JP2007294118A - Organic el display element and its manufacturing method - Google Patents

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健一 太田
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an organic EL display element and its manufacturing method capable of uniformizing the thickness of a light-emitting layer within a display pixel and improving the display quality. <P>SOLUTION: The organic EL display element is configured by comprising: an electrode 12 patterned on one surface of a substrate 11 in conjunction with a pixel; an insulating layer 13 formed on one surface of the substrate 11 so as to surround the electrode 12; a shield portion 14 provided in the insulating layer 13 so as to cover, in a predetermined width, the entire perimeter of the upper surface of the electrode 12 surrounded by the insulating layer 13; and a light-emitting layer 16 formed on the upper surface of the electrode 12 surrounded by the insulating layer 13 and on the upper surface of the shield portion 14 through a hole transporting layer 15. <P>COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT

Description

本発明は、高分子の有機発光層からなる有機ＥＬ（エレクトロルミネセンス）ディスプレイ等に用いられる有機ＥＬ表示素子とその製造方法に関し、特に有機発光層を印刷方式によって形成する有機ＥＬ表示素子及びその製造方法に関する。   The present invention relates to an organic EL display element used for an organic EL (electroluminescence) display composed of a polymer organic light-emitting layer and the like, and a method for producing the same. It relates to a manufacturing method.

有機ＥＬ表示素子は、二つの対向する電極の間に有機発光材料からなる有機発光層を形成し、電極を通して有機発光層に電流を流すことにより発光させるものである。このような有機ＥＬ表示素子を効率良く発光させるには発光層の膜厚が重要であり、１００ｎｍ程度の薄膜にする必要がある。さらに、これをディスプレイ化するには高精細にパターニングする必要がある。   In the organic EL display element, an organic light emitting layer made of an organic light emitting material is formed between two opposing electrodes, and light is emitted by passing a current through the electrode to the organic light emitting layer. In order for such an organic EL display element to emit light efficiently, the film thickness of the light emitting layer is important, and it is necessary to form a thin film of about 100 nm. Further, in order to make this a display, it is necessary to pattern it with high definition.

有機発光材料には、低分子材料と高分子材料があり、一般に低分子材料は抵抗加熱蒸着法等により薄膜形成される。この場合、低分子材料は微細パターンのマスクを用いてパターニングされるが、この方法では基板が大型化すればするほどパターニング精度が出にくいという問題がある。   Organic light-emitting materials include low-molecular materials and high-molecular materials, and low-molecular materials are generally formed into thin films by resistance heating vapor deposition or the like. In this case, the low molecular weight material is patterned using a fine pattern mask, but this method has a problem that the patterning accuracy is less likely to increase as the substrate becomes larger.

そこで、最近では有機発光材料に高分子材料を用い、有機発光材料を溶剤に溶かして塗布液にし、これをウエットコーティング法で薄膜形成する方法が試みられるようになってきている。薄膜形成するためのウエットコーティング法としては、スピンコート法、バーコート法、突出コート法、ディップコート法等があるが、高精細にパターニングしたりＲＧＢ３色に塗分けしたりするためには、これらのウエットコーティング法では難しく、塗分けパターニングを得意とする印刷法による薄膜形成が最も有効であると考えられる。   Therefore, recently, a method of using a polymer material as an organic light emitting material, dissolving the organic light emitting material in a solvent to form a coating solution, and forming a thin film by a wet coating method has been tried. As the wet coating method for forming a thin film, there are a spin coating method, a bar coating method, a protruding coating method, a dip coating method, and the like. However, it is considered difficult to form a thin film by a printing method that is good at coating patterning.

また、印刷法の中でも、有機ＥＬ表示素子やディスプレイにおいては、その基板にガラス基板が用いられることが多いため、グラビア印刷法等のように金属製の印刷版等の硬い版を用いるものは不向きであり、弾性を有するゴム版を用いたオフセット印刷法またはゴムやその他の樹脂を主成分とした感光性樹脂版を用いる凸版印刷法が適正である。実際にこれらの印刷法の試みとして、オフセット印刷による方法（例えば特許文献１参照）、凸版印刷による方法（例えば特許文献２参照）などが提唱されている。   Also, among the printing methods, in organic EL display elements and displays, a glass substrate is often used for the substrate, so that a hard plate such as a metal printing plate such as a gravure printing method is not suitable. An offset printing method using an elastic rubber plate or a relief printing method using a photosensitive resin plate mainly composed of rubber or other resin is appropriate. Actually, as a trial of these printing methods, a method by offset printing (for example, see Patent Document 1), a method by letterpress printing (for example, see Patent Document 2), and the like have been proposed.

有機ＥＬ表示素子の発光層を凸版印刷法で形成する場合について、図５〜図７を参照して説明する。
まず、図５に示すように、基板７上に、形成すべき画素に対応して電極１をパターン化して形成し、この電極１の周囲を囲む形で絶縁層２を形成する。この絶縁層２は、感光性レジストをスピンコーターにて塗布し、しかる後、マスク露光及び現像によるフォトリソグラフィ法により形成される。次に、図６に示すように、電極１及び絶縁層２の上に正孔輸送層３をスピンコート法にて塗布することで形成する。その後、絶縁層２で囲まれた領域内の電極１上に発光層４を凸版印刷法により形成する。この発光層４が形成された領域が画素表示領域５となる。なお、図示省略したが、発光層４の上面には、電極１とは別の電極が形成される。
特開２００１−９３６６８号公報 特開２００１−１５５８５８号公報 The case where the light emitting layer of an organic EL display element is formed by a relief printing method will be described with reference to FIGS.
First, as shown in FIG. 5, the electrode 1 is formed on the substrate 7 in a pattern corresponding to the pixel to be formed, and the insulating layer 2 is formed so as to surround the electrode 1. The insulating layer 2 is formed by applying a photosensitive resist with a spin coater, and then photolithography by mask exposure and development. Next, as shown in FIG. 6, the hole transport layer 3 is formed on the electrode 1 and the insulating layer 2 by spin coating. Thereafter, the light emitting layer 4 is formed on the electrode 1 in the region surrounded by the insulating layer 2 by a relief printing method. A region where the light emitting layer 4 is formed becomes a pixel display region 5. Although not shown, an electrode different from the electrode 1 is formed on the upper surface of the light emitting layer 4.
JP 2001-93668 A JP 2001-155858 A

しかしながら、印刷法で形成された発光層４においては、図６に示すように、発光層４の上面の高さが絶縁層２の内周近傍に対向する部分６で低くなってしまう現象が起こる。これは、溶剤に溶解した発光材料が凸版から電極基板にウエットな状態で転写し印刷された時に電極基板上で凸形となり、その傾向を残したまま乾燥して膜となるためである。その結果、図６及び図７に示すように、画素表示領域５の発光層４の周辺部分に上面高さの低い膜厚の薄い周辺部６が形成される。
このような発光層４の膜厚の薄い周辺部６は電解強度が強くなり、より輝度が上がる。このため、図７に示す画素表示領域５（絶縁層２に囲まれた部分）内の周辺部６のみが明るく光り、発光が不均一となって表示品質を著しく低下させてしまうという問題がある。 However, in the light emitting layer 4 formed by the printing method, as shown in FIG. 6, a phenomenon occurs in which the height of the upper surface of the light emitting layer 4 becomes lower in the portion 6 facing the vicinity of the inner periphery of the insulating layer 2. . This is because when the light emitting material dissolved in the solvent is transferred from the relief plate to the electrode substrate in a wet state and printed, it becomes convex on the electrode substrate and is dried to form a film while leaving the tendency. As a result, as shown in FIGS. 6 and 7, a thin peripheral portion 6 having a low top surface thickness is formed in the peripheral portion of the light emitting layer 4 in the pixel display region 5.
The peripheral portion 6 having such a thin film thickness as the light emitting layer 4 has a higher electrolytic strength and a higher luminance. For this reason, there is a problem that only the peripheral portion 6 in the pixel display region 5 (portion surrounded by the insulating layer 2) shown in FIG. .

本発明は、上記のような点に鑑みなされたもので、発光層の上面高さが低くなって膜圧が薄くなる部分を画素表示領域から隔絶し、これにより、画素表示領域の均一な発光を可能にするとともに表示品質をより向上できる有機ＥＬ表示素子及びその製造方法を提供することを目的とする。   The present invention has been made in view of the above points, and isolates a portion where the upper surface height of the light emitting layer is reduced and the film pressure is reduced from the pixel display region, whereby uniform light emission of the pixel display region is achieved. An object of the present invention is to provide an organic EL display element capable of improving the display quality and a method for manufacturing the same.

上記目的を達成するために本発明の有機ＥＬ表示素子は、基板と、前記基板の一方の面に、形成すべき画素に対応してパターニングされた電極と、前記電極の周縁を囲うように前記基板の一方の面に形成された絶縁層と、前記電極の上面の周縁全周を覆うように前記絶縁層から突設された遮蔽部と、前記絶縁層で囲まれた前記電極の上面及び前記遮蔽部の上面に正孔輸送層を介して形成された発光層とを備えることを特徴とする。   In order to achieve the above object, an organic EL display element of the present invention includes a substrate, an electrode patterned on one surface of the substrate corresponding to a pixel to be formed, and a periphery of the electrode. An insulating layer formed on one surface of the substrate; a shielding portion protruding from the insulating layer so as to cover the entire periphery of the upper surface of the electrode; and the upper surface of the electrode surrounded by the insulating layer; And a light emitting layer formed on the upper surface of the shielding portion via a hole transport layer.

また、本発明にかかる有機ＥＬ表示素子の製造方法は、基板の一方の面に、形成すべき画素に対応して電極をパターニングする電極パターニング工程と、前記電極の周縁を囲うように前記基板の一方の面に絶縁層を形成するとともに前記絶縁層で囲まれた前記電極の上面の周縁全周を覆うように遮蔽部を形成する絶縁層形成工程と、前記絶縁層で囲まれた前記電極の上面及び前記遮蔽部の上面に正孔輸送層を介して発光層を形成する発光層形成工程とを備えることを特徴とする。   The organic EL display device manufacturing method according to the present invention includes an electrode patterning step of patterning an electrode corresponding to a pixel to be formed on one surface of the substrate, and an outer periphery of the substrate so as to surround the periphery of the electrode. Forming an insulating layer on one surface and forming a shielding portion so as to cover the entire periphery of the upper surface of the electrode surrounded by the insulating layer; and an electrode of the electrode surrounded by the insulating layer And a light emitting layer forming step of forming a light emitting layer on the upper surface and the upper surface of the shielding part via a hole transport layer.

本発明の有機ＥＬ表示素子及びその製造方法によれば、絶縁層で囲まれた電極の上面の周縁全周を覆う遮蔽部を設け、この遮蔽部により発光層の上面高さが低くなって膜厚が薄くなる部分を画素表示領域から隔絶するようにしたので、画素表示領域の均一な発光を実現できるとともに有機ＥＬ表示素子の表示品質をより向上できる。   According to the organic EL display element and the method for manufacturing the same of the present invention, a shielding portion is provided to cover the entire periphery of the upper surface of the electrode surrounded by the insulating layer, and the height of the upper surface of the light emitting layer is lowered by this shielding portion. Since the thinned portion is isolated from the pixel display area, uniform light emission in the pixel display area can be realized and the display quality of the organic EL display element can be further improved.

以下、本発明にかかる有機ＥＬ表示素子及びその製造方法の実施の形態について図面を参照して説明する。なお、本発明にかかる有機ＥＬ表示素子及びその製造方法は、以下に説明する実施の形態に限定されるものではない。   Hereinafter, embodiments of an organic EL display element and a method for manufacturing the same according to the present invention will be described with reference to the drawings. The organic EL display element and the manufacturing method thereof according to the present invention are not limited to the embodiments described below.

（第１の実施の形態）
図１〜図４により、本実施の形態における有機ＥＬ表示素子及びその製造方法について説明する。
図１は本実施の形態における有機ＥＬ表示素子の断面を示す模式図、図２は本実施の形態における有機ＥＬ表示素子の画素表示領域の平面図、図３は本実施の形態における有機ＥＬ表示素子の絶縁層の形成過程を示す工程説明図である。 (First embodiment)
The organic EL display element in this Embodiment and its manufacturing method are demonstrated with reference to FIGS.
FIG. 1 is a schematic diagram showing a cross section of an organic EL display element in the present embodiment, FIG. 2 is a plan view of a pixel display region of the organic EL display element in the present embodiment, and FIG. 3 is an organic EL display in the present embodiment. It is process explanatory drawing which shows the formation process of the insulating layer of an element.

この実施の形態における有機ＥＬ表示素子は、図１に示すように、基板１１と、この基板１１の一方の面に、形成すべき画素に対応してパターニングされた電極１２と、この電極１２の周縁を囲うように基板１１の一方の面に形成された絶縁層１３と、この絶縁層１３で囲まれた電極１２の上面の周縁全周を所定の幅で覆うように絶縁層１３の側壁面から基板１１の一方の面と平行な方向に突設された遮蔽部１４と、絶縁層１３で囲まれた電極１２の上面及び遮蔽部１４の上面に形成された正孔輸送層１５と、絶縁層１３で囲まれた領域の電極１２と対向する正孔輸送層１５の上面に形成された発光層１６とを備えている。また、図示省略したが、発光層１６の上面には、電極１２とは別の電極が形成される。
前記遮蔽部１４は、絶縁層１３の内周近傍部分において正孔輸送層１５からの発光層１６の上面高さが低くなって発光層１６の膜厚が薄くなる部分１６ａと互いに重なり合うように、かつ上記部分１６ａが画素表示領域１７（図２参照）内に臨まないように隔絶できる幅に形成され、そして、この遮蔽部１４の膜厚は絶縁層１３の膜厚より小さい寸法に形成されている。 As shown in FIG. 1, the organic EL display element in this embodiment includes a substrate 11, an electrode 12 patterned on one surface of the substrate 11 corresponding to the pixel to be formed, and the electrode 12. The insulating layer 13 formed on one surface of the substrate 11 so as to surround the periphery, and the side wall surface of the insulating layer 13 so as to cover the entire periphery of the upper surface of the electrode 12 surrounded by the insulating layer 13 with a predetermined width A shielding portion 14 projecting in a direction parallel to one surface of the substrate 11, an upper surface of the electrode 12 surrounded by the insulating layer 13, and a hole transport layer 15 formed on the upper surface of the shielding portion 14. A light emitting layer 16 formed on the upper surface of the hole transport layer 15 facing the electrode 12 in a region surrounded by the layer 13 is provided. Although not shown, an electrode different from the electrode 12 is formed on the upper surface of the light emitting layer 16.
The shielding part 14 overlaps with a part 16a where the upper surface height of the light emitting layer 16 from the hole transport layer 15 is lowered and the film thickness of the light emitting layer 16 is reduced in the vicinity of the inner periphery of the insulating layer 13. In addition, the portion 16a is formed to have a width that can be isolated so as not to reach the pixel display region 17 (see FIG. 2), and the thickness of the shielding portion 14 is smaller than the thickness of the insulating layer 13. Yes.

このような本実施の形態に示す有機ＥＬ表示素子においては、遮蔽部１４を有する絶縁層１３で囲まれた画素表示領域に発光層１６を印刷法により形成した場合、図１に示すように、遮蔽部１４は絶縁層１３の内周近傍に生じた発光層１６の上面高さが低くなって膜厚が薄くなる部分１６ａと互いに重なり合う状態に対向され、この部分１６ａを画素表示領域１７から隔絶する。このため、膜厚の薄くなる部分１６ａは図２に示す画素表示領域１７内に現われない。これにより、画素表示領域１７内にある発光層１６の膜厚は均一な部分のみとなり、画素表示領域１７内の発光が均一になり、有機ＥＬ表示素子の表示品質をより向上することができる。   In the organic EL display element described in this embodiment, when the light emitting layer 16 is formed by a printing method in the pixel display region surrounded by the insulating layer 13 having the shielding portion 14, as shown in FIG. The shielding portion 14 is opposed to the portion 16a where the upper surface height of the light emitting layer 16 generated in the vicinity of the inner periphery of the insulating layer 13 is reduced and the film thickness is reduced, and this portion 16a is separated from the pixel display region 17. To do. For this reason, the thinned portion 16a does not appear in the pixel display region 17 shown in FIG. Thereby, the film thickness of the light emitting layer 16 in the pixel display region 17 becomes only a uniform portion, the light emission in the pixel display region 17 becomes uniform, and the display quality of the organic EL display element can be further improved.

次に、この実施の形態における有機ＥＬ表示素子の絶縁層及び遮蔽部の形成方法について、図３及び図４を参照して説明する。
図３（Ａ）に示すように、基板１１の一方の面に画素に対応してパターニングされた電極１２を形成する（特許請求の範囲に記載した電極パターニング工程に相当する）。次いで、図３（B）に示すように、パターニングされた電極１２の表面及び電極がパターニングされない基板１１の表面に、例えば感光性と絶縁性を有するポジ型レジスト層２１をスピンコート法により形成する（特許請求の範囲に記載したレジスト成形工程に相当する）。 Next, a method for forming the insulating layer and the shielding portion of the organic EL display element in this embodiment will be described with reference to FIGS.
As shown in FIG. 3A, an electrode 12 patterned corresponding to a pixel is formed on one surface of a substrate 11 (corresponding to an electrode patterning step described in claims). Next, as shown in FIG. 3B, for example, a positive resist layer 21 having photosensitivity and insulation is formed on the surface of the patterned electrode 12 and the surface of the substrate 11 on which the electrode is not patterned by spin coating. (Corresponding to the resist molding step described in the claims).

次に、図３（Ｃ）に示すように、ハーフトーン部を有するフォトマスク２２を用いて、ポジ型レジスト層２１に露光を行う（特許請求の範囲に記載した露光工程に相当する）。
ここで、フォトマスク２２は、図３（Ｃ）に示すように、透明基板２２ａと、図１に示す絶縁層１３を形成するために透明基板２２ａに設けた遮光部２２ｂと、図１に示す遮蔽部１４を形成するために透明基板２２ａに遮光部２２ｂに隣接して設けたハーフトーン部２２ｃと、電極１２に対応する光透過部２２ｄとによって構成されている。
このハーフトーン部２２ｃを有するフォトマスク２２を介してポジ型レジスト層２１にＵＶ（紫外線）光２３を照射した場合、遮光部２２ｂに対応するポジ型レジスト層２１の箇所へのＵＶ光２３は遮光されるため、その後の現像工程においても、遮光部２２ｂに対応する箇所のレジスト層はほとんど溶解することなく、元のままの厚膜として残り、これが絶縁層１３となる。また、光透過部２２ｄに対応するポジ型レジスト層２１の箇所には光透過部２２ｄを通してＵＶ光２３が十分照射されるため、この箇所のレジスト層は現像工程にて完全に除去される。また、ハーフトーン部２２ｃに対応するポジ型レジスト層２１の箇所には、減じられたＵＶ光２３ａが照射されるため、この箇所のレジスト層には現像工程にてＵＶ光の照射光量に対応する厚さの膜厚が残り、これが遮蔽部１４となる。 Next, as shown in FIG. 3C, the positive resist layer 21 is exposed using a photomask 22 having a halftone portion (corresponding to an exposure step described in claims).
Here, as shown in FIG. 3C, the photomask 22 includes a transparent substrate 22a, a light shielding portion 22b provided on the transparent substrate 22a for forming the insulating layer 13 shown in FIG. 1, and a photomask 22 shown in FIG. In order to form the shielding part 14, the transparent substrate 22 a includes a halftone part 22 c provided adjacent to the shielding part 22 b and a light transmission part 22 d corresponding to the electrode 12.
When the positive resist layer 21 is irradiated with UV (ultraviolet) light 23 through the photomask 22 having the halftone portion 22c, the UV light 23 to the portion of the positive resist layer 21 corresponding to the light shielding portion 22b is shielded. Therefore, even in the subsequent development process, the resist layer at the location corresponding to the light shielding portion 22b is hardly dissolved and remains as the original thick film, which becomes the insulating layer 13. Further, the portion of the positive resist layer 21 corresponding to the light transmission portion 22d is sufficiently irradiated with the UV light 23 through the light transmission portion 22d, so that the resist layer at this portion is completely removed in the development process. Further, since the reduced UV light 23a is irradiated to the portion of the positive resist layer 21 corresponding to the halftone portion 22c, the resist layer in this portion corresponds to the irradiation amount of UV light in the development process. The film thickness remains, and this becomes the shielding part 14.

よって、ハーフトーン部２２ｂを有するフォトマスク２２を介してポジ型レジスト層２１をＵＶ光２３により露光し、現像することにより、図３（Ｃ）に示すような膜厚の厚い絶縁層１３と膜厚の薄い遮蔽部１４を有する絶縁層を一括形成することができる。
したがって、遮蔽部１４を有する絶縁層１３で囲まれた画素表示領域１７内に発光層１６を印刷法により形成した場合、図１に示すように、遮蔽部１４は絶縁層１３の内周近傍に生じた発光層１６の上面高さが低くなって膜厚が薄くなる部分１６ａと互いに重なり合う状態に対向されるため、この膜厚の薄い部分１６ａは図２に示す画素表示領域１７内に現われることがない。このため、画素表示領域１７内には発光層１６の膜厚が均一な部分のみが存在することになり、画素表示領域１７内の発光が均一になる。 Therefore, the positive resist layer 21 is exposed to UV light 23 through a photomask 22 having a halftone portion 22b and developed, whereby a thick insulating layer 13 and a film as shown in FIG. An insulating layer having a thin shielding portion 14 can be formed at a time.
Therefore, when the light emitting layer 16 is formed in the pixel display region 17 surrounded by the insulating layer 13 having the shielding portion 14 by the printing method, the shielding portion 14 is located near the inner periphery of the insulating layer 13 as shown in FIG. Since the generated light emitting layer 16 is opposed to the portion 16a where the upper surface height is reduced and the film thickness is reduced, the thin portion 16a appears in the pixel display region 17 shown in FIG. There is no. For this reason, only a portion where the film thickness of the light emitting layer 16 is uniform exists in the pixel display region 17, and light emission in the pixel display region 17 becomes uniform.

次に、本実施の形態における有機ＥＬ表示素子の絶縁層を形成する場合の具体例について図４を参照して説明する。
図４において、絶縁層１３及び遮蔽部１４を形成するためのフォトマスク２２は、ＵＶ光２３を透過する透明基板２２１と、この透明基板２２１のＵＶ光出射側表面に積層状態に設けられ、ＵＶ光２３を減衰させる薄膜、例えば、ＩＴＯ（インジウム−錫酸化物）などの金属酸化物からなるハーフトーン部２２２と、このハーフトーン部２２２のＵＶ光出射側表面に積層状態に設けられ、ＵＶ光を遮光する薄膜、例えば、クロム膜からなる遮光部２２３とから構成されている。 Next, a specific example in the case of forming the insulating layer of the organic EL display element in this embodiment will be described with reference to FIG.
In FIG. 4, a photomask 22 for forming the insulating layer 13 and the shielding part 14 is provided in a laminated state on a transparent substrate 221 that transmits UV light 23 and on the UV light emission side surface of the transparent substrate 221. A thin film for attenuating the light 23, for example, a halftone part 222 made of a metal oxide such as ITO (indium-tin oxide), and the halftone part 222 is provided in a laminated state on the UV light emitting side surface of the halftone part 222. And a light shielding portion 223 made of a chromium film, for example.

遮光部２２３の図４に示す左右方向の幅は、絶縁層１３の幅ｂ＝２０μｍに相当する長さを有し、ハーフトーン部２２２の図４に示す左右方向の幅ａはａ＝４０μｍに相当する長さを有している。また、遮光部２２３はハーフトーン部２２２の図４に示す左右方向の中央に位置して配置することにより、ハーフトーン部２２２の左右方向の両端部分に、幅ｃ＝１０μｍに相当する寸法の部分が形成されるようになっている。この部分は、遮蔽部１４を形成するためのものである。
また、ハーフトーン部２２２の膜厚は、遮蔽部１４の膜厚ｄ２が絶縁層１３の膜厚ｄ１の１／２となるように、ＵＶ光の強度が減じられる厚みに設定されている。例えば絶縁層１３の膜厚ｄ１がｄ１＝１μｍである場合、遮蔽部１４の膜厚ｄ２はｄ２＝０．５μｍとなる。 4 has a length corresponding to the width b = 20 μm of the insulating layer 13, and the horizontal width a of the halftone portion 222 shown in FIG. 4 is a = 40 μm. It has a corresponding length. Further, the light shielding portion 223 is arranged at the center in the left-right direction shown in FIG. 4 of the halftone portion 222, so that a portion having a dimension corresponding to a width c = 10 μm is provided at both end portions in the left-right direction of the halftone portion 222. Is to be formed. This part is for forming the shielding part 14.
The film thickness of the halftone part 222 is set to a thickness that reduces the intensity of the UV light so that the film thickness d2 of the shielding part 14 is ½ of the film thickness d1 of the insulating layer 13. For example, when the film thickness d1 of the insulating layer 13 is d1 = 1 μm, the film thickness d2 of the shielding part 14 is d2 = 0.5 μm.

このように遮蔽部１４を有する絶縁層１３で取り囲まれた電極１２の表面に印刷にて形成された発光層１６において、絶縁層１３の内周近傍部分に対応する発光層１６の上面高さが低くなって発光層１６の膜厚が薄くなる部分１６ａ（従来、輝度が明るくなる周辺部６に相当）の幅寸法は概ね５μｍ程度であるため、遮蔽部１４の幅ｃを、ｃ＝１０μｍにすれば、この遮蔽部１４で膜厚の薄くなる部分１６ａを十分に隠すことができ、画素表示領域１７内に膜厚の薄い部分１６ａが現われないことが確認された。   Thus, in the light emitting layer 16 formed by printing on the surface of the electrode 12 surrounded by the insulating layer 13 having the shielding portion 14, the height of the upper surface of the light emitting layer 16 corresponding to the inner peripheral vicinity of the insulating layer 13 is set. Since the width dimension of the portion 16a (which conventionally corresponds to the peripheral portion 6 where the brightness is increased) is reduced and the thickness of the light emitting layer 16 is reduced, the width c of the shielding portion 14 is set to c = 10 μm. Then, it was confirmed that the thinned portion 16a can be sufficiently hidden by the shielding portion 14 and the thinned portion 16a does not appear in the pixel display region 17.

本実施の形態における有機ＥＬ表示素子の断面を示す模式図である。It is a schematic diagram which shows the cross section of the organic EL display element in this Embodiment. 本実施の形態における有機ＥＬ表示素子の画素表示領域の平面図である。It is a top view of the pixel display area of the organic EL display element in this Embodiment. 本実施の形態における有機ＥＬ表示素子の絶縁層の形成過程を示す工程説明図である。It is process explanatory drawing which shows the formation process of the insulating layer of the organic electroluminescent display element in this Embodiment. 本実施の形態における有機ＥＬ表示素子の絶縁層を形成する場合の具体例を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the specific example in the case of forming the insulating layer of the organic EL display element in this Embodiment. 従来の有機ＥＬ表示素子における絶縁層の形成過程を示す説明用断面図である。It is sectional drawing for description which shows the formation process of the insulating layer in the conventional organic EL display element. 従来における有機ＥＬ表示素子の断面を示す模式図である。It is a schematic diagram which shows the cross section of the conventional organic EL display element. 従来における有機ＥＬ表示素子の画素表示領域の平面図である。It is a top view of the pixel display area of the conventional organic EL display element.

符号の説明Explanation of symbols

１１……基板、１２……電極、１３……絶縁層、１４……遮蔽部、１５……正孔輸送層、１６……発光層、１６ａ……膜厚の薄い部分、１７……画素表示領域、２１……ポジ型レジスト層、２２……フォトマスク、２２１……透明基板、２２２……ハーフトーン部、２２３……遮光部。
DESCRIPTION OF SYMBOLS 11 ... Board | substrate, 12 ... Electrode, 13 ... Insulating layer, 14 ... Shielding part, 15 ... Hole transport layer, 16 ... Light emitting layer, 16a ... Thin part, 17 ... Pixel display Region 21... Positive resist layer 22... Photomask 221... Transparent substrate 222. Halftone portion 223.

Claims (7)

基板と、
前記基板の一方の面に、形成すべき画素に対応してパターニングされた電極と、
前記電極の周縁を囲うように前記基板の一方の面に形成された絶縁層と、
前記電極の上面の周縁全周を覆うように前記絶縁層から突設された遮蔽部と、
前記絶縁層で囲まれた前記電極の上面及び前記遮蔽部の上面に正孔輸送層を介して形成された発光層と、
を備えることを特徴とする有機ＥＬ表示素子。 A substrate,
An electrode patterned on one surface of the substrate corresponding to the pixel to be formed;
An insulating layer formed on one surface of the substrate so as to surround the periphery of the electrode;
A shielding part protruding from the insulating layer so as to cover the entire periphery of the periphery of the upper surface of the electrode;
A light emitting layer formed on the upper surface of the electrode surrounded by the insulating layer and the upper surface of the shielding part via a hole transport layer;
An organic EL display element comprising: 前記発光層の上面の高さは、その上面周縁全周が残りの他の部分よりも低く形成され、前記遮蔽部は、前記低く形成された発光層の上面の周縁全周に対向していることを特徴とする請求項１記載の有機ＥＬ表示素子。   The height of the upper surface of the light emitting layer is formed such that the entire periphery of the upper surface of the light emitting layer is lower than the other remaining portions, and the shielding portion faces the entire periphery of the periphery of the upper surface of the formed light emitting layer. The organic EL display element according to claim 1. 前記遮蔽部の厚さは前記絶縁層の厚さより小さい寸法で形成されていることを特徴とする請求項１または２記載の有機ＥＬ表示素子。   3. The organic EL display element according to claim 1, wherein the thickness of the shielding portion is smaller than the thickness of the insulating layer. 基板の一方の面に、形成すべき画素に対応して電極をパターニングする電極パターニング工程と、
前記電極の周縁を囲うように前記基板の一方の面に絶縁層を形成するとともに前記絶縁層で囲まれた前記電極の上面の周縁全周を覆うように遮蔽部を形成する絶縁層形成工程と、
前記絶縁層で囲まれた前記電極の上面及び前記遮蔽部の上面に正孔輸送層を介して発光層を形成する発光層形成工程と、
を備えることを特徴とする有機ＥＬ表示素子の製造方法。 An electrode patterning step of patterning electrodes on one surface of the substrate corresponding to the pixels to be formed;
Forming an insulating layer on one surface of the substrate so as to surround the periphery of the electrode, and forming a shielding portion so as to cover the entire periphery of the upper surface of the electrode surrounded by the insulating layer; ,
A light emitting layer forming step of forming a light emitting layer on the upper surface of the electrode surrounded by the insulating layer and the upper surface of the shielding part via a hole transport layer;
A method for producing an organic EL display element, comprising: 前記絶縁層形成工程は、前記電極の上面及び該電極がパターニングされない前記基板の上面にポジ型レジスト層を形成するレジスト成形工程と、前記ポジ型レジスト層に前記絶縁層を形成するための遮光部及び前記遮蔽部を形成するためのハーフトーン部を有するフォトマスクを用いて前記ポジ型レジスト層を露光する露光工程を備えることを特徴とする請求項４記載の有機ＥＬ表示素子の製造方法。   The insulating layer forming step includes: a resist molding step for forming a positive resist layer on the upper surface of the electrode and the upper surface of the substrate on which the electrode is not patterned; and a light shielding portion for forming the insulating layer on the positive resist layer 5. The method of manufacturing an organic EL display element according to claim 4, further comprising an exposure step of exposing the positive resist layer using a photomask having a halftone portion for forming the shielding portion. 前記遮蔽部の厚さは前記絶縁層の厚さより小さい寸法で形成されていることを特徴とする請求項４記載の有機ＥＬ表示素子の製造方法。   5. The method of manufacturing an organic EL display element according to claim 4, wherein the thickness of the shielding portion is smaller than the thickness of the insulating layer. 前記発光層の上面の高さは、その上面周縁全周が残りの他の部分よりも低く形成され、前記遮蔽部は、前記低く形成された発光層の上面の周縁全周に対向していることを特徴とする請求項４〜６の何れか１項に記載の有機ＥＬ表示素子の製造方法。
The height of the upper surface of the light emitting layer is formed such that the entire periphery of the upper surface of the light emitting layer is lower than the other remaining portions, and the shielding portion faces the entire periphery of the periphery of the upper surface of the formed light emitting layer. The method for producing an organic EL display element according to any one of claims 4 to 6, wherein
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