JP2008078658A - レジスト層を基板から除去する方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】基板に接触するバルクレジストと、レジスト層の外表面に存在するレジスト外皮とを備えたレジスト層を、基板から除去する方法であって、基板に接触するレジスト層に、バルクレジストについて可溶でレジスト外皮について不溶である液体有機溶媒を少なくとも局所的に供給するステップと、メガソニックエネルギーを有機溶媒に供給して、レジスト外皮を解体し、バルクレジストを有機溶媒中に溶解させる有機溶媒キャビテーションを生成することによって、レジスト層を基板から剥がすステップとを含む。
【選択図】図1
Description
・レジスト層を備えた基板に、液体有機溶媒を少なくとも局所的に供給すること。有機溶媒は、単一の有機溶媒を含んでもよく、あるいは少なくとも第1および第2の有機溶媒の混合物を含んでもよい。液状有機溶媒は、バルクレジストを溶解させるのに適合した有機溶媒から選択される。バルクレジストは、ある処理条件下で、有機溶媒または有機溶媒混合物の中に溶解可能であるが、一方、レジスト外皮は、有機溶媒または有機溶媒混合物の中に実質的に不溶解性である。有機溶媒または有機溶媒混合物は、バルクレジストを溶解させるように選択され、一方、バルクレジストを少なくとも部分的に被覆またはカプセル封入するレジスト外皮は、ほぼ無傷のままで基板に付着した状態になる。
・メガソニック(megasonic)エネルギーを有機溶媒に供給することによって、レジスト外皮を解体し、バルクレジストを有機溶媒中に溶解させるためのキャビテーション(cavitation)を有機溶媒中に生成することによって、有機溶媒と接触したレジスト層を基板から剥がすこと。レジスト層は完全に除去される。
・レジスト層を基板上に塗布するステップ。
・照射によってレジスト層をパターン化するステップ。
・レジスト層を現像するステップ。
・レジスト層を備えた基板を処理し、これによりレジスト層の外表面にレジスト外皮を生成するステップ。
1)C−H振動吸収変化に割り当てられた、約3000cm−1付近のピーク構成。
2)カルボニル(C=O)振動吸収に割り当てられた、1795cm−1(ラクトン)および1730cm−1(エステル)でのピークの強度比が反転している。ラクトン基からのC=Oピークは、バルクと比べて、外皮サンプルであまり目立っていない。
3)1500cm−1未満の指紋(fingerprint)領域は、減衰して幅広になった吸収バンドを示し、分子量の増加を示している。
4)H2Oからの−OH振動吸収に割り当てられた、1640cm−1と〜3500cm−1のピークは増加しており、初期の材料と比べて、外皮およびバルクPRの両方に関してより高い親水性を示している。
・バルクレジストは有機溶媒中に溶解可能であるが、一方、レジスト外皮は有機溶媒中にほぼ不溶解性である有機溶媒液体を、基板上のレジスト層に少なくとも局所的に供給すること。図1〜図4で開示したような実施形態によれば、レジストは、アダマンタンおよびラクトンを側基として有する、193nmのリソグラフ用のポジのメタクリル系樹脂であった。反応性イオンエッチング技術を用いた処理後のバルクレジストは、室温でn−メチルピロリドン中に溶解可能であり、一方、レジスト外皮は、この有機溶媒中に溶解しないことが判った。液体有機溶媒の供給は、ポジレジスト層を備えた基板を液体有機溶媒中に浸漬することによって行うことができる。
・メガソニックエネルギー(周波数830kHz、パワー125W)を有機溶媒に供給することによって、レジスト外皮を解体し、バルクレジストを有機溶媒中に溶解させるための有機溶媒キャビテーションを生成することによって、レジスト層を基板から剥がすこと。キャビテーションは、基板上方において室温20℃、大気圧で得られた。基板には、0.5〜4分間、特に2分間、メガソニックエネルギーが供給される。
δpp 2=ポリマーの極性成分
δhp 2=ポリマーの水素結合成分
および、相互作用半径Ro
δps 2=溶媒の極性成分
δhs 2=溶媒の水素結合成分
Claims (10)
- 基板に接触するバルクレジストと、レジスト層の外表面に存在するレジスト外皮とを備えたレジスト層を、基板から除去する方法であって、
・基板に接触するレジスト層に、バルクレジストを溶解させるのに適合した液体有機溶媒を少なくとも局所的に供給するステップと、
・レジスト外皮を解体し、バルクレジストを有機溶媒中に溶解させる有機溶媒キャビテーションを生成するために、メガソニックエネルギーを有機溶媒に供給することによって、レジスト層を基板から剥がすステップと、を含む方法。 - レジスト層を基板から除去する際の処理温度は、20℃〜180℃の範囲である請求項1記載の方法。
- レジスト層を基板から除去する際の処理圧力は、室内圧力である請求項1記載の方法。
- 有機溶媒は、0.5〜10MHzの周波数でキャビテーションを生じさせるようにした請求項1記載の方法。
- メガソニックエネルギーは、0.5分間〜20分間、有機溶媒に供給するようにした請求項1記載の方法。
- バルクレジストは、ハンセンパラメータδdp 2,δpp 2,δhp 2および相互作用半径Roを有し、有機溶媒は、ハンセンパラメータδds 2,δps 2,δhs 2を有し、Raは下記の式であって、
Ra=[4(δds−δdp)2+(δps−δpp)2+(δhs−δhp)2]1/2
Raは、Roより小さい又はこれと等しい請求項1記載の方法。 - 有機溶媒は、シクロヘキサノン、n−メチルピロリドン、ジクロロメタン、メチルイソブチルケトン、トリクロロエチレン、1−メトキシ−2−プロパノール、およびこれらの溶媒の混合物からなるグループから選ばれる請求項1記載の方法。
- レジスト層の形成は、
・レジスト層を基板上に塗布するステップと、
・照射によってレジスト層をパターン化するステップと、
・レジスト層を現像するステップと、
・レジスト層を備えた基板を処理し、これによりレジスト層の外表面にレジスト外皮を生成するステップと、をさらに含む請求項1記載の方法。 - レジスト層を備えた基板の処理は、イオン衝撃工程、プラズマエッチング工程、反応性イオンエッチング、アフターグロープラズマ工程、ドライエッチング除去工程、および熱処理工程からなるグループから選ばれる請求項8記載の方法。
- 請求項1〜9記載の方法に従って処理された半導体。
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