JP2008034978A - 負荷駆動回路 - Google Patents

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Abstract

【課題】出力素子が負荷に供給する駆動電圧の温度によるばらつきを減少する負荷駆動回路を提供する。
【解決手段】第1の電圧を供給する電源12と、電源12に接続され、所定の負荷20を駆動するための駆動電圧を出力する出力素子13と、電源12と出力素子13との間に接続された温度補償回路と、を備え、温度補償回路は、第1の電圧に対して出力素子13の温度に応じたオン抵抗による電圧降下の補償を行って第2の電圧に変圧し、出力素子13は、第2の電圧が供給され、当該第2の電圧に基づいた駆動電圧を負荷20に供給する。
【選択図】図1

Description

本発明は、負荷を駆動するための駆動電圧を出力する出力素子に供給される電源電圧の温度補償を行う負荷駆動回路に関する。
供給された電圧の温度補償を行う温度補償回路が、特開昭63−296506号公報(特許文献1)に開示されている。
特許文献1に開示された温度補償回路は、電圧制御型の可変減衰器に供給する電圧に対して温度補償を行うために、可変電圧発生手段と、一定電圧を発生する定電圧発生手段と、ある一定の温度範囲においては可変電圧発生手段の出力電圧を温度補償電圧とし、この一定の温度範囲以外の温度では定電圧発生手段の出力電圧を温度補償電圧とする切換回路と、を有するものである。
特開昭63‐296506号公報
しかしながら、特許文献1に開示された温度補償回路により生成される温度補償電圧は、温度に対する温度補償電圧特性の屈曲点(温度補償電圧の変化率の変化点)がある一定温度で固定されている。したがって、当該温度補償回路は稼働温度領域において適切な温度補償電圧の生成を行うことができないことがある。
例えば、出力素子に半導体を使用した負荷駆動回路に当該温度補償回路が組み込まれていると、出力素子はその温度に応じて変動する抵抗(オン抵抗)を有するため、当該温度補償回路は適切に温度補償を行なった電圧を出力素子に供給しなければ、出力素子が外部負荷に供給する駆動電圧のばらつきが増加するという問題があった。
この場合、出力素子のサイズを十分に大きく取って出力素子の抵抗値を低下させることで、外部負荷に供給する駆動電圧のばらつきを相対的に減少させることができるが、出力素子のサイズが大きくなるにつれてコストが増加し、また、温度に応じた柔軟な電圧補償が難しくなるという問題があった。
そこで、本発明は以上のような課題に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、出力素子の温度に応じた温度補償を行なった電圧を出力素子に供給することによって、当該出力素子が外部負荷に供給する駆動電圧のばらつきを減少させることができる負荷駆動回路を提供することにある。
上記課題を解決するために、請求項1に係る負荷駆動回路は、第1の電圧を供給する電源と、電源に接続され、所定の負荷を駆動するための駆動電圧を出力する出力素子と、電源と出力素子との間に接続された温度補償回路と、を備え、温度補償回路は、第1の電圧に対して出力素子の温度に応じた温度補償を行って第2の電圧に変圧し、出力素子は、第2の電圧が供給され、当該第2の電圧に基づいて駆動電圧を出力することを特徴とする。
請求項1に記載された負荷駆動回路によれば、温度補償回路により出力素子の温度に応じた温度補償を行なった電圧を出力素子に供給することができるため、当該出力素子が外部負荷に供給する駆動電圧のばらつきを減少することができる。
請求項2及び3に係る負荷駆動回路は、請求項1に記載の負荷駆動回路を構成する温度補償回路を具体化したものである。すなわち、請求項2係る負荷駆動回路は、請求項1に記載の負荷駆動回路において、温度補償回路は、複数の抵抗素子で構成され、第1の電圧を所定の比率で分圧して分電圧を生成する分圧抵抗と、基準電圧を生成する基準電圧生成部と、出力素子を感温する感温素子と、感温素子の感温結果に基づく制御電圧を分圧抵抗に供給する制御部と、第1、第2の入力端子を有し、当該入力端子は分圧抵抗の分点、基準電圧生成部にそれぞれ接続され、分電圧と基準電圧との電位差を増幅する差動増幅器と、を含むことを特徴とする。
また、請求項3に係る負荷駆動回路は、請求項1に記載の負荷駆動回路において、温度補償回路は、複数の抵抗素子で構成され、第1の電圧を所定の比率で分圧して分電圧を生成する分圧抵抗と、出力素子を感温する感温素子と、感温素子の感温結果に基づいて、マイコンからD/A変換器を通して基準電圧を生成する基準電圧生成部と、第1、第2の入力端子を有し、当該入力端子は分圧抵抗の分点、基準電圧生成部にそれぞれ接続され、分電圧と基準電圧との電位差を増幅する差動増幅器と、を含むことを特徴とする。
請求項4及び5に係る負荷駆動回路は、請求項2に記載の負荷駆動回路を構成する感温素子を具体化したものである。また、請求項6及び7に係る負荷駆動回路は、感温素子の配置を具体化したものである。すなわち、感温素子として、請求項4に記載のようにサーミスタを用いることができ、このサーミスタは請求項6に記載のように分圧抵抗を置換するようにして配置することができる。また、感温素子として、請求項5に記載のようにダイオードを用いることができ、このダイオードは請求項7に記載のように分圧抵抗に接続するようして配置することができる。請求項1〜7に係る負荷駆動回路には、請求項8に記載されたように、出力素子としてMOS素子、又はバイポーラ素子を好適に用いることができる。
以下、本発明の実施形態について図面に基づいて説明する。なお、各図において同一、もしくは、均等である部分には同一の符号を付してその説明を省略する。
(第1の実施形態)
図1は、本発明の第1の実施形態における負荷駆動回路100の概略を示す図である。負荷駆動回路100は、コイル20aとコンデンサ20bとからなる外部負荷(例えば、送信アンテナ)20を駆動するための半導体を使用したパワー出力回路であり、第1の電圧を供給する電源12と、ハイサイドから外部負荷20を駆動するための駆動電圧を出力する出力素子としてのP型のMOS素子13と、電源12とMOS素子13との間に接続された温度補償回路と、を備えて構成されている。このような構成の下、電源12から電圧の供給を受けたMOS素子13が出力する駆動電圧は、出力端子14を介して外部負荷20に供給される。
ところで、MOS素子13のオン抵抗は正の1次温度係数を有しており、MOS素子13の抵抗値はその温度に応じて変動する。すると、MOS素子13の抵抗値の変動の影響を受けて、MOS素子13のオン抵抗による電圧降下が変動し、これに伴って、MOS素子13が出力する駆動電圧にばらつきが生じてしまい、外部負荷20が所望の性能を発揮することができないことがある。
そこで、本実施形態に係る負荷駆動回路100は、温度補償回路により、電源12が供給する第1の電圧に対してMOS素子13の温度に応じたオン抵抗による電圧効果の補償を行ない、第2の電圧(温度補償電圧)に変圧する。そして、温度補償された第2の電圧をMOS素子13に供給することにより、MOS素子13が出力する駆動電圧のばらつきを減少させるものである。
なお、MOS素子13には電気信号を伝達するための図示しないワイヤ(例えば、MOS素子13から出力端子14への配線)が接続されている。このワイヤにはMOS素子13の発熱等による熱が伝わるため、その抵抗値が変化する。したがって、上記の温度補償は、ワイヤの抵抗成分を考慮して行うとより効果的である。
負荷駆動回路100における温度補償回路は、第1の電圧を後述する増幅信号に基づいて第2の電圧に変圧するバイポーラ素子19と、基準電圧を生成する基準電圧生成部18と、MOS素子13の温度に応じて変動する制御電圧を出力する制御部17と、差動増幅器15と、を含んで構成されている。
制御部17には、MOS素子13の近傍に配置され、MOS素子13を感温する感温素子16が接続されている。差動増幅器15の反転入力端子(−)は、基準電圧生成部18に接続されており、基準電圧が供給される。また、非反転入力端子(+)は、分圧抵抗R1、R2の分点に接続されており、第1の電圧から制御部17による制御電圧を差し引いた電圧が分圧抵抗R1、R2で分圧され供給される。なお、R2は可変抵抗である。
差動増幅器15は、反転入力端子及び非反転入力端子に供給されたこれらの電圧を比較して、それらの変動分を増幅した増幅信号をバイポーラ素子19に向けて出力する。当該増幅信号でバイポーラ素子19を駆動することにより、第1の電圧は第2の電圧に変圧される。そして、MOS素子13には、この温度補償された第2の電圧が供給されることとなる。これにより、MOS素子13の温度が変化したとしても、MOS素子13が外部負荷20に供給する駆動電圧のばらつきを減少させることができる。
図2は、負荷駆動回路100におけるMOS素子13の温度とMOS素子13が出力する駆動電圧との関係を示すグラフである。図2(a)は、MOS素子13の温度に応じた温度補償を行なっていない電圧をMOS素子13に供給した場合における、MOS素子13が出力する駆動電圧を示すグラフである。図2(a)は、MOS素子13の温度が高くなるにつれて、MOS素子13が出力する駆動電圧が低下していることを示している。すなわち、駆動電圧のばらつきが発生していることを示している。
これに対して、図2(b)は、MOS素子13の温度に応じた温度補償を行なった電圧をMOS素子13に供給した場合における、MOS素子13が出力する駆動電圧を示すグラフである。図2(b)は、MOS素子13の温度にかかわらず、MOS素子13はほぼ一定の駆動電圧を出力していることを示している。すなわち、駆動電圧のばらつきが減少していることを示している。
(第2の実施形態)
図3は、本発明の第2の実施形態における負荷駆動回路110の概略を示す図である。図3に示すように、負荷駆動回路110は、外部負荷20をローサイド駆動する出力素子としてのN型MOS素子21を備えており、後述する温度補償回路によって、電源12が供給する第1の電圧に対してMOS素子21の温度に応じた温度補償を行ない、第2の電圧(温度補償電圧)に変圧する。そして、この第2の電圧を負荷20に供給することにより、MOS素子21による電圧降下のばらつきを減少させるものである。
負荷駆動回路110における温度補償回路は、第1の電圧を第2の電圧に変圧するバイポーラ素子19と、基準電圧を生成する基準電圧生成部18と、サーミスタThと、差動増幅器15と、を含んで構成されている。
サーミスタThは、金属酸化物を主体とした半導体混合物を焼結し、当該焼結半導体混合物にリード線を設けて形成され、低温時にはその抵抗値が増加し、高温時にはその抵抗値が増加する特性(正の1次温度係数)を有する半導体抵抗素子であり、抵抗R3と直列に接続されている。
差動増幅器15の反転入力端子(−)は、基準電圧生成部18に接続されている。また、非反転入力端子(+)は、サーミスタThと抵抗R3との間に接続されており、第1の電圧がサーミスタTh、抵抗R3で分圧されて供給される。
差動増幅器15は、反転入力端子及び非反転入力端子に供給されたこれらの電圧を比較して、それらの変動分を増幅した増幅信号をバイポーラ素子19に向けて出力する。当該増幅信号でバイポーラ素子19を駆動することにより、第1の電圧は第2の電圧に変圧される。そして、MOS素子21には、この温度補償された第2の電圧が供給されることとなる。これにより、MOS素子13の温度が変化したとしても、MOS素子13が外部負荷20に供給する駆動電圧のばらつきを減少させることができる。
(第3の実施形態)
図4は、本発明の第3の実施形態における負荷駆動回路120の概略を示す図である。図4に示すように、負荷駆動回路120は、外部負荷20をブリッジ駆動する出力素子としてのP型のMOS素子23及びN型MOS素子24を備えており、後述する温度補償回路によって、電源12が供給する第1の電圧に対してMOS素子23、24の温度に応じた温度補償を行ない、第2の電圧(温度補償電圧)に変圧する。そして、この第2の電圧をMOS素子23、24に供給することにより、MOS素子23、24が出力する駆動電圧のばらつきを減少させるものである。
負荷駆動回路120における温度補償回路は、第1の電圧が供給されるバイポーラ素子19と、基準電圧を生成する基準電圧生成部18と、ダイオード群22と、差動増幅器15と、を含んで構成されている。
ダイオード群22は、個々が負の1次温度係数を有するダイオードを複数直列に接続することで形成されており、このように形成されたダイオード群22は抵抗R4、R5に直列に接続されている。
差動増幅器15の反転入力端子(−)は、基準電圧生成部18に接続されている。また、非反転入力端子(+)は、分圧抵抗R4、R5分点に接続されており、第1の電圧からダイオード群22が有する順方向下降電圧(Vf)を差し引いた電圧が分圧抵抗R4、R5で分圧され供給される。なお、ダイオードの数や分圧抵抗R4、R5の値を変化させることにより、差動増幅器15の非反転入力端子(+)へ入力される第1の電圧の温度に対する変化率を変えることができる。
差動増幅器15は、反転入力端子及び非反転入力端子に供給されたこれらの電圧を比較して、それらの変動分を増幅した増幅信号をバイポーラ素子19に向けて出力する。
当該増幅信号でバイポーラ素子19を駆動することにより、第1の電圧は第2の電圧に変圧される。そして、MOS素子23、24には、この温度補償された第2の電圧が供給されることとなる。これにより、MOS素子23、24の温度が変化したとしても、MOS素子23、24が外部負荷20に供給する駆動電圧のばらつきを減少させることができる。
(第4の実施形態)
図5は、本発明の第4の実施形態における負荷駆動回路130の概略を示す図である。負荷駆動回路130は、回路を構成する要素等がそれぞれ複雑な温度特性を有する場合であっても、それらをメモリ33に記憶させてマイコン32による制御を行うことで好適に温度補償を行うことができる回路である。
図5に示すように、負荷駆動回路130は、外部負荷20をハイサイド駆動する出力素子としてのバイポーラ素子25を備えており、後述する温度補償回路によって、電源12が供給する第1の電圧に対してバイポーラ素子25等の温度に応じた温度補償を行ない、第2の電圧に変圧する。そして、この第2の電圧をバイポーラ素子25に供給することにより、バイポーラ素子25が出力する駆動電圧のばらつきを減少させるものである。
負荷駆動回路130における温度補償回路は、第1の電圧が供給されるバイポーラ素子19と、バイポーラ素子25、バイポーラ素子25に電気信号を伝達するために接続されたワイヤ、外部負荷20等の温度特性等に関するデータを記憶するメモリ33と、バイポーラ素子25等の感温結果が入力されるマイコン32と、マイコン32が出力するデジタル信号を当該感温結果に基づいてアナログ信号に変換するD/A変換器31と、差動増幅器15と、を含んで構成されている。
差動増幅器15の反転入力端子(−)は、D/A変換器31に接続されており、バイポーラ素子25等の温度データに基づくアナログ信号が供給される。また、非反転入力端子(+)は、分圧抵抗R5、R6の分点に接続されており、第1の電圧が分圧抵抗R5、R6で分圧されて供給される。
差動増幅器15は、反転入力端子及び非反転入力端子に供給されたこれらの電圧を比較して、それらの変動分を増幅した増幅信号をバイポーラ素子19に向けて出力する。当該増幅信号でバイポーラ素子19を駆動することにより、第1の電圧は第2の電圧に変圧される。そして、バイポーラ素子25には、この温度補償された第2の電圧が供給されることとなる。これにより、バイポーラ素子25の温度が変化したとしても、バイポーラ素子25が外部負荷20に供給する駆動電圧のばらつきを減少させることができる。
本発明は上述した実施形態のみに限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において、数々の変形実施が可能である。また、本発明のうち従属請求項に係る発明においては、従属先の請求項の構成要件の一部を省略する構成とすることもできる。
本発明の第1の実施形態における負荷駆動回路を示す図である。 出力素子温度と駆動電圧との関係を示したグラフであり、(a)は温度補償を行なわなかった場合のグラフ、(b)は温度補償を行なった場合のグラフである。 本発明の第2の実施形態における負荷駆動回路を示す図である。 本発明の第3の実施形態における負荷駆動回路を示す図である。 本発明の第4の実施形態における負荷駆動回路を示す図である。
符号の説明
12・・・電源、13,21,23,24,25・・・出力素子、14・・・出力端子、15・・・差動増幅器、16・・・感温素子、17・・・制御部、18・・・基準電圧発生部、20・・・外部負荷、31・・・D/A変換器、32・・・マイコン、33・・・メモリ

Claims (8)

  1. 第1の電圧を供給する電源と、
    前記電源に接続され、所定の負荷を駆動するための駆動電圧を出力する出力素子と、
    前記電源と前記出力素子との間に接続された温度補償回路と、を備え、
    前記温度補償回路は、
    前記第1の電圧に対して前記出力素子の温度に応じた温度補償を行って第2の電圧に変圧し、
    前記出力素子は、
    前記第2の電圧が供給され、当該第2の電圧に基づいた前記駆動電圧を出力することを特徴とする負荷駆動回路。
  2. 前記温度補償回路は、
    複数の抵抗素子で構成され、前記第1の電圧を所定の比率で分圧して分電圧を生成する分圧抵抗と、
    基準電圧を生成する基準電圧生成部と、
    前記出力素子を感温する感温素子と、
    前記感温素子の感温結果に基づく制御電圧を前記分圧抵抗に供給する制御部と、
    第1、第2の入力端子を有し、当該入力端子は前記分圧抵抗の分点、前記基準電圧生成部にそれぞれ接続され、前記分電圧と前記基準電圧との電位差を増幅する差動増幅器と、を含むことを特徴とする請求項1に記載の負荷駆動回路。
  3. 前記温度補償回路は、
    複数の抵抗素子で構成され、前記第1の電圧を所定の比率で分圧して分電圧を生成する分圧抵抗と、
    前記出力素子を感温する感温素子と、
    前記感温素子の感温結果に基づいて、マイコンからD/A変換器を通して基準電圧を生成する基準電圧生成部と、
    第1、第2の入力端子を有し、当該入力端子は前記分圧抵抗の分点、前記基準電圧生成部にそれぞれ接続され、前記分電圧と前記基準電圧との電位差を増幅する差動増幅器と、を含むことを特徴とする請求項1に記載の負荷駆動回路。
  4. 前記感温素子は、サーミスタで構成されていることを特徴とする請求項2に記載の負荷駆動回路。
  5. 前記感温素子は、ダイオードで構成されていることを特徴とする請求項2に記載の負荷駆動回路。
  6. 前記サーミスタは、前記分圧抵抗の一つを置換するようにして配置されることを特徴とする請求項4に記載の負荷駆動回路。
  7. 前記ダイオードは、前記分圧抵抗に接続されていることを特徴とする請求項5に記載の負荷駆動回路。
  8. 前記出力素子は、MOS素子、又はバイポーラ素子で構成されていることを特徴とする請求項1〜7のいずれかに記載の負荷駆動回路。
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