JP2008053386A

JP2008053386A - Device and method for processing substrate

Info

Publication number: JP2008053386A
Application number: JP2006227128A
Authority: JP
Inventors: Mamoru Kanemoto; 守金本; Kazuo Tanimoto; 一夫谷本; Yasuyuki Deguchi; 康之出口
Original assignee: Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Current assignee: Panasonic Holdings Corp
Priority date: 2006-08-23
Filing date: 2006-08-23
Publication date: 2008-03-06

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a substrate processing device and substrate processing method which can prolong a lifetime of a filter without discontinuing an etching work. SOLUTION: The substrate processing device comprises a chemicals tub 102 in which chemicals 101 for treating a substrate are filled, a line 103 for extracting the chemicals from the chemicals tub, multipoint paths La, Lb which have one ends connected to the line 103 via a changeover valve V1 and another ends connected to each other, and a line 104 connected to a confluent part of both the multipoint paths for returning the chemicals passing the multipoint paths to the chemicals tub. Filters 106a, 106b are interposed between the multipoint paths La, Lb; and at an intermediate part between the filters and the one ends of the multipoint paths, bypasses Ba, Bb are provided from one multipoint paths to the other multipoint paths. COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT

Description

本発明は、薬液による半導体基板などの基板処理、特にエッチング液を循環させて、フィルターにより、エッチング中の残留物を除去するようにしたウエットエッチング装置とそれを用いた基板処理方法および半導体製造方法に関する。 The present invention relates to a substrate processing of a semiconductor substrate or the like using a chemical solution, particularly a wet etching apparatus in which an etching solution is circulated and a residue during etching is removed by a filter, and a substrate processing method and a semiconductor manufacturing method using the same. About.

現在、半導体集積回路の製造工程では、半導体基板上に形成された余分な薄膜などを除去するためにウエットエッチングが広く使用されている。例えば特許文献１には、エッチング液を循環させる循環路に設けたフィルターでエッチング液を濾過するウエットエッチング装置が記載されている。 Currently, in the manufacturing process of a semiconductor integrated circuit, wet etching is widely used to remove an excessive thin film formed on a semiconductor substrate. For example, Patent Document 1 describes a wet etching apparatus that filters an etching solution with a filter provided in a circulation path for circulating the etching solution.

図８はウエットエッチング装置の概略構成の一例を示す。このウエットエッチング装置において、エッチング液８０１を収容するエッチング槽８０２は、隔壁８０３により分離された内槽８０４と外槽８０５を備えている。内槽８０４と外槽８０５は循環路８０６によって接続されている。その循環路８０６には、ポンプ８０７及びフィルター８０８が設けられている。 FIG. 8 shows an example of a schematic configuration of a wet etching apparatus. In this wet etching apparatus, an etching tank 802 that contains an etching solution 801 includes an inner tank 804 and an outer tank 805 separated by a partition wall 803. The inner tank 804 and the outer tank 805 are connected by a circulation path 806. The circulation path 806 is provided with a pump 807 and a filter 808.

外槽８０５のエッチング液８０１は、外槽８０５の底部８０５ａからポンプ８０７により強制的にフィルター８０８に送り込まれ、エッチング液８０１に含まれる固形残留物が除去される。フィルター８０８を通過したエッチング液８０１が内槽８０４まで送り込まれると、内槽８０４のエッチング液８０１が外槽８０５にあふれ出て、循環が継続する。このような循環により、エッチング槽８０２内のエッチング液８０１の清浄度が保たれる。 The etching solution 801 in the outer tank 805 is forcibly sent to the filter 808 from the bottom 805a of the outer tank 805 by the pump 807, and the solid residue contained in the etching liquid 801 is removed. When the etching solution 801 that has passed through the filter 808 is sent to the inner tank 804, the etching solution 801 in the inner tank 804 overflows into the outer tank 805, and the circulation continues. By such circulation, the cleanliness of the etching solution 801 in the etching tank 802 is maintained.

しかし、残留物や、循環路８０６中で析出した析出物でフィルター８０８が目詰まりすると、その循環が円滑に行えず、エッチング液８０１の清浄度が保てなくなる。このときには、エッチング作業を中断し、フィルター８０８を新しいものに交換する必要があった。 However, if the filter 808 is clogged with residues or precipitates deposited in the circulation path 806, the circulation cannot be performed smoothly, and the cleanliness of the etching solution 801 cannot be maintained. At this time, it was necessary to interrupt the etching operation and replace the filter 808 with a new one.

図９はウエットエッチング装置の概略構成について別の例を示す。この装置では、循環路９０１の途中に分岐路９０１ａ，９０１ｂが設けられており、分岐路９０１ａ，９０１のそれぞれにフィルター９０２ａ，９０２ｂが配置されている。各フィルター直上流及び直下流に設けられたバルブ９０３ａ，９０３ｂを開閉することにより、フィルター９０２ａ，９０２ｂの一方を介してエッチング液９０４を循環させることができる。 FIG. 9 shows another example of the schematic configuration of the wet etching apparatus. In this apparatus, branch paths 901a and 901b are provided in the middle of the circulation path 901, and filters 902a and 902b are arranged in the branch paths 901a and 901, respectively. By opening and closing the valves 903a and 903b provided immediately upstream and downstream of each filter, the etching solution 904 can be circulated through one of the filters 902a and 902b.

一方のフィルターを介してエッチング液９０４を循環させているとき、他方のフィルターは循環路から遮断されている。このため、この装置では、エッチング作業を中断せずに、他方のフィルターを交換したり、そのフィルターを正常な状態に再生したりすることができる。 When the etching solution 904 is circulated through one filter, the other filter is blocked from the circulation path. For this reason, in this apparatus, the other filter can be replaced or the filter can be regenerated to a normal state without interrupting the etching operation.

フィルター９０２ａ，９０２ｂを再生するために、この装置は、フィルター９０２ａ，９０２ｂに付着堆積した堆積物を溶解して除去する薬液９０５ａ，９０５ｂをフィルター９０２ａ，９０２ｂに供給する薬液供給路９０６ａ，９０６ｂを有している。
特開平６−２７５５９７号公報 In order to regenerate the filters 902a and 902b, this apparatus has chemical liquid supply paths 906a and 906b for supplying chemical liquids 905a and 905b for dissolving and removing deposits deposited on the filters 902a and 902b to the filters 902a and 902b. is doing.
JP-A-6-275597

上述のようにフィルターを再生するには、エッチング液の循環路とは別に専用の薬液供給路が必要になっていた。さらに、その薬液供給路はフィルター毎に必要とされる。したがって、装置コストやランニングコストが高くなる。 In order to regenerate the filter as described above, a dedicated chemical solution supply path is required in addition to the etching solution circulation path. Further, the chemical solution supply path is required for each filter. Accordingly, the apparatus cost and running cost are increased.

本発明の一態様によれば、基板を処理する薬液が満たされた薬液槽と、前記薬液槽から薬液を取り出す第１の配管と、一端が切り替えバルブを介して前記第１の配管に接続され、他端が互いに接続された第２および第３の配管と、前記第２および第３の配管の他端接続部に接続し、前記薬液を前記薬液槽に戻す第４の配管とを備え、前記第２および第３の配管にフィルターが介設され、前記フィルターと前記一端の中間部においては、前記第１の配管から前記第４の配管へ向かう循環方向と逆方向に前記薬液を当該フィルターに流すための配管が接続されていることを特徴とする基板処理装置を提供する。 According to one aspect of the present invention, a chemical tank filled with a chemical for processing a substrate, a first pipe for taking out the chemical from the chemical tank, and one end connected to the first pipe via a switching valve. A second pipe and a third pipe having the other ends connected to each other; and a fourth pipe connected to the other end connecting portion of the second and third pipes to return the chemical solution to the chemical solution tank; A filter is interposed in the second and third pipes, and the chemical solution is passed through the filter in the direction opposite to the circulation direction from the first pipe to the fourth pipe at the intermediate portion between the filter and the one end. Provided is a substrate processing apparatus characterized in that piping for flowing into the substrate is connected.

本発明の他の態様によれば、基板を処理する薬液が満たされた薬液槽と、前記薬液槽から薬液を取り出す第１の配管と、一端が切り替えバルブを介して前記第１の配管に接続され、他端が互いに接続された第２および第３の配管と、前記第２および第３の配管の他端接続部に接続し、前記薬液を前記薬液槽に戻す第４の配管とを備え、前記第２および第３の配管にはフィルターが介接され、前記フィルターと前記一端の中間部においては、前記第２の配管から前記第３の配管方向へ薬液を流すための第１のバイパスと、前記第３の配管から前記第２の配管へ薬液を流すための第２のバイパスとが設けられていることを特徴とする基板処理装置を提供する。 According to another aspect of the present invention, a chemical solution tank filled with a chemical solution for processing a substrate, a first pipe for taking out the chemical solution from the chemical solution tank, and one end connected to the first pipe via a switching valve. And second and third pipes whose other ends are connected to each other, and a fourth pipe connected to the other end connecting portion of the second and third pipes to return the chemical liquid to the chemical tank. In addition, a filter is interposed in the second and third pipes, and a first bypass for flowing a chemical solution from the second pipe toward the third pipe in the middle portion of the filter and the one end. And a second bypass for flowing a chemical solution from the third pipe to the second pipe.

本発明のさらに他の態様によれば、基板を処理する薬液が満たされた薬液槽と、前記薬液槽から薬液を取り出す第１の配管と、一端が切り替えバルブを介して前記第１の配管に接続され、他端が互いに接続された第２および第３の配管と、前記第２および第３の配管の他端接続部に接続し、前記薬液を前記薬液槽に戻す第４の配管とを備え、前記第２および第３の配管にはフィルターが介接され、前記フィルターと前記一端の中間部においては、前記第２の配管から薬液を外部へ排出するための第１の廃液管と、前記第３の配管から薬液を外部へ排出するための第２の廃液管とが設けられていることを特徴とする基板処理装置を提供する。 According to still another aspect of the present invention, a chemical solution tank filled with a chemical solution for processing a substrate, a first pipe for taking out the chemical solution from the chemical solution tank, and one end connected to the first pipe via a switching valve. A second pipe connected to the other end of the second pipe, and a fourth pipe connected to the other end connecting portion of the second and third pipes to return the chemical liquid to the chemical tank. A first waste liquid pipe for discharging a chemical solution from the second pipe to the outside at an intermediate portion between the filter and the one end; A substrate processing apparatus is provided, wherein a second waste liquid pipe for discharging the chemical solution from the third pipe to the outside is provided.

本発明のさらに他の態様によれば、上述の基板処理装置を用いた基板処理方法または半導体装置の製造方法を提供する。 According to still another aspect of the present invention, a substrate processing method or a semiconductor device manufacturing method using the above-described substrate processing apparatus is provided.

以上の構成を採用することにより、一方のフィルターを介して薬液を循環させている状態で、他方のフィルターには、第１の配管から第４の配管へ向かう循環方向と逆方向に薬液が流れるため、その薬液により基板を処理する作業を中断することなく、フィルターの再生をすることが可能となる。しかも、フィルター再生のための専用薬液を用いず、基板処理に用いる薬液を用いてフィルターを再生するので、フィルターを複数用いる場合でも、装置コストやランニングコストを低減することが可能となる。 By adopting the above configuration, the chemical liquid flows through the other filter in the direction opposite to the circulation direction from the first pipe to the fourth pipe while the chemical liquid is circulated through one filter. Therefore, it is possible to regenerate the filter without interrupting the operation of processing the substrate with the chemical solution. In addition, since the filter is regenerated using the chemical solution used for substrate processing without using the dedicated chemical solution for filter regeneration, the apparatus cost and running cost can be reduced even when a plurality of filters are used.

以下、添付図面を参照して、本発明の各実施の形態について説明する。
（第１の実施の形態）
図１は第１の実施の形態によるウエットエッチング装置の概略構成を示す図である。図１の装置において、エッチング液１０１を収容するエッチング槽１０２よりエッチング槽１０２へ帰還する循環路Ｌを設けている。この循環路Ｌは、エッチング槽１０２からエッチング液を取り出す配管１０３と、エッチング液をエッチング槽１０２に戻す配管１０４とを有している。循環路Ｌの途中である配管１０３の端部には三方向弁Ｖ１が配置されており、その三方向弁Ｖ１により分岐路Ｌａ，Ｌｂを設けている。三方向弁Ｖ１が一端に接続された分岐路Ｌａ，Ｌｂの配管の他端は合流して配管１０４に接続されている。エッチング液の循環路Ｌは、三方向弁Ｖ１により、配管１０３、分岐路Ｌａ、および配管１０４を通じた流路と、配管１０３、分岐路Ｌｂ、および配管１０４を通じた流路とに切り替えられる。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.
(First embodiment)
FIG. 1 is a diagram showing a schematic configuration of a wet etching apparatus according to the first embodiment. In the apparatus of FIG. 1, a circulation path L that returns from the etching tank 102 containing the etching solution 101 to the etching tank 102 is provided. The circulation path L has a pipe 103 for taking out the etching liquid from the etching tank 102 and a pipe 104 for returning the etching liquid to the etching tank 102. A three-way valve V1 is disposed at the end of the pipe 103 in the middle of the circulation path L, and branch paths La and Lb are provided by the three-way valve V1. The other ends of the pipes of the branch paths La and Lb to which the three-way valve V 1 is connected at one end merge and are connected to the pipe 104. The etching liquid circulation path L is switched by the three-way valve V 1 between a flow path through the pipe 103, the branch path La, and the pipe 104 and a flow path through the pipe 103, the branch path Lb, and the pipe 104.

分岐路Ｌａ，Ｌｂには、循環路Ｌの上流側から順に、ポンプ１０５ａ，１０５ｂと、フィルター１０６ａ，１０６ｂと、バルブＶａ２，Ｖｂ２がそれぞれ介設されている。更に、分岐路Ｌａ，Ｌｂは、バイパスＢａ，Ｂｂによって互いに接続されている。バイパスＢａは、分岐路Ｌａにおけるポンプ１０５ａとフィルター１０６ａの中間部と、分岐路Ｌｂにおける三方向弁Ｖ１とポンプ１０５ｂの中間部とを接続する。バイパスＢｂは、分岐路Ｌｂにおけるポンプ１０５ｂとフィルター１０６ｂの中間部と、分岐路Ｌａにおける三方向弁Ｖ１とポンプ１０５ａの中間部とを接続する。 Pumps 105a and 105b, filters 106a and 106b, and valves Va2 and Vb2 are interposed in the branch paths La and Lb in this order from the upstream side of the circulation path L. Further, the branch paths La and Lb are connected to each other by bypass Ba and Bb. The bypass Ba connects the intermediate portion between the pump 105a and the filter 106a in the branch passage La and the intermediate portion between the three-way valve V1 and the pump 105b in the branch passage Lb. The bypass Bb connects the intermediate portion between the pump 105b and the filter 106b in the branch passage Lb and the intermediate portion between the three-way valve V1 and the pump 105a in the branch passage La.

各バイパスＢａ，Ｂｂには、バルブＶａ１，Ｖｂ１と逆止弁１０７ａ，１０７ｂが設けられており、その逆止弁１０７ａ，１０７ｂによってエッチング液の流れを一方向に制限している。すなわち、バルブＶａ１，Ｖｂ１が開いていれば、配管１０３から配管１０４へ向かう循環方向と逆方向にフィルター１０６ａ，１０６ｂを流れたエッチング液がバイパスＢａ，Ｂｂを通り、分岐路Ｌｂ，Ｌａと合流する。 Each bypass Ba, Bb is provided with valves Va1, Vb1 and check valves 107a, 107b. The check valves 107a, 107b restrict the flow of the etching solution in one direction. That is, if the valves Va1 and Vb1 are open, the etching solution flowing through the filters 106a and 106b in the direction opposite to the circulation direction from the pipe 103 to the pipe 104 passes through the bypass Ba and Bb and joins the branch paths Lb and La. .

この装置では、エッチング槽１０２を用いて半導体基板のエッチングが行える状態において、フィルター１０６ａ，１０６ｂのいずれかを用いてエッチング液から固形残留物を除去する。図２では、フィルター１０６ｂを用いる場合のエッチング液の流れを示している。この場合、三方向弁Ｖ１を配管１０３から分岐路Ｌｂへ流れるように開き、バルブＶｂ１は閉じ、残りのバルブは開いた状態でポンプ１０５ｂを動作させる。これによってエッチング液は配管１０３から分岐路Ｌｂを通り、ポンプ１０５ｂによって圧送され一方のフィルター１０６ｂを通りエッチング槽１０２にもどる。 In this apparatus, in a state where the etching of the semiconductor substrate can be performed using the etching tank 102, the solid residue is removed from the etching solution using either the filter 106a or 106b. FIG. 2 shows the flow of the etching solution when the filter 106b is used. In this case, the three-way valve V1 is opened so as to flow from the pipe 103 to the branch path Lb, the valve Vb1 is closed, and the pump 105b is operated with the remaining valves opened. As a result, the etching solution passes from the pipe 103 through the branch path Lb, is pumped by the pump 105b, and returns to the etching tank 102 through one filter 106b.

この状態で、エッチング槽１０２において多数の半導体基板のエッチング処理を継続的に行っていると、一方のフィルター１０６ｂにエッチング液内の残留物、析出物等が付着堆積して、フィルター１０６ｂが目詰まりをおこす。フィルター１０６ｂが目詰まりを起こすとエッチング液１０１の循環が止まり、エッチング槽１０２内に残留物が滞留する為、この残留物が被エッチング材である半導体基板に付着して、異物となりエッチング不良となる。 In this state, if a large number of semiconductor substrates are continuously etched in the etching tank 102, residues, precipitates, and the like in the etching solution adhere to and accumulate on one filter 106b, and the filter 106b is clogged. I will. When the filter 106b is clogged, the circulation of the etching solution 101 stops and the residue stays in the etching tank 102. This residue adheres to the semiconductor substrate, which is the material to be etched, and becomes a foreign substance, resulting in poor etching. .

これを避けるため、そのとき使用しているフィルターが目詰まりしてエッチング液１０１の循環がとまる前に、エッチング液の濾過に利用するフィルターを他方のフィルターに変更する。特に図示しないが循環路のフィルターの直前に挿入した圧力計は薬液圧力の上昇によってフィルターの目詰まりの進行を確認できる。圧力計が表示・出力する圧力を監視することによって、フィルターの目詰まりでエッチング液１０１の循環がとまる前を特定することができる。バルブの開閉や切替は、その監視信号に基づいて、図示しない制御回路により行うことができる。 In order to avoid this, the filter used for filtration of the etching solution is changed to the other filter before the filter used at that time is clogged and the circulation of the etching solution 101 is stopped. Although not particularly shown, a pressure gauge inserted immediately before the filter in the circulation path can confirm the progress of clogging of the filter by the increase in the chemical pressure. By monitoring the pressure displayed and output by the pressure gauge, it is possible to identify before the circulation of the etching solution 101 is stopped due to clogging of the filter. The opening / closing and switching of the valve can be performed by a control circuit (not shown) based on the monitoring signal.

図３では、フィルター１０６ａを用いる場合のエッチング液の流れを示している。エッチング液１０１の圧力が予め与えた値になると、三方向弁Ｖ１を配管１０３から分岐路Ｌａへ流れるように開き、バルブＶｂ１を開き、それまで開けていたバルブＶａ１を閉じ、残りのバルブは開いた状態でポンプ１０５ｂを停止させ、ポンプ１０５ａを動作させる。 FIG. 3 shows the flow of the etching solution when the filter 106a is used. When the pressure of the etching solution 101 reaches a predetermined value, the three-way valve V1 is opened to flow from the pipe 103 to the branch path La, the valve Vb1 is opened, the valve Va1 that has been opened is closed, and the remaining valves are opened. In this state, the pump 105b is stopped and the pump 105a is operated.

これによってエッチング液は配管１０３から分岐路Ｌａを通り、ポンプ１０５ａによって圧送され分岐路Ｌａに取り付けられた目詰まりのないフィルター１０６ａを通りエッチング槽１０２にもどる。 As a result, the etching solution passes from the pipe 103 through the branch path La and returns to the etching tank 102 through the filter 106a which is pumped by the pump 105a and attached to the branch path La.

またフィルター１０６ａでエッチング液を濾過している間、フィルター１０６ｂは洗浄される。ポンプ１０５ａの圧送により分岐路Ｌａを通過したエッチング液の一部は、配管１０４を通じてエッチング槽１０２へ流れるのではなく、分岐路Ｌｂに入り、フィルター１０６ｂを循環方向と逆方向に流れる。すなわちフィルター１０６ａを通過したエッチング液が、バルブＶｂ２、フィルター１０６ｂ、バルブＶｂ１、逆止弁１０７ｂを通り分岐路Ｌａに合流し、ポンプ１０５ａ方向にいたる流れができる。 Further, the filter 106b is washed while the etching solution is filtered by the filter 106a. A part of the etching solution that has passed through the branch path La by the pumping of the pump 105a does not flow to the etching tank 102 through the pipe 104 but enters the branch path Lb and flows through the filter 106b in the direction opposite to the circulation direction. That is, the etching solution that has passed through the filter 106a passes through the valve Vb2, the filter 106b, the valve Vb1, and the check valve 107b, joins the branch path La, and can flow toward the pump 105a.

このように分岐路Ｌｂから分岐路ＬａへのバイパスＢｂを設けることにより、ポンプ１０５ａを用いて、エッチング液１０１をエッチング槽１０２に対して循環させる流路と、エッチング液１０１がフィルター１０６ｂを循環方向と逆方向に通過する流路が形成される。分岐路Ｌｂのフィルター１０６ｂを循環方向と逆方向にエッチング液が流れることによりフィルター１０６ｂに目詰まりした堆積物を除去し、つまりフィルター１０６ｂの逆洗浄によりフィルター１０６ｂを正常な状態に戻すことが出来る。 By providing the bypass Bb from the branch path Lb to the branch path La in this way, the pump 105a is used to circulate the etching solution 101 with respect to the etching tank 102, and the etching solution 101 circulates the filter 106b. A flow path that passes in the opposite direction is formed. As the etching solution flows through the filter 106b in the branch path Lb in the direction opposite to the circulation direction, deposits clogged in the filter 106b are removed, that is, the filter 106b can be returned to a normal state by reverse cleaning of the filter 106b.

以降、このようにしてエッチングを継続し、フィルター１０６ａに目詰まりが生じる前に、最初のようにエッチング液の循環路を分岐路Ｌｂ側に切り替え、フィルター１０６ｂによりエッチング液から固形残留物を除去する。バイパスＢａを設けていることにより、フィルター１０６ｂで残留物を除去している間、フィルター１０６ｂを通過したエッチング液が、循環方向と逆方向にフィルター１０６ａを通過するから、上記動作と同様にしてフィルター１０６ａが正常な状態に戻る。 Thereafter, the etching is continued in this manner, and before the filter 106a is clogged, the etching liquid circulation path is switched to the branch path Lb side as in the beginning, and the solid residue is removed from the etching liquid by the filter 106b. . By providing the bypass Ba, the etching solution that has passed through the filter 106b passes through the filter 106a in the direction opposite to the circulation direction while the residue is removed by the filter 106b. 106a returns to a normal state.

以上のような第１の実施の形態によればエッチング液１０１の循環路の圧力により、フィルターの逆洗浄を行った。圧力を監視する代わりに、ポンプ１０５ａ、及びポンプ１０５ｂの運転時間を、例えば被処理物の各処理ごとの処理時間、つまりフィルターが目詰まりを起こすまでのフィルター寿命の１％程度の処理時間で定めて、その時間がきたら自動的に循環路を分岐路Ｌａ側か分岐路Ｌｂ側に切り替え、フィルター１０６ａ，１０６ｂを正常な状態に戻すようにしてもよい。 According to the first embodiment as described above, the filter is back-washed by the pressure of the circulation path of the etching solution 101. Instead of monitoring the pressure, the operation time of the pump 105a and the pump 105b is determined by, for example, the processing time for each processing of the workpiece, that is, the processing time of about 1% of the filter life until the filter is clogged. Then, when the time comes, the circulation path may be automatically switched to the branch path La side or the branch path Lb side to return the filters 106a and 106b to the normal state.

これにより、フィルターに詰まった堆積物の除去を専用薬液による溶解によらず、またウエットエッチング装置をまったく停止させることなくフィルターの切り替えおよび正常作業が行える。そのため、エッチング作業の中断がなく、目詰まりを起こしたフィルターを廃棄するという無駄もなくすことができる。さらにフィルターが複数あっても、フィルターの堆積物を溶解して除去する専用薬液やその供給路が必要ないので、装置コストやランニングコストを抑えることができる。したがって、この基板処理装置を用いることにより、半導体装置の製造を効率的、かつ安価に行うことが可能となる。 Thereby, filter removal and normal operation can be performed without removing deposits clogged in the filter without dissolving with a dedicated chemical solution and without stopping the wet etching apparatus at all. Therefore, the etching operation is not interrupted, and the waste of discarding the clogged filter can be eliminated. Furthermore, even if there are a plurality of filters, there is no need for a dedicated chemical solution for dissolving and removing the filter deposits and its supply path, so that the apparatus cost and running cost can be reduced. Therefore, by using this substrate processing apparatus, it becomes possible to manufacture the semiconductor device efficiently and inexpensively.

またエッチング液が循環路Ｌを流れるときも、バイパスＢａ，Ｂｂを通るときも、いずれかのポンプにより圧送されるため、この配管系でエッチング液は円滑に流れる。さらに２つのポンプを備えているので、一方のポンプに動作不良や故障等があっても、他方のポンプを用いてエッチング液を循環させることが可能である。このため、ポンプの修理や交換等を行うときも、エッチング作業を継続することは可能である。 Further, when the etching solution flows through the circulation path L or when it passes through the bypasses Ba and Bb, it is pumped by any one of the pumps, so that the etching solution flows smoothly in this piping system. Further, since two pumps are provided, even if one of the pumps has a malfunction or failure, it is possible to circulate the etching solution using the other pump. For this reason, the etching operation can be continued even when the pump is repaired or replaced.

なお、本実施の形態における薬液循環の方法では、一方のフィルターにトラップされたエッチング薬液中の異物、パーティクルなどは逆洗浄過程で他方のフィルターでふたたびトラップするので、交互のフィルターに対して逆洗浄を繰り返すとトラップされるべき異物、パーティクル量が増加してくる。したがって所定回数逆洗浄を繰り返した後は２本のフィルターを交換しなければならないが、それまでは上記のようにエッチング装置を稼動させたまま自動的にフィルターが逆洗浄されるのでメンテナンス回数を大幅に低減させることが出来る。
(第２の実施の形態)
図４は第２の実施の形態によるウエットエッチング装置の概略構成を示す図である。第１の実施の形態によるウエットエッチング装置と同一要素には同一の符号を付し、その説明を省略する。 In the chemical circulation method according to the present embodiment, foreign substances and particles in the etching chemical liquid trapped in one filter are trapped again by the other filter in the reverse cleaning process, so back cleaning is performed for the alternate filters. Repeating will increase the amount of foreign matter and particles to be trapped. Therefore, two filters must be replaced after repeated backwashing a predetermined number of times, but until then, the filter is automatically backwashed with the etching device running as described above, greatly increasing the number of maintenance. Can be reduced.
(Second embodiment)
FIG. 4 is a diagram showing a schematic configuration of a wet etching apparatus according to the second embodiment. The same elements as those of the wet etching apparatus according to the first embodiment are denoted by the same reference numerals, and the description thereof is omitted.

本装置において、図１に示した装置と相違するのは循環路Ｌから分岐された各循環路Ｌａ，Ｌｂのそれぞれのポンプ１０５ａ，１０５ｂとフィルター１０６ａ，１０６ｂとの途中に設置された逆止弁１０７ａ，１０７ｂの先に、エッチング液を廃液する廃液槽４０１を設けたことである。図１に示した装置では、循環方向と逆方向にフィルター１０６ａ，１０６ｂにエッチング液１０１を流すためにバイパスＢａ，Ｂｂを用いていたが、本装置では、廃液管４０２ａ，４０２ｂが用いられることになり、バルブＶａ１，Ｖｂ１や、逆止弁１０７ａ，１０７ｂはその廃液管４０２ａ，４０２ｂに設けられている。また本装置は、エッチング槽１０２にエッチング液１０１を補充する薬液供給槽４０３と薬液供給路Ｌ０を設けたことでも、第１の実施の形態によるウエットエッチング装置と異なっている。 In this apparatus, the difference from the apparatus shown in FIG. 1 is that a check valve installed in the middle of each of the pumps 105a and 105b and the filters 106a and 106b in each of the circulation paths La and Lb branched from the circulation path L. A waste liquid tank 401 for waste of the etching liquid is provided at the tip of 107a and 107b. In the apparatus shown in FIG. 1, the bypasses Ba and Bb are used to flow the etching solution 101 through the filters 106a and 106b in the direction opposite to the circulation direction. However, in this apparatus, the waste liquid tubes 402a and 402b are used. Thus, the valves Va1 and Vb1 and the check valves 107a and 107b are provided in the waste liquid pipes 402a and 402b. This apparatus is also different from the wet etching apparatus according to the first embodiment in that a chemical liquid supply tank 403 for replenishing the etching liquid 101 and a chemical liquid supply path L0 are provided in the etching tank 102.

この装置も、半導体基板のウエットエッチング中において、フィルター１０６ａ，１０６ｂのいずれかを用いてエッチング液１０１から固形残留物を除去する。図５では、フィルター１０６ｂを用いる場合のエッチング液の流れを示している。この場合、三方向弁Ｖ１を配管１０３から分岐路Ｌｂへ流れるように開き、バルブＶｂ１は閉じ、残りのバルブは開いた状態でポンプ１０５ｂを動作させる。これによってエッチング液は配管１０３から分岐路Ｌｂを通り、ポンプ１０５ｂによって圧送され一方のフィルター１０６ｂを通り、配管１０４を通じてエッチング槽１０２にもどる。 This apparatus also removes solid residues from the etching solution 101 using either the filter 106a or 106b during wet etching of the semiconductor substrate. FIG. 5 shows the flow of the etching solution when the filter 106b is used. In this case, the three-way valve V1 is opened so as to flow from the pipe 103 to the branch path Lb, the valve Vb1 is closed, and the pump 105b is operated with the remaining valves opened. As a result, the etching solution passes from the pipe 103 through the branch path Lb, is pumped by the pump 105b, passes through one filter 106b, and returns to the etching tank 102 through the pipe 104.

エッチング槽１０２で半導体基板を多数エッチング処理継続すると、一方のフィルター１０６ｂにエッチング液内の残留物、析出物等が付着堆積して、フィルター１０６ｂがついには目詰まりをおこす。フィルター１０６ｂが目詰まりを起こすとエッチング液１０１の循環が止まり、エッチング槽１０２内に残留物が滞留する為、この残留物が被エッチング材に付着して、異物となりエッチング不良となる。 When a large number of semiconductor substrates are continuously etched in the etching tank 102, residues, precipitates, and the like in the etching solution adhere to and accumulate on one filter 106b, and the filter 106b eventually becomes clogged. When the filter 106b is clogged, the circulation of the etching solution 101 is stopped, and the residue stays in the etching tank 102. Therefore, the residue adheres to the material to be etched and becomes a foreign substance, resulting in poor etching.

そこで特に図示しないが循環路に挿入した圧力計の圧力を監視することによってフィルターの目詰まりでエッチング液１０１の循環がとまる前に、エッチング液内の残留物を除去するのに利用するフィルターを切り替える。図６では、エッチング液の濾過に利用するフィルターがフィルター１０６ａに切り替えられた場合のエッチング液の流れを示している。この場合、三方向弁Ｖ１を配管１０３から分岐路Ｌａへ流れるように開き、バルブＶｂ１を開き、バルブＶａ１を閉じ、残りのバルブは開いた状態でポンプ１０５ｂを停止させ、ポンプ１０５ａを動作させる。 Therefore, although not particularly illustrated, the pressure of the pressure gauge inserted in the circulation path is monitored to switch the filter used to remove the residue in the etching solution before the etching solution 101 circulates due to clogging of the filter. . FIG. 6 shows the flow of the etching solution when the filter used for filtering the etching solution is switched to the filter 106a. In this case, the three-way valve V1 is opened so as to flow from the pipe 103 to the branch path La, the valve Vb1 is opened, the valve Va1 is closed, and the pump 105b is stopped and the pump 105a is operated with the remaining valves opened.

圧力を監視する代わりに三方向弁Ｖ１を配管１０３から分岐路Ｌａへ流れるように開くのを、被処理物の各処理ごとの処理時間、つまりフィルターが目詰まりを起こすフィルター寿命の１％程度の処理時間が経過した後に行ってもよい。 Instead of monitoring the pressure, the three-way valve V1 is opened so as to flow from the pipe 103 to the branch path La. The processing time for each processing of the processing object, that is, about 1% of the filter life causing the filter to be clogged. You may perform after processing time passes.

これによってエッチング液の流路が切り替えられ、エッチング液は配管１０３から分岐路Ｌａを通り、ポンプ１０５ａによって圧送されフィルター１０６ａを通りエッチング槽１０２にもどる。フィルター１０６ａにより、エッチング液内の残留物が除去されることになる。 As a result, the flow path of the etching solution is switched, and the etching solution passes through the branch line La from the pipe 103, is pumped by the pump 105a, and returns to the etching tank 102 through the filter 106a. Residues in the etching solution are removed by the filter 106a.

このようにフィルター１０６ａでエッチング液から固形残留物を除去するとき、フィルター１０６ｂが洗浄される。分岐路Ｌｂを通過したエッチング液の一部は、配管１０４を通じてエッチング槽１０２へ流れるのではなく、分岐路Ｌｂに入り、フィルター１０６ｂを循環方向と逆方向に流れる。すなわちエッチング液が、バルブＶｂ２、フィルター１０６ｂ、バルブＶｂ１、逆止弁１０７ｂ方向に流れ廃液槽４０１に排出される。この分岐路Ｌｂのフィルター１０６ｂの循環方向に対して逆方向に流れる薬液によりフィルター１０６ｂに目詰まりした堆積物を除去し、つまりフィルター１０６ｂの逆洗浄によりフィルター１０６ｂに付着堆積したものを排出してフィルターの能力を元に戻す。 Thus, when the solid residue is removed from the etching solution by the filter 106a, the filter 106b is washed. A portion of the etching solution that has passed through the branch path Lb does not flow to the etching tank 102 through the pipe 104 but enters the branch path Lb and flows through the filter 106b in a direction opposite to the circulation direction. That is, the etching solution flows in the direction of the valve Vb2, the filter 106b, the valve Vb1, and the check valve 107b and is discharged to the waste liquid tank 401. The deposit clogged in the filter 106b is removed by the chemical solution flowing in the direction opposite to the circulation direction of the filter 106b in the branch path Lb, that is, the deposit deposited on the filter 106b by the back washing of the filter 106b is discharged to remove the filter. Undo the ability.

一定時間この状態を維持し、フィルター１０６ｂの能力が元の状態に戻ったらバルブＶｂ１を閉じ、薬液の排出を停止する。薬液は分岐路Ｌａによって循環させてエッチング処理を続行する。フィルター１０６ｂの逆洗浄でフィルター１０６ｂより取り除かれた堆積物により清浄度が低下したエッチング液１０１を分岐路Ｌｂより廃液槽４０１へ排出することでエッチング槽１０２のエッチング液１０１の清浄度が確保される。さらに排出されたエッチング液１０１と同量のエッチング液１０１を薬液供給槽４０３から薬液供給路Ｌ０によりエッチング槽１０２へ補充する。 This state is maintained for a certain time, and when the capacity of the filter 106b returns to the original state, the valve Vb1 is closed and the discharge of the chemical solution is stopped. The chemical solution is circulated through the branch path La to continue the etching process. The cleanliness of the etching liquid 101 in the etching tank 102 is ensured by discharging the etching liquid 101 whose cleanliness has decreased due to the deposit removed from the filter 106b by the reverse cleaning of the filter 106b from the branch path Lb to the waste liquid tank 401. . Further, the same amount of the etching solution 101 as the discharged etching solution 101 is replenished from the chemical solution supply tank 403 to the etching tank 102 through the chemical solution supply path L0.

以降、このようにしてエッチングを継続し、フィルター１０６ａに目詰まりが生じる前に、最初のようにエッチング液の循環路を分岐路Ｌｂ側に切り替え、フィルター１０６ｂによりエッチング液から固形残留物を除去する。図５で説明した状態では、分岐路Ｌａを通過したエッチング液の一部が、配管１０４に入らず、循環方向と逆方向にフィルター１０６ａを流れる。すなわち、バルブＶａ２、フィルター１０６ａ、バルブＶａ１、逆止弁１０７ａの順に流れ廃液槽４０１へ排出される。このときポンプ１０５ａが動作している、していないにかかわらず一方向にしか薬液を流すことができないので分岐路Ｌｂに戻る流れは発生しない。 Thereafter, the etching is continued in this manner, and before the filter 106a is clogged, the etching liquid circulation path is switched to the branch path Lb side as in the beginning, and the solid residue is removed from the etching liquid by the filter 106b. . In the state described with reference to FIG. 5, a part of the etching solution that has passed through the branch path La does not enter the pipe 104 and flows through the filter 106a in the direction opposite to the circulation direction. That is, the valve Va2, the filter 106a, the valve Va1, and the check valve 107a flow in this order and are discharged to the waste liquid tank 401. At this time, regardless of whether or not the pump 105a is operating, the chemical liquid can be flowed only in one direction, so that no flow is returned to the branch path Lb.

これにより、上記動作と同様にしてフィルター１０６ａに付着堆積したものを排出してフィルターの能力を元に戻す。フィルターに詰まった堆積物の除去を専用薬液による溶解によらず、ウエットエッチング装置をまったく停止させることなくフィルターの交換および正常作業が行える。そのため、エッチング作業の中断がなく、フィルターを廃棄するという無駄もなくすことができる。 As a result, in the same manner as in the above operation, the material deposited and deposited on the filter 106a is discharged, and the capacity of the filter is restored. Filter removal and normal operation can be performed without stopping the wet etching apparatus at all without removing deposits clogging the filter by dissolving with a dedicated chemical solution. For this reason, there is no interruption of the etching operation, and the waste of discarding the filter can be eliminated.

以上の説明は、ウエットエッチング装置を停止することなくフィルターの再生を行うことについて説明したが、フィルター内の濾過部材の目詰まりが進行すると濾過部材表面は薬液の循環圧力により過度の負担がかかり濾過部材が破損する部分が生じる。再生作業を繰り返すことで、ついにはフィルター内の濾過部材の全面にわたって破損する部分が生じると、本来のフィルター能力を失い新しいものと交換する必要が生じる。この時も装置を停止することなく変換できる。 In the above description, the filter is regenerated without stopping the wet etching apparatus. However, when the filter member in the filter becomes clogged, the filter member surface is subjected to an excessive load due to the circulation pressure of the chemical solution. The part which a member breaks arises. By repeating the regenerating operation, when a portion that is damaged over the entire surface of the filter member in the filter is finally generated, it is necessary to lose the original filter capability and replace it with a new one. Also at this time, conversion can be performed without stopping the apparatus.

例えば、三方向弁Ｖ１を配管１０３から分岐路Ｌａへ流れるように開き、バルブＶａ１、Ｖｂ２は閉じ、残りのバルブは開いた状態でポンプ１０５ａを動作させる。これによってエッチング液は配管１０３から分岐路Ｌａを通り、ポンプ１０５ａによって圧送されフィルター１０６ａを通りエッチング槽１０２へ循環する。このとき一方の分岐路Ｌｂは薬液の循環がなくフィルター１０６ｂを取り除くことができ、新しいフィルター１０６ｂと交換できる。 For example, the three-way valve V1 is opened to flow from the pipe 103 to the branch path La, the valves Va1 and Vb2 are closed, and the remaining valves are opened to operate the pump 105a. As a result, the etching solution passes from the pipe 103 through the branch path La, is pumped by the pump 105a, and circulates through the filter 106a to the etching tank 102. At this time, one of the branch paths Lb has no chemical solution circulation, and the filter 106b can be removed and replaced with a new filter 106b.

フィルター１０６ａを交換するときには、三方向弁Ｖ１を配管１０３から分岐路Ｌｂへ流れるように開き、バルブＶｂ１、Ｖａ２は閉じ、残りのバルブは開いた状態でポンプ１０５ｂを動作させる。これによってエッチング液は配管１０３から分岐路Ｌｂを通り、ポンプ１０５ｂによって圧送され一方のフィルター１０６ｂを通りエッチング槽１０２へ循環する。このとき一方の分岐路Ｌａは薬液の循環がなくフィルター１０６ａを取り除くことができ、新しいフィルター１０６ａと交換できる。
（第３の実施の形態）
図７は第３の実施の形態によるウエットエッチング装置の概略構成を示す図である。第３の実施の形態によるウエットエッチング装置は、第２の実施の形態によるウェットエッチング装置と同様にエッチング液を廃液できるよう、第１の実施の形態によるウエットエッチング装置の一部を変更したものである。各実施の形態によるウエットエッチング装置と同一要素には同一の符号を付し、その説明を省略する。 When replacing the filter 106a, the three-way valve V1 is opened to flow from the pipe 103 to the branch path Lb, the valves Vb1 and Va2 are closed, and the pump 105b is operated with the remaining valves open. As a result, the etching solution passes from the pipe 103 through the branch path Lb, is pumped by the pump 105b, and circulates through the one filter 106b to the etching tank 102. At this time, one branch passage La has no circulation of the chemical solution, and the filter 106a can be removed and replaced with a new filter 106a.
(Third embodiment)
FIG. 7 is a diagram showing a schematic configuration of a wet etching apparatus according to the third embodiment. The wet etching apparatus according to the third embodiment is obtained by changing a part of the wet etching apparatus according to the first embodiment so that the etching solution can be drained in the same manner as the wet etching apparatus according to the second embodiment. is there. The same elements as those of the wet etching apparatus according to each embodiment are denoted by the same reference numerals, and the description thereof is omitted.

本実施の形態による装置では、バイパスＢｂの分岐路Ｌａとの接続部と逆止弁１０７ｂとの間に、三方向弁７０１を配置している。バイパスＢｂは、バルブＶｂ１および逆止弁１０７ｂを設けた配管７０２と、一端が三方向弁７０１により配管７０２に接続され、他端が分岐路Ｌａに接続される配管７０３とを備えている。また三方向弁７０１には、配管７０２及び７０３に加え、エッチング液１０１を廃液槽４０１に排出する廃液管７０４が接続されている。三方向弁７０１は、配管７０２から流入したエッチング液１０１の出路を配管７０３か配管７０４に切り替える。すなわち、三方向弁７０１は、配管７０２を流れるエッチング液１０１を分岐路Ｌａに流すか、廃液槽４０１に排出するかを選択するのに用いることができる。 In the apparatus according to the present embodiment, a three-way valve 701 is disposed between a connection portion between the bypass Bb and the branch path La and the check valve 107b. The bypass Bb includes a pipe 702 provided with a valve Vb1 and a check valve 107b, and a pipe 703 having one end connected to the pipe 702 by a three-way valve 701 and the other end connected to the branch path La. In addition to the pipes 702 and 703, a waste liquid pipe 704 that discharges the etching liquid 101 to the waste liquid tank 401 is connected to the three-way valve 701. The three-way valve 701 switches the exit path of the etching solution 101 flowing from the pipe 702 to the pipe 703 or the pipe 704. That is, the three-way valve 701 can be used to select whether the etching solution 101 flowing through the pipe 702 is flowed to the branch path La or discharged to the waste liquid tank 401.

第１の実施の形態によるウエットエッチング装置では、上述のように、一方のフィルターにトラップされたエッチング薬液中の異物、パーティクルなどは逆洗浄過程で他方のフィルターに再びトラップされる。このため、逆洗浄によるフィルターの再生を繰り返すと、フィルターの逆洗浄を行う間隔が序々に短くなる。 In the wet etching apparatus according to the first embodiment, as described above, foreign substances, particles, etc. in the etching chemical liquid trapped in one filter are trapped again in the other filter in the reverse cleaning process. For this reason, if the regeneration of the filter by backwashing is repeated, the interval at which the filter is backwashed gradually decreases.

そこで、第３の実施の形態によるウエットエッチング装置では、三方向弁Ｖ１の切替回数を計数しておき、その計数が所定回数に達すると、三方向弁７０１の出路を配管７０３から配管７０４に切り替え、エッチング液１０１を廃液槽４０１に排出する。 Therefore, in the wet etching apparatus according to the third embodiment, the switching number of the three-way valve V1 is counted, and when the count reaches a predetermined number, the outlet of the three-way valve 701 is switched from the pipe 703 to the pipe 704. Then, the etching solution 101 is discharged into the waste solution tank 401.

これにより、それまでにフィルター１０６ｂに堆積していた堆積物は循環系から取り除かれることになるため、フィルターの逆洗浄を行う（三方向弁Ｖ１を切り替える）間隔が短くなるのを抑制することができる。 As a result, the deposit that has been deposited on the filter 106b until then is removed from the circulation system, so that it is possible to suppress the interval between the backwashing of the filter (switching the three-way valve V1) from being shortened. it can.

エッチング液１０１を排出したときには、第２の実施の形態と同様に、同量のエッチング液１０１が薬液供給槽４０３から薬液供給路Ｌ０によりエッチング槽１０２へ補充される。第３の実施の形態によるウエットエッチング装置では、第２の実施の形態と異なり三方向弁７０１の出路が配管７０４に切り替えられたときにのみ、エッチング液１０１が廃液されることになる。 When the etching solution 101 is discharged, the same amount of the etching solution 101 is replenished from the chemical solution supply tank 403 to the etching tank 102 through the chemical solution supply path L0 as in the second embodiment. In the wet etching apparatus according to the third embodiment, unlike the second embodiment, the etching solution 101 is drained only when the outlet of the three-way valve 701 is switched to the pipe 704.

上述の説明では、三方向弁Ｖ１の切替回数によって、三方向弁７０１を制御したが、これに限られるものではない。例えば、三方向弁Ｖ１の切替時期を監視圧力に基づいて定めている場合に、三方向弁Ｖ１の切替間隔が所定期間以下になったとき、三方向弁７０１の出路を配管７０４に切り替えるようにしてもよい。 In the above description, the three-way valve 701 is controlled based on the number of times the three-way valve V1 is switched. However, the present invention is not limited to this. For example, when the switching timing of the three-way valve V1 is determined based on the monitoring pressure, the outlet of the three-way valve 701 is switched to the pipe 704 when the switching interval of the three-way valve V1 becomes a predetermined period or less. May be.

また本実施の形態によるウエットエッチング装置では、バイパスＢｂに三方向弁を介して廃液管を接続したが、バイパスＢａまたは両方のバイパスに三方向弁を介して廃液管を接続するようにしてもよい。 In the wet etching apparatus according to the present embodiment, the waste liquid pipe is connected to the bypass Bb via the three-way valve. However, the waste liquid pipe may be connected to the bypass Ba or both bypasses via the three-way valve. .

また第３の実施の形態にように、バイパスを廃液路としても利用するのではなく、バイパスの一方を廃液管に代えてもよい。 Further, as in the third embodiment, instead of using the bypass as a waste liquid path, one of the bypasses may be replaced with a waste liquid pipe.

本発明は、以上で説明した実施の形態に限定されるものではなく、本発明の効果を奏する範囲において、種々の変形および応用が可能である。例えば、上述の実施の形態では、ウエットエッチングに本発明を利用したが、メッキ処理やその他の基板処理に利用することも可能である。 The present invention is not limited to the embodiment described above, and various modifications and applications are possible within the scope of the effects of the present invention. For example, in the above-described embodiment, the present invention is used for wet etching, but it can also be used for plating and other substrate processing.

以上のような構造を有する基板処理装置、および基板処理方法は半導体集積回路製造の分野に限らず、処理薬液を有効に使用することを目的とする分野にも適用することが出来有益である。 The substrate processing apparatus and the substrate processing method having the above-described structure are not limited to the field of semiconductor integrated circuit manufacturing, but are useful because they can be applied to the field aimed at effectively using a processing chemical.

第１の実施の形態によるウエットエッチング装置の概略構成を示す図The figure which shows schematic structure of the wet etching apparatus by 1st Embodiment 第１の実施の形態によるウエットエッチング装置におけるエッチング液の流れを説明するための図The figure for demonstrating the flow of the etching liquid in the wet etching apparatus by 1st Embodiment 第１の実施の形態によるウエットエッチング装置におけるエッチング液の流れを説明するための他の図The other figure for demonstrating the flow of the etching liquid in the wet etching apparatus by 1st Embodiment 第２の実施の形態によるウエットエッチング装置の概略構成を示す図The figure which shows schematic structure of the wet etching apparatus by 2nd Embodiment. 第２の実施の形態によるウエットエッチング装置におけるエッチング液の流れを説明するための図The figure for demonstrating the flow of the etching liquid in the wet etching apparatus by 2nd Embodiment 第２の実施の形態によるウエットエッチング装置におけるエッチング液の流れを説明するための他の図The other figure for demonstrating the flow of the etching liquid in the wet etching apparatus by 2nd Embodiment 第３の実施の形態によるウエットエッチング装置の概略構成を示す図The figure which shows schematic structure of the wet etching apparatus by 3rd Embodiment 従来のウエットエッチング装置の概略構成の一例を示す図The figure which shows an example of schematic structure of the conventional wet etching apparatus 従来のウエットエッチング装置の概略構成について別の例を示す図The figure which shows another example about schematic structure of the conventional wet etching apparatus

符号の説明Explanation of symbols

１０１エッチング液
１０２エッチング槽
１０３、１０４循環用配管
１０５ａ，１０５ｂポンプ
１０６ａ，１０６ｂフィルター
１０７ａ，１０７ｂ逆止弁
４０１廃液槽
４０２ａ，４０２ｂ、７０４廃液管
４０３薬液供給槽
７０１バイパス上の三方向弁
７０２、７０３バイパス用配管
Ｌ循環路
Ｌａ，Ｌｂ分岐路
Ｂａ，Ｂｂバイパス
Ｌ０薬液供給路
Ｖ１循環路上の三方向弁
Ｖａ１，Ｖａ２，Ｖｂ１，Ｖｂ２バルブ

DESCRIPTION OF SYMBOLS 101 Etching liquid 102 Etching tank 103, 104 Circulation piping 105a, 105b Pump 106a, 106b Filter 107a, 107b Check valve 401 Waste liquid tank 402a, 402b, 704 Waste liquid pipe 403 Chemical liquid supply tank 701 Three-way valves 702, 703 on the bypass Bypass pipe L Circulation path La, Lb Branch path Ba, Bb Bypass L0 Chemical solution supply path V1 Three-way valve Va1, Va2, Vb1, Vb2 valve on the circulation path

Claims

基板を処理する薬液が満たされた薬液槽と、
前記薬液槽から薬液を取り出す第１の配管と、
一端が切り替えバルブを介して前記第１の配管に接続され、他端が互いに接続された第２および第３の配管と、
前記第２および第３の配管の他端接続部に接続し、前記薬液を前記薬液槽に戻す第４の配管とを備え、
前記第２および第３の配管にフィルターが介設され、
前記フィルターと前記一端の中間部においては、前記第１の配管から前記第４の配管へ向かう循環方向と逆方向に前記薬液を当該フィルターに流すための配管が接続されていることを特徴とする基板処理装置。 A chemical bath filled with a chemical for processing the substrate;
A first pipe for taking out the chemical from the chemical tank;
Second and third pipes having one end connected to the first pipe via a switching valve and the other end connected to each other;
A second pipe connected to the other end connection portion of the second and third pipes and returning the chemical liquid to the chemical tank;
A filter is interposed in the second and third pipes,
In the middle part of the filter and the one end, a pipe for flowing the chemical solution through the filter in a direction opposite to a circulation direction from the first pipe to the fourth pipe is connected. Substrate processing equipment.

基板を処理する薬液が満たされた薬液槽と、
前記薬液槽から薬液を取り出す第１の配管と、
一端が切り替えバルブを介して前記第１の配管に接続され、他端が互いに接続された第２および第３の配管と、
前記第２および第３の配管の他端接続部に接続し、前記薬液を前記薬液槽に戻す第４の配管とを備え、
前記第２および第３の配管にはフィルターが介接され、
前記フィルターと前記一端の中間部においては、前記第２の配管から前記第３の配管方向へ薬液を流すための第１のバイパスと、前記第３の配管から前記第２の配管へ薬液を流すための第２のバイパスとが設けられていることを特徴とする基板処理装置。 A chemical bath filled with a chemical for processing the substrate;
A first pipe for taking out the chemical from the chemical tank;
Second and third pipes having one end connected to the first pipe via a switching valve and the other end connected to each other;
A second pipe connected to the other end connection portion of the second and third pipes and returning the chemical liquid to the chemical tank;
A filter is interposed in the second and third pipes,
In the intermediate portion between the filter and the one end, a first bypass for flowing a chemical from the second pipe toward the third pipe and a chemical from the third pipe to the second pipe are flowed. And a second bypass for the substrate processing apparatus.

基板を処理する薬液が満たされた薬液槽と、
前記薬液槽から薬液を取り出す第１の配管と、
一端が切り替えバルブを介して前記第１の配管に接続され、他端が互いに接続された第２および第３の配管と、
前記第２および第３の配管の他端接続部に接続し、前記薬液を前記薬液槽に戻す第４の配管とを備え、
前記第２および第３の配管にはフィルターが介接され、
前記フィルターと前記一端の中間部においては、前記第２の配管から薬液を外部へ排出するための第１の廃液管と、前記第３の配管から薬液を外部へ排出するための第２の廃液管とが設けられていることを特徴とする基板処理装置。 A chemical bath filled with a chemical for processing the substrate;
A first pipe for taking out the chemical from the chemical tank;
Second and third pipes having one end connected to the first pipe via a switching valve and the other end connected to each other;
A second pipe connected to the other end connection portion of the second and third pipes and returning the chemical liquid to the chemical tank;
A filter is interposed in the second and third pipes,
In the middle part of the filter and the one end, a first waste liquid pipe for discharging the chemical liquid from the second pipe to the outside, and a second waste liquid for discharging the chemical liquid from the third pipe to the outside A substrate processing apparatus comprising a tube.

前記薬液槽に薬液を補充するための薬液供給槽を備えていることを特徴とする請求項３に記載の基板処理装置。 The substrate processing apparatus according to claim 3, further comprising a chemical solution supply tank for replenishing the chemical solution tank with the chemical solution.

請求項２記載の基板処理装置を用いて基板を処理する基板処理方法において、
一方のフィルターを介して薬液を循環させている場合、他方のフィルターには、循環方向と逆方向に薬液を流すことを特徴とする基板処理方法。 In the substrate processing method which processes a board | substrate using the substrate processing apparatus of Claim 2,
A substrate processing method, wherein when a chemical solution is circulated through one filter, the chemical solution is caused to flow through the other filter in a direction opposite to the circulation direction.

請求項３記載の基板処理装置を用いて基板を処理する基板処理方法において、
一方のフィルターを介して薬液を循環させている場合、他方のフィルターには、循環方向と逆方向に薬液を流し、前記他方のフィルターを通過した薬液を外部へ排出する基板処理方法。 In the substrate processing method which processes a board | substrate using the substrate processing apparatus of Claim 3,
A substrate processing method in which when a chemical solution is circulated through one filter, the chemical solution is supplied to the other filter in a direction opposite to the circulation direction, and the chemical solution that has passed through the other filter is discharged to the outside.

前記他方のフィルターを通過した薬液の排出を開始してから一定時間が経過すると、その排出を停止し、前記一方のフィルターに対する薬液の循環は継続する請求項６記載の基板処理方法。 The substrate processing method according to claim 6, wherein when a certain time has elapsed after the discharge of the chemical solution that has passed through the other filter, the discharge is stopped and the circulation of the chemical solution to the one filter is continued.

請求項１乃至４のいずれかに記載の基板処理装置を用いた半導体装置の製造方法。

A method for manufacturing a semiconductor device using the substrate processing apparatus according to claim 1.