JP2008047564A - Vacuum treatment apparatus, diagnosis method of electrostatic chuck, and storage medium - Google Patents

Vacuum treatment apparatus, diagnosis method of electrostatic chuck, and storage medium Download PDF

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a vacuum treatment apparatus, or the like capable of diagnosing the insulated state of a dielectric layer before starting to use an electrostatic chuck in the operation, or the like of vacuum treatment to a substrate. <P>SOLUTION: In the flame-spraying electrostatic chuck 22 for attracting and holding a glass substrate G, or the like; a high-voltage DC power supply 67 applies a diagnosis DC voltage lower than that for attracting and holding the glass substrate G to a chuck electrode 24 in the electrostatic chuck 22, and respective measuring instruments 70, 71 acquire the measurement data of electrical characteristics (voltage and current) at a measurement position. Then, a control unit 80 playing a role of the diagnoser compares the measurement data of electrical characteristics with predetermined setting data (threshold) for respective electrical characteristics, and diagnoses whether the electrostatic chuck 22 is in a usable state. <P>COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT

Description

本発明は、基板例えばフラットパネルディスプレイ（ＦＰＤ）等のガラス基板に対して真空処理例えばプラズマ処理を施す装置において、装置の運転操作を開始する際に、装置内に設けられた静電チャックの使用が可能か否かを診断する技術に関する。   The present invention uses an electrostatic chuck provided in an apparatus when starting operation of the apparatus in an apparatus that performs a vacuum process such as a plasma process on a glass substrate such as a flat panel display (FPD). TECHNICAL FIELD OF THE INVENTION

ＦＰＤの一種である液晶ディスプレイを製造する工程の中には、ガラス基板上に多数の薄膜トランジスタ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ；ＴＦＴ）を形成する際に、ガラス基板に対してＣＶＤやエッチング等のプラズマ処理を施す工程が含まれている。   In a process of manufacturing a liquid crystal display which is a kind of FPD, when a large number of thin film transistors (TFTs) are formed on a glass substrate, plasma processing such as CVD or etching is performed on the glass substrate. A process is included.

プラズマ処理工程においては、真空状態とした処理容器（真空容器）内に例えば平行平板状の一対の電極を上下に対向させて配置し、これらの電極の間に高周波電力を印加することにより装置に導入された処理ガスをプラズマ化して、下部側の電極上に載置されたガラス基板にプラズマ処理を施すタイプのプラズマ処理装置を用いるのが一般的である。   In the plasma processing step, for example, a pair of parallel plate-like electrodes are disposed in a vacuum processing container (vacuum container) so as to face each other vertically, and high frequency power is applied between these electrodes to the apparatus. In general, a plasma processing apparatus of a type that converts the introduced processing gas into plasma and performs plasma processing on a glass substrate placed on the lower electrode is used.

プラズマ処理装置内でガラス基板を固定する手法としては、真空チャックを用いることができないため、クーロン力を利用してガラス基板を固定する静電チャックが用いられる。静電チャックには、シート状のチャック電極の表裏に例えばアルミナ等からなる絶縁層を溶射した溶射タイプと、セラミックプレートからなる絶縁層内にシート状のチャック電極を埋め込んだセラミックプレートタイプとがある。   As a method for fixing the glass substrate in the plasma processing apparatus, a vacuum chuck cannot be used. Therefore, an electrostatic chuck for fixing the glass substrate using Coulomb force is used. There are two types of electrostatic chucks: a thermal spray type in which an insulating layer made of alumina or the like is sprayed on both sides of a sheet-like chuck electrode, and a ceramic plate type in which a sheet-like chuck electrode is embedded in an insulating layer made of a ceramic plate. .

これらのうち、セラミックプレートタイプの静電チャックは大型のものを製作することが困難であり、また大型化したものは高コストになるため、処理対象がますます大型化しているガラス基板用のプラズマ処理装置に採用することは難しく、このようプラズマ処理装置に対しては溶射タイプの静電チャックを採用するのが一般的である。   Of these, ceramic plate-type electrostatic chucks are difficult to manufacture in large sizes, and those that are large are expensive, so the plasma targets for glass substrates are becoming larger in size. It is difficult to employ in a processing apparatus, and it is common to employ a thermal spray type electrostatic chuck for such a plasma processing apparatus.

ところが、溶射タイプの静電チャックは、製法上の理由から誘電体層がポーラスな構造を有しているため、装置メンテナンス時等に処理容器を大気開放すると、大気中の水分を吸収してしまう性質を持っている。水分を吸収した状態のまま、チャック電極にガラス基板を吸着させるための直流電圧（以下、チャック電圧という）を印加すると、絶縁性低下のため誘電体層の絶縁破壊が生じて静電チャックを破損してしまうおそれがある。   However, since the electrostatic spray type electrostatic chuck has a porous structure for the reason of manufacturing, the dielectric layer absorbs moisture in the atmosphere when the processing container is opened to the atmosphere during maintenance of the apparatus. Have nature. Applying a DC voltage (hereinafter referred to as chuck voltage) for adsorbing the glass substrate to the chuck electrode while absorbing moisture causes dielectric breakdown of the dielectric layer due to a decrease in insulation, resulting in damage to the electrostatic chuck. There is a risk of it.

そこで、一度大気に開放した（真空状態を解除した）プラズマ処理装置を使用する際には、処理容器内を真空状態にして一定時間待機し、誘電体層に吸収された水分を放散させて、水分の吸収による絶縁破壊が生じない状態となるのを待ってから静電チャックの使用を開始することが多い。しかし、このような運用は、オペレータによる運転マニュアルの遵守等に依存しているため、絶縁破壊の防止手段としては不確実性が大きい。また、上述した待機時間は、ある程度の安全率を含めて設定されているので、静電チャックが使用可能となるまでに必要な正味時間よりも長く待機しなければならない場合も多く、稼働効率を低下させる要因の一つになっていた。   Therefore, when using a plasma processing apparatus that is once opened to the atmosphere (released from the vacuum state), the inside of the processing container is kept in a vacuum state, waiting for a certain period of time, and the moisture absorbed in the dielectric layer is diffused. In many cases, the use of the electrostatic chuck is started after waiting for a state where dielectric breakdown due to moisture absorption does not occur. However, since such operation relies on the operator's compliance with the operation manual, etc., there is great uncertainty as a means for preventing dielectric breakdown. In addition, since the above-described standby time is set including a certain degree of safety factor, there are many cases in which it is necessary to wait longer than the net time required until the electrostatic chuck can be used, which increases the operating efficiency. It was one of the factors that caused it to decline.

なお特許文献１には、静電チャックの使用中に誘電体層の抵抗値や誘電体層を流れる電流値を計測して、プラズマの高温に晒されることを原因とする誘電体層の絶縁破壊を予測し警告を発する技術が記載されている。しかしながら、水分を吸収して誘電体層が絶縁破壊を起こし易くなっている静電チャックは、チャック電極にチャック電圧を印加した途端に静電破壊が発生してしまうおそれがあり、上述の課題を解決できるものではない。
特開２００２−３０５２３７号公報：請求項１ In Patent Document 1, the dielectric layer breakdown caused by exposure to high temperature of plasma is measured by measuring the resistance value of the dielectric layer and the current value flowing through the dielectric layer during use of the electrostatic chuck. A technology for predicting and issuing a warning is described. However, the electrostatic chuck in which the dielectric layer is liable to cause dielectric breakdown by absorbing moisture may cause electrostatic breakdown as soon as the chuck voltage is applied to the chuck electrode. Cannot be solved.
JP 2002-305237 A: Claim 1

本発明はこのような事情の下になされたものであり、その目的は、基板に対する真空処理の運用等において静電チャックの使用開始の前に、誘電体層の絶縁状態を診断することが可能な真空処理装置、静電チャックの診断方法及びこの方法を実行するためのプログラムを記憶した記憶媒体を提供することにある。   The present invention has been made under such circumstances. The purpose of the present invention is to diagnose the insulation state of the dielectric layer before the start of use of the electrostatic chuck in operation of vacuum processing on the substrate. Another object of the present invention is to provide a vacuum processing apparatus, an electrostatic chuck diagnosis method, and a storage medium storing a program for executing the method.

本発明に係る真空処理装置は、真空容器内の載置台に設けられた静電チャックに基板を載置し、チャック電極にチャック電圧を印加して基板を静電チャックに静電吸着させ、基板に対して処理を行う真空処理装置において、
前記チャック電極に、真空処理時におけるチャック電圧よりも低い診断電圧を印加するための電源と、
前記チャック電極に診断電圧を印加したときに静電チャックの電気的特性を測定し、その測定データを取得するための測定部と、
この測定部を介して取得した前記測定データと予め設定した設定データとに基づいて、前記静電チャックの使用が可能か否かを診断する診断部と、を備えたことを特徴とする。
ここで、前記測定データは、静電チャックの誘電体層を流れる電流、この電流の変化量、前記診断電圧を印加する電源から静電チャックを経て、接地に至る回路内の任意箇所の電圧及びこの電圧の変化量の中から選択されるものであることが好適である。 The vacuum processing apparatus according to the present invention mounts a substrate on an electrostatic chuck provided on a mounting table in a vacuum vessel, applies a chuck voltage to a chuck electrode, and electrostatically attracts the substrate to the electrostatic chuck. In a vacuum processing apparatus for processing
A power supply for applying a diagnostic voltage lower than the chuck voltage during vacuum processing to the chuck electrode;
A measurement unit for measuring the electrical characteristics of the electrostatic chuck when a diagnostic voltage is applied to the chuck electrode, and acquiring the measurement data;
And a diagnosis unit that diagnoses whether or not the electrostatic chuck can be used based on the measurement data acquired via the measurement unit and preset setting data.
Here, the measurement data includes the current flowing through the dielectric layer of the electrostatic chuck, the amount of change in the current, the voltage at any location in the circuit from the power supply that applies the diagnostic voltage to the ground through the electrostatic chuck, and It is preferable that the voltage is selected from the amount of change in voltage.

また、真空処理装置は、チャック電極に前記診断電圧を印加して測定部に測定データを取得させ、次いで前記診断部に診断を行わせるように各部を制御して自己診断を行うための制御部を更に備えていることが好ましい。更に、前記制御部は、真空容器内の真空排気を開始した時点から予め設定した時間が経過した後または真空容器内の圧力が予め設定した圧力となった後、前記自己診断を実行できるように構成されているとよく、また前記制御部は、オペレータの自己診断入力を受け付けたときに直ちに前記自己診断を実行するように構成されているとよい。   Further, the vacuum processing apparatus applies the diagnostic voltage to the chuck electrode, causes the measurement unit to acquire measurement data, and then controls each unit to perform diagnosis so that the diagnostic unit performs diagnosis. Is preferably further provided. Further, the control unit can execute the self-diagnosis after a preset time has elapsed from the start of evacuation in the vacuum vessel or after the pressure in the vacuum vessel reaches a preset pressure. The control unit may be configured to execute the self-diagnosis immediately upon receiving an operator's self-diagnosis input.

このほか、前記制御部は、診断部により前記静電チャックの使用が可能でないと診断されたときに、予め設定した時間間隔で前記自己診断を繰り返し実行するように構成されており、診断部により前記静電チャックの使用が可能でないと診断されたときに、予め設定した時間間隔で前記自己診断を繰り返し実行したり、前記自己診断の繰り返し回数の上限が設定されており、前記自己診断の繰り返し回数が上限に達したときに異常状態にあることを報知したりするように構成されていることが好ましい。   In addition, the control unit is configured to repeatedly execute the self-diagnosis at a preset time interval when the diagnosis unit diagnoses that the electrostatic chuck cannot be used. When it is diagnosed that the electrostatic chuck cannot be used, the self-diagnosis is repeatedly executed at a preset time interval, or an upper limit of the number of repetitions of the self-diagnosis is set. It is preferable to be configured to notify that there is an abnormal condition when the number of times reaches the upper limit.

更には、前記制御部は、診断部により前記静電チャックの使用が可能であると診断されるまで、静電チャックへのチャック電圧の印加を禁止するように構成されていていることが好ましく、上述の各真空処理装置における静電チャックの誘電体層は、溶射被膜により構成されていることが好適である。   Furthermore, it is preferable that the control unit is configured to prohibit application of a chuck voltage to the electrostatic chuck until the diagnosis unit diagnoses that the electrostatic chuck can be used. It is preferable that the dielectric layer of the electrostatic chuck in each of the vacuum processing apparatuses described above is composed of a sprayed coating.

また、本発明に係る静電チャックの診断方法は、真空容器内の載置台に設けられた静電チャックのチャック電極に、基板の処理時におけるチャック電圧よりも低い診断電圧を印加する工程と、
前記チャック電極に診断電圧を印加したときに静電チャックの電気的特性を測定し、その測定データを取得する工程と、
前記測定データと予め設定した設定データとに基づいて、前記静電チャックの使用が可能か否かを診断する工程と、を備えたことを特徴とする。
ここで、前記測定データは、静電チャックの誘電体層を流れる電流、この電流の変化量、前記診断電圧を印加する電源から静電チャックを経て、接地に至る回路内の任意箇所の電圧及びこの電圧の変化量の中から選択されるものであることが好適である。 The method for diagnosing an electrostatic chuck according to the present invention includes a step of applying a diagnostic voltage lower than the chuck voltage at the time of processing a substrate to the chuck electrode of the electrostatic chuck provided on the mounting table in the vacuum vessel;
Measuring electrical characteristics of the electrostatic chuck when a diagnostic voltage is applied to the chuck electrode, and obtaining the measurement data;
A step of diagnosing whether or not the electrostatic chuck can be used based on the measurement data and preset setting data.
Here, the measurement data includes the current flowing through the dielectric layer of the electrostatic chuck, the amount of change in the current, the voltage at any location in the circuit from the power supply that applies the diagnostic voltage to the ground through the electrostatic chuck, and It is preferable that the voltage is selected from the amount of change in voltage.

また、前記診断電圧を印加する工程は、真空容器内の真空排気を開始した時点から予め設定した時間が経過した後または真空容器内の圧力が予め設定した圧力になった後、行われるとよく、または、オペレータの診断入力を受け付けたときに直ちに実行されるようにするとよい。   The step of applying the diagnostic voltage may be performed after a preset time has elapsed from the time when evacuation in the vacuum vessel is started or after the pressure in the vacuum vessel reaches a preset pressure. Alternatively, it may be executed immediately upon receiving an operator's diagnostic input.

このほか、静電チャックを診断する工程において前記静電チャックの使用が可能でないと診断されたときに、予め設定した時間間隔で前記診断を繰り返し実行する工程を含み、前記診断の繰り返し回数の上限が設定されていて、前記診断の繰り返し回数が上限に達したときに異常状態にあることを報知する工程を含むようにするとよい。更には、前記静電チャックの使用が可能であると診断されるまで、静電チャックへのチャック電圧の印加を禁止するように構成されていることが好ましい。   In addition, when the electrostatic chuck is diagnosed as being unusable in the step of diagnosing the electrostatic chuck, the method includes a step of repeatedly executing the diagnosis at a preset time interval, and an upper limit of the number of repetitions of the diagnosis Is set, and a step of notifying that there is an abnormal condition when the number of repetitions of the diagnosis reaches an upper limit may be included. Further, it is preferable that the application of the chuck voltage to the electrostatic chuck is prohibited until it is diagnosed that the electrostatic chuck can be used.

また、本発明に係る記憶媒体は、真空容器内の載置台に設けられた静電チャックに基板を載置し、チャック電極に電圧を印加して基板を静電チャックに静電吸着させ、基板に対して処理を行う真空処理装置に用いられるプログラムを格納した記憶媒体であって、
前記プログラムは、既述の各静電チャックの診断方法を実行するためにステップが組まれていることを特徴とする。 In addition, the storage medium according to the present invention mounts a substrate on an electrostatic chuck provided on a mounting table in a vacuum vessel, applies a voltage to the chuck electrode, and electrostatically attracts the substrate to the electrostatic chuck. A storage medium storing a program used in a vacuum processing apparatus for processing
The program is characterized in that steps are set in order to execute the above-described electrostatic chuck diagnosis method.

本発明によれば、使用開始前に静電チャックの電気的特性を測定しているため、誘電体層の絶縁状態を診断することができ、従って誘電体層から水分が十分に放散されて絶縁破壊の発生しないことを確認することができ、その後静電チャックの使用を開始することにより、大気中の水分の吸収による静電チャックの破損を防止することができる。また、診断電圧が真空処理時に印加するチャック電圧よりも低く設定されているので、電気的特性を測定するための操作により静電チャックを破損してしまうトラブルも防止することができる。   According to the present invention, since the electrical characteristics of the electrostatic chuck are measured before the start of use, the insulation state of the dielectric layer can be diagnosed, so that moisture is sufficiently dissipated from the dielectric layer and insulation is performed. It can be confirmed that no breakdown occurs, and thereafter the electrostatic chuck is started to be used, whereby damage to the electrostatic chuck due to absorption of moisture in the atmosphere can be prevented. Moreover, since the diagnostic voltage is set lower than the chuck voltage applied during the vacuum processing, it is possible to prevent troubles that damage the electrostatic chuck due to the operation for measuring the electrical characteristics.

本発明に係る真空処理装置を、液晶ディスプレイ用のガラス基板にエッチング処理を施すためのプラズマ処理装置に適用した実施の形態について図１〜図３を参照しながら説明する。図１は、プラズマ処理装置１の一例を示している。例えばプラズマ処理装置１は、内部が密閉空間となっている真空容器からなる処理容器１１と、処理容器１１の上部に設けられたアンテナ容器５１と、処理容器１１とアンテナ容器５１との間に介設されたガスシャワーヘッド４１と、処理容器１１内の底面中央にガスシャワーヘッド４１と対向するように配設された載置台２と、を備えている。   An embodiment in which a vacuum processing apparatus according to the present invention is applied to a plasma processing apparatus for performing an etching process on a glass substrate for a liquid crystal display will be described with reference to FIGS. FIG. 1 shows an example of a plasma processing apparatus 1. For example, the plasma processing apparatus 1 includes a processing container 11 formed of a vacuum container having a sealed space inside, an antenna container 51 provided on the processing container 11, and a space between the processing container 11 and the antenna container 51. A gas shower head 41 provided, and a mounting table 2 disposed at the center of the bottom surface in the processing container 11 so as to face the gas shower head 41 are provided.

処理容器１１内には、載置台２や、この載置台２を支えると共に配管等を収めた中空の支柱１６が格納されており、その底面には排気管１２を介して真空ポンプ等を含む排気装置１３が接続されている。この排気装置１３には図示しない圧力調整部が接続されており、この圧力調整部は後述する制御部からの信号によって処理容器１１内全体を真空排気して所望の真空状態に調整、維持するように構成されている。また、処理容器１１の側面には被処理基板であるガラス基板Ｇの搬入出口１４が設けられており、この搬入出口１４はゲートバルブ１５によって開閉可能となっている。なお、処理容器１１は、アルミニウムからなる角筒形状を有しており、接地されている。   In the processing container 11, a mounting table 2 and a hollow column 16 that supports the mounting table 2 and accommodates piping and the like are stored, and an exhaust including a vacuum pump or the like is disposed on the bottom surface through an exhaust pipe 12. A device 13 is connected. A pressure adjusting unit (not shown) is connected to the exhaust device 13, and the pressure adjusting unit evacuates the entire processing container 11 by a signal from a control unit to be described later to adjust and maintain a desired vacuum state. It is configured. Further, a loading / unloading port 14 for a glass substrate G as a substrate to be processed is provided on the side surface of the processing container 11, and the loading / unloading port 14 can be opened and closed by a gate valve 15. The processing container 11 has a rectangular tube shape made of aluminum and is grounded.

処理容器１１の天井部には、内部が中空に形成され、その下面に処理容器１１内へ処理ガスを分散供給するための多数のガス供給孔４２が例えば均等に分散して形成されたガスシャワーヘッド４１が設けられている。また、ガスシャワーヘッド４１の上面中央にはガス導入管４３が設けられ、このガス導入管４３は後述するアンテナ容器５１の上面中央を貫通して上流で処理ガス供給源４４に接続されている。なお１７は、セラミックス、石英等の誘電体で構成され、ガスシャワーヘッド４１を覆うためのカバー部材である。   A gas shower in which the inside of the processing container 11 is formed hollow and a plurality of gas supply holes 42 for distributing and supplying the processing gas into the processing container 11 are uniformly distributed on the lower surface thereof, for example. A head 41 is provided. A gas introduction pipe 43 is provided at the center of the upper surface of the gas shower head 41, and the gas introduction pipe 43 passes through the center of the upper surface of the antenna container 51 described later and is connected upstream to the processing gas supply source 44. Reference numeral 17 denotes a cover member that is made of a dielectric such as ceramics or quartz and covers the gas shower head 41.

ガスシャワーヘッド４１の更に上部には、セラミックスあるいは石英等の絶縁体からなる誘電体壁５２を介して、扁平な角筒形状のアンテナ容器５１が設けられている。アンテナ容器５１内の誘電体壁５２上には、略角形渦巻き状に巻かれた平面型のコイルアンテナからなる高周波アンテナ５３が配設されている。この高周波アンテナ５３の渦巻き中心端部は、アンテナ容器５１の天井から外へ導出され、整合器６２を介して第１の高周波電源６１に接続されている。一方、渦巻きの外側端部はアンテナ容器５１に電気的に接続され、アンテナ容器５１や処理容器１１を介して接地されている。第１の高周波電源６１は、例えば１３．５６ＭＨｚの高周波電力を高周波アンテナ５３に供給することが可能であり、高周波アンテナ５３と平行な交番電界を処理容器１１内に形成して、この交番電界によりガスシャワーヘッド４１から処理容器１１内に供給された処理ガスがプラズマ化して、ガラス基板Ｇにエッチング処理を施すことができるようになっている。なお５４は、処理容器１１上にアンテナ容器５１を支持し、処理容器１１とアンテナ容器５１とを電気的に接続する支持部材である。   In the upper part of the gas shower head 41, a flat rectangular tube-shaped antenna container 51 is provided via a dielectric wall 52 made of an insulator such as ceramics or quartz. On the dielectric wall 52 in the antenna container 51, a high-frequency antenna 53 comprising a planar coil antenna wound in a substantially square spiral shape is disposed. The center end of the spiral of the high-frequency antenna 53 is led out from the ceiling of the antenna container 51 and is connected to the first high-frequency power source 61 via the matching unit 62. On the other hand, the outer end of the spiral is electrically connected to the antenna container 51 and grounded via the antenna container 51 and the processing container 11. The first high frequency power supply 61 can supply, for example, high frequency power of 13.56 MHz to the high frequency antenna 53. An alternating electric field parallel to the high frequency antenna 53 is formed in the processing container 11, and the alternating electric field The processing gas supplied from the gas shower head 41 into the processing container 11 is turned into plasma so that the glass substrate G can be etched. Reference numeral 54 denotes a support member that supports the antenna container 51 on the processing container 11 and electrically connects the processing container 11 and the antenna container 51.

次に、載置台２について説明する。載置台２は、例えばアルミニウムからなる下部電極２１と、ガラス基板Ｇを固定するための静電チャック２２とを下方からこの順番に積層した構造となっている。下部電極２１は、支柱１６上に設置された支持台２１ａに絶縁部材３１を介して固定され、処理容器１１に対して電気的に高い抵抗で接地されている。   Next, the mounting table 2 will be described. The mounting table 2 has a structure in which, for example, a lower electrode 21 made of aluminum and an electrostatic chuck 22 for fixing the glass substrate G are stacked in this order from below. The lower electrode 21 is fixed to a support base 21a installed on the support column 16 via an insulating member 31, and is electrically grounded to the processing container 11 with a high resistance.

下部電極２１内には冷媒を通流させるための冷媒流路３２が形成されており、冷媒がこの冷媒流路３２を流れることで下部電極２１が冷却され、静電チャック２２上に載置されたガラス基板Ｇが所望の温度に温調されるように構成されている。   A coolant channel 32 for allowing a coolant to flow therethrough is formed in the lower electrode 21, and the coolant flows through the coolant channel 32 so that the lower electrode 21 is cooled and placed on the electrostatic chuck 22. Further, the glass substrate G is configured to be adjusted to a desired temperature.

また、下部電極２１には、載置台２部分の拡大縦断面図を示した図２に示すように、載置面とガラス基板Ｇ裏面との間の熱伝達性を高めるための熱伝導性のバックサイドガスを放出する貫通孔３３が設けられている。この貫通孔３３は、下部電極２１内等に形成されたガス流路３４と連通しており、このガス流路３４を介して図示しないガス供給部から供給されたヘリウム（Ｈｅ）等のバックサイドガスが放出されるようになっている。なお図示の便宜上、図１ではガス流路３４や貫通孔３３は省略してある。   Moreover, as shown in FIG. 2 which showed the expanded longitudinal cross-sectional view of the mounting base 2 part, the lower electrode 21 has thermal conductivity for improving heat transfer between the mounting surface and the back surface of the glass substrate G. A through hole 33 for releasing backside gas is provided. The through-hole 33 communicates with a gas flow path 34 formed in the lower electrode 21 and the like, and a back side such as helium (He) supplied from a gas supply unit (not shown) through the gas flow path 34. Gas is released. For convenience of illustration, the gas flow path 34 and the through hole 33 are omitted in FIG.

また図１に示すように、下部電極２１には、第２の高周波電源６４が整合器６５を介して接続されている。第２の高周波電源６４は、ガスシャワーヘッド４１に接続された第１の高周波電源６１よりも周波数の低い例えば３．２ＭＨｚの高周波電力を下部電極２１に対して供給することができるようになっている。第２の高周波電源６４より供給される高周波電力は、ガラス基板Ｇにバイアス電力を印加することでプラズマ中のイオンをガラス基板Ｇ表面に引き込む役割を果たす。   As shown in FIG. 1, a second high frequency power supply 64 is connected to the lower electrode 21 via a matching unit 65. The second high frequency power supply 64 can supply high frequency power having a frequency lower than that of the first high frequency power supply 61 connected to the gas shower head 41, for example, 3.2 MHz to the lower electrode 21. Yes. The high frequency power supplied from the second high frequency power supply 64 plays a role of drawing ions in the plasma to the surface of the glass substrate G by applying bias power to the glass substrate G.

また、下部電極２１の上面外周部には、図１、図３に示すようにセラミックや石英からなる矩形枠状のフォーカスリング３５が静電チャック２２を囲むように配置されている。   Further, as shown in FIGS. 1 and 3, a rectangular frame-shaped focus ring 35 made of ceramic or quartz is disposed on the outer periphery of the upper surface of the lower electrode 21 so as to surround the electrostatic chuck 22.

次に、本実施の形態に係る静電チャック２２について、図２、図３を参照ながら説明する。静電チャック２２は、図２に示すように、下部電極２１の上面に例えばアルミナ等の誘電体材料を溶射してなる下部誘電体層２３と、この下部誘電体層２３上に取り付けられたシート状のチャック電極２４と、更にこのチャック電極２４上に誘電体材料を溶射してなる上部誘電体層２５と、から構成されている。チャック電極２４は、例えばタングステン溶射膜等で構成され、図３に示すように、ガス流路３４の周りにはこれよりも大きな口径を有する円状の切り欠き部２４ａが形成され、その切り欠き部２４ａをガス流路３４が貫通している。   Next, the electrostatic chuck 22 according to the present embodiment will be described with reference to FIGS. As shown in FIG. 2, the electrostatic chuck 22 includes a lower dielectric layer 23 formed by spraying a dielectric material such as alumina on the upper surface of the lower electrode 21, and a sheet attached on the lower dielectric layer 23. And an upper dielectric layer 25 formed by spraying a dielectric material on the chuck electrode 24. The chuck electrode 24 is made of, for example, a tungsten sprayed film or the like. As shown in FIG. 3, a circular notch 24a having a larger diameter is formed around the gas flow path 34, and the notch A gas flow path 34 penetrates the portion 24a.

チャック電極２４には、高圧直流電源６７が、ＯＮ／ＯＦＦ用のスイッチ６８ａや抵抗６９ａを介して接続されている。このスイッチ６８ａをＯＮにすると、高圧直流電源６７より例えば＋３ｋＶの高圧直流電圧（チャック電圧）が印加され、この状態で処理容器１１内に処理ガスが供給されると、このガスが処理容器１１（接地されている）とガラス基板Ｇとの間の導電路となり、ガラス基板Ｇの上面が帯電してチャック電極２４との間に互いに引き合うクーロン力が働き、ガラス基板Ｇが静電チャック２２上に吸着固定されるようになっている。なお、６８ｂは、チャック電極２４を除電してガラス基板Ｇの吸着固定を解除（デチャック）する際に、チャック電極２４をグラウンドに接地するためのスイッチである。これらのスイッチ６８ａ、６８ｂは、一方がＯＮのときには、他方がＯＦＦとなるように構成され高圧直流電源６７側とグラウンド側とで切り替えることができるようになっている。   A high-voltage DC power supply 67 is connected to the chuck electrode 24 via an ON / OFF switch 68a and a resistor 69a. When the switch 68a is turned on, a high voltage DC voltage (chuck voltage) of, for example, +3 kV is applied from the high voltage DC power supply 67. When the processing gas is supplied into the processing container 11 in this state, the gas is supplied to the processing container 11 ( Ground) and the glass substrate G, the upper surface of the glass substrate G is charged, and a Coulomb force is drawn between the chuck electrode 24 and the glass substrate G is placed on the electrostatic chuck 22. Adsorption is fixed. Reference numeral 68b denotes a switch for grounding the chuck electrode 24 to the ground when the chuck electrode 24 is neutralized to release (dechuck) the glass substrate G by suction. These switches 68a and 68b are configured such that when one is ON, the other is OFF, and can be switched between the high-voltage DC power supply 67 side and the ground side.

溶射により形成された静電チャック２２の誘電体層２３、２５は、ポーラスな構造を有しているため、背景技術にて説明したように、メンテナンス時等に処理容器１１内の真空状態が解除されると、大気中の水分が誘電体層２３、２５に吸収されて絶縁破壊が起こりやすくなっている。そこで、一般的なプラズマ処理装置においては、一度大気に開放（真空状態を解除）してから使用する際に、処理容器内を真空状態にして一定時間待機し、静電チャックの誘電体層に吸収された水分を放散させて、水分の吸収による絶縁破壊が生じない状態となるのを待ってから静電チャックの使用を開始する操作がなされている。本実施の形態に係るプラズマ処理装置１は、このような操作を行ってから静電チャック２２が使用可能となっている否かを診断する診断機能（以下、自己診断機能という）を有している。以下、当該機能に係る構成について説明する。   Since the dielectric layers 23 and 25 of the electrostatic chuck 22 formed by thermal spraying have a porous structure, as described in the background art, the vacuum state in the processing container 11 is released during maintenance or the like. As a result, moisture in the atmosphere is absorbed by the dielectric layers 23 and 25, and dielectric breakdown is likely to occur. Therefore, in a general plasma processing apparatus, when it is used after being opened to the atmosphere (released from the vacuum state), the inside of the processing container is evacuated and waits for a certain period of time, and the dielectric layer of the electrostatic chuck is formed. An operation of starting the use of the electrostatic chuck is performed after waiting for the absorbed moisture to dissipate and the dielectric breakdown due to the absorption of moisture to be prevented. The plasma processing apparatus 1 according to the present embodiment has a diagnostic function (hereinafter referred to as a self-diagnosis function) for diagnosing whether or not the electrostatic chuck 22 is usable after performing such an operation. Yes. Hereinafter, a configuration related to the function will be described.

自己診断機能に関して、高圧直流電源６７はチャック電極２４に印加する電圧を切り替えて、ガラス基板Ｇを静電吸着する際に印加するチャック電圧より低い自己診断用の電圧（以下、診断電圧という）を印加することができるようになっている。診断電圧は、静電チャック２２の誘電体層２３、２５が水分を吸収している場合であっても絶縁破壊を起こさない程度の電圧、例えば＋１ｋＶに設定されている。   Regarding the self-diagnosis function, the high-voltage DC power supply 67 switches the voltage applied to the chuck electrode 24 and sets a self-diagnosis voltage lower than the chuck voltage applied when electrostatically adsorbing the glass substrate G (hereinafter referred to as a diagnostic voltage). It can be applied. The diagnostic voltage is set to a voltage that does not cause dielectric breakdown even when the dielectric layers 23 and 25 of the electrostatic chuck 22 absorb moisture, for example, +1 kV.

更に本実施の形態に係る静電チャック２２は、チャック電極２４に診断電圧を印加することにより得られる静電チャック２２の電気的特性を測定するための電流計７０と電圧計７１とを備えている。電流計７０（電流計７０ａ、７０ｂ）は、高圧直流電源６７からチャック電極２４を経て接地に至る回路内に設置されており、診断電圧が印加された際に、これらの間を流れる電流値「Ｉ」を測定する役割を果たす。電圧計７１（電圧計７１ａ、７１ｂ）は、高圧直流電源６７からチャック電極２４を経て接地に至る回路中のいずれかに接続されており、診断電圧が印加された際に高圧直流電源６７から静電チャック２２を経て、接地に至る回路内に生じる電圧値（誘電体層の両端間の電圧に対応した電圧値）「Ｖ」を測定する役割を果たす。   Furthermore, the electrostatic chuck 22 according to the present embodiment includes an ammeter 70 and a voltmeter 71 for measuring electrical characteristics of the electrostatic chuck 22 obtained by applying a diagnostic voltage to the chuck electrode 24. Yes. The ammeter 70 (ammeters 70a and 70b) is installed in a circuit from the high-voltage DC power supply 67 to the ground via the chuck electrode 24, and when a diagnostic voltage is applied, the current value “ It serves to measure "I". The voltmeter 71 (voltmeters 71a and 71b) is connected to any of the circuits from the high-voltage DC power supply 67 to the ground via the chuck electrode 24, and when the diagnostic voltage is applied, It plays the role of measuring the voltage value (voltage value corresponding to the voltage between both ends of the dielectric layer) “V” generated in the circuit reaching the ground via the electric chuck 22.

また図２には、診断電圧を印加して上述した各測定器７０、７１により電気的特性の測定を行う系を破線で囲んで示した。この系を以下、測定部７と呼ぶ（図示の便宜上、下部電極２１や静電チャック２２は破線で囲まれていないが、これらの機器も測定部７に含まれる）。測定部７は、各測定器７０、７１にて測定した各種の電気的特性を解析して、静電チャック２２が使用可能となっているか否かを診断する診断部としての機能等を備えた制御部８０と接続されている。以下、制御部８０の構成と機能とについて説明する。   Further, in FIG. 2, a system in which a diagnostic voltage is applied and the electrical characteristics are measured by the measuring devices 70 and 71 described above is surrounded by a broken line. This system is hereinafter referred to as a measurement unit 7 (for convenience of illustration, the lower electrode 21 and the electrostatic chuck 22 are not surrounded by a broken line, but these devices are also included in the measurement unit 7). The measurement unit 7 has a function as a diagnosis unit for diagnosing whether or not the electrostatic chuck 22 is usable by analyzing various electrical characteristics measured by the measuring devices 70 and 71. It is connected to the control unit 80. Hereinafter, the configuration and function of the control unit 80 will be described.

図４は、制御部８０の構成や測定部７との関係を説明するためのブロック図である。測定部７の図示に際し、静電チャック２２は、その等価回路であるコンデンサとして示してある。制御部８０は、静電チャック２２の運用前診断を実行する診断部としての機能に加え、プラズマ処理装置１全体を統括制御する機能を備えたコンピュータとして構成されている。制御部８０は、中央演算処理装置（ＣＰＵ）８１と、プログラム格納部８２と、測定データを記憶する測定データ記憶部８３と、設定データを記憶する設定データ記憶部８４と、を有している。プログラム格納部８２は、自己診断を実行するためのステップ群を備えたコンピュータプログラム（「マニュアルモード用自己診断プログラム」、「タイマーモード用自己診断プログラム」と示してある）や、プラズマ処理装置１によりガラス基板Ｇに対するエッチング処理を実行するためのステップ群を備えたコンピュータプログラム（「プロセス用プログラム」と示してある）を格納する役割を果たす。なお、プログラム格納部８２は、例えばハードディスク、コンパクトディスク、マグネットオプティカルディスク、メモリーカード等の記憶手段により構成されている。   FIG. 4 is a block diagram for explaining the configuration of the control unit 80 and the relationship with the measurement unit 7. In the illustration of the measurement unit 7, the electrostatic chuck 22 is shown as a capacitor which is an equivalent circuit thereof. The control unit 80 is configured as a computer having a function of performing overall control of the entire plasma processing apparatus 1 in addition to a function as a diagnosis unit for performing pre-operation diagnosis of the electrostatic chuck 22. The control unit 80 includes a central processing unit (CPU) 81, a program storage unit 82, a measurement data storage unit 83 that stores measurement data, and a setting data storage unit 84 that stores setting data. . The program storage unit 82 is provided with a computer program (shown as “manual mode self-diagnostic program” and “timer mode self-diagnostic program”) including a group of steps for executing self-diagnosis, and the plasma processing apparatus 1. It plays a role of storing a computer program (shown as a “process program”) having a group of steps for performing an etching process on the glass substrate G. The program storage unit 82 includes storage means such as a hard disk, a compact disk, a magnetic optical disk, a memory card, and the like.

測定データ記憶部８３は、測定部７の各測定器７０、７１より取得した電気的特性の測定データを記憶する役割や後述する自己診断に係る動作を実行した回数を記憶するカウンタとしての役割を果たし、ＲＡＭ等により構成される。また、設定データ記憶部８４は、取得した測定データに基づいて、静電チャック２２が使用可能な状態になっているか否かを診断するための基準となるしきい値を記憶する役割を果たし、ＲＯＭ等により構成される。   The measurement data storage unit 83 has a role of storing measurement data of electrical characteristics acquired from the measuring devices 70 and 71 of the measurement unit 7 and a role of a counter that stores the number of times of operations related to self-diagnosis described later. Actually, it is composed of a RAM or the like. The setting data storage unit 84 plays a role of storing a threshold value serving as a reference for diagnosing whether or not the electrostatic chuck 22 is in a usable state based on the acquired measurement data. It is composed of a ROM or the like.

また制御部８０の制御指令は、高圧直流電源６７の図示しないアクチュエータに入力され、その制御指令に応じてアクチュエータを介して高圧直流電源６７の出力（チャック電極２４に印加する電圧）を診断電圧とチャック電圧との間で切り替えることができるようになっている。この高圧直流電源６７からの出力を切り替える機能に関して、制御部８０は、メンテナンス時等に処理容器１１内の真空状態が解除された場合には、自己診断の結果、静電チャック２２が使用可能であると診断されない限り静電チャック２２にチャック電圧を印加することを禁止するインターロック手段としての機能を有している。   The control command of the control unit 80 is input to an actuator (not shown) of the high-voltage DC power supply 67, and the output (voltage applied to the chuck electrode 24) of the high-voltage DC power supply 67 via the actuator is used as a diagnostic voltage according to the control command. It can be switched between chuck voltages. Regarding the function of switching the output from the high-voltage DC power supply 67, the control unit 80 can use the electrostatic chuck 22 as a result of self-diagnosis when the vacuum state in the processing container 11 is released during maintenance or the like. It has a function as an interlock means for prohibiting application of a chuck voltage to the electrostatic chuck 22 unless it is diagnosed.

更に制御部８０には表示・操作部８５が接続されており、ユーザに各種の案内表示をしたり、ユーザからの指示を受け付けたりすることができるようになっている。特に表示・操作部８５は、自己診断の機能に関連して、当該自己診断の結果をユーザに報知する報知手段としての役割を果たす。   In addition, a display / operation unit 85 is connected to the control unit 80 so that various guidance displays can be displayed to the user and instructions from the user can be received. In particular, the display / operation unit 85 plays a role of notifying means for notifying the user of the result of the self-diagnosis in relation to the self-diagnosis function.

図５、図６は、自己診断に関連して、表示・操作部８５に表示される各種の案内表示画面である。図５（ａ）は、プラズマ処理装置１が運転操作を開始する前の準備中である旨を通知するための準備画面８５ａである。準備画面８５ａは、通知内容を表示したメッセージ表示欄と、自己診断や運転操作を実行するための各種の操作スイッチ（ソフトスイッチ）とから構成されている。   5 and 6 show various guidance display screens displayed on the display / operation unit 85 in connection with the self-diagnosis. FIG. 5A is a preparation screen 85a for notifying that the plasma processing apparatus 1 is preparing before starting an operation. The preparation screen 85a is composed of a message display field displaying notification contents and various operation switches (soft switches) for executing self-diagnosis and driving operation.

図５（ｂ）は、処理容器１１内の真空排気が完了した後に表示される診断前画面８５ｂである。診断前画面８５ｂのメッセージ欄には、準備操作が終了した旨と自己診断の実行を促す旨とを通知するメッセージが表示されている。そして、当該診断の「実行スイッチ」と、「タイマー実行スイッチ」とについて、ユーザからの自己診断の実行指示を受け付けることができるようになっている。   FIG. 5B is a pre-diagnosis screen 85b displayed after the evacuation of the processing container 11 is completed. In the message column of the pre-diagnosis screen 85b, a message notifying that the preparatory operation has been completed and prompting the execution of self-diagnosis is displayed. Then, it is possible to accept a self-diagnosis execution instruction from the user for the “execution switch” and “timer execution switch” of the diagnosis.

「実行スイッチ」は、マニュアルモード用自己診断プログラムを起動して自己診断を直ちに実行するための指示をユーザから受け付けるためのスイッチである。「タイマー実行スイッチ」は、タイマーモード用自己診断プログラムを起動して予め設定されたスケジュールに基づいて、静電チャック２２の自己診断を自動的に繰り返し実行するようにユーザからの実行指示を受け付けるためのスイッチである。   The “execution switch” is a switch for accepting an instruction for starting the self-diagnosis program for manual mode and immediately executing the self-diagnosis from the user. The “timer execution switch” is for receiving an execution instruction from the user to automatically repeat the self-diagnosis of the electrostatic chuck 22 based on a preset schedule by starting the timer mode self-diagnosis program. It is a switch.

図５（ｃ）は、「実行スイッチ」に基づき自己診断を実行した結果、静電チャック２２の使用が不可と診断された場合に表示される再診断通知画面８５ｃである。   FIG. 5C shows a rediagnosis notification screen 85c displayed when it is diagnosed that the electrostatic chuck 22 cannot be used as a result of executing the self-diagnosis based on the “execution switch”.

図６（ａ）は、自己診断を実行した結果、静電チャック２２の使用が可能と診断された場合に表示される診断終了画面８５ｄである。   FIG. 6A shows a diagnosis end screen 85d displayed when it is diagnosed that the electrostatic chuck 22 can be used as a result of executing the self-diagnosis.

図６（ｂ）は、自己診断の繰り返し回数が予め設定された上限に達した場合に表示される異常報知画面８５ｅである。   FIG. 6B is an abnormality notification screen 85e displayed when the number of repetitions of self-diagnosis reaches a preset upper limit.

次に、本実施の形態の作用について説明する。図７は、処理容器１１が大気に開放された後に使用を開始する場合におけるプラズマ処理装置１の動作の流れを説明するためのフローチャートである。本フローチャートでは、自己診断を「タイマー実行」する場合について説明する。   Next, the operation of the present embodiment will be described. FIG. 7 is a flowchart for explaining the flow of the operation of the plasma processing apparatus 1 when the use is started after the processing container 11 is opened to the atmosphere. This flowchart describes a case where the self-diagnosis is “timer execution”.

処理容器１１内を大気に開放するメンテナンス等が終了し、準備画面８５ａの図示しない真空排気スイッチを押下すると（スタート）、排気装置１３が稼働して処理容器１１内の真空排気を開始する（ステップＳ１０１）。   When maintenance or the like for releasing the inside of the processing container 11 to the atmosphere is completed and a vacuum exhaust switch (not shown) on the preparation screen 85a is pressed (start), the exhaust device 13 is activated to start evacuating the processing container 11 (step). S101).

そして、処理容器１１内がプラズマ処理の行われる真空状態に達するまで上記動作を継続し（ステップＳ１０２；Ｎ）、プラズマ処理の行える予め設定された真空状態となった場合には（ステップＳ１０２；Ｙ）、診断前画面８５ｂを表示する。この場合にはユーザより「タイマー実行スイッチ」がＯＮされて自己診断のタイマー実行指示を受け付ける（ステップＳ１０３）。これによりタイマーモード用自己診断プログラムが起動し、先ずカウンタをリセット（ｍ＝１に設定）して（ステップＳ１０４）、自己診断を実行する（ステップＳ１０５）。なお、診断前画面８５ｂが表示されている段階では静電チャック２２について使用の可否が診断されていないので、「運転操作スイッチ」や「メンテナンス操作スイッチ」はグレイアウト表示されており、静電チャック２２にチャック電圧を印加することができないようになっている。   Then, the above operation is continued until the inside of the processing chamber 11 reaches a vacuum state where plasma processing is performed (step S102; N), and when a preset vacuum state where plasma processing can be performed is reached (step S102; Y). ), A pre-diagnosis screen 85b is displayed. In this case, the “timer execution switch” is turned on by the user to accept a self-diagnosis timer execution instruction (step S103). As a result, the timer mode self-diagnosis program is started. First, the counter is reset (set m = 1) (step S104), and the self-diagnosis is executed (step S105). In addition, since the availability of the electrostatic chuck 22 is not diagnosed at the stage where the pre-diagnosis screen 85b is displayed, the “operation operation switch” and the “maintenance operation switch” are grayed out, and the electrostatic chuck No chucking voltage can be applied to 22.

自己診断は、静電チャック２２に対して診断電圧を印加して取得した各電気的特性の測定データと、設定データ記憶部８４に予め記憶しておいた設定データ例えばしきい値とを比較することにより行われる。この例では、高圧直流電源６７の図示しないアクチュエータをその出力電圧が診断電圧である１ｋＶとなるように制御すると共にスイッチ６８ａをＯＮにしてチャック電極２４と下部電極２１との間の誘電体層２３を充電し、回路中における電圧「Ｖ」と誘電体層２３に流れる電流「Ｉ」とについて例えば２０秒間における各値（測定データに相当する）をサンプリングして測定データ記憶部８３に記憶する。図８（ａ）〜図８（ｃ）は夫々「Ｖ」の経時変化及び「Ｉ」の経時変化の一例である。   In the self-diagnosis, the measurement data of each electrical characteristic acquired by applying a diagnostic voltage to the electrostatic chuck 22 is compared with setting data stored in advance in the setting data storage unit 84, for example, a threshold value. Is done. In this example, an actuator (not shown) of the high-voltage DC power supply 67 is controlled so that its output voltage becomes 1 kV, which is a diagnostic voltage, and the switch 68a is turned on to turn on the dielectric layer 23 between the chuck electrode 24 and the lower electrode 21. Are sampled, and for example, values (corresponding to measurement data) for 20 seconds are sampled and stored in the measurement data storage unit 83 for the voltage “V” in the circuit and the current “I” flowing through the dielectric layer 23. FIG. 8A to FIG. 8C are examples of the change with time of “V” and the change with time of “I”, respectively.

ここで診断電圧とは、ガラス基板Ｇに対して真空処理の運用を行うときにチャック電極に印加される電圧（チャック電圧）よりも低く、誘電体層２３、２５が吸水していても絶縁破壊の起きない程度の電圧であり、この例ではチャック電圧が３ｋＶ、診断電圧が１ｋＶに設定される。   Here, the diagnostic voltage is lower than the voltage (chuck voltage) applied to the chuck electrode when vacuum processing is performed on the glass substrate G, and dielectric breakdown occurs even if the dielectric layers 23 and 25 absorb water. In this example, the chuck voltage is set to 3 kV and the diagnostic voltage is set to 1 kV.

誘電体層２３に電圧を印加すると、当該誘電体層２３の静電容量に応じた時定数により充電が行われ、この充電特性に対応した電圧及び電流の経時変化パターンが得られる。静電チャック２２が大気中に放置されると、ポーラスな溶射膜である誘電体層２３に吸水されることから誘電体層２３が高抵抗で導通し、このため誘電体層２３が乾燥している場合の電圧及び電流の経時変化パターンとは異なったものとなる。従って予め実験を行って、前記経時変化パターンを取得しておき、十分乾燥しているとき、つまりチャック電圧を静電チャック２２に印加しても絶縁破壊が起こらない程度の状態時における経時パターンを把握しておくことで、予め決めたタイミングにおける電圧値、電流値について設定データであるしきい値を決定することができる。そして診断時に取得した前記経時パターンに基づいて前記タイミングにおける電圧値及び電流値と各しきい値とを比較することにより、誘電体層２３の吸水量の評価が行える。即ち、静電チャック２２の高圧直流電源６７側の電圧「Ｖ１」がしきい値よりも小さい、または下部電極２１側の電圧「Ｖ２」がしきい値よりも大きければ誘電体層２３の吸水量が多いので「使用不可」と判定され、また電流値「Ｉ」がしきい値よりも大きければ同様に「使用不可」と判定される。 When a voltage is applied to the dielectric layer 23, charging is performed with a time constant corresponding to the capacitance of the dielectric layer 23, and a temporal change pattern of voltage and current corresponding to this charging characteristic is obtained. When the electrostatic chuck 22 is left in the atmosphere, the dielectric layer 23 is a porous sprayed film, so that the dielectric layer 23 conducts with a high resistance. Therefore, the dielectric layer 23 is dried. The voltage and current change patterns with time are different. Accordingly, an experiment is performed in advance to obtain the time-varying pattern. When the pattern is sufficiently dry, that is, when the chuck voltage is applied to the electrostatic chuck 22, the time-lapse pattern is not generated. By grasping, it is possible to determine a threshold value that is setting data for a voltage value and a current value at a predetermined timing. Then, the water absorption amount of the dielectric layer 23 can be evaluated by comparing the voltage value and current value at the timing with each threshold value based on the time-lapse pattern acquired at the time of diagnosis. That is, if the voltage “V 1 ” on the high-voltage DC power supply 67 side of the electrostatic chuck 22 is smaller than the threshold value or the voltage “V 2 ” on the lower electrode 21 side is larger than the threshold value, Since the amount of water absorption is large, it is determined as “unusable”, and if the current value “I” is larger than the threshold value, it is similarly determined as “unusable”.

図８（ａ）によれば、診断電圧を２０秒間印加した時点で電圧計７１ａにて測定された電圧値「Ｖ１」は、しきい値「Ｖｃ１」よりも低い。したがって静電チャック２２は使用可能な状態になっていないことが分かる。また図８（ｂ）より、電流計７０ａにて同様の条件で測定された電流値「Ｉ１」は、しきい値「Ｉｃ」よりも高い。更には、図８（ｃ）に示すように、電圧計７１ｂにて測定された電圧値「Ｖ２」は、しきい値「Ｖｃ２」よりも高い。これらの結果からも静電チャック２２は使用可能となっていないことが確認される。 According to FIG. 8A, the voltage value “V 1 ” measured by the voltmeter 71a when the diagnostic voltage is applied for 20 seconds is lower than the threshold value “V c1 ”. Therefore, it can be seen that the electrostatic chuck 22 is not in a usable state. 8B, the current value “I 1 ” measured under the same conditions by the ammeter 70a is higher than the threshold value “I c ”. Furthermore, as illustrated in FIG. 8C, the voltage value “V 2 ” measured by the voltmeter 71 b is higher than the threshold value “V c2 ”. From these results, it is confirmed that the electrostatic chuck 22 is not usable.

このような結果に対して、図９は、静電チャック２２が使用可能な状態となっている場合における各電気的特性の変化の様子を示しており、図９（ａ）は電圧計７１ａにて測定された電圧値、図９（ｂ）は電流計７０ａにて測定された電流値、図９（ｃ）は電圧計７１ｂにて測定された電圧値を夫々示している。図９によれば、診断電圧を印加した期間内に電圧計７１ａにて測定された電圧値「Ｖ１」はしきい値を超え（図９（ａ））、電流計７０ａにて測定された電流値「Ｉ１」はしきい値を下回っている（図９（ｂ））。また、図９（ｃ）に示すように、電圧計７１ｂにて測定された電圧値「Ｖ２」はしきい値「Ｖｃ２」を下回っている。これらの測定結果から、静電チャック２２は使用可能となっていることが確認される。なお、図８、図９に示した測定結果に、図２、図３に示した電流計７０ｂによる電流値の測定結果を加えて静電チャック２２の使用可否を判断してもよい。 In contrast to such a result, FIG. 9 shows changes in the electrical characteristics when the electrostatic chuck 22 is in a usable state, and FIG. 9A shows a voltmeter 71a. 9B shows a current value measured by the ammeter 70a, and FIG. 9C shows a voltage value measured by the voltmeter 71b. According to FIG. 9, the voltage value “V 1 ” measured by the voltmeter 71a within the period during which the diagnostic voltage is applied exceeds the threshold (FIG. 9 (a)), and is measured by the ammeter 70a. The current value “I 1 ” is below the threshold value (FIG. 9B). Further, as shown in FIG. 9C, the voltage value “V 2 ” measured by the voltmeter 71b is lower than the threshold value “V c2 ”. From these measurement results, it is confirmed that the electrostatic chuck 22 is usable. The measurement result shown in FIGS. 8 and 9 may be added to the measurement result of the current value by the ammeter 70b shown in FIGS. 2 and 3 to determine whether or not the electrostatic chuck 22 can be used.

ここで、本実施の形態にかかる制御部８０は、各測定器７０、７１にて測定された全ての電気的特性において静電チャック２２を使用可能であることが診断電圧を印加した期間内に確認された場合に、その静電チャック２２は使用可能な状態にあると診断するように構成されている。但し、複数の電気的特性を測定している場合において、静電チャック２２が使用可能な状態にあるか否かを診断する基準は、上記の例に限定されるものではなく、各測定器で測定された電圧値、電流値の一部が良好な結果を示す場合に静電チャックが使用可能であると診断してもよい。   Here, the controller 80 according to the present embodiment indicates that the electrostatic chuck 22 can be used in all the electrical characteristics measured by the measuring devices 70 and 71 within the period when the diagnostic voltage is applied. If confirmed, the electrostatic chuck 22 is configured to diagnose that it is in a usable state. However, when measuring a plurality of electrical characteristics, the criteria for diagnosing whether or not the electrostatic chuck 22 is in a usable state is not limited to the above example. It may be diagnosed that the electrostatic chuck can be used when a part of the measured voltage value and current value shows a good result.

図７のフローチャートの説明に戻ると、上述した手法に基づいて自己診断を実行し（ステップＳ１０５）、診断結果が良好であった場合（静電チャック２２が使用可能な状態であると診断された場合）には（ステップＳ１０６；Ｙ）、診断終了画面８５ｄを表示して次の操作を実行可能とし（ステップＳ１０７）、プラズマ処理装置１の使用を開始する前の動作を終了する（エンド）。ここで、診断終了画面８５ｄのメッセージ欄には、運用前実行診断の結果が良好であった旨と、次の運転操作が実行可能である旨との通知が表示されている。また、「運転操作スイッチ」と「メンテナンス操作スイッチ」とのグレイアウトが解除され、静電チャック２２にチャック電圧を印加する操作を実行することができるようになっている。   Returning to the description of the flowchart of FIG. 7, self-diagnosis is executed based on the above-described method (step S <b> 105), and when the diagnosis result is good (the electrostatic chuck 22 is diagnosed as being usable). In the case (step S106; Y), the diagnosis end screen 85d is displayed to enable the next operation to be executed (step S107), and the operation before the use of the plasma processing apparatus 1 is ended (end). Here, in the message column of the diagnosis end screen 85d, notification that the result of the pre-operation execution diagnosis is good and that the next driving operation can be executed are displayed. Further, the gray operation of the “driving operation switch” and the “maintenance operation switch” is canceled, and an operation for applying a chuck voltage to the electrostatic chuck 22 can be executed.

一方で、診断結果が良好でなかった場合には（ステップＳ１０６；Ｎ）、カウンタをカウントアップして（ステップＳ１０８）、自己診断の繰り返し回数が予め設定された上限に達したか否かを確認する（ステップＳ１０９）。まだ上限に達していない場合には（ステップＳ１０９；Ｎ）、一定時間、例えば１０分間待機した後（ステップＳ１１０）、ステップＳ１０５〜ステップＳ１０６までの動作を繰り返す。既に上限に達している場合には（ステップＳ１０９；Ｙ）、異常報知画面８５ｅを表示して異常が発生した旨を報知し（ステップＳ１１１）、動作を終了する（エンド）。ここで異常報知画面８５ｅのメッセージ欄には、装置の異常が予想され、メーカ等への連絡が必要な旨のメッセージが表示されている。また、本画面ではすべてのソフトスイッチがグレイアウト表示となっており、いずれの操作も実行できないようになっている。なお、例えば自己診断を再度実行可能なように「実行スイッチ」等のグレイアウトを解除する構成としてもよい。   On the other hand, if the diagnosis result is not good (step S106; N), the counter is counted up (step S108), and it is confirmed whether or not the number of repetitions of self-diagnosis has reached a preset upper limit. (Step S109). If the upper limit has not yet been reached (step S109; N), after waiting for a predetermined time, for example, 10 minutes (step S110), the operations from step S105 to step S106 are repeated. When the upper limit has already been reached (step S109; Y), the abnormality notification screen 85e is displayed to notify that an abnormality has occurred (step S111), and the operation is terminated (end). Here, in the message column of the abnormality notification screen 85e, a message is displayed indicating that an abnormality of the apparatus is expected and contact with the manufacturer or the like is required. Also, on this screen, all soft switches are grayed out so that any operation cannot be performed. Note that, for example, a grayout such as an “execution switch” may be canceled so that self-diagnosis can be executed again.

図７では、ユーザが自己診断の「タイマー実行スイッチ」を選択した場合について説明したが、「実行スイッチ」を選択した場合の動作も図７で説明したものと略同様である。図１０は、「実行スイッチ」を押すことによりマニュアルモード用自己診断プログラムが選択された場合における当該動作の流れを説明するためのフローチャートである。図１０のフローを図７のフローと比較すると、ステップＳ２０１〜Ｓ２０３までは、先のステップＳ１０１〜Ｓ１０３に対応するものである。またオペレータが自己診断処理を実行する度毎に実行スイッチを押すことから、ステップＳ２０４にて１回目の実行指示の受け付けか否かを判断した上で、診断回数のカウンタのリセット処理を行っている（ステップＳ２０５）。   Although the case where the user selects the “timer execution switch” for self-diagnosis has been described with reference to FIG. 7, the operation when the “execution switch” is selected is substantially the same as that described with reference to FIG. FIG. 10 is a flowchart for explaining the flow of the operation when the manual mode self-diagnosis program is selected by pressing the “execution switch”. When the flow of FIG. 10 is compared with the flow of FIG. 7, steps S201 to S203 correspond to the previous steps S101 to S103. Since the operator presses the execution switch every time the self-diagnosis process is executed, the diagnosis counter is reset after determining whether or not the first execution instruction is accepted in step S204. (Step S205).

ステップＳ２０６〜Ｓ２１１は夫々先のステップＳ１０５〜Ｓ１１１に対応しているが、図１０のフローにおいては、診断結果が良好でなく（ステップＳ２０７；Ｎ）、診断の繰り返し回数が上限に達していない場合は（ステップＳ２１０；Ｎ）、図７のステップＳ１１０に示すような予め設定された時間待機する動作を実行しない。図５（ｃ）に示した再診断通知画面８５ｃは、このタイミングで表示され、メッセージ欄には、プラズマ処理装置１の使用を開始できない旨と、再度の自己診断の実行を促す旨との通知が表示されている。各種スイッチの表示状態については診断前画面８５ｂと同様である。   Steps S206 to S211 correspond to the previous steps S105 to S111, but in the flow of FIG. 10, the diagnosis result is not good (step S207; N), and the number of times of diagnosis has not reached the upper limit. (Step S210; N), the operation of waiting for a preset time as shown in Step S110 of FIG. 7 is not executed. The re-diagnosis notification screen 85c shown in FIG. 5 (c) is displayed at this timing, and the message column indicates that the use of the plasma processing apparatus 1 cannot be started and that the execution of the self-diagnosis is urged again. Is displayed. The display state of the various switches is the same as that of the pre-diagnosis screen 85b.

既述のタイマーモード用自己診断プログラムを利用する場合には、一旦「タイマー実行スイッチ」を押すことにより、その後は自動で自己診断が行われ、オペレータは自己診断の操作に係り切りにならずに済む利点がある。これに対して、このマニュアルモード用自己診断プログラムを利用した場合には、自己診断を行うタイミングをオペレータが決めることができる利点がある。   When using the timer mode self-diagnosis program described above, once the "timer execution switch" is pressed, the self-diagnosis is performed automatically, and the operator is not involved in the self-diagnosis operation. There is an advantage to end. On the other hand, when this manual mode self-diagnosis program is used, there is an advantage that the operator can determine the timing for performing the self-diagnosis.

また、「実行スイッチ」に基づく自己診断の動作（図１０）を実行した後、「タイマー実行スイッチ」に基づく動作（図７）を実行するように構成してもよい。この場合には図１０の動作でカウントアップされたカウンタの値を図７の動作にて引き継いでもよく、図７の動作において新たにカウンタの値をリセットしてもよい。   In addition, after executing the self-diagnosis operation based on the “execution switch” (FIG. 10), the operation based on the “timer execution switch” (FIG. 7) may be executed. In this case, the counter value counted up in the operation of FIG. 10 may be taken over by the operation of FIG. 7, or the counter value may be newly reset in the operation of FIG.

本実施の形態によれば次のような効果がある。処理容器１１を大気開放した後、静電チャック２２の使用開始前、即ちガラス基板Ｇを真空処理するために静電チャック２２に吸着させる前に静電チャック２２にチャック電圧よりも低い電圧を診断電圧として印加し、高圧直流電源６７から静電チャック２２を経て接地に至る回路内の電圧や誘電体層２３に流れる電流といった電気的特性を測定しているため、誘電体層２３、２５の水分量を評価することができ、またその水分量が多い状態であったとしても誘電体層２３、２５の絶縁破壊には至らない。そして、その評価結果に基づいて静電チャック２２の使用を開始するので、大気中の水分の吸収による静電チャック２２の破損を確実に防止することができる。更に、電気的特性の測定を行わずに安全率を含めた一定時間待機する場合と比べて、静電チャックが使用可能となるまでに必要な時間だけ待機すればよいので、プラズマ処理装置１の稼働率の向上に寄与することができる。   According to the present embodiment, there are the following effects. After the processing container 11 is opened to the atmosphere, before starting to use the electrostatic chuck 22, that is, before the glass substrate G is attracted to the electrostatic chuck 22 for vacuum processing, a voltage lower than the chuck voltage is diagnosed on the electrostatic chuck 22 Since the electrical characteristics such as the voltage in the circuit from the high-voltage DC power supply 67 through the electrostatic chuck 22 to the ground and the current flowing through the dielectric layer 23 are measured as the voltage, the moisture in the dielectric layers 23 and 25 is measured. Even if the amount can be evaluated and the amount of moisture is large, dielectric breakdown of the dielectric layers 23 and 25 does not occur. Since the use of the electrostatic chuck 22 is started based on the evaluation result, it is possible to reliably prevent the electrostatic chuck 22 from being damaged due to the absorption of moisture in the atmosphere. Furthermore, as compared with the case of waiting for a fixed time including the safety factor without measuring the electrical characteristics, it is only necessary to wait for a necessary time until the electrostatic chuck can be used. It can contribute to the improvement of operating rate.

また、上記のプラズマ処理装置１は表示・操作部８５を有しており、この表示・操作部８５がユーザに対して自己診断の結果を通知するので、ユーザは静電チャック２２が使用可能な状態にあるのか否かを知ることができる。特に、本実施の形態では自己診断を開始するタイミングを処理容器１１内の真空排気が完了した後に限定したり、ユーザからの実行指示（「実行スイッチ」や「タイマー実行スイッチ」の選択）を受けて自己診断を実行するようにしたり、また、静電チャック２２の使用が不可であると診断された場合には、予め設定された間隔で自動的に自己診断を繰り返し（「タイマー実行スイッチ」の選択を選択した場合）、自己診断を繰り返した回数が予め設定された上限に達した場合には、静電チャック２２の使用を開始することができない異常状態にある旨を報知したりするように構成されている。これらの構成により、ユーザは柔軟に自己診断を実行し、その結果に基づいて適切な対処を取ることが可能となる。   Further, the plasma processing apparatus 1 has a display / operation unit 85, and the display / operation unit 85 notifies the user of the result of self-diagnosis, so that the user can use the electrostatic chuck 22. You can know if you are in a state. In particular, in the present embodiment, the timing for starting the self-diagnosis is limited after the evacuation of the processing container 11 is completed, or an execution instruction (selection of “execution switch” or “timer execution switch”) is received from the user. When the self-diagnosis is executed, or when it is diagnosed that the electrostatic chuck 22 cannot be used, the self-diagnosis is automatically repeated at a preset interval (the “timer execution switch” When the selection is selected), when the number of repeated self-diagnosis reaches a preset upper limit, the fact that the use of the electrostatic chuck 22 cannot be started is notified. It is configured. With these configurations, the user can flexibly execute self-diagnosis and take appropriate measures based on the result.

また、本プラズマ処理装置１には、自己診断により静電チャック２２が使用可能であると診断されない限り静電チャック２２にチャック電圧を印加することを禁止するインターロックが掛かっている。このため、運転マニュアルで所定時間の待機を定めている場合等と比較して、操作ミス等が発生せず、静電チャック２２の破損の発生しにくい装置とすることができる。   Further, the plasma processing apparatus 1 has an interlock that prohibits application of a chuck voltage to the electrostatic chuck 22 unless it is diagnosed that the electrostatic chuck 22 can be used by self-diagnosis. For this reason, compared with a case where standby for a predetermined time is determined in the operation manual, an operation error or the like does not occur, and the electrostatic chuck 22 is less likely to be damaged.

また、高圧直流電源６７からチャック電極２４を経て接地に至る回路内の電圧（Ｖ）や誘電体層２３に流れる電流（Ｉ）の経時変化パターンは誘電体層２３の水分により変わることから、あるタイミングにおける電圧Ｖや電流Ｉの時間的変化分を求め、この変化分を予め設定した変化分（設定データ）と比較して、静電チャックの使用が可能か否かを診断するようにしてもよい。更には、先の実験のように電流値や電圧値としきい値を比較する手法と前記変化分に基づいて診断する手法とを併用し、例えば各手法による診断結果が全て使用可能であったときに、総合結果として「使用可能」と診断されて既述のインターロックが解除されるといったシステムを組むようにしてもよい。   Further, the time-dependent change pattern of the voltage (V) in the circuit from the high-voltage DC power supply 67 through the chuck electrode 24 to the ground and the current (I) flowing through the dielectric layer 23 changes depending on the moisture of the dielectric layer 23. A time change in voltage V or current I at the timing is obtained, and this change is compared with a preset change (setting data) to diagnose whether or not the electrostatic chuck can be used. Good. Furthermore, when the method of comparing the current value or voltage value and the threshold as in the previous experiment and the method of diagnosing based on the change are used together, for example, when all the diagnosis results by each method are usable In addition, a system may be constructed in which the interlock as described above is released as a result of diagnosis of “usable” as a comprehensive result.

なお、本発明の真空処理装置は、プラズマ処理装置に限らずスパッタリング装置や熱ＣＶＤ装置等であってもよい。静電チャックとしては、実施の形態のように単極タイプのものに限らず、第１のチャック電極及び第２のチャック電極を設けて夫々に直流電源の正極及び負極を接続する双極タイプのものにも適用できる。   The vacuum processing apparatus of the present invention is not limited to a plasma processing apparatus, and may be a sputtering apparatus, a thermal CVD apparatus, or the like. The electrostatic chuck is not limited to a single-pole type as in the embodiment, but is a bipolar type in which a first chuck electrode and a second chuck electrode are provided to connect a positive electrode and a negative electrode of a DC power source, respectively. It can also be applied to.

実施の形態に係るプラズマ処理装置の一例を示す縦断側面図である。It is a vertical side view which shows an example of the plasma processing apparatus which concerns on embodiment. 上記プラズマ処理装置が備える載置台の一例を示す縦断側面図である。It is a vertical side view which shows an example of the mounting base with which the said plasma processing apparatus is provided. 上記載置台の平面図である。It is a top view of the mounting table described above. 静電チャックの自己診断の機能に係るプラズマ処理装置の電気的構成を示すブロック図である。It is a block diagram which shows the electrical constitution of the plasma processing apparatus which concerns on the self-diagnosis function of an electrostatic chuck. 自己診断の実行に関して、プラズマ処理装置の表示・操作部に表示される案内表示画面である。It is a guidance display screen displayed on the display / operation unit of the plasma processing apparatus regarding execution of self-diagnosis. 上記画面に続いて表示される案内表示画面である。It is a guidance display screen displayed following the screen. 上記プラズマ処理装置の使用を開始する際の動作の代表例を説明するためのフローチャートの一例である。It is an example of the flowchart for demonstrating the representative example of the operation | movement at the time of starting use of the said plasma processing apparatus. 使用可能となっていない静電チャックに診断電圧を印加した場合における各種の電気的特性を示した特性図である。It is a characteristic view showing various electrical characteristics when a diagnostic voltage is applied to an electrostatic chuck that cannot be used. 使用可能な静電チャックに診断電圧を印加した場合における各種の電気的特性を示した特性図である。It is a characteristic view showing various electric characteristics when a diagnostic voltage is applied to a usable electrostatic chuck. 上記プラズマ処理装置の使用を開始する際の他の動作を説明するためのフローチャートの一例である。It is an example of the flowchart for demonstrating the other operation | movement at the time of starting use of the said plasma processing apparatus.

符号の説明Explanation of symbols

Ｇ ガラス基板
ＰＺ プラズマ
１ プラズマ処理装置
２ 載置台
７ 測定部
１１ 処理容器
１２ 排気管
１３ 排気装置
１４ 搬入出口
１５ ゲートバルブ
１６ 支柱
１７ カバー部材
２１ 下部電極
２１ａ 支持台
２２ 静電チャック
２３ 下部誘電体層
２４ チャック電極
２４ａ 切り欠き部
２５ 上部誘電体層
３１ 絶縁部材
３２ 冷媒流路
３３ 貫通孔
３４ ガス流路
３５ フォーカスリング
４１ ガスシャワーヘッド
４２ ガス供給孔
４３ ガス導入管
４４ 処理ガス供給源
５１ アンテナ容器
５２ 誘電体壁
５３ 高周波アンテナ
６１ 第１の高周波電源
６２ 整合器
６４ 第２の高周波電源
６５ 整合器
６７ 高圧直流電源
６８ａ、６８ｂ、
スイッチ
６９ａ、６９ｂ
抵抗
７０、７０ａ、７０ｂ
電流計
７１、７１ａ、７１ｂ
電圧計
８０ 制御部
８１ 中央演算処理装置（ＣＰＵ）
８２ プログラム格納部
８３ 測定データ記憶部
８４ 設定データ記憶部
８５ 表示・操作部
８５ａ 準備画面
８５ｂ 診断前画面
８５ｃ 再診断通知画面
８５ｄ 診断終了画面
８５ｅ 異常報知画面




G glass substrate PZ plasma 1 plasma processing device 2 mounting table 7 measuring unit 11 processing vessel 12 exhaust pipe 13 exhaust device 14 loading / unloading port 15 gate valve 16 support 17 lower electrode 21a support table 22 electrostatic chuck 23 lower dielectric layer 24 Chuck electrode 24a Notch 25 Upper dielectric layer 31 Insulating member 32 Refrigerant flow path 33 Through hole 34 Gas flow path 35 Focus ring 41 Gas shower head 42 Gas supply hole 43 Gas introduction pipe 44 Process gas supply source 51 Antenna container 52 Dielectric wall 53 High frequency antenna 61 First high frequency power supply 62 Matching device 64 Second high frequency power supply 65 Matching device 67 High voltage DC power supplies 68a, 68b,
Switches 69a and 69b
Resistors 70, 70a, 70b
Ammeter 71, 71a, 71b
Voltmeter 80 Control unit 81 Central processing unit (CPU)
82 Program storage unit 83 Measurement data storage unit 84 Setting data storage unit 85 Display / operation unit 85a Preparation screen 85b Pre-diagnosis screen 85c Re-diagnosis notification screen 85d Diagnosis end screen 85e Abnormality notification screen




Claims (19)

真空容器内の載置台に設けられた静電チャックに基板を載置し、チャック電極にチャック電圧を印加して基板を静電チャックに静電吸着させ、基板に対して処理を行う真空処理装置において、
前記チャック電極に、真空処理時におけるチャック電圧よりも低い診断電圧を印加するための電源と、
前記チャック電極に診断電圧を印加したときに静電チャックの電気的特性を測定し、その測定データを取得するための測定部と、
この測定部を介して取得した前記測定データと予め設定した設定データとに基づいて、前記静電チャックの使用が可能か否かを診断する診断部と、を備えたことを特徴とする真空処理装置。 A vacuum processing apparatus for mounting a substrate on an electrostatic chuck provided on a mounting table in a vacuum vessel, applying a chuck voltage to a chuck electrode to electrostatically attract the substrate to the electrostatic chuck, and processing the substrate In
A power supply for applying a diagnostic voltage lower than the chuck voltage during vacuum processing to the chuck electrode;
A measurement unit for measuring the electrical characteristics of the electrostatic chuck when a diagnostic voltage is applied to the chuck electrode, and acquiring the measurement data;
A vacuum process comprising: a diagnosis unit that diagnoses whether or not the electrostatic chuck can be used based on the measurement data acquired through the measurement unit and preset setting data apparatus. 前記測定データは、静電チャックの誘電体層を流れる電流、この電流の変化量、前記診断電圧を印加する電源から静電チャックを経て、接地に至る回路内の任意箇所の電圧及びこの電圧の変化量の中から選択されるものであることを特徴とする請求項１に記載の真空処理装置。   The measurement data includes the current flowing through the dielectric layer of the electrostatic chuck, the amount of change in this current, the voltage at any location in the circuit from the power supply to which the diagnostic voltage is applied, through the electrostatic chuck, to the ground, and the voltage of this voltage. The vacuum processing apparatus according to claim 1, wherein the vacuum processing apparatus is selected from a change amount. チャック電極に前記診断電圧を印加して測定部に測定データを取得させ、次いで前記診断部に診断を行わせるように各部を制御して自己診断を行うための制御部を更に備えていることを特徴とする請求項１または２に記載の真空処理装置。   A control unit for applying self-diagnosis by controlling each unit to apply the diagnostic voltage to the chuck electrode to cause the measurement unit to acquire measurement data and then cause the diagnostic unit to perform diagnosis; The vacuum processing apparatus according to claim 1, wherein the apparatus is a vacuum processing apparatus. 前記制御部は、真空容器内の真空排気を開始した時点から予め設定した時間が経過した後または真空容器内の圧力が予め設定した圧力となった後、前記自己診断を実行できるように構成されていることを特徴とする請求項３に記載の真空処理装置。   The control unit is configured to execute the self-diagnosis after a preset time has elapsed from the time when evacuation in the vacuum vessel is started or after the pressure in the vacuum vessel becomes a preset pressure. The vacuum processing apparatus according to claim 3. 前記制御部は、オペレータの自己診断入力を受け付けたときに直ちに前記自己診断を実行するように構成されていることを特徴とする請求項３または４に記載の真空処理装置。   The vacuum processing apparatus according to claim 3, wherein the control unit is configured to immediately execute the self-diagnosis when an operator's self-diagnosis input is received. 前記制御部は、診断部により前記静電チャックの使用が可能でないと診断されたときに、予め設定した時間間隔で前記自己診断を繰り返し実行するように構成されていることを特徴とする請求項３ないし５のいずれか一つに記載の真空処理装置。   The control unit is configured to repeatedly execute the self-diagnosis at a preset time interval when the diagnosis unit diagnoses that the electrostatic chuck cannot be used. The vacuum processing apparatus according to any one of 3 to 5. 前記自己診断の繰り返し回数の上限が設定されていることを特徴とする請求項６に記載の真空処理装置。   The vacuum processing apparatus according to claim 6, wherein an upper limit of the number of repetitions of the self-diagnosis is set. 前記制御部は、前記自己診断の繰り返し回数が上限に達したときに異常状態にあることを報知するように構成されていることを特徴とする請求項７に記載の真空処理装置。   The vacuum processing apparatus according to claim 7, wherein the control unit is configured to notify that there is an abnormal state when the number of repetitions of the self-diagnosis reaches an upper limit. 前記制御部は、診断部により前記静電チャックの使用が可能であると診断されるまで、静電チャックへのチャック電圧の印加を禁止するように構成されていていることを特徴とする請求項３ないし８のいずれか一つに記載の真空処理装置。   The control unit is configured to prohibit application of a chuck voltage to the electrostatic chuck until the diagnosis unit diagnoses that the electrostatic chuck can be used. The vacuum processing apparatus according to any one of 3 to 8. 静電チャックの誘電体層は、溶射被膜により構成されていることを特徴とする請求項１ないし９のいずれか一つに記載の真空処理装置。   The vacuum processing apparatus according to claim 1, wherein the dielectric layer of the electrostatic chuck is formed of a sprayed coating. 真空容器内の載置台に設けられた静電チャックのチャック電極に、基板の処理時におけるチャック電圧よりも低い診断電圧を印加する工程と、
前記チャック電極に診断電圧を印加したときに静電チャックの電気的特性を測定し、その測定データを取得する工程と、
前記測定データと予め設定した設定データとに基づいて、前記静電チャックの使用が可能か否かを診断する工程と、を備えたことを特徴とする静電チャックの診断方法。 Applying a diagnostic voltage lower than the chuck voltage at the time of substrate processing to the chuck electrode of the electrostatic chuck provided on the mounting table in the vacuum vessel;
Measuring electrical characteristics of the electrostatic chuck when a diagnostic voltage is applied to the chuck electrode, and obtaining the measurement data;
And a step of diagnosing whether or not the electrostatic chuck can be used based on the measurement data and preset setting data. 前記測定データは、静電チャックの誘電体層を流れる電流、この電流の変化量、前記診断電圧を印加する電源から静電チャックを経て、接地に至る回路内の任意箇所の電圧及びこの電圧の変化量の中から選択されるものであることを特徴とする請求項１１に記載の静電チャックの診断方法。   The measurement data includes the current flowing through the dielectric layer of the electrostatic chuck, the amount of change in this current, the voltage at any location in the circuit from the power supply to which the diagnostic voltage is applied, through the electrostatic chuck, to the ground, and the voltage of this voltage. 12. The method for diagnosing an electrostatic chuck according to claim 11, wherein the method is selected from among variations. 前記診断電圧を印加する工程は、真空容器内の真空排気を開始した時点から予め設定した時間が経過した後または真空容器内の圧力が予め設定した圧力になった後、行われることを特徴とする請求項１１または１２に記載の静電チャックの診断方法。   The step of applying the diagnostic voltage is performed after a preset time has elapsed from the start of evacuation in the vacuum vessel or after the pressure in the vacuum vessel has reached a preset pressure. The method for diagnosing an electrostatic chuck according to claim 11 or 12. 前記診断電圧を印加する工程は、オペレータの診断入力を受け付けたときに直ちに実行されることを特徴とする請求項１１ないし１３のいずれか一つに記載の静電チャックの診断方法。   14. The method for diagnosing an electrostatic chuck according to claim 11, wherein the step of applying the diagnostic voltage is executed immediately upon receiving diagnostic input from an operator. 静電チャックを診断する工程において前記静電チャックの使用が可能でないと診断されたときに、予め設定した時間間隔で前記診断を繰り返し実行する工程を含むことを特徴とする請求項１１ないし１４のいずれか一つに記載の静電チャックの診断方法。   15. The step of repeatedly executing the diagnosis at a preset time interval when it is determined that the use of the electrostatic chuck is not possible in the step of diagnosing the electrostatic chuck. The electrostatic chuck diagnosis method according to any one of the above. 前記診断の繰り返し回数の上限が設定されていることを特徴とする請求項１５に記載の静電チャックの診断方法。   The electrostatic chuck diagnosis method according to claim 15, wherein an upper limit of the number of repetitions of the diagnosis is set. 前記診断の繰り返し回数が上限に達したときに異常状態にあることを報知する工程を含むことを特徴とする請求項１６に記載の静電チャックの診断方法。   17. The method for diagnosing an electrostatic chuck according to claim 16, further comprising a step of notifying that there is an abnormal condition when the number of repetitions of the diagnosis reaches an upper limit. 前記静電チャックの使用が可能であると診断されるまで、静電チャックへのチャック電圧の印加を禁止するように構成されていることを特徴とする請求項１１ないし１７のいずれか一つに記載の静電チャックの診断方法。   18. The apparatus according to claim 11, wherein application of a chuck voltage to the electrostatic chuck is prohibited until it is diagnosed that the electrostatic chuck can be used. The diagnostic method of the electrostatic chuck as described. 真空容器内の載置台に設けられた静電チャックに基板を載置し、チャック電極に電圧を印加して基板を静電チャックに静電吸着させ、基板に対して処理を行う真空処理装置に用いられるプログラムを格納した記憶媒体であって、
前記プログラムは請求項１１ないし１８のいずれか一つに記載された静電チャックの診断方法を実行するためにステップが組まれていることを特徴とする記憶媒体。


A vacuum processing apparatus for mounting a substrate on an electrostatic chuck provided on a mounting table in a vacuum vessel, applying a voltage to a chuck electrode to electrostatically attract the substrate to the electrostatic chuck, and processing the substrate A storage medium storing a program to be used,
A storage medium characterized in that the program includes steps for executing the method for diagnosing an electrostatic chuck according to any one of claims 11 to 18.


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