JP2007301665A - Grinding wheel and its manufacturing method - Google Patents
Grinding wheel and its manufacturing method Download PDFInfo
- Publication number
- JP2007301665A JP2007301665A JP2006131708A JP2006131708A JP2007301665A JP 2007301665 A JP2007301665 A JP 2007301665A JP 2006131708 A JP2006131708 A JP 2006131708A JP 2006131708 A JP2006131708 A JP 2006131708A JP 2007301665 A JP2007301665 A JP 2007301665A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- grinding wheel
- grinding
- grindstone
- diamond abrasive
- spheres
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000000227 grinding Methods 0.000 title claims abstract description 100
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 18
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 claims abstract description 25
- 239000010432 diamond Substances 0.000 claims abstract description 25
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 21
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 21
- 229910001111 Fine metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 14
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims abstract description 8
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 37
- 239000006061 abrasive grain Substances 0.000 claims description 22
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 18
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 10
- 238000000465 moulding Methods 0.000 claims description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 5
- 238000005245 sintering Methods 0.000 claims description 5
- 239000007767 bonding agent Substances 0.000 claims description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 11
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract description 10
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 abstract description 10
- WSMQKESQZFQMFW-UHFFFAOYSA-N 5-methyl-pyrazole-3-carboxylic acid Chemical compound CC1=CC(C(O)=O)=NN1 WSMQKESQZFQMFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 5
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 abstract description 5
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 abstract description 5
- 238000001816 cooling Methods 0.000 abstract description 3
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 abstract description 3
- 239000003082 abrasive agent Substances 0.000 abstract 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 3
- 238000004898 kneading Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N Phenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1 ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000013329 compounding Methods 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Polishing Bodies And Polishing Tools (AREA)
Abstract
Description
本発明は、砥石と、該砥石を環状に保持するホイール基台と、を少なくとも備える研削ホイールおよびその製造方法に関するものである。 The present invention relates to a grinding wheel including at least a grindstone and a wheel base that holds the grindstone in an annular shape, and a method for manufacturing the same.
IC、LSI、LED等のデバイスが分割予定ラインによって区画され複数形成されたウエーハは、ダイシング装置、レーザ加工装置等の分割装置によって個々のデバイスに分割され、携帯電話、パソコン等の電子機器に利用される。 A wafer formed by dividing a plurality of devices such as IC, LSI, LED, etc. by dividing lines is divided into individual devices by a dividing device such as a dicing device or a laser processing device, and used for electronic devices such as mobile phones and personal computers. Is done.
ここで、ウエーハは、SIC、サファイヤー、リチウムタンタレート等で形成されており、分割装置によって個々のデバイスに分割される前に研削ホイールを備えた研削装置によって裏面が研磨されて所定の厚さに加工される。 Here, the wafer is formed of SIC, sapphire, lithium tantalate, etc., and the back surface is polished by a grinding apparatus equipped with a grinding wheel before being divided into individual devices by the dividing apparatus, and has a predetermined thickness. To be processed.
しかしながら、SIC、サファイヤー、リチウムタンタレート等の難削材で形成されたウエーハの裏面を研削装置の研削ホイールで研削すると、面焼け、ムシレ等が生じて所望の研削加工ができないという問題があり、ラッピング装置、ポリッシング装置等の比較的生産効率の悪い加工装置を使用しなければならない。 However, when the back surface of a wafer formed of difficult-to-cut materials such as SIC, sapphire, lithium tantalate, etc. is ground with a grinding wheel of a grinding device, there is a problem that desired grinding processing cannot be performed due to surface burning, stuffiness, etc. In addition, it is necessary to use a processing apparatus having a relatively low production efficiency, such as a lapping apparatus or a polishing apparatus.
本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、SIC、サファイヤー、リチウムタンタレート等の難削材で形成されたウエーハを、面焼け、ムシレを生ずることなく研削できる研削ホイールおよびその製造方法を提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of the above, and a grinding wheel capable of grinding a wafer formed of a difficult-to-cut material such as SIC, sapphire, lithium tantalate, and the like without causing surface burning or stuffiness, and its manufacture It aims to provide a method.
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明に係る研削ホイールは、砥石と、該砥石を環状に保持するホイール基台と、を少なくとも備える研削ホイールであって、前記砥石は、レジンボンドと、超砥粒と、微細な金属球と、を少なくとも含むことを特徴とする。 In order to solve the above-described problems and achieve the object, a grinding wheel according to the present invention is a grinding wheel including at least a grindstone and a wheel base that holds the grindstone in an annular shape, It contains at least a resin bond, superabrasive grains, and fine metal spheres.
また、本発明に係る研削ホイールは、上記発明において、前記超砥粒はダイヤモンド砥粒であり、前記微細な金属球はニッケル球であることを特徴とする。 The grinding wheel according to the present invention is characterized in that, in the above invention, the superabrasive grains are diamond abrasive grains, and the fine metal spheres are nickel spheres.
また、本発明に係る研削ホイールは、上記発明において、前記ダイヤモンド砥粒の粒径は1μm〜50μmであり、前記ニッケル球の粒径は10μm〜100μmであることを特徴とする。 The grinding wheel according to the present invention is characterized in that, in the above invention, the diamond abrasive grains have a particle size of 1 to 50 μm, and the nickel spheres have a particle size of 10 to 100 μm.
また、本発明に係る研削ホイールは、上記発明において、配合は重量比率で、レジンボンド6〜10、ダイヤモンド砥粒15〜25、ニッケル球65〜79であることを特徴とする。
Further, the grinding wheel according to the present invention is characterized in that, in the above-mentioned invention, the blending is a weight ratio of resin bonds 6 to 10, diamond abrasive grains 15 to 25, and
また、本発明に係る研削ホイールの製造方法は、砥石と、該砥石を環状に保持するホイール基台と、を少なくとも備える研削ホイールの製造方法であって、レジンボンドと、超砥粒と、微細な金属球と、を適宜の割合で混錬し所定形状の成形物を生成する成形ステップと、前記成形物を160℃〜180℃の温度で半日焼結して焼結物を生成する焼結ステップと、前記焼結物を所定形状のセグメント型の砥石に成形するセグメント成形ステップと、前記セグメント型の砥石を環状の前記ホイール基台にボンド剤を介して結合する結合ステップと、を備えることを特徴とする。 A grinding wheel manufacturing method according to the present invention is a grinding wheel manufacturing method including at least a grindstone and a wheel base that holds the grindstone in an annular shape, and includes a resin bond, superabrasive grains, and fine particles. A molding step of kneading a metal ball at an appropriate ratio to produce a molded product of a predetermined shape, and sintering to produce a sintered product by sintering the molded product at a temperature of 160 ° C. to 180 ° C. for half a day And a segment forming step for forming the sintered product into a segment-type grindstone having a predetermined shape, and a joining step for bonding the segment-type grindstone to the annular wheel base via a bonding agent. It is characterized by.
また、本発明に係る研削ホイールの製造方法は、上記発明において、前記超砥粒はダイヤモンド砥粒であり、前記微細な金属球はニッケル球であることを特徴とする。 The grinding wheel manufacturing method according to the present invention is characterized in that, in the above invention, the superabrasive grains are diamond abrasive grains, and the fine metal spheres are nickel spheres.
また、本発明に係る研削ホイールの製造方法は、上記発明において、前記ダイヤモンド砥粒の粒径は1μm〜50μmであり、前記ニッケル球の粒径は10μm〜100μmであることを特徴とする。 Moreover, the manufacturing method of the grinding wheel which concerns on this invention is set to the said invention, The particle diameter of the said diamond abrasive grain is 1 micrometer-50 micrometers, The particle diameter of the said nickel sphere is 10 micrometers-100 micrometers, It is characterized by the above-mentioned.
また、本発明に係る研削ホイールの製造方法は、上記発明において、配合は重量比率で、レジンボンド6〜10、ダイヤモンド砥粒15〜25、ニッケル球65〜79であることを特徴とする。 Moreover, the manufacturing method of the grinding wheel which concerns on this invention is the said invention. WHEREIN: A compounding ratio is the resin bond 6-10, the diamond abrasive grains 15-25, and the nickel balls 65-79, It is characterized by the above-mentioned.
本発明に係る研削ホイールおよびその製造方法によれば、レジンボンドにダイヤモンド砥粒と微細な金属球とを混入して砥石を形成して研削ホイールを構成したので、当りが比較的ソフトな金属球がダイヤモンド砥粒とウエーハとの間で緩衝材として機能するとともに、熱伝導率に優れることによる冷却機能、金属球が真球で脱落しやすいことにより誘発されるダイヤモンド砥粒の脱落による発刃機能、と相俟ってSIC等の難削材で形成されたウエーハを面焼け、ムシレ等を生ずることなく効率よく研削することができるという効果を奏する。 According to the grinding wheel and the method of manufacturing the same according to the present invention, the grinding wheel is formed by mixing diamond abrasive grains and fine metal balls into the resin bond to form a grinding wheel. Functions as a cushioning material between the diamond abrasive grains and the wafer, and also has a cooling function due to excellent thermal conductivity, and a cutting edge function due to diamond abrasive grains falling off due to the fact that metal balls are easy to fall off In combination with the above, there is an effect that a wafer formed of a difficult-to-cut material such as SIC can be efficiently ground without causing surface burning and stuffiness.
以下、本発明を実施するための最良の形態である研削装置に装着される研削ホイールについて図面を参照して説明する。 Hereinafter, a grinding wheel mounted on a grinding apparatus which is the best mode for carrying out the present invention will be described with reference to the drawings.
図1は、本実施の形態の研削ホイール10の構成例を示す外観斜視図である。本実施の形態の研削ホイール10は、セグメント型に形成された複数個の砥石20と、これら砥石20を所定の隙間11を持たせて環状に保持するホイール基台30と、を少なくとも備える。ここで、ホイール基台30には、後述する研削装置のマウントに固定するためのネジ穴31および研削水供給路32が複数形成されている。また、ホイール基台30の砥石20が配設される側の面である自由面33には、図2(d)に示すように、旋盤等を用いて後に砥石20を埋設させるためのリング状の溝による砥石埋設部34が形成されている。
FIG. 1 is an external perspective view showing a configuration example of a
一方、本実施の形態の砥石20は、レジンボンドと、超砥粒と、微細な金属球と、を少なくとも含んで構成されている。ここで、図2を参照して本実施の形態の砥石20の製造工程を含めて研削ホイール10の製造工程を説明する。図2は、研削ホイールの製造工程を工程順に示す斜視図である。
On the other hand, the
まず、レジンボンドと超砥粒と微細な金属球とを適宜の割合で混錬した粉末を、図2(a)に示すように、型40に充填し、所定形状として図2(b)に示すようなディスク状にホットプレスで成形し、成形物41を生成する(成形ステップ)。この場合の樹脂の硬化温度は、約160℃〜170℃である。ここで、レジンボンドとしては、フェノールなどの樹脂が用いられ、超砥粒としては、ダイヤモンド砥粒が用いられ、微細な金属球としては、ニッケル球が用いられている。この場合、ダイヤモンド砥粒の粒径が1μm〜50μmであるのに対して、ニッケル球の粒径は、10μm〜100μm程度であることが好ましい。また、配合は、重量比率で、樹脂(レジンボンド)6〜10、ダイヤモンド砥粒15〜25、ニッケル球65〜79であることが好ましく、本実施の形態では、例えば、樹脂(レジンボンド)8wt%、ダイヤモンド砥粒20wt%、ニッケル球72wt%なる重量比率とされている。このようなニッケル球としては、例えば日立金属アドメット株式会社により販売されているNiボール100μm,80μm等を用いればよい。
First, a powder obtained by kneading resin bonds, superabrasive grains, and fine metal spheres in an appropriate ratio is filled in a
次に、図2(b)に示すような成形後の成形物41を、160℃〜180℃の温度で半日焼結して、図2(c)に示すような焼結物42を生成する(焼結ステップ)。そして、生成された焼結物42を、ダイサー43を用いてダイシングすることにより、所定サイズ、所定形状のセグメント型の砥石20に成形する(成形ステップ)。
Next, the
そして、成形された複数のセグメント型の砥石20を、図2(d)に示すように、ホイール基台30の砥石埋設部34に対してエポキシ系樹脂をボンド剤44として接着させることにより結合させ(結合ステップ)、図2(e)に示すように、複数のセグメント型の砥石20が所定の隙間11を持たせてホイール基台30に環状に保持された研削ホイール10が完成する。
Then, the plurality of segment-
以上のようにして製造された研削ホイール10は、例えば図3に示す研削装置50に搭載される。図3は、研削装置50の構成例を示す概略斜視図である。研削装置50は、SIC等の難削材で形成されたウエーハ51を保持し回転可能なチャックテーブル52と、チャックテーブル52に保持されたウエーハ51を研削する研削ホイール10を回転可能に支持した研削手段60と、研削手段60を研削送りする研削送り手段70とを備える。
The grinding
まず、チャックテーブル52は、図示しない駆動源に連結されて回転可能である。また、チャックテーブル52は、ボールネジ、ナット、パルスモータ等による送り機構によってX軸方向に移動可能に設けられている。 First, the chuck table 52 is connected to a drive source (not shown) and can rotate. The chuck table 52 is provided so as to be movable in the X-axis direction by a feed mechanism such as a ball screw, a nut, or a pulse motor.
また、研削手段60は、研削ホイール10と、ハウジング61と、ハウジング61の下端に回転自在に装着されボルト62によって装着された研削ホイール10を支持するマウント63と、マウント63を支持し回転するスピンドル64と、スピンドル64を回転駆動するモータ65と、ハウジング61を装着した移動基台66と、を備える。移動基台66は、被案内レール661を有し、この被案内レール661をハウジング53の支持板54に設けられた案内レール55に移動可能に嵌合することにより研削手段60が上下方向に移動可能に支持される。
The grinding means 60 includes a
また、研削送り手段70は、研削手段60の移動基台66を案内レール55に沿って移動させることで研削ホイール10を上下方向に研削送りするためのものである。研削送り手段70は、支持板54に案内レール55と平行に上下方向に配設され回転可能に支持された雄ねじロッド71と、雄ねじロッド71を回転駆動するためのパルスモータ72と、移動基台66に装着され雄ねじロッド71と螺合する雌ねじブロック(図示せず)と、を備える。
The grinding feed means 70 is for grinding and feeding the grinding
ウエーハ51を保持したチャックテーブル52が回転するとともに、モータ65によって研削ホイール10が回転しながら研削手段60が研削送り手段70によって下降することによって、回転する研削ホイール10のセグメント型の砥石20がウエーハ51の上面に接触して研削が行われる。このとき、図4に示すように、研削水供給源から、スピンドル64、マウント63内の通路、並びに研削ホイール30の研削水供給路32を経て、ウエーハ51の上面を研削中の砥石20周りに研削水が供給され、砥石20の冷却と研削屑の排出とがなされる。
The chuck table 52 holding the
ここで、本実施の形態の研削ホイール10の砥石20による研削動作について説明する。図5は、本実施の形態の砥石20の表面状態を顕微鏡により撮影した様子を示す図である。本実施の形態の砥石20によれば、図5中の吹出し部分に模式的に示すように、その構成要素であるフェノール樹脂によるレジンボンド21と、ダイヤモンド砥粒による超砥粒22と、ニッケル球による略真球形状の微細な金属球23と、を含むが、黒丸で示すように金属球23の脱落跡24も多数確認されたものである。
Here, the grinding operation by the
すなわち、本実施の形態の砥石20は、微細な金属球23を混入することにより、当りが比較的ソフトな金属球23が超砥粒22(ダイヤモンド砥粒)と研削対象であるウエーハ51との間で緩衝材として機能するとともに、金属球23が熱伝導率に優れることによる冷却機能、金属球23が真球で砥石20表面から脱落しやすいことにより誘発される超砥粒22(ダイヤモンド砥粒)の脱落による発刃機能、と相俟ってSIC等の難削材で形成されたウエーハ51を面焼け、ムシレ等を生ずることなく効率よく研削することができることとなる。
That is, in the
ここで、本実施の形態の研削ホイール10と従来の研削ホイールとを用いたSICウエーハの研削実験結果について説明する。まず、研削対象となるウエーハ51は、直径3インチ、厚さ380μmのSICウエーハを直径4インチのガラスウエーハ上に貼り付けたものとした。また、従来の研削ホイールの砥石は、ビトリファイドボンドに超砥粒を混錬して形成されたものとした。また、研削条件は、いずれも、スピンドル64の回転数2500rpm、チャックテーブル51の回転数7rpm、研削水量3.0リットル/minとし、研削送り速度は従来の研削ホイールが0.2μm/sであり、本実施の形態の研削ホイール10が0.5μm/sとした。
Here, the grinding experiment result of the SIC wafer using the
図6は、このような実験の結果を示す図である。従来方式の研削ホイールを用いた研削装置では、スピンドル負荷電力値が設定値(1500W)をオーバーし、研削が途中で終了してしまい、さらには、高い研削負荷によりサンプルウエーハが破損してしまったものである。これに対して、本実施の形態の砥石20を有する研削ホイール10を用いた研削装置では、研削毎にスピンドル負荷電力値が上昇するものの、研削可能であることが確認できたものである。
FIG. 6 is a diagram showing the results of such an experiment. In a grinding apparatus using a conventional grinding wheel, the spindle load power value exceeded the set value (1500 W), the grinding was terminated in the middle, and the sample wafer was damaged due to a high grinding load. Is. On the other hand, in the grinding apparatus using the
なお、本実施の形態では、研削対象となるウエーハ51として、SICウエーハの場合への適用例で説明したが、サファイヤー、リチウムタンタレート等の難削材で形成されたウエーハ51の研削加工に適用するようにしてもよい。
In this embodiment, the example of application to the case of a SIC wafer has been described as the
10 研削ホイール
20 砥石
21 レジンボンド
22 超砥粒
23 微細な金属球
30 ホイール基台
41 成形物
42 焼結物
44 ボンド剤
DESCRIPTION OF
Claims (8)
前記砥石は、レジンボンドと、超砥粒と、微細な金属球と、を少なくとも含むことを特徴とする研削ホイール。 A grinding wheel comprising at least a grindstone and a wheel base for holding the grindstone in an annular shape,
The grinding wheel according to claim 1, wherein the grinding wheel includes at least a resin bond, superabrasive grains, and fine metal balls.
レジンボンドと、超砥粒と、微細な金属球と、を適宜の割合で混錬し所定形状の成形物を生成する成形ステップと、
前記成形物を160℃〜180℃の温度で半日焼結して焼結物を生成する焼結ステップと、
前記焼結物を所定形状のセグメント型の砥石に成形するセグメント成形ステップと、
前記セグメント型の砥石を環状の前記ホイール基台にボンド剤を介して結合する結合ステップと、
を備えることを特徴とする研削ホイールの製造方法。 A grinding wheel comprising at least a grindstone and a wheel base for holding the grindstone in an annular shape,
A molding step in which a resin bond, superabrasive grains, and fine metal spheres are kneaded at an appropriate ratio to produce a molded product having a predetermined shape,
A sintering step of sintering the molded product at a temperature of 160 ° C. to 180 ° C. for half a day to produce a sintered product;
A segment molding step of molding the sintered product into a segment-shaped grindstone having a predetermined shape;
A bonding step of bonding the segment-type grindstone to the annular wheel base via a bonding agent;
A method for producing a grinding wheel, comprising:
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006131708A JP2007301665A (en) | 2006-05-10 | 2006-05-10 | Grinding wheel and its manufacturing method |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006131708A JP2007301665A (en) | 2006-05-10 | 2006-05-10 | Grinding wheel and its manufacturing method |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007301665A true JP2007301665A (en) | 2007-11-22 |
Family
ID=38836049
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006131708A Pending JP2007301665A (en) | 2006-05-10 | 2006-05-10 | Grinding wheel and its manufacturing method |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2007301665A (en) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102008060199A1 (en) | 2008-03-21 | 2009-10-15 | Tokyo Seimitsu Co. Ltd., Mitaka-shi | Method for evaluating the processing quality for wafer grinding machine and wafer grinding machine |
JP2012135854A (en) * | 2010-12-28 | 2012-07-19 | Disco Corp | Method for grinding lithium tantalate |
CN104669131A (en) * | 2015-02-16 | 2015-06-03 | 江西峰竺新材料科技有限公司 | Calcium sulfate whisker reinforced resin grinding wheel and preparation method thereof |
KR20200038183A (en) | 2018-10-02 | 2020-04-10 | 가부시기가이샤 디스코 | Manufacturing method of grinding wheel |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11300623A (en) * | 1998-04-20 | 1999-11-02 | Mitsubishi Materials Corp | Resin board grinding wheel |
-
2006
- 2006-05-10 JP JP2006131708A patent/JP2007301665A/en active Pending
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11300623A (en) * | 1998-04-20 | 1999-11-02 | Mitsubishi Materials Corp | Resin board grinding wheel |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102008060199A1 (en) | 2008-03-21 | 2009-10-15 | Tokyo Seimitsu Co. Ltd., Mitaka-shi | Method for evaluating the processing quality for wafer grinding machine and wafer grinding machine |
US8055374B2 (en) | 2008-03-21 | 2011-11-08 | Tokyo Seimitsu Co., Ltd. | Machining quality judging method for wafer grinding machine and wafer grinding machine |
JP2012135854A (en) * | 2010-12-28 | 2012-07-19 | Disco Corp | Method for grinding lithium tantalate |
CN104669131A (en) * | 2015-02-16 | 2015-06-03 | 江西峰竺新材料科技有限公司 | Calcium sulfate whisker reinforced resin grinding wheel and preparation method thereof |
KR20200038183A (en) | 2018-10-02 | 2020-04-10 | 가부시기가이샤 디스코 | Manufacturing method of grinding wheel |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN100486765C (en) | Grinding polishing method based on magnetic rheology effect and its polishing device | |
CN201026589Y (en) | Magnetorheological device for grinding and polishing plane surface | |
CN201026588Y (en) | Magnetorheological apparatus for grinding and polishing curved surface | |
TW200917372A (en) | Grinding method for wafer | |
CN105458840B (en) | A kind of magnetostatic dynamic field MRF mechanism experimental rig and its processing method | |
JP5179158B2 (en) | Dresser board | |
JP2012056013A (en) | Grinding wheel | |
TWI811552B (en) | Synthetic grinding stone | |
JP5443192B2 (en) | Processing method of sapphire substrate | |
JP2007301665A (en) | Grinding wheel and its manufacturing method | |
CN117840916A (en) | Chemical mechanical polishing apparatus and method of operating the same | |
TW201038362A (en) | Assembled grinding machine and manufacturing method thereof | |
JP2012089628A (en) | Grinding wheel | |
CN105609414B (en) | Method for grinding workpiece | |
JPH11207632A (en) | Polisher, manufacture of the same and polishing tool | |
JP2013099831A (en) | Grinding stone | |
JP2007067166A (en) | Chemomechanical polishing method of sic substrate | |
JP5127270B2 (en) | Dressing method and dresser board | |
CN104526497B (en) | Sapphire sheet edge polishing method | |
JP5501785B2 (en) | Processing method of sapphire substrate | |
CN107042467A (en) | Nm deep damages layer mechanochemistry method for grinding | |
TW201248710A (en) | Method for grinding wafer | |
JP2016132070A (en) | Grinding wheel and grinding device | |
JP2008229761A (en) | Dry type grinding stone | |
JP2023139462A (en) | Grinding wheel and grinding device |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20090415 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20111014 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Effective date: 20111025 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20111220 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20120703 |