JP2008053432A - Wafer machining device - Google Patents

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To prevent damage of a wafer which may occur at process transition from sticking of an adhesive film to sticking of a dicing tape. <P>SOLUTION: A plurality of vacuum-chuck chuck tables 40 are arranged on a rotatable index table 41. While a wafer 1 is held on the chuck table 40 by rotation of the index table 41, the wafer 1 is transferred to the adhesive film sticking position and dicing tape sticking position, and at these positions, an adhesive film and a dicing tape are sequentially stuck to the rear surface of the wafer 1 with mechanisms provided. <P>COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT

Description

本発明は、所定厚さに薄化された半導体ウエーハ等のウエーハの裏面にボンディング用接着フィルムおよびダイシングテープを貼着するウエーハ加工装置に係り、特に、薄化加工後にウエーハを吸着テーブルに吸着して保持したままこれらの貼着工程を円滑に実施し得るウエーハ加工装置に関する。   The present invention relates to a wafer processing apparatus that attaches a bonding adhesive film and a dicing tape to the back surface of a wafer such as a semiconductor wafer thinned to a predetermined thickness, and in particular, adsorbs the wafer to a suction table after thinning. It is related with the wafer processing apparatus which can implement these sticking processes smoothly with being held.

近年の半導体デバイス技術においては、ＭＣＰ（マルチ・チップ・パッケージ）やＳｉＰ（システム・イン・パッケージ）といった複数の半導体チップを積層した積層型パッケージが、高密度化や小型化を達成する上で有効に利用されている。このような技術に対応する半導体チップは、裏面にＤＡＦ（Die Attach Film）と呼ばれるダイボンディング用の接着フィルムが貼られており、この接着フィルムで半導体チップの積層状態を保持することが行われている。   In recent semiconductor device technology, stacked packages in which multiple semiconductor chips such as MCP (multi-chip package) and SiP (system in package) are stacked are effective in achieving high density and miniaturization. Has been used. A semiconductor chip corresponding to such a technique has a die bonding adhesive film called DAF (Die Attach Film) attached to the back surface, and the laminated state of the semiconductor chips is maintained with this adhesive film. Yes.

このような接着フィルム付き半導体チップは、例えば、裏面を研削して薄化した半導体ウエーハ等のウエーハの裏面に、接着フィルムとダイシングテープをこの順に貼り付けてから、ダイシング装置によって格子状の分割予定ラインを切断して、複数の半導体チップに分割すると同時に接着フィルムを切断するといった方法で製造されている。ダイシングテープはウエーハをダイシング装置の吸着テーブル上に安全に保持するためのもので、通常、剛性を有するリング状のダイシングフレームに貼り付けられており、ウエーハはダイシングフレームおよびダイシングテープを介して移送などの取扱いがなされる。ウエーハの裏面にダイシングテープを貼着する装置が、例えば、特許文献１等によって知られている。   Such a semiconductor chip with an adhesive film is, for example, an adhesive film and a dicing tape applied in this order on the back surface of a wafer such as a semiconductor wafer that has been thinned by grinding the back surface, and then divided into a lattice pattern by a dicing apparatus. The line is cut and divided into a plurality of semiconductor chips, and the adhesive film is cut at the same time. The dicing tape is used to safely hold the wafer on the suction table of the dicing machine, and is usually affixed to a rigid ring-shaped dicing frame. The wafer is transferred via the dicing frame and the dicing tape. Is handled. An apparatus for attaching a dicing tape to the back surface of a wafer is known from, for example, Patent Document 1 and the like.

特開２００３−１５２０５８号公報JP 2003-152058 A

上記半導体チップの製造過程では、接着フィルム貼着装置によってウエーハの裏面に接着フィルムを貼着し、続いて、ウエーハをダイシングテープ貼着装置に移送して該装置によってウエーハの裏面に貼着された接着フィルムにダイシングテープを貼着するといったことが行われる。ところが、このようにウエーハを装置から装置に移し替える際には、ウエーハに応力が加わってウエーハの破損を招くことがある。特に厚さが５０μｍ以下と極めて薄いウエーハの場合には、そうした傾向が顕著になる。   In the manufacturing process of the semiconductor chip, the adhesive film was attached to the back surface of the wafer by the adhesive film sticking device, and then the wafer was transferred to the dicing tape sticking device and stuck to the back surface of the wafer by the device. For example, a dicing tape is attached to the adhesive film. However, when the wafer is transferred from the apparatus to the apparatus in this way, stress may be applied to the wafer and the wafer may be damaged. In particular, such a tendency becomes remarkable in the case of a very thin wafer having a thickness of 50 μm or less.

また、接着フィルムは熱可塑性または熱硬化性の樹脂フィルムであって、貼着には例えば１５０〜１８０℃の加熱を要するものであり、一方、ダイシングテープは常温で粘着可能な樹脂であって加熱は不要であるといった相反する熱特性を有している。このため、加熱状態で接着フィルムを貼着した直後にダイシングテープを貼着すると、ダイシングテープの粘着剤が加熱の影響を受けて溶解してしまうといった不具合が起こる。そこで、接着フィルムの貼着からダイシングテープの貼着までの間に冷却時間をおかなければならず、これは加工が停滞するといった不具合を招く。   Further, the adhesive film is a thermoplastic or thermosetting resin film, and the application requires heating at 150 to 180 ° C., for example, while the dicing tape is a resin that can be adhered at room temperature and heated. Have conflicting thermal characteristics such as unnecessary. For this reason, if a dicing tape is stuck immediately after sticking an adhesive film in a heating state, the malfunction that the adhesive of a dicing tape will melt | dissolve under the influence of a heating will arise. Therefore, a cooling time must be allowed between the adhesion of the adhesive film and the adhesion of the dicing tape, which causes a problem that processing is stagnant.

さらに、接着フィルムの貼着とダイシングテープの貼着とをそれぞれ別の装置で行っているため、装置の設置スペースが大きくなりコストが高くなるという問題がある。   Furthermore, since the adhesion of the adhesive film and the adhesion of the dicing tape are performed by separate apparatuses, there is a problem that the installation space for the apparatus becomes large and the cost increases.

よって本発明は、接着フィルムの貼着からダイシングテープの貼着への工程移行の際に生じるウエーハの破損を防止することができるとともに、これら工程間に要する冷却時間が短縮されて生産性が向上し、さらに装置の省スペース化に伴うコスト低減を可能とするウエーハ加工装置を提供することを目的としている。   Therefore, the present invention can prevent the wafer from being damaged during the process transition from the adhesive film sticking to the dicing tape sticking, and the cooling time required between these processes is shortened to improve the productivity. Furthermore, an object of the present invention is to provide a wafer processing apparatus that can reduce the cost associated with space saving of the apparatus.

本発明は、装置ベースに回転可能に設けられたインデックステーブルに配設され、ウエーハを裏面が露出する状態に吸着して保持する複数の吸着テーブルと、吸着テーブルを加熱する加熱手段と、吸着テーブルを冷却する冷却手段と、吸着テーブルに保持されたウエーハの裏面に、ボンディング用接着フィルムを貼着する接着フィルム貼着手段と、吸着テーブルに保持されたウエーハの裏面に、剛性を有するダイシングフレームが周縁部に貼着されたダイシングテープを貼着するダイシングテープ貼着手段とを備えることを特徴としている。   The present invention provides a plurality of suction tables which are disposed on an index table rotatably provided on the apparatus base and hold the wafer in a state where the back surface is exposed, heating means for heating the suction table, and a suction table A cooling means for cooling the substrate, an adhesive film attaching means for attaching an adhesive film for bonding to the back surface of the wafer held on the suction table, and a rigid dicing frame on the back surface of the wafer held on the suction table. And a dicing tape attaching means for attaching a dicing tape attached to the peripheral edge.

本発明のウエーハ加工装置では、インデックステーブルを回転させることにより、吸着テーブルに保持したウエーハを、接着フィルム貼着手段、ダイシングテープ貼着手段の順に移送させ、各貼着手段によりウエーハの裏面に接着フィルムおよびダイシングテープをこの順で貼着する。   In the wafer processing apparatus of the present invention, by rotating the index table, the wafer held on the suction table is transferred in the order of the adhesive film sticking means and the dicing tape sticking means, and bonded to the back surface of the wafer by each sticking means. A film and a dicing tape are stuck in this order.

本発明によれば、ウエーハを吸着テーブルに保持したまま接着フィルムとダイシングテープを貼着することができるため、これら工程間でウエーハを移し替える必要がない。したがって、ウエーハに応力が加わらずウエーハの破損を防止することができるとともに、２つの貼着工程を一連に実施することができるため生産性の向上が図られる。   According to the present invention, since the adhesive film and the dicing tape can be adhered while the wafer is held on the suction table, it is not necessary to transfer the wafer between these steps. Accordingly, the wafer can be prevented from being damaged without applying stress to the wafer, and the productivity can be improved because the two sticking steps can be performed in series.

本発明では、接着フィルム貼着手段でウエーハの裏面に接着フィルムを貼着する際には、加熱手段によって吸着テーブルを加熱する。この加熱は接着フィルムを貼着する際の補助的な加熱であり、接着フィルムは、吸着テーブルからウエーハを介して伝達する熱で加熱され、これによってウエーハに対し速やか、かつ強固に貼着されるようになる。また、接着フィルム貼着後に、ダイシングテープ貼着手段で接着フィルムにダイシングテープを貼着する際には、冷却手段によって吸着テーブルを冷却し、接着フィルムをダイシングテープ貼着可能な適切温度まで冷却した後、ダイシングテープを接着フィルムに貼着する。   In this invention, when adhering an adhesive film on the back surface of a wafer by an adhesive film adhering means, the suction table is heated by a heating means. This heating is auxiliary heating when adhering the adhesive film, and the adhesive film is heated by the heat transmitted from the suction table through the wafer, and is thereby quickly and firmly attached to the wafer. It becomes like this. In addition, after adhering the adhesive film, when adhering the dicing tape to the adhesive film by the dicing tape adhering means, the adsorption table was cooled by the cooling means, and the adhesive film was cooled to an appropriate temperature at which the dicing tape could be applied. Then, a dicing tape is stuck on the adhesive film.

このように加熱して接着フィルムを貼着し、次いで冷却してダイシングテープを貼着することにより、接着フィルムの貼着からダイシングテープの貼着までの間に冷却時間をおく必要がないか、あるいはその冷却時間を大幅に短縮させることができる。その結果、加工の停滞が起こらず加工時間が短縮し、このことによっても生産性の向上が図られる。   By sticking the adhesive film by heating in this way, then cooling and sticking the dicing tape, it is not necessary to leave a cooling time between the adhesive film and the dicing tape, Alternatively, the cooling time can be greatly shortened. As a result, machining stagnation does not occur and machining time is shortened, which also improves productivity.

また、本発明によれば、接着フィルムとダイシングテープの貼着を連続して行うことができるとともに、回転可能なインデックステーブル上に複数の吸着テーブルを配置した構造であるため、装置を効率よく小型化することができ、低コスト化が図られる。   In addition, according to the present invention, the adhesive film and the dicing tape can be continuously attached, and a plurality of suction tables are arranged on a rotatable index table. The cost can be reduced.

さて、上記のように吸着テーブルを加熱して接着フィルムを貼着してから吸着テーブルを冷却してダイシングテープを貼着する過程では、加熱および冷却が早く行われれば、加工時間をより短縮できるので好ましい。急加熱および急冷を簡便な構造でできる形態として、吸着テーブルに流体循環路を形成し、加熱する時にはこの流体循環路に熱水等の加熱用流体を流通させ、冷却する時には流体循環路に冷水等の冷却用流体を流通させる形態は極めて有効である。すなわちこの場合には加熱用流体が加熱手段であり、冷却用流体が冷却手段となる。   Now, in the process of heating the suction table and sticking the adhesive film as described above and then cooling the suction table and sticking the dicing tape, the processing time can be shortened if heating and cooling are performed quickly. Therefore, it is preferable. As a form that can perform rapid heating and rapid cooling with a simple structure, a fluid circulation path is formed in the adsorption table. When heating, a heating fluid such as hot water is circulated through the fluid circulation path, and when cooling, cold water is supplied to the fluid circulation path. A form in which a cooling fluid such as a fluid is circulated is extremely effective. That is, in this case, the heating fluid is the heating means, and the cooling fluid is the cooling means.

本発明の接着フィルム貼着手段としては、ウエーハの裏面に接着フィルムを押圧しながら転動することにより接着フィルムをウエーハの裏面に貼着する押圧ローラを有している形態が挙げられる。さらにこの形態に加えて、押圧ローラを加熱するローラ加熱手段と、押圧ローラの転動に同期してウエーハの裏面を加熱するウエーハ裏面加熱手段とを備えることにより、接着フィルムを十分に加熱しながらウエーハの裏面に貼着することができ、吸着テーブルの加熱と相まって接着フィルムをより速やか、かつ強固にウエーハに貼着させることができる。   As an adhesive film sticking means of this invention, the form which has a press roller which sticks an adhesive film on the back surface of a wafer by rolling, pressing an adhesive film on the back surface of a wafer is mentioned. Furthermore, in addition to this form, by providing roller heating means for heating the pressure roller and wafer back surface heating means for heating the back surface of the wafer in synchronization with the rolling of the pressure roller, while sufficiently heating the adhesive film The adhesive film can be adhered to the back surface of the wafer, and the adhesive film can be adhered to the wafer more quickly and firmly in combination with the heating of the adsorption table.

さらに接着フィルムを確実かつ強固にウエーハに貼着させるために、接着フィルム貼着手段でウエーハに貼着された接着フィルムを非接触で加熱してキュアさせるキュア手段を備えることは本発明の好ましい形態である。このキュア手段による接着フィルムの加熱は、次のダイシングテープ貼着手段への移行が円滑になされる点で、ウエーハが吸着テーブルに保持されたまま行われることが望ましい。   Further, in order to securely and firmly adhere the adhesive film to the wafer, it is preferable to provide a curing means for curing the adhesive film attached to the wafer by the adhesive film attaching means in a non-contact manner. It is. It is desirable that the heating of the adhesive film by the curing means is performed while the wafer is held on the suction table in terms of smooth transition to the next dicing tape attaching means.

本発明のウエーハ加工装置は、吸着テーブルに保持されたウエーハの裏面を研削して薄化する研削手段を付加した形態を含む。この形態によると、まず研削手段でウエーハの裏面を研削してウエーハを目的厚さまで薄化し、次いでインデックステーブルを回転させることによりウエーハを接着フィルム貼着手段とダイシングテープ貼着手段に移送し、各貼着手段で、接着フィルムの貼着、ダイシングテープの貼着がそれぞれ行われる。研削手段を備えることにより、別の研削装置で研削されたウエーハを本装置の吸着テーブルに移し替える必要がなく、薄化したウエーハを破損させるおそれがないまま、引き続き接着フィルムの貼着、ダイシングテープの貼着に移行させることができる。   The wafer processing apparatus of the present invention includes a configuration in which a grinding means for grinding and thinning the back surface of the wafer held on the suction table is added. According to this form, the back surface of the wafer is first ground by the grinding means to thin the wafer to a target thickness, and then the wafer is transferred to the adhesive film attaching means and the dicing tape attaching means by rotating the index table. By the adhering means, adhering of the adhesive film and adhering of the dicing tape are performed. By providing the grinding means, there is no need to transfer the wafer ground by another grinding device to the suction table of this device, and there is no risk of damaging the thinned wafer. It is possible to shift to sticking.

本発明によれば、ウエーハを吸着テーブルに保持したまま、接着フィルムの貼着からダイシングテープの貼着を行うことができ、したがってこれら工程間でのウエーハの破損を防止することができる。また、２つの貼着工程を一連に実施することができるため、装置の省スペース化に伴うコスト低減が図られる。さらに、吸着テーブルに加熱手段とともに冷却手段を設けたので、接着フィルムを貼着した後の冷却時間を大幅に短縮することができ、生産性を向上させることができる。   According to the present invention, the dicing tape can be attached from the adhesive film while the wafer is held on the suction table, and therefore the wafer can be prevented from being damaged between these steps. Moreover, since two sticking processes can be implemented in series, cost reduction accompanying the space saving of the apparatus can be achieved. Furthermore, since the suction means is provided with the cooling means along with the heating means, the cooling time after the adhesive film is stuck can be greatly shortened, and the productivity can be improved.

以下、図面を参照して本発明の一実施形態を説明する。
［１］半導体ウエーハ
図１は、本実施形態のウエーハ加工装置によって裏面にボンディング用接着フィルムおよびダイシングテープが貼着される円盤状の半導体ウエーハ（以下ウエーハと略称）を示している。このウエーハ１はシリコンウエーハ等であって、予め所定厚さ（例えば２００〜１００μｍ程度、あるいは５０μｍ程度）に薄化されている。 Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.
[1] Semiconductor Wafer FIG. 1 shows a disk-shaped semiconductor wafer (hereinafter abbreviated as a wafer) in which a bonding adhesive film and a dicing tape are attached to the back surface by the wafer processing apparatus of the present embodiment. The wafer 1 is a silicon wafer or the like, and is previously thinned to a predetermined thickness (for example, about 200 to 100 μm or about 50 μm).

ウエーハ１の表面には、格子状の分割予定ライン２によって複数の矩形状の半導体チップ（デバイス）３が区画されており、これら半導体チップ３の表面には、ＩＣやＬＳＩ等の図示せぬ電子回路が形成されている。ウエーハ１の周面の所定箇所には、半導体の結晶方位を示すＶ字状の切欠き（ノッチ）６が形成されている。ウエーハ１は、最終的には分割予定ライン２に沿って切断、分割され、裏面に接着フィルムが貼着された複数の半導体チップ３に個片化される。   A plurality of rectangular semiconductor chips (devices) 3 are partitioned on the surface of the wafer 1 by grid-like division planned lines 2. On the surface of the semiconductor chip 3, an electronic device (not shown) such as an IC or LSI is provided. A circuit is formed. A V-shaped notch (notch) 6 indicating the crystal orientation of the semiconductor is formed at a predetermined location on the peripheral surface of the wafer 1. The wafer 1 is finally cut and divided along the division line 2 and is singulated into a plurality of semiconductor chips 3 having an adhesive film attached to the back surface.

ウエーハ１の表面には、電子回路を保護するなどの目的で保護テープ７が貼着されている。保護テープ７は、裏面研削する前に予め貼着され、ウエーハ１は保護テープ７が貼着されたまま、引き続き本実施形態のウエーハ加工装置に供される。保護テープ７は、例えば厚さ１００〜２００μｍ程度のポリエチレンやポリオレフィンシートの片面に１０μｍ程度の粘着剤を塗布した構成のものが用いられる。   A protective tape 7 is attached to the surface of the wafer 1 for the purpose of protecting the electronic circuit. The protective tape 7 is attached in advance before the back surface grinding, and the wafer 1 is continuously supplied to the wafer processing apparatus of this embodiment while the protective tape 7 is attached. As the protective tape 7, for example, one having a configuration in which an adhesive of about 10 μm is applied to one side of a polyethylene or polyolefin sheet having a thickness of about 100 to 200 μm is used.

［２］ウエーハ加工装置
図２は一実施形態に係るウエーハ加工装置１０Ａの斜視図であり、図３は該装置１０Ａの平面図である。このウエーハ加工装置１０Ａは、上面が水平な直方体状の装置ベース１０ａ上に、各種機構ならびに機構間の移送手段等を配設した構成となっている。図１には、装置ベース１０ａの幅方向、長手方向および鉛直方向を、それぞれＸ・Ｙ・Ｚの軸方向で示している。 [2] Wafer Processing Apparatus FIG. 2 is a perspective view of a wafer processing apparatus 10A according to an embodiment, and FIG. 3 is a plan view of the apparatus 10A. The wafer processing apparatus 10A has a configuration in which various mechanisms and transfer means between the mechanisms are arranged on a rectangular parallelepiped apparatus base 10a whose upper surface is horizontal. In FIG. 1, the width direction, the longitudinal direction, and the vertical direction of the apparatus base 10 a are shown as X, Y, and Z axial directions, respectively.

図１に示したウエーハ１は、ウエーハキャリア１１に表面を上にして水平に配置され、さらに縦に複数枚が並べられて収納される。ウエーハキャリア１１は２つあり、それぞれ装置ベース１０ａに併設されたウエーハキャリアステージ１２上に載置されている。ウエーハキャリア１１内のウエーハ１は、ウエーハ移送用の多関節型ピックアップロボット１３によって引き出され、位置決めステージ２０に移送される。   The wafer 1 shown in FIG. 1 is disposed horizontally on a wafer carrier 11 with the surface facing up, and a plurality of sheets are further arranged vertically. There are two wafer carriers 11, each mounted on a wafer carrier stage 12 provided in the apparatus base 10a. The wafer 1 in the wafer carrier 11 is pulled out by the articulated pickup robot 13 for transferring the wafer and transferred to the positioning stage 20.

ピックアップロボット１３は、スライダ１４上に固定されている。スライダ１４は、Ｘ方向に延びる一対のガイドレール１５に摺動自在に装着され、モータ１６によって駆動されるボールネジ送り機構１７によって、Ｘ方向に移動可能とされている。ピックアップロボット１３は、真空吸着機構を備えたパッド１３ａと４軸の多関節アーム１３ｂを備えている。多関節アーム１３ｂは、図示しない機構によって昇降可能とされている。パッド１３ａは、多関節アーム１３ｂによってＸ−Ｙ平面内において自在に移動する。また、パッド１３ａは、その上にウエーハ１を吸着、保持した状態で、１８０°上下を反転させることができる機能を備えている。   The pickup robot 13 is fixed on the slider 14. The slider 14 is slidably mounted on a pair of guide rails 15 extending in the X direction, and can be moved in the X direction by a ball screw feeding mechanism 17 driven by a motor 16. The pickup robot 13 includes a pad 13a having a vacuum suction mechanism and a four-axis articulated arm 13b. The articulated arm 13b can be moved up and down by a mechanism (not shown). The pad 13a moves freely in the XY plane by the articulated arm 13b. Further, the pad 13a has a function capable of reversing up and down by 180 ° in a state where the wafer 1 is attracted and held thereon.

ウエーハキャリア１１からウエーハ１を引き出す際には、スライダ１４がＸ軸方向に動いて一方のウエーハキャリア１１に正対し、次いで多関節アーム１３ｂが上下に動いて移送対象となるウエーハ１の高さに合うようにパッド１３ａの高さが調整され、さらに多関節アーム１３ｂを伸ばしてパッド１３ａを当該ウエーハ１の下に差し込む。そして、パッド１３ａを少し持ち上げ、その真空吸着機構によりウエーハ１の裏面側を吸着し、次いで多関節アーム１３ｂを縮めることで、ウエーハ１をウエーハキャリア１１から引き出す。   When the wafer 1 is pulled out from the wafer carrier 11, the slider 14 moves in the X-axis direction to face one wafer carrier 11, and then the articulated arm 13 b moves up and down to the height of the wafer 1 to be transferred. The height of the pad 13a is adjusted so that it fits, and the articulated arm 13b is further extended to insert the pad 13a under the wafer 1. Then, the pad 13a is lifted up slightly, the back surface side of the wafer 1 is sucked by the vacuum suction mechanism, and then the articulated arm 13b is contracted to pull out the wafer 1 from the wafer carrier 11.

この際、上述したパッド１３ａの上下反転機構により、適当なタイミングにおいてウエーハキャリア１１から引き出されたウエーハ１の表裏が反転される。パッド１３ａに吸着された状態で表裏が反転されたウエーハ１は、ピックアップロボット１３の多関節アーム１３ｂの回転および伸縮動作によって、次に説明する位置決めステージ２０上に裏面を上に向けて露出した状態で移される。   At this time, the front and back of the wafer 1 pulled out from the wafer carrier 11 at an appropriate timing is reversed by the above-described upside down mechanism of the pad 13a. The wafer 1 whose front and back are reversed while being attracted to the pad 13a is exposed on the positioning stage 20 described below with the back side facing up by the rotation and expansion / contraction operation of the articulated arm 13b of the pickup robot 13. Moved on.

位置決めステージ２０は、真空吸着機構と回転機構を有するテーブル２０ａと、テーブル２０ａの周囲に均等間隔で配された複数の位置決めピン２１とを備えている。テーブル２０ａは、エンコーダ付きＡＣサーボモータによって回転が制御され、ウエーハ１のノッチ６の位置を所定の角度位置で停止させることができるようにされている。位置決めピン２１は、ウエーハ１の中心に向かって同時に駆動され、常に一定の位置でテーブル２０ａの回転中心とウエーハ１の中心とが合致されるように作動する。   The positioning stage 20 includes a table 20a having a vacuum suction mechanism and a rotation mechanism, and a plurality of positioning pins 21 arranged at equal intervals around the table 20a. The rotation of the table 20a is controlled by an AC servomotor with an encoder so that the position of the notch 6 of the wafer 1 can be stopped at a predetermined angular position. The positioning pins 21 are driven simultaneously toward the center of the wafer 1 and operate so that the rotation center of the table 20a and the center of the wafer 1 are always aligned at a fixed position.

また、位置決めステージ２０は、投光受光式センサを用いたノッチセンサ２２を備えている。ノッチセンサ２２は、ウエーハ１のノッチ６の位置を検出する。位置決めステージ２０のテーブル２０ａを回転させ、ノッチセンサ２２によってノッチ６の位置を検出し、ノッチ６の位置を規準としてさらにウエーハ１を回転させることで、チャックテーブル（吸着テーブル）４０上に保持されるウエーハ１のノッチ６の位置決めがなされる。   The positioning stage 20 includes a notch sensor 22 using a light projecting / receiving sensor. The notch sensor 22 detects the position of the notch 6 of the wafer 1. The table 20a of the positioning stage 20 is rotated, the position of the notch 6 is detected by the notch sensor 22, and the wafer 1 is further rotated with the position of the notch 6 as a reference, thereby being held on the chuck table (suction table) 40. The notch 6 of the wafer 1 is positioned.

位置決めステージ２０上において位置決めがなされたウエーハ１は、真空吸着機構を備えた吸着パッド３０を先端に備えた移送アーム３１により、裏面を上に向けて露出した状態でチャックテーブル４０に移される。吸着パッド３０は真空吸着機構を有し、移送アーム３１は、図示しない機構で旋回するとともに昇降可能とされている。ウエーハ１を保持するチャックテーブル４０は、回転機構と真空吸着機構とを有し、装置ベース１０ａに回転可能に支持されたインデックステーブル４１上に、均等な角度位置になるように４つ配置されている。   The wafer 1 positioned on the positioning stage 20 is transferred to the chuck table 40 with the back surface exposed upward by a transfer arm 31 having a suction pad 30 provided with a vacuum suction mechanism at the tip. The suction pad 30 has a vacuum suction mechanism, and the transfer arm 31 is turned by a mechanism (not shown) and can be raised and lowered. Four chuck tables 40 that hold the wafer 1 have a rotation mechanism and a vacuum suction mechanism, and are arranged on the index table 41 that is rotatably supported by the apparatus base 10a so as to be at equal angular positions. Yes.

これら４つのチャックテーブル４０は、図示せぬエンコーダ付きＡＣサーボモータによって回転が制御される。これにより、チャックテーブル４０上に真空吸着機構によって吸着、保持されたウエーハ１のノッチ６の位置が、回転後に常に一定の角度位置になるようにされている。   The rotations of these four chuck tables 40 are controlled by an AC servomotor with an encoder (not shown). As a result, the position of the notch 6 of the wafer 1 sucked and held on the chuck table 40 by the vacuum suction mechanism is always at a constant angular position after the rotation.

図４に示すように、各チャックテーブル４０はインデックステーブル４１に貫通するチャックテーブルベース４２の上面に一体に固定されており、チャックテーブル４０はチャックテーブルベース４２ごと図示せぬ上記サーボモータによって回転駆動される。チャックテーブルベース４２は、下端面の中心にサーボモータに連結される駆動軸４３を有している。   As shown in FIG. 4, each chuck table 40 is integrally fixed to the upper surface of a chuck table base 42 penetrating the index table 41, and the chuck table 40 is rotationally driven by the servo motor (not shown) together with the chuck table base 42. Is done. The chuck table base 42 has a drive shaft 43 connected to a servo motor at the center of the lower end surface.

チャックテーブルベース４２の上面には、図５に示すように、ほぼ全面にわたって１本の循環溝（流体循環路）４４がジグザグ状に形成されている。この循環溝４４は、チャックテーブル４０によって上方が閉塞され、水の通路となっている。循環溝４４の一端および他端は、それぞれ入口端４４ａおよび出口端４４ｂとされている。そして、チャックテーブルベース４２および駆動軸４３には、入口端４４ａに通じる給水路５０が、また、出口端４４ｂに通じる排水路６０が、それぞれ形成されている。なお、水の通路としての循環溝は本実施形態のようにジグザグ状に限らず、渦巻き状など、チャックテーブルベース４２の上面のほぼ全面にわたって形成されていればいかなる形態であってもよい。   On the upper surface of the chuck table base 42, as shown in FIG. 5, one circulation groove (fluid circulation path) 44 is formed in a zigzag shape over almost the entire surface. The circulation groove 44 is closed at the top by the chuck table 40 to form a water passage. One end and the other end of the circulation groove 44 are an inlet end 44a and an outlet end 44b, respectively. The chuck table base 42 and the drive shaft 43 are respectively formed with a water supply path 50 leading to the inlet end 44a and a drainage path 60 leading to the outlet end 44b. The circulation groove as the water passage is not limited to the zigzag shape as in the present embodiment, but may be in any form as long as it is formed over substantially the entire upper surface of the chuck table base 42 such as a spiral shape.

チャックテーブルベース４２の駆動軸４３には、ロータリージョイント７０のインナー７１が固定されている。ロータリージョイント７０は、円筒状のアウター７２と、アウター７２に回転自在に支持されたインナー７１とからなるもので、インナー７１には、駆動軸７３の給水路５０および排水路６０の各端部から、インナー７１の外周面に開口する給水側接続路５１および排水側接続路６１がそれぞれ形成されている。インナー７１の外周面には、給水側接続路５１および排水側接続路６１の各開口に連通する周溝５２，６２が全周にわたってそれぞれ形成されており、アウター７２には、各周溝５２，６２に連通する給水口５３および排水口６３がそれぞれ形成されている。   An inner 71 of the rotary joint 70 is fixed to the drive shaft 43 of the chuck table base 42. The rotary joint 70 includes a cylindrical outer 72 and an inner 71 that is rotatably supported by the outer 72. The inner 71 is connected to each end of the water supply channel 50 and the drainage channel 60 of the drive shaft 73. A water supply side connection path 51 and a drainage side connection path 61 are formed in the outer peripheral surface of the inner 71, respectively. Circumferential grooves 52 and 62 communicating with the openings of the water supply side connection path 51 and the drainage side connection path 61 are formed on the outer peripheral surface of the inner 71 over the entire circumference, respectively. A water supply port 53 and a water discharge port 63 communicating with 62 are formed.

さらに、給水口５３には給水管５４が接続され、排水口６３には排水管６４が接続されている。そして、給水管５４には、給水側切り替えバルブ５５を介して、熱水供給源に接続される熱水供給管５６Ｈと冷水供給源に接続される冷水供給管５６Ｃとが接続されており、排水管６４には、排水側切り替えバルブ６５を介して、熱排水管６６Ｈと冷排水管６６Ｃとが接続されている。   Further, a water supply pipe 54 is connected to the water supply port 53, and a drainage pipe 64 is connected to the drainage port 63. Further, a hot water supply pipe 56H connected to the hot water supply source and a cold water supply pipe 56C connected to the cold water supply source are connected to the water supply pipe 54 via a water supply side switching valve 55. A heat drain pipe 66H and a cold drain pipe 66C are connected to the pipe 64 via a drain side switching valve 65.

このような給水／排水経路が設けられていることにより、チャックテーブル４０は加熱されたり冷却されたりする。すなわち、循環溝４４を流通する熱水や冷水がチャックテーブル４０の下面に接触することにより、チャックテーブル４０は加熱されたり冷却されたりする。加熱する際には、給水側および排水側の各切り替えバルブ５５，６５を熱水側とし、熱水供給源から所定圧力で熱水を熱水供給管５６Ｈに送り込む。   By providing such a water supply / drainage path, the chuck table 40 is heated or cooled. That is, when hot water or cold water flowing through the circulation groove 44 contacts the lower surface of the chuck table 40, the chuck table 40 is heated or cooled. When heating, the switching valves 55 and 65 on the water supply side and the drain side are set to the hot water side, and hot water is sent from the hot water supply source to the hot water supply pipe 56H at a predetermined pressure.

熱水は、熱水供給管５６Ｈ、切り替えバルブ５５、給水管５４を経てロータリージョイント７０におけるアウター７２の給水口５３からインナー７１の給水接続路５１に至り、さらに給水路５０を通ってチャックテーブルベース４２の循環溝４４の入口端４４ａから循環溝４４に流入する。熱水は循環溝４４を循環し、この際に、熱水がチャックテーブル４０に接触して高熱が伝わり、チャックテーブル４０は加熱される。チャックテーブル４０が加熱されると、チャックテーブル４０に保持されているウエーハ１も加熱される。循環溝４４を循環し終えた熱水は、出口端４４ｂから排水路６０を通ってロータリージョイント７０におけるインナー７１の排水側接続路６１、アウター７２の排水口６３を経て排水管６４に至り、さらに排水側切り替えバルブ６５を通って熱排水管６６Ｈから排出される。   Hot water passes through the hot water supply pipe 56 </ b> H, the switching valve 55, and the water supply pipe 54 to the water supply port 53 of the outer 72 in the rotary joint 70 to the water supply connection path 51 of the inner 71, and further through the water supply path 50 to the chuck table base. It flows into the circulation groove 44 from the inlet end 44 a of the circulation groove 44 of 42. The hot water circulates in the circulation groove 44. At this time, the hot water contacts the chuck table 40 and high heat is transmitted, and the chuck table 40 is heated. When the chuck table 40 is heated, the wafer 1 held on the chuck table 40 is also heated. The hot water that has been circulated through the circulation groove 44 passes from the outlet end 44b through the drainage channel 60 to the drainage pipe 64 through the drainage side connection channel 61 of the inner 71 and the drainage port 63 of the outer 72 in the rotary joint 70. It is discharged from the heat drain pipe 66H through the drain side switching valve 65.

このようにして加熱されたチャックテーブル４０は、冷却水を循環溝４４に循環させることによって急冷される。チャックテーブル４０を冷却するには、給水側および排水側の各切り替えバルブ５５，６５を冷水側とし、冷水供給源から所定圧力で冷水を冷水供給管５６Ｃに送り込む。冷水は、上記と同じ経路で循環溝４４に対して供給、排出され、チャックテーブル４０は循環溝４４を循環する冷水によって冷却される。チャックテーブル４０が冷却されると、チャックテーブル４０に保持されているウエーハ１も冷却される。   The chuck table 40 heated in this manner is rapidly cooled by circulating cooling water through the circulation groove 44. In order to cool the chuck table 40, the switching valves 55 and 65 on the water supply side and the water discharge side are set to the cold water side, and cold water is fed from the cold water supply source to the cold water supply pipe 56C at a predetermined pressure. The cold water is supplied to and discharged from the circulation groove 44 through the same path as described above, and the chuck table 40 is cooled by the cold water circulating through the circulation groove 44. When the chuck table 40 is cooled, the wafer 1 held on the chuck table 40 is also cooled.

チャックテーブル４０は駆動軸４３を中心に回転するが、ロータリージョイント７０のアウター７２の給水口５３および排水口６３は、インナー７１の各周溝５２，６２を介して常に給水接続路５１および排水接続路６１にそれぞれ連通しているため、給排水はチャックテーブル４０が回転することに影響を受けず円滑になされる。チャックテーブル４０の加熱は接着フィルムの貼着時になされ、冷却はダイシングテープの貼着時になされる。   Although the chuck table 40 rotates about the drive shaft 43, the water supply port 53 and the drainage port 63 of the outer 72 of the rotary joint 70 are always connected to the water supply connection path 51 and the drainage connection via the circumferential grooves 52 and 62 of the inner 71. Since each channel 61 communicates with each other, the water supply / drainage is smoothly performed without being affected by the rotation of the chuck table 40. The chuck table 40 is heated when the adhesive film is stuck, and the cooling is made when the dicing tape is stuck.

図３に示すように、最初にＡ位置にあるチャックテーブル４０上に保持されたウエーハ１は、インデックステーブル４０が図３で反時計回りに９０°ずつ回転することで、Ｂ，Ｃ，Ｄの各位置に逐次移動させられる。ウエーハ１は、Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄの各位置で所定の処理を受ける。   As shown in FIG. 3, the wafer 1 first held on the chuck table 40 at the A position is rotated by 90 degrees counterclockwise in FIG. It is sequentially moved to each position. The wafer 1 is subjected to predetermined processing at positions A, B, C, and D.

図３のＡ位置でチャックテーブル４０に保持されたウエーハ１は、インデックステーブル４１の反時計回り方向への回転によりＢ位置に移送され、該Ｂ位置で、接着フィルム貼着機構（接着フィルム貼着手段）１００により裏面にボンディング用接着フィルムが貼着される。接着フィルムは、ウエーハ１の分割により個片化された半導体チップ３を、基板や他の半導体チップに接着する際の接着手段であり、前述のＤＡＦとも呼ばれるものである。接着フィルムは、エポキシやポリイミドなどの熱硬化性または熱可塑性樹脂を５〜１００μｍ程度の厚さに調整した樹脂フィルムであり、予めウエーハ１と同じサイズに打ち抜かれたものが、離型機能を有するＰＥＴ等の薄膜フィルムからなる長尺状の基台シート１０１に貼着されている。したがって図２等では基台シート１０１を図示し、接着フィルムの図示は省略する。   The wafer 1 held on the chuck table 40 at the position A in FIG. 3 is transferred to the position B by the counterclockwise rotation of the index table 41. At the position B, an adhesive film attaching mechanism (adhesive film attaching) (Means) A bonding adhesive film is adhered to the back surface by means 100. The adhesive film is an adhesive means for bonding the semiconductor chip 3 separated by dividing the wafer 1 to a substrate or another semiconductor chip, and is also referred to as the aforementioned DAF. The adhesive film is a resin film in which a thermosetting or thermoplastic resin such as epoxy or polyimide is adjusted to a thickness of about 5 to 100 μm, and a film that has been punched into the same size as the wafer 1 in advance has a release function. It is stuck to a long base sheet 101 made of a thin film such as PET. Accordingly, in FIG. 2 and the like, the base sheet 101 is illustrated, and the illustration of the adhesive film is omitted.

接着フィルム貼着機構１００は、基台シート１０１が巻かれて該基台シート１０１をロール状に蓄積する送り出しローラ１０２と、送り出しローラ１０２から基台シート１０１を引き出すガイドローラ１０３と、引き出された基台シート１０１の下面に配された接着フィルムを、Ｂ位置にあるウエーハ１の裏面に押し付けながら転動して貼り付ける貼り付けローラ（押圧ローラ）１０４と、ウエーハ１へ貼着される部分の接着フィルムが剥離して不要となった基台シート１０１を巻き取る巻き取りローラ１０５と、貼り付けローラ１０４から巻き取りローラ１０５に基台シート１０１をガイドするガイドローラ１０６とを備えている。   The adhesive film adhering mechanism 100 is pulled out by a feed roller 102 in which the base sheet 101 is wound and accumulated in a roll shape, and a guide roller 103 that pulls out the base sheet 101 from the feed roller 102. An adhesive roller (pressing roller) 104 that rolls and attaches the adhesive film disposed on the lower surface of the base sheet 101 against the back surface of the wafer 1 at the B position, and a portion that is attached to the wafer 1. A take-up roller 105 that winds up the base sheet 101 that has become unnecessary after the adhesive film is peeled off, and a guide roller 106 that guides the base sheet 101 from the attaching roller 104 to the take-up roller 105 are provided.

これら各ローラ１０２〜１０６は、ローラベース１０７に支持されている。ローラベース１０７は、巻き取りローラ１０５を回転させるための回転機構（図示省略）を備えている。また、ローラベース１０７には、貼り付けローラ１０４の貼り付け動作をガイドするループ状のガイドスリット１０７ａが形成されており、さらにローラベース１０７には、貼り付けローラ１０４をガイドスリット１０７ａに沿って一方向に周回移動させる図示せぬ駆動機構が装備されている。   Each of these rollers 102 to 106 is supported by a roller base 107. The roller base 107 includes a rotation mechanism (not shown) for rotating the take-up roller 105. The roller base 107 is formed with a loop-shaped guide slit 107a for guiding the attaching operation of the attaching roller 104. Further, the roller base 107 is provided with the attaching roller 104 along the guide slit 107a. A drive mechanism (not shown) that moves around in the direction is provided.

この駆動機構により、貼り付けローラ１０４はガイドスリット１０７ａの底辺側の水平部をインデックステーブル４１の中心方向に移動し、基台シート１０１をウエーハ１に押圧しながら接着フィルムをウエーハ１の裏面に貼着する。この後、貼り付けローラ１０４は上方に退避しながら後方の送り出しローラ１０２方向にＵターンし、再び接着フィルムの貼り付け開始点に戻って次の貼り付け動作に移る。   By this drive mechanism, the affixing roller 104 moves the horizontal part on the bottom side of the guide slit 107 a toward the center of the index table 41, and affixes the adhesive film on the back surface of the wafer 1 while pressing the base sheet 101 against the wafer 1. To wear. Thereafter, the affixing roller 104 makes a U-turn in the direction of the rear feed roller 102 while retreating upward, returns to the adhesive film affixing start point, and moves to the next affixing operation.

図６に示すように、貼り付けローラ１０４は、熱伝導性が高いアルミニウム等の金属からなる円筒状のローラ基材１１０の外周面に弾力性を有するシリコンゴム層１１１が形成されたものである。貼り付けローラ１０４は、ローラ基材１１０の両端部に固定された円盤状の端板１１２に、ローラ基材１１０の中心を貫通する回転軸１１３の両端部が回転自在に取り付けられることにより、回転軸１１３に回転自在に支持されている。回転軸１１３の内部には棒状の電熱式ヒータ（ローラ加熱手段）１１４が貫通して固定されており、この内部ヒータ１１４によって貼り付けローラ１０４は加熱されるようになっている。   As shown in FIG. 6, the affixing roller 104 is formed by forming a resilient silicon rubber layer 111 on the outer peripheral surface of a cylindrical roller base 110 made of a metal such as aluminum having high thermal conductivity. . The affixing roller 104 is rotated by both ends of a rotary shaft 113 passing through the center of the roller base 110 being rotatably attached to disk-shaped end plates 112 fixed to both ends of the roller base 110. The shaft 113 is rotatably supported. A rod-shaped electric heater (roller heating means) 114 is fixed through the rotating shaft 113, and the application roller 104 is heated by the internal heater 114.

また、回転軸１１３の一端部には、貼り付け方向の前方に延びるアーム１１５が固定されており、このアーム１１５の先端には、貼り付けローラ１０４に近接して平行に延びる棒状の外部ヒータ（ウエーハ裏面加熱手段）１１６が固定されている。この外部ヒータ１１６は内部ヒータ１１４と同様のものが用いられる。チャックテーブル４０上に保持されたウエーハ１は、外部ヒータ１１６によって接着フィルムが貼り付けられる直前に加熱され、これによって接着フィルムはウエーハ１から加熱される。これに加えて、接着フィルムは内部ヒータ１１４によっても加熱される。このように接着フィルムは加熱されながらウエーハ１の裏面に貼着される。なお、これらヒータ１１４，１１６としては、例えば日本ヒーター社製の「遠赤外線カートリッジヒータ」などが好適に用いられる。   Further, an arm 115 extending forward in the attaching direction is fixed to one end of the rotating shaft 113, and a rod-shaped external heater (adjacent to the attaching roller 104) is attached to the tip of the arm 115. Wafer back surface heating means) 116 is fixed. The external heater 116 is the same as the internal heater 114. The wafer 1 held on the chuck table 40 is heated immediately before the adhesive film is attached by the external heater 116, whereby the adhesive film is heated from the wafer 1. In addition to this, the adhesive film is also heated by the internal heater 114. In this manner, the adhesive film is stuck to the back surface of the wafer 1 while being heated. As these heaters 114 and 116, for example, “far infrared cartridge heater” manufactured by Nippon Heater Co., Ltd. is preferably used.

図３のＢ位置でウエーハ１の裏面に接着フィルムの貼着が行われた後、チャックテーブル４０に保持されたウエーハ１はインデックステーブル４１の反時計回り方向への回転により図３のＣ位置に移送され、該Ｃ位置で、貼着された接着フィルムがキュアパッド（キュア手段）２００によって加熱され、ウエーハ裏面への接着フィルムの貼着が強固とされる。キュアパッド２００は、アーム２０１を介して装置ベース１０ａに水平旋回自在に設けられ、アーム２０１の旋回方向と平行な下面が、加熱面とされている。   After the adhesive film is attached to the back surface of the wafer 1 at the position B in FIG. 3, the wafer 1 held on the chuck table 40 is moved to the position C in FIG. 3 by rotating the index table 41 counterclockwise. At the position C, the adhered adhesive film is heated by the cure pad (curing means) 200, and the adhesion of the adhesive film to the back surface of the wafer is strengthened. The cure pad 200 is provided on the apparatus base 10a through the arm 201 so as to be able to turn horizontally. The lower surface parallel to the turning direction of the arm 201 is a heating surface.

キュアパッド２００には、例えば図７に示すように、複数の棒状のヒータ２０１が間隔をおいて平行に内部に挿入されている。ヒータ２０１は、上記貼り付けローラ１０４に設けられたヒータ１１４，１１６と同様のものを適用することができる。キュアパッド２００は、インデックステーブル４１上から外れた退避位置から、アーム２０１が旋回することにより、Ｃ位置に移動したウエーハ１の裏面に貼着された接着フィルム上に、例えば数ｍｍの間隔をおいて対向し、接着フィルムを１５０〜１８０℃で加熱してキュアする。   For example, as shown in FIG. 7, a plurality of rod-shaped heaters 201 are inserted into the cure pad 200 in parallel with intervals. The heater 201 can be the same as the heaters 114 and 116 provided on the sticking roller 104. The cure pad 200 has an interval of, for example, a few mm on the adhesive film attached to the back surface of the wafer 1 moved to the C position when the arm 201 turns from the retracted position removed from the index table 41. Then, the adhesive film is cured by heating at 150 to 180 ° C.

図３のＣ位置で接着フィルムがキュアされたウエーハ１は、インデックステーブル４１が図３で反時計回り方向に回転することによりＤ位置に移送され、該Ｄ位置で、図８に示すダイシングテープ８０が貼着される。装置ベース１０ａ上には、Ｄ位置にあるウエーハ１にダイシングテープ８０を貼着するダイシングテープ貼着機構（ダイシングテープ貼着手段）３００と、Ｄ位置にあるウエーハ１上にダイシングテープ８０を移送するダイシングテープ移送機構４００とが設けられている。   The wafer 1 having the cured adhesive film at the position C in FIG. 3 is transferred to the position D when the index table 41 rotates counterclockwise in FIG. 3, and the dicing tape 80 shown in FIG. Is pasted. On the apparatus base 10a, the dicing tape sticking mechanism (dicing tape sticking means) 300 for sticking the dicing tape 80 to the wafer 1 at the D position, and the dicing tape 80 is transferred onto the wafer 1 at the D position. A dicing tape transfer mechanism 400 is provided.

ダイシングテープ８０は、例えば、厚さ１００μｍ程度のポリ塩化ビニルを基材とし、その片面に厚さ５μｍ程度でアクリル樹脂系の粘着剤が塗布された粘着テープが用いられる。ダイシングテープ８０の粘着面（図８（ｂ）で下面）には、ウエーハ１の直径よりも大きな内径を有する環状のダイシングフレーム８１が貼り付けられる。ダイシングフレーム８１は剛性を有する金属板等からなるもので、ウエーハ１はダイシングテープ８０に貼り付けられ、ダイシングフレーム８１を保持することにより移送等の取扱いがなされる。図８（ａ）に示すようにダイシングフレーム８１の外周縁は矩形状を呈しており、一辺には、間隔をおいて一対のＶ字状の切欠き８１ａが形成されている。以降、ダイシングテープ８０にダイシングフレーム８１が貼り付けられたものをダイシングテープフレーム８２と称する。   As the dicing tape 80, for example, a pressure-sensitive adhesive tape having a base of polyvinyl chloride having a thickness of about 100 μm and an acrylic resin-based pressure-sensitive adhesive having a thickness of about 5 μm applied to one surface thereof is used. An annular dicing frame 81 having an inner diameter larger than the diameter of the wafer 1 is attached to the adhesive surface (the lower surface in FIG. 8B) of the dicing tape 80. The dicing frame 81 is made of a rigid metal plate or the like, and the wafer 1 is affixed to a dicing tape 80, and handling such as transfer is performed by holding the dicing frame 81. As shown in FIG. 8A, the outer peripheral edge of the dicing frame 81 has a rectangular shape, and a pair of V-shaped notches 81a are formed on one side at intervals. Hereinafter, the dicing tape 81 with the dicing frame 81 attached thereto is referred to as a dicing tape frame 82.

ダイシングテープフレーム８２は、図２および図３に示すフレームカセット５００に、図８（ｂ）に示すようにダイシングテープ８０の粘着面を下に向けた状態で、複数枚が水平に縦に並べて収納される。フレームカセット５００は、装置ベース１０ａに併設されたフレームカセットステージ５０１上に載置され、エレベータ５０２によって昇降可能とされている。   The dicing tape frame 82 is stored in the frame cassette 500 shown in FIGS. 2 and 3 with a plurality of pieces arranged horizontally and vertically with the adhesive surface of the dicing tape 80 facing down as shown in FIG. 8B. Is done. The frame cassette 500 is placed on a frame cassette stage 501 provided in the apparatus base 10 a and can be moved up and down by an elevator 502.

ダイシングテープ貼着機構３００は、ダイシングテープ８０をウエーハ１に押し付けて貼着する押し付けローラ３１０と、この押し付けローラ３１０を鉛直方向に昇降させる昇降シリンダ３２０と、この昇降シリンダ３２０を水平方向（この場合Ｙ方向）に移動させる水平移動機構３３０とを備えている。押し付けローラ３１０は、適度な弾性を有するゴム等の弾性体で表面が構成されたもので、ローラフレーム３１１が備えるＸ方向に延びる回転軸に回転自在に支持されている。   The dicing tape attaching mechanism 300 includes a pressing roller 310 that presses and attaches the dicing tape 80 to the wafer 1, an elevating cylinder 320 that elevates and lowers the pressing roller 310 in a vertical direction, and the elevating cylinder 320 in a horizontal direction (in this case). And a horizontal movement mechanism 330 that moves in the Y direction). The pressing roller 310 has a surface made of an elastic body such as rubber having appropriate elasticity, and is rotatably supported by a rotation shaft extending in the X direction provided in the roller frame 311.

水平方向に延びる水平移動機構３３０は、装置ベース１０ａに立設された一対の支柱３４０の先端に固定されており、昇降シリンダ３２０は、水平移動機構３３０が備えたモータ３３１によって駆動されるボールネジ送り機構３３２により水平移動機構３３０に沿って移動するようになされている。押し付けローラ３１０は、昇降シリンダ３３０によってウエーハ１の一端部上方に適宜な間隔をおいて位置付けられ、その状態から水平移動機構３３０によって水平移動することにより、ダイシングテープ８０を接着フィルムに押圧しながら転動してダイシングテープ８０をウエーハ１に貼着する。   The horizontal movement mechanism 330 extending in the horizontal direction is fixed to the tips of a pair of support columns 340 erected on the apparatus base 10 a, and the elevating cylinder 320 is a ball screw feed driven by a motor 331 provided in the horizontal movement mechanism 330. The mechanism 332 moves along the horizontal movement mechanism 330. The pressing roller 310 is positioned above the one end portion of the wafer 1 by an elevating cylinder 330 at an appropriate interval, and is moved horizontally by the horizontal moving mechanism 330 from that state, thereby pressing the dicing tape 80 against the adhesive film. The dicing tape 80 is attached to the wafer 1 by moving.

図３に示すように、装置ベース１０ａのフレームカセット５００に近接した上面には、フレームカセット５００内に対して１枚のダイシングテープフレーム８２を出し入れする引き出しクランプ５１０が設けられている。この引き出しクランプ５１０は、装置ベース１０ａに形成されたＹ方向に延びる溝５１１内に、この溝５１１に沿って移動自在に設けられており、図示せぬ駆動機構によってフレームカセット５００とダイシングテープ移送機構４００との間を往復移動するようになされている。引き出しクランプ５１０によりダイシングフレーム８１を把持する際には、エレベータ５０２が適宜昇降して、引き出しクランプ５１０の位置に、フレームカセット５００内に収納されたダイシングフレーム８１の高さが合わせられる。   As shown in FIG. 3, on the upper surface of the apparatus base 10a close to the frame cassette 500, a drawer clamp 510 for taking in and out a single dicing tape frame 82 with respect to the inside of the frame cassette 500 is provided. The drawer clamp 510 is provided in a groove 511 formed in the apparatus base 10a extending in the Y direction so as to be movable along the groove 511. The frame cassette 500 and the dicing tape transfer mechanism are driven by a drive mechanism (not shown). 400 is reciprocated between the two. When the dicing frame 81 is gripped by the drawer clamp 510, the elevator 502 moves up and down as appropriate, and the height of the dicing frame 81 housed in the frame cassette 500 is adjusted to the position of the drawer clamp 510.

引き出しクランプ５１０によってフレームカセット５００から引き出されたダイシングテープフレーム８２は、ダイシングテープ移送機構４００によってダイシングテープ貼着機構３００に移送される。Ｄ位置は、引き出しクランプ５１０によるダイシングテープフレーム８２の引き出し方向の延長線上に位置している。   The dicing tape frame 82 drawn from the frame cassette 500 by the drawer clamp 510 is transferred to the dicing tape attaching mechanism 300 by the dicing tape transfer mechanism 400. The D position is located on an extension line in the pulling direction of the dicing tape frame 82 by the pulling clamp 510.

図９に示すように、ダイシングテープ移送機構４００は、引き出しクランプ５１０からダイシングテープフレーム８２を受け取るフレームクランプ４０１を有している。このフレームクランプ４０１はダイシングフレーム８１を把持するように構成されたもので、フレームクランプアーム４０２に取り付けられている。フレームクランプアーム４０２は、一端が昇降シリンダ４０３のピストン４０３ａの下端に固定され、ピストン４０３ａの下方に対する進退動作によって上下方向の位置調整がなされるようになっている。   As shown in FIG. 9, the dicing tape transfer mechanism 400 has a frame clamp 401 that receives the dicing tape frame 82 from the drawer clamp 510. The frame clamp 401 is configured to hold the dicing frame 81 and is attached to the frame clamp arm 402. One end of the frame clamp arm 402 is fixed to the lower end of the piston 403a of the elevating cylinder 403, and the position of the frame clamp arm 402 is adjusted in the vertical direction by an advance / retreat operation with respect to the lower side of the piston 403a.

昇降シリンダ４０３はブラケット４０４を介してアーム支持ベース４０５に固定され、アーム支持ベース４０５は、回転軸４０６を介して支持ブロック４０７に回転自在に支持されている。回転軸４０６は、支持ブロック４０７に固定されたフレームクランプ回転モータ４０８に駆動されて回転し、これに伴いアーム支持ベース４０５が回転し、同時にフレームクランプアーム４０２が水平方向に旋回するようになっている。   The elevating cylinder 403 is fixed to the arm support base 405 via the bracket 404, and the arm support base 405 is rotatably supported by the support block 407 via the rotation shaft 406. The rotating shaft 406 is rotated by being driven by a frame clamp rotation motor 408 fixed to the support block 407, so that the arm support base 405 is rotated, and at the same time, the frame clamp arm 402 is rotated in the horizontal direction. Yes.

支持ブロック４０７は、水平移動機構４３０が備えたモータ４３１によって駆動されるボールネジ送り機構４３２により水平移動機構４３０に沿って移動するようになされている。水平移動機構４３２は、装置ベース１０ａに立設された支柱４４０の先端に固定されている。フレームクランプアーム４０２は、水平移動機構４３０と装置ベース１０ａとの間の空隙を通って旋回するようになっている。フレームクランプアーム４０２は、昇降シリンダ４０３によって上下動し、フレームクランプ回転モータ４０８によって旋回し、さらに水平移動機構４３０により該水平移動機構４３０に沿って水平に移動するようになされ、これらの動きの組み合わせにより、フレームクランプ４０１に把持されたダイシングテープフレーム８２が、Ｄ位置にあるウエーハ１の直上に移送される。   The support block 407 is moved along the horizontal movement mechanism 430 by a ball screw feed mechanism 432 driven by a motor 431 provided in the horizontal movement mechanism 430. The horizontal movement mechanism 432 is fixed to the tip end of a support column 440 erected on the apparatus base 10a. The frame clamp arm 402 is configured to pivot through a gap between the horizontal movement mechanism 430 and the apparatus base 10a. The frame clamp arm 402 is moved up and down by a lifting cylinder 403, swung by a frame clamp rotation motor 408, and further moved horizontally along the horizontal movement mechanism 430 by a horizontal movement mechanism 430. A combination of these movements As a result, the dicing tape frame 82 held by the frame clamp 401 is transferred directly above the wafer 1 at the D position.

［３］ウエーハ加工装置の動作
次に、上記構成からなるウエーハ加工装置１０Ａの動作を説明する。まず、準備として、図１に示したウエーハ１が必要枚数収納されたウエーハキャリア１１をウエーハキャリアステージ１２上にセットする。また、図８に示したダイシングテープフレーム８２が必要枚数収納されたフレームカセット５００をフレームカセットステージ５０１上にセットする。ウエーハ１は、表面を上にしてウエーハキャリア１１に収納される。また、ダイシングテープフレーム８２は、図８（ｂ）に示すように、ダイシングフレーム８１の上にダイシングテープ８０が貼り付けられた状態で、かつ、切欠き８１ａが供給方向すなわちダイシングテープ移送機構４００側に位置する状態に、フレームカセット５００内に収納される。 [3] Operation of Wafer Processing Apparatus Next, the operation of the wafer processing apparatus 10A having the above configuration will be described. First, as a preparation, the wafer carrier 11 in which the required number of wafers 1 shown in FIG. 1 are stored is set on the wafer carrier stage 12. Further, the frame cassette 500 in which the required number of dicing tape frames 82 shown in FIG. 8 are stored is set on the frame cassette stage 501. The wafer 1 is housed in a wafer carrier 11 with the surface facing up. Further, as shown in FIG. 8B, the dicing tape frame 82 is in a state in which the dicing tape 80 is pasted on the dicing frame 81, and the notch 81a is in the supply direction, that is, the dicing tape transfer mechanism 400 side. Is housed in the frame cassette 500 in the state of

はじめに、ピックアップロボット１３によってウエーハキャリア１１から１枚のウエーハ１が引き出される。この際、ピックアップロボット１３は、パッド１３ａ上にウエーハ１の裏面側を載せた状態でウエーハ１を真空吸着し、ウエーハキャリア１１内からウエーハ１を引き出す。そして、パッド１３ａにウエーハ１を真空吸着させた状態において、パッド１３ａの表裏を反転させる。これにより、ウエーハ１は、半導体チップ３が形成された表面が下になり、上を向く裏面がパッド１３ａに吸着された状態となる。この状態で、ピックアップロボット１３によりウエーハ１は位置決めステージ２０のテーブル２０ａ上に裏面を上に向けた状態に載置される。   First, one wafer 1 is pulled out from the wafer carrier 11 by the pickup robot 13. At this time, the pickup robot 13 vacuum-sucks the wafer 1 with the back side of the wafer 1 placed on the pad 13 a and pulls the wafer 1 out of the wafer carrier 11. Then, in a state where the wafer 1 is vacuum-sucked to the pad 13a, the front and back of the pad 13a are reversed. As a result, the wafer 1 is in a state where the surface on which the semiconductor chip 3 is formed is down and the back surface facing upward is adsorbed by the pad 13a. In this state, the wafer 1 is placed on the table 20 a of the positioning stage 20 with the back surface facing upward by the pickup robot 13.

位置決めステージ２０では、複数の位置決めピン２１がウエーハ１の中心に向かって同時に駆動され、これによってウエーハ１はテーブル２０ａと同心状に位置決めされる。続いてウエーハ１がテーブル２０ａに真空吸着され、テーブル２０ａが回転してノッチセンサ２２によりノッチ６の位置が検出される。この後、ノッチ６が、所定位置にくるようにテーブル２０ａが回転する。この場合の所定位置は、Ｄ位置でウエーハ１の裏面側にダイシングテープ８０が貼着される際に、ノッチ６がダイシングフレーム８１の一対の切欠き８１ａの間に配される位置である。   In the positioning stage 20, a plurality of positioning pins 21 are simultaneously driven toward the center of the wafer 1, whereby the wafer 1 is positioned concentrically with the table 20a. Subsequently, the wafer 1 is vacuum-sucked on the table 20a, the table 20a rotates, and the position of the notch 6 is detected by the notch sensor 22. Thereafter, the table 20a rotates so that the notch 6 comes to a predetermined position. The predetermined position in this case is a position where the notch 6 is disposed between the pair of notches 81 a of the dicing frame 81 when the dicing tape 80 is attached to the back side of the wafer 1 at the D position.

次いで、移送アーム３１の吸着パッド３０をウエーハ１の上面すなわち裏面に吸着させ、テーブル２０ａによる真空吸着を解除し、移送アーム３１を旋回させてウエーハ１を図３のＡ位置に停止しているチャックテーブル４０上に移す。チャックテーブル４０は予め真空運転されており、ウエーハ１は載置と同時にチャックテーブル４０上に吸着、保持される。   Next, the suction pad 30 of the transfer arm 31 is attracted to the upper surface, that is, the back surface of the wafer 1, the vacuum suction by the table 20a is released, and the transfer arm 31 is rotated to stop the wafer 1 at the position A in FIG. Move to table 40. The chuck table 40 is previously operated in vacuum, and the wafer 1 is sucked and held on the chuck table 40 simultaneously with the placement.

次に、インデックステーブル４１が９０°反時計回り方向に回転し、ウエーハ１がＢ位置に移送される。Ｂ位置においては、チャックテーブルベース４２の循環溝４４に熱水を供給し、チャックテーブル４０を介してウエーハ１を加熱する。そして、貼り付けローラ１０４に設けた内部ヒータ１１４および外部ヒータ１１６に通電して加熱状態とし、貼り付けローラ１０４を備える接着フィルム貼着機構１００によって、ウエーハ１の裏面に、基台シート１０１に貼着された接着フィルムを貼着する。   Next, the index table 41 rotates 90 ° counterclockwise, and the wafer 1 is transferred to the B position. In the B position, hot water is supplied to the circulation groove 44 of the chuck table base 42 to heat the wafer 1 via the chuck table 40. Then, the internal heater 114 and the external heater 116 provided on the application roller 104 are energized to be in a heated state, and the adhesive film application mechanism 100 including the application roller 104 is applied to the base sheet 101 on the back surface of the wafer 1. Affix the attached adhesive film.

接着フィルム貼着機構１００は、送り出しローラ１０２で基台シート１０１を送り出しながら、貼り付けローラ１０４がスリットガイド１０７ａの底辺側の水平部をインデックステーブル４１の中心方向に移動することにより、基台シート１０１をウエーハ１の裏面に押圧しながら接着フィルムをウエーハに貼着し、この後、巻き取りローラ１０５で基台シート１０１を巻き取りながら貼り付けローラ１０４が上方に退避しつつ後方の送り出しローラ１０２方向にＵターンして貼り付け開始点に戻る。接着フィルムは、熱水で加熱されたウエーハ１と、外部ヒータ１１６と、さらには内部ヒータ１１４で加熱された貼り付けローラ１０４によって加熱され、熱特性が十分に発生しながらウエーハの裏面に貼着される。この時、貼り付けローラ１０４側には基台シート１０１が介在しているので、接着フィルムの加熱によって該接着フィルムが貼り付けローラ１０４に溶着するといった不具合は生じない。   The adhesive film sticking mechanism 100 moves the base sheet 101 by the feed roller 102 while the sticking roller 104 moves the horizontal part on the bottom side of the slit guide 107a toward the center of the index table 41, thereby causing the base sheet The adhesive film is stuck to the wafer while pressing the back surface of the wafer 1 on the wafer 1, and then the feeding roller 104 is retracted upward while winding the base sheet 101 with the take-up roller 105 and the rear feed roller 102. Make a U-turn in the direction and return to the starting point. The adhesive film is heated by the wafer 1 heated by hot water, the external heater 116, and further by the application roller 104 heated by the internal heater 114, and is adhered to the back surface of the wafer while sufficient thermal characteristics are generated. Is done. At this time, since the base sheet 101 is interposed on the affixing roller 104 side, there is no problem that the adhesive film is welded to the affixing roller 104 due to heating of the adhesive film.

次に、インデックステーブル４１が９０°反時計回りに回転し、ウエーハ１がＣ位置に移送される。Ｃ位置においては、アーム２０１が旋回してキュアパッド２００が接着フィルムに近接して対向し、接着フィルムがキュアパッド２００によって例えば１５０〜１８０℃で加熱され、接着フィルムのキュアがなされる。ここでは、まだチャックテーブル４０は熱水によって加熱されており、これによっても接着フィルムは加熱されている。   Next, the index table 41 rotates 90 ° counterclockwise, and the wafer 1 is transferred to the C position. At the position C, the arm 201 is rotated so that the cure pad 200 is close to and opposed to the adhesive film, and the adhesive film is heated by the cure pad 200 at, for example, 150 to 180 ° C. to cure the adhesive film. Here, the chuck table 40 is still heated by hot water, and the adhesive film is also heated by this.

次に、インデックステーブル４１が９０°反時計回りに回転し、ウエーハ１がＤ位置に移送される。Ｄ位置においては、図４に示した各切り替えバルブ５５，６５を冷水側に切り替え、チャックテーブルベース４２の循環溝４４への熱水の供給を停止するとともに、循環溝４４に冷水を供給する。冷水の供給により、加熱されていたチャックテーブル４０およびウエーハ１は、ダイシングテープ８０の貼着に支障のない温度まで冷却される。チャックテーブル４０およびウエーハ１が必要温度程度まで低下したら、次のようにしてダイシングテープ貼着機構３００によりウエーハ１の裏面の接着フィルムにダイシングテープフレーム８２のダイシングテープ８０が貼着される。   Next, the index table 41 rotates 90 ° counterclockwise, and the wafer 1 is transferred to the D position. At the position D, the switching valves 55 and 65 shown in FIG. 4 are switched to the cold water side to stop the supply of hot water to the circulation groove 44 of the chuck table base 42 and supply cold water to the circulation groove 44. By supplying the cold water, the heated chuck table 40 and wafer 1 are cooled to a temperature at which the dicing tape 80 is not stuck. When the chuck table 40 and the wafer 1 are lowered to the required temperature, the dicing tape 80 of the dicing tape frame 82 is attached to the adhesive film on the back surface of the wafer 1 by the dicing tape attaching mechanism 300 as follows.

まず、引き出しクランプ５１０が、フレームカセット５００内の１枚のダイシングテープフレーム８２のダイシングフレーム８１を把持し、次いでＤ位置方向に移動してダイシングテープフレーム８２をフレームカセット５００から引き出す。次に、ダイシングテープ移送機構４００における昇降シリンダ４０３のピストン４０３ａを下降させ、フレームクランプ４０１によってダイシングフレーム８１を把持するとともに、引き出しクランプ５１０による把持を解除して、ダイシングテープフレーム８２をフレームクランプ４０１に受け渡す。   First, the drawer clamp 510 grips the dicing frame 81 of one dicing tape frame 82 in the frame cassette 500, and then moves in the D position direction to pull out the dicing tape frame 82 from the frame cassette 500. Next, the piston 403 a of the elevating cylinder 403 in the dicing tape transfer mechanism 400 is lowered, the dicing frame 81 is gripped by the frame clamp 401, the gripping by the drawer clamp 510 is released, and the dicing tape frame 82 is attached to the frame clamp 401. Deliver.

続いて、ピストン４０３ａを上昇させてダイシングテープフレーム８２を持ち上げた後、アーム支持ベース４０５が、フレームクランプ回転モータ４０８によって図３で時計回りに回転し、ダイシングテープフレーム８２が破線の位置に移動する。次に、支持ブロック４０７を水平移動機構４３０によってＤ位置方向に移動させて、フレームクランプ４０１で把持したダイシングテープフレーム８２のダイシングテープ８０を、図１０（ａ）に示すようにＤ位置にあるウエーハ１の直上に位置付ける。ダイシングテープ８０は、ウエーハ１の上に数ｍｍ程度の間隔に近付けて配置されることが望ましい。   Subsequently, after the piston 403a is raised and the dicing tape frame 82 is lifted, the arm support base 405 is rotated clockwise in FIG. 3 by the frame clamp rotation motor 408, and the dicing tape frame 82 moves to the position of the broken line. . Next, the support block 407 is moved in the D position direction by the horizontal moving mechanism 430, and the dicing tape 80 of the dicing tape frame 82 gripped by the frame clamp 401 is moved to the wafer at the D position as shown in FIG. Position directly above 1. It is desirable that the dicing tape 80 is disposed on the wafer 1 so as to be close to an interval of about several mm.

次に、ダイシングテープ貼着機構３００の押し付けローラ３１０によってダイシングテープ８０をウエーハ１の裏面の接着フィルムに貼り付ける。押し付けローラ３１０は、図３に示すように予めＣ位置側で待機しており、まず、水平移動機構３３０によってダイシングテープ８０上に移動する。そして、押し付けローラ３１０は図１０（ａ）に示すように昇降シリンダ３２０によってダイシングテープ８０の表面に当たるまで下降してから、さらに下降して、ダイシングテープ８０の端部をウエーハ１の裏面に貼着された接着フィルムに押圧する。   Next, the dicing tape 80 is attached to the adhesive film on the back surface of the wafer 1 by the pressing roller 310 of the dicing tape attaching mechanism 300. As shown in FIG. 3, the pressing roller 310 is waiting in advance on the C position side, and first moves onto the dicing tape 80 by the horizontal movement mechanism 330. Then, as shown in FIG. 10A, the pressing roller 310 is lowered by the elevating cylinder 320 until it hits the surface of the dicing tape 80, and further lowered, and the end of the dicing tape 80 is attached to the back surface of the wafer 1. Press the applied adhesive film.

続いて図１０（ｂ）〜（ｃ）に示すように、押し付けローラ３１０は、ダイシングテープ８０を押圧しながらフレームクランプ４０１方向に向かって転動する。これによってダイシングテープ８０は接着フィルムに押し付けられ、貼着される。このように押し付けローラ３１０によってウエーハ１の裏面に対してダイシングテープ８０を一端側から他端側に向かって押し付けていくことにより、接着フィルムとダイシングテープ８０との間に空気が入ることなく、ダイシングテープ８０を貼着することができる。   Subsequently, as shown in FIGS. 10B to 10C, the pressing roller 310 rolls toward the frame clamp 401 while pressing the dicing tape 80. Thereby, the dicing tape 80 is pressed against the adhesive film and attached. In this way, by pressing the dicing tape 80 against the back surface of the wafer 1 from the one end side to the other end side by the pressing roller 310, air does not enter between the adhesive film and the dicing tape 80, and the dicing is performed. Tape 80 can be affixed.

チャックテーブル４０は、熱水の供給が停止したとしても予熱で加熱状態は継続し、このままの状態でダイシングテープ８０を貼着すると、ダイシングテープ８０の粘着剤が溶解してしまい正常に貼着することができないといった不具合が起こる。ところが本実施形態のウエーハ加工装置１０Ａでは、熱水の供給を停止して冷水の供給に切り替えることにより、チャックテーブル４０およびウエーハ１を急冷することができ、このため、ダイシングテープ８０は加熱されることなく正常に貼着される。   Even if the supply of hot water is stopped, the chuck table 40 continues to be heated by preheating, and when the dicing tape 80 is stuck in this state, the adhesive of the dicing tape 80 is dissolved and stuck normally. Troubles that cannot be done. However, in the wafer processing apparatus 10A of this embodiment, the chuck table 40 and the wafer 1 can be rapidly cooled by stopping the supply of hot water and switching to the supply of cold water, and thus the dicing tape 80 is heated. It is stuck normally without.

なお、貼り付けの最終段階ではダイシングフレーム８１とウエーハ１との上下方向のギャップによって貼り付けられていないダイシングテープ８０の端部が捲り上がった状態となって円滑に貼り付けにくくなる。そこで、例えば昇降シリンダ３２０をクッションバネで上下方向に移動可能なように弾性的に支持するなどして、フレームクランプ４０１がダイシングテープ８０に倣って下降するようにすれば、ダイシングテープ８０の密着性を上げることができるので好ましい。   In the final stage of pasting, the end of the dicing tape 80 that is not pasted due to the gap in the vertical direction between the dicing frame 81 and the wafer 1 is in a state of being rolled up, so that it is difficult to smoothly past. Therefore, if the frame clamp 401 is moved down following the dicing tape 80, for example, by elastically supporting the elevating cylinder 320 so as to be movable in the vertical direction by a cushion spring, the adhesion of the dicing tape 80 is improved. Can be increased.

以上のようにして、ダイシングテープ貼着機構３００によって裏面にダイシングテープ８０が貼着されたウエーハ１は、ダイシングテープ移送機構４００および引き出しクランプ５１０が上記と逆動作することにより、フレームカセット５００内に収容される。図１１は、ダイシングテープ８０にウエーハ１が貼着された状態をウエーハ１の表面側から見た図であり、ウエーハ１は、ダイシングフレーム８１の切欠き８１ａ間の中央にノッチ６が位置した状態でダイシングテープ８０に貼着される。   As described above, the wafer 1 having the dicing tape 80 attached to the back surface by the dicing tape attaching mechanism 300 is moved into the frame cassette 500 by the dicing tape transfer mechanism 400 and the drawer clamp 510 operating in reverse to the above. Be contained. FIG. 11 is a view of the state in which the wafer 1 is adhered to the dicing tape 80 as viewed from the front surface side of the wafer 1. The wafer 1 is in a state in which the notch 6 is located at the center between the notches 81 a of the dicing frame 81. Is attached to the dicing tape 80.

ウエーハ１は、ダイシングテープフレーム８２を介して保持され、次のダイシング工程に移される。ダイシング工程では、ウエーハ１はダイシング装置にダイシングテープフレーム８２ごと保持され、切削ブレードにより分割予定ライン２に沿って複数に分割され、裏面に接着フィルムが貼着された半導体チップ３に個片化される。   The wafer 1 is held via a dicing tape frame 82 and moved to the next dicing process. In the dicing process, the wafer 1 is held by the dicing device together with the dicing tape frame 82, divided into a plurality along the division line 2 by a cutting blade, and separated into semiconductor chips 3 having an adhesive film attached to the back surface. The

上記説明では１枚のウエーハ１がＡ〜Ｄの位置に移動しながら処理されているが、インデックステーブル４１上の各チャックテーブル４０には、後続してウエーハ１が次々に保持され、各位置全てにウエーハ１が位置付けられてそれぞれの位置で上記処理がなされるように運転される。   In the above description, one wafer 1 is processed while being moved to the positions A to D. However, the wafers 1 are successively held on each chuck table 40 on the index table 41, and all the positions are set. The wafer 1 is positioned at the same position, and the above processing is performed at each position.

上記実施形態のウエーハ加工装置１０Ａによれば、インデックステーブル４１を回転させることによりウエーハ１をチャックテーブル４０に保持したまま各処理位置（Ａ〜Ｄ）に移送させることができ、したがって、接着フィルムの貼着後にダイシングテープ８０を貼着する工程も、ウエーハ１を他のチャックテーブル４０に移し替えることなく、チャックテーブル４０に保持したまま実施することができる。したがって、接着フィルム貼着からダイシングテープ貼着の工程移行の際にウエーハ１に応力が加わらず、このため、ウエーハ１の破損を防止することができる。また、これら２つの貼着工程を一連に実施することができるため、生産性の向上が図られる。   According to the wafer processing apparatus 10A of the above embodiment, by rotating the index table 41, the wafer 1 can be transferred to each processing position (A to D) while being held on the chuck table 40. The step of sticking the dicing tape 80 after the sticking can also be performed while being held on the chuck table 40 without transferring the wafer 1 to another chuck table 40. Accordingly, no stress is applied to the wafer 1 during the transition from the adhesive film sticking to the dicing tape sticking process, and therefore the breakage of the wafer 1 can be prevented. Moreover, since these two sticking processes can be carried out in series, productivity can be improved.

また、接着フィルムの貼着の際にはチャックテーブル４０を熱水で加熱して接着フィルムが強固に接着されるように補助し、次のダイシングテープ貼着の際には、チャックテーブル４０を冷水で冷却してダイシングテープ８０の正常な貼着が達成できるようになっている。このようにチャックテーブル４０を加熱して接着フィルムを貼着し、次いで冷却してダイシングテープ８０を貼着する構成であるため、接着フィルムの貼着からダイシングテープ８０の貼着までの間に冷却時間をおく必要がないか、あるいはその冷却時間を大幅に短縮させることができる。特に本実施形態では、チャックテーブル４０に面する１つの循環溝４４に対して熱水と冷水の供給を切り替えるので、構造が簡素でありながら、加熱されたチャックテーブル４０を速やかに冷却することができる。その結果、加工の停滞が起こらず加工時間が短縮し、このことによっても生産性の向上が図られる。   Further, when the adhesive film is stuck, the chuck table 40 is heated with hot water to assist the adhesion of the adhesive film, and when the next dicing tape is stuck, the chuck table 40 is cooled with cold water. The dicing tape 80 can be normally attached by cooling with the above. In this way, the chuck table 40 is heated to adhere the adhesive film, and then cooled to adhere the dicing tape 80. Therefore, the cooling is performed between the adhesion of the adhesive film and the dicing tape 80. There is no need to spend time or the cooling time can be greatly shortened. In particular, in this embodiment, the supply of hot water and cold water is switched with respect to one circulation groove 44 facing the chuck table 40, so that the heated chuck table 40 can be quickly cooled while the structure is simple. it can. As a result, machining stagnation does not occur and machining time is shortened, which also improves productivity.

また、接着フィルムとダイシングテープ８０の貼着を連続して行うことができるとともに、回転可能なインデックステーブル４１上に複数の吸着テーブルを配置した構造であるため、装置を効率よく小型化することができ、低コスト化が図られる。   In addition, the adhesive film and the dicing tape 80 can be attached continuously, and a plurality of suction tables are arranged on the rotatable index table 41, so that the apparatus can be efficiently downsized. And cost reduction is achieved.

なお、上記実施形態でのチャックテーブル４０の加熱／冷却手段は、熱水および冷水の供給によるものであるが、本発明のチャックテーブルの加熱／冷却手段はこれに限定されない。例えば、チャックテーブル４０を電熱ヒータで加熱し、冷却は冷風を吹き付けるなどの手段が挙げられる。また、チャックテーブルは、加熱および冷却に要する時間が短いことが好ましいため、一般的な多孔性のアルミナセラミクスよりも、シリコンカーバイト、あるいはアルミニウムやステンレス等の熱伝導率の高い材料で作られたものが望ましい。   Note that the heating / cooling means of the chuck table 40 in the above embodiment is based on the supply of hot water and cold water, but the heating / cooling means of the chuck table of the present invention is not limited to this. For example, means such as heating the chuck table 40 with an electric heater and blowing cold air can be used. In addition, since the time required for heating and cooling is preferably short, the chuck table is made of a material having higher thermal conductivity such as silicon carbide or aluminum or stainless steel than general porous alumina ceramics. Things are desirable.

［４］研削手段を備えたウエーハ加工装置
上記ウエーハ加工装置１０Ａは、予め裏面研削されて薄化されたウエーハが処理対象であったが、図１２に示す薄化されていないウエーハ１を処理対象として、まず裏面研削を施した後、上記のように接着フィルム貼着、ダイシングテープ貼着を行うウエーハ加工装置も本発明としている。図１２に示すウエーハ１は、薄化されておらず厚さが例えば６００〜７００μｍである以外は、図１に示したウエーハと同様のものである。すなわち、保護テープ７が貼着された表面には、電子回路が形成された複数の半導体チップ３が分割予定ライン２で区画されており、周面の所定箇所にはノッチ６が形成されている。 [4] Wafer processing apparatus provided with grinding means The wafer processing apparatus 10A described above was processed on the wafer that was previously ground and thinned, but it was processed on the unthinned wafer 1 shown in FIG. As described above, the present invention also includes a wafer processing apparatus that first performs back surface grinding and then performs adhesive film sticking and dicing tape sticking as described above. The wafer 1 shown in FIG. 12 is the same as the wafer shown in FIG. 1 except that the wafer 1 is not thinned and has a thickness of, for example, 600 to 700 μm. That is, on the surface to which the protective tape 7 is attached, a plurality of semiconductor chips 3 on which electronic circuits are formed are partitioned by the division lines 2 and notches 6 are formed at predetermined locations on the peripheral surface. .

図１３および図１４は、ウエーハの裏面研削ならびに研磨を行う研削／研磨手段を備えた本発明の他の実施形態に係るウエーハ加工装置１０Ｂを示している。以下の説明では、上記ウエーハ加工装置１０Ａと同一機能を有する構成要素には同一符号を付し、説明を省略あるいは簡略化する。   13 and 14 show a wafer processing apparatus 10B according to another embodiment of the present invention provided with grinding / polishing means for performing back surface grinding and polishing of the wafer. In the following description, components having the same functions as those of the wafer processing apparatus 10A are denoted by the same reference numerals, and description thereof is omitted or simplified.

このウエーハ加工装置１０Ｂは、インデックステーブル４１が図１３の二重線矢印で示すように時計回りに回転する。そして、ウエーハ１への処理位置は、Ａ〜Ｇの７箇所設定されている。この中で、Ａ位置において、薄化されていないウエーハ１がチャックテーブル４０上に保持される。すなわち、ウエーハキャリア１１からウエーハ１がピックアップロボット１３によって位置決めステージ２０に移されて中心およびノッチ６の位置決めがなされ、次いで、移送アーム３１によってウエーハ１は位置決めステージ２０からＡ位置に位置付けられ、真空運転されているチャックテーブル４０上に載置される。   In the wafer processing apparatus 10B, the index table 41 rotates clockwise as indicated by a double line arrow in FIG. Then, seven processing positions A to G are set for the wafer 1. Among these, the wafer 1 which is not thinned is held on the chuck table 40 at the position A. That is, the wafer 1 is moved from the wafer carrier 11 to the positioning stage 20 by the pick-up robot 13 so that the center and the notch 6 are positioned, and then the wafer 1 is positioned from the positioning stage 20 to the A position by the transfer arm 31 to perform vacuum operation. Is placed on the chuck table 40.

ウエーハ１は、インデックステーブル４１が３６０°／７ずつ時計回りに回転することにより、Ａ位置からＢ，Ｃ，Ｄ，Ｅ，Ｆ，Ｇの各位置に移送される。Ｅ位置では接着フィルム貼着機構１００によってウエーハ１の裏面に接着フィルムが貼着される。次に、ウエーハ１はＦ位置に移送されてキュアパッド２００により接着フィルムがキュアされ、この後、Ｇ位置に移送される。Ｇ位置では、ダイシングテープ貼着機構３００によってダイシングテープフレーム８２のダイシングテープ８０が貼着される。   The wafer 1 is transferred from the A position to B, C, D, E, F, and G positions as the index table 41 rotates clockwise by 360 ° / 7. At the position E, the adhesive film is stuck on the back surface of the wafer 1 by the adhesive film sticking mechanism 100. Next, the wafer 1 is transferred to the F position, the adhesive film is cured by the cure pad 200, and then transferred to the G position. At the position G, the dicing tape 80 of the dicing tape frame 82 is stuck by the dicing tape sticking mechanism 300.

ダイシングテープフレーム８２は、フレームカセット５００から引き出しクランプ５１０で引き出され、次いでダイシングテープ移送機構４００によってＧ位置にあるウエーハ１の直上に移送され、ダイシングテープ貼着機構３００によって接着フィルムにダイシングテープフレーム８２のダイシングテープ８０が貼着される。そして、ウエーハはダイシングテープ移送機構４００、引き出しクランプ５１０によってフレームカセット５００に収容される。   The dicing tape frame 82 is pulled out from the frame cassette 500 by the pulling clamp 510, and then transferred by the dicing tape transfer mechanism 400 to the position immediately above the wafer 1 at the G position. The dicing tape attaching mechanism 300 applies the dicing tape frame 82 to the adhesive film. The dicing tape 80 is attached. The wafer is accommodated in the frame cassette 500 by the dicing tape transfer mechanism 400 and the drawer clamp 510.

以上の接着フィルムの貼着、キュアパッド２００による接着フィルムのキュア、ダイシングテープ貼着機構３００によるダイシングテープ８０の貼着は、先の実施形態のウエーハ加工装置１０Ａと全く同様になされる。   Adhesion of the adhesive film, curing of the adhesive film with the curing pad 200, and adhesion of the dicing tape 80 with the dicing tape adhesion mechanism 300 are performed in exactly the same manner as the wafer processing apparatus 10A of the previous embodiment.

さて、本実施形態のウエーハ加工装置１０Ｂでは、Ｂ位置でウエーハ裏面の粗研削が行われ，Ｃ位置でウエーハ裏面の仕上げ研削が行われ，Ｄ位置でウエーハ裏面の研磨が行われる。これらＢ〜Ｄの位置に対応する装置ベース１ａ上には、同様構成の加工ユニット昇降支持機構６００がそれぞれ設けられている。そして、Ｂ位置，Ｃ位置，Ｄ位置に対応する各加工ユニット昇降支持機構６００には、粗研削ユニット（研削手段）７００、仕上げ研削ユニット（研削手段）８００、研磨ユニット９００が、それぞれ昇降可能に取り付けられている。   In the wafer processing apparatus 10B of the present embodiment, rough grinding of the back surface of the wafer is performed at the B position, finish grinding of the back surface of the wafer is performed at the C position, and polishing of the back surface of the wafer is performed at the D position. On the apparatus base 1a corresponding to these positions B to D, a processing unit lifting support mechanism 600 having the same configuration is provided. In each processing unit lifting support mechanism 600 corresponding to the B position, C position, and D position, a rough grinding unit (grinding means) 700, a finish grinding unit (grinding means) 800, and a polishing unit 900 can be lifted and lowered, respectively. It is attached.

加工ユニット昇降支持機構６００は、装置ベース１ａに立設されたコラム６０１と、コラム６０１のインデックステーブル４１側の面に固定されたＺ方向に延びる一対のガイドレール６０２と、ガイドレール６０２に沿って摺動自在に昇降するように装着されたスライダ６０３と、モータ６０４によってスライダを昇降駆動する昇降駆動機構とから構成されている。上記各ユニット７００，８００，９００はスライダ６０３に固定されており、スライダ６０３とともに昇降する。   The processing unit lifting / lowering support mechanism 600 is provided along a column 601 erected on the apparatus base 1 a, a pair of guide rails 602 that are fixed to the surface of the column 601 on the index table 41 side, and extend in the Z direction, and the guide rails 602. The slider 603 is mounted so as to move up and down slidably, and a lift drive mechanism that drives the slider up and down by a motor 604. Each of the units 700, 800, and 900 is fixed to the slider 603 and moves up and down together with the slider 603.

粗研削ユニット７００は、図１５に示すように、軸方向がＺ方向に延びる円筒状のスピンドルハウジング７０１と、スピンドルハウジング７０１内に同軸的、かつ回転自在に支持されたスピンドル７０２と、スピンドルハウジング７０１の上端部に固定されてスピンドル７０２を回転駆動するモータ７０３と、スピンドル７０２の下端に同軸的に固定された円盤状のフランジ７０４とを具備している。そしてフランジ７０４には、カップホイール７０５がねじ止め等の手段によって着脱自在に取り付けられる。   As shown in FIG. 15, the rough grinding unit 700 includes a cylindrical spindle housing 701 whose axial direction extends in the Z direction, a spindle 702 that is coaxially and rotatably supported in the spindle housing 701, and a spindle housing 701. A motor 703 that is fixed to the upper end of the spindle 702 and rotationally drives the spindle 702, and a disk-shaped flange 704 that is coaxially fixed to the lower end of the spindle 702. A cup wheel 705 is detachably attached to the flange 704 by means such as screwing.

カップホイール７０５は、円盤状のフレーム７０６の下端面に、該下端面の外周部全周にわたって複数の砥石７０７が環状に配列されて固着されたものである。粗研削用の砥石７０７は、＃３２０〜６００程度の砥粒サイズの砥石が用いられる。カップホイール７０４には、研削面の冷却や潤滑あるいは研削屑の排出のための研削水を供給する研削水供給機構（図示省略）が設けられ、該機構には給水ラインが接続されている。カップホイール７０５の研削外径、すなわち複数の砥石７０７の外周縁の直径は、ウエーハ１の半径にほぼ等しいか、やや大き目に設定されている。   The cup wheel 705 has a plurality of grindstones 707 arranged and fixed to the lower end surface of a disk-shaped frame 706 in an annular shape over the entire outer periphery of the lower end surface. As the grindstone 707 for rough grinding, a grindstone having a grain size of about # 320 to 600 is used. The cup wheel 704 is provided with a grinding water supply mechanism (not shown) for supplying grinding water for cooling and lubrication of the grinding surface or discharging grinding scraps, and a water supply line is connected to the mechanism. The grinding wheel outer diameter of the cup wheel 705, that is, the diameter of the outer peripheral edge of the plurality of grindstones 707 is set to be approximately equal to or slightly larger than the radius of the wafer 1.

図１５の符号７１０は、ウエーハ１の上面すなわち研削面の位置を検出するハイトゲージである。ハイトゲージ７１０は、プローブ７１１の先端がウエーハ１の上面に接触することで、ウエーハ１の上面の位置（高さ方向における位置）を検出する。また、ハイトゲージ７１０に隣接して規準ハイトゲージ７２０が配置され、そのプローブ７２１の先端はチャックテーブル４０の上面すなわちウエーハ保持面に接触し、チャックテーブル４０の上面の位置の検出が行われる。そして、ハイトゲージ７１０と７２０の出力が比較され、ウエーハ１の厚みがリアルタイムに計測される。   Reference numeral 710 in FIG. 15 denotes a height gauge that detects the position of the upper surface of the wafer 1, that is, the ground surface. The height gauge 710 detects the position (position in the height direction) of the upper surface of the wafer 1 when the tip of the probe 711 contacts the upper surface of the wafer 1. A reference height gauge 720 is disposed adjacent to the height gauge 710, and the tip of the probe 721 contacts the upper surface of the chuck table 40, that is, the wafer holding surface, and the position of the upper surface of the chuck table 40 is detected. Then, the outputs of the height gauges 710 and 720 are compared, and the thickness of the wafer 1 is measured in real time.

上記粗研削ユニット７００による粗研削は、ウエーハ１を保持したＢ位置にあるチャックテーブル４０を１００〜３００ｒｐｍで回転させ、これによって回転するウエーハ１に対して、カップホイール７０５がチャックテーブル４０と同方向に２０００〜５０００ｒｐｍで回転する粗研削ユニット７００を下降させて、カップホイール７０５の砥石７０７を、ウエーハ１の裏面に押し当てることにより研削し、薄化する。   In the rough grinding by the rough grinding unit 700, the chuck table 40 at the position B holding the wafer 1 is rotated at 100 to 300 rpm, and the cup wheel 705 is in the same direction as the chuck table 40 with respect to the wafer 1 rotating by this. Then, the rough grinding unit 700 rotating at 2000 to 5000 rpm is lowered, and the grinding wheel 707 of the cup wheel 705 is pressed against the back surface of the wafer 1 to be ground and thinned.

カップホイール７０５は、砥石７０７がウエーハ１の中心を通過するようにウエーハ１に対面して位置付けられる。これによってウエーハ１の裏面全面が研削加工され、均一に薄化される。研削中および研削前のウエーハ１の厚さがハイトゲージ７１０，７２０によってリアルタイムでモニタされ、ウエーハ１が予め設定した厚みに到達した時点で粗研削ユニット７００の下降送りを停止するインプロセス制御が行われる。   The cup wheel 705 is positioned facing the wafer 1 so that the grindstone 707 passes through the center of the wafer 1. As a result, the entire back surface of the wafer 1 is ground and uniformly thinned. The thickness of the wafer 1 during and before grinding is monitored in real time by the height gauges 710 and 720, and in-process control is performed to stop the downward feeding of the rough grinding unit 700 when the wafer 1 reaches a preset thickness. .

Ｂ位置で粗研削ユニット７００により粗研削が終了したウエーハ１は、チャックテーブル４０に保持されたまま、インデックステーブル４１が図１４で時計回りに回転することにより、仕上げ研削ユニット８００で仕上げ研削されるＣ位置に移送される。仕上げ研削ユニット８００は粗研削ユニット７００と同様の構造であって、異なる点は、カップホイール７０５に取り付けられる砥石７０７の砥粒サイズである。ここでは、仕上げ研削ユニット８００の砥石７０７の砥粒サイズが＃２０００〜＃８０００程度とされ、粗研削ユニット７００と同様の動作によって、ウエーハ１の裏面は仕上げ研削される。仕上げ研削によって、ウエーハ１は図１に示すように薄化され、例えば２００〜１００μｍ程度、あるいは５０μｍ程度の厚さとされる。   The wafer 1 that has been coarsely ground by the rough grinding unit 700 at the B position is finish-ground by the finish grinding unit 800 by rotating the index table 41 clockwise in FIG. 14 while being held by the chuck table 40. Transferred to position C. The finish grinding unit 800 has the same structure as the rough grinding unit 700, and the difference is the abrasive grain size of the grindstone 707 attached to the cup wheel 705. Here, the abrasive grain size of the grindstone 707 of the finish grinding unit 800 is set to about # 2000 to # 8000, and the back surface of the wafer 1 is finish ground by the same operation as that of the rough grinding unit 700. By the finish grinding, the wafer 1 is thinned as shown in FIG. 1 and has a thickness of, for example, about 200 to 100 μm or about 50 μm.

Ｃ位置で仕上げ研削ユニット８００により仕上げ研削が終了したウエーハ１は、チャックテーブル４０に保持されたまま、インデックステーブル４１が図１４で時計回りに回転することにより、研磨ユニット９００で研磨されるＤ位置に移送される。研磨ユニット９００も各研削ユニット７００，８００と同様の構造であるが、カップホイール７０５に代えて研磨ホイール９０５がフランジ７０４に固定されている。   The wafer 1 having been subjected to finish grinding by the finish grinding unit 800 at the C position is held by the chuck table 40 while the index table 41 is rotated clockwise in FIG. It is transferred to. The polishing unit 900 has the same structure as each of the grinding units 700 and 800, but a polishing wheel 905 is fixed to the flange 704 instead of the cup wheel 705.

研磨ホイール９０５は、一般周知（例えば特開２０００―２８３２４３号公報や特開２００３−１８８１１８号公報に記載）のフェルト砥石が研磨部材とされ、このフェルト砥石をウエーハ１の裏面へ押圧しながら、研磨ホイール９０５とチャックテーブル４０を同方向または逆方向に回転させることにより、ウエーハ１の裏面の研磨（ドライポリッシュ）が行われ、裏面は鏡面に仕上げられる。このように研磨されたウエーハ裏面は、研削加工により発生した機械的ダメージ層が除去され、強度の改善がなされる。   The polishing wheel 905 is made of a generally known felt grindstone (described in, for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2000-283243 and Japanese Patent Application Laid-Open No. 2003-188118) as a polishing member. By rotating the wheel 905 and the chuck table 40 in the same direction or in the opposite direction, the back surface of the wafer 1 is polished (dry polish), and the back surface is finished to a mirror surface. The mechanically damaged layer generated by the grinding process is removed from the polished back surface of the wafer, and the strength is improved.

Ｄ位置で研磨ユニット９００による裏面研磨が終了したウエーハ１は、チャックテーブル４０に保持されたまま、インデックステーブル４１が図１４で時計回りに回転することにより、図１４のＥ位置に移送され、以降、ウエーハに対しては上述したように、Ｅ位置で接着フィルム貼着、Ｆ位置で接着フィルムのキュア、Ｇ位置でダイシングテープ貼着がなされ、ダイシングテープフレーム８２に貼着された状態で、フレームカセット５００に収容される。   The wafer 1 whose back surface polishing by the polishing unit 900 is completed at the D position is transferred to the E position in FIG. 14 by rotating the index table 41 clockwise in FIG. 14 while being held by the chuck table 40. For the wafer, as described above, the adhesive film is attached at the E position, the adhesive film is cured at the F position, the dicing tape is attached at the G position, and the wafer is attached to the dicing tape frame 82. Housed in cassette 500.

この実施形態のウエーハ加工装置１０Ｂによれば、薄化されていないウエーハ１を処理対象とし、ウエーハ１の裏面を粗研削から研磨まで行ってウエーハ１を薄化した後、引き続きチャックテーブル４０にそのウエーハ１を保持したまま、接着フィルム貼着以降の工程に移送している。したがって、別の研削装置で研削されたウエーハを本装置のチャックテーブル４０に移し替える必要がなく、薄化したウエーハ１を破損させるおそれがないまま、引き続き接着フィルムの貼着、ダイシングテープの貼着に移行させることができるといった利点を有する。   According to the wafer processing apparatus 10B of this embodiment, the wafer 1 that has not been thinned is processed, and after the wafer 1 is thinned by performing the backside of the wafer 1 from rough grinding to polishing, the chuck table 40 continues to the wafer table 10B. While the wafer 1 is held, the wafer 1 is transferred to the steps after the adhesive film sticking. Therefore, it is not necessary to transfer the wafer ground by another grinding apparatus to the chuck table 40 of the present apparatus, and the adhesive film and the dicing tape are continuously adhered without fear of damaging the thinned wafer 1. It has the advantage that it can be transferred to.

本発明の一実施形態に係るウエーハ加工装置で処理されるウエーハの（ａ）斜視図、（ｂ）側面図である。It is the (a) perspective view of the wafer processed with the wafer processing device concerning one embodiment of the present invention, and (b) the side view. 一実施形態に係るウエーハ加工装置の斜視図である。1 is a perspective view of a wafer processing apparatus according to an embodiment. 同平面図である。It is the same top view. チャックテーブルの加熱／冷却構造を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the heating / cooling structure of a chuck table. チャックテーブルベースの上面図である。It is a top view of a chuck table base. 接着フィルム貼着機構が備える貼り付けローラの斜視図である。It is a perspective view of the sticking roller with which an adhesive film sticking mechanism is provided. ヒータを内蔵したキュアパッドの斜視図である。It is a perspective view of the cure pad which incorporated the heater. ダイシングテープフレームの（ａ）平面図、（ｂ）断面図である。It is (a) top view and (b) sectional drawing of a dicing tape frame. ダイシングテープ移送機構の側面図である。It is a side view of a dicing tape transfer mechanism. ダイシングテープ貼着機構でダイシングテープをウエーハ裏面に貼着する過程を（ａ）〜（ｃ）の順に示す側面図である。It is a side view which shows the process of sticking a dicing tape on a wafer back surface with a dicing tape sticking mechanism in order of (a)-(c). ダイシングテープにウエーハが貼着された状態を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the state by which the wafer was stuck to the dicing tape. 裏面研削による薄化がなされていないウエーハの（ａ）斜視図、（ｂ）断面図である。It is the (a) perspective view and (b) sectional view of the wafer which has not been made thin by back grinding. 本発明の他の実施形態に係るウエーハ加工装置の斜視図である。It is a perspective view of the wafer processing apparatus which concerns on other embodiment of this invention. 同平面図である。It is the same top view. 粗研削ユニットの（ａ）斜視図、（ｂ）側面図である。It is (a) perspective view and (b) side view of a rough grinding unit.

符号の説明Explanation of symbols

１…半導体ウエーハ
３…半導体チップ
１０Ａ，１０Ｂ…ウエーハ加工装置。
１０ａ…装置ベース
４０…チャックテーブル（吸着テーブル）
４１…インデックステーブル
４４…循環溝（流体循環路）
８０…ダイシングテープ
８１…ダイシングフレーム
１００…接着フィルム貼着機構（接着フィルム貼着手段）
１０４…貼り付けローラ（押圧ローラ）
１１４…内部ヒータ（ローラ加熱手段）
１１６…外部ヒータ（ウエーハ裏面加熱手段）
２００…キュアパッド（キュア手段）
３００…ダイシングテープ貼着機構（ダイシングテープ貼着手段）
７００…粗研削ユニット（研削手段）
８００…仕上げ研削ユニット（研削手段）
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Semiconductor wafer 3 ... Semiconductor chip 10A, 10B ... Wafer processing apparatus.
10a ... device base 40 ... chuck table (suction table)
41 ... Index table 44 ... Circulation groove (fluid circuit)
80 ... Dicing tape 81 ... Dicing frame 100 ... Adhesive film sticking mechanism (adhesive film sticking means)
104: Pasting roller (pressing roller)
114 ... Internal heater (roller heating means)
116: External heater (wafer back surface heating means)
200 ... Cure pad (cure means)
300 ... Dicing tape sticking mechanism (dicing tape sticking means)
700 ... Rough grinding unit (grinding means)
800 ... finish grinding unit (grinding means)

Claims (5)

装置ベースに回転可能に設けられたインデックステーブルに配設され、ウエーハを裏面が露出する状態に吸着して保持する複数の吸着テーブルと、
前記吸着テーブルを加熱する加熱手段と、
前記吸着テーブルを冷却する冷却手段と、
前記吸着テーブルに保持されたウエーハの裏面に、ボンディング用接着フィルムを貼着する接着フィルム貼着手段と、
前記吸着テーブルに保持されたウエーハの裏面に、剛性を有するダイシングフレームが周縁部に貼着されたダイシングテープを貼着するダイシングテープ貼着手段と
を備えることを特徴とするウエーハ加工装置。 A plurality of suction tables disposed on an index table rotatably provided on the apparatus base and holding the wafer in a state where the back surface is exposed; and
Heating means for heating the suction table;
Cooling means for cooling the suction table;
An adhesive film adhering means for adhering an adhesive film for bonding to the back surface of the wafer held by the adsorption table;
A wafer processing apparatus comprising: a dicing tape adhering means for adhering a dicing tape having a rigid dicing frame adhered to a peripheral portion on a back surface of a wafer held on the suction table. 前記吸着テーブルに流体循環路が形成され、
前記加熱手段は、該流体循環路に流通させられる加熱用流体であり、
前記冷却手段は、該流体循環路に流通させられる冷却用流体であること
を特徴とする請求項１に記載のウエーハ加工装置。 A fluid circulation path is formed in the suction table;
The heating means is a heating fluid circulated through the fluid circulation path,
The wafer processing apparatus according to claim 1, wherein the cooling means is a cooling fluid that is circulated through the fluid circulation path. 前記接着フィルム貼着手段は、ウエーハの裏面に前記接着フィルムを押圧しながら転動することにより該接着フィルムをウエーハの裏面に貼着する押圧ローラを有し、
さらに、該押圧ローラを加熱するローラ加熱手段と、該押圧ローラの転動に同期してウエーハの裏面を加熱するウエーハ裏面加熱手段とを備えることを特徴とする請求項１または２に記載のウエーハ加工装置。 The adhesive film sticking means has a pressing roller for sticking the adhesive film to the back surface of the wafer by rolling while pressing the adhesive film on the back surface of the wafer,
The wafer according to claim 1, further comprising: a roller heating unit that heats the pressing roller; and a wafer back surface heating unit that heats the back surface of the wafer in synchronization with the rolling of the pressing roller. Processing equipment. 前記貼着手段によって前記接着フィルムが裏面に貼着されたウエーハが、前記吸着テーブルに保持されたままの状態で、該接着フィルムを非接触で加熱してキュアさせるキュア手段を備えることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載のウエーハ加工装置。   The wafer having the adhesive film attached to the back surface by the attaching means comprises a curing means for heating and curing the adhesive film in a non-contact manner while being held on the suction table. The wafer processing apparatus according to claim 1. 前記吸着テーブルに保持されたウエーハの裏面を研削して薄化する研削手段を備えることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載のウエーハ加工装置。   The wafer processing apparatus according to claim 1, further comprising a grinding unit that grinds and thins a back surface of the wafer held on the suction table.

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