JP2007286918A - 危険パターン抽出方法および危険パターン抽出装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】効率的に危険パターンを抽出する。
【解決手段】設計パターンSPにおいて抽出された危険パターン候補DKを含むように設定した密度計算エリアDAにおいて、パターンが存在する密度を第1のパターン密度PD1として計算する。危険パターン候補DKの中心座標位置CPの周囲へ密度計算エリアDAを移動し、その移動した密度計算エリアDAにおいてパターンが存在する密度を第2のパターン密度PD2として計算する。そして、その第1のパターン密度PD1と第2のパターン密度PD2とのパターン密度比PDRに基づいて、その危険パターン候補DKが危険パターンDPであるか否かを判断する。
【選択図】図3
【解決手段】設計パターンSPにおいて抽出された危険パターン候補DKを含むように設定した密度計算エリアDAにおいて、パターンが存在する密度を第1のパターン密度PD1として計算する。危険パターン候補DKの中心座標位置CPの周囲へ密度計算エリアDAを移動し、その移動した密度計算エリアDAにおいてパターンが存在する密度を第2のパターン密度PD2として計算する。そして、その第1のパターン密度PD1と第2のパターン密度PD2とのパターン密度比PDRに基づいて、その危険パターン候補DKが危険パターンDPであるか否かを判断する。
【選択図】図3
Description
本発明は、危険パターン抽出方法および危険パターン抽出装置に関する。特に、複数のパターンがスペースを隔てて配置された設計パターンにおいて、プロセスマージンが小さいパターンを、危険パターンとして抽出する危険パターン抽出方法および危険パターン抽出装置に関する。
半導体装置を製造する際においては、リソグラフィ技術を用いて、ウエハに微細なパターンを加工している。
ここでは、たとえば、パターン加工を施す面に、感光性材料からなるレジスト膜を形成した後に、設計パターンに基づいてマスクパターンが形成されたフォトマスクを照明し、その照明によって生ずるマスクパターン像をウエハ上に形成されたレジスト膜に露光して転写する。その後、そのマスクパターン像が転写されたレジスト膜を現像し、ウエハの表面にレジストマスクを形成する。そして、このレジストマスクを用いて、エッチング処理を実施することによってパターン加工する。
このリソグラフィ技術においては、設計パターンに対応するようにパターン加工を実施するために、光近接効果補正(OPC: Optical Proximity Effect Correction)をマスクパターンに施している。たとえば、マスクパターンに予め図形を付加することや、パターンの疎密に応じてサイズを変更することなどの補正が施されている。
OPCは、「ルールベースOPC」と「モデルベースOPC」とに分類される。
「ルールベースOPC」は、カテゴリーごとにOPCパターンの作成ルールを規定し、その規定した作成ルールに従って設計パターンを補正することによって、OPCパターンを生成する方法である。具体的には、まず、OPCテストパターンの転写結果に基づいて、そのパターンの幅と、そのパターンに隣接する隣接パターンまでの距離とに応じて変化する光近接効果による歪量を求めた後に、その歪量と、そのパターンの幅と、そのパターンに隣接する隣接パターンまでの距離とを関連付けた相関表を作成する。その後、その相関表に基づいて、設計パターンに変更を加えるルールを作成し、このルールに対応するように補正を実施する。この「ルールベースOPC」は、近接する図形の光近接効果を一次元的に調べて、補正を実施する場合に好適であって、たとえば、ライン・アンド・スペース・パターンに適用することが好ましい。
一方、「モデルベースOPC」は、リソグラフィ・シミュレーション結果に基づいて形成したモデルを用いて補正する方法であり、パターン転写結果に基づいてモデルをキャリブレーションすることで、複雑なプロセスに対応することが可能になる。具体的には、加工後の寸法をシミュレーションするモデル式を用いることによって、その加工後の転写パターンの寸法を設計パターンに一致するように補正を実施している。この「モデルベースOPC」は、近接する図形の光近接効果を二次元的に調べて、補正を実施する場合に好適である。
しかし、半導体装置において高集積化や動作速度の高速化の要求が高まるに伴って、OPCを適用した場合であっても、十分な精度でパターン加工することが困難な場合が生じてきている。特に、露光工程にて焦点位置などのプロセス条件にバラツキが発生した際には、プロセスマージンが少ないレイアウトで配置されている危険パターンの部分において欠陥が発生するために、上記の要求に対応することが困難な場合がある。たとえば、パターン密度差が狭いレイアウト範囲にて生ずる部分が、プロセス条件のバラツキに影響を大きく受ける危険パターンとなるために、上記の不具合が顕在化する場合がある。このため、半導体装置の製造歩留まりの低下や、装置の信頼性の低下が生ずる場合がある。
この不具合を改善するために、設計パターンから危険パターンを抽出する処理を実施し、その危険パターンが抽出された場合には、設計パターンを修正する方法が提案されている(たとえば、特許文献1参照)。
しかしながら、上記の方法においては、OPCと光学シミュレーションとを実施しなければ、危険パターンを抽出できないために、この危険パターンの有無を設計者にフィードバックするまでに、長い時間を要する場合がある。このため、作業効率が低下する場合がある。
したがって、本発明は、効率的に危険パターンを抽出可能な危険パターン抽出方法および危険パターン抽出装置を提供することにある。
上記課題を解決するために、本発明の危険パターン抽出方法は、複数のパターンがスペースを隔てて配置された設計パターンにおいて、プロセスマージンが小さいパターンを、危険パターンとして抽出する危険パターン抽出方法であって、前記パターンの幅と前記スペースの距離とに基づいて、前記危険パターンの候補となる危険パターン候補を前記複数のパターンから抽出する第1工程と、前記第1工程にて抽出された前記危険パターン候補において中心に対応する座標位置を中心座標位置として算出する第2工程と、前記設計パターンにおいて前記第1工程にて抽出された前記危険パターン候補を含むように前記設計パターンを区画することによって密度計算エリアを形成した後に、前記第2工程にて算出された中心座標位置に当該密度計算エリアの中心が対応するように前記設計パターンに当該密度計算エリアを設定する第3工程と、前記第3工程にて前記設計パターンに設定された前記密度計算エリアにおいて、前記パターンが存在する密度を第1のパターン密度として計算する第4工程と、前記第3工程にて設定された前記密度計算エリアの中心が、前記第2工程にて算出された前記危険パターン候補の中心座標位置の周囲であって、前記第3工程にて設定された当該密度計算エリアの中心から当該密度計算エリアの端部までの間にて移動するように、前記第3工程にて設定された前記密度計算エリアを前記設計パターンにおいて複数の位置に移動する第5工程と、前記第5工程にて複数の位置に移動された前記密度計算エリアにおいて、前記パターンが存在する密度のそれぞれを第2のパターン密度として計算する第6工程と、前記第4工程にて計算された前記第1のパターン密度と、前記第6工程にて計算された前記第2のパターン密度との比を、前記第5工程にて移動された前記密度計算エリアの位置ごとにパターン密度比として計算する第7工程と、前記第7工程にて計算された前記パターン密度比に基づいて、前記危険パターン候補が前記危険パターンであるか否かを判断する第8工程とを有する。
上記課題を解決するために、本発明の危険パターン抽出装置は、複数のパターンがスペースを隔てて配置された設計パターンにおいて、プロセスマージンが小さいパターンを、危険パターンとして抽出する危険パターン抽出装置であって、前記パターンの幅と前記スペースの距離とに基づいて、前記危険パターンの候補となる危険パターン候補を前記複数のパターンから抽出する危険パターン候補抽出手段と、前記危険パターン候補抽出手段にて抽出された前記危険パターン候補において中心に対応する座標位置を中心座標位置として算出する中心座標位置算出手段と、前記設計パターンにおいて前記危険パターン候補抽出手段にて抽出された前記危険パターン候補を含むように前記設計パターンを区画することによって密度計算エリアを形成した後に、前記中心座標位置算出手段によって算出された前記中心座標位置に当該密度計算エリアの中心が対応するように前記設計パターンに当該密度計算エリアを設定する密度計算エリア設定部と、前記中心座標位置算出手段にて算出された中心座標位置を中心にする密度計算エリアを、前記設計パターンにおいて前記危険パターン候補抽出手段にて抽出された前記危険パターン候補を含むように前記設計パターンに設定する密度計算エリア設定手段と、前記密度計算エリア設定手段にて前記設計パターンに設定された前記密度計算エリアにおいて、前記パターンが存在する密度を第1のパターン密度として計算する第1のパターン密度計算手段と、前記密度計算エリア設定手段にて設定された前記密度計算エリアの中心が、前記中心座標位置算出手段にて算出された前記危険パターン候補の中心座標位置の周囲であって、当該密度計算エリアの中心から当該密度計算エリアの端部までの間にて移動するように、前記密度計算エリア設定手段にて設定された前記密度計算エリアを前記設計パターンにおいて複数の位置に移動する密度計算エリア移動手段と、前記密度計算エリア移動手段にて複数の位置に移動された前記密度計算エリアにおいて、前記パターンが存在する密度のそれぞれを第2のパターン密度として計算する第2のパターン密度計算手段と、前記第1のパターン密度計算手段にて計算された前記第1のパターン密度と、前記第2のパターン密度計算手段にて計算された前記第2のパターン密度との比を、前記密度計算エリア移動手段にて移動された前記密度計算エリアの位置ごとにパターン密度比として計算するパターン密度比計算手段と、前記パターン密度比計算手段にて計算された前記パターン密度比に基づいて、前記危険パターン候補が前記危険パターンであるか否かを判断する危険パターン判断手段とを有する。
本発明によれば、効率的に危険パターンを抽出可能な危険パターン抽出方法および危険パターン抽出装置を提供することができる。
図1は、本発明にかかる実施形態において、危険パターン抽出装置1を示すブロック図である。
図1に示すように、本実施形態の危険パターン抽出装置1は、入力装置11と、中央処理装置21と、表示装置31とを有しており、複数のパターンがスペースを隔てて配置された設計パターンにおいて、プロセスマージンが小さいパターンを、危険パターンとして抽出する。各部について順次説明する。
入力装置11は、キーボードやポインティングデバイスなどの操作デバイスにより構成されており、オペレータによって操作データが入力され、その操作データを中央処理装置21に出力する。本実施形態においては、半導体デバイスの設計パターンに関するデータがオペレータによって入力される。
中央処理装置21は、コンピュータと、そのコンピュータを各種手段として機能させるためのプログラムを記憶している記憶装置とを有している。本実施形態においては、中央処理装置21は、半導体デバイスの設計パターンに関するデータが入力装置11から入力される。そして、中央処理装置21は、その半導体デバイスの設計パターンにおいて、プロセスマージンが小さいパターンである危険パターンを抽出する。そして、その危険パターンの抽出結果を示す画像のデータを生成し、表示装置31へ出力して表示させる。
図2は、本発明にかかる実施形態において、中央処理装置21を示すブロック図である。
図2に示すように、中央処理装置21は、危険パターン候補抽出手段211と、中心座標位置算出手段212と、密度計算エリア設定手段213と、第1のパターン密度計算手段214と、密度計算エリア移動手段215と、第2のパターン密度計算手段216と、パターン密度比計算手段217と、危険パターン判断手段218とを有し、上記のようにコンピュータがプログラムによって各手段として機能する。各手段についての詳細な動作については後述する。
表示装置31は、CRTなどの表示デバイスにより構成されており、表示画面に画像を表示する。ここでは、表示装置31は、中央処理装置21にて生成された危険パターンの抽出結果を示す画像のデータに基づいて、その抽出結果を表示画面に表示する。
以下より、本実施形態の危険パターン抽出装置1についての動作を説明する。
図3は、本発明にかかる実施形態において、危険パターン抽出装置1についての動作を示すフロー図である。
まず、図3に示すように、危険パターン候補DKの抽出を実施する(S11)。
ここでは、危険パターンDPの候補となる危険パターン候補DKを、入力装置11から入力された半導体デバイスの設計パターンSPを構成する複数のパターンから、危険パターン候補抽出手段211が抽出する。本実施形態においては、パターンの幅とスペースの距離とに基づいて、設計パターンSPにおいて危険パターンDPの候補となる危険パターン候補DKを抽出する。具体的には、設計パターンSPを構成する複数のパターンにおいてパターンの幅が、予め定めた基準値以下であって、パターンと、そのパターンに隣接する隣接パターンとの間のスペースの距離が変化する部分を、危険パターン候補DKとして、危険パターン候補抽出手段211が抽出する。
図4は、本発明にかかる実施形態において、設計パターンSPにて抽出される危険パターン候補DKを示す平面図である。図4においては、図4(a)が設計パターンSPの一部を示しており、図4(b)が、設計パターンSPの一部にて抽出される危険パターン候補DKを示している。
図4(a)に示すように、本実施形態において、設計パターンSPは、パターンとして、第1のラインパターンP1と、第2のラインパターンP2と、第3のラインパターンP3と、第4のラインパターンP4とを含む。ここでは、第1のラインパターンP1と、第2のラインパターンP2と、第3のラインパターンP3と、第4のラインパターンP4とのそれぞれは、最小デザインルールに対応するパターン幅WPになるように形成されている。
そして、第1のラインパターンP1と、第2のラインパターンP2と、第3のラインパターンP3については、ライン状に延在する延在方向yに対して直交する幅方向xにおいて互いが延在する方向が平行になるように間隔を隔てて並んでいる。ここでは、第1のラインパターンP1と第2のラインパターンP2との間のスペースS1と、第2のラインパターンP2と第3のラインパターンP3との間のスペースS2とのそれぞれが、最小デザインルールに対応するスペース幅WS1になるように配置されている。そして、第1のラインパターンP1と第2のラインパターンP2と第3のラインパターンP3とにおいては、第2のラインパターンP2が、第1のラインパターンP1と第3のラインパターンP3とが延在する方向の上端部から上方に突き出るように形成されている。また、第4のラインパターンP4については、第3のラインパターンP3が延在する上方において、第3のラインパターンP3からスペース3を隔てるように配置されており、第3のラインパターンP3と同様に、第2のラインパターンP2が延在する方向に平行になるように、スペースS1を隔てて並んでいる。ここでは、第2のラインパターンP2と第3のラインパターンP3との間のスペース3が、最小デザインルールに対応するスペース幅WS1になるように配置されている。
この設計パターンSPにおいて第2のラインパターンP2は、図4(a)に示すように、隣接パターンである第1のラインパターンP1および第3のラインパターンP3との間において、幅方向xに小さいスペース幅WS1のスペースS1,S2が設けられている。そして、第1のラインパターンP1および第3のラインパターンP3の延在方向における上端部から上方に対応する部分のスペースS4については、幅方向xに、その小さなスペース幅WS1よりも大きなスペース幅WS2の間隔が設けられている。そして、第4のラインパターンP4の延在方向における下端部から上方に対応するスペースS3については、幅方向xに、その小さなスペース幅WS1の間隔が設けられている。このように、第2のラインパターンP2は、小さいスペース幅WS1と大きなスペース幅WS2とのスペースS1,S2,S3,S4が幅方向xにて存在する。このように、スペース幅が変化する部分については、パターン密度が変化するために、プロセスマージンが小さくなる場合がある。また、第2のラインパターンP2は、最小デザインルールに対応するスペース幅WS1であるため、プロセスマージンが小さくなる場合がある。
このため、本実施形態においては、図4(b)に示すように、第2のラインパターンP2においてスペースS1,S2,S3,S4の距離が変化する部分を区画し、危険パターン候補DKとして危険パターン候補抽出手段211が抽出する。たとえば、第1のラインパターンP1と第3のラインパターンP3との上端部に対応する部分から下方へ、予め定めた所定距離を移動した位置を下端部とし、第4のラインパターンP4の下端部に対応する部分から上方へ、その所定距離を移動した位置を上端部とするように、この危険パターン候補DKを、矩形形状に区画して抽出する。
つぎに、図3に示すように、危険パターン候補DKの抽出可否について判断する(S13)。
ここでは、上記の工程(S11)にて、危険パターン候補抽出手段211が危険パターン候補DKを抽出しなかった場合(No)には、図3に示すように、処理を終了する。
一方で、上記の工程(S11)にて、危険パターン候補抽出手段211が危険パターン候補DKを抽出した場合(Yes)には、図3に示すように、危険パターン候補DKの中心座標位置CPの算出を実施する(S21)。
ここでは、上記のように、危険パターン候補抽出手段211にて抽出された危険パターン候補DKにおいて中心に対応する座標位置を、中心座標位置算出手段212が中心座標位置CPとして算出する。
図5は、本発明にかかる実施形態において、危険パターン候補DKにて算出される中心座標位置CPを示す平面図である。
本実施形態においては、図5に示すように、危険パターン候補DKにおいて延在方向yの中心と幅方向xの中心とに対応する座標位置を、中心座標位置CPとして算出する。
つぎに、図3に示すように、密度計算エリアDAの設定を実施する(S31)。
ここでは、密度計算エリアDAを密度計算エリア設定手段213が設定する。
図6は、本発明にかかる実施形態において、設計パターンSPにて設定された密度計算エリアDAを示す平面図である。
図6に示すように、設計パターンSPにおいて危険パターン候補抽出手段211にて抽出された危険パターン候補DKを含むと共に、中心座標位置算出手段212によって算出された中心座標位置CPに、その密度計算エリアDAの中心DCが対応するように、密度計算エリア設定手段213が設計パターンSPに密度計算エリアDAを区画して設定する。たとえば、複数のパターンにおけるスペースの距離の最小値に対して2倍の幅で区画するように、密度計算エリア設定手段213が密度計算エリアDAを設計パターンSPに区画して設定する。つまり、図6に示すように、幅方向xの中心から外側へ、最小デザインルールに対応するパターン幅WPの2倍で延在するように、密度計算エリアDAを区画して設定する。このように、密度計算エリアDAを設定することにより、周辺パターンの影響が少なくなるために、後述するパターン密度の差を効果的に算出することができる。
つぎに、図3に示すように、第1のパターン密度PD1の計算を実施する(S41)。
ここでは、第1のパターン密度を第1のパターン密度計算手段214が計算する。具体的には、密度計算エリア設定手段213にて設計パターンSPに設定された密度計算エリアDAにおいて、パターンが存在する密度を、第1のパターン密度計算手段214が第1のパターン密度PD1として計算する。つまり、密度計算エリアDAにおいて存在するパターンの面積の割合を計算することで、第1のパターン密度PD1を求める。
つぎに、図3に示すように、密度計算エリアDAの移動を実施する(S51)。
ここでは、密度計算エリア移動手段215が密度計算エリアDAを移動する。具体的には、密度計算エリア設定手段213にて設定された密度計算エリアDAの中心DCが、中心座標位置算出手段212にて算出された危険パターン候補DKの中心座標位置CPの周囲であって、その密度計算エリアDAの中心DCから端部までの間にて移動するように、密度計算エリア設定手段213にて設定された密度計算エリアDAを密度計算エリア移動手段215が設計パターンSPにおいて複数の位置に移動する。
図7は、本発明にかかる実施形態において、設計パターンSPにて移動された密度計算エリアDAを示す平面図である。
本実施形態においては、図7(a),図7(b)に示すように、密度計算エリア移動手段215は、危険パターン候補DKがライン状に延在する長手方向yに沿うように、上方向D1と、その上方向D1に対して反対な下方向D2とに、密度計算エリアDAを中心座標位置CPから移動する。また、ここでは、複数のパターンにおけるスペースの距離の最小値に対して2倍の距離に対応するように、密度計算エリア設定手段213にて設定された密度計算エリアDAを、密度計算エリア移動手段215が移動する。つまり、図7(a),図7(b)に示すように、延在方向yの中心から外側へ、最小デザインルールに対応するパターン幅WPの2倍の距離になるように、密度計算エリアDAの中心を移動する。
つぎに、図3に示すように、第2のパターン密度PD2の計算を実施する(S61)。
ここでは、第2のパターン密度計算手段216が第2のパターン密度PD2を計算する。具体的には、密度計算エリア移動手段215にて複数の位置に移動された密度計算エリアDAにおいて、パターンPが存在する密度のそれぞれを、第2のパターン密度PD2として第2のパターン密度計算手段216が計算する。つまり、図7(a)に示すように、上方へ移動された密度計算エリアDAにおいて存在するパターンの面積の割合を計算すると共に、図7(b)に示すように、下方へ移動された密度計算エリアDAにおいて存在するパターンの面積の割合を計算することによって、それぞれの位置での第2のパターン密度PD2を求める。
つぎに、図3に示すように、パターン密度比PDRの計算を実施する(S71)。
ここでは、パターン密度比計算手段217がパターン密度比PDRを計算する。具体的には、第1のパターン密度計算手段214にて計算された第1のパターン密度PD1と、第2のパターン密度計算手段216にて計算された第2のパターン密度PD2との比を、密度計算エリア移動手段215にて移動された密度計算エリアDAの位置ごとに、パターン密度比PDRとして、パターン密度比計算手段217が計算する。つまり、図7(a)に示すように上方へ移動された密度計算エリアDAでの第2のパターン密度PD2とのパターン密度比PDRを計算すると共に、図7(b)に示すように下方へ移動された密度計算エリアDAでの第2のパターン密度PD2とのパターン密度比PDRを計算する。
つぎに、図3に示すように、危険パターンDPの判断を実施する(S81)。
ここでは、危険パターン候補DKが危険パターンDPであるか否かを、パターン密度比計算手段217にて計算されたパターン密度比PDRに基づいて、危険パターン判断手段218が判断する。たとえば、パターン密度比計算手段217にて計算されたパターン密度比PDRの少なくとも1つが、予め定めた閾値以上である場合に、その危険パターン候補DKを危険パターン判断手段218が危険パターンDPであると判断する。本実施形態においては、図7(a)に示すように上方へ移動された密度計算エリアDAでの第2のパターン密度PD2、または、図7(b)に示すように下方へ移動された密度計算エリアDAでの第2のパターン密度PD2と、第1のパターン密度計算手段214にて計算された第1のパターン密度PD1とのパターン密度比PDRのいずれかが、たとえば、2以上である場合に、その危険パターン候補DKを危険パターンDPとして判断する。すなわち、上方へ移動された密度計算エリアDAでの第2のパターン密度PD2に対して第1のパターン密度PD1が2倍以上または1/2倍以下である場合や、下方へ移動された密度計算エリアDAでの第2のパターン密度PD2に対して第1のパターン密度PD1が2倍以上または1/2倍以下である場合には、その危険パターン候補DKを危険パターンDPとして判断し抽出する。そして、この危険パターンDPの抽出結果を示す画像を生成し、その抽出結果を示す画像を、表示装置31が画面に表示する。
以上のように、本実施形態は、設計パターンSPを構成する複数のパターンにおいてパターンの幅が基準値以下であって、パターン間のスペースの距離が変化する部分を、危険パターン候補DKとして抽出する。その後、設計パターンSPにおいて抽出された危険パターン候補DKを含むように設定した密度計算エリアDAにおいて、パターンが存在する密度を第1のパターン密度PD1として計算する。危険パターン候補DKの中心座標位置CPの周囲へ密度計算エリアDAを移動し、その移動した密度計算エリアDAにおいてパターンが存在する密度を第2のパターン密度PD2として計算する。そして、その第1のパターン密度PD1と第2のパターン密度PD2とのパターン密度比PDRに基づいて、その危険パターン候補DKが危険パターンDPであるか否かを判断する。つまり、危険パターン候補DKを含む領域の第1のパターン密度PD1と、その周囲における第2のパターン密度PD2との違いに基づいて、その危険パターン候補DKが、プロセス裕度が低い危険パターンDPであるか否かを判断して、危険パターンDPを抽出する。このように、本実施形態は、OPCと光学シミュレーションとを実施せずに、設計パターンSPについての情報のみを用いて危険パターンDPを抽出するため、危険パターンDPの有無を設計者にフィードバックするまでの時間を短縮することができる。したがって、本実施形態は、作業効率を向上させることができる。
また、本実施形態においては、複数のパターンにおけるスペース幅の最小値に対して2倍の幅で区画するように密度計算エリアDAを設計パターンに設定すると共に、その密度計算エリアDAを、そのスペース幅の最小値に対して2倍の距離に対応するように移動する。このため、本実施形態は、狭い範囲にてパターン密度が大きく変化する危険パターンDPを効果的に抽出することができるため、作業効率を向上させることができる。
また、本実施形態においては、危険パターン候補DKが延在する延在方向yに沿うように、上方と下方とに、密度計算エリアDAの中心DCを、危険パターン候補DKの中心座標位置CPから移動する。そして、各移動位置でのパターン密度比PDRを算出する。このため、本実施形態は、パターン密度の変化の割合を効果的に求めることができ、また、計算時間を短縮化できるため、作業効率を向上させることができる。
なお、上記の本実施形態において、ステップS11は、本発明の第1工程に対応する。また、上記の本実施形態において、ステップS21は、本発明の第2工程に対応する。また、上記の本実施形態において、ステップS31は、本発明の第3工程に対応する。また、上記の本実施形態において、ステップS41は、本発明の第4工程に対応する。また、上記の本実施形態において、ステップS51は、本発明の第5工程に対応する。また、上記の本実施形態において、ステップS61は、本発明の第6工程に対応する。また、上記の本実施形態において、ステップS71は、本発明の第7工程に対応する。また、上記の本実施形態において、ステップS81は、本発明の第8工程に対応する。
また、本発明の実施に際しては、上記の実施形態に限定されるものではなく、種々の変形形態を採用することができる。
たとえば、上記の実施形態においては、危険パターン候補DKが延在する延在方向yに沿うように、上方と下方とに、密度計算エリアDAの中心DCを、危険パターン候補DKの中心座標位置CPから移動する場合について示したが、これに限定されない。たとえば、上方と下方との他に、右方向と左方向とに密度計算エリアDAの中心DCを、危険パターン候補DKの中心座標位置CPから移動してもよい。また、この延在方向に対して傾斜する方向に移動しても良い。この場合には、より高精度に、危険パターンDPを抽出することができる。
また、たとえば、上記の実施形態においては、長手方向が縦方向に延在する危険パターン候補DKの場合について示したが、危険パターン候補DKの長手方向が横方向に延在する場合にも適用可能であり、上記の実施形態と同様に各動作を実施することによって本発明の効果を奏することができる。たとえば、危険パターン候補DKが延在する横方向xに沿うように、右側と左側とに、密度計算エリアDAの中心DCを、危険パターン候補DKの中心座標位置CPから移動し、各位置に対応するパターン密度比を算出する。
また、本実施形態において抽出された危険パターンのレイアウト情報を記憶し、その記憶した危険パターンのレイアウト情報を用いて、設計パターンから危険パターンを抽出しても良い。また、自動配置配線ツールに組み込むことによって、自動配置配線にて危険パターンが発生することを防止させてもよい。また、その他に、OPC処理に組み込み、この抽出された危険パターンについては、プロセスが変動したときのモデルを採用し、他のパターンについては、理想的なプロセス条件のモデルを採用してOPCを実施するように構成してもよい。これにより、プロセス変動の影響を受けにくい補正結果を得ることができる。
1…危険パターン抽出装置、
11…入力装置、
21…中央処理装置、
31…表示装置、
211…危険パターン候補抽出手段、
212…中心座標位置算出手段、
213…密度計算エリア設定手段、
214…第1のパターン密度計算手段、
215…密度計算エリア移動手段、
216…第2のパターン密度計算手段、
217…パターン密度比計算手段、
218…危険パターン判断手段
11…入力装置、
21…中央処理装置、
31…表示装置、
211…危険パターン候補抽出手段、
212…中心座標位置算出手段、
213…密度計算エリア設定手段、
214…第1のパターン密度計算手段、
215…密度計算エリア移動手段、
216…第2のパターン密度計算手段、
217…パターン密度比計算手段、
218…危険パターン判断手段
Claims (7)
- 複数のパターンがスペースを隔てて配置された設計パターンにおいて、プロセスマージンが小さいパターンを、危険パターンとして抽出する危険パターン抽出方法であって、
前記パターンの幅と前記スペースの距離とに基づいて、前記危険パターンの候補となる危険パターン候補を前記複数のパターンから抽出する第1工程と、
前記第1工程にて抽出された前記危険パターン候補において中心に対応する座標位置を中心座標位置として算出する第2工程と、
前記設計パターンにおいて前記第1工程にて抽出された前記危険パターン候補を含むように前記設計パターンを区画することによって密度計算エリアを形成した後に、前記第2工程にて算出された中心座標位置に当該密度計算エリアの中心が対応するように前記設計パターンに当該密度計算エリアを設定する第3工程と、
前記第3工程にて前記設計パターンに設定された前記密度計算エリアにおいて、前記パターンが存在する密度を第1のパターン密度として計算する第4工程と、
前記第3工程にて設定された前記密度計算エリアの中心が、前記第2工程にて算出された前記危険パターン候補の中心座標位置の周囲であって、前記第3工程にて設定された当該密度計算エリアの中心から当該密度計算エリアの端部までの間にて移動するように、前記第3工程にて設定された前記密度計算エリアを前記設計パターンにおいて複数の位置に移動する第5工程と、
前記第5工程にて複数の位置に移動された前記密度計算エリアにおいて、前記パターンが存在する密度のそれぞれを第2のパターン密度として計算する第6工程と、
前記第4工程にて計算された前記第1のパターン密度と、前記第6工程にて計算された前記第2のパターン密度との比を、前記第5工程にて移動された前記密度計算エリアの位置ごとにパターン密度比として計算する第7工程と、
前記第7工程にて計算された前記パターン密度比に基づいて、前記危険パターン候補が前記危険パターンであるか否かを判断する第8工程と
を有する
危険パターン抽出方法。 - 前記第1工程においては、前記複数のパターンにおいてパターンの幅が基準値以下であって、当該パターンと、当該パターンに隣接する隣接パターンとの間のスペースの距離が変化する部分を、前記危険パターン候補として抽出する
請求項1に記載の危険パターン抽出方法。 - 前記第3工程においては、前記複数のパターンにおけるスペースの距離の最小値に対して2倍の幅で区画するように、前記密度計算エリアを前記設計パターンに設定する
請求項2に記載の危険パターン抽出方法。 - 前記第5工程においては、前記危険パターン候補が延在する延在方向に沿うように、第1方向と、前記第1方向に対して反対な第2方向とに、前記第3工程にて設定された前記密度計算エリアを移動する
請求項3に記載の危険パターン抽出方法。 - 前記第5工程においては、前記複数のパターンにおけるスペースの距離の最小値に対して2倍の距離に対応するように、前記第3工程にて設定された前記密度計算エリアを移動する
請求項4に記載の危険パターン抽出方法。 - 前記第8工程においては、前記第7工程にて計算された前記パターン密度比が2以上である場合に、前記危険パターン候補を前記危険パターンであると判断する
請求項5に記載の危険パターン抽出方法。 - 複数のパターンがスペースを隔てて配置された設計パターンにおいて、プロセスマージンが小さいパターンを、危険パターンとして抽出する危険パターン抽出装置であって、
前記パターンの幅と前記スペースの距離とに基づいて、前記危険パターンの候補となる危険パターン候補を前記複数のパターンから抽出する危険パターン候補抽出手段と、
前記危険パターン候補抽出手段にて抽出された前記危険パターン候補において中心に対応する座標位置を中心座標位置として算出する中心座標位置算出手段と、
前記設計パターンにおいて前記危険パターン候補抽出手段にて抽出された前記危険パターン候補を含むように前記設計パターンを区画することによって密度計算エリアを形成した後に、前記中心座標位置算出手段によって算出された前記中心座標位置に当該密度計算エリアの中心が対応するように前記設計パターンに当該密度計算エリアを設定する密度計算エリア設定部と、
前記密度計算エリア設定手段にて前記設計パターンに設定された前記密度計算エリアにおいて、前記パターンが存在する密度を第1のパターン密度として計算する第1のパターン密度計算手段と、
前記密度計算エリア設定手段にて設定された前記密度計算エリアの中心が、前記中心座標位置算出手段にて算出された前記危険パターン候補の中心座標位置の周囲であって、当該密度計算エリアの中心から当該密度計算エリアの端部までの間にて移動するように、前記密度計算エリア設定手段にて設定された前記密度計算エリアを前記設計パターンにおいて複数の位置に移動する密度計算エリア移動手段と、
前記密度計算エリア移動手段にて複数の位置に移動された前記密度計算エリアにおいて、前記パターンが存在する密度のそれぞれを第2のパターン密度として計算する第2のパターン密度計算手段と、
前記第1のパターン密度計算手段にて計算された前記第1のパターン密度と、前記第2のパターン密度計算手段にて計算された前記第2のパターン密度との比を、前記密度計算エリア移動手段にて移動された前記密度計算エリアの位置ごとにパターン密度比として計算するパターン密度比計算手段と、
前記パターン密度比計算手段にて計算された前記パターン密度比に基づいて、前記危険パターン候補が前記危険パターンであるか否かを判断する危険パターン判断手段と
を有する
危険パターン抽出装置。
Priority Applications (1)
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---|---|---|---|
JP2006113823A JP2007286918A (ja) | 2006-04-17 | 2006-04-17 | 危険パターン抽出方法および危険パターン抽出装置 |
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JP2006113823A JP2007286918A (ja) | 2006-04-17 | 2006-04-17 | 危険パターン抽出方法および危険パターン抽出装置 |
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Family Applications (1)
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---|---|
JP (1) | JP2007286918A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8972907B1 (en) | 2013-09-10 | 2015-03-03 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Layout correcting method, recording medium and design layout correcting apparatus |
US11500283B2 (en) | 2019-09-03 | 2022-11-15 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Mask layout correction method and a method for fabricating semiconductor devices using the same |
-
2006
- 2006-04-17 JP JP2006113823A patent/JP2007286918A/ja active Pending
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