JP2007507079A - Holder for chemical mechanical polishing of flat work pieces, in particular semiconductor wafers - Google Patents
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Abstract
平坦な作業物、詳細には半導体ウェーハの化学的機械研磨を行う為の縦駆動スピンドルに連結された保持具であって、天井部分と側壁を有する円形筐体と、少なくとも側壁の下方部分を形成する止め輪と、筐体の底部側に配置されスピンドルに連結され頂部と底部側を有する硬質材料の保持板と、保持板の底部側に取り付けられ、保持板と共に4個以上の環状室を形成し、スピンドル軸に同心に配置された可撓性のある比較的薄い膜と、制御された圧力源又は真空源にその上方端部で接続可能であり、筐体中に案内される駆動スピンドル内部の少なくとも1個の第1チャンネルと、研磨工程中に放射方向に変化する圧力プロファイルを発生する為に、第1チャンネル及び保持板の孔を経由して室の各々に接続され、電気的制御ラインと回転トランスジューサーを経由して外部電気的制御装置に接続され、いくつかの電気的に制御可能な筐体中のオン−オフバルブとを備える保持具である。
【選択図】 図1A holder connected to a vertical drive spindle for chemical mechanical polishing of a flat work piece, in particular a semiconductor wafer, forming a circular housing with a ceiling part and side walls and at least a lower part of the side walls A retaining ring which is disposed on the bottom side of the housing, is connected to the spindle and has a top and a bottom side, and is attached to the bottom side of the holding plate to form four or more annular chambers together with the holding plate A flexible, relatively thin membrane concentrically arranged on the spindle axis, and connected to a controlled pressure or vacuum source at its upper end and guided inside the drive spindle At least one first channel and an electrical control line connected to each of the chambers via a hole in the first channel and a holding plate to generate a radially changing pressure profile during the polishing process. And rotation Via Nsu juicer is connected to an external electrical control device, several electrically controllable on in the housing - a holder and a off valve.
[Selection] Figure 1
Description
本発明は、平坦な作業物、詳細には本発明の請求項1、5、および6に係わる化学的機械研磨のための半導体ウェーハの保持具に関する。 The present invention relates to a flat workpiece, in particular a semiconductor wafer holder for chemical mechanical polishing according to claims 1, 5 and 6 of the present invention.
半導体チップの製造において、いわゆるウェーハは適切な装置によって平坦化または研磨される。ひとつの知られた方法は、化学的機械研磨(短縮してCMP)である。この方法において、ウェーハはプラスチック研磨布上のエッチング剤および研磨剤を用いて、研磨布とウェーハを回転させ、任意選択的に揺動させて、所定の接触圧力で研磨される。研磨工程中に、研磨剤(スラリー)は研磨布上に流れ、布とウェーハの間に層を形成する。使用されるスラリーは化学的に活性な溶液からなり、その中にシリカ等の粒子がコロイド懸濁状に加えられる。 In the production of semiconductor chips, so-called wafers are planarized or polished by means of suitable equipment. One known method is chemical mechanical polishing (abbreviated CMP). In this method, a wafer is polished with a predetermined contact pressure by using an etching agent and an abrasive on a plastic polishing cloth to rotate and optionally swing the polishing cloth and the wafer. During the polishing process, the abrasive (slurry) flows over the polishing cloth and forms a layer between the cloth and the wafer. The slurry used consists of a chemically active solution into which particles such as silica are added in a colloidal suspension.
工程中に、ウェーハは保持具または運搬具によって保持され、それによって研磨のため機械加工表面に対して押圧される。保持具は駆動装置のスピンドルに接続され、ウェーハを機械加工表面に対して動かすために高さ調節可能に搭載される。 During the process, the wafer is held by a holder or carrier and thereby pressed against the machining surface for polishing. The holder is connected to the spindle of the drive and is mounted height adjustable to move the wafer relative to the machining surface.
保持具の下部保持面を鋼板で作製し、移動の間ウェーハを真空によって保持表面上に保つために、これに孔を設けることが知られている。保持面は均一な接触圧力を得るために自在継手を経由して加工機械のスピンドルに連結される。それらの保持具は、例えば独国特許第10062497A1号(特許文献1)から知られている。さらに、保持板を保持具中に高さ調節可能に案内し、支持部分と保持板の間に環状閉膜を配置することが独国特許第19755975A1号(特許文献2)から知られている。膜の封止された内部空間はそれぞれ大気または真空または流体源に選択可能に接続される。保持具に対する保持板の調節は、圧力と真空を用いて行われる。 It is known that the lower holding surface of the holder is made of a steel plate and is provided with holes in order to keep the wafer on the holding surface by vacuum during movement. The holding surface is connected to the spindle of the processing machine via a universal joint in order to obtain a uniform contact pressure. Such holders are known, for example, from German Patent No. 10062497A1 (Patent Document 1). Furthermore, it is known from German Patent No. 1975595 A1 (Patent Document 2) to guide the holding plate into the holder so that the height can be adjusted and to arrange an annular closed membrane between the support portion and the holding plate. Each sealed interior space of the membrane is selectably connected to the atmosphere or vacuum or fluid source. Adjustment of the holding plate with respect to the holder is performed using pressure and vacuum.
保持具の異なる実施形態は、保持具の下部に配設された可撓性材料の膜を提供する。膜は装着したウェーハに接触圧力を伝える。また、米国特許第5,964,653号(特許文献3)から、保持板と保持板の底部に取り付けられた膜を用いて、3個の室、すなわち中央の円形室と、中央の室の周りの同心状に配置された2個の輪状室とを形成することが知られ、その各々はスピンドル中のチャンネルに連絡している。加圧された流体源は、ウェーハに加えられる接触圧力を制御するために、回転トランスジューサーを経由して3個の室に接続される。ここでも、保持具は駆動装置の駆動スピンドルに自在継手を経由して連結される。類似の装置が国際公開第WO02/004172A3号(特許文献4)から知られている。これは他の互いに重なり合う2個の膜を用い、その間には加圧面の上に形成される3個の室へ異なる圧力が加えられる。 Different embodiments of the retainer provide a film of flexible material disposed on the lower portion of the retainer. The membrane transmits contact pressure to the mounted wafer. Also, from US Pat. No. 5,964,653 (Patent Document 3), using a holding plate and a film attached to the bottom of the holding plate, three chambers, namely a central circular chamber and a central chamber, It is known to form two concentrically arranged annular chambers, each in communication with a channel in the spindle. A pressurized fluid source is connected to the three chambers via a rotary transducer to control the contact pressure applied to the wafer. Again, the holder is connected to the drive spindle of the drive via a universal joint. A similar device is known from WO02 / 004172A3 (Patent Document 4). This uses two other overlapping membranes, between which different pressures are applied to the three chambers formed on the pressure surface.
本発明は平坦な作業物、特に半導体ウェーハの化学的機械研磨のための保持具を提供することを目的とし、それによってウェーハの望ましい研磨プロファイルを簡単に確保することができる。 The present invention aims to provide a holder for chemical mechanical polishing of flat work pieces, particularly semiconductor wafers, whereby a desired polishing profile of the wafer can be easily ensured.
この目的は特許請求項1、5、および6の特徴によって解決される。 This object is solved by the features of claims 1, 5 and 6.
本発明に係わる特許請求項1の保持具は、保持板の底部側に比較的薄い可撓性膜を提供し、保持板の底部側と共に複数の同心環状室を形成する。保持具の筐体中に、環状室の数に対応して多数のオン−オフバルブが配設され、これらは全てスピンドル中のチャンネルに共通に接続される。スピンドル中のチャンネルはその上方領域でいわゆる回転トランスジューサーに接続され、すなわち加圧された流体の静的供給を行う。任意選択的に、真空への接続が可能である。オン−オフバルブを用いて、ウェーハ表面から研磨されるべき望ましいプロファイルに応じて、多数の環状室に個別の圧力を加えることができる。実際に、異なる圧力を同時に環状室に加えることができるように、オン−オフバルブの代りに比例バルブを提供することが考えられる。しかし、保持具または運搬具の筐体中に複数の比例バルブを収容することは、そのサイズのため不可能である。無論、筐体はその寸法が制限される。したがって、オン−オフバルブへの供給はスピンドルに1個のチャンネルしか必要とせず、環状室の圧力はこの中で連続的に調節され、これは所定の時間を要する。 The holder of claim 1 according to the present invention provides a relatively thin flexible film on the bottom side of the holding plate, and forms a plurality of concentric annular chambers together with the bottom side of the holding plate. A number of on-off valves corresponding to the number of annular chambers are arranged in the holder housing, all of which are connected in common to the channels in the spindle. The channel in the spindle is connected to a so-called rotary transducer in its upper region, i.e. provides a static supply of pressurized fluid. Optionally, a connection to a vacuum is possible. Using on-off valves, individual pressures can be applied to multiple annular chambers depending on the desired profile to be polished from the wafer surface. Indeed, it is conceivable to provide a proportional valve instead of an on-off valve so that different pressures can be applied simultaneously to the annular chamber. However, it is not possible to accommodate multiple proportional valves in the holder or carrier housing due to their size. Of course, the size of the housing is limited. Thus, the supply to the on-off valve requires only one channel in the spindle, and the pressure in the annular chamber is continuously adjusted in this, which takes a certain amount of time.
その他、代替として、駆動スピンドルを経由して環状室当たり1個の供給ラインを提供することが考えられ、駆動スピンドル中の供給ラインは回転トランスジューサーに連絡しており、静止配置の比例バルブによって起動される。したがって、圧力プロファイルを環状室を経由して同時に並行して調節することが可能である。回転トランスジューサーを備える駆動スピンドルの費用は高い。さらに、各保持具はその構造に応じて特殊な駆動スピンドルを必要とする。 Alternatively, it is possible to provide one supply line per annular chamber via the drive spindle, the supply line in the drive spindle is in communication with the rotary transducer and is activated by a proportional valve in a stationary arrangement Is done. It is thus possible to adjust the pressure profile simultaneously in parallel via the annular chamber. The cost of a drive spindle with a rotary transducer is high. Furthermore, each holder requires a special drive spindle depending on its structure.
保持具中のオン−オフバルブを起動するためには電気的信号が必要である。それらは外部からスリップリング構成を経由して筐体の内部へ伝送される。 An electrical signal is required to activate the on-off valve in the holder. They are transmitted from the outside through the slip ring configuration to the inside of the housing.
本発明の一実施形態によれば、保持板は、縦孔を経由して環状室に連絡している分配チャンネル系を有する。オン−オフバルブは保持板の頂部側に直接搭載して分配チャンネル系に接続することができるので、移動ラインまたは管を省くことができる。また、駆動スピンドルが保持板の頂部側に直接連絡しているとき、駆動スピンドル中のチャンネルを保持板の内部まで展延させることが考えられる。この場合、オン−オフバルブへの圧力媒体の供給はラインなしに行うことができる。 According to one embodiment of the invention, the holding plate has a distribution channel system that communicates with the annular chamber via a longitudinal hole. Since the on-off valve can be mounted directly on the top side of the holding plate and connected to the distribution channel system, a moving line or tube can be omitted. Further, when the driving spindle is in direct communication with the top side of the holding plate, it is conceivable to extend the channel in the driving spindle to the inside of the holding plate. In this case, the supply of the pressure medium to the on-off valve can be performed without a line.
本発明のさらに他の実施形態によれば、環状室に接続された圧力センサーが筐体中に配設され、その出力は回転トランスジューサー装置を経由してセンサーラインによって外部へ案内される。圧力センサーはマノメータースイッチであり、例えばそれは予め定めた値に調節され、予備設定した値に到達したか、または超えたかをそれぞれ示す。したがって、個々の環状室中の圧力を恒久的に監視することができる。さらに、膜の破損を検出することができる。回転トランスジューサー素子を小さく保つために、圧力センサーの全ての出力を出力ラインに配置することができる。個々の環状室は、説明したように、圧力が直列に提供されるので、圧力センサーによって発生した信号値を同期して検出することができ、ある時に検出された圧力は、起動されたばかりのオン−オフバルブの室の圧力として有効である。マノメータースイッチが圧力センサーとして使用されるとき、それらは、全ての室がマノメータースイッチのスイッチング圧力よりも高い圧力になるときにのみ遮断することができる。しかし、この理由のため、各環状室の恒久的監視はもはや不可能である。 According to yet another embodiment of the present invention, a pressure sensor connected to the annular chamber is disposed in the housing, and its output is guided to the outside by a sensor line via a rotary transducer device. The pressure sensor is a manometer switch, for example it is adjusted to a predetermined value to indicate whether a preset value has been reached or exceeded, respectively. Thus, the pressure in the individual annular chambers can be monitored permanently. In addition, breakage of the membrane can be detected. In order to keep the rotary transducer element small, all outputs of the pressure sensor can be placed in the output line. The individual annular chambers, as explained, can be detected in synchronism with the signal value generated by the pressure sensor, since the pressure is provided in series, and the pressure detected at one time is just turned on. -Effective as an off-valve chamber pressure. When manometer switches are used as pressure sensors, they can only be shut off when all chambers are at a pressure higher than the switching pressure of the manometer switch. However, for this reason, permanent monitoring of each annular chamber is no longer possible.
駆動スピンドルにスリップリングトランスジューサーの回転子を取り付け、スピンドル用のベアリング筐体上に固定子を取り付けることが考えられる。この目的のための本発明の他の実施形態は、従来の構造とは対照的に筐体の天井壁が静止している。静止天井壁の底部壁上にスリップリング構成の固定子が取り付けられる。スピンドルまたは保持板に固定された駆動スピンドルのベアリングスピゴットに、スリップリング構成の回転子が外側に取り付けられる。スリップリングは制御ラインを経由してそれぞれオン−オフバルブと圧力センサーの信号出力に連絡している。スリップリング構成は保持具筐体の内部に保護されて配置され、スピンドルを通過するケーブルによって複数の電気的ラインを筐体の内部に案内する必要はない。 It is conceivable to attach a rotor of a slip ring transducer to the drive spindle and to attach a stator on the bearing housing for the spindle. Another embodiment of the present invention for this purpose has a stationary ceiling wall of the housing as opposed to a conventional structure. A slip ring stator is mounted on the bottom wall of the stationary ceiling wall. A slip ring rotor is mounted on the outside of a bearing spigot of a driving spindle fixed to the spindle or the holding plate. The slip rings communicate with the signal output of the on-off valve and pressure sensor, respectively, via a control line. The slip ring arrangement is arranged protected inside the holder housing, and there is no need to guide a plurality of electrical lines into the housing by a cable passing through the spindle.
本発明に係わる特許請求項5による解決において、それぞれ平坦な窪みまたは溝として形成されることが好ましい、複数の環状の平坦な窪みが保持板の底部側にスピンドル軸に同心に配設して提供される。それらは、保持具の筐体内部の圧力分配装置を経由して、または駆動スピンドルを経由して、圧力源または真空へ選択的に接続可能である。また、ウェーハ用の保持具はウェーハを移動しなければならず、通常負の圧力によって行われることは既に最初に指摘した。負の圧力は膜の孔または保持板の孔によって直接ウェーハに伝えることができる。本発明において、可撓性膜を用いて吸引効果が発生され、ウェーハの吸引効果を与えるために、起動に応じて、1個だけの環状室またはいくつかの環状室に真空が提供される。環状室はむしろ平坦であり、最大1〜2mmの深さである。 In the solution according to claim 5 according to the present invention, a plurality of annular flat depressions, each preferably formed as a flat depression or groove, are provided concentrically with the spindle shaft on the bottom side of the holding plate. Is done. They can be selectively connected to a pressure source or vacuum via a pressure distribution device inside the holder housing or via a drive spindle. It has already been pointed out first that the wafer holder must move the wafer and is usually done by negative pressure. Negative pressure can be transmitted directly to the wafer through a hole in the membrane or a hole in the holding plate. In the present invention, a suction effect is generated using a flexible membrane and a vacuum is provided to only one annular chamber or several annular chambers in response to activation in order to provide a wafer suction effect. The annular chamber is rather flat and has a maximum depth of 1-2 mm.
本発明に係わる特許請求項6による解決において、保持板の底部側に保持された膜の外部直径はそれぞれ作業物または止め輪の内径よりも大きい。研磨中に保持具に対してウェーハが滑るのを防ぐために、保持具にいわゆる止め輪を設けることは知られており、その内径はウェーハの外径とほぼ等しい。また、止め輪を保持具に対して高さ調節可能にし、適切な調節装置、例えば回転膜等を提供することも知られており、それによってウェーハが保持具によって作業物表面に対して押圧されるとき、止め輪は研磨布に対していくらかの接触圧力で押圧される。本発明による実施において、特定の接触圧力を研磨布に加えるために、膜の外部端は保持板と共に止め輪の下部部分に配設された圧力室を形成し、それによって、望ましい高さで止め輪上またはこの領域に配設された他の輪の上に圧力が加わる。ウェーハは研磨の間、所定量研磨布に押圧される。したがって、対策を講じないときはウェーハの縁部領域がより強く研磨されることは避けがたい。ここで、外部環状室を用いて、ウェーハの縁部に隣接する領域で研磨布が所望量押し下げられる。研磨布がさらに強く押し下げられると、ウェーハの縁部はほんの僅か研磨され、または研磨されない。したがって、ウェーハの縁部領域の研磨量は、膜の外部環状室を用いることによって所望の値に調節することができる。 In the solution according to claim 6 according to the present invention, the outer diameter of the membrane held on the bottom side of the holding plate is larger than the inner diameter of the work piece or the retaining ring, respectively. In order to prevent the wafer from sliding relative to the holder during polishing, it is known to provide a so-called retaining ring on the holder, the inner diameter of which is approximately equal to the outer diameter of the wafer. It is also known to make the retaining ring height adjustable with respect to the holder and to provide an appropriate adjustment device, such as a rotating membrane, whereby the wafer is pressed against the workpiece surface by the holder. The retaining ring is pressed against the polishing cloth with some contact pressure. In the practice according to the invention, in order to apply a specific contact pressure to the polishing cloth, the outer end of the membrane together with the retaining plate forms a pressure chamber disposed in the lower part of the retaining ring, thereby stopping at the desired height. Pressure is applied on the wheel or on other wheels arranged in this area. The wafer is pressed against the polishing cloth by a predetermined amount during polishing. Therefore, it is inevitable that the edge region of the wafer will be more strongly polished when no measures are taken. Here, the abrasive cloth is pushed down a desired amount in the region adjacent to the edge of the wafer using the external annular chamber. As the polishing cloth is pushed down more strongly, the edge of the wafer is only slightly polished or not polished. Therefore, the polishing amount of the wafer edge region can be adjusted to a desired value by using the outer annular chamber of the film.
ウェーハを装着した保持具は、研磨工程の間、ウェーハが研磨布の表面まで非常に近距離、例えば1mm未満の距離に位置するように、最初にいわゆる電気的軸を介して作業面上方の下部点へ動かすことが知られている。その最終点までの動きの中で、縦または軸のスピンドルの緩みを考慮しなければならない。これは無論ゼロではない。さらに、研磨工程中一定の時間の後、研磨布は摩滅によって高さを減じるので、ウェーハの底部側と研磨布の上部側の間の距離が時間の経過で大きくなり、ウェーハは作業面に対して押圧するためにより大きな行程を通過しなければならない。しかし、これらの変動にかかわらず、研磨布の接触圧力は望ましい値でなければならない。この目的のために、本発明の一実施形態は、膜がスピンドル軸に同心に、その上部に、保持板の底部側に固定され、環状室に圧力が加わった際に膜行程の最大高さを予め決定するいくつかの環状伸張ベローを有する形態を提供する。伸張ベローは膜の比較的大きな行程を可能にするので、膜によって形成される行程は、いずれの場合でも駆動スピンドルの最大縦公差および一緒に発生する作業面の最大許容磨耗よりも大きい。したがって、それらの構造を用いることによって、行路に依存しない研磨力を大きな行程領域で実現することができる。 The holder loaded with the wafer is first lowered below the work surface via a so-called electrical axis so that the wafer is located very close to the surface of the polishing cloth, for example less than 1 mm, during the polishing process. It is known to move to a point. In the movement to its final point, the slack of the longitudinal or axial spindle must be taken into account. Of course, this is not zero. In addition, after a certain time during the polishing process, the polishing cloth decreases in height due to abrasion, so the distance between the bottom side of the wafer and the top side of the polishing cloth increases over time, and the wafer is in relation to the work surface. You have to go through a bigger stroke to press. However, regardless of these variations, the contact pressure of the polishing cloth must be a desired value. For this purpose, one embodiment of the present invention provides that the membrane is concentric with the spindle axis, fixed at the top thereof, on the bottom side of the holding plate, and the maximum height of the membrane stroke when pressure is applied to the annular chamber. A form having a number of annular stretch bellows is predetermined. Stretch bellows allow for a relatively large stroke of the membrane, so that the stroke formed by the membrane is in each case greater than the maximum longitudinal tolerance of the drive spindle and the maximum allowable wear of the work surface occurring together. Therefore, by using these structures, it is possible to realize a polishing force that does not depend on the path in a large stroke region.
上部側に環状スリットを有する環状***としての環状伸張ベローは、同時に保持具板上に膜を固定する働きをし、伸張ベローまたは***は、それぞれ保持板の底部側の環状窪みの中に収容される。***または伸張ベローは、直径の距離に上方へ突出する突起を有する締め付け輪を収容し、これはスリットを通して上方へ伸張し、保持板中のネジによって環状窪みの底部に向かって引っ張られる。これによって、伸張ベローは保持板に固定される。さらに、締め付け輪はスリットを締め付け、環状室を互いに分離する働きをする。ここで、伸張ベローまたは環状***は、隣接する***の間にそれぞれ第1の種類の内部環状室と第2の種類の環状室を形成し、各々少なくとも1個の縦孔を経由して圧力分配装置に接続される。 An annular extension bellows as an annular ridge with an annular slit on the top side simultaneously serves to secure the membrane on the retainer plate, each of which is housed in an annular recess on the bottom side of the holding plate. The The ridge or extension bellows accommodates a clamping ring having a protrusion that projects upwards a diametric distance, which extends upward through the slit and is pulled toward the bottom of the annular recess by a screw in the retaining plate. Thereby, the extension bellows is fixed to the holding plate. Furthermore, the tightening ring serves to tighten the slit and separate the annular chambers from one another. Here, the extension bellows or annular ridge forms a first type of internal annular chamber and a second type of annular chamber, respectively, between adjacent ridges, each of which distributes pressure via at least one longitudinal hole. Connected to the device.
本発明の他の実施形態によれば、保持板は互いに重なり合う3個の単板からなり、その下方の1個は膜を保持し、分配チャンネル系が中間と上方の単板の間に形成され、一方で膜の個々の環状室に接続され、他方、圧力分配系を備える上方の単板中の縦孔を経由してそれぞれオン−オフバルブへ接続される。 According to another embodiment of the present invention, the holding plate is composed of three single plates that overlap each other, the lower one holds the membrane, and the distribution channel system is formed between the middle and upper single plates, To the individual annular chambers of the membrane, on the other hand, to the respective on-off valves via longitudinal holes in the upper veneer with the pressure distribution system.
上方および中間の単板はスピンドルまたはスピンドルスピゴットにネジ継手を介してそれぞれ直接接続することができるが、下方単板は上方単板に着座する少なくとも1個のブロックにネジ止めされ、収容された膜と一緒に分離して取り外し可能である。膜は磨耗部品であるので、膜を交換するには下方単板のみを取り外すべきである。これを行うために筐体の天井部分の対応する孔を通してネジを起動することが可能であり、各々、下方単板中のネジ孔でそれらをネジ止めするために1個のブロック中に案内される。通常、止め輪の下方の放射状部分は、保持板の下部に配設され、本発明の場合、膜の外部縁部の下部にそれぞれ配設されるので、止め輪用の保持輪が個別にネジをゆるめて取り外し可能な環状部品で実施されるとき、底部単板を取り外すとき最初に取り外すことが有利である。また、上方単板に互いにネジ止めされた、説明したブロックは、圧力センサーの筐体の搭載にも役立ち、保持ブロック中の縦孔は、圧力センサーを上方および中間単板中の分配チャンネル系に同時に接続するチャンネルを形成する。これによって、個々の環状室へ接続する圧力センサー用のラインまたは管も不要になる。 The upper and middle veneers can be directly connected to the spindle or spindle spigot via threaded joints, respectively, while the lower veneer is screwed and contained in at least one block seated on the upper veneer Can be separated and removed together. Since the membrane is a wear part, only the lower veneer should be removed to replace the membrane. To do this, it is possible to activate the screws through corresponding holes in the ceiling part of the housing, each guided into a block to screw them in the screw holes in the lower veneer. The Usually, the radial portion below the retaining ring is disposed at the lower part of the holding plate, and in the case of the present invention, the radial part is disposed at the lower part of the outer edge of the membrane. It is advantageous to remove the bottom veneer first when it is implemented with an annular part that is loosened and removable. Also, the blocks described above, screwed together on the upper veneer, help to mount the pressure sensor housing, and the vertical holes in the holding block allow the pressure sensor to be connected to the distribution channel system in the upper and intermediate veneers. Form channels to connect simultaneously. This eliminates the need for pressure sensor lines or tubes connecting to the individual annular chambers.
本発明の他の実施形態は、膜がその中心に、保持板中の孔を経由してスピンドル中の追加のチャンネルへ接続された孔を有し、追加のチャンネルは圧力源または真空源に選択的に接続可能である形態を提供する。真空にすることによって、ウェーハが膜に近接しているかどうかを検出することができる。したがって、ウェーハが装着作業の後に実際に装着されたかどうかのフィードバックが得られる。研磨作業の間、中心孔に所定の圧力が加えられ、孔の領域の磨耗が防止される。したがって、流体圧力は孔の領域の膜の欠如を相殺する。 Another embodiment of the invention has a hole in the center of which the membrane is connected to an additional channel in the spindle via a hole in the holding plate, the additional channel being selected as a pressure source or a vacuum source In a form that can be connected to each other. By applying a vacuum, it is possible to detect whether the wafer is close to the film. Therefore, feedback is obtained as to whether the wafer is actually mounted after the mounting operation. During the polishing operation, a predetermined pressure is applied to the central hole to prevent wear in the area of the hole. Thus, the fluid pressure offsets the lack of membrane in the pore area.
本発明による保持具を用いて、ウェーハの表面を測定した後、測定によって研磨または磨耗プロファイルをそれぞれ確立することが可能である。研磨作業の間に研磨された層の層厚さを測定することが知られている。したがって、本発明において、研磨および磨耗プロファイルを再調節することが可能である。ウェーハの様々な機械加工工程において、無論異なるウェーハ表面があり、その結果異なる磨耗プロファイルの必要性がある。ここでも、適切な調節を本発明で実施することができる。 After measuring the surface of the wafer using the holder according to the invention, it is possible to establish a polishing or wear profile respectively by measurement. It is known to measure the layer thickness of a polished layer during a polishing operation. Thus, in the present invention, it is possible to readjust the polishing and wear profile. There are, of course, different wafer surfaces in the various wafer machining processes, resulting in the need for different wear profiles. Again, appropriate adjustments can be made in the present invention.
以下で、本発明の実施例を図面によってさらに詳細に説明する。 In the following, embodiments of the present invention will be described in more detail with reference to the drawings.
図1において、半導体ウェーハ用保持具10の概要図が示される。それは、環状壁部分12を備える筐体と、ディスク状天井部分14と、筐体の下部領域に下方板18と上方板20から構成され互いに重なり合って固定されて接続可能な保持板16とを有する。駆動スピンドル22は、回転と任意選択的な直線水平方向の動きのための適切な駆動装置(図示していない)に接続され、保持具10の筐体の内部に天井部分14を経由して案内され、上方板20に固定して取り付けられる。天井部分14は24で示すように静止している。これは以下でさらに取り扱う。
In FIG. 1, a schematic diagram of a
保持輪26は、内部側に向かって引っ張られた部分で壁部分12の内部側に配設され、この部分と壁部分12の肩の間にベロー28が配設される。保持輪26はスプリング30によってベロー28に向かって上方に予備張力がかかっている。保持輪26は、その底部側で放射状に内部に向かって展延し、下方板18部分の下部に向かって展延する止め輪32を支持する。
The retaining
下方板18は、その底部側に、スピンドル軸に同心に配設された6個の環状で平坦な異なる幅の凹部を有する。その断面がレンズ状である凹部は比較的平坦であり、例えば最大深さ1〜1.5mmである。円形膜36は下方板18の底部側に配設される。適切な実施と板18中の窪みによって、上部側にフランジ40を形成する膜36のブリッジ38が板18に結合される。これにより、膜は下方板18にしっかり保持される。このようにして、凹部34と膜36は6個の環状室MK1〜MK6を形成する。MK1〜MK6の各室は、板18と20中の少なくとも1個の縦孔42を経由して保持具10の筐体内のオン−オフバルブ44に接続される。図1において、オン−オフバルブは単なる記号として示されている。
The lower plate 18 has, on the bottom side thereof, six annular and flat concave portions having different widths arranged concentrically with the spindle shaft. The concave portion having a lens-like cross section is relatively flat, and has a maximum depth of 1 to 1.5 mm, for example. The
スピンドル22中の第1の軸状チャンネル46は、回転継手48を経由して静止ライン50に連絡しており、そのライン50は、図示していない制御された圧力源または任意選択的な真空に接続することができる。チャンネル46は保持具10の筐体の内部で外方向に案内され、オン−オフバルブ44の全ての入力に接続されたライン52に接続される。ライン50に存在する圧力は、オン−オフバルブを開いた室MK1〜MK6に伝達される。このようにして、望ましい圧力を個々の室MK1〜MK6中に徐々に加えることが可能である。オン−オフバルブ44の起動は、例えばスリップリングによって回転トランスジューサー54を経由して行われる。回転トランスジューサー54の回転子56は、スピンドル22に固定して接続され、2個の固定子部分58が回転子56と協働する。本実施例の場合、各々2×5個のブラシが10個のスリップリングと協働し、8番目のスリップリングが7個のオン−オフバルブ54の起動に必要である。固定子58の、天井部分14に接続された電気的結合はここには示していない。本実施例の場合、対応する天井部分の貫通孔を通して固定子部分58に案内される2個のケーブルが必要である。1個の固定子だけが設けられる場合には、1個のケーブルで十分であろう。
The first
図において、半導体ウェーハ60は膜36の底部側に固着することをさらに理解することができる。その横方向位置は止め輪32によって画定され、その内径はウェーハ60の外径よりも極僅かに大きい。図1におけるさらに他の理解は、膜36の直径がウェーハ60の直径よりも大きく、それが戻り部を有する止め輪32部分の周りに展延することである。したがって、さらに他の室MK7が止め輪32の上に形成され、これもチャンネル62を経由してオン−オフバルブ44に連絡している。
In the figure, it can be further understood that the
保持具10の筐体の他の部分に、7個の圧力センサー64が配設され、縦孔66を経由して圧力室MK1〜MK7に接続される。圧力センサー64は圧力室MK1〜MK7の圧力を検出する。圧力センサー64の信号出力は、スリップリングトランスジューサー54を経由して、信号を評価する外部制御装置(図示しない)に連絡している。したがって、室MK1〜MK7中に望ましい圧力が存在するかどうかを求めることができる。場合によって、次いで再調整を行うことができる。さらに、圧力センサーを用いて膜36が正常に作動するかどうかを求めることができる。無論、圧力センサー64からの個々の単一ラインは、回転トランスジューサー54を経由して外部へ案内することが可能である。しかし、これは全部で8個のラインを必要とする。本実施例の場合、2個のスリップリングだけがやはり配設されている。したがって、圧力センサー64の全ての信号は2個のラインを経由して外部へ案内される。しかし、圧力室MK1〜MK7は、圧力変化が望まれるとき連続的に圧力を提供することができるので、この圧力を圧力センサー64によって同期して測定するには十分である。
Seven
スピンドル22において、回転結合48を経由してライン66に接続された第2室64が提供され、前記ライン66も圧力源に接続可能である。筐体の内部で、室64はベロー28に接続される。その結果、止め輪32はベロー28によって高さを調製することができる。
In the
図1において、膜36はその中心に孔68を有し、板18、20中の縦孔を経由してスピンドル22中の第3室70に連絡している。回転接合48を経由して、室70は圧力源または任意選択的に真空源へ導くライン72に接続される。下方板18はテーパーを付けて孔の上の74に凹部が設けられる。凹部は縦孔に接続される。その結果、真空の場合、孔68で負の圧力が発生する。これにより、ウェーハ60が保持具10によって装着されたかどうかを求めることができる。研磨の場合、この領域に膜36が欠如することを相殺するために孔68に圧力が加えられる。
In FIG. 1, the
以下で、図1による保持具の動作を図2〜図5と共に説明する。 In the following, the operation of the holder according to FIG. 1 will be described with reference to FIGS.
保持具10が予め配置したウェーハ上に降下するとき、ウェーハ60は止め輪32の内部に中心に置かれ、ライン50およびオン−オフバルブ44を経由して負の圧力が全ての環状室MK1〜MK6、またはいくつかの環状室に発生し、膜36がそれ自体部分的にまたは完全に平坦な凹部34中に湾曲するので、ウェーハ60は吸引効果によって保持される。この間、スプリング30は止め輪32をその最上部に押圧し、ベロー28は圧力がない。保持具10はウェーハ60を図2〜図5に74で示した研磨皿に移動する。皿は研磨布76を支持し、知られているように、図示していない軸の周りを回転駆動される。研磨皿74の上に、保持具10はスピンドル22によって研磨布76の上部側のわずかに上方の点、例えば、1mmまたはそれ未満の距離まで降される。これはウェーハ60に関して図2に示される。その後、ライン72を経由してベロー28に圧力が与えられ、圧力は止め輪32を移動して研磨布26と緊密に接触させる。この間に、研磨皿74ならびに保持具10は回転を開始することを述べなければならない。室MK1〜MK6を加圧することによって、膜36はここで下方向に動き、ウェーハ60に種々の研磨が得られるために、個々の室中の対応する圧力分配による圧力プロファイルがウェーハ60に働く。既に述べたように、室MK1〜MK6の圧力は、それが1個のライン50からだけ供給され、ライン50は制御可能な圧力センサー、比例バルブ等に接続されるので、徐々に高まる。圧力源64を用いて、それぞれの予備設定された圧力に実際に到達したかどうかを求めることができる。
When the
図4から、ウェーハ60が対応する圧力で研磨布76に少量押圧されることが理解できる。止め輪32が示した位置に留まるとき、ウェーハ60の縁部の研磨が大きくなる。これは望ましいときも望ましくないときもある。研磨の増加を回避したいとき、または縁部の研磨を少なく留めたいとき、図5に示したように室MK7に対応する圧力を発生させ、それによって止め輪32は研磨布76を所定量圧縮し、そうすることで研磨布をウェーハ60の外側縁部から動かす。
It can be understood from FIG. 4 that the
研磨工程を完了した後、室MK1〜MK7から圧力を抜き、その後ウェーハを研磨皿74から持ち上げるために室MK1〜MK7を真空下におく。この作業中、および研磨皿への移動中に、ライン66を経由して膜36の孔68が真空にされ、それによってウェーハが実際に保持具10に近接して着座しているかどうかが検査される。研磨工程中、対照的に少量の過剰の圧力が孔68に加えられ、それによってウェーハ60の研磨が少なくなることが防止される。
After completing the polishing process, pressure is released from the chambers MK1 to MK7, and then the chambers MK1 to MK7 are placed under vacuum in order to lift the wafer from the polishing
説明した保持具を用いてウェーハを研磨工程にかける前に、ウェーハを取り出し位置から装着しなければならない。このとき、ウェーハの前面と背面はしばしばスラリーおよび/または水で濡らされる。ウェーハの装着には以下のステップが行われる。
内部環状室MK1を図示していない制御装置によって予め定めた圧力にする。割り当てた圧力センサーからフィードバックが与えられるまで待つ。
その後、制御装置は、環状室MK1〜MK6が逐次時間遅れで、すなわち内部から外部側へ予め定めた圧力が加わるようにオン−オフバルブ44を起動する。こうすることによってウェーハ表面に残った液体は外側へ向けて取り除かれる。
外側環状室MK6を加圧した後、全ての環状室MK1〜MK6から圧力を取り除く。さらに、それぞれ孔MK0または68を真空にする。
対応する遅れ時間の後、膜室MK2、MK3、およびMK4を真空にして、ウェーハを膜36に付着させる。
繰り返し遅れの後、保持具はウェーハを取り出し位置から持ち上げ、それを研磨装置へ移動する。
Before the wafer is subjected to a polishing process using the described holder, the wafer must be loaded from the removal position. At this time, the front and back surfaces of the wafer are often wetted with slurry and / or water. The following steps are performed for wafer loading.
The internal annular chamber MK1 is set to a predetermined pressure by a control device (not shown). Wait for feedback from the assigned pressure sensor.
Thereafter, the control device activates the on-off valve 44 so that the annular chambers MK1 to MK6 are sequentially delayed in time, that is, a predetermined pressure is applied from the inside to the outside. By doing so, the liquid remaining on the wafer surface is removed outward.
After pressurizing the outer annular chamber MK6, the pressure is removed from all the annular chambers MK1 to MK6. Further, the hole MK0 or 68 is evacuated.
After a corresponding delay time, the membrane chambers MK2, MK3, and MK4 are evacuated to attach the wafer to the
After repeated delays, the holder lifts the wafer from the removal position and moves it to the polishing apparatus.
図6〜図9によって、保持具の構造がより詳細に描かれ、それらは完全に同一の構造で実施されないが、図1〜図5には類似の部品が同じ参照番号で提供される。 6-9 depict the structure of the retainer in more detail and they are not implemented with the exact same structure, but similar parts are provided with the same reference numerals in FIGS. 1-5.
図7および図9において、スピンドル22が筐体80中に搭載されることが理解できる。さらに、保持具10の天井部分14は筐体80に固定して取り付けられ、したがって、それは保持具10の残りの部品と一緒に回転しない。スピゴット82はスピンドル22と一緒に固定してネジ止めされ、ローラーベアリング84によって筐体80に回転可能に搭載され、下方側へ向かって展延する。スリップリング構成の回転子56はスピゴット82に着座し、これは特に図7および図9において特に良く理解できる。後者の図において、天井部分14に接続された固定子は示されていない。スリップ構成54はシェル86の内部に位置し、それによってスリップリング構成54の磨耗した材料が保持具10の筐体内部に広がることが防止される。
7 and 9, it can be understood that the
図6〜図9において、図1による保持板16は3個の単板88、90、100から構成されることが理解できる。板90、100は102で示されるように互いにネジ止めされる。それらは一緒に分配チャンネル系を形成するが、後で取り扱う。図6からわかるように、板90と100からのユニットはスピゴット82と共にネジ止めされる。ネジの1個は図6中に92で示される。ネジ94を用いて2個の縦型ブロック96が上方単板100の上部側に固定される(図8でも認識される)。それらの断面はほぼ台形である。ブロック96は圧力センサーを取り付ける働きをし、図8に98で示される。図1の圧力センサー64に対応して全部で7個の圧力センサー98が搭載され、図8の右側上部の圧力センサー98を除いて2個ごとに互いの上部に配設される。ブロック96中には縦チャンネル(図8では点線でのみ示される)が形成されて圧力センサー98の入力に接続され、環状室(図1のMK1〜MK7)に接続するために、さらに図示していない分配チャンネル系の一部へ板ユニット90、100の下部へ下降する。圧力センサー98の電気出力106は全てが互いに接続されたスリップリング構成54へ向かい、2個のスリップリング構成54だけがそれらに占拠される。
6 to 9, it can be understood that the holding
図8において、7個のオン−オフバルブ108は上方単板100に取り付けられることがさらに理解できる。オン−オフバルブ108の入力ならびに出力は、板100と90の間の分配チャンネル系に接続され、それらは図1に示すように圧力源または真空源に接続することができる。
In FIG. 8, it can be further understood that seven on-off
板90は、上方側に向かって突出する軸状カラーを有し、これは上方板100の開口を通って展延し、孔110を有する。
The
下方板88の底部側には膜36が取り付けられる。膜36は図10でより良好に認識することができる。膜36は薄い平坦部分112を有し、これは114で示したようにその縁部で伸張ベローと同様にして実施される。平坦部分112の上部側に、スピンドル22の軸に同心に配設された3個の環状伸張ベロー114aが形成される。それらはその上部に環状スリット116を有する。図6〜図9と併せて、平坦部分112の外径は止め輪32の内径よりもわずかに小さいことが理解できる。伸張ベロー縁114と外部環状伸張ベロー114の間に環状プライ118が形成される。下方板88への膜36の搭載は図11で最も良く理解することができる。
The
下方板88は3個の環状同心窪み120を有し、環状伸張ベロー114aを収容する。環状伸張ベロー114aは、それ自体、断面が逆T形状に形成されスリット116を経由して導入される環状レッジ122を収容する。外辺部で環状レッジ122の上方部分は、図7および図9に124で認識できるように、下方板88にネジ止めされる。さらに、上方部分は外辺部に環状レッジ122の環状溝128に合流する縦孔126を有する。上方側に向かって、孔126は下方板88の孔130に向かって導かれ、これはそれ自体、任意選択的に圧力または真空を孔126に与えるために、図示していない板90、100の分配チャンネル系に連絡している。これによって、その条件は伸張ベロー114aの内部に伝達される。環状レッジ122によって、板88に対する十分な封止が達成される。
The
板88の縁部に、いくらか大きな環状窪み132が形成され、伸張ベロー114ならびに環状プライ118を収容する。その断面がL形状である第1環状レッジ134は板118の下部を掴まえる。それは図示していないネジによって窪み132の底部に対して押圧することができる。プライ118と伸張ベロー縁114の間に、その断面が逆L形状の輪136が着座し、これは輪134によって窪み132の底部に向かって押圧され、したがって伸張ベロー縁114を締め付けによって固定する。このようにして、図1による環状室MK6に対応する外部環状室は、環状伸張ベロー114aとプライ118の間に形成される。プライ118と伸張ベロー縁114の間に、図1による室MK7に対応する最外室が形成される。室MK1〜MK6は膜36の平坦部分132に面するが、最外室MK7は止め輪32上で動作する。プライ116と伸張ベロー縁114の接合部の下部の膜36のいくらか引っ込んだ部分は、図11で特に良く認識できるように、止め輪32の上部側に配置される。
A somewhat large
締め付け輪122、134は、その底部側にホゾ穴135を有し、そこを通って環状室の周辺に流体分配が行われる。
The clamping rings 122 and 134 have a
その結果、環状伸張ベロー114aの内部および伸張ベロー114aの間に膜36を用いて環状MK1〜MK6が形成される。図6、図7、図9に示したように、例えば、伸張ベロー114a間の環状室も、それ自体板80、100の分配チャンネル系に接続された縦孔140に接続される。
As a result, the annular MK1 to MK6 are formed using the
図9から理解できるように、膜36は、説明したようにして、板88を保持具10に搭載する前に板88に接続することができる。搭載は、ブロック96内部のスリーブ144、および対応する板90、100の開口を通して案内されたより長いネジボルト142(図9参照)を用いて行われ、板88の上部側のネジ孔146中にネジ止めされる。ネジボルト142のネジ付き部分は、ネジボルトを保持するために上方板100のネジ孔に固定することができる。ネジボルト142の起動は、図9の左側に認識できるように、天井部分14の開口を経由して行われ、いわゆる六角ソケットネジキーが148で示される。ネジ止めの後、孔は蓋150で閉じることができる。
As can be seen from FIG. 9, the
図9において、保持輪26および止め輪32は単一ユニットとして予備搭載され、環状組み立て体片154に頭なしネジ152を用いて横方向に固定され、これは筐体の内部に高さ調節可能に搭載され、膜28によって起動されることがさらに理解できる。したがって、止め輪32は下方向へ移動することができるが、図9では認識できないスプリングによって上方へ向かって予め張力が加えられる。保持輪26および止め輪32を簡単に取り外すことによって、また、下方板98のネジを簡単に緩めることによって、膜36は容易に交換することができる。膜36は磨耗部品であり、適宜交換しなければならない。
In FIG. 9, the retaining
膜36の構成から、室MK1〜MK7がしかるべく加圧されたとき、伸張ベロー114aと伸張ベロー縁114の締め付けによって、それが比較的大きな行程を有することが理解される。個々の環状室MK1〜MK7は互いに分離されており、それぞれ分配チャンネル系を経由してオン−オフバルブ44(図1)または108(図8)に接続される。圧力センサー98ならびにオン−オフバルブ108は、ラインに接続されないが、板90、100の分配チャンネル系、またはそれぞれスピゴット82の対応する穴に直接接続することによって、スピンドル22中のラインまたはチャンネル46、64(図1)に接続される。
From the configuration of the
図11に示すように、止め輪32がネジ156を用いて保持輪26にネジ止めされる場合、下方板88を取り除くために保持輪26を取り外す必要がない。止め輪32も磨耗部品であり、したがって、簡単に交換することができる。
As shown in FIG. 11, when the retaining
図6において、2個のケーブル160、162の各々は対応する接合と導線を経由して保持具10の天井部分14に接続され、個々のワイヤはそれぞれオン−オフバルブ44と108を起動するため、およびそれぞれ圧力センサー64と98からの信号を伝達するために、固定子58とそのブラシに接続される。しかしこれに関して、ここではさらに詳細には取り扱わない。
In FIG. 6, each of the two
図6、図7、図9から、保持具10は適切なネジ止め接合によってスピンドルに取り付けることができることを見ることができる。例えば、他の保持具はスピンドル22に取り付けることができ、または、必要であれば、保持具10を簡単に取り外して保守と検査作業を行うことができる。スピゴット82とスピンドル22の対応する接合端部は、保持具10がスピンドル22へ正確な回転位置にねじ込まれるように実施されるので、3個のチャンネル46、64、70はスピゴット82の対応する孔に整列されることを理解すべきである。既に述べたように、スピゴット82の孔は板90、100の分配チャンネル系に接続されるので、スピンドル22のチャンネルは、それぞれオン−オフバルブ44または108、およびそれぞれ圧力センサー64または98に接続される。加えて、分配チャンネル系は、オン−オフバルブの出力が個々の環状室MK1〜MK7に接続され、予め定めた放射方向の圧力プロファイルに従って、これらの室中の望ましい圧力を発生させ、装着されたウェーハ60に対する膜36の適切な接触圧力を提供する。図6において、中心孔170は上方板100の中心孔110と整列され、またそれに整列された下方板88の孔172に整列される。後者は再び膜36の中心孔68に整列される。この構成によって、既に述べたように、膜36の底部側のウェーハ60の存在を検出することができる。
It can be seen from FIGS. 6, 7 and 9 that the
10 保持具
12 円形筐体側壁
14 円形筐体天井部
16 保持板
22 縦駆動スピンドル
26,32 止め輪
34 環状室凹部
36 膜
44,108 オン−オフバルブ
46 第1チャンネル
54 回転トランスジューサー
56 環状回転子
58 固定子
60 ウェーハ
64,98 圧力センサー
68 孔
70 チャンネル
76 研磨布
82 スピゴット
88,90,100 単板
96 ブロック
114 114a 環状伸張ベロー
120 環状窪み
122,134,136 締め付け輪
126 縦チャンネル
140 縦孔
152 ネジ
MK1〜MK6 環状室
DESCRIPTION OF
Claims (17)
天井部分(14)と側壁(12)を有する円形筐体と、
側壁(12)の少なくとも下方部分を形成する止め輪(26、32)と、
筐体の底部側に配置されスピンドル(22)に連結され頂部と底部側を有する硬質材料の保持板(16)と、
保持板(16)の底部側に取り付けられ、保持板と共に4個以上の環状室(MK1〜MK6)を形成し、スピンドル軸に同心に配置された可撓性のある比較的薄い膜(36)と、
制御された圧力源または真空源にその上方端部で接続可能であり、筐体中に案内される、駆動スピンドル(22)内部の少なくとも1個の第1チャンネル(46)と、
研磨工程中に放射方向に変化する圧力プロファイルを発生するために、第1チャンネル(46)および保持板(16)の孔を経由して室(MK1〜MK6)の各々に接続され、電気的制御ラインと回転トランスジューサー(54)を経由して外部電気的制御装置に接続され、いくつかの電気的に制御可能な筐体中のオン−オフバルブ(44、108)とを備える保持具。 A holder connected to a longitudinal drive spindle (22) for performing chemical mechanical polishing of a flat work piece, in particular a semiconductor wafer,
A circular housing having a ceiling portion (14) and a side wall (12);
Retaining rings (26, 32) forming at least the lower part of the side wall (12);
A hard material retaining plate (16) disposed on the bottom side of the housing and connected to the spindle (22) and having a top and bottom side;
A flexible, relatively thin membrane (36) that is attached to the bottom side of the holding plate (16), forms four or more annular chambers (MK1 to MK6) together with the holding plate, and is arranged concentrically with the spindle shaft. When,
At least one first channel (46) inside the drive spindle (22), connectable at its upper end to a controlled pressure or vacuum source and guided in the housing;
In order to generate a radially changing pressure profile during the polishing process, it is connected to each of the chambers (MK1 to MK6) via holes in the first channel (46) and the holding plate (16) for electrical control. A retainer connected to an external electrical controller via a line and a rotary transducer (54) and comprising an on-off valve (44, 108) in several electrically controllable housings.
天井部分(14)と環状側壁(12)を有する円形筐体と、
側壁(12)の下方部分を形成する止め輪(26、32)と、
筐体の底部側に配置され前記スピンドル(22)に連結され頂部と底部側を有する硬質材料の保持板(16)と、
前記保持板(16)の底部側に取り付けられ、保持板と共にいくつかの環状室(MK1〜MK6)を形成し、前記スピンドル軸に同心に配置された可撓性のある比較的薄い膜(36)と、
制御可能な圧力下または真空下の流体源および環状室(MK1〜MK6)に選択可能に接続された、個々の環状室(MK1〜MK6)中の圧力の量を制御する圧力分配装置とを備え、
前記膜(36)が少なくとも前記室(MK1)〜(MK6)へ侵入不可であり、
前記保持板(16)の底部側は、前記室(MK1〜MK6)中の圧力によって研磨工程のための放射方向に変化する圧力プロファイルが生じ、少なくとも1個の前記室(MK1〜MK6)の真空によって作業物の装着のための吸引効果が生じるように、前記室(MK1〜MK6)を画定する平坦な凹んだ凹部(34)を有する保持具。 A holder connected to a longitudinal drive spindle (22) for chemical mechanical polishing of a flat work piece, in particular a semiconductor wafer,
A circular housing having a ceiling portion (14) and an annular side wall (12);
Retaining rings (26, 32) forming the lower part of the side wall (12);
A hard material retaining plate (16) disposed on the bottom side of the housing and connected to the spindle (22) and having a top and bottom side;
A flexible, relatively thin membrane (36) attached to the bottom side of the holding plate (16) and forming several annular chambers (MK1 to MK6) together with the holding plate and arranged concentrically with the spindle shaft. )When,
A pressure distribution device for controlling the amount of pressure in the individual annular chambers (MK1 to MK6), selectively connected to the fluid source under controllable pressure or vacuum and the annular chambers (MK1 to MK6). ,
The membrane (36) cannot penetrate at least the chambers (MK1) to (MK6);
At the bottom side of the holding plate (16), a pressure profile that changes in the radial direction for the polishing process is generated by the pressure in the chamber (MK1 to MK6), and the vacuum of at least one of the chambers (MK1 to MK6) is generated. A holder having a flat concave recess (34) that defines the chambers (MK1 to MK6) so that a suction effect for mounting of a work piece is generated by.
天井部分(14)と環状側壁(12)を有する円形筐体と、
前記側壁(12)の下方部分を形成し、放射状の環状下方部分を有し、その内径は装着されたウェーハ(60)の直径を画定し、加圧された流体源に接続可能な環状ベロー(28)によって前記筐体内で前記保持板(16)に対して垂直に調節可能である止め輪(26、32)と、
前記筐体の底部側に配置され前記スピンドル(22)に連結され頂部と底部側を有する硬質材料の保持板(16)と、
前記保持板(16)の底部側に取り付けられ、前記保持板と共にいくつかの環状室(MK1〜MK6)を形成し、前記スピンドル軸に同心に配置された可撓性のある比較的薄い膜(36)と、
制御可能な圧力下または真空下の流体源および環状室(MK1〜MK6)に接続され、それによって個々の環状室(MK1〜MK6)中の圧力の量が制御される圧力分配装置とを備え、
前記膜(36)の外径は前記止め輪(26、32)の放射状部分の内径よりも大きく、放射状の外部圧力室(MK7)は前記膜(36)と前記保持板(16)の縁部領域の間に形成され、これは前記止め輪(32)または分離輪の放射部分のいずれかに作用し、それによって外側環状室(MK7)の圧力に応じて前記ウェーハ(60)の放射状外部の前記研磨布(76)に直接圧力を発生させることができる保持具。 A holder connected to a longitudinal drive spindle (22) for performing chemical mechanical polishing on a semiconductor wafer on a polishing dish having a polishing cloth,
A circular housing having a ceiling portion (14) and an annular side wall (12);
An annular bellows that forms a lower portion of the side wall (12) and has a radial annular lower portion, the inner diameter of which defines the diameter of the mounted wafer (60) and is connectable to a pressurized fluid source. 28) retaining rings (26, 32) that are vertically adjustable with respect to the retaining plate (16) within the housing by
A hard material holding plate (16) disposed on the bottom side of the housing and connected to the spindle (22) and having a top and bottom side;
A flexible, relatively thin membrane attached to the bottom side of the holding plate (16) and forming several annular chambers (MK1 to MK6) with the holding plate and arranged concentrically with the spindle shaft ( 36)
A fluid source under controllable pressure or vacuum and a pressure distributor connected to the annular chambers (MK1 to MK6), whereby the amount of pressure in the individual annular chambers (MK1 to MK6) is controlled,
The outer diameter of the membrane (36) is larger than the inner diameter of the radial portion of the retaining ring (26, 32), and the radial external pressure chamber (MK7) is the edge of the membrane (36) and the holding plate (16). Formed between the regions, which act on either the retaining ring (32) or the radiating portion of the separating ring, thereby radiating externally of the wafer (60) in response to the pressure in the outer annular chamber (MK7). A holder capable of generating pressure directly on the polishing cloth (76).
前記保持具をウェーハ上に降下させるステップと、
前記中間室(MK1)を予め定めた圧力に達するまで加圧された流体で充填するステップと、
前記室(MK2〜MK6)が、内部から外部へ進行する加圧された流体で徐々に充填されるように互いに逐次的に起動されるステップと、
引き続き全ての室(MK1〜MK6)が圧力から開放されるように切り替えられるステップと、
その後、全ての室(MK1〜MK6)が内部から外部へ進行して真空にされるステップと、
予め定めた遅れ時間の後、前記保持具が取り出し位置から前記ウェーハを持ち上げるステップとを特徴とする方法。 A method of mounting a wafer from its take-out position with the holder according to claim 1,
Lowering the holder onto the wafer;
Filling the intermediate chamber (MK1) with a pressurized fluid until a predetermined pressure is reached;
The chambers (MK2 to MK6) are sequentially activated with respect to each other so as to be gradually filled with pressurized fluid traveling from the inside to the outside;
A step of switching so that all the chambers (MK1 to MK6) are continuously released from the pressure;
Thereafter, all the chambers (MK1 to MK6) proceed from the inside to the outside to be evacuated,
A method wherein the holder lifts the wafer from the removal position after a predetermined delay time.
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