JP2007317889A - エッチング方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】シリコン基材46上に酸化膜47、有機系反射防止膜48及び所定のマスクパターンを呈するレジスト膜49が形成されたウエハWを基板処理装置10のサセプタ12の上面に吸着保持し、有機系反射防止膜48におけるレジスト膜49によって覆われていない部分をエッチングし、Arガスから発生した陽イオンによってサセプタ12に対向して配置され且つシリコンからなる上部電極板39をスパッタリングし、該上部電極板39からシリコン元素を放出させてウエハWのレジスト膜49にシリコン含有膜50を形成し、酸化膜47の露出した部分をシリコン含有膜50と共にエッチングし、さらに、レジスト膜49及び残りの有機系反射防止膜48をエッチングする。
【選択図】図3
Description
まず、図2のウエハWを準備し、該ウエハWを基板処理装置10の基板収容室11に搬入し、有機系反射防止膜48におけるレジスト膜49によって覆われていない部分をCF4ガスから発生した陽イオンやラジカルによってエッチングし、さらに、基板収容室11内の圧力を1.33Paに設定し、処理空間SへArガスを200sccmで供給し、上部電極板39に2000Wの高周波電力を供給すると共に、導電体部29に100Wの高周波電力を供給して、上部電極板39をArガスから発生した陽イオンによってスパッタリングした。このとき、ウエハWを観察したところ、レジスト膜49上にシリコン含有膜50が形成されているのを確認した。
まず、図2のウエハWを準備し、実施例1と同様に、有機系反射防止膜48におけるレジスト膜49によって覆われていない部分をエッチングし、さらに、基板収容室11内の圧力を1.33Paに設定し、処理空間SへArガスを200sccmで供給し、上部電極板39に1250Wの高周波電力を供給すると共に、導電体部29に400Wの高周波電力を供給して、上部電極板39をArガスから発生した陽イオンによってスパッタリングした。このとき、ウエハWを観察したところ、レジスト膜49上にシリコン含有膜50が形成されているのを確認した。但し、実施例2におけるシリコン含有膜50の膜厚は実施例1におけるシリコン含有膜50の膜厚より小さいことを確認した。
まず、図2のウエハWを準備し、実施例1と同様に、有機系反射防止膜48におけるレジスト膜49によって覆われていない部分をエッチングし、さらに、上部電極板39をスパッタリングすることなく、実施例1と同様に、酸化膜47の露出した部分をエッチングした。このとき、ウエハWを観察したところ、レジスト膜49の開口部の形状が崩れていることを確認した。
S 処理空間
10 基板処理装置
11 基板収容室
12 サセプタ
21a,21b 高周波電源
29 導電体部
36 ガス導入シャワーヘッド
39 上部電極板
46 シリコン基材
47 酸化膜
48 有機系反射防止膜
49 レジスト膜
50 シリコン含有膜
Claims (6)
- 酸化膜及び該酸化膜上に形成されたレジスト膜を有する基板を収容する収容室と、該収容室内に配置され且つ前記収容室内の空間に晒される暴露部材とを備え、前記収容室内に生成されたプラズマによって前記基板にプラズマ処理を施す基板処理装置であって、前記暴露部材の少なくとも一部がシリコン含有材からなる基板処理装置におけるエッチング方法であって、
前記暴露部材をプラズマによってスパッタリングするスパッタリングステップと、
前記酸化膜をプラズマによってエッチングする酸化膜エッチングステップとを有することを特徴とするエッチング方法。 - 前記基板は前記酸化膜及び前記レジスト膜の間に形成された反射防止膜を有し、
前記スパッタリングステップに先立って前記反射防止膜をエッチングする反射防止膜エッチングステップを有することを特徴とする請求項1記載のエッチング方法。 - 前記暴露部材には高周波電力が供給されることを特徴とする請求項1又は2記載のエッチング方法。
- 前記スパッタリングステップでは、希ガス又は不活性ガスから生成されたプラズマを用いることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載のエッチング方法。
- 前記基板処理装置は前記収容室内に配置され且つ前記基板を載置する載置台を備え、前記暴露部材は前記載置台に対向して配置されている電極板であることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載のエッチング方法。
- 前記載置台には高周波電力が供給され、前記電極板に供給される高周波電力は前記載置台に供給される高周波電力より大きいことを特徴とする請求項5記載のエッチング方法。
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