JP2008026281A - マイクロプローブ - Google Patents
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Abstract
【解決手段】基体4と、基体4上に設けられた中間層6と、中間層6上に設けられておりダイヤモンドから成る探針8とを備え、探針8は、中間層6に接続されている基端10と尖鋭な先端12とを有しており、探針8の先端径Dは、0.5μm以下であり、探針8の先端12から所定位置にある探針8の断面の幅L2を先端12からこの断面までの長さL1で割った第1アスペクト比T1は、0.3以上であり、探針8の基端10の幅L4をこの探針8の先端12から基端10までの長さL3で割った第2アスペクト比T2は、0.36以上である。
【選択図】図1
Description
Claims (6)
- 基体と、
前記基体上に設けられた中間層と、
前記中間層上に設けられておりダイヤモンドから成る一又は複数の探針と
を備え、
前記中間層は、金属材料又は樹脂材料から成り、
前記探針は、先端と前記中間層に接続されている基端とを有しており、
前記探針の先端径は、0.5μm以下であり、
前記先端から該先端近傍の所定位置にある前記探針の断面の幅を該先端から該断面までの長さで割った第1アスペクト比は、0.3以上であり、
前記基端の幅を前記先端から該基端までの長さで割った第2アスペクト比は、0.36以上である
ことを特徴とするマイクロプローブ。 - 基体と、
前記基体上に設けられた中間層と、
前記中間層上に設けられておりダイヤモンドから成る探針と
を備え、
前記中間層は、金属材料又は樹脂材料から成り、
前記探針は、前記中間層に接続されている基板領域と、該基板領域上に設けられた一又は複数の突起領域とを有し、
前記突起領域の先端径は、0.5μm以下であり、
前記突起領域の先端から該先端近傍の所定位置にある該突起領域の断面の幅を該先端から該断面までの長さで割った第1アスペクト比は、0.3以上0.71以下であり、
前記中間層に接続している前記基板領域の接続面の幅を前記突起領域の前記先端から該接続面までの長さで割った第2アスペクト比は、0.36以上である
ことを特徴とするマイクロプローブ。 - 基体と、
前記基体上に設けられたダイヤモンドから成る探針と
を備え、
前記探針は、前記基体に接続されている基板領域と、該基板領域上に設けられた一又は複数の突起領域とを有し、
前記突起領域の先端径は、0.5μm以下であり、
前記突起領域の先端から該先端近傍の所定位置にある該突起領域の断面の幅を該先端から該断面までの長さで割った第1アスペクト比は、0.71以下であり、
前記基体に接続している前記基板領域の接続面の幅を前記突起領域の前記先端から該接続面までの長さで割った第2アスペクト比は、1.1以上である
ことを特徴とするマイクロプローブ。 - 基体と、
前記基体上に設けられたダイヤモンドから成る探針と
を備え、
前記探針は、前記基体に接続さている基板領域と、該基板領域上に設けられた一又は複数の突起領域とを有し、
前記突起領域の先端径は、0.5μm以下であり、
前記突起領域の先端から該先端近傍の所定位置にある該突起領域の断面の幅を該先端から該断面までの長さで割った第1アスペクト比は、0.3以上0.71以下であり、
前記基体に接続している前記基板領域の接続面の幅を前記突起領域の前記先端から該接続面までの長さで割った第2アスペクト比は、1.1以上である
ことを特徴とするマイクロプローブ。 - 基体と、
前記基体上に設けられたダイヤモンドから成る探針と
を備え、
前記探針は、前記基体に接続されているメサ形状の基板領域と、該基板領域上に設けられた一又は複数の突起領域とを有し、
前記突起領域の先端径は、0.5μm以下であり、
前記突起領域の先端から該先端近傍の所定位置にある該突起領域の断面の幅を該先端から該断面までの長さで割った第1アスペクト比は、0.3以上であり、
前記基体に接続している前記基板領域の接続面の幅を前記突起領域の前記先端から該接続面までの長さで割った第2アスペクト比は、1.1以上である
ことを特徴とするマイクロプローブ。 - 前記先端は導電性を有している、ことを特徴とする請求項1〜5の何れか一項に記載のマイクロプローブ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006202474A JP2008026281A (ja) | 2006-07-25 | 2006-07-25 | マイクロプローブ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2006202474A JP2008026281A (ja) | 2006-07-25 | 2006-07-25 | マイクロプローブ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008026281A true JP2008026281A (ja) | 2008-02-07 |
Family
ID=39117048
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP2006202474A Pending JP2008026281A (ja) | 2006-07-25 | 2006-07-25 | マイクロプローブ |
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JP (1) | JP2008026281A (ja) |
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