JP2007290013A - Cutting method for shielded conductor layer, and laser beam machining apparatus - Google Patents

Cutting method for shielded conductor layer, and laser beam machining apparatus Download PDF

Info

Publication number
JP2007290013A
JP2007290013A JP2006122031A JP2006122031A JP2007290013A JP 2007290013 A JP2007290013 A JP 2007290013A JP 2006122031 A JP2006122031 A JP 2006122031A JP 2006122031 A JP2006122031 A JP 2006122031A JP 2007290013 A JP2007290013 A JP 2007290013A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
conductor layer
shield
shield conductor
laser
mirror
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2006122031A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP2007290013A5 (en
Inventor
Tokuji Miyakoshi
篤司 宮越
Tadashi Kurata
忠 倉田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Phoeton Corp
Original Assignee
Phoeton Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Phoeton Corp filed Critical Phoeton Corp
Priority to JP2006122031A priority Critical patent/JP2007290013A/en
Priority to KR1020087018529A priority patent/KR101026428B1/en
Priority to PCT/JP2007/053482 priority patent/WO2007125677A1/en
Priority to CNA2007800045725A priority patent/CN101378876A/en
Priority to TW096113506A priority patent/TW200802415A/en
Publication of JP2007290013A publication Critical patent/JP2007290013A/en
Publication of JP2007290013A5 publication Critical patent/JP2007290013A5/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/02—Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
    • B23K26/06—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing
    • B23K26/0604—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by a combination of beams
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/02—Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
    • B23K26/06—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing
    • B23K26/0604—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by a combination of beams
    • B23K26/0619—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by a combination of beams with spots located on opposed surfaces of the workpiece
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/02—Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
    • B23K26/06—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing
    • B23K26/067—Dividing the beam into multiple beams, e.g. multifocusing
    • H—ELECTRICITY
    • H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02G—INSTALLATION OF ELECTRIC CABLES OR LINES, OR OF COMBINED OPTICAL AND ELECTRIC CABLES OR LINES
    • H02G1/00—Methods or apparatus specially adapted for installing, maintaining, repairing or dismantling electric cables or lines
    • H02G1/12—Methods or apparatus specially adapted for installing, maintaining, repairing or dismantling electric cables or lines for removing insulation or armouring from cables, e.g. from the end thereof
    • H02G1/1275—Methods or apparatus specially adapted for installing, maintaining, repairing or dismantling electric cables or lines for removing insulation or armouring from cables, e.g. from the end thereof by applying heat
    • H02G1/128—Methods or apparatus specially adapted for installing, maintaining, repairing or dismantling electric cables or lines for removing insulation or armouring from cables, e.g. from the end thereof by applying heat using radiant energy, e.g. a laser beam

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Removal Of Insulation Or Armoring From Wires Or Cables (AREA)
  • Laser Beam Processing (AREA)

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a cutting method for shielded conductor layer capable of preventing a shield line not to be cut from being remained on a side surface of a shield conductor layer, and sufficiently ensuring the insulation between an internal conductor and the shield conductor layer, and a laser beam machining apparatus. <P>SOLUTION: In the cutting method for shield conductor layer, a shield cable 1 comprised of a center conductor, an internal insulator arranged to cover the center conductor, and a shield conductor layer arranged to cover the internal insulator is prepared. The shield conductor layer is cut by irradiating laser beams on the shield conductor layer from at least three directions which are substantially orthogonal to the longitudinal direction of the shield cable 1. The angle formed by adjacent two optical axes of the laser beams irradiated on the shield conductor layer is below 180°. <P>COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT

Description

本発明は、シールド導体層側面に切断されないシールド線が残ることがなく、且つ内部導体とシールド導体層との絶縁性を十分に確保できるシールド導体層の切断方法及びレーザ加工装置に関する。   The present invention relates to a shield conductor layer cutting method and a laser processing apparatus that do not leave uncut shield wires on the side surfaces of a shield conductor layer and that can sufficiently ensure insulation between an internal conductor and a shield conductor layer.

近年、ノートパソコン、携帯電話、小型ビデオカメラ等の普及で、これら情報通信機器の小型・軽量化の他に高速・高画質化が求められている。これに対応するために、内部導体の外周に内部絶縁体、外部導体、外被を同軸状に順次形成した極めて細い電線（ケーブルという場合もある）が使用されている。また、その他の制御機器、例えば、医療用超音波探触子等で不要なノイズが混入するのを防止するのに、同様な電線がシールド電線として使用されている。以下、上記の同軸状の電線を或いはシールド電線を含めて、シールドケーブルとする。   In recent years, with the spread of notebook computers, mobile phones, small video cameras, and the like, in addition to the reduction in size and weight of these information communication devices, high speed and high image quality are required. In order to cope with this, an extremely thin electric wire (sometimes referred to as a cable) in which an inner insulator, an outer conductor, and a jacket are sequentially formed on the outer periphery of the inner conductor in a coaxial manner is used. In addition, in order to prevent unnecessary noise from being mixed in other control devices such as a medical ultrasonic probe, a similar electric wire is used as a shielded electric wire. Hereinafter, the coaxial cable or the shielded cable including the shielded cable is referred to as a shielded cable.

通常、シールドケーブルは複数本を束ねて使用され、その端部はフラット状にされて電気コネクタに接続される。電気コネクタとの接続に際しては、シールドケーブルに内部導体及び外部導体を電気接続するための端末形成が必要となる。しかし、ケーブル外径が１ｍｍ以下のような極細で、内部絶縁体の厚さが数十μｍ程度となると、ケーブルの配列ピッチ、電気的性能を損なうことなく接続端末を形成するのは容易ではない。このため、この種のシールドケーブルの端末形成について、今までに種々の提案がされている。   Usually, a plurality of shielded cables are used by bundling them, and the ends thereof are flattened and connected to an electrical connector. When connecting to the electrical connector, it is necessary to form a terminal for electrically connecting the inner conductor and the outer conductor to the shielded cable. However, when the outer diameter of the cable is as fine as 1 mm or less and the thickness of the internal insulator is about several tens of μm, it is not easy to form a connection terminal without impairing the cable arrangement pitch and electrical performance. . For this reason, various proposals have heretofore been made for the terminal formation of this type of shielded cable.

図１０は、従来のシールドケーブルの構造例を示す断面図である。
内部導体（中心導体）２は、例えば、外径約０.０２５ｍｍの錫めっきされた銅合金線が７本撚って形成され、その外面をフッ素樹脂からなる絶縁材で厚さ０.０４ｍｍ〜０.０５５ｍｍ程度に被覆して内部絶縁体（内部誘電体）３としている。内部絶縁体３の外周面に配する外部導体（シールド導体層）４は、例えば、外径約０.０３ｍｍの複数本の銅合金線のようなシールド線４ａを横巻で巻きつけて形成し、その外面に厚さ約０.００４ｍｍ程度のポリエステルテープを２枚重ね巻きして互いに融着して外被（ジャケット）５とし、外径が約０.３ｍｍ以下のシールドケーブル１が得られるように形成される。なお、シールド導体層４の外面に銅蒸着テープ（図示せず）を銅蒸着面を内側にして巻きつけてもよく、また、シールド導体層４は、シールド線の巻方向を反対にして２層に巻付けた構造であってもよく、この他、編組構造であってもよい（例えば特許文献１参照）。 FIG. 10 is a cross-sectional view showing a structural example of a conventional shielded cable.
The inner conductor (center conductor) 2 is formed, for example, by twisting seven tin-plated copper alloy wires having an outer diameter of about 0.025 mm, and the outer surface is made of an insulating material made of fluororesin and has a thickness of 0.04 mm to The inner insulator (inner dielectric) 3 is formed to cover about 0.055 mm. The outer conductor (shield conductor layer) 4 disposed on the outer peripheral surface of the inner insulator 3 is formed by winding a plurality of shield wires 4a such as a plurality of copper alloy wires having an outer diameter of about 0.03 mm in a horizontal winding. A two-layer polyester tape having a thickness of about 0.004 mm is wound on the outer surface and fused together to form a jacket (jacket) 5 so that a shielded cable 1 having an outer diameter of about 0.3 mm or less can be obtained. Formed. Note that a copper vapor-deposited tape (not shown) may be wound around the outer surface of the shield conductor layer 4 with the copper vapor-deposited surface inside, and the shield conductor layer 4 has two layers with the winding direction of the shield wire opposite. It may be a structure wound around, or may be a braided structure (see, for example, Patent Document 1).

次に、従来のシールドケーブルにおけるシールド導体層の切断方法について説明する。
図１１は、図１０に示すシールドケーブルのシールド層４をレーザ光によって切断する方法及びその方法による問題点を説明する図である。図１１では、シールド導体層４及び内部導体２を模式的に示しているが、図１１においても実際は図１０に示すシールド導体層４及び内部導体２と同じ構造になっている。 Next, a method for cutting the shield conductor layer in the conventional shielded cable will be described.
FIG. 11 is a diagram for explaining a method of cutting the shield layer 4 of the shielded cable shown in FIG. 10 with a laser beam and problems caused by the method. In FIG. 11, the shield conductor layer 4 and the inner conductor 2 are schematically shown. However, in FIG. 11, the actual structure is the same as that of the shield conductor layer 4 and the inner conductor 2 shown in FIG.

まず、図１０に示すジャケット５を剥離した状態のシールドケーブル１を図示せぬ保持機構により固定して保持し、シールドケーブルの上方からシールド導体層４にレーザ光を矢印のようにスキャンしながら照射する。次いで、前記シールドケーブル１の下方からシールド導体層４にレーザ光を矢印のようにスキャンしながら照射する。このようにシールド導体層４の全体にレーザ光を照射することによりシールド導体層４を切断する。   First, the shielded cable 1 in a state where the jacket 5 shown in FIG. 10 is peeled off is fixed and held by a holding mechanism (not shown), and the shield conductor layer 4 is irradiated from above the shielded cable while scanning as indicated by an arrow. To do. Next, laser light is irradiated from below the shielded cable 1 to the shield conductor layer 4 while scanning as indicated by an arrow. In this way, the shield conductor layer 4 is cut by irradiating the entire shield conductor layer 4 with laser light.

特開２００５−２５１５２２号公報（０００２，００１６段落、図１）Japanese Patent Laying-Open No. 2005-251522 (paragraphs 0002, 0016, FIG. 1)

上述したシールド導体層をレーザ光によって切断する方法では、レーザ光を上方と下方の２方向からシールド導体層４に照射するため、シールド導体層側面６においては上方からのレーザ光も下方からのレーザ光も隣り合うシールド線４ａによって遮られ、レーザ光の照射が不十分になる。その結果、シールド導体層側面６において切断されないシールド線４ａが残ることがある。   In the above-described method of cutting the shield conductor layer with the laser beam, the laser beam is irradiated onto the shield conductor layer 4 from the upper and lower directions. The light is also blocked by the adjacent shield line 4a, and the laser beam irradiation becomes insufficient. As a result, the shield wire 4a that is not cut off on the shield conductor layer side surface 6 may remain.

一方、シールド導体層側面６においてもシールド線４ａが完全に切断されるような高出力条件でレーザ光を照射すると、レーザ光の照射方向の正面に位置するシールド導体層４をレーザ光が貫通し、そのレーザ光が内部絶縁体３まで達してしまい、その結果、図１１に示すように内部絶縁体に傷が入る部分７が生じてしまう。この部分７では、内部絶縁体３の電気的絶縁性が低下するため、内部導体２とシールド導体層４との絶縁を十分に確保することができないことがある。   On the other hand, when the laser beam is irradiated on the shield conductor side surface 6 under a high output condition such that the shield wire 4a is completely cut, the laser beam penetrates the shield conductor layer 4 located in front of the laser beam irradiation direction. The laser light reaches the internal insulator 3, and as a result, as shown in FIG. 11, a portion 7 in which the internal insulator is damaged is generated. In this portion 7, since the electrical insulation of the internal insulator 3 is lowered, it may be impossible to ensure sufficient insulation between the internal conductor 2 and the shield conductor layer 4.

また、上記従来の切断方法において、スキャン回数を多くするとスキャン速度によらずシールド導体層を溶融切断しやすく、スキャン回数が少ない場合にはシールド線の切り残しが多くなる傾向がある。また、スキャン回数を多くした場合の内部誘電体のダメージは、スキャン速度が速いほど軽減される傾向がある。   In the conventional cutting method, when the number of scans is increased, the shield conductor layer is easily melted and cut regardless of the scan speed, and when the number of scans is small, there is a tendency that uncut portions of the shield wire are increased. In addition, the damage to the internal dielectric when the number of scans is increased tends to be reduced as the scan speed increases.

上述したように、シールド導体層側面６において切断されないシールド線４ａが残ったり、内部絶縁体に傷が入る部分７が生じるのは、レーザ光を上方と下方の２方向から照射することに原因があると考えられる。   As described above, the shield wire 4a that is not cut off on the side surface 6 of the shield conductor layer or the portion 7 in which the internal insulator is scratched is caused by irradiating the laser light from the upper and lower directions. It is believed that there is.

本発明は上記のような事情を考慮してなされたものであり、その目的は、シールド導体層側面に切断されないシールド線が残ることがなく、且つ内部導体とシールド導体層との絶縁性を十分に確保できるシールド導体層の切断方法及びレーザ加工装置を提供することにある。   The present invention has been made in consideration of the above-described circumstances, and the object thereof is to prevent unshielded shield wires from remaining on the side surfaces of the shield conductor layer, and to provide sufficient insulation between the inner conductor and the shield conductor layer. It is another object of the present invention to provide a method of cutting a shield conductor layer and a laser processing apparatus that can be ensured.

上記課題を解決するため、本発明に係るシールド導体層の切断方法は、中心導体と、該中心導体を被覆するように配置された内部絶縁体と、該内部絶縁体を被覆するように配置されたシールド導体層とを備えたシールドケーブルを準備し、
前記シールドケーブルの長手方向に対して略垂直方向である少なくとも３方向から前記シールド導体層にレーザ光を照射することによって前記シールド導体層を切断するものであり、
前記シールド導体層に照射されるレーザ光の隣り合う２本の光軸が作る角度が１８０°未満であることを特徴とする。 In order to solve the above-described problems, a shielding conductor layer cutting method according to the present invention includes a central conductor, an internal insulator disposed to cover the central conductor, and an internal insulator. Prepare a shielded cable with a shielded conductor layer
Cutting the shield conductor layer by irradiating the shield conductor layer with laser light from at least three directions which are substantially perpendicular to the longitudinal direction of the shield cable;
The angle formed by two adjacent optical axes of the laser light applied to the shield conductor layer is less than 180 °.

上記シールド導体層の切断方法によれば、シールド導体層に少なくとも３方向からレーザ光を照射しているため、従来技術のようにレーザ光を上方と下方の２方向からシールド導体層に照射するのに比べ、シールド導体層側面においても切断されないシールド導体層が残ることを防止でき、シールド導体層全体を完全に且つ安定して切断することができる。これと共に、少なくとも３方向からレーザ光を照射することにより、全てのシールド導体層が完全に切断されるような条件でレーザ光を照射しても、内部絶縁体に傷が入る部分が生じることを抑制できる。従って、内部絶縁体の電気的絶縁性が低下することを防止でき、内部導体とシールド導体層との絶縁性を十分に確保することができる。   According to the method for cutting the shield conductor layer, the shield conductor layer is irradiated with the laser light from at least three directions, so that the shield conductor layer is irradiated from the upper and lower two directions as in the prior art. In comparison with this, it is possible to prevent the shield conductor layer that is not cut even from the side of the shield conductor layer from remaining, and the entire shield conductor layer can be cut completely and stably. At the same time, by irradiating the laser beam from at least three directions, even if the laser beam is irradiated under the condition that all the shield conductor layers are completely cut, a part of the internal insulator is damaged. Can be suppressed. Therefore, it is possible to prevent the electrical insulation of the internal insulator from being deteriorated, and to sufficiently secure the insulation between the internal conductor and the shield conductor layer.

また、本発明に係るシールド導体層の切断方法において、前記２本の光軸が作る角度が１５０°以下であることが好ましい。   In the shield conductor layer cutting method according to the present invention, it is preferable that an angle formed by the two optical axes is 150 ° or less.

また、本発明に係るシールド導体層の切断方法において、前記シールド導体層に４方向からレーザ光を照射するものであって、隣り合わないレーザ光の光軸どうしは略一直線を成すように配置されることが好ましい。   Further, in the method for cutting a shield conductor layer according to the present invention, the shield conductor layer is irradiated with laser light from four directions, and the optical axes of the laser beams that are not adjacent to each other are arranged so as to form a substantially straight line. It is preferable.

また、本発明に係るシールド導体層の切断方法において、前記シールドケーブルを準備する際、複数本並べたシールドケーブルを準備し、前記シールド導体層にレーザ光を照射する際、前記レーザ光又は前記シールドケーブルをスライドさせることにより前記レーザ光をスキャン照射することが好ましい。   Further, in the method for cutting a shield conductor layer according to the present invention, when preparing the shield cable, when preparing a plurality of shield cables, and irradiating the shield conductor layer with laser light, the laser light or the shield It is preferable to scan and irradiate the laser beam by sliding a cable.

本発明に係るレーザ加工装置は、中心導体と、該中心導体を被覆するように配置された内部絶縁体と、該内部絶縁体を被覆するように配置されたシールド導体層とを備えたシールドケーブルを保持し、前記シールドケーブルの長手方向に対して略垂直方向から前記シールド導体層にレーザ光を照射することによって前記シールド導体層を切断するレーザ加工装置であって、
レーザ光を照射するレーザ照射機構と、
前記レーザ照射機構によって照射されたレーザ光を第１の方向又は第２の方向に反射させる第１の反射ミラーと、
前記第１の反射ミラーによって前記第１の方向に反射された前記レーザ光を、第３の方向に反射させる第２の反射ミラーと、
前記第２の反射ミラーによって前記第３の方向に反射された前記レーザ光を、第４の方向に反射させて前記シールド導体層に照射する第３の反射ミラーと、
前記第３の方向に反射された前記レーザ光の光軸から前記第３の反射ミラーを外すようにスライドさせるミラースライド機構と、
前記第３の方向に反射された前記レーザ光の光軸から前記第３の反射ミラーを外した状態で、前記第２の反射ミラーによって前記第３の方向に反射された前記レーザ光を、第５の方向に反射させて前記シールド導体層に照射する第４の反射ミラーと、
前記第１の反射ミラーによって前記第２の方向に反射された前記レーザ光を、第６の方向に反射させる第５の反射ミラーと、
前記第５の反射ミラーによって前記第６の方向に反射された前記レーザ光を、第７の方向に反射させて前記シールド導体層に照射する第６の反射ミラーと、
を具備し、
前記シールド導体層に照射されるレーザ光の隣り合う２本の光軸が作る角度が１８０°未満であることを特徴とする。 A laser processing apparatus according to the present invention includes a central conductor, an internal insulator disposed so as to cover the central conductor, and a shielded conductor layer disposed so as to cover the internal insulator. A laser processing apparatus for cutting the shield conductor layer by irradiating the shield conductor layer with laser light from a direction substantially perpendicular to the longitudinal direction of the shield cable,
A laser irradiation mechanism for irradiating laser light;
A first reflection mirror that reflects the laser light emitted by the laser irradiation mechanism in a first direction or a second direction;
A second reflecting mirror that reflects the laser beam reflected in the first direction by the first reflecting mirror in a third direction;
A third reflection mirror that reflects the laser light reflected in the third direction by the second reflection mirror in a fourth direction and irradiates the shield conductor layer;
A mirror slide mechanism that slides so as to remove the third reflection mirror from the optical axis of the laser beam reflected in the third direction;
The laser beam reflected in the third direction by the second reflecting mirror in a state where the third reflecting mirror is removed from the optical axis of the laser beam reflected in the third direction. A fourth reflecting mirror that reflects in the direction of 5 and irradiates the shield conductor layer;
A fifth reflecting mirror that reflects the laser light reflected in the second direction by the first reflecting mirror in a sixth direction;
A sixth reflecting mirror that reflects the laser light reflected in the sixth direction by the fifth reflecting mirror in a seventh direction and irradiates the shield conductor layer;
Comprising
The angle formed by two adjacent optical axes of the laser light applied to the shield conductor layer is less than 180 °.

本発明に係るレーザ加工装置は、中心導体と、該中心導体を被覆するように配置された内部絶縁体と、該内部絶縁体を被覆するように配置されたシールド導体層とを備えたシールドケーブルを保持し、前記シールドケーブルの長手方向に対して略垂直方向から前記シールド導体層にレーザ光を照射することによって前記シールド導体層を切断するレーザ加工装置であって、
レーザ光を照射するレーザ照射機構と、
前記レーザ照射機構によって照射されたレーザ光を第１の方向又は第２の方向に反射させる第１の反射ミラーと、
前記第１の反射ミラーによって前記第１の方向に反射された前記レーザ光を、第３の方向に反射させる第２の反射ミラーと、
前記第２の反射ミラーによって前記第３の方向に反射された前記レーザ光を、第４の方向又は第５の方向に反射させて前記シールド導体層に照射する第３の反射ミラーを備えた第１のミラースライドユニットと、
前記第１のミラースライドユニットに設けられた前記第３の反射ミラーをスライドさせる第１のスライド機構と、
前記第１のミラースライドユニットに設けられた前記第３の反射ミラーを回転させる第１の回転機構と、
前記第１の反射ミラーによって前記第２の方向に反射された前記レーザ光を、第６の方向に反射させる第４の反射ミラーと、
前記第４の反射ミラーによって前記第６の方向に反射された前記レーザ光を、第７の方向に反射させて前記シールド導体層に照射する第５の反射ミラーと、
を具備し、
前記シールド導体層に照射されるレーザ光の隣り合う２本の光軸が作る角度が１８０°未満であることを特徴とする。 A laser processing apparatus according to the present invention includes a central conductor, an internal insulator disposed so as to cover the central conductor, and a shielded conductor layer disposed so as to cover the internal insulator. A laser processing apparatus for cutting the shield conductor layer by irradiating the shield conductor layer with laser light from a direction substantially perpendicular to the longitudinal direction of the shield cable,
A laser irradiation mechanism for irradiating laser light;
A first reflection mirror that reflects the laser light emitted by the laser irradiation mechanism in a first direction or a second direction;
A second reflecting mirror that reflects the laser beam reflected in the first direction by the first reflecting mirror in a third direction;
A third reflection mirror that irradiates the shield conductor layer with the laser light reflected in the third direction by the second reflection mirror in a fourth direction or a fifth direction; 1 mirror slide unit,
A first slide mechanism for sliding the third reflection mirror provided in the first mirror slide unit;
A first rotating mechanism for rotating the third reflecting mirror provided in the first mirror slide unit;
A fourth reflecting mirror that reflects the laser light reflected in the second direction by the first reflecting mirror in a sixth direction;
A fifth reflecting mirror that reflects the laser light reflected in the sixth direction by the fourth reflecting mirror in a seventh direction and irradiates the shield conductor layer;
Comprising
The angle formed by two adjacent optical axes of the laser light applied to the shield conductor layer is less than 180 °.

また、本発明に係るレーザ加工装置において、前記第４の方向、前記第５の方向及び前記第７の方向それぞれから照射される前記レーザ光の光軸上に、それぞれ回転機構によって回転させて配置される回転レンズをさらに具備することも可能である。   Further, in the laser processing apparatus according to the present invention, the optical axis of the laser beam irradiated from each of the fourth direction, the fifth direction, and the seventh direction is respectively rotated by a rotation mechanism. It is also possible to further comprise a rotating lens.

また、本発明に係るレーザ加工装置において、前記第５の反射ミラーに代えて第２のミラースライドユニットが配置されており、
前記第２のミラースライドユニットは、前記第４の反射ミラーによって前記第６の方向に反射された前記レーザ光を、第７の方向又は第８の方向に反射させて前記シールド導体層に照射する第５の反射ミラーを備えており、
前記第２のミラースライドユニットは、前記第５の反射ミラーをスライドさせる第２のスライド機構と、前記第５の反射ミラーを回転させる第２の回転機構とを有していることも可能である。 Further, in the laser processing apparatus according to the present invention, a second mirror slide unit is arranged instead of the fifth reflecting mirror,
The second mirror slide unit irradiates the shield conductor layer by reflecting the laser beam reflected in the sixth direction by the fourth reflecting mirror in a seventh direction or an eighth direction. A fifth reflecting mirror,
The second mirror slide unit may include a second slide mechanism that slides the fifth reflection mirror and a second rotation mechanism that rotates the fifth reflection mirror. .

本発明に係るレーザ加工装置は、中心導体と、該中心導体を被覆するように配置された内部絶縁体と、該内部絶縁体を被覆するように配置されたシールド導体層とを備えたシールドケーブルを保持し、前記シールドケーブルの長手方向に対して略垂直方向から前記シールド導体層にレーザ光を照射することによって前記シールド導体層を切断するレーザ加工装置であって、
レーザ光を照射するレーザ照射機構と、
前記レーザ照射機構によって照射されたレーザ光の一部を第１の方向に反射させると共に前記レーザ光の一部を透過させる第１のハーフミラーと、
前記第１のハーフミラーによって前記第１の方向に反射された前記レーザ光を、第２の方向に反射させる第１の反射ミラーと、
前記第１の反射ミラーによって前記第２の方向に反射された前記レーザ光の一部を第３の方向に反射させて前記シールド導体層に照射すると共に前記レーザ光の一部を透過させる第２のハーフミラーと、
前記第２のハーフミラーによって透過された前記レーザ光を、第４の方向に反射させて前記シールド導体層に照射する第２の反射ミラーと、
前記第１のハーフミラーによって透過された前記レーザ光を、第５の方向に反射させて前記シールド導体層に照射する第３の反射ミラーと、
を具備し、
前記シールド導体層に照射されるレーザ光の隣り合う２本の光軸が作る角度が１８０°未満であることを特徴とする。 A laser processing apparatus according to the present invention includes a central conductor, an internal insulator disposed so as to cover the central conductor, and a shielded conductor layer disposed so as to cover the internal insulator. A laser processing apparatus for cutting the shield conductor layer by irradiating the shield conductor layer with laser light from a direction substantially perpendicular to the longitudinal direction of the shield cable,
A laser irradiation mechanism for irradiating laser light;
A first half mirror that reflects part of the laser light emitted by the laser irradiation mechanism in a first direction and transmits part of the laser light;
A first reflecting mirror that reflects the laser light reflected in the first direction by the first half mirror in a second direction;
A part of the laser beam reflected in the second direction by the first reflecting mirror is reflected in a third direction to irradiate the shield conductor layer and to transmit a part of the laser beam. Half mirror and
A second reflection mirror that reflects the laser light transmitted by the second half mirror in a fourth direction and irradiates the shield conductor layer;
A third reflecting mirror that reflects the laser light transmitted by the first half mirror in a fifth direction and irradiates the shield conductor layer;
Comprising
The angle formed by two adjacent optical axes of the laser light applied to the shield conductor layer is less than 180 °.

また、本発明に係るレーザ加工装置において、前記第１のハーフミラーと前記第３の反射ミラーの間に配置され、前記第１のハーフミラーによって透過された前記レーザ光の一部を第６の方向に反射させて前記シールド導体層に照射すると共に前記レーザ光の一部を透過させる第３のハーフミラーをさらに具備することも可能である。   In the laser processing apparatus according to the present invention, a part of the laser beam disposed between the first half mirror and the third reflection mirror and transmitted by the first half mirror It is also possible to further include a third half mirror that reflects in the direction and irradiates the shield conductor layer and transmits a part of the laser beam.

本発明に係るレーザ加工装置は、中心導体と、該中心導体を被覆するように配置された内部絶縁体と、該内部絶縁体を被覆するように配置されたシールド導体層とを備えたシールドケーブルを保持し、前記シールドケーブルの長手方向に対して略垂直方向から前記シールド導体層にレーザ光を照射することによって前記シールド導体層を切断するレーザ加工装置であって、
レーザ光を照射するレーザ照射機構と、
前記レーザ照射機構によって照射されたレーザ光を第１乃至第３の方向に反射させる回転反射ミラーと、
前記回転反射ミラーによって前記第１の方向に反射された前記レーザ光を、第４の方向に反射させて前記シールド導体層に照射する第１の反射ミラーと、
前記回転反射ミラーによって前記第２の方向に反射された前記レーザ光を、第５の方向に反射させて前記シールド導体層に照射する第２の反射ミラーと、
前記回転反射ミラーによって前記第３の方向に反射された前記レーザ光を、第６の方向に反射させて前記シールド導体層に照射する第３の反射ミラーと、
を具備し、
前記回転反射ミラーは、該回転反射ミラーを回転させる回転機構を有し、該回転機構によって前記回転反射ミラーの向きを調整するものであり、
前記シールド導体層に照射されるレーザ光の隣り合う２本の光軸が作る角度が１８０°未満であることを特徴とする。 A laser processing apparatus according to the present invention includes a central conductor, an internal insulator disposed so as to cover the central conductor, and a shielded conductor layer disposed so as to cover the internal insulator. A laser processing apparatus for cutting the shield conductor layer by irradiating the shield conductor layer with laser light from a direction substantially perpendicular to the longitudinal direction of the shield cable,
A laser irradiation mechanism for irradiating laser light;
A rotary reflection mirror that reflects the laser light emitted by the laser irradiation mechanism in first to third directions;
A first reflection mirror that reflects the laser light reflected in the first direction by the rotary reflection mirror in a fourth direction and irradiates the shield conductor layer;
A second reflecting mirror that reflects the laser light reflected in the second direction by the rotary reflecting mirror in a fifth direction and irradiates the shield conductor layer;
A third reflection mirror that reflects the laser light reflected in the third direction by the rotary reflection mirror in a sixth direction and irradiates the shield conductor layer;
Comprising
The rotation reflection mirror has a rotation mechanism for rotating the rotation reflection mirror, and adjusts the direction of the rotation reflection mirror by the rotation mechanism,
The angle formed by two adjacent optical axes of the laser light applied to the shield conductor layer is less than 180 °.

本発明に係るレーザ加工装置は、中心導体と、該中心導体を被覆するように配置された内部絶縁体と、該内部絶縁体を被覆するように配置されたシールド導体層とを備えたシールドケーブルを保持し、前記シールドケーブルの長手方向に対して略垂直方向から前記シールド導体層にレーザ光を照射することによって前記シールド導体層を切断するレーザ加工装置であって、
第１のレーザ光を前記シールド導体層に照射する第１のレーザ照射機構と、
第２のレーザ光を前記シールド導体層に照射する第２のレーザ照射機構と、
第３のレーザ光を前記シールド導体層に照射する第３のレーザ照射機構と、
を具備し、
前記シールド導体層に照射されるレーザ光の隣り合う２本の光軸が作る角度が１８０°未満であることを特徴とする。 A laser processing apparatus according to the present invention includes a central conductor, an internal insulator disposed so as to cover the central conductor, and a shielded conductor layer disposed so as to cover the internal insulator. A laser processing apparatus for cutting the shield conductor layer by irradiating the shield conductor layer with laser light from a direction substantially perpendicular to the longitudinal direction of the shield cable,
A first laser irradiation mechanism for irradiating the shield conductor layer with a first laser beam;
A second laser irradiation mechanism for irradiating the shield conductor layer with a second laser beam;
A third laser irradiation mechanism for irradiating the shield conductor layer with a third laser beam;
Comprising
The angle formed by two adjacent optical axes of the laser light applied to the shield conductor layer is less than 180 °.

本発明に係るレーザ加工装置は、中心導体と、該中心導体を被覆するように配置された内部絶縁体と、該内部絶縁体を被覆するように配置されたシールド導体層とを備えたシールドケーブルを保持し、前記シールドケーブルの長手方向に対して略垂直方向から前記シールド導体層にレーザ光を照射することによって前記シールド導体層を切断するレーザ加工装置であって、
第１のレーザ光を第１の方向に照射する第１のレーザ照射機構と、
前記第１のレーザ照射機構によって照射された第１のレーザ光を第２の方向に反射させる第１の反射ミラーと、
前記第１の反射ミラーを、前記第１の方向に沿ってスライドさせるスライド機構と、
前記第１の反射ミラーによって前記第２の方向に反射された前記第１のレーザ光を、第３の方向又は第４の方向に反射させて前記シールド導体層に照射する第１の放物面鏡と、
第２のレーザ光を、前記第１の方向と平行で且つ略１８０°回転させた第５の方向に照射する第２のレーザ照射機構と、
前記第２のレーザ照射機構によって照射された第２のレーザ光を第６の方向に反射させる第２の反射ミラーと、
前記第２の反射ミラーによって前記第６の方向に反射された前記第２のレーザ光を、第７の方向に反射させて前記シールド導体層に照射する第３の反射ミラーと、
を具備し、
前記第１の放物面鏡は、前記スライド機構によって前記第１の反射ミラーをスライドさせることにより、前記第１のレーザ光を前記第３の方向又は前記第４の方向に反射させるものであり、
前記シールド導体層に照射されるレーザ光の隣り合う２本の光軸が作る角度が１８０°未満であることを特徴とする。
また、本発明に係るレーザ加工装置において、前記第３の反射ミラーに代えて第２の放物面鏡を具備し、前記第２の反射ミラーを、前記第５の方向に沿ってスライドさせるスライド機構を有し、前記第２の放物面鏡は、前記スライド機構によって前記第２の反射ミラーをスライドさせることにより、前記第２のレーザ光を前記第７の方向又は第８の方向に反射させるものであることも可能である。 A laser processing apparatus according to the present invention includes a central conductor, an internal insulator disposed so as to cover the central conductor, and a shielded conductor layer disposed so as to cover the internal insulator. A laser processing apparatus for cutting the shield conductor layer by irradiating the shield conductor layer with laser light from a direction substantially perpendicular to the longitudinal direction of the shield cable,
A first laser irradiation mechanism for irradiating a first laser beam in a first direction;
A first reflecting mirror that reflects the first laser beam irradiated by the first laser irradiation mechanism in a second direction;
A slide mechanism for sliding the first reflecting mirror along the first direction;
A first paraboloid that reflects the first laser beam reflected in the second direction by the first reflecting mirror in a third direction or a fourth direction to irradiate the shield conductor layer. With a mirror,
A second laser irradiation mechanism for irradiating a second laser beam in a fifth direction that is parallel to the first direction and rotated by approximately 180 °;
A second reflecting mirror that reflects the second laser light irradiated by the second laser irradiation mechanism in a sixth direction;
A third reflecting mirror that reflects the second laser light reflected in the sixth direction by the second reflecting mirror in a seventh direction and irradiates the shield conductor layer;
Comprising
The first parabolic mirror reflects the first laser light in the third direction or the fourth direction by sliding the first reflecting mirror by the sliding mechanism. ,
The angle formed by two adjacent optical axes of the laser light applied to the shield conductor layer is less than 180 °.
In the laser processing apparatus according to the present invention, a second parabolic mirror is provided instead of the third reflecting mirror, and the second reflecting mirror is slid along the fifth direction. And the second parabolic mirror reflects the second laser light in the seventh direction or the eighth direction by sliding the second reflecting mirror by the sliding mechanism. It is also possible to make it.

本発明に係るレーザ加工装置は、中心導体と、該中心導体を被覆するように配置された内部絶縁体と、該内部絶縁体を被覆するように配置されたシールド導体層とを備えたシールドケーブルを保持し、前記シールドケーブルの長手方向に対して略垂直方向から前記シールド導体層にレーザ光を照射することによって前記シールド導体層を切断するレーザ加工装置であって、
レーザ光を前記シールド導体層に照射するレーザ照射機構と、
前記シールドケーブルを回転させる回転機構と、
を具備し、
前記シールド導体層に照射されるレーザ光の隣り合う２本の光軸が作る角度が１８０°未満であることを特徴とする。 A laser processing apparatus according to the present invention includes a central conductor, an internal insulator disposed so as to cover the central conductor, and a shielded conductor layer disposed so as to cover the internal insulator. A laser processing apparatus for cutting the shield conductor layer by irradiating the shield conductor layer with laser light from a direction substantially perpendicular to the longitudinal direction of the shield cable,
A laser irradiation mechanism for irradiating the shield conductor layer with laser light;
A rotating mechanism for rotating the shielded cable;
Comprising
The angle formed by two adjacent optical axes of the laser light applied to the shield conductor layer is less than 180 °.

以上説明したように本発明によれば、シールド導体層側面に切断されないシールド線が残ることがなく、且つ内部導体とシールド導体層との絶縁性を十分に確保できるシールド導体層の切断方法及びレーザ加工装置を提供することができる。   As described above, according to the present invention, the shield conductor layer cutting method and the laser can ensure sufficient insulation between the inner conductor and the shield conductor layer without leaving uncut shield wires on the side surfaces of the shield conductor layer. A processing apparatus can be provided.

以下、図面を参照して本発明の実施の形態について説明する。
（実施の形態１）
図１は、本発明の実施の形態１によるレーザ加工装置の構成を示す模式図である。
このレーザ加工装置は、例えば図１０及び図１１に示すシールドケーブル１におけるシールド導体層４に４方向からレーザ光を照射することによりシールド導体層４を切断する装置である。前記シールドケーブル１は例えばＡＷＧ(American Wire Gauge)３０以上のような極細同軸線であり、前記シールド導体層４は図１０に示すように複数のシールド線４ａによって構成され、シールド線４ａの材質はＡＷＧ４２番線の場合で例えば外径約０．０３ｍｍの錫メッキ銅合金線である。尚、本実施の形態によるレーザ加工装置で加工可能なシールド線は、錫メッキ銅合金線の他に、銀メッキ銅合金線、アルミ箔などである。 Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.
(Embodiment 1)
FIG. 1 is a schematic diagram showing a configuration of a laser processing apparatus according to Embodiment 1 of the present invention.
This laser processing apparatus is an apparatus for cutting the shield conductor layer 4 by irradiating the shield conductor layer 4 in the shielded cable 1 shown in FIGS. 10 and 11 with laser light from four directions. The shielded cable 1 is an ultra-fine coaxial wire such as AWG (American Wire Gauge) 30 or more, and the shield conductor layer 4 is composed of a plurality of shield wires 4a as shown in FIG. In the case of the AWG 42 wire, for example, it is a tin-plated copper alloy wire having an outer diameter of about 0.03 mm. The shield wire that can be processed by the laser processing apparatus according to the present embodiment is a silver-plated copper alloy wire, an aluminum foil, etc. in addition to the tin-plated copper alloy wire.

図１のレーザ加工装置は、レーザ光１２を照射するレーザ照射機構１１と、第１〜第７の反射ミラー１３〜１９と、第１〜第４のレンズ２０〜２３と、ミラースライド機構（図示せず）とを有している。レーザ照射機構１１から照射されるレーザ光は例えばＹＡＧ基本波パルスレーザ（波長λ＝１０６４ｎｍ）である。また、シールドケーブル１は、レーザ処理装置において図示せぬ保持機構によって保持されている。また、シールドケーブル１はレーザ光照射時にスライドさせるケーブルスライド機構（図示せず）が設けられている。   1 includes a laser irradiation mechanism 11 that irradiates a laser beam 12, first to seventh reflection mirrors 13 to 19, first to fourth lenses 20 to 23, and a mirror slide mechanism (see FIG. 1). Not shown). The laser beam emitted from the laser irradiation mechanism 11 is, for example, a YAG fundamental wave pulse laser (wavelength λ = 1064 nm). The shielded cable 1 is held by a holding mechanism (not shown) in the laser processing apparatus. The shield cable 1 is provided with a cable slide mechanism (not shown) that slides when the laser beam is irradiated.

レーザ照射機構１１から照射されたレーザ光１２は、第１の反射ミラー１３によって第１の方向３１に反射され、第２の反射ミラー１４によって第１の方向３１に対して９０°程度曲げられた第２の方向３２に反射され、第３の反射ミラー１５によって第３の方向３３に反射され、この反射されたレーザ光１２が第１のレンズ２０を通ってシールドケーブル１のシールド導体層４に照射される。この際、シールド導体層をスキャン照射するために、前記第２の方向３２と平行な方向にシールドケーブル１を前記ケーブルスライド機構によってスライドさせる。   The laser beam 12 irradiated from the laser irradiation mechanism 11 is reflected by the first reflecting mirror 13 in the first direction 31 and bent by about 90 ° with respect to the first direction 31 by the second reflecting mirror 14. Reflected in the second direction 32, reflected by the third reflecting mirror 15 in the third direction 33, and the reflected laser light 12 passes through the first lens 20 to the shield conductor layer 4 of the shielded cable 1. Irradiated. At this time, in order to scan and irradiate the shield conductor layer, the shield cable 1 is slid by the cable slide mechanism in a direction parallel to the second direction 32.

第３の反射ミラー１５は、第２の反射ミラー１４によって反射されたレーザ光の光軸から外れた位置にミラースライド機構（図示せず）によってスライドできるようになっている。このミラースライド機構によって第３の反射ミラー１５をスライドさせて前記光軸から外した状態で、レーザ照射機構１１から照射されたレーザ光１２は、第１の反射ミラー１３によって第１の方向３１に反射され、第２の反射ミラー１４によって第１の方向３１に対して９０°程度曲げられた第２の方向３２に反射され、第４の反射ミラー１６によって第４の方向３４に反射され、この反射されたレーザ光１２が第２のレンズ２１を通ってシールドケーブル１のシールド導体層４に照射される。この際、シールド導体層をスキャン照射するために、前記第２の方向３２と平行な方向にシールドケーブル１を前記ケーブルスライド機構によってスライドさせる。   The third reflection mirror 15 can be slid by a mirror slide mechanism (not shown) to a position deviated from the optical axis of the laser beam reflected by the second reflection mirror 14. The laser beam 12 emitted from the laser irradiation mechanism 11 in a state where the third reflection mirror 15 is slid by the mirror slide mechanism and removed from the optical axis is moved in the first direction 31 by the first reflection mirror 13. Reflected, reflected by the second reflecting mirror 14 in the second direction 32 bent by about 90 ° with respect to the first direction 31, and reflected by the fourth reflecting mirror 16 in the fourth direction 34. The reflected laser beam 12 is irradiated to the shield conductor layer 4 of the shield cable 1 through the second lens 21. At this time, in order to scan and irradiate the shield conductor layer, the shield cable 1 is slid by the cable slide mechanism in a direction parallel to the second direction 32.

第１の反射ミラー１３には、レーザ照射機構１１によって照射されたレーザ光１２を第１の方向３１に対して１８０°回転させた第５の方向３５に反射させるように、前記第１の反射ミラー１３の向きを変えることができる駆動機構（図示せず）が取り付けられている。また、第６の反射ミラー１８は、第７の反射ミラー１９によって反射されたレーザ光の光軸から外れた位置にミラースライド機構（図示せず）によってスライドできるようになっている。前記駆動機構によって第１の反射ミラー１３の向きを変え且つ前記ミラースライド機構によって第６の反射ミラー１８をスライドさせて前記光軸から外した状態で、レーザ照射機構１１から照射されたレーザ光１２は、第１の反射ミラー１３によって第５の方向３５に反射され、第７の反射ミラー１９によって第５の方向３５に対して９０°程度曲げられた第６の方向３６に反射され、第５の反射ミラー１７によって第８の方向３８に反射され、この反射されたレーザ光１２が第３のレンズ２２を通ってシールドケーブル１のシールド導体層４に照射される。この際、シールド導体層をスキャン照射するために、前記第６の方向３６と平行な方向にシールドケーブル１を前記ケーブルスライド機構によってスライドさせる。   The first reflection mirror 13 reflects the laser beam 12 irradiated by the laser irradiation mechanism 11 in a fifth direction 35 rotated by 180 ° with respect to the first direction 31. A drive mechanism (not shown) that can change the direction of the mirror 13 is attached. The sixth reflection mirror 18 can be slid by a mirror slide mechanism (not shown) to a position deviated from the optical axis of the laser beam reflected by the seventh reflection mirror 19. The laser beam 12 emitted from the laser irradiation mechanism 11 in a state where the direction of the first reflection mirror 13 is changed by the drive mechanism and the sixth reflection mirror 18 is slid by the mirror slide mechanism and removed from the optical axis. Is reflected in the fifth direction 35 by the first reflecting mirror 13, reflected in the sixth direction 36 bent by about 90 ° with respect to the fifth direction 35 by the seventh reflecting mirror 19, The reflection mirror 17 reflects the laser beam 12 in the eighth direction 38 and irradiates the shield conductor layer 4 of the shield cable 1 through the third lens 22. At this time, in order to scan and irradiate the shield conductor layer, the shield cable 1 is slid by the cable slide mechanism in a direction parallel to the sixth direction 36.

前記ミラースライド機構によって第６の反射ミラー１８をスライドさせて前記光軸上に戻した状態で、レーザ照射機構１１から照射されたレーザ光１２は、第１の反射ミラー１３によって第５の方向３５に反射され、第７の反射ミラー１９によって第５の方向３５に対して９０°程度曲げられた第６の方向３６に反射され、第６の反射ミラー１８によって第７の方向３７に反射され、この反射されたレーザ光１２が第４のレンズ２３を通ってシールドケーブル１のシールド導体層４に照射される。この際、シールド導体層をスキャン照射するために、前記第６の方向３６と平行な方向にシールドケーブル１を前記ケーブルスライド機構によってスライドさせる。   The laser beam 12 emitted from the laser irradiation mechanism 11 in a state where the sixth reflection mirror 18 is slid by the mirror slide mechanism and returned to the optical axis, is in a fifth direction 35 by the first reflection mirror 13. And reflected in the sixth direction 36 bent by about 90 ° with respect to the fifth direction 35 by the seventh reflection mirror 19, reflected in the seventh direction 37 by the sixth reflection mirror 18, The reflected laser beam 12 is irradiated to the shield conductor layer 4 of the shield cable 1 through the fourth lens 23. At this time, in order to scan and irradiate the shield conductor layer, the shield cable 1 is slid by the cable slide mechanism in a direction parallel to the sixth direction 36.

また、レーザ加工装置は図示せぬ制御部を備えており、この制御部は、第１の反射ミラー１３の向きを変える駆動機構、第３の反射ミラー１５及び第６の反射ミラー１８それぞれをスライドさせるミラースライド機構、レーザ照射機構１１それぞれの動作などを制御するようになっている。   Further, the laser processing apparatus includes a control unit (not shown), and this control unit slides the driving mechanism for changing the direction of the first reflection mirror 13, the third reflection mirror 15, and the sixth reflection mirror 18, respectively. The operation of each of the mirror slide mechanism and the laser irradiation mechanism 11 to be controlled is controlled.

次に、図１のレーザ加工装置を用いてシールドケーブル１におけるシールド導体層を切断する方法について説明する。
まず、図１０に示すシールドケーブル１のジャケット５を所定長剥ぎ取ってシールド導体層を露出させる。この状態のシールドケーブル１を図１に示すレーザ加工装置の保持機構により固定して保持する。 Next, a method for cutting the shield conductor layer in the shielded cable 1 using the laser processing apparatus of FIG. 1 will be described.
First, the jacket 5 of the shielded cable 1 shown in FIG. 10 is peeled off for a predetermined length to expose the shield conductor layer. The shielded cable 1 in this state is fixed and held by the holding mechanism of the laser processing apparatus shown in FIG.

次いで、レーザ照射機構１１からレーザ光１２を照射し、このレーザ光１２が第１〜第３の反射ミラー１３〜１５それぞれによって反射され、この反射されたレーザ光１２が第１のレンズ２０を通って第３の方向３３からシールドケーブル１のシールド導体層４に照射される。この際、シールドケーブル１をケーブルスライド機構によってスライドさせることによりシールド導体層がスキャン照射される。   Next, the laser beam 12 is irradiated from the laser irradiation mechanism 11, the laser beam 12 is reflected by the first to third reflecting mirrors 13 to 15, and the reflected laser beam 12 passes through the first lens 20. Then, the shield conductor layer 4 of the shield cable 1 is irradiated from the third direction 33. At this time, the shield conductor layer is slid by the cable slide mechanism to scan the shield conductor layer.

次いで、第３の反射ミラー１５を、第２の反射ミラー１４によって反射されたレーザ光の光軸から外れた位置にミラースライド機構によってスライドさせる。次いで、レーザ照射機構１１からレーザ光１２を照射し、このレーザ光１２が第１、第２及び第４の反射ミラー１３，１４，１６それぞれによって反射され、この反射されたレーザ光１２が第２のレンズ２１を通って第４の方向３４からシールド導体層に照射される。この際、シールドケーブル１をケーブルスライド機構によってスライドさせることによりシールド導体層がスキャン照射される。   Next, the third reflecting mirror 15 is slid by the mirror sliding mechanism to a position deviated from the optical axis of the laser beam reflected by the second reflecting mirror 14. Next, the laser beam 12 is irradiated from the laser irradiation mechanism 11, the laser beam 12 is reflected by the first, second and fourth reflecting mirrors 13, 14, and 16, and the reflected laser beam 12 is second. The shield conductor layer is irradiated from the fourth direction 34 through the lens 21. At this time, the shield conductor layer is slid by the cable slide mechanism to scan the shield conductor layer.

次いで、駆動機構によって第１の反射ミラー１３の向きを変え、レーザ照射機構１１からレーザ光１２を照射し、このレーザ光１２が第１、第７及び第５の反射ミラー１３，１９，１７それぞれによって反射され、この反射されたレーザ光１２が第３のレンズ２２を通って第７の方向３７からシールド導体層４に照射される。この際、シールドケーブル１をケーブルスライド機構によってスライドさせることによりシールド導体層がスキャン照射される。   Next, the direction of the first reflection mirror 13 is changed by the drive mechanism, and the laser beam 12 is emitted from the laser irradiation mechanism 11, and the laser beam 12 is emitted from the first, seventh, and fifth reflection mirrors 13, 19, and 17, respectively. The reflected laser beam 12 passes through the third lens 22 and irradiates the shield conductor layer 4 from the seventh direction 37. At this time, the shield conductor layer is slid by the cable slide mechanism to scan the shield conductor layer.

次いで、第６の反射ミラー１８を、第７の反射ミラー１９によって反射されたレーザ光の光軸上にミラースライド機構によってスライドさせる。次いで、レーザ照射機構１１からレーザ光１２を照射し、このレーザ光１２が第１、第７及び第６の反射ミラー１３それぞれによって反射され、この反射されたレーザ光１２が第４のレンズ２３を通って第８の方向３８からシールド導体層に照射される。この際、シールドケーブル１をケーブルスライド機構によってスライドさせることによりシールド導体層がスキャン照射される。   Next, the sixth reflection mirror 18 is slid by the mirror slide mechanism on the optical axis of the laser beam reflected by the seventh reflection mirror 19. Next, the laser beam 12 is irradiated from the laser irradiation mechanism 11, the laser beam 12 is reflected by the first, seventh, and sixth reflecting mirrors 13, and the reflected laser beam 12 passes through the fourth lens 23. The shield conductor layer is irradiated from the eighth direction 38 through. At this time, the shield conductor layer is slid by the cable slide mechanism to scan the shield conductor layer.

このようにしてシールド導体層全体が完全に溶融切断され、シールド導体層が剥ぎ取られた後のシールドケーブル１は図２に示すように内部絶縁体が露出されたものとなる。図２に示すように、切断後のシールドケーブル１の先端側は、中心導体２が露出され、その中心導体２を被覆する内部絶縁体３も露出され、内部絶縁体３を被覆するシールド導体層がレーザ照射位置で切断された状態となっている。ジャケット５と内部絶縁体３との間にはシールド導体層が存在している。   In this way, the shield cable 1 after the entire shield conductor layer is completely melted and cut, and the shield conductor layer is peeled off, has the internal insulator exposed as shown in FIG. As shown in FIG. 2, the central conductor 2 is exposed at the distal end side of the shielded cable 1 after cutting, and the internal insulator 3 that covers the central conductor 2 is also exposed, and the shield conductor layer that covers the internal insulator 3 is exposed. Is cut at the laser irradiation position. A shield conductor layer exists between the jacket 5 and the inner insulator 3.

上記実施の形態１によれば、シールド導体層に４方向からレーザ光を照射しているため、従来技術のようにレーザ光を上方と下方の２方向からシールド導体層４に照射するのに比べ、レーザ光が隣り合うシールド線によって遮られてレーザ光の照射が不十分になることを抑制することができる。その結果、シールド導体層側面においても切断されないシールド線が残ることを防止でき、シールド導体層全体を完全に且つ安定して溶融切断することができる。これと共に、４方向からレーザ光を照射することにより、全てのシールド線が完全に切断されるような条件でレーザ光を照射しても、従来技術のように高出力なレーザ光の照射条件にする必要がない。このため、シールド導体層をレーザ光が貫通して内部絶縁体３まで達することがなく、内部絶縁体に傷が入る部分が生じることを抑制できる。従って、内部絶縁体３の電気的絶縁性が低下することを防止でき、内部導体２とシールド導体層４との絶縁を十分に確保することができる。   According to the first embodiment, since the shield conductor layer is irradiated with the laser light from four directions, the laser conductor is irradiated to the shield conductor layer 4 from the upper and lower two directions as in the prior art. It is possible to prevent the laser light from being blocked by the adjacent shield wire and insufficiently irradiating the laser light. As a result, it is possible to prevent the unshielded shield wire from remaining on the side surface of the shield conductor layer, and to completely and stably melt and cut the entire shield conductor layer. At the same time, by irradiating the laser beam from four directions, even if the laser beam is irradiated under the condition that all the shield lines are completely cut, the irradiation condition of the high-power laser beam is maintained as in the prior art. There is no need to do. For this reason, a laser beam does not penetrate through the shield conductor layer and reach the internal insulator 3, and it is possible to suppress the occurrence of a portion where the internal insulator is damaged. Therefore, it is possible to prevent the electrical insulation of the internal insulator 3 from being deteriorated, and to sufficiently ensure insulation between the internal conductor 2 and the shield conductor layer 4.

また、本実施の形態では、シールド導体層にレーザ光を照射する照射方向は、図１に示すように隣り合わないレーザ光の光軸どうしは一直線を成すような方向となっている。このような方向とすることにより、シールド導体層全体をより低出力のレーザ光によって確実に溶融切断することができる。   In the present embodiment, the irradiation direction in which the shield conductor layer is irradiated with the laser light is such that the optical axes of the laser beams that are not adjacent to each other form a straight line as shown in FIG. By adopting such a direction, the entire shield conductor layer can be surely melted and cut by a laser beam having a lower output.

尚、本実施の形態では、シールド導体層に４方向からレーザ光を照射しているが、これに限定されるものではなく、シールド導体層に３方向からレーザ光を照射しても良いし、シールド導体層に５方向以上からレーザ光を照射しても良い。この場合、シールド導体層に照射されるレーザ光の隣り合う２本の光軸が作る角度は１８０°未満であれば良いが、１５０°未満であることがより好ましく、より顕著な効果が得られる。   In this embodiment, the shield conductor layer is irradiated with laser light from four directions. However, the present invention is not limited to this, and the shield conductor layer may be irradiated with laser light from three directions. The shield conductor layer may be irradiated with laser light from five or more directions. In this case, the angle formed by two adjacent optical axes of the laser light applied to the shield conductor layer may be less than 180 °, but is preferably less than 150 °, and a more remarkable effect is obtained. .

また、本実施の形態では、レーザ光をシールド導体層に対してスキャンする照射方法（スキャン照射）を用いているが、これに限定されるものではなく、次のように変更して実施することも可能である。例えば、レーザ光の径がシールド導体層の幅より大きくスキャン照射しなくてもシールド導体層を切断できる場合はスキャンせずにレーザ光をシールド導体層に照射することも可能である。また、スキャン照射しない場合であって、シールド導体層を構成する金属細線からなるシールド線を複数回のレーザ照射で切断できるレーザ出力とし、一方向からのレーザ照射を複数回行うことも可能である。また、スキャン照射する場合であって、シールド導体層を構成する金属細線からなるシールド線を１回のスキャン照射では切断できないが、複数回のスキャン照射で切断できるレーザ出力とし、一方向からのレーザ照射を複数回のスキャン照射で行うことも可能である。
上記のようにシールド線を複数回のレーザ照射又は複数回のスキャン照射で切断できるレーザ出力とした場合は、１回のレーザ照射又は１回のスキャン照射で切断できるレーザ出力とした場合に比べて内部絶縁体に与えるダメージをより少なくできるレーザ出力を選択しやすくなる。換言すれば、複数回のレーザ照射又は複数回のスキャン照射で切断できるレーザ出力を調整する方が、１回のレーザ照射又は１回のスキャン照射で切断できるレーザ出力を調整するより調整が容易である。従って、結果的に内部絶縁体に与えるダメージを少なくすることができる。 In this embodiment, an irradiation method (scan irradiation) for scanning the shield conductor layer with laser light is used. However, the present invention is not limited to this, and the following modifications are made. Is also possible. For example, when the shield conductor layer can be cut even when the diameter of the laser beam is larger than the width of the shield conductor layer and the scan conductor layer can be cut, the laser beam can be irradiated to the shield conductor layer without scanning. In addition, it is possible to perform laser irradiation from one direction a plurality of times by using a laser output that can be cut by a plurality of times of laser irradiation of a shield wire made of a thin metal wire constituting the shield conductor layer in the case of no scan irradiation. . Also, in the case of scan irradiation, a shield wire made of a thin metal wire constituting the shield conductor layer cannot be cut by one scan irradiation, but a laser output that can be cut by a plurality of scan irradiations, and laser from one direction Irradiation can also be performed by multiple scan irradiations.
As described above, when the laser output can be cut by a plurality of times of laser irradiation or multiple times of scan irradiation, the shield wire is compared with the case of using a laser output that can be cut by one time of laser irradiation or one time of scan irradiation. It becomes easier to select a laser output that can reduce damage to the internal insulator. In other words, adjusting the laser output that can be cut by multiple times of laser irradiation or multiple times of scan irradiation is easier than adjusting the laser output that can be cut by one time of laser irradiation or single scan irradiation. is there. As a result, damage to the internal insulator can be reduced.

また、本実施の形態では、ケーブルスライド機構によってシールドケーブルをスライドさせることによりシールド導体層にレーザ光をスキャン照射しているが、シールドケーブルを固定した状態でレーザ光をスライドさせることによりシールド導体層にレーザ光をスキャン照射することも可能である。   In this embodiment, the shield conductor layer is scanned and irradiated with the laser light by sliding the shield cable by the cable slide mechanism. However, the shield conductor layer is obtained by sliding the laser light while the shield cable is fixed. It is also possible to scan with laser light.

また、本実施の形態では、図１に示すように４方向からシールド導体層にレーザ光を照射しているが、５方向以上の方向からシールド導体層にレーザ光を照射することも可能である。この場合は、図１のレーザ加工装置において、第３の反射ミラー１５と第４の反射ミラー１６の間に第３の反射ミラー１５と同様のミラースライド機構付きの反射ミラーを配置し、この反射ミラーとシールドケーブル１との間にレンズを配置することにより前記反射ミラーによって反射させたレーザ光を、前記レンズを通してシールドケーブルのシールド導体層に照射できるようにしたり、またこのような反射ミラー及びレンズをさらに複数配置することにより実現できる。また、図１のレーザ加工装置において、第６の反射ミラー１８と第５の反射ミラー１７の間に第６の反射ミラー１８と同様のミラースライド機構付きの反射ミラーを配置し、この反射ミラーとシールドケーブル１との間にレンズを配置することにより前記反射ミラーによって反射させたレーザ光を、前記レンズを通してシールドケーブルのシールド導体層に照射できるようにしたり、またこのような反射ミラー及びレンズをさらに複数配置することにより実現できる。   In the present embodiment, as shown in FIG. 1, the shield conductor layer is irradiated with laser light from four directions. However, the shield conductor layer can be irradiated with laser light from five or more directions. . In this case, in the laser processing apparatus of FIG. 1, a reflection mirror with a mirror slide mechanism similar to the third reflection mirror 15 is arranged between the third reflection mirror 15 and the fourth reflection mirror 16, and this reflection is performed. By disposing a lens between the mirror and the shield cable 1, the laser light reflected by the reflection mirror can be irradiated to the shield conductor layer of the shield cable through the lens, or such a reflection mirror and lens. This can be realized by arranging more than one. Further, in the laser processing apparatus of FIG. 1, a reflection mirror with a mirror slide mechanism similar to the sixth reflection mirror 18 is disposed between the sixth reflection mirror 18 and the fifth reflection mirror 17. By arranging a lens between the shielded cable 1 and the laser beam reflected by the reflecting mirror, it is possible to irradiate the shield conductor layer of the shielded cable through the lens. This can be realized by arranging a plurality.

また、本実施の形態では、図１に示すように一本のシールドケーブルのシールド導体層を切断する場合について説明しているが、これに限定されるものではなく、複数本のシールドケーブルそれぞれのシールド導体層を同時に切断することも可能である。この場合の方法を以下に説明する。   In the present embodiment, the case where the shield conductor layer of one shielded cable is cut as shown in FIG. 1 is described. However, the present invention is not limited to this, and each of the plurality of shielded cables is not limited thereto. It is also possible to cut the shield conductor layer at the same time. A method in this case will be described below.

図３は、実施の形態１の変形例であって複数並べたシールドケーブルそれぞれのシールド導体層を同時に切断する方法を説明する図である。
レーザ加工装置において複数本のシールドケーブル１を横一列に並べて保持機構によって保持する点以外は、実施の形態１と同様であるので説明を省略する。 FIG. 3 is a diagram for explaining a method of simultaneously cutting the shield conductor layers of a plurality of shielded cables arranged as a modification of the first embodiment.
Since the laser processing apparatus is the same as Embodiment 1 except that a plurality of shielded cables 1 are arranged in a horizontal row and held by a holding mechanism, description thereof is omitted.

また、シールドケーブル１にレーザ光をスキャン照射するために、ケーブルスライド機構によってシールドケーブルを矢印２４の方向にスライドさせても良いし、またシールドケーブルを固定した状態で光学系を矢印２５の方向にスライドさせても良いし、また光学系又はシールドケーブルを複数回往復スライドさせても良い。   Further, in order to scan and irradiate the shielded cable 1 with laser light, the shielded cable may be slid in the direction of arrow 24 by a cable slide mechanism, and the optical system is moved in the direction of arrow 25 with the shielded cable fixed. The optical system or shielded cable may be slid back and forth multiple times.

上記変形例においても実施の形態１と同様の効果を得ることができる。   Also in the modified example, the same effect as in the first embodiment can be obtained.

（実施の形態２）
図４は、本発明の実施の形態２によるレーザ加工装置の構成を示す模式図であり、図１と同一部分には同一符号を付す。
レーザ照射機構１１、第１の反射ミラー１３、第２の反射ミラー１４、第７の反射ミラー１９、シールドケーブルの保持機構、及びケーブルスライド機構は実施の形態１と同様であるので説明を省略する。 (Embodiment 2)
FIG. 4 is a schematic diagram showing the configuration of the laser processing apparatus according to Embodiment 2 of the present invention, and the same parts as those in FIG.
Since the laser irradiation mechanism 11, the first reflection mirror 13, the second reflection mirror 14, the seventh reflection mirror 19, the shield cable holding mechanism, and the cable slide mechanism are the same as those in the first embodiment, description thereof is omitted. .

第２の反射ミラー１４によって第２の方向３２に反射されたレーザ光１２は、ミラースライドユニット２６内の反射ミラー２６ａによって第３の方向３３に反射され、この反射されたレーザ光１２が第１の回転レンズ２７ａを通ってシールドケーブル１のシールド導体層４に照射される。この際、シールド導体層をスキャン照射するために、前記第２の方向３２と平行な方向にシールドケーブル１を前記ケーブルスライド機構によってスライドさせる。   The laser beam 12 reflected in the second direction 32 by the second reflecting mirror 14 is reflected in the third direction 33 by the reflecting mirror 26a in the mirror slide unit 26, and the reflected laser beam 12 is reflected in the first direction. The shield conductor layer 4 of the shielded cable 1 is irradiated through the rotating lens 27a. At this time, in order to scan and irradiate the shield conductor layer, the shield cable 1 is slid by the cable slide mechanism in a direction parallel to the second direction 32.

ミラースライドユニット２６は、反射ミラー２６ａと、この反射ミラー２６ａをスライドさせるスライド機構（図示せず）と、反射ミラー２６ａの向きを調整する回転機構（図示せず）とを有している。また、第１の回転レンズ２７ａには、シールドケーブル１の周囲を矢印のように回転させる回転機構（図示せず）が取り付けられている。   The mirror slide unit 26 includes a reflection mirror 26a, a slide mechanism (not shown) for sliding the reflection mirror 26a, and a rotation mechanism (not shown) for adjusting the direction of the reflection mirror 26a. The first rotating lens 27a is attached with a rotating mechanism (not shown) that rotates the periphery of the shielded cable 1 as indicated by an arrow.

第７の反射ミラー１９によって第６の方向３６に反射されたレーザ光１２は、ミラースライドユニット２８内の反射ミラー２８ａによって第７の方向３７に反射され、この反射されたレーザ光１２が第２の回転レンズ２７ｂを通ってシールドケーブル１のシールド導体層４に照射される。この際、シールド導体層をスキャン照射するために、前記第６の方向３６と平行な方向にシールドケーブル１を前記ケーブルスライド機構によってスライドさせる。
ミラースライドユニット２８は、反射ミラー２８ａと、この反射ミラー２８ａをスライドさせるスライド機構（図示せず）と、反射ミラー２８ａの向きを調整する回転機構（図示せず）とを有している。また、第２の回転レンズ２７ｂには、シールドケーブル１の周囲を矢印のように回転させる回転機構（図示せず）が取り付けられている。 The laser beam 12 reflected in the sixth direction 36 by the seventh reflecting mirror 19 is reflected in the seventh direction 37 by the reflecting mirror 28a in the mirror slide unit 28, and the reflected laser beam 12 is reflected in the second direction. The shield conductor layer 4 of the shielded cable 1 is irradiated through the rotating lens 27b. At this time, in order to scan and irradiate the shield conductor layer, the shield cable 1 is slid by the cable slide mechanism in a direction parallel to the sixth direction 36.
The mirror slide unit 28 includes a reflection mirror 28a, a slide mechanism (not shown) for sliding the reflection mirror 28a, and a rotation mechanism (not shown) for adjusting the direction of the reflection mirror 28a. The second rotating lens 27b is attached with a rotating mechanism (not shown) that rotates around the shielded cable 1 as indicated by an arrow.

次に、図４のレーザ加工装置を用いてシールドケーブル１におけるシールド導体層を切断する方法について説明する。
まず、ジャケット５を所定長剥ぎ取ってシールド導体層を露出させた状態のシールドケーブル１を図４に示すレーザ加工装置の保持機構により固定して保持する。 Next, a method for cutting the shield conductor layer in the shielded cable 1 using the laser processing apparatus of FIG. 4 will be described.
First, the shield cable 1 with the jacket 5 peeled off for a predetermined length to expose the shield conductor layer is fixed and held by the holding mechanism of the laser processing apparatus shown in FIG.

次いで、レーザ照射機構１１からレーザ光１２を照射し、このレーザ光１２が第１、第２の反射ミラー１３，１４及びミラースライドユニット内の反射ミラー２６ａそれぞれによって反射され、この反射されたレーザ光１２が第１の回転レンズ２７ａを通って第３の方向３３からシールドケーブル１のシールド導体層４に照射される。この際、反射ミラー２６ａ及び第１の回転レンズ２７ａは、第３の方向３３にレーザ光が反射されシールド導体層に照射されるように位置合わせされている。   Next, the laser beam 12 is irradiated from the laser irradiation mechanism 11, and the laser beam 12 is reflected by the first and second reflecting mirrors 13 and 14 and the reflecting mirror 26a in the mirror slide unit, and the reflected laser beam. 12 is irradiated to the shield conductor layer 4 of the shielded cable 1 from the third direction 33 through the first rotating lens 27a. At this time, the reflecting mirror 26a and the first rotating lens 27a are aligned so that the laser light is reflected in the third direction 33 and irradiated to the shield conductor layer.

次いで、ミラースライドユニット２６において反射ミラー２６ａをスライドさせ、第１の回転レンズ２７ａを回転移動させる。これにより、反射ミラー２６ａ及び第１の回転レンズ２７ａが第４の方向３４にレーザ光が反射されシールド導体層に照射されるように位置合わせされる。そして、レーザ照射機構１１からレーザ光１２を照射し、このレーザ光１２が第１、第２の反射ミラー１３，１４及び反射ミラー２６ａそれぞれによって反射され、この反射されたレーザ光１２が第１の回転レンズ２７ａを通って第４の方向３４からシールド導体層に照射される。   Next, the reflecting mirror 26a is slid in the mirror slide unit 26, and the first rotating lens 27a is rotated. As a result, the reflecting mirror 26a and the first rotating lens 27a are aligned so that the laser light is reflected in the fourth direction 34 and applied to the shield conductor layer. Then, the laser beam 12 is emitted from the laser irradiation mechanism 11, the laser beam 12 is reflected by the first and second reflecting mirrors 13 and 14, and the reflecting mirror 26a, and the reflected laser beam 12 is reflected by the first laser beam 12. The shield conductor layer is irradiated from the fourth direction 34 through the rotating lens 27a.

次いで、駆動機構によって第１の反射ミラー１３の向きを変え、レーザ照射機構１１からレーザ光１２を照射し、このレーザ光１２が第１、第７の反射ミラー１３，１９及びミラースライドユニット２８内の反射ミラー２８ａそれぞれによって反射され、この反射されたレーザ光１２が第２の回転レンズ２７ｂを通って第７の方向３７からシールドケーブル１のシールド導体層４に照射される。この際、反射ミラー２８ａ及び第２の回転レンズ２７ｂは、第７の方向３７にレーザ光が反射されシールド導体層に照射されるように位置合わせされている。   Next, the direction of the first reflection mirror 13 is changed by the drive mechanism, and the laser beam 12 is emitted from the laser irradiation mechanism 11, and the laser beam 12 is reflected in the first and seventh reflection mirrors 13 and 19 and the mirror slide unit 28. Are reflected by the respective reflecting mirrors 28a, and the reflected laser light 12 is irradiated onto the shield conductor layer 4 of the shielded cable 1 from the seventh direction 37 through the second rotating lens 27b. At this time, the reflecting mirror 28a and the second rotating lens 27b are aligned so that the laser light is reflected in the seventh direction 37 and irradiated to the shield conductor layer.

次いで、ミラースライドユニット２８において反射ミラー２８ａをスライドさせ、第２の回転レンズ２７ｂを回転移動させる。これにより、反射ミラー２８ａ及び第２の回転レンズ２７ｂが第８の方向３８にレーザ光が反射されシールド導体層に照射されるように位置合わせされる。そして、レーザ照射機構１１からレーザ光１２を照射し、このレーザ光１２が第１、第７の反射ミラー１３，１９及び反射ミラー２８ａそれぞれによって反射され、この反射されたレーザ光１２が第２の回転レンズ２７ｂを通って第８の方向３８からシールド導体層に照射される。   Next, the reflecting mirror 28a is slid in the mirror slide unit 28, and the second rotating lens 27b is rotated. As a result, the reflecting mirror 28a and the second rotating lens 27b are aligned so that the laser light is reflected in the eighth direction 38 and applied to the shield conductor layer. Then, the laser beam 12 is emitted from the laser irradiation mechanism 11, the laser beam 12 is reflected by the first and seventh reflecting mirrors 13 and 19 and the reflecting mirror 28a, and the reflected laser beam 12 is reflected by the second laser beam 12. The shield conductor layer is irradiated from the eighth direction 38 through the rotating lens 27b.

上記実施の形態２においても実施の形態１と同様の効果を得ることができる。
また、本実施の形態においても実施の形態１と同様の変形例を実施することが可能である。 In the second embodiment, the same effect as in the first embodiment can be obtained.
Also in the present embodiment, it is possible to implement a modification similar to that in the first embodiment.

（実施の形態３）
図５は、本発明の実施の形態３によるレーザ加工装置の構成を示す模式図であり、図１と同一部分には同一符号を付す。
レーザ照射機構１１、第２の反射ミラー１４、第４の反射ミラー１６、第５の反射ミラー１７、第１〜第４のレンズ２０〜２３、シールドケーブルの保持機構、及びケーブルスライド機構は実施の形態１と同様であるので説明を省略する。 (Embodiment 3)
FIG. 5 is a schematic diagram showing a configuration of a laser processing apparatus according to Embodiment 3 of the present invention, and the same reference numerals are given to the same portions as those in FIG.
The laser irradiation mechanism 11, the second reflection mirror 14, the fourth reflection mirror 16, the fifth reflection mirror 17, the first to fourth lenses 20 to 23, the shield cable holding mechanism, and the cable slide mechanism are implemented. Since it is the same as that of form 1, description is abbreviate | omitted.

レーザ照射機構１１から照射されたレーザ光１２は、第１のハーフミラー４３によって第１の方向３１に反射され、第２の反射ミラー１４によって第２の方向３２に反射され、第２のハーフミラー４５によって第３の方向３３に反射され、この反射されたレーザ光１２が第１のレンズ２０を通ってシールドケーブル１のシールド導体層４に照射される。   The laser beam 12 irradiated from the laser irradiation mechanism 11 is reflected in the first direction 31 by the first half mirror 43, reflected in the second direction 32 by the second reflecting mirror 14, and the second half mirror. 45 is reflected in the third direction 33, and the reflected laser light 12 is irradiated to the shield conductor layer 4 of the shield cable 1 through the first lens 20.

また、第２のハーフミラー４５をレーザ光１２の一部が透過する。これにより、透過したレーザ光１２は、第４の反射ミラー１６によって第４の方向３４に反射され、この反射されたレーザ光１２が第２のレンズ２１を通ってシールドケーブル１のシールド導体層４に照射される。   Further, a part of the laser beam 12 is transmitted through the second half mirror 45. As a result, the transmitted laser light 12 is reflected by the fourth reflecting mirror 16 in the fourth direction 34, and the reflected laser light 12 passes through the second lens 21 and the shield conductor layer 4 of the shield cable 1. Is irradiated.

また、第１のハーフミラー４３をレーザ光１２の一部が透過する。これにより、透過したレーザ光１２は、第３のハーフミラー４８によって第７の方向３７に反射され、この反射されたレーザ光１２が第４のレンズ２３を通ってシールドケーブル１のシールド導体層４に照射される。   Further, a part of the laser beam 12 is transmitted through the first half mirror 43. As a result, the transmitted laser beam 12 is reflected by the third half mirror 48 in the seventh direction 37, and the reflected laser beam 12 passes through the fourth lens 23 and the shield conductor layer 4 of the shield cable 1. Is irradiated.

また、第３のハーフミラー４８をレーザ光１２の一部が透過する。これにより、透過したレーザ光１２は、第５の反射ミラー１７によって第８の方向３８に反射され、この反射されたレーザ光１２が第３のレンズ２２を通ってシールドケーブル１のシールド導体層４に照射される。   Further, a part of the laser beam 12 is transmitted through the third half mirror 48. Thus, the transmitted laser light 12 is reflected in the eighth direction 38 by the fifth reflecting mirror 17, and the reflected laser light 12 passes through the third lens 22 and the shield conductor layer 4 of the shield cable 1. Is irradiated.

上記実施の形態３においても実施の形態１と同様の効果を得ることができる。
また、本実施の形態においても実施の形態１と同様の変形例を実施することが可能である。 In the third embodiment, the same effect as in the first embodiment can be obtained.
Also in the present embodiment, it is possible to implement a modification similar to that in the first embodiment.

（実施の形態４）
図６は、本発明の実施の形態４によるレーザ加工装置の構成を示す模式図であり、図１と同一部分には同一符号を付す。
レーザ照射機構１１、第１〜第４のレンズ２０〜２３、シールドケーブルの保持機構、及びケーブルスライド機構は実施の形態１と同様であるので説明を省略する。 (Embodiment 4)
FIG. 6 is a schematic diagram showing a configuration of a laser processing apparatus according to Embodiment 4 of the present invention, and the same reference numerals are given to the same portions as those in FIG.
Since the laser irradiation mechanism 11, the first to fourth lenses 20 to 23, the shield cable holding mechanism, and the cable slide mechanism are the same as those in the first embodiment, description thereof is omitted.

図６のレーザ加工装置は、回転駆動機構（図示せず）を備えた回転反射ミラー５１を有している。この回転反射ミラー５１は、回転駆動機構によって反射ミラーを第１〜第４の向きに変えることができるようになっており、第１〜第４の向きに回転反射ミラー５１を調整することによって第１〜第４の方向６１〜６４にレーザ光を反射させることができるようになっている。   The laser processing apparatus of FIG. 6 has a rotary reflection mirror 51 provided with a rotary drive mechanism (not shown). The rotary reflection mirror 51 can change the reflection mirror in the first to fourth directions by a rotation driving mechanism. The rotary reflection mirror 51 is adjusted by adjusting the rotation reflection mirror 51 in the first to fourth directions. The laser beam can be reflected in the first to fourth directions 61 to 64.

レーザ照射機構１１から照射されたレーザ光１２は、第１の向きに調整した回転反射ミラー５１によって第１の方向６１に反射され、第１の反射ミラー５２によって第５の方向６５に反射され、この反射されたレーザ光１２が第１のレンズ２０を通ってシールドケーブル１のシールド導体層４に照射される。   The laser beam 12 irradiated from the laser irradiation mechanism 11 is reflected in the first direction 61 by the rotary reflection mirror 51 adjusted in the first direction, reflected in the fifth direction 65 by the first reflection mirror 52, The reflected laser light 12 is irradiated to the shield conductor layer 4 of the shield cable 1 through the first lens 20.

レーザ照射機構１１から照射されたレーザ光１２は、第２の向きに調整した回転反射ミラー５１によって第２の方向６２に反射され、第２の反射ミラー５３によって第６の方向６６に反射され、この反射されたレーザ光１２が第２のレンズ２１を通ってシールドケーブル１のシールド導体層４に照射される。   The laser beam 12 irradiated from the laser irradiation mechanism 11 is reflected in the second direction 62 by the rotary reflection mirror 51 adjusted in the second direction, reflected in the sixth direction 66 by the second reflection mirror 53, The reflected laser light 12 is applied to the shield conductor layer 4 of the shield cable 1 through the second lens 21.

レーザ照射機構１１から照射されたレーザ光１２は、第３の向きに調整した回転反射ミラー５１によって第３の方向６３に反射され、第３の反射ミラー５４によって第７の方向６７に反射され、この反射されたレーザ光１２が第３のレンズ２２を通ってシールドケーブル１のシールド導体層４に照射される。   The laser beam 12 emitted from the laser irradiation mechanism 11 is reflected in the third direction 63 by the rotary reflection mirror 51 adjusted in the third direction, reflected in the seventh direction 67 by the third reflection mirror 54, and The reflected laser light 12 is applied to the shield conductor layer 4 of the shield cable 1 through the third lens 22.

レーザ照射機構１１から照射されたレーザ光１２は、第４の向きに調整した回転反射ミラー５１によって第４の方向６４に反射され、第４の反射ミラー５５によって第８の方向６８に反射され、この反射されたレーザ光１２が第４のレンズ２３を通ってシールドケーブル１のシールド導体層４に照射される。   The laser beam 12 irradiated from the laser irradiation mechanism 11 is reflected in the fourth direction 64 by the rotary reflection mirror 51 adjusted in the fourth direction, and is reflected in the eighth direction 68 by the fourth reflection mirror 55. The reflected laser beam 12 is irradiated to the shield conductor layer 4 of the shield cable 1 through the fourth lens 23.

上記実施の形態４においても実施の形態１と同様の効果を得ることができる。
また、本実施の形態においても実施の形態１と同様の変形例を実施することが可能である。 In the fourth embodiment, the same effect as in the first embodiment can be obtained.
Also in the present embodiment, it is possible to implement a modification similar to that in the first embodiment.

（実施の形態５）
図７は、本発明の実施の形態５によるレーザ加工装置の構成を示す模式図であり、図１と同一部分には同一符号を付す。
第１〜第４のレンズ２０〜２３、シールドケーブルの保持機構、及びケーブルスライド機構は実施の形態１と同様であるので説明を省略する。
このレーザ加工装置は、第１〜第４のレーザ照射機構７１〜７４を有している。 (Embodiment 5)
FIG. 7 is a schematic diagram showing a configuration of a laser processing apparatus according to Embodiment 5 of the present invention, and the same parts as those in FIG.
Since the first to fourth lenses 20 to 23, the shield cable holding mechanism, and the cable slide mechanism are the same as those in the first embodiment, description thereof is omitted.
This laser processing apparatus has first to fourth laser irradiation mechanisms 71 to 74.

第１〜第４のレーザ照射機構７１それぞれから照射されたレーザ光は、第１〜第４のレンズ２０〜２３それぞれを通ってシールドケーブル１のシールド導体層４に照射される。   The laser light emitted from each of the first to fourth laser irradiation mechanisms 71 is irradiated to the shield conductor layer 4 of the shield cable 1 through each of the first to fourth lenses 20 to 23.

上記実施の形態５においても実施の形態１と同様の効果を得ることができる。
また、本実施の形態においても実施の形態１と同様の変形例を実施することが可能である。 In the fifth embodiment, the same effect as in the first embodiment can be obtained.
Also in the present embodiment, it is possible to implement a modification similar to that in the first embodiment.

（実施の形態６）
図８は、本発明の実施の形態６によるレーザ加工装置の構成を示す模式図であり、図１と同一部分には同一符号を付す。
シールドケーブルの保持機構、及びケーブルスライド機構は実施の形態１と同様であるので説明を省略する。 (Embodiment 6)
FIG. 8 is a schematic diagram showing a configuration of a laser processing apparatus according to Embodiment 6 of the present invention, and the same parts as those in FIG.
Since the shielded cable holding mechanism and the cable sliding mechanism are the same as those in the first embodiment, the description thereof is omitted.

このレーザ加工装置は、第１及び第２のレーザ照射機構８１，８２と、第１の反射ミラー８３と、第２の反射ミラー８４と、第１の放物面鏡８５と、第２の放物面鏡８６とを有している。第１の反射ミラー８３及び第２の反射ミラー８４それぞれは、スライド機構によってレーザ光の光軸上を自在にスライドできるようになっている。第１の放物面鏡８５及び第２の放物面鏡８６それぞれは、第１の反射ミラー８３及び第２の反射ミラー８４それぞれをスライド機構によってスライドさせて位置を変えてもシールドケーブル１のシールド導体層４にレーザ光が照射されるように構成されている。   This laser processing apparatus includes first and second laser irradiation mechanisms 81 and 82, a first reflecting mirror 83, a second reflecting mirror 84, a first parabolic mirror 85, and a second emitting mirror. And an object mirror 86. Each of the first reflection mirror 83 and the second reflection mirror 84 can be freely slid on the optical axis of the laser beam by a slide mechanism. Each of the first parabolic mirror 85 and the second parabolic mirror 86 can be used for the shielded cable 1 even if the first reflecting mirror 83 and the second reflecting mirror 84 are slid by the slide mechanism and the positions thereof are changed. The shield conductor layer 4 is configured to be irradiated with laser light.

次に、図８のレーザ加工装置を用いてシールドケーブル１におけるシールド導体層を切断する方法について説明する。   Next, a method for cutting the shield conductor layer in the shielded cable 1 using the laser processing apparatus of FIG. 8 will be described.

第１のレーザ照射機構８１からレーザ光を照射し、このレーザ光が第１の反射ミラー８３及び第１の放物面鏡８５によって反射され、この反射されたレーザ光がシールドケーブル１のシールド導体層４に照射される。   Laser light is emitted from the first laser irradiation mechanism 81, the laser light is reflected by the first reflecting mirror 83 and the first parabolic mirror 85, and the reflected laser light is the shield conductor of the shield cable 1. Layer 4 is irradiated.

次いで、第１の反射ミラー８３をスライド機構によってスライドさせた後、第１のレーザ照射機構８１からレーザ光を照射し、このレーザ光が第１の反射ミラー８３及び第１の放物面鏡８５によって反射され、この反射されたレーザ光がシールドケーブル１のシールド導体層４に照射される。   Next, after the first reflection mirror 83 is slid by the slide mechanism, laser light is emitted from the first laser irradiation mechanism 81, and the laser light is emitted from the first reflection mirror 83 and the first parabolic mirror 85. The reflected laser light is irradiated onto the shield conductor layer 4 of the shielded cable 1.

次いで、第２のレーザ照射機構８２からレーザ光を照射し、このレーザ光が第２の反射ミラー８４及び第２の放物面鏡８６によって反射され、この反射されたレーザ光がシールドケーブル１のシールド導体層４に照射される。   Next, laser light is emitted from the second laser irradiation mechanism 82, the laser light is reflected by the second reflecting mirror 84 and the second parabolic mirror 86, and the reflected laser light is reflected on the shield cable 1. The shield conductor layer 4 is irradiated.

次いで、第２の反射ミラー８４をスライド機構によってスライドさせた後、第２のレーザ照射機構８２からレーザ光を照射し、このレーザ光が第２の反射ミラー８４及び第２の放物面鏡８６によって反射され、この反射されたレーザ光がシールドケーブル１のシールド導体層４に照射される。   Next, after the second reflection mirror 84 is slid by the slide mechanism, the second laser irradiation mechanism 82 irradiates laser light, and the laser light is emitted from the second reflection mirror 84 and the second parabolic mirror 86. The reflected laser light is irradiated onto the shield conductor layer 4 of the shielded cable 1.

上記実施の形態６においても実施の形態１と同様の効果を得ることができる。
また、本実施の形態においても実施の形態１と同様の変形例を実施することが可能である。 In the sixth embodiment, the same effect as in the first embodiment can be obtained.
Also in the present embodiment, it is possible to implement a modification similar to that in the first embodiment.

尚、上記実施の形態６では、第２の放物面鏡８６を用いているが、第２の放物面鏡８６に代えて第３の反射ミラーを用いることも可能である。この場合、シールドケーブルの長手方向に対して略垂直方向である３方向からシールド導体層にレーザ光を照射することが可能となる。   In the sixth embodiment, the second parabolic mirror 86 is used, but a third reflecting mirror may be used instead of the second parabolic mirror 86. In this case, it becomes possible to irradiate the shield conductor layer with laser light from three directions that are substantially perpendicular to the longitudinal direction of the shield cable.

（実施の形態７）
図９は、本発明の実施の形態７によるレーザ加工装置の構成を示す模式図であり、図１と同一部分には同一符号を付す。
レーザ照射機構１１は実施の形態１と同様であるので説明を省略する。
このレーザ加工装置は、レンズ９１と、シールドケーブル１を回転させるモータ９３と、このモータ９３の回転駆動力をシールドケーブル１に伝達するベルト９２とを有している。 (Embodiment 7)
FIG. 9 is a schematic diagram showing a configuration of a laser processing apparatus according to Embodiment 7 of the present invention, and the same parts as those in FIG.
Since the laser irradiation mechanism 11 is the same as that of the first embodiment, the description thereof is omitted.
The laser processing apparatus includes a lens 91, a motor 93 that rotates the shield cable 1, and a belt 92 that transmits the rotational driving force of the motor 93 to the shield cable 1.

レーザ照射機構１１から照射されたレーザ光は、レンズ９１を通ってシールドケーブル１のシールド導体層４に照射される。この際、モータ９３及びベルト９２によってシールドケーブル１を回転させることにより、レーザ光がシールド導体層に少なくとも３方向から照射される。   The laser beam irradiated from the laser irradiation mechanism 11 is irradiated to the shield conductor layer 4 of the shield cable 1 through the lens 91. At this time, by rotating the shield cable 1 by the motor 93 and the belt 92, the laser light is irradiated to the shield conductor layer from at least three directions.

上記実施の形態７においても実施の形態１と同様の効果を得ることができる。   Also in the seventh embodiment, the same effect as in the first embodiment can be obtained.

尚、本発明は上記実施の形態に限定されず、本発明の主旨を逸脱しない範囲内で種々変更して実施することが可能である。   Note that the present invention is not limited to the above-described embodiment, and various modifications can be made without departing from the spirit of the present invention.

本発明の実施の形態１によるレーザ加工装置の構成を示す模式図である。It is a schematic diagram which shows the structure of the laser processing apparatus by Embodiment 1 of this invention. シールド導体層全体が完全に溶融切断され、シールド導体層が剥ぎ取られた後のシールドケーブルを示す図である。It is a figure which shows the shielded cable after the whole shield conductor layer was melt-cut completely and the shield conductor layer was peeled off. 実施の形態１の変形例であって複数並べたシールドケーブルそれぞれのシールド導体層を同時に切断する方法を説明する図である。It is a modification of Embodiment 1, and is a figure explaining the method to cut | disconnect simultaneously the shield conductor layer of each shield cable arranged in multiple numbers. 本発明の実施の形態２によるレーザ加工装置の構成を示す模式図である。It is a schematic diagram which shows the structure of the laser processing apparatus by Embodiment 2 of this invention. 本発明の実施の形態３によるレーザ加工装置の構成を示す模式図である。It is a schematic diagram which shows the structure of the laser processing apparatus by Embodiment 3 of this invention. 本発明の実施の形態４によるレーザ加工装置の構成を示す模式図である。It is a schematic diagram which shows the structure of the laser processing apparatus by Embodiment 4 of this invention. 本発明の実施の形態５によるレーザ加工装置の構成を示す模式図である。It is a schematic diagram which shows the structure of the laser processing apparatus by Embodiment 5 of this invention. 本発明の実施の形態６によるレーザ加工装置の構成を示す模式図である。It is a schematic diagram which shows the structure of the laser processing apparatus by Embodiment 6 of this invention. 本発明の実施の形態７によるレーザ加工装置の構成を示す模式図である。It is a schematic diagram which shows the structure of the laser processing apparatus by Embodiment 7 of this invention. 従来のシールドケーブルの構造例を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the structural example of the conventional shield cable. 図１０に示すシールドケーブルのシールド層４をレーザ光によって切断する方法及びその方法による問題点を説明する図である。It is a figure explaining the method by which the shield layer 4 of the shielded cable shown in FIG. 10 is cut | disconnected with a laser beam, and the problem by the method.

符号の説明Explanation of symbols

１ シールドケーブル
２ 内部導体（中心導体）
３ 内部絶縁体（内部誘電体）
４ 外部導体（シールド導体層）
４ａ シールド線
５ 外被（ジャケット）
６ シールド導体層側面
７ 内部絶縁体に傷が入る部分
１１ レーザ照射機構
１２ レーザ光
１３〜１９ 第１〜第７の反射ミラー
２０〜２３ 第１〜第４のレンズ
２４，２５ 矢印
２６，２８ ミラースライドユニット
２６ａ，２８ａ 反射ミラー
２７ａ 第１の回転レンズ
２７ｂ 第２の回転レンズ
３１〜３８ 第１〜第８の方向
４３，４５，４８ 第１〜第３のハーフミラー
５１ 回転反射ミラー
５２〜５５ 第１〜第４の反射ミラー
６１〜６８ 第１〜第８の方向
７１〜７４ 第１〜第４のレーザ照射機構
８１ 第１のレーザ照射機構
８２ 第２のレーザ照射機構
８３ 第１の反射ミラー
８４ 第２の反射ミラー
８５ 第１の放物面鏡
８６ 第２の放物面鏡
９１ レンズ
９２ ベルト
９３ モータ 1 Shielded cable 2 Inner conductor (center conductor)
3 Internal insulator (internal dielectric)
4 Outer conductor (shield conductor layer)
4a Shielded wire 5 Jacket (jacket)
6 Side surface of shield conductor layer 7 Part where internal insulator is damaged 11 Laser irradiation mechanism 12 Laser beam 13-19 First to seventh reflection mirrors 20-23 First to fourth lenses 24, 25 Arrows 26, 28 Mirror Slide unit 26a, 28a Reflective mirror 27a First rotating lens 27b Second rotating lens 31-38 First to eighth directions 43, 45, 48 First to third half mirrors 51 Rotating reflecting mirrors 52-55 First 1st-4th reflection mirror 61-68 1st-8th direction 71-74 1st-4th laser irradiation mechanism 81 1st laser irradiation mechanism 82 2nd laser irradiation mechanism 83 1st reflection mirror 84 Second reflecting mirror 85 First parabolic mirror 86 Second parabolic mirror 91 Lens 92 Belt 93 Motor

Claims (14)

中心導体と、該中心導体を被覆するように配置された内部絶縁体と、該内部絶縁体を被覆するように配置されたシールド導体層とを備えたシールドケーブルを準備し、
前記シールドケーブルの長手方向に対して略垂直方向である少なくとも３方向から前記シールド導体層にレーザ光を照射することによって前記シールド導体層を切断するものであり、
前記シールド導体層に照射されるレーザ光の隣り合う２本の光軸が作る角度が１８０°未満であることを特徴とするシールド導体層の切断方法。 Preparing a shielded cable comprising a central conductor, an internal insulator arranged to cover the central conductor, and a shield conductor layer arranged to cover the internal insulator;
Cutting the shield conductor layer by irradiating the shield conductor layer with laser light from at least three directions which are substantially perpendicular to the longitudinal direction of the shield cable;
A method of cutting a shield conductor layer, wherein an angle formed by two adjacent optical axes of laser light irradiated to the shield conductor layer is less than 180 °. 請求項１において、前記２本の光軸が作る角度が１５０°以下であることを特徴とするシールド導体層の切断方法。   2. The method for cutting a shield conductor layer according to claim 1, wherein an angle formed by the two optical axes is 150 [deg.] Or less. 請求項１又は２において、前記シールド導体層に４方向からレーザ光を照射するものであって、隣り合わないレーザ光の光軸どうしは略一直線を成すように配置されることを特徴とするシールド導体層の切断方法。   3. The shield according to claim 1, wherein the shield conductor layer is irradiated with laser light from four directions, and the optical axes of laser beams that are not adjacent to each other are arranged in a substantially straight line. Cutting method of conductor layer. 請求項１乃至３のいずれか一項において、前記シールドケーブルを準備する際、複数本並べたシールドケーブルを準備し、前記シールド導体層にレーザ光を照射する際、前記レーザ光又は前記シールドケーブルをスライドさせることにより前記レーザ光をスキャン照射することを特徴とするシールド導体層の切断方法。   4. When preparing the shielded cable according to claim 1, preparing a plurality of shielded cables, and irradiating the shield conductor layer with laser light, the laser light or the shielded cable A method of cutting a shield conductor layer, wherein the laser beam is scanned and irradiated by sliding. 中心導体と、該中心導体を被覆するように配置された内部絶縁体と、該内部絶縁体を被覆するように配置されたシールド導体層とを備えたシールドケーブルを保持し、前記シールドケーブルの長手方向に対して略垂直方向から前記シールド導体層にレーザ光を照射することによって前記シールド導体層を切断するレーザ加工装置であって、
レーザ光を照射するレーザ照射機構と、
前記レーザ照射機構によって照射されたレーザ光を第１の方向又は第２の方向に反射させる第１の反射ミラーと、
前記第１の反射ミラーによって前記第１の方向に反射された前記レーザ光を、第３の方向に反射させる第２の反射ミラーと、
前記第２の反射ミラーによって前記第３の方向に反射された前記レーザ光を、第４の方向に反射させて前記シールド導体層に照射する第３の反射ミラーと、
前記第３の方向に反射された前記レーザ光の光軸から前記第３の反射ミラーを外すようにスライドさせるミラースライド機構と、
前記第３の方向に反射された前記レーザ光の光軸から前記第３の反射ミラーを外した状態で、前記第２の反射ミラーによって前記第３の方向に反射された前記レーザ光を、第５の方向に反射させて前記シールド導体層に照射する第４の反射ミラーと、
前記第１の反射ミラーによって前記第２の方向に反射された前記レーザ光を、第６の方向に反射させる第５の反射ミラーと、
前記第５の反射ミラーによって前記第６の方向に反射された前記レーザ光を、第７の方向に反射させて前記シールド導体層に照射する第６の反射ミラーと、
を具備し、
前記シールド導体層に照射されるレーザ光の隣り合う２本の光軸が作る角度が１８０°未満であることを特徴とするレーザ加工装置。 A shield cable comprising a center conductor, an internal insulator disposed so as to cover the center conductor, and a shield conductor layer disposed so as to cover the internal insulator is held, and the length of the shield cable A laser processing apparatus for cutting the shield conductor layer by irradiating the shield conductor layer with a laser beam from a direction substantially perpendicular to a direction;
A laser irradiation mechanism for irradiating laser light;
A first reflection mirror that reflects the laser light emitted by the laser irradiation mechanism in a first direction or a second direction;
A second reflecting mirror that reflects the laser beam reflected in the first direction by the first reflecting mirror in a third direction;
A third reflection mirror that reflects the laser light reflected in the third direction by the second reflection mirror in a fourth direction and irradiates the shield conductor layer;
A mirror slide mechanism that slides so as to remove the third reflection mirror from the optical axis of the laser beam reflected in the third direction;
The laser beam reflected in the third direction by the second reflecting mirror in a state where the third reflecting mirror is removed from the optical axis of the laser beam reflected in the third direction. A fourth reflecting mirror that reflects in the direction of 5 and irradiates the shield conductor layer;
A fifth reflecting mirror that reflects the laser light reflected in the second direction by the first reflecting mirror in a sixth direction;
A sixth reflecting mirror that reflects the laser light reflected in the sixth direction by the fifth reflecting mirror in a seventh direction and irradiates the shield conductor layer;
Comprising
The laser processing apparatus, wherein an angle formed by two adjacent optical axes of laser light irradiated to the shield conductor layer is less than 180 °. 中心導体と、該中心導体を被覆するように配置された内部絶縁体と、該内部絶縁体を被覆するように配置されたシールド導体層とを備えたシールドケーブルを保持し、前記シールドケーブルの長手方向に対して略垂直方向から前記シールド導体層にレーザ光を照射することによって前記シールド導体層を切断するレーザ加工装置であって、
レーザ光を照射するレーザ照射機構と、
前記レーザ照射機構によって照射されたレーザ光を第１の方向又は第２の方向に反射させる第１の反射ミラーと、
前記第１の反射ミラーによって前記第１の方向に反射された前記レーザ光を、第３の方向に反射させる第２の反射ミラーと、
前記第２の反射ミラーによって前記第３の方向に反射された前記レーザ光を、第４の方向又は第５の方向に反射させて前記シールド導体層に照射する第３の反射ミラーを備えた第１のミラースライドユニットと、
前記第１のミラースライドユニットに設けられた前記第３の反射ミラーをスライドさせる第１のスライド機構と、
前記第１のミラースライドユニットに設けられた前記第３の反射ミラーを回転させる第１の回転機構と、
前記第１の反射ミラーによって前記第２の方向に反射された前記レーザ光を、第６の方向に反射させる第４の反射ミラーと、
前記第４の反射ミラーによって前記第６の方向に反射された前記レーザ光を、第７の方向に反射させて前記シールド導体層に照射する第５の反射ミラーと、
を具備し、
前記シールド導体層に照射されるレーザ光の隣り合う２本の光軸が作る角度が１８０°未満であることを特徴とするレーザ加工装置。 A shield cable comprising a center conductor, an internal insulator disposed so as to cover the center conductor, and a shield conductor layer disposed so as to cover the internal insulator is held, and the length of the shield cable A laser processing apparatus for cutting the shield conductor layer by irradiating the shield conductor layer with a laser beam from a direction substantially perpendicular to a direction;
A laser irradiation mechanism for irradiating laser light;
A first reflection mirror that reflects the laser light emitted by the laser irradiation mechanism in a first direction or a second direction;
A second reflecting mirror that reflects the laser beam reflected in the first direction by the first reflecting mirror in a third direction;
A third reflection mirror that irradiates the shield conductor layer with the laser light reflected in the third direction by the second reflection mirror in a fourth direction or a fifth direction; 1 mirror slide unit,
A first slide mechanism for sliding the third reflection mirror provided in the first mirror slide unit;
A first rotating mechanism for rotating the third reflecting mirror provided in the first mirror slide unit;
A fourth reflecting mirror that reflects the laser light reflected in the second direction by the first reflecting mirror in a sixth direction;
A fifth reflecting mirror that reflects the laser light reflected in the sixth direction by the fourth reflecting mirror in a seventh direction and irradiates the shield conductor layer;
Comprising
The laser processing apparatus, wherein an angle formed by two adjacent optical axes of laser light irradiated to the shield conductor layer is less than 180 °. 請求項６において、前記第４の方向、前記第５の方向及び前記第７の方向それぞれから照射される前記レーザ光の光軸上に、それぞれ回転機構によって回転させて配置される回転レンズをさらに具備することを特徴とするレーザ加工装置。   7. The rotating lens according to claim 6, further comprising: a rotating lens that is disposed on an optical axis of the laser light emitted from each of the fourth direction, the fifth direction, and the seventh direction, and is rotated by a rotating mechanism. A laser processing apparatus comprising: 請求項６において、前記第５の反射ミラーに代えて第２のミラースライドユニットが配置されており、
前記第２のミラースライドユニットは、前記第４の反射ミラーによって前記第６の方向に反射された前記レーザ光を、第７の方向又は第８の方向に反射させて前記シールド導体層に照射する第５の反射ミラーを備えており、
前記第２のミラースライドユニットは、前記第５の反射ミラーをスライドさせる第２のスライド機構と、前記第５の反射ミラーを回転させる第２の回転機構とを有していることを特徴とするレーザ加工装置。 In claim 6, a second mirror slide unit is arranged in place of the fifth reflection mirror,
The second mirror slide unit irradiates the shield conductor layer by reflecting the laser beam reflected in the sixth direction by the fourth reflecting mirror in a seventh direction or an eighth direction. A fifth reflecting mirror,
The second mirror slide unit includes a second slide mechanism that slides the fifth reflection mirror, and a second rotation mechanism that rotates the fifth reflection mirror. Laser processing equipment. 中心導体と、該中心導体を被覆するように配置された内部絶縁体と、該内部絶縁体を被覆するように配置されたシールド導体層とを備えたシールドケーブルを保持し、前記シールドケーブルの長手方向に対して略垂直方向から前記シールド導体層にレーザ光を照射することによって前記シールド導体層を切断するレーザ加工装置であって、
レーザ光を照射するレーザ照射機構と、
前記レーザ照射機構によって照射されたレーザ光の一部を第１の方向に反射させると共に前記レーザ光の一部を透過させる第１のハーフミラーと、
前記第１のハーフミラーによって前記第１の方向に反射された前記レーザ光を、第２の方向に反射させる第１の反射ミラーと、
前記第１の反射ミラーによって前記第２の方向に反射された前記レーザ光の一部を第３の方向に反射させて前記シールド導体層に照射すると共に前記レーザ光の一部を透過させる第２のハーフミラーと、
前記第２のハーフミラーによって透過された前記レーザ光を、第４の方向に反射させて前記シールド導体層に照射する第２の反射ミラーと、
前記第１のハーフミラーによって透過された前記レーザ光を、第５の方向に反射させて前記シールド導体層に照射する第３の反射ミラーと、
を具備し、
前記シールド導体層に照射されるレーザ光の隣り合う２本の光軸が作る角度が１８０°未満であることを特徴とするレーザ加工装置。 A shield cable comprising a center conductor, an internal insulator disposed so as to cover the center conductor, and a shield conductor layer disposed so as to cover the internal insulator is held, and the length of the shield cable A laser processing apparatus for cutting the shield conductor layer by irradiating the shield conductor layer with a laser beam from a direction substantially perpendicular to a direction;
A laser irradiation mechanism for irradiating laser light;
A first half mirror that reflects part of the laser light emitted by the laser irradiation mechanism in a first direction and transmits part of the laser light;
A first reflecting mirror that reflects the laser light reflected in the first direction by the first half mirror in a second direction;
A part of the laser beam reflected in the second direction by the first reflecting mirror is reflected in a third direction to irradiate the shield conductor layer and to transmit a part of the laser beam. Half mirror and
A second reflection mirror that reflects the laser light transmitted by the second half mirror in a fourth direction and irradiates the shield conductor layer;
A third reflecting mirror that reflects the laser light transmitted by the first half mirror in a fifth direction and irradiates the shield conductor layer;
Comprising
The laser processing apparatus, wherein an angle formed by two adjacent optical axes of laser light irradiated to the shield conductor layer is less than 180 °. 中心導体と、該中心導体を被覆するように配置された内部絶縁体と、該内部絶縁体を被覆するように配置されたシールド導体層とを備えたシールドケーブルを保持し、前記シールドケーブルの長手方向に対して略垂直方向から前記シールド導体層にレーザ光を照射することによって前記シールド導体層を切断するレーザ加工装置であって、
レーザ光を照射するレーザ照射機構と、
前記レーザ照射機構によって照射されたレーザ光を第１乃至第３の方向に反射させる回転反射ミラーと、
前記回転反射ミラーによって前記第１の方向に反射された前記レーザ光を、第４の方向に反射させて前記シールド導体層に照射する第１の反射ミラーと、
前記回転反射ミラーによって前記第２の方向に反射された前記レーザ光を、第５の方向に反射させて前記シールド導体層に照射する第２の反射ミラーと、
前記回転反射ミラーによって前記第３の方向に反射された前記レーザ光を、第６の方向に反射させて前記シールド導体層に照射する第３の反射ミラーと、
を具備し、
前記回転反射ミラーは、該回転反射ミラーを回転させる回転機構を有し、該回転機構によって前記回転反射ミラーの向きを調整するものであり、
前記シールド導体層に照射されるレーザ光の隣り合う２本の光軸が作る角度が１８０°未満であることを特徴とするレーザ加工装置。 A shield cable comprising a center conductor, an internal insulator disposed so as to cover the center conductor, and a shield conductor layer disposed so as to cover the internal insulator is held, and the length of the shield cable A laser processing apparatus for cutting the shield conductor layer by irradiating the shield conductor layer with a laser beam from a direction substantially perpendicular to a direction;
A laser irradiation mechanism for irradiating laser light;
A rotary reflection mirror that reflects the laser light emitted by the laser irradiation mechanism in first to third directions;
A first reflection mirror that reflects the laser light reflected in the first direction by the rotary reflection mirror in a fourth direction and irradiates the shield conductor layer;
A second reflecting mirror that reflects the laser light reflected in the second direction by the rotary reflecting mirror in a fifth direction and irradiates the shield conductor layer;
A third reflection mirror that reflects the laser light reflected in the third direction by the rotary reflection mirror in a sixth direction and irradiates the shield conductor layer;
Comprising
The rotation reflection mirror has a rotation mechanism for rotating the rotation reflection mirror, and adjusts the direction of the rotation reflection mirror by the rotation mechanism,
The laser processing apparatus, wherein an angle formed by two adjacent optical axes of laser light irradiated to the shield conductor layer is less than 180 °. 中心導体と、該中心導体を被覆するように配置された内部絶縁体と、該内部絶縁体を被覆するように配置されたシールド導体層とを備えたシールドケーブルを保持し、前記シールドケーブルの長手方向に対して略垂直方向から前記シールド導体層にレーザ光を照射することによって前記シールド導体層を切断するレーザ加工装置であって、
第１のレーザ光を前記シールド導体層に照射する第１のレーザ照射機構と、
第２のレーザ光を前記シールド導体層に照射する第２のレーザ照射機構と、
第３のレーザ光を前記シールド導体層に照射する第３のレーザ照射機構と、
を具備し、
前記シールド導体層に照射されるレーザ光の隣り合う２本の光軸が作る角度が１８０°未満であることを特徴とするレーザ加工装置。 A shield cable comprising a center conductor, an internal insulator disposed so as to cover the center conductor, and a shield conductor layer disposed so as to cover the internal insulator is held, and the length of the shield cable A laser processing apparatus for cutting the shield conductor layer by irradiating the shield conductor layer with a laser beam from a direction substantially perpendicular to a direction;
A first laser irradiation mechanism for irradiating the shield conductor layer with a first laser beam;
A second laser irradiation mechanism for irradiating the shield conductor layer with a second laser beam;
A third laser irradiation mechanism for irradiating the shield conductor layer with a third laser beam;
Comprising
The laser processing apparatus, wherein an angle formed by two adjacent optical axes of laser light irradiated to the shield conductor layer is less than 180 °. 中心導体と、該中心導体を被覆するように配置された内部絶縁体と、該内部絶縁体を被覆するように配置されたシールド導体層とを備えたシールドケーブルを保持し、前記シールドケーブルの長手方向に対して略垂直方向から前記シールド導体層にレーザ光を照射することによって前記シールド導体層を切断するレーザ加工装置であって、
第１のレーザ光を第１の方向に照射する第１のレーザ照射機構と、
前記第１のレーザ照射機構によって照射された第１のレーザ光を第２の方向に反射させる第１の反射ミラーと、
前記第１の反射ミラーを、前記第１の方向に沿ってスライドさせるスライド機構と、
前記第１の反射ミラーによって前記第２の方向に反射された前記第１のレーザ光を、第３の方向又は第４の方向に反射させて前記シールド導体層に照射する第１の放物面鏡と、
第２のレーザ光を、前記第１の方向と平行で且つ略１８０°回転させた第５の方向に照射する第２のレーザ照射機構と、
前記第２のレーザ照射機構によって照射された第２のレーザ光を第６の方向に反射させる第２の反射ミラーと、
前記第２の反射ミラーによって前記第６の方向に反射された前記第２のレーザ光を、第７の方向に反射させて前記シールド導体層に照射する第３の反射ミラーと、
を具備し、
前記第１の放物面鏡は、前記スライド機構によって前記第１の反射ミラーをスライドさせることにより、前記第１のレーザ光を前記第３の方向又は前記第４の方向に反射させるものであり、
前記シールド導体層に照射されるレーザ光の隣り合う２本の光軸が作る角度が１８０°未満であることを特徴とするレーザ加工装置。 A shield cable comprising a center conductor, an internal insulator disposed so as to cover the center conductor, and a shield conductor layer disposed so as to cover the internal insulator is held, and the length of the shield cable A laser processing apparatus for cutting the shield conductor layer by irradiating the shield conductor layer with a laser beam from a direction substantially perpendicular to a direction;
A first laser irradiation mechanism for irradiating a first laser beam in a first direction;
A first reflecting mirror that reflects the first laser beam irradiated by the first laser irradiation mechanism in a second direction;
A slide mechanism for sliding the first reflecting mirror along the first direction;
A first paraboloid that reflects the first laser beam reflected in the second direction by the first reflecting mirror in a third direction or a fourth direction to irradiate the shield conductor layer. With a mirror,
A second laser irradiation mechanism for irradiating a second laser beam in a fifth direction that is parallel to the first direction and rotated by approximately 180 °;
A second reflecting mirror that reflects the second laser light irradiated by the second laser irradiation mechanism in a sixth direction;
A third reflecting mirror that reflects the second laser light reflected in the sixth direction by the second reflecting mirror in a seventh direction and irradiates the shield conductor layer;
Comprising
The first parabolic mirror reflects the first laser light in the third direction or the fourth direction by sliding the first reflecting mirror by the sliding mechanism. ,
The laser processing apparatus, wherein an angle formed by two adjacent optical axes of laser light irradiated to the shield conductor layer is less than 180 °. 請求項１２において、前記第３の反射ミラーに代えて第２の放物面鏡を具備し、前記第２の反射ミラーを、前記第５の方向に沿ってスライドさせるスライド機構を有し、前記第２の放物面鏡は、前記スライド機構によって前記第２の反射ミラーをスライドさせることにより、前記第２のレーザ光を前記第７の方向又は第８の方向に反射させるものであることを特徴とするレーザ加工装置。   13. The slide mechanism according to claim 12, further comprising a second parabolic mirror instead of the third reflection mirror, the slide mechanism configured to slide the second reflection mirror along the fifth direction, The second parabolic mirror reflects the second laser light in the seventh direction or the eighth direction by sliding the second reflecting mirror by the sliding mechanism. A featured laser processing apparatus. 中心導体と、該中心導体を被覆するように配置された内部絶縁体と、該内部絶縁体を被覆するように配置されたシールド導体層とを備えたシールドケーブルを保持し、前記シールドケーブルの長手方向に対して略垂直方向から前記シールド導体層にレーザ光を照射することによって前記シールド導体層を切断するレーザ加工装置であって、
レーザ光を前記シールド導体層に照射するレーザ照射機構と、
前記シールドケーブルを回転させる回転機構と、
を具備し、
前記シールド導体層に照射されるレーザ光の隣り合う２本の光軸が作る角度が１８０°未満であることを特徴とするレーザ加工装置。
A shield cable comprising a center conductor, an internal insulator disposed so as to cover the center conductor, and a shield conductor layer disposed so as to cover the internal insulator is held, and the length of the shield cable A laser processing apparatus for cutting the shield conductor layer by irradiating the shield conductor layer with a laser beam from a direction substantially perpendicular to a direction;
A laser irradiation mechanism for irradiating the shield conductor layer with laser light;
A rotating mechanism for rotating the shielded cable;
Comprising
The laser processing apparatus, wherein an angle formed by two adjacent optical axes of laser light irradiated to the shield conductor layer is less than 180 °.
JP2006122031A 2006-04-26 2006-04-26 Cutting method for shielded conductor layer, and laser beam machining apparatus Pending JP2007290013A (en)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006122031A JP2007290013A (en) 2006-04-26 2006-04-26 Cutting method for shielded conductor layer, and laser beam machining apparatus
KR1020087018529A KR101026428B1 (en) 2006-04-26 2007-02-26 Shield conductor layer cutting method and laser treatment device
PCT/JP2007/053482 WO2007125677A1 (en) 2006-04-26 2007-02-26 Shield conductor layer cutting method and laser treatment device
CNA2007800045725A CN101378876A (en) 2006-04-26 2007-02-26 Shield conductor layer cutting method and laser treatment device
TW096113506A TW200802415A (en) 2006-04-26 2007-04-17 Shield conductor layer cutting method and laser treatment device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006122031A JP2007290013A (en) 2006-04-26 2006-04-26 Cutting method for shielded conductor layer, and laser beam machining apparatus

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2009022634A Division JP2009166128A (en) 2009-02-03 2009-02-03 Laser beam machining apparatus

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2007290013A true JP2007290013A (en) 2007-11-08
JP2007290013A5 JP2007290013A5 (en) 2008-03-27

Family

ID=38655215

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2006122031A Pending JP2007290013A (en) 2006-04-26 2006-04-26 Cutting method for shielded conductor layer, and laser beam machining apparatus

Country Status (5)

Country Link
JP (1) JP2007290013A (en)
KR (1) KR101026428B1 (en)
CN (1) CN101378876A (en)
TW (1) TW200802415A (en)
WO (1) WO2007125677A1 (en)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009195801A (en) * 2008-02-20 2009-09-03 Fukuda Corporation:Kk Method of working metal made workpiece
JP2009208118A (en) * 2008-03-04 2009-09-17 Sumitomo Electric Ind Ltd Laser beam machining method and apparatus
JP2010263698A (en) * 2009-05-07 2010-11-18 Hitachi Cable Ltd Method and structure for processing terminal of very thin coaxial cable
US20220385048A1 (en) * 2019-12-20 2022-12-01 Valeo Equipements Electriques Moteur Electrical conductor for a rotating electrical machine wound component

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101599623B (en) * 2009-04-10 2011-05-18 东莞市开泰激光科技有限公司 Laser wire stripping device
CN102187538B (en) * 2009-11-05 2014-05-07 日本自动机械株式会社 Method and apparatus for cutting cable insulating film using laser beam
CN102386547B (en) * 2011-09-06 2013-05-01 湖北星业光电科技有限公司 Laser paint stripping machine
KR101379411B1 (en) * 2011-11-01 2014-04-01 주식회사 이오테크닉스 Laser cutting apparatus and laser cutting method
JP6043179B2 (en) * 2012-12-21 2016-12-14 レーザ・ネット株式会社 Resin coating removal system
JP6314082B2 (en) * 2014-12-18 2018-04-18 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス Substrate processing apparatus and substrate processing method
TW201914717A (en) * 2017-09-29 2019-04-16 美商科斯莫燈飾公司 Wire and stripping method thereof, and light device
CN113001033A (en) * 2019-12-18 2021-06-22 泰科电子(上海)有限公司 Laser cutting equipment
CN117047288A (en) * 2023-07-26 2023-11-14 珠海市申科谱工业科技有限公司 Method for stripping cable shielding layer by pulse laser

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0799713A (en) * 1993-09-28 1995-04-11 Komatsu Ltd Film peeler for wire rod
JPH1195134A (en) * 1997-09-18 1999-04-09 Amada Eng Center Co Ltd Optical branching method for solid-state laser and apparatus therefor
JP2004342494A (en) * 2003-05-16 2004-12-02 Hitachi Cable Ltd Ultra-fine wire coaxial cable and terminal processing method thereof
JP2005251522A (en) * 2004-03-03 2005-09-15 Sumitomo Electric Ind Ltd Shielded cable and its terminal forming method

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5843420A (en) * 1981-09-08 1983-03-14 Matsushita Electric Ind Co Ltd External optical device for laser
JP2683926B2 (en) * 1988-01-25 1997-12-03 三菱電機株式会社 Insulation-coated wire stripping method and device
JP2539886B2 (en) * 1988-05-24 1996-10-02 松下電器産業 株式会社 Method of removing insulating coating film
JPH03106579A (en) * 1989-09-20 1991-05-07 Fujitsu Ltd Laser numbering device by galvanomirror
JP3313511B2 (en) * 1994-06-27 2002-08-12 株式会社東芝 Laser processing equipment
JPH08191518A (en) * 1995-01-10 1996-07-23 Toshiba Seiki Kk Film removal apparatus of covered wire
JP3717345B2 (en) * 1999-08-31 2005-11-16 ミヨタ株式会社 Laser welder with micromirror array
KR20040046421A (en) * 2002-11-27 2004-06-05 주식회사 이오테크닉스 Apparatus and method for cutting brittle material using laser
JP2005211908A (en) * 2004-01-27 2005-08-11 Phoeton Corp Wire stripper device

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0799713A (en) * 1993-09-28 1995-04-11 Komatsu Ltd Film peeler for wire rod
JPH1195134A (en) * 1997-09-18 1999-04-09 Amada Eng Center Co Ltd Optical branching method for solid-state laser and apparatus therefor
JP2004342494A (en) * 2003-05-16 2004-12-02 Hitachi Cable Ltd Ultra-fine wire coaxial cable and terminal processing method thereof
JP2005251522A (en) * 2004-03-03 2005-09-15 Sumitomo Electric Ind Ltd Shielded cable and its terminal forming method

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009195801A (en) * 2008-02-20 2009-09-03 Fukuda Corporation:Kk Method of working metal made workpiece
JP2009208118A (en) * 2008-03-04 2009-09-17 Sumitomo Electric Ind Ltd Laser beam machining method and apparatus
US8455791B2 (en) 2008-03-04 2013-06-04 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Laser processing method, laser processing device and cable harness production method
JP2010263698A (en) * 2009-05-07 2010-11-18 Hitachi Cable Ltd Method and structure for processing terminal of very thin coaxial cable
US8302295B2 (en) 2009-05-07 2012-11-06 Hitachi Cable, Ltd. Very thin coaxial cable end processing method
US20220385048A1 (en) * 2019-12-20 2022-12-01 Valeo Equipements Electriques Moteur Electrical conductor for a rotating electrical machine wound component

Also Published As

Publication number Publication date
KR101026428B1 (en) 2011-04-07
TW200802415A (en) 2008-01-01
KR20080091168A (en) 2008-10-09
WO2007125677A1 (en) 2007-11-08
CN101378876A (en) 2009-03-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2007290013A (en) Cutting method for shielded conductor layer, and laser beam machining apparatus
US11756707B2 (en) Communication cable including a mosaic tape
CN107959265B (en) Method and device for stripping cables having a multilayer sheath
JP5212251B2 (en) Terminal processing method and terminal processing structure for extra fine coaxial line
JP2017037800A (en) Cable harness and manufacturing method of the same
JP2009166128A (en) Laser beam machining apparatus
JP4134809B2 (en) Terminal processing method for ultra-fine coaxial cable
JP4352935B2 (en) Shielded cable and terminal forming method thereof
JP2008300110A (en) Terminal processing method for coaxial cable
JP2013005525A (en) Terminal processing method and terminal treatment structure of ultrafine coaxial wire
JP2004192815A (en) Ultra-fine coaxial cable and its process of manufacture
JP4045843B2 (en) Terminal processing method for ultra-fine coaxial cable
JP5488181B2 (en) Cable harness and manufacturing method thereof
US9543663B2 (en) Terminal structure of coaxial cable, and connection structure of terminal of this coaxial cable
JP2010129295A (en) Method for treating terminal of ultrafine coaxial wire
JP7294011B2 (en) Cable for signal transmission
JP6079467B2 (en) Coaxial wire harness
JPH06124608A (en) Wire harness with shield
JPH11297133A (en) Processed wire and its manufacture
JP2010226791A (en) Terminal structure of coaxial cable
AU2014233636A1 (en) Method and apparatus for manufacturing mosaic tape for use in communication cable
FR2722909A1 (en) Multi-core electric cable suitable for high frequency signal transmission

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20080208

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20080605

A871 Explanation of circumstances concerning accelerated examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A871

Effective date: 20080611

A975 Report on accelerated examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971005

Effective date: 20080715

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20080812

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20081014

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20081202

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20090203

A911 Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911

Effective date: 20090210

A912 Re-examination (zenchi) completed and case transferred to appeal board

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912

Effective date: 20090612