JP2007537585A - Planar inductor and manufacturing method thereof - Google Patents

Planar inductor and manufacturing method thereof Download PDF

Info

Publication number
JP2007537585A
JP2007537585A JP2007512093A JP2007512093A JP2007537585A JP 2007537585 A JP2007537585 A JP 2007537585A JP 2007512093 A JP2007512093 A JP 2007512093A JP 2007512093 A JP2007512093 A JP 2007512093A JP 2007537585 A JP2007537585 A JP 2007537585A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
groove
metal
inductor
layer
layers
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP2007512093A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
和顕 田中
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Seiko Epson Corp
Original Assignee
Seiko Epson Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Seiko Epson Corp filed Critical Seiko Epson Corp
Publication of JP2007537585A publication Critical patent/JP2007537585A/en
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
    • H01F17/00—Fixed inductances of the signal type 
    • H01F17/0006—Printed inductances
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
    • H01F41/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties
    • H01F41/02—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for manufacturing cores, coils, or magnets
    • H01F41/04—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for manufacturing cores, coils, or magnets for manufacturing coils
    • H01F41/041—Printed circuit coils
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
    • H01F17/00—Fixed inductances of the signal type 
    • H01F17/0006—Printed inductances
    • H01F2017/0046—Printed inductances with a conductive path having a bridge
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
    • H01F17/00—Fixed inductances of the signal type 
    • H01F17/0006—Printed inductances
    • H01F2017/0053—Printed inductances with means to reduce eddy currents
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
    • H01F27/00—Details of transformers or inductances, in general
    • H01F27/28—Coils; Windings; Conductive connections
    • H01F27/32—Insulating of coils, windings, or parts thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
    • H01F27/00—Details of transformers or inductances, in general
    • H01F27/34—Special means for preventing or reducing unwanted electric or magnetic effects, e.g. no-load losses, reactive currents, harmonics, oscillations, leakage fields

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
  • Coils Or Transformers For Communication (AREA)
  • Manufacturing Cores, Coils, And Magnets (AREA)

Abstract

【課題】高いＱ値および低い直列抵抗を有するインダクターを提供する。
【解決手段】平面インダクターは基板（３００、３１０）の上に金属元素（１１−１４）を含み、該金属元素は、該元素の少なくとも一つの面（２）から該元素に沿っておよび該元素まで延びる少なくとも一個の溝（２０）を備える。該溝（単数または複数）（２０）は、基板（３００、３１０）の表面に対して略直角方向に延び、より高いＱ値を提供するとともに、より低い直列抵抗もまた達成される。インダクターは溝の付いた層（１１、１３、１４）および溝の付いていない層（１２）を含んでもよい。本発明はまたインダクターの製造方法にも関する。
【選択図】図２An inductor having a high Q value and a low series resistance is provided.
A planar inductor includes a metal element (11-14) on a substrate (300, 310), the metal element from and along the element from at least one face (2) of the element. At least one groove (20). The groove (s) (20) extend substantially perpendicular to the surface of the substrate (300, 310) to provide a higher Q value and a lower series resistance is also achieved. The inductor may include a grooved layer (11, 13, 14) and a non-grooved layer (12). The present invention also relates to a method for manufacturing an inductor.
[Selection] Figure 2

Description

本発明はインダクター、とりわけ集積回路に用いられる種類の金属の平面インダクターに関する。   The present invention relates to inductors, particularly metal planar inductors of the type used in integrated circuits.

多くの種類のインダクターが公知である。集積回路（ＩＣ）において最も一般的なインダクターの種類は、螺旋または類似の構造を備えた平面インダクターである。図１Ａおよび１Ｂは、いわゆるビア２０１を介して金属インダクター２００に接続された先行技術のインダクター１００の平面図および垂直断面図である。製造技術および製造方法に応じて、インダクターは、通常は同一の金属から成る複数の（この場合二層の）金属層１０１および１０２から構成しうる。これは通常、たとえばＣＭＯＳまたはバイポーラＩＣを用いた集積回路を製造する場合にあてはまる。通常はいかなる場合においても、大部分の公知の先行技術のＩＣインダクターでは、金属部（またはより厳密に言えば、金属部分の各断面）は略長方形の断面を有する。   Many types of inductors are known. The most common type of inductor in an integrated circuit (IC) is a planar inductor with a spiral or similar structure. 1A and 1B are a plan view and a vertical cross-sectional view of a prior art inductor 100 connected to a metal inductor 200 through a so-called via 201. Depending on the manufacturing technique and method, the inductor can be composed of a plurality (in this case two layers) of metal layers 101 and 102, usually of the same metal. This is usually the case when manufacturing integrated circuits, for example using CMOS or bipolar ICs. Usually, in any case, in most known prior art IC inductors, the metal part (or more precisely, each cross section of the metal part) has a substantially rectangular cross section.

この種の半インダクター集積平面インダクターは通常、相対的に低いＱ値を有する。また近年これらインダクターはサブマイクロ工程で製造されるため、インダクターの直列抵抗が、携帯電話装置への適用といった高周波数の適用にとっては深刻な問題となりうる。   This type of semi-inductor integrated planar inductor typically has a relatively low Q factor. In recent years, since these inductors are manufactured in a sub-micro process, the series resistance of the inductors can be a serious problem for high frequency applications such as application to mobile phone devices.

通常、直接抵抗を低下させるためには、導電性の良好な材料を用いてインダクターの金属層を形成する。また、幅の広い金属層を有するインダクターも使用しうるが、このような幅の広い層は、インダクターを形成する基板に対する寄生容量が大きい傾向がある。   Usually, in order to directly reduce the resistance, the metal layer of the inductor is formed using a material having good conductivity. An inductor having a wide metal layer can also be used, but such a wide layer tends to have a large parasitic capacitance with respect to the substrate on which the inductor is formed.

さらに、インダクター自体から生成される熱も、電力増幅器といった高電流を伴う適用に発生するもう一つの問題である。   Furthermore, the heat generated from the inductor itself is another problem that arises in high current applications such as power amplifiers.

インダクターに高周波信号を印加する時、インダクターの直列抵抗は下記の式で表される表皮効果と関連している。

Figure 2007537585
ここで、ρは抵抗率、ωは角周波数、ｆは周波数およびμは透過性である。 When a high frequency signal is applied to the inductor, the series resistance of the inductor is related to the skin effect expressed by the following equation.
Figure 2007537585
Here, ρ is resistivity, ω is angular frequency, f is frequency, and μ is transmissivity.

表皮効果の結果、高周波信号がインダクターの金属の表面近傍を流れる。このことはインダクターの高周波抵抗（コンダクタンス）がインダクターの金属の表面積に依存することを示唆している。ここでこの表面積が増加すると表皮効果は低下し、したがってインダクターの直列抵抗も低下する。   As a result of the skin effect, a high frequency signal flows near the metal surface of the inductor. This suggests that the high frequency resistance (conductance) of the inductor depends on the metal surface area of the inductor. Here, as this surface area increases, the skin effect decreases, and therefore the series resistance of the inductor also decreases.

反対に、インダクターのＱ値は下記の式で表すことができる。

Figure 2007537585
ここで、Ｌはインダクタンス、Ｒは抵抗、Ｓは表面積およびＩはインダクターの長さである。このようにしてＱ値もまた表面積に依存している。表面積が増加すると、Ｑ値は増加する。 Conversely, the Q value of the inductor can be expressed by the following equation.
Figure 2007537585
Here, L is the inductance, R is the resistance, S is the surface area, and I is the length of the inductor. In this way, the Q value also depends on the surface area. As the surface area increases, the Q value increases.

高いＱ値は、多くの状況において重要である。たとえば高周波回路において、インダクターはたとえばフィルター中でマッチング部品として使用されることが多く、インダクターの周波数選択が重要である。Ｑ値の高い部品は良好な周波数特性を有する。   A high Q value is important in many situations. For example, in a high frequency circuit, an inductor is often used as a matching component in a filter, for example, and the frequency selection of the inductor is important. A component having a high Q value has good frequency characteristics.

特開平８−２８８４６３号公報および特開平９−２５１９９９号公報はともに、「側面」に溝、すなわち、基板の表面に対して略平行方向に金属本体へと進入する溝を備えた、基板の上の金属インダクターを開示している。（これら溝は「水平」溝と呼ぶこともできる。）基本的に、これら溝が原因となって、表面積が若干増加し、このようにして直列抵抗の低下およびインダクターのＱ値の増加を提供しうる。しかし通常は、基板に対して直角方向（「垂直」方向）への金属層の延長は非常に小さい（多くの場合、０．５μｍ未満）。このように、これら先行技術文書に開示されたアプローチを使用すると、十分な「深さ」を有する（金属層の深くへと進入する）多数の溝を提供することは困難と思われる。   Japanese Patent Application Laid-Open No. 8-288463 and Japanese Patent Application Laid-Open No. 9-251999 both have grooves on the “side surface”, that is, grooves that enter the metal body in a direction substantially parallel to the surface of the substrate. A metal inductor is disclosed. (These grooves can also be referred to as “horizontal” grooves.) Basically, these grooves cause a slight increase in surface area, thus providing a reduction in series resistance and an increase in inductor Q factor. Yes. However, usually the extension of the metal layer in the direction perpendicular to the substrate (the “vertical” direction) is very small (often less than 0.5 μm). Thus, using the approaches disclosed in these prior art documents, it would be difficult to provide multiple grooves with sufficient “depth” (entering deep into the metal layer).

さらに、特開平８−２８８４６３号公報および特開平９−２５１９９９号公報はフォトリソグラフィを用いて形成される。定在波を生じさせる放射によって、穴が「型」の壁内に生成され、該「型」に金属が充填されると、金属の壁中に対応する溝を生じさせる。この方法は、集積回路用の平面インダクターを生成する従来方法の一部を形成するものでない。   Further, JP-A-8-288463 and JP-A-9-251999 are formed using photolithography. Radiation that creates a standing wave creates holes in the “mold” wall that, when filled with metal, creates corresponding grooves in the metal wall. This method does not form part of the conventional method of producing planar inductors for integrated circuits.

本発明は、表皮効果を考慮の上、インダクターの表面積を大幅に増加させることによって、（比較的）高いＱ値および（比較的）低い直列抵抗を有するインダクターを提供することを目的とする。   An object of the present invention is to provide an inductor having a (relatively) high Q value and (relatively) low series resistance by significantly increasing the surface area of the inductor in consideration of the skin effect.

本発明の第１の実施態様は、基板の上に金属元素を含み、該金属元素が、該元素の少なくとも一方の表面から該元素へと該元素に沿って延びる少なくとも一個の溝を備えた平面インダクターに関する。本発明によると、該少なくとも一個の溝は、基板の表面に対して略直角の方向に元素へと延びることを特徴とする。該少なくとも一個の溝が基板の表面に対して略直角方向に元素へと延びる。   A first embodiment of the invention comprises a planar surface comprising a metal element on a substrate, the metal element having at least one groove extending along the element from at least one surface of the element to the element. Related to inductors. According to the invention, the at least one groove extends into the element in a direction substantially perpendicular to the surface of the substrate. The at least one groove extends into the element in a direction substantially perpendicular to the surface of the substrate.

通常、インダクターを構成する金属元素（または層）の「幅」（すなわち、基板の表面に対して平行方向への該元素の一部の断面の延長部分）は、「高さ」（基板に対して直角方向への延長部分）よりも大きい。したがって、基板に対して直角方向に溝を作成することによって、上記に概説した目的（すなわち、金属元素の一般外側寸法を増加させることなく達成された金属表面積、すなわち基板の表面に対して平行な二次元平面において金属元素が閉める空間が大きいことを理由とする、高周波時の高いＱ値およびより低い直列抵抗）を達成するために十分な「深さ」および「幅」を有する溝を提供することがより簡単となる。   Usually, the “width” of the metal element (or layer) constituting the inductor (ie, the extension of the cross section of a part of the element parallel to the surface of the substrate) is the “height” (relative to the substrate Larger than the perpendicular extension). Therefore, by creating the grooves perpendicular to the substrate, the objective outlined above (ie, the metal surface area achieved without increasing the general outer dimension of the metal element, ie, parallel to the surface of the substrate). Providing a groove having sufficient “depth” and “width” to achieve a high Q value and lower series resistance at high frequencies (because of the large space enclosed by the metal element in the two-dimensional plane) It becomes easier.

さらにこの態様において、溝は、平面インダクターを製造する従来の方法の枠内において、および上記に論じた先行技術の参考文献に開示された特定のフォトリソグラフィーを適用する必要なしに、簡単に生成することができる。   Furthermore, in this embodiment, the grooves are easily generated within the framework of conventional methods of manufacturing planar inductors and without the need to apply specific photolithography disclosed in the prior art references discussed above. be able to.

さらに、溝の幅および長さといった、金属元素の具体的な設計および寸法は、鋳造工程規則の範囲内でおよび従来の製造工程を用いて、インダクターの所望の特徴に応じて簡単に変化しおよび適応することができる。   Furthermore, the specific design and dimensions of the metal elements, such as the width and length of the grooves, can easily vary depending on the desired characteristics of the inductor and within the scope of the casting process rules and using conventional manufacturing processes and Can adapt.

このようにして本発明は、平面インダクターの導電性元素の有効表面積を増加させ、高周波数において、対応するインダクターの直列抵抗を低下させおよびＱ値を増加させる簡単に実装されおよび自由度の高い方法を提供する。   Thus, the present invention provides a simple and highly flexible method of increasing the effective surface area of a conductive element in a planar inductor, reducing the series resistance of the corresponding inductor and increasing the Q value at high frequencies. I will provide a.

インダクターは、それぞれが基板と平行方向に延びる少なくとも二層の重なり合った（好ましくは同一の金属から成る）金属層を含むことによって、該層のうち少なくとも一層が一個または複数の該溝を備える層をなすインダクターであってもよい。インダクターを構成する金属元素の構造によって、従来の層構造ＩＣ工程を用いて溝を形成しおよびその（「高さ」または「深さ」といった）寸法を求めることができるため、この構造は有利でありうる。これによって従来の工程を用いた簡単な実装、および溝の寸法の選択における実装の簡単な自由度を提供する。「より深い」溝を得るために、追加の「溝の付いた」層を単に追加することができる。   The inductor includes at least two overlapping (preferably made of the same metal) metal layers each extending in a direction parallel to the substrate, whereby at least one of the layers comprises one or more of the grooves. It may be an inductor. This structure is advantageous because the structure of the metal elements that make up the inductor allows grooves to be formed and their dimensions (such as “height” or “depth”) determined using a conventional layered IC process. It is possible. This provides a simple mounting using conventional processes and a simple freedom of mounting in the selection of groove dimensions. To obtain “deeper” grooves, additional “grooved” layers can simply be added.

好適な実施形態の説明から簡単に理解できるように（後述部を参照）、また、層の使用は、「溝の付いた」および「溝の付いていない」層を選択的に塗布することによって、溝の寸法を厳密に求めることが可能になる。   As can be easily understood from the description of the preferred embodiment (see below), the use of layers is also achieved by selectively applying “grooved” and “non-grooved” layers. Therefore, it is possible to strictly determine the groove dimensions.

当然のことながら一枚の金属層を使用して、溝を、たとえば該金属層中で該溝を所望の深さまでエッチングすることによって提供することも可能である。しかしこの方法は、たとえば、溝の所望の寸法を厳密に求めるやり方に関してはあまり好ましくないと思われる。   Of course, it is also possible to use a single metal layer to provide the grooves, for example by etching the grooves in the metal layer to the desired depth. However, this method appears to be less preferred, for example, in terms of how to precisely determine the desired dimensions of the groove.

インダクターが重なり合った層に基づく平面インダクターである場合、一層またはそれ以上の該層は該溝（単数または複数）を備えていなくてもよい；溝の付いたおよび溝の付いていない層の数の選択は、表面積の最適化および（所定幅等を有する層中における所定の工程によって得ることができる溝の数といった）工程要件に基づいてもよい。当業者は、工程、材料および寸法の要件に鑑みると、層および溝の最適数およびそれらの寸法を選択することができる。   If the inductor is a planar inductor based on overlapping layers, one or more of the layers may not comprise the groove (s); the number of grooved and non-grooved layers The selection may be based on surface area optimization and process requirements (such as the number of grooves obtainable by a given process in a layer having a given width, etc.). One skilled in the art can select the optimum number of layers and grooves and their dimensions in view of process, material and dimensional requirements.

たとえばインダクターが金属層から構成されている場合、溝（単数または複数）は、該層の全体を該層の第１の表面から該層の第２の表面へと延び、該インダクターの別の層まで到達してもよい。このようにしてインダクターは、完全に溝の付いた層（内部で溝が一方の表面から反対の表面へと到達する層）および全く溝のない層から構成されてもよい。溝の深さは溝の付いた層の高さの合計に厳密に相当する。   For example, if the inductor is comprised of a metal layer, the groove (s) extend the entire layer from the first surface of the layer to the second surface of the layer, and another layer of the inductor. You may reach up to. In this way, the inductor may consist of a fully grooved layer (in which the groove reaches from one surface to the opposite surface) and a layer without any groove. The depth of the groove corresponds exactly to the sum of the heights of the grooved layers.

インダクターが、溝（単数または複数）が、該インダクターの一表面から、該層のうち少なくとも二層の全体に到達し、溝を備えていない層まで到達している、少なくとも三層の金属層を含んでもよい。   The inductor includes at least three metal layers in which the groove (s) reach from one surface of the inductor to at least two of the layers and to a non-grooved layer. May be included.

インダクターは、溝を備えていない層が溝を備えた層の間に挟まれている、少なくとも三層の金属層を含んでもよい。   The inductor may include at least three metal layers in which a layer without grooves is sandwiched between layers with grooves.

インダクターは、螺旋形状のインダクター、すなわち（基板の面内に）螺旋形状を有するインダクターであってもよい。好ましくは、溝（単数または複数）は、インダクターの螺旋形状に対応する螺旋形状も有し、すなわち、溝はインダクターの経路に追従する。   The inductor may be a spiral-shaped inductor, ie an inductor having a spiral shape (in the plane of the substrate). Preferably, the groove (s) also have a helical shape corresponding to the helical shape of the inductor, i.e. the groove follows the path of the inductor.

溝は好ましくは略平面内に配置される。   The grooves are preferably arranged in a substantially plane.

（層から構成されるかまたは構成されない）金属元素は、略長方形の断面を有しうる。   The metal element (consisting of or not composed of layers) may have a substantially rectangular cross section.

表面積を十分増加させるため、溝は、金属元素の「高さ」の少なくとも５０％に相当する程度まで（すなわち、基板の表面に垂直方向への延長部分まで）金蔵元素へと延びてもよい。   In order to increase the surface area sufficiently, the groove may extend to the metallizing element to an extent corresponding to at least 50% of the “height” of the metal element (ie up to an extension perpendicular to the surface of the substrate).

溝が金属元素の「高さ」の少なくとも７５％に相当する程度まで金属元素へと延びることが好ましい。   It is preferred that the groove extends to the metal element to an extent corresponding to at least 75% of the “height” of the metal element.

本発明の別の実施態様は、
金属元素を基板の上に塗布しまたは蒸着する工程；および
該金属元素に溝を提供する工程
を含む、平面インダクターを製造する方法に関する。 Another embodiment of the present invention is:
The present invention relates to a method of manufacturing a planar inductor, comprising: applying or depositing a metal element on a substrate; and providing a groove in the metal element.

本発明の本実施態様によると、溝は基板の表面に対して略垂直方向に金属元素へと延びるようにされる。   According to this embodiment of the invention, the groove extends into the metal element in a direction substantially perpendicular to the surface of the substrate.

金属元素を基板の上に塗布する工程が、少なくとも一層の金属層を基板の上に塗布する工程を含んでもよく；および
金属元素に溝を提供する工程が、
該少なくとも一層の金属層の上に非金属材料を塗布する工程；
該非金属材料中に溝を形成し、該溝は該非金属材料製の隔壁によって分離されている工程；
該溝に金属を充填し、これによって溝の付いた金属層を形成する工程
を含んでもよい。 Applying the metal element on the substrate may include applying at least one metal layer on the substrate; and providing a groove in the metal element;
Applying a non-metallic material on the at least one metal layer;
Forming a groove in the non-metallic material, the groove being separated by a partition made of the non-metallic material;
The groove may be filled with a metal, thereby forming a grooved metal layer.

図２Aおよび２Bは、本発明の実施形態による、いわゆるビア２０１によって金属インダクター２００に接続された螺旋形状の平面インダクター１のそれぞれ平面図および垂直断面図である。インダクターは、（アルミニウム、銅またはタングステンといった）同一金属から成る二層の金属層１１および１２から構成される螺旋形状の金属元素を含む。インダクターは、該元素の一方の表面２から該元素へと、金属元素に沿って、基板の表面に対して略直角方向に延びる。（一方、金属層は基板の表面と平行に、基板に沿って延びる。）図示した実施形態において、溝は金属層のうち一層１１を通過し、他方の金属層１２の表面に到達する。   2A and 2B are a plan view and a vertical cross-sectional view, respectively, of a helical planar inductor 1 connected to a metal inductor 200 by so-called vias 201 according to an embodiment of the present invention. The inductor includes a helical metal element composed of two metal layers 11 and 12 made of the same metal (such as aluminum, copper or tungsten). The inductor extends from one surface 2 of the element to the element along the metal element in a direction substantially perpendicular to the surface of the substrate. (On the other hand, the metal layer extends along the substrate parallel to the surface of the substrate.) In the illustrated embodiment, the groove passes through one layer 11 of the metal layers and reaches the surface of the other metal layer 12.

このようにすると、図２Aおよび２Bを図１Aおよび１Bを比較すると、溝を組み込むことによって、螺旋形経路の延長方向における長さ単位あたりのインダクターの金属表面が、インダクターの一般外側寸法（高さ、長さ、幅）のいずれも、またはインダクターの各「巻き線」の断面の高さおよび幅、または螺旋に続く巻き線と巻き線との間の距離にも変化なく増加したことは明らかである。金属表面が増加したため、上述したようにインダクターの直列抵抗は減少しそのQ値は増加した。   In this way, comparing FIGS. 2A and 2B with FIGS. 1A and 1B, by incorporating a groove, the metal surface of the inductor per length unit in the direction of extension of the helical path will cause the inductor's general outer dimension (height (Length, width), or the height and width of the cross-section of each “winding” of the inductor, or the distance between the windings following the helix, is clearly increased. is there. As the metal surface increased, the series resistance of the inductor decreased and its Q value increased as described above.

溝の具体的な寸法は多くの因子に依存してもよく、装置の最適な性能および製造工程の簡便さを得るために変化してもよい。   The specific dimensions of the groove may depend on many factors and may vary to obtain the optimum performance of the device and the simplicity of the manufacturing process.

図２Aおよび２Bに示す構造は、（図示しない）基板の上に金属インダクター２００の層を塗布することを開始して形成することができる。次に、（図示しない）絶縁層を塗布し（通常は、該絶縁層は二酸化ケイ素または何らかの誘電体から成る）、該絶縁層に穴が形成され、穴は（アルミニウム、銅またはタングステンといった）金属で充填され、ビア２０１を形成する。絶縁層の上部には、「溝の付いていない」金属層１２が塗布され、その上部には「溝の付いた」金属層１１が塗布される。   The structure shown in FIGS. 2A and 2B can be formed by starting to apply a layer of metal inductor 200 on a substrate (not shown). Next, an insulating layer (not shown) is applied (usually the insulating layer is made of silicon dioxide or some dielectric) and a hole is formed in the insulating layer, the hole being a metal (such as aluminum, copper or tungsten) To form a via 201. A “non-grooved” metal layer 12 is applied on top of the insulating layer, and a “grooved” metal layer 11 is applied on top of it.

図２Aおよび２Bに示す実施形態では、溝は金属元素の全部まで到達せず、該元素を上側の金属層１２の高さに相当する所定の深さまで貫通のみである。当然のことながら、金属元素の上側の表面２（「溝の付いた」表面）を反対側の表面３（図２Bの「溝の付いていない」表面）まで最後まで溝を貫通させることによって、図３Aに示すように互いに分離した平行な金属経路または金属の糸を形成してもよい。本実施形態は場合によっては、実装がより簡単であってもよいが、図３Aと３Bとを比較するとわかるように最大の金属表面を提供しない。   In the embodiment shown in FIGS. 2A and 2B, the groove does not reach all of the metal element, but only penetrates the element to a predetermined depth corresponding to the height of the upper metal layer 12. Of course, by penetrating the groove through the upper surface 2 (the “grooved” surface) of the metal element to the opposite surface 3 (the “non-grooved” surface in FIG. 2B) to the end, As shown in FIG. 3A, parallel metal paths or metal threads may be formed which are separated from each other. This embodiment may be easier to implement in some cases, but does not provide the maximum metal surface as can be seen by comparing FIGS. 3A and 3B.

図３Aおよび３Bは、図２Aおよび２Bの断面とちょうど同じく、それぞれ、二層の金属層１１および１２／１２ａをそれぞれ含み、（基板の表面に対して直角な）「垂直の」溝を備えた平面インダクターの断面を示す。しかし、図３Ａにおいて溝はインダクターの上側の表面から下側の表面へと延びる。図３Ａおよび３Ｂにおいて、ａは下側の層１２／１２ａの高さを表し（本明細書中で出願人らは、水平方向に延びる基板表面の上にインダクターが位置すると仮定する）、ｂは上側の層１１の高さを表し、ｓは溝の幅を表し、およびｗは溝によって分離される金属元素の幅を表す。   3A and 3B, just like the cross sections of FIGS. 2A and 2B, respectively, include two metal layers 11 and 12 / 12a, respectively, with “vertical” grooves (perpendicular to the surface of the substrate). A cross section of a planar inductor is shown. However, in FIG. 3A, the groove extends from the upper surface of the inductor to the lower surface. In FIGS. 3A and 3B, a represents the height of the lower layer 12 / 12a (herein we assume that the inductor is located on a horizontally extending substrate surface), b is The height of the upper layer 11 is represented, s represents the width of the groove, and w represents the width of the metal element separated by the groove.

インダクターの断面の金属部の全周囲Ｐは下記の方法で計算することができる。
Ｐ3A＝４×［２×（ａ＋ｂ＋ｗ）］＝８×（ａ＋ｂ＋ｗ） The total perimeter P of the metal part in the cross section of the inductor can be calculated by the following method.
P 3A = 4 × [2 × (a + b + w)] = 8 × (a + b + w)

インダクターへと距離ｂ（すなわち、上側の層１１までであって下側の層１２は貫通しない）のみ延びる溝を有する図３Ｂのインダクターは
Ｐ3B＝２×（４ｗ＋３ｓ）＋２×（ａ＋ｂ）＋６ｂ＝２ａ＋８ｂ＋８ｗ＋６ｓ The inductor of FIG. 3B with a groove extending only a distance b (ie, up to the upper layer 11 and not through the lower layer 12) into the inductor is P 3B = 2 × (4w + 3s) + 2 × (a + b) + 6b = 2a + 8b + 8w + 6s

このよう外周の差は
Ｐ3B−Ｐ3A＝２ａ＋８ｂ＋８ｗ＋６ｓ−（８ａ＋８ｂ＋８ｗ）＝６（ｓ−ａ）
である。 Thus, the difference in the outer circumference is P 3B −P 3A = 2a + 8b + 8w + 6s− (8a + 8b + 8w) = 6 (s−a)
It is.

実際の実施形態において、「ｓ」を「ａ」よりも大きくする（実際は多くの場合ａは０．５μｍ未満である）ことのほうが簡単な場合が多い。これによって、金属元素の全部（層の全体を）を貫通していない溝を用いてより大きな外周が得られる。   In actual embodiments, it is often easier to make “s” larger than “a” (in many cases, a is often less than 0.5 μm). This provides a larger perimeter with a groove that does not penetrate all of the metal element (through the entire layer).

また、金属インダクターが接続される隣接する金属線と金属インダクターとの接続も考慮しなければならない。溝のない接触層は、端部においてより良好な接続特性を提供するため有利でありうる。   Also, the connection between the metal inductor and the adjacent metal wire to which the metal inductor is connected must be considered. A contact layer without grooves can be advantageous because it provides better connection characteristics at the edges.

図４Ａおよび４Ｂは追加の層を含む代替的な設計を示す。図４Ａでは、追加の層１３は層１２の上に載置され、「より高い」インダクターおよび「より深い」溝を提供した。図４Ｂは、追加的な層１４が、溝の付いていない層１２の「下」面に追加された（溝の付いた層と層との間に溝の付いていない層を有する「サンドイッチ」構造を生成する）実施形態を示す。層の数、およびどの層に溝を付けるかは、インダクターにとって好ましい特定の特性を鑑みて、利用可能な空間を鑑みて、および所望の製造工程を鑑みて、決定することができる。   4A and 4B show an alternative design that includes additional layers. In FIG. 4A, additional layer 13 was placed over layer 12 to provide a “higher” inductor and “deeper” groove. 4B shows that an additional layer 14 has been added to the “bottom” face of the non-grooved layer 12 (“sandwich” with a non-grooved layer between the grooved layers). 2 shows an embodiment of generating a structure. The number of layers and which layers are to be grooved can be determined in view of the specific characteristics preferred for the inductor, in view of available space and in view of the desired manufacturing process.

当然のことながら、インダクターの金属部は必ずしも複数の層から構成されていない。該層まで到達する溝が形成された単一の層を含む（状況に応じて、上側の表面から下側の表面まで全部を貫通する場合も）金属部もまた、本発明の実施に役立つ。しかし、複数の層を使用することは実際的な見地からみて有利でありうる。その理由は、部品を製造するこの方法−すなわち、所望の高さに到達するまで複数の層を塗布する方法は、たとえば従来のＣＭＯＳまたはバイポーラＩＣ処理において一般に使用されているからである。   As a matter of course, the metal part of the inductor is not necessarily composed of a plurality of layers. Metal parts also include a single layer with a groove that reaches the layer (and may penetrate all the way from the upper surface to the lower surface, depending on the circumstances), to help practice the present invention. However, the use of multiple layers can be advantageous from a practical point of view. The reason is that this method of manufacturing a part--that is, the method of applying multiple layers until the desired height is reached is commonly used, for example, in conventional CMOS or bipolar IC processing.

このような工程の例の概略が図５Ａ−５Ｅに示され、該図は、製造工程の後続するステップにおける、本発明の実施形態による平面螺旋形状のインダクターの断面のうちいくつかの断面図である。   An outline of an example of such a process is shown in FIGS. 5A-5E, which are several cross-sectional views of a cross-section of a planar spiral inductor according to an embodiment of the invention in a subsequent step of the manufacturing process. is there.

図５Ａは、二酸化ケイ素の層３１０がシリコン基板３０２の上に蒸着された第１の工程を示す。   FIG. 5A shows a first step in which a layer of silicon dioxide 310 has been deposited on a silicon substrate 302.

第２の工程では、第１の金属層が二酸化ケイ素層の上側の層の部分に塗布され、結果を図５Ｂに示す。   In the second step, a first metal layer is applied to the upper layer portion of the silicon dioxide layer and the result is shown in FIG. 5B.

図５Ｃは、後続する工程において、該第１の金像層と後続の層との間に絶縁を提供するため、第２の二酸化ケイ素の層３２０が第１の二酸化ケイ素の層３１０および第１の金属層１２に塗布される様子を示す。   FIG. 5C shows that in a subsequent step, the second silicon dioxide layer 320 is replaced with the first silicon dioxide layer 310 and the first silicon dioxide layer to provide insulation between the first gold image layer and the subsequent layer. A state of being applied to the metal layer 12 is shown.

後続する工程では、該第２の二酸化ケイ素の層３２０中に溝３３０が従来の方法で形成され、これによって図５Ｄに示す構造が生成され、該構造では該溝３３０が二酸化ケイ素から成る隔壁３２５によって分離されている。   In a subsequent step, a groove 330 is formed in the second silicon dioxide layer 320 in a conventional manner, thereby producing the structure shown in FIG. 5D, where the groove 330 is a partition 325 made of silicon dioxide. Separated by.

次に金属をこれら溝３３０に塗布し、これによって層１１（「溝の付いた」層）および１２（「溝の付いていない」溝）によって形成された金属インダクター中の溝２０に対応する二酸化ケイ素３２５によって分離された第２の金属層１１を提供する。   Metal is then applied to these grooves 330, thereby providing a dioxide dioxide corresponding to the grooves 20 in the metal inductor formed by layers 11 ("grooved" layers) and 12 ("non-grooved" grooves). A second metal layer 11 separated by silicon 325 is provided.

こうしてこのような方法で、たとえば従来のＣＭＯＳまたはバイポーラＩＣ工程を用いて層を追加することによって、任意の数の層および該層を通って延びる溝を有する平面インダクターを達成することができる。   Thus, planar inductors having any number of layers and grooves extending therethrough can be achieved in this manner, for example by adding layers using conventional CMOS or bipolar IC processes.

本明細書の説明および請求項全体において、単語「含む」および「含んでいる」といったこの単語の変形は、他の混和物、部品、数、工程を除外することを意図していない。   Throughout this description and claims, variations of this word, such as the words “include” and “include”, are not intended to exclude other admixtures, parts, numbers, steps.

本発明はインダクター、とりわけ集積回路に用いられる種類の金属の平面インダクターに利用することができる。   The present invention can be used for inductors, particularly planar inductors of the type of metal used in integrated circuits.

最先端の技術による金属の平面螺旋形状のインダクターの平面図および断面図をそれぞれ示す図。The figure which each shows the top view and sectional drawing of the inductor of the metal planar spiral shape by state-of-the-art technology. 本発明の実施形態による金属の平面螺旋形状のインダクターの平面図および断面図をそれぞれ示す図。The figure which each shows the top view and sectional drawing of a planar spiral inductor of metal by embodiment of this invention. 本発明の二つの代替実施形態の断面を示す図。FIG. 3 shows a cross section of two alternative embodiments of the present invention. 本発明のさらに別の二つの実施形態の断面を示す図。The figure which shows the cross section of two another embodiment of this invention. 本発明の好ましい実施形態による製造工程の後続するステップにおける、本発明の実施形態による平面インダクターの断面の断面図。FIG. 3 is a cross-sectional view of a cross-section of a planar inductor according to an embodiment of the present invention in a subsequent step of a manufacturing process according to a preferred embodiment of the present invention.

符号の説明Explanation of symbols

３００、３１０・・基板、１１−１４・・金属元素、２０・・溝、１１、１３、１４・・溝の付いた層、１２・・溝の付いていない層。   300, 310 ... substrate, 11-14 ... metal element, 20 ... groove, 11, 13, 14 ... grooved layer, 12 ... non-grooved layer.

Claims (14)

基板（３００、３１０）の上に金属元素（１１−１４）を含み、前記金属元素は、前記元素の少なくとも一方の表面（２）から前記元素へと前記元素に沿って延びる少なくとも一個の溝（２０）を備えた平面インダクターであって、前記少なくとも一個の溝（２０）が基板の表面に対して略直角方向に元素へと延びたことを特徴とする平面インダクター。   Comprising a metal element (11-14) on a substrate (300, 310), said metal element being at least one groove extending along said element from at least one surface (2) of said element to said element ( A planar inductor comprising 20), wherein the at least one groove (20) extends into the element in a direction substantially perpendicular to the surface of the substrate. 金属元素が、それぞれが基板と平行方向に延びる少なくとも２層の重なり合った金属層（１１、１２、１３、１４）を含むことによって、前記層のうち少なくとも一層（１１、１３、１４）が前記少なくとも一個の溝（２０）を備えたことを特徴とする、請求項１に記載の平面インダクター。   The metal element includes at least two overlapping metal layers (11, 12, 13, 14) each extending in a direction parallel to the substrate, so that at least one of the layers (11, 13, 14) is the at least one of the layers. The planar inductor according to claim 1, characterized in that it comprises a single groove (20). 前記層のうち少なくとも一層（１２）が前記少なくとも一個の溝を備えていないことを特徴とする、請求項２に記載の平面インダクター。   3. A planar inductor according to claim 2, characterized in that at least one of the layers (12) does not comprise the at least one groove. 前記層（１１、１３、１４）のうち少なくとも第１の層中において、前記少なくとも一個の溝が、前記インダクターの前記層の全体を前記層の第１の表面から前記層の第２の表面へと延び、前記インダクターの第２の（１２）層まで到達したことを特徴とする、請求項２および３のいずれかに記載の平面インダクター。   In at least a first layer of the layers (11, 13, 14), the at least one groove extends the entire layer of the inductor from a first surface of the layer to a second surface of the layer. The planar inductor according to claim 2, wherein the planar inductor extends to the second (12) layer of the inductor. 金属元素が、前記少なくとも一個の溝（２０）が、前記層のうち少なくとも二層（１１，１３）の全体を、前記インダクターの一表面（２）から、前記少なくとも一個の溝を備えていない層（１２）まで到達した、少なくとも三層の金属層（１１、１２、１３）を含んだことを特徴とする、前記いずれかの請求項に記載の平面インダクター。   The metal element is a layer in which the at least one groove (20) is not provided with the at least one groove from one surface (2) of the inductor over the entire at least two layers (11, 13) of the layers. A planar inductor according to any one of the preceding claims, characterized in that it comprises at least three metal layers (11, 12, 13) reaching up to (12). 金属元素が、前記少なくとも一個の溝を備えていない層（１２）が前記少なくとも一個の溝（２０）を備えた層（１１、１４）の間に挟まれている、少なくとも三層の金属層（１１，１２，１４）を含んだことを特徴とする、前記いずれかの請求項に記載の平面インダクター。   The metal element has at least three metal layers, wherein the layer (12) not provided with the at least one groove is sandwiched between the layers (11, 14) provided with the at least one groove (20). 11. A planar inductor according to any one of the preceding claims, characterized in that it includes 11, 12, 14). インダクターが螺旋形状を有し、前記少なくとも一個の溝も同じくインダクターの螺旋形状に対応した螺旋形状を有することを特徴とする、前記いずれかの請求項に記載の平面インダクター。   The planar inductor according to any one of the preceding claims, wherein the inductor has a spiral shape, and the at least one groove also has a spiral shape corresponding to the spiral shape of the inductor. 前記少なくとも一個の溝が複数の溝（２０）を含んだことを特徴とする、前記いずれかの請求項に記載の平面インダクター。   A planar inductor according to any of the preceding claims, characterized in that the at least one groove comprises a plurality of grooves (20). 前記溝が互いに略平行であることを特徴とする、前記いずれかの請求項に記載の平面インダクター。   The planar inductor according to any one of the preceding claims, wherein the grooves are substantially parallel to each other. 前記金属元素が略長方形の断面を有したことを特徴とする、前記いずれかの請求項に記載の平面インダクター。   The planar inductor according to any one of the preceding claims, wherein the metal element has a substantially rectangular cross section. 溝が、金属元素の高さの少なくとも５０％に相当する程度まで、基板の表面に対して直角方向に金属元素へと延びたことを特徴とする、前記いずれかの請求項に記載の平面インダクター。   A planar inductor according to any of the preceding claims, characterized in that the groove extends to the metal element in a direction perpendicular to the surface of the substrate to an extent corresponding to at least 50% of the height of the metal element. . 溝が、金属元素の高さの少なくとも７５％に相当する程度まで、基板の表面に直角方向に金属元素へと延びたことを特徴とする、前記いずれかの請求項に記載の平面インダクター。   A planar inductor according to any preceding claim, characterized in that the groove extends to the metal element in a direction perpendicular to the surface of the substrate to an extent corresponding to at least 75% of the height of the metal element. 金属元素（１１、１２）を基板（３００、３１０）の上に塗布する工程；および
前記金属元素に溝（２０）を提供する工程
を含み、
溝（２０）が基板（３００、３１０）の表面と略直角方向に金属元素へと延びるようにされたことを特徴とする方法。 Applying a metal element (11, 12) onto a substrate (300, 310); and providing a groove (20) in the metal element;
A method characterized in that the groove (20) extends into the metal element in a direction substantially perpendicular to the surface of the substrate (300, 310). 金属元素を基板（３００、３１０）の上に塗布する工程が、少なくとも一層の金属層（１２）を基板の上に塗布する工程を含み；および
金属元素に溝を提供する工程が、
前記少なくとも一層の金属層（１２）の上に非金属材料（３２０）を塗布する工程；
前記非金属材料中に溝（３３０）を形成し、前記溝は前記非金属材料（３２０）製の隔壁（３２５）によって分離されている工程；
前記溝（３２５）に金属を充填し、これによって溝の付いた金属層（１１）を形成する工程
を含んだことを特徴とする請求項１３の方法。 Applying the metal element on the substrate (300, 310) includes applying at least one metal layer (12) on the substrate; and providing a groove in the metal element;
Applying a non-metallic material (320) on the at least one metal layer (12);
Forming a groove (330) in the non-metallic material, the groove being separated by a partition wall (325) made of the non-metallic material (320);
14. The method of claim 13, including the step of filling said groove (325) with metal, thereby forming a grooved metal layer (11).
JP2007512093A 2004-05-13 2005-05-09 Planar inductor and manufacturing method thereof Withdrawn JP2007537585A (en)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EP04076429A EP1596403A1 (en) 2004-05-13 2004-05-13 Planar inductor and method of manufacturing it
PCT/EP2005/005129 WO2005114684A1 (en) 2004-05-13 2005-05-09 Planar inductor and method of manufacturing it

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2007537585A true JP2007537585A (en) 2007-12-20

Family

ID=34928219

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2007512093A Withdrawn JP2007537585A (en) 2004-05-13 2005-05-09 Planar inductor and manufacturing method thereof

Country Status (4)

Country Link
US (1) US7791165B2 (en)
EP (1) EP1596403A1 (en)
JP (1) JP2007537585A (en)
WO (1) WO2005114684A1 (en)

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7679162B2 (en) * 2005-12-19 2010-03-16 Silicon Laboratories Inc. Integrated current sensor package
US7990132B2 (en) * 2006-06-30 2011-08-02 Silicon Laboratories Inc. Current sensor including an integrated circuit die including a first and second coil
US20080122567A1 (en) * 2006-08-31 2008-05-29 Jun Su Spiral inductors on a substrate
JP5268345B2 (en) * 2007-12-20 2013-08-21 パナソニック株式会社 Inductor
US7728578B2 (en) * 2008-05-15 2010-06-01 Silicon Laboratories Inc. Method and apparatus for high current measurement
JP2010141097A (en) * 2008-12-11 2010-06-24 Panasonic Corp Semiconductor device and method for manufacturing the same
WO2012121724A1 (en) * 2011-03-09 2012-09-13 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Flat power coil for wireless charging applications
CN103474414B (en) * 2012-06-06 2016-03-16 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 Inductance and forming method thereof
CN103474415B (en) * 2012-06-06 2016-08-31 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 Inductance and forming method thereof
EP2870484A2 (en) * 2012-07-06 2015-05-13 Pier Rubesa Method and apparatus for the amplification of electrical charges in biological systems or bioactive matter using an inductive disk with a fixed geometric trace
CN104885298B (en) * 2012-12-12 2017-12-26 Ls电线有限公司 Wireless power antenna and the dual-mode antenna for possessing the wireless power antenna
US20150279548A1 (en) 2014-04-01 2015-10-01 Virginia Tech Intellectual Properties, Inc. Compact inductor employing redistrubuted magnetic flux
CN113745404A (en) * 2021-08-25 2021-12-03 中国科学院微电子研究所 Spiral inductor preparation method, spiral inductor and passive device module

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2843829A (en) * 1952-12-30 1958-07-15 Du Mont Allen B Lab Inc Electrical inductance
JPS5873105A (en) * 1981-10-27 1983-05-02 Nec Corp Spiral coil
JPH08288463A (en) * 1995-04-18 1996-11-01 Hitachi Ltd Stripline, inductor element, monolithic microwave integrated circuit and their manufacture
JPH09251999A (en) 1996-03-14 1997-09-22 Toshiba Corp Semiconductor device and its manufacturing method
FR2823374A1 (en) * 2001-04-06 2002-10-11 St Microelectronics Sa INTEGRATED INDUCTANCE
JP2003045722A (en) * 2001-08-01 2003-02-14 Sony Corp Inductor and integrated circuit using the same
US6750750B2 (en) * 2001-12-28 2004-06-15 Chartered Semiconductor Manufacturing Ltd. Via/line inductor on semiconductor material
KR100438160B1 (en) * 2002-03-05 2004-07-01 삼성전자주식회사 Device having inductor and capacitor and a fabrication method thereof
US6740956B1 (en) * 2002-08-15 2004-05-25 National Semiconductor Corporation Metal trace with reduced RF impedance resulting from the skin effect
US6853079B1 (en) * 2002-08-15 2005-02-08 National Semiconductor Corporation Conductive trace with reduced RF impedance resulting from the skin effect
US6864581B1 (en) * 2002-08-15 2005-03-08 National Semiconductor Corporation Etched metal trace with reduced RF impendance resulting from the skin effect
US6703710B1 (en) * 2002-08-15 2004-03-09 National Semiconductor Corporation Dual damascene metal trace with reduced RF impedance resulting from the skin effect

Also Published As

Publication number Publication date
US7791165B2 (en) 2010-09-07
WO2005114684A1 (en) 2005-12-01
US20080157272A1 (en) 2008-07-03
EP1596403A1 (en) 2005-11-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2007537585A (en) Planar inductor and manufacturing method thereof
JP4772495B2 (en) Inductor and method of forming inductor
JP4903971B2 (en) Multi-layer inductor formed on a semiconductor substrate
JP4948756B2 (en) Inductor formed in integrated circuit and method of manufacturing the same
US7808358B2 (en) Inductor and method for fabricating the same
CN101523526B (en) Inductor element, inductor element manufacturing method, and semiconductor device with inductor element mounted thereon
US8826514B2 (en) Microfabricated inductors with through-wafer vias
JP4647484B2 (en) Semiconductor device
JP3954022B2 (en) Parallel branch structure spiral inductor
KR100818266B1 (en) Inductor using in Radio Frequency Integrated Circuit
JP2018174306A (en) Chip inductor and method for manufacturing the same
JP4584533B2 (en) Thin film multilayer high Q transformer formed in a semiconductor substrate
US8327523B2 (en) High density planarized inductor and method of making the same
US20050093668A1 (en) Coil on a semiconductor substrate and method for its production
JP2009260141A (en) Semiconductor device including inductor element
JP5090688B2 (en) Semiconductor device
KR100938501B1 (en) Inductor and its manufacturing method
CN105742251A (en) Structure with inductor and metal-insulating layer-metal capacitor
JP2006066769A (en) Inductor and its manufacturing method
KR100904594B1 (en) Inductor for semiconductor device and fabricating method thereof
JP2007227566A (en) Coil component
TW200834914A (en) Structure of inductor
JP4797980B2 (en) Thin film transformer and manufacturing method thereof
JP2010141097A (en) Semiconductor device and method for manufacturing the same
JP4324352B2 (en) Planar transformer and manufacturing method thereof

Legal Events

Date Code Title Description
A300 Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300

Effective date: 20080805