JP2008034364A - 有機発光装置及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】封止層の剥離やクラックを抑制して分割された有機発光装置を提供する。
【解決手段】基板の端部には基板の分割によって形成される分割部を有し、無機封止層の端部には無機封止層の分割によって形成される分割部を有し、無機封止層の分割部が、基板の分割部よりも有機発光装置の面内の内側に位置している。
【選択図】図１

Description

本発明は、フラット素子ディスプレイ等に用いられる有機発光装置及びその製造方法に関する。

近年、フラットパネルディスプレイとして、自発光型デバイスである有機発光装置が注目されている。有機発光装置は基板上に少なくとも、第１電極と有機化合物層と第２電極がこの順に積層された積層構造体である有機発光素子（有機エレクトロルミネッセンス素子（有機ＥＬ素子））によって構成される。有機発光素子は、水分や酸素により特性劣化を招き易く、わずかな水分により有機化合物層と電極層の剥離が生じ、ダークスポット発生の原因となる。そのため、有機発光装置はエッチングガラスカバーで覆い、シール剤により周辺を貼り付け、内部に吸湿剤を装着して、シール面から浸入する水分を吸湿剤で吸湿し、有機発光素子の寿命を確保している。

有機発光素子を使った薄型、省スペースの有機発光装置を実現するためには、発光領域周辺の吸湿剤のスペースを削減する必要がある。吸湿剤を必要としない有機発光装置の封止方法としては、有機発光素子の第２電極上に封止層を積層する方法があり、水分や酸素の有機化合物層への浸入を防止するための高機能な封止層が要求される。

有機発光装置の封止層として具体的には、ＣＶＤ法やスパッタ法を用いた酸化窒化シリコン膜や、セラミックと有機膜を積層させた封止層が提案されており、有機化合物層に対して、これら無機膜を含む封止層を用いて水分や酸素を遮蔽することが可能となる。

ところで、この様な有機発光装置の製造においては、製造コスト低減の観点から、大判の基板上に複数の有機発光装置を作製した後に、単位有機発光装置毎に切り出しを行う。

複数の有機発光装置が形成された大判の基板から、単位有機発光装置を切り出す方法として、次の提案がなされている。

特許文献１には、貼り合わせ基板の分割において、液晶表示板両面からスクライブ及びブレイクを順次行うことにより、分割工程での基板の損傷を低減する発明が開示されている。

特許文献２には、有機ＥＬパネルを多面取りで生産する際に、ブレイク工程での押圧力を他方の基板から一方の基板へと伝達するための押圧伝達部を形成することにより、有機ＥＬベース基板の分割不良を解決する発明が開示されている。

特許文献３には、有機ＥＬ層の配置に対応して複数の封止凹部が形成されたガラス製の封止部材を接着剤層を介して基板に接着する構成が開示されている。そして、複数の封止凹部の中間で基板を分割し、封止部材を基板の切断位置よりも有機ＥＬ層に近い位置で分割する旨が開示されている。

特許第３０４２１９２号公報 特開２００３−１８１８２５号公報 特開２００２−３５２９５１号公報

しかしながら、上記特許文献のように形成されたガラス封止部材を有機発光素子上に配置する場合とは異なり、無機膜を含む封止層を有機発光素子の上に成膜した後に封止層を分割する場合には、分割する際に封止層に剥離やクラックが発生しやすい。特に、一般的なスクライブ手法を使って、基板上に、有機発光素子および無機封止層が成膜された部材（有機発光装置パネル）を封止層側若しくは基板側から一度に分割した場合には、分割位置において封止層に剥離やクラックが発生しやすい。封止層に剥離やクラックが発生する結果、有機化合物層に水分やガス成分が浸入し、発光劣化を招くことにつながる。特許文献１及び２においては、無機封止層の分割位置における剥離、クラック発生の低減に対する対策については、記載されていない。

本発明は、無機封止層が形成された有機発光装置パネルを分割する工程において、無機封止層の剥離やクラックを抑制して分割された有機発光装置及びその製造方法を提供することを目的とするものである。

上記した背景技術の課題を解決するための手段として、本発明に係る有機発光装置は、
基板と、前記基板の上に配置されており、前記基板の上に順に第１電極と、有機発光層と、第２電極と、を有する有機発光素子と、前記有機発光素子の上を覆って成膜されている無機封止層と、を有し、
一体に形成された複数の有機発光装置を分割することにより得られる有機発光装置において、
前記基板の端部には前記基板の分割によって形成される分割部を有し、
前記無機封止層の端部には前記無機封止層の分割によって形成される分割部を有し、
前記無機封止層の分割部は、前記基板の分割部よりも前記有機発光装置の面内の内側に位置していることを特徴とする。

また、本発明に係る有機発光装置の製造方法は、基板の上に順に第１電極と、有機発光層と、第２電極と、を有する有機発光素子を形成する工程と、
前記第２電極の上に無機封止層を成膜する工程と、を有する、有機発光装置の製造方法において、
前記無機封止層を前記有機発光素子の周辺で分割する工程と、
前記基板を前記有機発光素子の周辺で分割する工程と、を有し、
前記無機封止層を分割する位置は、前記基板を分割する位置よりも前記有機発光装置の面内の内側であることを特徴とする。

本発明によれば、無機封止層が形成された有機発光装置パネルを分割する工程において、無機封止層に剥離やクラックといったダメージを与えずに分割することができる。その結果、有機発光層への水分やガス成分の浸入を防止することが可能となり、発光劣化が抑制された長寿命の有機発光装置を得ることができる。

本発明の実施形態について、以下、図１から図３の図面を用いて説明する。なお、これらの図は本発明に係る有機発光装置の構成の一例について、構成の一部を取り出して模式的に示すものである。

図１に示した有機発光装置は、構成の一例を示す有機発光装置の一部の断面概要図である。発光領域の端から周辺領域にかけてを示している。

ガラス基板（以下、単に基板と省略する場合がある。）１の上にＴＦＴ（薄膜トランジスタ）２、絶縁膜３、有機平坦化膜４の順で積層形成され、その上部に、単位画素（素子）となる第１電極５が形成され、その各画素の周囲がポリイミド製の素子分離膜８で覆われている。この基板の上に、正孔輸送層、有機発光層、電子輸送層、電子注入層から成る有機化合物層６が順次形成されている。その上部には、第２電極７が形成され、更に取り出し電極を除き、第２電極７、有機化合物層６、素子分離膜８、有機平坦化層４を完全に覆う、無機封止層（以下、単に封止層と省略する場合がある。）９が形成されている。そして、封止層９の上部に粘着材１０を介して円偏光板１１が設けられている。つまり、本発明の有機発光装置を構成する有機発光素子は、第１電極５、第２電極７及び両電極間に配置される有機化合物層６から少なくとも構成されている。両電極間に電流を流すことによって、有機発光層に含まれる発光材料が励起され、基底状態に戻る際に発光が生じる。

図１に示した構成において、基板１の分割部Ｂよりも封止層９の分割部（角が切り立っている部分）Ａが発光領域側に位置している。発光領域とは、電流を流すことによって発光が可能である領域を指していて、図１においてＸで示す領域のことである。

本発明の有機発光装置を構成する有機発光素子の第１電極５は、高導電性の電極材料であれば特に限定されないが、例えば高反射性の材料であるＣｒ、Ａｌ、Ａｇなどを用いることができる。ＩＴＯ、ＩＺＯなど透明電極を積層して用いてもよい。

第２電極７は、高導電性の電極材料であれば特に限定されないが、例えば高透過性若しくは半透過性の材料で構成され、ＩＴＯ、ＩＺＯなどＩｎを含む酸化膜、Ａｇなどを用いることができる。

封止層９は、水分やガス成分の遮断能力が高いものであれば特に限定されないが、一般に水分及びガスバリア性が高いことで知られる無機膜、すなわち無機封止層を用いる。無機封止層として、珪素を主成分とする層が好ましく用いられ、具体的には窒化珪素、酸化窒化珪素、酸化珪素等が好ましく用いられる。これらの材料からなる層は、緻密で水分やガス成分の遮断能力が高い。また、封止層に求められる特性によっては、封止層として、無機封止層のほかに有機封止層を有していてもよい。しかし、水分やガス成分の伝播経路となることから、有機発光装置の分割位置に有機封止層が形成されていないことが望ましい。

封止層９の膜厚は、水分やガス成分の遮蔽性能が確保できれば特に限定されないが、第２電極７の表面の表面平滑性や付着ゴミなどを覆い、充分な封止性能を得るために、０．５μｍ以上であることが望ましい。

本発明の封止層９に用いられる無機膜は、例えば、プラズマＣＶＤにより形成できる。プラズマＣＶＤの励起周波数を３０ＭＨｚから１００ＭＨｚのＶＨＦ帯を用いることで、プラズマのイオン衝撃を弱め素子の熱ダメージを抑えることができる。加えて、緻密で欠陥が無く、斜面や凹凸のカバレッジ性が良好で、防湿性が高く、更に低応力の良好な無機膜を実現できる。

前記無機膜が珪素を主成分とする場合、珪素、窒素、水素、酸素原子の総数に対する水素濃度が、１２〜３２ａｔｏｍｉｃ％であることが望ましい。例えば、有機膜を下地とした場合における密着性や、凹凸のカバレッジ性が良く、熱応力の緩和に効果的で有機発光装置の発光による温度上昇に効果が絶大である。

本発明に用いる封止層９は、組成が異なる２種類以上の積層膜から構成されていても良い。

次に、封止層分割部Ａ及び基板分割部Ｂについて、更に詳しく説明する。

図２は、封止層分割部Ａ及び基板分割部Ｂの関係について、拡大した模式図である。

封止層分割部Ａ及び基板分割部Ｂは、基板及び封止層の材質や分割手法により、基板厚み方向に対して傾きを持って形成されることがある。図２では、基板１及び同基板１の上に形成されたＴＦＴ２及び絶縁層３の端部に、基板１の厚み方向に対して傾きを持った基板分割部Ｂが形成され、封止層分割部Ａについては、ほぼ基板１の厚み方向の分割面が封止層の端部に形成された場合を示している。実際の有機発光装置においては、基板１の厚み方向に対して図２とは逆向きの傾きを持った封止層分割部Ａ及び基板分割部Ｂであることもある。

基板テラスＣは、基板分割部Ｂよりも有機発光装置の面内の内側、すなわち発光領域側の基板１の表面、若しくは基板１上に形成されたＴＦＴ２、絶縁層３の表面領域である。基板テラスＣは、基板分割部Ｂと封止層分割部Ａの位置のズレにより規定されるものである。

本発明の有機発光装置においては、封止層分割部Ａが基板分割部Ｂよりも発光領域側に位置し、基板テラスＣが形成されていることが必要である。封止層分割部Ａが基板分割部Ｂよりも発光領域側に位置していると、封止層９への基板１の分割ダメージ付与が抑えられ、封止層９の剥離やクラックの発生を防ぐことが可能である。更に詳しくは、本発明の封止層分割部Ａが予め形成されると、基板分割部Ｂが形成されるとき（つまり、基板を予め設定された分割位置で分割するとき）に封止層９に発生するクラックや剥離の進行が封止層分割部Ａで遮断される。その結果、封止層９の剥離やクラックの発生を防ぐことができる。本発明を適用しなければ、分割位置において封止層９のクラック発生、或いは剥離など、封止層９のダメージが問題となる。

基板テラスＣの幅、すなわち封止層分割部Ａと基板分割部Ｂとの距離は一様である必要はなく、基板の分割過程において、封止層９にダメージを与えるものでなければ、基板テラスＣの幅は特に限定されない。望ましくは１μｍ以上となるように封止層分割部Ａ及び基板分割部Ｂを形成する。

封止層分割部Ａ、基板分割部Ｂ、基板テラスＣの形状及び位置関係については、走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）を用いて確認することが可能である。本発明の分割部形状及び分割部の位置関係については、５０００倍以上に拡大し、有機発光装置の上面及び斜方向からの観察、並びに断面の観察を行うことにより確認できる。

本発明に係る有機発光装置は、面発光体として液晶表示装置のバックライトに好ましく用いることができる。

本発明に係る有機発光装置は、テレビ受像機、ＰＣのモニタ、携帯電話等の表示部に好ましく用いることができる。特に幅広い温度、湿度での使用が想定され、高い対環境性を必要とするモバイル機器の表示部に好ましく用いることができる。本発明の有機発光装置を表示部に有する表示装置は、より長時間にわたって高品質の表示が可能となる。

本発明に係る有機発光装置は、デジタルカメラ等の撮像装置に好ましく用いることもできる。本発明の有機発光装置を表示部に有する撮像装置は、より長時間にわたって高品質の表示が可能となる。

次に、本発明の有機発光装置の製造方法について説明する。

本発明の有機発光装置の製造においては、基板テラスＣが形成されるように封止層分割部Ａと基板分割部Ｂを形成することが重要であり、その為に、基板１と封止層９の分割を分けて行う。

分割は一般的に、分割対象物に垂直クラックを付与するスクライブ工程と、スクライブ位置において分割対象物を割るブレイク工程に分けられる。分割手法及び分割条件によっては、ブレイク工程を必要とせず、スクライブ工程のみで分割対象物を分割すること（ブレイクレス）も可能である。本発明において、ブレイクレスの分割手法を用いた場合には、ブレイク工程はスクライブ工程と同時に行われる。

本発明におけるスクライブには、カッターホイールによるスクライブ、レーザースクライブなど、一般的なスクライブ手法を用いることができる。

図３は有機発光素子が隣接して配置された基板の分割部を拡大した模式図である。

複数の有機発光装置が一体に形成された大判の基板１から単位毎の有機発光装置を分割する工程において、基板１のスクライブを分割位置Ｅで行い、封止層９のスクライブを発光領域側の分割位置Ｄで行う。

単位毎の有機発光装置の分割は、上記条件を満たし、封止層９に分割による剥離やクラックを発生させない方法であれば、いかなる方法でも構わない。例えば、封止層９が形成されている基板１の分割において、封止層側から封止層９をスクライブし、基板側から基板１をスクライブする。或いは、封止層９及び基板１ともに、封止層側から位置を変えてスクライブする。

封止層９のスクライブは、強く行うと封止層９に剥離やクラックが発生してしまうため、詳細な条件設定を行う必要がある。封止層９を貫くようなスクライブは行わず、封止層９に膜厚よりも小さな垂直クラックを与え、応力差によりブレイクすることが好ましい。ただし、本発明の有機発光装置を形成できる方法であれば、特に限定されない。封止層９に応力を与える手段としては、スクライブによるクラック位置への熱の付与と冷却を利用することも可能である。

封止層９及び基板１、ＴＦＴ２、絶縁層３のスクライブ工程の順序については、基板１を後に行う方が剥離やクラックの伝播をより確実に防ぐことができるので好ましいが、封止層９にスクライブによるダメージを付与しなければどちらを先に行っても良い。

そして、次に基板１を分割位置Ｅに設けられた線（スクライブライン）に沿って、封止層９を発光領域側の分割位置Ｄに設けられた線（スクライブライン）に沿ってブレイクする。基板１及び封止層９のブレイクは、封止層９のみをブレイクする工程に続いて、基板１をブレイクする工程を行っても良いし、基板１及び封止層９のブレイクを同時に行っても良い。ブレイクする工程においては、基板１のブレイクの際に加わる力が封止層９にも伝わるため、基板１と封止層９のスクライブ位置が異なっていても、同時にブレイクすることもできる。なお、基板１のブレイクの際には、同基板１上に形成されたＴＦＴ２、絶縁層３を同時にブレイクする。

本発明の製造方法により、基板１のスクライブ及びブレイク時に発生する大きな分割ダメージにより封止層９に剥離やクラックを発生させることなく、大判の基板１から単位毎の有機発光装置に分割することができる。

基板１の分割位置Ｅと封止層９の分割位置Ｄとの距離は、最も狭いところで１０μｍ以上であることが好ましい。これは、スクライブをする際の位置ズレや、スクライブの際に基板１あるいは封止層が削れる幅を考慮して決められる距離である。

基板１及び封止層９の分割位置、及び分割位置の関係については、光学顕微鏡並びに走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）を用いて確認することが可能である。分割位置については、一般的なスクライブ手法を適用した場合、スクライブ跡が残り、５００倍以上に拡大し、有機発光装置の上面及び斜方向からの観察、並びに有機発光装置の断面の観察を行うことにより確認できる。

基板１及び同基板１の上に形成されたＴＦＴ２、絶縁層３の分割は、一般的な分割方法、条件をそのまま適用することができる。ただし、基板１の分割位置Ｅは、スクライブによる基板１の水平方向の削り幅やダメージ付与幅、スクライバーの位置あわせ精度を考慮して決定することが必要である。

以下、実施例より本発明の実施態様について、更に詳しく説明する。

＜実施例１＞
本実施例について、図４を用いて説明する。図４は、評価サンプルの一部を取り出して模式的に示しており、（ａ）は断面図、（ｂ）は上面図である。

本実施例では、図４に示すように評価サンプルを作製し、分割位置からの水分の浸入の有無について、Ｃａ腐食による透過率の変化で評価した。Ｃａ膜は水及び酸素と反応することにより、Ｃａ膜の透過率が変化する。従って、Ｃａ膜の透過率が変化した場合は、水分の浸入があると判断でき、変化しない場合は水分浸入がないと判断できる。

基板の上に絶縁膜が形成された基板の中央部に、Ｃａ膜１２を真空蒸着により１０００Å形成した。続いてＣａ膜１２を覆うようにＶＨＦプラズマＣＶＤで窒化シリコン膜を５μｍの膜厚で成膜し、封止層９を形成した。基板投入後、封止層の形成まで一貫して真空中で行った。

次に、Ｃａ膜１２の成膜端から０．２５ｍｍの位置Ｄを、カッターホイール刃を用い、封止層側から封止層９の膜厚よりも浅く、同封止層９のスクライブを行った。この時、最適な条件を設定することにより、窒化シリコン膜からなる封止層９は硬い膜であるために、スクライブ位置にて封止層９を貫通する分割面が発生する。次に、Ｃａ膜１２の成膜縁から０．３ｍｍの位置Ｅで、高浸透タイプのホイール刃により、封止層９側から基板をスクライブし、続いてブレイクを行い、評価サンプルを作製した。

本実施例のサンプルの分割面についてＳＥＭを用いて観察したところ、基板の分割位置Ｅでは、封止層９の剥離やクラックの発生が確認できた。しかし、封止層９の分割位置Ｄから発光領域側に剥離やクラックの発生は見られなかった。

本実施例の評価サンプルを温度６０℃、相対湿度９０％ＲＨの恒温恒湿槽内に放置し、１０００ｈｒ経過後に測定してもＣａの透過率は変化していなかった。

＜比較例１＞
本比較例について、図５を用いて説明する。図５は、評価サンプルの一部を取り出して模式的に示した断面図である。

本比較例では、図５に示すように評価サンプルを作製し、分割位置からの水分の浸入の有無について、Ｃａ腐食による透過率の変化で評価した。

本比較例の評価サンプルは実施例１と同様の工程にて作製したが、封止層の分割位置Ｄでの封止層９の分割は行わず、基板の分割位置Ｅで封止層９と基板の分割を行った。封止層９と基板の分割はＣａ膜１２の成膜縁から０．３ｍｍの位置にて、封止層９側から行った。

本比較例のサンプルの分割位置についてＳＥＭを用いて観察したところ、封止層９の剥離及びクラックが発生していた。分割による封止層９の損傷は、分割位置から０．５ｍｍ以内であった。

本比較例の評価サンプルを温度６０℃、相対湿度９０％ＲＨの恒温恒湿槽内に放置したところ、１０００ｈｒ経過後には、分割位置方向からＣａは腐食され、約２５ｍｍの領域に渡って透過率の低下が観察された。

＜比較例２＞
本比較例でも、図５に示すように評価サンプルを作製し、分割位置からの水分の浸入の有無について、Ｃａ腐食による透過率の変化で評価した。

本比較例の評価サンプルは実施例１と同様の工程にて作製したが、封止層の分割位置Ｄでの封止層９の分割は行わず、基板の分割位置Ｅで封止層９と基板の分割を行った。封止層９と基板の分割はＣａ膜１２の成膜縁から０．３ｍｍの位置にて、基板側から行った。

本比較例のサンプルの分割位置についてＳＥＭを用いて観察したところ、封止層９の剥離が発生していた。分割による封止層９の損傷は、分割位置から０．３ｍｍ以内であった。

本比較例の評価サンプルを温度６０℃、相対湿度９０％ＲＨの恒温恒湿槽内に放置したところ、１０００ｈｒ経過後には、分割位置方向からＣａは腐食され、約１５ｍｍの領域に渡って透過率の低下が観察された。

＜実施例２＞
本実施例について、図１、図３及び図６を用いて説明する。

本実施例では図１に示す有機発光装置を作製して、同有機発光装置の発光特性評価を行った。

本実施例では、大判の基板１上に、図１に示す構成を有する単位毎の有機発光装置を隣接させて複数形成し、封止層９の形成後に前記単位毎の有機発光装置の切り出しを行った。封止層９は、図６に示すように、電源または信号供給パット（信号供給部材）１３が形成された辺とその対辺については形成されない領域（下地露出領域）を設けた。電源または信号供給パット１３が形成された辺に封止層９を成膜すると、電源または信号供給パットとＦＰＣ等の外部接続配線とを電気的に導通させることができなくなるため、封止層を剥離する工程が必要になり製造プロセスがより複雑になるからである。また、その対辺が、隣接する有機発光装置の電源または信号供給パット１３が形成された辺になる場合には、隣接する有機発光装置の封止層の成膜に際して、形成されない領域（下地露出領域）をまとめて処理することができるからである。それ以外の２辺については、隣接する単位毎の有機発光装置に連続する封止層９を形成し、封止層９と基板１を分割して単位毎の有機発光装置を切り出した。

具体的には、本実施例の有機発光装置は、次の様にして製造した。大判の基板１の上に、複数の有機発光装置を形成するべく、ＴＦＴ２、絶縁膜３、有機平坦化膜４を順次形成した。次に、その上に第１電極５とＴＦＴ２とのコンタクトホールを形成した。続いて、第１電極５を形成し、同第１電極５の周囲にポリイミド製の素子分離膜８を形成し、絶縁した。この基板１上に、ＦＬ０３／ＤｐｙＦＬ＋ｓＤＴＡＢ２／ＤＦＰＨ１／ＤＦＰＨ１＋Ｃｓ₂ＣＯ₃の有機化合物層６を蒸着し、同有機化合物層６をホール輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層の順で形成した。その上部には、ＩＴＯからなる第２電極７をスパッタにより膜厚６０ｎｍで成膜し、画素を形成した。更に、有機平坦化膜４、第１電極５、有機化合物層６、第２電極７、素子分離膜８を覆うように、ＶＨＦプラズマＣＶＤで窒化シリコン膜を５μｍの膜厚で成膜し、封止層９を形成した。その結果、大判の基板１に複数の有機発光装置が形成された有機発光装置パネルを作製した。なお、基板１の投入後、封止層９の形成まで一貫して真空中で行った。

次に、実施例１と同様にして、図３の封止層の分割位置Ｄにおいて、前記有機発光装置パネルを分割した。つまり、カッターホイール刃により封止層側から封止層９をスクライブした。続いて、基板の分割位置Ｅにおいて、高浸透タイプのホイール刃により、封止層側から基板１及びＴＦＴ２、絶縁層３をスクライブ、続いてブレイクし、単位毎の有機発光装置を得た。封止層の分割位置Ｄは、基板の分割位置Ｅより発光領域側に５０μｍの位置である。

本発明の有機発光装置の分割位置を光学顕微鏡並びにＳＥＭで観察すると、封止層の分割位置Ｄよりも発光領域側の封止層９には、一切クラックや剥離は確認されなかった。

最後に、有機発光装置に粘着材１０を介して円偏光板１１を固定した。

本実施例の有機発光装置を温度６０℃、相対湿度９０％ＲＨの恒温恒湿槽内に放置し、１０００ｈｒ経過後に評価したところ、ＶＩ特性及び輝度の劣化は確認されなかった。また、有機発光装置の外周領域からの輝度変化及びΦ１μｍ以上のダークスポットも、画素周辺からの輝度劣化及びΦ１μｍ以上のダークスポットも発生しなかった。

本発明の有機発光装置の実施形態の一例を模式的に示す断面図である。 本発明の有機発光装置における分割部の関係の一例を模式的に示す断面図である。 本発明の有機発光装置における分割位置の関係の一例を模式的に示す断面図である。 第１の実施例における評価基板の構成の概略を示す断面図である。 第１の比較例における評価基板の構成の概略を示す断面図である。 封止層の形成領域の一例を示す斜視図である。

符号の説明

１ ガラス基板
２ ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）
３ 絶縁層
４ 有機平坦化膜
５ 第１電極
６ 有機化合物層
７ 第２電極
８ 素子分離膜
９ 封止層
１０ 粘着材
１１ 円偏光板
１２ Ｃａ膜
１３ 電源及び信号供給パッド
Ａ 封止層分割部
Ｂ 基板分割部
Ｃ 基板テラス
Ｄ 封止層の分割位置
Ｅ 基板の分割位置
Ｘ 発光領域

Claims (9)

1. 基板と、前記基板の上に配置されており、前記基板の上に順に第１電極と、有機発光層と、第２電極と、を有する有機発光素子と、前記有機発光素子の上を覆って成膜されている無機封止層と、を有し、
   一体に形成された複数の有機発光装置を分割することにより得られる有機発光装置において、
   前記基板の端部には前記基板の分割によって形成される分割部を有し、
   前記無機封止層の端部には前記無機封止層の分割によって形成される分割部を有し、
   前記無機封止層の分割部は、前記基板の分割部よりも前記有機発光装置の面内の内側に位置していることを特徴とする有機発光装置。
2. 前記基板の分割部と前記無機封止層の分割部との距離は１μｍ以上であることを特徴とする請求項１に記載の有機発光装置。
3. 前記有機発光素子の周辺に電源または信号供給部材を有しており、
   前記無機封止層の分割部は、前記電極または前記信号供給部材が配置されている辺とその対辺を除く２辺において、前記基板の分割部よりも前記有機発光装置の面内の内側に位置していることを特徴とする請求項１または請求項２のいずれか１項に記載の有機発光装置。
4. 基板の上に順に第１電極と、有機発光層と、第２電極と、を有する有機発光素子を形成する工程と、
   前記第２電極の上に無機封止層を成膜する工程と、を有する、有機発光装置の製造方法において、
   前記無機封止層を前記有機発光素子の周辺で分割する工程と、
   前記基板を前記有機発光素子の周辺で分割する工程と、を有し、
   前記無機封止層を分割する位置は、前記基板を分割する位置よりも前記有機発光装置の面内の内側であることを特徴とする有機発光装置の製造方法。
5. 前記基板を分割する位置と、前記無機封止層を分割する位置との距離は、１０μｍ以上であることを特徴とする請求項４に記載の有機発光装置の製造方法。
6. 前記基板を分割する工程は、スクライブ工程と、前記スクライブ工程によって形成された線に沿って前記基板を割る工程と、を有することを特徴とする請求項４または請求項５のいずれか１項に記載の有機発光装置の製造方法。
7. 前記無機封止層を分割する工程は、スクライブ工程と、前記スクライブ工程によって形成された線に沿って前記無機封止層を割る工程と、を有し、
   前記基板を割る工程と、前記無機封止層を割る工程は同時に行われることを特徴とする請求項４乃至請求項６のいずれか１項に記載の有機発光装置の製造方法。
8. 前記無機封止層を分割する工程は、スクライブ工程と、前記スクライブ工程によって形成された線に沿って前記無機封止層を割る工程と、を有し、
   前記基板をスクライブする工程は、前記無機封止層をスクライブする工程の後に行われることを特徴とする請求項６または請求項７のいずれか１項に記載の有機発光装置の製造方法。
9. 前記有機発光素子を形成する工程は、前記基板の上に複数の有機発光素子を形成する工程であり、
   前記基板を分割する位置および前記無機封止層を分割する位置は、前記複数の有機発光素子の間であることを特徴とする請求項４乃至請求項８のいずれか１項に記載の有機発光装置の製造方法。

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