JP2007335015A - ランプ位置検出装置、ランプ位置検出方法および記憶装置 - Google Patents

Abstract

【課題】記憶媒体のヘッドが退避されるランプの位置を正確に検出することを課題とする。
【解決手段】記憶装置（例えば、磁気ディスク装置）に所持される記憶媒体（磁気ディスク）２２は、データを記憶するディスク２２ａと、データの読み出しまたは書き込みを行うヘッド２２ｂと、ヘッドを制御するＶＣＭ（Ｖｏｉｃｅ Ｃｏｉｌ Ｍｏｔｏｒ：ボイスコイルモータ）２２ｃと、ヘッドを退避させる場所であるランプ２２ｄとから構成される。このような構成のもと、磁気ディスク装置は、ヘッドのアンロード動作に際して速度制御に用いられる電流を検出し、検出された電流が所定の値を超えるか否かを判定し、所定の値を超えると判定された場合に、当該電流が検出されたヘッドの位置をランプの位置として検出し、検出されたランプの位置情報を記憶し、記憶されるランプ位置情報に基づいてヘッドをアンロードする。
【選択図】 図１

Description

この発明は、記憶媒体のヘッドが退避されるランプの位置を検出して記憶するランプ位置検出装置、ランプ位置検出方法および記憶装置に関する。

従来より、ハードディスクドライブなどの磁気ディスクでは、高い耐衝撃性を得るために、ロード・アンロード方式が採用されている。このロード・アンロード方式では、磁気ディスクの最外周にランプ（Ｒａｍｐ）と呼ばれる傾斜を設置し、ディスク停止時にはこのランプにヘッドを乗り上げさせ、また、起動・停止制御時の低回転状態ではこのランプ上にヘッドをスライドさせる制御方式である。このように、データの読み取りや書き込みを行わないディスク停止時や低回転状態において、ヘッドが磁気ディスク表面と接触することを防ぐことで、磁気ディスクの高い耐衝撃性を実現している。

そして、このようなロード・アンロード方式において、出荷後の実稼動（アンロード動作）において、ヘッドをランプの位置に移動させるために、あらかじめランプの位置を記憶する必要がある。そこで、ランプの位置を検出するために様々な技術が開示されている。

例えば、特許文献１（特開２００４−２３４８０６号公報）では、常にサーボ情報の制御帯域を下げておき、逆起制御時（アンロード動作時）にヘッドが速度変化（速度低下）したポイントを検出し、そのポイントをランプに衝突した地点としてランプの位置を検出する技術が開示されている。つまり、出荷前に速度変化した位置を記憶しておき、磁気ディスク装置出荷後のアンロード動作において、記憶されるランプの位置にヘッドを退避させる。

特開２００４−２３４８０６号公報

ところで、上記した従来の技術では、速度低下を検出しやすくするために、逆起制御におけるサーボ情報の制御帯域を下げているので、外乱（例えば、振動や衝撃）の影響を受けやすく、また、ランプの摩擦低下の影響を受けることもあり、ランプ位置を誤検出する可能性が高いという課題があった。

そこで、この発明は、上述した従来技術の課題を解決するためになされたものであり、ランプの位置を正確に検出することが可能であるランプ位置検出装置、ランプ位置検出方法および記憶装置を提供することを目的とする。

上述した課題を解決し、目的を達成するため、本発明は、記憶媒体のヘッドが退避されるランプの位置を検出して記憶するランプ位置検出装置や記憶装置であって、前記ヘッドのアンロード動作に際して速度制御に用いられる電流を検出する電流検出部と、前記電流検出部により検出された電流が所定の値を超えるか否かを判定する電流判定部と、前記電流判定部により前記所定の値を超えると判定された場合に、当該電流が検出されたヘッドの位置を前記ランプの位置として検出するランプ検出部と、を備えたことを特徴とする。

また、本発明は、記憶媒体のヘッドが退避されるランプの位置を検出して記憶することに適するランプ位置検出方法であって、前記ヘッドのアンロード動作に際して速度制御に用いられる電流を検出する電流検出工程と、前記電流検出工程により検出された電流が所定の値を超えるか否かを判定する電流判定工程と、前記電流判定工程により前記所定の値を超えると判定された場合に、当該電流が検出されたヘッドの位置を前記ランプの位置として検出するランプ検出工程と、を含んだことを特徴とする。

従って、本発明によれば、ヘッドのアンロード動作に際して速度制御に用いられる電流を検出し、検出された電流が所定の値を超えるか否かを判定し、所定の値を超えると判定された場合に、当該電流が検出されたヘッドの位置を前記ランプの位置として検出するので、ヘッドをアンロードする場合の速度制御に用いられる電流からランプの位置を検出する（ヘッドがランプに衝突すると、ヘッドの速度が低下し、この低下した速度を上昇させるための電流が発生するので、この発生した電流からランプの位置を検出する）ことで、サーボ情報の制御帯域を下げる必要がなく、外乱の影響を最小限にすることができる結果、ランプの位置を正確に検出することが可能である。また、ランプの摩擦低下の影響を最小限にすることができる結果、摩擦の少ない装置に対しても、ランプの位置を正確に検出することが可能である。さらに、速度低下を検出してランプの位置を検出する場合に比べて、実際にヘッドがランプに接触してからランプが検出されるまでのヘッドの移動距離を短くすることができる結果、より正確にランプの位置を検出することができる。

また、本発明は、上記の発明において、前記記憶媒体のヘッドは、前記アンロード動作に際する移動速度が一定になるように制御されるものであって、前記電流検出部は、前記ヘッドの速度制御に用いられる電流を検出することを特徴とする。

本発明によれば、記憶装置のヘッドは、アンロード動作に際する移動速度が一定になるように制御されるものであって、ヘッドの速度制御に用いられる電流を検出するので、ランプに衝突して速度低下しない限り、出力される電流量も一定であり、ランプに衝突した場合の速度低下を上昇させるために供給される電流を検出しやすくなる結果、アンロードする場合の移動速度が一定でない場合に比べて（移動速度が一定でないので、供給される電流も一定でない）、より正確にランプの位置を検出することができる。

また、本発明は、上記の発明において、前記ランプ検出部は、複数回のアンロード動作で検出されたヘッドの位置の平均から算出した平均ヘッド位置を、前記ランプの位置として検出することを特徴とする。

本発明によれば、複数回のアンロード動作で検出されたヘッドの位置の平均から算出した平均ヘッド位置を、ランプの位置として検出するので、例えば、突発的に大きな電流が流れて所定の値（閾値）を超えることでランプを検出するなど、突発的な原因によるランプの誤検出を防ぐことができる結果、より正確にランプの位置を検出することが可能である。

また、本発明は、上記の発明において、記憶媒体へデータの書き込みやデータの読み取りを行わない場合に、前記記憶媒体のヘッドをランプに退避させる磁気ディスク装置であって、前記ヘッドのアンロード動作に際して速度制御に用いられる電流を検出する電流検出部と、前記電流検出部により検出された電流が所定の値を超えるか否かを判定する電流判定部と、前記電流判定部により前記所定の値を超えると判定された場合に、当該電流が検出されたヘッドの位置を前記ランプの位置として検出するランプ位置検出部と、前記ランプ位置検出部により検出されたランプの位置情報を記憶するランプ位置記憶部と、前記ランプ位置記憶部に記憶されるランプ位置情報に基づいて前記ヘッドをアンロードするアンロード制御部と、を備えたことを特徴とする。

本発明によれば、ヘッドのアンロード動作に際して速度制御に用いられる電流を検出し、検出された電流が所定の値を超えるか否かを判定し、所定の値を超えると判定された場合に、当該電流が検出されたヘッドの位置をランプの位置として検出し、検出されたランプの位置情報を記憶し、記憶されるランプ位置情報に基づいてヘッドをアンロードするので、ヘッドをアンロードする場合の速度制御に用いられる電流からランプの位置を検出する（ヘッドがランプに衝突すると、ヘッドの速度が低下し、この低下した速度を上昇させるための電流が発生するので、この発生した電流からランプの位置を検出する）ことで、サーボ情報の制御帯域を下げる必要がなく、外乱の影響を最小限にすることができる結果、ランプの位置を正確に検出することが可能である。また、出荷前にランプの位置情報を記憶しておくことで、出荷後の実稼動におけるアンロード制御では、正確にランプの位置までヘッドをアンロードさせることが可能である。

本発明によれば、速度低下を検出してランプの位置を検出する場合に比べて、実際にヘッドがランプに接触してからランプが検出されるまでのヘッドの移動距離を短くすることができる結果、より正確にランプの位置を検出することが可能であり、出荷前にランプの位置情報を記憶しておくことで、出荷後の実稼動におけるアンロード制御では、正確にランプの位置までヘッドをアンロードさせることが可能であり、当該装置におけるヘッドの無駄な消耗を防ぐことができ、当該装置の利用価値を高めることができるという効果を奏する。

以下に添付図面を参照して、この発明に係るランプ位置検出装置を有する記憶装置（例えば、磁気ディスク装置）の実施例を詳細に説明する。

以下の実施例１では、本発明に係るランプ位置検出装置を有する記憶装置（磁気ディスク装置）の概要および特徴、記憶装置（磁気ディスク装置）の構成および処理の流れ、実施例１による効果等を順に説明する。

［記憶装置（磁気ディスク装置）の概要および特徴］
まず最初に、図１を用いて、実施例１に係る磁気ディスク装置の概要および特徴を説明する。図１は、実施例１に係る磁気ディスク装置の概要と特徴を説明するための図である。

図１に示すように、磁気ディスク装置に所持される磁気ディスク２２は、データを記憶するディスク２２ａと、データの読み出しまたは書き込みを行うヘッド２２ｂと、ヘッドを制御するＶＣＭ（Ｖｏｉｃｅ Ｃｏｉｌ Ｍｏｔｏｒ：ボイスコイルモータ）２２ｃと、ヘッドを退避させる場所であるランプ２２ｄとから構成される。

そして、当該磁気ディスク装置の工場出荷前では、磁気ディスク装置は、ランプ２２ｄの位置を検出して格納する。また、工場出荷後では、磁気ディスク装置は、ヘッド２２ｂのアンロード制御を行う場合、工場出荷前に格納されたランプ２２ｄの位置情報を参照して、ヘッド２２ｂをランプ２２ｄに退避させる。

このような構成のもと、磁気ディスク装置は、磁気ディスク２２のヘッド２２ｂが退避されるランプ２２ｄの位置を検出して記憶することを概要とするものであり、ランプ２２ｄの位置を正確に検出することが可能であることに主たる特徴がある。

この主たる特徴を具体的に説明すると、磁気ディスク装置は、ヘッド２２ｂの速度を検出し、当該速度に応じてヘッドの速度を制御する電流をＶＣＭ２２ｃに供給し、ＶＣＭ２２ｃは、供給された電流に基づいてヘッドの速度を制御している。具体的に例を挙げれば、ヘッド２２ｂがランプ２２ｄに接触してヘッド２２ｂの速度が低下した場合、磁気ディスク装置は、ＶＣＭ２２ｃに供給する電流量を増量し、ＶＣＭ２２ｃは、供給された電流に基づいてヘッドの速度を上げる制御を行う。

そこで、磁気ディスク装置は、ヘッドをアンロードする場合の速度制御に用いられる電流を検出する。具体的には、図示しないホストコンピュータからアンロード要求を受信すると、磁気ディスク装置は、磁気ディスク２２から出力される逆起電力の電圧に基づいて、ＶＣＭ２２ｃによりヘッド２２ｂの速度制御に用いられる電流を検出する。例を挙げると、図１に示したように、状態Ａ（図１の（１））から状態Ｂ（図１の（２））へヘッド２２ｂが移動する間、磁気ディスク装置は、磁気ディスク２２から出力される逆起電力の電圧に基づいてＶＣＭ２２ｃによりヘッド２２ｂの速度制御に用いられる電流を検出する。

また、この検出に合わせて、磁気ディスク装置は、検出された電流が所定の値を超えるか否かを判定する。具体的に例を挙げると、図１に示したように、状態Ａ（図１の（１））から状態Ｂ（図１の（２））へヘッド２２ｂが移動する間、磁気ディスク装置は、検出された電流が所定の値（例えば、１５アンペア）を超えるか否かを判定する。

そして、磁気ディスク装置は、所定の値を超えると判定された場合に、当該電流が検出されたヘッドの位置をランプの位置として検出する。具体的に例を挙げると、磁気ディスク装置は、検出された電流が所定の値（例えば、１５アンペア）を超えると判定された場合（図１の（１）状態Ｂ）に、当該電流が検出されたヘッド２２ｂの位置をランプ２２ｄの位置として検出して格納する。

このように、実施例１によればヘッド２２ｂをアンロードする場合の速度制御に用いられる電流からランプ２２ｄの位置を検出する（ヘッド２２ｂがランプ２２ｄに衝突すると、ヘッド２２ｂの速度が低下し、この低下した速度を上昇させるための電流が発生するので、この発生した電流からランプ２２ｄの位置を検出する）ことで、サーボ情報の制御帯域を下げる必要がなく、外乱の影響を最小限にすることができる結果、上記した主たる特徴のごとく、ランプ２２ｄの位置を正確に検出することが可能である。そして、出荷後の実稼動におけるアンロード制御では、正確にランプの位置までヘッドをアンロードさせることが可能である。

［磁気ディスク装置の構成］
次に、図２を用いて、図１で説明した磁気ディスク装置の構成を説明する。図２は、磁気ディスク装置２０の構成を示すブロック図である。同図に示すように、この磁気ディスク装置２０は、インターフェース２１と、磁気ディスク２２と、ＨＤＣ（Ｈａｒｄ Ｄｉｓｋ Ｃｏｎｔｒｏｌｅｒ:ハードディスクコントローラ）２３と、リード・ライトチャネル２４と、ＳＰＭドライバ（スピンドルモータドライバ）２５と、ＶＣＭドライバ（Ｖｏｉｃｅ Ｃｏｉｌ Ｍｏｔｏｒ：ボイスコイルモータ）２６と、記憶部２７と、ＭＣＵ（Ｍｉｃｒｏ Ｃｏｎｔｒｏｌ Ｕｎｉｔ：マイクロコントロールユニット）２８とから構成される。

このうち、インターフェース２１は、ホストコンピュータ１０との間でやり取りする各種情報に関する通信を制御する手段である。具体的に例を挙げれば、ホストコンピュータ１０から磁気ディスク２２に送信される各種制御要求（例えば、データ読み込みまたは書き込み要求）を受信し、受信した要求を後述するＨＤＣ２３に送信する。

磁気ディスク２２は、磁気ディスク装置２０に所持され、データの書き込みや読み込みが行われる記録媒体であり、特に本発明に密接に関連するものとしては、ディスク２２ａと、ヘッド２２ｂと、ＶＣＭ２２ｃと、ランプ２２ｄとを備える。

かかるディスク２２ａは、磁気ディスク２２が記憶する各種データが書き込まれる手段であり、具体的には、ユーザデータやサーボ情報などが書き込まれる。また、ヘッド２２ｂは、ディスク２２ａに各種データを書き込み、またはディスク２２から各種データを読み取る手段であり、具体的には、磁気ディスク装置２０からの指示によりディスク２２ａにユーザデータを書き込んだり、ディスク２２ａからユーザデータやサーボ情報の読み取りを行う。

そして、ＶＣＭ２２ｃは、ヘッド２２ｂの位置および速度を制御する手段であり、具体的には、後述するＶＣＭドライバ２６から供給される電流に基づいてヘッド２２ｂの速度を加速したり、ヘッド２２ｂを停止させたりする。ランプ２２ｄは、ヘッド２２ｂを退避させる手段であり、具体的には、磁気ディスク装置２０からアンロード要求を受け付けると、ＶＣＭ２２ｃは、ヘッド２２ｂをランプ２２ｄに退避する。

ＨＤＣ２３は、接続されるホストコンピュータ１０からインターフェース２１を介して各種指示を受け付けて、各機能部に送信する手段であり、具体的に例を挙げれば、スピンドルモータの制御指示を受け付けると、後述するＳＰＭドライバ２５に送信し、ヘッド２２ｂの制御指示を受け付けると、後述するＭＣＵ２８またはＶＣＭドライバ２６に送信し、データのリード・ライト指示を受け付けると、リード・ライトチャネル２４に送信してデータを書き込んだり、データをホストコンピュータ１０へ送信したりする。

そして、リード・ライトチャネル２４は、磁気ディスク２２へのデータの読み書きを制御する手段であり、具体的には、データを磁気ディスク２２に書き込むための変調回路やデータを磁気ディスク２２から読み込むための復調回路等を備えている。

ＳＰＭドライバ２５は、スピンドルモータ（ＳＰＭ）を制御する手段であり、具体的には、後述するＭＣＵ２８からの要求指示により、スピンドルモータを起動させるための電流を供給したり、スピンドルモータを停止させるための電流を供給したり、スピンドルモータから検出される逆起信号をＭＣＵ２８へ送信したりする。

ＶＣＭドライバ２６は、ヘッド２２ｂの速度または位置を制御する各種制御要求をＶＣＭ２２ｃに送信する手段であり、具体的には、ＶＣＭ２２ｃの逆起電力の電圧を（速度信号）をモニタして、ヘッド２２ｂの速度を制御する電流をＶＣＭ２２ｃに供給する。より詳細に説明すると、アンロード時のヘッド２２ｂの移動速度を一定に保つ制御をしており、例えば、ヘッド２２ｂがランプ２２ｄに衝突することで速度が低下した場合、速度を一定に保つために供給する電流量を増加させて、速度を上昇させる。

記憶部２７は、ＭＣＵ２８による各種処理に必要なデータおよびプログラムを格納する格納手段（記憶手段）であり、具体的には、後述するＭＣＵ２８のランプ位置検出部２９が、検出された電流が所定の値を超えるか否かを判定するための閾値や検出されたランプ２２ｄの位置情報などを記憶する。

ＭＣＵ２８は、各種の処理手順などを規定したプログラムおよび所要データを格納するための内部メモリを有し、これらによって種々の処理を実行する処理部であり、特に本発明に密接に関連するものとしては、アンロード制御部２８ａと、ランプ位置検出部２９とを備える。

このうち、アンロード制御部２８ａは、ヘッド２２ｂのアンロード制御をＶＣＭドライバ２６に指示する手段である。具体的には、ＨＤＣ２３からアンロード要求を受信すると、アンロード制御部２８ａは、ＶＣＭドライバ２６にアンロード指示を送信し、指示を受けたＶＣＭドライバ２６がヘッド２２ｂをランプ２２ｄに退避させる。

例を挙げて説明すると、磁気ディスク装置の工場出荷前の場合（この時点では記憶部２７にランプ２２ｄの位置が記憶されていない）、アンロード制御部２８ａは、ＶＣＭドライバ２６にアンロード指示を送信し、指示を受けたＶＣＭドライバ２６がヘッド２２ｂをランプ２２ｄに退避させて、ランプ位置検出部２９によりランプ２２ｄの位置が検出される。

また、磁気ディスク装置の工場出荷後の場合（この時点では記憶部２７にランプ２２ｄの位置が記憶されている）、アンロード制御部２８ａは、記憶部２７を参照し記憶されるランプ２２ｄの位置までヘッド２２ｂをアンロードするようにＶＣＭドライバ２６にアンロード指示を送信し、指示を受けたＶＣＭドライバ２６がヘッド２２ｂをランプ２２ｄに退避させる。

ランプ位置検出部２９は、磁気ディスク装置２０の出荷前にランプ２２ｄの位置を検出する手段であり、特に本発明に密接に関連するものとしては、本実施例ではＣＰＵのファームウェアのプログラムモジュールとして構成された、電流検出部２９ａと、電流判定部２９ｂと、ランプ検出部２９ｃとを備える。また、実施例は、ＣＰＵのファームウェアプログラムにより実現する手法を説明したがこれに限られず、構成することが可能である。

かかる電流検出部２９ａは、ヘッド２２ｂをアンロードする場合の速度制御に用いられる電流を検出する手段である。具体的には、磁気ディスク装置２０の出荷前にＨＤＣ２３からアンロード要求（指示）を受信すると、電流検出部２９ａは、ＶＣＭドライバ２６により検出される逆起電力の電圧に基づいて、ＶＣＭドライバ２６がヘッド２２ｂをアンロードする場合の速度制御に用いる電流を検出する。

電流判定部２９ｂは、電流検出部２９ａにより検出された電流が所定の値を超えるか否かを判定する手段である。具体的には、電流検出部２９ａにより検出された電流が記憶部２７に記憶される所定の値を超えるか否かを判定する。例を挙げると、電流検出部２９ａにより検出された電流が記憶部２７に記憶される所定の値（例えば、１５アンペア）を超えるか否かを判定し、超えると判定された場合、後述するランプ検出部２９ｃに所定の値を超えた旨の指示（例えば、電流の値など）を送信し、一方、超えない場合、引き続き電流検出部２９ａにより検出された電流が記憶部２７に記憶される所定の値を超えるか否かを判定する。

ランプ検出部２９ｃは、電流判定部２９ｂにより所定の値を超えると判定された場合に、当該電流が検出されたヘッド２２ｂの位置をランプ２２ｄの位置として検出する手段である。具体的に例を挙げれば、電流判定部２９ｂにより所定の値（例えば、１５）を超えると判定された場合に、当該電流が検出されたヘッド２２ｂの位置（図１の状態Ｂ（図１の（２））をランプ２２ｄの位置として検出し、検出したランプ２２ｄの位置を記憶部２７に格納する。

［磁気ディスク装置による処理］
次に、図３と図４を用いて、磁気ディスク装置２０による処理を説明する。図３は、磁気ディスク装置における工場出荷前のアンロード処理の流れを示すフローチャートであり、図４は、磁気ディスク装置における工場出荷後のアンロード処理の流れを示すフローチャートである。

（１）工場出荷前のアンロード処理
まず最初に、図３を用いて、磁気ディスク装置における工場出荷前のアンロード処理の流れを説明する。

図３に示したように、ホストコンピュータ１０からアンロード要求（もしくは、アンロード指示）を受信すると（ステップＳ３０１肯定）、磁気ディスク装置２０のアンロード制御部２８ａは、ヘッド２２ｂのアンロード動作を開始する（ステップＳ３０２）。

そして、電流検出部２９ａは、ヘッド２２ｂをアンロードする場合の速度制御に用いられる電流を検出する（ステップＳ３０３）。そして、この検出に合わせて、電流判定部２９ｂは、電流検出部２９ａにより検出された電流が所定の値を超えるか否かを判定する（ステップＳ３０４）。

そして、検出された電流が所定の値を超えると判定された場合（ステップＳ３０４肯定）、磁気ディスク装置２０のランプ検出部２９ｃは、当該電流が検出されたヘッド２２ｂの位置をランプ２２ｄの位置として検出し（ステップＳ３０５）、検出したランプ２２ｄの位置を記憶部２７に格納する。そして、磁気ディスク装置２０は、アンロード動作を停止する（ステップＳ３０６）。

なお、検出された電流が所定の値を超えないと判定された場合（ステップＳ３０４否定）、磁気ディスク装置２０の電流検出部２９ａは、引き続き、ヘッド２２ｂをアンロードする場合の速度制御に用いられる電流を検出し、所定の値を超えるか否かを判定する。

（２）工場出荷後のアンロード処理
次に、図４を用いて、磁気ディスク装置における工場出荷後のアンロード処理の流れを説明する。

図４に示したように、ホストコンピュータ１０からアンロード要求を受信すると（ステップＳ４０１肯定）、磁気ディスク装置２０のアンロード制御部２８ａは、アンロード動作を開始する（ステップＳ４０２）。

続いて、磁気ディスク装置２０のアンロード制御部２８ａは、記憶部２７に記憶されるランプ２２ｄの位置情報を参照して、ヘッド２２ｂがランプ２２ｄの位置に到達したか否かを判定する（ステップＳ４０３）。

そして、ヘッド２２ｂがランプ２２ｄの位置に到達したと判定した場合（ステップＳ４０３肯定）、アンロード制御部２８ａは、アンロード動作を停止する（ステップＳ４０４）。

なお、ヘッド２２ｂがランプ２２ｄの位置に到達していないと判定した場合（ステップＳ４０３否定）、アンロード制御部２８ａは、アンロード制御している間、ヘッド２２ｂがランプ２２ｄの位置に到達したか否かを判定する。

［実施例１による効果］
このように、実施例１によれば、ヘッド２２ｂをアンロードする場合の速度制御に用いられる電流を検出し、検出された電流が所定の値を超えるか否かを判定し、所定の値を超えると判定された場合に、当該電流が検出されたヘッド２２ｂの位置をランプ２２ｄの位置として検出するので、磁気ディスク２２のヘッド２２ｂがランプ２２ｄに衝突すると、速度が低下するために速度を上げるための電流が発生し、この電流を検出することで、サーボ情報の制御帯域を下げる必要がなく、外乱の影響を最小限にすることができる結果、ランプの位置を正確に検出することが可能である。また、出荷前にランプの位置情報を記憶しておくことで、出荷後の実稼動におけるアンロード制御では、正確にランプの位置までヘッドをアンロードさせることが可能であり、当該装置におけるヘッドの無駄な消耗を防ぐことができ、当該装置の利用価値を高めることができるという効果を奏する。

また、実施例１によれば、ランプ２２ｄの摩擦低下の影響を最小限にすることができる結果、摩擦の少ない装置に対しても、ランプ２２ｄの位置を正確に検出することが可能である。さらに、速度低下を検出してランプ２２ｄの位置を検出する場合に比べて、実際にヘッド２２ｂがランプ２２ｄに接触してからランプ２２ｄが検出されるまでのヘッド２２ｂの移動距離を短くすることができる結果、より正確にランプ２２ｄの位置を検出することが可能である。

また、実施例１によれば、磁気ディスク２２のヘッド２２ｂは、アンロードする場合の移動速度が一定になるように制御されるものであって、ヘッド２２ｂをアンロードする場合の速度制御に用いられる電流を検出するので、アンロードする場合の移動速度が一定にすることにより、出力される電流量も一定になり、ランプ２２ｄに衝突した場合の速度低下を上昇させるために供給される電流を検出しやすくなる結果、アンロードする場合の移動速度が一定でない場合に比べて（移動速度が一定でないので、供給される電流も一定でない）、より正確にランプ２２ｄの位置を検出することが可能である。

ここで、図５を用いて改めて具体的に説明すると、図５は、実施例１に係る磁気ディスク装置におけるランプ位置検出の特徴を説明するための図であり、３回のアンロード制御において検出されたランプの位置が、実際にヘッド２２ｂがランプ２２ｄに接触してからどのくらい移動してから検出されているかを示している。

従来技術であるヘッド２２ｂの速度を検出してランプ２２ｄの位置を検出した場合、実際にランプに接触してから検出されるまでの間に、ヘッド２２ｂは平均して７（ミリメートル）移動している（図５の（１））。一方、ヘッド２２ｂに供給される電流を検出してランプ２２ｄの位置を検出した場合、実際にランプに接触してから検出されるまでの間に、ヘッド２２ｂは平均して３（ミリメートル）移動している（図５の（２））。つまり、図５からもわかるように、電流に基づいてランプ２２ｄの位置を検出した場合の方が、ランプ２２ｄに接触してから、実際にランプ２２ｄが検出されるまでのヘッド２２ｂの移動距離が短くなっており、より正確にランプ２２ｄの位置を検出することが可能である。

また、図１の（３）は、ヘッド２２ｂの速度およびヘッド２２ｂに供給される電流それぞれの変化をグラフにしたものであるが、同図をみてもわかるように、それぞれの所定の閾値（速度のグラフの場合は「５５」、電流の場合は「−１５」）を超える前後の変化が、速度のグラフはバラツキがあるが、電流のグラフはバラツキが少ない。これにより、より正確にランプ２２ｄの位置を検出することが可能であることがわかる。

さて、これまで本発明の実施例について説明したが、本発明は上述した実施例以外にも、種々の異なる形態にて実施されてよいものである。そこで、以下では実施例２として、本発明に含まれる他の実施例について説明する。

（１）ランプの位置検出
例えば、上記した実施例１では、ランプの位置を一回のアンロード制御で検出する場合について説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、複数回のアンロード制御でそれぞれ検出されたランプの位置の平均を算出してランプの位置とするようにしてもよい。

これにより、例えば、突発的に大きな電流が流れて所定の値（閾値）を超えることでランプを検出するなど、突発的な原因によるランプの誤検出を防ぐことができる結果、より正確にランプの位置を検出することが可能である。

（２）アンロード速度
また、実施例１では、アンロード速度が一定の場合について説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、アンロード速度が一定でなくてもよい。例えば、アンロード制御において、徐々にヘッドの速度を低下させるように制御されていてもよい。

（３）システム構成等
また、図示した磁気ディスク装置の各構成要素は機能概念的なものであり、必ずしも物理的に図示の如く構成されていることを要しない。すなわち、各装置の分散・統合の具体的形態は図示のものに限られず（例えば、アンロード制御部とランプ位置検出部を統合するなど）、その全部または一部を、各種の負荷や使用状況などに応じて、任意の単位で機能的または物理的に分散・統合して構成することができる。さらに、各装置にて行なわれる各処理機能は、その全部または任意の一部が、ＣＰＵ（もしくは、ＭＣＵ（Micro Control Unit）やＭＰＵ（Micro Processing Unit）などの制御装置）および当該ＣＰＵ（もしくは、ＭＣＵやＭＰＵ）にて解析実行されるプログラムにて実現され、あるいは、ワイヤードロジックによるハードウェアとして実現され得る。

また、上記文書中や図面中で示した処理手順、制御手順、具体的名称、各種のデータやパラメータを含む情報（図１や図５に示したグラフなど）については、特記する場合を除いて任意に変更することができる。

（４）プログラム
なお、本実施例で説明した磁気ディスク装置におけるアンロード制御処理（図３、図４）は、あらかじめ用意されたプログラムをコンピュータ（例えば、磁気ディスク装置２０のＭＣＵ２８）で実行することによって実現することができる。このプログラムは、インターネットなどのネットワークを介して配布することができる。また、このプログラムは、ＣＤ−ＲＯＭ、ＭＯ、ＤＶＤなどのコンピュータで読み取り可能な記録媒体に記録され、コンピュータによって記録媒体から読み出されることによって実行することもできる。

（付記１）記憶媒体のヘッドが退避されるランプの位置を検出して記憶するランプ位置検出装置であって、
前記ヘッドのアンロード動作に際して速度制御に用いられる電流を検出する電流検出部と、
前記電流検出部により検出された電流が所定の値を超えるか否かを判定する電流判定部と、
前記電流判定部により前記所定の値を超えると判定された場合に、当該電流が検出されたヘッドの位置を前記ランプの位置として検出するランプ検出部と、
を備えたことを特徴とするランプ位置検出装置。

（付記２）前記記憶媒体のヘッドは、前記アンロード動作に際する移動速度が一定になるように制御されるものであって、
前記電流検出部は、前記ヘッドの速度制御に用いられる電流を検出することを特徴とする付記１に記載のランプ位置検出装置。

（付記３）前記ランプ検出部は、複数回のアンロード動作で検出されたヘッドの位置の平均から算出した平均ヘッド位置を、前記ランプの位置として検出することを特徴とする付記１または２に記載のランプ位置検出装置。

（付記４）記憶媒体のヘッドが退避されるランプの位置を検出して記憶することに適するランプ位置検出方法であって、
前記ヘッドのアンロード動作に際して速度制御に用いられる電流を検出する電流検出工程と、
前記電流検出工程により検出された電流が所定の値を超えるか否かを判定する電流判定工程と、
前記電流判定工程により前記所定の値を超えると判定された場合に、当該電流が検出されたヘッドの位置を前記ランプの位置として検出するランプ検出工程と、
を含んだことを特徴とするランプ位置検出方法。

（付記５）前記記憶媒体のヘッドは、前記アンロード動作に際する移動速度が一定になるように制御されるものであって、
前記電流検出工程は、前記ヘッドの速度制御に用いられる電流を検出することを特徴とする付記４に記載のランプ位置検出方法。

（付記６）前記ランプ検出工程は、複数回のアンロード動作で検出されたヘッドの位置の平均から算出した平均ヘッド位置を、前記ランプの位置として検出することを特徴とする付記４または５に記載のランプ位置検出方法。

（付記７）記憶媒体へデータの書き込みやデータの読み取りを行わない場合に、前記磁気ヘッドをランプに退避させる記憶装置であって、
前記ヘッドのアンロード動作に際して速度制御に用いられる電流を検出する電流検出部と、
前記電流検出部により検出された電流が所定の値を超えるか否かを判定する電流判定部と、
前記電流判定部により前記所定の値を超えると判定された場合に、当該電流が検出されたヘッドの位置を前記ランプの位置として検出するランプ位置検出部と、
前記ランプ位置検出部により検出されたランプの位置情報を記憶するランプ位置記憶部と、
前記ランプ位置記憶部に記憶されるランプ位置情報に基づいて前記ヘッドをアンロードするアンロード制御部と、
を備えたことを特徴とする記憶装置。

（付記８）前記記憶媒体のヘッドは、前記アンロード動作に際する移動速度が一定になるように制御されるものであって、
前記電流検出部は、前記ヘッドの速度制御に用いられる電流を検出することを特徴とする付記７に記載の記憶装置。

（付記９）前記ランプ検出部は、複数回のアンロード動作で検出されたヘッドの位置の平均から算出した平均ヘッド位置を、前記ランプの位置として検出することを特徴とする付記７または８に記載の記憶装置。

以上のように、本発明に係るランプ位置検出装置、ランプ位置検出方法および記憶装置は、記憶媒体のヘッドが退避されるランプの位置を検出して記憶することに有用であり、特に、ランプの位置を正確に検出することに適する。

実施例１に係る磁気ディスク装置の概要と特徴を説明するための図である。 実施例１に係る磁気ディスク装置の構成を示すブロック図である。 実施例１に係る磁気ディスク装置における工場出荷前のアンロード処理の流れを示すフローチャート。 実施例１に係る磁気ディスク装置における工場出荷後のアンロード処理の流れを示すフローチャート。 実施例１に係る磁気ディスク装置におけるランプ位置検出処理の特徴を説明するための図である。

符号の説明

１０ ホストコンピュータ
２０ 磁気ディスク装置
２１ インターフェース
２２ 磁気ディスク
２２ａ ディスク
２２ｂ ヘッド
２２ｃ ＶＣＭ（ボイス・コイル・モータ）
２２ｄ ランプ
２３ ＨＤＣ（ハードディスクコントローラ）
２４ リード・ライトチャネル
２５ ＳＰＭドライバ
２６ ＶＣＭドライバ
２７ 記憶部
２８ ＭＣＵ
２８ａ アンロード制御部
２９ ランプ位置検出部
２９ａ 電流検出部
２９ｂ 電流判定部
２９ｃ ランプ検出部

Claims (5)

1. 記憶媒体のヘッドが退避されるランプの位置を検出して記憶するランプ位置検出装置であって、
   前記ヘッドのアンロード動作に際して速度制御に用いられる電流を検出する電流検出部と、
   前記電流検出部により検出された電流が所定の値を超えるか否かを判定する電流判定部と、
   前記電流判定部により前記所定の値を超えると判定された場合に、当該電流が検出されたヘッドの位置を前記ランプの位置として検出するランプ検出部と、
   を備えたことを特徴とするランプ位置検出装置。
2. 前記記憶媒体のヘッドは、前記アンロード動作に際する移動速度が一定になるように制御されるものであって、
   前記電流検出部は、前記ヘッドの速度制御に用いられる電流を検出することを特徴とする請求項１に記載のランプ位置検出装置。
3. 前記ランプ検出部は、複数回のアンロード動作で検出されたヘッドの位置の平均から算出した平均ヘッド位置を、前記ランプの位置として検出することを特徴とする請求項１または２に記載のランプ位置検出装置。
4. 記憶媒体のヘッドが退避されるランプの位置を検出して記憶することに適するランプ位置検出方法であって、
   前記ヘッドのアンロード動作に際して速度制御に用いられる電流を検出する電流検出工程と、
   前記電流検出工程により検出された電流が所定の値を超えるか否かを判定する電流判定工程と、
   前記電流判定工程により前記所定の値を超えると判定された場合に、当該電流が検出されたヘッドの位置を前記ランプの位置として検出するランプ検出工程と、
   を含んだことを特徴とするランプ位置検出方法。
5. 記憶媒体へデータの書き込みやデータの読み取りを行わない場合に、前記記憶媒体のヘッドをランプに退避させる記憶装置であって、
   前記ヘッドのアンロード動作に際して速度制御に用いられる電流を検出する電流検出部と、
   前記電流検出部により検出された電流が所定の値を超えるか否かを判定する電流判定部と、
   前記電流判定部により前記所定の値を超えると判定された場合に、当該電流が検出されたヘッドの位置を前記ランプの位置として検出するランプ位置検出部と、
   前記ランプ位置検出部により検出されたランプの位置情報を記憶するランプ位置記憶部と、
   前記ランプ位置記憶部に記憶されるランプ位置情報に基づいて前記ヘッドをアンロードするアンロード制御部と、
   を備えたことを特徴とする記憶装置。

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