JP2008028116A - Method for manufacturing electronic device - Google Patents

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Hiroya Abe
裕哉 阿部
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for manufacturing easily and efficiently a highly reliable electronic device. <P>SOLUTION: The method for manufacturing the electronic device includes a step of preparing an electronic module (a substrate 10) having a base substrate 12 and an electric connection 14 formed on the base substrate 12; a step of providing a resin 30 on the electronic module to cover therewith the electric connection 14; a step of so forming a wiring 34 on the resin 30 that at least its portion overlaps with the electric connection 14; and a step of pressing the wiring 34 against the electric connection 14 in the overlapping portion of the wiring 34 with the electric connecting portion 14, and approximating the electric connection 14 to the wiring 34 while deforming the resin material 30 to connect electrically the electric connection 14 with the wiring 34 by contacting both with each other. <P>COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT

Description

本発明は、電子デバイスの製造方法に関する。   The present invention relates to a method for manufacturing an electronic device.

配線パターンを複数層に形成することで、配線の引き回しの自由度を高める技術が知られている。この技術では、異なる層に形成された配線パターンを容易かつ確実に電気的に接続することが重要である。
特開2001−339010号公報
A technique is known in which a wiring pattern is formed in a plurality of layers to increase the degree of freedom of wiring routing. In this technique, it is important to easily and reliably electrically connect wiring patterns formed in different layers.
JP 2001-339010 A

本発明の目的は、信頼性の高い電子デバイスを、容易かつ効率よく製造することが可能な電子デバイスの製造方法を提供することにある。   An object of the present invention is to provide an electronic device manufacturing method capable of easily and efficiently manufacturing a highly reliable electronic device.

(1)本発明に係る電子デバイスの製造方法は、
ベース基板と、前記ベース基板上に形成された電気的接続部とを有する電子モジュールを用意する工程と、
前記電子モジュール上に、前記電気的接続部を覆うように樹脂材料を設ける工程と、
前記樹脂材料上に、少なくとも一部が前記電気的接続部と重複するように、配線を形成する工程と、
前記電気的接続部と前記配線との重複領域において、前記配線を前記電気的接続部に向かって押圧し、前記樹脂材料を変形させながら前記電気的接続部と前記配線とを近接させて、前記電気的接続部と前記配線とを接触させて電気的に接続する工程と、
を含む。
(1) An electronic device manufacturing method according to the present invention includes:
Preparing an electronic module having a base substrate and an electrical connection formed on the base substrate;
Providing a resin material on the electronic module so as to cover the electrical connection part;
Forming a wiring on the resin material so that at least a portion thereof overlaps the electrical connection portion;
In the overlapping region of the electrical connection portion and the wiring, the wiring is pressed toward the electrical connection portion, and the electrical connection portion and the wiring are brought close to each other while the resin material is deformed, Electrically connecting the electrical connection portion and the wiring to make electrical contact;
including.

本発明によると、樹脂材料を介して配置された2つの導電体(電気的接続部及び配線)を、効率よく確実に電気的に接続させることができる。そのため、本発明によると、信頼性の高い電子デバイスを、効率よく製造することができる。   According to the present invention, two conductors (electrical connection portion and wiring) arranged via a resin material can be efficiently and reliably electrically connected. Therefore, according to the present invention, a highly reliable electronic device can be efficiently manufactured.

なお、本発明では、配線を押圧する動作とともに、あるいは、配線を押圧する動作に代えて、電子モジュールを、ベース基板の裏面側から配線に向かって押圧して、電気的接続部と配線とを電気的に接続してもよい。   In the present invention, in addition to the operation of pressing the wiring, or instead of the operation of pressing the wiring, the electronic module is pressed from the back side of the base substrate toward the wiring to connect the electrical connection portion and the wiring. You may connect electrically.

また、この電子デバイスの製造方法では、電気的接続部と配線とを電気的に接続する工程の後に、樹脂材料を硬化させて、樹脂層を形成する工程をさらに含んでいてもよい。すなわち、樹脂材料は、硬化反応の中間状態(B−ステージ)にある材料であってもよい。   In addition, the electronic device manufacturing method may further include a step of forming a resin layer by curing the resin material after the step of electrically connecting the electrical connection portion and the wiring. That is, the resin material may be a material in an intermediate state (B-stage) of the curing reaction.

本発明に係る電子デバイスの製造方法は、例えば、配線基板の製造方法に適用してもよい。あるいは、本発明に係る電子デバイスの製造方法は、半導体装置の製造方法に適用してもよい。   The method for manufacturing an electronic device according to the present invention may be applied to a method for manufacturing a wiring board, for example. Alternatively, the electronic device manufacturing method according to the present invention may be applied to a semiconductor device manufacturing method.

(2)この電子デバイスの製造方法において、
前記配線は、前記電気的接続部の少なくとも一部と重複するランドを含み、
前記電気的接続部と前記配線とを接触させて電気的に接続する工程では、
前記ランドを前記電気的接続部に向かって押圧し、前記ランドと前記電気的接続部とを接触させてもよい。
(2) In this electronic device manufacturing method,
The wiring includes a land that overlaps at least a part of the electrical connection portion,
In the step of electrically connecting the electrical connection portion and the wiring in contact with each other,
The land may be pressed toward the electrical connection portion to bring the land and the electrical connection portion into contact with each other.

(3)この電子デバイスの製造方法において、
前記ランドが貫通穴を有するように、前記配線を形成してもよい。
(3) In this electronic device manufacturing method,
The wiring may be formed so that the land has a through hole.

これによると、樹脂材料を、貫通穴を介して流動させることができるため、樹脂材料が流動しやすくなる。そのため、ランドと電気的接続部との間の樹脂材料を容易に除去することができ、ランドと電気的接続部とを、確実に接触させることができる。そのため、この方法によると、さらに信頼性の高い電子デバイスを製造することができる。   According to this, since the resin material can be flowed through the through hole, the resin material can easily flow. Therefore, the resin material between the land and the electrical connection portion can be easily removed, and the land and the electrical connection portion can be reliably brought into contact with each other. Therefore, according to this method, an electronic device with higher reliability can be manufactured.

(4)この電子デバイスの製造方法において、
前記電気的接続部と前記配線とを接触させて電気的に接続する工程では、
押圧治具によって前記ランドの押圧領域を押圧し、
前記貫通穴の一部が前記押圧領域の内側に配置されるように、前記配線を形成してもよい。
(4) In this electronic device manufacturing method,
In the step of electrically connecting the electrical connection portion and the wiring in contact with each other,
Press the pressing area of the land with a pressing jig,
The wiring may be formed so that a part of the through hole is disposed inside the pressing area.

なお、この電子デバイスの製造方法では、前記貫通穴の一部が前記押圧領域の外側に配置されるように、前記配線を形成してもよい。   In the electronic device manufacturing method, the wiring may be formed so that a part of the through hole is disposed outside the pressing region.

(5)この電子デバイスの製造方法において、
前記ランドが切り欠きを有するように、前記配線を形成してもよい。
(5) In this electronic device manufacturing method,
The wiring may be formed so that the land has a notch.

これによると、樹脂材料を、切り欠きを介して流動させることができるため、樹脂材料が流動しやすくなる。そのため、ランドと電気的接続部との間の樹脂材料を容易に除去することができ、ランドと電気的接続部とを、確実に接触させることができる。そのため、この方法によると、さらに信頼性の高い電子デバイスを製造することができる。   According to this, since the resin material can be made to flow through the notch, the resin material can easily flow. Therefore, the resin material between the land and the electrical connection portion can be easily removed, and the land and the electrical connection portion can be reliably brought into contact with each other. Therefore, according to this method, an electronic device with higher reliability can be manufactured.

(6)この電子デバイスの製造方法において、
前記電気的接続部と前記配線とを接触させて電気的に接続する工程では、
前記押圧治具によって前記ランドの押圧領域を押圧し、
前記切り欠きが前記押圧領域の内側に至るように、前記配線を形成してもよい。
(6) In this electronic device manufacturing method,
In the step of electrically connecting the electrical connection portion and the wiring in contact with each other,
Pressing the pressing area of the land with the pressing jig,
The wiring may be formed so that the notch reaches the inside of the pressing area.

(7)この電子デバイスの製造方法において、
前記配線における前記樹脂材料と対向する面が、少なくとも前記電気的接続部と前記配線との重複領域において凹凸面となるように、前記配線を形成してもよい。
(7) In this electronic device manufacturing method,
The wiring may be formed such that a surface of the wiring facing the resin material is an uneven surface at least in an overlapping region between the electrical connection portion and the wiring.

これによると、電気的接続部と配線とをより確実に接触させることができるため、信頼性の高い電子デバイスを製造することができる。   According to this, since an electrical connection part and wiring can be made to contact more reliably, a highly reliable electronic device can be manufactured.

(8)この電子デバイスの製造方法において、
前記電子モジュールは、前記ベース基板上に形成された金属層をさらに有し、
前記金属層には、開口と、前記開口から引き出されて前記樹脂材料を設けるための領域の外側に至るように形成された溝とが形成されており、
前記電気的接続部は、前記開口の内側の領域に、前記金属層と接触しないように配置されていてもよい。
(8) In this electronic device manufacturing method,
The electronic module further includes a metal layer formed on the base substrate,
In the metal layer, an opening and a groove formed so as to reach the outside of the region for providing the resin material drawn from the opening are formed,
The electrical connection portion may be arranged in a region inside the opening so as not to contact the metal layer.

これによると、電子モジュールの表面の凹凸を小さくすることができるため、樹脂材料と電子モジュールとの間に気泡が発生することを防止することができる。また、金属層には、開口に連通した溝が形成されていることから、開口内の空気を、溝を介して排出することができる。そのため、電子モジュールと樹脂材料との間に気泡が発生することを防止することができ、信頼性の高い電子デバイスを製造することが可能になる。   According to this, since the unevenness | corrugation of the surface of an electronic module can be made small, it can prevent that a bubble generate | occur | produces between a resin material and an electronic module. Moreover, since the groove | channel connected to opening is formed in the metal layer, the air in opening can be discharged | emitted through a groove | channel. Therefore, bubbles can be prevented from being generated between the electronic module and the resin material, and a highly reliable electronic device can be manufactured.

なお、この電子デバイスの製造方法では、金属層は、電気的接続部と同じ厚みとなるように形成されていてもよい。   In this electronic device manufacturing method, the metal layer may be formed to have the same thickness as the electrical connection portion.

以下、本発明を適用した実施の形態について、図面を参照して説明する。ただし、本発明は以下の実施の形態に限られるものではない。また、本発明は、以下の内容を自由に組み合わせたものを含むものとする。   Embodiments to which the present invention is applied will be described below with reference to the drawings. However, the present invention is not limited to the following embodiments. Moreover, this invention shall include what combined the following content freely.

(第1の実施の形態)
以下、本発明を適用した第1の実施の形態に係る電子デバイスの製造方法について説明する。なお、図1(A)〜図6(B)は、本実施の形態に係る電子デバイスの製造方法について説明するための図である。本実施の形態では、本発明に係る電子デバイスの製造方法を、配線基板の製造方法に適用した場合について説明する。
(First embodiment)
Hereinafter, an electronic device manufacturing method according to a first embodiment to which the present invention is applied will be described. 1A to 6B are views for explaining a method for manufacturing an electronic device according to the present embodiment. In the present embodiment, the case where the method for manufacturing an electronic device according to the present invention is applied to a method for manufacturing a wiring board will be described.

本実施の形態に係る配線基板の製造方法は、図1(A)及び図1(B)に示す、基板10(広義には電子モジュール)を用意することを含む。なお、図1(B)は、基板10のIB−IB線断面の一部拡大図である。以下、基板10の構成について説明する。   The method for manufacturing a wiring board according to the present embodiment includes preparing a substrate 10 (an electronic module in a broad sense) shown in FIGS. 1 (A) and 1 (B). FIG. 1B is a partially enlarged view of the substrate 10 taken along line IB-IB. Hereinafter, the configuration of the substrate 10 will be described.

基板10は、図1(A)及び図1(B)に示すように、ベース基板12を有する。ベース基板12の材料は特に限定されるものではない。ベース基板12は、有機系の材料で構成されていてもよい。ベース基板12は、例えば、ポリエチレンテレフタレート(PET)や、エポキシ系、ポリイミド系の樹脂基板であってもよい。ただし、ベース基板12として、無機系の材料の基板や、有機無機材料の複合基板を利用してもよい。また、ベース基板12は、フレキシブル基板であってもよく、リジッド基板であってもよい。ベース基板12としてFPC(Flexible Printed Circuit)や、TAB(Tape Automated Bonding)技術で使用されるテープを使用してもよい。   As shown in FIGS. 1A and 1B, the substrate 10 includes a base substrate 12. The material of the base substrate 12 is not particularly limited. The base substrate 12 may be made of an organic material. The base substrate 12 may be, for example, polyethylene terephthalate (PET), an epoxy resin substrate, or a polyimide resin substrate. However, as the base substrate 12, a substrate made of an inorganic material or a composite substrate made of an organic inorganic material may be used. Further, the base substrate 12 may be a flexible substrate or a rigid substrate. As the base substrate 12, a tape used in FPC (Flexible Printed Circuit) or TAB (Tape Automated Bonding) technology may be used.

基板10は、図1(A)及び図1(B)に示すように、ベース基板12上に形成された電気的接続部14を有する。電気的接続部14は、単一の金属材料で構成されていてもよく、複数の金属が積層された構造をなしていてもよい。電気的接続部14が複数層で構成されている場合、電気的接続部14は、例えば、銅によって構成された導電パターンにスズめっき層が形成された構造をなしていてもよい。また、電気的接続部14は、図1(B)に示すように、ベース基板12に直接形成されていてもよいが、図示しない接着層を介してベース基板12に貼り付けられていてもよい。   As shown in FIGS. 1A and 1B, the substrate 10 has an electrical connection portion 14 formed on the base substrate 12. The electrical connection portion 14 may be made of a single metal material, or may have a structure in which a plurality of metals are stacked. In the case where the electrical connection portion 14 is formed of a plurality of layers, the electrical connection portion 14 may have a structure in which a tin plating layer is formed on a conductive pattern made of copper, for example. Further, as shown in FIG. 1B, the electrical connection portion 14 may be directly formed on the base substrate 12 or may be attached to the base substrate 12 via an adhesive layer (not shown). .

電気的接続部14は、ベース基板12に形成された配線15(導電パターン)の一部であってもよい。この場合、配線15は、電気的接続部14から引き出されたリード16を有していてもよい。リード16は、図1(A)及び図1(B)に示すように、ベース基板12の表面に形成されていてもよいが、ベース基板12の内部に形成されていてもよい。そして、電気的接続部14は、配線15のうち、後述する配線34(ランド36)との電気的な接続に利用される部分である。なお、配線15は、複数の電気的接続部14を含んでいてもよいが、電気的接続部14を1つのみ含んでいてもよい。   The electrical connection portion 14 may be a part of the wiring 15 (conductive pattern) formed on the base substrate 12. In this case, the wiring 15 may have a lead 16 drawn out from the electrical connection portion 14. The lead 16 may be formed on the surface of the base substrate 12 as shown in FIGS. 1A and 1B, but may be formed inside the base substrate 12. The electrical connection portion 14 is a portion of the wiring 15 that is used for electrical connection with a wiring 34 (land 36) described later. Note that the wiring 15 may include a plurality of electrical connection portions 14, but may include only one electrical connection portion 14.

基板10は、金属層20をさらに有していてもよい。金属層20は、ベース基板12における電気的接続部14が形成された面に形成される。金属層20には、開口22が形成されている。そして、先述した電気的接続部14(配線15)は、開口22の内側に、金属層20と接触しないように形成されている。また、金属層20には、開口22から引き出された溝24が形成されている。溝24は、開口22に連通している。溝24は、後述する、樹脂材料30が形成される領域の外側に至るように形成されている。溝24は、例えば、ベース基板12の端部に至るように形成されていてもよい。なお、金属層20は、電気的接続部14と同じ材料及び構造をなしていてもよい。   The substrate 10 may further include a metal layer 20. The metal layer 20 is formed on the surface of the base substrate 12 where the electrical connection portion 14 is formed. An opening 22 is formed in the metal layer 20. The electrical connection portion 14 (wiring 15) described above is formed inside the opening 22 so as not to contact the metal layer 20. Further, the metal layer 20 has a groove 24 drawn out from the opening 22. The groove 24 communicates with the opening 22. The groove 24 is formed so as to reach the outside of a region where the resin material 30 is formed, which will be described later. For example, the groove 24 may be formed so as to reach the end of the base substrate 12. The metal layer 20 may have the same material and structure as the electrical connection portion 14.

本実施の形態に係る配線基板の製造方法は、図2(A)及び図2(B)に示すように、基板10上に樹脂材料30を設けることを含む。樹脂材料30は、電気的接続部14を覆うように設ける。樹脂材料30の材料は特に限定されるものではなく、既に公知となっているいずれかの材料を適用してもよい。樹脂材料30は、例えば、接着剤であってもよい。なお、樹脂材料30は、硬化反応が完全に終了していない状態の材料であってもよい。すなわち、樹脂材料30は、B−ステージ樹脂であってもよい。樹脂材料30は、フィルム状をなしていてもよい。この場合、図3に示すように、ローラー32を利用して樹脂材料30を設けてもよい。ただし、樹脂材料30は、ペースト状の材料を利用してもよい。例えば、基板10にペースト状の樹脂材料を設ける工程と、これを半硬化させる工程とによって、樹脂材料30を設けてもよい。   The method for manufacturing a wiring substrate according to the present embodiment includes providing a resin material 30 on the substrate 10 as shown in FIGS. 2 (A) and 2 (B). The resin material 30 is provided so as to cover the electrical connection portion 14. The material of the resin material 30 is not particularly limited, and any known material may be applied. The resin material 30 may be, for example, an adhesive. The resin material 30 may be a material in a state where the curing reaction is not completely completed. That is, the resin material 30 may be a B-stage resin. The resin material 30 may have a film shape. In this case, as shown in FIG. 3, the resin material 30 may be provided using a roller 32. However, the resin material 30 may use a paste-like material. For example, the resin material 30 may be provided by a step of providing a paste-like resin material on the substrate 10 and a step of semi-curing it.

本実施の形態に係る配線基板の製造方法は、図4(A)及び図4(B)に示すように、樹脂材料30上に配線34を形成することを含む。配線34は、少なくとも一部が、電気的接続部14と重複するように形成する。配線34は、ランド36とリード38とを含むように形成してもよい。このとき、配線34を、ランド36が、電気的接続部14の少なくとも一部と重複するように形成してもよい。   The method for manufacturing a wiring board according to the present embodiment includes forming a wiring 34 on a resin material 30 as shown in FIGS. 4 (A) and 4 (B). The wiring 34 is formed so that at least a part thereof overlaps with the electrical connection portion 14. The wiring 34 may be formed so as to include the land 36 and the lead 38. At this time, the wiring 34 may be formed so that the land 36 overlaps at least a part of the electrical connection portion 14.

配線34を形成する方法は特に限定されるものではない。配線34は、例えば、樹脂材料30の全面に金属層を設け、その後、該金属層をパターニングすることによって形成してもよい。配線34は、少なくとも電気的接続部14と重複する領域において、樹脂材料30と対向する面が凹凸面となるように形成してもよい。配線34は、樹脂材料30と対向する面がすべて凹凸面となるように形成してもよい(図6(A)及び図6(B)参照)。表面に凹凸が形成された金属層を樹脂材料30に貼り付け、該金属層をパターニングすることで、樹脂材料30と対向する面が凹凸となるように配線34を形成することができる。なお、当該凹凸は、高低差が樹脂材料の厚みの半分よりも大きくなるように形成してもよい。   The method for forming the wiring 34 is not particularly limited. The wiring 34 may be formed, for example, by providing a metal layer on the entire surface of the resin material 30 and then patterning the metal layer. The wiring 34 may be formed so that a surface facing the resin material 30 is an uneven surface at least in a region overlapping with the electrical connection portion 14. The wiring 34 may be formed so that the entire surface facing the resin material 30 is an uneven surface (see FIGS. 6A and 6B). By attaching a metal layer having irregularities on the surface to the resin material 30 and patterning the metal layer, the wiring 34 can be formed so that the surface facing the resin material 30 is irregular. In addition, you may form the said unevenness | corrugation so that a height difference may become larger than half of the thickness of a resin material.

本実施の形態に係る配線基板の製造方法は、図5(A)及び図5(B)に示すように、電気的接続部14及び配線34の重複領域において、配線34を電気的接続部14に向かって押圧し、樹脂材料30を変形させながら電気的接続部14と配線34とを近接させて、電気的接続部14と配線34とを接触させて電気的に接続することを含む。樹脂材料30として硬化(重合)反応が終了していない状態の材料(B−ステージ樹脂)を利用することで、樹脂材料30を容易に変形させることができる。なお、本実施の形態では、図5(A)及び図5(B)に示すように、ランド36を押圧して、電気的接続部14とランド36とを接触させて電気的に接続してもよい。   As shown in FIGS. 5A and 5B, the method of manufacturing the wiring board according to the present embodiment connects the wiring 34 to the electrical connection portion 14 in the overlapping region of the electrical connection portion 14 and the wiring 34. The electrical connection portion 14 and the wiring 34 are brought close to each other while the resin material 30 is deformed, and the electrical connection portion 14 and the wiring 34 are brought into contact with each other to be electrically connected. By using a material (B-stage resin) in a state where the curing (polymerization) reaction is not completed as the resin material 30, the resin material 30 can be easily deformed. In this embodiment, as shown in FIGS. 5A and 5B, the land 36 is pressed and the electrical connection portion 14 and the land 36 are brought into contact with each other to be electrically connected. Also good.

本実施の形態では、図5(A)及び図5(B)に示すように、押圧治具40によって配線34(ランド36)を押圧して、電気的接続部14と配線34とを接触させて電気的に接続してもよい。電気的接続部14の表面にスズ層が形成されている場合、押圧治具40によって配線34を電気的接続部14に押し付けた状態で、加熱し、押圧治具40に超音波振動を印加してもよい。これにより、電気的接続部14を配線34との間に共晶合金が生成され、両者の電気的な接続信頼性を高めることができる。また、押圧治具40に超音波振動を印加することで、電気的接続部14と配線34との間から樹脂材料30を排除することができるため、両者を確実に電気的に接続することができる。ただし、電気的接続部14と配線34とは、押圧する動作のみによって電気的に接続してもよい。   In the present embodiment, as shown in FIGS. 5A and 5B, the wiring 34 (land 36) is pressed by the pressing jig 40 so that the electrical connection portion 14 and the wiring 34 are brought into contact with each other. May be electrically connected. When a tin layer is formed on the surface of the electrical connection portion 14, heating is performed while the wiring 34 is pressed against the electrical connection portion 14 by the pressing jig 40, and ultrasonic vibration is applied to the pressing jig 40. May be. Thereby, a eutectic alloy is produced between the electrical connection portion 14 and the wiring 34, and the electrical connection reliability of both can be improved. In addition, by applying ultrasonic vibration to the pressing jig 40, the resin material 30 can be excluded from between the electrical connection portion 14 and the wiring 34, so that both can be reliably electrically connected. it can. However, the electrical connection portion 14 and the wiring 34 may be electrically connected only by a pressing operation.

なお、図6(A)及び図6(B)に示すように、配線34における樹脂材料30と対向する面に凹凸が形成されている場合、配線34を、電気的接続部14に接触させやすくなる。そのため、容易に両者を電気的に接続することができ、信頼性の高い配線基板を効率よく製造することが可能になる。   As shown in FIGS. 6A and 6B, when unevenness is formed on the surface of the wiring 34 facing the resin material 30, the wiring 34 can be easily brought into contact with the electrical connection portion 14. Become. Therefore, both can be easily electrically connected, and a highly reliable wiring board can be efficiently manufactured.

そして、本実施の形態では、樹脂材料30を硬化させる工程や、検査工程などをさらに経て、配線基板(広義には電子デバイス)を製造してもよい。   And in this Embodiment, you may manufacture a wiring board (electronic device in a broad sense) through the process of hardening the resin material 30, an inspection process, etc. further.

先に説明したように、本発明では、樹脂材料を介して電気的接続部14と配線34とを形成し、配線34を電気的接続部14に向かって押圧し、両者を接触させて電気的に接続する。   As described above, in the present invention, the electrical connection portion 14 and the wiring 34 are formed through the resin material, the wiring 34 is pressed toward the electrical connection portion 14, and both are brought into contact with each other to electrically Connect to.

この配線基板の製造方法によると、電気的接続部14と配線34とを確実に電気的に接続させることができるので、信頼性の高い配線基板(広義には電子デバイス)を製造することができる。また、この配線基板の製造方法によると、電気的接続部14と配線34とを、容易に電気的に接続することができる。   According to this method of manufacturing a wiring board, the electrical connection portion 14 and the wiring 34 can be reliably electrically connected, so that a highly reliable wiring board (electronic device in a broad sense) can be manufactured. . Further, according to this method of manufacturing a wiring board, the electrical connection portion 14 and the wiring 34 can be easily electrically connected.

すなわち、この配線基板の製造方法によると、信頼性の高い配線基板を効率よく製造することができる。   That is, according to this method of manufacturing a wiring board, a highly reliable wiring board can be efficiently manufactured.

なお、基板10(電子モジュール)が、ベース基板12に形成された金属層20を有する場合、基板10の表面の凹凸を小さくすることができるため、基板10と樹脂材料30との間に気泡が発生しにくい、信頼性の高い電子デバイスを製造することができる。また、金属層20に溝24が形成されている場合、溝24を介して、ベース基板12と開口22と樹脂材料30とによって構成される空間の空気を排出することができる。そのため、基板10と樹脂材料30との間に気泡が発生しにくくなり、さらに信頼性の高い配線基板を製造することができる。   Note that, when the substrate 10 (electronic module) has the metal layer 20 formed on the base substrate 12, unevenness on the surface of the substrate 10 can be reduced, so that bubbles are formed between the substrate 10 and the resin material 30. A highly reliable electronic device that does not easily occur can be manufactured. Further, when the groove 24 is formed in the metal layer 20, the air in the space formed by the base substrate 12, the opening 22, and the resin material 30 can be discharged through the groove 24. Therefore, bubbles are less likely to be generated between the substrate 10 and the resin material 30, and a highly reliable wiring board can be manufactured.

(変形例)
以下、本実施の形態の変形例に係る電子デバイスの製造方法について説明する。
(Modification)
Hereinafter, a method for manufacturing an electronic device according to a modification of the present embodiment will be described.

図7(A)〜図8は、第1の変形例に係る電子デバイスの製造方法について説明するための図である。   FIG. 7A to FIG. 8 are diagrams for explaining a method for manufacturing an electronic device according to a first modification.

本変形例では、樹脂材料30に、図7(A)で示す配線52を形成する。なお、図7(A)は、配線52の上視図である。配線52は、ランド53を含む。ランド53には、貫通穴54が形成される。すなわち、本変形例では、ランド53が貫通穴54を有するように、配線52を形成する。そして、図7(B)に示すように、ランド53を電気的接続部14に向かって押圧して、ランド53と電気的接続部14とを接触させて両者を電気的に接続する。   In this modification, the wiring 52 shown in FIG. 7A is formed in the resin material 30. FIG. 7A is a top view of the wiring 52. The wiring 52 includes a land 53. A through hole 54 is formed in the land 53. That is, in the present modification, the wiring 52 is formed so that the land 53 has the through hole 54. Then, as shown in FIG. 7B, the land 53 is pressed toward the electrical connection portion 14, and the land 53 and the electrical connection portion 14 are brought into contact with each other to electrically connect them.

この変形例によると、ランド53を電気的接続部14に向かって押圧する際に、貫通穴を通じて樹脂材料30を流動させることができるため、樹脂材料30の流動性を高めることができる(図7(B)参照)。そのため、ランド53と電気的接続部14との間に樹脂材料が残りにくくなり、ランド53と電気的接続部14とを確実に電気的に接続することが可能になり、信頼性の高い電子デバイスを製造することができる。   According to this modification, since the resin material 30 can be flowed through the through hole when the land 53 is pressed toward the electrical connection portion 14, the fluidity of the resin material 30 can be improved (FIG. 7). (See (B)). Therefore, it is difficult for the resin material to remain between the land 53 and the electrical connection portion 14, and the land 53 and the electrical connection portion 14 can be reliably electrically connected, and a highly reliable electronic device. Can be manufactured.

なお、本変形例では、貫通穴54の一部が、ランド53における押圧治具40で押圧される領域(押圧領域45)の内側に配置されるように、配線52を形成してもよい。配線52は、貫通穴54の一部が、押圧領域45の外側に配置されるように形成してもよい。これによると、ランド53を押圧する工程で、貫通穴54が押圧治具40によって塞がれることを防止することができるため、樹脂材料30の流動性が確保され、より信頼性の高い電子デバイスを製造することができる。   In this modification, the wiring 52 may be formed so that a part of the through hole 54 is disposed inside the area (the pressing area 45) of the land 53 that is pressed by the pressing jig 40. The wiring 52 may be formed so that a part of the through hole 54 is disposed outside the pressing region 45. According to this, since it is possible to prevent the through hole 54 from being blocked by the pressing jig 40 in the step of pressing the land 53, the fluidity of the resin material 30 is ensured and the electronic device is more reliable. Can be manufactured.

なお、ランド53に形成される貫通穴の形状は特に限定されるものではない。貫通穴は、例えば図7(A)に示すように、十字型であってもよい。ただし、貫通穴は、図8に示すように、スリット形状をなしていてもよい。スリット形状の貫通穴58は、1つのランドに1つのみ形成されていてもよいが、2つ以上形成されていてもよい。あるいは、ランド53に形成される貫通穴は、切れ目(あるいは裂け目)であってもよい。これらの場合にも、樹脂材料30が流動しやすくなり、信頼性の高い電子デバイスを製造することができる。   The shape of the through hole formed in the land 53 is not particularly limited. The through hole may be a cross shape as shown in FIG. However, as shown in FIG. 8, the through hole may have a slit shape. Only one slit-shaped through hole 58 may be formed in one land, but two or more may be formed. Alternatively, the through hole formed in the land 53 may be a cut (or a tear). Also in these cases, the resin material 30 easily flows, and a highly reliable electronic device can be manufactured.

図9(A)及び図9(B)は、第2の変形例に係る電子デバイスの製造方法について説明するための図である。   FIG. 9A and FIG. 9B are diagrams for explaining a method for manufacturing an electronic device according to a second modification.

本変形例では、樹脂材料30に、図9(A)で示す配線62を形成する。なお、図9(A)は、配線62の上視図である。配線62は、ランド63を含む。ランド63には、切り欠き64が形成される。すなわち、本変形例では、ランド63が切り欠き64を有するように、配線62を形成する。そして、図9(B)に示すように、ランド63を電気的接続部14に向かって押圧して、ランド63と電気的接続部14とを接触させて両者を電気的に接続する。   In this modification, the wiring 62 shown in FIG. 9A is formed in the resin material 30. Note that FIG. 9A is a top view of the wiring 62. The wiring 62 includes a land 63. A cutout 64 is formed in the land 63. That is, in this modification, the wiring 62 is formed so that the land 63 has the notch 64. Then, as shown in FIG. 9B, the land 63 is pressed toward the electrical connection portion 14, the land 63 and the electrical connection portion 14 are brought into contact with each other, and both are electrically connected.

なお、本変形例では、切り欠き64が押圧領域45の内側に至るように、配線62を形成してもよい。これによると、ランド63を押圧する工程で、樹脂材料30を流動させやすくなるため、より信頼性の高い電子デバイスを製造することができる。   In the present modification, the wiring 62 may be formed so that the notch 64 reaches the inside of the pressing region 45. According to this, since it becomes easy to flow the resin material 30 in the step of pressing the land 63, a more reliable electronic device can be manufactured.

(第2の実施の形態)
以下、本発明を適用した第2の実施の形態に係る電子デバイスの製造方法について説明する。なお、図10(A)〜図17は、本実施の形態に係る電子デバイスの製造方法について説明するための図である。本実施の形態では、本発明に係る電子デバイスの製造方法を、半導体装置の製造方法に適用した場合について説明する。
(Second Embodiment)
Hereinafter, a method for manufacturing an electronic device according to a second embodiment to which the present invention is applied will be described. FIGS. 10A to 17 are diagrams for explaining a method for manufacturing an electronic device according to the present embodiment. In the present embodiment, a case where the method for manufacturing an electronic device according to the present invention is applied to a method for manufacturing a semiconductor device will be described.

本実施の形態に係る半導体装置の製造方法は、図10(A)及び図10(B)に示す半導体基板70を用意することを含む。本実施の形態では、半導体基板70を電子モジュール(あるいはベース基板)と称してもよい。半導体基板70は、例えばシリコン基板であってもよい。半導体基板70は、ウエハ状をなしていてもよい(図10(A)参照)。ウエハ状の半導体基板70は、複数の半導体装置となる領域71を含んでいてもよい。ただし、半導体基板70は、チップ状をなしていてもよい。半導体基板70には、1つ又は複数の(半導体チップには1つの、半導体ウエハには複数の)集積回路72が形成されている。集積回路72は、領域71毎に形成されていてもよい。集積回路72の構成は特に限定されないが、例えば、トランジスタ等の能動素子や、抵抗、コイル、コンデンサ等の受動素子を含んでいてもよい。また、半導体基板70は複数の電気的接続部74を有する。電気的接続部74は、半導体基板70の内部と電気的に接続されていてもよい。電気的接続部74は、集積回路72と電気的に接続されていてもよい。あるいは、集積回路72に電気的に接続されていない電気的接続部を含めて、電気的接続部74と称してもよい。電気的接続部74は、アルミニウム又は銅等の金属で形成されていてもよい。電気的接続部74は、半導体基板に形成された電極であってもよい。さらに、半導体基板70は、図示しないパッシベーション膜を有してもよい。パッシベーション膜は、例えば、SiO、SiN、ポリイミド樹脂等で形成してもよい。 The manufacturing method of the semiconductor device according to this embodiment includes preparing the semiconductor substrate 70 shown in FIGS. 10 (A) and 10 (B). In the present embodiment, the semiconductor substrate 70 may be referred to as an electronic module (or a base substrate). The semiconductor substrate 70 may be a silicon substrate, for example. The semiconductor substrate 70 may have a wafer shape (see FIG. 10A). The wafer-like semiconductor substrate 70 may include a region 71 to be a plurality of semiconductor devices. However, the semiconductor substrate 70 may have a chip shape. One or a plurality of integrated circuits 72 (one for a semiconductor chip and a plurality for a semiconductor wafer) are formed on the semiconductor substrate 70. The integrated circuit 72 may be formed for each region 71. The configuration of the integrated circuit 72 is not particularly limited. For example, the integrated circuit 72 may include an active element such as a transistor and a passive element such as a resistor, a coil, and a capacitor. The semiconductor substrate 70 has a plurality of electrical connection portions 74. The electrical connection portion 74 may be electrically connected to the inside of the semiconductor substrate 70. The electrical connection unit 74 may be electrically connected to the integrated circuit 72. Alternatively, an electrical connection portion that is not electrically connected to the integrated circuit 72 may be referred to as an electrical connection portion 74. The electrical connection portion 74 may be formed of a metal such as aluminum or copper. The electrical connection portion 74 may be an electrode formed on the semiconductor substrate. Furthermore, the semiconductor substrate 70 may have a passivation film (not shown). For example, the passivation film may be formed of SiO 2 , SiN, polyimide resin, or the like.

本実施の形態に係る半導体装置の製造方法は、図11に示すように、半導体基板70に樹脂材料80を設けることを含む。樹脂材料80は、電気的接続部74を覆うように形成する。樹脂材料80の材料は限定されず、ポリイミド樹脂、シリコン変性ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、シリコン変性エポキシ樹脂、ベンゾシクロブテン(BCB;benzocyclobutene)、ポリベンゾオキサゾール(PBO;polybenzoxazole)等の樹脂を利用してもよい。   The method for manufacturing a semiconductor device according to the present embodiment includes providing a resin material 80 on a semiconductor substrate 70 as shown in FIG. The resin material 80 is formed so as to cover the electrical connection portion 74. The material of the resin material 80 is not limited, and a resin such as polyimide resin, silicon-modified polyimide resin, epoxy resin, silicon-modified epoxy resin, benzocyclobutene (BCB), polybenzoxazole (PBO) is used. Also good.

本実施の形態に係る半導体装置の製造方法は、図12に示すように、樹脂材料80上に配線82を形成することを含む。配線82は、少なくとも一部が電気的接続部74と重複するように形成する。配線82は、ランド84を有するように形成してもよい。このとき、ランド84は、少なくとも一部が電気的接続部74と重複するように配置される。   The method for manufacturing a semiconductor device according to the present embodiment includes forming a wiring 82 on a resin material 80 as shown in FIG. The wiring 82 is formed so that at least a part thereof overlaps with the electrical connection portion 74. The wiring 82 may be formed so as to have a land 84. At this time, the land 84 is arranged so that at least a part thereof overlaps with the electrical connection portion 74.

本実施の形態に係る半導体装置の製造方法は、図13に示すように、電気的接続部74と配線82との重複領域において、押圧治具40によって配線82を電気的接続部74に向かって押圧し、樹脂材料80を変形させながら電気的接続部74と配線82とを近接させて、両者を接触させて電気的に接続することを含む。本工程では、図13に示すように、ランド84を押圧して、電気的接続部74とランド84とを接触させて電気的に接続してもよい。   In the manufacturing method of the semiconductor device according to the present embodiment, as shown in FIG. This includes pressing and deforming the resin material 80 to bring the electrical connection portion 74 and the wiring 82 close to each other and bringing them into contact with each other for electrical connection. In this step, as shown in FIG. 13, the land 84 may be pressed so that the electrical connection portion 74 and the land 84 are brought into contact with each other to be electrically connected.

そして、本実施の形態に係る半導体装置の製造方法は、樹脂材料80を硬化させて応力緩和層を形成する工程や、レジスト層86を形成する工程や、配線82と電気的に接続された外部端子88を形成する工程や、外部端子88の根元を補強する根元補強樹脂90を形成する工程をさらに経て、図14に示す、半導体装置1(広義には電子デバイス)を製造してもよい。図15には、半導体装置1が実装された回路基板1000を示す。また、図16、図17には、それぞれ、半導体装置1を有する電子機器として、ノート型パーソナルコンピュータ2000と携帯電話3000を示す。   The method for manufacturing a semiconductor device according to the present embodiment includes a step of curing the resin material 80 to form a stress relaxation layer, a step of forming a resist layer 86, and an external connection electrically connected to the wiring 82. The semiconductor device 1 (electronic device in a broad sense) shown in FIG. 14 may be manufactured through a process of forming the terminal 88 and a process of forming a base reinforcing resin 90 that reinforces the base of the external terminal 88. FIG. 15 shows a circuit board 1000 on which the semiconductor device 1 is mounted. FIGS. 16 and 17 show a notebook personal computer 2000 and a mobile phone 3000 as electronic devices each having the semiconductor device 1.

この半導体装置の製造方法によると、電気的接続部74と配線82とを確実に電気的に接続することができるため、信頼性の高い半導体装置を、効率よく製造することが可能になる。   According to this method for manufacturing a semiconductor device, since the electrical connection portion 74 and the wiring 82 can be reliably electrically connected, a highly reliable semiconductor device can be efficiently manufactured.

なお、本発明は、上述した実施の形態に限定されるものではなく、種々の変形が可能である。例えば、本発明は、実施の形態で説明した構成と実質的に同一の構成(例えば、機能、方法及び結果が同一の構成、あるいは目的及び効果が同一の構成)を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成の本質的でない部分を置き換えた構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成と同一の作用効果を奏する構成又は同一の目的を達成することができる構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成に公知技術を付加した構成を含む。   In addition, this invention is not limited to embodiment mentioned above, A various deformation | transformation is possible. For example, the present invention includes configurations that are substantially the same as the configurations described in the embodiments (for example, configurations that have the same functions, methods, and results, or configurations that have the same objects and effects). In addition, the invention includes a configuration in which a non-essential part of the configuration described in the embodiment is replaced. In addition, the present invention includes a configuration that exhibits the same operational effects as the configuration described in the embodiment or a configuration that can achieve the same object. Further, the invention includes a configuration in which a known technique is added to the configuration described in the embodiment.

第1の実施の形態に係る電子デバイスの製造方法を説明するための図。The figure for demonstrating the manufacturing method of the electronic device which concerns on 1st Embodiment. 第1の実施の形態に係る電子デバイスの製造方法を説明するための図。The figure for demonstrating the manufacturing method of the electronic device which concerns on 1st Embodiment. 第1の実施の形態に係る電子デバイスの製造方法を説明するための図。The figure for demonstrating the manufacturing method of the electronic device which concerns on 1st Embodiment. 第1の実施の形態に係る電子デバイスの製造方法を説明するための図。The figure for demonstrating the manufacturing method of the electronic device which concerns on 1st Embodiment. 第1の実施の形態に係る電子デバイスの製造方法を説明するための図。The figure for demonstrating the manufacturing method of the electronic device which concerns on 1st Embodiment. 第1の実施の形態に係る電子デバイスの製造方法を説明するための図。The figure for demonstrating the manufacturing method of the electronic device which concerns on 1st Embodiment. 第1の変形例に係る電子デバイスの製造方法を説明するための図。The figure for demonstrating the manufacturing method of the electronic device which concerns on a 1st modification. 第1の変形例に係る電子デバイスの製造方法を説明するための図。The figure for demonstrating the manufacturing method of the electronic device which concerns on a 1st modification. 第2の変形例に係る電子デバイスの製造方法を説明するための図。The figure for demonstrating the manufacturing method of the electronic device which concerns on a 2nd modification. 第2の実施の形態に係る電子デバイスの製造方法を説明するための図。The figure for demonstrating the manufacturing method of the electronic device which concerns on 2nd Embodiment. 第2の実施の形態に係る電子デバイスの製造方法を説明するための図。The figure for demonstrating the manufacturing method of the electronic device which concerns on 2nd Embodiment. 第2の実施の形態に係る電子デバイスの製造方法を説明するための図。The figure for demonstrating the manufacturing method of the electronic device which concerns on 2nd Embodiment. 第2の実施の形態に係る電子デバイスの製造方法を説明するための図。The figure for demonstrating the manufacturing method of the electronic device which concerns on 2nd Embodiment. 第2の実施の形態に係る電子デバイスの製造方法を説明するための図。The figure for demonstrating the manufacturing method of the electronic device which concerns on 2nd Embodiment. 第2の実施の形態に係る電子デバイスの製造方法を説明するための図。The figure for demonstrating the manufacturing method of the electronic device which concerns on 2nd Embodiment. 第2の実施の形態に係る電子デバイスの製造方法を説明するための図。The figure for demonstrating the manufacturing method of the electronic device which concerns on 2nd Embodiment. 第2の実施の形態に係る電子デバイスの製造方法を説明するための図。The figure for demonstrating the manufacturing method of the electronic device which concerns on 2nd Embodiment.

符号の説明Explanation of symbols

1…半導体装置、 10…基板、 12…ベース基板、 14…電気的接続部、 15…配線、 16…リード、 20…金属層、 22…開口、 30…樹脂材料、 32…ローラー、 34…配線、 36…ランド、 38…リード、 40…押圧治具、 45…押圧領域、 52…配線、 53…ランド、 54…貫通穴、 58…貫通穴、 62…配線、 63…ランド、 64…切り欠き、 70…半導体基板、 72…集積回路、 74…電気的接続部、 80…樹脂材料、 82…配線、 84…ランド、 86…レジスト層、 88…外部端子、 90…根元補強樹脂   DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Semiconductor device, 10 ... Board | substrate, 12 ... Base board | substrate, 14 ... Electrical connection part, 15 ... Wiring, 16 ... Lead, 20 ... Metal layer, 22 ... Opening, 30 ... Resin material, 32 ... Roller, 34 ... Wiring 36 ... Land, 38 ... Lead, 40 ... Pressing jig, 45 ... Pressing area, 52 ... Wiring, 53 ... Land, 54 ... Through hole, 58 ... Through hole, 62 ... Wiring, 63 ... Land, 64 ... Notch 70 ... Semiconductor substrate, 72 ... Integrated circuit, 74 ... Electrical connection, 80 ... Resin material, 82 ... Wiring, 84 ... Land, 86 ... Resist layer, 88 ... External terminal, 90 ... Base reinforcement resin

Claims (8)

ベース基板と、前記ベース基板上に形成された電気的接続部とを有する電子モジュールを用意する工程と、
前記電子モジュール上に、前記電気的接続部を覆うように樹脂材料を設ける工程と、
前記樹脂材料上に、少なくとも一部が前記電気的接続部と重複するように、配線を形成する工程と、
前記電気的接続部と前記配線との重複領域において、前記配線を前記電気的接続部に向かって押圧し、前記樹脂材料を変形させながら前記電気的接続部と前記配線とを近接させて、前記電気的接続部と前記配線とを接触させて電気的に接続する工程と、
を含む電子デバイスの製造方法。
Preparing an electronic module having a base substrate and an electrical connection formed on the base substrate;
Providing a resin material on the electronic module so as to cover the electrical connection part;
Forming a wiring on the resin material so that at least a portion thereof overlaps the electrical connection portion;
In the overlapping region of the electrical connection portion and the wiring, the wiring is pressed toward the electrical connection portion, and the electrical connection portion and the wiring are brought close to each other while the resin material is deformed, Electrically connecting the electrical connection portion and the wiring to make electrical contact;
A method of manufacturing an electronic device comprising:
請求項1記載の電子デバイスの製造方法において、
前記配線は、前記電気的接続部の少なくとも一部と重複するランドを含み、
前記電気的接続部と前記配線とを接触させて電気的に接続する工程では、
前記ランドを前記電気的接続部に向かって押圧し、前記ランドと前記電気的接続部とを接触させる電子デバイスの製造方法。
In the manufacturing method of the electronic device of Claim 1,
The wiring includes a land that overlaps at least a part of the electrical connection portion,
In the step of electrically connecting the electrical connection portion and the wiring in contact with each other,
A method for manufacturing an electronic device, wherein the land is pressed toward the electrical connection portion, and the land and the electrical connection portion are brought into contact with each other.
請求項2記載の電子デバイスの製造方法において、
前記ランドが貫通穴を有するように、前記配線を形成する電子デバイスの製造方法。
In the manufacturing method of the electronic device of Claim 2,
An electronic device manufacturing method for forming the wiring so that the land has a through hole.
請求項3記載の電子デバイスの製造方法において、
前記電気的接続部と前記配線とを接触させて電気的に接続する工程では、
押圧治具によって前記ランドの押圧領域を押圧し、
前記貫通穴の一部が前記押圧領域の内側に配置されるように、前記配線を形成する電子デバイスの製造方法。
In the manufacturing method of the electronic device of Claim 3,
In the step of electrically connecting the electrical connection portion and the wiring in contact with each other,
Press the pressing area of the land with a pressing jig,
The manufacturing method of the electronic device which forms the said wiring so that a part of said through-hole is arrange | positioned inside the said press area | region.
請求項2記載の電子デバイスの製造方法において、
前記ランドが切り欠きを有するように、前記配線を形成する電子デバイスの製造方法。
In the manufacturing method of the electronic device of Claim 2,
An electronic device manufacturing method for forming the wiring so that the land has a notch.
請求項5記載の電子デバイスの製造方法において、
前記電気的接続部と前記配線とを接触させて電気的に接続する工程では、
前記押圧治具によって前記ランドの押圧領域を押圧し、
前記切り欠きが前記押圧領域の内側に至るように、前記配線を形成する電子デバイスの製造方法。
In the manufacturing method of the electronic device of Claim 5,
In the step of electrically connecting the electrical connection portion and the wiring in contact with each other,
Pressing the pressing area of the land with the pressing jig,
The manufacturing method of the electronic device which forms the said wiring so that the said notch may reach the inner side of the said press area | region.
請求項1から請求項6のいずれかに記載の電子デバイスの製造方法において、
前記配線における前記樹脂材料と対向する面が、少なくとも前記電気的接続部と前記配線との重複領域において凹凸面となるように、前記配線を形成する電子デバイスの製造方法。
In the manufacturing method of the electronic device in any one of Claims 1-6,
A method of manufacturing an electronic device, wherein the wiring is formed such that a surface of the wiring facing the resin material is an uneven surface at least in an overlapping region between the electrical connection portion and the wiring.
請求項1から請求項7のいずれかに記載の電子デバイスの製造方法において、
前記電子モジュールは、前記ベース基板上に形成された金属層をさらに有し、
前記金属層には、開口と、前記開口から引き出されて前記樹脂材料を設けるための領域の外側に至るように形成された溝とが形成されており、
前記電気的接続部は、前記開口の内側の領域に、前記金属層と接触しないように配置されている電子デバイスの製造方法。
In the manufacturing method of the electronic device in any one of Claims 1-7,
The electronic module further includes a metal layer formed on the base substrate,
In the metal layer, an opening and a groove formed so as to reach the outside of the region for providing the resin material drawn from the opening are formed,
The method for manufacturing an electronic device, wherein the electrical connection portion is disposed in a region inside the opening so as not to contact the metal layer.
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