JP2007511478A - モノ−およびビス(フルオロアルキル)ホスホランおよび対応する酸およびホスファートを製造する方法 - Google Patents

モノ−およびビス(フルオロアルキル)ホスホランおよび対応する酸およびホスファートを製造する方法 Download PDF

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Abstract

本発明は、モノ(フルオロアルキル)−またはビス(フルオロアルキル)リン酸、モノ(フルオロアルキル)またはビス(フルオロアルキル)ホスファートおよびそれらの対応するホスホランを製造する方法に関する。該方法は、少なくとも、ビス(フルオロアルキル)ホスフィン酸もしくは(フルオロアルキル)ホスホン酸またはこれらの酸の対応する誘導体と無水フッ化水素との反応を含む。

Description

本発明は、モノ−(フルオロアルキル)−またはビス(フルオロアルキル)リン酸、モノ(フルオロアルキル)またはビス(フルオロアルキル)ホスファートおよびそれらの対応するホスホランを製造する方法に関する。
フルオロアルキルホスホラン類の合成方法として従来技術において知られているものは、アルキルホスフィン類の電気化学的なSimonのフッ素化(ECF)に基づくものであり(N. Ignatyev, P. Satori, J. of Fluorine Chem., 103 (2000) 57-61; WO 00/21969)、その高い収率ゆえ、トリス(フルオロアルキル)ジフルオロホスホラン類の合成にとくに好適である。ジアルキルホスフィン類のうち短い(C未満)アルキル鎖を有するものの電気化学的フッ素化においては、対応するパーフッ素化ホスホラン類の収率は極めて低い。
前記トリス(フルオロアルキル)ジフルオロホスホラン類は、種々のホスファート(WO 98/15562、DE 196 41 138、EP 1 127 888)および新規なトリス(フルオロアルキル)トリフルオロリン酸(DE 101 30 940)の合成の出発物質として用い得る。この酸は、種々の塩の合成に用い得るばかりでなく、加水分解することによって対応するビス(フルオロアルキル)ホスフィン酸を得ることができる(DE 101 30 940)。ビス(フルオロアルキル)ホスフィン酸およびフルオロアルキルホスフィン酸ならびにそれらの塩は、トリス(フルオロアルキル)ジフルオロホスホラン類の加水分解によって得ることができる(DE 102 169 95)。
さらに、モノ(パーフルオロアルキル)−およびビス(パーフルオロアルキル)フルオロホスホラン類の合成方法として従来技術において知られているものは、多段階反応であり、イオウとハロゲン化パーフルオロアルキルとの反応に基づくものであり、非常に高価格である(T. Mahmood, J.M. Shreeve, Inorg. Chem., 25 (1986) 3128)。この反応には、多くの場合高い圧力と温度が必要である。
トリフルオロメチルホスホランの生成は、(CFCdをPFまたはPClと反応させて行われる(R. Eujen, R. Haiges, Z. Naturforsch., 53b (1998) 1455)。しかし、トリス(トリフルオロメチル)ホスホランは、好ましくはこの反応によって生成されるが、CFPFおよび(CFPFの反応混合物中における検出は、NMRスペクトル解析によってのみなされる。この反応における他の不利な点は、不安定なドナー・フリーな(CFCdを用いることであり、これは高価格なCFIから何段階も経て調製しなければならない。
モノ(ペンタフルオロフェニル)−およびビス(ペンタフルオロフェニル)フルオロホスホラン類の調製は、多段階反応によって行うことができるところ、その第一の段階はペンタフルオロフェニルマグネシウムブロミドとPClとの反応((M. Fild, O. Glemser, I. Hollenberg, Z. Naturforsch., 21b (1966) 920; D.D. Magnelly, G. Tesi, J.U. Lowe, W.E. McQuistion, Inorg. Chem., 5 (1966) 457; R.M.K. Deng, K.B. Dillon, W.S. Sheldrick, J. Chem. Soc. Dalton Trans. 1990, 551)またはPBr3との反応(A.H. Cowley, R.P. Pinnell, J. Am. Chem. Soc. 88 (1966) 4533; R. Ali, K.B. Dillon, J. Chem. Soc. Dalton Trans. 1990, 2593)である。生成するモノ(ペンタフルオロフェニル)−およびビス(ペンタフルオロフェニル)クロロまたはブロモホスフィンの混合物の分離は、分別蒸留によって行うことができ、対応するフルオロホスホラン類の生成は、Clとの反応およびそれに続くAsFまたはSbFとの反応によって行われる(M. Fild, R. Schmutzler, J. Chem. Soc. (A) 1969, 840)。
また、先行技術文献には、モノ(ペンタフルオロエチル)およびビス(ペンタフルオロエチル)フルオロホスファートのいくつかの合成について記載したものがあるが、これらはいずれも非常に高価格な出発物質を用いているため、経済的に行うことはできない(例えばN.V. Pavlenko, L.M. Ygupolskii, Zh. Org. Khim (russ.) 59 (1989) 528; S.S. Chan, C.J. Willis, Can. J. Chem. 46 (1968) 1237; J. Jander, D. Boerner, U. Engelhardt, Liebigs Ann. Chem., 726 (1969) 19)。
本発明の目的は、工業的および経済的に有利な、モノ(フルオロアルキル)およびビス(フルオロアルキル)ホスファート類ならびにそれらの対応するホスホラン類の製造方法として、とくに、収率に優れ、簡便であり、かつ従来法より低廉な方法を示すことにある。
この目的は、主請求項および従属請求項にかかる特徴的な要件によって達成される。
本発明が差別化されるのは、ビス(フルオロアルキル)ホスフィン酸もしくは(フルオロアルキル)ホスホン酸またはそれらの塩もしくは誘導体によって、対応するフルオロアルキルリン酸の生成を、無水フッ化水素(HF)と反応せしめ、続いて塩を生成せしめるか、またはフルオロアルキルリン酸を、良好な収率で直接生成せしめることによる。前記モノ(フルオロアルキル)またはビス(フルオロアルキル)ホスファート類は、次に、対応するホスホラン類への変換を、強求電子試薬または強ルイス酸との処理によって行うことができる。
本発明の目的において、モノ(フルオロアルキル)またはビス(フルオロアルキル)ホスファート類は、リンが5つまたは4つのフッ素原子を、1つまたは2つのフルオロアルキル基に加えて有する化合物である。したがって、本発明に従って調製されるモノ−およびビス(フルオロアルキル)ホスファート類モノ(フルオロアルキル)ペンタフルオロホスファート類またはビス(フルオロアルキル)テトラフルオロホスファート類である。そのため、本発明に従って調製される対応するホスホラン類は、それぞれ4つまたは3つのフッ素原子を、リン原子に直接結合して有する。本発明の目的において、フルオロアルキル基は、直鎖または分枝状のアルキルまたはシクロアルキル基のうち、フッ素化され、二重結合を全く有さないか、1つまたは2つ有しているものである。
フッ素化されたアルキル基は、例えば、ジフルオロメチル、トリフルオロメチル、ペンタフルオロエチル、ペンタフルオロプロピル、ヘプタフルオロプロピル、ペンタフルオロブチル、ヘプタフルオロブチル、ノナフルオロブチル、C5H4F7、C5H2F9、C5F11、C6H4F9、C6H2F11、C6F13、C7H4F11、C7H2F13、C7F15、C8H4F13、C8H2F15、C8F17、C9H4C15、C9H2C17、C9F19、C10H4F17、C10H2F19、C10F21、C11H4F19、C11H2F21、C11F23、C12H4F21、C12H2F23またはC12F25である。パーフルオロアルキル基の意味は、アルキル基の全ての水素原子が、上記のとおり、フッ素原子によって置換されているものである。フッ素化アルキル基は、さらに、1つ、2つまたは3つの二重結合を有していてもよく、その結果、例えば、フッ素化された、アリル、2−または3−ブテニル、イソブテニル、sec−ブテニル、さらに4−ペンテニル、イソペンテニル、ヘキセニル、ヘプテニル、オクテニル、-C9H17、-C10H19 -C20H39を包含する。
フッ素化された、の意味は、パーフルオロアルキル基またはパーフルオロシクロアルキル基において、1個〜4個のフッ素原子が水素原子によって置換されていることである。
シクロアルキル基の意味は、例えば、飽和または部分的にもしくは完全に不飽和の、シクロアルキル基であって、3個〜7個の炭素原子を有するものと解される。シクロプロピル、シクロブチル、シクロペンチル、シクロヘキシル、シクロヘプチル、シクロペンテニル、シクロペンタ−1,3−ジエニル、シクロヘキセニル、シクロヘキサ−1,3−ジエニル、シクロヘキサ−1,4−ジエニル、フェニル、シクロヘプテニル、シクロヘプタ−1,3−ジエニル、シクロヘプタ−1,4−ジエニルまたはシクロヘプタ−1,5−ジエニルのような、対応するようにフッ素化されるものであり、C−〜C−アルキル基によって置換されていてもよく、シクロアルキル基およびC−〜C−アルキル基によって置換されたシクロアルキル基自体が、フッ素化される。
したがって、本発明のモノ−またはビス(フルオロアルキル)ホスファート類ならびにそれらの対応するホスホラン類の製造方法は、少なくともビス(フルオロアルキル)ホスフィン酸もしくは(フルオロアルキル)ホスホン酸またはこれらの酸の対応する誘導体と無水フッ化水素との反応を含む。
前記ビス(フルオロアルキル)ホスフィン酸もしくは(フルオロアルキル)ホスホン酸またはこれらの酸の対応する誘導体の調製は、当業者に公知の通常の方法によって行うことができる。これらの化合物の調製は、好ましくはトリス(フルオロアルキル)ホスフィンオキシド類、トリス−、ビス−もしくはモノ(フルオロアルキル)ホスホラン類、トリス−、ビス−もしくはモノ(フルオロアルキル)リン酸類またはビス(フルオロアルキル)ホスフィン酸類および(フルオロアルキル)ホスホン酸類の無水物もしくはハロ無水物(例えばDE 102 169 97およびDE 102 169 95を参照)の加水分解またはこれらの化合物のアルコール類もしくはアルコキシド類またはアミン類との反応によって行われる。フルオロアルキルホスホン酸類のエステル類のうち、炭素鎖に二重結合を有するものの調製は、例えば、パーフルオロフィンとトリアルキルホスファイトとの反応(Knunjanz et al., Dokl. Akad. Nauk. SSR, 129 (1959) 576-577)によって行うことができる。対応する記載を、本明細書に参照によって組み入れ、開示の一部とみなす。
2種または3種以上のビス(フルオロアルキル)ホスフィン酸類および/または2種または3種以上の(フルオロアルキル)ホスホン酸類および/または2種または3種以上のこれらの酸の対応する誘導体の混合物も、本発明において用いることができる。好ましくは、ビス(フルオロアルキル)ホスフィン酸もしくは(フルオロアルキル)ホスホン酸またはこれらの酸の対応する誘導体を、それぞれの場合において、本発明の方法に従って反応せしめる。
ビス(フルオロアルキル)ホスフィン酸類のうち、本発明において用いられるものまたはそれらの対応する誘導体は、2つのフルオロアルキル基を有し、前記のとおり、かかる基は同一でも異なっていてもよい。ビス(フルオロアルキル)ホスフィン酸類またはそれらの対応する誘導体のうち、同一のフルオロアルキル基を有するものを用いることは、それぞれの場合において好ましい。
本発明の好ましい態様において用いられるのは、ビス(フルオロアルキル)ホスフィン酸もしくは(パーフルオロアルキル)ホスホン酸またはこれらの酸の対応する誘導体のうち、パーフルオロアルキル基が1個〜20個の炭素原子を含み、直鎖または分枝状であるものである。とくに好ましいのは、出発物質として、パーフルオロアルキル基が、前記のとおり1個〜12個の炭素原子を含むものである。極めてとくに好ましいのは、ペンタフルオロエチル、ノナフルオロブチルまたはパーフルオロプロプ−1−エニルである。
好ましいビス(フルオロアルキル)ホスフィン酸または(フルオロアルキル)ホスホン酸の誘導体として本発明の方法において用いられるものは、一価、二価または三価の金属カチオンとの塩である。該金属カチオンのうちとくに好ましいのはLi、Na、K、Mg2+、Ca2+、Ba2+、Zn2+、Cu2+またはAl3+からなる群から選択される。
また、好ましいビス(フルオロアルキル)ホスフィン酸または(フルオロアルキル)ホスホン酸の誘導体として本発明の方法において用いられるものは、一価または二価の有機カチオンとの塩である。とくに好ましいのは、有機カチオンのうち少なくとも1つの窒素原子を含むものおよび/または環状のものである。前記有機カチオンとして本発明において極めてとくに好ましいものは、テトラアルキルアンモニウム、テトラアルキルホスホニウム、トリアリールアルキルホスホニウム、グアニジニウム、ピロリジニウム、ピリジニウム、イミダゾリウム、ピペラジニウムまたはヘキサメチレンジアンモニウムからなる群から選択される。
好ましいビス(フルオロアルキル)ホスフィン酸または(フルオロアルキル)ホスホン酸の誘導体として本発明の方法において用いられるものは、ポリカチオンとの塩である。このポリカチオンは、本発明においてとくに好ましくはポリアンモニウムポリカチオンであり、例えばプロトン化したポリエチンイミンである。
さらに好ましい誘導体として本発明の方法に好適なものは、ビス(フルオロアルキル)ホスフィン酸または(フルオロアルキル)ホスホン酸のエステル類である。まず、前記モノ(フルオロアルキル)−またはビス(フルオロアルキル)リン酸を生成せしめ、次に対応するホスファート類への変換を塩形成によって行うことができる。塩形成の方法は、当業者によく知られていて、例えば、リン酸の塩素、臭素、ヨウ素、メチルスルホナート、メチルスルファート、パークロラート、テトラフルオロボラート、アセタート、トリフルオロメチルカルボキシラート、トリフルオロメチルスルホナートまたはカルボナートとの反応であり、好ましくは塩素、臭素、メチルスルホナートまたはトリフルオロメチルスルホナートおよび前記カチオン類の一つとの反応である。
本発明の方法に好ましい反応媒体は、通常の極性溶媒として当業者に知られているものである。また、本発明の方法は、溶媒を用いずに、すなわち無水フッ化水素中において、行うことも可能である。一般論を限定するものではないが、前記用いられる極性溶媒としてとくに好ましいのは、ジクロロメタン、ジエチルエーテル、ジエチルカルボナート、ジオキサンまたはそれらの混合物である。無水HFとの反応の直後には、用いられる溶媒は水またはアルコール類であってもよい。
温度として、本発明における反応が好ましく行われるのは、−20℃〜100℃の温度である。該反応がとくに好適に行われるのは、温度が0℃〜室温においてである。
本発明の方法の好ましい変法においては、4〜100倍のモル量のフッ化水素を用いて行われるところ、これはビス(フルオロアルキル)ホスフィン酸もしくは(フルオロアルキル)ホスホン酸またはこれらの酸の誘導体のモル量に基づくものである。とくに好ましいのは、5〜25倍のモル量のフッ化水素である。
本発明の方法のさらに好ましい態様においては、フッ化水素との反応の後に形成された前記モノ(フルオロアルキル)またはビス(フルオロアルキル)ホスファートを強求電子試薬または強ルイス酸と反応せしめる。
好適な求電子試薬またはルイス酸の選択は、当業者であれば全く問題なく行い得る。前記求電子試薬またはルイス酸として本発明の方法において用いられるのは、とくに好ましくは(CHSiCl、SOCl、SbF、AlCl、VF、SbCl、NbF、AsF、BiF、AlFおよびTaFまたはそれらの混合物である。
本発明の方法を有利に行えるのは一段階の方法であり、これは廉価かつ簡便に行い得る。さらに、高価格な試薬の使用を回避することができる、すなわち、例えばHFをSFの代わりに用い、AlClの代わりにCl+SbFを用いることができる。
上記および下記の全ての出願、特許および刊行物の開示の全体を本願に参照によって組み入れる。
さらにコメントを加えなくても、当業者であれば、前記記載を最大限に用いることができる。したがって、好ましい特定の態様および例は、単に説明のための開示であり、如何なる意味においても限定するものではないと解されるべきである。
NMRスペクトルの測定は、重水素化した溶媒の溶液中、20℃において、5mm 1H/BBの広帯域ヘッドを具備するBruker Avance 300スペクトルメータにより、重水素ロックをかけて行った。種々の核の測定周波数は次のとおりである:1H: 300.13 MHz、19F: 282.41 MHzおよび31P: 121.49 MHz。参照の方法は、各スペクトラムまたは各データセットについて分けて示すこととする。
例1:
5.364 g(17.4 mmol)のリチウム ビス(ペンタフルオロエチル)ホスフィナートとして15cmの乾燥ジエチルエーテル中のものを氷冷バスを用いて冷却し、8.0 g(400 mmol)のフッ化水素(HF)を添加する。反応混合物を0℃にて2時間攪拌し、次に20cmの氷水に注ぎ入れる。エーテル相を分離し、10cmの水によって3回洗浄する。エーテル溶液の乾燥を硫酸マグネシウムを用いて行い、Hおよび19F NMR分析によって調査を行い、テトラフルオロビス(ペンタフルオロエチル)リン酸が、ジエチルエーテルとの錯体として確認される。
Figure 2007511478
例2:
1.329 g(4.3 mmol)のリチウム ビス(ペンタフルオロエチル)ホスフィナートとして10.5cmの乾燥ジエチルカルボナート中のものを氷冷バスを用いて冷却し、2.0 g(100 mmol)のフッ化水素(HF)を添加する。反応混合物を0℃にて0.5時間攪拌し、溶媒の除去を70℃(オイルバス)、1.3Paの真空下において行う。残渣の調査を、Hおよび19F NMR分析によって行い、テトラフルオロビス(ペンタフルオロエチル)リン酸が、ジエチルカルボナートとの錯体として確認される。
Figure 2007511478
例3:
3.779 g(11.11 mmol)のカリウム ビス(ペンタフルオロエチル)ホスフィナートとして20cmの乾燥ジオキサン中のものを氷冷バスを用いて冷却し、5.0 g(249.9 mmol)のフッ化水素(HF)を添加する。反応混合物を0℃にて0.5時間攪拌し、溶媒の除去を50℃(オイルバス)、1.3Paの真空下において行う。4.146gの白色固体物質残渣の調査を、19F NMR分析によって行い、カリウム テトラフルオロビス(ペンタフルオロエチル)ホスファートが確認される。K[(CPF]の収率は97.2%である。
Figure 2007511478
例4:
1.048 g(2.43 mmol)のテトラエチルアンモニウム ビス(ペンタフルオロエチル)ホスフィナートを氷冷バスを用いて冷却し、2.5 g(124.9 mmol)のフッ化水素(HF)を添加する。反応混合物を0℃にて15分間攪拌し、次に20cmの氷水に注ぎ入れる。沈殿を濾別し、10cmの水による洗浄を2回行い、空気中にて乾燥せしめ、1.028gの白色固体物質を得る。Hおよび19F NMR分析によって、テトラエチルアンモニウム テトラフルオロビス(ペンタフルオロエチル)ホスファートが確認される。[[CN][(CPF]の収率は89.0%である(融点は201〜202℃)。
Figure 2007511478
例5:
4.116 g(9.97mmol)の1−エチル−3−メチルイミダゾリウム ビス(ペンタフルオロエチル)ホスフィナートを氷冷バスを用いて冷却し、5.0g(250 mmol)のフッ化水素(HF)を添加する。反応混合物を0℃にて15分間攪拌し、次に20cmの氷水に注ぎ入れる。沈殿を濾別し、10cmの水による洗浄を2回行い、空気中にて乾燥せしめ、4.208gの白色固体物質を得る。H、31Pおよび19F NMR分析によって、1−エチル−3−メチルイミダゾリウム テトラフルオロビス(ペンタフルオロエチル)ホスファートが確認される。収率は92.0%である(融点は60℃)。
Figure 2007511478
例6:
7.079 g(13.29mmol)のトリブチルエチルホスホニウム ビス(ペンタフルオロエチル)ホスフィナートを氷冷バスを用いて冷却し、10.0g(500 mmol)のフッ化水素(HF)を添加する。反応混合物を0℃にて15分間攪拌し、次に20cmの氷水に注ぎ入れる。沈殿を濾別し、10cmの水による洗浄を2回行い、空気中にて乾燥せしめ、7.324gの白色固体物質を得る。H、31Pおよび19F NMR分析によって、トリブチルエチルホスホニウム テトラフルオロビス(ペンタフルオロエチル)ホスファートが確認される。収率は95.0%である(融点は76℃)。
Figure 2007511478
例7:
0.699g(1.53mmol)の1−エチル−3−メチルイミダゾリウム ビス(ペンタフルオロエチル)テトラフルオロホスファートおよび0.290 g(2.17 mmol)のアルミニウムトリクロリドを、テフロン(登録商標)フラスコ中、室温の乾燥窒素雰囲気下にて相互に混合する。前記混合物は粘性を呈し、僅かな温度の上昇が確認される。2時間攪拌した後、フラスコから液体を抜き出し(0.1mバール)、揮発性生成物を液体窒素を用いて冷却したフラスコに回収し、0.439gのビス(ペンタフルオロエチル)トリフルオロホスホランが確認される。収率は88%である。
Figure 2007511478
例8:
0.883g(1.53mmol)のトリブチルエチルホスホニウム ビス(ペンタフルオロエチル)テトラフルオロホスファートおよび0.290 g(2.17 mmol)のアルミニウムトリクロリドを、テフロン(登録商標)フラスコ中、室温の乾燥窒素雰囲気下にて相互に混合する。前記混合物は粘性を呈し、僅かな温度の上昇が確認される;30分後、混合物は固体となる。フラスコから前記固体を抜き出し(0.1mバール)、混合物が溶解するまで加熱し(50℃)、揮発性生成物を液体窒素を用いて冷却したフラスコに回収し、0.305gのビス(ペンタフルオロエチル)トリフルオロホスホランが確認される。収率は61%である。
Figure 2007511478
例9:
1.35g(6.228mmol)のアンチモニ ペンタフルオリドをテフロン(登録商標)フラスコ中に入れ、2.40g(4.164mmol)のトリブチルエチルホスホニウム ビス(ペンタフルオロエチル)テトラフルオロホスファート(例6に記載したようにして調製した)の添加を、反応混合物の攪拌をマグネチックスターラを用いて行いながら行う。前記混合物は液体となり、100℃にて30分間攪拌する。揮発性物質の濃縮を、ドライアイス/エタノール混合物によって冷却したテフロン(登録商標)のトラップ中に行う。冷却された前記トラップを室温に温め、1.31gのビス(ペンタフルオロエチル)トリフルオロホスホランを得る。(CPFの収率は96.5%である。かかる収率は、トリブチルエチルホスホニウム ビス(ペンタフルオロエチル)テトラフルオロホスファートを基準とするものである。NMRデータは、例8の化合物についてのものと一致する。
反応フラスコ中の残渣は、粘性の液体−トリブチルエチルホスホニウムヘキサフルオロアンチモナートの過剰のSbFとの錯体(酸性イオン液体):[(C(C)P]SbF 0.50SbF、である。
例10:
Figure 2007511478
1.023g(51.15mmol)のフッ化水素(HF)を、エタノールバスを用いて−20℃まで冷却し、0.934g(3.86mmol)のエチル パーフルオロプロプ−1−エニル フルオロホスホナートを添加する。反応混合物の攪拌を0℃にて行う。反応混合物および0.674g(3.86mmol)の1−ブチル−3−メチルイミダゾリウム クロリドの相互の混合を、次に、−20℃で、テフロン(登録商標)フラスコ中にて行う。混合物の攪拌を室温にて15分間混合し、フラスコを空にし、1時間の保持を、13.33Paの低圧下、バスの温度を50℃として行い、1.44gの1−ブチル−3−メチルイミダゾリウム パーフルオロプロプ−1−エニルペンタフルオロホスファートを得る。収率は94%である。
Figure 2007511478
パーフルオロプロプ−1−エニルペンタフルオロリン酸のNMRスペクトル:
Figure 2007511478
例11:
1.2gのフッ化水素(HF)を、氷冷バスを用いて冷却し、0.80g(2.5mmol)のメチル ビス(ペンタフルオロエチル)ホスフィナート、(CP(O)OCH、を添加する。反応混合物の攪拌を0℃にて30分間行う。余分なHFの除去を窒素を用いたフラッシング洗浄によって行い、残渣の乾燥を1.3Paの真空下にて行い、0.87gのテトラフルオロビス(ペンタフルオロエチル)リン酸、H[(CPFを、メタノールとの錯体として得る。
Figure 2007511478

Claims (15)

  1. モノ(フルオロアルキル)−またはビス(フルオロアルキル)リン酸、モノ(フルオロアルキル)またはビス(フルオロアルキル)ホスファート類およびそれらの対応するホスホラン類を製造する方法であって、ビス(フルオロアルキル)ホスフィン酸もしくは(フルオロアルキル)ホスホン酸またはこれらの酸の対応する誘導体もしくは塩を無水フッ化水素と反応せしめることを少なくとも含む方法。
  2. ビス(フルオロアルキル)ホスフィン酸または対応する誘導体として、2つのフルオロアルキル基が同一であるかまたは異なっているものを用いることを特徴とする、請求項1に記載の方法。
  3. ビス(パーフルオロアルキル)ホスフィン酸もしくは(パーフルオロアルキル)ホスホン酸またはこれらの酸に対応する誘導体として、パーフルオロアルキル基が、1〜20個の炭素原子を含み、直鎖または分枝状であるものを用いることを特徴とする、請求項1または2に記載の方法。
  4. 用いられるビス(フルオロアルキル)ホスフィン酸または(フルオロアルキル)ホスホン酸の誘導体が、一価、二価または三価の金属カチオンとの塩であることを特徴とする、請求項1〜3のいずれかに記載の方法。
  5. 一価、二価または三価の金属カチオンが、Li、Na、K、Mg2+、Ca2+、Ba2+、Zn2+、Cu2+またはAl3+からなる群から選択されることを特徴とする、請求項4に記載の方法。
  6. 用いられるビス(フルオロアルキル)ホスフィン酸または(フルオロアルキル)ホスホン酸の誘導体が、一価または二価の有機カチオンとの塩であることを特徴とする、請求項1〜3のいずれかに記載の方法。
  7. 一価または二価の有機カチオンが、テトラアルキルアンモニウム、テトラアルキルホスホニウム、トリアリールアルキルホスホニウム、グアニジニウム、ピロリジニウム、ピリジニウム、イミダゾリウム、ピペラジニウムまたはヘキサメチレンジアンモニウムからなる群から選択されることを特徴とする、請求項6に記載の方法。
  8. 用いられるビス(フルオロアルキル)ホスフィン酸または(フルオロアルキル)ホスホン酸の誘導体が、ビス(フルオロアルキル)ホスホン酸または(フルオロアルキル)ホスホン酸のエステルであることを特徴とする、請求項1〜3のいずれかに記載の方法。
  9. 用いられるビス(フルオロアルキル)ホスフィン酸または(フルオロアルキル)ホスホン酸の誘導体が、ポリカチオンとの塩であることを特徴とする、請求項1〜3のいずれかに記載の方法。
  10. ポリカチオンが、ポリアンモニウムカチオンからなる群から選択されることを特徴とする、請求項9のいずれかに記載の方法。
  11. 反応が極性溶媒中または溶媒を用いずに行われることを特徴とする、請求項1〜10のいずれかに記載の方法。
  12. 反応が−20℃〜100℃の温度において行われることを特徴とする、請求項1〜11のいずれかに記載の方法。
  13. 反応が4〜100倍のモル量のフッ化水素を用いて行われることを特徴とする、請求項1〜12のいずれかに記載の方法。
  14. フッ化水素との反応の後に形成されたモノ−またはビス(フルオロアルキル)ホスファートを、強求電子試薬または強ルイス酸と反応せしめることを特徴とする、請求項1〜13のいずれかに記載のホスホラン類を製造する方法。
  15. 前記反応を、(CHSiCl、SOCl、SbF、AlCl、VF、SbCl、NbF、AsF、BiF、AlFおよびTaFからなる群から選択される求電子試薬または強ルイス酸を用いて行うことを特徴とする、請求項14に記載の方法。
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