JP2008053613A - インダクタ素子および集積型電子部品 - Google Patents

Abstract

【課題】高いＱ値を達成するのに適したインダクタ素子および集積型電子部品を提供する。
【解決手段】本発明のインダクタ素子Ｘ１は、基板Ｓと、基板Ｓから離隔して配置されたコイルユニットＵ１と、複数の導電支柱１３Ａ〜１３Ｄとを備える。コイルユニットＵ１は、各々が渦巻状のコイル導線からなる複数のスパイラルコイル１１，１２からなる。複数のスパイラルコイル１１，１２は、当該複数のスパイラルコイル１１，１２の巻方向が同じとなり且つ各スパイラルコイルのコイル導線が他のスパイラルコイルのコイル導線間を延びる部位を有するように、配されている。各スパイラルコイルの両端は、各々、導電支柱を介して基板に固定されている。本発明の集積型電子部品は、このようなインダクタ素子Ｘ１を含む。
【選択図】図１

Description

本発明は、インダクタ素子、および、インダクタ素子を構成要素に含む集積型電子部品に関する。

携帯端末などが具備するＲＦ（radio frequency）システムないしＲＦ回路においては、一般に、高性能化、小型化、軽量化等を図るべく、高周波モジュール用デバイスとしてＩＰＤ（integrated passive device）が採用される。ＩＰＤは、必要な所定の受動部品（インダクタ、キャパシタ、抵抗、フィルタなど）が集積化されたものであり、受動部品としてインダクタを含む場合が多い。インダクタは、例えばキャパシタと比較してＱ値が低い傾向にあり、ＩＰＤがインダクタを含む場合、当該ＩＰＤ全体のＱ値も低くなりやすい。そのため、インダクタを含むＩＰＤについては、高Ｑ値化への要望がある。このようなＩＰＤに関する技術については、例えば下記の特許文献１，２および非特許文献１，２に記載されている。

特開平４−６１２６４号公報 米国特許第５,３７０,７６６号明細書 Albert Sutono et al., "IEEE TRANSACTION ON ADVANCED PACKAGING", VOL.22, NO.3, AUGUST 1999, p.326-331 Guo Lihui et al., "IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS" VOL.23, NO.8, AUGUST 2002, p.470-472

例えば非特許文献１に記載されているように、ＬＴＣＣ（low-temperature co-fired ceramic）技術を利用して製造されるＩＰＤが知られている。ＬＴＣＣ技術を利用して製造されるＩＰＤでは、多層セラミック基板内に複数の受動部品が内蔵されて集積化される。インダクタについては、そのインダクタンスの増大を目的として、多層セラミック基板内に複数のスパイラルコイルが多段配置された形態で形成される場合がある。インダクタのインダクタンスが高いほど、当該インダクタのＱ値は高い傾向にあり、従って、当該インダクタを含むＩＰＤ全体のＱ値の増大の観点から好ましい。

しかしながら、ＬＴＣＣ技術を利用して製造されるＩＰＤにおけるインダクタを構成するスパイラルコイルの隣り合うコイル導線間には、セラミック材料（誘電体材料）が介在しているので、当該インダクタにおいては有意な寄生容量が生ずる（スパイラルコイルは、隣り合うコイル導線からなるキャパシタ電極対様構造を伴う）。加えて、ＬＴＣＣ技術を利用して製造されるＩＰＤにおいて、多層セラミック基板内にて多段配置された複数のスパイラルコイルによりインダクタ（多段インダクタ）が構成されている場合には、隣り合うスパイラルコイル間にセラミック材料（誘電体材料）が介在することに起因して、当該インダクタにおいて有意な寄生容量が生ずる。インダクタの寄生容量が大きいほど、当該インダクタのＱ値の増大の観点からは好ましくないことが知られている。

ＬＴＣＣ技術を利用して製造されるＩＰＤでは、その構成要素たるインダクタにおいてこのように有意な寄生容量が生ずるため、当該インダクタのＱ値を充分に増大することができない場合があり、従って、ＩＰＤ全体のＱ値を充分に増大することができない場合がある。

本発明は、以上のような事情の下で考え出されたものであり、高いＱ値を達成するのに適したインダクタ素子および集積型電子部品を提供することを、目的とする。

本発明の第１の側面によるとインダクタ素子が提供される。このインダクタ素子は、基板と、基板から離隔して配置されたコイルユニットと、複数の導電支柱とを備える。コイルユニットは、各々が渦巻状のコイル導線からなる複数のスパイラルコイルを有する。複数のスパイラルコイルは、当該複数のスパイラルコイルの巻方向が同じとなり且つ各スパイラルコイルのコイル導線が他の一または二以上のスパイラルコイルのコイル導線間を当該コイル導線に沿って延びる部位を有するように、配されている。各スパイラルコイルないし各コイル導線の両端は、各々、導電支柱を介して基板に固定されている。コイルユニットに含まれる複数のスパイラルコイルは、一または二以上のインダクタを構成する。また、基板における少なくとも表層部は誘電体材料よりなる。

本インダクタ素子においては、複数のスパイラルコイルのコイル導線間には誘電体材料は介在しない。加えて、当該複数のスパイラルコイルは、少なくとも表層部が誘電体材料よりなる基板から離隔している（即ち、当該複数のスパイラルコイルにおいて隣り合うコイル導線は、誘電体材料から離隔している）。したがって、本インダクタ素子は、寄生容量を抑制するのに適する。インダクタ素子における寄生容量の抑制は、当該インダクタ素子のＱ値の増大に資する。

インダクタを構成するスパイラルコイルが基板表面にパターン形成されている場合、当該スパイラルコイルにおいて隣り合うコイル導線の近傍には、当該隣り合うコイル導線が接する基板表層部（誘電体材料からなる）が存在する。隣り合うコイル導線からなるキャパシタ電極対様構造を伴うスパイラルコイル（インダクタ）では、当該コイル導線間に基板表層部（誘電体材料）が近接することに起因して、有意な寄生容量が生ずる場合がある。これに対し、本発明の第１の側面に係るインダクタ素子では、複数のスパイラルコイルが基板から離隔しているため（即ち、当該複数のスパイラルコイルにおいて隣り合うコイル導線が誘電体材料から離隔しているため）、寄生容量が抑制されるのである。

本インダクタ素子においては、上述のように、コイルユニットに含まれる複数のスパイラルコイルは、巻方向が同じとなり且つ各スパイラルコイルのコイル導線が他の一または二以上のスパイラルコイルのコイル導線間を当該コイル導線に沿って延びる部位を有するように、配されており、このように配された複数のスパイラルコイルにより一または二以上のインダクタが構成され、各スパイラルコイルの両端は、各々、導電支柱を介して基板に固定されている。このような構成は、基板から離隔して設けられているスパイラルコイルについて高強度を実現するうえで好適である。

一つのスパイラルコイルを基板に固定する一対の支柱間の距離が短いほど、当該支柱間にわたるコイル導線の強度は高い傾向にあるところ、本発明におけるコイルユニットによると、全長Ｌで巻数の多い単一のスパイラルコイルを、例えば全長Ｌ／２の二つのスパイラルコイルや、例えば全長Ｌ／３の三つのスパイラルコイルにより、実質的に実現することができる。すなわち、本インダクタ素子では、強度を確保しやすい相対的に短い複数のスパイラルコイルの組合せにより、相対的に長いスパイラルコイルないしインダクタを構成することができるのである。このように、スパイラルコイルについて高強度を得るのに適した本インダクタ素子では、当該スパイラルコイルについて、径を増大させやすく、また、巻数を増大させやすい。スパイラルコイルの径の増大や巻数の増大は、Ｑ値の増大に資する。

以上から理解できるように、本発明の第１の側面に係るインダクタ素子は、高いＱ値を達成するのに適するのである。

また、本インダクタ素子は、小型化を図るのにも適する。本インダクタ素子では、コイルユニットの各スパイラルコイルが基板上において占める形成領域は、互いに大きく重複する。コイルユニットに含まれる複数のスパイラルコイルが二以上のインダクタを構成する場合には、基板上においてコイルユニットが設けられている領域内に複数のインダクタが存在することになる。このように、基板上における実質的に同一の箇所に複数のインダクタを効率よく配置することができるため、本インダクタ素子は、小型化を図るのに適するのである。

好ましくは、複数のスパイラルコイルから選択される少なくとも二つのスパイラルコイルは、同方向に電流が流れるように電気的に接続されている。電流の流れる方向について同方向とは、各コイル導線を流れる電流が左回り又は右回りで共通の旋回方向を有することを意味するものとする。

本発明の第２の側面によるとインダクタ素子が提供される。このインダクタ素子は、基板と、基板から離隔して配置された第１のコイルユニットと、基板および第１のコイルユニットの間において当該第１のコイルユニットから離隔して配置された第２のコイルユニットと、複数の導電支柱とを備える。第１のコイルユニットは、各々が渦巻状のコイル導線からなる複数の第１スパイラルコイルを有する。当該複数の第１スパイラルコイルは、巻方向が同じとなり且つ各第１スパイラルコイルのコイル導線が他の一または二以上の第１スパイラルコイルのコイル導線間を当該コイル導線に沿って延びる部位を有するように、配されている。各第１スパイラルコイルの両端は、各々、導電支柱を介して基板に固定されている。第２のコイルユニットは、各々が渦巻状のコイル導線からなる複数の第２スパイラルコイルを有する。当該複数の第２スパイラルコイルは、巻方向が同じとなり且つ各第２スパイラルコイルのコイル導線が他の一または二以上の第２スパイラルコイルのコイル導線間を当該コイル導線に沿って延びる部位を有するように、配されている。第２スパイラルコイルの巻方向は、第１スパイラルコイルの巻方向とは反対である。少なくとも一つの第１スパイラルコイルと、少なくとも一つの第２スパイラルコイルとは、同方向に電流が流れるように電気的に接続されている。また、少なくとも一つの第１スパイラルコイルと、少なくとも一つの第２スパイラルコイルとは、いわゆる多段インダクタを構成する。

本インダクタ素子の第１のコイルユニットは、第１の側面に係るインダクタ素子のコイルユニットに相当する。したがって、本インダクタ素子においても、第１の側面に係るインダクタ素子に関して上述した技術的効果を享受することができる。

加えて、本インダクタ素子においては、第１のコイルユニットの第１スパイラルコイルと第２のコイルユニットの第２スパイラルコイルとの間には、誘電体材料は介在せず、従って、本インダクタ素子は寄生容量を抑制するのに適する。インダクタ素子における寄生容量の抑制は、当該インダクタ素子のＱ値の増大に資する。

本発明の第２の側面における一の好ましい実施の形態では、第２のコイルユニットは、基板に接して設けられている。

本発明の第２の側面における他の好ましい実施の形態では、第２のコイルユニットは、基板から離隔して設けられており、当該第２のコイルユニットの各第２スパイラルコイルの両端は、各々、導電支柱を介して基板に固定されている。

好ましくは、第１スパイラルコイルおよび第２スパイラルコイルは、同方向に電流が流れるように全て直列に接続されている。このような構成は、第１および第２のコイルユニットのスパイラルコイルにより構成されるインダクタのインダクタンスを増大させるうえで好ましい。

好ましくは、スパイラルコイルの巻数はＮ＋ｎ（Ｎは整数、ｎは０.３〜０.５）である。スパイラルコイルのバランス確保の観点からは、このような構成が好ましい。

本発明の第１および第２の側面において、好ましくは、コイルイユニットを基板に固定する補助支柱を更に備える。スパイラルコイルの強度確保の観点からは、このような構成が好ましい。

本発明の第３の側面によると集積型電子部品が提供される。この集積型電子部品は、本発明の第１または第２の側面に係る上述のインダクタ素子を含む。本集積型電子部品は、高いＱ値を達成するうえで好適である。

本発明の第３の側面に係る集積型電子部品が第２の側面に係るインダクタ素子を含む場合、第１のコイルユニットの少なくとも一つの第１スパイラルコイルと、第２のコイルユニットの少なくとも一つの第２スパイラルコイルとは、キャパシタ素子を介して電気的に接続されていてもよい。

図１から図３は、本発明の第１の実施形態に係るインダクタ素子Ｘ１を表す。図１は、インダクタ素子Ｘ１の平面図である。図２は、インダクタ素子Ｘ１の一部省略平面図である。図３は、図１の線III−IIIに沿った断面図である。

インダクタ素子Ｘ１は、基板Ｓと、コイルユニットＵ１（図２では省略）と、導電支柱１３Ａ，１３Ｂ，１３Ｃ，１３Ｄと、配線１４Ａ，１４Ｂ，１４Ｃとを備える。

基板Ｓは、例えば、半導体基板（例えば、単結晶シリコンなどのシリコン材料よりなる）、石英基板、ガラス基板、セラミック基板、ＳＯＩ（silicon on insulator）基板、ＳＯＱ（silicon on quartz）基板、またはＳＯＧ（silicon on glass）基板であり、必要に応じてその表面は誘電体材料により被覆されている。基板Ｓの少なくとも表層部は誘電体材料よりなる。

コイルユニットＵ１は、基板Ｓから離隔して配置された二つのスパイラルコイル１１，１２からなる。図１に示すように、スパイラルコイル１１は、渦巻状のコイル導線からなり、外端部１１ａおよび内端部１１ｂを有する。スパイラルコイル１２は、渦巻状のコイル導線からなり、外端部１２ａおよび内端部１２ｂを有する。これらスパイラルコイル１１，１２は、スパイラルコイル１１，１２の巻方向が同じとなり且つ一方のスパイラルコイルのコイル導線が他方のスパイラルコイルのコイル導線間を延びる部位を有するように、配されている。スパイラルコイル１１，１２および基板Ｓの離隔距離は、例えば１〜１００μｍである。このようなスパイラルコイル１１，１２は、例えばＣｕ、Ａｕ、Ａｇ、またはＡｌよりなる。

スパイラルコイル１１，１２の外端部１１ａ，１２ａおよび内端部１１ｂ，１２ｂは、各々、導電支柱１３Ａ〜１３Ｄを介して基板Ｓに固定されている。導電支柱１３Ａ〜１３Ｄは、例えばＣｕ、Ａｕ、Ａｇ、またはＡｌよりなる。

スパイラルコイル１１の外端部１１ａは、導電支柱１３Ａおよび配線１４Ａを介して図外の電極パッドと電気的に接続されている。スパイラルコイル１１の内端部１１ｂは、導電支柱１３Ｃ、配線１４Ｂ、および導電支柱１３Ｄを介してスパイラルコイル１２の外端部１２ａと電気的に接続されている。スパイラルコイル１２の内端部１２ｂは、導電支柱１３Ｂおよび配線１４Ｃを介して図外の他の電極パッドと電気的に接続されている。

このようなインダクタ素子Ｘ１では、２.５巻のスパイラルコイル１１，１２が直列に接続されており、従って、コイルユニットＵ１が合計５巻のコイルインダクタを構成することとなる。また、スパイラルコイル１１，１２には、通電時において同方向に電流が流れる。

インダクタ素子Ｘ１においては、コイルユニットＵ１（スパイラルコイル１１，１２）のコイル導線間には誘電体材料は介在しない。加えて、スパイラルコイル１１，１２は、少なくとも表層部が誘電体材料により構成される基板Ｓから離隔している（即ち、スパイラルコイル１１，１２において隣り合うコイル導線は、誘電体材料から離隔している）。したがって、インダクタ素子Ｘ１は、寄生容量を抑制するのに適する。このようなインダクタ素子Ｘ１は、高いＱ値を達成するのに適する。

インダクタ素子Ｘ１においては、上述のように、コイルユニットＵ１に含まれるスパイラルコイル１１，１２は、巻方向が同じとなり且つ各スパイラルコイルのコイル導線が他方のスパイラルコイルのコイル導線間を当該コイル導線に沿って延びる部位を有するように、配されており、このように配されたスパイラルコイル１１，１２により単一のインダクタが構成され、各スパイラルコイル１１，１２の外端部１１ａ，１２ａおよび内端部１１ｂ，１２ｂは、各々、導電支柱１３Ａ〜１３Ｄを介して基板Ｓに固定されている。このような構成は、基板から離隔して設けられているスパイラルコイルについて高強度を実現するうえで好適である。一つのスパイラルコイルを基板に固定する一対の支柱間の距離が短いほど、当該支柱間にわたるコイル導線の強度は高い傾向にあるところ、コイルユニットＵ１は、全長Ｌ／２で巻数Ｎ／２（本実施形態ではＮは５）の二つのスパイラルコイル１１，１２により、全長Ｌで巻数Ｎの単一のスパイラルコイルを、実質的に実現している。すなわち、インダクタ素子Ｘ１では、強度を確保しやすい相対的に短い二つのスパイラルコイル１１，１２の組合せにより、相対的に長いスパイラルコイルないしインダクタが構成されているのである。このように、スパイラルコイル１１，１２について高強度を得るのに適したインダクタ素子Ｘ１では、スパイラルコイル１１，１２について、径や巻数を増大させやすく、Ｑ値を増大させやすい。

以上のように、インダクタ素子Ｘ１は、高いＱ値を達成するのに適する。

図４から図７は、本発明の第２の実施形態に係る集積型電子部品Ｙ１を表す。図４は、集積型電子部品Ｙ１の平面図である。図５は、集積型電子部品Ｙ１の一部省略平面図である。図６および図７は、各々、図４の線VI−VIおよび線VII−VIIに沿った断面図である。

集積型電子部品Ｙ１は、基板Ｓと、コイルユニットＵ２（図５では省略）と、コイルユニットＵ３と、導電支柱２５Ａ，２５Ｂ，２５Ｃ，２５Ｄと、キャパシタ２６と、パッド部２７Ａ，２７Ｂ，２７Ｃ，２７Ｄと、配線２８Ａ，２８Ｂ，２８Ｃ，２８Ｄとを備え、図８に示す回路構成を有する。

コイルユニットＵ２は、基板Ｓから離隔して配置された二つのスパイラルコイル２１，２２からなる。図４に示すように、スパイラルコイル２１は、渦巻状のコイル導線からなり、外端部２１ａおよび内端部２１ｂを有する。スパイラルコイル２２は、渦巻状のコイル導線からなり、外端部２２ａおよび内端部２２ｂを有する。これらスパイラルコイル２１，２２は、スパイラルコイル２１，２２の巻方向が同じとなり且つ一方のスパイラルコイルのコイル導線が他方のスパイラルコイルのコイル導線間を当該コイル導線に沿って延びる部位を有するように、配されている。スパイラルコイル２１，２２の外端部２１ａ，２２ａおよび内端部２１ｂ，２２ｂは、各々、導電支柱２５Ａ〜２５Ｄを介して基板Ｓに固定されている。このようなスパイラルコイル２１，２２および導電支柱２５Ａ〜２５Ｄは、例えばＣｕ、Ａｕ、Ａｇ、またはＡｌよりなる。また、スパイラルコイル２１，２２および基板Ｓの離隔距離は、例えば１〜１００μｍである。図４では、図の簡潔化の観点から、基板Ｓ上においてコイルユニットＵ２の直下に位置する構造の殆ど全てが表されていない。

コイルユニットＵ３は、図５に示すように、基板Ｓ上にパターン形成された二つのスパイラルコイル２３，２４からなる。スパイラルコイル２３は、渦巻状のコイル導線からなり、外端部２３ａおよび内端部２３ｂを有する。スパイラルコイル２４は、渦巻状のコイル導線からなり、外端部２４ａおよび内端部２４ｂを有する。これらスパイラルコイル２３，２４は、スパイラルコイル２３，２４の巻方向が同じとなり且つ一方のスパイラルコイルのコイル導線が他方のスパイラルコイルのコイル導線間を当該コイル導線に沿って延びる部位を有するように、配されている。コイルユニットＵ３のスパイラルコイル２３，２４の巻方向は、コイルユニットＵ２のスパイラルコイル２１，２２の巻方向とは反対である。スパイラルコイル２３の内端部２３ｂは、導電支柱２５Ｃに接続している。スパイラルコイル２４の外端部２４ａは配線２８Ｂに接続しており、内端部２４ｂは導電支柱２５Ｂに接続している。このようなスパイラルコイル２３，２４は、例えばＣｕ、Ａｕ、Ａｇ、またはＡｌよりなる。

キャパシタ２６は、図６および図７によく表れているように、基板Ｓ上の第１電極２６ａと、第２電極２６ｂと、これらの間の誘電体層２６ｃとからなる積層構造を有する。第１電極２６ａは、例えば、所定の多層構造を有し、当該多層構造の各層には、Ｃｕ、Ａｕ、Ａｇ、およびＡｌから選択される金属が含まれる。第２電極２６ｂは、例えばＣｕ、Ａｕ、Ａｇ、またはＡｌよりなる。誘電体層２６ｃは、例えば酸化シリコン、窒化シリコン、酸化アルミニウム、酸化タンタル、または酸化チタンよりなる。

パッド部２７Ａ〜２７Ｄは、外部接続用の電気パッドである。本実施形態では、パッド部２７Ａは電気信号入力用の端子であり、パッド部２７Ｂは電気信号出力用の端子であり、パッド部２７Ｃ，２７Ｄはグラウンド接続されている。パッド部２７Ａ〜２７Ｄは、例えば、Ｎｉ母体およびその上位表面を被覆するＡｕ膜からなる。

パッド部２７Ａおよびキャパシタ２６の第１電極２６ａは、図５に示すように、配線２８Ａを介して、コイルユニットＵ３のスパイラルコイル２３の外端部２３ａと電気的に接続されている。コイルユニットＵ２，Ｕ３の分解平面図である図９に表れているように、スパイラルコイル２３の内端部２３ｂは、導電支柱２５Ｃを介して、コイルユニットＵ２のスパイラルコイル２１の内端部２１ｂと電気的に接続されている。スパイラルコイル２１の外端部２１ａは、導電支柱２５Ａおよび配線２８Ｂを介してコイルユニットＵ３のスパイラルコイル２４の外端部２４ａと電気的に接続されており、且つ、当該導電支柱２５Ａおよび配線２８Ｂを介してパッド部２７Ｃ，２７Ｄと電気的に接続されている。スパイラルコイル２４の内端部２４ｂは、導電支柱２５Ｂを介して、コイルユニットＵ２のスパイラルコイル２２の内端部２２ｂと電気的に接続されている。スパイラルコイル２２の外端部２２ａは、導電支柱２５Ｄおよび配線２８Ｃを介して電極パッド２７Ｂと電気的に接続され、且つ、導電支柱２５Ｄおよび配線２８Ｃ，２８Ｄを介してキャパシタ２６の第２電極２６ｂと電気的に接続されている。

このような集積型電子部品Ｙ１のコイルユニットＵ２，Ｕ３においては、２.５巻のスパイラルコイル２１と２巻のスパイラルコイル２３が、直列に接続され、合計４.５巻の図８に示すコイルインダクタＬ₁を構成する。また、２.５巻のスパイラルコイル２２と２巻のスパイラルコイル２４が、直列に接続され、合計４.５巻の図８に示すコイルインダクタＬ₂を構成する。これらコイルインダクタＬ₁，Ｌ₂は、図８に示すように、直列に配されている。このようなスパイラルコイル２１〜２４には、通電時において同方向に電流が流れる。

集積型電子部品Ｙ１においては、コイルユニットＵ２（スパイラルコイル２１，２２）のコイル導線間には誘電体材料は介在せず、且つ、コイルユニットＵ３（スパイラルコイル２３，２４）のコイル導線間には誘電体材料は介在しない。加えて、スパイラルコイル２１，２２は、少なくとも表層部が誘電体材料により構成される基板Ｓから離隔している。すなわち、スパイラルコイル２１，２２において隣り合うコイル導線は、誘電体材料から離隔している。更に加えて、コイルユニットＵ２のスパイラルコイル２１，２２とコイルユニットＵ３のスパイラルコイル２３，２４との間には、誘電体材料は介在しない。したがって、集積型電子部品Ｙ１は、寄生容量を抑制するのに適する。このような集積型電子部品Ｙ１は、高いＱ値を達成するのに適する。

集積型電子部品Ｙ１におけるスパイラルコイル２１〜２４には、上述のように、通電時において同方向に電流が流れる。このような構成は、図８に示すコイルインダクタＬ₁，Ｌ₂の各々について、全体のインダクタンスの増大に資する相互インダクタンスを得るうえで好ましい。

集積型電子部品Ｙ１においては、基板Ｓ上における実質的に同一の箇所に２つのコイルインダクタＬ₁，Ｌ₂が効率よく配置されている。このような構成は、集積型電子部品の小型化を図るのに適する。

図１０から図１３は、本発明の第３の実施形態に係る集積型電子部品Ｙ２を表す。図１０は、集積型電子部品Ｙ２の平面図である。図１１は、集積型電子部品Ｙ２の一部省略平面図である。図１２および図１３は、各々、図１０の線XII−XIIおよび線XIII−XIIIに沿った断面図である。

集積型電子部品Ｙ２は、基板Ｓと、コイルユニットＵ４（図１１では省略）と、コイルユニットＵ５と、導電支柱３５Ａ，３５Ｂ，３５Ｃ，３５Ｄと、キャパシタ３６と、パッド部３７Ａ，３７Ｂ，３７Ｃ，３７Ｄと、配線３８Ａ，３８Ｂ，３８Ｃとを備え、図１４に示す回路構成を有する。

コイルユニットＵ４は、基板Ｓから離隔して配置された二つのスパイラルコイル３１，３２からなる。図１０に示すように、スパイラルコイル３１は、渦巻状のコイル導線からなり、外端部３１ａおよび内端部３１ｂを有する。スパイラルコイル３２は、渦巻状のコイル導線からなり、外端部３２ａおよび内端部３２ｂを有する。これらスパイラルコイル３１，３２は、スパイラルコイル３１，３２の巻方向が同じとなり且つ一方のスパイラルコイルのコイル導線が他方のスパイラルコイルのコイル導線間を当該コイル導線に沿って延びる部位を有するように、配されている。スパイラルコイル３１，３２の外端部３１ａ，３２ａおよび内端部３１ｂ，３２ｂは、各々、導電支柱３５Ａ〜３５Ｄを介して基板Ｓに固定されている。このようなスパイラルコイル３１，３２および導電支柱３５Ａ〜３５Ｄは、例えばＣｕ、Ａｕ、Ａｇ、またはＡｌよりなる。また、スパイラルコイル３１，３２および基板Ｓの離隔距離は、例えば１〜１００μｍである。図１０では、図の簡潔化の観点から、基板Ｓ上においてコイルユニットＵ４の直下に位置する構造の殆ど全てが表されていない。

コイルユニットＵ５は、図１１に示すように、基板Ｓ上にパターン形成された二つのスパイラルコイル３３，３４からなる。スパイラルコイル３３は、渦巻状のコイル導線からなり、外端部３３ａおよび内端部３３ｂを有する。スパイラルコイル３４は、渦巻状のコイル導線からなり、外端部３４ａおよび内端部３４ｂを有する。これらスパイラルコイル３３，３４は、スパイラルコイル３３，３４の巻方向が同じとなり且つ一方のスパイラルコイルのコイル導線が他方のスパイラルコイルのコイル導線間を当該コイル導線に沿って延びる部位を有するように、配されている。コイルユニットＵ５のスパイラルコイル３３，３４の巻方向は、コイルユニットＵ４のスパイラルコイル３１，３３の巻方向とは反対である。スパイラルコイル３３の外端部３３ａは配線３８Ｂに接続し、且つ、内端部３３ｂは導電支柱３５Ｃに接続している。スパイラルコイル３４の外端部３４ａは配線３８Ｃに接続し、且つ、内端部３４ｂは導電支柱３５Ｂに接続している。このようなスパイラルコイル３３，３４は、例えばＣｕ、Ａｕ、Ａｇ、またはＡｌよりなる。

キャパシタ３６は、図１２および図１３によく表れているように、基板Ｓ上の第１電極３６ａと、第２電極３６ｂと、これらの間の誘電体層３６ｃとからなる積層構造を有する。第１電極３６ａ、第２電極３６ｂ、および誘電体層３６ｃの構成材料については、各々、第２の実施形態における第１電極２６ａ、第２電極２６ｂ、および誘電体層２６ｃに関して上述したのと同様である。

パッド部３７Ａ〜３７Ｄは、外部接続用の電気パッドである。本実施形態では、パッド部３７Ａは電気信号入力用の端子であり、パッド部３７Ｂは電気信号出力用の端子であり、パッド部３７Ｃ，３７Ｄはグラウンド接続されている。パッド部３７Ａ〜３７Ｄは、例えば、Ｎｉ母体およびその上位表面を被覆するＡｕ膜からなる。

パッド部３７Ａは、図１０に示すように、配線３８Ａおよび導電支柱３５Ａを介して、コイルユニットＵ４のスパイラルコイル３１の外端部３１ａと電気的に接続されている。スパイラルコイル３１の内端部３１ｂは、導電支柱３５Ｃを介して、コイルユニットＵ５のスパイラルコイル３３の内端部３３ｂと電気的に接続されている。スパイラルコイル３３の外端部３３ａは、配線３８Ｂおよび導電支柱３５Ｄを介して、コイルユニットＵ４のスパイラルコイル３２の外端部３２ａと電気的に接続されており、且つ、配線３８Ｂを介して、キャパシタ３６の第２電極３６ｂと電気的に接続されている。キャパシタ３６は、配線３８Ｂおよび導電支柱３５Ｄを介して、コイルユニットＵ４のスパイラルコイル３２の外端部３２ａとも電気的に接続されている。スパイラルコイル３２の内端部３２ｂは、導電支柱３５Ｂを介して、コイルユニットＵ５のスパイラルコイル３４の内端部３４ｂと電気的に接続されている。スパイラルコイル３４の外端部３４ａは、配線３８Ｃを介して電極パッド３７Ｂと電気的に接続されている。

このような集積型電子部品Ｙ２のコイルユニットＵ４，Ｕ５においては、２.５巻のスパイラルコイル３１と２巻のスパイラルコイル３３が、直列に接続され、合計４.５巻の図１４に示すコイルインダクタＬ₁を構成する。また、２.５巻のスパイラルコイル３２と２巻のスパイラルコイル３４が、直列に接続され、合計４.５巻の図１４に示すコイルインダクタＬ₂を構成する。これらコイルインダクタＬ₁，Ｌ₂は、図１４に示すように、直列に配されている。このようなスパイラルコイル３１〜３４には、通電時において同方向に電流が流れる。

集積型電子部品Ｙ２においては、コイルユニットＵ４（スパイラルコイル３１，３２）のコイル導線間には誘電体材料は介在せず、且つ、コイルユニットＵ５（スパイラルコイル３３，３４）のコイル導線間には誘電体材料は介在しない。加えて、スパイラルコイル３１，３２は、少なくとも表層部が誘電体材料により構成される基板Ｓから離隔している。すなわち、スパイラルコイル３１，３２において隣り合うコイル導線は、誘電体材料から離隔している。更に加えて、コイルユニットＵ４のスパイラルコイル３１，３２とコイルユニットＵ５のスパイラルコイル３３，３４との間には、誘電体材料は介在しない。したがって、集積型電子部品Ｙ２は、寄生容量を抑制するのに適する。このような集積型電子部品Ｙ２は、高いＱ値を達成するのに適する。

集積型電子部品Ｙ２におけるスパイラルコイル３１〜３４には、上述のように、通電時において同方向に電流が流れる。このような構成は、図１４に示すコイルインダクタＬ₁，Ｌ₂について、全体のインダクタンスの増大に資する相互インダクタンスを得るうえで好ましい。

集積型電子部品Ｙ２においては、基板Ｓ上における実質的に同一の箇所に２つのコイルインダクタＬ₁，Ｌ₂が効率よく配置されている。このような構成は、集積型電子部品の小型化を図るのに適する。

図１５から図１９は、本発明の第４の実施形態に係る集積型電子部品Ｙ３を表す。図１５は、集積型電子部品Ｙ３の平面図である。図１６は、集積型電子部品Ｙ３の一部省略平面図である。図１７から図１９は、各々、図１５の線XVII−XVII、線XVIII−XVIII、および線XIX−XIXに沿った断面図である。

集積型電子部品Ｙ３は、基板Ｓと、コイルユニットＵ６（図１６では省略）と、コイルユニットＵ７と、導電支柱４５Ａ，４５Ｂ，４５Ｃ，４５Ｄと、キャパシタ４６Ａ，４６Ｂと、パッド部４７Ａ，４７Ｂ，４７Ｃ，４７Ｄと、配線４８Ａ，４８Ｂ，４８Ｃ，４８Ｄ，４８Ｅ，４８Ｆとを備え、図２０に示す回路構成を有する。

コイルユニットＵ６は、基板Ｓから離隔して配置された二つのスパイラルコイル４１，４２からなる。図１５に示すように、スパイラルコイル４１は、渦巻状のコイル導線からなり、外端部４１ａおよび内端部４１ｂを有する。スパイラルコイル４２は、渦巻状のコイル導線からなり、外端部４２ａおよび内端部４２ｂを有する。これらスパイラルコイル４１，４２は、スパイラルコイル４１，４２の巻方向が同じとなり且つ一方のスパイラルコイルのコイル導線が他方のスパイラルコイルのコイル導線間を延びる部位を有するように、配されている。スパイラルコイル４１，４２の外端部４１ａ，４２ａおよび内端部４１ｂ，４２ｂは、各々、導電支柱４５Ａ〜４５Ｄを介して基板Ｓに固定されている。このようなスパイラルコイル４１，４２および導電支柱４５Ａ〜４５Ｄは、例えばＣｕ、Ａｕ、Ａｇ、またはＡｌよりなる。また、スパイラルコイル４１，４２および基板Ｓの離隔距離は、例えば１〜１００μｍである。図１５では、図の簡潔化の観点から、基板Ｓ上においてコイルユニットＵ６の直下に位置する構造の殆ど全てが表されていない。

コイルユニットＵ７は、図１６に示すように、基板Ｓ上にパターン形成された二つのスパイラルコイル４３，４４からなる。スパイラルコイル４３は、渦巻状のコイル導線からなり、外端部４３ａおよび内端部４３ｂを有する。スパイラルコイル４４は、渦巻状のコイル導線からなり、外端部４４ａおよび内端部４４ｂを有する。これらスパイラルコイル４３，４４は、スパイラルコイル４３，４４の巻方向が同じとなり且つ一方のスパイラルコイルのコイル導線が他方のスパイラルコイルのコイル導線間を延びる部位を有するように、配されている。コイルユニットＵ７のスパイラルコイル４３，４４の巻方向は、コイルユニットＵ６のスパイラルコイル４１，４２の巻方向とは反対である。スパイラルコイル４３の内端部４３ｂは、導電支柱４５Ｃに接続している。スパイラルコイル４４の内端部４４ｂは導電支柱４５Ｂに接続している。このようなスパイラルコイル４３，４４は、例えばＣｕ、Ａｕ、Ａｇ、またはＡｌよりなる。

キャパシタ４６Ａ，４６Ｂは、図１７から図１９によく表れているように、基板Ｓ上の第１電極４６ａと、第２電極４６ｂと、これらの間の誘電体層４６ｃとからなる積層構造を有する。第１電極４６ａ、第２電極４６ｂ、および誘電体層４６ｃの構成材料については、各々、第２の実施形態における第１電極２６ａ、第２電極２６ｂ、および誘電体層２６ｃに関して上述したのと同様である。

パッド部４７Ａ〜４７Ｄは、外部接続用の電気パッドである。本実施形態では、パッド部４７Ａは電気信号入力用の端子であり、パッド部４７Ｂ，４７Ｃは電気信号出力用の端子であり、パッド部４７Ｄはグラウンド接続されている。パッド部４７Ａ〜４７Ｄは、例えば、Ｎｉ母体およびその上位表面を被覆するＡｕ膜からなる。

パッド部４７Ａおよびキャパシタ４６Ａの第１電極４６ａは、図１６に示すように、配線４８Ａを介して、コイルユニットＵ７のスパイラルコイル４３の外端部４３ａと電気的に接続されている。スパイラルコイル４３の内端部４３ｂは、導電支柱４５Ｃを介して、コイルユニットＵ６のスパイラルコイル４１の内端部４１ｂと電気的に接続されている。スパイラルコイル４１の外端部４１ａは、導電支柱４５Ａおよび配線４８Ｂを介してパッド部４７Ｃと電気的に接続されており、且つ、導電支柱４５Ａおよび配線４８Ｂ，４８Ｆを介して、キャパシタ４６Ｂの第２電極４６ｂと電気的に接続されている。パッド部４７Ｂは配線４８Ｃ，４８Ｄを介して、キャパシタ４６Ａの第２電極４６ｂに電気的に接続されており、且つ、配線４８Ｃおよび導電支柱４５Ｄを介して、コイルユニットＵ６のスパイラルコイル４２の外端部４２ａと電気的に接続されている。スパイラルコイル４２の内端部４２ｂは、導電支柱４５Ｂを介して、コイルユニットＵ７のスパイラルコイル４４の内端部４４ｂと電気的に接続されている。スパイラルコイル４４の外端部４４ａは、配線４８Ｅを介してパッド部４７Ｄと電気的に接続されており、且つ、当該配線４８Ｅを介してキャパシタ４６Ｂの第１電極４６ａとも電気的に接続されている。

このような集積型電子部品Ｙ３のコイルユニットＵ６，Ｕ７においては、２.５巻のスパイラルコイル４１と２巻のスパイラルコイル４３が、直列に接続され、合計４.５巻の図２０に示すコイルインダクタＬ₁を構成する。また、２.５巻のスパイラルコイル４２と２巻のスパイラルコイル４４が、直列に接続され、合計４.５巻の図２０に示すコイルインダクタＬ₂を構成する。これらコイルインダクタＬ₁，Ｌ₂は、図２０に示すように、並列に配されている。このようなスパイラルコイル４１〜４４には、通電時において同方向に電流が流れる。

集積型電子部品Ｙ３においては、コイルユニットＵ６（スパイラルコイル４１，４２）のコイル導線間には誘電体材料は介在せず、且つ、コイルユニットＵ７（スパイラルコイル４３，４４）のコイル導線間には誘電体材料は介在しない。加えて、スパイラルコイル４１，４２は、少なくとも表層部が誘電体材料により構成される基板Ｓから離隔している。すなわち、スパイラルコイル４１，４２において隣り合うコイル導線は、誘電体材料から離隔している。更に加えて、コイルユニットＵ６のスパイラルコイル４１，４２とコイルユニットＵ７のスパイラルコイル４３，４４との間には、誘電体材料は介在しない。したがって、集積型電子部品Ｙ３は、寄生容量を抑制するのに適する。このような集積型電子部品Ｙ３は、高いＱ値を達成するのに適する。

集積型電子部品Ｙ３におけるスパイラルコイル４１〜４４には、上述のように、通電時において同方向に電流が流れる。このような構成は、図２０に示すコイルインダクタＬ₁，Ｌ₂について、全体のインダクタンスの増大に資する相互インダクタンスを得るうえで好ましい。

集積型電子部品Ｙ３においては、基板Ｓ上における実質的に同一の箇所に２つのコイルインダクタＬ₁，Ｌ₂が効率よく配置されている。このような構成は、集積型電子部品の小型化を図るのに適する。

図２１から図２３は、本発明の第５の実施形態に係るインダクタ素子Ｘ２を表す。図２１は、インダクタ素子Ｘ２の平面図である。図２２は、インダクタ素子Ｘ２の一部省略平面図である。図２３は、図２１の線XXIII−XXIIIに沿った断面図である。

インダクタ素子Ｘ２は、基板Ｓと、コイルユニットＵ８（図２２では省略）と、導電支柱５４Ａ，５４Ｂ，５４Ｃ，５４Ｄ，５４Ｅ，５４Ｆと、配線５５Ａ，５５Ｂ，５５Ｃ，５５Ｄとを備える。

コイルユニットＵ８は、基板Ｓから離隔して配置された三つのスパイラルコイル５１，５２，５３からなる。スパイラルコイル５１は、渦巻状のコイル導線を含み、外端部５１ａおよび内端部５１ｂを有する。スパイラルコイル５２は、渦巻状のコイル導線を含み、外端部５２ａおよび内端部５２ｂを有する。スパイラルコイル５３は、渦巻状のコイル導線を含み、外端部５３ａおよび内端部５３ｂを有する。これらスパイラルコイル５１〜５３は、スパイラルコイル５１〜５３の巻方向が同じとなり且つ各スパイラルコイルのコイル導線が他のスパイラルコイルのコイル導線間を延びる部位を有するように、配されている。スパイラルコイル５１〜５３および基板Ｓの離隔距離は、例えば１〜１００μｍである。このようなスパイラルコイル５１〜５３は、例えばＣｕ、Ａｕ、Ａｇ、またはＡｌよりなる。

スパイラルコイル５１〜５３の外端部５１ａ，５２ａ，５３ａおよび内端部５１ｂ，５２ｂ，５３ｂは、各々、導電支柱５４Ａ〜５４Ｆを介して基板Ｓに固定されている。導電支柱５４Ａ〜５４Ｆは、例えばＣｕ、Ａｕ、Ａｇ、またはＡｌよりなる。

スパイラルコイル５１の外端部５１ａは、導電支柱５４Ａおよび配線５５Ａを介して図外の電極パッドと電気的に接続されている。スパイラルコイル５１の内端部５１ｂは、導電支柱５４Ｂ、配線５５Ｂ、および導電支柱５４Ｃを介して、スパイラルコイル５２の外端部５２ａと電気的に接続されている。スパイラルコイル５２の内端部５２ｂは、導電支柱５４Ｄ、配線５５Ｃ、および導電支柱５４Ｅを介して、スパイラルコイル５３の外端部５３ａと電気的に接続されている。スパイラルコイル５３の内端部５３ｂは、導電支柱５４Ｆおよび配線５５Ｄを介して、図外の他の電極パッドと電気的に接続されている。

このようなインダクタ素子Ｘ２では、１.５巻のスパイラルコイル５１〜５３が直列に接続されており、従って、コイルユニットＵ８が合計４.５巻のコイルインダクタを構成することとなる。また、スパイラルコイル５１〜５３には、通電時において同方向に電流が流れる。

インダクタ素子Ｘ２においては、コイルユニットＵ８（スパイラルコイル５１〜５３）のコイル導線間には誘電体材料は介在しない。加えて、スパイラルコイル５１〜５３は、少なくとも表層部が誘電体材料により構成される基板Ｓから離隔している（即ち、スパイラルコイル５１〜５３において隣り合うコイル導線は、誘電体材料から離隔している）。したがって、インダクタ素子Ｘ２は、寄生容量を抑制するのに適する。このようなインダクタ素子Ｘ２は、高いＱ値を達成するのに適する。

インダクタ素子Ｘ２においては、上述のように、コイルユニットＵ８に含まれるスパイラルコイル５１〜５３は、巻方向が同じとなり且つ各スパイラルコイルのコイル導線が他のスパイラルコイルのコイル導線間を延びる部位を有するように、配されており、このように配されたスパイラルコイル５１〜５３により単一のインダクタが構成され、各スパイラルコイル５１〜５３の外端部５１ａ，５２ａ，５３ａおよび内端部５１ｂ，５２ｂ，５３ｂは、各々、導電支柱５４Ａ〜５４Ｆを介して基板Ｓに固定されている。このような構成は、基板から離隔して設けられているスパイラルコイルについて高強度を実現するうえで好適である。一つのスパイラルコイルを基板に固定する一対の支柱間の距離が短いほど、当該支柱間にわたるコイル導線の強度は高い傾向にあるところ、本発明におけるコイルユニットＵ８は、全長Ｌ／３で巻数Ｎ／３（本実施形態ではＮは４.５）の三つのスパイラルコイル５１〜５３により、全長Ｌで巻数Ｎの一つのスパイラルコイルを、実質的に実現している。すなわち、インダクタ素子Ｘ２では、強度を確保しやすい相対的に短い三つのスパイラルコイル５１〜５３の組合せにより、相対的に長いスパイラルコイルないしインダクタが構成されているのである。このように、スパイラルコイル５１〜５３について高強度を得るのに適したインダクタ素子Ｘ２では、スパイラルコイル５１〜５３について、径や巻数を増大させやすく、Ｑ値を増大させやすい。

以上のように、インダクタ素子Ｘ２は、高いＱ値を達成するのに適する。

図２４から図２６は、本発明の第６の実施形態に係る集積型電子部品Ｙ４を表す。図２４は、集積型電子部品Ｙ４の平面図である。図２５は、集積型電子部品Ｙ４の一部省略平面図である。図２６は、図２４の線XXVI−XXVIに沿った断面図である。

集積型電子部品Ｙ４は、基板Ｓと、コイルユニットＵ９（図２５では省略）と、コイルユニットＵ１０と、導電支柱６７Ａ，６７Ｂ，６７Ｃ，６７Ｄ，６７Ｅ，６７Ｆと、パッド部６８Ａ，６８Ｂ，６８Ｃ，６８Ｄと、配線６９Ａ，６９Ｂ，６９Ｃ，６９Ｄとを備え、図２７に示す回路構成を有する。

コイルユニットＵ９は、基板Ｓから離隔して配置された三つのスパイラルコイル６１，６２，６３からなる。図２４に示すように、スパイラルコイル６１は、渦巻状のコイル導線を含み、外端部６１ａおよび内端部６１ｂを有する。スパイラルコイル６２は、渦巻状のコイル導線を含み、外端部６２ａおよび内端部６２ｂを有する。スパイラルコイル６３は、渦巻状のコイル導線を含み、外端部６３ａおよび内端部６３ｂを有する。これらスパイラルコイル６１〜６３は、スパイラルコイル６１〜６３の巻方向が同じとなり且つ各スパイラルコイルのコイル導線が他のスパイラルコイルのコイル導線間を延びる部位を有するように、配されている。スパイラルコイル６１〜６３の外端部６１ａ，６２ａ，６３ａおよび内端部６１ｂ，６２ｂ，６３ｂは、各々、導電支柱６７Ａ〜６７Ｆを介して基板Ｓに固定されている。このようなスパイラルコイル６１〜６３および導電支柱６７Ａ〜６７Ｆは、例えばＣｕ、Ａｕ、Ａｇ、またはＡｌよりなる。また、スパイラルコイル６１〜６３および基板Ｓの離隔距離は、例えば１〜１００μｍである。図２４では、図の簡潔化の観点から、基板Ｓ上においてコイルユニットＵ９の直下に位置する構造の殆ど全てが表されていない。

コイルユニットＵ１０は、図２５に示すように、基板Ｓ上にパターン形成された三つのスパイラルコイル６４，６５，６６からなる。スパイラルコイル６４は、渦巻状のコイル導線からなり、外端部６４ａおよび内端部６４ｂを有する。スパイラルコイル６５は、渦巻状のコイル導線からなり、外端部６５ａおよび内端部６５ｂを有する。スパイラルコイル６６は、渦巻状のコイル導線からなり、外端部６６ａおよび内端部６６ｂを有する。これらスパイラルコイル６４〜６６は、スパイラルコイル６４〜６６の巻方向が同じとなり且つ一方のスパイラルコイルのコイル導線が他のスパイラルコイルのコイル導線間を延びる部位を有するように、配されている。コイルユニットＵ１０のスパイラルコイル６４〜６６の巻方向は、コイルユニットＵ９のスパイラルコイル６１〜６３の巻方向とは反対である。スパイラルコイル６４の内端部６４ｂは導電支柱６７Ｄに接続している。スパイラルコイル６５の内端部６５ｂは導電支柱６７Ｆに接続している。スパイラルコイル６６の外端部６６ａは導電支柱６７Ｃに接続しており、内端部６６ｂは導電支柱６７Ｅに接続している。このようなスパイラルコイル６４〜６６は、例えばＣｕ、Ａｕ、Ａｇ、またはＡｌよりなる。

パッド部６８Ａ〜６８Ｄは、外部接続用の電気パッドである。本実施形態では、パッド部６８Ａは電気信号入力用の端子であり、パッド部６８Ｂ，６８Ｃは電気信号出力用の端子であり、パッド部６８Ｄはグラウンド接続されている。パッド部６８Ａ〜６８Ｄは、例えば、Ｎｉ母体およびその上位表面を被覆するＡｕ膜からなる。

パッド部６８Ａは、図２４に示すように、配線６９Ａおよび導電支柱６７Ａを介して、コイルユニットＵ９のスパイラルコイル６１の外端部６１ａと電気的に接続されている。コイルユニットＵ９，Ｕ１０の分解平面図である図２８に表れているように、スパイラルコイル６１の内端部６１ｂは、導電支柱６７Ｄを介して、コイルユニットＵ１０のスパイラルコイル６４の内端部６４ｂと電気的に接続されている。スパイラルコイル６４の外端部６４ａは、配線６９Ｂを介してパッド部６８Ｄに電気的に接続されている。一方、パッド部６８Ｂは、配線６９Ｃを介して、コイルユニットＵ１０のスパイラルコイル６５の外端部６５ａと電気的に接続されている。スパイラルコイル６５の内端部６５ｂは、導電支柱６７Ｆを介して、コイルユニットＵ９のスパイラルコイル６２の内端部６２ｂと電気的に接続されている。スパイラルコイル６２の外端部６２ａは、導電支柱６７Ｃを介して、コイルユニットＵ１０のスパイラルコイル６６の外端部６６ａと電気的に接続されている。スパイラルコイル６６の内端部６６ｂは、導電支柱６７Ｅを介して、コイルユニットＵ９のスパイラルコイル６３の内端部６３ｂと電気的に接続されている。スパイラルコイル６３の外端部６３ａは、導電支柱６７Ｂおよび配線６９Ｄを介してパッド部６８Ｃと電気的に接続されている。

このような集積型電子部品Ｙ４のコイルユニットＵ９，Ｕ１０においては、１.５巻のスパイラルコイル６１と１.８３巻のスパイラルコイル６４が、直列に接続され、合計３.３３巻の図２７に示すコイルインダクタＬ₁を構成する。また、１.５巻のスパイラルコイル６２，６３と１.８３巻のスパイラルコイル６５，６６が、直列に接続され、合計６.６６巻の図２７に示すコイルインダクタＬ₂を構成する。これらコイルインダクタＬ₁，Ｌ₂は、図２７に示すように、分離して配されている。このようなスパイラルコイル６１〜６６には、通電時において同方向に電流が流れる。

集積型電子部品Ｙ４においては、コイルユニットＵ９（スパイラルコイル６１〜６３）のコイル導線間には誘電体材料は介在せず、且つ、コイルユニットＵ１０（スパイラルコイル６４〜６６）のコイル導線間には誘電体材料は介在しない。加えて、スパイラルコイル６１〜６３は、少なくとも表層部が誘電体材料により構成される基板Ｓから離隔している。すなわち、スパイラルコイル６１〜６３において隣り合うコイル導線は、誘電体材料から離隔している。更に加えて、コイルユニットＵ９のスパイラルコイル６１〜６３とコイルユニットＵ１０のスパイラルコイル６４〜６６との間には、誘電体材料は介在しない。したがって、集積型電子部品Ｙ４は、寄生容量を抑制するのに適する。このような集積型電子部品Ｙ４は、高いＱ値を達成するのに適する。

集積型電子部品Ｙ４におけるスパイラルコイル６１〜６６には、上述のように、通電時において同方向に電流が流れる。このような構成は、図２７に示すコイルインダクタＬ₁，Ｌ₂について、全体のインダクタンスの増大に資する相互インダクタンスを得るうえで好ましい。

集積型電子部品Ｙ４においては、基板Ｓ上における実質的に同一の箇所に２つのコイルインダクタＬ₁，Ｌ₂が効率よく配置されている。このような構成は、集積型電子部品の小型化を図るのに適する。

図２９から図３２は、本発明の第７の実施形態に係る集積型電子部品Ｙ５を表す。図２９は、集積型電子部品Ｙ５の平面図である。図３０は、集積型電子部品Ｙ５の一部省略平面図である。図３１および図３２は、各々、図２９の線XXXI−XXXIおよび線XXXII−XXXIIに沿った断面図である。

集積型電子部品Ｙ５は、基板Ｓと、コイルユニットＵ１１（図３０では省略）と、コイルユニットＵ１２と、導電支柱７７Ａ，７７Ｂ，７７Ｃ，７７Ｄ，７７Ｅ，７７Ｆと、キャパシタ７８Ａ，７８Ｂと、パッド部７９Ａ，７９Ｂ，７９Ｃ，７９Ｄと、配線８０Ａ，８０Ｂ，８０Ｃ，８０Ｄ，８０Ｅ，８０Ｆとを備え、図３３に示す回路構成を有する。

コイルユニットＵ１１は、基板Ｓから離隔して配置された三つのスパイラルコイル７１，７２，７３からなる。図２９に示すように、スパイラルコイル７１は、渦巻状のコイル導線を含み、外端部７１ａおよび内端部７１ｂを有する。スパイラルコイル７２は、渦巻状のコイル導線を含み、外端部７２ａおよび内端部７２ｂを有する。スパイラルコイル７３は、渦巻状のコイル導線を含み、外端部７３ａおよび内端部７３ｂを有する。これらスパイラルコイル７１〜７３は、スパイラルコイル７１〜７３の巻方向が同じとなり且つ各スパイラルコイルのコイル導線が他のスパイラルコイルのコイル導線間を延びる部位を有するように、配されている。スパイラルコイル７１〜７３の外端部７１ａ，７２ａ，７３ａおよび内端部７１ｂ，７２ｂ，７３ｂは、各々、導電支柱７７Ａ〜７７Ｆを介して基板Ｓに固定されている。このようなスパイラルコイル７１〜７３および導電支柱７７Ａ〜７７Ｆは、例えばＣｕ、Ａｕ、Ａｇ、またはＡｌよりなる。また、スパイラルコイル７１〜７３および基板Ｓの離隔距離は、例えば１〜１００μｍである。図２９では、図の簡潔化の観点から、基板Ｓ上においてコイルユニットＵ１１の直下に位置する構造の殆ど全てが表されていない。

コイルユニットＵ１２は、図３０に示すように、基板Ｓ上にパターン形成された三つのスパイラルコイル７４，７５，７６からなる。スパイラルコイル７４は、渦巻状のコイル導線からなり、外端部７４ａおよび内端部７４ｂを有する。スパイラルコイル７５は、渦巻状のコイル導線からなり、外端部７５ａおよび内端部７５ｂを有する。スパイラルコイル７６は、渦巻状のコイル導線からなり、外端部７６ａおよび内端部７６ｂを有する。これらスパイラルコイル７４〜７６は、スパイラルコイル７４〜７６の巻方向が同じとなり且つ一方のスパイラルコイルのコイル導線が他のスパイラルコイルのコイル導線間を延びる部位を有するように、配されている。コイルユニットＵ１２のスパイラルコイル７４〜７６の巻方向は、コイルユニットＵ１１のスパイラルコイル７１〜７３の巻方向とは反対である。スパイラルコイル７４の外端部７４ａは導電支柱７７Ｃに接続しており、内端部７４ｂは導電支柱７７Ｂに接続している。スパイラルコイル７５の外端部７５ａは導電支柱７７Ｅに接続しており、内端部７５ｂは導電支柱７７Ｄに接続している。スパイラルコイル７６の内端部７６ｂは導電支柱７７Ｆに接続している。このようなスパイラルコイル７４〜７６は、例えばＣｕ、Ａｕ、Ａｇ、またはＡｌよりなる。

キャパシタ７８Ａ，７８Ｂは、図３１によく表れているように、基板Ｓ上の第１電極７８ａと、第２電極７８ｂと、これらの間の誘電体層７８ｃとからなる積層構造を有する。第１電極７８ａ、第２電極７８ｂ、および誘電体層７８ｃの構成材料については、各々、第２の実施形態における第１電極２６ａ、第２電極２６ｂ、および誘電体層２６ｃに関して上述したのと同様である。

パッド部７９Ａ〜７９Ｄは、外部接続用の電気パッドである。本実施形態では、パッド部７９Ａは電気信号入力用の端子であり、パッド部７９Ｂは電気信号出力用の端子であり、パッド部７９Ｃ，７９Ｄはグラウンド接続されている。パッド部７９Ａ〜７９Ｄは、例えば、Ｎｉ母体およびその上位表面を被覆するＡｕ膜からなる。

パッド部７９Ａは、図２９に示すように、配線８０Ａおよび導電支柱７７Ａを介して、コイルユニットＵ１１のスパイラルコイル７１の外端部７１ａと電気的に接続されている。コイルユニットＵ１１，Ｕ１２の分解平面図である図３４に表れているように、スパイラルコイル７１の内端部７１ｂは、導電支柱７７Ｂを介して、コイルユニットＵ１２のスパイラルコイル７４の内端部７４ｂと電気的に接続されている。スパイラルコイル７４の外端部７４ａは、導電支柱７７Ｃを介して、コイルユニットＵ１１のスパイラルコイル７２の外端部７２ａと電気的に接続されている。スパイラルコイル７２の内端部７２ｂは、導電支柱７７Ｄを介して、コイルユニットＵ１２のスパイラルコイル７５の内端部７５ｂと電気的に接続されている。スパイラルコイル７５の外端部７５ａは、導電支柱７７Ｅを介して、コイルユニットＵ１１のスパイラルコイル７３の外端部７３ａと電気的に接続されている。スパイラルコイル７３の内端部７３ｂは、導電支柱７７Ｆを介して、コイルユニットＵ１２のスパイラルコイル７６の内端部７６ｂと電気的に接続されている。スパイラルコイル７６の外端部７６ａは、配線８０Ｂを介してパッド部７９Ｂと電気的に接続されている。一方、パッド部７９Ｃは、配線８０Ｃ，８０Ｄを介して、キャパシタ７８Ａの第２電極７８ｂと電気的に接続されている。パッド部７９Ｄは、配線８０Ｅ，８０Ｆを介して、キャパシタ７８Ｂの第２電極７８ｂと電気的に接続されている。

このような集積型電子部品Ｙ５のコイルユニットＵ１１，Ｕ１２においては、１.５巻のスパイラルコイル７１〜７３と１.８３巻のスパイラルコイル７４〜７６が、全て直列に接続され、合計１０巻の図２７に示すコイルインダクタＬを構成する。このようなスパイラルコイル７１〜７６には、通電時において同方向に電流が流れる。

集積型電子部品Ｙ５においては、コイルユニットＵ１１（スパイラルコイル７１〜７３）のコイル導線間には誘電体材料は介在せず、且つ、コイルユニットＵ１２（スパイラルコイル７４〜７６）のコイル導線間には誘電体材料は介在しない。加えて、スパイラルコイル７１〜７３は、少なくとも表層部が誘電体材料により構成される基板Ｓから離隔している。すなわち、スパイラルコイル７１〜７３において隣り合うコイル導線は、誘電体材料から離隔している。更に加えて、コイルユニットＵ１１のスパイラルコイル７１〜７３とコイルユニットＵ１２のスパイラルコイル７４〜７６との間には、誘電体材料は介在しない。したがって、集積型電子部品Ｙ５は、寄生容量を抑制するのに適する。このような集積型電子部品Ｙ５は、高いＱ値を達成するのに適する。

集積型電子部品Ｙ５におけるスパイラルコイル７１〜７６には、上述のように、通電時において同方向に電流が流れる。このような構成は、図３３に示すコイルインダクタＬについて、大きなインダクタンスを得るうえで好ましい。

以上に述べたインダクタ素子Ｘ１，Ｘ２および集積型電子部品Ｙ１〜Ｙ５は、いずれも、いわゆるＭＥＭＳ（micro-electromechanical systems）技術を利用して、製造することができる。

第１から第７の実施形態においては、基板Ｓから離隔して設けられるコイルユニット（コイルユニットＵ１，Ｕ２，Ｕ４，Ｕ６，Ｕ８，Ｕ９，Ｕ１１）を構成する各スパイラルコイルの巻数は２.５または１.５であるが、本発明においては、当該各スパイラルコイルについて他の巻数を設定してもよい。その巻数は、当該各スパイラルコイルのバランス確保の観点から、Ｎ＋ｎ（Ｎは整数、ｎは０.３〜０.５）であるのが好ましい。

第１から第７の実施形態においては、基板Ｓから離隔して設けられるコイルユニット（コイルユニットＵ１，Ｕ２，Ｕ４，Ｕ６，Ｕ８，Ｕ９，Ｕ１１）を基板Ｓに対して固定支持するための補助支柱を設けてもよい。図３５は、第１の実施形態に係る上述のインダクタ素子Ｘ１に合計４本の補助支柱１５を設けた場合の平面図である。図３５のインダクタ素子Ｘ１では、コイルユニットＵ１は二つのスパイラルコイル１１，１２により構成されるところ、スパイラルコイル１１は、二つの導電支柱１３Ａ，１３Ｃに加えて二つの補助支柱１５により基板Ｓに対して固定支持され、スパイラルコイル１２は、二つの導電支柱１３Ｂ，１３Ｄに加えて二つの補助支柱１５により基板Ｓに対して固定支持されている。このような補助支柱の利用は、コイルユニットないしスパイラルコイルの強度確保の観点から好ましい。

また、上述のコイルユニットＵ３，Ｕ５，Ｕ７，Ｕ１０，Ｕ１２は基板Ｓ上にパターン形成されたものであるが、本発明では、これらコイルユニットないしこれを構成する各スパイラルコイルを、他のコイルユニット（Ｕ２，Ｕ４，Ｕ６，Ｕ９，Ｕ１１）と基板Ｓの間において、基板Ｓから離隔して設けてもよい。

以上のまとめとして、本発明の構成およびそのバリエーションを以下に付記として列挙する。

（付記１）基板と、
前記基板から離隔して配置されたコイルユニットと、
複数の導電支柱と、を備え、
前記コイルユニットは、各々が渦巻状のコイル導線からなる複数のスパイラルコイルを有し、
前記複数のスパイラルコイルは、当該複数のスパイラルコイルの巻方向が同じとなり且つ各スパイラルコイルのコイル導線が他の一または二以上のスパイラルコイルのコイル導線間を当該コイル導線に沿って延びる部位を有するように、配され、
各スパイラルコイルの両端は、各々、前記導電支柱を介して前記基板に固定されている、インダクタ素子。
（付記２）前記複数のスパイラルコイルから選択される少なくとも二つのスパイラルコイルは、同方向に電流が流れるように電気的に接続されている、付記１に記載のインダクタ素子。
（付記３）基板と、
前記基板から離隔して配置された第１のコイルユニットと、
前記基板および前記第１のコイルユニットの間において当該第１のコイルユニットから離隔して配置された第２のコイルユニットと、
複数の導電支柱と、を備え、
前記第１のコイルユニットは、各々が渦巻状のコイル導線からなる複数の第１スパイラルコイルを有し、当該複数の第１スパイラルコイルは、巻方向が同じとなり且つ各第１スパイラルコイルのコイル導線が他の一または二以上の第１スパイラルコイルのコイル導線間を当該コイル導線に沿って延びる部位を有するように、配され、各第１スパイラルコイルの両端は、各々、導電支柱を介して前記基板に固定されており、
前記第２のコイルユニットは、各々が渦巻状のコイル導線からなる複数の第２スパイラルコイルを有し、当該複数の第２スパイラルコイルは、巻方向が同じとなり且つ各第２スパイラルコイルのコイル導線が他の一または二以上の第２スパイラルコイルのコイル導線間を当該コイル導線に沿って延びる部位を有するように、配され、当該第２スパイラルコイルの巻方向は、前記第１スパイラルコイルの巻方向とは反対であり、
少なくとも一つの第１スパイラルコイルと、少なくとも一つの第２スパイラルコイルとは、同方向に電流が流れるように電気的に接続されている、インダクタ素子。
（付記４）前記第２のコイルユニットは、前記基板に接して設けられている、付記３に記載のインダクタ素子。
（付記５）前記第２のコイルユニットは、前記基板から離隔して設けられており、当該第２のコイルユニットの各第２スパイラルコイルの両端は、各々、導電支柱を介して前記基板に固定されている、付記３に記載のインダクタ素子。
（付記６）前記第１スパイラルコイルおよび前記第２スパイラルコイルは、同方向に電流が流れるように全て直列に接続されている、付記３から５のいずれか一つに記載のインダクタ素子。
（付記７）前記スパイラルコイルの巻数はＮ＋ｎ（Ｎは整数、ｎは０.３〜０.５）である、付記１から６のいずれか一つに記載のインダクタ素子。
（付記８）前記コイルユニットを前記基板に固定する補助支柱を更に備える、付記１から７のいずれか一つに記載のインダクタ素子。
（付記９）付記１から８のいずれか一つに記載のインダクタ素子を含む、集積型電子部品。
（付記１０）少なくとも一つの第１スパイラルコイルと、少なくとも一つの第２スパイラルコイルとは、キャパシタ素子を介して電気的に接続されている、付記９に記載の集積型電子部品。

本発明の第１の実施形態に係るインダクタ素子の平面図である。 図１に示すインダクタ素子の一部省略平面図である。 図１の線III−IIIに沿った断面図である。 本発明の第２の実施形態に係る集積型電子部品の平面図である。 図４に示す集積型電子部品の一部省略平面図である。 図４の線VI−VIに沿った断面図である。 図４の線VII−VIIに沿った断面図である。 図４に示す集積型電子部品の回路構成を表す。 第２の実施形態における一組のコイルユニットの分解平面図である。 本発明の第３の実施形態に係る集積型電子部品の平面図である。 図１０に示す集積型電子部品の一部省略平面図である。 図１０の線XII−XIIに沿った断面図である。 図１０の線XIII−XIIIに沿った断面図である。 図１０に示す集積型電子部品の回路構成を表す。 本発明の第４の実施形態に係る集積型電子部品の平面図である。 図１５に示す集積型電子部品の一部省略平面図である。 図１５の線XVII−XVIIに沿った断面図である。 図１５の線XVIII−XVIIIに沿った断面図である。 図１５の線XIX−XIXに沿った断面図である。 図１５に示す集積型電子部品の回路構成を表す。 本発明の第５の実施形態に係るインダクタ素子の平面図である。 図２１に示すインダクタ素子の一部省略平面図である。 図２１の線XXIII−XXIIIに沿った断面図である。 本発明の第６の実施形態に係る集積型電子部品の平面図である。 図２４に示す集積型電子部品の一部省略平面図である。 図２４の線XXVI−XXVIに沿った断面図である。 図２４に示す集積型電子部品の回路構成を表す。 第６の実施形態における一組のコイルユニットの分解平面図である。 本発明の第７の実施形態に係る集積型電子部品の平面図である。 図２９に示す集積型電子部品の一部省略平面図である。 図２９の線XXXI−XXXIに沿った断面図である。 図２９の線XXXII−XXXIIに沿った断面図である。 図２９に示す集積型電子部品の回路構成を表す。 第７の実施形態における一組のコイルユニットの分解平面図である。 基板から離隔して設けられるコイルユニットが補助支柱を伴う場合を表す。

符号の説明

Ｘ１，Ｘ２ インダクタ素子
Ｙ１，Ｙ２，Ｙ３，Ｙ４，Ｙ５ 集積型電子部品
Ｓ 基板
Ｕ１〜Ｕ１２ コイルユニット
１１，１２，２１，２２，３１，３２，４１，４２ スパイラルコイル
１３Ａ〜１３Ｄ，２５Ａ〜２５Ｄ，３５Ａ〜３５Ｄ，４５Ａ〜４５Ｄ 導電支柱
１４Ａ〜１４Ｃ，２８Ａ〜２８Ｄ，３８Ａ〜３８Ｃ，４８Ａ〜４８Ｆ 配線
２６，３６，４６Ａ，４６Ｂ キャパシタ
２７Ａ〜２７Ｄ，３７Ａ〜３７Ｄ，４７Ａ〜４７Ｄ パッド部
５１〜５３，６１〜６６，７１〜７６ スパイラルコイル
５４Ａ〜５４Ｆ，６７Ａ〜６７Ｆ，７７Ａ〜７７Ｆ 導電支柱
５５Ａ〜５５Ｄ，６９Ａ〜６９Ｄ，８０Ａ〜８０Ｄ 配線
６８Ａ〜６８Ｄ，７９Ａ〜７９Ｄ パッド部
７８Ａ，７８Ｂ キャパシタ

Claims (5)

1. 基板と、
   前記基板から離隔して配置されたコイルユニットと、
   複数の導電支柱と、を備え、
   前記コイルユニットは、各々が渦巻状のコイル導線からなる複数のスパイラルコイルを有し、
   前記複数のスパイラルコイルは、当該複数のスパイラルコイルの巻方向が同じであり且つ各スパイラルコイルのコイル導線が他の一または二以上のスパイラルコイルのコイル導線間を延びる部位を有するように、配され、
   各スパイラルコイルの両端は、各々、前記導電支柱を介して前記基板に固定されている、インダクタ素子。
2. 前記複数のスパイラルコイルから選択される少なくとも二つのスパイラルコイルは、同方向に電流が流れるように電気的に接続されている、請求項１に記載のインダクタ素子。
3. 基板と、
   前記基板から離隔して配置された第１のコイルユニットと、
   前記基板および前記第１のコイルユニットの間において当該第１のコイルユニットから離隔して配置された第２のコイルユニットと、
   複数の導電支柱と、を備え、
   前記第１のコイルユニットは、各々が渦巻状のコイル導線からなる複数の第１スパイラルコイルを有し、当該複数の第１スパイラルコイルは、巻方向が同じであり且つ各第１スパイラルコイルのコイル導線が他の一または二以上の第１スパイラルコイルのコイル導線間を延びる部位を有するように、配され、各第１スパイラルコイルの両端は、各々、導電支柱を介して前記基板に固定されており、
   前記第２のコイルユニットは、各々が渦巻状のコイル導線からなる複数の第２スパイラルコイルを有し、当該複数の第２スパイラルコイルは、巻方向が同じであり且つ各第２スパイラルコイルのコイル導線が他の一または二以上の第２スパイラルコイルのコイル導線間を延びる部位を有するように、配され、当該第２スパイラルコイルの巻方向は、前記第１スパイラルコイルの巻方向とは反対であり、
   少なくとも一つの第１スパイラルコイルと、少なくとも一つの第２スパイラルコイルとは、同方向に電流が流れるように電気的に接続されている、インダクタ素子。
4. 前記第１スパイラルコイルおよび前記第２スパイラルコイルは、同方向に電流が流れるように全て直列に接続されている、請求項３に記載のインダクタ素子。
5. 請求項１から４のいずれか一つに記載のインダクタ素子を含む、集積型電子部品。

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