JP2007299978A - Light-emitting device and its manufacturing method, and electronic instrument - Google Patents

Light-emitting device and its manufacturing method, and electronic instrument Download PDF

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JP2007299978A JP2006127418A JP2006127418A JP2007299978A JP 2007299978 A JP2007299978 A JP 2007299978A JP 2006127418 A JP2006127418 A JP 2006127418A JP 2006127418 A JP2006127418 A JP 2006127418A JP 2007299978 A JP2007299978 A JP 2007299978A
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light
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Toshiaki Miyao
敏明 宮尾
Shinsuke Fujikawa
紳介 藤川
Hiroaki Jo
宏明 城
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To homogenize the thickness of a light emitting layer when a light emitting device is manufactured by forming the light emitting layer by applying a material. <P>SOLUTION: A light emitting device 10 is provided. The light emitting device 10 has a light transparent substrate 11; a disc-like light emitting element 12 which comprises a part of a light emitting layer 22 formed on the substrate 11, and emits light upon receiving the supply of a current; and a light screening structure (power supply wiring SL) which positions between the substrate 11 and the light emitting layer 22, and encircles the light emitting element 12 without overlapping the light emitting element 12 viewed from a direction vertical to the substrate 11. A part or the entire of an end of the light emitting element 12 side of the structure is curved along the circumferential end of the light emitting element 12 in a view from the vertical direction with respect to the substrate 11. <P>COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT

Description

本発明は、発光素子を備えた発光装置とその製造方法とこの発光装置を利用した電子機
器に関する。 The present invention relates to a light emitting device including a light emitting element, a manufacturing method thereof, and an electronic apparatus using the light emitting device.

発光層を電極で挟んだ構成の発光素子を備えた発光装置の一種に、ボトムエミッション
型の発光装置がある（特許文献１参照）。この種の発光装置では、基板上に形成された発
光素子が面発光し、この発光素子からの光が、この基板を透過して出射する。したがって
、基板と発光層との間にある電源配線やコンタクト等の遮光性の構造物は、基板に垂直な
方向において、発光素子（開口）に重ならないように配置されている。
特開２０００−３５６９６３号公報（図１および図２） One type of light-emitting device including a light-emitting element having a structure in which a light-emitting layer is sandwiched between electrodes is a bottom emission type light-emitting device (see Patent Document 1). In this type of light emitting device, the light emitting element formed on the substrate emits surface light, and light from the light emitting element is transmitted through the substrate and emitted. Therefore, a light-shielding structure such as a power supply wiring and a contact between the substrate and the light emitting layer is arranged so as not to overlap the light emitting element (opening) in a direction perpendicular to the substrate.
JP 2000-356963 A (FIGS. 1 and 2)

上記の発光装置を電子写真方式の画像形成装置における露光装置として用いる場合、光
源となる発光素子には、発光面の輝度の均一化が求められる。この要請の背景には、感光
体ドラム等の像担持体に結ばれるスポット像内に階調のムラがあると、形成される画像の
品質が低くなってしまう、という事情がある。発光面の輝度を均一とするためには、発光
素子内の発光層の厚みの均一化が重要である。しかし、材料の塗布により発光層を形成す
る場合、発光層の厚みには上記の構造物の影響が及ぶため、発光素子内の発光層の厚みを
厳密に均一とするのは困難である。 When the above light emitting device is used as an exposure device in an electrophotographic image forming apparatus, the light emitting element serving as the light source is required to have uniform luminance on the light emitting surface. The background of this request is that the quality of the formed image is lowered if there is uneven gradation in the spot image connected to an image carrier such as a photosensitive drum. In order to make the luminance of the light emitting surface uniform, it is important to make the thickness of the light emitting layer in the light emitting element uniform. However, when the light emitting layer is formed by applying a material, the thickness of the light emitting layer is affected by the structure described above, and thus it is difficult to make the thickness of the light emitting layer in the light emitting element strictly uniform.

そこで、本出願人は、スポット像の階調ムラを抑えるのではなく、スポット像の階調ム
ラが画像の品質に与える影響を小さくするアプローチを採り、スポット像の階調ムラのう
ち、画像の品質に与える影響が大きい階調ムラを抑えること、具体的には、スポット像の
輪郭が不鮮明となる階調ムラを抑えることを考えた。この階調ムラを抑えるためには、発
光素子内の、その周端から等距離の範囲における発光層の厚みを均一化すること、すなわ
ち発光層の厚みの均質化が重要となる。 Therefore, the present applicant does not suppress the gradation unevenness of the spot image, but takes an approach of reducing the influence of the gradation unevenness of the spot image on the image quality. The inventors have considered to suppress gradation unevenness that has a large effect on quality, and specifically to suppress gradation unevenness in which the contour of a spot image is unclear. In order to suppress this gradation unevenness, it is important to equalize the thickness of the light emitting layer in the light emitting element within a range equidistant from the peripheral edge, that is, to uniform the thickness of the light emitting layer.

しかし、スポット像の輪郭が不鮮明となる階調ムラを抑えるために発光層の厚みの均質
化が重要となることや、材料の塗布により発光層を形成する場合に上記の構造物の影響が
発光層の厚みに及ぶことは知られておらず、材料の塗布により発光層を形成する場合に発
光層の厚みの均質化を実現するための技術は提案されていない。
そこで、本発明は、発光層が材料の塗布により形成される場合に発光層の厚みの均質化
を実現可能な発光装置とその製造方法とこの発光装置を利用した電子機器を提供する。 However, it is important to homogenize the thickness of the light-emitting layer in order to suppress uneven gradation in which the contours of the spot image are unclear, and the effects of the above structures emit light when the light-emitting layer is formed by applying a material. It is not known that the thickness of the light-emitting layer extends, and a technique for realizing a uniform light-emitting layer thickness when a light-emitting layer is formed by applying a material has not been proposed.
Therefore, the present invention provides a light emitting device capable of realizing the homogenization of the thickness of the light emitting layer when the light emitting layer is formed by application of a material, a manufacturing method thereof, and an electronic apparatus using the light emitting device.

本発明に係る発光装置は、透光性の基板と、前記基板上に形成された発光層の一部また
は全部を含み、電気エネルギの供給を受けて発光する円盤状の発光素子と、前記基板と前
記発光層との間にあり、前記基板に垂直な方向から見て前記発光素子に重ならずに前記発
光素子を取り巻いている構造物とを備え、前記基板に垂直な方向から見て、前記構造物の
前記発光素子側の端の一部または全部は、前記発光素子の周端に沿って湾曲している、こ
とを特徴としている。
ここで「発光素子」とは、固体の層状の発光部を電極で挟んでなり、電気エネルギの供
給を受けて面発光する素子である。発光素子としては、ＯＬＥＤ（Organic Light Emit
ting Diode）や、無機ＥＬ（Electro Luminescent）素子、無機ＬＥＤ（Light Emitti
ng Diode）を例示することができる。
この発光装置では、発光層が透光性の基板上に形成されており、かつ、基板と垂直な方
向から見て、基板と発光層との間にある遮光性の構造物は発光素子に重なっていないから
、発光素子からの光が基板を透過して出射する形態、すなわちボトムエミッション型の構
成を採ることができる。なお、この発光装置では、発光素子からの光が基板とは反対の側
から出射するトップエミッション型の構成をも採用可能である。
この発光装置では、基板に垂直な方向から見た場合、構造物の発光素子側の端には、発
光素子の周端に沿って湾曲している部分が含まれている。発光素子は円盤状であるから、
この部分が発光素子の周端に沿って湾曲していない形態に比較すると、基板に垂直な方向
から見た場合の、構造物の発光素子側の端と発光素子の周端との距離が、より均一となる
。すなわち、発光素子内の、その周端から等距離の範囲における発光層の厚みに及ぶ構造
物の影響が均一化される。よって、この発光装置によれば、発光層が材料の塗布により形
成される場合に発光層の厚みの均質化を実現可能である。なお、材料の塗布によって発光
層を形成する方法としては、スピンコート法やインクジェット法を例示することができる
。
この発光装置では、構造物の発光素子側の端と発光素子の周端との距離がより均一とな
るから、ボトムエミッション型の構成を採る場合には、出射光の光束の基板に平行な断面
の形状（例えば基板表面の光が出射する領域の形状）を発光素子の形状に近づけること、
および当該断面の面積を小さくすることが可能である。この特徴は、ボトムエミッション
型の構成を採る場合に、発光素子からの光が基板表面の光を出射すべきでない領域から出
射してしまう現象（漏れ発光）の防止に寄与する。
発光層の厚みの均質化および漏れ発光の防止は、像担持体と、前記像担持体を帯電させ
る帯電器と、前記像担持体の帯電された面に前記露光装置からの光を照射して潜像を形成
する露光装置と、前記潜像にトナーを付着させて顕像を形成する現像器とを備え、前記顕
像を他の物体に転写することを特徴とする画像形成装置において、前記露光装置として上
記の発光装置を用いる場合に、像担持体に形成される潜像の鮮明化、すなわち形成される
画像の高品質化につながる。 A light-emitting device according to the present invention includes a light-transmitting substrate, a disc-shaped light-emitting element that includes part or all of a light-emitting layer formed on the substrate, and emits light when supplied with electric energy, and the substrate And a structure surrounding the light emitting element without overlapping the light emitting element when viewed from a direction perpendicular to the substrate, and viewed from a direction perpendicular to the substrate, Part or all of the end of the structure on the light emitting element side is curved along the peripheral end of the light emitting element.
Here, the “light-emitting element” is an element that has a solid layered light-emitting portion sandwiched between electrodes and emits surface light upon receiving electric energy. As a light emitting element, OLED (Organic Light Emit
ting Diode), inorganic EL (Electro Luminescent) element, inorganic LED (Light Emitti)
ng Diode).
In this light-emitting device, the light-emitting layer is formed over the light-transmitting substrate, and the light-blocking structure between the substrate and the light-emitting layer overlaps the light-emitting element when viewed from the direction perpendicular to the substrate. Therefore, it is possible to adopt a configuration in which light from the light emitting element is transmitted through the substrate and emitted, that is, a bottom emission type configuration. Note that this light-emitting device can also employ a top emission type structure in which light from the light-emitting element is emitted from the side opposite to the substrate.
In this light emitting device, when viewed from the direction perpendicular to the substrate, the end of the structure on the light emitting element side includes a portion that is curved along the peripheral edge of the light emitting element. Since the light emitting element is disk-shaped,
Compared to a form in which this portion is not curved along the peripheral edge of the light emitting element, the distance between the light emitting element side end of the structure and the peripheral end of the light emitting element when viewed from the direction perpendicular to the substrate is It becomes more uniform. That is, the influence of the structure over the thickness of the light emitting layer in the range of the same distance from the peripheral edge in the light emitting element is made uniform. Therefore, according to this light-emitting device, when the light-emitting layer is formed by applying a material, it is possible to achieve a uniform thickness of the light-emitting layer. As a method for forming the light emitting layer by applying a material, a spin coating method or an ink jet method can be exemplified.
In this light emitting device, the distance between the end of the structure on the light emitting element side and the peripheral end of the light emitting element becomes more uniform. Therefore, in the case of adopting a bottom emission type configuration, a cross section parallel to the substrate of the luminous flux of the emitted light The shape of the substrate (for example, the shape of the region where light on the substrate surface emits) approaches the shape of the light emitting element,
In addition, the area of the cross section can be reduced. This feature contributes to prevention of a phenomenon (leakage light emission) in which light from the light emitting element is emitted from a region where the light on the surface of the substrate should not be emitted when a bottom emission type configuration is adopted.
The homogenization of the light emitting layer thickness and the prevention of leakage light emission are achieved by irradiating light from the exposure device onto the image carrier, a charger for charging the image carrier, and a charged surface of the image carrier. An image forming apparatus comprising: an exposure device that forms a latent image; and a developing unit that forms a visible image by attaching toner to the latent image, wherein the visible image is transferred to another object. When the above light emitting device is used as the exposure device, the latent image formed on the image carrier is sharpened, that is, the quality of the formed image is improved.

この発光装置において、上記の湾曲している部分の長さを発光素子のサイズに応じて定
めてもよい。例えば、上記の湾曲している部分は発光素子の径または周よりも長い、と定
めてもよい。なお、上記の湾曲している部分が複数の部分から構成される場合、これら複
数の部分の長さの和が、上記の湾曲している部分の長さに相当する。また、上記の発光装
置において、基板に垂直な方向から見て、上記の湾曲している部分が発光素子の周端から
等距離の範囲に位置している、ようにしてもよい。この範囲の幅は、基板に垂直な方向か
ら見て当該範囲内に対象の部分が位置していれば、発光層の周端の厚みが略均一となる、
というように定められる。 In this light emitting device, the length of the curved portion may be determined according to the size of the light emitting element. For example, the curved portion may be determined to be longer than the diameter or circumference of the light emitting element. In addition, when said curved part is comprised from several parts, the sum of the length of these several parts is equivalent to the length of said curved part. Further, in the above light emitting device, the curved portion may be located in a range equidistant from the peripheral edge of the light emitting element when viewed from the direction perpendicular to the substrate. The width of this range is substantially uniform in the thickness of the peripheral edge of the light emitting layer if the target portion is located within the range when viewed from the direction perpendicular to the substrate.
It is determined as follows.

上記の発光装置において、上記の構造物は、導電性の材料から形成された部材であって
もよい。このような部材としては、発光素子に電気エネルギを供給するための配線を例示
することができる。この配線を上記の構造物とする場合、この配線が、漏れ発光の防止の
ための遮光部材を兼ねることになるから、この配線とは別に遮光部材を備える形態に比較
して、構成が簡素となる。なお、発光素子に電気エネルギを供給するための配線としては
、電気エネルギの供給源に電気的に接続された電源配線や、発光素子に電気的に接続され
た接続配線、電源配線と接続配線とを含む配線を例示することができる。 In the above light emitting device, the structure may be a member formed of a conductive material. As such a member, a wiring for supplying electric energy to the light emitting element can be exemplified. When this wiring is the above-described structure, this wiring also serves as a light shielding member for preventing leakage light emission. Therefore, the configuration is simple compared to a configuration including a light shielding member separately from this wiring. Become. Note that the wiring for supplying electrical energy to the light emitting element includes a power supply wiring electrically connected to a supply source of electrical energy, a connection wiring electrically connected to the light emitting element, a power supply wiring and a connection wiring, Examples of wirings including

本発明に係る別の発光装置は、透光性の基板と、前記基板上に形成された発光層の一部
または全部を含み、電気エネルギの供給を受けて発光する盤状の発光素子と、前記基板と
前記発光層との間に形成された第１層の一部または全部である遮光性の第１構造物と、前
記第１層と前記発光層との間に形成された第２層の一部または全部である遮光性の第２構
造物とを備え、前記基板に垂直な方向から見て、前記第１構造物および前記第２構造物は
共同で前記発光素子を取り巻いており、前記基板に垂直な方向から見て、前記第１構造物
および第２構造物は前記発光素子に重なっておらず、前記第１構造物の前記発光素子側の
端の一部または全部、および前記第２構造物の前記発光素子側の端の一部または全部は、
前記発光素子の周端から等距離の範囲に位置している、ことを特徴としている。
この発光装置では、発光層が透光性の基板上に形成されており、かつ、基板と垂直な方
向から見て、基板と発光層との間にある遮光性の第１構造物および第２構造物はいずれも
発光素子に重なっていないから、ボトムエミッション型の構成を採ることができる。
この発光装置では、基板に垂直な方向から見た場合、第１構造物の発光素子側の端およ
び第２構造物の発光素子側の端の各々には、発光素子の周端から等距離の範囲に位置して
いる部分が含まれている。したがって、このような部分を持たない形態に比較すると、第
１構造物の発光素子側の端および第２構造物の発光素子側の端と発光素子の周端との距離
が、より均一となる。すなわち、発光素子内の、その周端から等距離の範囲における発光
層の厚みに及ぶ構造物の影響が均一化される。よって、この発光装置によれば、発光層が
材料の塗布により形成される場合に発光層の厚みの均質化を実現可能である。
この発光装置では、第１構造物の発光素子側の端および第２構造物の発光素子側の端と
発光素子の周端との距離がより均一となるから、ボトムエミッション型の構成を採る場合
には、出射光の光束の基板に平行な断面の形状を発光素子の形状に近づけること、および
当該断面の面積を小さくすることが可能である。この特徴は、ボトムエミッション型の構
成を採る場合に、漏れ発光の防止に寄与する。
この発光装置において、第１構造物の発光素子側の端のうち上記の等距離の範囲に位置
している部分の長さと、第２構造物の発光素子側の端のうち上記の等距離の範囲に位置し
ている部分の長さとの和を、発光素子のサイズに応じて定めてもよい。例えば、上記の和
は発光素子の径または周よりも長い、と定めてもよい。なお、第１構造物の発光素子側の
端に含まれる、上記の等距離の範囲に位置している部分の長さは、当該部分が複数の部分
から構成される場合には、これら複数の部分の長さの和である。これと同等のことが第２
構造物についてもあてはまる。
また、この発光装置において、発光素子の形状は円盤状であってもよい。また、この発
光装置において、第１構造物および第２構造物の一方または両方は、導電性の材料から形
成された部材であってもよい。このような部材の具体例は前述の通りである。 Another light-emitting device according to the present invention includes a light-transmitting substrate, a disc-shaped light-emitting element that includes a part or all of a light-emitting layer formed on the substrate, and emits light when supplied with electric energy; A light-shielding first structure that is a part or all of the first layer formed between the substrate and the light-emitting layer, and a second layer formed between the first layer and the light-emitting layer A light-shielding second structure that is a part or all of the light-emitting element, and when viewed from a direction perpendicular to the substrate, the first structure and the second structure jointly surround the light-emitting element, When viewed from the direction perpendicular to the substrate, the first structure and the second structure do not overlap the light emitting element, and part or all of the end of the first structure on the light emitting element side, and the Part or all of the end of the second structure on the light emitting element side is:
It is located in the range of equidistance from the peripheral edge of the said light emitting element.
In this light-emitting device, the light-emitting layer is formed on a light-transmitting substrate, and when viewed from the direction perpendicular to the substrate, the first light-shielding structure and the second light-blocking structure between the substrate and the light-emitting layer. Since none of the structures overlaps with the light emitting element, a bottom emission type configuration can be adopted.
In this light emitting device, when viewed from the direction perpendicular to the substrate, each of the light emitting element side end of the first structure and the light emitting element side end of the second structure is equidistant from the peripheral edge of the light emitting element. The part located in the range is included. Therefore, the distance between the light emitting element side end of the first structure and the light emitting element side end of the second structure and the peripheral edge of the light emitting element becomes more uniform as compared with a configuration without such a portion. . That is, the influence of the structure over the thickness of the light emitting layer in the range of the same distance from the peripheral edge in the light emitting element is made uniform. Therefore, according to this light-emitting device, when the light-emitting layer is formed by applying a material, it is possible to achieve a uniform thickness of the light-emitting layer.
In this light emitting device, when the distance between the light emitting element side end of the first structure and the light emitting element side end of the second structure and the peripheral end of the light emitting element becomes more uniform, a bottom emission type configuration is adopted. In this case, it is possible to bring the shape of the cross section of the emitted light beam parallel to the substrate closer to the shape of the light emitting element and to reduce the area of the cross section. This feature contributes to prevention of leakage light emission when a bottom emission type configuration is adopted.
In this light emitting device, the length of the portion of the first structure on the light emitting element side located in the equidistant range, and the end of the second structure on the light emitting element side of the equidistant You may determine the sum with the length of the part located in the range according to the size of a light emitting element. For example, the above sum may be determined to be longer than the diameter or circumference of the light emitting element. In addition, the length of the part located in the range of the above equidistance included in the end of the first structure on the light emitting element side is such that when the part is composed of a plurality of parts, It is the sum of the lengths of the parts. Equivalent to this is the second
The same applies to structures.
In this light emitting device, the light emitting element may have a disk shape. In the light emitting device, one or both of the first structure and the second structure may be a member formed of a conductive material. Specific examples of such members are as described above.

本発明に係る電子機器は、本発明に係る発光装置を備えることを特徴としている。した
がって、この電子機器によれば、備えている発光装置により得られる効果を得ることがで
きる。 An electronic apparatus according to the present invention includes the light emitting device according to the present invention. Therefore, according to this electronic apparatus, the effect obtained by the light emitting device provided can be obtained.

本発明に係る発光装置の製造方法は、透光性の基板と、前記基板上に配列され、電気エ
ネルギの供給を受けて発光する円盤状の発光素子とを備える発光装置の製造方法において
、前記発光素子を取り巻く遮光性の構造物を前記基板上に形成する第１工程と、前記第１
工程の後に、前記基板上に材料の塗布により前記発光素子の発光層を形成する第２工程と
を有し、前記第１工程では、前記基板に垂直な方向から見て、前記構造物の前記発光素子
側の端の一部または全部が、前記発光素子の周端に沿って湾曲するように、前記構造物を
形成する、ことを特徴としている。
本発明に係る別の発光装置の製造方法は、透光性の基板と、前記基板上に配列され、電
気エネルギの供給を受けて発光する盤状の発光素子とを備える発光装置の製造方法におい
て、前記基板上に遮光性の第１層を形成する第１工程と、前記第１層上に遮光性の第２層
を形成する第２工程と、前記第２層上に材料の塗布により前記発光素子の発光層を形成す
る第３工程とを有し、前記第１工程および前記第２工程では、前記基板に垂直な方向から
見て、前記第１層の一部または全部である第１構造物と前記第２層の一部または全部であ
る第２構造物とが共同で前記発光素子を取り巻き、前記第１構造物の前記発光素子側の端
の一部または全部と前記第２構造物の前記発光素子側の端の一部または全部とが、当該発
光素子の周端から等距離の範囲に位置するように、前記構造物を配置する、ことを特徴と
している。
上記の各製造方法によれば、発光層の厚みの均質化を実現しつつ、発光層を材料の塗布
により形成することができる。また、この製造方法によれば、漏れ発光を防止可能なボト
ムエミッション型の発光装置を製造することができる。 A method for manufacturing a light emitting device according to the present invention includes: a light transmissive substrate; and a disk-shaped light emitting element that is arranged on the substrate and emits light upon receiving electric energy. A first step of forming a light-shielding structure surrounding the light-emitting element on the substrate;
And a second step of forming a light emitting layer of the light emitting element by applying a material on the substrate after the step. In the first step, the structure of the structure is viewed from a direction perpendicular to the substrate. The structure is formed such that a part or all of the end on the light emitting element side is curved along the peripheral end of the light emitting element.
Another method for manufacturing a light-emitting device according to the present invention is a method for manufacturing a light-emitting device including a light-transmitting substrate and a disk-shaped light-emitting element that is arranged on the substrate and emits light when supplied with electric energy. A first step of forming a light-shielding first layer on the substrate; a second step of forming a light-shielding second layer on the first layer; and applying a material on the second layer. A third step of forming a light emitting layer of the light emitting element. In the first step and the second step, the first step is a part or all of the first layer as viewed from a direction perpendicular to the substrate. The structure and the second structure, which is a part or all of the second layer, collectively surround the light emitting element, and part or all of the end of the first structure on the light emitting element side and the second structure. A part or all of the end of the object on the light emitting element side is in a range equidistant from the peripheral end of the light emitting element Is disposed so that the structure is characterized by.
According to each of the above manufacturing methods, the light emitting layer can be formed by applying the material while realizing the homogenization of the thickness of the light emitting layer. Further, according to this manufacturing method, a bottom emission type light emitting device capable of preventing leakage light emission can be manufactured.

図面を参照しながら本発明の実施の形態を説明する。なお、以下の各図面においては、
各部の寸法の比率を便宜的に実際のものとは相違させている。 Embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. In the following drawings,
The ratio of the dimensions of each part is made different from the actual one for convenience.

＜発光装置＞
まず、図１を参照し、本発明の実施の形態に係る発光装置１０の構成を概説する。発光
装置１０は、電子写真方式の画像形成装置における像担持体の像形成面（例えば感光体ド
ラムの外周面）に光を照射して潜像を書き込むライン型の光ヘッド（露光装置）として用
いられる。 <Light emitting device>
First, the configuration of a light emitting device 10 according to an embodiment of the present invention will be outlined with reference to FIG. The light-emitting device 10 is used as a line-type optical head (exposure device) that irradiates light onto an image forming surface (for example, the outer peripheral surface of a photosensitive drum) of an image carrier in an electrophotographic image forming apparatus and writes a latent image. It is done.

図１は、本発明の実施の形態に係る発光装置１０の平面図である。この図に示すように
、発光装置１０は、透光性の基板１１と、基板１１上に形成された複数の発光素子１２と
を有し、各発光素子１２からの光が基板１１を透過して出射するボトムエミッション型の
構成を採っている。基板１１は、ガラスやプラスチック等の光透過率の高い材料から形成
された平板である。複数の発光素子１２は、基板１１上で、一方向に沿って二列千鳥状に
配列されている。なお、本実施の形態を変形し、複数の発光素子１２の配列パターンを単
列としてもよいし、三列以上としてもよい。 FIG. 1 is a plan view of a light emitting device 10 according to an embodiment of the present invention. As shown in this figure, the light-emitting device 10 includes a light-transmitting substrate 11 and a plurality of light-emitting elements 12 formed on the substrate 11, and light from each light-emitting element 12 passes through the substrate 11. The bottom emission type configuration is used. The substrate 11 is a flat plate formed from a material having high light transmittance such as glass or plastic. The plurality of light emitting elements 12 are arranged in a zigzag pattern in two rows along one direction on the substrate 11. Note that the present embodiment may be modified so that the arrangement pattern of the plurality of light emitting elements 12 may be a single row or three or more rows.

発光素子１２は、円（真円）盤状のＯＬＥＤであり、電流の供給を受け、キャリヤの再
結合および励起子の励起を経て、この電流に応じて面発光する。発光素子１２は、有機Ｅ
Ｌ材料から形成された層状の発光部と、発光部を挟む二つの電極とを有する。二つの電極
のうち、一方は陽極となり、他方は陰極となる。 The light-emitting element 12 is a circular (perfect circle) disk-shaped OLED, which is supplied with current, undergoes recombination of carriers and excitation of excitons, and emits light according to the current. The light emitting element 12 is organic E
It has a layered light emitting part formed of L material and two electrodes sandwiching the light emitting part. One of the two electrodes is an anode, and the other is a cathode.

次に、図２および図３を参照し、発光装置１０の構成を詳説する。図２は、図１に示す
発光装置１０の部分Ｇの平面図であり、図３は、図２のＡ−Ａ線矢視断面図である。ただ
し、図２においては、図面の繁雑化を避けるために、要部のみを示してある。部分Ｇは、
発光装置１０を貫通しており、一つの発光素子１２を含む。 Next, the configuration of the light emitting device 10 will be described in detail with reference to FIGS. 2 and 3. 2 is a plan view of a portion G of the light-emitting device 10 shown in FIG. 1, and FIG. 3 is a cross-sectional view taken along line AA in FIG. However, in FIG. 2, only the main part is shown in order to avoid complication of the drawing. Part G is
It penetrates the light emitting device 10 and includes one light emitting element 12.

図３に示すように、基板１１上には、下から順に、他の層の下地となる下地層１３、シ
リコン等の半導体材料によって形成された遮光性の半導体層１４、透光性の絶縁層（ゲー
ト酸化膜）１５、アルミニウム等の導電性材料から形成された遮光性のゲート電極層１６
、透光性の絶縁層１７、アルミニウム等の導電性材料から形成された遮光性の電源層１８
、透光性の絶縁層１９、透光性の陽極層２０、絶縁層２１、有機ＥＬ材料から形成された
発光層２２、アルミニウム等の導電性材料から形成された陰極層２３が積層されている。
陰極層２３上には、複数の発光素子１２を覆って外気から保護する封止層（図示略）が形
成されている。 As shown in FIG. 3, on the substrate 11, in order from the bottom, a base layer 13 as a base of other layers, a light-shielding semiconductor layer 14 formed of a semiconductor material such as silicon, and a light-transmitting insulating layer (Gate oxide film) 15, light-shielding gate electrode layer 16 formed of a conductive material such as aluminum
A light-transmitting insulating layer 17 and a light-shielding power supply layer 18 formed of a conductive material such as aluminum.
A light-transmitting insulating layer 19, a light-transmitting anode layer 20, an insulating layer 21, a light-emitting layer 22 formed of an organic EL material, and a cathode layer 23 formed of a conductive material such as aluminum are laminated. .
On the cathode layer 23, a sealing layer (not shown) that covers the plurality of light emitting elements 12 and protects from the outside air is formed.

また、基板１１上には、発光素子１２毎に、薄膜トランジスタＴｒが形成されている。
薄膜トランジスタＴｒのチャネル型はｐでもｎでもよいが、本実施の形態では、ｐチャネ
ル型の薄膜トランジスタＴｒを採用している。各薄膜トランジスタＴｒは、対応する発光
素子１２に電流を供給して当該発光素子１２を駆動する。薄膜トランジスタＴｒは、ゲー
ト電極Ｇｔと、絶縁層１５を挟んでゲート電極Ｇｔと対向する層状の半導体ＳＣとを有す
る。ゲート電極Ｇｔはゲート電極層１６の一部であり、半導体ＳＣは半導体層１４の一部
である。半導体ＳＣは、ゲート電極Ｇｔに対向するチャネル領域ＣＲと、チャネル領域Ｃ
Ｒを挟むソース領域ＳＲおよびドレイン領域ＤＲとを含む。 A thin film transistor Tr is formed on the substrate 11 for each light emitting element 12.
The channel type of the thin film transistor Tr may be p or n, but in this embodiment, a p channel type thin film transistor Tr is employed. Each thin film transistor Tr supplies a current to the corresponding light emitting element 12 to drive the light emitting element 12. The thin film transistor Tr includes a gate electrode Gt and a layered semiconductor SC facing the gate electrode Gt with the insulating layer 15 interposed therebetween. The gate electrode Gt is a part of the gate electrode layer 16, and the semiconductor SC is a part of the semiconductor layer 14. The semiconductor SC includes a channel region CR facing the gate electrode Gt and a channel region C.
It includes a source region SR and a drain region DR that sandwich R.

薄膜トランジスタＴｒは、ソース電極Ｓｔおよびドレイン電極Ｄｔを有する。ソース電
極Ｓｔは、電流の供給源に電気的に接続された電源配線ＳＬの一部であり、ソース領域Ｓ
Ｒに導通しており、一定の電位（高電位）に維持される。電源配線ＳＬは、電源層１８の
一部であり、複数の発光素子１２に共通して形成されている。ドレイン電極Ｄｔは、電源
層１８の一部であり、ドレイン領域ＤＲおよび接続配線ＣＬに導通している。接続配線Ｃ
Ｌは、ゲート電極層１６の一部であり、発光素子１２毎に形成され、対応するドレイン電
極Ｄｔおよび対応する陽極Ｐｔに導通している。陽極Ｐｔは陽極層２０の一部であり、発
光素子１２毎に存在する。つまり、接続配線ＣＬは、対応する発光素子１２に電気的に接
続されている。なお、複数の陽極Ｐｔは相互に絶縁されている。 The thin film transistor Tr has a source electrode St and a drain electrode Dt. The source electrode St is a part of the power supply line SL electrically connected to the current supply source, and the source region S
Conductive to R and maintained at a constant potential (high potential). The power supply line SL is a part of the power supply layer 18 and is formed in common to the plurality of light emitting elements 12. The drain electrode Dt is a part of the power supply layer 18 and is electrically connected to the drain region DR and the connection wiring CL. Connection wiring C
L is a part of the gate electrode layer 16 and is formed for each light emitting element 12 and is electrically connected to the corresponding drain electrode Dt and the corresponding anode Pt. The anode Pt is a part of the anode layer 20 and exists for each light emitting element 12. That is, the connection wiring CL is electrically connected to the corresponding light emitting element 12. The plurality of anodes Pt are insulated from each other.

以上説明した構造は絶縁層１９に覆われており、絶縁層１９上には複数の発光素子１２
が形成されている。各発光素子１２は、陽極として陽極Ｐｔを有し、陰極として陰極層２
３の一部を有する。陽極層２０は、発光素子毎に、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）のよう
に光透過率が十分に高い材料から形成されており、接続配線ＣＬに導通している。陰極層
２３は複数の発光素子１２に共通して形成されており、一定の電位（低電位）に維持され
る。したがって、発光素子１２には、この発光素子１２に対応する薄膜トランジスタＴｒ
のゲート電極Ｇｔと電源配線ＳＬの電位差に応じた電流が供給される。 The structure described above is covered with the insulating layer 19, and a plurality of light emitting elements 12 are formed on the insulating layer 19.
Is formed. Each light emitting element 12 has an anode Pt as an anode and a cathode layer 2 as a cathode.
3 part. The anode layer 20 is formed of a material having a sufficiently high light transmittance such as ITO (Indium Tin Oxide) for each light emitting element, and is electrically connected to the connection wiring CL. The cathode layer 23 is formed in common to the plurality of light emitting elements 12 and is maintained at a constant potential (low potential). Therefore, the light emitting element 12 includes a thin film transistor Tr corresponding to the light emitting element 12.
A current corresponding to the potential difference between the gate electrode Gt and the power supply line SL is supplied.

陽極層２０と発光層２２の間には、絶縁層２１が選択的に介在し、直径がＬの真円状の
開口を画定している。一方、本実施の形態では、発光装置１０内で、相互に重なっている
陽極層２０、発光層２２および陰極層２３が占めている領域のうち、基板１１に垂直な方
向において絶縁層２１に重なっていない複数の領域をそれぞれ占めている複数の物体の各
々を、発光素子１２としている。よって、絶縁層２１により画定されている複数の開口と
複数の発光素子１２はそれぞれ完全に重なっており、各発光素子１２内の発光層２２（以
降、「発光部Ｐ」と称する）は、当該発光素子１２に電流が供給されると、全域にわたっ
て面発光する。 An insulating layer 21 is selectively interposed between the anode layer 20 and the light emitting layer 22 to define a perfect circular opening having a diameter L. On the other hand, in the present embodiment, in the region occupied by the anode layer 20, the light emitting layer 22, and the cathode layer 23 that overlap each other in the light emitting device 10, it overlaps the insulating layer 21 in the direction perpendicular to the substrate 11. Each of the plurality of objects that respectively occupy a plurality of areas that are not used is a light emitting element 12. Therefore, the plurality of openings defined by the insulating layer 21 and the plurality of light emitting elements 12 completely overlap each other, and the light emitting layer 22 in each light emitting element 12 (hereinafter referred to as “light emitting portion P”) When a current is supplied to the light emitting element 12, surface emission occurs over the entire area.

前述のように、発光装置１０はボトムエミッション型の構成をとっている。したがって
、発光層２２の下層に存在する、電源層１８およびゲート電極層１６等の遮光性の構造物
は、基板１１に垂直な方向において発光素子１２と重ならないように配置されている。よ
って、発光素子１２からの光のうち、発光装置１０から出射されるべき光は、発光層２２
の下層に存在する遮光性の構造物に遮られることなく、基板１１を透過して出射する。一
方、発光素子１２からの光のうち、発光装置１０から出射されるべきでない光は、上記の
遮光性の構造物に遮られる。つまり、漏れ発光が防止され、発光装置１０を画像形成装置
の光ヘッドとして用いる場合には、画像形成装置の担持体の像形成面に形成されるスポッ
ト像のサイズが小さくなり、当該スポット像の形状が発光素子１２の形状（真円状）に近
いものとなる。 As described above, the light emitting device 10 has a bottom emission type configuration. Therefore, the light-shielding structures such as the power supply layer 18 and the gate electrode layer 16 existing below the light emitting layer 22 are arranged so as not to overlap the light emitting element 12 in the direction perpendicular to the substrate 11. Therefore, the light to be emitted from the light emitting device 10 among the light from the light emitting element 12 is the light emitting layer 22.
The light is transmitted through the substrate 11 without being blocked by the light blocking structure existing in the lower layer. On the other hand, light that should not be emitted from the light emitting device 10 among the light from the light emitting element 12 is blocked by the light blocking structure. That is, leakage light emission is prevented, and when the light emitting device 10 is used as an optical head of an image forming apparatus, the size of the spot image formed on the image forming surface of the carrier of the image forming apparatus is reduced. The shape is close to the shape (perfect circle) of the light emitting element 12.

発光装置１０の製造工程では、まず、基板１１上に下地層１３を形成する。次に、下地
層１３上に、半導体層１４を、後に形成される薄膜トランジスタＴｒ（発光素子１２）毎
に選択的に形成し、その上に絶縁層１５を形成する。次に、絶縁層１５上に、ゲート電極
層１６（ゲート電極Ｇｔおよび接続配線ＣＬ）を薄膜トランジスタＴｒ（発光素子１２）
毎に選択的に形成し、その上に絶縁層１７を形成し、絶縁層１７の一部にスルーホールを
形成する。 In the manufacturing process of the light emitting device 10, first, the base layer 13 is formed on the substrate 11. Next, the semiconductor layer 14 is selectively formed on the base layer 13 for each thin film transistor Tr (light emitting element 12) to be formed later, and the insulating layer 15 is formed thereon. Next, the gate electrode layer 16 (the gate electrode Gt and the connection wiring CL) is formed on the insulating layer 15 with the thin film transistor Tr (the light emitting element 12).
Each layer is selectively formed, and an insulating layer 17 is formed thereon, and a through hole is formed in a part of the insulating layer 17.

次に、絶縁層１７上に、電源層１８を選択的に形成し、その上に、絶縁層１９を形成す
る。これにより、電源層１８の電源配線ＳＬ（ソース電極Ｓｔ）はスルーホールを介して
複数の薄膜トランジスタＴｒのソース領域ＳＲに電気的に接続され、電源層１８の各ドレ
イン電極Ｄｔはスルーホールを介して各薄膜トランジスタＴｒのドレイン領域ＤＲおよび
接続配線ＣＬに電気的に接続される。電源層１８の形成は、基板１１に垂直な方向から見
て、後に形成される複数の発光素子１２の各々が電源配線ＳＬに取り巻かれ、電源配線Ｓ
Ｌの最寄りの発光素子１２側の端ＳＬａの一部が当該発光素子１２の周端１２ａに沿って
湾曲するように行われる。 Next, the power source layer 18 is selectively formed on the insulating layer 17, and the insulating layer 19 is formed thereon. Thereby, the power supply line SL (source electrode St) of the power supply layer 18 is electrically connected to the source regions SR of the plurality of thin film transistors Tr through the through holes, and each drain electrode Dt of the power supply layer 18 is connected through the through holes. The thin film transistor Tr is electrically connected to the drain region DR and the connection wiring CL. When the power supply layer 18 is formed as viewed from the direction perpendicular to the substrate 11, each of the plurality of light emitting elements 12 to be formed later is surrounded by the power supply line SL.
A part of the end SLa on the light emitting element 12 side closest to L is curved along the peripheral end 12 a of the light emitting element 12.

次に、絶縁層１７および絶縁層１９を貫通するスルーホールを形成し、絶縁層１９上に
、陽極層２０を薄膜トランジスタＴｒ（発光素子１２）毎に選択的に形成する。これによ
り、各陽極層２０は各接続配線ＣＬに電気的に接続される。次に、各陽極層２０の一部を
覆うように絶縁層２１を薄膜トランジスタＴｒ（発光素子１２）毎に選択的に形成する。
次に、発光層２２をスピンコート法によって形成し、その上に陰極層２３を形成する。 Next, a through hole penetrating the insulating layer 17 and the insulating layer 19 is formed, and the anode layer 20 is selectively formed on the insulating layer 19 for each thin film transistor Tr (light emitting element 12). Thereby, each anode layer 20 is electrically connected to each connection wiring CL. Next, an insulating layer 21 is selectively formed for each thin film transistor Tr (light emitting element 12) so as to cover a part of each anode layer 20.
Next, the light emitting layer 22 is formed by spin coating, and the cathode layer 23 is formed thereon.

こうして、陽極層２０、発光層２２および陰極層２３を含む基板１１上の領域において
、基板１１に垂直な方向において絶縁層２１に重なっていない複数の領域（直径がＬの真
円状の開口に重なっている複数の領域）が、それぞれ、陽極Ｐｔおよび発光部Ｐを備える
発光素子１２となる。次に、陰極層２３上に封止層（図示略）を形成する。こうして、発
光装置１０が完成する。 Thus, in a region on the substrate 11 including the anode layer 20, the light emitting layer 22, and the cathode layer 23, a plurality of regions that do not overlap with the insulating layer 21 in the direction perpendicular to the substrate 11 (into a circular opening having a diameter L). A plurality of overlapping regions) becomes the light emitting element 12 including the anode Pt and the light emitting part P, respectively. Next, a sealing layer (not shown) is formed on the cathode layer 23. Thus, the light emitting device 10 is completed.

上述したように、発光層２２の形成では、スピンコート法が用いられる。したがって、
発光部Ｐの厚みは、基板１１と発光層２２との間の遮光性の構造物のうち、発光素子１２
の最も近くに配置されている構造物（本実施の形態では、電源配線ＳＬおよび接続配線Ｃ
Ｌ）の影響を受ける。この種の構造物を、以降、「影響構造物」と称する。影響構造物の
影響が発光部Ｐの全域にわたって均質であれば、発光部Ｐの厚みが均質となる。この影響
を発光部Ｐの全域にわたって均質化するには、基板１１に垂直な方向から見た場合の、影
響構造物の発光素子１２側の端と発光素子１２の周端１２ａとの距離を均一化する必要が
ある。 As described above, the spin coating method is used to form the light emitting layer 22. Therefore,
The thickness of the light emitting portion P is the light emitting element 12 among the light shielding structures between the substrate 11 and the light emitting layer 22.
(In this embodiment, the power supply wiring SL and the connection wiring C
L). This type of structure is hereinafter referred to as an “affected structure”. If the influence of the influence structure is uniform over the entire area of the light emitting part P, the thickness of the light emitting part P becomes uniform. In order to homogenize this influence over the entire area of the light emitting portion P, the distance between the end of the influence structure on the light emitting element 12 side and the peripheral end 12a of the light emitting element 12 when viewed from the direction perpendicular to the substrate 11 is uniform. It is necessary to make it.

図２に示すように、発光装置１０では、基板１１に垂直な方向から見て、各発光素子１
２が電源配線ＳＬにより取り巻かれており、電源配線ＳＬの各発光素子１２側の端ＳＬａ
の一部が当該発光素子１２の周端１２ａに沿って湾曲している。この湾曲している部分の
各部と当該発光素子１２の周端１２ａとの距離は、一定の距離（ｄ）に略等しくなってい
る。したがって、発光装置１０によれば、この湾曲している部分を電源配線ＳＬの当該発
光素子１２側の端ＳＬａが含まない形態に比較して、基板１１に垂直な方向から見た場合
の、電源配線ＳＬの発光素子１２側の端ＳＬａと発光素子１２の周端１２ａとの距離を、
均一化することができる。 As shown in FIG. 2, in the light emitting device 10, each light emitting element 1 is viewed from a direction perpendicular to the substrate 11.
2 is surrounded by the power supply line SL, and the end SLa on the light emitting element 12 side of the power supply line SL.
Is curved along the peripheral end 12 a of the light emitting element 12. The distance between each portion of the curved portion and the peripheral end 12a of the light emitting element 12 is substantially equal to a certain distance (d). Therefore, according to the light emitting device 10, the power supply when the curved portion is viewed from the direction perpendicular to the substrate 11 as compared with the configuration in which the end SLa on the light emitting element 12 side of the power supply wiring SL is not included. The distance between the end SLa of the wiring SL on the light emitting element 12 side and the peripheral end 12a of the light emitting element 12 is
It can be made uniform.

また、発光装置１０では、基板１１に垂直な方向から見て、電源配線ＳＬと各発光素子
１２の陽極Ｐｔに電気的に接続されている接続配線ＣＬとが共同で当該発光素子１２を取
り巻いており、接続配線ＣＬの当該発光素子１２側の端ＣＬａの一部と、当該発光素子１
２の周端１２ａとの間隔（最短距離）は、一定の距離（ｄ）に略等しくなっている。した
がって、発光装置１０によれば、基板１１に垂直な方向から見た場合の、電源配線ＳＬお
よび接続配線ＣＬの当該発光素子１２側の端と当該発光素子１２の周端１２ａとの距離を
、より均一化することができる。 In the light emitting device 10, when viewed from the direction perpendicular to the substrate 11, the power supply wiring SL and the connection wiring CL electrically connected to the anode Pt of each light emitting element 12 jointly surround the light emitting element 12. A part of the end CLa of the connection wiring CL on the light emitting element 12 side, and the light emitting element 1
The distance (shortest distance) from the peripheral edge 12a of 2 is substantially equal to a certain distance (d). Therefore, according to the light emitting device 10, when viewed from the direction perpendicular to the substrate 11, the distance between the end of the power supply wiring SL and the connection wiring CL on the light emitting element 12 side and the peripheral end 12 a of the light emitting element 12 is It can be made more uniform.

以上説明したように、発光装置１０よれば、影響構造物の発光素子１２側の端と当該発
光素子１２の周端１２ａとの距離を均一化することができる。したがって、影響構造物の
影響を発光部Ｐの全域にわたって均質化し、発光部Ｐの厚みを均質化することができる。
この効果は、発光装置１０のエミッション型に関わらずに得られる。なお、本発明に係る
発光装置は、発光装置１０に限定されるものではなく、発光装置１０に種々の変形を加え
て得られる変形例もまた本発明に係る発光装置である。そのような変形例について、次に
列記する。 As described above, according to the light emitting device 10, the distance between the end of the influence structure on the light emitting element 12 side and the peripheral end 12 a of the light emitting element 12 can be made uniform. Therefore, the influence of the influence structure can be homogenized over the entire area of the light emitting part P, and the thickness of the light emitting part P can be made uniform.
This effect can be obtained regardless of the emission type of the light emitting device 10. Note that the light emitting device according to the present invention is not limited to the light emitting device 10, and modifications obtained by adding various modifications to the light emitting device 10 are also the light emitting device according to the present invention. Such modifications are listed below.

図４は、発光装置１０の第１の変形例に係る発光装置の一部の平面図である。この変形
例では、複数の発光素子１２の各々に対して複数（図では４つ）の接続配線ＣＬが設けら
れており、電源配線ＳＬの当該発光素子１２側の端ＳＬａの当該発光素子１２の周端１２
ａに沿って湾曲している部分は複数（図では４つ）に分かれている。一つの発光素子１２
に注目すると、基板１１に垂直な方向から見て、各接続配線ＣＬの当該発光素子１２側の
端の一部と当該発光素子１２の周端１２ａとの間隔は、一定の距離（ｄ）に略等しくなっ
ている。 FIG. 4 is a plan view of a part of the light emitting device according to the first modification of the light emitting device 10. In this modification, a plurality (four in the figure) of connection wirings CL are provided for each of the plurality of light emitting elements 12, and the light emitting elements 12 of the end SLa on the light emitting element 12 side of the power supply wiring SL are provided. Perimeter 12
A portion curved along a is divided into a plurality (four in the figure). One light emitting element 12
When viewed from the direction perpendicular to the substrate 11, the distance between a part of the end of each connection wiring CL on the light emitting element 12 side and the peripheral end 12 a of the light emitting element 12 is a constant distance (d). It is almost equal.

図５は、発光装置１０の第２の変形例に係る発光装置の一部の平面図である。この変形
例では、発光素子１２の形状が楕円状になっている。これは一例に過ぎず、真円や楕円以
外の形状とすることも可能である。 FIG. 5 is a plan view of a part of the light emitting device according to the second modification of the light emitting device 10. In this modification, the shape of the light emitting element 12 is elliptical. This is only an example, and shapes other than a perfect circle and an ellipse can be used.

図６は、発光装置１０の第３の変形例に係る発光装置の一部の平面図である。この変形
例では、複数の発光素子１２の各々が電源配線ＳＬによって囲まれている。つまり、電源
配線ＳＬの発光素子１２側の端の全部が発光素子１２の周端に沿って湾曲しており、電源
配線ＳＬの発光素子１２側の端の各部と発光素子１２の周端との距離は、一定の距離（ｄ
）に略等しくなっている。このため、影響構造物となるのは電源配線ＳＬのみである。 FIG. 6 is a plan view of a part of the light emitting device according to the third modification of the light emitting device 10. In this modification, each of the plurality of light emitting elements 12 is surrounded by the power supply line SL. That is, all of the ends of the power supply wiring SL on the light emitting element 12 side are curved along the peripheral edge of the light emitting element 12, and each portion of the end of the power supply wiring SL on the light emitting element 12 side and the peripheral end of the light emitting element 12 The distance is a constant distance (d
). For this reason, only the power supply wiring SL becomes an influence structure.

図７は、発光装置１０の第４の変形例に係る発光装置の一部の平面図である。この変形
例では、発光装置１０の陽極Ｐｔに電気的に接続されている接続配線ＣＬの当該発光装置
１０側の端が、当該発光装置１０の周端１２ａに沿って湾曲している。この湾曲している
部分の各部と当該発光素子１２の周端１２ａとの距離は、一定の距離（ｄ）に略等しくな
っている。なお、図には、発光装置１０の陽極Ｐｔに電気的に接続されている接続配線Ｃ
Ｌの当該発光装置１０側の端の全部が湾曲している例を示したが、一部が湾曲しているよ
うにしてもよい。 FIG. 7 is a plan view of a part of the light emitting device according to the fourth modification of the light emitting device 10. In this modification, the end on the light emitting device 10 side of the connection wiring CL electrically connected to the anode Pt of the light emitting device 10 is curved along the peripheral end 12 a of the light emitting device 10. The distance between each portion of the curved portion and the peripheral end 12a of the light emitting element 12 is substantially equal to a certain distance (d). In the figure, the connection wiring C electrically connected to the anode Pt of the light emitting device 10 is shown.
Although an example in which all of the end of L on the light emitting device 10 side is curved is shown, a part of the end may be curved.

第１〜第４の変形例にせよ、発光装置１０にせよ、湾曲している部分の長さを発光素子
のサイズに応じて定めるのが好適である。例えば、湾曲している部分の長さが発光素子１
２の径（直径または半径）または周よりも長くなるように定めることが考えられる。なお
、この第１の変形例では湾曲している部分が４つに分かれており、また第４の変形例では
湾曲している部分が２つに分かれているから、発光素子１２の径（直径または半径）また
は周と比較すべきは、これらの部分の長さの和となる。 Whether in the first to fourth modified examples or in the light emitting device 10, it is preferable that the length of the curved portion is determined according to the size of the light emitting element. For example, the length of the curved portion is the light emitting element 1.
It is conceivable that the diameter is set to be longer than the diameter (diameter or radius) or the circumference of 2. In the first modification example, the curved portion is divided into four parts, and in the fourth modification example, the curved part is divided into two parts. Or radius) or circumference should be the sum of the lengths of these parts.

ゲート電極層１６とは別に接続配線ＣＬ専用の層を設け、この層の全部を接続配線ＣＬ
としてもよい。
スピンコート法ではなく、インクジェット法によって発光層２２を形成するようにして
もよい。この場合にも、発光層２２が材料の塗布によって形成されるから、上記の効果を
得ることができる。 In addition to the gate electrode layer 16, a layer dedicated to the connection wiring CL is provided, and all of this layer is connected to the connection wiring CL.
It is good.
The light emitting layer 22 may be formed by an ink jet method instead of the spin coating method. Also in this case, since the light emitting layer 22 is formed by applying a material, the above-described effect can be obtained.

発光素子１２として、無機ＥＬ素子や無機ＬＥＤを採用してもよい。無機ＥＬ素子は、
無機ＥＬ材料から形成された層状の発光部と、発光部を挟む二つの電極とを有し、電圧の
供給を受け、励起子の励起を経て、この電圧に応じて面発光する。無機ＬＥＤは、無機材
料から形成された層状の発光部と、発光部を挟む二つの電極とを有し、電流の供給を受け
、キャリヤの再結合を経て、励起子の励起を経ずに、この電流に応じて面発光する。これ
らのことから明らかなように、電源配線ＳＬおよび接続配線ＣＬは、発光素子１２へ電気
エネルギを供給するための配線である。 As the light emitting element 12, an inorganic EL element or an inorganic LED may be adopted. Inorganic EL elements
It has a layered light emitting portion formed of an inorganic EL material and two electrodes sandwiching the light emitting portion, receives a voltage supply, undergoes excitation of excitons, and emits light according to this voltage. An inorganic LED has a layered light-emitting portion formed of an inorganic material and two electrodes sandwiching the light-emitting portion, receives a current supply, undergoes carrier recombination, and does not undergo exciton excitation. Surface light is emitted according to this current. As is clear from these, the power supply wiring SL and the connection wiring CL are wirings for supplying electric energy to the light emitting element 12.

＜画像形成装置＞
図８は、本発明の実施の形態に係る画像形成装置の縦断面図である。この画像形成装置
は、ベルト中間転写体方式を利用したタンデム型のフルカラー画像形成装置である。この
画像形成装置は、上述した発光装置１０またはその変形例に係る発光装置を含む、同様な
構成の光ヘッド１０Ｋ，１０Ｃ，１０Ｍ，１０Ｙを備える。４個の光ヘッド１０Ｋ，１０
Ｃ，１０Ｍ，１０Ｙは、４個の感光体ドラム（像担持体）１１０Ｋ，１１０Ｃ，１１０Ｍ
，１１０Ｙの露光位置に、複数の発光素子１２の配列方向と対応する感光体ドラムの回転
軸とが平行となるように、それぞれ配置されている。 <Image forming apparatus>
FIG. 8 is a longitudinal sectional view of the image forming apparatus according to the embodiment of the present invention. This image forming apparatus is a tandem type full-color image forming apparatus using a belt intermediate transfer body system. This image forming apparatus includes optical heads 10K, 10C, 10M, and 10Y having the same configuration, including the light emitting device 10 described above or a light emitting device according to a modification thereof. Four optical heads 10K, 10
C, 10M, and 10Y are four photosensitive drums (image carriers) 110K, 110C, and 110M.
, 110Y are arranged so that the arrangement direction of the plurality of light emitting elements 12 and the rotation axis of the corresponding photosensitive drum are parallel to each other.

図８に示すように、この画像形成装置には、駆動ローラ１２１と従動ローラ１２２が設
けられており、これらのローラ１２１，１２２には無端の中間転写ベルト１２０が巻回さ
れて、矢印に示すようにローラ１２１，１２２の周囲を回転させられる。図示しないが、
中間転写ベルト１２０に張力を与えるテンションローラなどの張力付与手段を設けてもよ
い。 As shown in FIG. 8, this image forming apparatus is provided with a driving roller 121 and a driven roller 122, and an endless intermediate transfer belt 120 is wound around these rollers 121 and 122, as indicated by arrows. Thus, the periphery of the rollers 121 and 122 is rotated. Although not shown,
A tension applying unit such as a tension roller that applies tension to the intermediate transfer belt 120 may be provided.

この中間転写ベルト１２０の周囲には、互いに所定間隔をおいて４個の外周面に感光層
を有する感光体ドラム１１０Ｋ，１１０Ｃ，１１０Ｍ，１１０Ｙが配置される。添え字Ｋ
，Ｃ，Ｍ，Ｙはそれぞれ黒、シアン、マゼンタ、イエローの顕像を形成するために使用さ
れることを意味している。他の部材についても同様である。感光体ドラム１１０Ｋ，１１
０Ｃ，１１０Ｍ，１１０Ｙは、中間転写ベルト１２０の駆動と同期して回転駆動される。 Around the intermediate transfer belt 120, photosensitive drums 110K, 110C, 110M, and 110Y having photosensitive layers on four outer peripheral surfaces are arranged at predetermined intervals. Subscript K
, C, M, and Y mean that they are used to form visible images of black, cyan, magenta, and yellow, respectively. The same applies to other members. Photosensitive drums 110K and 11
0C, 110M, and 110Y are rotationally driven in synchronization with the driving of the intermediate transfer belt 120.

各感光体ドラム１１０（Ｋ，Ｃ，Ｍ，Ｙ）の周囲には、コロナ帯電器１１１（Ｋ，Ｃ，
Ｍ，Ｙ）と、光ヘッド１０（Ｋ，Ｃ，Ｍ，Ｙ）と、現像器１１４（Ｋ，Ｃ，Ｍ，Ｙ）が配
置されている。コロナ帯電器１１１（Ｋ，Ｃ，Ｍ，Ｙ）は、対応する感光体ドラム１１０
（Ｋ，Ｃ，Ｍ，Ｙ）の外周面を一様に帯電させる。光ヘッド１０（Ｋ，Ｃ，Ｍ，Ｙ）は、
感光体ドラムの帯電させられた外周面に静電潜像を書き込む。各光ヘッド１０（Ｋ，Ｃ，
Ｍ，Ｙ）は、複数のＯＬＥＤ素子１４の配列方向が感光体ドラム１１０（Ｋ，Ｃ，Ｍ，Ｙ
）の母線（主走査方向）に沿うように設置される。静電潜像の書き込みは、上記の複数の
ＯＬＥＤ素子１４により光を感光体ドラムに照射することにより行う。現像器１１４（Ｋ
，Ｃ，Ｍ，Ｙ）は、静電潜像に現像剤としてのトナーを付着させることにより感光体ドラ
ムに顕像すなわち可視像を形成する。 Around each photosensitive drum 110 (K, C, M, Y), a corona charger 111 (K, C,
M, Y), an optical head 10 (K, C, M, Y), and a developing device 114 (K, C, M, Y) are arranged. Corona chargers 111 (K, C, M, Y) have corresponding photosensitive drums 110.
The outer peripheral surface of (K, C, M, Y) is uniformly charged. The optical head 10 (K, C, M, Y)
An electrostatic latent image is written on the charged outer peripheral surface of the photosensitive drum. Each optical head 10 (K, C,
M, Y) indicates that the arrangement direction of the plurality of OLED elements 14 is the photosensitive drum 110 (K, C, M, Y).
) Along the bus (in the main scanning direction). The electrostatic latent image is written by irradiating the photosensitive drum with light from the plurality of OLED elements 14. Developer 114 (K
, C, M, and Y) form a visible image, ie, a visible image, on the photosensitive drum by attaching toner as a developer to the electrostatic latent image.

このような４色の単色顕像形成ステーションにより形成された黒、シアン、マゼンタ、
イエローの各顕像は、中間転写ベルト１２０上に順次一次転写されることにより、中間転
写ベルト１２０上で重ね合わされて、この結果フルカラーの顕像が得られる。中間転写ベ
ルト１２０の内側には、４つの一次転写コロトロン（転写器）１１２（Ｋ，Ｃ，Ｍ，Ｙ）
が配置されている。一次転写コロトロン１１２（Ｋ，Ｃ，Ｍ，Ｙ）は、感光体ドラム１１
０（Ｋ，Ｃ，Ｍ，Ｙ）の近傍にそれぞれ配置されており、感光体ドラム１１０（Ｋ，Ｃ，
Ｍ，Ｙ）から顕像を静電的に吸引することにより、感光体ドラムと一次転写コロトロンの
間を通過する中間転写ベルト１２０に顕像を転写する。 Black, cyan, magenta, and black formed by such a four-color monochromatic image forming station
The yellow visible images are sequentially primary-transferred onto the intermediate transfer belt 120 to be superimposed on the intermediate transfer belt 120, and as a result, a full-color visible image is obtained. Inside the intermediate transfer belt 120, four primary transfer corotrons (transfer units) 112 (K, C, M, Y) are provided.
Is arranged. The primary transfer corotron 112 (K, C, M, Y) is connected to the photosensitive drum 11.
0 (K, C, M, Y) are arranged in the vicinity of the photosensitive drum 110 (K, C,
The visible image is electrostatically attracted from (M, Y) to transfer the visible image to the intermediate transfer belt 120 passing between the photosensitive drum and the primary transfer corotron.

最終的に画像を形成する対象としてのシート１０２は、ピックアップローラ１０３によ
って、給紙カセット１０１から１枚ずつ給送されて、駆動ローラ１２１に接した中間転写
ベルト１２０と二次転写ローラ１２６の間のニップに送られる。中間転写ベルト１２０上
のフルカラーの顕像は、二次転写ローラ１２６によってシート１０２の片面に一括して二
次転写され、定着部である定着ローラ対１２７を通ることでシート１０２上に定着される
。この後、シート１０２は、排紙ローラ対１２８によって、装置上部に形成された排紙カ
セット上へ排出される。 A sheet 102 as an object on which an image is finally formed is fed one by one from the sheet feeding cassette 101 by the pickup roller 103, and between the intermediate transfer belt 120 and the secondary transfer roller 126 in contact with the driving roller 121. Sent to the nip. The full-color visible image on the intermediate transfer belt 120 is secondarily transferred to one side of the sheet 102 by the secondary transfer roller 126 and fixed on the sheet 102 by passing through a fixing roller pair 127 as a fixing unit. . Thereafter, the sheet 102 is discharged onto a paper discharge cassette formed on the upper part of the apparatus by a paper discharge roller pair 128.

図９は、本発明の実施の形態に係る他の画像形成装置の縦断面図である。この画像形成
装置は、ベルト中間転写体方式を利用したロータリ現像式のフルカラー画像形成装置であ
る。図９に示す画像形成装置において、感光体ドラム（像担持体）１６５の周囲には、コ
ロナ帯電器１６８、ロータリ式の現像ユニット１６１、光ヘッド１６７、中間転写ベルト
１６９が設けられている。 FIG. 9 is a longitudinal sectional view of another image forming apparatus according to the embodiment of the present invention. This image forming apparatus is a rotary developing type full-color image forming apparatus using a belt intermediate transfer body system. In the image forming apparatus shown in FIG. 9, a corona charger 168, a rotary developing unit 161, an optical head 167, and an intermediate transfer belt 169 are provided around a photosensitive drum (image carrier) 165.

コロナ帯電器１６８は、感光体ドラム１６５の外周面を一様に帯電させる。光ヘッド１
６７は、感光体ドラム１６５の帯電させられた外周面に静電潜像を書き込む。光ヘッド１
６７は、発光装置１０またはその変形例に係る発光装置を含む露光装置であり、複数の発
光素子１２の配列方向と感光体ドラム１６５の回転軸とが平行となるように設置される。
静電潜像の書き込みは、上記の複数の発光素子１２により光を感光体ドラムに照射するこ
とにより行う。 The corona charger 168 uniformly charges the outer peripheral surface of the photosensitive drum 165. Optical head 1
67 writes an electrostatic latent image on the charged outer peripheral surface of the photosensitive drum 165. Optical head 1
Reference numeral 67 denotes an exposure apparatus including the light emitting device 10 or a light emitting device according to a modification thereof, and is installed so that the arrangement direction of the plurality of light emitting elements 12 and the rotation axis of the photosensitive drum 165 are parallel.
The electrostatic latent image is written by irradiating the photosensitive drum with light by the plurality of light emitting elements 12 described above.

現像ユニット１６１は、４つの現像器１６３Ｙ，１６３Ｃ，１６３Ｍ，１６３Ｋが９０
°の角間隔をおいて配置されたドラムであり、軸１６１ａを中心にして反時計回りに回転
可能である。現像器１６３Ｙ，１６３Ｃ，１６３Ｍ，１６３Ｋは、それぞれイエロー、シ
アン、マゼンタ、黒のトナーを感光体ドラム１６５に供給して、静電潜像に現像剤として
のトナーを付着させることにより感光体ドラム１６５に顕像すなわち可視像を形成する。 The developing unit 161 includes four developing units 163Y, 163C, 163M, and 163K.
The drums are arranged at an angular interval of ° and can be rotated counterclockwise about the shaft 161a. The developing units 163Y, 163C, 163M, and 163K supply yellow, cyan, magenta, and black toners to the photosensitive drum 165, respectively, and attach the toner as a developer to the electrostatic latent image, thereby the photosensitive drum 165. A visible image, that is, a visible image is formed.

無端の中間転写ベルト１６９は、駆動ローラ１７０ａ、従動ローラ１７０ｂ、一次転写
ローラ１６６およびテンションローラに巻回されて、これらのローラの周囲を矢印に示す
向きに回転させられる。一次転写ローラ１６６は、感光体ドラム１６５から顕像を静電的
に吸引することにより、感光体ドラムと一次転写ローラ１６６の間を通過する中間転写ベ
ルト１６９に顕像を転写する。 The endless intermediate transfer belt 169 is wound around a driving roller 170a, a driven roller 170b, a primary transfer roller 166, and a tension roller, and is rotated around these rollers in a direction indicated by an arrow. The primary transfer roller 166 transfers the visible image to the intermediate transfer belt 169 that passes between the photosensitive drum and the primary transfer roller 166 by electrostatically attracting the visible image from the photosensitive drum 165.

具体的には、感光体ドラム１６５の最初の１回転で、露光ヘッド１６７によりイエロー
（Ｙ）像のための静電潜像が書き込まれて現像器１６３Ｙにより同色の顕像が形成され、
さらに中間転写ベルト１６９に転写される。また、次の１回転で、露光ヘッド１６７によ
りシアン（Ｃ）像のための静電潜像が書き込まれて現像器１６３Ｃにより同色の顕像が形
成され、イエローの顕像に重なり合うように中間転写ベルト１６９に転写される。そして
、このようにして感光体ドラム９が４回転する間に、イエロー、シアン、マゼンタ、黒の
顕像が中間転写ベルト１６９に順次重ね合わせられ、この結果フルカラーの顕像が転写ベ
ルト１６９上に形成される。最終的に画像を形成する対象としてのシートの両面に画像を
形成する場合には、中間転写ベルト１６９に表面と裏面の同色の顕像を転写し、次に中間
転写ベルト１６９に表面と裏面の次の色の顕像を転写する形式で、フルカラーの顕像を中
間転写ベルト１６９上で得る。 Specifically, in the first rotation of the photosensitive drum 165, an electrostatic latent image for a yellow (Y) image is written by the exposure head 167, and a developed image of the same color is formed by the developing unit 163Y.
Further, the image is transferred to the intermediate transfer belt 169. Further, in the next rotation, an electrostatic latent image for a cyan (C) image is written by the exposure head 167 and a developed image of the same color is formed by the developing device 163C, and an intermediate transfer is performed so as to overlap the yellow developed image. Transferred to the belt 169. Then, during the four rotations of the photosensitive drum 9, the yellow, cyan, magenta, and black visible images are sequentially superimposed on the intermediate transfer belt 169. As a result, a full-color visible image is formed on the transfer belt 169. It is formed. When images are finally formed on both sides of a sheet as an object on which an image is to be formed, the same color visible images of the front and back surfaces are transferred to the intermediate transfer belt 169, and then the front and back surfaces are transferred to the intermediate transfer belt 169. A full-color visible image is obtained on the intermediate transfer belt 169 by transferring the next-color visible image.

画像形成装置には、シートが通過させられるシート搬送路１７４が設けられている。シ
ートは、給紙カセット１７８から、ピックアップローラ１７９によって１枚ずつ取り出さ
れ、搬送ローラによってシート搬送路１７４を進行させられ、駆動ローラ１７０ａに接し
た中間転写ベルト１６９と二次転写ローラ１７１の間のニップを通過する。二次転写ロー
ラ１７１は、中間転写ベルト１６９からフルカラーの顕像を一括して静電的に吸引するこ
とにより、シートの片面に顕像を転写する。二次転写ローラ１７１は、図示しないクラッ
チにより中間転写ベルト１６９に接近および離間させられるようになっている。そして、
シートにフルカラーの顕像を転写する時に二次転写ローラ１７１は中間転写ベルト１６９
に当接させられ、中間転写ベルト１６９に顕像を重ねている間は二次転写ローラ１７１か
ら離される。 The image forming apparatus is provided with a sheet conveyance path 174 through which a sheet passes. The sheets are picked up one by one from the paper feed cassette 178 by the pick-up roller 179, advanced through the sheet transport path 174 by the transport roller, and between the intermediate transfer belt 169 and the secondary transfer roller 171 in contact with the drive roller 170a. Pass through the nip. The secondary transfer roller 171 transfers the developed image to one side of the sheet by electrostatically attracting a full-color developed image from the intermediate transfer belt 169 collectively. The secondary transfer roller 171 can be moved closer to and away from the intermediate transfer belt 169 by a clutch (not shown). And
The secondary transfer roller 171 moves the intermediate transfer belt 169 when transferring a full-color visible image onto the sheet.
And is separated from the secondary transfer roller 171 while the visible image is superimposed on the intermediate transfer belt 169.

上記のようにして画像が転写されたシートは定着器１７２に搬送され、定着器１７２の
加熱ローラ１７２ａと加圧ローラ１７２ｂの間を通過させられることにより、シート上の
顕像が定着する。定着処理後のシートは、排紙ローラ対１７６に引き込まれて矢印Ｆの向
きに進行する。両面印刷の場合には、シートの大部分が排紙ローラ対１７６を通過した後
、排紙ローラ対１７６が逆方向に回転させられ、矢印Ｇで示すように両面印刷用搬送路１
７５に導入される。そして、二次転写ローラ１７１により顕像がシートの他面に転写され
、再度定着器１７２で定着処理が行われた後、排紙ローラ対１７６でシートが排出される
。 The sheet on which the image has been transferred as described above is conveyed to the fixing device 172 and is passed between the heating roller 172a and the pressure roller 172b of the fixing device 172, whereby the visible image on the sheet is fixed. The sheet after the fixing process is drawn into the discharge roller pair 176 and proceeds in the direction of arrow F. In the case of double-sided printing, after most of the sheet passes through the paper discharge roller pair 176, the paper discharge roller pair 176 is rotated in the reverse direction.
75. Then, the visible image is transferred to the other surface of the sheet by the secondary transfer roller 171, the fixing process is performed again by the fixing device 172, and then the sheet is discharged by the discharge roller pair 176.

上記の各画像形成装置は、光ヘッドとして、発光層の厚みを均質化して漏れ発光を防止
することができる発光装置を用いているから、スポット像の輪郭が不鮮明となる階調ムラ
が抑制され、鮮明な潜像、ひいては鮮明な画像を形成することができる。以上、発光装置
１０またはその変形例に係る発光装置を応用可能な画像形成装置を例示したが、他の電子
写真方式の画像形成装置にも応用することが可能であり、そのような画像形成装置は本発
明の範囲内にある。例えば、中間転写ベルトを使用せずに感光体ドラムから直接シートに
顕像を転写するタイプの画像形成装置や、モノクロの画像を形成する画像形成装置にも応
用することが可能である。
また、発光装置１０またはその変形例に係る発光装置は、画像形成装置以外の電子機器
にも応用可能である。そのような電子機器としては、画像を表示する携帯電話機や、ビデ
オカメラ、コンピュータのディスプレイ等の表示装置を例示することができる。 Each of the above-described image forming apparatuses uses a light-emitting device that can prevent leaked light emission by homogenizing the thickness of the light-emitting layer as an optical head, so that gradation unevenness in which the contour of a spot image becomes unclear is suppressed. A clear latent image, and thus a clear image can be formed. As described above, the image forming apparatus to which the light emitting device 10 or the light emitting device according to the modification thereof can be applied has been exemplified. However, the image forming apparatus can be applied to other electrophotographic image forming apparatuses. Are within the scope of the present invention. For example, the present invention can be applied to an image forming apparatus that transfers a visible image directly from a photosensitive drum to a sheet without using an intermediate transfer belt, and an image forming apparatus that forms a monochrome image.
In addition, the light emitting device 10 or the light emitting device according to the modification can be applied to electronic devices other than the image forming apparatus. Examples of such electronic devices include display devices such as mobile phones that display images, video cameras, and computer displays.

本発明の実施の形態に係る発光装置１０の平面図である。It is a top view of the light-emitting device 10 which concerns on embodiment of this invention. 発光装置１０の部分Ｇの平面図である。3 is a plan view of a part G of the light emitting device 10. FIG. 図２のＡ−Ａ線矢視断面図である。FIG. 3 is a cross-sectional view taken along line AA in FIG. 2. 発光装置１０の第１の変形例に係る発光装置の一部の平面図である。4 is a plan view of a part of a light emitting device according to a first modification of the light emitting device 10. FIG. 発光装置１０の第２の変形例に係る発光装置の一部の平面図である。4 is a plan view of a part of a light emitting device according to a second modification of the light emitting device 10. FIG. 発光装置１０の第３の変形例に係る発光装置の一部の平面図である。6 is a plan view of a part of a light emitting device according to a third modification of the light emitting device 10. FIG. 発光装置１０の第４の変形例に係る発光装置の一部の平面図である。6 is a plan view of a part of a light emitting device according to a fourth modification of the light emitting device 10. FIG. 本発明の実施の形態に係る画像形成装置の縦断面図である。1 is a longitudinal sectional view of an image forming apparatus according to an embodiment of the present invention. 本発明の実施の形態に係る別の画像形成装置の縦断面図である。It is a longitudinal cross-sectional view of another image forming apparatus according to the embodiment of the present invention.

符号の説明Explanation of symbols

１０…発光装置、１１…基板、１２…発光素子、２２…発光層、ＣＬ…接続配線（第１
構造物（構造物））、ＳＬ…電源配線（第２構造物（構造物））。 DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 ... Light-emitting device, 11 ... Board | substrate, 12 ... Light emitting element, 22 ... Light emitting layer, CL ... Connection wiring (1st
Structure (structure)), SL ... power supply wiring (second structure (structure)).

Claims (7)

透光性の基板と、
前記基板上に形成された発光層の一部または全部を含み、電気エネルギの供給を受けて
発光する円盤状の発光素子と、
前記基板と前記発光層との間にあり、前記基板に垂直な方向から見て前記発光素子に重
ならずに前記発光素子を取り巻いている遮光性の構造物とを備え、
前記基板に垂直な方向から見て、前記構造物の前記発光素子側の端の一部または全部は
、前記発光素子の周端に沿って湾曲している、
ことを特徴とする発光装置。 A translucent substrate;
A disc-shaped light-emitting element that includes part or all of the light-emitting layer formed on the substrate and emits light upon receiving electric energy;
A light-shielding structure that is between the substrate and the light-emitting layer and surrounds the light-emitting element without overlapping the light-emitting element when viewed from a direction perpendicular to the substrate;
When viewed from the direction perpendicular to the substrate, part or all of the end of the structure on the light emitting element side is curved along the peripheral end of the light emitting element.
A light emitting device characterized by that. 前記構造物は、前記発光素子に電気エネルギを供給するための配線である、
ことを特徴とする請求項１に記載の発光装置。 The structure is a wiring for supplying electric energy to the light emitting element.
The light-emitting device according to claim 1. 透光性の基板と、
前記基板上に形成された発光層の一部または全部を含み、電気エネルギの供給を受けて
発光する盤状の発光素子と、
前記基板と前記発光層との間に形成された第１層の一部または全部である遮光性の第１
構造物と、
前記第１層と前記発光層との間に形成された第２層の一部または全部である遮光性の第
２構造物とを備え、
前記基板に垂直な方向から見て、前記第１構造物および前記第２構造物は共同で前記発
光素子を取り巻いており、
前記基板に垂直な方向から見て、前記第１構造物および第２構造物は前記発光素子に重
なっておらず、前記第１構造物の前記発光素子側の端の一部または全部、および前記第２
構造物の前記発光素子側の端の一部または全部は、前記発光素子の周端から等距離の範囲
に位置している、
ことを特徴とする発光装置。 A translucent substrate;
A disc-shaped light emitting element that includes part or all of the light emitting layer formed on the substrate and emits light upon receiving electric energy;
A first light-shielding property that is a part or all of the first layer formed between the substrate and the light emitting layer.
A structure,
A light-shielding second structure that is a part or all of a second layer formed between the first layer and the light-emitting layer,
When viewed from a direction perpendicular to the substrate, the first structure and the second structure jointly surround the light emitting element,
When viewed from the direction perpendicular to the substrate, the first structure and the second structure do not overlap the light emitting element, and part or all of the end of the first structure on the light emitting element side, and the Second
A part or all of the end of the structure on the light emitting element side is located in a range equidistant from the peripheral end of the light emitting element.
A light emitting device characterized by that. 前記第１構造物および前記第２構造物の一方または両方は、前記発光素子に電気エネル
ギを供給するための配線である、
ことを特徴とする請求項３に記載の発光装置。 One or both of the first structure and the second structure are wirings for supplying electric energy to the light emitting element.
The light-emitting device according to claim 3. 請求項１ないし４のいずれか一項に記載の発光装置を備える、
ことを特徴とする電子機器。 The light-emitting device according to claim 1 is provided.
An electronic device characterized by that. 透光性の基板と、前記基板上に配列され、電気エネルギの供給を受けて発光する円盤状
の発光素子とを備える発光装置の製造方法において、
前記発光素子を取り巻く遮光性の構造物を前記基板上に形成する第１工程と、
前記第１工程の後に、前記基板上に材料の塗布により前記発光素子の発光層を形成する
第２工程とを有し、
前記第１工程では、前記基板に垂直な方向から見て、前記構造物の前記発光素子側の端
の一部または全部が、前記発光素子の周端に沿って湾曲するように、前記構造物を形成す
る、
ことを特徴とする発光装置の製造方法。 In a manufacturing method of a light-emitting device comprising a light-transmitting substrate and a disk-shaped light-emitting element that is arranged on the substrate and emits light upon receiving electric energy supply,
Forming a light-blocking structure surrounding the light-emitting element on the substrate;
A second step of forming a light emitting layer of the light emitting element by applying a material on the substrate after the first step;
In the first step, when viewed from a direction perpendicular to the substrate, a part or all of the end of the structure on the light emitting element side is curved along the peripheral end of the light emitting element. Forming,
A method for manufacturing a light-emitting device. 透光性の基板と、前記基板上に配列され、電気エネルギの供給を受けて発光する盤状の
発光素子とを備える発光装置の製造方法において、
前記基板上に遮光性の第１層を形成する第１工程と、
前記第１層上に遮光性の第２層を形成する第２工程と、
前記第２層上に材料の塗布により前記発光素子の発光層を形成する第３工程とを有し、
前記第１工程および前記第２工程では、前記基板に垂直な方向から見て、前記第１層の
一部または全部である第１構造物と前記第２層の一部または全部である第２構造物とが共
同で前記発光素子を取り巻き、前記第１構造物の前記発光素子側の端の一部または全部と
前記第２構造物の前記発光素子側の端の一部または全部とが、当該発光素子の周端から等
距離の範囲に位置するように、前記構造物を配置する、
ことを特徴とする発光装置の製造方法。 In a method for manufacturing a light emitting device, comprising: a translucent substrate; and a disk-shaped light emitting element that is arranged on the substrate and emits light upon receiving supply of electrical energy.
A first step of forming a light-shielding first layer on the substrate;
A second step of forming a light-shielding second layer on the first layer;
A third step of forming a light emitting layer of the light emitting element by applying a material on the second layer,
In the first step and the second step, as viewed from a direction perpendicular to the substrate, the first structure that is part or all of the first layer and the second part that is part or all of the second layer. A structure and the structure surround the light emitting element, and part or all of the end of the first structure on the light emitting element side and part or all of the end of the second structure on the light emitting element side are: Arranging the structure so as to be located in an equidistant range from the peripheral edge of the light emitting element,
A method for manufacturing a light-emitting device.
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