なお、図７に示すように、インバータ４２１のトランジスタＴPにおける半導体層に連続するように第１電極Ｅ1が形成された構成としてもよい。配線４５の第２電極Ｅ2がゲート絶縁層Ｆ1を挟んで第１電極Ｅ1に対向することで容量素子Ｃが構成される。ゲート絶縁層Ｆ1は絶縁層Ｆ2と比較して充分に薄い寸法であるから、図７の構成によれば、第１電極Ｅ1と第２電極Ｅ2との間に絶縁層Ｆ2が介在する図６の構成と比較して、第１電極Ｅ1と第２電極Ｅ2とが充分に近接した状態に形成される。したがって、図７の構成によれば、図６の構成と比較して容量素子Ｃの小型化と大容量化とが容易に両立されるという利点がある。 As shown in FIG. 7, the first electrode E1 may be formed so as to be continuous with the semiconductor layer in the transistor TP of the inverter 421. The capacitive element C is configured by the second electrode E2 of the wiring 45 facing the first electrode E1 with the gate insulating layer F1 interposed therebetween. Since the gate insulating layer F1 is sufficiently thin as compared with the insulating layer F2, according to the configuration of FIG. 7, the insulating layer F2 is interposed between the first electrode E1 and the second electrode E2 in FIG. Compared to the configuration, the first electrode E1 and the second electrode E2 are formed in a sufficiently close state. Therefore, according to the configuration of FIG. 7, there is an advantage that both the size reduction and the capacity increase of the capacitive element C can be easily achieved as compared with the configuration of FIG. 6.

また、図８に示すように、配線４７の第１電極Ｅ1と配線４５の第２電極Ｅ2とが平行配線容量を形成する構成としてもよい。すなわち、図８の断面図に示すように、第１電極Ｅ1は第２電極Ｅ2の斜め上方に位置し、両電極は基板１０に垂直な方向からみて相互に重なり合わない。図８の構成によれば、絶縁層Ｆ2に欠陥が存在する場合であっても第１電極Ｅ1と第２電極Ｅ2との短絡が回避されるという利点がある。 Further, as shown in FIG. 8, the first electrode E1 of the wiring 47 and the second electrode E2 of the wiring 45 may form a parallel wiring capacitance. That is, as shown in the cross-sectional view of FIG. 8, the first electrode E1 is positioned obliquely above the second electrode E2, and the two electrodes do not overlap each other when viewed from the direction perpendicular to the substrate 10. According to the configuration of FIG. 8, there is an advantage that a short circuit between the first electrode E1 and the second electrode E2 can be avoided even when a defect exists in the insulating layer F2.

＜Ｂ：第２実施形態＞
次に、本発明の第２実施形態について説明する。以下の各形態において作用や機能が第１実施形態と同様である要素については、以上と同じ符号を付して各々の詳細な説明を適宜に省略する。 <B: Second Embodiment>
Next, a second embodiment of the present invention will be described. In the following embodiments, elements having the same functions and functions as those of the first embodiment are denoted by the same reference numerals as above, and detailed descriptions thereof are omitted as appropriate.

図９は、ノードＮの電位Ｖ2とデータ信号Ｓiや電位Ｖ1との関係を示すタイミングチャートである。第１実施形態の構成のもとで電気光学素子Ｅの消灯時（時点ｔb2）に第１電極Ｅ1の電位Ｖ1を低下させると、図９に破線で示すように、ノードＮの電位Ｖ2が、陰極側電位ＶCTを下回る電位ＶLまで低下する場合がある。以上の構成において、駆動トランジスタＴDRの動作の時期と電位Ｖ1を低下させる時期とに単位回路Ｕごとの相違があると、電気光学素子Ｅの消灯後（次回の点灯の開始時）の電位Ｖ2（電位ＶL）が電気光学素子Ｅごとに相違する。したがって、各電気光学素子Ｅが発光し始める時期（ひいては各電気光学素子Ｅの階調）にバラツキが発生する可能性がある。以上の問題を解決するために、本形態の電気光学装置１００は、ノードＮの電位Ｖ2の変動を所定の範囲に制限する構成を採用する。 FIG. 9 is a timing chart showing the relationship between the potential V2 of the node N and the data signal Si and the potential V1. When the potential V1 of the first electrode E1 is lowered when the electro-optic element E is turned off (time point tb2) under the configuration of the first embodiment, the potential V2 of the node N is reduced as shown by a broken line in FIG. In some cases, the potential decreases to a potential VL lower than the cathode side potential VCT. In the above configuration, if there is a difference for each unit circuit U between the operation timing of the driving transistor TDR and the timing at which the potential V1 is lowered, the potential V2 (at the start of the next lighting) after the electro-optical element E is turned off. The potential VL) is different for each electro-optical element E. Therefore, there is a possibility that variations occur at the time when each electro-optical element E starts to emit light (and eventually the gradation of each electro-optical element E). In order to solve the above problem, the electro-optical device 100 according to the present embodiment employs a configuration that limits the fluctuation of the potential V2 of the node N to a predetermined range.

図１０は、単位回路Ｕの構成を示す回路図である。同図に示すように、本形態の単位回路ＵはダイオードＤを含む。ダイオードＤの陽極は陰極側電位線１２（電気光学素子Ｅの陰極）に接続される。ダイオードＤの陰極はノードＮ（電気光学素子Ｅの陽極）に接続される。以上の構成において、電気光学素子Ｅの消灯時にノードＮの電位Ｖ2が低下して電位ＶCTを下回ると、ダイオードＤが導通状態に変化してノードＮと陰極側電位線１２とが電気的に接続される。したがって、図９に示すように、電気光学素子Ｅの消灯後の電位Ｖ2は電位ＶCTに維持される。 FIG. 10 is a circuit diagram showing a configuration of the unit circuit U. As shown in the figure, the unit circuit U of this embodiment includes a diode D. The anode of the diode D is connected to the cathode-side potential line 12 (the cathode of the electro-optic element E). The cathode of the diode D is connected to the node N (the anode of the electro-optic element E). In the above configuration, when the potential V2 of the node N drops and drops below the potential VCT when the electro-optic element E is turned off, the diode D changes to a conductive state and the node N and the cathode side potential line 12 are electrically connected. Is done. Therefore, as shown in FIG. 9, the potential V2 after the electro-optic element E is turned off is maintained at the potential VCT.

以上のように本形態においては電位Ｖ2が電位ＶCTを下限値とする範囲内に制限されるから、各電気光学素子Ｅが発光を開始する時点における電位Ｖ2は陰極側電位ＶCTに均一化される。したがって、各電気光学素子Ｅの階調のムラを抑制することが可能である。 As described above, in the present embodiment, the potential V2 is limited within the range where the potential VCT is the lower limit value, so that the potential V2 at the time when each electro-optic element E starts to emit light is equalized to the cathode side potential VCT. . Therefore, it is possible to suppress gradation unevenness of each electro-optical element E.

なお、図１１に示すように図５の単位回路ＵにダイオードＤを追加してもよい。駆動トランジスタＴDRをＮチャネル型とした構成においては、ダイオードＤの陰極が陽極側電位線１１（電気光学素子Ｅの陽極）に接続されるとともに陽極がノードＮ（電気光学素子Ｅの陰極）に接続される。図１１の構成においては、電気光学素子Ｅの消灯時にノードＮの電位Ｖ2が上昇して陽極側電位ＶELを上回るとダイオードＤが導通状態に変化する。したがって、電気光学素子Ｅの消灯時の電位Ｖ2は陽極側電位ＶELに維持される。 As shown in FIG. 11, a diode D may be added to the unit circuit U of FIG. In the configuration in which the driving transistor TDR is an N-channel type, the cathode of the diode D is connected to the anode potential line 11 (the anode of the electro-optical element E) and the anode is connected to the node N (the cathode of the electro-optical element E). Is done. In the configuration of FIG. 11, when the potential V2 of the node N rises and exceeds the anode side potential VEL when the electro-optic element E is turned off, the diode D changes to a conductive state. Accordingly, the potential V2 when the electro-optical element E is turned off is maintained at the anode side potential VEL.

＜Ｃ：第３実施形態＞
次に、本発明の第３実施形態について説明する。第２実施形態においては、陰極側電位ＶCTが供給される陰極側電位線１２とノードＮとの間にダイオードＤが介挿された構成を例示した。これに対して本形態においては、図１２に示すように、ノードＮと配線１４との間にダイオードＤが介挿される。配線１４には電位ＶLMTが供給される。電位ＶLMTは、陰極側電位ＶCTと電気光学素子Ｅの閾値電圧ＶTHとの加算値に相当する電位である。電気光学素子Ｅは、陽極と陰極との間の電圧が閾値電圧ＶTHを上回ると発光する。 <C: Third Embodiment>
Next, a third embodiment of the present invention will be described. In the second embodiment, the configuration in which the diode D is inserted between the cathode side potential line 12 to which the cathode side potential VCT is supplied and the node N is exemplified. On the other hand, in this embodiment, a diode D is interposed between the node N and the wiring 14 as shown in FIG. A potential VLMT is supplied to the wiring 14. The potential VLMT is a potential corresponding to an addition value of the cathode side potential VCT and the threshold voltage VTH of the electro-optic element E. The electro-optical element E emits light when the voltage between the anode and the cathode exceeds the threshold voltage VTH.

以上の構成において、電気光学素子Ｅの消灯時に電位Ｖ2が低下して電位ＶLMTを下回ると、ダイオードＤが導通状態に変化してノードＮと配線１４とが電気的に接続されるから、電気光学素子Ｅの消灯後の電位Ｖ2は電位ＶLMTに維持される。したがって、本形態においても第２実施形態と同様の効果が奏される。 In the above configuration, when the potential V2 drops and drops below the potential VLMT when the electro-optical element E is turned off, the diode D changes to a conductive state and the node N and the wiring 14 are electrically connected. The potential V2 after the element E is turned off is maintained at the potential VLMT. Therefore, the same effects as those of the second embodiment can be obtained in this embodiment.

ところで、電気光学素子Ｅの消灯後に電位Ｖ2が陰極側電位ＶCTに設定される第２実施形態においては、駆動トランジスタＴDRが導通状態に変化してから電位Ｖ2が閾値電圧ＶTHだけ上昇した段階で電気光学素子Ｅが実際に発光し始める。これに対し、本形態における電位ＶLMTは陰極側電位ＶCTと閾値電圧ＶTHとを加算した電位であるから、発光が開始する直前（例えば図３の時点ｔa1の直前）における電気光学素子Ｅの陽極と陰極との間の電圧は閾値電圧ＶTHに設定される。したがって、駆動トランジスタＴDRが導通状態に変化した直後から速やかに電気光学素子Ｅを実際に発光させることができる。 By the way, in the second embodiment in which the potential V2 is set to the cathode side potential VCT after the electro-optic element E is turned off, the electric potential V2 is increased when the potential V2 increases by the threshold voltage VTH after the drive transistor TDR is changed to the conductive state. The optical element E actually starts to emit light. On the other hand, since the potential VLMT in this embodiment is a potential obtained by adding the cathode-side potential VCT and the threshold voltage VTH, the potential of the electro-optical element E immediately before the start of light emission (for example, immediately before time ta1 in FIG. 3) The voltage between the cathode and the cathode is set to the threshold voltage VTH. Therefore, the electro-optical element E can actually emit light immediately after the drive transistor TDR is changed to the conductive state.

なお、図１３に示すように、図５の単位回路ＵにダイオードＤと配線１４とを追加してもよい。駆動トランジスタＴDRをＮチャネル型とした構成においては、ダイオードＤの陰極が配線１４に接続されるとともに陽極がノードＮ（電気光学素子Ｅの陰極）に接続される。配線１４には、陽極側電位ＶELと閾値電圧ＶTHとの差分値に相当する電位ＶLMTが供給される。ノードＮの電位Ｖ2が電位ＶLMTを上回るとダイオードＤが導通状態に変化して配線１４とノードＮとが電気的に接続されるから、各電気光学素子Ｅの消灯後において電気光学素子Ｅの陽極と陰極との間の電圧は閾値電圧ＶTHに設定される。 As shown in FIG. 13, a diode D and a wiring 14 may be added to the unit circuit U of FIG. In the configuration in which the driving transistor TDR is an N-channel type, the cathode of the diode D is connected to the wiring 14 and the anode is connected to the node N (the cathode of the electro-optic element E). A potential VLMT corresponding to a difference value between the anode side potential VEL and the threshold voltage VTH is supplied to the wiring 14. When the potential V2 of the node N exceeds the potential VLMT, the diode D changes to a conductive state and the wiring 14 and the node N are electrically connected. Therefore, the anode of the electro-optical element E after each electro-optical element E is turned off. The voltage between the cathode and the cathode is set to the threshold voltage VTH.

＜Ｄ：第４実施形態＞
次に、本発明の第４実施形態について説明する。図１４は、単位回路Ｕの構成を示す回路図である。同図に示すように、本形態の単位回路Ｕにおける制御部４２は、図２のインバータ４２１の後段（インバータ４２１の出力端と第１電極Ｅ1との間）にインバータ４２２を含む。また、駆動トランジスタＴDRは、図２とは逆導電型のＮチャネル型である。 <D: Fourth Embodiment>
Next, a fourth embodiment of the present invention will be described. FIG. 14 is a circuit diagram showing the configuration of the unit circuit U. As shown in the figure, the control unit 42 in the unit circuit U of the present embodiment includes an inverter 422 at the subsequent stage of the inverter 421 in FIG. 2 (between the output terminal of the inverter 421 and the first electrode E1). The drive transistor TDR is an N-channel type having a conductivity opposite to that shown in FIG.

図１４の構成におけるデータ信号Ｓiは、図２の構成とは逆に、ハイレベルによって電気光学素子Ｅの発光を指示するとともにローレベルによって電気光学素子Ｅの消灯を指示する。電気光学素子Ｅの発光時にデータ信号Ｓiがハイレベルに遷移すると第１電極Ｅ1の電位Ｖ1はローレベルからハイレベルに変動するから、ノードＮの電位Ｖ2は上昇して電気光学素子Ｅの発光強度Ｌは迅速に目標値Ｌ0に到達する。一方、電気光学素子Ｅの消灯時にデータ信号Ｓiがローレベルに遷移すると電位Ｖ2は電位Ｖ1に連動して低下するから、電気光学素子Ｅの発光強度Ｌは迅速にゼロに到達する。すなわち、第１実施形態と同様の効果が奏される。 In contrast to the configuration of FIG. 2, the data signal Si in the configuration of FIG. 14 instructs light emission of the electro-optical element E at a high level and turns off the electro-optical element E at a low level. When the data signal Si transits to a high level when the electro-optic element E emits light, the potential V1 of the first electrode E1 changes from a low level to a high level, so that the potential V2 of the node N rises and the emission intensity of the electro-optic element E L quickly reaches the target value L0. On the other hand, when the data signal Si transitions to a low level when the electro-optical element E is turned off, the potential V2 decreases in conjunction with the potential V1, so that the emission intensity L of the electro-optical element E quickly reaches zero. That is, the same effect as the first embodiment is achieved.

さらに、本形態においては、直列に接続された２個のインバータ４２１および４２２によって制御部４２が構成されるから、図２の構成と比較して、データ信号Ｓiの変動から電位Ｖ1や電位Ｖ2の変動までの時間（例えば図３の時間Δ1やΔ2）が充分に確保される。したがって、駆動トランジスタＴDRが導通状態にある段階で制御部４２が電位Ｖ2を変動させるという事態を確実に回避することが可能である。なお、図１５に示すように、図５の制御部４２にインバータ４２２を追加するとともに駆動トランジスタＴDRをＰチャネル型とした構成も採用される。 Further, in the present embodiment, since the control unit 42 is configured by two inverters 421 and 422 connected in series, compared to the configuration of FIG. 2, the potential V1 and the potential V2 are changed from the fluctuation of the data signal Si. Time until the fluctuation (for example, time Δ1 or Δ2 in FIG. 3) is sufficiently secured. Therefore, it is possible to reliably avoid a situation in which the control unit 42 changes the potential V2 when the driving transistor TDR is in the conductive state. As shown in FIG. 15, a configuration in which an inverter 422 is added to the control unit 42 of FIG. 5 and the drive transistor TDR is a P-channel type is also employed.

＜Ｅ：変形例＞
以上の各形態には様々な変形を加えることができる。具体的な変形の態様を例示すれば以下の通りである。なお、以下の各態様を適宜に組み合わせてもよい。 <E: Modification>
Various modifications can be made to each of the above embodiments. An example of a specific modification is as follows. In addition, you may combine each following aspect suitably.

（１）変形例１
図６から図８においては、基板１０の表面に直接的に形成された薄膜トランジスタで単位回路Ｕの駆動トランジスタＴDRやインバータ４２１が構成される形態を例示したが、各単位回路ＵがＩＣチップ（制御回路３０と一体でも別体でもよい）の形態で基板１０に実装された構成も採用される。 (1) Modification 1
6 to 8 exemplify the configuration in which the driving transistor TDR and the inverter 421 of the unit circuit U are configured by thin film transistors directly formed on the surface of the substrate 10, but each unit circuit U is configured as an IC chip (control). A configuration in which the circuit 30 is mounted on the substrate 10 in a form that may be integral with or separate from the circuit 30 is also employed.

（２）変形例２
以上の各形態においてはデータ信号Ｓiのパルス幅に応じて電気光学素子Ｅの発光量（潜像の階調）が制御される構成を例示したが、この構成に代えてまたはこの構成とともに、データ信号Ｓiのレベル（電流値）に応じて電気光学素子Ｅの発光量が制御される構成も採用される。 (2) Modification 2
In each of the above embodiments, the configuration in which the light emission amount (gradation of the latent image) of the electro-optical element E is controlled according to the pulse width of the data signal Si is exemplified. However, instead of this configuration or together with this configuration, the data A configuration in which the light emission amount of the electro-optical element E is controlled in accordance with the level (current value) of the signal Si is also employed.

（３）変形例３
以上においては制御部４２がインバータ（４２１，４２２）で構成された形態を例示したが、制御部４２の具体的な態様は適宜に変更される。例えば、図１４や図１５におけるインバータ４２１および４２２に代えて、駆動トランジスタＴDRのゲート電極（データ線３２）と容量素子Ｃの第１電極Ｅ1との間に介挿された抵抗素子を制御部４２として利用してもよい。抵抗素子を利用した構成においても、データ信号Ｓiの変動から遅延した時点で第１電極Ｅ1の電位Ｖ1が変化するから、以上の各形態と同様の効果が奏される。以上のように、本発明のひとつの形態に係る制御部４２は、データ信号Ｓiの変動を契機として第１電極Ｅ1の電位Ｖ1を変動させる手段であれば足りる。 (3) Modification 3
In the above description, the control unit 42 is exemplified by the inverters (421, 422). However, the specific mode of the control unit 42 is appropriately changed. For example, instead of the inverters 421 and 422 in FIG. 14 and FIG. 15, a control element 42 includes a resistance element interposed between the gate electrode (data line 32) of the drive transistor TDR and the first electrode E1 of the capacitive element C. It may be used as Even in the configuration using the resistance element, since the potential V1 of the first electrode E1 changes at a time delayed from the fluctuation of the data signal Si, the same effects as those of the above embodiments can be obtained. As described above, the control unit 42 according to one embodiment of the present invention only needs to be a means for changing the potential V1 of the first electrode E1 triggered by the change of the data signal Si.

（４）変形例４
有機発光ダイオード素子は電気光学素子の例示に過ぎない。例えば、無機ＥＬ素子やＬＥＤ（Light Emitting Diode）素子など様々な電気光学素子を以上の各形態における有機発光ダイオード素子に代えて採用することが可能である。すなわち、本発明における電気光学素子は、電気エネルギの供給（例えば駆動電流ＩDRの供給）によって輝度や光量などの光学的な特性が変化する素子である。 (4) Modification 4
The organic light emitting diode element is merely an example of an electro-optical element. For example, various electro-optical elements such as inorganic EL elements and LED (Light Emitting Diode) elements can be used instead of the organic light-emitting diode elements in the above embodiments. In other words, the electro-optical element according to the present invention is an element whose optical characteristics such as luminance and light quantity change with the supply of electric energy (for example, the supply of the drive current IDR).

＜Ｆ：応用例＞
本発明に係る電気光学装置を利用した電子機器（画像形成装置）の具体的な形態を説明する。
図１６は、以上の形態に係る電気光学装置１００を採用した画像形成装置の構成を示す断面図である。画像形成装置は、タンデム型のフルカラー画像形成装置であり、以上の形態に係る４個の電気光学装置１００（１００K，１００C，１００M，１００Y）と、各電気光学装置１００に対応する４個の感光体ドラム７０（７０K，７０C，７０M，７０Y）とを具備する。ひとつの電気光学装置１００は、これに対応した感光体ドラム７０の像形成面（外周面）と対向するように配置される。なお、各符号の添字「K」「C」「M」「Y」は、黒（Ｋ）、シアン（Ｃ）、マゼンダ（Ｍ）、イエロー（Ｙ）の各顕像の形成に利用されることを意味している。 <F: Application example>
A specific form of an electronic apparatus (image forming apparatus) using the electro-optical device according to the invention will be described.
FIG. 16 is a cross-sectional view illustrating a configuration of an image forming apparatus employing the electro-optical device 100 according to the above embodiment. The image forming apparatus is a tandem type full-color image forming apparatus, and the four electro-optical devices 100 (100K, 100C, 100M, and 100Y) according to the above-described form and four photosensitive devices corresponding to the electro-optical devices 100 are used. Body drum 70 (70K, 70C, 70M, 70Y). One electro-optical device 100 is disposed so as to face the image forming surface (outer peripheral surface) of the corresponding photosensitive drum 70. Note that the subscripts “K”, “C”, “M”, and “Y” of each symbol are used for forming each visible image of black (K), cyan (C), magenta (M), and yellow (Y). Means.

図１６に示すように、駆動ローラ７１１と従動ローラ７１２とには無端の中間転写ベルト７２が巻回される。４個の感光体ドラム７０は、相互に所定の間隔をあけて中間転写ベルト７２の周囲に配置される。各感光体ドラム７０は、中間転写ベルト７２の駆動に同期して回転する。 As shown in FIG. 16, an endless intermediate transfer belt 72 is wound around the driving roller 711 and the driven roller 712. The four photosensitive drums 70 are arranged around the intermediate transfer belt 72 at a predetermined interval from each other. Each photosensitive drum 70 rotates in synchronization with driving of the intermediate transfer belt 72.

各感光体ドラム７０の周囲には、電気光学装置１００のほかにコロナ帯電器７３１（７３１K，７３１C，７３１M，７３１Y）と現像器７３２（７３２K，７３２C，７３２M，７３２Y）とが配置される。コロナ帯電器７３１は、これに対応する感光体ドラム７０の像形成面を一様に帯電させる。この帯電した像形成面を各電気光学装置１００が露光することで静電潜像が形成される。各現像器７３２は、静電潜像に現像剤（トナー）を付着させることで感光体ドラム７０に顕像（可視像）を形成する。 In addition to the electro-optical device 100, a corona charger 731 (731K, 731C, 731M, 731Y) and a developing device 732 (732K, 732C, 732M, 732Y) are disposed around each photosensitive drum 70. The corona charger 731 uniformly charges the image forming surface of the photosensitive drum 70 corresponding thereto. An electrostatic latent image is formed when each electro-optical device 100 exposes this charged image forming surface. Each developing device 732 forms a visible image (visible image) on the photosensitive drum 70 by attaching a developer (toner) to the electrostatic latent image.

以上のように感光体ドラム７０に形成された各色（黒・シアン・マゼンタ・イエロー）の顕像が中間転写ベルト７２の表面に順次に転写（一次転写）されることでフルカラーの顕像が形成される。中間転写ベルト７２の内側には４個の一次転写コロトロン（転写器）７４（７４K，７４C，７４M，７４Y）が配置される。各一次転写コロトロン７４は、これに対応する感光体ドラム７０から顕像を静電的に吸引することによって、感光体ドラム７０と一次転写コロトロン７４との間隙を通過する中間転写ベルト７２に顕像を転写する。 As described above, the visible images of the respective colors (black, cyan, magenta, yellow) formed on the photosensitive drum 70 are sequentially transferred (primary transfer) to the surface of the intermediate transfer belt 72 to form a full-color visible image. Is done. Four primary transfer corotrons (transfer devices) 74 (74K, 74C, 74M, and 74Y) are arranged inside the intermediate transfer belt 72. Each primary transfer corotron 74 electrostatically attracts a visible image from the corresponding photosensitive drum 70, thereby developing a visible image on the intermediate transfer belt 72 that passes through the gap between the photosensitive drum 70 and the primary transfer corotron 74. Transcript.

シート（記録材）７５は、ピックアップローラ７６１によって給紙カセット７６２から１枚ずつ給送され、中間転写ベルト７２と二次転写ローラ７７との間のニップに搬送される。中間転写ベルト７２の表面に形成されたフルカラーの顕像は、二次転写ローラ７７によってシート７５の片面に転写（二次転写）され、定着ローラ対７８を通過することでシート７５に定着される。排紙ローラ対７９は、以上の工程を経て顕像が定着されたシート７５を排出する。 The sheets (recording material) 75 are fed one by one from the paper feed cassette 762 by the pickup roller 761 and conveyed to the nip between the intermediate transfer belt 72 and the secondary transfer roller 77. The full-color visible image formed on the surface of the intermediate transfer belt 72 is transferred (secondary transfer) to one side of the sheet 75 by the secondary transfer roller 77 and is fixed to the sheet 75 by passing through the fixing roller pair 78. . The paper discharge roller pair 79 discharges the sheet 75 on which the visible image is fixed through the above steps.

以上に例示した画像形成装置は有機発光ダイオード素子を光源（露光手段）として利用しているので、レーザ走査光学系を利用した構成よりも装置が小型化される。なお、以上に例示した以外の構成の画像形成装置にも電気光学装置１００を適用することができる。例えば、ロータリ現像式の画像形成装置や、中間転写ベルトを使用せずに感光体ドラムからシートに対して直接的に顕像を転写するタイプの画像形成装置、あるいはモノクロの画像を形成する画像形成装置にも電気光学装置１００を利用することが可能である。 Since the image forming apparatus exemplified above uses an organic light emitting diode element as a light source (exposure means), the apparatus is made smaller than a configuration using a laser scanning optical system. Note that the electro-optical device 100 can be applied to an image forming apparatus having a configuration other than those exemplified above. For example, a rotary development type image forming apparatus, an image forming apparatus that directly transfers a visible image from a photosensitive drum to a sheet without using an intermediate transfer belt, or an image forming that forms a monochrome image The electro-optical device 100 can also be used as the device.

なお、電気光学装置１００の用途は像担持体の露光に限定されない。例えば、電気光学装置１００は、原稿などの読取対象に光を照射する照明装置として画像読取装置に採用される。この種の画像読取装置としては、スキャナ、複写機やファクシミリの読取部分、バーコードリーダ、あるいはＱＲコード（登録商標）のような二次元画像コードを読む二次元画像コードリーダがある。 The use of the electro-optical device 100 is not limited to the exposure of the image carrier. For example, the electro-optical device 100 is employed in an image reading device as an illumination device that irradiates light to a reading target such as a document. As this type of image reading apparatus, there is a scanner, a copying machine or a reading part of a facsimile, a barcode reader, or a two-dimensional image code reader for reading a two-dimensional image code such as a QR code (registered trademark).

また、電気光学素子Ｅがマトリクス状に配列された電気光学装置は、各種の電子機器の表示装置としても利用される。本発明が適用される電子機器としては、例えば、可搬型のパーソナルコンピュータ、携帯電話機、携帯情報端末（ＰＤＡ：Personal Digital Assistants）、デジタルスチルカメラ、テレビ、ビデオカメラ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電子ペーパー、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、プリンタ、スキャナ、複写機、ビデオプレーヤ、タッチパネルを備えた機器などがある。 In addition, the electro-optical device in which the electro-optical elements E are arranged in a matrix is also used as a display device for various electronic devices. Examples of the electronic device to which the present invention is applied include a portable personal computer, a mobile phone, a personal digital assistant (PDA), a digital still camera, a television, a video camera, a car navigation device, a pager, and an electronic notebook. , Electronic paper, calculators, word processors, workstations, videophones, POS terminals, printers, scanners, copiers, video players, devices with touch panels, and the like.

本発明の第１実施形態に係る電気光学装置の構成を示すブロック図である。1 is a block diagram illustrating a configuration of an electro-optical device according to a first embodiment of the invention. FIG. ひとつの単位回路の構成を示す回路図である。It is a circuit diagram which shows the structure of one unit circuit. 単位回路の動作を示すタイミングチャートである。It is a timing chart which shows operation | movement of a unit circuit. 対比例の構成を示す回路図である。It is a circuit diagram which shows the structure of comparison. 第１実施形態の変形例に係る単位回路の構成を示す回路図である。It is a circuit diagram which shows the structure of the unit circuit which concerns on the modification of 1st Embodiment. 単位回路の具体的な構造を示す平面図および断面図である。It is the top view and sectional drawing which show the specific structure of a unit circuit. 単位回路の他の構造を示す平面図および断面図である。It is the top view and sectional drawing which show the other structure of a unit circuit. 単位回路の他の構造を示す平面図および断面図である。It is the top view and sectional drawing which show the other structure of a unit circuit. 第２実施形態に係る単位回路の動作を示すタイミングチャートである。It is a timing chart which shows operation of a unit circuit concerning a 2nd embodiment. 第２実施形態に係る単位回路の構成を示す回路図である。It is a circuit diagram which shows the structure of the unit circuit which concerns on 2nd Embodiment. 第２実施形態の変形例に係る単位回路の構成を示す回路図である。It is a circuit diagram which shows the structure of the unit circuit which concerns on the modification of 2nd Embodiment. 第３実施形態に係る単位回路の構成を示す回路図である。It is a circuit diagram which shows the structure of the unit circuit which concerns on 3rd Embodiment. 第３実施形態の変形例に係る単位回路の構成を示す回路図である。It is a circuit diagram which shows the structure of the unit circuit which concerns on the modification of 3rd Embodiment. 第４実施形態に係る単位回路の構成を示す回路図である。It is a circuit diagram which shows the structure of the unit circuit which concerns on 4th Embodiment. 第４実施形態の変形例に係る単位回路の構成を示す回路図である。It is a circuit diagram which shows the structure of the unit circuit which concerns on the modification of 4th Embodiment. 電子機器のひとつの形態（画像形成装置）を示す断面図である。It is sectional drawing which shows one form (image forming apparatus) of an electronic device. 従来の電気光学装置における単位回路の構成を示す回路図である。It is a circuit diagram which shows the structure of the unit circuit in the conventional electro-optical apparatus. 従来の単位回路の動作を示すタイミングチャートである。It is a timing chart which shows operation | movement of the conventional unit circuit.

符号の説明Explanation of symbols

１００……電気光学装置、１０……基板、２０……素子部２０、Ｅ……電気光学素子Ｅ、３０……制御回路３０、３２……データ線３２、４０……駆動回路４０、Ｕ……単位回路Ｕ、ＴDR……駆動トランジスタＴDR、Ｃ……容量素子Ｃ、Ｅ1……第１電極Ｅ1、Ｅ2……第２電極Ｅ2、４２……制御部４２、４２１，４２２……インバータ４２１、１１，１２……電位供給線、ＩDR……駆動電流、Ｓi（Ｓ1〜Ｓn）……データ信号。 DESCRIPTION OF SYMBOLS 100 ... Electro-optical device, 10 ... Board | substrate, 20 ... Element part 20, E ... Electro-optical element E, 30 ... Control circuit 30, 32 ... Data line 32, 40 ... Drive circuit 40, U ... ... Unit circuit U, TDR ... Drive transistor TDR, C ... Capacitance element C, E1 ... First electrode E1, E2 ... Second electrode E2, 42 ... Control units 42, 421, 422 ... Inverter 421, 11, 12... Potential supply line, IDR... Drive current, Si (S1 to Sn).

Claims

ゲート電極に供給されるデータ信号がオン電位である場合に駆動電流を生成するとともにオフ電位である場合に駆動電流の生成を停止する駆動トランジスタと、
前記駆動トランジスタからノードを経て供給される駆動電流に応じた階調となる電気光学素子と、
第１電極と前記ノードに接続された第２電極とを含む容量素子と、
データ信号がオン電位からオフ電位に変化することを契機として、前記電気光学素子に印加される電圧を低下させる方向に前記第１電極の電位を変動させる制御手段と
を具備する電気光学装置。 A drive transistor that generates a drive current when the data signal supplied to the gate electrode is on-potential and stops generating the drive current when the data signal is off-potential;
An electro-optic element having a gradation corresponding to a drive current supplied from the drive transistor via a node;
A capacitive element including a first electrode and a second electrode connected to the node;
An electro-optical device comprising: control means for changing the potential of the first electrode in a direction to decrease a voltage applied to the electro-optical element when a data signal changes from an on potential to an off potential.

前記制御手段は、データ信号がオフ電位からオン電位に変化することを契機として、前記電気光学素子に供給される電圧を上昇させる方向に前記第１電極の電位を変動させる
請求項１に記載の電気光学装置。 2. The control unit according to claim 1, wherein the control unit varies the potential of the first electrode in a direction in which a voltage supplied to the electro-optic element is increased when a data signal changes from an off potential to an on potential. Electro-optic device.

前記制御手段は、データ信号の電位の変化から遅延した時点で前記第１電極の電位を変動させる
請求項１または請求項２に記載の電気光学装置。 The electro-optical device according to claim 1, wherein the control unit varies the potential of the first electrode at a time point delayed from a change in the potential of the data signal.

前記制御手段は、データ信号のレベルを反転させて前記第１電極に供給するインバータを含む
請求項１から請求項３の何れかに記載の電気光学装置。 The electro-optical device according to any one of claims 1 to 3, wherein the control unit includes an inverter that inverts a level of a data signal and supplies the inverted signal to the first electrode.

前記制御手段が前記第１電極の電位を変動させたときの前記ノードの電位の変動を所定の電位までの範囲に制限する変動制限手段
を具備する請求項１から請求項４の何れかに記載の電気光学装置。 5. The fluctuation limiting means for limiting fluctuation of the potential of the node when the control means changes the potential of the first electrode to a range up to a predetermined potential. 6. Electro-optic device.

前記電気光学素子は、両端間の電圧が閾値電圧を上回ると発光する発光素子であり、
前記所定の電位は、当該電位が前記ノードに供給されたときに前記閾値電圧と同等の電圧が前記電気光学素子に印加されるように選定される
請求項５に記載の電気光学装置。 The electro-optical element is a light emitting element that emits light when a voltage between both ends exceeds a threshold voltage,
The electro-optical device according to claim 5, wherein the predetermined potential is selected such that a voltage equivalent to the threshold voltage is applied to the electro-optical element when the potential is supplied to the node.

前記変動制限手段は、前記ノードと前記所定の電位が供給される配線との間に介挿されたダイオードである
請求項５または請求項６に記載の電気光学装置。 The electro-optical device according to claim 5, wherein the variation limiting unit is a diode interposed between the node and a wiring to which the predetermined potential is supplied.

前記第１電極と前記第２電極とは、前記駆動トランジスタを構成する導電体と同層から形成される
請求項１から請求項７の何れかに記載の電気光学装置。 The electro-optical device according to claim 1, wherein the first electrode and the second electrode are formed from the same layer as a conductor constituting the driving transistor.

前記駆動トランジスタは、ゲート絶縁層を挟んで前記ゲート電極に対向する半導体層を含み、
前記第１電極および前記第２電極の一方は前記半導体層と同層から形成され、前記第１電極および前記第２電極の他方は前記ゲート電極と同層から形成され、前記第１電極と前記第２電極との間には前記ゲート絶縁層が介在する
請求項８に記載の電気光学装置。 The driving transistor includes a semiconductor layer facing the gate electrode with a gate insulating layer interposed therebetween,
One of the first electrode and the second electrode is formed from the same layer as the semiconductor layer, the other of the first electrode and the second electrode is formed from the same layer as the gate electrode, and the first electrode and the second electrode The electro-optical device according to claim 8, wherein the gate insulating layer is interposed between the second electrode.

前記第１電極と前記第２電極とは平行配線容量を形成する
請求項８に記載の電気光学装置。 The electro-optical device according to claim 8, wherein the first electrode and the second electrode form a parallel wiring capacitance.

請求項１から請求項１０の何れかに記載の電気光学装置を具備する電子機器。 An electronic apparatus comprising the electro-optical device according to claim 1.

ゲート電極に供給されるデータ信号がオン電位である場合に駆動電流を生成するとともにオフ電位である場合に駆動電流の生成を停止する駆動トランジスタと、前記駆動トランジスタからノードを経て供給される駆動電流に応じた階調となる電気光学素子と、第１電極と前記ノードに接続された第２電極とを含む容量素子とを具備する電気光学装置を駆動する方法であって、
前記データ信号をオン電位またはオフ電位に設定することで前記電気光学素子を駆動する一方、
データ信号をオン電位からオフ電位に変化させることを契機として、前記電気光学素子に印加される電圧を低下させる方向に前記第１電極の電位を変動させる
電気光学装置の駆動方法。
A drive transistor that generates a drive current when the data signal supplied to the gate electrode is on-potential and stops generating the drive current when the data signal is off-potential; and a drive current that is supplied from the drive transistor via a node A method of driving an electro-optical device comprising: an electro-optical element having a gradation corresponding to the first electrode; and a capacitive element including a first electrode and a second electrode connected to the node,
While driving the electro-optic element by setting the data signal to an on potential or an off potential,
A method for driving an electro-optical device, wherein the potential of the first electrode is changed in a direction of decreasing a voltage applied to the electro-optical element, triggered by changing a data signal from an on-potential to an off-potential.