JP2007301737A - Manufacturing method for liquid droplet ejection head - Google Patents

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Kenichi Ono
健一 大野
Torahiko Kanda
虎彦 神田
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a manufacturing method for a liquid droplet ejection head in which a height precision of a pressure chamber is obtained. <P>SOLUTION: CMP polishing is carried out by a CMP polisher from a rear surface (bottom surface) of a silicon substrate 70. A polishing terminal point is detected by a change of a polishing resistance because of a filler 78 with which a groove 72 and a dummy hole 76 are filled, and a substrate thickness of the silicon substrate 70 is made a predetermined value. A polishing depth is controlled to be constant, and therefore the substrate thickness size is made constant. The height precision of the pressure chamber 50 formed in the silicon substrate 70 is obtained accordingly. <P>COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT

Description

本発明は、液滴を吐出する液滴吐出ヘッドの製造方法に関する。   The present invention relates to a method for manufacturing a droplet discharge head that discharges droplets.

インクを記録媒体へ吐出して画像を記録するインクジェット記録ヘッド(液滴吐出ヘッド)を製造する製造方法としては、圧力室(チャンバ)、振動板、アクチュエータ、ノズルなど構成要素を個々に形成してから、個々の構成要素を接合してインクジェット記録ヘッドを製造する製造方法がある。この方法では、インクジェット記録ヘッドの低コスト化及び高集積化に限界がある。   As a manufacturing method for manufacturing an ink jet recording head (droplet discharge head) for recording an image by discharging ink onto a recording medium, components such as a pressure chamber (chamber), a vibration plate, an actuator, and a nozzle are individually formed. Therefore, there is a manufacturing method for manufacturing an ink jet recording head by joining individual components. In this method, there is a limit to cost reduction and high integration of the ink jet recording head.

そこで、シリコン(Si)などから選ばれる基板を用いると共に、スパッタやCVD等の成膜法、ドライエッチングやウェットエッチング等のフォトリソプロセスを利用して、インクジェット記録ヘッドを一体製造し、低コスト化及び高集積化を図る製造方法が提案されている。   Therefore, using a substrate selected from silicon (Si) and the like, and using a film formation method such as sputtering and CVD, and a photolithographic process such as dry etching and wet etching, an ink jet recording head is manufactured integrally, thereby reducing costs. A manufacturing method for achieving high integration has been proposed.

例えば、特許文献1には、基板に圧力室を開口して犠牲層を充填した後、振動板、圧電素子(ピエゾアクチュエータ)を形成し、最後に充填した犠牲層を除去する製造方法が開示されている。   For example, Patent Document 1 discloses a manufacturing method in which after a pressure chamber is opened in a substrate and a sacrificial layer is filled, a diaphragm and a piezoelectric element (piezoactuator) are formed, and finally the sacrificial layer filled is removed. ing.

また、特許文献2には、基板に犠牲層(広義の充填層)を形成し、犠牲層を覆うパッシベーション層を形成した後、裏面から犠牲層が露出するまでエッチン工すると共に、犠牲層を除去し、パッシベーション層に孔加工する圧力室及びノズルの製造方法が開示されている。   In Patent Document 2, a sacrificial layer (broadly defined filling layer) is formed on a substrate, a passivation layer covering the sacrificial layer is formed, and then etching is performed until the sacrificial layer is exposed from the back surface, and the sacrificial layer is removed. In addition, a method for manufacturing a pressure chamber and a nozzle for drilling holes in the passivation layer is disclosed.

いずれの技術も、基板の孔に充填物を充填し、その上にインクジェット記録ヘッドの構成要素(例えば、振動板やノズルプレート)を一連のプロセスで形成した後、充填物を除去する方法である。
特開2002−46283号公報 特開平10−181032号公報
Both techniques are methods of filling a hole in a substrate with a filler, forming a component of an ink jet recording head (for example, a vibration plate or a nozzle plate) on the substrate by a series of processes, and then removing the filler. .
JP 2002-46283 A Japanese Patent Laid-Open No. 10-181032

ところが、本願発明者らが検討した結果、上述の従来技術、特に、圧力室、振動板、アクチュエータを一体製造する(充填材の上に振動板、ピエゾアクチュエータを設ける)方法において、圧力室の深さ寸法を規律するための基板研磨加工が、良好に行えないことが分かった。すなわち、基板の反りやうねり、研磨時に生じる傾き、研磨終点のバラツキ等によって、基板厚さ寸法にバラツキが生じやすい。これにより、基板に形成される圧力室の高さ(深さ)もバラつき、高性能/高均一なヘッドを製造できない課題が明らかになった。   However, as a result of investigations by the inventors of the present application, in the above-described conventional technique, in particular, a method of integrally manufacturing the pressure chamber, the diaphragm, and the actuator (providing the diaphragm and the piezoelectric actuator on the filler), the depth of the pressure chamber is increased. It was found that the substrate polishing process for regulating the size cannot be performed satisfactorily. That is, the substrate thickness dimension is likely to vary due to the warpage or undulation of the substrate, the inclination generated during polishing, the variation of the polishing end point, and the like. As a result, the height (depth) of the pressure chamber formed on the substrate also varies, and the problem that a high-performance / highly uniform head cannot be manufactured has been clarified.

本発明は、上記事実を考慮し、圧力室の高さ精度を得られる液滴吐出ヘッドの製造方法を提供することを目的とする。   An object of the present invention is to provide a method of manufacturing a droplet discharge head that can obtain the height accuracy of a pressure chamber in consideration of the above facts.

本発明の請求項1に係る液滴吐出ヘッドの製造方法は、基板の表面側に、圧力室となる溝部を形成する第1工程と、前記溝部に充填材を充填する第2工程と、前記充填材が充填された溝部上に振動板、電極及び圧電素子を積層する第3工程と、前記基板の裏面側を研磨し、前記溝部に充填された充填材による研磨抵抗の変化により、研磨終点を検出して、基板厚を所定値にする第4工程と、前記溝部に充填された充填材を前記基板の裏面側から除去する第5工程と、を備えたことを特徴とする。   A method for manufacturing a droplet discharge head according to claim 1 of the present invention includes a first step of forming a groove serving as a pressure chamber on the surface side of a substrate, a second step of filling the groove with a filler, The third step of laminating the diaphragm, electrode, and piezoelectric element on the groove filled with the filler, and polishing the end point by polishing the back side of the substrate and changing the polishing resistance due to the filler filled in the groove And a fourth step of setting the substrate thickness to a predetermined value, and a fifth step of removing the filler filled in the groove from the back side of the substrate.

この構成によれば、基板の表面側に圧力室となる溝部を形成し、この溝部に充填材を充填する。充填材が充填された溝部上に振動板、電極及び圧電素子を積層する。基板の裏面側を研磨し、溝部に充填された充填材による研磨抵抗の変化により、研磨終点を検出して、基板厚を所定値にする。溝部に充填された充填材を前記基板の裏面側から除去する。   According to this configuration, a groove serving as a pressure chamber is formed on the surface side of the substrate, and the groove is filled with the filler. A diaphragm, an electrode, and a piezoelectric element are stacked on the groove filled with the filler. The back surface side of the substrate is polished, and the polishing end point is detected by the change in polishing resistance due to the filler filled in the groove, and the substrate thickness is set to a predetermined value. The filler filled in the groove is removed from the back side of the substrate.

このように、請求項1の構成では、溝部に充填された充填材による研磨抵抗の変化により、研磨終点を検出して、基板厚を所定値にするので、研磨深さを一定に制御できる。このため、基板厚さ寸法が一定にでき、基板に形成される圧力室の高さ精度を得られる。   Thus, in the configuration of the first aspect, the polishing end point is detected and the substrate thickness is set to a predetermined value by the change in the polishing resistance due to the filler filled in the groove portion, so that the polishing depth can be controlled to be constant. For this reason, the substrate thickness dimension can be made constant, and the height accuracy of the pressure chamber formed on the substrate can be obtained.

本発明の請求項2に係る液滴吐出ヘッドの製造方法は、請求項1の構成において、前記溝部の周辺に前記溝部と深さが略同一のダミー孔を形成して、前記ダミー孔に充填材を充填する第6工程を備え、前記第4工程は、前記ダミー孔及び前記溝部に充填された充填材による研磨抵抗の変化により、研磨終点を検出することを特徴とする。   According to a second aspect of the present invention, there is provided a method for manufacturing a droplet discharge head according to the first aspect, wherein a dummy hole having substantially the same depth as the groove is formed around the groove, and the dummy hole is filled. A sixth step of filling a material is provided, and the fourth step is characterized in that a polishing end point is detected by a change in polishing resistance due to the filler filled in the dummy hole and the groove.

この構成によれば、溝部の周辺に溝部と深さが略同一のダミー孔を形成して、ダミー孔に充填材を充填する。このダミー孔及び溝部に充填された充填材による研磨抵抗の変化により、研磨終点を検出する。   According to this configuration, a dummy hole having substantially the same depth as the groove is formed around the groove, and the dummy hole is filled with the filler. The polishing end point is detected by a change in polishing resistance due to the filler filled in the dummy hole and the groove.

このため、研磨抵抗の変化が大きくなるため、研磨終点を検出する際の検出精度が高まる。   For this reason, since the change of polishing resistance becomes large, the detection accuracy at the time of detecting a polishing end point increases.

本発明の請求項3に係る液滴吐出ヘッドの製造方法は、請求項1又は請求項2の構成において、前記充填材の研磨レートは、前記基板の研磨レートより小さいことを特徴とする。   According to a third aspect of the present invention, there is provided a method for manufacturing a droplet discharge head according to the first or second aspect, wherein the polishing rate of the filler is lower than the polishing rate of the substrate.

本発明の請求項4に係る液滴吐出ヘッドの製造方法は、請求項1〜3のいずれか1項の構成において、前記基板は、シリコン基板であり、前記充填材は、ガラスペーストであることを特徴とする。   According to a fourth aspect of the present invention, there is provided the method for manufacturing a droplet discharge head according to any one of the first to third aspects, wherein the substrate is a silicon substrate and the filler is a glass paste. It is characterized by.

本発明の請求項5に係る液滴吐出ヘッドの製造方法は、請求項1〜4のいずれか1項の構成において、前記ダミー孔に充填された充填材を前記基板の裏面側から除去する第7工程と、前記第5工程及び前記第7工程の後に、プレートを前記基板の裏面に接合して、前記溝部及び前記ダミー孔を封止する第8工程と、を備えたことを特徴とする。   According to a fifth aspect of the present invention, there is provided a method for manufacturing a droplet discharge head according to any one of the first to fourth aspects, wherein the filler filled in the dummy hole is removed from the back side of the substrate. And an eighth step of sealing the groove and the dummy hole by bonding a plate to the back surface of the substrate after the fifth step and the seventh step. .

この構成によれば、ダミー孔に充填された充填材を基板の裏面側から除去する。この後、プレートを基板の裏面に接合して、溝部及びダミー孔を封止する。   According to this configuration, the filler filled in the dummy hole is removed from the back side of the substrate. Thereafter, the plate is bonded to the back surface of the substrate to seal the groove and the dummy hole.

プレートを基板に接合する際に、接着剤を使用する場合は、接着剤をダミー孔に逃がせるので、圧力室となる溝部等に接着剤がはみ出すのを防止できる。   When an adhesive is used when the plate is bonded to the substrate, the adhesive can be released to the dummy hole, so that it is possible to prevent the adhesive from protruding into a groove portion or the like serving as a pressure chamber.

本発明の請求項6に係る液滴吐出ヘッドの製造方法は、請求項1〜5のいずれか1項の構成において、前記第8工程の前に、前記溝部の内壁に保護膜を形成する第9工程を備えたことを特徴とする。   According to a sixth aspect of the present invention, there is provided a method for manufacturing a droplet discharge head according to any one of the first to fifth aspects, wherein a protective film is formed on the inner wall of the groove before the eighth step. It has 9 steps.

この構成によれば、圧力室となる溝部の内壁に保護膜を形成するので、耐液性を高められる。   According to this configuration, since the protective film is formed on the inner wall of the groove portion serving as the pressure chamber, the liquid resistance can be improved.

本発明は、上記構成としたので、圧力室の高さ精度を得ることができる。   Since the present invention has the above-described configuration, the height accuracy of the pressure chamber can be obtained.

以下に、本発明の液滴吐出ヘッドの製造方法に係る実施形態の一例を図面に基づき説明する。本実施形態では、液滴を吐出する液滴吐出ヘッドの製造方法として、インクを吐出して記録媒体に画像を記録するインクジェット記録ヘッドの製造方法について説明する。   Hereinafter, an example of an embodiment according to a method for manufacturing a droplet discharge head of the present invention will be described with reference to the drawings. In the present embodiment, a manufacturing method of an ink jet recording head that discharges ink and records an image on a recording medium will be described as a manufacturing method of a droplet discharging head that discharges droplets.

まず、本実施形態に係るインクジェット記録ヘッドの製造方法によって製造されるインクジェット記録ヘッドを備えたインクジェット記録装置について説明する。   First, an ink jet recording apparatus provided with an ink jet recording head manufactured by the method of manufacturing an ink jet recording head according to the present embodiment will be described.

なお、記録媒体は記録紙Pとして説明をする。また、記録紙Pのインクジェット記録装置10における搬送方向を副走査方向として矢印Sで表し、その搬送方向と直交する方向を主走査方向として矢印Mで表す。また、図において、矢印UP、矢印LOが示されている場合は、それぞれ上方向、下方向を示すものとし、上下の表現をした場合は、上記各矢印に対応しているものとする。   The recording medium will be described as recording paper P. In addition, the conveyance direction of the recording paper P in the inkjet recording apparatus 10 is represented by an arrow S as a sub-scanning direction, and a direction orthogonal to the conveyance direction is represented by an arrow M as a main scanning direction. Further, in the figure, when an arrow UP and an arrow LO are shown, it indicates an upward direction and a downward direction, respectively, and when expressed in an up and down direction, it corresponds to each of the arrows.

図1で示すように、インクジェット記録装置10は、ブラック、イエロー、マゼンタ、シアンの各インクジェット記録ユニット30(インクジェット記録ヘッド32)を搭載するキャリッジ12を備えている。このキャリッジ12の記録紙Pの搬送方向上流側には一対のブラケット14が突設されており、そのブラケット14には円形状の開孔14A(図2参照)が穿設されている。そして、その開孔14Aに、主走査方向に架設されたシャフト20が挿通されている。   As shown in FIG. 1, the inkjet recording apparatus 10 includes a carriage 12 on which black, yellow, magenta, and cyan inkjet recording units 30 (inkjet recording heads 32) are mounted. A pair of brackets 14 project from the carriage 12 on the upstream side in the conveyance direction of the recording paper P, and the bracket 14 has a circular opening 14A (see FIG. 2). A shaft 20 installed in the main scanning direction is inserted through the opening 14A.

また、主走査方向の両端側には、主走査機構16を構成する駆動プーリー(図示省略)と従動プーリー(図示省略)が配設されており、その駆動プーリーと従動プーリーに巻回されて、主走査方向に走行するタイミングベルト22の一部がキャリッジ12に固定されている。したがって、キャリッジ12は主走査方向に往復移動可能に支持される構成である。   Further, a drive pulley (not shown) and a driven pulley (not shown) constituting the main scanning mechanism 16 are disposed at both ends in the main scanning direction, and wound around the driving pulley and the driven pulley, A part of the timing belt 22 that travels in the main scanning direction is fixed to the carriage 12. Therefore, the carriage 12 is supported so as to be reciprocally movable in the main scanning direction.

また、このインクジェット記録装置10には、画像印刷前の記録紙Pを束にして入れておく給紙トレイ26が設けられており、その給紙トレイ26の上方には、インクジェット記録ヘッド32によって画像が印刷された記録紙Pが排出される排紙トレイ28が設けられている。そして、給紙トレイ26から1枚ずつ給紙された記録紙Pを所定のピッチで副走査方向へ搬送する搬送ローラー及び排出ローラーからなる副走査機構18が設けられている。   Further, the ink jet recording apparatus 10 is provided with a paper feed tray 26 in which the recording paper P before image printing is bundled and placed above the paper feed tray 26 by an ink jet recording head 32. A paper discharge tray 28 for discharging the recording paper P printed with is provided. A sub-scanning mechanism 18 including a transport roller and a discharge roller for transporting the recording paper P fed one by one from the paper feed tray 26 in the sub-scanning direction at a predetermined pitch is provided.

その他、このインクジェット記録装置10には、印刷時において各種設定を行うコントロールパネル24と、メンテナンスステーション(図示省略)等が設けられている。メンテナンスステーションは、キャップ部材、吸引ポンプ、ダミージェット受け、クリーニング機構等を含んで構成されており、吸引回復動作、ダミージェット動作、クリーニング動作等のメンテナンス動作を行うようになっている。   In addition, the inkjet recording apparatus 10 is provided with a control panel 24 for performing various settings during printing, a maintenance station (not shown), and the like. The maintenance station includes a cap member, a suction pump, a dummy jet receiver, a cleaning mechanism, and the like, and performs maintenance operations such as a suction recovery operation, a dummy jet operation, and a cleaning operation.

また、各色のインクジェット記録ユニット30は、図2で示すように、インクジェット記録ヘッド32と、それにインクを供給するインクタンク34とが一体に構成されたものであり、インクジェット記録ヘッド32の下面中央のインク吐出面32Aに形成された複数のノズル56(図3参照)が、記録紙Pと対向するようにキャリッジ12上に搭載されている。したがって、インクジェット記録ヘッド32が主走査機構16によって主走査方向に移動しながら、記録紙Pに対してノズル56から選択的にインク滴を吐出することにより、所定のバンド領域に対して画像データに基づく画像の一部が記録される。   In addition, as shown in FIG. 2, each color ink jet recording unit 30 includes an ink jet recording head 32 and an ink tank 34 that supplies ink to the ink jet recording unit 32. A plurality of nozzles 56 (see FIG. 3) formed on the ink ejection surface 32A are mounted on the carriage 12 so as to face the recording paper P. Accordingly, by selectively ejecting ink droplets from the nozzles 56 to the recording paper P while the ink jet recording head 32 is moved in the main scanning direction by the main scanning mechanism 16, image data is converted into image data for a predetermined band region. A portion of the based image is recorded.

そして、主走査方向への1回の移動が終了すると、記録紙Pは、副走査機構18によって副走査方向に所定ピッチ搬送され、再びインクジェット記録ヘッド32(インクジェット記録ユニット30)が主走査方向(前述とは反対方向)に移動しながら、次のバンド領域に対して画像データに基づく画像の一部が記録されるようになっており、このような動作を複数回繰り返すことによって、記録紙Pに画像データに基づく全体画像がフルカラーで記録される。   When one movement in the main scanning direction is completed, the recording paper P is conveyed by a predetermined pitch in the sub scanning direction by the sub scanning mechanism 18, and the ink jet recording head 32 (ink jet recording unit 30) is again moved in the main scanning direction ( A part of the image based on the image data is recorded in the next band area while moving in the opposite direction). By repeating such an operation a plurality of times, the recording paper P The entire image based on the image data is recorded in full color.

次に、インクジェット記録ヘッド32の構成について説明する。図3はインクジェット記録ヘッド32の構成を示す概略平面図であり、図4は図3のX−X線概略断面図である。この図3、図4で示すように、インクジェット記録ヘッド32には、インクタンク34と連通するインク供給ポート36が設けられており、そのインク供給ポート36から注入されたインク110は、インクプール室38に貯留される。   Next, the configuration of the inkjet recording head 32 will be described. FIG. 3 is a schematic plan view showing the configuration of the inkjet recording head 32, and FIG. 4 is a schematic cross-sectional view taken along the line XX of FIG. As shown in FIGS. 3 and 4, the ink jet recording head 32 is provided with an ink supply port 36 communicating with the ink tank 34. The ink 110 injected from the ink supply port 36 is supplied to the ink pool chamber. 38 is stored.

インクプール室38は天板40と隔壁42とによって、その容積が規定されており、インク供給ポート36は、天板40の所定箇所に複数、列状に穿設されている。また、列をなすインク供給ポート36の間で、天板40よりも内側のインクプール室38内には、圧力波を緩和する樹脂膜製エアダンパー44(後述する感光性ドライフィルム96)が設けられている。   The volume of the ink pool chamber 38 is defined by a top plate 40 and a partition wall 42, and a plurality of ink supply ports 36 are perforated at predetermined locations on the top plate 40. A resin film air damper 44 (photosensitive dry film 96 to be described later) is provided in the ink pool chamber 38 inside the top plate 40 between the ink supply ports 36 in a row. It has been.

天板40の材質は、例えばガラス、セラミックス、シリコン、樹脂等、インクジェット記録ヘッド32の支持体になり得る強度を有する絶縁体であれば何でもよい。また、天板40には、後述する駆動IC60へ通電するための金属配線90が設けられている。この金属配線90は、樹脂膜92で被覆保護されており、インク110による侵食が防止されるようになっている。   The top plate 40 may be made of any material such as glass, ceramics, silicon, resin, etc., as long as it is an insulator having a strength that can serve as a support for the inkjet recording head 32. Further, the top plate 40 is provided with a metal wiring 90 for energizing a drive IC 60 described later. The metal wiring 90 is covered and protected by a resin film 92 so that erosion by the ink 110 is prevented.

隔壁42は樹脂(後述する感光性ドライフィルム98)で成形され、インクプール室38を矩形状に仕切っている。また、インクプール室38は、圧電素子46と、その圧電素子46によって上下方向に撓み変形させられる振動板48を介して、圧力室50と上下に分離されている。つまり、圧電素子46及び振動板48が、インクプール室38と圧力室50との間に配置される構成とされ、インクプール室38と圧力室50とが同一水平面上に存在しないように構成されている。   The partition wall 42 is formed of resin (photosensitive dry film 98 described later), and partitions the ink pool chamber 38 into a rectangular shape. The ink pool chamber 38 is separated vertically from the pressure chamber 50 via a piezoelectric element 46 and a diaphragm 48 that is bent and deformed in the vertical direction by the piezoelectric element 46. That is, the piezoelectric element 46 and the diaphragm 48 are arranged between the ink pool chamber 38 and the pressure chamber 50, and the ink pool chamber 38 and the pressure chamber 50 are configured not to exist on the same horizontal plane. ing.

したがって、圧力室50を互いに接近させた状態に配置することが可能であり、ノズル56をマトリックス状に高密度に配設することが可能となっている。また、このような構成にしたことにより、キャリッジ12の主走査方向への1回の移動で、広いバンド領域に画像を形成することができるので、その走査時間が短くて済む。すなわち、少ないキャリッジ12の移動回数及び時間で記録紙Pの全面に亘って画像形成を行う高速印刷が実現可能となっている。   Therefore, the pressure chambers 50 can be arranged close to each other, and the nozzles 56 can be arranged in a matrix at high density. In addition, with such a configuration, an image can be formed in a wide band area by one movement of the carriage 12 in the main scanning direction, so that the scanning time can be shortened. That is, it is possible to realize high-speed printing in which image formation is performed over the entire surface of the recording paper P with a small number of movements and time of the carriage 12.

圧電素子46は、圧力室50毎に振動板48の上面に接着されている。振動板48は、少なくとも上下方向に弾性変形する弾性素材で形成され、圧電素子46に通電されると(電圧が印加されると)、上下方向に撓み変形する(変位する)構成になっている。   The piezoelectric element 46 is bonded to the upper surface of the diaphragm 48 for each pressure chamber 50. The diaphragm 48 is formed of an elastic material that elastically deforms at least in the vertical direction, and is configured to bend and deform (displace) in the vertical direction when the piezoelectric element 46 is energized (when a voltage is applied). .

圧電素子46の下面には一方の極性となる下部電極52が配置され、圧電素子46の上面には他方の極性となる上部電極54が配置されている。そして、この上部電極54に駆動IC60が金属配線86により電気的に接続されている。このように、圧力室50に充填されたインク110へ圧力を付与する駆動部(アクチュエータ)53は、圧電素子46、下部電極52、上部電極54、駆動IC60などから構成されている。   A lower electrode 52 having one polarity is disposed on the lower surface of the piezoelectric element 46, and an upper electrode 54 having the other polarity is disposed on the upper surface of the piezoelectric element 46. The driving IC 60 is electrically connected to the upper electrode 54 by a metal wiring 86. Thus, the drive unit (actuator) 53 that applies pressure to the ink 110 filled in the pressure chamber 50 includes the piezoelectric element 46, the lower electrode 52, the upper electrode 54, the drive IC 60, and the like.

また、圧電素子46は、低透水性絶縁膜(SiOx膜)80で被覆保護されている。圧電素子46を被覆保護している低透水性絶縁膜(SiOx膜)80は、水分透過性が低くなる条件で着膜するため、水分が圧電素子46の内部に侵入して信頼性不良となること(PZT膜内の酸素を還元することにより生ずる圧電特性の劣化)を防止できる。なお、下部電極52と接触する金属(SUS等)製の振動板48は、低抵抗なGND配線としても機能するようになっている。   The piezoelectric element 46 is covered and protected by a low water permeable insulating film (SiOx film) 80. Since the low water-permeable insulating film (SiOx film) 80 that covers and protects the piezoelectric element 46 is deposited under the condition that the moisture permeability is low, moisture penetrates into the piezoelectric element 46 and becomes unreliable. (Deterioration of piezoelectric characteristics caused by reducing oxygen in the PZT film) can be prevented. The diaphragm 48 made of metal (SUS or the like) that contacts the lower electrode 52 functions also as a low resistance GND wiring.

更に、圧電素子46は、その低透水性絶縁膜(SiOx膜)80の上面が、樹脂膜82で被覆保護されている。これにより、圧電素子46において、インク110による侵食の耐性が確保されるようになっている。また、金属配線86も、樹脂保護膜88で被覆保護され、インク110による侵食が防止されるようになっている。   Further, the upper surface of the low water permeability insulating film (SiOx film) 80 of the piezoelectric element 46 is covered and protected by a resin film 82. Thereby, in the piezoelectric element 46, resistance to erosion by the ink 110 is ensured. Further, the metal wiring 86 is also covered and protected by the resin protective film 88 so that erosion by the ink 110 is prevented.

また、圧電素子46の上方は、樹脂膜82で被覆保護され、樹脂保護膜88が被覆されない構成になっている。樹脂膜82は、柔軟性がある樹脂層であるため、このような構成により、圧電素子46(振動板48)の変位阻害が防止されるようになっている(上下方向に好適に撓み変形可能とされている)。つまり、圧電素子46上方の樹脂層は、薄い方がより変位阻害の抑制効果が高くなるので、樹脂保護膜88を被覆しないようにしている。   The upper portion of the piezoelectric element 46 is covered and protected by the resin film 82 and is not covered by the resin protective film 88. Since the resin film 82 is a flexible resin layer, this configuration prevents the displacement of the piezoelectric element 46 (the diaphragm 48) from being prevented (preferably bendable and deformable in the vertical direction). ). That is, since the resin layer above the piezoelectric element 46 is thinner, the effect of suppressing displacement inhibition is higher, so that the resin protective film 88 is not covered.

駆動IC60は、隔壁42で規定されたインクプール室38の外側で、かつ天板40と振動板48との間に配置されており、振動板48や天板40から露出しない(突出しない)構成とされている。したがって、インクジェット記録ヘッド32の小型化が実現可能となっている。   The drive IC 60 is disposed outside the ink pool chamber 38 defined by the partition wall 42 and between the top plate 40 and the vibration plate 48 and is not exposed (does not protrude) from the vibration plate 48 or the top plate 40. It is said that. Therefore, it is possible to reduce the size of the inkjet recording head 32.

また、その駆動IC60の周囲は樹脂材58で封止され、駆動IC60の下面には、複数のバンプ62がマトリックス状に所定高さ突設されており、振動板48上に圧電素子46が形成された駆動部53の金属配線86にフリップチップ実装されるようになっている。したがって、圧電素子46に対する高密度接続が容易に実現可能であり、駆動IC60の高さの低減を図ることができる(薄くすることができる)。これによっても、インクジェット記録ヘッド32の小型化が実現可能となっている。   Further, the periphery of the drive IC 60 is sealed with a resin material 58, and a plurality of bumps 62 protrude in a matrix shape at a predetermined height on the lower surface of the drive IC 60, and the piezoelectric element 46 is formed on the vibration plate 48. The metal wiring 86 of the driving unit 53 is flip-chip mounted. Therefore, high-density connection to the piezoelectric element 46 can be easily realized, and the height of the drive IC 60 can be reduced (thinner can be reduced). This also makes it possible to reduce the size of the inkjet recording head 32.

また、図3において、駆動IC60の外側には、バンプ64が設けられている。このバンプ64は、天板40に設けられる金属配線90と、駆動部53に設けられる金属配線86とを接続しており、当然ながら、駆動部53に実装された駆動IC60の高さよりも高くなるように設けられている。   In FIG. 3, bumps 64 are provided outside the driving IC 60. The bump 64 connects the metal wiring 90 provided on the top plate 40 and the metal wiring 86 provided on the driving unit 53, and of course, is higher than the height of the driving IC 60 mounted on the driving unit 53. It is provided as follows.

したがって、図4、図5で示すように、インクジェット記録装置10の本体側に設けられて、インクの吐出を制御するボード74から天板40の金属配線90に通電され、その天板40の金属配線90からバンプ64を経て金属配線86に通電され、そこから駆動IC60に通電される構成である。そして、その駆動IC60により、所定のタイミングで圧電素子46に電圧が印加され、振動板48が上下方向に撓み変形することにより、圧力室50内に充填されたインク110が加圧されて、ノズル56からインク滴が吐出する構成である。   Accordingly, as shown in FIGS. 4 and 5, the metal wiring 90 of the top plate 40 is energized from the board 74 that is provided on the main body side of the inkjet recording apparatus 10 and controls the ejection of ink, and the metal of the top plate 40 is supplied. In this configuration, the metal wiring 86 is energized from the wiring 90 through the bumps 64, and then the drive IC 60 is energized. The drive IC 60 applies a voltage to the piezoelectric element 46 at a predetermined timing, and the diaphragm 48 bends and deforms in the vertical direction, so that the ink 110 filled in the pressure chamber 50 is pressurized, and the nozzle In this configuration, ink droplets are ejected from 56.

インク滴を吐出するノズル56は、圧力室50毎に1つずつ設けられ、圧力室50に接続された連通路55を介して、圧力室50と連通している。圧力室50とインクプール室38とは、圧電素子46を回避するとともに、振動板48に穿設された貫通孔48Aを通るインク流路66と、圧力室50から図4において水平方向へ向かって延設されたインク流路68とが連通することによって接続されている。このインク流路68は、インクジェット記録ヘッド32の製造時に、インク流路66とのアライメントが可能なように(確実に連通するように)、予め実際のインク流路66との接続部分よりも少し長めに設けられている。   One nozzle 56 for ejecting ink droplets is provided for each pressure chamber 50, and communicates with the pressure chamber 50 through a communication path 55 connected to the pressure chamber 50. The pressure chamber 50 and the ink pool chamber 38 avoid the piezoelectric element 46, and pass through the through-hole 48A formed in the vibration plate 48, and from the pressure chamber 50 toward the horizontal direction in FIG. The extended ink flow path 68 is connected by communicating. The ink flow path 68 is slightly smaller than the connection portion with the actual ink flow path 66 in advance so that alignment with the ink flow path 66 can be performed at the time of manufacturing the ink jet recording head 32 (so as to ensure communication). It is provided longer.

次に、上記のインクジェット記録ヘッド32の製造方法について説明する。本実施形態に係るインクジェット記録ヘッド32は、総じていえば、シリコン基板70に圧力室50を形成すると共に、圧力室50に充填材78を充填してその充填材上に振動板48を積層し(図6−1、図6−2、図7−1、図7−2に示す第1製造過程)、さらに、圧電素子46などからなる駆動部53を振動板48上に形成すると共に、この駆動部53上にガラス基板(ガラス製の天板40)を積層する(図8−1、図8−2、図9−1、図9−2、図10に示す第2製造過程)ことで製造される。
図6−1、図6−2には、圧力室50及び振動板48をシリコン基板70に形成する第1製造過程について、概略的に示されている。
Next, a method for manufacturing the ink jet recording head 32 will be described. In general, the ink jet recording head 32 according to the present embodiment forms the pressure chamber 50 in the silicon substrate 70, fills the pressure chamber 50 with the filler 78, and laminates the diaphragm 48 on the filler ( 6-1, 6-2, 7-1, and 7-2), and further, a drive unit 53 including the piezoelectric element 46 and the like is formed on the vibration plate 48 and this drive is performed. Manufactured by laminating a glass substrate (glass top plate 40) on the portion 53 (second manufacturing process shown in FIGS. 8-1, 8-2, 9-1, 9-2, and 10). Is done.
FIGS. 6A and 6B schematically illustrate a first manufacturing process in which the pressure chamber 50 and the diaphragm 48 are formed on the silicon substrate 70.

まず、図6−1(A)に示すように、所定の厚さ(例えば、300μm)のシリコン基板70を用意する。次に、図6−1(B)に示すように、シリコン基板70に圧力室50となる溝部72を形成すると共に(請求項1の第1工程に相当)、その溝部72の周辺に溝部72と深さが同一のダミー孔76を形成する(請求項2の第6工程に相当)。   First, as shown in FIG. 6A, a silicon substrate 70 having a predetermined thickness (for example, 300 μm) is prepared. Next, as shown in FIG. 6B, a groove 72 serving as the pressure chamber 50 is formed in the silicon substrate 70 (corresponding to the first step of claim 1), and the groove 72 is formed around the groove 72. And dummy holes 76 having the same depth are formed (corresponding to the sixth step of claim 2).

ダミー孔76は、図11に示すように、例えば、マトリックス状に形成された溝部72の間に、その隙間を縫うように形成される。また、これらの溝部72及びダミー孔76は、ドライエッチング及びウェットエッチングなどにより形成される。
この溝部72及びダミー孔76の深さによって、以下の工程で充填される充填材の底面の位置、すなわち、以下の工程で検出される研磨終点の終点位置が決定される。したがって、溝部72及びダミー孔76の深さは、形成したいシリコン基板70の厚さに応じて調整される。
また、溝部72に充填された充填材によって検出される研磨終点の終点位置と、ダミー孔76に充填された充填材によって検出される研磨終点の終点位置とを、一致されるべく、ダミー孔76の深さは、溝部72の深さと完全同一であることが望ましいが、必要な研磨終点の検出精度において許容できる範囲で、略同一であればよい。
As shown in FIG. 11, the dummy holes 76 are formed, for example, so as to sew the gaps between the groove portions 72 formed in a matrix shape. The groove 72 and the dummy hole 76 are formed by dry etching, wet etching, or the like.
The depth of the groove 72 and the dummy hole 76 determines the position of the bottom surface of the filler filled in the following process, that is, the polishing end point position detected in the following process. Therefore, the depth of the groove 72 and the dummy hole 76 is adjusted according to the thickness of the silicon substrate 70 to be formed.
In addition, the dummy hole 76 is set so that the end point position of the polishing end point detected by the filler filled in the groove portion 72 matches the end point position of the polishing end point detected by the filler filled in the dummy hole 76. Although it is desirable that the depth of the groove is completely the same as the depth of the groove 72, it may be substantially the same as long as it is allowable in the required detection accuracy of the polishing end point.

次に、図6−1(C)に示すように、スクリーン印刷法などにより、溝部72に充填材78を充填すると共に(請求項1の第2工程に相当)、ダミー孔76にも充填材78を充填する(請求項2の第6工程に相当)。   Next, as shown in FIG. 6C, the groove portion 72 is filled with a filler 78 by screen printing or the like (corresponding to the second step of claim 1), and the dummy hole 76 is filled with the filler. 78 (corresponding to the sixth step of claim 2).

本実施形態では、充填材78として、硬化後の研磨レートが、シリコン基板70よりも小さいガラス粉末を練りこんだペーストガラス(硬化後の主成分はシリカ)を用いている。これにより、硬化後の充填材78は、シリコン基板70よりも研磨抵抗が高い(削りにくい)。   In this embodiment, paste glass (a main component after curing is silica) in which glass powder having a polishing rate after curing smaller than that of the silicon substrate 70 is used as the filler 78. As a result, the cured filler 78 has higher polishing resistance than the silicon substrate 70 (hard to cut).

充填材78が充填されたシリコン基板70を加熱処理することにより、溝部72及びダミー孔76に充填された充填材78を焼成して硬化させる。これにより、充填材78中の溶剤揮発による「肉痩せ」が生じる。充填材78の焼成後の肉痩せが生じても、溝部72及びダミー孔76が完全に埋め込まれ、シリコン基板70の表面(上面)よりも上方に盛り上がるように、溝部72及びダミー孔76に充填される充填材78の量が調整される。   By heating the silicon substrate 70 filled with the filler 78, the filler 78 filled in the groove 72 and the dummy hole 76 is baked and cured. As a result, “thinning” occurs due to solvent volatilization in the filler 78. Even when the filling material 78 is thinned after firing, the groove portion 72 and the dummy hole 76 are filled so that the groove portion 72 and the dummy hole 76 are completely embedded and rise above the surface (upper surface) of the silicon substrate 70. The amount of filler 78 to be applied is adjusted.

シリコン基板70の表面(上面)から上方にはみ出している充填材78を研磨などの表面処理することにより、充填材78の表面(上面)を平滑にする。この表面処理による仕上げ面は、目視上、鏡面となる程度、具体的には、仕上げ面の表面粗さが、Ra0.01〜0.5μmの範囲となるように、表面処理を行う。   The surface (upper surface) of the filler 78 is smoothed by subjecting the filler 78 protruding upward from the surface (upper surface) of the silicon substrate 70 to surface treatment such as polishing. The finished surface by this surface treatment is subjected to a surface treatment so that it is visually mirror-finished, specifically, the finished surface has a surface roughness in the range of Ra 0.01 to 0.5 μm.

次に、図6−1(D)に示すように、平滑にされた充填材78の表面に、薄膜でなる振動板48を堆積形成する(請求項1の第3工程に相当)。振動板48の材質は、充填材78とのエッチング選択性が得られるものであればよく、例えば、所定の厚さ(例えば、5μm)のポリシリコンを用いる。なお、振動板を成膜する前に、充填材78とのエッチング選択性が得られる材質の薄膜(例えば、ゲルマニウム薄膜)を成膜すれば、振動板の材質は問われず、例えば、SiO2などを用いてもよい。   Next, as shown in FIG. 6D, a diaphragm 48 made of a thin film is deposited on the smooth surface of the filler 78 (corresponding to the third step of claim 1). The material of the diaphragm 48 may be any material that can provide etching selectivity with respect to the filler 78. For example, polysilicon having a predetermined thickness (for example, 5 μm) is used. If a thin film (for example, a germanium thin film) made of a material that can provide etching selectivity with the filler 78 is formed before the diaphragm is formed, the material of the diaphragm is not limited. For example, SiO 2 or the like can be used. It may be used.

次に、図6−1(E)に示すように、シリコン基板70の裏面(下面)から粗研磨する。   Next, as shown in FIG. 6E, rough polishing is performed from the back surface (lower surface) of the silicon substrate 70.

次に、図6−2(F)に示すように、シリコン基板70の裏面(下面)からCMP研磨装置によりCMP研磨し、溝部72及びダミー孔76に充填された充填材78による研磨抵抗の変化により、研磨終点を検出して、シリコン基板70の基板厚を所定値にする(請求項1の第4工程に相当)。   Next, as shown in FIG. 6-2 (F), the polishing resistance is changed by the filler 78 filled in the groove 72 and the dummy hole 76 by the CMP polishing from the back surface (lower surface) of the silicon substrate 70. Thus, the polishing end point is detected, and the substrate thickness of the silicon substrate 70 is set to a predetermined value (corresponding to the fourth step of claim 1).

研磨終点の検出は、研磨抵抗が高まることで生じるCMP研磨装置の電流値の上昇を検知することによって行う。また、研磨抵抗が高まることで生じる研磨音響の変化によって、研磨終点の検出をしてもよい。また、CMP研磨装置に予め設けられている研磨量を測定するゲージを用い、単位時間当たりの研磨量が著しく下がる状態を検知することで、研磨終点を検出してもよい。   The polishing end point is detected by detecting an increase in the current value of the CMP polishing apparatus caused by an increase in polishing resistance. Further, the polishing end point may be detected by a change in polishing sound caused by an increase in polishing resistance. Further, the polishing end point may be detected by detecting a state in which the polishing amount per unit time is remarkably lowered by using a gauge for measuring the polishing amount provided in advance in the CMP polishing apparatus.

次に、図6−2(G)に示すように、シリコン基板70の裏面(下面)側から充填材78をエッチングなどにより除去する(請求項1の第5工程に相当)。   Next, as shown in FIG. 6G, the filler 78 is removed from the back surface (lower surface) side of the silicon substrate 70 by etching or the like (corresponding to the fifth step of claim 1).

充填材78を除去した後に、溝部72に内壁面に、炭化珪素(SiC)、珪素窒化物(SiN)などから選ばれる保護膜79を形成する。これにより、圧力室50の内壁の耐液性を高められる。   After removing the filler 78, a protective film 79 selected from silicon carbide (SiC), silicon nitride (SiN) or the like is formed on the inner wall surface in the groove 72. Thereby, the liquid resistance of the inner wall of the pressure chamber 50 can be improved.

次に、図6−2(H)に示すように、シリコン基板70の裏面(下面)側の端面に、接着剤73を塗布する。   Next, as shown in FIG. 6B, an adhesive 73 is applied to the end surface on the back surface (lower surface) side of the silicon substrate 70.

次に、図6−2(I)に示すように、連通路55が形成された連通路プレート77をシリコン基板70の裏面(下面)に接合し、さらに、ノズル56が形成されたノズルプレート75を連通路プレート77に接合する。   Next, as shown in FIG. 6-2 (I), the communication path plate 77 in which the communication path 55 is formed is joined to the back surface (lower surface) of the silicon substrate 70, and the nozzle plate 75 in which the nozzle 56 is formed. Is joined to the communication path plate 77.

このように、本実施形態では、圧力室50となる溝部72及びダミー孔76に充填された充填材78による研磨抵抗の変化により、研磨終点を検出して、基板厚を所定値にするので、研磨深さを一定に制御できる。このため、基板厚さ寸法が一定にでき、シリコン基板70に形成される圧力室50の高さ精度を得られる。   Thus, in this embodiment, the polishing end point is detected and the substrate thickness is set to a predetermined value by the change in the polishing resistance due to the filling material 78 filled in the groove portion 72 and the dummy hole 76 serving as the pressure chamber 50. The polishing depth can be controlled to be constant. For this reason, the substrate thickness dimension can be made constant, and the height accuracy of the pressure chamber 50 formed in the silicon substrate 70 can be obtained.

本実施形態では、溝部72だけでなく、ダミー孔76に充填された充填材78による研磨抵抗の変化も利用するので、研磨抵抗の変化が大きくなり、研磨終点を検出する際の検出精度が高まる。   In the present embodiment, not only the groove portion 72 but also a change in the polishing resistance due to the filler 78 filled in the dummy hole 76 is used, so that the change in the polishing resistance becomes large and the detection accuracy when detecting the polishing end point increases. .

連通路プレート77を基板に接合する際に、接着剤を使用する場合は、接着剤をダミー孔76に逃がせるので、圧力室50となる溝部72等に接着剤がはみ出すのを防止できる。   When an adhesive is used when the communication path plate 77 is bonded to the substrate, the adhesive can be released to the dummy holes 76, so that the adhesive can be prevented from protruding into the groove portion 72 or the like serving as the pressure chamber 50.

図6に示す例では、溝部72に充填された充填材78及びダミー孔76に充填された充填材78の両方による研磨抵抗の変化も利用するものであるが、溝部72に充填された充填材78及びダミー孔76に充填された充填材78のどちらか一方による研磨抵抗の変化も利用してもよい。   In the example shown in FIG. 6, the change in polishing resistance due to both the filler 78 filled in the groove 72 and the filler 78 filled in the dummy hole 76 is also used. However, the filler filled in the groove 72 is used. A change in polishing resistance due to either one of the filler 78 filled in 78 and the dummy hole 76 may also be used.

また、図7に示すように、シリコン基板70を貫通するように、連通路55をシリコン基板70に形成すると共に、ダミー孔76がシリコン基板70を貫通するように形成する構成であっても良い。なお、図7に示す例は、溝部72に充填された充填材78による研磨抵抗の変化を利用せず、ダミー孔76に充填された充填材78による研磨抵抗の変化を利用するものである。   As shown in FIG. 7, the communication path 55 may be formed in the silicon substrate 70 so as to penetrate the silicon substrate 70, and the dummy hole 76 may be formed so as to penetrate the silicon substrate 70. . In the example shown in FIG. 7, the change in the polishing resistance caused by the filler 78 filled in the dummy hole 76 is used instead of the change in the polishing resistance caused by the filler 78 filled in the groove 72.

まず、図7−1(A)に示すように、所定の厚さ(例えば、300μm)のシリコン基板70を用意する。次に、図7−1(B)に示すように、シリコン基板70に連通路55及び圧力室50の一部となる貫通孔71を形成すると共に、その貫通孔71の周辺にシリコン基板70を貫通するダミー孔76を形成する。これらの貫通孔71及びダミー孔76は、ドライエッチング及びウェットエッチングなどにより形成される。ダミー孔76は、図11に示すように、例えば、マトリックス状に形成された溝部72の間に、その隙間を縫うように形成される。
次に、図7−1(C)に示すように、圧力室50となる溝部72を形成すると共に(請求項7の第1工程に相当)、ダミー孔76の孔幅(孔径)を拡大する拡大溝部69を形成する(請求項7の第2工程に相当)。これにより、ダミー孔76の中間部に段が形成される。これらの溝部72及び拡大溝部69も、ドライエッチング及びウェットエッチングなどにより形成される。
この拡大溝部69の深さによって、以下の工程で拡大溝部69に充填される充填材の底面の位置(研磨抵抗が変化する位置)、すなわち、以下の工程で検出される研磨終点の終点位置が決定される。したがって、拡大溝部69の深さは、形成したいシリコン基板70の厚さに応じて調整される。
First, as shown in FIG. 7A, a silicon substrate 70 having a predetermined thickness (for example, 300 μm) is prepared. Next, as shown in FIG. 7-1 (B), the silicon substrate 70 is formed with a through hole 71 that becomes a part of the communication passage 55 and the pressure chamber 50, and the silicon substrate 70 is formed around the through hole 71. A penetrating dummy hole 76 is formed. These through holes 71 and dummy holes 76 are formed by dry etching, wet etching, or the like. As shown in FIG. 11, the dummy holes 76 are formed, for example, so as to sew the gaps between the groove portions 72 formed in a matrix shape.
Next, as shown in FIG. 7-1 (C), a groove 72 serving as the pressure chamber 50 is formed (corresponding to the first step of claim 7), and the hole width (hole diameter) of the dummy hole 76 is enlarged. An enlarged groove 69 is formed (corresponding to the second step of claim 7). Thereby, a step is formed in the middle part of the dummy hole 76. These groove portions 72 and enlarged groove portions 69 are also formed by dry etching, wet etching, or the like.
Depending on the depth of the enlarged groove portion 69, the position of the bottom surface of the filler filled in the enlarged groove portion 69 in the following process (position where the polishing resistance changes), that is, the end point position of the polishing end point detected in the following process, It is determined. Therefore, the depth of the enlarged groove portion 69 is adjusted according to the thickness of the silicon substrate 70 to be formed.

次に、図7−1(D)に示すように、スクリーン印刷法などにより、貫通孔71及び溝部72に充填材78を充填すると共に、拡大溝部69及びダミー孔76にも充填材78を充填する(請求項7の第3工程に相当)。   Next, as shown in FIG. 7-1 (D), the filling material 78 is filled into the through hole 71 and the groove portion 72 by the screen printing method or the like, and the filling material 78 is filled into the enlarged groove portion 69 and the dummy hole 76 as well. (Corresponding to the third step of claim 7).

本実施形態では、充填材78として、硬化後の研磨レートが、シリコン基板70よりも小さいガラス粉末を練りこんだペーストガラス(硬化後の主成分はシリカ)を用いている。これにより、硬化後の充填材78は、シリコン基板70よりも研磨抵抗が高い(削りにくい)。   In this embodiment, paste glass (a main component after curing is silica) in which glass powder having a polishing rate after curing smaller than that of the silicon substrate 70 is used as the filler 78. As a result, the cured filler 78 has higher polishing resistance than the silicon substrate 70 (hard to cut).

充填材78が充填されたシリコン基板70を加熱処理することにより、貫通孔71、溝部72、拡大溝部69及びダミー孔76に充填された充填材78を焼成して硬化させる。これにより、充填材78中の溶剤揮発による「肉痩せ」が生じる。充填材78の焼成後の肉痩せが生じても、貫通孔71、溝部72、拡大溝部69及びダミー孔76が完全に埋め込まれ、シリコン基板70の表面(上面)よりも上方に盛り上がるように、貫通孔71、溝部72、拡大溝部69及びダミー孔76に充填される充填材78の量が調整される。   By heating the silicon substrate 70 filled with the filler 78, the filler 78 filled in the through hole 71, the groove 72, the enlarged groove 69, and the dummy hole 76 is baked and cured. As a result, “thinning” occurs due to solvent volatilization in the filler 78. Even if the thinning after firing of the filler 78 occurs, the through hole 71, the groove 72, the enlarged groove 69 and the dummy hole 76 are completely embedded and rise above the surface (upper surface) of the silicon substrate 70. The amount of the filler 78 filled in the through hole 71, the groove 72, the enlarged groove 69, and the dummy hole 76 is adjusted.

シリコン基板70の表面(上面)から上方にはみ出している充填材78を研磨などの表面処理することにより、充填材78の表面(上面)を平滑にする。
この表面処理による仕上げ面は、目視上、鏡面となる程度、具体的には、仕上げ面の表面粗さが、Ra0.01〜0.5μmの範囲となるように、表面処理を行う。
The surface (upper surface) of the filler 78 is smoothed by subjecting the filler 78 protruding upward from the surface (upper surface) of the silicon substrate 70 to surface treatment such as polishing.
The finished surface by this surface treatment is subjected to a surface treatment so that it is visually mirror-finished, specifically, the finished surface has a surface roughness in the range of Ra 0.01 to 0.5 μm.

次に、図7−1(E)に示すように、平滑にされた充填材78の表面に、薄膜でなる振動板48を堆積形成する(請求項7の第4工程に相当)。振動板48の材質は、充填材78とのエッチング選択性が得られるものであればよく、例えば、所定の厚さ(例えば、5μm)のポリシリコンを用いる。なお、振動板を成膜する前に、充填材78とのエッチング選択性が得られる材質の薄膜(例えば、ゲルマニウム薄膜)を成膜すれば、振動板の材質は問われず、例えば、SiO2などを用いてもよい。   Next, as shown in FIG. 7E, a diaphragm 48 made of a thin film is deposited on the smoothed surface of the filler 78 (corresponding to the fourth step of claim 7). The material of the diaphragm 48 may be any material that can provide etching selectivity with respect to the filler 78. For example, polysilicon having a predetermined thickness (for example, 5 μm) is used. If a thin film (for example, a germanium thin film) made of a material that can provide etching selectivity with the filler 78 is formed before the diaphragm is formed, the material of the diaphragm is not limited. For example, SiO 2 or the like can be used. It may be used.

次に、図7−1(F)に示すように、シリコン基板70の裏面(下面)から粗研磨した後、シリコン基板70の裏面(下面)からCMP研磨装置によりCMP研磨し、溝部72及びダミー孔76に充填された充填材78による研磨抵抗の変化により、研磨終点を検出して、シリコン基板70の基板厚を所定値にする(請求項7の第5工程に相当)。   Next, as shown in FIG. 7-1 (F), after rough polishing from the back surface (lower surface) of the silicon substrate 70, CMP polishing is performed from the back surface (lower surface) of the silicon substrate 70 by a CMP polishing apparatus, and the groove 72 and dummy A polishing end point is detected by a change in polishing resistance due to the filler 78 filled in the hole 76, and the substrate thickness of the silicon substrate 70 is set to a predetermined value (corresponding to the fifth step of claim 7).

研磨終点の検出は、研磨抵抗が高まることで生じるCMP研磨装置の電流値の上昇を検知することによって行う。また、研磨抵抗が高まることで生じる研磨音響の変化によって、研磨終点の検出をしてもよい。また、CMP研磨装置に予め設けられている研磨量を測定するゲージを用い、単位時間当たりの研磨量が著しく下がる状態を検知することで、研磨終点を検出してもよい。   The polishing end point is detected by detecting an increase in the current value of the CMP polishing apparatus caused by an increase in polishing resistance. Further, the polishing end point may be detected by a change in polishing sound caused by an increase in polishing resistance. Further, the polishing end point may be detected by detecting a state in which the polishing amount per unit time is remarkably lowered by using a gauge for measuring the polishing amount provided in advance in the CMP polishing apparatus.

次に、図7−2(G)に示すように、シリコン基板70の裏面(下面)側から充填材78をエッチングなどにより除去する(請求項7の第6工程に相当)。   Next, as shown in FIG. 7-2 (G), the filler 78 is removed by etching or the like from the back surface (lower surface) side of the silicon substrate 70 (corresponding to the sixth step of claim 7).

充填材78を除去した後に、溝部72に内壁面に、炭化珪素(SiC)、珪素窒化物(SiN)などから選ばれる保護膜79を形成してもよい。これにより、圧力室50の内壁の耐液性を高められる。 次に、図7−2(H)に示すように、シリコン基板70の裏面(下面)側の端面に、接着剤73を塗布して、ノズル56が形成されたノズルプレート75をシリコン基板70の裏面(下面)に接合する。   After removing the filler 78, a protective film 79 selected from silicon carbide (SiC), silicon nitride (SiN), or the like may be formed on the inner wall surface of the groove 72. Thereby, the liquid resistance of the inner wall of the pressure chamber 50 can be improved. Next, as shown in FIG. 7-2 (H), an adhesive 73 is applied to the end surface on the back surface (lower surface) side of the silicon substrate 70, and the nozzle plate 75 on which the nozzles 56 are formed is attached to the silicon substrate 70. Join to the back (bottom).

以上のように、図7に示す例では、連通路55をシリコン基板70に形成すると共に、ダミー孔76がシリコン基板70を貫通するように形成されており、連通路55及びダミー孔76は大気と連通している。このため、例えば、圧電素子46を形成する際に、高温が印加された場合であっても、熱膨張によるシリコン基板70の破壊を防止できる。 続いて、圧電素子46などからなる駆動部53を振動板48上に形成すると共に、この駆動部53上にガラス基板(ガラス製の天板40)を積層して形成する第2製造過程について説明する。   As described above, in the example shown in FIG. 7, the communication path 55 is formed in the silicon substrate 70, and the dummy hole 76 is formed so as to penetrate the silicon substrate 70, and the communication path 55 and the dummy hole 76 are in the atmosphere. Communicated with. For this reason, for example, even when a high temperature is applied when the piezoelectric element 46 is formed, the silicon substrate 70 can be prevented from being broken due to thermal expansion. Subsequently, a description will be given of a second manufacturing process in which the driving unit 53 including the piezoelectric element 46 and the like is formed on the vibration plate 48 and a glass substrate (a glass top plate 40) is stacked on the driving unit 53. To do.

なお、この第2製造過程は、例えば、平滑にされた表面に、振動板48が形成される工程(図6−1(D)、図7−2(E)参照)と、シリコン基板70の裏面(下面)から研磨する工程(図6−1(E)、図7−2(F)参照)との間に行われる。   The second manufacturing process includes, for example, a process of forming the diaphragm 48 on the smoothed surface (see FIGS. 6-1 (D) and 7-2 (E)) and the silicon substrate 70. It is performed between the steps of polishing from the back surface (lower surface) (see FIGS. 6-1 (E) and 7-2 (F)).

図8−1(A)に示すように、振動板48に、インク流路66の形成用の貫通孔48Aを形成する。   As shown in FIG. 8A, a through hole 48A for forming the ink flow channel 66 is formed in the vibration plate 48. As shown in FIG.

次に、図8−1(B)に示すように、例えば、スパッタ法により、振動板48の上面に下部電極52を積層し、振動板48の上面に積層された下部電極52をパターニングする。具体的には、ホトリソグラフィー法によるレジスト形成、パターニング、RIE法によるエッチング、酸素プラズマによるレジスト剥離である。この下部電極52が接地電位となる。   Next, as shown in FIG. 8B, the lower electrode 52 is laminated on the upper surface of the diaphragm 48, for example, by sputtering, and the lower electrode 52 laminated on the upper surface of the diaphragm 48 is patterned. Specifically, resist formation by photolithography, patterning, etching by RIE, and resist removal by oxygen plasma. This lower electrode 52 becomes the ground potential.

次に、図8−1(C)で示すように、下部電極52の上面に、圧電素子46の材料であるPZT膜と上部電極54を順にスパッタ法で積層し、図8−1(D)で示すように、圧電素子46(PZT膜)及び上部電極54をパターニングする。   Next, as shown in FIG. 8-1 (C), a PZT film, which is a material of the piezoelectric element 46, and the upper electrode 54 are sequentially laminated on the upper surface of the lower electrode 52 by a sputtering method. As shown, the piezoelectric element 46 (PZT film) and the upper electrode 54 are patterned.

具体的には、PZT膜スパッタ(膜厚3μm〜15μm)、金属膜スパッタ(膜厚500Å〜3000Å)、ホトリソグラフィー法によるレジスト形成、パターニング(エッチング)、酸素プラズマによるレジスト剥離である。下部及び上部の電極材料としては、例えば圧電素子であるPZT材料との親和性が高く、耐熱性がある、Au、Ir、Ru、Pt等が挙げられる。   Specifically, PZT film sputtering (film thickness 3 μm to 15 μm), metal film sputtering (film thickness 500 μm to 3000 μm), resist formation by photolithography, patterning (etching), and resist stripping by oxygen plasma. Examples of the lower and upper electrode materials include Au, Ir, Ru, and Pt that have high affinity with the PZT material that is a piezoelectric element and have heat resistance.

次に、図8−2(E)で示すように、上面に露出している下部電極52と上部電極54の上面に低透水性絶縁膜(SiOx膜)80を積層し、更に、その低透水性絶縁膜(SiOx膜)80の上面に、耐インク性と柔軟性を有する樹脂膜82、例えばポリイミド系、ポリアミド系、エポキシ系、ポリウレタン系、シリコン系等の樹脂膜を積層して、それらをパターニングすることで、圧電素子46と金属配線86を接続するための開口84(コンタクト孔)を形成する。   Next, as shown in FIG. 8-2 (E), a low water permeable insulating film (SiOx film) 80 is laminated on the upper surface of the lower electrode 52 and the upper electrode 54 exposed on the upper surface, and the low water permeable film is further reduced. On the upper surface of the conductive insulating film (SiOx film) 80, a resin film 82 having ink resistance and flexibility, for example, a polyimide-based, polyamide-based, epoxy-based, polyurethane-based, silicon-based resin film, etc., is laminated. By patterning, an opening 84 (contact hole) for connecting the piezoelectric element 46 and the metal wiring 86 is formed.

具体的には、Chemical Vapor Deposition(CVD)法にてダングリングボンド密度が高い低透水性絶縁膜(SiOx膜)80を着膜する、感光性ポリイミド(例えば、富士フイルムアーチ社製の感光性ポリイミド Durimide7520)を塗布・露光・現像することでパターニングを行う、CF4系ガスを用いたReactive Ion Etching(RIE)法で上記感光性ポリイミドをマスクとしてSiOx膜をエッチングする、という加工を行う。なお、ここでは低透水性絶縁膜としてSiOx膜を用いたが、SiNx膜、SiOxNy膜等であってもよい。 Specifically, a photosensitive polyimide (for example, a photosensitive polyimide manufactured by Fuji Film Arch Co., Ltd.) is used to deposit a low water-permeable insulating film (SiOx film) 80 having a high dangling bond density by a chemical vapor deposition (CVD) method. Durimide 7520) is coated, exposed and developed to perform patterning, and the reactive ion etching (RIE) method using CF 4 gas is used to etch the SiOx film using the photosensitive polyimide as a mask. Although the SiOx film is used here as the low water permeable insulating film, it may be a SiNx film, a SiOxNy film, or the like.

次に、図8−2(F)で示すように、開口84内の上部電極54と樹脂膜82の上面に金属膜を積層し、金属配線86をパターニングする。具体的には、スパッタ法にてAl膜(厚さ1μm)を着膜する、ホトリソグラフィー法でレジストを形成する、塩素系のガスを用いたRIE法にてAl膜をエッチングする、酸素プラズマにてレジスト膜を剥離する、という加工を行い、上部電極54と金属配線86(Al膜)とを接合する。なお、図示しないが、下部電極52の上にも開口84が設けられ、上部電極54と同様に金属配線86と接続されている。   Next, as shown in FIG. 8B, a metal film is laminated on the upper surface of the upper electrode 54 and the resin film 82 in the opening 84, and the metal wiring 86 is patterned. Specifically, an Al film (thickness 1 μm) is deposited by sputtering, a resist is formed by photolithography, an Al film is etched by RIE using a chlorine-based gas, and oxygen plasma is applied. Then, the process of peeling the resist film is performed to join the upper electrode 54 and the metal wiring 86 (Al film). Although not shown, an opening 84 is also provided on the lower electrode 52 and is connected to the metal wiring 86 in the same manner as the upper electrode 54.

次に、図8−2(G)で示すように、金属配線86及び樹脂膜82の上面に樹脂保護膜88(例えば、富士フイルムアーチ社製の感光性ポリイミド Durimide7320)を積層してパターニングする。この樹脂保護膜88は、樹脂膜82と同種の樹脂材料で構成される。また、このとき、圧電素子46の上方で、金属配線86がパターニングされていない部位には、樹脂保護膜88を積層しないようにする(樹脂膜82のみが積層されるようにする)。   Next, as shown in FIG. 8-2 (G), a resin protective film 88 (for example, photosensitive polyimide Durimide 7320 manufactured by Fuji Film Arch Co., Ltd.) is laminated on the upper surfaces of the metal wiring 86 and the resin film 82 and patterned. The resin protective film 88 is made of the same kind of resin material as the resin film 82. At this time, the resin protective film 88 is not stacked above the piezoelectric element 46 in a portion where the metal wiring 86 is not patterned (only the resin film 82 is stacked).

ここで、圧電素子46の上方(樹脂膜82の上面)に樹脂保護膜88を積層しないのは、振動板48(圧電素子46)の変位(上下方向の撓み変形)が阻害されるのを防止するためである。また、圧電素子46の上部電極54から引き出す(上部電極54に接続される)金属配線86が樹脂製の保護膜88で被覆されると、その樹脂保護膜88は、金属配線86が積層される樹脂膜82と同種の樹脂材料で構成されているため、金属配線86を被覆するそれらの接合力が強固になり、界面からのインク110の侵入による金属配線86の腐食を防止することができる。   Here, the fact that the resin protective film 88 is not laminated above the piezoelectric element 46 (the upper surface of the resin film 82) prevents the displacement (flexible deformation in the vertical direction) of the diaphragm 48 (piezoelectric element 46) from being hindered. It is to do. Further, when the metal wiring 86 drawn out from the upper electrode 54 of the piezoelectric element 46 (connected to the upper electrode 54) is covered with a protective film 88 made of resin, the metal wiring 86 is laminated on the resin protective film 88. Since the resin film 82 is made of the same kind of resin material, the bonding force covering the metal wiring 86 is strengthened, and corrosion of the metal wiring 86 due to the penetration of the ink 110 from the interface can be prevented.

なお、この樹脂保護膜88は、隔壁42(感光性ドライフィルム98)とも同種の樹脂材料となっているため、この隔壁42(感光性ドライフィルム98)に対する接合力も強固になっている。したがって、その界面からのインク110の侵入がより一層防止される構成である。また、このように、同種の樹脂材料で構成されると、それらの熱膨張率が略等しくなるので、熱応力の発生が少なくて済む利点もある。   In addition, since this resin protective film 88 is made of the same kind of resin material as the partition wall 42 (photosensitive dry film 98), the bonding force to the partition wall 42 (photosensitive dry film 98) is also strong. Therefore, the ink 110 can be further prevented from entering from the interface. In addition, when the resin materials are made of the same kind as described above, the thermal expansion coefficients thereof are substantially equal, so that there is an advantage that the generation of thermal stress can be reduced.

次に、図8−2(H)で示すように、金属配線86にバンプ62を介して駆動IC60をフリップチップ実装する。このとき、駆動IC60は、予め半導体ウエハプロセスの終りに実施されるグラインド工程にて、所定の厚さ(70μm〜300μm)に加工されている。駆動IC60が厚すぎると、隔壁42のパターニングやバンプ64の形成が困難になったりする。   Next, as shown in FIG. 8-2 (H), the drive IC 60 is flip-chip mounted on the metal wiring 86 via the bumps 62. At this time, the drive IC 60 is processed to a predetermined thickness (70 μm to 300 μm) in a grinding process performed in advance at the end of the semiconductor wafer process. If the driving IC 60 is too thick, patterning of the partition walls 42 and formation of the bumps 64 may be difficult.

駆動IC60を金属配線86にフリップチップ実装するためのバンプ62の形成方法には、電界メッキ、無電界メッキ、ボールバンプ、スクリーン印刷等が適用できる。
こうして、シリコン基板70上に駆動部53が製造され、この駆動部53に、例えばガラス製の天板40が結合(接合)される。なお、以下の図9−1、図9−2では、説明の便宜上、配線形成面を下面として説明するが、実際の工程では上面になる。
As a method for forming the bump 62 for flip-chip mounting the drive IC 60 on the metal wiring 86, electroplating, electroless plating, ball bump, screen printing or the like can be applied.
Thus, the drive unit 53 is manufactured on the silicon substrate 70, and the glass top plate 40 is coupled (bonded) to the drive unit 53. In the following FIGS. 9-1 and 9-2, for convenience of explanation, the wiring formation surface is described as the lower surface, but in the actual process, the upper surface is the upper surface.

ガラス製天板40の製造においては、図9−1(A)で示すように、天板40自体が支持体となる程度の強度を確保できる厚み(0.3mm〜1.5mm)を持っているので、別途支持体を設ける必要がない。まず、図9−1(B)で示すように、天板40の下面に金属配線90を積層してパターニングする。具体的には、スパッタ法にてAl膜(厚さ1μm)を着膜する、ホトリソグラフィー法でレジストを形成する、塩素系のガスを用いたRIE法にてAl膜をエッチングする、酸素プラズマにてレジスト膜を剥離する、という加工である。   In manufacture of the glass top plate 40, as shown in FIG. 9-1 (A), it has thickness (0.3 mm-1.5 mm) which can ensure the intensity | strength of the grade which top plate 40 itself becomes a support body. Therefore, it is not necessary to provide a separate support. First, as shown in FIG. 9B, metal wiring 90 is stacked on the bottom surface of the top plate 40 and patterned. Specifically, an Al film (thickness 1 μm) is deposited by sputtering, a resist is formed by photolithography, an Al film is etched by RIE using a chlorine-based gas, and oxygen plasma is applied. In this process, the resist film is removed.

そして、図9−1(C)で示すように、金属配線90が形成された面に樹脂膜92(例えば、富士フイルムアーチ社製の感光性ポリイミド Durimide7320)を積層してパターニングする。なお、このとき、一部の金属配線90には、バンプ64を接合するため、樹脂膜92を積層しないようにする。   Then, as shown in FIG. 9-1 (C), a resin film 92 (for example, photosensitive polyimide Durimide 7320 manufactured by Fuji Film Arch Co., Ltd.) is laminated and patterned on the surface on which the metal wiring 90 is formed. At this time, the resin film 92 is not laminated in order to join the bumps 64 to some of the metal wirings 90.

次に、図9−1(D)で示すように、天板40の金属配線90が形成された面に、ホトリソグラフィー法でレジストをパターニングする。金属配線90が形成されていない面は、保護用レジスト94で全面を覆う。ここで、保護用レジスト94を塗布するのは、次のウエット(SiO2)エッチング工程で、天板40が金属配線90を形成した面の裏面からエッチングされるのを防止するためである。なお、天板40に感光性ガラスを用いた場合には、この保護用レジスト94の塗布工程を省略することができる。 Next, as shown in FIG. 9-1 (D), a resist is patterned by a photolithography method on the surface of the top plate 40 on which the metal wiring 90 is formed. The surface on which the metal wiring 90 is not formed is covered with a protective resist 94. Here, the reason why the protective resist 94 is applied is to prevent the top plate 40 from being etched from the back surface of the surface on which the metal wiring 90 is formed in the next wet (SiO 2 ) etching step. In the case where photosensitive glass is used for the top plate 40, the step of applying the protective resist 94 can be omitted.

次いで、図9−2(E)で示すように、天板40にHF溶液によるウエット(SiO2)エッチングを行い、その後、保護用レジスト94を酸素プラズマにて剥離する。そして、図9−2(F)で示すように、天板40に形成された開口40A部分に感光性ドライフィルム96(例えば、日立化成工業株式会社製Raytec FR−5025:25μm厚)を露光・現像によりパターニングする(架設する)。この感光性ドライフィルム96が圧力波を緩和するエアダンパー44となる。 Next, as shown in FIG. 9-2 (E), the top plate 40 is wet (SiO 2 ) etched with an HF solution, and then the protective resist 94 is peeled off by oxygen plasma. 9-2 (F), a photosensitive dry film 96 (for example, Raytec FR-5025: 25 μm thickness manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd.) is exposed to the opening 40A portion formed on the top plate 40. Pattern (delay) by development. This photosensitive dry film 96 becomes an air damper 44 that relieves pressure waves.

そして次に、図9−2(G)で示すように、樹脂膜92に感光性ドライフィルム98(100μm厚)を積層して露光・現像によりパターニングする。この感光性ドライフィルム98がインクプール室38を規定する隔壁42となる。なお、隔壁42は、感光性ドライフィルム98に限定されるものではなく、樹脂塗布膜(例えば、化薬マイクロケム社のSU−8レジスト)としてもよい。このときには、スプレー塗布装置にて塗布し、露光・現像をすればよい。   Then, as shown in FIG. 9-2 (G), a photosensitive dry film 98 (100 μm thickness) is laminated on the resin film 92 and patterned by exposure and development. This photosensitive dry film 98 becomes a partition wall 42 that defines the ink pool chamber 38. The partition wall 42 is not limited to the photosensitive dry film 98, and may be a resin coating film (for example, SU-8 resist manufactured by Kayaku Microchem Corporation). At this time, it may be applied by a spray coating device, and then exposed and developed.

そして最後に、図9−2(H)で示すように、樹脂膜92が積層されていない金属配線90にバンプ64をメッキ法等で形成する。このバンプ64が駆動IC60側の金属配線86と電気的に接続するため、図示するように、感光性ドライフィルム98(隔壁42)よりもその高さが高くなるように形成されている。   Finally, as shown in FIG. 9-2 (H), bumps 64 are formed by plating or the like on the metal wiring 90 on which the resin film 92 is not laminated. Since the bumps 64 are electrically connected to the metal wiring 86 on the drive IC 60 side, the bumps 64 are formed to have a height higher than that of the photosensitive dry film 98 (partition wall 42) as shown in the figure.

こうして、天板40の製造が終了したら、図10(A)で示すように、この天板40を駆動部53に被せて、両者を熱圧着により結合(接合)する。すなわち、感光性ドライフィルム98(隔壁42)を感光性樹脂層である樹脂保護膜88に接合し、バンプ64を金属配線86に接合する。   Thus, when the manufacture of the top plate 40 is completed, as shown in FIG. 10 (A), the top plate 40 is placed on the drive unit 53, and both are joined (joined) by thermocompression bonding. That is, the photosensitive dry film 98 (the partition wall 42) is bonded to the resin protective film 88 that is a photosensitive resin layer, and the bumps 64 are bonded to the metal wiring 86.

このとき、感光性ドライフィルム98(隔壁42)の高さよりもバンプ64の高さの方が高いので、感光性ドライフィルム98(隔壁42)を樹脂保護膜88に接合することにより、バンプ64が金属配線86に自動的に接合される。つまり、半田バンプ64は高さ調整が容易なので(潰れやすいので)、感光性ドライフィルム98(隔壁42)によるインクプール室38の封止とバンプ64の接続が容易にできる。   At this time, since the height of the bump 64 is higher than the height of the photosensitive dry film 98 (the partition wall 42), the bump 64 is formed by bonding the photosensitive dry film 98 (the partition wall 42) to the resin protective film 88. It is automatically joined to the metal wiring 86. That is, since the height of the solder bumps 64 can be easily adjusted (because they are easily crushed), the ink pool chamber 38 can be sealed with the photosensitive dry film 98 (the partition wall 42) and the bumps 64 can be easily connected.

隔壁42とバンプ64の接合が終了したら、図10(B)で示すように、駆動IC60に封止用樹脂材58(例えば、エポキシ樹脂)を注入する。このように樹脂材58を注入して駆動IC60を封止すると、駆動IC60を水分等の外部環境から保護できる。   When the bonding between the partition wall 42 and the bump 64 is completed, a sealing resin material 58 (for example, epoxy resin) is injected into the drive IC 60 as shown in FIG. By thus injecting the resin material 58 and sealing the drive IC 60, the drive IC 60 can be protected from the external environment such as moisture.

以上のようにして製造されるインクジェット記録ヘッド32を備えたインクジェット記録装置10において、次に、その作用を説明する。まず、インクジェット記録装置10に印刷を指令する電気信号が送られると、給紙トレイ26から記録紙Pが1枚ピックアップされ、副走査機構18により、所定の位置へ搬送される。   Next, the operation of the inkjet recording apparatus 10 including the inkjet recording head 32 manufactured as described above will be described. First, when an electrical signal instructing printing is sent to the ink jet recording apparatus 10, one recording sheet P is picked up from the paper feed tray 26 and conveyed to a predetermined position by the sub-scanning mechanism 18.

一方、インクジェット記録ユニット30では、すでにインクタンク34からインク供給ポート36を介してインクジェット記録ヘッド32のインクプール室38にインク110が注入(充填)され、インクプール室38に充填されたインク110は、インク流路66、68を経て圧力室50へ供給(充填)されている。そして、このとき、ノズル56の先端(吐出口)では、インク110の表面が圧力室50側に僅かに凹んだメニスカスが形成されている。   On the other hand, in the ink jet recording unit 30, the ink 110 has already been injected (filled) from the ink tank 34 into the ink pool chamber 38 of the ink jet recording head 32 via the ink supply port 36, and the ink 110 filled in the ink pool chamber 38 is The pressure chamber 50 is supplied (filled) through the ink flow paths 66 and 68. At this time, a meniscus in which the surface of the ink 110 is slightly recessed toward the pressure chamber 50 is formed at the tip (ejection port) of the nozzle 56.

そして、キャリッジ12に搭載されたインクジェット記録ヘッド32が主走査方向に移動しながら、複数のノズル56から選択的にインク滴を吐出することにより、記録紙Pの所定のバンド領域に、画像データに基づく画像の一部を記録する。すなわち、ボード74からのインク吐出指令が、金属配線90、バンプ64、金属配線86を経て駆動IC60に伝達される。そして、その駆動IC60により、所定のタイミングで、所定の圧電素子46に電圧を印加し、振動板48を上下方向に撓み変形させて(面外振動させて)、圧力室50内のインク110を加圧し、所定のノズル56からインク滴として吐出させる。   The ink jet recording head 32 mounted on the carriage 12 selectively ejects ink droplets from the plurality of nozzles 56 while moving in the main scanning direction, so that the image data is transferred to a predetermined band area of the recording paper P. Record part of the image based on. That is, an ink discharge command from the board 74 is transmitted to the drive IC 60 through the metal wiring 90, the bump 64, and the metal wiring 86. Then, the drive IC 60 applies a voltage to a predetermined piezoelectric element 46 at a predetermined timing to cause the diaphragm 48 to bend and deform in the vertical direction (vibrate out of plane), thereby causing the ink 110 in the pressure chamber 50 to flow. Pressurized and ejected as ink droplets from a predetermined nozzle 56.

こうして、記録紙Pに画像データに基づく画像の一部が記録されたら、副走査機構18により、記録紙Pを所定ピッチ搬送させ、上記と同様に、インクジェット記録ヘッド32を主走査方向に移動しながら、再度複数のノズル56から選択的にインク滴を吐出することにより、記録紙Pの次のバンド領域に、画像データに基づく画像の一部を記録する。そして、このような動作を繰り返し行い、記録紙Pに画像データに基づく画像が完全に記録されたら、副走査機構18により、記録紙Pを最後まで搬送し、排紙トレイ28上に記録紙Pを排出する。これにより、記録紙Pへの印刷処理(画像記録)が完了する。   When a part of the image based on the image data is recorded on the recording paper P in this way, the recording paper P is conveyed by a predetermined pitch by the sub-scanning mechanism 18, and the ink jet recording head 32 is moved in the main scanning direction as described above. However, a part of the image based on the image data is recorded in the next band area of the recording paper P by selectively ejecting ink droplets selectively from the plurality of nozzles 56 again. Such an operation is repeated, and when the image based on the image data is completely recorded on the recording paper P, the sub-scanning mechanism 18 transports the recording paper P to the end, and the recording paper P is placed on the paper discharge tray 28. Is discharged. Thereby, the printing process (image recording) on the recording paper P is completed.

ここで、このインクジェット記録ヘッド32は、インクプール室38が、振動板48(圧電素子46)を間に置いて圧力室50の反対側(上側)に設けられている。換言すれば、インクプール室38と圧力室50の間に振動板48(圧電素子46)が配置され、インクプール室38と圧力室50が同一水平面上に存在しないように構成されている。したがって、圧力室50が互いに近接配置され、ノズル56が高密度なマトリックス状に配設されている。   Here, in the ink jet recording head 32, the ink pool chamber 38 is provided on the opposite side (upper side) of the pressure chamber 50 with the vibration plate 48 (piezoelectric element 46) interposed therebetween. In other words, the vibration plate 48 (piezoelectric element 46) is disposed between the ink pool chamber 38 and the pressure chamber 50, and the ink pool chamber 38 and the pressure chamber 50 are configured not to exist on the same horizontal plane. Therefore, the pressure chambers 50 are arranged close to each other, and the nozzles 56 are arranged in a high-density matrix.

また、圧電素子46に電圧を印加する駆動IC60は、振動板48と天板40との間に配設され、振動板48や天板40より外部へ露出しない(突出しない)構成とされている(インクジェット記録ヘッド32内に内蔵されている)。したがって、インクジェット記録ヘッド32の外部に駆動IC60を実装する場合に比べて、圧電素子46と駆動IC60の間を接続する金属配線86の長さが短くて済み、これによって、金属配線86の低抵抗化と高密度接続が実現されている。つまり、実用的な配線抵抗値で、ノズル56の高密度化を実現することができ、高解像度化を実現することができる。   The drive IC 60 for applying a voltage to the piezoelectric element 46 is disposed between the diaphragm 48 and the top plate 40 and is configured not to be exposed (projected) from the diaphragm 48 or the top plate 40 to the outside. (Built in the ink jet recording head 32). Therefore, compared to the case where the drive IC 60 is mounted outside the ink jet recording head 32, the length of the metal wiring 86 connecting the piezoelectric element 46 and the drive IC 60 can be shortened. And high-density connection are realized. That is, with a practical wiring resistance value, it is possible to achieve a high density of the nozzles 56 and to achieve a high resolution.

また、上記したように、インクの吐出を制御するボード74(図5参照)と接続される金属配線90が、インクプール室38の天板40に形成され、更に、その金属配線90と、駆動IC60が接続されている金属配線86とが、振動板48と天板40との間に配置されたバンプ64で接続されるように構成されているので、その電気接続が容易にでき、かつ、従来、駆動IC60とボード74とを接続していたFPC等を省略することができる。つまり、このような構成を採用することにより、部品点数を削減することができるので、インクジェット記録ヘッド32の小型化を実現することができる。   Further, as described above, the metal wiring 90 connected to the board 74 (see FIG. 5) for controlling the ejection of ink is formed on the top plate 40 of the ink pool chamber 38, and further, the metal wiring 90 and the drive Since the metal wiring 86 to which the IC 60 is connected is configured to be connected by the bumps 64 disposed between the diaphragm 48 and the top plate 40, the electrical connection can be easily performed, and Conventionally, an FPC or the like that connects the driving IC 60 and the board 74 can be omitted. That is, by adopting such a configuration, the number of parts can be reduced, and thus the ink jet recording head 32 can be reduced in size.

具体的には、従来のFPC方式による電気接続では、ノズル解像度は600npi(nozzle per pitch)が限界であったが、本発明の方式では、容易に1200npi配列が可能となった。また、サイズについては、600npiのノズル配列を例にとって比較した場合、FPCを用いなくて済むため、1/2以下にすることが可能となった。   Specifically, with the conventional FPC system electrical connection, the nozzle resolution is limited to 600 npi (nozzle per pitch), but with the system of the present invention, it is possible to easily arrange 1200 npi. In addition, the size can be reduced to 1/2 or less because the FPC is not used when the 600 npi nozzle arrangement is compared as an example.

また、その金属配線90は樹脂膜92で被覆されているので、インクによる金属配線90の腐食は防止されている。また、上記したように、天板40にエアダンパー44を設けるようにしたので、エアダンパー44の大きさや位置等の変更を自由に行うことができる。つまり、エアダンパー44の最適化が容易にできる。そして、これにより、天板40に形成する金属配線90の引き回しの自由度も向上させることができる。   Further, since the metal wiring 90 is covered with the resin film 92, corrosion of the metal wiring 90 due to ink is prevented. Further, as described above, since the air damper 44 is provided on the top plate 40, the size and position of the air damper 44 can be freely changed. That is, the air damper 44 can be easily optimized. And thereby, the freedom degree of routing of the metal wiring 90 formed in the top plate 40 can also be improved.

その他、上記実施例のインクジェット記録装置10では、ブラック、イエロー、マゼンタ、シアンの各色のインクジェット記録ユニット30がそれぞれキャリッジ12に搭載され、それら各色のインクジェット記録ヘッド32から画像データに基づいて選択的にインク滴が吐出されてフルカラーの画像が記録紙Pに記録されるようになっているが、本発明におけるインクジェット記録は、記録紙P上への文字や画像の記録に限定されるものではない。   In addition, in the inkjet recording apparatus 10 of the above-described embodiment, the inkjet recording units 30 of black, yellow, magenta, and cyan are mounted on the carriage 12 and selectively selected from the inkjet recording heads 32 of these colors based on image data. Although ink droplets are ejected and a full-color image is recorded on the recording paper P, ink jet recording in the present invention is not limited to recording characters and images on the recording paper P.

すなわち、記録媒体は紙に限定されるものでなく、また、吐出する液体もインクに限定されるものではない。例えば、高分子フィルムやガラス上にインクを吐出してディスプレイ用カラーフィルターを作成したり、溶接状態の半田を基板上に吐出して部品実装用のバンプを形成するなど、工業的に用いられる液滴噴射装置全般に対して、本発明に係るインクジェット記録ヘッド32を適用することができる。   That is, the recording medium is not limited to paper, and the liquid to be ejected is not limited to ink. For example, industrially used liquids such as creating color filters for displays by discharging ink onto polymer films or glass, or forming bumps for component mounting by discharging solder in a welded state onto a substrate The ink jet recording head 32 according to the present invention can be applied to all droplet ejecting apparatuses.

また、上記実施例のインクジェット記録装置10では、主走査機構16と副走査機構18を有するPartial Width Array(PWA)の例で説明したが、本発明におけるインクジェット記録は、これに限定されず、紙幅対応のいわゆるFull Width Array(FWA)であってもよい。むしろ、本発明は、高密度ノズル配列を実現するのに有効なものであるため、1パス印字を必要とするFWAには好適である。   In the inkjet recording apparatus 10 of the above embodiment, the example of the partial width array (PWA) having the main scanning mechanism 16 and the sub-scanning mechanism 18 has been described. However, the inkjet recording in the present invention is not limited to this, and the paper width A corresponding so-called Full Width Array (FWA) may be used. Rather, since the present invention is effective for realizing a high-density nozzle arrangement, it is suitable for FWA that requires one-pass printing.

本発明は、本実施形態に限るものではなく、本発明の要旨を逸脱しない限りにおいて、種々の変形、変更、改良が可能である。   The present invention is not limited to the present embodiment, and various modifications, changes, and improvements can be made without departing from the gist of the present invention.

図1は、本実施形態に係るインクジェット記録装置を示す概略斜視図である。FIG. 1 is a schematic perspective view showing an ink jet recording apparatus according to this embodiment. 図2は、本実施形態に係るインクジェット記録装置のキャリッジに搭載されたインクジェット記録ユニットを示す概略斜視図である。FIG. 2 is a schematic perspective view showing the ink jet recording unit mounted on the carriage of the ink jet recording apparatus according to the present embodiment. 図3は、本実施形態に係るインクジェット記録ヘッドの構成を示す概略平面図である。FIG. 3 is a schematic plan view showing the configuration of the ink jet recording head according to the present embodiment. 図4は、本実施形態に係るインクジェット記録ヘッドの構成を示す図3のX−X線概略断面図である。4 is a schematic cross-sectional view taken along the line XX of FIG. 3 showing the configuration of the ink jet recording head according to the present embodiment. 図5は、本実施形態に係るインクジェット記録ヘッドの構成とボードを示す概略斜視図である。FIG. 5 is a schematic perspective view showing a configuration and a board of the ink jet recording head according to the present embodiment. 図6−1は、本実施形態に係るインクジェット記録ヘッドの製造方法において、圧力室及び振動板をシリコン基板に形成する第1製造過程(A)〜(E)について、概略的に説明する図である。FIGS. 6A and 6B are diagrams schematically illustrating first manufacturing processes (A) to (E) in which the pressure chamber and the diaphragm are formed on the silicon substrate in the method of manufacturing the ink jet recording head according to the present embodiment. is there. 図6−2は、本実施形態に係るインクジェット記録ヘッドの製造方法において、圧力室及び振動板をシリコン基板に形成する第1製造過程(F)〜(I)について、概略的に説明する図である。FIG. 6B is a diagram schematically illustrating first manufacturing processes (F) to (I) in which the pressure chamber and the diaphragm are formed on the silicon substrate in the method of manufacturing the ink jet recording head according to the present embodiment. is there. 図7−1は、本実施形態に係るインクジェット記録ヘッドの製造方法において、図6−1及び図6−2に示す第1製造過程を変形した製造工程(A)〜(D)を示す図である。FIG. 7A is a diagram illustrating manufacturing steps (A) to (D) obtained by modifying the first manufacturing process illustrated in FIGS. 6A and 6B in the method for manufacturing the ink jet recording head according to the present embodiment. is there. 図7−2は、本実施形態に係るインクジェット記録ヘッドの製造方法において、図6−1及び図6−2に示す第1製造過程を変形した製造工程(E)〜(H)を示す図である。FIG. 7B is a diagram illustrating manufacturing steps (E) to (H) obtained by modifying the first manufacturing process illustrated in FIGS. 6A and 6B in the method for manufacturing the ink jet recording head according to the present embodiment. is there. 図8−1は、本実施形態に係るインクジェット記録ヘッドの製造方法において、圧電素子などからなる駆動部を振動板上に形成する製造工程(A)〜(D)を示す説明図である。FIGS. 8-1 is explanatory drawing which shows the manufacturing process (A)-(D) which forms the drive part which consists of a piezoelectric element etc. on a diaphragm in the manufacturing method of the inkjet recording head which concerns on this embodiment. 図8−2は、本実施形態に係るインクジェット記録ヘッドの製造方法において、圧電素子などからなる駆動部を振動板上に形成する製造工程(E)〜(H)を示す説明図である。FIGS. 8-2 is explanatory drawing which shows the manufacturing process (E)-(H) which forms the drive part which consists of a piezoelectric element etc. on a diaphragm in the manufacturing method of the inkjet recording head which concerns on this embodiment. 図9−1は、本実施形態に係るインクジェット記録ヘッドの製造方法において、天板を製造する工程(A)〜(D)を示す説明図である。FIGS. 9-1 is explanatory drawing which shows the process (A)-(D) which manufactures a top plate in the manufacturing method of the inkjet recording head which concerns on this embodiment. 図9−2は、本実施形態に係るインクジェット記録ヘッドの製造方法において、天板を製造する工程(E)〜(H)を示す説明図である。FIGS. 9-2 is explanatory drawing which shows the process (E)-(H) which manufactures a top plate in the manufacturing method of the inkjet recording head which concerns on this embodiment. 図10は、本実施形態に係るインクジェット記録ヘッドの製造方法において、駆動部上に天板を接合する工程(A)〜(B)を示す説明図である。FIG. 10 is an explanatory diagram showing steps (A) to (B) of joining the top plate on the drive unit in the method of manufacturing the ink jet recording head according to the present embodiment. 図11は、圧力室となる溝部及びダミー孔の平面配置を説明するための図である。FIG. 11 is a diagram for explaining the planar arrangement of the groove portions and the dummy holes that form the pressure chambers.

符号の説明Explanation of symbols

32 インクジェット記録ヘッド
48 振動板
50 圧力室
70 シリコン基板
72 溝部
76 ダミー孔
78 充填材
32 Inkjet recording head 48 Diaphragm 50 Pressure chamber 70 Silicon substrate 72 Groove 76 Dummy hole 78 Filler

Claims (7)

基板の表面側に、圧力室となる溝部を形成する第1工程と、
前記溝部に充填材を充填する第2工程と、
前記充填材が充填された溝部上に振動板、電極及び圧電素子を積層する第3工程と、
前記基板の裏面側を研磨し、前記溝部に充填された充填材による研磨抵抗の変化により、研磨終点を検出して、基板厚を所定値にする第4工程と、
前記溝部に充填された充填材を前記基板の裏面側から除去する第5工程と、
を備えたことを特徴とする液滴吐出ヘッドの製造方法。
A first step of forming a groove serving as a pressure chamber on the surface side of the substrate;
A second step of filling the groove with a filler;
A third step of laminating a diaphragm, an electrode, and a piezoelectric element on the groove filled with the filler;
A fourth step of polishing the back side of the substrate, detecting a polishing end point by a change in polishing resistance due to the filler filled in the groove, and setting the substrate thickness to a predetermined value;
A fifth step of removing the filler filled in the groove from the back side of the substrate;
A method for manufacturing a droplet discharge head, comprising:
前記溝部の周辺に前記溝部と深さが略同一のダミー孔を形成して、前記ダミー孔に充填材を充填する第6工程を備え、
前記第4工程は、前記ダミー孔及び前記溝部に充填された充填材による研磨抵抗の変化により、研磨終点を検出することを特徴とする請求項1に記載の液滴吐出ヘッドの製造方法。
Forming a dummy hole having substantially the same depth as the groove portion around the groove portion, and filling the dummy hole with a filler;
2. The method of manufacturing a droplet discharge head according to claim 1, wherein in the fourth step, a polishing end point is detected based on a change in polishing resistance caused by a filler filled in the dummy hole and the groove.
前記充填材の研磨レートは、前記基板の研磨レートより小さいことを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の液滴吐出ヘッドの製造方法。   The method for manufacturing a droplet discharge head according to claim 1, wherein a polishing rate of the filler is lower than a polishing rate of the substrate. 前記基板は、シリコン基板であり、前記充填材は、ガラスペーストであることを特徴とする請求項3に記載の液滴吐出ヘッドの製造方法。   The method for manufacturing a droplet discharge head according to claim 3, wherein the substrate is a silicon substrate, and the filler is a glass paste. 前記ダミー孔に充填された充填材を前記基板の裏面側から除去する第7工程と、
前記第5工程及び前記第7工程の後に、プレートを前記基板の裏面に接合して、前記溝部及び前記ダミー孔を封止する第8工程と、
を備えたことを特徴とする請求項1〜4のいずれか1項に記載の液滴吐出ヘッドの製造方法。
A seventh step of removing the filler filled in the dummy holes from the back side of the substrate;
After the fifth step and the seventh step, an eighth step of sealing the groove and the dummy hole by bonding a plate to the back surface of the substrate;
5. The method for manufacturing a droplet discharge head according to claim 1, comprising:
前記第8工程の前に、前記溝部の内壁に保護膜を形成する第9工程を備えたことを特徴とする請求項5に記載の液滴吐出ヘッドの製造方法。   6. The method of manufacturing a droplet discharge head according to claim 5, further comprising a ninth step of forming a protective film on the inner wall of the groove before the eighth step. 基板の表面側に、溝部を形成する第1工程と、
前記溝部の周辺にダミー孔を形成する第2工程と、
前記溝部及び前記ダミー孔に充填材を充填する第3工程と、
前記充填材が充填された溝部上に振動板、電極及び圧電素子を積層する第4工程と、
前記基板の裏面側を研磨し、前記ダミー孔に充填された充填材による研磨抵抗の変化により、研磨終点を検出して、基板厚を所定値にする第5工程と、
前記溝部に充填された充填材を前記基板の裏面側から除去する第6工程と、
を備えたことを特徴とする液滴吐出ヘッドの製造方法。
A first step of forming a groove on the surface side of the substrate;
A second step of forming a dummy hole around the groove,
A third step of filling the groove and the dummy hole with a filler;
A fourth step of laminating a diaphragm, an electrode, and a piezoelectric element on the groove filled with the filler;
A fifth step of polishing the back side of the substrate, detecting a polishing end point by a change in polishing resistance due to the filler filled in the dummy hole, and setting the substrate thickness to a predetermined value;
A sixth step of removing the filler filled in the groove from the back side of the substrate;
A method for manufacturing a droplet discharge head, comprising:
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