JP2007328188A - 近接場相互作用制御素子 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】金属、金属アニオンまたは金属カチオンで形成され、直径が0.5nm以上3nm以下であり、比誘電率が−2.5以上−1.5以下である複数の微粒子を含む近接場光導波部と、前記近接場光導波部に含まれる複数の微粒子との間で電子の注入または排出を行い、前記近接場光導波部の誘電率を変化させる電子注入排出部と、前記近接場導波部へ近接場光を導入する近接場光導入部と、前記近接場導波部を導波した近接場光を出射させる近接場光出射部とを具備したことを特徴とする近接場相互作用制御素子。
【選択図】 図5
Description
負の値の誘電率をもつ微粒子は金属であることを意味するが、微粒子のサイズが小さい場合にはプラズモンを励起できずに誘電体となる。しかし、電子注入によって電子数が増加し、さらに電子反発によって電子軌道のサイズが大きくなりプラズモンが発生するようになれば、誘電率は正から負に変化して微粒子間の相互作用が変化する。
SiO2層中に5個のTi微粒子を0.5nmの等間隔で一列に並べて近接場光導波部を形成した以外は実施例1のものと同様の構造を有する近接場相互作用制御素子を作製した。実施例1と同様の実験を行ったところ、実施例1と同様の結果が得られた。
図6に本実施例に係る近接場相互作用制御素子の平面図を示す。実施例1の電極12および電子注入部19の代わりに、微粒子16、16と同じ面内でこれらの微粒子16、16を挟むように、先端が平坦なアルミニウム電極21と、集束イオンビーム装置(FIB: Focused Ion Beam)で先端を先鋭化させたアルミニウム電極22を配置して電子注入部とした以外は実施例1のものと同様の構造を有する近接場相互作用制御素子を作製した。実施例1と同様の実験を行ったところ、実施例1と同様の結果が得られた。
実施例1のTi微粒子の代わりにAu微粒子を用いた以外は実施例1のものと同様の構造を有する近接場相互作用制御素子を作製した。実施例1と同様の実験を行った結果、変調度は実施例1よりも大きくなった。
[Ni(chxn)2Br]Br2(岩井伸一郎、固体物理38、P29(2003))や(EDO−TTF)2PF6(O. Ken, et. al., Journal of Physics: Conference Series 21, 216 (2005))は光誘起相転移材料であり、光を照射することにより誘電率を正の値から負の値(−2近傍)にすることができる。
図8に本実施例に係る近接場相互作用制御素子の平面図を示す。実施例3の2個のTi微粒子の代わりに、多数のAu微粒子41が二次元的に配列されているプラズモン導波路を有する近接場相互作用制御素子を作製した。このプラズモン導波路は、透明マトリックスの原料となるテトラエトキシシラン(TEOS)と、HAuCl4・4H2Oとを用い、ゾル−ゲル法により形成した。このプラズモン導波路中には平均粒径が約2.5nmのAu微粒子41が二次元的に配列されている。隣接するAu微粒子41間の間隔は、Au微粒子41の直径以下である。この近接場相互作用制御素子でも、実施例3と同様に、電場印加によって光の移動の変調が確認された。
λ−(BETS)2FeCl4は、室温では金属であり、8K(絶対温度)以下で絶縁体に相転移する(L. Brossard, et. al., Eur. Phys. B 1, 439 (1998))。さらに10テスラ以上の磁場をかけると絶縁体から金属状態に相転移する。この特性を生かすために、水ガラス中にλ−(BETS)2FeCl4の微結晶を分散させたプラズモン導波路を有する、実施例6と同様な構造の近接場相互作用制御素子を作製した。この近接場相互作用制御素子では、室温で光の移動が観測されたが、8K以下で伝達がなくなった。この状態で15テスラの磁場を印加したところ、再び光の移動が観測された。
実施例6のAu微粒子の代わりに、Au55[P(C6H5)3]12C16分子(H. Zhang, et al., New Journal of Physics 5, 30.1-30.7, (2003))の単層を用いた場合にも同様の効果が確認できた。Au55[P(C6H5)3]12C16は、Au55のコアに対して複数個のトリフェニルリン置換基がシェルとして結合しているものである。この場合、コア径は1.4nm、シェル径2.1nmである。
図9に本実施例に係る近接場相互作用制御素子の平面図を示す。図9に示すように、基板(図示せず)上に下部電極(図示せず)および近接場光導波部51が形成されている。近接場光導波部51は、膜厚50nmのポリスチレン(PS)膜中にC60微粒子52を分散させたものである。近接場光導波部51の両端に近接場光導入部17および近接場光出射部18が設けられている。近接場光導波部51の上に上部電極が形成されている。下部電極および上部電極はいずれも、多数の直径100nmの円形電極53を二次元的に配列したものであり、隣接する円形電極53間の間隔は50nmである。下部電極と上部電極との間にある一部の近接場光導波部51に200Vの電圧を印加したところ、近接場光の移動が観測された。
Claims (5)
- 金属、金属アニオンまたは金属カチオンで形成され、直径が0.5nm以上3nm以下であり、比誘電率が−2.5以上−1.5以下である複数の微粒子を含む近接場光導波部と、
前記近接場光導波部に含まれる複数の微粒子との間で電子の注入または排出を行い、前記近接場光導波部の誘電率を変化させる電子注入排出部と、
前記近接場導波部へ近接場光を導入する近接場光導入部と、
前記近接場導波部を導波した近接場光を出射させる近接場光出射部と
を具備したことを特徴とする近接場相互作用制御素子。 - 前記微粒子が金または銀で形成されていることを特徴とする請求項1に記載の近接場相互作用制御素子。
- 光照射、磁場変化または温度変化により絶縁相から金属相へ相変化を起こす物質で形成され、直径が0.5nm以上3nm以下であり、金属相へ相変化したときの比誘電率が−2.5以上−1.5以下である複数の微粒子を含む近接場光導波部と、
前記近接場光導波部に含まれる複数の微粒子に光照射、磁場変化または温度変化を行わせ誘電率を変化させる部分と、
前記近接場導波部へ近接場光を導入する近接場光導入部と、
前記近接場導波部を導波した近接場光を排出する近接場光排出部と
を具備したことを特徴とする近接場相互作用制御素子。 - 前記電子注入排出部は前記近接場光導波部の一部に対応して設けられ、前記近接場光導波部の一部の誘電率を変化させることを特徴とする請求項1に記載の近接場相互作用制御素子。
- 前記微粒子が、Cu、Au、Ag、Fe、Ni、Co、Zn、Cr、W、Ti、Al、In、Ir、Mn、Mo、Bi、Pt、Si、Ge、Sn、Pb、ダイヤモンド、III−V族半導体、II−VI族半導体からなる群より選択される少なくとも1種で形成されていることを特徴とする請求項1に記載の近接場相互作用制御素子。
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