JP2007313499A - パターン形成方法、液滴吐出装置及び回路モジュール - Google Patents

パターン形成方法、液滴吐出装置及び回路モジュール Download PDF

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Abstract

【課題】液滴の乾燥効率を向上させて、液滴からなるパターンの形成不良を低減させたパターン形成方法、液滴吐出装置及び回路モジュールを提供する。
【解決手段】キャリッジ２０に搭載された反射ミラー２７が、半導体レーザＬＤの出射するレーザ光を反射し、略反走査方向に沿う第一照射光Ｌｅ１として液状膜ＦＬの第一照射位置Ｐ１に照射する。そして、キャリッジ２０に搭載された凹面ミラー２９が、第一照射位置Ｐ１からの反射散乱光Ｌｒを反射し、略走査方向に沿う第二照射光Ｌｅ２として再び液状膜ＦＬの第二照射位置Ｐ２を照射する。
【選択図】図６

Description

本発明は、パターン形成方法、液滴吐出装置及び回路モジュールに関する。
近年、半導体素子などの電子部品を搭載する回路モジュールには、ガラスセラミックからなる低温焼成セラミックス多層基板（Ｌｏｗ Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ Ｃｏ−ｆｉｒｅｄ Ｃｅｒａｍｉｃｓ：ＬＴＣＣ多層基板）を有するものが知られている。ＬＴＣＣ多層基板は、積層したグリーンシートを９００℃以下の低温で焼成できるため、内部配線に銀や金などの低融点金属を使用することができ、内部配線の低抵抗化を図ることができる。
こうしたＬＴＣＣ多層基板の製造工程では、金属ペーストや金属インクを利用し、積層する前の各グリーンシート上に配線パターンを描画する。この描画方法として、特許文献１は、金属インクを微小な液滴にして吐出する、いわゆるインクジェット法を提案している。インクジェット法は、微小な液滴を接合して配線パターンを描画するため、内部配線の設計変更（例えば、内部配線の高密度化や配線幅及び配線ピッチの狭小化）に対して迅速に対応することができる。
特開２００５−５７１３９号公報
ところで、グリーンシートに着弾した液滴は、グリーンシートの表面状態や液滴の表面張力に基づいて、サイズや形状などを経時的に変動する。サイズや形状の変動する液滴は、乾燥するタイミングに応じて、配線パターンのサイズを規定する。例えば、外径が３０μｍの金属インクからなる液滴は、親液性のグリーンシートに着弾して１００ミリ秒を経過すると、外径を７０μｍに拡張し、２００ミリ秒を経過すると、外径をさらに１００μｍに拡張する。そのため、液滴の乾燥タイミングが、１００ミリ秒後〜２００ミリ秒後の範囲でばらつくと、対応する配線パターンの線幅が約７０μｍ〜１００μｍの範囲でばらつく。
そこで、こうした液滴の乾燥方法には、パターンサイズのばらつきを抑制させるため、グリーンシートに着弾した液滴にレーザ光を照射するレーザ乾燥が提案されている。レーザ乾燥では、レーザ光の照射領域のみで液滴の乾燥処理を行う。そのため、着弾した液滴の乾燥タイミングを高い精度で制御させることができ、パターンサイズのばらつきを抑制させることができる。
しかしながら、インクジェット法に使用する液滴吐出装置では、一般的に、液滴の着弾精度を確保するため、液滴吐出ヘッドと対象物との間の間隙を数百μｍに狭くしている。そのため、液滴吐出ヘッドの直下に位置する液滴を乾燥する場合には、液滴吐出ヘッドと対象物との間の狭い間隙に、対象物の略接線方向に沿ったレーザ光を照射しなければならない。この結果、対象物に形成するレーザ光の光断面（ビームスポット）が拡大し、液滴を乾燥させるために必要なレーザ光の強度を確保できなくなる。そのため、液滴の乾燥不足を招いて、パターンの形成不良を来たす虞があった。
本発明は、上記問題を解決するためになされたものであり、その目的は、液滴の乾燥効率を向上させて、液滴からなるパターンの形成不良を低減させたパターン形成方法、液滴吐出装置及び回路モジュールを提供することである。
本発明のパターン形成方法は、パターン形成材料を液滴にして基板に吐出し、前記基板に着弾した液滴を乾燥して前記基板にパターンを形成するようにしたパターン形成方法であって、レーザ光源の出射したレーザ光を液滴の領域に照射するとともに、液滴の領域から反射あるいは散乱されたレーザ光を再び液滴の領域に反射照射して液滴を乾燥するようにした。
本発明のパターン形成方法によれば、液滴の領域から反射あるいは散乱されたレーザ光が、再び液滴の領域に反射照射される。よって、液滴の乾燥効率を向上させることができ、液滴の乾燥不足を回避して、パターンの形成不良を解消させることができる。
また、前記基板に着弾した液滴を走査方向に沿ってレーザ光に対して相対的に走査し、前記レーザ光源の出射したレーザ光を照射する領域と、液滴の領域から反射あるいは散乱されたレーザ光を反射照射する領域と、が前記走査方向で異なる位置になるようにしてもよい。
このパターン形成方法によれば、液滴の領域から反射あるいは散乱されたレーザ光と、レーザ光源からのレーザ光と、が走査方向で異なる位置を照射する。この結果、液滴を走査する過程において、液滴の領域に複数回にわたるレーザ照射を施すことができる。しかも、反射照射したレーザ光が再び液滴の領域から反射される場合であっても、同反射されたレーザ光のレーザ光源側への侵入を抑制させることができる。そのため、レーザ光の照射動作を安定させることができ、より高い再現性の下で、液滴の乾燥効率を向上させることができる。
また、このパターン形成方法において、前記基板に着弾した液滴を走査方向に沿ってレーザ光に対して相対的に走査し、前記レーザ光源の出射したレーザ光を前記走査方向に収束して液滴の領域に照射するとともに、液滴の領域から反射あるいは散乱されたレーザ光を前記走査方向に収束して再び液滴の領域に照射するようにしてもよい。
このパターン形成方法によれば、走査方向に収束した複数のレーザ光が、液滴の領域に照射される。この結果、レーザ光を走査方向に収束させる分だけ、液滴に対するレーザ光の照***度を低下させることなく、液滴の乾燥効率を、さらに向上させることができる。この結果、パターンの形成不良を、より確実に解消させることができる。
本発明の液滴吐出装置は、パターン形成材料を液滴にして基板に吐出する液滴吐出ヘッドを備えた液滴吐出装置であって、前記基板に着弾した液滴の領域にレーザ光源の出射したレーザ光を照射する第一照射手段と、液滴の領域から反射あるいは散乱されたレーザ光を再び液滴の領域に反射照射する第二照射手段と、を備えた。
本発明の液滴吐出装置によれば、第一照射手段が、レーザ光源の出射したレーザ光を液滴の領域に照射するとともに、第二照射手段が、液滴の領域から反射あるいは散乱されたレーザ光を再び液滴の領域に反射照射する。よって、液滴の乾燥効率を向上させることができ、液滴の乾燥不足を回避して、パターンの形成不良を解消させることができる。
また、この液滴吐出装置において、前記第二照射手段は、前記液滴吐出ヘッドを挟んで前記第一照射手段の反対側に配設され、前記液滴の領域から反射あるいは散乱されたレーザ光を再び前記液滴の領域に反射照射するミラーを備えてもよい。
この液滴吐出装置によれば、ミラーが、第一照射手段の反対側に配置される。よって、
液滴の領域を介したレーザ光源からのレーザ光を、より効果的に反射照射することができる。この結果、液滴の乾燥効率を、より確実に向上させることができる。
また、この液滴吐出装置において、前記ミラーは、前記基板の法線方向から見て、前記液滴の領域を介したレーザ光を反射して再び前記液滴の領域に収束する凹面を有してもよい。
この液滴吐出装置によれば、基板の法線方向から見て、ミラーの凹面が、液滴の領域から拡散するレーザ光を再び液滴の領域に収束する。よって、液滴の領域からのレーザ光を、より有効活用させることができる。
また、この液滴吐出装置において、前記第一照射手段は、前記レーザ光源の出射したレーザ光を前記液滴の領域に前記基板の略接線方向に沿って照射し、前記第二照射手段は、前記液滴の領域から反射あるいは散乱されたレーザ光を再び液滴の領域に前記基板の略接線方向に沿って反射照射するミラーを有し、前記ミラーは、前記基板の法線方向から見て、前記第一照射手段と前記ミラーとの間の距離を略曲率半径にする凹面を備えてもよい。
この液滴吐出装置によれば、ミラーの凹面が、第一照射手段とミラーとの間の距離をその略曲率半径にする。よって、液滴の領域を介した第一照射手段からのレーザ光を、より確実に液滴の領域に反射させることができる。
また、この液滴吐出装置において、前記ミラーは、前記基板の接線方向から見て、前記液滴の領域側に向く凹面を有して前記液滴の領域からのレーザ光を再び前記液滴の領域に収束するようにしてもよい。
この液滴吐出装置によれば、基板の接線方向から見て、ミラーの凹面が、液滴の領域から拡散したレーザ光を再び液滴の領域に収束する。よって、液滴の領域からのレーザ光を、より有効活用させることができる。
また、この液滴吐出装置において、前記ミラーは、前記第一照射手段によるレーザ光が照射された前記液滴の向きであって、該ミラーを介して反射位置に照射するレーザと、前記第一照射手段によるレーザ光の運動量が、前記基板の接線方向から見て相殺するように、前記液滴の反射位置からのレーザ光を再び前記液滴に照射するようにしてもよい。
この液滴吐出装置によれば、第一照射手段によるレーザ光とミラーからのレーザー光の運動量が相殺され液滴が動かなくなる。従って、両レーザ光の両運動エネルギーを効率よく熱エネルギーに変換でき、低コスト・高効率の乾燥を速やかに行うことができる。
また、この液滴吐出装置は、前記液滴吐出ヘッドと、前記第一照射手段と、前記第二照射手段と、を搭載するキャリッジと、前記基板を走査方向に沿って前記キャリッジに対して相対的に走査する走査手段と、を備えるようにしてもよい。
この液滴吐出装置によれば、キャリッジに搭載された液滴吐出ヘッドが、基板に向けて液滴を吐出し、同キャリッジに搭載された第一照射手段及び第二照射手段が、基板に着弾した液滴の領域に向けてレーザ光を照射する。よって、液滴の領域に対して、照射するレーザ光の相対位置を維持させることができる。この結果、第一照射手段及び第二照射手段の照射するレーザ光を、より確実に、液滴の領域に照射させることができる。
また、この液滴吐出装置において、前記第一照射手段は、前記レーザ光源の出射したレーザ光を第一照射位置に照射し、前記第二照射手段は、液滴の領域から反射あるいは散乱
されたレーザ光を前記第一照射位置と前記走査方向で異なる第二照射位置に反射照射するミラーを備えてもよい。
この液滴吐出装置によれば、第一照射手段の照射するレーザ光と、ミラーの反射照射するレーザ光と、が走査方向で異なる位置を照射する。この結果、液滴を走査する過程において、液滴の領域に複数回にわたるレーザ照射を施すことができる。しかも、反射照射したレーザ光が再び液滴の領域から反射する場合であっても、同反射したレーザ光の第一照射手段への侵入を抑制させることができる。そのため、レーザ光の照射動作を安定させることができ、より高い再現性の下で、液滴の乾燥効率を向上させることができる。
また、この液滴吐出装置において、前記パターン形成材料は、金属微粒子の分散した金属インクであって、前記基板は、低温焼成セラミック基板であってもよい。
この液滴吐出装置によれば、第一照射手段及び第二照射手段の照射するレーザ光が、低温焼成セラミック基板上に着弾した金属インクの液滴の領域を照射する。よって、金属インクの乾燥効率を向上させることができ、金属インクからなるパターン（例えば、低温焼成セラミック基板の配線パターンや素子パターン）の形成不良を低減させることができる。
本発明の回路モジュールは、基板と、前記基板に形成された回路素子と、前記基板に形成されて前記回路素子に電気的に接続された金属配線と、を備えた回路モジュールにおいて、前記金属配線は、上記液滴吐出装置によって形成された。
本発明の回路モジュールによれば、金属配線の形成不良を低減させることができる。
以下、本発明を具体化した一実施形態を図１〜図７に従って説明する。まず、本発明の回路モジュール１について説明する。
図１において、回路モジュール１には、板状に形成されたＬＴＣＣ多層基板２と、そのＬＴＣＣ多層基板２の上側に、ワイヤーボンディング接続あるいはフリップチップ接続された複数の半導体チップ３と、が備えられている。
ＬＴＣＣ多層基板２には、シート状に形成された複数の低温焼成セラミック基板（以下単に、絶縁層４という。）が積層されている。各絶縁層４は、それぞれガラスセラミック系材料（例えば、ホウケイ酸アルカリ酸化物などのガラス成分とアルミナなどのセラミック成分の混合物）からなる焼結体であり、その厚みが数百μｍで形成されている。
各絶縁層４の層間には、抵抗素子や容量素子、コイル素子などの各種の回路素子５と、各回路素子５を電気的に接続する金属配線としての複数の内部配線６と、が形成されている。各回路素子５と各内部配線６は、それぞれ銀や銀合金などの金属微粒子の焼結体であって、本発明の液滴吐出装置１０を利用して形成される。各絶縁層４の層内には、スタックビア構造やサーマルビア構造を呈するビア配線７が形成され、各回路素子５や各内部配線６を層間で電気的に接続する。各ビア配線７は、各回路素子５や各内部配線６と同じく、銀や銀合金などの金属微粉末の焼結体である。
次に、上記ＬＴＣＣ多層基板２の製造方法について図２に従って説明する。
図２において、まず、絶縁層４を切出し可能にする基板としてのグリーンシート４Ｓにパンチ加工やレーザ加工を施し、ビアホール７Ｈを打抜き形成する。次いで、グリーンシート４Ｓに金属ペーストを用いたスクリーン印刷を複数回施し、ビアホール７Ｈの中に金属ペーストを充填し、金属ペーストからなるビアパターン７Ｆを形成する。次いで、金属ナノ微粒子を水系溶媒に分散させたパターン形成材料としての金属インクＦ（本実施形態
では、水系銀インク）を用いて、グリーンシート４Ｓの上面（以下単に、パターン形成面４Ｓａという。）にインクジェット印刷を施す。
詳述すると、パターン形成面４Ｓａであって、回路素子５及び内部配線６を形成するための領域（以下単に、パターン形成領域という。）に金属インクＦの液滴Ｆｂを吐出し、パターン形成領域に着弾した液滴Ｆｂを乾燥する。そして、この吐出動作と、乾燥動作と、を繰り返し、パターン形成領域に対応する素子パターン５Ｆ及び配線パターン６Ｆを描画する。この際、パターン形成領域に着弾した液滴Ｆｂの乾燥は、着弾した液滴Ｆｂにレーザ光を照射することによって行う。
グリーンシート４Ｓに素子パターン５Ｆ、配線パターン６Ｆ及びビアパターン７Ｆを形成すると、複数のグリーンシート４Ｓを一括して積層し、ＬＴＣＣ多層基板２に対応する領域を積層体４Ｂとして切り出して焼成する。すなわち、グリーンシート４Ｓ、素子パターン５Ｆ、配線パターン６Ｆ及びビアパターン７Ｆを一括積層し、同時に焼成する。これによって、絶縁層４、回路素子５、内部配線６及びビア配線７を有したＬＴＣＣ多層基板２を形成する。
次に、上記素子パターン５Ｆ及び配線パターン６Ｆを描画するための液滴吐出装置１０について図３に従って説明する。図３は、液滴吐出装置１０を示す全体斜視図である。
図３において、液滴吐出装置１０は、直方体形状に形成された基台１１を備えている。基台１１の上面には、その長手方向（Ｙ矢印方向）に沿って延びる一対の案内溝１２が形成されている。案内溝１２の上方には、案内溝１２に沿ってＹ矢印方向及び反Ｙ矢印方向に移動する走査手段としてのステージ１３が備えられている。ステージ１３の上面には、載置部１４が形成され、上記パターン形成面４Ｓａを上側にしたグリーンシート４Ｓを載置する。載置部１４は、載置された状態のグリーンシート４Ｓをステージ１３に対して位置決め固定し、グリーンシート４ＳをＹ矢印方向及び反Ｙ矢印方向に搬送する。本実施形態では、図３において、Ｙ矢印方向が走査方向として定義される。また、グリーンシート４Ｓの走査方向に沿う搬送速度が、走査速度Ｖｙとして定義される。
基台１１には、その走査方向と直交するＸ矢印方向両側に、門型に形成されたガイド部材１６が基台１１を跨ぐように架設されている。ガイド部材１６の上側には、Ｘ矢印方向に延びるインクタンク１７が配設されている。インクタンク１７は、金属インクＦを貯留し、下方に配設される液滴吐出ヘッド（以下単に、吐出ヘッドという。）２１に、それぞれ所定の圧力で金属インクＦを供給する。
ガイド部材１６の反Ｙ矢印方向側には、そのＸ矢印方向略全幅にわたって、Ｘ矢印方向に延びる上下一対のガイドレール１８が形成されている。一対のガイドレール１８には、キャリッジ２０が取り付けられ、ガイドレール１８に沿ってＸ矢印方向及び反Ｘ矢印方向に移動する。キャリッジ２０の底面２０ａであって、その走査方向略中央には、吐出ヘッド２１が搭載されている。図４は、吐出ヘッド２１を下側（グリーンシート４Ｓ側）から見た斜視図であって、図５は、図４のＡ−Ａ線断面図である。図６は、キャリッジ２０を説明する説明図である。
図４において、吐出ヘッド２１は、Ｘ矢印方向に延びる直方体形状に形成されている。吐出ヘッド２１の下側（グリーンシート４Ｓ側：図４の上側）には、ノズルプレート２２が備えられている。ノズルプレート２２は、Ｘ矢印方向に延びる板状に形成され、その下面（図４の上面）には、ノズル形成面２２ａが形成されている。ノズル形成面２２ａは、グリーンシート４Ｓのパターン形成面４Ｓａと略平行に形成され、グリーンシート４Ｓが吐出ヘッド２１の直下に位置するときに、ノズル形成面２２ａとパターン形成面４Ｓａとの間の距離（プラテンギャップ）を所定の距離（本実施形態では、３００μｍ）に保持す
る。そのノズル形成面２２ａには、ノズル形成面２２ａの法線方向に貫通形成された複数のノズルＮがＸ矢印方向に沿って配列されている。
図５において、各ノズルＮの上側には、それぞれインクタンク１７に連通するキャビティ２３が形成されている。キャビティ２３は、インクタンク１７からの金属インクＦを対応するノズルＮに供給する。各キャビティ２３の上側には、上下方向に振動してキャビティ２３内の容積を拡大及び縮小する振動板２４が貼り付けられている。振動板２４の上側には、ノズルＮに対応する複数の圧電素子ＰＺが配設されている。各圧電素子ＰＺは、それぞれ上下方向に収縮及び伸張して対応する振動板２４の領域を上下方向に振動し、対応するノズルＮから金属インクＦを所定容量（本実施形態では、１０ｐｌ）の液滴Ｆｂにして吐出する。液滴Ｆｂは、対応するノズルＮの反Ｚ矢印方向に飛行し、対向するパターン形成面４Ｓａ上の位置に着弾する。本実施形態では、パターン形成面４Ｓａ上の位置であって、各ノズルＮの反Ｚ矢印方向に対応する位置、すなわち液滴Ｆｂの着弾する位置が、それぞれ着弾位置Ｐとして定義される。
着弾する液滴Ｆｂは、走査方向に走査される間に、パターン形成面４Ｓａに沿って濡れ広がり、やがて、先行して着弾した液滴Ｆｂと接合する。接合する各液滴Ｆｂは、走査方向に沿って延びる液状膜ＦＬを形成し、その頂部表面の全体にわたってパターン形成面４Ｓａと略平行な液面ＦＬａを形成する。
本実施形態では、着弾した液滴Ｆｂが液状膜ＦＬを形成するまでに要する時間を、照射待機時間Ｔとして定義する。また、この照射待機時間Ｔの間に液滴Ｆｂの走査される距離が、照射待機距離ＷＦ（＝走査速度Ｖｙ×照射待機時間Ｔ）として定義される。
また、本実施形態では、液面ＦＬａ上の位置であって、各着弾位置Ｐから走査方向に照射待機距離ＷＦだけ離間する位置が、それぞれ第一照射位置Ｐ１として定義される。また、各第一照射位置Ｐ１の走査方向側（Ｙ矢印方向側）であって、ノズル形成面２２ａの走査方向の端部と対向する位置が、それぞれ第二照射位置Ｐ２として定義される。
図６において、キャリッジ２０の底面２０ａであって、吐出ヘッド２１の走査方向（Ｙ矢印方向）には、キャリッジ２０の内部にまでを貫通する出射孔Ｈが形成されている。出射孔Ｈは、そのＸ矢印方向の幅が吐出ヘッド２１のＸ矢印方向の幅と略同じサイズで形成されている。その出射孔Ｈの上側には、レーザ光源としての半導体レーザＬＤが配設されている。
半導体レーザＬＤは、出射孔ＨのＸ矢印方向略全幅に広がる帯状のコリメートされたレーザ光を下方に向けて出射する。半導体レーザＬＤの出射するレーザ光の波長は、金属インクＦの吸収波長の範囲（本実施形態では、８０８ｎｍ）に設定されている。
出射孔Ｈの内部には、第一照射手段を構成するシリンドリカルレンズ２５が配設されている。シリンドリカルレンズ２５は、Ｙ矢印方向にのみ曲率を有するレンズであり、レンズ面のＸ矢印方向の幅が吐出ヘッド２１のＸ矢印方向の幅と同じサイズで形成されている。シリンドリカルレンズ２５は、半導体レーザＬＤがレーザ光を出射するときに、そのレーザ光の走査方向に沿う成分のみを収束し、第一照射光Ｌｅ１として下方に出射する。
出射孔Ｈの下側には、キャリッジ２０の下方に延びる第一ミラーステージ２６と、第一ミラーステージ２６に回動可能に支持されて第一照射手段を構成する反射ミラー２７と、が配設されている。第一ミラーステージ２６は、Ｘ矢印方向に沿う回動軸を中心にして反射ミラー２７を回動可能に支持する。
反射ミラー２７は、シリンドリカルレンズ２５側に反射面２７ｍを有した平面ミラーであって、反射面２７ｍのＸ矢印方向の幅が吐出ヘッド２１のＸ矢印方向の幅と同じサイズで形成されている。反射ミラー２７は、半導体レーザＬＤがレーザ光を出射するときに、シリンドリカルレンズ２５からの第一照射光Ｌｅ１をパターン形成面４Ｓａの略接線方向（略反走査方向）に沿って反射する。反射ミラー２７は、反射する第一照射光Ｌｅ１のビームウエストが全ての第一照射位置Ｐ１に共通するように、第一照射光Ｌｅ１を全ての第一照射位置Ｐ１に照射する。
第一照射位置Ｐ１を照射する第一照射光Ｌｅ１の一部は、液面ＦＬａを透過し、液状膜ＦＬに吸収されて液状膜ＦＬの乾燥を開始する。この際、第一照射位置Ｐ１を照射する第一照射光Ｌｅ１は、ビームウエストを第一照射位置Ｐ１に対応させる分だけ、液状膜ＦＬへの透過量を高くする。よって、第一照射光Ｌｅ１は、そのビームウエストを第一照射位置Ｐ１に対応させる分だけ液状膜ＦＬに多く吸収され、液状膜ＦＬの乾燥効率を向上させる。
一方、第一照射位置Ｐ１を照射する第一照射光Ｌｅ１であって、液状膜ＦＬに吸収されない第一照射光Ｌｅ１は、第一照射位置Ｐ１から走査方向の略逆方向に沿って反射散乱光Ｌｒとして反射される（あるいは散乱される）。
図６において、キャリッジ２０の底面２０ａであって、吐出ヘッド２１の反走査方向（反Ｙ矢印方向）には、キャリッジ２０の下方に延びる第二ミラーステージ２８と、第二ミラーステージ２８に回動可能に支持されて第二照射手段及を構成するミラーとしての凹面ミラー２９と、が配設されている。第二ミラーステージ２８は、Ｘ矢印方向に沿う回動軸を中心にして凹面ミラー２９を回動可能に支持する。
凹面ミラー２９は、Ｙ矢印方向にのみ曲率を有する凹面（反射面２９ｍ）を吐出ヘッド２１側に向けたシリンドリカルミラーであり、そのＸ矢印方向の幅が吐出ヘッド２１のＸ矢印方向の幅と略同じサイズで形成されている。反射面２９ｍは、第二照射位置Ｐ２と反射面２９ｍとの間の距離を曲率半径にした凹面である。
この凹面ミラー２９は、半導体レーザＬＤがレーザ光を出射し、液滴Ｆｂが液状膜ＦＬを形成するときに、第一照射位置Ｐ１からの反射散乱光Ｌｒを反射面２９ｍで受ける。凹面ミラー２９の反射面２９ｍは、反射散乱光Ｌｒをパターン形成面４Ｓａの略接線方向（略走査方向）に沿って反射し、第二照射光Ｌｅ２として走査方向に収束する。凹面ミラー２９は、第二照射光Ｌｅ２のビームウエストが全ての第二照射位置Ｐ２に共通するように、第二照射光Ｌｅ２を全ての第二照射位置Ｐ２に照射する。
第二照射位置Ｐ２を照射する第二照射光Ｌｅ２の一部は、乾燥を開始した状態の液面ＦＬａを透過し、液状膜ＦＬの乾燥を促進する。この際、第二照射位置Ｐ２を照射する第二照射光Ｌｅ２は、そのビームウエストを第二照射位置Ｐ２に対応させる分だけ、液状膜ＦＬへの透過量を高くする。よって、第二照射光Ｌｅ２は、ビームウエストを第二照射位置Ｐ２に対応させる分だけ液状膜ＦＬに多く吸収され、液状膜ＦＬの乾燥効率を、さらに向上させる。
この結果、第一照射光Ｌｅ１を照射した液状膜ＦＬ（液滴Ｆｂ）は、その反射散乱光Ｌｒを第二照射光Ｌｅ２として照射する分だけ確実に乾燥し、乾燥不足のない層パターンＦＰを形成する。そして、この層パターンＦＰを順に積層させることによって、素子パターン５Ｆ及び配線パターン６Ｆを形成することができ、その形成不良を低減させることができる。
次に、上記のように構成した液滴吐出装置１０の電気的構成を図７に従って説明する。
図７において、制御手段としての制御装置４０は、ＣＰＵ、ＲＯＭ、ＲＡＭなどを有し、格納された各種データ及び各種制御プログラムに従って、ステージ１３及びキャリッジ２０を移動させるとともに、半導体レーザＬＤ及び各圧電素子ＰＺを駆動制御する。
制御装置４０には、起動スイッチ、停止スイッチなどの操作スイッチを有した入力装置４１が接続されている。入力装置４１は、描画平面（パターン形成面４Ｓａ）に対するパターン形成領域（層パターンＦＰ）の位置座標に関する情報を既定形式の描画情報Ｉａとして制御装置４０に入力する。制御装置４０は、入力装置４１からの描画情報Ｉａを受け、ビットマップデータＢＭＤを生成する。
ビットマップデータＢＭＤは、各ビットの値（０あるいは１）に応じて各圧電素子ＰＺのオンあるいはオフを規定するデータである。ビットマップデータＢＭＤは、吐出ヘッド２１の通過する描画平面（パターン形成面４Ｓａ）上の各位置に、それぞれ液滴Ｆｂを吐出するか否かを規定するデータである。すなわち、ビットマップデータＢＭＤは、パターン形成領域に規定される各目標位置に液滴Ｆｂを吐出させるためのものである。
制御装置４０には、Ｘ軸モータ駆動回路４２が接続されて、Ｘ軸モータ駆動回路４２に対応する駆動制御信号を出力する。Ｘ軸モータ駆動回路４２は、制御装置４０からの駆動制御信号に応答し、キャリッジ２０を移動させるためのＸ軸モータＭＸを正転又は逆転させる。Ｘ軸モータ駆動回路４２には、Ｘ軸エンコーダＸＥが接続されて、Ｘ軸エンコーダＸＥからの検出信号が入力される。Ｘ軸モータ駆動回路４２は、Ｘ軸エンコーダＸＥからの検出信号に基づいて、パターン形成面４Ｓａに対するキャリッジ２０（各着弾位置Ｐ）の移動方向及び移動量に関する信号を生成し、制御装置４０に出力する。
制御装置４０には、Ｙ軸モータ駆動回路４３が接続されて、Ｙ軸モータ駆動回路４３に対応する駆動制御信号を出力する。Ｙ軸モータ駆動回路４３は、制御装置４０からの駆動制御信号に応答し、ステージ１３を移動させるためのＹ軸モータＭＹを正転又は逆転させる。すなわち、制御装置４０は、Ｙ軸モータ駆動回路４３を介して、照射待機時間Ｔの間にステージ１３（パターン形成面４Ｓａ）を照射待機距離ＷＦだけ走査し、第一照射位置Ｐ１に位置する液滴Ｆｂに液状膜ＦＬを形成させる。
Ｙ軸モータ駆動回路４３には、Ｙ軸エンコーダＹＥが接続されて、Ｙ軸エンコーダＹＥからの検出信号が入力される。Ｙ軸モータ駆動回路４３は、Ｙ軸エンコーダＹＥからの検出信号に基づいて、ステージ１３（パターン形成面４Ｓａ）の移動方向及び移動量に関する信号を生成し、制御装置４０に出力する。制御装置４０は、Ｙ軸モータ駆動回路４３からの信号に基づいて、パターン形成面４Ｓａに対する着弾位置Ｐの相対位置を演算し、目標位置が対応する着弾位置Ｐに位置するたびに吐出タイミング信号ＬＰを出力する。
制御装置４０には、半導体レーザ駆動回路４４が接続されて、描画動作を開始するときに描画開始信号Ｓ１を出力し、描画動作を終了するときに描画終了信号Ｓ２を出力する。半導体レーザ駆動回路４４は、制御装置４０からの描画開始信号Ｓ１を入力して半導体レーザＬＤにレーザ光を出射させ、制御装置４０からの描画終了信号Ｓ２を入力して半導体レーザＬＤにレーザ光の出射を停止させる。すなわち、制御装置４０は、半導体レーザ駆動回路４４を介して、描画動作の間に半導体レーザＬＤを駆動制御し、レーザ光の照射動作を行う。
制御装置４０には、吐出ヘッド駆動回路４５が接続されて、各圧電素子ＰＺを駆動するための圧電素子駆動電圧ＣＯＭを前記吐出タイミング信号ＬＰと同期させて出力する。また、制御装置４０は、ビットマップデータＢＭＤに基づいて、所定のクロック信号に同期
した吐出制御信号ＳＩを生成し、吐出制御信号ＳＩを吐出ヘッド駆動回路４５にシリアル転送する。吐出ヘッド駆動回路４５は、制御装置４０からの吐出制御信号ＳＩを各圧電素子ＰＺに対応させて順次シリアル／パラレル変換する。吐出ヘッド駆動回路４５は、制御装置４０からの吐出タイミング信号ＬＰを受けるたびに、シリアル／パラレル変換した吐出制御信号ＳＩをラッチし、選択される各圧電素子ＰＺにそれぞれ圧電素子駆動電圧ＣＯＭを供給する。
次に、液滴吐出装置１０を使用して素子パターン５Ｆ及び配線パターン６Ｆを描画する方法について説明する。
まず、図３に示すように、パターン形成面４Ｓａが上側になるようにグリーンシート４Ｓをステージ１３に載置する。このとき、ステージ１３は、グリーンシート４Ｓをキャリッジ２０の反走査方向に配置する。
この状態から、描画情報Ｉａが入力装置４１から制御装置４０に入力され、制御装置４０が描画情報Ｉａに基づいたビットマップデータＢＭＤを生成して格納する。次いで、グリーンシート４Ｓが走査されるときに、目標位置が対応する着弾位置Ｐを通過するように、制御装置４０が、Ｘ軸モータ駆動回路４２を介してキャリッジ２０（吐出ヘッド３１）を所定の位置に配置移動する。キャリッジ２０が配置移動すると、制御装置４０が、Ｙ軸モータ駆動回路４３を介してグリーンシート４Ｓの走査を開始する。
グリーンシート４Ｓの走査を開始すると、制御装置４０が、ビットマップデータＢＭＤに基づいて生成した吐出制御信号ＳＩを吐出ヘッド駆動回路４５に出力する。
また、グリーンシート４Ｓの走査を開始すると、目標位置が対応する着弾位置Ｐに位置するたびに、制御装置４０が、吐出タイミング信号ＬＰを吐出ヘッド駆動回路４５に出力する。そして、吐出タイミング信号ＬＰを出力するたびに、制御装置４０は、吐出ヘッド駆動回路４５を介して、吐出制御信号ＳＩに基づいて液滴Ｆｂを吐出するためのノズルＮを選択し、選択したノズルＮに対応する着弾位置Ｐ、すなわち目標位置に向けて液滴Ｆｂを吐出する。吐出された各液滴Ｆｂは、それぞれパターン形成面４Ｓａ上の対応する目標位置に着弾する。各目標位置に着弾する液滴Ｆｂは、それぞれ走査方向に照射待機距離ＷＦだけ走査されると、第一照射位置Ｐ１の近傍で先行する液滴Ｆｂと接合し、走査方向に延びる液状膜ＦＬを形成する。
また、グリーンシート４Ｓの走査を開始すると、制御装置４０が、描画開始信号Ｓ１を半導体レーザ駆動回路４４に出力し、半導体レーザＬＤからレーザ光を出射する。
半導体レーザＬＤがレーザ光を出射すると、反射ミラー２７が、半導体レーザＬＤからのレーザ光を反射し、略反走査方向に沿う第一照射光Ｌｅ１として第一照射位置Ｐ１を照射する。第一照射位置Ｐ１の液状膜ＦＬは、第一照射光Ｌｅ１の一部を透過して乾燥を開始する一方、略反走査方向に沿う反射散乱光Ｌｒとして凹面ミラー２９側に反射あるいは散乱する。
液状膜ＦＬが第一照射光Ｌｅ１を反射あるいは散乱すると、凹面ミラー２９が、液状膜ＦＬからの反射散乱光Ｌｒを反射し、略走査方向に沿う第二照射光Ｌｅ２として第二照射位置Ｐ２を照射する。第二照射位置Ｐ２の液状膜ＦＬは、第二照射光Ｌｅ２の一部を透過し、その乾燥を促進する。この結果、第一照射光Ｌｅ１の照射によって乾燥を開始した液状膜ＦＬは、その反射散乱光Ｌｒを再び第二照射光Ｌｅ２として照射する分だけ、より確実に乾燥し、乾燥不足のない層パターンＦＰを形成する。そして、この層パターンＦＰを順に積層させることによって、素子パターン５Ｆ及び配線パターン６Ｆを形成することができ、その形成不良を低減させることができる。
次に、上記のように構成した本実施形態の効果を以下に記載する。
（１）上記実施形態によれば、キャリッジ２０に搭載された反射ミラー２７が、半導体レーザＬＤの出射するレーザ光を反射し、略反走査方向に沿う第一照射光Ｌｅ１として液状膜ＦＬの第一照射位置Ｐ１を照射する。そして、キャリッジ２０に搭載された凹面ミラー２９が、第一照射位置Ｐ１からの反射散乱光Ｌｒを反射し、略走査方向に沿う第二照射光Ｌｅ２として再び液状膜ＦＬの第二照射位置Ｐ２を照射する。
よって、液状膜ＦＬの反射した反射散乱光Ｌｒを再び液状膜ＦＬに照射する分だけ、液状膜ＦＬの乾燥効率を向上させることができる。この結果、液滴Ｆｂの乾燥不足を回避して、素子パターン５Ｆ及び配線パターン６Ｆの形成不良を解消させることができる。
（２）上記実施形態によれば、反射ミラー２７と凹面ミラー２９とが、それぞれ走査方向（Ｙ矢印方向）に収束した第一照射光Ｌｅ１と第二照射光Ｌｅ２とを照射する。よって、走査方向に収束した第一照射光Ｌｅ１と第二照射光Ｌｅ２とを照射する分だけ、液滴の乾燥効率を、さらに向上させることができる。よって、パターンの形成不良を、より確実に解消させることができる。
（３）上記実施形態によれば、キャリッジ２０が、吐出ヘッド２１、半導体レーザＬＤ、シリンドリカルレンズ２５、反射ミラー２７及び凹面ミラー２９を搭載する。よって、液滴Ｆｂの着弾位置Ｐ（液状膜ＦＬ）に対して、第一照射光Ｌｅ１の相対位置を維持させることができ、ひいては第二照射光Ｌｅ２の相対位置を維持させることができる。この結果、第一照射光Ｌｅ１及び第二照射光Ｌｅ２を、より高い再現性の下で、それぞれ液状膜ＦＬの第一照射位置Ｐ１及び第二照射位置Ｐ２に照射させることができる。そのため、素子パターン５Ｆと配線パターン６Ｆの乾燥状態を安定させることができ、回路素子５と内部配線６の形成不良を、さらに低減させることができる。
（４）上記実施形態によれば、第一照射光Ｌｅ１の照射する第一照射位置Ｐ１と、第二照射光Ｌｅ２の照射する第二照射位置Ｐ２と、を走査方向で異なる位置にした。この結果、液滴Ｆｂを走査する過程において、液状膜ＦＬに２度にわたるレーザ照射を施すことができる。しかも、第二照射光Ｌｅ２が液面ＦＬａから反射する場合であっても、反射した第二照射光Ｌｅ２の半導体レーザＬＤ側への侵入を抑制させることができる。この結果、レーザ光の照射動作を安定させることができ、より高い再現性の下で、液滴Ｆｂの乾燥効率を向上させることができる。
（５）上記実施形態によれば、反射ミラー２７と凹面ミラー２９とが、それぞれ吐出ヘッド２１と対向する液状膜ＦＬの領域に、パターン形成面４Ｓａの略接線方向に沿う第一照射光Ｌｅ１と第二照射光Ｌｅ２とを照射する。よって、着弾直後の液滴Ｆｂの乾燥効率を向上させることができ、液状膜ＦＬの形状やサイズの自由度を拡大させることができる。
尚、上記実施形態は以下のように変更してもよい。
・上記実施形態では、凹面ミラー２９を、Ｘ矢印方向から見て曲率を有するシリンドリカルミラーに具体化した。これに限らず、凹面ミラー２９を、Ｚ矢印方向から見て曲率を有する凹面ミラー（例えば、球面ミラー）に具体化し、反射散乱光Ｌｒをパターン形成面４Ｓａの略接線方向（略走査方向）に沿って反射して液滴Ｆｂの領域に収束するようにしてもよい。
なお、この際、凹面ミラー２９は、そのＺ矢印方向から見た曲率半径を、該凹面ミラー２９と反射ミラー２７との間の距離にするのが好ましい。
これによれば、凹面ミラー２９がＺ矢印方向から見た曲率を有する分だけ、液滴Ｆｂの領域から反射あるいは散乱された反射散乱光Ｌｒの取り込み効率を向上させることができ
る。しかも、凹面ミラー２９の曲率半径が該凹面ミラー２９と反射ミラー２７との間の距離になる分だけ、液滴Ｆｂの領域を介した反射ミラー２７からの第一照射光Ｌｅ１を、より確実に、再び該液滴Ｆｂの領域に反射照射させることができる。
・上記実施形態では、複数のノズルＮを、Ｘ矢印方向に沿って一列だけ配列する構成にした。これに限らず、例えば、複数のノズルＮを、Ｘ矢印方向に沿って二列だけ配列する構成にしてもよい。
この際、一方のノズル列に対応する着弾位置近傍に第一照射位置Ｐ１を設定し、他方のノズル列に対応する着弾位置近傍に第二照射位置Ｐ２を設定する構成であってもよい。これによれば、異なる着弾位置に着弾した各液滴Ｆｂに略同じタイミングのレーザ照射を施すことができる。よって、乾燥した各液滴Ｆｂ（パターン）の均一性を向上させることができる。
あるいは、凹面ミラー２９の焦点距離を長くし（あるいは短くし）、液面ＦＬａに形成する第二照射光Ｌｅ２の光断面を走査方向に拡張させる。そして、第一照射位置Ｐ１と第二照射位置Ｐ２の双方に、第二照射光Ｌｅ２を反射照射させる構成にしてもよい。この構成においても、異なる着弾位置に着弾した各液滴Ｆｂの乾燥不足を回避させることができる。
・上記実施形態では、第二照射手段を、１つの凹面ミラー２９に具体化した。これに限らず、第二照射手段を複数の凹面ミラー２９に具体化してもよい。すなわち、液状膜ＦＬに照射した第一照射光Ｌｅ１の反射散乱光Ｌｒを複数の凹面ミラー２９によって反射照射してもよい。あるいは、液状膜ＦＬに照射した第二照射光Ｌｅ２の反射光を異なる凹面ミラー２９によって反射照射してもよい。これによれば、液滴の乾燥効率を、さらに向上させることができる。
・上記実施形態では、第二照射手段を、凹面ミラー２９に具体化した。これに限らず、例えば、第二照射手段を平面ミラーやプリズムミラーなどに具体化してもよい。つまり、第二照射手段は、液滴の領域から反射あるいは散乱されたレーザ光を再び液滴の領域に反射照射するものであればよい。
・上記実施形態では、第一照射手段を、シリンドリカルレンズ２５及び反射ミラー２７に具体化した。これに限らず、第一照射手段を、シリンドリカルレンズ２５のみで構成し、シリンドリカルレンズ２５の出射するレーザ光を液状膜ＦＬに直接照射するようにしてもよい。つまり、第一照射手段は、レーザ光源の出射したレーザ光を液滴の領域に照射するものであればよい。
・上記実施形態では、第一照射光Ｌｅ１及び第二照射光Ｌｅ２を、液状膜ＦＬに照射する構成にした。これに限らず、例えば、液状膜ＦＬを形成する前の液滴Ｆｂに第一照射光Ｌｅ１を照射し、液状膜ＦＬを形成した後の液滴Ｆｂに第二照射光Ｌｅ２を照射する構成にしてもよい。あるいは、液状膜ＦＬを形成する前の液滴Ｆｂに第一照射光Ｌｅ１及び第二照射光Ｌｅ２を照射し、半球状のパターンを形成する構成にしてもよい。つまり、基板に着弾した液滴の領域に第一照射光Ｌｅ１及び第二照射光Ｌｅ２を照射する構成であればよい。
・上記実施形態では、第一照射光Ｌｅ１を液状膜ＦＬ（液滴Ｆｂ）の領域に照射し、液状膜ＦＬからの反射散乱光Ｌｒを、第二照射光Ｌｅ２として反射照射する構成にした。これに限らず、第一照射光Ｌｅ１の一部をパターン形成面４Ｓａに照射し、パターン形成面４Ｓａからの反射光を、第二照射光Ｌｅ２として反射照射する構成にしてもよい。
・上記実施形態では、第一照射位置Ｐ１の走査方向に第二照射位置Ｐ２を設定する構成にした。これに限らず、第一照射位置Ｐ１の反走査方向に第二照射位置Ｐ２を設定してもよく、あるいは第一照射位置Ｐ１と第二照射位置Ｐ２を同じ位置に設定してもよい。
・上記実施形態では、複数の液滴Ｆｂからなる液状膜ＦＬに、共通する第一照射光Ｌｅ１と共通する第二照射光Ｌｅ２とを照射する構成にした。これに限らず、例えば半導体レーザＬＤからのレーザ光を各ノズルＮに対応させて分割し、複数の第一照射光Ｌｅ１と複数の第二照射光Ｌｅ２と、を液状膜ＦＬ（各液滴Ｆｂ）に照射する構成にしてもよい。あるいは、半導体レーザＬＤをノズルＮの数量分だけ配設し、複数の第一照射光Ｌｅ１と複数の第二照射光Ｌｅ２と、を液状膜ＦＬ（各液滴Ｆｂ）に照射する構成にしてもよい。すなわち、各液滴Ｆｂに対応する第一照射光Ｌｅ１及び第二照射光Ｌｅ２を、それぞれ対応する液滴Ｆｂの領域に照射する構成にしてもよい。
・上記実施形態では、第一照射光Ｌｅ１及び第二照射光Ｌｅ２によって、液状膜ＦＬ（液滴Ｆｂ）を乾燥させる構成にした。これに限らず、第一照射光Ｌｅ１及び第二照射光Ｌｅ２によって、液状膜ＦＬ（液滴Ｆｂ）を、乾燥及び焼成させる構成にしてもよい。これによれば、局所的に照射する第一照射光Ｌｅ１及び第二照射光Ｌｅ２によって、素子パターン５Ｆと配線パターン６Ｆの焼成不良を低減させることができる。
・上記実施形態では、キャリッジ２０に搭載した凹面ミラー２９にて、第一照射位置Ｐ１からの反射散乱光Ｌｒを第二照射光Ｌｅ２として再び液状膜ＦＬの第二照射位置Ｐ２を照射して、第一照射光Ｌｅ１と協働して液状膜ＦＬ（液滴Ｆｂ）を乾燥させるようにした。つまり、１つの半導体レーザＬＤから出射したレーザ光で、効率のよい乾燥を行うようにするとともに乾燥不足を回避するようにした。
これに代えて、例えば、吐出ヘッド２１を挟んで第一照射手段と対称位置に設けた第二照射手段がミラー２９を調整して、反射散乱光Ｌｒを第二照射光Ｌｅ２として再び液状膜ＦＬの第一照射位置Ｐ１に照射する。そして、第一照射光Ｌｅ１と第二照射光Ｌｅ２と協働して第一照射位置Ｐ１の液状膜ＦＬ（液滴Ｆｂ）を乾燥させるようにした。
このように構成することによって、液状膜ＦＬの第一照射位置Ｐ１に、異なる方向から第一照射光Ｌｅ１と第二照射光Ｌｅ２とが照射されることによって、グリーンシート４Ｓの接線方向の第一照射光Ｌｅ１と第二照射光Ｌｅ２の運動量を相殺して液状膜ＦＬ（液滴Ｆｂ）が動かないようにする。そして、第一照射光Ｌｅ１と第二照射光Ｌｅ２の両運動エネルギーを効率よく熱エネルギーに変換できるようにする。
これによって、低コスト・高効率の乾燥を速やかに行うことができる。
・上記実施形態では、描画情報Ｉａに基づいてビットマップデータＢＭＤを生成する構成にした。これに限らず、予め外部装置で生成したビットマップデータＢＭＤを入力装置４１から制御装置４０に入力する構成にしてもよい。
・上記実施形態では、液滴吐出ヘッドを、圧電素子駆動方式の液滴吐出ヘッド２１に具体化した。これに限らず、液滴吐出ヘッドを、抵抗加熱方式や静電駆動方式の吐出ヘッドに具体化してもよい。
・上記実施形態では、回路素子５と内部配線６とをインクジェット法で形成する構成にした。これに限らず、比較的に微細な回路素子５あるいは内部配線６のみを、上記するインクジェット法によって形成する構成であってもよい。
・上記実施形態では、パターン形成材料を、金属インクに具体化した。これに限らず、例えば、パターン形成材料を、絶縁膜材料や有機材料の分散した液状体に具体化してもよい。つまり、パターン形成材料は、レーザ光を受けて乾燥し、固相のパターンを形成する材料であればよい。
・上記実施形態では、パターンを、素子パターン５Ｆ及び配線パターン６Ｆに具体化した。これに限らず、パターンを、液晶表示装置、有機エレクトロルミネッセンス表示装置、平面状の電子放出素子を備えた電界効果型表示装置（ＦＥＤやＳＥＤなど）などに備えられる各種金属配線に具体化してもよい。あるいは、パターンを、複数の線パターンやドットパターンからなる識別コードに具体化してもよい。つまり、パターンは、乾燥した液滴によって形成されるパターンであればよい。
本発明の回路モジュールを示す斜視図。 同じく、回路モジュールの製造方法を説明する説明図。 同じく、液滴吐出装置を示す斜視図。 同じく、液滴吐出ヘッドを示す斜視図。 同じく、液滴吐出ヘッドを示す側面図。 同じく、液滴吐出ヘッド及び半導体レーザを説明する説明図。 同じく、液滴吐出装置の電気的構成を説明する電気ブロック回路図。
符号の説明
１…回路モジュール、４Ｓ…基板としてのグリーンシート、５…回路素子、５Ｆ…パターンを構成する素子パターン、６…金属配線としての内部配線、６Ｆ…パターンを構成する配線パターン、１０…液滴吐出装置、１３…走査手段としてのステージ、２０…キャリッジ、２１…液滴吐出ヘッド、２５…第一照射手段を構成するシリンドリカルレンズ、２７…第一照射手段を構成する反射ミラー、２８…第二照射手段を構成するミラーとしての凹面ミラー、Ｆ…パターン形成材料としての金属インク、Ｆｂ…液滴、Ｌｅ１…レーザ光を構成する第一照射光、Ｌｅ２…レーザ光を構成する第二照射光、ＬＤ…レーザ光源としての半導体レーザ。

Claims (13)

  1. パターン形成材料を液滴にして基板に吐出し、前記基板に着弾した液滴を乾燥して前記基板にパターンを形成するようにしたパターン形成方法であって、
    レーザ光源の出射したレーザ光を液滴の領域に照射するとともに、液滴の領域から反射あるいは散乱されたレーザ光を再び液滴の領域に反射照射して液滴を乾燥するようにしたことを特徴とするパターン形成方法。
  2. 請求項１に記載のパターン形成方法において、
    前記基板に着弾した液滴を走査方向に沿ってレーザ光に対して相対的に走査し、
    前記レーザ光源の出射したレーザ光を照射する領域と、液滴の領域から反射あるいは散乱されたレーザ光を反射照射する領域と、が前記走査方向で異なる位置になるようにしたことを特徴とするパターン形成方法。
  3. 請求項１又は２に記載のパターン形成方法において、
    前記基板に着弾した液滴を走査方向に沿ってレーザ光に対して相対的に走査し、
    前記レーザ光源の出射したレーザ光を前記走査方向に収束して液滴の領域に照射するとともに、液滴の領域から反射あるいは散乱されたレーザ光を前記走査方向に収束して再び液滴の領域に照射するようにしたことを特徴とするパターン形成方法。
  4. パターン形成材料を液滴にして基板に吐出する液滴吐出ヘッドを備えた液滴吐出装置であって、
    前記基板に着弾した液滴の領域にレーザ光源の出射したレーザ光を照射する第一照射手段と、
    前記液滴の領域から反射あるいは散乱されたレーザ光を再び液滴の領域に反射照射する第二照射手段と、
    を備えたことを特徴とする液滴吐出装置。
  5. 請求項４に記載の液滴吐出装置において、
    前記第二照射手段は、
    前記液滴吐出ヘッドを挟んで前記第一照射手段の反対側に配設され、前記液滴の領域から反射あるいは散乱されたレーザ光を再び前記液滴の領域に反射照射するミラーを備えたことを特徴とする液滴吐出装置。
  6. 請求項５に記載の液滴吐出装置において、
    前記ミラーは、
    前記基板の法線方向から見て、前記液滴の領域を介したレーザ光を反射して再び前記液滴の領域に収束する凹面を有したことを特徴とする液滴吐出装置。
  7. 請求項６に記載の液滴吐出装置において、
    前記第一照射手段は、
    前記レーザ光源の出射したレーザ光を前記液滴の領域に前記基板の略接線方向に沿って照射し、
    前記第二照射手段は、前記液滴の領域から反射あるいは散乱されたレーザ光を再び液滴の領域に前記基板の略接線方向に沿って反射照射するミラーを有し、
    前記ミラーは、
    前記基板の法線方向から見て、前記第一照射手段と前記ミラーとの間の距離を略曲率半径にする凹面を備えたことを特徴する液滴吐出装置。
  8. 請求項５〜７のいずれか１つに記載の液滴吐出装置において、
    前記ミラーは、
    前記基板の接線方向から見て、前記液滴の領域側に向く凹面を有して前記液滴の領域からのレーザ光を再び前記液滴の領域に収束することを特徴とする液滴吐出装置。
  9. 請求項８に記載の液滴吐出装置において、
    前記ミラーは、
    前記第一照射手段によるレーザ光が照射された前記液滴の向きであって、該ミラーを介して反射位置に照射するレーザと、前記第一照射手段によるレーザ光の運動量が、前記基板の接線方向から見て相殺するように、前記液滴の反射位置からのレーザ光を再び前記液滴に照射することを特徴とする液滴吐出装置。
  10. 請求項４〜９のいずれか１つに記載の液滴吐出装置において、
    前記液滴吐出ヘッドと、前記第一照射手段と、前記第二照射手段と、を搭載するキャリッジと、
    前記基板を走査方向に沿って前記キャリッジに対して相対的に走査する走査手段と、
    を備えたことを特徴とする液滴吐出装置。
  11. 請求項１０に記載の液滴吐出装置において、
    前記第一照射手段は、前記レーザ光源の出射したレーザ光を第一照射位置に照射し、
    前記第二照射手段は、液滴の領域から反射あるいは散乱されたレーザ光を前記第一照射位置と前記走査方向で異なる第二照射位置に反射照射するミラーを備えたことを特徴とする液滴吐出装置。
  12. 請求項４〜１１のいずれか１つに記載の液滴吐出装置において、
    前記パターン形成材料は、金属微粒子の分散した金属インクであって、
    前記基板は、低温焼成セラミック基板であることを特徴とする液滴吐出装置。
  13. 基板と、前記基板に形成された回路素子と、前記基板に形成されて前記回路素子に電気的に接続された金属配線と、を備えた回路モジュールにおいて、前記金属配線は、請求項４〜１２のいずれか１つに記載の液滴吐出装置によって形成されたことを特徴とする回路モジュール。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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WO2016194761A1 (ja) * 2015-05-29 2016-12-08 芝浦メカトロニクス株式会社 錠剤印刷装置及び錠剤印刷方法

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7524015B2 (en) * 2006-12-20 2009-04-28 Palo Alto Research Center Incorporated Method of printing smooth micro-scale features

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1177340A (ja) 1997-09-10 1999-03-23 Miyachi Technos Corp マーキング方法
US5969805A (en) * 1997-11-04 1999-10-19 Micron Technology, Inc. Method and apparatus employing external light source for endpoint detection
JPH11320856A (ja) 1998-05-19 1999-11-24 Konica Corp 液体吐出プリンタおよびプリント媒体
US6518502B2 (en) * 2001-05-10 2003-02-11 Lamina Ceramics, In Ceramic multilayer circuit boards mounted on a patterned metal support substrate
JP2003127537A (ja) 2001-10-29 2003-05-08 Optrex Corp マーキング方法
JP2003237217A (ja) 2002-02-19 2003-08-27 Konica Corp インクジェット記録装置及びインクジェット記録方法
JP2003326691A (ja) * 2002-05-09 2003-11-19 Konica Minolta Holdings Inc 画像記録方法、エネルギー線硬化インク及び画像記録装置
JP2004209705A (ja) 2002-12-27 2004-07-29 Konica Minolta Holdings Inc 活性エネルギー線硬化型インクジェット記録装置及び記録方法とそれを用いた印刷物
JP4244382B2 (ja) * 2003-02-26 2009-03-25 セイコーエプソン株式会社 機能性材料定着方法及びデバイス製造方法
DE602004000595D1 (de) * 2003-07-15 2006-05-18 Konica Minolta Med & Graphic Tintenstrahldrucker mit UV-härtbarer Tinte
JP2005057139A (ja) 2003-08-06 2005-03-03 Seiko Epson Corp 多層配線基板とその製造方法
IL158571A (en) * 2003-10-23 2006-04-10 Nur Macroprinters Ltd Digital inkjet printing method and facility
JP4534811B2 (ja) 2005-03-14 2010-09-01 セイコーエプソン株式会社 液滴吐出装置
JP4337761B2 (ja) 2005-03-29 2009-09-30 セイコーエプソン株式会社 液滴吐出装置、パターン形成方法、識別コードの製造方法、電気光学装置の製造方法
JP4315119B2 (ja) 2005-03-29 2009-08-19 セイコーエプソン株式会社 液滴吐出装置、パターン形成方法、及び電気光学装置の製造方法
JP4400540B2 (ja) * 2005-10-04 2010-01-20 セイコーエプソン株式会社 パターン形成方法及び液滴吐出装置
JP4400542B2 (ja) * 2005-10-04 2010-01-20 セイコーエプソン株式会社 パターン形成方法及び液滴吐出装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2016194761A1 (ja) * 2015-05-29 2016-12-08 芝浦メカトロニクス株式会社 錠剤印刷装置及び錠剤印刷方法

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