JP2008033379A

JP2008033379A - Nonvolatile storage apparatus

Info

Publication number: JP2008033379A
Application number: JP2004326185A
Authority: JP
Inventors: Masahiro Nakanishi; 雅浩中西; Manabu Inoue; 学井上; Masayuki Toyama; 昌之外山; Tomoaki Izumi; 智紹泉; Tetsushi Kasahara; 哲志笠原; Kazuaki Tamura; 和明田村; Kiminori Matsuno; 公則松野
Original assignee: Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Current assignee: Panasonic Holdings Corp
Priority date: 2004-11-10
Filing date: 2004-11-10
Publication date: 2008-02-14
Also published as: WO2006051779A1

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a nonvolatile storage apparatus or a memory controller adaptable to various requests (intended use purposes) such as fast access or power saving, or, specifically, to achieve a nonvolatile storage apparatus allowing adaptive changing of a concurrent access count (bank count) for a flash memory. <P>SOLUTION: A memory controller 113 is internally provided with a switching register 105, and as an access device 100 rewrites the register, the concurrent access count of a nonvolatile memory 114 is changed. Alternatively, the nonvolatile memory 114 is internally provided with the switching register 105, and as the memory controller 113 rewrites the register according to an instruction from the access device 100, the concurrent access count of the nonvolatile memory 114 may be changed. Additionally, the concurrent access count may be previously stored in a nonvolatile storage device (ROM 104 etc.) in the nonvolatile storage apparatus 115, and is read on startup to set for the switching register 105. <P>COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT

Description

本発明は、書き換え可能な不揮発性メモリを備えた不揮発性記憶装置に関する。 The present invention relates to a nonvolatile storage device including a rewritable nonvolatile memory.

書き換え可能な不揮発性メモリを備えた不揮発性記憶装置は、半導体メモリカードを中心にその需要が広まっている。また半導体メモリカードを使った不揮発性記憶システムは、デジタルスチルカメラやパーソナルコンピュータ等を中心にその需要が広まっている。半導体メモリカードには様々な種類のカードがあり、例えばＳＤ（セキュアデジタル）メモリカードは、主記憶部であるフラッシュメモリと、それを制御するメモリコントローラＬＳＩとから構成されている。メモリコントローラＬＳＩは、デジタルスチルカメラ本体等のアクセス装置からの読み書き指示に応じて、フラッシュメモリに対する読み書き制御を行うデバイスである。主記憶部であるフラッシュッメモリは、代表的なものにＮＡＮＤタイプやＡＮＤタイプがあるが、ひとつのメモリチップ内に、消去単位である物理ブロックが複数存在しており、またひとつの物理ブロック内に、書き込み単位であるページが複数存在している。 The demand for nonvolatile memory devices including a rewritable nonvolatile memory has been increasing, especially for semiconductor memory cards. Further, the demand for nonvolatile storage systems using semiconductor memory cards is increasing, especially in digital still cameras and personal computers. There are various types of semiconductor memory cards. For example, an SD (Secure Digital) memory card includes a flash memory that is a main storage unit and a memory controller LSI that controls the flash memory. The memory controller LSI is a device that performs read / write control on the flash memory in response to a read / write instruction from an access device such as a digital still camera body. The flash memory, which is the main memory, is representative of NAND type and AND type, but there are multiple physical blocks that are erase units in one memory chip. There are a plurality of pages as write units.

近年、フラッシュメモリの低コスト化のニーズに伴い、物理ブロックサイズの大きなフラッシュメモリが主流になってきており、データ書き換え時におけるブロック間コピー（退避処理）のデータサイズが大きい為、退避処理に要する時間も増加し、記録パフォーマンス低下が著しくなってきている。更に言えば、物理ブロックサイズとして１２８ｋＢｙｔｅ以上のものが主流になりつつあり、アクセス装置の通常の書き込み単位であるクラスタサイズ（例えば１６ｋＢｙｔｅ）より物理ブロックサイズの方が大きいため、ひとつのクラスタの書き換えにおいても、退避処理が発生してしまい、特に動画などのストリーム記録が困難となる。 In recent years, flash memory with a large physical block size has become mainstream along with the need for cost reduction of flash memory, and the data size of inter-block copy (save processing) at the time of data rewriting is large, so it is necessary for the save processing The time has also increased, and the recording performance has become significantly degraded. Furthermore, the physical block size of 128 kbytes or more is becoming mainstream, and the physical block size is larger than the cluster size (for example, 16 kbytes) which is a normal write unit of the access device. However, the saving process occurs, and it is particularly difficult to record a stream such as a moving image.

それを解決するために、フラッシュメモリチップ自体の機能として、様々な高速アクセス機能が提案されている。例えば、特許文献１に示すようなマルチバンク機能である。これは、同時に複数のブロックに書き込み／読み出し／消去ができる機能である。
特開２００１−２６６５７９号公報 In order to solve this problem, various high-speed access functions have been proposed as functions of the flash memory chip itself. For example, a multi-bank function as shown in Patent Document 1. This is a function capable of simultaneously writing / reading / erasing a plurality of blocks.
JP 2001-266579 A

しかしながら、同時に書き込む数を増やすことによってアクセス速度が速くなるが、同時にアクティブとなるブロック数が増えるので、消費電力が増すといった別の課題も出てくる。アプリケーションによっては、電力を要しても高速アクセスを要求するもの、例えば業務用ムービカメラなどの用途がある反面、一方では、低速アクセスでも良いので電力を出来るだけ抑えたいもの、例えば携帯電話といったように、使用用途によってメモリカードに対する要求が異なる。従来はこれらの用途毎に最適なメモリカードを開発していたが、用途毎の開発は、開発費用面あるいは製造コスト面において、コストアップの要因となっていた。 However, although the access speed is increased by increasing the number of data written at the same time, the number of simultaneously active blocks increases, which causes another problem such as an increase in power consumption. Some applications require high-speed access even when power is required, for example, there are uses such as a business movie camera. On the other hand, low-speed access is acceptable, so that you want to reduce power as much as possible, such as a mobile phone In addition, the requirements for the memory card differ depending on the intended use. Conventionally, an optimal memory card has been developed for each application, but the development for each application has been a cause of cost increase in terms of development cost or manufacturing cost.

本発明は、要求の異なる様々な使用用途に適応できる不揮発性記憶装置、あるいはメモリコントローラを提供することを目的とする。具体的には、フラッシュメモリの同時アクセス数（バンク数）を適応的に変更可能な不揮発性記憶装置を実現することを目的とする。 It is an object of the present invention to provide a nonvolatile memory device or a memory controller that can be adapted to various usages with different requirements. Specifically, an object of the present invention is to realize a nonvolatile memory device that can adaptively change the number of simultaneous accesses (the number of banks) of the flash memory.

この目的を達成するために本発明の不揮発性記憶装置は、下記の４種類の手段をとるものである。 In order to achieve this object, the nonvolatile memory device of the present invention takes the following four types of means.

１）メモリコントローラ内部に切替レジスタを設け、アクセス装置が当該レジスタを書き換えることによってフラッシュメモリの同時アクセス数を変更する。 1) A switching register is provided in the memory controller, and the access device rewrites the register to change the number of simultaneous accesses to the flash memory.

２）フラッシュッメモリチップ内部に切替レジスタを設け、アクセス装置の指示に応じてメモリコントローラが当該レジスタを書き換えることによってフラッシュメモリの同時アクセス数を変更する。 2) A switching register is provided in the flash memory chip, and the memory controller rewrites the register in accordance with an instruction from the access device to change the number of simultaneous accesses to the flash memory.

３）メモリコントローラ内部に切替レジスタを設け、また不揮発性記憶装置内の不揮発性記憶手段、即ちメモリコントローラ内のＲＯＭやフラッシュメモリ内のＲＯＭあるいはフラッシュメモリ自体に予めフラッシュメモリの同時アクセス数を記憶しておき、起動時に、メモリコントローラが当該不揮発性記憶手段からフラッシュメモリの同時アクセス数を当該レジスタに設定することにより、フラッシュメモリの同時アクセス数を変更する。 3) A switching register is provided in the memory controller, and the number of simultaneous accesses to the flash memory is stored in advance in the nonvolatile memory means in the nonvolatile memory device, that is, the ROM in the memory controller, the ROM in the flash memory, or the flash memory itself. At the time of activation, the memory controller sets the simultaneous access number of the flash memory from the nonvolatile storage unit in the register, thereby changing the simultaneous access number of the flash memory.

４）フラッシュッメモリチップ内部に切替レジスタを設け、また不揮発性記憶装置内の不揮発性記憶手段、即ちメモリコントローラ内のＲＯＭやフラッシュメモリ内のＲＯＭあるいはフラッシュメモリ自体に予めフラッシュメモリの同時アクセス数を記憶しておき、起動時に、メモリコントローラが当該不揮発性記憶手段からフラッシュメモリの同時アクセス数を当該レジスタに設定することにより、フラッシュメモリの同時アクセス数を変更する。 4) A switching register is provided in the flash memory chip, and the number of simultaneous accesses to the flash memory is previously set in the nonvolatile storage means in the nonvolatile storage device, that is, the ROM in the memory controller, the ROM in the flash memory, or the flash memory itself. The memory controller sets the simultaneous access number of the flash memory from the non-volatile storage means in the register at startup, thereby changing the simultaneous access number of the flash memory.

上記１）及び２）の解決手段においては、アクセス装置の指示に応じて、フラッシュメモリの同時アクセス数を制御できる、即ち高速アクセス性を優先するか、あるいは省電力性を優先するかを、使用用途に応じて簡単に切り替えることができる。また、上記３）及び４）の解決手段においては、不揮発性記憶装置内に予め記憶された切替情報に応じて、フラッシュメモリの同時アクセス数を制御できる、即ち高速アクセス性を優先するか、あるいは省電力性を優先するかを、使用用途に応じて簡単に切り替えることができる。いずれの場合も、使用用途毎に最適な不揮発性記憶装置を開発する必要がなく、開発費用面あるいは製造コスト面で有益な技術である。 In the above solutions 1) and 2), it is possible to control the number of simultaneous accesses to the flash memory in accordance with an instruction from the access device, that is, whether to give priority to high-speed access or power saving. It can be easily switched according to the application. In the above solutions 3) and 4), the number of simultaneous accesses to the flash memory can be controlled according to the switching information stored in advance in the nonvolatile storage device, that is, priority is given to high-speed accessibility, or Whether to prioritize power saving can be easily switched according to the intended use. In either case, it is not necessary to develop an optimal non-volatile storage device for each use application, and this is a useful technology in terms of development cost or manufacturing cost.

前述した解決手段において、上述の１）に関する発明は、請求項１〜９に対応する。また２）に関する発明は、請求項１０〜１５に対応する。また３）に関する発明は、請求項１６〜３０に対応する。また４）に関する発明は、請求項３１〜４２に対応する。 In the above-described solution, the invention relating to 1) above corresponds to claims 1-9. The invention relating to 2) corresponds to claims 10 to 15. The invention relating to 3) corresponds to claims 16 to 30. The invention 4) corresponds to claims 31-42.

本発明の請求項１〜３に係る発明は、不揮発性記憶装置内のメモリコントローラに関する発明であり、外部のアクセス装置から与えられるコマンドと論理アドレスに応じて不揮発性メモリにデータを書き込み、及び読み出すメモリコントローラであって、前記不揮発性メモリに対して読み書き制御を行う読み書き制御手段と、前記不揮発性メモリのアクセス先であるアドレスの管理を行うアドレス管理情報制御手段と、前記外部のアクセス装置によって逐次設定される切替レジスタを有し、前記読み書き制御手段は、前記切替レジスタに設定された値に基づき前記不揮発性メモリのアクセス態様を切り替えることを特徴とする。 The invention according to claims 1 to 3 of the present invention relates to a memory controller in the nonvolatile memory device, and writes and reads data to and from the nonvolatile memory in accordance with a command and a logical address given from an external access device. A memory controller, comprising: a read / write control unit that performs read / write control on the nonvolatile memory; an address management information control unit that manages an address that is an access destination of the nonvolatile memory; and the external access device. The read / write control means switches the access mode of the nonvolatile memory based on a value set in the switch register.

この構成により、アクセス装置が、コントローラ内部に設けられた切替レジスタに逐次所定のパラメータを設定し、メモリコントローラ内の読み書き制御手段が前記パラメータ値に応じて不揮発性メモリの同時アクセス数を変更する。 With this configuration, the access device sequentially sets predetermined parameters in the switching register provided in the controller, and the read / write control means in the memory controller changes the number of simultaneous accesses to the nonvolatile memory according to the parameter value.

また、本発明の請求項４〜６に係る発明は、不揮発性記憶装置に関する発明であり、不揮発性メモリと、メモリコントローラと、を有し、外部のアクセス装置から与えられるコマンドと論理アドレスに応じて不揮発性メモリにデータを書き込み、及び読み出す不揮発性記憶装置であって、前記不揮発性メモリは、それぞれが少なくとも１つのセクタを含む複数の物理ブロックから成り、前記メモリコントローラは、前記不揮発性メモリに対して読み書き制御を行う読み書き制御手段と、前記不揮発性メモリのアクセス先であるアドレスの管理を行うアドレス管理情報制御手段と、前記外部のアクセス装置によって逐次設定される切替レジスタを有し、前記読み書き制御手段は、前記切替レジスタに設定された値に基づき前記不揮発性メモリのアクセス態様を切り替えることを特徴とする。 Further, the inventions according to claims 4 to 6 of the present invention are inventions related to a nonvolatile memory device, which includes a nonvolatile memory and a memory controller, and corresponds to a command and a logical address given from an external access device. A nonvolatile storage device for writing and reading data to and from the nonvolatile memory, wherein the nonvolatile memory is composed of a plurality of physical blocks each including at least one sector, and the memory controller is stored in the nonvolatile memory. A read / write control unit that performs read / write control on the nonvolatile memory, an address management information control unit that manages an address that is an access destination of the nonvolatile memory, and a switching register that is sequentially set by the external access device. The control means is configured to control the nonvolatile memory based on the value set in the switching register. And switches the access mode.

また、本発明の請求項７〜９に係る発明は、不揮発性記憶装置を用いた不揮発性記憶システムに関する発明であり、アクセス装置と、不揮発性メモリと、メモリコントローラと、を有し、前記アクセス装置から与えられるコマンドと論理アドレスに応じて不揮発性メモリにデータを書き込み、及び読み出す不揮発性記憶システムであって、前記不揮発性メモリは、それぞれが少なくとも１つのセクタを含む複数の物理ブロックから成り、前記メモリコントローラは、前記不揮発性メモリに対して読み書き制御を行う読み書き制御手段と、前記不揮発性メモリのアクセス先であるアドレスの管理を行うアドレス管理情報制御手段と、前記外部のアクセス装置によって逐次設定される切替レジスタを有し、前記読み書き制御手段は、前記切替レジスタに設定された値に基づき前記不揮発性メモリのアクセス態様を切り替えることを特徴とする。 The invention according to claims 7 to 9 of the present invention relates to a nonvolatile storage system using a nonvolatile storage device, and includes an access device, a nonvolatile memory, and a memory controller, and the access A nonvolatile storage system that writes and reads data to and from a nonvolatile memory according to a command and a logical address given from a device, wherein the nonvolatile memory includes a plurality of physical blocks each including at least one sector, The memory controller is sequentially set by a read / write control unit that performs read / write control on the nonvolatile memory, an address management information control unit that manages an address that is an access destination of the nonvolatile memory, and the external access device And the read / write control means has the switching register. And switches the access mode of the non-volatile memory based on the values set in the data.

また、本発明の請求項１０〜１２に係る発明は、不揮発性記憶装置に関する発明であり、不揮発性メモリと、メモリコントローラと、を有し、外部のアクセス装置から与えられるコマンドと論理アドレスに応じて不揮発性メモリにデータを書き込み、及び読み出す不揮発性記憶装置であって、前記不揮発性メモリは、それぞれが少なくとも１つのセクタを含む複数の物理ブロックから成り、前記メモリコントローラによって逐次設定される切替レジスタを有し、前記メモリコントローラは、前記不揮発性メモリに対して読み書き制御を行うと共に前記外部のアクセス装置の指示に基づき前記不揮発性メモリの内の前記切替レジスタに所定の値を設定する読み書き制御手段と、前記不揮発性メモリのアクセス先であるアドレスの管理を行うアドレス管理情報制御手段とを有し、前記不揮発性メモリは、前記切替レジスタに設定された値に基づき当該不揮発性メモリのアクセス態様を切り替えることを特徴とする。 The inventions according to claims 10 to 12 of the present invention are inventions related to a nonvolatile memory device, which includes a nonvolatile memory and a memory controller, and corresponds to a command and a logical address given from an external access device. A nonvolatile storage device for writing and reading data to and from the nonvolatile memory, wherein the nonvolatile memory is composed of a plurality of physical blocks each including at least one sector and is sequentially set by the memory controller And the memory controller performs read / write control on the nonvolatile memory and sets a predetermined value in the switching register in the nonvolatile memory based on an instruction from the external access device. And an address for managing an address that is an access destination of the nonvolatile memory. And a scan management information control unit, the nonvolatile memory, and switches the access mode of the non-volatile memory based on the values set in the switching register.

この構成により、アクセス装置が指定したパラメータに基づき、メモリコントローラ内の読み書き制御手段が不揮発性メモリ内部に設けられた切替レジスタを設定し、不揮発性メモリが切替レジスタに設定された値に応じて不揮発性メモリの同時アクセス数を変更する。 With this configuration, based on the parameters specified by the access device, the read / write control means in the memory controller sets the switching register provided in the nonvolatile memory, and the nonvolatile memory is nonvolatile according to the value set in the switching register. The number of simultaneous accesses to the volatile memory.

また、本発明の請求項１３〜１５に係る発明は、不揮発性記憶装置を用いた不揮発性記憶システムに関する発明であり、アクセス装置と、不揮発性メモリと、メモリコントローラと、を有し、前記アクセス装置から与えられるコマンドと論理アドレスに応じて不揮発性メモリにデータを書き込み、及び読み出す不揮発性記憶システムであって、前記不揮発性メモリは、それぞれが少なくとも１つのセクタを含む複数の物理ブロックから成り、前記メモリコントローラによって逐次設定される切替レジスタを有し、前記メモリコントローラは、前記不揮発性メモリに対して読み書き制御を行うと共に前記外部のアクセス装置の指示に基づき前記不揮発性メモリの内の前記切替レジスタに所定の値を設定する読み書き制御手段と、前記不揮発性メモリのアクセス先であるアドレスの管理を行うアドレス管理情報制御手段とを有し、前記不揮発性メモリは、前記切替レジスタに設定された値に基づき当該不揮発性メモリのアクセス態様を切り替えることを特徴とする。 The invention according to claims 13 to 15 of the present invention relates to a nonvolatile storage system using a nonvolatile storage device, and includes an access device, a nonvolatile memory, and a memory controller, and the access A nonvolatile storage system that writes and reads data to and from a nonvolatile memory according to a command and a logical address given from a device, wherein the nonvolatile memory includes a plurality of physical blocks each including at least one sector, A switching register sequentially set by the memory controller, wherein the memory controller performs read / write control on the nonvolatile memory and the switching register in the nonvolatile memory based on an instruction from the external access device; Read / write control means for setting a predetermined value in the non-volatile memory Address management information control means for managing an address that is an access destination of the memory, and the nonvolatile memory switches an access mode of the nonvolatile memory based on a value set in the switching register. To do.

また、本発明の請求項１６〜１８に係る発明は、不揮発性記憶装置内のメモリコントローラに関する発明であり、外部のアクセス装置から与えられるコマンドと論理アドレスに応じて不揮発性メモリにデータを書き込み、及び読み出すメモリコントローラであって、前記不揮発性メモリに対して読み書き制御を行う読み書き制御手段と、前記不揮発性メモリのアクセス先であるアドレスの管理を行うアドレス管理情報制御手段と、リードオンリーメモリと、前記リードオンリーメモリに記憶されたパラメータを起動時に自動的に設定される切替レジスタとを有し、前記読み書き制御手段は、前記切替レジスタに設定された値に基づき前記不揮発性メモリのアクセス態様を切り替えることを特徴とする。 The inventions according to claims 16 to 18 of the present invention relate to a memory controller in a nonvolatile memory device, and write data to the nonvolatile memory in accordance with a command and a logical address given from an external access device, A read / write control unit that performs read / write control on the nonvolatile memory, an address management information control unit that manages an address that is an access destination of the nonvolatile memory, a read-only memory, A switching register that automatically sets parameters stored in the read-only memory at startup, and the read / write control unit switches the access mode of the nonvolatile memory based on a value set in the switching register It is characterized by that.

この構成により、起動時において、メモリコントローラ内のリードオンリーメモリに予め記憶されたパラメータが自動的に切替レジスタに設定され、メモリコントローラ内の読み書き制御手段が前記パラメータ値に応じて不揮発性メモリの同時アクセス数を変更する。 With this configuration, at startup, the parameters stored in advance in the read-only memory in the memory controller are automatically set in the switching register, and the read / write control means in the memory controller can simultaneously read the nonvolatile memory in accordance with the parameter values. Change the number of accesses.

また、本発明の請求項１９〜２１に係る発明は、不揮発性記憶装置に関する発明であり、不揮発性メモリと、メモリコントローラと、を有し、外部のアクセス装置から与えられるコマンドと論理アドレスに応じて不揮発性メモリにデータを書き込み、及び読み出す不揮発性記憶装置であって、前記不揮発性メモリは、それぞれが少なくとも１つのセクタを含む複数の物理ブロックから成り、前記メモリコントローラは、前記不揮発性メモリに対して読み書き制御を行う読み書き制御手段と、前記不揮発性メモリのアクセス先であるアドレスの管理を行うアドレス管理情報制御手段と、リードオンリーメモリと、前記リードオンリーメモリに記憶されたパラメータを起動時に自動的に設定される切替レジスタとを有し、前記読み書き制御手段は、前記切替レジスタに設定された値に基づき前記不揮発性メモリのアクセス態様を切り替えることを特徴とする。 The inventions according to claims 19 to 21 of the present invention are inventions related to a nonvolatile memory device, which includes a nonvolatile memory and a memory controller, and corresponds to a command and a logical address given from an external access device. A nonvolatile storage device for writing and reading data to and from the nonvolatile memory, wherein the nonvolatile memory is composed of a plurality of physical blocks each including at least one sector, and the memory controller is stored in the nonvolatile memory. Read / write control means for performing read / write control, address management information control means for managing addresses that are the access destinations of the non-volatile memory, read-only memory, and parameters stored in the read-only memory automatically at startup A switching register that is automatically set, and the read / write control means And switches the access mode of the non-volatile memory based on the value set in the switching register.

また、本発明の請求項２２〜２４に係る発明は、不揮発性記憶装置を用いた不揮発性記憶システムに関する発明であり、アクセス装置と、不揮発性メモリと、メモリコントローラと、を有し、前記アクセス装置から与えられるコマンドと論理アドレスに応じて不揮発性メモリにデータを書き込み、及び読み出す不揮発性記憶システムであって、前記不揮発性メモリは、それぞれが少なくとも１つのセクタを含む複数の物理ブロックから成り、前記メモリコントローラは、前記不揮発性メモリに対して読み書き制御を行う読み書き制御手段と、前記不揮発性メモリのアクセス先であるアドレスの管理を行うアドレス管理情報制御手段と、リードオンリーメモリと、前記リードオンリーメモリに記憶されたパラメータを起動時に自動的に設定される切替レジスタとを有し、前記読み書き制御手段は、前記切替レジスタに設定された値に基づき前記不揮発性メモリのアクセス態様を切り替えることを特徴とする。 The invention according to claims 22 to 24 of the present invention is an invention related to a nonvolatile storage system using a nonvolatile storage device, and includes an access device, a nonvolatile memory, and a memory controller. A nonvolatile storage system that writes and reads data to and from a nonvolatile memory according to a command and a logical address given from a device, wherein the nonvolatile memory includes a plurality of physical blocks each including at least one sector, The memory controller includes a read / write control unit that performs read / write control on the nonvolatile memory, an address management information control unit that manages an address that is an access destination of the nonvolatile memory, a read-only memory, and the read-only memory. Parameters stored in memory are automatically set at startup And a switching register, said write control means is characterized to switch the access mode of the non-volatile memory based on the values set in the switching register.

また、本発明の請求項２５〜２７に係る発明は、不揮発性記憶装置に関する発明であり、不揮発性メモリと、メモリコントローラと、を有し、外部のアクセス装置から与えられるコマンドと論理アドレスに応じて不揮発性メモリにデータを書き込み、及び読み出す不揮発性記憶装置であって、前記不揮発性メモリは、それぞれが少なくとも１つのセクタを含む複数の物理ブロックから成り、リードオンリーメモリもしくは所定の物理ブロック内に特別領域を有し、前記メモリコントローラは、前記不揮発性メモリに対して読み書き制御を行う読み書き制御手段と、前記不揮発性メモリのアクセス先であるアドレスの管理を行うアドレス管理情報制御手段と、前記不揮発性メモリ内の前記リードオンリーメモリ若しくは前記特別領域に記憶されたパラメータを起動時に自動的に設定される切替レジスタとを有し、前記読み書き制御手段は、前記切替レジスタに設定された値に基づき前記不揮発性メモリのアクセス態様を切り替えることを特徴とする。 Further, the invention according to claims 25 to 27 of the present invention is an invention related to a nonvolatile memory device, which has a nonvolatile memory and a memory controller, and corresponds to a command and a logical address given from an external access device. A nonvolatile storage device that writes data to and reads data from a nonvolatile memory, and the nonvolatile memory is composed of a plurality of physical blocks each including at least one sector, and is included in a read-only memory or a predetermined physical block. The memory controller includes a read / write control unit that performs read / write control on the nonvolatile memory, an address management information control unit that manages an address that is an access destination of the nonvolatile memory, and the nonvolatile controller Stored in the read-only memory or the special area And a switching register is automatically set parameters at startup, the reading and writing control means may switch the access mode of the non-volatile memory based on the values set in the switching register.

この構成により、起動時において、不揮発性メモリ内のリードオンリーメモリ若しくは所定の物理ブロック内の特別領域内に予め記憶されたパラメータが自動的に切替レジスタに設定され、メモリコントローラ内の読み書き制御手段が前記パラメータ値に応じて不揮発性メモリの同時アクセス数を変更する。 With this configuration, at startup, the parameters stored in advance in the read-only memory in the nonvolatile memory or the special area in the predetermined physical block are automatically set in the switching register, and the read / write control means in the memory controller The number of simultaneous accesses to the nonvolatile memory is changed according to the parameter value.

また、本発明の請求項２８〜３０に係る発明は、不揮発性記憶装置を用いた不揮発性記憶システムに関する発明であり、アクセス装置と、不揮発性メモリと、メモリコントローラと、を有し、前記アクセス装置から与えられるコマンドと論理アドレスに応じて不揮発性メモリにデータを書き込み、及び読み出す不揮発性記憶システムであって、前記不揮発性メモリは、それぞれが少なくとも１つのセクタを含む複数の物理ブロックから成り、リードオンリーメモリもしくは所定の物理ブロック内に特別領域を有し、前記メモリコントローラは、前記不揮発性メモリに対して読み書き制御を行う読み書き制御手段と、前記不揮発性メモリのアクセス先であるアドレスの管理を行うアドレス管理情報制御手段と、前記不揮発性メモリ内の前記リードオンリーメモリに記憶されたパラメータを起動時に自動的に設定される切替レジスタとを有し、前記読み書き制御手段は、前記切替レジスタに設定された値に基づき前記不揮発性メモリのアクセス態様を切り替えることを特徴とする。 The invention according to claims 28 to 30 of the present invention relates to a nonvolatile storage system using a nonvolatile storage device, and includes an access device, a nonvolatile memory, and a memory controller, and the access A nonvolatile storage system that writes and reads data to and from a nonvolatile memory according to a command and a logical address given from a device, wherein the nonvolatile memory includes a plurality of physical blocks each including at least one sector, A read-only memory or a special area in a predetermined physical block, and the memory controller controls read / write control means for performing read / write control on the nonvolatile memory and an address that is an access destination of the nonvolatile memory. Address management information control means to perform, and the memory in the nonvolatile memory A switching register that automatically sets parameters stored in the only memory at start-up, and the read / write control means switches the access mode of the nonvolatile memory based on the value set in the switching register. Features.

また、本発明の請求項３１〜３３に係る発明は、不揮発性記憶装置に関する発明であり、不揮発性メモリと、メモリコントローラと、を有し、外部のアクセス装置から与えられるコマンドと論理アドレスに応じて不揮発性メモリにデータを書き込み、及び読み出す不揮発性記憶装置であって、前記不揮発性メモリは、それぞれが少なくとも１つのセクタを含む複数の物理ブロックから成り、前記メモリコントローラによって逐次設定される切替レジスタを有し、前記メモリコントローラは、前記不揮発性メモリに対して読み書き制御を行う読み書き制御手段と、前記不揮発性メモリのアクセス先であるアドレスの管理を行うアドレス管理情報制御手段と、リードオンリーメモリとを有し、前記読み書き制御手段は、前記リードオンリーメモリに記憶されたパラメータを起動時に前記切替レジスタに設定し、前記不揮発性メモリは、前記切替レジスタに設定された値に基づき当該不揮発性メモリのアクセス態様を切り替えることを特徴とする。 The invention according to claims 31 to 33 of the present invention is an invention related to a nonvolatile memory device, and includes a nonvolatile memory and a memory controller in accordance with a command and a logical address given from an external access device. A nonvolatile storage device for writing and reading data to and from the nonvolatile memory, wherein the nonvolatile memory is composed of a plurality of physical blocks each including at least one sector and is sequentially set by the memory controller The memory controller includes: a read / write control unit that performs read / write control on the nonvolatile memory; an address management information control unit that manages an address that is an access destination of the nonvolatile memory; and a read-only memory; And the read / write control means includes the read-only memory. Stored parameters the set switching register at startup, the nonvolatile memory, and switches the access mode of the non-volatile memory based on the values set in the switching register.

この構成により、起動時において、メモリコントローラ内のリードオンリーメモリに予め記憶されたパラメータが自動的に切替レジスタに設定され、不揮発性メモリが前記パラメータ値に応じて不揮発性メモリの同時アクセス数を変更する。 With this configuration, at startup, the parameters stored in advance in the read-only memory in the memory controller are automatically set in the switch register, and the nonvolatile memory changes the number of simultaneous accesses to the nonvolatile memory according to the parameter value. To do.

また、本発明の請求項３４〜３６に係る発明は、不揮発性記憶装置を用いた不揮発性記憶システムに関する発明であり、アクセス装置と、不揮発性メモリと、メモリコントローラと、を有し、前記アクセス装置から与えられるコマンドと論理アドレスに応じて不揮発性メモリにデータを書き込み、及び読み出す不揮発性記憶システムであって、前記不揮発性メモリは、それぞれが少なくとも１つのセクタを含む複数の物理ブロックから成り、前記メモリコントローラによって逐次設定される切替レジスタを有し、前記メモリコントローラは、前記不揮発性メモリに対して読み書き制御を行う読み書き制御手段と、前記不揮発性メモリのアクセス先であるアドレスの管理を行うアドレス管理情報制御手段と、リードオンリーメモリＲＯＭとを有し、前記読み書き制御手段は、前記リードオンリーメモリＲＯＭに記憶されたパラメータを起動時に前記切替レジスタに設定し、前記不揮発性メモリは、前記切替レジスタに設定された値に基づき当該不揮発性メモリのアクセス態様を切り替えることを特徴とする。 The invention according to claims 34 to 36 of the present invention is an invention related to a nonvolatile storage system using a nonvolatile storage device, and includes an access device, a nonvolatile memory, and a memory controller. A nonvolatile storage system that writes and reads data to and from a nonvolatile memory according to a command and a logical address given from a device, wherein the nonvolatile memory includes a plurality of physical blocks each including at least one sector, A switching register sequentially set by the memory controller, wherein the memory controller performs read / write control means for performing read / write control on the nonvolatile memory and an address for managing an address that is an access destination of the nonvolatile memory; Management information control means and read-only memory ROM The read / write control unit sets a parameter stored in the read-only memory ROM in the switching register at startup, and the nonvolatile memory accesses the nonvolatile memory based on a value set in the switching register. It is characterized by switching.

また、本発明の請求項３７〜３９に係る発明は、不揮発性記憶装置に関する発明であり、不揮発性メモリと、メモリコントローラと、を有し、外部のアクセス装置から与えられるコマンドと論理アドレスに応じて不揮発性メモリにデータを書き込み、及び読み出す不揮発性記憶装置であって、前記不揮発性メモリは、それぞれが少なくとも１つのセクタを含む複数の物理ブロックから成り、前記メモリコントローラによって逐次設定される切替レジスタを有し、リードオンリーメモリもしくは所定の物理ブロック内に特別領域を有し、前記メモリコントローラは、前記不揮発性メモリに対して読み書き制御を行う読み書き制御手段と、前記不揮発性メモリのアクセス先であるアドレスの管理を行うアドレス管理情報制御手段とを有し、前記読み書き制御手段は、前記リードオンリーメモリに記憶されたパラメータを起動時に前記切替レジスタに設定し、前記不揮発性メモリは、前記リードオンリーメモリ若しくは前記特別領域に記憶されたパラメータを起動時に前記切替レジスタに設定すると共に、前記切替レジスタに設定された値に基づき当該不揮発性メモリのアクセス態様を切り替えることを特徴とする。 Further, the invention according to claims 37 to 39 of the present invention is an invention related to a nonvolatile memory device, which has a nonvolatile memory and a memory controller, and corresponds to a command and a logical address given from an external access device. A nonvolatile storage device for writing and reading data to and from the nonvolatile memory, wherein the nonvolatile memory is composed of a plurality of physical blocks each including at least one sector and is sequentially set by the memory controller A read-only memory or a special area in a predetermined physical block, and the memory controller is a read / write control means for performing read / write control on the nonvolatile memory, and an access destination of the nonvolatile memory Address management information control means for managing addresses, and The write control means sets the parameter stored in the read-only memory in the switching register at startup, and the nonvolatile memory stores the parameter stored in the read-only memory or the special area in the switching register at startup. In addition, the access mode of the nonvolatile memory is switched based on the value set in the switching register.

この構成により、起動時において、不揮発性メモリ内のリードオンリーメモリ若しくは所定の物理ブロック内の特別領域内に予め記憶されたパラメータが自動的に切替レジスタに設定され、不揮発性メモリが前記パラメータ値に応じて不揮発性メモリの同時アクセス数を変更する。 With this configuration, at startup, a parameter stored in advance in a read-only memory in a nonvolatile memory or a special area in a predetermined physical block is automatically set in the switching register, and the nonvolatile memory is set to the parameter value. The number of simultaneous accesses to the nonvolatile memory is changed accordingly.

また、本発明の請求項４０〜４２に係る発明は、不揮発性記憶装置を用いた不揮発性記憶システムに関する発明であり、アクセス装置と、不揮発性メモリと、メモリコントローラと、を有し、前記アクセス装置から与えられるコマンドと論理アドレスに応じて不揮発性メモリにデータを書き込み、及び読み出す不揮発性記憶システムであって、前記不揮発性メモリは、それぞれが少なくとも１つのセクタを含む複数の物理ブロックから成り、前記メモリコントローラによって逐次設定される切替レジスタを有し、リードオンリーメモリもしくは所定の物理ブロック内に特別領域を有し、前記メモリコントローラは、前記不揮発性メモリに対して読み書き制御を行う読み書き制御手段と、前記不揮発性メモリのアクセス先であるアドレスの管理を行うアドレス管理情報制御手段とを有し、前記読み書き制御手段は、前記リードオンリーメモリに記憶されたパラメータを起動時に前記切替レジスタに設定し、前記不揮発性メモリは、前記リードオンリーメモリ若しくは前記特別領域に記憶されたパラメータを起動時に前記切替レジスタに設定すると共に、前記切替レジスタに設定された値に基づき当該不揮発性メモリのアクセス態様を切り替えることを特徴とする。 The invention according to claims 40 to 42 of the present invention relates to a nonvolatile storage system using a nonvolatile storage device, and includes an access device, a nonvolatile memory, and a memory controller, and the access A nonvolatile storage system that writes and reads data to and from a nonvolatile memory according to a command and a logical address given from a device, wherein the nonvolatile memory includes a plurality of physical blocks each including at least one sector, A switching register sequentially set by the memory controller, a read-only memory or a special area in a predetermined physical block, and the memory controller includes read / write control means for performing read / write control on the nonvolatile memory; , Management of addresses to which the nonvolatile memory is accessed Address management information control means for performing, wherein the read / write control means sets the parameters stored in the read-only memory in the switching register at startup, and the non-volatile memory is the read-only memory or the special area Are set in the switching register at startup, and the access mode of the nonvolatile memory is switched based on the value set in the switching register.

以下、本発明の実施の形態について、図面を用いて説明する。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.

（実施の形態）
図１は、本発明の実施の形態に於ける不揮発性記憶装置の実施方法を示したブロック図である。図１において、１００はメモリコントローラ１１３を介して不揮発性メモリ１１４にユーザデータ（以降、単にデータとする）の読み書き命令と論理アドレスの送信とデータの送受信を行うアクセス装置、１０１はホストＩ／Ｆ部、１０２はメモリコントローラ１１３内全体の制御を行うＣＰＵ、１０３はＣＰＵ１０２のワーク用ＲＡＭ、１０４はＣＰＵ１０２が実行するプログラムを格納したリードオンリーメモリ（ＲＯＭ）、１０５は切替レジスタ、１０６はアクセス装置１００から転送された各種データを記憶するバッファ、１０７はアドレスビット制御部、１０８はＳＲＡＭ、１０９は不揮発性メモリ１１４内において消去単位である物理ブロックの状態、即ち有効なデータが記憶されているかどうか等のステータスフラグを記憶する物理領域管理テーブル、１１０はアクセス装置１００が転送した論理アドレスを不揮発性メモリ１１４内の物理アドレスに変換する論理物理変換テーブル、１１１は物理領域管理テーブル１０９と論理物理変換テーブル１１０に基づいて不揮発性メモリ１１４のアドレスを管理するアドレス管理情報制御部、１１２は不揮発性メモリ１１４の読み書き等を行う読み書き制御部、１１３は構成要素の１０１から１１２をまとめたメモリコントローラ、１１４はフラッシュメモリ等で実現した不揮発性メモリ、１１５はメモリコントローラ１１３と不揮発性メモリ１１４をまとめた不揮発性記憶装置である。 (Embodiment)
FIG. 1 is a block diagram showing a method for implementing a nonvolatile memory device according to an embodiment of the present invention. In FIG. 1, reference numeral 100 denotes an access device that transmits / receives user data (hereinafter simply referred to as data) read / write commands, logical addresses, and data transmission / reception to / from the nonvolatile memory 114 via the memory controller 113, and 101 denotes a host I / F. , 102 is a CPU that controls the entire memory controller 113, 103 is a work RAM for the CPU 102, 104 is a read-only memory (ROM) that stores a program executed by the CPU 102, 105 is a switching register, and 106 is an access device 100. Buffer for storing various data transferred from the memory, 107 is an address bit control unit, 108 is an SRAM, 109 is a state of a physical block as an erase unit in the nonvolatile memory 114, that is, whether or not valid data is stored, etc. Remember the status flag A physical area management table 110 is a logical physical conversion table that converts a logical address transferred by the access device 100 into a physical address in the nonvolatile memory 114, and 111 is nonvolatile based on the physical area management table 109 and the logical physical conversion table 110. An address management information control unit that manages the address of the memory 114, 112 is a read / write control unit that reads and writes the nonvolatile memory 114, 113 is a memory controller that collects the constituent elements 101 to 112, and 114 is a flash memory or the like. A nonvolatile memory 115 is a nonvolatile storage device in which the memory controller 113 and the nonvolatile memory 114 are combined.

図２は、不揮発性メモリ１１４のアクセス形態を示した説明図である。同図（Ａ）は高速モード時でのアクセス形態を表す。一方（Ｂ）は省電力モード時でのアクセス形態を表す。図２において物理ブロック０〜Ｍが８個のバンク（Ｂ０〜Ｂ７）に均等に配列されており、各バンクは独立に読み書き及び消去できる。バンクＢ０〜Ｂ３をプレーン０，バンクＢ４〜Ｂ７をプレーン１とする。不揮発性メモリ１１４はメモリコントローラ１１３とＩ／Ｏバス及び各種制御ラインで接続されている。 FIG. 2 is an explanatory diagram showing an access mode of the nonvolatile memory 114. FIG. 4A shows an access form in the high speed mode. On the other hand, (B) represents an access mode in the power saving mode. In FIG. 2, physical blocks 0 to M are equally arranged in eight banks (B0 to B7), and each bank can be read / written and erased independently. Banks B0 to B3 are plane 0, and banks B4 to B7 are plane 1. The nonvolatile memory 114 is connected to the memory controller 113 through an I / O bus and various control lines.

図３は、アドレスビット制御部１０７を示した回路図である。図３において、３００及び３０１はセレクタである。 FIG. 3 is a circuit diagram showing the address bit control unit 107. In FIG. 3, reference numerals 300 and 301 denote selectors.

図４は、メモリコントローラ１１３内部のアドレスと不揮発性メモリ１１４内部でのアドレスの関係を表したビットマップである。同図（Ａ）は高速モード時での関係であり、（Ｂ）は省電力モード時での関係を表す。 FIG. 4 is a bit map showing the relationship between the address inside the memory controller 113 and the address inside the nonvolatile memory 114. FIG. 4A shows the relationship in the high speed mode, and FIG. 4B shows the relationship in the power saving mode.

表１は、不揮発性メモリ１１４のアドレスマップを示す表である。表１において、Ｉ／Ｏ１〜Ｉ／Ｏ８は８ビットのＩ／Ｏバスのビット配列を表す。１ｓｔＣｙｃｌｅから５ｔｈＣｙｃｌｅはメモリコントローラ１１３が不揮発性メモリ１１４にアドレス指定する際の順番を表し、１ｓｔＣｙｃｌｅから順にアドレス指定することとなる。ＣｏｌｕｍｎＡｄｄｒｅｓｓは物理ブロックを構成するページ内の各バイトを指定するアドレスである。なおページはデータ領域が２ｋＢｙｔｅ、管理領域が６４Ｂｙｔｅ、合計２１１２Ｂｙｔｅからなる。ＲｏｗＡｄｄｒｅｓｓは各ページを指定するアドレスであり、通常Ａ１４〜Ａ１２の３ビット分はバンクＢ０〜Ｂ７を指定する。具体的には、表２に示す関係となる。 Table 1 is a table showing an address map of the nonvolatile memory 114. In Table 1, I / O1 to I / O8 represent a bit arrangement of an 8-bit I / O bus. The 1st cycle to the 5th cycle indicate the order in which the memory controller 113 addresses the nonvolatile memory 114, and the addresses are specified in order from the 1st cycle. Column Address is an address that designates each byte in the page constituting the physical block. The page has a data area of 2 kbytes, a management area of 64 bytes, and a total of 2112 bytes. RowAddress is an address for designating each page, and normally the banks B0 to B7 are designated for 3 bits of A14 to A12. Specifically, the relationship shown in Table 2 is obtained.

以上のように構成された、本発明の実施の形態における、不揮発性記憶装置について、以下図１〜４及び表１を用いて、その動作について説明する。基本的な読み書き制御やアドレス管理制御については一般的に知られている動作と同様であるので、特徴的な動作についてのみ説明する。特徴的な構成要件は切替レジスタ１０５とアドレスビット制御部１０７である。切替レジスタ１０５はアクセス装置１００が指定するパラメータを一時的に記憶するものであり、例えばＳＲＡＭやフリップフロップなどの回路素子で実現することができる。電源ＯＮ直後、即ち起動時においては、切替レジスタ１０５は値０にリセットされた状態となっている。この値は、読み書き制御部１１２内のアドレスビット制御部１０７に転送され、セレクタ３００と３０１のセレクト入力Ｓに入力される。セレクト入力Ｓは値０の時にＡ入力を、値１の時にＢ入力を選択するものとする。従って起動時においては、セレクタ３００はａ［３０：１５］を選択し、セレクタ３０１はａ１４を選択し、それぞれ表１に示した不揮発性メモリのＲｏｗＡｄｄｒｅｓｓのＡ［３０：１５］及びＡ１４に設定される。ａ［１３：１２］は切替レジスタ１０５のパラメータ値に関わらず、常にＡ［１３：１２］に接続されることになる。図４（Ａ）は前述した動作に対応したアドレスの関係図である。即ちメモリコントローラ１１３でのアドレスａ［３０：１２］は、そのまま不揮発性メモリ１１４内部でのアドレス（ＲｏｗＡｄｄｒｅｓｓ）のＡ［３０：１２］に対応する。図２（Ａ）は前述した動作に対応したアクセス形態を表したものである。即ちメモリコントローラ１１３がアドレスの小さい方から大きい方に順にアクセスした場合は、破線矢印で示したアクセス順となる。従って起動時において、アクセス装置１００が切替レジスタ１０５に何も設定しない場合は、図２（Ａ）に示したように、８バンク全てを使用する形態でアクセスされることとなり、高速にアクセスすることが可能となる。但し、８個の物理ブロックを同時にアクセスすることになるので、消費電力（ピーク電力）が大きくなってしまう。 The operation of the nonvolatile memory device configured as described above according to the embodiment of the present invention will be described below with reference to FIGS. Since basic read / write control and address management control are the same as generally known operations, only characteristic operations will be described. Characteristic configuration requirements are a switching register 105 and an address bit control unit 107. The switching register 105 temporarily stores parameters designated by the access device 100 and can be realized by circuit elements such as SRAM and flip-flop, for example. Immediately after the power is turned on, that is, at the time of start-up, the switching register 105 is reset to a value of 0. This value is transferred to the address bit control unit 107 in the read / write control unit 112 and input to the select input S of the selectors 300 and 301. The select input S selects the A input when the value is 0, and selects the B input when the value is 1. Accordingly, at startup, the selector 300 selects a [30:15], the selector 301 selects a14, and is set to A [30:15] and A14 of the row address of the nonvolatile memory shown in Table 1, respectively. The Regardless of the parameter value of the switching register 105, a [13:12] is always connected to A [13:12]. FIG. 4A is an address relationship diagram corresponding to the above-described operation. That is, the address a [30:12] in the memory controller 113 corresponds to the address (RowAddress) A [30:12] in the nonvolatile memory 114 as it is. FIG. 2A shows an access form corresponding to the above-described operation. That is, when the memory controller 113 accesses in order from the smallest address to the largest address, the access order is as indicated by the dashed arrows. Accordingly, when the access device 100 does not set anything in the switching register 105 at the time of start-up, as shown in FIG. Is possible. However, since eight physical blocks are accessed simultaneously, power consumption (peak power) increases.

次に、起動後、アクセス装置１００が切替レジスタ１０５に値１を設定した場合について説明する。図３において、切替レジスタ１０５に設定されたパラメータ値（値１）がセレクタ３００及び３０１のセレクト入力Ｓに入力され、Ｂ入力を選択することとなる。セレクタ３００はａ［２９：１４］を選択し、セレクタ３０１はａ３０を選択し、それぞれ表１に示した不揮発性メモリのＲｏｗＡｄｄｒｅｓｓのＡ［３０：１５］及びＡ１４に設定される。ａ［１３：１２］は切替レジスタ１０５のパラメータ値に関わらず、常にＡ［１３：１２］に接続されることになる。図４（Ｂ）は前述した動作に対応したアドレスの関係図である。図２（Ｂ）は前述した動作に対応したアクセス形態を表したものである。即ちメモリコントローラ１１３がアドレスの小さい方から大きい方に順にアクセスした場合は、実線矢印で示したアクセス順となる。即ちメモリコントローラ１１３がアドレスの小さい方から順にアクセスした場合、４バンク毎に使用する形態でアクセスされることとなり、図２（Ａ）と比較すると低速ではあるが、同時にアクティブとなる物理ブロック数が少ない分、消費電力（ピーク電力）を小さく抑えることが可能となる。 Next, a case where the access device 100 sets the value 1 in the switching register 105 after activation will be described. In FIG. 3, the parameter value (value 1) set in the switching register 105 is input to the select input S of the selectors 300 and 301, and the B input is selected. The selector 300 selects a [29:14], and the selector 301 selects a30, which are set to A [30:15] and A14 of the row address of the nonvolatile memory shown in Table 1, respectively. Regardless of the parameter value of the switching register 105, a [13:12] is always connected to A [13:12]. FIG. 4B is an address relationship diagram corresponding to the above-described operation. FIG. 2B shows an access form corresponding to the above-described operation. That is, when the memory controller 113 accesses in order from the smallest address to the largest address, the access order is as indicated by the solid line arrows. That is, when the memory controller 113 accesses in order from the smallest address, the memory controller 113 is accessed in the form of using every 4 banks, and although the speed is lower than that in FIG. Therefore, the power consumption (peak power) can be kept small.

なお、切替レジスタ１０５及びアドレスビット制御部１０７は不揮発性メモリ１１４内部にあっても構わない。この場合は、メモリコントローラ１１３はアクセス装置１００からの切替指定に応じて、不揮発性メモリ１１４内部の切替レジスタに所定のパラメータ値を設定する。不揮発性メモリ１１４は、メモリコントローラ１１３がメモリバスを介して指定したアドレスａ［３０：１２］に対して、その内部にあるアドレスビット制御部によって、図４に示すビット操作によってアドレスを変換することができる。 Note that the switching register 105 and the address bit control unit 107 may be inside the nonvolatile memory 114. In this case, the memory controller 113 sets a predetermined parameter value in the switching register in the nonvolatile memory 114 in accordance with the switching designation from the access device 100. The non-volatile memory 114 converts the address a [30:12] designated by the memory controller 113 via the memory bus by the bit operation shown in FIG. Can do.

また、アクセス装置１００が、高速モード／省電力モードを切り替えるのではなく、予め不揮発性記憶装置１１５内の不揮発性記憶デバイス、例えばＲＯＭ１０４や不揮発性メモリ１１４のある物理ブロック内に、高速モード／省電力モードを切り替える為のパラメータ値を記憶しておき、起動時に当該パラメータを切替レジスタ１０５に読み込むようにしてもよい。また不揮発性メモリ１１４内部にＲＯＭを実装しておき、当該ＲＯＭにパラメータを記憶しておき、メモリコントローラ１１３からの指示に応じて当該ＲＯＭからパラメータを読み出すようにしてもよい。 In addition, the access device 100 does not switch between the high speed mode and the power saving mode, but the high speed mode / power saving mode is stored in the physical block in which the nonvolatile storage device 115 in advance, for example, the ROM 104 or the nonvolatile memory 114 is provided. A parameter value for switching the power mode may be stored, and the parameter may be read into the switching register 105 at the time of activation. Alternatively, a ROM may be mounted in the nonvolatile memory 114, parameters may be stored in the ROM, and the parameters may be read from the ROM in response to an instruction from the memory controller 113.

なお、本発明の実施の形態においては、８バンク／４バンクの切替を説明したが、任意の数Ｘバンク／Ｙバンク（ＸはＹの倍数）に拡張することは比較的容易であり、本発明に含まれるものとする。 In the embodiment of the present invention, switching of 8 banks / 4 banks has been described, but it is relatively easy to expand to an arbitrary number X banks / Y banks (X is a multiple of Y). It shall be included in the invention.

本発明にかかる不揮発性記憶装置は、使用用途、例えば高速性を重要視する用途、あるいは省電力を重視する用途等に応じて、適応的にフラッシュメモリのアクセス形態を簡単に切り替え制御できるものであり、静止画記録再生装置や動画記録再生装置等のポータブルＡＶ機器、あるいは携帯電話等のポータブル通信機器の記録媒体として有益である。 The nonvolatile memory device according to the present invention can adaptively switch and control the flash memory access mode in an adaptive manner according to the usage, for example, high-speed performance or power saving. In addition, it is useful as a recording medium for portable AV devices such as still image recording / playback devices and moving image recording / playback devices, or portable communication devices such as mobile phones.

本発明の実施の形態に於ける不揮発性記憶装置の実施方法を示したブロック図The block diagram which showed the implementation method of the non-volatile memory device in embodiment of this invention （Ａ）高速モード時における、不揮発性メモリ１１４のアクセス形態を示した説明図、（Ｂ）省電力モード時における、不揮発性メモリ１１４のアクセス形態を示した説明図(A) An explanatory diagram showing an access mode of the nonvolatile memory 114 in the high speed mode, (B) an explanatory diagram showing an access mode of the nonvolatile memory 114 in the power saving mode. アドレスビット制御部１０７を示した回路図Circuit diagram showing the address bit control unit 107 （Ａ）高速モード時における、メモリコントローラ１１３内部のアドレスと不揮発性メモリ１１４内部のアドレスの関係を表したビットマップ図、（Ｂ）省電力モード時における、メモリコントローラ１１３内部のアドレスと不揮発性メモリ１１４内部のアドレスの関係を表したビットマップ図(A) Bit map showing the relationship between the internal address of the memory controller 113 and the internal address of the nonvolatile memory 114 in the high-speed mode. (B) Internal address of the memory controller 113 and the nonvolatile memory in the power saving mode. 114 Bitmap showing the internal address relationship

符号の説明Explanation of symbols

１００アクセス装置
１０１ホストＩ／Ｆ部
１０２ＣＰＵ
１０３、１０８ＲＡＭ
１０４ＲＯＭ
１０５切替レジスタ
１０６バッファ
１０７アドレスビット制御部
１０９物理領域管理テーブル
１１０論理物理変換テーブル
１１１アドレス管理情報制御部
１１２読み書き制御部
１１３メモリコントローラ
１１４不揮発性メモリ（フラッシュメモリ等）
１１５不揮発性記憶装置 100 Access Device 101 Host I / F Unit 102 CPU
103, 108 RAM
104 ROM
105 switching register 106 buffer 107 address bit control unit 109 physical area management table 110 logical physical conversion table 111 address management information control unit 112 read / write control unit 113 memory controller 114 nonvolatile memory (flash memory, etc.)
115 Nonvolatile storage device

Claims

外部のアクセス装置から与えられるコマンドと論理アドレスに応じて不揮発性メモリにデータを書き込み、及び読み出すメモリコントローラであって、
前記不揮発性メモリに対して読み書き制御を行う読み書き制御手段と、前記不揮発性メモリのアクセス先であるアドレスの管理を行うアドレス管理情報制御手段と、前記外部のアクセス装置によって逐次設定される切替レジスタとを有し、
前記読み書き制御手段は、前記切替レジスタに設定された値に基づき前記不揮発性メモリのアクセス態様を切り替えることを特徴とするメモリコントローラ。 A memory controller that writes data to and reads data from a nonvolatile memory in accordance with a command and a logical address given from an external access device,
A read / write control means for performing read / write control on the nonvolatile memory; an address management information control means for managing an address that is an access destination of the nonvolatile memory; and a switching register sequentially set by the external access device; Have
The memory controller, wherein the read / write control means switches an access mode of the nonvolatile memory based on a value set in the switching register.

前記読み書き制御手段が、前記切替レジスタに設定された値に基づき前記不揮発性メモリの同時アクセス数を制御することを特徴とする請求項１記載のメモリコントローラ。 The memory controller according to claim 1, wherein the read / write control unit controls the number of simultaneous accesses to the nonvolatile memory based on a value set in the switching register.

前記読み書き制御手段が、前記切替レジスタに設定された値に基づき前記不揮発性メモリを同時にアクセスできるマルチバンク数を切り替えることを特徴とする請求項２記載のメモリコントローラ。 3. The memory controller according to claim 2, wherein the read / write control unit switches the number of multi-banks that can simultaneously access the nonvolatile memory based on a value set in the switching register.

不揮発性メモリと、メモリコントローラと、を有し、外部のアクセス装置から与えられるコマンドと論理アドレスに応じて不揮発性の主記憶メモリにデータを書き込み、及び読み出す不揮発性記憶装置であって、
前記不揮発性メモリは、
それぞれが少なくとも１つのセクタを含む複数の物理ブロックから成り、
前記メモリコントローラは、
前記不揮発性メモリに対して読み書き制御を行う読み書き制御手段と、前記不揮発性メモリのアクセス先であるアドレスの管理を行うアドレス管理情報制御手段と、前記外部のアクセス装置によって逐次設定される切替レジスタを有し、
前記読み書き制御手段は、前記切替レジスタに設定された値に基づき前記不揮発性メモリのアクセス態様を切り替えることを特徴とする不揮発性記憶装置。 A non-volatile storage device having a non-volatile memory and a memory controller, and writing and reading data to and from a non-volatile main storage memory according to a command and a logical address given from an external access device,
The nonvolatile memory is
Each consisting of a plurality of physical blocks containing at least one sector;
The memory controller is
Read / write control means for performing read / write control on the nonvolatile memory, address management information control means for managing an address that is an access destination of the nonvolatile memory, and a switching register sequentially set by the external access device Have
The non-volatile memory device, wherein the read / write control unit switches an access mode of the non-volatile memory based on a value set in the switching register.

前記読み書き制御手段が、前記切替レジスタに設定された値に基づき前記不揮発性メモリの同時アクセス数を制御することを特徴とする請求項４記載の不揮発性記憶装置。 The nonvolatile memory device according to claim 4, wherein the read / write control unit controls the number of simultaneous accesses to the nonvolatile memory based on a value set in the switching register.

前記読み書き制御手段が、前記切替レジスタに設定された値に基づき前記不揮発性メモリを同時にアクセスできるマルチバンク数を切り替えることを特徴とする請求項５記載の不揮発性記憶装置。 6. The nonvolatile memory device according to claim 5, wherein the read / write control means switches the number of multi-banks that can simultaneously access the nonvolatile memory based on a value set in the switching register.

アクセス装置と、不揮発性メモリと、メモリコントローラと、を有し、前記アクセス装置から与えられるコマンドと論理アドレスに応じて不揮発性メモリにデータを書き込み、及び読み出す不揮発性記憶システムであって、
前記不揮発性メモリは、
それぞれが少なくとも１つのセクタを含む複数の物理ブロックから成り、
前記メモリコントローラは、
前記不揮発性メモリに対して読み書き制御を行う読み書き制御手段と、前記不揮発性メモリのアクセス先であるアドレスの管理を行うアドレス管理情報制御手段と、前記外部のアクセス装置によって逐次設定される切替レジスタを有し、
前記読み書き制御手段は、前記切替レジスタに設定された値に基づき前記不揮発性メモリのアクセス態様を切り替えることを特徴とする不揮発性記憶システム。 A non-volatile storage system having an access device, a non-volatile memory, and a memory controller, and writing and reading data to and from the non-volatile memory according to a command and a logical address given from the access device,
The nonvolatile memory is
Each consisting of a plurality of physical blocks containing at least one sector;
The memory controller is
Read / write control means for performing read / write control on the nonvolatile memory, address management information control means for managing an address that is an access destination of the nonvolatile memory, and a switching register sequentially set by the external access device Have
The non-volatile storage system, wherein the read / write control unit switches an access mode of the non-volatile memory based on a value set in the switching register.

前記読み書き制御手段が、前記切替レジスタに設定された値に基づき前記不揮発性メモリの同時アクセス数を制御することを特徴とする請求項７記載の不揮発性記憶システム。 The nonvolatile memory system according to claim 7, wherein the read / write control unit controls the number of simultaneous accesses to the nonvolatile memory based on a value set in the switching register.

前記読み書き制御手段が、前記切替レジスタに設定された値に基づき前記不揮発性メモリを同時にアクセスできるマルチバンク数を切り替えることを特徴とする請求項８記載の不揮発性記憶システム。 9. The nonvolatile storage system according to claim 8, wherein the read / write control unit switches the number of multi-banks that can simultaneously access the nonvolatile memory based on a value set in the switching register.

不揮発性メモリと、メモリコントローラと、を有し、外部のアクセス装置から与えられるコマンドと論理アドレスに応じて不揮発性メモリにデータを書き込み、及び読み出す不揮発性記憶装置であって、
前記不揮発性メモリは、
それぞれが少なくとも１つのセクタを含む複数の物理ブロックから成り、前記メモリコントローラによって逐次設定される切替レジスタを有し、
前記メモリコントローラは、
前記不揮発性メモリに対して読み書き制御を行うと共に前記外部のアクセス装置の指示に基づき前記不揮発性メモリの内の前記切替レジスタに所定の値を設定する読み書き制御手段と、前記不揮発性メモリのアクセス先であるアドレスの管理を行うアドレス管理情報制御手段とを有し、
前記不揮発性メモリは、前記切替レジスタに設定された値に基づき当該不揮発性メモリのアクセス態様を切り替えることを特徴とする不揮発性記憶装置。 A non-volatile memory device having a non-volatile memory and a memory controller, and writing and reading data to and from the non-volatile memory in accordance with a command and a logical address given from an external access device,
The nonvolatile memory is
Each comprising a plurality of physical blocks including at least one sector, and having a switching register that is sequentially set by the memory controller;
The memory controller is
Read / write control for the non-volatile memory and setting a predetermined value in the switching register of the non-volatile memory based on an instruction from the external access device, and an access destination of the non-volatile memory Address management information control means for managing the address,
The nonvolatile memory device switches an access mode of the nonvolatile memory based on a value set in the switching register.

前記不揮発性メモリが、前記切替レジスタに設定された値に基づき当該不揮発性メモリの同時アクセス数を制御することを特徴とする請求項１０記載の不揮発性記憶装置。 The nonvolatile memory device according to claim 10, wherein the nonvolatile memory controls the number of simultaneous accesses to the nonvolatile memory based on a value set in the switching register.

前記不揮発性メモリが、前記切替レジスタに設定された値に基づき当該不揮発性メモリを同時にアクセスできるマルチバンク数を切り替えることを特徴とする請求項１１記載の不揮発性記憶装置。 12. The nonvolatile memory device according to claim 11, wherein the nonvolatile memory switches the number of multi-banks that can simultaneously access the nonvolatile memory based on a value set in the switching register.

アクセス装置と、不揮発性メモリと、メモリコントローラと、を有し、
前記アクセス装置から与えられるコマンドと論理アドレスに応じて不揮発性メモリにデータを書き込み、及び読み出す不揮発性記憶システムであって、
前記不揮発性メモリは、
それぞれが少なくとも１つのセクタを含む複数の物理ブロックから成り、前記メモリコントローラによって逐次設定される切替レジスタを有し、
前記メモリコントローラは、
前記不揮発性メモリに対して読み書き制御を行うと共に前記外部のアクセス装置の指示に基づき前記不揮発性メモリの内の前記切替レジスタに所定の値を設定する読み書き制御手段と、前記不揮発性メモリのアクセス先であるアドレスの管理を行うアドレス管理情報制御手段とを有し、
前記不揮発性メモリは、前記切替レジスタに設定された値に基づき当該不揮発性メモリのアクセス態様を切り替えることを特徴とする不揮発性記憶システム。 An access device, a non-volatile memory, and a memory controller;
A nonvolatile storage system that writes data to and reads data from a nonvolatile memory according to a command and a logical address given from the access device,
The nonvolatile memory is
Each comprising a plurality of physical blocks including at least one sector, and having a switching register that is sequentially set by the memory controller;
The memory controller is
Read / write control for the non-volatile memory and setting a predetermined value in the switching register of the non-volatile memory based on an instruction from the external access device, and an access destination of the non-volatile memory Address management information control means for managing the address,
The non-volatile memory system switches the access mode of the non-volatile memory based on a value set in the switching register.

前記不揮発性メモリが、前記切替レジスタに設定された値に基づき当該不揮発性メモリの同時アクセス数を制御することを特徴とする請求項１３記載の不揮発性記憶システム。 14. The nonvolatile memory system according to claim 13, wherein the nonvolatile memory controls the number of simultaneous accesses to the nonvolatile memory based on a value set in the switching register.

前記不揮発性メモリが、前記切替レジスタに設定された値に基づき当該不揮発性メモリを同時にアクセスできるマルチバンク数を切り替えることを特徴とする請求項１４記載の不揮発性記憶システム。 15. The nonvolatile memory system according to claim 14, wherein the nonvolatile memory switches the number of multi-banks that can simultaneously access the nonvolatile memory based on a value set in the switching register.

外部のアクセス装置から与えられるコマンドと論理アドレスに応じて不揮発性メモリにデータを書き込み、及び読み出すメモリコントローラであって、
前記不揮発性メモリに対して読み書き制御を行う読み書き制御手段と、前記不揮発性メモリのアクセス先であるアドレスの管理を行うアドレス管理情報制御手段と、リードオンリーメモリと、前記リードオンリーメモリに記憶されたパラメータを起動時に自動的に設定される切替レジスタとを有し、
前記読み書き制御手段は、前記切替レジスタに設定された値に基づき前記不揮発性メモリのアクセス態様を切り替えることを特徴とするメモリコントローラ。 A memory controller that writes data to and reads data from a nonvolatile memory in accordance with a command and a logical address given from an external access device,
Read / write control means for performing read / write control on the non-volatile memory, address management information control means for managing addresses that are access destinations of the non-volatile memory, read-only memory, and read-only memory stored in the read-only memory A switching register that automatically sets parameters at startup,
The memory controller, wherein the read / write control means switches an access mode of the nonvolatile memory based on a value set in the switching register.

前記読み書き制御手段が、前記切替レジスタに設定された値に基づき前記不揮発性メモリの同時アクセス数を制御することを特徴とする請求項１６記載のメモリコントローラ。 The memory controller according to claim 16, wherein the read / write control unit controls the number of simultaneous accesses to the nonvolatile memory based on a value set in the switching register.

前記読み書き制御手段が、前記切替レジスタに設定された値に基づき前記不揮発性メモリを同時にアクセスできるマルチバンク数を切り替えることを特徴とする請求項１７記載のメモリコントローラ。 18. The memory controller according to claim 17, wherein the read / write control unit switches the number of multi-banks that can simultaneously access the nonvolatile memory based on a value set in the switching register.

不揮発性メモリと、メモリコントローラと、を有し、外部のアクセス装置から与えられるコマンドと論理アドレスに応じて不揮発性メモリにデータを書き込み、及び読み出す不揮発性記憶装置であって、
前記不揮発性メモリは、
それぞれが少なくとも１つのセクタを含む複数の物理ブロックから成り、
前記メモリコントローラは、
前記不揮発性メモリに対して読み書き制御を行う読み書き制御手段と、前記不揮発性メモリのアクセス先であるアドレスの管理を行うアドレス管理情報制御手段と、リードオンリーメモリと、前記リードオンリーメモリに記憶されたパラメータを起動時に自動的に設定される切替レジスタとを有し、
前記読み書き制御手段は、前記切替レジスタに設定された値に基づき前記不揮発性メモリのアクセス態様を切り替えることを特徴とする不揮発性記憶装置。 A non-volatile memory device having a non-volatile memory and a memory controller, and writing and reading data to and from the non-volatile memory in accordance with a command and a logical address given from an external access device,
The nonvolatile memory is
Each consisting of a plurality of physical blocks containing at least one sector;
The memory controller is
Read / write control means for performing read / write control on the non-volatile memory, address management information control means for managing addresses that are access destinations of the non-volatile memory, read-only memory, and read-only memory stored in the read-only memory A switching register that automatically sets parameters at startup,
The non-volatile memory device, wherein the read / write control unit switches an access mode of the non-volatile memory based on a value set in the switching register.

前記読み書き制御手段が、前記切替レジスタに設定された値に基づき前記不揮発性メモリの同時アクセス数を制御することを特徴とする請求項１９記載の不揮発性記憶装置。 The nonvolatile memory device according to claim 19, wherein the read / write control unit controls the number of simultaneous accesses to the nonvolatile memory based on a value set in the switching register.

前記読み書き制御手段が、前記切替レジスタに設定された値に基づき前記不揮発性メモリを同時にアクセスできるマルチバンク数を切り替えることを特徴とする請求項２０記載の不揮発性記憶装置。 21. The nonvolatile memory device according to claim 20, wherein the read / write control unit switches the number of multi-banks that can simultaneously access the nonvolatile memory based on a value set in the switching register.

アクセス装置と、不揮発性メモリと、メモリコントローラと、を有し、前記アクセス装置から与えられるコマンドと論理アドレスに応じて不揮発性メモリにデータを書き込み、及び読み出す不揮発性記憶システムであって、
前記不揮発性メモリは、
それぞれが少なくとも１つのセクタを含む複数の物理ブロックから成り、
前記メモリコントローラは、
前記不揮発性メモリに対して読み書き制御を行う読み書き制御手段と、前記不揮発性メモリのアクセス先であるアドレスの管理を行うアドレス管理情報制御手段と、リードオンリーメモリと、前記リードオンリーメモリに記憶されたパラメータを起動時に自動的に設定される切替レジスタとを有し、
前記読み書き制御手段は、前記切替レジスタに設定された値に基づき前記不揮発性メモリのアクセス態様を切り替えることを特徴とする不揮発性記憶システム。 A non-volatile storage system having an access device, a non-volatile memory, and a memory controller, and writing and reading data to and from the non-volatile memory according to a command and a logical address given from the access device,
The nonvolatile memory is
Each consisting of a plurality of physical blocks containing at least one sector;
The memory controller is
Read / write control means for performing read / write control on the non-volatile memory, address management information control means for managing addresses that are access destinations of the non-volatile memory, read-only memory, and read-only memory stored in the read-only memory A switching register that automatically sets parameters at startup,
The non-volatile storage system, wherein the read / write control unit switches an access mode of the non-volatile memory based on a value set in the switching register.

前記読み書き制御手段が、前記切替レジスタに設定された値に基づき前記不揮発性メモリの同時アクセス数を制御することを特徴とする請求項２２記載の不揮発性記憶システム。 23. The nonvolatile memory system according to claim 22, wherein the read / write control unit controls the number of simultaneous accesses to the nonvolatile memory based on a value set in the switching register.

前記読み書き制御手段が、前記切替レジスタに設定された値に基づき前記不揮発性メモリを同時にアクセスできるマルチバンク数を切り替えることを特徴とする請求項２３記載の不揮発性記憶システム。 24. The nonvolatile memory system according to claim 23, wherein the read / write control unit switches the number of multibanks that can simultaneously access the nonvolatile memory based on a value set in the switching register.

不揮発性メモリと、メモリコントローラと、を有し、外部のアクセス装置から与えられるコマンドと論理アドレスに応じて不揮発性メモリにデータを書き込み、及び読み出す不揮発性記憶装置であって、
前記不揮発性メモリは、
それぞれが少なくとも１つのセクタを含む複数の物理ブロックから成り、リードオンリーメモリＲＯＭもしくは所定の物理ブロック内に特別領域を有し、
前記メモリコントローラは、
前記不揮発性メモリに対して読み書き制御を行う読み書き制御手段と、前記不揮発性メモリのアクセス先であるアドレスの管理を行うアドレス管理情報制御手段と、前記不揮発性メモリ内の前記リードオンリーメモリ若しくは前記特別領域に記憶されたパラメータを起動時に自動的に設定される切替レジスタとを有し、
前記読み書き制御手段は、前記切替レジスタに設定された値に基づき前記不揮発性メモリのアクセス態様を切り替えることを特徴とする不揮発性記憶装置。 A non-volatile memory device having a non-volatile memory and a memory controller, and writing and reading data to and from the non-volatile memory in accordance with a command and a logical address given from an external access device,
The nonvolatile memory is
Each consisting of a plurality of physical blocks including at least one sector, having a special area in a read only memory ROM or a predetermined physical block;
The memory controller is
Read / write control means for performing read / write control on the nonvolatile memory, address management information control means for managing an address that is an access destination of the nonvolatile memory, the read-only memory in the nonvolatile memory or the special memory A switching register that is automatically set at startup of parameters stored in the area,
The non-volatile memory device, wherein the read / write control unit switches an access mode of the non-volatile memory based on a value set in the switching register.

前記読み書き制御手段が、前記切替レジスタに設定された値に基づき前記不揮発性メモリの同時アクセス数を制御することを特徴とする請求項２５記載の不揮発性記憶装置。 26. The nonvolatile memory device according to claim 25, wherein the read / write control unit controls the number of simultaneous accesses to the nonvolatile memory based on a value set in the switching register.

前記読み書き制御手段が、前記切替レジスタに設定された値に基づき前記不揮発性メモリを同時にアクセスできるマルチバンク数を切り替えることを特徴とする請求項２６記載の不揮発性記憶装置。 27. The nonvolatile memory device according to claim 26, wherein the read / write control means switches the number of multi-banks that can simultaneously access the nonvolatile memory based on a value set in the switching register.

アクセス装置と、不揮発性メモリと、メモリコントローラと、を有し、前記アクセス装置から与えられるコマンドと論理アドレスに応じて不揮発性メモリにデータを書き込み、及び読み出す不揮発性記憶システムであって、
前記不揮発性メモリは、
それぞれが少なくとも１つのセクタを含む複数の物理ブロックから成り、リードオンリーメモリＲＯＭもしくは所定の物理ブロック内に特別領域を有し、
前記メモリコントローラは、
前記不揮発性メモリに対して読み書き制御を行う読み書き制御手段と、前記不揮発性メモリのアクセス先であるアドレスの管理を行うアドレス管理情報制御手段と、前記不揮発性メモリ内の前記リードオンリーメモリに記憶されたパラメータを起動時に自動的に設定される切替レジスタとを有し、
前記読み書き制御手段は、前記切替レジスタに設定された値に基づき前記不揮発性メモリのアクセス態様を切り替えることを特徴とする不揮発性記憶システム。 A non-volatile storage system having an access device, a non-volatile memory, and a memory controller, and writing and reading data to and from the non-volatile memory according to a command and a logical address given from the access device,
The nonvolatile memory is
Each consisting of a plurality of physical blocks including at least one sector, having a special area in a read only memory ROM or a predetermined physical block;
The memory controller is
Read / write control means for performing read / write control on the non-volatile memory, address management information control means for managing an address that is an access destination of the non-volatile memory, and stored in the read-only memory in the non-volatile memory. Switching parameters that are automatically set at startup,
The non-volatile storage system, wherein the read / write control unit switches an access mode of the non-volatile memory based on a value set in the switching register.

前記読み書き制御手段が、前記切替レジスタに設定された値に基づき前記不揮発性メモリの同時アクセス数を制御することを特徴とする請求項２８記載の不揮発性記憶システム。 29. The nonvolatile memory system according to claim 28, wherein the read / write control unit controls the number of simultaneous accesses to the nonvolatile memory based on a value set in the switching register.

前記読み書き制御手段が、前記切替レジスタに設定された値に基づき前記不揮発性メモリを同時にアクセスできるマルチバンク数を切り替えることを特徴とする請求項２９記載の不揮発性記憶システム。 30. The nonvolatile memory system according to claim 29, wherein the read / write control unit switches the number of multi-banks that can simultaneously access the nonvolatile memory based on a value set in the switching register.

不揮発性メモリと、メモリコントローラと、を有し、外部のアクセス装置から与えられるコマンドと論理アドレスに応じて不揮発性メモリにデータを書き込み、及び読み出す不揮発性記憶装置であって、
前記不揮発性メモリは、
それぞれが少なくとも１つのセクタを含む複数の物理ブロックから成り、前記メモリコントローラによって逐次設定される切替レジスタを有し、
前記メモリコントローラは、
前記不揮発性メモリに対して読み書き制御を行う読み書き制御手段と、前記不揮発性メモリのアクセス先であるアドレスの管理を行うアドレス管理情報制御手段と、リードオンリーメモリとを有し、
前記読み書き制御手段は、前記リードオンリーメモリに記憶されたパラメータを起動時に前記切替レジスタに設定し、
前記不揮発性メモリは、前記切替レジスタに設定された値に基づき当該不揮発性メモリのアクセス態様を切り替えることを特徴とする不揮発性記憶装置。 A non-volatile memory device having a non-volatile memory and a memory controller, and writing and reading data to and from the non-volatile memory in accordance with a command and a logical address given from an external access device,
The nonvolatile memory is
Each comprising a plurality of physical blocks including at least one sector, and having a switching register that is sequentially set by the memory controller;
The memory controller is
Read / write control means for performing read / write control on the nonvolatile memory, address management information control means for managing an address that is an access destination of the nonvolatile memory, and a read-only memory,
The read / write control means sets the parameter stored in the read-only memory in the switching register at startup,
The nonvolatile memory device switches an access mode of the nonvolatile memory based on a value set in the switching register.

前記不揮発性メモリが、前記切替レジスタに設定された値に基づき前記不揮発性メモリの同時アクセス数を制御することを特徴とする請求項３１記載の不揮発性記憶装置。 32. The nonvolatile memory device according to claim 31, wherein the nonvolatile memory controls the number of simultaneous accesses to the nonvolatile memory based on a value set in the switching register.

前記不揮発性メモリが、前記切替レジスタに設定された値に基づき前記不揮発性メモリを同時にアクセスできるマルチバンク数を切り替えることを特徴とする請求項３２記載の不揮発性記憶装置。 The non-volatile memory device according to claim 32, wherein the non-volatile memory switches the number of multi-banks that can simultaneously access the non-volatile memory based on a value set in the switching register.

アクセス装置と、不揮発性メモリと、メモリコントローラと、を有し、前記アクセス装置から与えられるコマンドと論理アドレスに応じて不揮発性メモリにデータを書き込み、及び読み出す不揮発性記憶システムであって、
前記不揮発性メモリは、
それぞれが少なくとも１つのセクタを含む複数の物理ブロックから成り、前記メモリコントローラによって逐次設定される切替レジスタを有し、
前記メモリコントローラは、
前記不揮発性メモリに対して読み書き制御を行う読み書き制御手段と、前記不揮発性メモリのアクセス先であるアドレスの管理を行うアドレス管理情報制御手段と、リードオンリーメモリとを有し、
前記読み書き制御手段は、前記リードオンリーメモリに記憶されたパラメータを起動時に前記切替レジスタに設定し、
前記不揮発性メモリは、前記切替レジスタに設定された値に基づき当該不揮発性メモリのアクセス態様を切り替えることを特徴とする不揮発性記憶システム。 A non-volatile storage system having an access device, a non-volatile memory, and a memory controller, and writing and reading data to and from the non-volatile memory according to a command and a logical address given from the access device,
The nonvolatile memory is
Each comprising a plurality of physical blocks including at least one sector, and having a switching register that is sequentially set by the memory controller;
The memory controller is
Read / write control means for performing read / write control on the nonvolatile memory, address management information control means for managing an address that is an access destination of the nonvolatile memory, and a read-only memory,
The read / write control means sets the parameter stored in the read-only memory in the switching register at startup,
The non-volatile memory system switches the access mode of the non-volatile memory based on a value set in the switching register.

前記不揮発性メモリが、前記切替レジスタに設定された値に基づき前記不揮発性メモリの同時アクセス数を制御することを特徴とする請求項３４記載の不揮発性記憶システム。 35. The nonvolatile storage system according to claim 34, wherein the nonvolatile memory controls the number of simultaneous accesses to the nonvolatile memory based on a value set in the switching register.

前記不揮発性メモリが、前記切替レジスタに設定された値に基づき前記不揮発性メモリを同時にアクセスできるマルチバンク数を切り替えることを特徴とする請求項３５記載の不揮発性記憶システム。 36. The nonvolatile memory system according to claim 35, wherein the nonvolatile memory switches the number of multi-banks that can simultaneously access the nonvolatile memory based on a value set in the switching register.

不揮発性メモリと、メモリコントローラと、を有し、外部のアクセス装置から与えられるコマンドと論理アドレスに応じて不揮発性メモリにデータを書き込み、及び読み出す不揮発性記憶装置であって、
前記不揮発性メモリは、
それぞれが少なくとも１つのセクタを含む複数の物理ブロックから成り、前記メモリコントローラによって逐次設定される切替レジスタを有し、リードオンリーメモリもしくは所定の物理ブロック内に特別領域を有し、
前記メモリコントローラは、
前記不揮発性メモリに対して読み書き制御を行う読み書き制御手段と、前記不揮発性メモリのアクセス先であるアドレスの管理を行うアドレス管理情報制御手段とを有し、
前記読み書き制御手段は、前記リードオンリーメモリに記憶されたパラメータを起動時に前記切替レジスタに設定し、
前記不揮発性メモリは、前記リードオンリーメモリ若しくは前記特別領域に記憶されたパラメータを起動時に前記切替レジスタに設定すると共に、前記切替レジスタに設定された値に基づき当該不揮発性メモリのアクセス態様を切り替えることを特徴とする不揮発性記憶装置。 A non-volatile memory device having a non-volatile memory and a memory controller, and writing and reading data to and from the non-volatile memory in accordance with a command and a logical address given from an external access device,
The nonvolatile memory is
Each consisting of a plurality of physical blocks including at least one sector, having a switching register sequentially set by the memory controller, having a special area in a read-only memory or a predetermined physical block,
The memory controller is
Read / write control means for performing read / write control on the nonvolatile memory, and address management information control means for managing an address that is an access destination of the nonvolatile memory,
The read / write control means sets the parameter stored in the read-only memory in the switching register at startup,
The nonvolatile memory sets a parameter stored in the read-only memory or the special area in the switching register at startup, and switches an access mode of the nonvolatile memory based on a value set in the switching register. A non-volatile storage device characterized by the above.

前記不揮発性メモリが、前記切替レジスタに設定された値に基づき前記不揮発性メモリの同時アクセス数を制御することを特徴とする請求項３７記載の不揮発性記憶装置。 38. The nonvolatile memory device according to claim 37, wherein the nonvolatile memory controls the number of simultaneous accesses to the nonvolatile memory based on a value set in the switching register.

前記不揮発性メモリが、前記切替レジスタに設定された値に基づき前記不揮発性メモリを同時にアクセスできるマルチバンク数を切り替えることを特徴とする請求項３８記載の不揮発性記憶装置。 The nonvolatile memory device according to claim 38, wherein the nonvolatile memory switches the number of multi-banks that can simultaneously access the nonvolatile memory based on a value set in the switching register.

アクセス装置と、不揮発性メモリと、メモリコントローラと、を有し、前記アクセス装置から与えられるコマンドと論理アドレスに応じて不揮発性メモリにデータを書き込み、及び読み出す不揮発性記憶システムであって、
前記不揮発性メモリは、
それぞれが少なくとも１つのセクタを含む複数の物理ブロックから成り、前記メモリコントローラによって逐次設定される切替レジスタを有し、リードオンリーメモリもしくは所定の物理ブロック内に特別領域を有し、
前記メモリコントローラは、
前記不揮発性メモリに対して読み書き制御を行う読み書き制御手段と、前記不揮発性メモリのアクセス先であるアドレスの管理を行うアドレス管理情報制御手段とを有し、
前記読み書き制御手段は、前記リードオンリーメモリに記憶されたパラメータを起動時に前記切替レジスタに設定し、
前記不揮発性メモリは、前記リードオンリーメモリ若しくは前記特別領域に記憶されたパラメータを起動時に前記切替レジスタに設定すると共に、前記切替レジスタに設定された値に基づき当該不揮発性メモリのアクセス態様を切り替えることを特徴とする不揮発性記憶システム。 A non-volatile storage system having an access device, a non-volatile memory, and a memory controller, and writing and reading data to and from the non-volatile memory according to a command and a logical address given from the access device,
The nonvolatile memory is
Each consisting of a plurality of physical blocks including at least one sector, having a switching register sequentially set by the memory controller, having a special area in a read-only memory or a predetermined physical block,
The memory controller is
Read / write control means for performing read / write control on the nonvolatile memory, and address management information control means for managing an address that is an access destination of the nonvolatile memory,
The read / write control means sets the parameter stored in the read-only memory in the switching register at startup,
The nonvolatile memory sets a parameter stored in the read-only memory or the special area in the switching register at startup, and switches an access mode of the nonvolatile memory based on a value set in the switching register. A non-volatile storage system.

前記不揮発性メモリが、前記切替レジスタに設定された値に基づき前記不揮発性メモリの同時アクセス数を制御することを特徴とする請求項４０記載の不揮発性記憶システム。 41. The nonvolatile memory system according to claim 40, wherein the nonvolatile memory controls the number of simultaneous accesses to the nonvolatile memory based on a value set in the switching register.

前記不揮発性メモリが、前記切替レジスタに設定された値に基づき前記不揮発性メモリを同時にアクセスできるマルチバンク数を切り替えることを特徴とする請求項４１記載の不揮発性記憶システム。 42. The nonvolatile memory system according to claim 41, wherein the nonvolatile memory switches the number of multi-banks that can simultaneously access the nonvolatile memory based on a value set in the switching register.