JP2008046156A

JP2008046156A - Lamination structural body, liquid crystal panel using the same, and method for manufacturing the lamination structural body

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Publication number: JP2008046156A
Application number: JP2006218779A
Authority: JP
Inventors: Masato Nagasawa; 真人永澤; Tomohito Aono; 智史青野
Original assignee: Kyoritsu Chemical and Co Ltd
Current assignee: Kyoritsu Chemical and Co Ltd
Priority date: 2006-08-10
Filing date: 2006-08-10
Publication date: 2008-02-28

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To easily form electric connection between a pixel electrode and a switching electrode, to simplify a manufacturing process, and to manufacture a liquid crystal panel at a low cost. <P>SOLUTION: The lamination structural body has a conductor arranged between the switching electrode and the pixel electrode. <P>COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT

Description

電気的に接続する必要がある電極を含む積層構造体に関する。 The present invention relates to a laminated structure including electrodes that need to be electrically connected.

従来の液晶パネルにおける積層構造は、樹脂層にコンタクトホールを形成し、導電層を形成することによって、ドレイン電極と画素電極とを電気的に接続していた（例えば、特許文献１参照）。
特開２００５−１１５４０１号公報 In the conventional laminated structure of a liquid crystal panel, a drain hole and a pixel electrode are electrically connected by forming a contact hole in a resin layer and forming a conductive layer (see, for example, Patent Document 1).
JP-A-2005-115401

上述した従来の積層構造は、画素電極とドレイン電極との電気的接続を形成するためのコンタクトホールを形成する必要があり、コンタクトホールは、フォトリソ法によって形成していた。このため、コンタクトホールを形成するためのマスクやレチクルを必要とし、エッチング等の工程を要するので、製造工程が複雑になると共に、工程に要する設備に投資しなければならず、液晶パネルを安価かつ大量に生産することが困難となっていた。 In the conventional laminated structure described above, it is necessary to form a contact hole for forming an electrical connection between the pixel electrode and the drain electrode, and the contact hole is formed by a photolithography method. For this reason, a mask or a reticle for forming a contact hole is required, and a process such as etching is required, which complicates the manufacturing process and requires investment in equipment required for the process. It was difficult to produce in large quantities.

本発明は、上述の点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、画素電極とドレイン電極との電気的接続を容易に形成でき、製造工程を簡略化し、液晶パネルを安価に製造できる積層構造体を提供することにある。
以上のような目的を達成するために、本発明においては、スイッチング電極と画素電極との間に、導電体を配置する。 The present invention has been made in view of the above-described points, and an object of the present invention is to easily form an electrical connection between a pixel electrode and a drain electrode, simplify a manufacturing process, and make a liquid crystal panel inexpensive. It is providing the laminated structure which can be manufactured.
In order to achieve the above object, in the present invention, a conductor is disposed between the switching electrode and the pixel electrode.

具体的には、本発明に係る積層構造体は、
基本基板と、
前記基本基板上に配置されかつスイッチング動作するスイッチング素子に、電気的に接続されたスイッチング電極と、
前記スイッチング電極から離隔した位置に配置された画素電極と、
前記スイッチング電極と画素電極との間に配置され、前記スイッチング電極と画素電極との双方に電気的に接続され、前記スイッチング素子のスイッチング動作を画素電極へ伝える導電体と、を含むことを特徴とする。 Specifically, the laminated structure according to the present invention is
A basic board,
A switching electrode disposed on the basic substrate and electrically connected to a switching element that performs a switching operation; and
A pixel electrode disposed at a position separated from the switching electrode;
And a conductor disposed between the switching electrode and the pixel electrode, electrically connected to both the switching electrode and the pixel electrode, and transmitting a switching operation of the switching element to the pixel electrode. To do.

本発明に係る積層構造体は、基本基板と、スイッチング電極と、画素電極と、導電体とを含む。 The laminated structure according to the present invention includes a basic substrate, a switching electrode, a pixel electrode, and a conductor.

基本基板は、積層構造を形成できるものであればよい。 The basic substrate may be any substrate that can form a laminated structure.

スイッチング電極には、スイッチング素子が電気的に接続されている。スイッチング素子は、基本基板上に配置されている。また、スイッチング素子は、スイッチング動作する。 A switching element is electrically connected to the switching electrode. The switching element is disposed on the basic substrate. The switching element performs a switching operation.

画素電極は、スイッチング電極から離隔した位置に配置されている。 The pixel electrode is disposed at a position separated from the switching electrode.

導電体は、スイッチング電極と画素電極との間に配置されている。さらに、導電体は、スイッチング電極と画素電極との双方に電気的に接続されている。この電気的な接続により、スイッチング素子のスイッチング動作が、導電体を介して画素電極へ伝えられる。 The conductor is disposed between the switching electrode and the pixel electrode. Furthermore, the conductor is electrically connected to both the switching electrode and the pixel electrode. With this electrical connection, the switching operation of the switching element is transmitted to the pixel electrode through the conductor.

このように、スイッチング電極と画素電極との間に導電体を配置して、スイッチング素子のスイッチング動作を、導電体を介して画素電極へ伝えるので、コンタクトホールを形成する必要がなくなり、また、コンタクトホールを形成するためのフォトリソ工程やエッチング工程が必要なくなるので、簡素な工程でかつ安価に積層構造体を形成することができる。 In this way, a conductor is arranged between the switching electrode and the pixel electrode, and the switching operation of the switching element is transmitted to the pixel electrode through the conductor, so that it is not necessary to form a contact hole, and the contact Since a photolithography process and an etching process for forming holes are not necessary, a laminated structure can be formed with a simple process and at a low cost.

本発明に係る積層構造体は、
前記導電体が、前記スイッチング電極と前記画素電極とは別体であり、
前記導電体は、前記スイッチング電極の所望する位置に配置されて係止されたものが好ましい。 The laminated structure according to the present invention is
The conductor is separate from the switching electrode and the pixel electrode,
The conductor is preferably arranged and locked at a desired position of the switching electrode.

導電体は、上述したスイッチング電極と画素電極との双方から別体である。導電体は、別体であるので、まず、スイッチング電極の所望する位置に配置され、その位置に係止される。 The conductor is separate from both the switching electrode and the pixel electrode described above. Since the conductor is a separate body, it is first disposed at a desired position of the switching electrode and locked at that position.

導電体は、スイッチング電極と画素電極との双方から別体であるので、積層構造体とは別個に、導電体を準備することができ、積層構造体の製造工程を簡略化することができる。 Since the conductor is separate from both the switching electrode and the pixel electrode, the conductor can be prepared separately from the stacked structure, and the manufacturing process of the stacked structure can be simplified.

本発明に係る積層構造体は、
前記導電体が、前記スイッチング電極に係止するための固定剤と共に、前記スイッチング電極に配置されるものが好ましい。 The laminated structure according to the present invention is
It is preferable that the conductor is disposed on the switching electrode together with a fixing agent for locking to the switching electrode.

導電体は、固定剤と共に、スイッチング電極に配置される。この固定剤は、スイッチング電極に導電体を係止するためものである。 The conductor is disposed on the switching electrode together with the fixing agent. This fixing agent is for locking the conductor to the switching electrode.

固定剤を用いるので、スイッチング電極に導電体を配置した後、導電体を的確に係止させることができ、導電体が別体であっても、電気的接続を確実に形成することができる。 Since the fixing agent is used, the conductor can be accurately locked after the conductor is arranged on the switching electrode, and the electrical connection can be reliably formed even if the conductor is a separate body.

本発明に係る積層構造体は、
前記スイッチング電極と前記基本基板とを覆うように絶縁材料からなる樹脂層が形成され、
前記樹脂層の表面に前記画素電極が形成され、
前記導電体は、前記樹脂層によって包囲されたものが好ましい。 The laminated structure according to the present invention is
A resin layer made of an insulating material is formed so as to cover the switching electrode and the basic substrate,
The pixel electrode is formed on the surface of the resin layer,
The conductor is preferably surrounded by the resin layer.

積層構造体には、さらに、樹脂層が形成される。樹脂層は、絶縁材料からなり、スイッチング電極と基本基板とを覆う。樹脂層の表面には、画素電極が形成される。このように樹脂層を形成することで、導電体によるスイッチング電極と画素電極との電気的接続以外の箇所で、電気的な接続が形成されないようにすることができる。 A resin layer is further formed on the laminated structure. The resin layer is made of an insulating material and covers the switching electrode and the basic substrate. A pixel electrode is formed on the surface of the resin layer. By forming the resin layer in this way, it is possible to prevent electrical connection from being formed at a place other than the electrical connection between the switching electrode and the pixel electrode by the conductor.

さらに、導電体は、樹脂層によって包囲されたものが好ましい。樹脂層によって導電体を包囲することにより、導電体をより的確に係止することができると共に、導電体によるスイッチング電極と画素電極との電気的接続を持続させることができる。 Further, the conductor is preferably surrounded by a resin layer. By surrounding the conductor with the resin layer, the conductor can be more accurately locked, and the electrical connection between the switching electrode and the pixel electrode by the conductor can be maintained.

本発明に係る積層構造体を製造する方法は、
スイッチング動作するスイッチング素子であって、スイッチング電極を有しかつ前記スイッチング電極と電気的に接続されたスイッチング素子を、基本基板に形成するステップと、
前記スイッチング素子のスイッチング動作を伝える導電体を、前記スイッチング電極に配置するステップと、
前記スイッチング電極と前記基本基板とを覆うように、かつ、前記導電体を包囲するように、絶縁材料からなる樹脂層を形成するステップと、
前記スイッチング素子のスイッチング動作が前記導電体を介して伝えられる画素電極を、前記樹脂層の表面に形成するステップと、を含むことを特徴とする。 A method for producing a laminated structure according to the present invention includes:
A switching element that performs a switching operation, the switching element having a switching electrode and electrically connected to the switching electrode;
Arranging a conductor for transmitting a switching operation of the switching element on the switching electrode;
Forming a resin layer made of an insulating material so as to cover the switching electrode and the basic substrate and surround the conductor;
Forming on the surface of the resin layer a pixel electrode through which the switching operation of the switching element is transmitted through the conductor.

積層構造体を製造する方法は、スイッチング素子を形成するステップと、導電体を配置するステップと、樹脂層を形成するステップと、画素電極を形成するステップとを含む。 A method for manufacturing a laminated structure includes a step of forming a switching element, a step of disposing a conductor, a step of forming a resin layer, and a step of forming a pixel electrode.

スイッチング素子は、スイッチング動作をする。このスイッチング素子は、スイッチング電極を有し、スイッチング電極と電気的に接続されている。スイッチング素子を形成するステップは、このようなスイッチング素子を基本基板に形成する工程である。 The switching element performs a switching operation. This switching element has a switching electrode and is electrically connected to the switching electrode. The step of forming the switching element is a process of forming such a switching element on the basic substrate.

導電体は、スイッチング素子のスイッチング動作を伝える。導電体を配置するステップは、このような導電体をスイッチング電極に配置する工程である。 The conductor transmits the switching operation of the switching element. The step of arranging the conductor is a step of arranging such a conductor on the switching electrode.

樹脂層は、絶縁材料からなる。樹脂層を形成するステップは、このような樹脂層を、スイッチング電極と基本基板とを覆うように、かつ、導電体を包囲するように形成する工程である。 The resin layer is made of an insulating material. The step of forming the resin layer is a step of forming such a resin layer so as to cover the switching electrode and the basic substrate and to surround the conductor.

画素電極には、スイッチング素子のスイッチング動作が導電体を介して伝えられる。画素電極を形成するステップは、画素電極を樹脂層の表面に形成する工程である。 The switching operation of the switching element is transmitted to the pixel electrode through the conductor. The step of forming the pixel electrode is a step of forming the pixel electrode on the surface of the resin layer.

上述した製造方法は、スイッチング電極に導電体を配置した後に、配置された導電体を包囲するように樹脂層を形成する。このような順番で製造することで、スイッチング電極と導電体との間の電気的接触を的確にすることができる。また、このような製造方法で積層構造体を製造することによって、コンタクトホールを形成する必要がなくなり、コンタクトホールを形成するためのフォトリソ工程やエッチング工程が必要なくなるので、簡素な工程でかつ安価に積層構造体を形成することができる。 In the manufacturing method described above, after the conductor is disposed on the switching electrode, the resin layer is formed so as to surround the disposed conductor. By manufacturing in this order, the electrical contact between the switching electrode and the conductor can be made accurate. Further, by manufacturing a laminated structure by such a manufacturing method, it is not necessary to form a contact hole, and a photolithography process and an etching process for forming the contact hole are not necessary, so that the process is simple and inexpensive. A laminated structure can be formed.

本発明に係る積層構造体を製造する方法は、
スイッチング動作するスイッチング素子であって、スイッチング電極を有しかつ前記スイッチング電極と電気的に接続されたスイッチング素子を、基本基板に形成するステップと、
前記スイッチング電極と前記基本基板とを覆うように、絶縁材料からなる樹脂層を形成するステップと、
前記スイッチング素子のスイッチング動作を伝える導電体を、前記樹脂層に埋め込んで前記スイッチング電極に配置するステップと、
前記スイッチング素子のスイッチング動作が前記導電体を介して伝えられる画素電極を、前記樹脂層の表面に形成するステップと、を含むことを特徴とする。 A method for producing a laminated structure according to the present invention includes:
A switching element that performs a switching operation, the switching element having a switching electrode and electrically connected to the switching electrode;
Forming a resin layer made of an insulating material so as to cover the switching electrode and the basic substrate;
A conductor for transmitting a switching operation of the switching element, embedded in the resin layer and disposed on the switching electrode;
Forming on the surface of the resin layer a pixel electrode through which the switching operation of the switching element is transmitted through the conductor.

積層構造体を製造する方法は、スイッチング素子を形成するステップと、樹脂層を形成するステップと、導電体を配置するステップと、画素電極を形成するステップとを含む。 A method for manufacturing a laminated structure includes a step of forming a switching element, a step of forming a resin layer, a step of disposing a conductor, and a step of forming a pixel electrode.

樹脂層は、絶縁材料からなる。樹脂層を形成するステップは、このような樹脂層を、スイッチング電極と基本基板とを覆うように、かつ、導電体を包囲するように形成する。 The resin layer is made of an insulating material. In the step of forming the resin layer, such a resin layer is formed so as to cover the switching electrode and the basic substrate and to surround the conductor.

導電体は、スイッチング素子のスイッチング動作を伝える。導電体を配置するステップは、このような導電体を前記樹脂層に埋め込んでスイッチング電極に配置する工程である。 The conductor transmits the switching operation of the switching element. The step of disposing the conductor is a step of embedding such a conductor in the resin layer and disposing it on the switching electrode.

上述した製造方法は、スイッチング電極と基本基板とを覆うように樹脂層を形成した後に、導電体を樹脂層に埋め込んでスイッチング電極に配置する。このような順番で製造することで、スイッチング電極の所望する位置に的確に導電体を配置することができる。また、このような製造方法で積層構造体を製造することによって、コンタクトホールを形成する必要がなくなり、コンタクトホールを形成するためのフォトリソ工程やエッチング工程が必要なくなるので、簡素な工程でかつ安価に積層構造体を形成することができる。 In the manufacturing method described above, a resin layer is formed so as to cover the switching electrode and the basic substrate, and then a conductor is embedded in the resin layer and disposed on the switching electrode. By manufacturing in this order, the conductor can be accurately arranged at a desired position of the switching electrode. Further, by manufacturing a laminated structure by such a manufacturing method, it is not necessary to form a contact hole, and a photolithography process and an etching process for forming the contact hole are not necessary, so that the process is simple and inexpensive. A laminated structure can be formed.

本発明に係る積層構造体を製造する方法は、
前記導電体を配置するステップが、前記スイッチング電極の所望する位置に前記導電体を配置して係止させるものが好ましい。 A method for producing a laminated structure according to the present invention includes:
It is preferable that the step of arranging the conductor arranges and locks the conductor at a desired position of the switching electrode.

スイッチング電極の所望する位置に導電体を配置して係止させるので、導電体とスイッチング電極との電気的接続を確実に形成することができる。 Since the conductor is disposed and locked at a desired position of the switching electrode, electrical connection between the conductor and the switching electrode can be reliably formed.

本発明に係る積層構造体を製造する方法は、
前記導電体を配置するステップが、前記スイッチング電極に係止させるための固定剤と共に、前記スイッチング電極に配置するものが好ましい。 A method for producing a laminated structure according to the present invention includes:
It is preferable that the step of arranging the conductor is arranged on the switching electrode together with a fixing agent for locking the switching electrode.

導電体を固定剤と共にスイッチング電極に配置するので、導電体を配置させると同時に係止させることができ、製造工程をさらに簡略化することができる。 Since the conductor is disposed on the switching electrode together with the fixing agent, the conductor can be locked at the same time as the conductor is disposed, and the manufacturing process can be further simplified.

本発明に係る液晶パネルは、
上述した積層構造体を含む液晶パネルであって、
前記基本基板から離隔した位置に配置された対向基板と、
前記基本基板と前記対向基板との間に配置された液晶層と、を含み、
前記画素電極は、前記基本基板上にマトリクス状に複数配列され、
前記スイッチング素子は、前記画素電極の各々をスイッチング駆動する複数個の素子からなり、
前記導電体は、前記スイッチング素子の各々に電気的に接続されたスイッチング電極の各々に配置されたことを特徴とする。 The liquid crystal panel according to the present invention is
A liquid crystal panel including the laminated structure described above,
A counter substrate disposed at a position separated from the basic substrate;
A liquid crystal layer disposed between the basic substrate and the counter substrate,
A plurality of the pixel electrodes are arranged in a matrix on the basic substrate,
The switching element comprises a plurality of elements for switching and driving each of the pixel electrodes,
The conductor is disposed on each of switching electrodes electrically connected to each of the switching elements.

このように、スイッチング電極と画素電極との間に導電体を配置して、スイッチング素子のスイッチング動作を、導電体を介して画素電極へ伝えるので、コンタクトホールを形成する必要がなくなり、また、コンタクトホールを形成するためのフォトリソ工程やエッチング工程が必要なくなるので、簡素な工程でかつ安価に液晶パネルを形成することができる。 In this way, a conductor is arranged between the switching electrode and the pixel electrode, and the switching operation of the switching element is transmitted to the pixel electrode through the conductor, so that it is not necessary to form a contact hole, and the contact Since a photolithography process and an etching process for forming holes are not necessary, a liquid crystal panel can be formed at a low cost with a simple process.

画素電極とスイッチング電極との電気的接続を容易に形成でき、製造工程を簡略化し、液晶パネルを安価に製造できる積層構造体を提供できる。 It is possible to easily form an electrical connection between the pixel electrode and the switching electrode, simplify the manufacturing process, and provide a laminated structure that can manufacture a liquid crystal panel at a low cost.

以下に、本発明の実施例について図面に基づいて説明する。 Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.

＜＜積層構造＞＞
＜積層構造の構成＞
本発明の実施の一形態である液晶パネルとして、以下ではＴＦＴ（Thin Film Transistor）アクティブマトリクス方式の液晶パネルを用いて説明する。 << Laminated structure >>
<Configuration of laminated structure>
As a liquid crystal panel according to an embodiment of the present invention, a TFT (Thin Film Transistor) active matrix type liquid crystal panel will be described below.

図１は、ＴＦＴアクティブマトリクス方式の液晶パネルの下面ガラス基板（基本基板）１２に形成された積層構造の概略を示す正面図である。なお、下面ガラス基板１２は、後述する液晶パネルのＴＦＴ基板を構成する基板である。また、図１に示したものは、下面ガラス基板１２の１つの画素分について示したものであり、主として、図１の中央の画素電極１４ａが形成された領域について示したものである。図１に示すように、画素電極１４ａに隣り合う領域には、８個の画素電極１４ｂ〜１４ｉが形成されている。これらの８個の画素電極１４ｂ〜１４ｉの構造は、画素電極１４ａと同じである。以下では、画素電極１４ａが形成された領域について説明する。 FIG. 1 is a front view showing an outline of a laminated structure formed on a lower glass substrate (basic substrate) 12 of a TFT active matrix type liquid crystal panel. The lower glass substrate 12 is a substrate constituting a TFT substrate of a liquid crystal panel described later. 1 shows one pixel of the lower glass substrate 12, and mainly shows a region where the central pixel electrode 14a in FIG. 1 is formed. As shown in FIG. 1, eight pixel electrodes 14b to 14i are formed in a region adjacent to the pixel electrode 14a. The structure of these eight pixel electrodes 14b to 14i is the same as that of the pixel electrode 14a. Hereinafter, a region where the pixel electrode 14a is formed will be described.

下面ガラス基板１２には、図１に示した画素がマトリクス状に形成されている。下面ガラス基板１２は、透光性を有する。なお、本実施の形態では、液晶パネルの基板として、ガラス基板１２を用いたが、液晶パネルの基板は、光を通す透明でかつ絶縁性の基板であればよい。液晶パネルの基板は、例えば、可撓性のフィルムなどでもよい。 The pixels shown in FIG. 1 are formed in a matrix on the lower glass substrate 12. The lower glass substrate 12 has translucency. In this embodiment, the glass substrate 12 is used as the substrate of the liquid crystal panel. However, the substrate of the liquid crystal panel may be a transparent and insulating substrate that transmits light. The substrate of the liquid crystal panel may be a flexible film, for example.

下面ガラス基板１２には、画素電極１４ａと、画素電極１４ａを駆動するためのＴＦＴ１６（スイッチング素子）と、ＴＦＴ１６のゲート入力となるＸ配線１８ａ及び１８ｂと、ＴＦＴ１６のソース入力となるＹ配線２０ａ及び２０ｂとが形成されている。 The lower glass substrate 12 includes a pixel electrode 14a, a TFT 16 (switching element) for driving the pixel electrode 14a, X wirings 18a and 18b serving as gate inputs of the TFT 16, Y wiring 20a serving as a source input of the TFT 16, and 20b.

Ｘ配線１８ａ及び１８ｂは、長尺な形状を有し、複数の電極からなる。これらの複数の電極は、図１に示すように、互いに平行になるように、図１の左右方向に沿って形成されている。このＸ配線１８ａ及び１８ｂには、後述するゲート電極２２に供給するための電圧信号が流れ、Ｙ配線２０ａ及び２０ｂには、後述するソース電極２４に供給するための電圧信号が流れる。 The X wirings 18a and 18b have a long shape and are composed of a plurality of electrodes. As shown in FIG. 1, these plurality of electrodes are formed along the left-right direction of FIG. 1 so as to be parallel to each other. A voltage signal for supplying a gate electrode 22 described later flows through the X wirings 18a and 18b, and a voltage signal for supplying a source electrode 24 described later flows through the Y wirings 20a and 20b.

Ｙ配線２０ａ及び２０ｂも、長尺な形状を有し、複数の電極からなる。これらの複数の電極は、図１に示すように、互いに平行になるように、図１の上下方向に沿って形成されている。このＹ配線２０ａ及び２０ｂには、後述するソース電極２４に供給するための電圧信号が流れる。 The Y wirings 20a and 20b also have a long shape and are composed of a plurality of electrodes. As shown in FIG. 1, the plurality of electrodes are formed along the vertical direction of FIG. 1 so as to be parallel to each other. A voltage signal for supplying to the source electrode 24 described later flows through the Y wirings 20a and 20b.

上述したＸ配線１８ａ及び１８ｂとＹ配線２０ａ及び２０ｂとは、下面ガラス基板１２のほぼ全体に亘るように、格子状に形成されている。 The X wirings 18 a and 18 b and the Y wirings 20 a and 20 b described above are formed in a lattice shape so as to cover almost the entire lower glass substrate 12.

画素電極１４ａは、略長方形の形状を有する。画素電極１４ａは、透明なＩＴＯ（酸化インジウムスズ（Indium Tin Oxide））からなる。なお、画素電極１４ａは、ＩＴＯからなるものに限られず、透明で導電性を有する薄膜であればよい。この画素電極１４ａは、上述した隣り合う２つのＸ配線１８ａ及び１８ｂと、隣り合う２つのＹ配線２０ａ及び２０ｂとの間に亘って形成されると共に、後述するＴＦＴ１６を覆うように形成される。このようにすることで、画素電極１４は、下面ガラス基板１２の全体で、マトリクス状に形成される。また、図１に示すように、画素電極１４ａは、画素電極１４ａの外周部が、Ｘ配線１８ａ及び１８ｂの縁及びＹ配線２０ａ及び２０ｂの縁と若干重なるように形成される。このようにすることで、開口率を高くすることができる。この画素電極１４の１つによって、液晶パネルの１つの画素が構成される。以下では、１つの画素電極１４ａによって占められる領域を、１つの画素領域と称する。 The pixel electrode 14a has a substantially rectangular shape. The pixel electrode 14a is made of transparent ITO (Indium Tin Oxide). The pixel electrode 14a is not limited to being made of ITO, but may be a transparent and conductive thin film. The pixel electrode 14a is formed between the two adjacent X wirings 18a and 18b and the two adjacent Y wirings 20a and 20b, and is formed so as to cover the TFT 16 described later. In this way, the pixel electrodes 14 are formed in a matrix shape on the entire lower glass substrate 12. As shown in FIG. 1, the pixel electrode 14a is formed so that the outer periphery of the pixel electrode 14a slightly overlaps the edges of the X wirings 18a and 18b and the edges of the Y wirings 20a and 20b. By doing in this way, an aperture ratio can be made high. One pixel electrode 14 constitutes one pixel of the liquid crystal panel. Hereinafter, an area occupied by one pixel electrode 14a is referred to as one pixel area.

Ｘ配線１８ａ及び１８ｂとＹ配線２０ａ及び２０ｂとの交差部分の近傍には、ＴＦＴ１６が形成されている。ＴＦＴ１６は、ゲート電極２２と、ソース電極２４と、ドレイン電極２６との３種類の電極からなる。ゲート電極２２は、Ｘ配線１８ａ及び１８ｂと電気的に接続するように形成され、ソース電極２４は、Ｙ配線２０ａ及び２０ｂと電気的に接続するように形成されている。ＴＦＴ１６は、Ｘ配線１８ａ及び１８ｂから供給された電圧信号により、ゲート電極２２に電圧を印加することができる。ゲート電極２２に電圧が印加されたときには、ドレイン電極２６とソース電極２４との間は、オン状態となり、ゲート電極２２に電圧が印加されていないときには、ドレイン電極２６とソース電極２４との間は、オフ状態となる。このように、ＴＦＴ１６は、ゲート電極２２への電圧を制御することによって、スイッチング動作をする。ドレイン電極２６とソース電極２４との間が、オン状態となったときには、ドレイン電極２６とソース電極２４とは、短絡し、ソース電極２４を介して、Ｙ配線からの電圧信号が、ドレイン電極２６に供給される。ドレイン電極２６とソース電極２４との間が、オフ状態となったときには、ドレイン電極２６とソース電極２４とは、開放され、Ｙ配線からの電圧信号は、ドレイン電極２６に供給されない。 A TFT 16 is formed in the vicinity of the intersection of the X wirings 18a and 18b and the Y wirings 20a and 20b. The TFT 16 includes three types of electrodes, that is, a gate electrode 22, a source electrode 24, and a drain electrode 26. The gate electrode 22 is formed to be electrically connected to the X wirings 18a and 18b, and the source electrode 24 is formed to be electrically connected to the Y wirings 20a and 20b. The TFT 16 can apply a voltage to the gate electrode 22 by a voltage signal supplied from the X wirings 18a and 18b. When a voltage is applied to the gate electrode 22, the area between the drain electrode 26 and the source electrode 24 is turned on. When no voltage is applied to the gate electrode 22, the distance between the drain electrode 26 and the source electrode 24 is It will be in an off state. Thus, the TFT 16 performs a switching operation by controlling the voltage to the gate electrode 22. When the drain electrode 26 and the source electrode 24 are turned on, the drain electrode 26 and the source electrode 24 are short-circuited, and the voltage signal from the Y wiring is supplied via the source electrode 24 to the drain electrode 26. To be supplied. When the space between the drain electrode 26 and the source electrode 24 is turned off, the drain electrode 26 and the source electrode 24 are opened, and the voltage signal from the Y wiring is not supplied to the drain electrode 26.

また、図１に示すように、ＴＦＴ１６のドレイン電極２６と電気的に接続するように、接続電極２７が形成されている。接続電極２７は、画素領域の略中央に向かって形成されている。画素領域の略中央には、付加容量の第１の電極２９ａが、接続電極２７と電気的に接続するように、図１の左右方向に沿って形成されている。付加容量の第２の電極２９ｂが、付加容量の第１の電極２９ａと重なるように、形成されている。付加容量の第２の電極２９ｂは、共通配線（図示せず）に電気的に接続されている。付加容量を設けることにより、液晶（図示せず）の応答特性を改善することができる。 Further, as shown in FIG. 1, a connection electrode 27 is formed so as to be electrically connected to the drain electrode 26 of the TFT 16. The connection electrode 27 is formed toward the approximate center of the pixel region. A first electrode 29 a having an additional capacitance is formed along the left-right direction in FIG. 1 so as to be electrically connected to the connection electrode 27 at approximately the center of the pixel region. The second electrode 29b of the additional capacitor is formed so as to overlap the first electrode 29a of the additional capacitor. The second electrode 29b of the additional capacitor is electrically connected to a common wiring (not shown). By providing the additional capacitor, the response characteristic of the liquid crystal (not shown) can be improved.

さらに、図１には、ドレイン電極２６に導電性粒子３４が配置されている。後述するように、導電性粒子３４によって、ドレイン電極２６と画素電極１４ａとの電気的接続が形成される。また、接続電極２７には、導電性粒子３４’が配置されている。この導電性粒子３４’によっても、ドレイン電極２６と画素電極１４ａとの電気的接続が形成される。 Further, in FIG. 1, conductive particles 34 are arranged on the drain electrode 26. As will be described later, the conductive particles 34 form an electrical connection between the drain electrode 26 and the pixel electrode 14a. In addition, conductive particles 34 ′ are disposed on the connection electrode 27. The conductive particles 34 'also form an electrical connection between the drain electrode 26 and the pixel electrode 14a.

なお、図１では、説明を簡略化するために、ドレイン電極２６上に導電性粒子３４を配置すると共に、接続電極２７上に導電性粒子３４’を配置する場合を示したが、ドレイン電極２６のみに導電性粒子３４を配置するか、接続電極２７のみに導電性粒子３４’を配置するかでよい。また、図１に示したように、ドレイン電極２６に導電性粒子３４を配置すると共に、接続電極２７上に導電性粒子３４’を配置した場合には、ドレイン電極２６と画素電極１４ａとの電気的接続をより確実にすることができる。
以下の説明では、画素電極１４ａを単に画素電極１４と称する。 In FIG. 1, in order to simplify the description, the conductive particles 34 are disposed on the drain electrode 26 and the conductive particles 34 ′ are disposed on the connection electrode 27. The conductive particles 34 may be disposed only on the conductive electrodes 34, or the conductive particles 34 ′ may be disposed only on the connection electrodes 27. Further, as shown in FIG. 1, when the conductive particles 34 are arranged on the drain electrode 26 and the conductive particles 34 'are arranged on the connection electrode 27, the electrical connection between the drain electrode 26 and the pixel electrode 14a is achieved. Connection can be made more reliable.
In the following description, the pixel electrode 14a is simply referred to as the pixel electrode 14.

＜断面構造の第１の態様＞
図２は、図１に示した線Ｘ−Ｘ’に沿った積層構造体１０の断面図である。この図２は、ドレイン電極２６上に導電性粒子３４を配置した場合の構成の断面図である。なお、図２は、簡略化のため、後述する固定剤３３を省略して示した。 <First aspect of cross-sectional structure>
FIG. 2 is a cross-sectional view of the multilayer structure 10 taken along line XX ′ shown in FIG. FIG. 2 is a cross-sectional view of the configuration in which conductive particles 34 are arranged on the drain electrode 26. In FIG. 2, the fixing agent 33 described later is omitted for simplification.

ガラス基板１２の上には、上述したゲート電極２２が形成されている。ゲート電極２２は、金属薄膜、例えば、アルミニウムやタンタル等からなるものが好ましい。ガラス基板１２とゲート電極２２とを覆うように、絶縁膜２８が形成されている。絶縁膜２８は、酸化ケイ素や窒化ケイ素からなるものが好ましい。 On the glass substrate 12, the gate electrode 22 described above is formed. The gate electrode 22 is preferably made of a metal thin film such as aluminum or tantalum. An insulating film 28 is formed so as to cover the glass substrate 12 and the gate electrode 22. The insulating film 28 is preferably made of silicon oxide or silicon nitride.

絶縁膜２８の上面には、アモルファスシリコン膜３０が、形成されている。アモルファスシリコン膜３０の上面の一部分（図２の左側）には、ソース電極２４が形成され、アモルファスシリコン膜３０の上面の他の部分（図２の右側）には、ドレイン電極２６が形成されている。ソース電極２４及びドレイン電極２６は、金属薄膜、例えば、アルミニウムやタンタル等からなるものが好ましい。なお、本実施の形態では、絶縁膜２８の一部に、アモルファスシリコン膜３０を形成したが、この膜は、アモルファスシリコンには限られず、半導体の特性を有する半導体膜であればよい。 An amorphous silicon film 30 is formed on the upper surface of the insulating film 28. A source electrode 24 is formed on a part of the upper surface of the amorphous silicon film 30 (left side in FIG. 2), and a drain electrode 26 is formed on the other part of the upper surface of the amorphous silicon film 30 (right side in FIG. 2). Yes. The source electrode 24 and the drain electrode 26 are preferably made of a metal thin film such as aluminum or tantalum. In this embodiment, the amorphous silicon film 30 is formed on a part of the insulating film 28. However, this film is not limited to amorphous silicon, and any semiconductor film having semiconductor characteristics may be used.

上述したソース電極２４と、ドレイン電極２６と、アモルファスシリコン膜３０と、絶縁膜２８とを覆うように、樹脂層３２が形成されている。樹脂層３２の上面は、略平坦になるように形成されている。樹脂層３２は、ソース電極２４と、ドレイン電極２６と、アモルファスシリコン膜３０とを絶縁すると共に、樹脂層３２の上面を略平坦に形成できるものであればよい。樹脂層３２の内部には、導電性粒子３４が配置されている。導電性粒子３４は、ドレイン電極２６と電気的接続を形成するように配置されている。このため、樹脂層３２は、導電性粒子３４を保持すると共に、導電性粒子３４がドレイン電極２６と電気的接続を形成し、かつ、導電性粒子３４が、後述する画素電極１４とも電気的接続を形成できるものが好ましい。 A resin layer 32 is formed so as to cover the source electrode 24, the drain electrode 26, the amorphous silicon film 30, and the insulating film 28 described above. The upper surface of the resin layer 32 is formed to be substantially flat. The resin layer 32 may be any material that can insulate the source electrode 24, the drain electrode 26, and the amorphous silicon film 30 and can form the upper surface of the resin layer 32 substantially flat. Conductive particles 34 are arranged inside the resin layer 32. The conductive particles 34 are arranged so as to form an electrical connection with the drain electrode 26. Therefore, the resin layer 32 holds the conductive particles 34, the conductive particles 34 form an electrical connection with the drain electrode 26, and the conductive particles 34 are also electrically connected to the pixel electrode 14 described later. What can form is preferable.

樹脂層３２は、絶縁性を有し、かつ、光や熱によって硬化する有機材料からなる。樹脂層３２の誘電率は、ＴＦＴ１６のソース電極２４及びドレイン電極２６と、画素電極１４との間を電気的に絶縁できるものであればよく、これらの間の電位差に応じて適宜定めればよい。例えば、樹脂層３２は、誘電率が３以下の有機材料にすることができる。樹脂層３２は、スピン塗布法、ロールコート法又はスリットコート法や、その他の塗布法によって塗布し、その後、光又は熱で硬化させることで、導電性粒子３４を的確に保持することができ、かつ、樹脂層３２の膜厚や樹脂層３２の表面の平坦性を十分に制御することができる。 The resin layer 32 is made of an organic material that has an insulating property and is cured by light or heat. The dielectric constant of the resin layer 32 may be any as long as it can electrically insulate between the source electrode 24 and drain electrode 26 of the TFT 16 and the pixel electrode 14, and may be appropriately determined according to the potential difference therebetween. . For example, the resin layer 32 can be made of an organic material having a dielectric constant of 3 or less. The resin layer 32 is applied by a spin coating method, a roll coating method, a slit coating method, or other coating method, and then cured by light or heat, so that the conductive particles 34 can be accurately retained. In addition, the film thickness of the resin layer 32 and the flatness of the surface of the resin layer 32 can be sufficiently controlled.

また、樹脂層３２は、有機材料からなる薄膜であるので、無機材料からなる薄膜に比べて、比誘電率を低くすることができ、透明度が高い膜にすることができる。さらに、樹脂層３２の膜を厚くする制御も容易であり、ＴＦＴ１６の電極や画素電極１４やその他の電極や配線との間の容量成分を低くすることができ、これらの間で電圧信号が流れることを防止でき、クロストーク等の影響を小さくすることができるので、画素電極１４を的確に制御でき、液晶パネルの表示を良好にできる。 Further, since the resin layer 32 is a thin film made of an organic material, it can have a lower relative dielectric constant and a film with higher transparency than a thin film made of an inorganic material. Furthermore, the control of increasing the thickness of the resin layer 32 is easy, and the capacitance component between the electrode of the TFT 16, the pixel electrode 14, other electrodes and wiring can be lowered, and a voltage signal flows between them. This can be prevented and the influence of crosstalk and the like can be reduced, so that the pixel electrode 14 can be controlled accurately and the display of the liquid crystal panel can be improved.

さらに、樹脂層３２の樹脂は、後述する固化した固定剤３３やバインダ３３’に対して、非相溶性のものが好ましい。固定剤３３は、後述するように、ドレイン電極２６上で固化することによって、導電性粒子３４をドレイン電極２６に係止させるためのものである。バインダ３３’は、固定剤３３のみからなる液状物であって、流動可能な状態となっているものや、固定剤３３と溶剤とからなる液状物であって、固定剤３３が溶剤に溶解した状態となっているものである。このようなバインダ３３’が、ドレイン電極２６上で固体化することによって、固化した固定剤３３となる。このように、樹脂層３２の樹脂を、固化した固定剤３３や、液状物であるバインダ３３’に対して、非相溶性のものにすることで、一旦固化した固定剤３３が、樹脂層３２に溶け出したり、又は液状のバインダ３３’が、樹脂層３２に流動したり若しくは溶け出したりして、樹脂層３２の絶縁性等の特性に影響を与えたり、樹脂層３２の樹脂が、バインダ３３’の粘度や密着性等の特性に影響を与えたりすることを防止することができる。 Further, the resin of the resin layer 32 is preferably incompatible with the solidified fixing agent 33 and binder 33 'described later. The fixing agent 33 is for locking the conductive particles 34 to the drain electrode 26 by solidifying on the drain electrode 26 as described later. The binder 33 ′ is a liquid material composed only of the fixing agent 33 and is in a flowable state, or a liquid material composed of the fixing agent 33 and a solvent, and the fixing agent 33 is dissolved in the solvent. It is a state. Such a binder 33 ′ is solidified on the drain electrode 26, and becomes a solidified fixing agent 33. Thus, by making the resin of the resin layer 32 incompatible with the solidified fixing agent 33 or the liquid binder 33 ′, the once solidified fixing agent 33 becomes the resin layer 32. Or the liquid binder 33 ′ flows or dissolves into the resin layer 32, affecting the properties of the resin layer 32, such as the insulation properties, and the resin of the resin layer 32 is It is possible to prevent the 33 ′ viscosity and adhesion properties from being affected.

樹脂層３２の上面には、画素電極１４が形成されている。上述した導電性粒子３４は、画素電極１４とも電気的接続を形成するように配置されている。導電性粒子３４については、後述する。 A pixel electrode 14 is formed on the upper surface of the resin layer 32. The conductive particles 34 described above are arranged so as to form an electrical connection with the pixel electrode 14. The conductive particles 34 will be described later.

このように構成したことにより、ドレイン電極２６とソース電極２４との間が、オン状態となって、ドレイン電極２６とソース電極２４とが、短絡したときには、Ｙ配線からの電圧信号が、アモルファスシリコン膜３０を介して、ソース電極２４からドレイン電極２６に供給される。さらに、Ｙ配線からの電圧信号は、導電性粒子３４を介して、ドレイン電極２６から画素電極１４に供給される。
なお、後述するように、画素電極１４の上部には、液晶層（図示せず）が配置される。 With this configuration, when the drain electrode 26 and the source electrode 24 are turned on and the drain electrode 26 and the source electrode 24 are short-circuited, the voltage signal from the Y wiring is changed to amorphous silicon. It is supplied from the source electrode 24 to the drain electrode 26 through the film 30. Further, the voltage signal from the Y wiring is supplied from the drain electrode 26 to the pixel electrode 14 through the conductive particles 34.
As will be described later, a liquid crystal layer (not shown) is disposed on the pixel electrode 14.

＜断面構造の第２の態様＞
図３は、図１に示した線Ｘ−Ｘ”に沿った積層構造体１０の断面図である。この図３は、接続電極２７上に導電性粒子３４’を配置した場合の構成の断面図である。なお、図３では、図２と共通の構成要素には、同じ符号を付して示した。また、図３は、簡略化のため、後述する固定剤３３を省略して示した。 <Second aspect of cross-sectional structure>
3 is a cross-sectional view of the laminated structure 10 taken along line XX ″ shown in FIG. 1. This FIG. 3 is a cross-section of the configuration in which the conductive particles 34 ′ are arranged on the connection electrode 27. 3, the same reference numerals are given to the same constituent elements as those in FIG 2. In addition, in FIG. It was.

図３に示すように、ドレイン電極２６の右端部は、右方向に延出するように、絶縁膜２８上に形成されている。ドレイン電極２６の延出した端部と電気的に接続するように、絶縁膜２８上に、付加容量の第１の電極２９ａが形成されている。付加容量の第１の電極２９ａの下方には、絶縁膜２８を介して、ガラス基板１２上に、付加容量の第２の電極２９ｂが形成されている。 As shown in FIG. 3, the right end portion of the drain electrode 26 is formed on the insulating film 28 so as to extend in the right direction. A first electrode 29 a having an additional capacitance is formed on the insulating film 28 so as to be electrically connected to the extended end of the drain electrode 26. A second electrode 29b having an additional capacity is formed on the glass substrate 12 via an insulating film 28 below the first electrode 29a having an additional capacity.

上述した付加容量の第１の電極２９ａ上には、導電性粒子３４’が配置されている。導電性粒子３４’は、付加容量の第１の電極２９ａと電気的接続を形成するように配置されている。上述したように、付加容量の第１の電極２９ａは、ドレイン電極２６の延出した端部と電気的に接続するように、形成されている。したがって、導電性粒子３４’は、ドレイン電極２６と電気的な接続を形成する。 Conductive particles 34 ′ are disposed on the first electrode 29 a having the additional capacitance described above. The conductive particles 34 ′ are arranged so as to form an electrical connection with the first electrode 29 a of the additional capacity. As described above, the first electrode 29 a of the additional capacitor is formed so as to be electrically connected to the extended end of the drain electrode 26. Accordingly, the conductive particles 34 ′ form an electrical connection with the drain electrode 26.

この図３に示した場合でも、樹脂層３２は、導電性粒子３４’を保持すると共に、導電性粒子３４’がドレイン電極２６と電気的接続を形成し、かつ、導電性粒子３４が、後述する画素電極１４とも電気的接続を形成できるものが好ましい。 Even in the case shown in FIG. 3, the resin layer 32 holds the conductive particles 34 ′, the conductive particles 34 ′ form an electrical connection with the drain electrode 26, and the conductive particles 34 are described later. It is preferable that the pixel electrode 14 to be electrically connected can be formed.

＜導電性粒子の構造＞
図４は、上述した導電性粒子３４及び３４’の３つの態様を示す。なお、導電性粒子３４及び３４’は、以下に示す導電性粒子３４ａ〜３４ｃのいずれでもよい。 <Structure of conductive particles>
FIG. 4 shows three embodiments of the conductive particles 34 and 34 ′ described above. The conductive particles 34 and 34 ′ may be any of the conductive particles 34 a to 34 c shown below.

図４（ａ）に示した導電性粒子３４ａは、弾性を有する樹脂からなる粒子芯３６ａと、金属からなる粒子殻３６ｂとからなる。粒子芯３６ａは、弾性を有し、略球状の形状を有するものであればよい。導電性粒子３４ａは、粒子芯３６ａの周囲を、メッキ法によって、粒子殻３６ｂを構成する金属で覆うように形成されている。 The conductive particles 34a shown in FIG. 4A include a particle core 36a made of an elastic resin and a particle shell 36b made of a metal. The particle core 36a only needs to have elasticity and a substantially spherical shape. The conductive particles 34a are formed so as to cover the periphery of the particle core 36a with a metal constituting the particle shell 36b by plating.

特に、粒子芯３６ａは、樹脂や、シリカ等の無機物を樹脂で被覆したものが好ましい。このように、粒子芯３６ａを弾性を有する樹脂にしたことにより、液晶パネルを製造する際に加圧された場合には、導電性粒子３４ａは、加えられた圧力の大きさに応じて変形することができ、画素電極１４やドレイン電極２６との電気的接続を的確に形成することができる。 In particular, the particle core 36a is preferably a resin or an inorganic material such as silica coated with a resin. As described above, since the particle core 36a is made of an elastic resin, the conductive particles 34a are deformed in accordance with the applied pressure when the liquid crystal panel is pressurized. In addition, electrical connection with the pixel electrode 14 and the drain electrode 26 can be accurately formed.

また、粒子殻３６ｂを構成する金属は、画素電極１４とドレイン電極２６とに導電性粒子３４ａを電気的に接続でき、ドレイン電極２６からの電圧信号を画素電極１４に的確に伝えることができるものであればよく、必要とする電気伝導率に応じて適宜定めればよい。また、粒子芯３６ａを構成する樹脂の種類や、メッキのし易さ等も考慮して、粒子殻３６ｂを構成する金属を適宜定めればよい。特に、導電性粒子３４ａは、Ａｕ、Ａｇ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｔａ等の導電性の高い金属を、単層で形成したもの、又は複数の層を積層して形成したものからなるのが好ましい。 Further, the metal constituting the particle shell 36b can electrically connect the conductive particles 34a to the pixel electrode 14 and the drain electrode 26, and can accurately transmit the voltage signal from the drain electrode 26 to the pixel electrode 14. What is necessary is just to determine suitably according to the required electrical conductivity. In addition, the metal constituting the particle shell 36b may be appropriately determined in consideration of the type of resin constituting the particle core 36a and the ease of plating. In particular, the conductive particles 34a are preferably made of a highly conductive metal such as Au, Ag, Ni, Cu, Ta, or the like formed as a single layer or a laminate of a plurality of layers.

上述したように、樹脂からなる粒子芯３６ａと導電性の高い金属からなる粒子殻３６ｂとで導電性粒子３４ａを構成し、樹脂層３２を絶縁性を有する材料で構成することにより、導電性粒子３４ａを介した電圧信号を的確に画素電極１４に伝達することができ、導電性粒子３４ａが存在しない箇所では、的確に絶縁して、クロストーク等の影響を小さくすることができ、画素電極１４を的確に制御できる。 As described above, the conductive particles 34a are constituted by the particle core 36a made of a resin and the particle shell 36b made of a highly conductive metal, and the resin layer 32 is made of a material having an insulating property. The voltage signal via 34a can be accurately transmitted to the pixel electrode 14, and in places where the conductive particles 34a are not present, it can be accurately insulated to reduce the influence of crosstalk and the like. Can be controlled accurately.

導電性粒子３４ａが、ドレイン電極２６上に配置されたときには、図４（ａ）に示すように、導電性粒子３４ａとドレイン電極２６との間に固化した固定剤３３が位置する。後述するように、導電性粒子３４ａは、バインダ３３’と共に、ドレイン電極２６上に配置される。バインダ３３’が、ドレイン電極２６上で固体化することによって、固化した固定剤３３となる。このように、固化した固定剤３３を用いることによって、導電性粒子３４ａをドレイン電極２６上に的確に係止させることができる。 When the conductive particles 34 a are disposed on the drain electrode 26, the solidified fixing agent 33 is located between the conductive particles 34 a and the drain electrode 26 as shown in FIG. As will be described later, the conductive particles 34a are disposed on the drain electrode 26 together with the binder 33 '. When the binder 33 ′ is solidified on the drain electrode 26, the solidified fixing agent 33 is obtained. Thus, by using the solidified fixing agent 33, the conductive particles 34a can be accurately locked onto the drain electrode 26.

バインダ３３’は、液状物であるので、導電性粒子３４ａと共に、ドレイン電極２６上に配置されたときには、若干流動する場合がある。バインダ３３’が、ドレイン電極２６上で流動する場合には、バインダ３３’は、ドレイン電極２６上において略円状や略円環状に拡がる。バインダ３３’が拡がったときのバインダ３３’の直径ｄは、導電性粒子３４ａの直径Ｄ以下となるのが好ましい。バインダ３３’の拡がりをこのようにすることで、ドレイン電極２６の大きさを大きくすることなく、導電性粒子３４ａをドレイン電極２６上に配置することができるので、ドレイン電極２６を小さくでき、ＴＦＴ１６全体の大きさも小さくできるため、１画素当りで表示に有効な領域の面積を大きくでき、高精細な表示ができる液晶パネルを提供することができる。 Since the binder 33 ′ is a liquid material, it may flow slightly when placed on the drain electrode 26 together with the conductive particles 34 a. When the binder 33 ′ flows on the drain electrode 26, the binder 33 ′ extends in a substantially circular shape or a substantially annular shape on the drain electrode 26. The diameter d of the binder 33 'when the binder 33' expands is preferably equal to or smaller than the diameter D of the conductive particles 34a. By making the spread of the binder 33 ′ in this way, the conductive particles 34 a can be disposed on the drain electrode 26 without increasing the size of the drain electrode 26, so that the drain electrode 26 can be reduced, and the TFT 16. Since the overall size can be reduced, a liquid crystal panel capable of increasing the area of a region effective for display per pixel and capable of high-definition display can be provided.

図４（ｂ）に示した導電性粒子３４ｂは、全体が金属からなる中実な球である。金属は、Ａｕ、Ａｇ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｔａ等の導電性の高い金属からなるのが好ましい。このように中実な金属球を導電性粒子３４ｂとしたことにより、剛性を高めた積層構造を提供することができ、また、全体が金属から構成されているので、ドレイン電極２６から画素電極１４への電圧信号を的確に伝えることができる。 The conductive particles 34b shown in FIG. 4B are solid spheres made entirely of metal. The metal is preferably made of a highly conductive metal such as Au, Ag, Ni, Cu, or Ta. Thus, by using the solid metal spheres as the conductive particles 34b, it is possible to provide a laminated structure with increased rigidity, and since the whole is made of metal, the drain electrode 26 to the pixel electrode 14 are provided. The voltage signal to can be accurately transmitted.

また、図４（ｂ）に示した例においても、固化した固定剤３３を用いて、導電性粒子３４ｂをドレイン電極２６上に係止させるのが好ましい。この場合も、バインダ３３’を導電性粒子３４ｂと共に、ドレイン電極２６上に配置する。 In the example shown in FIG. 4B as well, it is preferable to lock the conductive particles 34 b on the drain electrode 26 using the solidified fixing agent 33. Also in this case, the binder 33 ′ is disposed on the drain electrode 26 together with the conductive particles 34 b.

図４（ｃ）に示した導電性粒子３４ｃは、金属からなる中空な球である。金属は、Ａｕ、Ａｇ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｔａ等の導電性の高い金属からなるのが好ましい。このように中空の金属球を導電性粒子３４ｂとしたことにより、剛性と弾性とを有する積層構造を提供することができる。なお、金属部分の厚さを適宜選ぶことで、積層構造の剛性と弾性とのそれぞれを所望するものに変更することができる。 The conductive particles 34c shown in FIG. 4C are hollow spheres made of metal. The metal is preferably made of a highly conductive metal such as Au, Ag, Ni, Cu, or Ta. Thus, by using the hollow metal spheres as the conductive particles 34b, it is possible to provide a laminated structure having rigidity and elasticity. Note that the rigidity and elasticity of the laminated structure can be changed to desired ones by appropriately selecting the thickness of the metal portion.

この図４（ｃ）に示した例においても、固化した固定剤３３を用いて、導電性粒子３４ｂをドレイン電極２６上に係止させるのが好ましい。この場合も、バインダ３３’を導電性粒子３４ｃと共に、ドレイン電極２６上に配置する。 In the example shown in FIG. 4C as well, it is preferable to lock the conductive particles 34b on the drain electrode 26 using the solidified fixing agent 33. Also in this case, the binder 33 ′ is disposed on the drain electrode 26 together with the conductive particles 34 c.

上述した導電性粒子３４ａ〜３４ｃの直径は、樹脂層３２の厚さや、ドレイン電極２６と樹脂層３２の上面との距離に応じて適宜定めればよい。例えば、導電性粒子３４ａ〜３４ｃの直径は、略１．５〜３マイクロメートル程度にすることができる。 The diameters of the conductive particles 34 a to 34 c described above may be appropriately determined according to the thickness of the resin layer 32 and the distance between the drain electrode 26 and the upper surface of the resin layer 32. For example, the diameter of the conductive particles 34a to 34c can be about 1.5 to 3 micrometers.

上述したように、導電性粒子３４を用いることで、コンタクトホールを形成する必要がなくなり、コンタクトホールを形成するのに要した工程や設備を不要にできるので、液晶パネルをさらに安価に製造することができる。さらに、コンタクトホールを形成する場合に、コンタクトホールの開口部をテーパー状に形成する必要があり、ＴＦＴを小型化するのが困難であったが、導電性粒子３４を用いることで、コンタクトホールを不要にできるので、ＴＦＴを小型化することができ、１画素当りで表示に有効な領域の面積を大きくできるため、高精細な表示ができる液晶パネルを提供することができる。 As described above, by using the conductive particles 34, it is not necessary to form a contact hole, and the process and equipment required to form the contact hole can be eliminated, so that the liquid crystal panel can be manufactured at a lower cost. Can do. Further, when forming the contact hole, it is necessary to form the opening of the contact hole in a tapered shape, and it is difficult to reduce the size of the TFT. However, by using the conductive particles 34, the contact hole can be formed. Since it can be made unnecessary, the TFT can be reduced in size, and the area of a region effective for display can be increased per pixel, so that a liquid crystal panel capable of high-definition display can be provided.

＜導電性粒子の配置の態様＞
図５は、導電性粒子３４をドレイン電極２６に配置する態様を示す。なお、上述したように、導電性粒子３４及び３４’は、導電性粒子３４ａ〜３４ｃのいずれでもよい。また、導電性粒子３４’を付加容量の第１の電極２９ａ上に配置する場合も同様にできる。 <Aspects of arrangement of conductive particles>
FIG. 5 shows a mode in which the conductive particles 34 are arranged on the drain electrode 26. As described above, the conductive particles 34 and 34 ′ may be any of the conductive particles 34a to 34c. The same applies to the case where the conductive particles 34 ′ are arranged on the first electrode 29 a having an additional capacity.

図５（ａ）に示した配置の態様は、ドレイン電極２６上に１つの導電性粒子３４を配置したものである。図５（ｂ）に示した配置の態様は、ドレイン電極２６上に複数の、例えば、４つの導電性粒子３４を配置したものである。導電性粒子３４の数は、ドレイン電極２６の幅や面積や、導電性粒子３４の大きさや、導電性粒子３４の配置の方法や、画素電極１４とドレイン電極２６との間で必要となる電気伝導率や、樹脂層３２の種類に応じて適宜定めればよい。また、液晶パネルを製造する際に加圧する場合には、加えられた圧力の大きさに応じて、導電性粒子３４の数を定めてもよい。 In the arrangement shown in FIG. 5A, one conductive particle 34 is arranged on the drain electrode 26. In the arrangement mode shown in FIG. 5B, a plurality of, for example, four conductive particles 34 are arranged on the drain electrode 26. The number of conductive particles 34 depends on the width and area of the drain electrode 26, the size of the conductive particles 34, the arrangement method of the conductive particles 34, and the electricity required between the pixel electrode 14 and the drain electrode 26. What is necessary is just to determine suitably according to conductivity and the kind of the resin layer 32. FIG. Moreover, when pressurizing when manufacturing a liquid crystal panel, you may determine the number of the electroconductive particle 34 according to the magnitude | size of the applied pressure.

＜＜積層構造の形成工程＞＞
＜第１の形態＞
図６は、導電性粒子を含む積層構造を形成する工程を示す図である。なお、図６は、図２に示したように、ドレイン電極２６上に導電性粒子３４を配置する場合の工程を示す。また、導電性粒子３４’を付加容量の第１の電極２９ａ上に配置する場合も、同様の工程によってできる。この図６は、簡略化のため、固定剤３３を省略して示した。 << Formation process of laminated structure >>
<First form>
FIG. 6 is a diagram illustrating a process of forming a laminated structure including conductive particles. FIG. 6 shows a process in the case where the conductive particles 34 are arranged on the drain electrode 26 as shown in FIG. Further, when the conductive particles 34 ′ are disposed on the first electrode 29 a having an additional capacity, the same process can be used. In FIG. 6, the fixing agent 33 is omitted for simplification.

まず、図６（ａ）に示すように、下から順に、ゲート電極２２を下面ガラス基板１２に形成し、これらの上に、絶縁膜２８を形成し、絶縁膜２８の上に、アモルファスシリコン膜３０を形成し、アモルファスシリコン膜３０の上に、ソース電極２４とドレイン電極２６とを形成する。これらの層は、フォトリソ法等によって、下面ガラス基板１２上に形成することができる。 First, as shown in FIG. 6A, in order from the bottom, the gate electrode 22 is formed on the lower glass substrate 12, the insulating film 28 is formed thereon, and the amorphous silicon film is formed on the insulating film 28. 30, and the source electrode 24 and the drain electrode 26 are formed on the amorphous silicon film 30. These layers can be formed on the lower glass substrate 12 by a photolithography method or the like.

次に、図６（ｂ）に示すように、上側に露出しているソース電極２４と、ドレイン電極２６と、アモルファスシリコン膜３０と、絶縁膜２８との全てを覆うように、樹脂層３２を形成する。樹脂層３２は、絶縁性を有し、かつ、光や熱によって硬化する有機材料からなるのが好ましい。樹脂層３２は、スピン塗布法、ロールコート法又はスリットコート法や、その他の塗布法によって塗布し、その後、光又は熱で硬化させることによって形成する。このようにすることで、導電性粒子３４を的確に保持することができ、かつ、樹脂層３２の膜厚や樹脂層３２の表面の平坦性を十分に制御することができる。 Next, as shown in FIG. 6B, the resin layer 32 is formed so as to cover all of the source electrode 24, the drain electrode 26, the amorphous silicon film 30, and the insulating film 28 exposed on the upper side. Form. The resin layer 32 is preferably made of an organic material that has insulating properties and is cured by light or heat. The resin layer 32 is formed by applying by a spin coating method, a roll coating method, a slit coating method, or other coating methods, and then curing with light or heat. By doing in this way, the electroconductive particle 34 can be hold | maintained correctly, and the film thickness of the resin layer 32 and the flatness of the surface of the resin layer 32 can fully be controlled.

さらに、図６（ｃ）に示すように、形成された樹脂層３２に導電性粒子３４を埋め込んで、ドレイン電極２６上の所望する位置に導電性粒子３４を配置し、ドレイン電極２６上のその位置で導電性粒子３４を係止させる。導電性粒子３４をドレイン電極２６上に係止させるためには、固定剤３３を用いるのが好ましい。導電性粒子３４は、インクジェット法や、グラビア印刷法等の印刷法によって配置したり、転写法等によっても配置することができる。 Further, as shown in FIG. 6 (c), conductive particles 34 are embedded in the formed resin layer 32, and the conductive particles 34 are arranged at desired positions on the drain electrode 26. The conductive particles 34 are locked at the position. In order to lock the conductive particles 34 on the drain electrode 26, it is preferable to use a fixing agent 33. The conductive particles 34 can be disposed by a printing method such as an inkjet method or a gravure printing method, or by a transfer method or the like.

図６（ｃ）に示した工程において、インクジェット法やグラビア印刷法等の印刷法を用いる場合には、導電性粒子３４をバインダ３３’と共に樹脂層３２に埋め込む。バインダ３３’には、２つの態様がある。まず、１番目の態様は、固定剤３３のみからなる液状物であって、流動可能な状態となっているものである。すなわち、固定剤３３のみからなる態様である。２番目の態様は、固定剤３３と溶剤とからなる液状物であって、固定剤３３が溶剤に溶解した状態となっているものである。すなわち、固定剤３３と溶剤とからなる態様である。これらの１番目の態様及び２番目の態様のいずれの場合においても、導電性粒子３４が、バインダ３３’と共に樹脂層３２に埋め込まれたときには、上述した図４（ａ）〜（ｃ）に示したように、導電性粒子３４とドレイン電極２６との間隙にバインダ３３’が流動し、バインダ３３’は、その状態で固体化する。このようにすることで、固化した固定剤３３が形成され、導電性粒子３４は、固化した固定剤３３によって保持されるので、導電性粒子３４をドレイン電極２６上に的確に係止させることができる。 In the step shown in FIG. 6C, when a printing method such as an inkjet method or a gravure printing method is used, the conductive particles 34 are embedded in the resin layer 32 together with the binder 33 '. The binder 33 'has two modes. First, the first aspect is a liquid material composed only of the fixing agent 33 and is in a flowable state. That is, it is an embodiment consisting of only the fixing agent 33. The second embodiment is a liquid material composed of a fixing agent 33 and a solvent, and the fixing agent 33 is dissolved in the solvent. That is, it is an embodiment composed of the fixing agent 33 and the solvent. In both cases of the first aspect and the second aspect, when the conductive particles 34 are embedded in the resin layer 32 together with the binder 33 ′, as shown in FIGS. 4A to 4C described above. As described above, the binder 33 ′ flows in the gap between the conductive particles 34 and the drain electrode 26, and the binder 33 ′ is solidified in that state. By doing so, the solidified fixing agent 33 is formed, and the conductive particles 34 are held by the solidified fixing agent 33, so that the conductive particles 34 can be accurately locked onto the drain electrode 26. it can.

上述した形態は、樹脂層３２を先に塗布し、その後に、導電性粒子３４をドレイン電極２６上に配置するものである。このため、導電性粒子３４をドレイン電極２６上に係止させるためのものとして、樹脂層３２を用いることができる場合がある。このような場合には、バインダ３３’を用いなくとも、導電性粒子３４をドレイン電極２６上に係止できる。バインダ３３’は、上述したように、固定剤３３のみからなる液状物や、固定剤３３と溶剤とからなる液状物である。したがって、樹脂層３２を先に塗布して、その後に、インクジェット法や印刷法によって、導電性粒子３４をドレイン電極２６上に配置する場合には、バインダ３３’に用いた溶剤のみを用いればよい。具体的には、バインダ３３’に用いる溶剤と共に、導電性粒子３４を樹脂層３２に埋め込めばよい。このように、バインダ３３’に用いる溶剤のみを用いた場合であっても、樹脂層３２によって導電性粒子３４をドレイン電極２６に的確に係止させることができる。 In the embodiment described above, the resin layer 32 is applied first, and then the conductive particles 34 are disposed on the drain electrode 26. For this reason, the resin layer 32 may be used as a thing for locking the electroconductive particle 34 on the drain electrode 26. FIG. In such a case, the conductive particles 34 can be locked onto the drain electrode 26 without using the binder 33 ′. As described above, the binder 33 ′ is a liquid material including only the fixing agent 33 or a liquid material including the fixing agent 33 and a solvent. Therefore, when the resin layer 32 is applied first and then the conductive particles 34 are disposed on the drain electrode 26 by an ink jet method or a printing method, only the solvent used for the binder 33 ′ may be used. . Specifically, the conductive particles 34 may be embedded in the resin layer 32 together with the solvent used for the binder 33 ′. Thus, even when only the solvent used for the binder 33 ′ is used, the conductive particles 34 can be accurately locked to the drain electrode 26 by the resin layer 32.

このように、印刷法を用いた場合には、導電性粒子３４をドレイン電極２６上の所望する位置に配置し、さらに、その位置に導電性粒子３４を係止できるので、ドレイン電極２６上の所望する位置に、的確にかつ確実に導電性粒子３４を配置することができる。 As described above, when the printing method is used, the conductive particles 34 can be arranged at a desired position on the drain electrode 26 and the conductive particles 34 can be locked at the position. The conductive particles 34 can be accurately and reliably disposed at a desired position.

＜第２の形態＞
図７は、導電性粒子を含む積層構造を形成する他の工程を示す図である。なお、図７は、図２に示したように、ドレイン電極２６上に導電性粒子３４を配置する場合の工程を示す。また、導電性粒子３４’を付加容量の第１の電極２９ａ上に配置する場合も同様の工程によってできる。この図７は、簡略化のため、固定剤３３を省略して示した。 <Second form>
FIG. 7 is a diagram showing another process for forming a laminated structure including conductive particles. FIG. 7 shows a process in the case where the conductive particles 34 are arranged on the drain electrode 26 as shown in FIG. Further, the same process can be performed when the conductive particles 34 ′ are disposed on the first electrode 29 a having an additional capacity. In FIG. 7, the fixing agent 33 is omitted for simplification.

まず、図６（ａ）と同様に、下から順に、ゲート電極２２を下面ガラス基板１２に形成し、そのこれらの上に、絶縁膜２８を形成し、絶縁膜２８の上に、アモルファスシリコン膜３０を形成し、アモルファスシリコン膜３０の上に、ソース電極２４とドレイン電極２６とを形成する。 First, similarly to FIG. 6A, the gate electrode 22 is formed on the lower glass substrate 12 in order from the bottom, the insulating film 28 is formed thereon, and the amorphous silicon film is formed on the insulating film 28. 30, and the source electrode 24 and the drain electrode 26 are formed on the amorphous silicon film 30.

次に、図７（ａ）に示すように、まず、ドレイン電極２６上の所望する位置に導電性粒子３４を配置し、ドレイン電極２６上のその位置で導電性粒子３４を係止させる。この工程は、図６（ｂ）に示した工程と同様に、インクジェット法や、グラビア印刷法等の印刷法によって配置したり、転写法等によっても配置することができる。 Next, as shown in FIG. 7A, first, the conductive particles 34 are arranged at a desired position on the drain electrode 26, and the conductive particles 34 are locked at the position on the drain electrode 26. Similar to the step shown in FIG. 6B, this step can be arranged by an ink jet method, a printing method such as a gravure printing method, or a transfer method.

この後、図７（ｂ）に示すように、上側に露出しているソース電極２４と、ドレイン電極２６と、アモルファスシリコン膜３０と、絶縁膜２８と、導電性粒子３４との全てを覆うように、樹脂層３２を形成する。樹脂層３２は、絶縁性を有し、かつ、光や熱によって硬化する有機材料からなるのが好ましい。樹脂層３２は、スピン塗布法、ロールコート法又はスリットコート法や、その他の塗布法によって塗布し、その後、光又は熱で硬化させることによって形成する。なお、上述したように、樹脂層３２の上面には、画素電極１４が形成され、導電性粒子３４と画素電極１４とが電気的接続が形成されるようにするので、導電性粒子３４の上端が、若干露出するように、樹脂層３２を形成するのが好ましい。 Thereafter, as shown in FIG. 7B, the source electrode 24, the drain electrode 26, the amorphous silicon film 30, the insulating film 28, and the conductive particles 34 exposed on the upper side are all covered. Next, the resin layer 32 is formed. The resin layer 32 is preferably made of an organic material that has insulating properties and is cured by light or heat. The resin layer 32 is formed by applying by a spin coating method, a roll coating method, a slit coating method, or other coating methods, and then curing with light or heat. As described above, the pixel electrode 14 is formed on the upper surface of the resin layer 32 so that the conductive particles 34 and the pixel electrode 14 are electrically connected. However, it is preferable to form the resin layer 32 so as to be slightly exposed.

また、図７（ａ）に示した工程で、固定剤３３を用いることによって、導電性粒子３４は、ドレイン電極２６上の所望する位置に既に係止されているので、図７（ａ）に示した工程で、樹脂層３２を形成する際に、導電性粒子３４が、ドレイン電極２６の所望する位置からずれたり、ドレイン電極２６から落ちたりしないようにでき、積層構造を的確に形成することができる。 Further, by using the fixing agent 33 in the step shown in FIG. 7A, the conductive particles 34 are already locked at a desired position on the drain electrode 26. In the illustrated process, when the resin layer 32 is formed, the conductive particles 34 can be prevented from deviating from the desired position of the drain electrode 26 or falling from the drain electrode 26, and the laminated structure can be accurately formed. Can do.

上述したように、導電性粒子３４を用いることによって、導電性粒子３４を介して、ドレイン電極２６と画素電極１４との電気的接続を形成できるので、フォトリソ法でコンタクトホールを形成する必要がなくなる。このため、ドレイン電極２６と画素電極１４との電気的接続を形成するための製造工程を簡略化できるので、製造に要する時間を短縮でき、液晶パネルを製造する枚数を増やすこともできる。さらに、コンタクトホールを形成するためのフォトリソ法の装置も必要となくなるので、製造コストを安価にすることもできる。 As described above, by using the conductive particles 34, the electrical connection between the drain electrode 26 and the pixel electrode 14 can be formed via the conductive particles 34, so that it is not necessary to form a contact hole by a photolithography method. . For this reason, since the manufacturing process for forming the electrical connection between the drain electrode 26 and the pixel electrode 14 can be simplified, the time required for manufacturing can be shortened, and the number of liquid crystal panels to be manufactured can be increased. Further, since a photolithographic apparatus for forming contact holes is not required, the manufacturing cost can be reduced.

さらに、ＴＦＴ１６を覆うように画素電極１４を形成できるので、開口率を高くすることもできる。 Further, since the pixel electrode 14 can be formed so as to cover the TFT 16, the aperture ratio can be increased.

上述したバインダ３３’は、印刷版に付着しないものが好ましい。バインダ３３’をこのようなものにすることで、印刷版を繰り返し使用することによって、印刷処理の回数が増えていった場合であっても、導電性粒子３４のドレイン電極２６上への係止を的確に行うことができる。 The binder 33 'described above preferably does not adhere to the printing plate. By making the binder 33 ′ like this, even when the number of times of printing processing is increased by repeatedly using the printing plate, the conductive particles 34 can be locked onto the drain electrode 26. Can be performed accurately.

また、バインダ３３’は、所定の粘度を有するものが好ましい。具体的には、バインダ３３’が、ドレイン電極２６上で必要以上に拡がって流動しない程度の粘度を有するものが好ましい。上述したように、導電性粒子３４ａが、ドレイン電極２６上に配置されたときには、バインダ３３’は、ドレイン電極２６上において略円状や略円環状に拡がる。このときのバインダ３３’の直径ｄが、導電性粒子３４ａの直径Ｄ以下となるのが好ましい。バインダ３３’の拡がりをこのようにすることで、ドレイン電極２６の大きさを大きくすることなく、導電性粒子３４ａをドレイン電極２６上に配置することができるので、ドレイン電極２６を小さくでき、ＴＦＴ１６の全体の大きさも小さくできるため、１画素当りで表示に有効な領域の面積を大きくでき、高精細な表示ができる液晶パネルを提供することができる。 The binder 33 ′ preferably has a predetermined viscosity. Specifically, it is preferable that the binder 33 ′ has such a viscosity that the binder 33 ′ spreads more than necessary on the drain electrode 26 and does not flow. As described above, when the conductive particles 34 a are disposed on the drain electrode 26, the binder 33 ′ expands in a substantially circular shape or a substantially annular shape on the drain electrode 26. At this time, the diameter d of the binder 33 'is preferably equal to or smaller than the diameter D of the conductive particles 34a. By making the spread of the binder 33 ′ in this way, the conductive particles 34 a can be disposed on the drain electrode 26 without increasing the size of the drain electrode 26, so that the drain electrode 26 can be reduced, and the TFT 16. Therefore, the area of the region effective for display can be increased per pixel, and a liquid crystal panel capable of high-definition display can be provided.

さらに、バインダ３３’は、導電性粒子３４を十分に分散させる分散性に優れたものが好ましい。このようなバインダ３３’を用いることによって、導電性粒子３４がドレイン電極２６上で凝集することを防止できるので、導電性粒子３４とドレイン電極２６との電気的接続をより確実にすることができる。 Further, the binder 33 'is preferably excellent in dispersibility for sufficiently dispersing the conductive particles 34. By using such a binder 33 ′, it is possible to prevent the conductive particles 34 from aggregating on the drain electrode 26, so that the electrical connection between the conductive particles 34 and the drain electrode 26 can be made more reliable. .

さらにまた、固化した固定剤３３は、所定の密着性を有するものが好ましい。具体的には、固化した固定剤３３は、ドレイン電極２６と導電性粒子３４との双方に十分に密着するものが好ましい。固化した固定剤３３を、このようにすることで、導電性粒子３４のドレイン電極２６への係止を維持することができる。 Furthermore, it is preferable that the solidified fixing agent 33 has a predetermined adhesion. Specifically, it is preferable that the solidified fixing agent 33 is sufficiently adhered to both the drain electrode 26 and the conductive particles 34. By fixing the solidified fixing agent 33 in this manner, the engagement of the conductive particles 34 to the drain electrode 26 can be maintained.

＜＜液晶パネル＞＞
図８は、本発明の積層構造体を含む液晶パネルを示す断面図である。図２に示したように、画素電極１４までの積層構造体を形成した後、画素電極１４の上面に配向膜３８を印刷して焼成することによって、ＴＦＴ１６が形成されている側の基板（以下、ＴＦＴ基板と称する。）を形成する。 << LCD panel >>
FIG. 8 is a cross-sectional view showing a liquid crystal panel including the laminated structure of the present invention. As shown in FIG. 2, after the stacked structure up to the pixel electrode 14 is formed, the alignment film 38 is printed on the upper surface of the pixel electrode 14 and baked, whereby the substrate on the side on which the TFT 16 is formed (hereinafter referred to as the substrate) , Referred to as a TFT substrate).

一方、ガラス基板（対向基板）４０の下面に、フォトリソグラフィ法によって、カラーフィルター４２を形成し、その下面に対向電極４４を形成し、さらにその下面に配向膜４６を印刷して焼成して、カラーフィルター４２が形成されている側の基板（以下、ＣＦ基板と称する。）を形成する。 On the other hand, the color filter 42 is formed on the lower surface of the glass substrate (counter substrate) 40 by photolithography, the counter electrode 44 is formed on the lower surface, and the alignment film 46 is printed on the lower surface and fired. A substrate on which the color filter 42 is formed (hereinafter referred to as a CF substrate) is formed.

次に、上述したＴＦＴ基板又はＣＦ基板のうちのいずれか一方の外周にシール材（図示せず）を、スクリーン印刷法又はディスペンサによる直接描画法によって枠状に塗布し、スペーサとなる複数の微粒子をＣＦ基板に付着させて固定する。次いで、シール材によって囲まれたＴＦＴ基板の面に液晶材料を滴下し、ＴＦＴ基板とＣＦ基板とが向かい合うようにして、ＴＦＴ基板とＣＦ基板とを減圧下で重ね合わせることによって、滴下した液晶が拡がり、液晶層４８が形成されて、図８に示した液晶パネルを形成する。 Next, a sealing material (not shown) is applied to the outer periphery of either the above-described TFT substrate or CF substrate in a frame shape by a screen printing method or a direct drawing method using a dispenser, and a plurality of fine particles that become spacers Is fixed to the CF substrate. Next, a liquid crystal material is dropped on the surface of the TFT substrate surrounded by the sealing material, and the TFT substrate and the CF substrate are overlapped with each other under reduced pressure so that the TFT substrate and the CF substrate face each other. The liquid crystal layer 48 is spread and the liquid crystal panel shown in FIG. 8 is formed.

ＴＦＴアクティブマトリクス方式の液晶パネルの下面ガラス基板１２に形成された積層構造の概略を示す正面図である。It is a front view which shows the outline of the laminated structure formed in the lower surface glass substrate 12 of the liquid crystal panel of a TFT active matrix system. 図１に示した線Ｘ−Ｘ’に沿った積層構造体１０の断面図である。It is sectional drawing of the laminated structure 10 along line X-X 'shown in FIG. 図１に示した線Ｘ−Ｘ”に沿った積層構造体１０の断面図である。It is sectional drawing of the laminated structure 10 along line XX "shown in FIG. 導電性粒子３４の態様を示す断面図である。3 is a cross-sectional view showing an embodiment of conductive particles 34. FIG. 導電性粒子３４の配置の態様を示す正面図である。3 is a front view showing an arrangement mode of conductive particles 34. FIG. 導電性粒子を含む積層構造を形成する工程を示す図である。It is a figure which shows the process of forming the laminated structure containing electroconductive particle. 導電性粒子を含む積層構造を形成する他の工程を示す図である。It is a figure which shows the other process of forming the laminated structure containing electroconductive particle. 本発明の積層構造体を含む液晶パネルを示す断面図である。It is sectional drawing which shows the liquid crystal panel containing the laminated structure of this invention.

符号の説明Explanation of symbols

１０積層構造体
１２下面ガラス基板（基本基板）
１４画素電極
１６ＴＦＴ（スイッチング素子）
２６ドレイン電極（スイッチング電極）
３２樹脂層
３３固定剤
３３’ バインダ
３４、３４’ 導電性粒子（導電体）
４０ガラス基板（対向基板）
４８液晶層 10 Laminated structure 12 Bottom glass substrate (basic substrate)
14 Pixel electrode 16 TFT (switching element)
26 Drain electrode (switching electrode)
32 Resin layer 33 Fixing agent 33 'Binder 34, 34' Conductive particles (conductor)
40 Glass substrate (counter substrate)
48 Liquid crystal layer

Claims

基本基板と、
前記基本基板上に配置されかつスイッチング動作するスイッチング素子に、電気的に接続されたスイッチング電極と、
前記スイッチング電極から離隔した位置に配置された画素電極と、
前記スイッチング電極と前記画素電極との間に配置され、前記スイッチング電極と前記画素電極との双方に電気的に接続され、前記スイッチング素子のスイッチング動作を画素電極へ伝える導電体と、を含むことを特徴とする積層構造体。 A basic board,
A switching electrode disposed on the basic substrate and electrically connected to a switching element that performs a switching operation; and
A pixel electrode disposed at a position separated from the switching electrode;
A conductor disposed between the switching electrode and the pixel electrode, electrically connected to both the switching electrode and the pixel electrode, and transmitting a switching operation of the switching element to the pixel electrode. A laminated structure characterized.

前記導電体が、前記スイッチング電極と前記画素電極とは別体であり、
前記導電体は、前記スイッチング電極の所望する位置に配置されて係止された請求項１に記載の積層構造体。 The conductor is separate from the switching electrode and the pixel electrode,
The laminated structure according to claim 1, wherein the conductor is disposed and locked at a desired position of the switching electrode.

前記導電体は、前記スイッチング電極に係止するための固定剤と共に、前記スイッチング電極に配置される請求項２に記載の積層構造体。 The laminated structure according to claim 2, wherein the conductor is disposed on the switching electrode together with a fixing agent for locking to the switching electrode.

前記スイッチング電極と前記基本基板とを覆うように、絶縁材料からなる樹脂層が形成され、
前記樹脂層の表面に前記画素電極が形成され、
前記導電体は、前記樹脂層によって包囲された請求項１〜３に記載の積層構造体。 A resin layer made of an insulating material is formed so as to cover the switching electrode and the basic substrate,
The pixel electrode is formed on the surface of the resin layer,
The laminated structure according to claim 1, wherein the conductor is surrounded by the resin layer.

スイッチング動作するスイッチング素子であって、スイッチング電極を有しかつ前記スイッチング電極と電気的に接続されたスイッチング素子を、基本基板に形成するステップと、
前記スイッチング素子のスイッチング動作を伝える導電体を、前記スイッチング電極に配置するステップと、
前記スイッチング電極と前記基本基板とを覆うように、かつ、前記導電体を包囲するように、絶縁材料からなる樹脂層を形成するステップと、
前記スイッチング素子のスイッチング動作が前記導電体を介して伝えられる画素電極を、前記樹脂層の表面に形成するステップと、を含むことを特徴とする積層構造体を製造する方法。 A switching element that performs a switching operation, the switching element having a switching electrode and electrically connected to the switching electrode;
Arranging a conductor for transmitting a switching operation of the switching element on the switching electrode;
Forming a resin layer made of an insulating material so as to cover the switching electrode and the basic substrate and surround the conductor;
Forming on the surface of the resin layer a pixel electrode to which a switching operation of the switching element is transmitted through the conductor.

スイッチング動作するスイッチング素子であって、スイッチング電極を有しかつ前記スイッチング電極と電気的に接続されたスイッチング素子を、基本基板に形成するステップと、
前記スイッチング電極と前記基本基板とを覆うように、絶縁材料からなる樹脂層を形成するステップと、
前記スイッチング素子のスイッチング動作を伝える導電体を、前記樹脂層に埋め込んで前記スイッチング電極に配置するステップと、
前記スイッチング素子のスイッチング動作が前記導電体を介して伝えられる画素電極を、前記樹脂層の表面に形成するステップと、を含むことを特徴とする積層構造体を製造する方法。 A switching element that performs a switching operation, the switching element having a switching electrode and electrically connected to the switching electrode;
Forming a resin layer made of an insulating material so as to cover the switching electrode and the basic substrate;
A conductor for transmitting a switching operation of the switching element, embedded in the resin layer and disposed on the switching electrode;
Forming on the surface of the resin layer a pixel electrode to which a switching operation of the switching element is transmitted through the conductor.

前記導電体を配置するステップは、前記スイッチング電極の所望する位置に前記導電体を配置して係止させる請求項５又は６に記載の積層構造体を製造する方法。 The method of manufacturing a laminated structure according to claim 5 or 6, wherein the step of arranging the conductor includes arranging and locking the conductor at a desired position of the switching electrode.

前記導電体を配置するステップは、前記スイッチング電極に係止させるための溶液と共に、前記スイッチング電極に配置する請求項７に記載の積層構造体を製造する方法。 The method for producing a laminated structure according to claim 7, wherein the step of arranging the conductor is arranged on the switching electrode together with a solution for locking the switching electrode.

請求項１〜４に記載された積層構造体を含む液晶パネルであって、
前記基本基板から離隔した位置に配置された対向基板と、
前記基本基板と前記対向基板との間に配置された液晶層と、を含み、
前記画素電極は、前記基本基板上にマトリクス状に複数配列され、
前記スイッチング素子は、前記画素電極の各々をスイッチング駆動する複数個の素子からなり、
前記導電体は、前記スイッチング素子の各々に電気的に接続されたスイッチング電極の各々に配置されたことを特徴とする液晶パネル。 A liquid crystal panel comprising the laminated structure according to claim 1,
A counter substrate disposed at a position separated from the basic substrate;
A liquid crystal layer disposed between the basic substrate and the counter substrate,
A plurality of the pixel electrodes are arranged in a matrix on the basic substrate,
The switching element comprises a plurality of elements for switching and driving each of the pixel electrodes,
The liquid crystal panel, wherein the conductor is disposed on each of switching electrodes electrically connected to each of the switching elements.