JP2007281277A - Method for manufacturing semiconductor laser device - Google Patents

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正樹 近藤
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for manufacturing a semiconductor laser device which can prevent the aggravation of solder wettability in the die bond of a semiconductor laser device and can prevent the degradation of properties of the semiconductor device by removing a dielectric film on the electrode of the epitaxial growth surface side after performing dielectric film deposition to the light emission end face of the semiconductor laser device. <P>SOLUTION: A p-side electrode 5 is formed on the epitaxial growth surface side of a semiconductor laser wafer. A Ti protection layer 51 is formed on the p-side electrode 5. The semiconductor laser wafer in which the p-side electrode 5 and the Ti protection layer 51 is formed is cut along with one direction, to fabricate a semiconductor laser bar 7 which makes the cutting plane by this cutting be a light emission end face 61. After forming an Al<SB>2</SB>O<SB>3</SB>dielectric film 71 on the light emission end face 61 of the semiconductor laser bar 7, the Ti protection layer 51 is removed. The Ti protection layer 51 can be removed while the Al<SB>2</SB>O<SB>3</SB>dielectric film 71 is left on the light emission end face 61. <P>COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT

Description

本発明は半導体レーザ素子の製造方法に関する。   The present invention relates to a method for manufacturing a semiconductor laser device.

図７Ａ〜図７Ｆに、従来の半導体レーザ素子の製造方法の工程図を示す。   7A to 7F show process diagrams of a conventional method of manufacturing a semiconductor laser device.

上記従来の半導体レーザ素子の製造方法では、まず、図７Ａに示すように、半導体基板２０１上に、活性層を含む半導体層群２０３をエピタキシャル成長させた後、半導体層群２０３にレーザ・ストライプを形成して、半導体レーザウエハＷ３を作製する。   In the conventional method of manufacturing a semiconductor laser device, first, as shown in FIG. 7A, a semiconductor layer group 203 including an active layer is epitaxially grown on a semiconductor substrate 201, and then a laser stripe is formed in the semiconductor layer group 203. Thus, the semiconductor laser wafer W3 is manufactured.

次に、上記半導体基板２０１は通常３００〜８００μｍの厚さがあるため、半導体レーザウエハＷ３を後工程でへき開できるように、半導体基板２０１をラッピング（研磨）やエッチングで削り、半導体レーザウエハＷ３の厚さを約１００μｍ程度にする。   Next, since the semiconductor substrate 201 usually has a thickness of 300 to 800 μm, the semiconductor substrate 201 is scraped by lapping (polishing) or etching so that the semiconductor laser wafer W3 can be cleaved in a subsequent process, and the thickness of the semiconductor laser wafer W3 is thereby reduced. Is about 100 μm.

次に、図７Ｂに示すように、上記半導体レーザウエハＷ３のエピタキシャル成長面に電極２０５を形成する一方、半導体レーザウエハＷ３の基板面に電極２０４を形成する。   Next, as shown in FIG. 7B, the electrode 205 is formed on the epitaxial growth surface of the semiconductor laser wafer W3, while the electrode 204 is formed on the substrate surface of the semiconductor laser wafer W3.

次に、上記電極２０４の表面に、図７Ｃに示すように、レーザチップ分割位置を示す電極パターンを形成した後、レーザ・ストライプが延びる方向（以下、「レーザ・ストライプ方向」と言う。）に垂直な方向に沿って、半導体レーザウエハＷ３をへき開法で周期的に切断すると、光出射端面２６１を有する半導体レーザバー２０７が複数得られる。このとき、上記へき開での周期の長さは、半導体レーザ素子の共振器長となる。なお、上記光出射端面２６１は上記へき開法によって形成されるへき開面である。   Next, as shown in FIG. 7C, an electrode pattern indicating a laser chip division position is formed on the surface of the electrode 204, and then the laser stripe extends (hereinafter referred to as “laser stripe direction”). When the semiconductor laser wafer W3 is periodically cut by the cleavage method along the vertical direction, a plurality of semiconductor laser bars 207 having the light emitting end face 261 are obtained. At this time, the length of the cleavage period is the resonator length of the semiconductor laser element. The light emitting end face 261 is a cleavage plane formed by the cleavage method.

次に、上記光出射端面２６１に、図７Ｄに示すように、端面保護及び反射率制御のために誘電体膜２７１を成膜する。   Next, as shown in FIG. 7D, a dielectric film 271 is formed on the light emitting end face 261 for end face protection and reflectance control.

次に、上記半導体レーザバー２０７の電極２０４の表面に、レーザ・ストライプ方向と平行な複数のけがき線を形成した後、そのけがき線に沿って半導体レーザバー２０７を分割することにより、図７Ｅに示すように、複数の半導体レーザチップ２０８を形成する。   Next, after forming a plurality of scribing lines parallel to the laser stripe direction on the surface of the electrode 204 of the semiconductor laser bar 207, the semiconductor laser bar 207 is divided along the scribing lines. As shown, a plurality of semiconductor laser chips 208 are formed.

上記半導体レーザチップ２０８は、図７Ｆに示すように、ヒートシンク２７５にダイボンドされる。上記ヒートシンク２７５はサブマウトであり、図示しないパッケージ本体に固定される。   The semiconductor laser chip 208 is die-bonded to a heat sink 275 as shown in FIG. 7F. The heat sink 275 is a submount and is fixed to a package body (not shown).

上記半導体レーザチップ２０８とヒートシンク２７５との間にはんだ２７６が付けられており、はんだ２７６を熱で溶かすことにより、半導体レーザチップ２０６の固定を行う。通常、上記半導体レーザチップ２０８は、熱放散効果を高めるため、発光部となる活性層を含む半導体層群２０３側をヒートシンク２７５に向けて、半導体レーザチップ２０８の半導体層群２０３側の電極２０５がシートシンク２７５にはんだ２７６を介して接続されるジャンクション・ダウン法が行われる。一方、上記半導体レーザチップ２０８の半導体基板２０１側の電極２０４は、ワイヤーボンドにより、図示しないパッケージ電極リードに接続される。   Solder 276 is attached between the semiconductor laser chip 208 and the heat sink 275, and the semiconductor laser chip 206 is fixed by melting the solder 276 with heat. In general, the semiconductor laser chip 208 has an electrode 205 on the semiconductor layer group 203 side of the semiconductor laser chip 208 facing the heat sink 275 so that the semiconductor layer group 203 side including the active layer serving as a light emitting portion is directed to enhance the heat dissipation effect. A junction down method in which the sheet sink 275 is connected via the solder 276 is performed. On the other hand, the electrode 204 on the semiconductor substrate 201 side of the semiconductor laser chip 208 is connected to a package electrode lead (not shown) by wire bonding.

ところで、上記半導体レーザバー２０７の光出射端面２６１に誘電体膜２７１を成膜する際、半導体レーザチップ２０８の半導体層群２０３側の電極２０５と、半導体レーザチップ２０８の半導体基板２０１側の電極２０４とに誘電体膜を成膜させることなく、光出射端面２６１に誘電体膜２７１を成膜する方法が要求される。   By the way, when the dielectric film 271 is formed on the light emitting end surface 261 of the semiconductor laser bar 207, the electrode 205 on the semiconductor layer group 203 side of the semiconductor laser chip 208 and the electrode 204 on the semiconductor substrate 201 side of the semiconductor laser chip 208 Therefore, there is a demand for a method of forming the dielectric film 271 on the light emitting end face 261 without forming the dielectric film.

これは、上記半導体レーザチップ２０８の電極２０４，２０５、特に、シートシンクへ２７５のダイボンド面を有する電極２０５に、部分的でも誘電体膜が成膜されると、半導体レーザチップ２０８をヒートシンク２７５にダイボンドしたとき、電極２０５において誘電体膜が成膜されている部分ではんだ濡れ性が悪くなる結果、ダイボンド強度が弱くなり、かつ、熱放散効果が弱くなり、半導体レーザチップ２０８の特性や信頼性に悪影響を与えるという問題が発生してしまう。   This is because when a dielectric film is partially formed on the electrodes 204 and 205 of the semiconductor laser chip 208, particularly the electrode 205 having a die bond surface of 275 on the sheet sink, the semiconductor laser chip 208 is turned into the heat sink 275. When die bonding is performed, the solder wettability is deteriorated in the portion where the dielectric film is formed in the electrode 205. As a result, the die bond strength is weakened and the heat dissipation effect is weakened, and the characteristics and reliability of the semiconductor laser chip 208 are reduced. The problem of adversely affecting the system will occur.

半導体レーザチップの電極に、誘電体膜を成膜させることなく、光出射端面２６１に誘電体膜２７１を成膜させる方法としては、特開平１１−５４５９７号公報に記載されたものがある。   As a method of forming the dielectric film 271 on the light emitting end face 261 without forming the dielectric film on the electrode of the semiconductor laser chip, there is one described in Japanese Patent Laid-Open No. 11-54597.

特開平１１−５４５９７号公報では、まず、図８Ａに示すように、複数の半導体レーザバー２０７を積み重ねて成膜用ホルダ３０１で保持する。   In Japanese Patent Laid-Open No. 11-54597, first, as shown in FIG. 8A, a plurality of semiconductor laser bars 207 are stacked and held by a film formation holder 301.

次に、図８Ｂに示すように、真空蒸着装置のチャンバー３０２内に設置されたホルダ固定器３０３に成膜用ホルダ３０１を固定する。このとき、上記成膜用ホルダ３０１は、複数の半導体レーザバー２０７の一方の光出射端面が蒸着源３０４に向くようにホルダ固定器３０３に固定される。なお、図８Ｂにおいて、３０５は膜厚計であり、３０６はダクトである。   Next, as shown in FIG. 8B, the film formation holder 301 is fixed to the holder fixing device 303 installed in the chamber 302 of the vacuum vapor deposition apparatus. At this time, the film formation holder 301 is fixed to the holder fixture 303 so that one light emitting end face of the plurality of semiconductor laser bars 207 faces the vapor deposition source 304. In FIG. 8B, reference numeral 305 denotes a film thickness meter, and reference numeral 306 denotes a duct.

次に、上記蒸着源３０４を加熱して蒸発させることにより、複数の半導体レーザバー２０７の一方の光出射端面に誘電体膜２７１を形成する。   Next, the dielectric film 271 is formed on one light emitting end face of the plurality of semiconductor laser bars 207 by heating and evaporating the vapor deposition source 304.

次に、上記ホルダ固定器３０３を１８０度回転させて、複数の半導体レーザバー２０７の他方の光出射端面を蒸着源３０４に向けた後、蒸着源３０４を加熱して蒸発させることにより、複数の半導体レーザバー２０７の他方の光出射端面に誘電体膜２７１を成膜する。   Next, the holder fixture 303 is rotated 180 degrees so that the other light emitting end faces of the plurality of semiconductor laser bars 207 are directed to the vapor deposition source 304, and then the vapor deposition source 304 is heated to evaporate, thereby producing a plurality of semiconductors. A dielectric film 271 is formed on the other light emitting end face of the laser bar 207.

このように、上記成膜用ホルダ３０１により、複数の半導体レーザバー２０７を重ね合わせて保持することによって、半導体レーザバー２０７の両光出射端面に誘電体膜２７１を成膜するときに、蒸着源３０４に対して半導体レーザバー２０７の電極２０４，２０５が露出しない。   As described above, when the dielectric film 271 is formed on both light emitting end faces of the semiconductor laser bar 207 by stacking and holding the plurality of semiconductor laser bars 207 by the film formation holder 301, the deposition source 304 is used. On the other hand, the electrodes 204 and 205 of the semiconductor laser bar 207 are not exposed.

したがって、上記半導体レーザバー２０７の電極２０４，２０５に誘電体膜２７１を成膜せずに、半導体レーザバー２０７の光出射端面のみに誘電体膜２７１を成膜することができる。   Therefore, the dielectric film 271 can be formed only on the light emitting end face of the semiconductor laser bar 207 without forming the dielectric film 271 on the electrodes 204 and 205 of the semiconductor laser bar 207.

しかしながら、上記成膜用ホルダ３０１に使用による場合、半導体レーザバー７間に微小であっても異物（半導体レーザバー７の取り扱い時の欠け破片等）が入った場合、その半導体レーザバー７間に隙間ができ、蒸発した蒸発源３０４が上記隙間を通って電極２０４，２０５側へ回り込む結果、図９Ａに示すように、電極２０４，２０５の光出射端面２６１近傍の部分に回り込み誘電体膜２８１が成膜されることになる。   However, when used for the film formation holder 301, even if there is a foreign matter (such as a chipped piece when handling the semiconductor laser bar 7) even between the semiconductor laser bars 7, a gap is formed between the semiconductor laser bars 7. As a result of the evaporated evaporation source 304 passing through the gap toward the electrodes 204 and 205, as shown in FIG. 9A, a dielectric film 281 is formed around the portion near the light emitting end face 261 of the electrodes 204 and 205. Will be.

このような蒸発した蒸発源３０４の回り込みは、半導体レーザバー２０７に反りがあったり、半導体レーザバー２０７の保持固定が弱かったりしても発生する。   Such evaporation of the evaporated evaporation source 304 occurs even if the semiconductor laser bar 207 is warped or the semiconductor laser bar 207 is weakly held and fixed.

したがって、上記成膜用ホルダ３０１を使用しても、半導体レーザバー２０７の電極２０４，２０５における回り込み誘電体膜２８１の発生を完全に防ぐのは難しい。   Therefore, even if the film formation holder 301 is used, it is difficult to completely prevent the wraparound dielectric film 281 from being generated in the electrodes 204 and 205 of the semiconductor laser bar 207.

特に、上記半導体レーザバー２０７の半導体層群２０３側の電極２０５に回り込み誘電体膜２８１が発生した場合、この半導体レーザバー２０７から得た半導体レーザチップ２０８は、はんだ濡れ性が悪くなり、特性悪化を引き起こす問題がある。   In particular, when the dielectric film 281 is generated around the electrode 205 on the semiconductor layer group 203 side of the semiconductor laser bar 207, the semiconductor laser chip 208 obtained from the semiconductor laser bar 207 has poor solder wettability and causes deterioration of characteristics. There's a problem.

図１０Ａに、他の従来の半導体レーザ素子の製造方法で製造されるリッジ導波路型半導体レーザ素子の概略断面図を示す。   FIG. 10A is a schematic cross-sectional view of a ridge waveguide type semiconductor laser device manufactured by another conventional method of manufacturing a semiconductor laser device.

図１０Ａにおいて、１０１はｎ型ＧａＡｓ基板、１０２はｎ型（Ａｌ０.７Ｇａ０.３）０.５Ｉｎ０.５Ｐ第１クラッド層、１０３は量子井戸活性層、１０４はｐ型（Ａｌ０.７Ｇａ０.３）０.５Ｉｎ０.５Ｐ第２クラッド層、１０５はｐ型Ｉｎ０.５Ｇａ０.５Ｐエッチング停止層、１０６Ａはリッジ部用ｐ型（Ａｌ０.７Ｇａ０.３）０.５Ｉｎ０.５Ｐ第３クラッド層、１０７Ａはリッジ部用ｐ型Ｉｎ０.５Ｇａ０.５Ｐ中間層、１０８Ａはリッジ部用ｐ型ＧａＡｓコンタクト層、１０６Ｂはテラス部用ｐ型（Ａｌ０.７Ｇａ０.３）０.５Ｉｎ０.５Ｐ第３クラッド層、１０７Ｂはテラス部用ｐ型Ｉｎ０.５Ｇａ０.５Ｐ中間層、１０８Ｂはテラス部用ｐ型ＧａＡｓコンタクト層、１１１はリッジ部、１１２はテラス部、１１３は溝部、１２１はリッジ部埋め込み誘電体膜、１３１はｐ側電極、１３４はｎ側電極、１３５はＡｕメッキ電極である。 In FIG. 10A, 101 is an n-type GaAs substrate, 102 is an n-type (Al 0.7 Ga 0.3 ) 0.5 In 0.5 P first cladding layer, 103 is a quantum well active layer, and 104 is a p-type ( Al 0.7 Ga 0.3 ) 0.5 In 0.5 P second cladding layer, 105 is a p-type In 0.5 Ga 0.5 P etching stop layer, and 106 A is a p-type for ridge (Al 0.5 . 7 Ga 0.3 ) 0.5 In 0.5 P third cladding layer, 107A is p-type In 0.5 Ga 0.5 P intermediate layer for ridge portion, 108A is p-type GaAs contact layer for ridge portion, 106B Is the p-type (Al 0.7 Ga 0.3 ) 0.5 In 0.5 P third cladding layer for terrace, 107B is the p-type In 0.5 Ga 0.5 P intermediate layer for terrace, 108B is P-type GaAs contact layer for terrace, 111 is a ridge, 112 is a terrace, 113 Groove 121 is ridge buried dielectric film, 131 is a p-side electrode, 134 n-side electrode, 135 is an Au-plated electrode.

すなわち、上記リッジ導波路型半導体レーザ素子は、ヒートシンクへのダイボンド時の熱放散性を高めるため、熱伝導のよいＡｕメッキ電極１３５を設けたリッジ導波路型半導体レーザである。   That is, the ridge waveguide type semiconductor laser element is a ridge waveguide type semiconductor laser provided with a thermally conductive Au plated electrode 135 in order to improve heat dissipation during die bonding to the heat sink.

図１０Ｂに、リッジ導波路型半導体レーザウエハから形成した半導体レーザバー１１７の概略斜視図を示す。   FIG. 10B shows a schematic perspective view of a semiconductor laser bar 117 formed from a ridge waveguide type semiconductor laser wafer.

上記Ａｕメッキ電極１３５には、光導波路を形成するリッジ部１１１があることにより、凹凸が形成されている。   The Au plating electrode 135 has irregularities formed by the presence of a ridge 111 forming an optical waveguide.

したがって、上記リッジ導波路型半導体レーザ素子を製造するために成膜用ホルダ３０１を用いた場合、半導体レーザバー１１７を密着させて重ね合わせても、半導体レーザバー１１７間に隙間が生じるから、図１０Ｃ，図１０Ｄに示すように、回り込み誘電体膜２８１がＡｕメッキ電極１３５に付着してしまう。
特開平１１−５４５９７号公報 Therefore, when the film formation holder 301 is used to manufacture the ridge waveguide type semiconductor laser device, a gap is generated between the semiconductor laser bars 117 even if the semiconductor laser bars 117 are closely adhered to each other. As shown in FIG. 10D, the wraparound dielectric film 281 adheres to the Au plating electrode 135.
Japanese Patent Laid-Open No. 11-54597

そこで、本発明の課題は、半導体レーザバーの光出射端面への誘電体膜成膜を行った後、エピタキシャル成長面側の電極上の誘電体膜を除去することにより、半導体レーザ素子のダイボンドでのはんだ濡れ性悪化を防止し、半導体レーザ素子の特性の悪化を防止できる半導体レーザ素子の製造方法を提供することにある。   Accordingly, an object of the present invention is to form a dielectric film on the light emitting end face of the semiconductor laser bar, and then remove the dielectric film on the electrode on the epitaxial growth surface side, thereby soldering the semiconductor laser element by die bonding. An object of the present invention is to provide a method of manufacturing a semiconductor laser device that can prevent deterioration of wettability and prevent deterioration of characteristics of the semiconductor laser device.

上記課題を解決するため、本発明の半導体レーザ素子の製造方法は、
半導体レーザウエハのエピタキシャル成長面に電極を形成する工程と、
上記電極上に保護膜を形成する工程と、
上記電極及び上記保護膜が形成された上記半導体レーザウエハを一方向に沿って切断して、この切断による切断面を光出射端面とする半導体レーザバーを作製する工程と、
上記半導体レーザバーの上記光出射端面に誘電体膜を形成した後、上記保護膜を除去する工程と
を備え、
上記保護膜は、上記光出射端面に上記誘電体膜を残した状態で除去することが可能であることを特徴としている。 In order to solve the above problems, a method for manufacturing a semiconductor laser device of the present invention includes:
Forming an electrode on the epitaxial growth surface of the semiconductor laser wafer;
Forming a protective film on the electrode;
Cutting the semiconductor laser wafer on which the electrode and the protective film are formed along one direction, and manufacturing a semiconductor laser bar having a cut surface by the cutting as a light emitting end surface;
And a step of removing the protective film after forming a dielectric film on the light emitting end face of the semiconductor laser bar,
The protective film can be removed while leaving the dielectric film on the light emitting end face.

ここで、半導体レーザウエハとは、半導体レーザ素子の主要な構造が形成されたものであり、少なくとも活性層を含むものである。   Here, the semiconductor laser wafer is one on which the main structure of the semiconductor laser element is formed, and includes at least an active layer.

上記構成の半導体レーザ素子の製造方法によれば、上記半導体レーザバーの光出射端面に誘電体膜を形成する。このとき、上記誘電体膜の材料が半導体レーザバーのエピタキシャル成長面側に回り込むことにより、半導体レーザバーのエピタキシャル成長面側に回り込み誘電体膜が形成される。この回り込み誘電体膜の少なくとも一部は、保護膜を除去することによって、保護膜と共に簡単かつ確実に除去することができる。   According to the method of manufacturing a semiconductor laser device having the above configuration, the dielectric film is formed on the light emitting end face of the semiconductor laser bar. At this time, when the material of the dielectric film wraps around the epitaxial growth surface side of the semiconductor laser bar, the dielectric film wraps around the epitaxial growth surface side of the semiconductor laser bar. At least a part of the wraparound dielectric film can be easily and reliably removed together with the protective film by removing the protective film.

また、上記保護膜は、光出射端面に誘電体膜を残した状態で除去することが可能であるから、保護膜を除去しても、光出射端面に誘電体膜を残すことができる。   Further, since the protective film can be removed with the dielectric film remaining on the light emitting end face, the dielectric film can be left on the light emitting end face even if the protective film is removed.

また、上記回り込み誘電体膜の少なくとも一部を保護膜と共に除去することによって、電極上の回り込み誘電体膜が減少するから、電極のはんだ濡れ性を向上させることができる。   Further, by removing at least a part of the wraparound dielectric film together with the protective film, the wraparound dielectric film on the electrode is reduced, so that the solder wettability of the electrode can be improved.

したがって、上記保護膜を除去した半導体レーザバーを分割することにより、ダイボンドでのはんだ濡れ性悪化を防止できる半導体レーザ素子を作製することができる。   Therefore, by dividing the semiconductor laser bar from which the protective film has been removed, a semiconductor laser element capable of preventing deterioration of solder wettability due to die bonding can be manufactured.

また、上記電極上において熱伝導率の悪い誘電体膜が減少するから、電極の熱放散効果を高めることができる。   Further, since the dielectric film having poor thermal conductivity is reduced on the electrode, the heat dissipation effect of the electrode can be enhanced.

したがって、上記保護膜を除去した半導体レーザバーを分割することにより、放熱性悪化に伴う特性悪化や信頼性悪化を防ぐことができる半導体レーザ素子を作製することができる。   Therefore, by dividing the semiconductor laser bar from which the protective film has been removed, it is possible to produce a semiconductor laser element that can prevent deterioration in characteristics and deterioration in reliability due to deterioration in heat dissipation.

また、上記半導体レーザ素子に関して放熱性悪化に伴う特性悪化や信頼性悪化を防ぐことができるので、半導体レーザ素子の製造の歩留りを向上させることができる。   In addition, since deterioration of characteristics and reliability associated with deterioration of heat dissipation can be prevented with respect to the semiconductor laser element, the manufacturing yield of the semiconductor laser element can be improved.

また、上記保護膜を除去しても、光出射端面に誘電体膜を残すことができるから、その誘電体膜の除去を防止するための除去防止膜を形成する必要はなく、製造工程を簡略化することができる。   In addition, even if the protective film is removed, the dielectric film can be left on the light emitting end face. Therefore, it is not necessary to form a removal preventing film for preventing the removal of the dielectric film, and the manufacturing process is simplified. Can be

また、上記保護膜を除去することによって、半導体レーザバーのエピタキシャル成長面側の付着異物、汚れ、傷を保護膜と共に除去することができる。   Further, by removing the protective film, it is possible to remove adhering foreign matter, dirt and scratches on the epitaxial growth surface side of the semiconductor laser bar together with the protective film.

したがって、上記保護膜が除去された半導体レーザバーを分割することにより、付着異物、汚れ、傷による特性悪化や信頼性悪化を防ぐことができる半導体レーザ素子を作製することができる。   Therefore, by dividing the semiconductor laser bar from which the protective film has been removed, it is possible to manufacture a semiconductor laser device that can prevent deterioration in characteristics and reliability due to adhered foreign matter, dirt, and scratches.

上記半導体レーザウエハとしては、例えば、半導体基板と、この半導体基板上に形成され、活性層を含む半導体層群とを有するものがある。   Examples of the semiconductor laser wafer include a semiconductor substrate and a semiconductor layer group formed on the semiconductor substrate and including an active layer.

また、上記半導体層群としては、例えば、レーザ・ストライプ構造が形成されたものがある。   Further, as the semiconductor layer group, for example, there is one in which a laser stripe structure is formed.

なお、上記半導体レーザ素子のエピタキシャル成長面側の電極をヒートシンクに対向させ、半導体レーザ素子をヒートシンク上にダイボンドし、ヒートシンクをパッケージに実装し、半導体レーザ素子とパッケージとをワイヤで接続することにより、半導体レーザ素子、ヒートシンク、パッケージ及びワイヤを備える半導体レーザ装置を作製することができる。   It is to be noted that an electrode on the epitaxial growth surface side of the semiconductor laser element is opposed to a heat sink, the semiconductor laser element is die-bonded on the heat sink, the heat sink is mounted on a package, and the semiconductor laser element and the package are connected by a wire, thereby providing a semiconductor. A semiconductor laser device including a laser element, a heat sink, a package, and a wire can be manufactured.

一実施形態の半導体レーザ素子の製造方法では、
上記保護膜は、上記光出射端面に上記誘電体膜を残しつつエッチングで除去することが可能な金属膜である。 In the manufacturing method of the semiconductor laser device of one embodiment,
The protective film is a metal film that can be removed by etching while leaving the dielectric film on the light emitting end face.

上記実施形態の半導体レーザ素子の製造方法によれば、上記保護膜は、光出射端面に上記誘電体膜を残しつつエッチングで除去することが可能な金属膜であるから、保護膜をエッチング除去しても、光出射端面に誘電体膜を残すことができる。   According to the method of manufacturing the semiconductor laser device of the above embodiment, the protective film is a metal film that can be removed by etching while leaving the dielectric film on the light emitting end face. However, the dielectric film can be left on the light emitting end face.

上記金属膜としては、例えば、硫酸と水を混合した液温５０℃以下の硫酸系エッチャントで除去できるＴｉ膜や、アンモニア水と過酸化水素水と水とを混合したアンモニア系エッチャントで除去できるＭｏ膜等がある。   As the metal film, for example, a Ti film that can be removed with a sulfuric acid-based etchant having a liquid temperature of 50 ° C. or lower in which sulfuric acid and water are mixed, or a Mo film that can be removed with an ammonia-based etchant in which ammonia water, hydrogen peroxide water and water are mixed. There are membranes.

一実施形態の半導体レーザ素子の製造方法では、
上記保護膜が水溶性の膜である。 In the manufacturing method of the semiconductor laser device of one embodiment,
The protective film is a water-soluble film.

上記実施形態の半導体レーザ素子の製造方法によれば、上記保護膜が水溶性の膜であるから、保護膜を水洗で除去できるから、製造コストを低減することができる。   According to the method for manufacturing a semiconductor laser device of the above embodiment, since the protective film is a water-soluble film, the protective film can be removed by washing with water, so that the manufacturing cost can be reduced.

上記水溶性の膜としては、例えば、ＭｇＣｌ２膜、ＫＣｌ膜、ＮａＣｌ膜、部分エステル化したＰＶＡ（ポリビニルアルコール）膜等がある。 Examples of the water-soluble film include an MgCl 2 film, a KCl film, a NaCl film, and a partially esterified PVA (polyvinyl alcohol) film.

一実施形態の半導体レーザ素子の製造方法では、
上記保護膜が有機溶剤に溶解する膜である。 In the manufacturing method of the semiconductor laser device of one embodiment,
The protective film is a film that dissolves in an organic solvent.

上記実施形態の半導体レーザ素子の製造方法によれば、上記保護膜が有機溶剤に溶解する膜であるから、保護膜を有機溶剤で確実に除去することができる。   According to the method for manufacturing a semiconductor laser device of the above embodiment, since the protective film is a film that dissolves in an organic solvent, the protective film can be reliably removed with the organic solvent.

上記有機溶剤に溶解する膜としては、例えば、パーフルオロ溶媒に溶解するフッ素系樹脂サイトップ（旭硝子（株））膜等がある。   As a film | membrane which melt | dissolves in the said organic solvent, there exists a fluororesin Cytop (Asahi Glass Co., Ltd.) film | membrane etc. which melt | dissolve in a perfluoro solvent, for example.

一実施形態の半導体レーザ素子の製造方法では、
上記保護膜は、上記切断面上に位置する幅１０μｍ以上の領域を除いて形成されている。 In the manufacturing method of the semiconductor laser device of one embodiment,
The protective film is formed except for a region having a width of 10 μm or more located on the cut surface.

上記実施形態の半導体レーザ素子の製造方法によれば、上記半導体レーザバーの光出射端面に誘電体膜を形成した場合、半導体レーザバーのエピタキシャル成長面側に回り込み誘電体膜が形成されるが、この回り込み誘電体膜の厚みは切断面から離れるにしたがって薄くなる。   According to the method of manufacturing a semiconductor laser device of the above embodiment, when a dielectric film is formed on the light emitting end face of the semiconductor laser bar, a wraparound dielectric film is formed on the epitaxial growth surface side of the semiconductor laser bar. The thickness of the body membrane decreases as the distance from the cut surface increases.

したがって、上記保護膜は、切断面上に重なる幅１０μｍ以上の領域を除いて形成されているから、保護膜近傍の回り込み誘電体膜の厚みは薄い。   Therefore, since the protective film is formed except for a region having a width of 10 μm or more that overlaps the cut surface, the wraparound dielectric film near the protective film is thin.

その結果、上記保護膜の除去が回り込み誘電体膜で阻害されず、保護膜と、この保護膜近傍の回り込み誘電体膜とを容易に除去することができる。   As a result, the removal of the protective film is not hindered by the wraparound dielectric film, and the protective film and the wraparound dielectric film near the protective film can be easily removed.

なお、上記領域の幅は、半導体レーザバーの共振器方向の長さよりも短く設定する。   The width of the region is set shorter than the length of the semiconductor laser bar in the resonator direction.

一実施形態の半導体レーザ素子の製造方法では、
上記保護膜は、メッキで形成された金属膜であり、
上記電極は、Ａｕを含むＡｕメッキ膜である。 In the manufacturing method of the semiconductor laser device of one embodiment,
The protective film is a metal film formed by plating,
The electrode is an Au plating film containing Au.

上記実施形態の半導体レーザ素子の製造方法によれば、上記保護膜がメッキによる金属膜であって、電極がＡｕメッキ膜であるから、保護膜及び電極の形成方法をメッキに単一化し、保護膜及び電極の形成方法を簡略化することができる。   According to the method of manufacturing the semiconductor laser device of the above embodiment, the protective film is a metal film formed by plating and the electrode is an Au plated film. The formation method of a film | membrane and an electrode can be simplified.

また、上記保護膜はメッキで形成された金属膜であるから、電極の厚さを容易に厚くすることができる。   In addition, since the protective film is a metal film formed by plating, the thickness of the electrode can be easily increased.

また、上記保護膜を厚くすることにより、電極に傷が付くのを保護膜で防ぐ効果を向上させることができる。   Further, by increasing the thickness of the protective film, it is possible to improve the effect of preventing the electrode from being damaged by the protective film.

また、上記電極がＡｕメッキ膜であるから、電極の熱伝導率が高くなり、半導体レーザ素子の放熱性を向上させることができる。   Further, since the electrode is an Au plating film, the thermal conductivity of the electrode is increased, and the heat dissipation of the semiconductor laser element can be improved.

また、上記電極がＡｕメッキ膜であるから、電極の厚さを容易に厚くすることができる。   Moreover, since the electrode is an Au plating film, the thickness of the electrode can be easily increased.

一実施形態の半導体レーザ素子の製造方法では、
上記半導体レーザバーが、リッジ部を有するリッジ導波路型半導体レーザ素子を含み、
上記リッジ部により上記電極に生じた凸部の高さよりも、上記保護膜の厚さが厚い。 In the manufacturing method of the semiconductor laser device of one embodiment,
The semiconductor laser bar includes a ridge waveguide type semiconductor laser element having a ridge portion,
The thickness of the protective film is greater than the height of the convex portion generated in the electrode by the ridge portion.

上記実施形態の半導体レーザ素子の製造方法によれば、上記リッジ部により電極に生じた凸部の高さよりも、保護膜の厚さが厚いから、傷の入りやすい電極の凸部を保護膜で確実に覆って保護することができる。   According to the method of manufacturing the semiconductor laser device of the above embodiment, since the protective film is thicker than the height of the convex portion formed on the electrode by the ridge portion, the convex portion of the electrode that is easily damaged is protected by the protective film. It can be reliably covered and protected.

また、上記リッジ部により電極に生じた凸部の高さよりも、保護膜の厚さが厚くすることによって、電極の傷防止効果が高まるから、半導体レーザ素子のダイボンド面のはんだ濡れ性不均一による特性悪化や信頼性悪化を防止することができる。   Further, since the protective effect of the electrode is increased by increasing the thickness of the protective film rather than the height of the convex portion formed on the electrode by the ridge portion, the solder wettability nonuniformity of the die bond surface of the semiconductor laser element is increased. It is possible to prevent deterioration of characteristics and reliability.

また、上記リッジ部により電極に生じた凹部上に形成される回り込み誘電体膜の厚みは厚くなるが、凹部上に形成される回り込み誘電体膜は保護膜と共に除去できる。   Further, although the thickness of the wraparound dielectric film formed on the recess formed in the electrode by the ridge portion is increased, the wraparound dielectric film formed on the recess can be removed together with the protective film.

上記リッジ導波路型半導体レーザ素子としては、例えば、電流狭窄及び光閉じ込めを効果的に実現できるレーザ・ストライプ構造を有するものがある。   As the ridge waveguide type semiconductor laser element, for example, there is one having a laser stripe structure capable of effectively realizing current confinement and optical confinement.

上記レーザ・ストライプ構造としては、例えば、半導体レーザウエハのエピタキシャル成長面側の半導体層群に形成されたリッジ部と、リッジ部の側面の少なくとも一部を埋める誘電体膜とを有するものがある。   Examples of the laser stripe structure include a ridge portion formed in a semiconductor layer group on the epitaxial growth surface side of a semiconductor laser wafer and a dielectric film filling at least a part of the side surface of the ridge portion.

一実施形態の半導体レーザ素子の製造方法では、
上記保護膜上に、上記保護膜を残した状態で除去することが可能な埋め込み膜を形成する工程を備え、
上記半導体レーザバーが、リッジ部を有するリッジ導波路型半導体レーザ素子を含み、
上記リッジ部により上記電極に生じた凸部の高さよりも、上記埋め込み膜の厚さが厚い。 In the manufacturing method of the semiconductor laser device of one embodiment,
Forming a buried film that can be removed on the protective film while leaving the protective film;
The semiconductor laser bar includes a ridge waveguide type semiconductor laser element having a ridge portion,
The buried film is thicker than the height of the convex portion generated in the electrode by the ridge portion.

上記実施形態の半導体レーザ素子の製造方法によれば、上記リッジ部により電極に生じた凸部の高さよりも、埋め込み膜の厚さが厚いから、傷の入りやすい電極の凸部を埋め込み膜で確実に覆って保護することができる。   According to the method of manufacturing the semiconductor laser device of the above embodiment, since the buried film is thicker than the height of the raised portion formed on the electrode by the ridge portion, the raised portion of the electrode that is easily damaged is buried by the buried film. It can be reliably covered and protected.

また、上記リッジ部により電極に生じた凸部の高さよりも、埋め込み膜の厚さを厚くすることによって、電極の傷防止効果が高まるから、半導体レーザ素子のダイボンド面のはんだ濡れ性不均一による特性悪化や信頼性悪化を防止することができる。   Further, since the effect of preventing damage to the electrode is increased by increasing the thickness of the embedded film rather than the height of the convex portion generated in the electrode by the ridge portion, the solder wettability non-uniformity of the die bond surface of the semiconductor laser element is increased. It is possible to prevent deterioration of characteristics and reliability.

また、上記リッジ部により電極に生じた凹部上に形成される回り込み誘電体膜の厚みは厚くなるが、凹部上に形成される回り込み誘電体膜は保護膜と共に除去できる。   Further, although the thickness of the wraparound dielectric film formed on the recess formed in the electrode by the ridge portion is increased, the wraparound dielectric film formed on the recess can be removed together with the protective film.

また、上記埋め込み膜は保護膜を残した状態で除去することが可能であるから、埋め込み膜と保護膜の材料を同一にしなくてもよく、埋め込み膜の材料の選択の自由度を大きくすることができる。   Further, since the buried film can be removed with the protective film remaining, the material of the buried film and the protective film need not be the same, and the degree of freedom in selecting the material of the buried film is increased. Can do.

また、上記埋め込み膜のエッチング除去は、半導体レーザバーの形成前に行ってもよいし、半導体レーザバーの形成後に行ってもよい。   Further, the etching removal of the embedded film may be performed before the formation of the semiconductor laser bar or after the formation of the semiconductor laser bar.

上記リッジ導波路型半導体レーザ素子としては、例えば、電流狭窄及び光閉じ込めを効果的に実現できるレーザ・ストライプ構造を有するものがある。   As the ridge waveguide type semiconductor laser element, for example, there is one having a laser stripe structure capable of effectively realizing current confinement and optical confinement.

上記レーザ・ストライプ構造としては、例えば、半導体レーザウエハのエピタキシャル成長面側の半導体層群に形成されたリッジ部と、リッジ部の側面の少なくとも一部を埋める誘電体膜とを有するものがある。   Examples of the laser stripe structure include a ridge portion formed in a semiconductor layer group on the epitaxial growth surface side of a semiconductor laser wafer and a dielectric film filling at least a part of the side surface of the ridge portion.

本発明の半導体レーザ素子の製造方法によれば、半導体レーザバーの光出射端面に誘電体膜を形成した後、保護膜を除去することによって、その誘電体膜の材料が半導体レーザバーのエピタキシャル成長面側に回り込むことで形成された回り込み誘電体膜の少なくとも一部を保護膜と共に簡単かつ確実に除去することができる。   According to the method of manufacturing a semiconductor laser device of the present invention, after forming a dielectric film on the light emitting end face of the semiconductor laser bar, the protective film is removed so that the material of the dielectric film is on the epitaxial growth surface side of the semiconductor laser bar. At least a part of the wraparound dielectric film formed by wrapping around can be easily and reliably removed together with the protective film.

また、上記保護膜は、光出射端面に誘電体膜を残した状態で除去することが可能であるから、保護膜を除去しても、光出射端面に誘電体膜を残すことができる。   Further, since the protective film can be removed with the dielectric film remaining on the light emitting end face, the dielectric film can be left on the light emitting end face even if the protective film is removed.

また、上記回り込み誘電体膜の少なくとも一部を保護膜と共に除去することによって、電極上の回り込み誘電体膜が減少するから、電極のはんだ濡れ性を向上させることができる。   Further, by removing at least a part of the wraparound dielectric film together with the protective film, the wraparound dielectric film on the electrode is reduced, so that the solder wettability of the electrode can be improved.

したがって、上記保護膜を除去した半導体レーザバーの分割により、ダイボンドでのはんだ濡れ性悪化を防止できる半導体レーザ素子を作製することができる。   Therefore, by dividing the semiconductor laser bar from which the protective film has been removed, a semiconductor laser element capable of preventing deterioration of solder wettability by die bonding can be manufactured.

また、上記電極上において熱伝導率の悪い誘電体膜が減少するから、電極の熱放散効果を高めることができる。   Further, since the dielectric film having poor thermal conductivity is reduced on the electrode, the heat dissipation effect of the electrode can be enhanced.

したがって、上記保護膜を除去した半導体レーザバーの分割により、放熱性悪化に伴う特性悪化や信頼性悪化を防ぐことができる半導体レーザ素子を作製することができる。   Therefore, by dividing the semiconductor laser bar from which the protective film is removed, it is possible to manufacture a semiconductor laser element that can prevent deterioration in characteristics and deterioration in reliability due to deterioration in heat dissipation.

また、上記半導体レーザ素子に関して放熱性悪化に伴う特性悪化や信頼性悪化を防ぐことができるので、半導体レーザ素子の製造の歩留りを向上させることができる。   In addition, since deterioration of characteristics and reliability associated with deterioration of heat dissipation can be prevented with respect to the semiconductor laser element, the manufacturing yield of the semiconductor laser element can be improved.

また、上記保護膜を除去しても、光出射端面に誘電体膜を残すことができるから、その誘電体膜の除去を防止するための除去防止膜で上記誘電体膜を被覆しなくてもよく、製造工程を簡略化することができる。   Further, even if the protective film is removed, the dielectric film can be left on the light emitting end face. Therefore, it is not necessary to cover the dielectric film with a removal preventing film for preventing the removal of the dielectric film. Well, the manufacturing process can be simplified.

また、上記保護膜を除去することによって、半導体レーザバーのエピタキシャル成長面側の付着異物、汚れ、傷を保護膜と共に除去することができる。   Further, by removing the protective film, it is possible to remove adhering foreign matter, dirt and scratches on the epitaxial growth surface side of the semiconductor laser bar together with the protective film.

したがって、上記保護膜が除去された半導体レーザバーの分割により、付着異物、汚れ、傷による特性悪化や信頼性悪化を防ぐことができる半導体レーザ素子を作製することができる。   Therefore, by dividing the semiconductor laser bar from which the protective film has been removed, it is possible to manufacture a semiconductor laser element that can prevent deterioration in characteristics and reliability due to attached foreign matter, dirt, and scratches.

以下、実施形態により本発明を具体的に説明するが、本発明は以下の実施形態に限定されるものではない。   Hereinafter, the present invention will be specifically described with reference to embodiments, but the present invention is not limited to the following embodiments.

（第１実施形態）
図１Ａ〜図１Ｋに、本発明の第１実施形態の半導体レーザ素子の製造方法の工程図を示す。 (First embodiment)
1A to 1K are process diagrams of a method for manufacturing a semiconductor laser device according to a first embodiment of the present invention.

上記半導体レーザ素子の製造方法では、まず、図１Ａに示すように、レーザ・ストライプ構造が形成されて活性層を含む半導体層群３（厚さ数μｍ程度、最上層がｐ型コンタクト層）をｎ型半導体基板１上にエピタキシャル成長させる。これにより、上記ｎ型半導体基板１と半導体層群３とからなる半導体レーザウエハＷ１が得られる。なお、上記半導体層群３は、複数の半導体層のみ含むものであってもよいし、複数の半導体層と絶縁層とを含むものであってもよし、複数の半導体層と絶縁層と金属層とを含むものであってもよい。すなわち、上記半導体層群と３は少なくとも半導体層を含んでいるものである。   In the semiconductor laser device manufacturing method, first, as shown in FIG. 1A, a semiconductor layer group 3 (thickness of about several μm, the uppermost layer is a p-type contact layer) having a laser stripe structure and including an active layer is formed. Epitaxial growth is performed on the n-type semiconductor substrate 1. Thereby, a semiconductor laser wafer W1 composed of the n-type semiconductor substrate 1 and the semiconductor layer group 3 is obtained. The semiconductor layer group 3 may include only a plurality of semiconductor layers, or may include a plurality of semiconductor layers and an insulating layer, or may include a plurality of semiconductor layers, an insulating layer, and a metal layer. May be included. That is, the semiconductor layer group 3 includes at least a semiconductor layer.

上記レーザ・ストライプ構造は、上記活性層のｎ型半導体基板１側の表面に平行、かつ、レーザ・ストライプ方向（レーザ共振器長方向）に垂直な方向（図１Ａ中の左右方向）の横モードを制御し、レーザ発振領域を形成する。   The laser stripe structure is a transverse mode in a direction (horizontal direction in FIG. 1A) parallel to the surface of the active layer on the n-type semiconductor substrate 1 side and perpendicular to the laser stripe direction (laser resonator length direction). And a laser oscillation region is formed.

次に、図１Ｂに示すように、上記ｎ型半導体基板１は通常３００〜８００μｍの厚さがあるため、後工程のへき開法で半導体レーザウエハＷ１を分割できるように、ｎ型半導体基板１をラッピング（研磨）やエッチングして、半導体レーザウエハＷ１の厚さを約１００μｍ程度とする。   Next, as shown in FIG. 1B, since the n-type semiconductor substrate 1 has a thickness of generally 300 to 800 μm, the n-type semiconductor substrate 1 is wrapped so that the semiconductor laser wafer W1 can be divided by a subsequent cleavage method. (Polishing) or etching is performed so that the thickness of the semiconductor laser wafer W1 is about 100 μm.

次に、上記半導体レーザウエハＷ１の半導体層群３側の表面にｐ側電極５を形成する一方、半導体レーザウエハＷ１のｎ型半導体基板１側の表面にｎ側電極４を形成する。なお、上記半導体レーザウエハＷ１の半導体層群３側の表面がエピタキシャル成長面の一例である。   Next, the p-side electrode 5 is formed on the surface of the semiconductor laser wafer W1 on the semiconductor layer group 3 side, while the n-side electrode 4 is formed on the surface of the semiconductor laser wafer W1 on the n-type semiconductor substrate 1 side. The surface on the semiconductor layer group 3 side of the semiconductor laser wafer W1 is an example of an epitaxial growth surface.

上記ｎ側電極４，ｐ側電極５のそれぞれにおいては、半導体レーザウエハＷ１側とは反対側の表面が、酸化に強く、放熱性の高いＡｕ層で形成されている。   In each of the n-side electrode 4 and the p-side electrode 5, the surface opposite to the semiconductor laser wafer W1 side is formed of an Au layer that is resistant to oxidation and has high heat dissipation.

次に、図１Ｃに示すように、上記ｐ側電極５に関して半導体レーザウエハＷ１側とは反対側の表面に、スパッタ装置により、Ｔｉからなる膜厚５０ｎｍのＴｉ保護膜５１を成膜する。   Next, as shown in FIG. 1C, a 50 nm thick Ti protective film 51 made of Ti is formed on the surface of the p-side electrode 5 opposite to the semiconductor laser wafer W1 by a sputtering apparatus.

次に、図１Ｄに示すように、上記ｎ側電極４に関して半導体レーザウエハＷ１側とは反対側の表面に、レーザチップ分割位置を示す電極パターンを形成した後、レーザ・ストライプ方向に垂直な一方向に沿って、半導体レーザウエハＷ１をへき開法で周期的に切断し、この切断面であるへき開面を光出射端面６１とする半導体レーザバー７を複数作製する。上記へき開での周期の長さは半導体レーザ素子の共振器長となる。   Next, as shown in FIG. 1D, an electrode pattern indicating a laser chip division position is formed on the surface opposite to the semiconductor laser wafer W1 side with respect to the n-side electrode 4, and then one direction perpendicular to the laser stripe direction. Then, the semiconductor laser wafer W1 is periodically cut by a cleaving method, and a plurality of semiconductor laser bars 7 having the cleaved surface, which is the cut surface, as the light emitting end face 61 are produced. The period length in the cleavage is the resonator length of the semiconductor laser element.

次に、図１Ｅに示すように、上記複数の半導体レーザバー７を電極面が重なるように積み重ねて成膜用ホルダ３０１で保持する。   Next, as shown in FIG. 1E, the plurality of semiconductor laser bars 7 are stacked so that the electrode surfaces overlap and are held by the film formation holder 301.

次に、図１Ｆに示すように、上記複数の半導体レーザバー７を保持した成膜用ホルダ３０１を真空蒸着装置のチャンバー３０２内のホルダ固定器３０３に固定する。このとき、上記成膜用ホルダ３０１は、複数の半導体レーザバー７の一方の光出射端面６１が蒸着源３０４に向くようにホルダ固定器３０３に固定される。なお、図１Ｆにおいて、３０５は膜厚計であり、３０６はダクトである。   Next, as shown in FIG. 1F, the film formation holder 301 holding the plurality of semiconductor laser bars 7 is fixed to a holder fixture 303 in a chamber 302 of a vacuum evaporation apparatus. At this time, the film formation holder 301 is fixed to the holder fixture 303 so that one light emitting end face 61 of the plurality of semiconductor laser bars 7 faces the vapor deposition source 304. In FIG. 1F, 305 is a film thickness meter, and 306 is a duct.

次に、上記蒸着源３０４を加熱して蒸発させることにより、複数の半導体レーザバー７の一方の光出射端面６１に、Ａｌ２Ｏ３からなるＡｌ２Ｏ３誘電体膜７１（図１Ｈ参照）を成膜する。 Then, by evaporation by heating the evaporation source 304, on one of the light emitting end face 61 of the plurality of semiconductor laser bar 7 consists of Al 2 O 3 Al 2 O 3 dielectric film 71 (see FIG. 1H) Form a film.

次に、上記ホルダ固定器３０３を１８０度回転させて、複数の半導体レーザバー７の他方の光出射端面６１を蒸着源３０４に向けた後、蒸着源３０４を加熱して蒸発させることにより、複数の半導体レーザバー２０７の他方の光出射端面６１に、Ａｌ２Ｏ３からなるＡｌ２Ｏ３誘電体膜７１（図１Ｈ参照）を成膜する。 Next, the holder fixture 303 is rotated 180 degrees so that the other light emitting end face 61 of the plurality of semiconductor laser bars 7 is directed to the vapor deposition source 304, and then the vapor deposition source 304 is heated to evaporate, whereby a plurality of the other light emission end face 61 of the semiconductor laser bar 207 is deposited an Al 2 O 3 dielectric film 71 made of Al 2 O 3 (see Figure IH).

上記半導体レーザバー７の一方の光出射端面６１に形成したＡｌ２Ｏ３誘電体膜７１と、半導体レーザバー７の他方の光出射端面６１に形成したＡｌ２Ｏ３誘電体膜７１とのどちらも、Ａｌ２Ｏ３光学的膜厚がλ／２となっている。なお、上記λはレーザ発振波長である。 Both of the Al 2 O 3 dielectric film 71 formed on one light emitting end face 61 of the semiconductor laser bar 7 and the Al 2 O 3 dielectric film 71 formed on the other light emitting end face 61 of the semiconductor laser bar 7, The Al 2 O 3 optical film thickness is λ / 2. Note that λ is a laser oscillation wavelength.

上記Ａｌ２Ｏ３誘電体膜７１の成膜を終えた半導体レーザバー７は、成膜用ホルダ３０１の使用により、半導体レーザバー７の電極面上へのＡｌ２Ｏ３回り込みは低減されている。 In the semiconductor laser bar 7 that has finished forming the Al 2 O 3 dielectric film 71, the use of the film formation holder 301 reduces Al 2 O 3 wraparound on the electrode surface of the semiconductor laser bar 7.

しかしながら、上記半導体レーザバー７間に隙間があった場合には、図１Ｇ〜図１Ｉに示すように、半導体レーザバー７の電極面上へのＡｌ２Ｏ３が回り込み、回り込みＡｌ２Ｏ３誘電体膜８１が発生している。 However, when there is a gap between the semiconductor laser bars 7, as shown in FIGS. 1G to 1I, Al 2 O 3 wraps around the electrode surface of the semiconductor laser bar 7, and a wrap-around Al 2 O 3 dielectric film is formed. 81 has occurred.

本第１実施形態では、半導体レーザバー７間に隙間があって、半導体レーザバー７に回り込みＡｌ２Ｏ３誘電体膜８１が発生したものとして説明を続ける。 In the first embodiment, the description will be continued assuming that there is a gap between the semiconductor laser bars 7 and the Al 2 O 3 dielectric film 81 is generated around the semiconductor laser bar 7.

次に、上記半導体レーザバー７の光出射端面６１に成膜したＡｌ２Ｏ３誘電体膜７１を除去することなく、ｐ側電極５上のＴｉ保護膜５１をエッチング除去する。 Next, the Ti protective film 51 on the p-side electrode 5 is removed by etching without removing the Al 2 O 3 dielectric film 71 formed on the light emitting end face 61 of the semiconductor laser bar 7.

上記Ａｌ２Ｏ３誘電体膜７１は、フッ酸系エッチャントでエッチングされるＡｌ２Ｏ３からなるので、Ｔｉ保護膜５１のエッチング除去にはフッ酸系エッチャント以外のエッチャントを使用する。 Since the Al 2 O 3 dielectric film 71 is made of Al 2 O 3 etched with a hydrofluoric acid-based etchant, an etchant other than the hydrofluoric acid-based etchant is used for removing the Ti protective film 51 by etching.

具体的には、硫酸と水を混合した硫酸系エッチャントを５０℃以下の液温にして、この液温５０℃以下の硫酸系エッチャントを用いてエッチングを行うと、光出射端面６１に成膜したＡｌ２Ｏ３誘電体膜７１を除去することなく、Ｔｉ保護膜５１のエッチング除去を行える。 Specifically, when a sulfuric acid-based etchant in which sulfuric acid and water are mixed is brought to a liquid temperature of 50 ° C. or lower and etching is performed using the sulfuric acid-based etchant having a liquid temperature of 50 ° C. or lower, a film is formed on the light emitting end face 61. The Ti protective film 51 can be removed by etching without removing the Al 2 O 3 dielectric film 71.

これにより、上記Ｔｉ保護膜５１上に成膜した回り込みＡｌ２Ｏ３誘電体膜８１をＴｉ保護膜５１と共にエッチング除去できるので、ｐ側電極５上に回り込み成膜が無い半導体レーザバー８を得ることができる。 Thereby, the wraparound Al 2 O 3 dielectric film 81 formed on the Ti protective film 51 can be removed by etching together with the Ti protective film 51, so that the semiconductor laser bar 8 without the wraparound film formation on the p-side electrode 5 is obtained. Can do.

また、上記硫酸系エッチャントを用いたエッチングにより、半導体レーザバー７の取り扱い時に半導体レーザバー７のｐ側電極５側に付着した異物や汚れも除去することができる。   Etching using the sulfuric acid-based etchant can also remove foreign matters and dirt attached to the p-side electrode 5 side of the semiconductor laser bar 7 when the semiconductor laser bar 7 is handled.

このように、上記Ｔｉ保護膜５１と共に回り込みＡｌ２Ｏ３誘電体膜８１を除去すると、図１Ｊに示すように、ｐ側電極５に関して半導体レーザウエハＷ１側とは反対側の表面（以下、「ｐ側電極面」と言う。）の全部が露出する。 When the wraparound Al 2 O 3 dielectric film 81 is removed together with the Ti protective film 51 in this way, as shown in FIG. 1J, the surface opposite to the semiconductor laser wafer W1 side (hereinafter referred to as “p” All of the side electrode surface ") is exposed.

次に、上記半導体レーザバー８にレーザ・ストライプ方向と平行なけがき線を形成した後、半導体レーザバー８を上記けがき線に沿って分割することによって、図１Ｋで示すように、複数の半導体レーザチップ９を形成する。   Next, a marking line parallel to the laser stripe direction is formed on the semiconductor laser bar 8, and then the semiconductor laser bar 8 is divided along the marking line, thereby forming a plurality of semiconductor laser chips as shown in FIG. 1K. 9 is formed.

上記半導体レーザチップ９は、図示しないヒートシンクにダイボンドされた後、そのヒートシンクをパーケージ本体に固定する。そして、上記半導体レーザチップ９とパッケージ本体とをワイヤーで接続する。これにより、上記半導体レーザチップ９、ヒートシンク、パーケージ及びワイヤを備える半導体レーザ装置が完成する。   After the semiconductor laser chip 9 is die-bonded to a heat sink (not shown), the heat sink is fixed to the package body. Then, the semiconductor laser chip 9 and the package body are connected by a wire. Thereby, a semiconductor laser device including the semiconductor laser chip 9, the heat sink, the package, and the wire is completed.

上記ヒートシンクのダイボンド面に半導体レーザチップ９をダイボンドする時、半導体レーザチップ９のダイボンド面であるｐ側電極面上の回り込みＡｌ２Ｏ３誘電体膜８１は除去されていることから、はんだ濡れ性が良く、熱放散効果が高い半導体レーザチップ９を作製することができる。 When the semiconductor laser chip 9 is die-bonded to the die-bonding surface of the heat sink, the wraparound Al 2 O 3 dielectric film 81 on the p-side electrode surface which is the die-bonding surface of the semiconductor laser chip 9 is removed, so that the solder wettability Therefore, the semiconductor laser chip 9 having a high heat dissipation effect can be manufactured.

また、上記半導体レーザチップ９のダイボンド面であるｐ側電極面上の回り込みＡｌ２Ｏ３誘電体膜８１は除去されるので、半導体レーザチップ９の放熱性悪化に伴う特性悪化や信頼性悪化を無くすことができ、半導体レーザチップ９の製造の歩留りを向上させることができる。 Further, since the wraparound Al 2 O 3 dielectric film 81 on the p-side electrode surface which is the die bond surface of the semiconductor laser chip 9 is removed, the deterioration of the characteristics and the reliability due to the deterioration of the heat dissipation of the semiconductor laser chip 9 are caused. Therefore, the manufacturing yield of the semiconductor laser chip 9 can be improved.

上記第１実施形態では、半導体レーザバー７の光出射端面６１にＡｌ２Ｏ３膜を成膜していたが、半導体レーザバー７の光出射端面６１に例えばＳｉＯ２膜、ＳｉＮｘ膜またはＴｉＯ２膜等を成膜してもよい。 In the first embodiment, the Al 2 O 3 film is formed on the light emitting end face 61 of the semiconductor laser bar 7. However, for example, the SiO 2 film, the SiN x film, or the TiO 2 film is formed on the light emitting end face 61 of the semiconductor laser bar 7. Etc. may be formed.

上記半導体レーザバー７の光出射端面６１にＳｉＯ２膜、ＳｉＮｘ膜またはＴｉＯ２膜を成膜する場合、これらの膜の全てがＡｌ２Ｏ３膜と同様にフッ酸系エッチャントでエッチングされてしまうので、それらの膜の成膜後においては、半導体レーザバー７のエピタキシャル成長面側の電極上の保護膜はフッ酸系エッチャント以外のエッチャントでエッチングする。 When a SiO 2 film, a SiN x film, or a TiO 2 film is formed on the light emitting end face 61 of the semiconductor laser bar 7, all of these films are etched with a hydrofluoric acid-based etchant like the Al 2 O 3 film. Therefore, after these films are formed, the protective film on the electrode on the epitaxial growth surface side of the semiconductor laser bar 7 is etched with an etchant other than the hydrofluoric acid-based etchant.

具体的には、硫酸と水を混合した硫酸系エッチャントを５０℃以下の液温にして、半導体レーザバー７をエッチングすることにより、光出射端面６１に成膜したＳｉＯ２膜またはＳｉＮｘ膜またはＴｉＯ２膜を除去することなく、ＴｉからなるＴｉ保護膜５１をエッチング除去できる。 Specifically, a sulfuric acid-based etchant in which sulfuric acid and water are mixed is brought to a liquid temperature of 50 ° C. or lower, and the semiconductor laser bar 7 is etched to form a SiO 2 film, a SiN x film, or a TiO film formed on the light emitting end face 61. The Ti protective film 51 made of Ti can be removed by etching without removing the two films.

これにより、上記Ｔｉ保護膜５１上に成膜したＳｉＯ２膜またはＳｉＮｘ膜またはＴｉＯ２膜がＴｉ保護膜５１と共に除去されるから、ｐ側電極面上にＳｉＯ２膜、ＳｉＮｘ膜およびＴｉＯ２膜が無い半導体レーザバーを形成することができる。 Thereby, the SiO 2 film, the SiN x film or the TiO 2 film formed on the Ti protective film 51 is removed together with the Ti protective film 51, so that the SiO 2 film, the SiN x film and the TiO 2 are formed on the p-side electrode surface. A semiconductor laser bar without two films can be formed.

上記第１実施形態では、ｐ側電極５上に、ＴｉからなるＴｉ保護膜５１を形成していたが、ｐ側電極５上に、ＭｏからなるＭｏ保護膜を形成してもよい。   In the first embodiment, the Ti protective film 51 made of Ti is formed on the p-side electrode 5. However, the Mo protective film made of Mo may be formed on the p-side electrode 5.

上記ＭｏからなるＭｏ保護膜は、アンモニア水と過酸化水素水と水とを混合したエッチャントでエッチング除去することができる。   The Mo protective film made of Mo can be removed by etching with an etchant in which ammonia water, hydrogen peroxide water, and water are mixed.

上記第１実施形態では、複数の半導体レーザバー７が互いにぶつからないように、複数の半導体レーザバー７を治具に取り付けた状態で、ＴｉからなるＴｉ保護膜５１のエッチング除去を行ってもよい。この治具を用いることにより、複数の半導体レーザバー７が互いにぶつかることによる破損を防ぐことができ、半導体レーザチップ９の歩留りをさらに向上させることができる。   In the first embodiment, the Ti protective film 51 made of Ti may be removed by etching while the plurality of semiconductor laser bars 7 are attached to a jig so that the plurality of semiconductor laser bars 7 do not collide with each other. By using this jig, it is possible to prevent damage due to the plurality of semiconductor laser bars 7 colliding with each other, and the yield of the semiconductor laser chips 9 can be further improved.

また、上記第１実施形態では、粘着シートに半導体レーザバー７のｎ側電極４を貼り付け、Ｔｉ保護膜５１を上向きにした半導体レーザバー７にエッチングを行って、Ｔｉ保護膜５１を除去してもよい。ただし、上記粘着シートはエッチャントへの耐薬品性が必要である。   In the first embodiment, the n-side electrode 4 of the semiconductor laser bar 7 is attached to the adhesive sheet, and the Ti laser film 51 is removed by etching the semiconductor laser bar 7 with the Ti protective film 51 facing upward. Good. However, the pressure-sensitive adhesive sheet needs to have chemical resistance to the etchant.

上記第１実施形態では、ＴｉからなるＴｉ保護膜５１を除去した後に、チップ分割を行っていたが、チップ分割後に、ＴｉからなるＴｉ保護膜５１を除去してもよい。   In the first embodiment, the chip division is performed after removing the Ti protective film 51 made of Ti. However, the Ti protective film 51 made of Ti may be removed after the chip division.

上記チップ分割後にＴｉ保護膜５１を除去する場合、複数の半導体レーザチップ９を作製した後、例えば、粘着シートに半導体レーザチップ９のｎ側電極４を貼り付け、Ｔｉ保護膜５１を上向きにした半導体レーザチップ９にエッチングを行って、Ｔｉ保護膜５１を除去する。これにより、上記半導体レーザチップ９にチップ分割時に付着した異物及び汚れを除去することができる。   In the case where the Ti protective film 51 is removed after the chip division, for example, after the plurality of semiconductor laser chips 9 are manufactured, for example, the n-side electrode 4 of the semiconductor laser chip 9 is attached to the adhesive sheet, and the Ti protective film 51 is directed upward. Etching is performed on the semiconductor laser chip 9 to remove the Ti protective film 51. As a result, foreign matter and dirt adhering to the semiconductor laser chip 9 at the time of chip division can be removed.

上記第１実施形態と、後述する第２〜第６実施形態とでは、半導体レーザチップの前側の光出射端面に成膜する誘電膜も、半導体レーザチップの後側の光出射端面に成膜する誘電膜も、Ａｌ２Ｏ３の単層膜としているが、半導体レーザチップの前側の光出射端面に、反射率が５％程度の低反射コーティングを施し、かつ、半導体レーザチップの後側の光出射端面に、多層膜成膜による反射率は９５％程度の高反射コーティングを施す非対称コートを行う場合や、半導体レーザチップの前側の光出射端面と、半導体レーザチップの後側の光出射端面との両方に、多層膜成膜コートを施す場合でも、半導体レーザチップの前側の光出射端面と、半導体レーザチップの後側の光出射端面とに成膜する膜の最上層が誘電体膜の場合には、上記第１実施形態と同様の効果を得ることは可能である。 In the first embodiment and the second to sixth embodiments to be described later, the dielectric film formed on the light emitting end face on the front side of the semiconductor laser chip is also formed on the light emitting end face on the rear side of the semiconductor laser chip. The dielectric film is also a single layer film of Al 2 O 3 , but the light emitting end face on the front side of the semiconductor laser chip is provided with a low reflection coating with a reflectivity of about 5%, and the light on the back side of the semiconductor laser chip When an asymmetric coating is applied on the emission end face by applying a highly reflective coating having a reflectivity of about 95% due to the multilayer film formation, a light emission end face on the front side of the semiconductor laser chip, and a light emission end face on the rear side of the semiconductor laser chip Even when a multilayer coating film is applied to both, the top layer of the film formed on the light emitting end surface on the front side of the semiconductor laser chip and the light emitting end surface on the rear side of the semiconductor laser chip is a dielectric film. In the first It is possible to obtain the same effect as Embodiment.

（第２実施形態）
図２Ａ〜図２Ｃに、本発明の第２実施形態の半導体レーザ素子の製造方法の工程図を示す。また、図２Ａ〜図２Ｃにおいて、図１Ａ〜図１Ｋで示した第１実施形態と同一構成部は、図１Ａ〜図１Ｋにおける構成部と同一参照番号を付して説明を省略するか、または、簡単に説明する。また、本第２実施形態は、最初の工程から、半導体レーザウエハＷ１にｐ側電極５，ｎ側電極４を形成する工程まで、上記第１実施形態と同じであるので、以下では、最初の工程から、半導体レーザウエハＷ１にｐ側電極５，ｎ側電極４を形成する工程までの説明は省略する。 (Second Embodiment)
2A to 2C are process diagrams of a method for manufacturing a semiconductor laser device according to the second embodiment of the present invention. 2A to 2C, the same components as those of the first embodiment shown in FIGS. 1A to 1K are denoted by the same reference numerals as those of the components in FIGS. 1A to 1K, and description thereof is omitted. A brief explanation. Since the second embodiment is the same as the first embodiment from the first step to the step of forming the p-side electrode 5 and the n-side electrode 4 on the semiconductor laser wafer W1, the first step will be described below. The description up to the step of forming the p-side electrode 5 and the n-side electrode 4 on the semiconductor laser wafer W1 will be omitted.

本第２実施形態では、上記半導体レーザウエハＷ１にｐ側電極５，ｎ側電極４を形成した後、図２Ａに示すように、ｐ側電極５上に、ＭｇＣｌ２からなる厚さ５０ｎｍのＭｇＣｌ２保護膜５２を成膜する。 In the second exemplary embodiment, after forming the p-side electrode 5, n-side electrode 4 on the semiconductor laser wafer W1, as shown in FIG 2A, on the p-side electrode 5 having a thickness of 50nm made of MgCl 2 MgCl 2 A protective film 52 is formed.

上記ＭｇＣｌ２保護膜５２は、半導体レーザウエハＷ１のｐ側電極面に電子ビーム蒸着機によって成膜する。 The MgCl 2 protective film 52 is formed on the p-side electrode surface of the semiconductor laser wafer W1 by an electron beam evaporation machine.

次に、上記第１実施形態と同一の光出射端面形成工程及び誘電体膜成膜工程を行う。つまり、上記半導体レーザウエハＷ１を分割して、図２Ｂに示すような半導体レーザバー１７を複数形成した後、各半導体レーザバー１７の両光出射端面６１に、Ａｌ２Ｏ３からなるＡｌ２Ｏ３誘電体膜７１を成膜する。 Next, the same light emitting end face forming step and dielectric film forming step as those in the first embodiment are performed. That is, the semiconductor laser wafer W1 is divided, after forming a plurality of semiconductor laser bar 17, as shown in FIG. 2B, both the light emitting end face 61 of the semiconductor laser bar 17, made of Al 2 O 3 Al 2 O 3 dielectric A film 71 is formed.

次に、上記半導体レーザバー１７を水洗する。そうすると、ＭｇＣｌ２膜は水溶性であるから、ＭｇＣｌ２保護膜５２が水洗除去される。このとき、上記ＭｇＣｌ２保護膜５２は水洗除去されても、光出射端面６１に形成したＡｌ２Ｏ３膜は水洗除去されない。また、上記ＭｇＣｌ２保護膜５２が水洗除去されることにより、ＭｇＣｌ２保護膜５２上に回り込み成膜した回り込みＡｌ２Ｏ３誘電体膜８１がＭｇＣｌ２保護膜５２と共に除去される。 Next, the semiconductor laser bar 17 is washed with water. Then, since the MgCl 2 film is water-soluble, the MgCl 2 protective film 52 is removed by washing with water. At this time, even if the MgCl 2 protective film 52 is removed by washing, the Al 2 O 3 film formed on the light emitting end face 61 is not removed by washing. Further, the MgCl 2 protective film 52 by being removed by washing with water, Al 2 O 3 dielectric film 81 sneak was deposited sneak on MgCl 2 protective film 52 is removed together with the MgCl 2 protective film 52.

すなわち、上記半導体レーザバー１７を水洗することによって、光出射端面６１に形成されたＡｌ２Ｏ３誘電体膜７１を除去することなく、ＭｇＣｌ２保護膜５２と、この上に形成された回り込みＡｌ２Ｏ３誘電体膜８１とを水洗除去できる。 That is, by washing the semiconductor laser bar 17 with water, without removing the Al 2 O 3 dielectric film 71 formed on the light emitting end face 61, the MgCl 2 protective film 52 and the wraparound Al 2 formed thereon are obtained. The O 3 dielectric film 81 can be removed by washing with water.

これにより、図２Ｃに示すように、ｐ側電極面の全部が露出し、ｐ側電極５上にＡｌ２Ｏ３膜の回り込み成膜が無い半導体レーザバー８を形成することができる。 As a result, as shown in FIG. 2C, the semiconductor laser bar 8 can be formed in which the entire p-side electrode surface is exposed and no Al 2 O 3 film wraps around the p-side electrode 5.

また、上記ＭｇＣｌ２保護膜５２を水洗除去することによって、半導体レーザバー１７の取り扱い時に半導体レーザバー１７のｐ側電極５側に付着した異物や汚れも除去することができる。 Further, by removing the MgCl 2 protective film 52 with water, foreign matters and dirt adhering to the p-side electrode 5 side of the semiconductor laser bar 17 when the semiconductor laser bar 17 is handled can be removed.

このように、本第２実施形態によっても、上記第１実施形態と同様の効果が得られ、はんだ濡れ性が良く、熱放散効果が高い半導体レーザチップを作製することができる。   As described above, according to the second embodiment, the same effects as those of the first embodiment can be obtained, and a semiconductor laser chip having good solder wettability and a high heat dissipation effect can be manufactured.

また、上記半導体レーザチップのダイボンド面（ｐ側電極５に関して半導体レーザウエハＷ１側とは反対側の表面、つまり、ｐ側電極面）上の回り込みＡｌ２Ｏ３誘電体膜８１は除去されるので、半導体レーザチップの放熱性悪化に伴う特性悪化や信頼性悪化を無くすことができ、半導体レーザチップの製造の歩留りを向上させることができる。 Further, since the wraparound Al 2 O 3 dielectric film 81 on the die bond surface of the semiconductor laser chip (the surface opposite to the semiconductor laser wafer W1 side with respect to the p-side electrode 5, that is, the p-side electrode surface) is removed, It is possible to eliminate deterioration in characteristics and reliability due to deterioration in heat dissipation of the semiconductor laser chip, and improve the manufacturing yield of the semiconductor laser chip.

上記第２実施形態では、半導体レーザウエハＷ１のｐ側電極５上に、ＭｇＣｌ２からなるＭｇＣｌ２保護膜５２を成膜していたが、半導体レーザウエハＷ１のｐ側電極５上に例えばＫＣｌ膜やＮａＣｌ膜等を成膜してもよい。 In the second embodiment, on the p-side electrode 5 of the semiconductor laser wafer W1, had been deposited MgCl 2 protective film 52 made of MgCl 2, a p-side electrode 5 on the example KCl film or NaCl semiconductor laser wafer W1 A film or the like may be formed.

上記ＫＣｌ膜やＮａＣｌ膜は、電子ビーム蒸着によって成膜することができると共に、水洗で除去することができる。   The KCl film and the NaCl film can be formed by electron beam evaporation and can be removed by washing with water.

したがって、上記ＭｇＣｌ２保護膜５２の代わりにＫＣｌ膜やＮａＣｌ膜を成膜しても、ＭｇＣｌ２保護膜５２を形成する場合と同様の効果が得ることができる。 Accordingly, even by forming a KCl film or NaCl film in place of the MgCl 2 protective film 52, it is possible to the same effect as the case of forming the MgCl 2 protective film 52 is obtained.

また、上記ＭｇＣｌ２保護膜５２の代わりに、部分エステル化したＰＶＡ（ポリビニルアルコール）からなるポリビニルアルコール保護膜を半導体レーザウエハＷ１のｐ側電極５上に形成してもよい。 Further, instead of the MgCl 2 protective film 52, a polyvinyl alcohol protective film made of partially esterified PVA (polyvinyl alcohol) may be formed on the p-side electrode 5 of the semiconductor laser wafer W1.

上記ポリビニルアルコール保護膜は、部分エステル化したＰＶＡを半導体レーザウエハＷ１のｐ側電極５に厚さ０．２μｍ塗布することにより成膜することができる。   The polyvinyl alcohol protective film can be formed by applying partially esterified PVA to the p-side electrode 5 of the semiconductor laser wafer W1 to a thickness of 0.2 μm.

上記ポリビニルアルコール保護膜は、水洗で除去できるので、ＭｇＣｌ２保護膜５２を形成する場合と同様の効果が得ることができる。 Since the polyvinyl alcohol protective film can be removed by washing with water, the same effect as that when the MgCl 2 protective film 52 is formed can be obtained.

（第３実施形態）
図３Ａ〜図３Ｃに、本発明の第３実施形態による半導体レーザ素子の製造方法の工程図を示す。また、図３Ａ〜図３Ｃにおいて、図１Ａ〜図１Ｋで示した第１実施形態と同一構成部は、図１Ａ〜図１Ｋにおける構成部と同一参照番号を付して説明を省略するか、または、簡単に説明する。また、本第３実施形態は、最初の工程から、半導体レーザウエハＷ１にｐ側電極５，ｎ側電極４を形成する工程まで、上記第１実施形態と同じであるので、以下では、最初の工程から、半導体レーザウエハＷ１にｐ側電極５，ｎ側電極４を形成する工程までの説明は省略する。 (Third embodiment)
3A to 3C are process diagrams of a method for manufacturing a semiconductor laser device according to a third embodiment of the present invention. 3A to 3C, the same components as those of the first embodiment shown in FIGS. 1A to 1K are denoted by the same reference numerals as those of the components in FIGS. 1A to 1K, and description thereof is omitted. A brief explanation. Since the third embodiment is the same as the first embodiment from the first step to the step of forming the p-side electrode 5 and the n-side electrode 4 on the semiconductor laser wafer W1, the first step will be described below. The description up to the step of forming the p-side electrode 5 and the n-side electrode 4 on the semiconductor laser wafer W1 will be omitted.

本第３実施形態では、半導体レーザウエハＷ１にｐ側電極５，ｎ側電極４を形成した後、図３Ａに示すように、フッ素系樹脂サイトップ（旭硝子（株））からなる厚さ０．１μｍのサイトップ保護膜５３でｐ側電極５をコーティングして、１１０℃にて焼成する。   In the third embodiment, after the p-side electrode 5 and the n-side electrode 4 are formed on the semiconductor laser wafer W1, as shown in FIG. 3A, a thickness of 0.1 μm made of fluororesin Cytop (Asahi Glass Co., Ltd.) is used. The p-side electrode 5 is coated with the Cytop protective film 53 and fired at 110 ° C.

次に、上記第１実施形態と同一の光出射端面形成工程及び誘電体膜成膜工程を行う。つまり、上記半導体レーザウエハＷ１を分割して、図３Ｂに示すような半導体レーザバー２７を複数形成した後、各半導体レーザバー２７の両光出射端面６１に、Ａｌ２Ｏ３からなるＡｌ２Ｏ３誘電体膜７１を成膜する。 Next, the same light emitting end face forming step and dielectric film forming step as those in the first embodiment are performed. That is, the semiconductor laser wafer W1 is divided, after forming a plurality of semiconductor laser bar 27, as shown in FIG. 3B, both the light emitting end face 61 of the semiconductor laser bar 27, made of Al 2 O 3 Al 2 O 3 dielectric A film 71 is formed.

次に、上記半導体レーザバー２７をパーフルオロ溶媒で洗浄する。そうすると、フッ素系樹脂サイトップはパーフルオロ溶媒に溶解するので、フッ素系樹脂サイトップからなるサイトップ保護膜５３がパーフルオロ溶媒で除去される。このとき、上記サイトップ保護膜５３はパーフルオロ溶媒で除去されても、光出射端面６１に形成されたＡｌ２Ｏ３誘電体膜７１はパーフルオロ溶媒で除去されない。また、上記サイトップ保護膜５３がパーフルオロ溶媒で除去されることにより、サイトップ保護膜５３上に回り込み成膜した回り込みＡｌ２Ｏ３誘電体膜８１がサイトップ保護膜５３と共に除去される。 Next, the semiconductor laser bar 27 is washed with a perfluoro solvent. Then, since the fluororesin cytop dissolves in the perfluoro solvent, the cytop protective film 53 made of the fluororesin cytop is removed with the perfluoro solvent. At this time, even if the Cytop protective film 53 is removed with a perfluoro solvent, the Al 2 O 3 dielectric film 71 formed on the light emitting end face 61 is not removed with the perfluoro solvent. Further, by removing the Cytop protective film 53 with a perfluoro solvent, the wraparound Al 2 O 3 dielectric film 81 wrapping around the Cytop protective film 53 is removed together with the Cytop protective film 53.

すなわち、上記半導体レーザバー２７をパーフルオロ溶媒で洗浄することによって、出射端面６１に形成されたＡｌ２Ｏ３誘電体膜７１を除去することなく、サイトップ保護膜５３と、この上に形成された回り込みＡｌ２Ｏ３誘電体膜８１とを除去できる。 That is, by cleaning the semiconductor laser bar 27 with a perfluoro solvent, the Cytop protective film 53 and the top surface thereof are formed without removing the Al 2 O 3 dielectric film 71 formed on the emission end face 61. The wraparound Al 2 O 3 dielectric film 81 can be removed.

これにより、図３Ｃに示すように、ｐ側電極面の全てが露出し、ｐ側電極５上にＡｌ２Ｏ３膜の回り込み成膜が無い半導体レーザバー８を形成することができる。 As a result, as shown in FIG. 3C, the semiconductor laser bar 8 can be formed in which the entire p-side electrode surface is exposed and the Al 2 O 3 film does not wrap around the p-side electrode 5.

また、上記サイトップ保護膜５３をパーフルオロ溶媒で除去することによって、半導体レーザバー２７の取り扱い時に半導体レーザバー２７のｐ側電極５側に付着した異物や汚れも除去することができる。   Further, by removing the Cytop protective film 53 with a perfluoro solvent, it is possible to remove foreign matters and dirt attached to the p-side electrode 5 side of the semiconductor laser bar 27 when the semiconductor laser bar 27 is handled.

このように、本第３実施形態によっても、上記第１実施形態と同様の効果が得られ、はんだ濡れ性が良く、熱放散効果が高い半導体レーザ素子を作製することができる。   Thus, according to the third embodiment, the same effects as those of the first embodiment can be obtained, and a semiconductor laser device with good solder wettability and high heat dissipation effect can be produced.

また、上記半導体レーザチップのダイボンド面（ｐ側電極５に関して半導体レーザウエハＷ１側とは反対側の表面、つまり、ｐ側電極面）上の回り込みＡｌ２Ｏ３誘電体膜８１は除去されるので、半導体レーザ素子の放熱性悪化に伴う特性悪化や信頼性悪化を無くすことができ、半導体レーザ素子の製造の歩留りを向上させることができる。 Further, since the wraparound Al 2 O 3 dielectric film 81 on the die bond surface of the semiconductor laser chip (the surface opposite to the semiconductor laser wafer W1 side with respect to the p-side electrode 5, that is, the p-side electrode surface) is removed, It is possible to eliminate deterioration in characteristics and reliability due to deterioration in heat dissipation of the semiconductor laser element, and improve the manufacturing yield of the semiconductor laser element.

（第４実施形態）
図４Ａ〜図４Ｇに、本発明の第４実施形態による半導体レーザ素子の製造方法の工程図を示す。また、図４Ａ〜図４Ｇにおいて、図１Ａ〜図１Ｋで示した第１実施形態と同一構成部は、図１Ａ〜図１Ｋにおける構成部と同一参照番号を付して説明を省略するか、または、簡単に説明する。また、本第４実施形態は、最初の工程から、半導体レーザウエハＷ１にｐ側電極５，ｎ側電極４を形成する工程まで、上記第１実施形態と同じであるので、以下では、最初の工程から、半導体レーザウエハＷ１にｐ側電極５，ｎ側電極４を形成する工程までの説明は省略する。 (Fourth embodiment)
4A to 4G show process diagrams of a method of manufacturing a semiconductor laser device according to the fourth embodiment of the present invention. 4A to 4G, the same components as those of the first embodiment shown in FIGS. 1A to 1K are denoted by the same reference numerals as those of the components in FIGS. 1A to 1K, and description thereof is omitted. A brief explanation. Since the fourth embodiment is the same as the first embodiment from the first step to the step of forming the p-side electrode 5 and the n-side electrode 4 on the semiconductor laser wafer W1, the first step will be described below. The description up to the step of forming the p-side electrode 5 and the n-side electrode 4 on the semiconductor laser wafer W1 will be omitted.

本第４実施形態では、半導体レーザウエハＷ１にｐ側電極５，ｎ側電極４を形成した後、図４Ａに示すように、ｐ側電極５上に、Ｍｏからなる厚さ５０ｎｍのＭｏ保護膜５４をスパッタ装置により成膜する。   In the fourth embodiment, after forming the p-side electrode 5 and the n-side electrode 4 on the semiconductor laser wafer W1, as shown in FIG. 4A, the Mo protective film 54 of Mo having a thickness of 50 nm is formed on the p-side electrode 5. Is deposited by a sputtering apparatus.

次に、上記Ｍｏ保護膜５４上にレジストを塗布した後、公知のフォトリソ工程により、半導体レーザバー３７（図４Ｃ参照）を作製するための分割線に合わせ、上記レジストに１０μｍ幅の開口部を形成して、アンモニア水と過酸化水素水と水とを混合したアンモニア系エッチャントで、その開口部から露出したＭｏ保護膜５４をエッチング除去する。これにより、図４Ｂに示すように、上記分割線上に１０μｍ幅のストライプ形状のＭｏ保護膜除去領域５Ａが形成され、このＭｏ保護膜除去領域５Ａからｐ側電極５の一部が露出する。   Next, after applying a resist on the Mo protective film 54, an opening having a width of 10 μm is formed in the resist by a known photolithography process so as to align with a dividing line for manufacturing the semiconductor laser bar 37 (see FIG. 4C). Then, the Mo protective film 54 exposed from the opening is removed by etching with an ammonia-based etchant in which ammonia water, hydrogen peroxide water, and water are mixed. As a result, as shown in FIG. 4B, a 10 μm-wide stripe-shaped Mo protective film removal region 5A is formed on the dividing line, and a part of the p-side electrode 5 is exposed from the Mo protective film removal region 5A.

次に、図４Ｃに示すように、上記半導体レーザウエハＷ１をへき開法により周期的に切断し、この切断面であるへき開面を光出射端面６１とする半導体レーザバー３７を複数作製する。   Next, as shown in FIG. 4C, the semiconductor laser wafer W <b> 1 is periodically cut by a cleavage method, and a plurality of semiconductor laser bars 37 having the cleavage plane, which is the cut surface, as the light emitting end face 61 are manufactured.

上記半導体レーザバー３７では、Ｍｏ保護膜除去領域５Ａが形成されていることにより、図４Ｄに示すように、半導体レーザバー３７の光出射端面６１近傍にある約５μｍ幅の領域はＭｏ保護膜５４が無くｐ側電極５の一部が露出している。このとき、上記ｐ側電極５上においては、上記領域以外の領域にＭｏ保護膜５４が形成されている。   In the semiconductor laser bar 37, since the Mo protective film removal region 5A is formed, as shown in FIG. 4D, the region of about 5 μm width in the vicinity of the light emitting end face 61 of the semiconductor laser bar 37 has no Mo protective film 54. A part of the p-side electrode 5 is exposed. At this time, the Mo protective film 54 is formed on the p-side electrode 5 in a region other than the region.

次に、上記各半導体レーザバー３７の両光出射端面６１に、Ａｌ２Ｏ３からなるＡｌ２Ｏ３誘電体膜７１を成膜する。この際、上記第１実施形態と同様に、成膜用ホルダ３０１の使用時に、半導体レーザバー３７間に隙間があった場合には、半導体レーザバー３７の電極面上へのＡｌ２Ｏ３が回り込み、図４Ｅに示すように、回り込みＡｌ２Ｏ３誘電体膜８１が発生する。 Next, both the light emitting end face 61 of each of the semiconductor laser bar 37, forming an Al 2 O 3 dielectric film 71 made of Al 2 O 3. At this time, as in the first embodiment, when there is a gap between the semiconductor laser bars 37 when using the film formation holder 301, Al 2 O 3 wraps around the electrode surface of the semiconductor laser bar 37, As shown in FIG. 4E, a wraparound Al 2 O 3 dielectric film 81 is generated.

上記ｐ側電極５上の回り込みＡｌ２Ｏ３誘電体膜８１は、図４Ｆに示すように、光出射端面６１近傍に形成された光出射端面近傍部８１Ａと、Ｍｏ保護膜５４の光出射端面６１側の端近傍９１に形成されたＭｏ保護膜端近傍部８１Ｂとからなっている。このＭｏ保護膜端近傍部８１Ｂの厚さは、光出射端面近傍部８１Ａの厚さよりも薄くなっている。 As shown in FIG. 4F, the wraparound Al 2 O 3 dielectric film 81 on the p-side electrode 5 includes a light emission end face vicinity portion 81A formed in the vicinity of the light emission end face 61 and a light emission end face of the Mo protective film 54. It consists of Mo protective film edge vicinity part 81B formed in the edge vicinity 91 by 61 side. The thickness of the Mo protective film end vicinity part 81B is thinner than the thickness of the light emitting end face vicinity part 81A.

次に、アンモニア系エッチャントにより、Ｍｏ保護膜５４のエッチングを行う。これにより、上記Ｍｏ保護膜５４と共にＭｏ保護膜端近傍部８１Ｂが除去される。   Next, the Mo protective film 54 is etched with an ammonia-based etchant. As a result, the Mo protective film edge vicinity portion 81 </ b> B is removed together with the Mo protective film 54.

上記Ｍｏ保護膜端近傍部８１Ｂの厚さが薄いこと、及び、Ａｌ２Ｏ３誘電体膜７１が厚く成膜される光出射端面６１に対してＭｏ保護膜５４は分離されていることから、Ｍｏ保護膜端近傍部８１Ｂの除去を容易に行うことができる。 Since the Mo protective film edge vicinity portion 81B is thin and the Mo protective film 54 is separated from the light emitting end face 61 on which the Al 2 O 3 dielectric film 71 is formed thick, It is possible to easily remove the Mo protective film edge vicinity portion 81B.

このように、上記Ｍｏ保護膜端近傍部８１Ｂを除去することにより、図４Ｇに示すように、Ｍｏ保護膜５４及びＭｏ保護膜端近傍部８１Ｂが無い半導体レーザバー３８が得られる。   In this way, by removing the Mo protective film edge vicinity portion 81B, as shown in FIG. 4G, the semiconductor laser bar 38 without the Mo protective film 54 and the Mo protective film edge vicinity portion 81B is obtained.

一方、上記Ｍｏ保護膜５４を除去した後に、光出射端面近傍部８１Ａが残る領域は、幅１０μｍのＭｏ保護膜除去領域５Ａに限定されるため、半導体レーザチップのダイボンド面（ｐ側電極５に関してｎ型半導体基板１側とは反対側の表面、つまり、ｐ側電極面）の大半において、回り込みＡｌ２Ｏ３誘電体膜８１は除去されていることから、はんだ濡れ性が良く、熱放散効果が高い半導体レーザチップを作製することができる。 On the other hand, since the region where the light emitting end face vicinity portion 81A remains after the removal of the Mo protective film 54 is limited to the Mo protective film removal region 5A having a width of 10 μm, the die bond surface (with respect to the p-side electrode 5) of the semiconductor laser chip. Since the wraparound Al 2 O 3 dielectric film 81 is removed on most of the surface opposite to the n-type semiconductor substrate 1 side, that is, the p-side electrode surface, the solder wettability is good and the heat dissipation effect A semiconductor laser chip having a high value can be manufactured.

また、上記半導体レーザチップのダイボンド面となるｐ側電極面にＡｌ２Ｏ３膜が回り込み成膜されることで生じていた、半導体レーザチップの放熱性悪化に伴う特性悪化や信頼性悪化を無くすことができ、半導体レーザチップの製造の歩留りを向上させることがでる。 Further, the deterioration of the characteristics and the reliability due to the deterioration of the heat radiation property of the semiconductor laser chip, which is caused by the formation of the Al 2 O 3 film around the p-side electrode surface which becomes the die bond surface of the semiconductor laser chip, is eliminated. Therefore, it is possible to improve the manufacturing yield of the semiconductor laser chip.

上記第４実施形態では、Ｍｏ保護膜除去領域５Ａの幅を１０μｍとしているが、一般的なフォトリソ工程におけるＭｏ保護膜除去領域５Ａの形成に関するアライメント精度や、半導体レーザバー３８の分割に関するアライメント精度により、上記Ｍｏ保護膜除去領域幅を１０μｍ未満にすると、Ｍｏ保護膜除去領域５Ａ内に半導体レーザバー３８の分割線を一致させるのは難しくなり、上記分割線がＭｏ保護膜除去領域５Ａから外れる場合が生じる。このことから、上記Ｍｏ保護膜除去領域５Ａの幅は１０μｍ以上であることが望ましい。   In the fourth embodiment, the width of the Mo protective film removal region 5A is set to 10 μm. If the Mo protective film removal region width is less than 10 μm, it becomes difficult to make the dividing line of the semiconductor laser bar 38 coincide with the Mo protective film removal region 5A, and the dividing line may deviate from the Mo protective film removal region 5A. . Therefore, the width of the Mo protective film removal region 5A is desirably 10 μm or more.

また、上記Ｍｏ保護膜除去領域５Ａの幅は、半導体レーザバー３７のレーザ共振器長方向の長さよりも短くし、例えば１００μｍ以下、より好ましくは５０μｍ以下にする。   The width of the Mo protective film removal region 5A is shorter than the length of the semiconductor laser bar 37 in the laser cavity length direction, for example, 100 μm or less, and more preferably 50 μm or less.

上記第４実施形態では、図４Ｂに示すように、半導体レーザバー３８の分割線に合わせて幅１０μｍのストライプ形状のＭｏ保護膜除去領域５Ａを形成したが、Ｍｏ保護膜除去領域５Ａに加えて、半導体レーザチップの分割線に合わせてストライプ形状のＭｏ保護膜除去領域を形成してもよい。   In the fourth embodiment, as shown in FIG. 4B, the stripe-shaped Mo protective film removal region 5A having a width of 10 μm is formed in accordance with the dividing line of the semiconductor laser bar 38, but in addition to the Mo protective film removal region 5A, A stripe-shaped Mo protective film removal region may be formed in accordance with the dividing line of the semiconductor laser chip.

上記半導体レーザチップの分割線に合わせてストライプ形状のＭｏ保護膜除去領域を形成した場合、半導体レーザバーでのＭｏ保護膜除去時に、回り込みＡｌ２Ｏ３保護膜も１チップごとに分離されているため、さらに切断除去が容易となる。 When the stripe-shaped Mo protective film removal region is formed in accordance with the dividing line of the semiconductor laser chip, the wraparound Al 2 O 3 protective film is also separated for each chip when the Mo protective film is removed by the semiconductor laser bar. Furthermore, cutting and removal are facilitated.

（第５実施形態）
図５Ａ〜図５Ｄに、本発明の第５実施形態による半導体レーザ素子の製造方法の工程図を示す。 (Fifth embodiment)
5A to 5D are process diagrams showing a method of manufacturing a semiconductor laser device according to the fifth embodiment of the present invention.

本第５実施形態では、ヒートシンクへのダイボンド時の熱放散性を高めるため、熱伝導のよいＡｕメッキ電極１３５（図５Ｂ参照）を設けたリッジ導波路型半導体レーザ素子の製造方法について説明する。また、上記リッジ導波路型半導体レーザ素子のレーザ構造を形成する半導体層、レーザ・ストライプ構造はＡｌＧａＩｎＰ系の赤色半導体レーザ素子と同様であるが、本発明が赤色半導体レーザ素子の製造方法に特に限定されるものではない。   In the fifth embodiment, a method of manufacturing a ridge waveguide type semiconductor laser device provided with an Au-plated electrode 135 (see FIG. 5B) having good thermal conductivity in order to improve heat dissipation during die bonding to a heat sink will be described. The semiconductor layer forming the laser structure of the ridge waveguide type semiconductor laser element and the laser stripe structure are the same as those of the AlGaInP red semiconductor laser element, but the present invention is particularly limited to the method for manufacturing the red semiconductor laser element. Is not to be done.

本第５実施形態の半導体レーザ素子の製造方法では、まず、図５Ａに示すように、レーザ・ストライプ構造が形成されて活性層を含む半導体層群１１４をｎ型ＧａＡｓ基板１０１上に成長させた後、ｎ型ＧａＡｓ基板１０１をへき開法でウエハ分割できるように、ｎ型ＧａＡｓ基板１０１の下部（半導体層群１１４側の部分とは反対側の部分）をラッピング（研磨）やエッチングにより研磨し、ｎ型ＧａＡｓ基板１０１の厚さを約１００μｍ程度にする。これにより、厚さ約１００μｍ程度のｎ型ＧａＡｓ基板１０１と半導体層群１１４とからなる半導体レーザウエハＷ２が得られる。   In the method of manufacturing a semiconductor laser device according to the fifth embodiment, first, as shown in FIG. 5A, a semiconductor layer group 114 having an active layer and having a laser stripe structure is grown on an n-type GaAs substrate 101. Thereafter, the lower part of the n-type GaAs substrate 101 (the part opposite to the part on the semiconductor layer group 114 side) is polished by lapping (polishing) or etching so that the wafer can be divided by the cleavage method. The thickness of the n-type GaAs substrate 101 is about 100 μm. As a result, a semiconductor laser wafer W2 composed of the n-type GaAs substrate 101 having a thickness of about 100 μm and the semiconductor layer group 114 is obtained.

次に、上記半導体レーザウエハＷ２の半導体層群１１４側の表面にｐ側電極１３１を形成する一方、半導体レーザウエハＷ２のｎ型ＧａＡｓ基板１０１側の表面にｎ側電極１３４を形成する。   Next, the p-side electrode 131 is formed on the surface of the semiconductor laser wafer W2 on the semiconductor layer group 114 side, while the n-side electrode 134 is formed on the surface of the semiconductor laser wafer W2 on the n-type GaAs substrate 101 side.

次に、図５Ｂに示すように、上記ｐ側電極１３１上に、Ａｕから成る厚さ３．０μｍのＡｕメッキ電極１３５を形成し、さらに、Ａｕメッキ電極１３５上に、厚さ０．５μｍのＴｉメッキ保護膜１５５を形成する。   Next, as shown in FIG. 5B, an Au plated electrode 135 made of Au and having a thickness of 3.0 μm is formed on the p-side electrode 131, and further, a thickness of 0.5 μm is formed on the Au plated electrode 135. A Ti plating protective film 155 is formed.

上記半導体レーザウエハＷ２には複数の半導体レーザ素子を含んでおり、この半導体レーザ素子の構造は、図５Ｂに示すように、ｎ型ＧａＡｓ基板１０１上に順次積層されたｎ型（Ａｌ０.７Ｇａ０.３）０.５Ｉｎ０.５Ｐ第１クラッド層１０２、量子井戸活性層１０３、ｐ型（Ａｌ０.７Ｇａ０.３）０.５Ｉｎ０.５Ｐ第２クラッド層１０４、ｐ型Ｉｎ０.５Ｇａ０.５Ｐエッチング停止層１０５を含んでいる。 The semiconductor laser wafer W2 includes a plurality of semiconductor laser elements. The structure of the semiconductor laser element is an n-type (Al 0.7 Ga) layered sequentially on an n-type GaAs substrate 101 as shown in FIG. 5B. 0.3 ) 0.5 In 0.5 P first cladding layer 102, quantum well active layer 103, p-type (Al 0.7 Ga 0.3 ) 0.5 In 0.5 P second cladding layer 104, A p-type In 0.5 Ga 0.5 P etching stop layer 105 is included.

上記量子井戸活性層１０３は、２層のＩｎ０.５Ｇａ０.５Ｐウエル層と、その２層の間に配置された１層の（Ａｌ０.７Ｇａ０.３）０.５Ｉｎ０.５Ｐバリア層と、これらのウェル層及びバリア層を挟む２層の（Ａｌ０.７Ｇａ０.３）０.５Ｉｎ０.５Ｐガイド層とで構成される。 The quantum well active layer 103 includes two In 0.5 Ga 0.5 P well layers and one (Al 0.7 Ga 0.3 ) 0.5 In layer disposed between the two layers. It is composed of a 0.5 P barrier layer and two (Al 0.7 Ga 0.3 ) 0.5 In 0.5 P guide layers sandwiching the well layer and the barrier layer.

上記リッジ部１１１は、ｐ型Ｉｎ０.５Ｇａ０.５Ｐエッチング停止層１０５上に形成されたリッジ部用ｐ型（Ａｌ０.７Ｇａ０.３）０.５Ｉｎ０.５Ｐ第３クラッド層１０６Ａ、リッジ部用ｐ型Ｉｎ０.５Ｇａ０.５Ｐ中間層１０７Ａ及びリッジ部用ｐ型ＧａＡｓコンタクト層１０８Ａで構成されている。 The ridge 111 is a p-type (Al 0.7 Ga 0.3 ) 0.5 In 0.5 P-th layer formed on the p-type In 0.5 Ga 0.5 P etching stop layer 105. 3 clad layers 106A, a ridge portion p-type In 0.5 Ga 0.5 P intermediate layer 107A, and a ridge portion p-type GaAs contact layer 108A.

上記リッジ部１１１の両側には、半導体レーザウエハＷ２の取り扱い時やレーザチップ実装時にリッジ部１１１が受ける機械的ダメージを軽減するためのストライプ状のテラス部１２を形成している。このテラス部１２は、リッジ部１１１と同様に、テラス部用ｐ型（Ａｌ０.７Ｇａ０.３）０.５Ｉｎ０.５Ｐ第３クラッド層１０６Ｂ、テラス部用ｐ型Ｉｎ０.５Ｇａ０.５Ｐ中間層１０７Ｂ及びテラス部用ｐ型ＧａＡｓコンタクト層１０８Ｂで形成される。このようなリッジ部１１１、テラス部１１２及び溝部１１３は図５Ｂの紙面に対して垂直方向に延びている。 Striped terrace portions 12 are formed on both sides of the ridge portion 111 to reduce mechanical damage to the ridge portion 111 when the semiconductor laser wafer W2 is handled or when a laser chip is mounted. Similar to the ridge portion 111, the terrace portion 12 includes p-type (Al 0.7 Ga 0.3 ) 0.5 In 0.5 P third cladding layer 106B for terrace portion, p-type In 0.5 for terrace portion . 5 Ga 0.5 P intermediate layer 107B and terrace p-type GaAs contact layer 108B. Such ridges 111, terraces 112, and grooves 113 extend in a direction perpendicular to the paper surface of FIG. 5B.

また、上記リッジ部１１１の側面と、ｐ型Ｉｎ０.５Ｇａ０.５Ｐエッチング停止層５の上面と、テラス部１１２の上面及び側面とは誘電体膜１２１で覆われている。この誘電体膜１２１及びリッジ部１１１上には、リッジ上電極としてのｐ側電極１３１が形成されている。このｐ側電極１３１は、誘電体膜１２１に対して密着性が高いＴｉ膜と、Ｔｉ膜上に形成されたＰｔ膜と、このＰｔ膜上に形成されたＡｕ膜とからなっている。また、上記ｐ側電極１３１はテラス部１１２の上面及び側面も覆っている。なお、上記誘電体膜１２１とリッジ部１１１とがレーザ・ストライプ構造を形成している。 Further, the side surface of the ridge portion 111, the upper surface of the p-type In 0.5 Ga 0.5 P etching stop layer 5, and the upper surface and side surfaces of the terrace portion 112 are covered with a dielectric film 121. On the dielectric film 121 and the ridge portion 111, a p-side electrode 131 is formed as an electrode on the ridge. The p-side electrode 131 includes a Ti film having high adhesion to the dielectric film 121, a Pt film formed on the Ti film, and an Au film formed on the Pt film. The p-side electrode 131 also covers the upper surface and side surfaces of the terrace portion 112. The dielectric film 121 and the ridge portion 111 form a laser stripe structure.

また、上記誘電体膜１２１がリッジ部１１１の上面の全部とリッジ部１１１の側面の上部とを覆っていない。このような状態で、リッジ部１１１及び誘電体膜１２１上にｐ側電極１３１が形成されることにより、ｐ側電極１３１がリッジ部１１１の上面の全部とリッジ部１１１の側面の上部とに接触する。   Further, the dielectric film 121 does not cover the entire top surface of the ridge 111 and the top of the side surface of the ridge 111. In this state, the p-side electrode 131 is formed on the ridge portion 111 and the dielectric film 121, so that the p-side electrode 131 contacts the entire upper surface of the ridge portion 111 and the upper portion of the side surface of the ridge portion 111. To do.

また、上記ｐ側電極１３１の形成後には、ｐ側電極１３１上に、フォトリソグラフィ技術によってレジストパターン（図示せず）を形成して、ウエハ端で露出するｐ側電極１３１に給電することによって、電解Ａｕメッキ、Ｔｉメッキを順次行い、Ａｕメッキ電極１３５及びＴｉメッキ保護膜１５５を形成する。   Further, after the formation of the p-side electrode 131, a resist pattern (not shown) is formed on the p-side electrode 131 by a photolithography technique, and power is supplied to the p-side electrode 131 exposed at the wafer edge. Electrolytic Au plating and Ti plating are sequentially performed to form an Au plating electrode 135 and a Ti plating protective film 155.

より詳しくは、上記Ａｕメッキ電極１３５及びＴｉメッキ保護膜１５５の形成は、半導体レーザバー４７（図５Ｃ参照）を形成するための分割線上、及び、半導体レーザチップを形成するための分割線上に、レジストパターンを形成してから行われる。こうすると、後工程で行うバー分割やチップ分割を容易に行うことができる。なお、上記レジストパターンはＴｉメッキ保護膜１５５の形成後に除去する。   More specifically, the Au plating electrode 135 and the Ti plating protective film 155 are formed on the dividing line for forming the semiconductor laser bar 47 (see FIG. 5C) and on the dividing line for forming the semiconductor laser chip. This is done after forming the pattern. In this way, it is possible to easily perform bar division and chip division performed in a later process. The resist pattern is removed after the Ti plating protective film 155 is formed.

上記レジストパターンの除去後は、図５Ｃに示すように、半導体レーザウエハＷ２をへき開法により分割して、複数の半導体レーザバー４７を作製する。   After the resist pattern is removed, as shown in FIG. 5C, the semiconductor laser wafer W2 is divided by a cleavage method to produce a plurality of semiconductor laser bars 47.

次に、上記第１実施形態と同一の誘電体膜成膜工程を行う。つまり、上記半導体レーザバー４７の両光出射端面６２に、Ａｌ２Ｏ３からなる誘電体膜を成膜する。これにより、上記半導体レーザバー４７のｐ側電極面側へのＡｌ２Ｏ３が回り込み、回り込みＡｌ２Ｏ３膜がＴｉメッキ保護膜１５５上に形成される。 Next, the same dielectric film forming step as that in the first embodiment is performed. That is, a dielectric film made of Al 2 O 3 is formed on both light emitting end faces 62 of the semiconductor laser bar 47. As a result, Al 2 O 3 wraps around the p-side electrode surface side of the semiconductor laser bar 47, and a wrap-around Al 2 O 3 film is formed on the Ti plating protective film 155.

次に、硫酸と水を混合した液温５０℃以下の硫酸系エッチャントにより、半導体レーザバー４７をエッチングする。そうすると、上記光出射端面６２に成膜した誘電体膜を除去することなく、Ｔｉメッキ保護膜１５５をエッチング除去でき、さらに、Ｔｉメッキ保護膜１５５上の回り込みＡｌ２Ｏ３膜も除去できる。 Next, the semiconductor laser bar 47 is etched with a sulfuric acid-based etchant having a liquid temperature of 50 ° C. or lower in which sulfuric acid and water are mixed. Then, the Ti plating protective film 155 can be removed by etching without removing the dielectric film formed on the light emitting end face 62, and the wraparound Al 2 O 3 film on the Ti plating protective film 155 can also be removed.

これにより、上記Ａｕメッキ電極１３５上にＡｌ２Ｏ３膜の回り込み成膜が無い半導体レーザバーを形成することができる。 As a result, a semiconductor laser bar can be formed on the Au plating electrode 135 without any wraparound film formation of the Al 2 O 3 film.

また、上記Ｔｉメッキ保護膜１５５をエッチング除去することによって、半導体レーザバー４７の取り扱い時に半導体レーザバー４７のＡｕメッキ電極１３５側に付着した異物や汚れも除去できる。   Further, by removing the Ti plating protective film 155 by etching, foreign matters and dirt attached to the Au plating electrode 135 side of the semiconductor laser bar 47 during handling of the semiconductor laser bar 47 can be removed.

上記Ｔｉメッキ保護膜１５５の除去処理後は、レーザ・ストライプ方向と平行なけがき線を半導体レーザバーに形成して、半導体レーザバーを分割することにより、複数の半導体レーザチップを形成する。   After the removal treatment of the Ti plating protective film 155, a marking line parallel to the laser stripe direction is formed on the semiconductor laser bar, and the semiconductor laser bar is divided to form a plurality of semiconductor laser chips.

上記半導体レーザチップは、図示しないヒートシンクの一表面にダイボンドされた後、パッケージ実装される。つまり、上記半導体レーザチップは上記ヒートシンクを介して図示しないパッケージ本体に固定される。そして、上記半導体レーザチップとパッケージ本体とをワイヤーで接続する。   The semiconductor laser chip is packaged after being die-bonded to one surface of a heat sink (not shown). That is, the semiconductor laser chip is fixed to a package body (not shown) through the heat sink. Then, the semiconductor laser chip and the package body are connected by a wire.

上記ヒートシンクのダイボンド面に半導体レーザチップをダイボンドする時、半導体レーザチップ９のダイボンド面であるｐ側電極面上の回り込みＡｌ２Ｏ３誘電体膜８１は除去されていることから、はんだ濡れ性が良く、熱放散効果が高い半導体レーザ素子を作製することができる。 When the semiconductor laser chip is die-bonded to the die bond surface of the heat sink, the wraparound Al 2 O 3 dielectric film 81 on the p-side electrode surface which is the die bond surface of the semiconductor laser chip 9 is removed. It is possible to fabricate a semiconductor laser element that has a good heat dissipation effect.

また、上記半導体レーザチップのダイボンド面であるｐ側電極面上の回り込みＡｌ２Ｏ３膜は除去されるので、半導体レーザ素子の放熱性悪化に伴う特性悪化や信頼性悪化を無くすことができ、半導体レーザ素子の製造の歩留りを向上させることができる。 Moreover, since the wraparound Al 2 O 3 film on the p-side electrode surface which is the die bond surface of the semiconductor laser chip is removed, it is possible to eliminate deterioration in characteristics and reliability due to deterioration in heat dissipation of the semiconductor laser element, The production yield of the semiconductor laser device can be improved.

また、上記Ａｕメッキ電極１３５をメッキ法で形成した後、Ｔｉメッキ保護膜１５５もメッキ法で形成しており、Ａｕメッキ電極１３５の形成時に使用したレジストパターン及び給電部を、Ｔｉメッキ保護膜１５５の形成時に使用しているので、工程の簡略化を図ることができる。   Further, after the Au plating electrode 135 is formed by the plating method, the Ti plating protective film 155 is also formed by the plating method, and the resist pattern and the power feeding portion used when forming the Au plating electrode 135 are used as the Ti plating protective film 155. Since it is used when forming, the process can be simplified.

また、図５Ｄで示すように、Ｔｉメッキ保護膜１５５の厚さｄ２は、リッジ部１１１により生じたＡｕメッキ電極１３３の段差ｄ１よりも厚くすることが望ましい。   Further, as shown in FIG. 5D, it is desirable that the thickness d2 of the Ti plating protective film 155 is thicker than the step d1 of the Au plating electrode 133 generated by the ridge 111.

これは、上記Ｔｉメッキ保護膜１５５の厚さｄ２がＡｕメッキ電極１３３の段差ｄ１よりも薄いと、Ｔｉメッキ保護膜１５５に関してリッジ部１１１により生じたリッジ上保護膜凸部９３に傷や破損が生じやすくなってしまうからである。   This is because if the thickness d2 of the Ti plating protective film 155 is smaller than the step d1 of the Au plating electrode 133, the ridge protection film convex portion 93 generated by the ridge 111 with respect to the Ti plating protective film 155 is damaged or damaged. This is because it tends to occur.

上記リッジ部１１１近傍の電極面に傷、破損が生じた場合、レーザチップ実装時、リッジ部１１１近傍の応力が不均一となり、特性，信頼性に悪影響を与える。   If the electrode surface in the vicinity of the ridge 111 is damaged or damaged, the stress in the vicinity of the ridge 111 becomes non-uniform when the laser chip is mounted, which adversely affects characteristics and reliability.

上記Ａｕメッキ電極１３３の段差ｄ１よりもＴｉメッキ保護膜１５５の厚さｄ２を厚くすることにより、リッジ部１１上の凸部分は全てＴｉメッキ保護膜１５５で形成されることになり、半導体レーザウエハ取り扱い時のリッジ部上の凸部分の傷、破損はＴｉメッキ保護膜１５５で止まり、Ｔｉメッキ保護膜１５５の除去時に、上記傷，破損を取り除くことができる。   By making the thickness d2 of the Ti plating protective film 155 thicker than the step d1 of the Au plating electrode 133, all the convex portions on the ridge portion 11 are formed by the Ti plating protective film 155. The scratches and breakage of the convex portion on the ridge portion at the time are stopped by the Ti plating protective film 155, and when the Ti plating protective film 155 is removed, the scratches and breakage can be removed.

したがって、レーザチップ実装時のリッジ部近傍の応力不均一、及びそれによる特性悪化を防ぐことができる。   Therefore, it is possible to prevent uneven stress in the vicinity of the ridge when mounting the laser chip and deterioration of characteristics due to the stress.

（第６実施形態）
図６に、本発明の第６実施形態の半導体レーザ素子の製造方法で使用する半導体レーザウエハＷ２の概略構造図を示す。また、図６において、図５Ｂで示した第５実施形態と同一構成部は、図５Ｂにおける構成部と同一参照番号を付して説明を省略するか、または、簡単に説明する。 (Sixth embodiment)
FIG. 6 is a schematic structural diagram of a semiconductor laser wafer W2 used in the method for manufacturing a semiconductor laser device according to the sixth embodiment of the present invention. In FIG. 6, the same components as those of the fifth embodiment shown in FIG. 5B are denoted by the same reference numerals as those of the components in FIG. 5B, and description thereof will be omitted or simply described.

本第６実施形態では、半導体レーザウエハＷ２の半導体層群１１４上に、上記第５実施形態と同様に、ｐ側電極１３１、Ａｕメッキ電極１３５を順次形成した後、フッ素系樹脂サイトップ（旭硝子（株））からなる厚さ０．１μｍのサイトップ保護膜１５６でＡｕメッキ電極１３５をコーティングして、１１０℃にて焼成する。   In the sixth embodiment, a p-side electrode 131 and an Au-plated electrode 135 are sequentially formed on the semiconductor layer group 114 of the semiconductor laser wafer W2, and then a fluororesin Cytop (Asahi Glass ( The Au plating electrode 135 is coated with a Cytop protective film 156 having a thickness of 0.1 μm and is baked at 110 ° C.

次に、上記サイトップ保護膜１５６上に埋め込み用ＣＶＤ酸化膜を形成する。例えば、サイトップ保護膜１５６上に、ＳｉＯ２からなる厚さ１．５μｍのＳｉＯ２埋め込み膜１５７を形成する。 Next, a buried CVD oxide film is formed on the Cytop protective film 156. For example, on CYTOP protective film 156, to form the SiO 2 burying layer 157 having a thickness of 1.5μm made of SiO 2.

上記ＳｉＯ２埋め込み膜１５７の厚さｄ３は、リッジ部１１１により生じたＡｕメッキ電極段差ｄ１よりも厚く設定されている。これは、上記第５実施形態と同様に、ウエハ取り扱い時の傷や汚れがリッジ部１１上の凸部分に入った場合においても、その傷や汚れはＳｉＯ２埋め込み膜１５７で止まり、後工程でＳｉＯ２膜１５７を除去することで、取り除くことができる。 The thickness d3 of the SiO 2 buried film 157 is set to be thicker than the Au plating electrode step d1 generated by the ridge 111. Similar to the fifth embodiment, even when a flaw or dirt during wafer handling enters the convex portion on the ridge portion 11, the flaw or dirt stops at the SiO 2 buried film 157, and in a later step. It can be removed by removing the SiO 2 film 157.

次に、上記ｎ側電極１３４に、レーザチップ分割位置を示す電極パターンを公知のフォトリソ工程、エッチング工程により形成する。   Next, an electrode pattern indicating a laser chip division position is formed on the n-side electrode 134 by a known photolithography process and etching process.

次に、上記ＳｉＯ２埋め込み膜１５７は例えばフッ酸によりエッチング除去を行う。このとき、上記サイトップ保護膜１５６は、フッ酸にエッチングされないため、ＳｉＯ２埋め込み膜１５７のみがエッチング除去される。 Next, the SiO 2 buried film 157 is removed by etching using, for example, hydrofluoric acid. At this time, since the Cytop protective film 156 is not etched by hydrofluoric acid, only the SiO 2 buried film 157 is removed by etching.

上記フッ酸を用いたエッチングの際、ｎ側電極１３４がフッ酸でエッチングされる場合は、ｎ側電極１３４に例えばレジスト塗布を行うことで、ＳｉＯ２埋め込み膜１５７のあるｐ側電極面側のみフッ酸エッチングすることができる。 In the etching using hydrofluoric acid, when the n-side electrode 134 is etched with hydrofluoric acid, for example, resist application is performed on the n-side electrode 134 so that only the p-side electrode surface side where the SiO 2 buried film 157 is present is provided. Hydrofluoric acid etching can be performed.

次に、上記第５実施形態と同様に、半導体レーザウエハＷ２をへき開法により分割して、複数の半導体レーザバーを作製する。   Next, as in the fifth embodiment, the semiconductor laser wafer W2 is divided by a cleavage method to produce a plurality of semiconductor laser bars.

次に、上記第１実施形態と同一の誘電体膜成膜工程を行う。つまり、上記半導体レーザバーの両光出射端面に、Ａｌ２Ｏ３からなる誘電体膜を成膜する。これにより、上記半導体レーザバーのｐ側電極面側へのＡｌ２Ｏ３が回り込み、回り込みＡｌ２Ｏ３膜がサイトップ保護膜１５６上に形成される。 Next, the same dielectric film forming step as that in the first embodiment is performed. That is, a dielectric film made of Al 2 O 3 is formed on both light emitting end faces of the semiconductor laser bar. As a result, Al 2 O 3 wraps around the p-side electrode surface of the semiconductor laser bar, and a wrap-around Al 2 O 3 film is formed on the Cytop protective film 156.

次に、上記半導体レーザバーをパーフルオロ溶媒で洗浄する。そうすると、フッ素系樹脂サイトップはパーフルオロ溶媒に溶解するので、フッ素系樹脂サイトップからなるサイトップ保護膜１５６がパーフルオロ溶媒で除去される。このとき、上記サイトップ保護膜１５６はパーフルオロ溶媒で除去されても、光出射端面上のＡｌ２Ｏ３膜はパーフルオロ溶媒で除去されない。また、上記サイトップ保護膜１５６がパーフルオロ溶媒で除去されることにより、サイトップ保護膜１５６上に回り込み成膜したＡｌ２Ｏ３膜がサイトップ保護膜１５６と共に除去される。 Next, the semiconductor laser bar is washed with a perfluoro solvent. Then, since the fluororesin CYTOP dissolves in the perfluoro solvent, the CYTOP protective film 156 made of the fluororesin cytop is removed with the perfluoro solvent. At this time, even if the Cytop protective film 156 is removed with a perfluoro solvent, the Al 2 O 3 film on the light emitting end face is not removed with the perfluoro solvent. Further, the Cytop protective film 156 is removed with a perfluoro solvent, so that the Al 2 O 3 film formed around the Cytop protective film 156 is removed together with the Cytop protective film 156.

すなわち、上記半導体レーザバーをパーフルオロ溶媒で洗浄することによって、出射端面上の誘電体膜を除去することなく、サイトップ保護膜１５６と、この上に形成された回り込みＡｌ２Ｏ３膜とを除去できる。 That is, by cleaning the semiconductor laser bar with a perfluoro solvent, the Cytop protective film 156 and the wraparound Al 2 O 3 film formed thereon are removed without removing the dielectric film on the emission end face. it can.

これにより、エピタキシャル成長面側のｐ側電極１３１の表面が露出し、ｐ側電極１３１上にＡｌ２Ｏ３膜の回り込み成膜が無い半導体レーザバーを形成することができる。 As a result, the surface of the p-side electrode 131 on the epitaxial growth surface side is exposed, and a semiconductor laser bar in which no Al 2 O 3 film wraps around the p-side electrode 131 can be formed.

また、上記サイトップ保護膜１５６をパーフルオロ溶媒で除去することによって、半導体レーザバーの取り扱い時に半導体レーザバーのｐ側電極１３１側に付着した異物や汚れも除去することができる。   Further, by removing the Cytop protective film 156 with a perfluoro solvent, it is possible to remove foreign matters and dirt adhering to the p-side electrode 131 side of the semiconductor laser bar when the semiconductor laser bar is handled.

このように、本第６実施形態によっても、上記第１実施形態と同様の効果が得られ、はんだ濡れ性が良く、熱放散効果が高い半導体レーザ素子を作製することができる。   As described above, according to the sixth embodiment, the same effect as that of the first embodiment can be obtained, and a semiconductor laser device having good solder wettability and high heat dissipation effect can be manufactured.

また、上記半導体レーザバーを分割して得る半導体レーザチップのダイボンド面（ｐ側電極１３１に関してｎ型ＧａＡｓ基板１０１側とは反対側の表面）上の回り込みＡｌ２Ｏ３膜は除去されるので、半導体レーザ素子の放熱性悪化に伴う特性悪化や信頼性悪化を無くすことができ、半導体レーザ素子の製造の歩留りを向上させることができる。 Further, since the wraparound Al 2 O 3 film on the die bond surface (surface opposite to the n-type GaAs substrate 101 side with respect to the p-side electrode 131) of the semiconductor laser chip obtained by dividing the semiconductor laser bar is removed, the semiconductor It is possible to eliminate deterioration in characteristics and reliability due to deterioration in heat dissipation of the laser element, and to improve the manufacturing yield of the semiconductor laser element.

上記第１〜第６実施形態においては、誘電体膜は保護膜を除去する前と保護膜を除去した後とで全く同じ状態でなくてもよく、保護膜を除去した状態で、保護膜を除去する前の誘電体膜の少なくとも一部が光出射端面に残るようにしてもよい。   In the first to sixth embodiments, the dielectric film may not be in the same state before removing the protective film and after removing the protective film, and the protective film is removed with the protective film removed. At least a part of the dielectric film before removal may remain on the light emitting end face.

図１Ａは本発明の第１実施形態の半導体レーザ素子の製造方法の半導体レーザウエハ作製工程の概略図である。FIG. 1A is a schematic view of a semiconductor laser wafer manufacturing process in the method for manufacturing a semiconductor laser device according to the first embodiment of the present invention. 図１Ｂは上記第１実施形態の半導体レーザ素子の製造方法の半導体レーザウエハの電極形成工程の概略図である。FIG. 1B is a schematic view of a semiconductor laser wafer electrode forming step in the method of manufacturing a semiconductor laser device according to the first embodiment. 図１Ｃは上記第１実施形態の半導体レーザ素子の製造方法のＴｉ保護膜成膜工程の概略図である。FIG. 1C is a schematic view of a Ti protective film forming step in the method of manufacturing the semiconductor laser device according to the first embodiment. 図１Ｄは上記第１実施形態の半導体レーザ素子の製造方法の半導体レーザバー作製工程の概略図である。FIG. 1D is a schematic view of a semiconductor laser bar manufacturing step in the method for manufacturing the semiconductor laser device of the first embodiment. 図１Ｅは上記第１実施形態の半導体レーザ素子の製造方法の半導体レーザバー積み重ね工程の概略図である。FIG. 1E is a schematic view of a semiconductor laser bar stacking step in the method for manufacturing the semiconductor laser device of the first embodiment. 図１Ｆは上記第１実施形態の半導体レーザ素子の製造方法の誘電体膜成膜工程の概略図である。FIG. 1F is a schematic diagram of a dielectric film forming step of the method for manufacturing the semiconductor laser device of the first embodiment. 図１Ｇは上記第１実施形態の半導体レーザ素子の製造方法の誘電体膜成膜工程後の半導体レーザバー及び成膜ホルダの概略図である。FIG. 1G is a schematic view of the semiconductor laser bar and the film formation holder after the dielectric film formation step of the semiconductor laser device manufacturing method of the first embodiment. 図１Ｈは上記第１実施形態の半導体レーザ素子の製造方法の誘電体膜成膜工程後の概略斜視図である。FIG. 1H is a schematic perspective view after the dielectric film forming step of the manufacturing method of the semiconductor laser device of the first embodiment. 図１Ｉは上記第１実施形態の半導体レーザ素子の製造方法の保護膜除去前の半導体レーザバーの概略断面図である。FIG. 1I is a schematic cross-sectional view of the semiconductor laser bar before the protective film is removed in the manufacturing method of the semiconductor laser device of the first embodiment. 図１Ｊは上記第１実施形態の半導体レーザ素子の製造方法の保護膜除去工程後の半導体レーザバーの概略断面図である。FIG. 1J is a schematic cross-sectional view of the semiconductor laser bar after the protective film removing step of the manufacturing method of the semiconductor laser device of the first embodiment. 図１Ｋは上記第１実施形態の半導体レーザ素子の製造方法の半導体レーザチップ作製工程の概略図である。FIG. 1K is a schematic view of a semiconductor laser chip manufacturing process in the method for manufacturing the semiconductor laser device of the first embodiment. 図２Ａは本発明の第２実施形態の半導体レーザ素子の製造方法のＭｇＣｌ２保護膜成膜工程の概略図である。FIG. 2A is a schematic view of a MgCl 2 protective film forming step in the method for manufacturing a semiconductor laser device according to the second embodiment of the present invention. 図２Ｂは上記第２実施形態の半導体レーザ素子の製造方法の保護膜除去前の半導体レーザバーの概略断面図である。FIG. 2B is a schematic cross-sectional view of the semiconductor laser bar before removing the protective film in the method for manufacturing the semiconductor laser device of the second embodiment. 図２Ｃは上記第２実施形態の半導体レーザ素子の製造方法の保護膜除去工程後の半導体レーザバーの概略断面図である。FIG. 2C is a schematic cross-sectional view of the semiconductor laser bar after the protective film removing step of the semiconductor laser device manufacturing method of the second embodiment. 図３Ａは本発明の第３実施形態の半導体レーザ素子の製造方法のサイトップ保護膜成膜工程の概略図である。FIG. 3A is a schematic view of a Cytop protective film forming step in the method for manufacturing a semiconductor laser device according to the third embodiment of the present invention. 図３Ｂは上記第３実施形態の半導体レーザ素子の製造方法の保護膜除去前の半導体レーザバーの概略断面図である。FIG. 3B is a schematic cross-sectional view of the semiconductor laser bar before removing the protective film in the semiconductor laser device manufacturing method of the third embodiment. 図３Ｃは上記第３実施形態の半導体レーザ素子の製造方法の保護膜除去工程後の半導体レーザバーの概略断面図である。FIG. 3C is a schematic cross-sectional view of the semiconductor laser bar after the protective film removing step of the method for manufacturing the semiconductor laser device of the third embodiment. 図４Ａは本発明の第４実施形態の半導体レーザ素子の製造方法のＭｏ保護膜成膜工程の概略図である。FIG. 4A is a schematic view of a Mo protective film forming step in the method for manufacturing a semiconductor laser device according to the fourth embodiment of the present invention. 図４Ｂは上記第４実施形態の半導体レーザ素子の製造方法のＭｏ保護膜除去領域形成工程の概略図である。FIG. 4B is a schematic view of a Mo protective film removal region forming step of the method of manufacturing the semiconductor laser device according to the fourth embodiment. 図４Ｃは上記第４実施形態の半導体レーザ素子の製造方法の半導体レーザバー作製工程の概略図である。FIG. 4C is a schematic view of a semiconductor laser bar manufacturing step in the method for manufacturing the semiconductor laser device of the fourth embodiment. 図４Ｄは上記第４実施形態の半導体レーザ素子の製造方法の誘電体膜成膜前の半導体レーザバーの概略断面図である。FIG. 4D is a schematic cross-sectional view of the semiconductor laser bar before forming the dielectric film in the method for manufacturing the semiconductor laser device of the fourth embodiment. 図４Ｅは上記第４実施形態の半導体レーザ素子の製造方法の誘電体膜成膜後の半導体レーザバーの概略断面図である。FIG. 4E is a schematic cross-sectional view of the semiconductor laser bar after the dielectric film is formed in the manufacturing method of the semiconductor laser device of the fourth embodiment. 図４Ｆは上記第４実施形態の半導体レーザ素子の製造方法の保護膜除去前の半導体レーザバーの概略断面図である。FIG. 4F is a schematic cross-sectional view of the semiconductor laser bar before removing the protective film in the semiconductor laser device manufacturing method of the fourth embodiment. 図４Ｇは上記第４実施形態の半導体レーザ素子の製造方法の保護膜除去後の半導体レーザバーの概略断面図である。FIG. 4G is a schematic cross-sectional view of the semiconductor laser bar after removal of the protective film in the method for manufacturing the semiconductor laser device of the fourth embodiment. 図５Ａは本発明の第５実施形態の半導体レーザ素子の製造方法の半導体レーザウエハの電極形成工程の概略図である。FIG. 5A is a schematic view of an electrode forming step of a semiconductor laser wafer in the method for manufacturing a semiconductor laser device according to the fifth embodiment of the present invention. 図５Ｂは上記第５実施形態の半導体レーザ素子の製造方法の半導体レーザウエハ構造の概略図である。FIG. 5B is a schematic view of a semiconductor laser wafer structure in the method of manufacturing a semiconductor laser element according to the fifth embodiment. 図５Ｃは上記第５実施形態の半導体レーザ素子の製造方法の半導体レーザバー作製工程の概略図である。FIG. 5C is a schematic view of a semiconductor laser bar manufacturing step in the method for manufacturing a semiconductor laser device according to the fifth embodiment. 図５Ｄは上記第５実施形態の半導体レーザ素子の製造方法の半導体レーザウエハ構造の概略図である。FIG. 5D is a schematic view of a semiconductor laser wafer structure in the method of manufacturing a semiconductor laser element according to the fifth embodiment. 図６は本発明の第６実施形態の半導体レーザ素子の製造方法の半導体レーザウエハ構造の概略図である。FIG. 6 is a schematic view of a semiconductor laser wafer structure in a method for manufacturing a semiconductor laser device according to a sixth embodiment of the present invention. 図７Ａは従来の半導体レーザ素子の製造方法の半導体レーザウエハ作製工程の概略図である。FIG. 7A is a schematic view of a semiconductor laser wafer manufacturing process in a conventional method for manufacturing a semiconductor laser device. 図７Ｂは上記従来の半導体レーザ素子の製造方法の半導体レーザウエハの電極形成工程の概略図である。FIG. 7B is a schematic view of an electrode forming process of a semiconductor laser wafer in the conventional method for manufacturing a semiconductor laser element. 図７Ｃは上記従来の半導体レーザ素子の製造方法の半導体レーザバー作製工程の概略図である。FIG. 7C is a schematic view of a semiconductor laser bar manufacturing process of the conventional method for manufacturing a semiconductor laser device. 図７Ｄは上記従来の半導体レーザ素子の製造方法の半導体レーザバー作製工程の概略図である。FIG. 7D is a schematic view of a semiconductor laser bar manufacturing process in the conventional method for manufacturing a semiconductor laser device. 図７Ｅは上記従来の半導体レーザ素子の製造方法の半導体レーザバー作製工程の概略図である。FIG. 7E is a schematic view of a semiconductor laser bar manufacturing step in the conventional method for manufacturing a semiconductor laser device. 図７Ｆは従来のダイボンド工程の概略図である。FIG. 7F is a schematic view of a conventional die bonding process. 図８Ａは他の従来の半導体レーザ素子の製造方法の半導体レーザバー積み重ね工程の概略図である。FIG. 8A is a schematic view of a semiconductor laser bar stacking step in another conventional method of manufacturing a semiconductor laser device. 図８Ｂは上記他の従来の半導体レーザ素子の製造方法の誘電体膜成膜工程の概略図である。FIG. 8B is a schematic diagram of a dielectric film forming step of the other conventional method of manufacturing a semiconductor laser device. 図９Ａは上記従来の半導体レーザ素子の製造方法の誘電体膜成膜工程後の半導体レーザバーの概略図である。FIG. 9A is a schematic view of the semiconductor laser bar after the dielectric film forming step of the conventional method of manufacturing a semiconductor laser device. 図９Ｂは上記従来の半導体レーザ素子の製造方法の誘電体膜成膜工程後の半導体レーザバーの概略断面図である。FIG. 9B is a schematic cross-sectional view of the semiconductor laser bar after the dielectric film forming step of the conventional method for manufacturing a semiconductor laser device. 図９Ｃは上記従来の半導体レーザ素子の製造方法の半導体レーザチップ作製工程の概略工程図である。FIG. 9C is a schematic process diagram of a semiconductor laser chip manufacturing process of the conventional method for manufacturing a semiconductor laser element. 図１０Ａはさらに他の従来の半導体レーザ素子の製造方法で製造されるリッジ導波路型半導体レーザ素子の概略断面図である。FIG. 10A is a schematic cross-sectional view of a ridge waveguide type semiconductor laser device manufactured by still another conventional method of manufacturing a semiconductor laser device. 図１０Ｂは上記他の従来の半導体レーザ素子の製造方法の半導体レーザバー作製工程の概略図である。FIG. 10B is a schematic view of a semiconductor laser bar manufacturing process of the other conventional method of manufacturing a semiconductor laser device. 図１０Ｃは上記従来の半導体レーザ素子の製造方法の誘電体膜成膜工程後の半導体レーザバーの概略図である。FIG. 10C is a schematic view of the semiconductor laser bar after the dielectric film forming step of the conventional method of manufacturing a semiconductor laser device. 図１０Ｄは上記従来の半導体レーザ素子の製造方法の誘電体膜成膜工程後の電極の概略斜視図である。FIG. 10D is a schematic perspective view of the electrode after the dielectric film forming step of the conventional method of manufacturing a semiconductor laser device.

符号の説明Explanation of symbols

１ ｎ型半導体基板
３ 半導体層群
４ ｎ側電極
５ ｐ側電極
５Ａ Ｍｏ保護膜除去領域
７，８，１７，２７，３７，３８，４７ 半導体レーザバー
９ 半導体レーザチップ
６１ 光出射端面
５１ Ｔｉ保護膜
５２ ＭｇＣｌ２保護膜
５３ サイトップ保護膜
５４ Ｍｏ保護膜
７１ Ａｌ２Ｏ３誘電体膜
８１ 回り込みＡｌ２Ｏ３誘電体膜
８１Ａ 光出射端面近傍部
８１Ｂ Ｍｏ保護膜端近傍部
９３ リッジ上保護膜凸部
１０１ ｎ型ＧａＡｓ基板
１０２ ｎ型（Ａｌ０.７Ｇａ０.３）０.５Ｉｎ０.５Ｐ第１クラッド層
１０３ 量子井戸活性層
１０４ ｐ型（Ａｌ０.７Ｇａ０.３）０.５Ｉｎ０.５Ｐ第２クラッド層
１０５ ｐ型Ｉｎ０.５Ｇａ０.５Ｐエッチング停止層
１０６ ｐ型（Ａｌ０.７Ｇａ０.３）０.５Ｉｎ０.５Ｐ第３クラッド層
１０７ ｐ型Ｉｎ０.５Ｇａ０.５Ｐ中間層
１０６Ａ リッジ部用ｐ型（Ａｌ０.７Ｇａ０.３）０.５Ｉｎ０.５Ｐ第３クラッド層
１０７Ａ リッジ部用ｐ型Ｉｎ０.５Ｇａ０.５Ｐ中間層
１０８Ａ リッジ部用ｐ型ＧａＡｓコンタクト層
１０６Ｂ テラス部用ｐ型（Ａｌ０.７Ｇａ０.３）０.５Ｉｎ０.５Ｐ第３クラッド層
１０７Ｂ テラス部用ｐ型Ｉｎ０.５Ｇａ０.５Ｐ中間層
１０８Ｂ テラス部用ｐ型ＧａＡｓコンタクト層
１１１ リッジ部
１１２ テラス部
１１３ 溝部
１２１ リッジ部埋め込み誘電体膜
１３１ ｐ側電極
１３４ ｎ側電極
１３５ Ａｕメッキ電極
１５５ Ｔｉメッキ保護膜
１５６ サイトップ保護膜
１５７ ＳｉＯ２埋め込み膜
２０１ 半導体基板
２０３ 半導体層群
２０４，２０５ 電極
２７１ 誘電体膜
２７５ ヒートシンク
２７６ はんだ
２７７ ワイヤー
２８１ 回り込みＡｌ２Ｏ３誘電体膜
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 n-type semiconductor substrate 3 Semiconductor layer group 4 N side electrode 5 P side electrode 5A Mo protective film removal area | region 7, 8, 17, 27, 37, 38, 47 Semiconductor laser bar 9 Semiconductor laser chip 61 Light emission end surface 51 Ti protective film 52 MgCl 2 Protective Film 53 Cytop Protective Film 54 Mo Protective Film 71 Al 2 O 3 Dielectric Film 81 Wrapping Al 2 O 3 Dielectric Film 81 A Light Emission End Face Near Part 81 B Mo Protective Film End Near Part 93 Ridge on ridge protective film 101 n-type GaAs substrate 102 n-type (Al 0.7 Ga 0.3) 0.5 In 0.5 P first cladding layer 103 quantum well active layer 104 p-type (Al 0.7 Ga 0.3) 0. 5 In 0.5 P second cladding layer 105 p-type In 0.5 Ga 0.5 P etching stop layer 106 p-type (Al 0.7 Ga 0.3 ) 0.5 In 0.5 P third cladding layer 107 p-type In 0.5 Ga 0.5 P intermediate layer 106A p-type for ridge portion (Al 0.7 Ga 0.3 ) 0.5 In 0.5 P third cladding layer 107A p-type In 0.5 Ga 0 for ridge portion .5 P intermediate layer 108A ridge portion for p-type GaAs contact layer 106B terrace portion for p-type (Al 0.7 Ga 0.3) 0.5 In 0.5 P third cladding layer 107B terrace portion for p-type In 0 .5 Ga 0.5 P intermediate layer 108B p-type GaAs contact layer for terrace portion 111 ridge portion 112 terrace portion 113 groove portion 121 ridge portion embedded dielectric film 131 p side electrode 134 n side electrode 135 Au plating electrode 155 Ti plating protective film 156 CYTOP protective film 157 SiO 2 burying layer 201 semiconductor substrate 203 a semiconductor layer group 204 electrode 271 dielectric film 275 heat sink 276 solder 277 Wa Ja 281 wraparound Al 2 O 3 dielectric film

Claims (8)

半導体レーザウエハのエピタキシャル成長面に電極を形成する工程と、
上記電極上に保護膜を形成する工程と、
上記電極及び上記保護膜が形成された上記半導体レーザウエハを一方向に沿って切断して、この切断による切断面を光出射端面とする半導体レーザバーを作製する工程と、
上記半導体レーザバーの上記光出射端面に誘電体膜を形成した後、上記保護膜を除去する工程と
を備え、
上記保護膜は、上記光出射端面に上記誘電体膜を残した状態で除去することが可能であることを特徴とする半導体レーザ素子の製造方法。 Forming an electrode on the epitaxial growth surface of the semiconductor laser wafer;
Forming a protective film on the electrode;
Cutting the semiconductor laser wafer on which the electrode and the protective film are formed along one direction, and manufacturing a semiconductor laser bar having a cut surface by the cutting as a light emitting end surface;
And a step of removing the protective film after forming a dielectric film on the light emitting end face of the semiconductor laser bar,
The method of manufacturing a semiconductor laser device, wherein the protective film can be removed with the dielectric film remaining on the light emitting end face. 請求項１に記載の半導体レーザ素子の製造方法において、
上記保護膜は、上記光出射端面に上記誘電体膜を残した状態でエッチングで除去することが可能な金属膜であることを特徴とする半導体レーザ素子の製造方法。 In the manufacturing method of the semiconductor laser device according to claim 1,
The method of manufacturing a semiconductor laser device, wherein the protective film is a metal film that can be removed by etching while leaving the dielectric film on the light emitting end face. 請求項１に記載の半導体レーザ素子の製造方法において、
上記保護膜が水溶性の膜であることを特徴とする半導体レーザ素子の製造方法。 In the manufacturing method of the semiconductor laser device according to claim 1,
A method of manufacturing a semiconductor laser device, wherein the protective film is a water-soluble film. 請求項１に記載の半導体レーザ素子の製造方法において、
上記保護膜が有機溶剤に溶解する膜であることを特徴とする半導体レーザ素子の製造方法。 In the manufacturing method of the semiconductor laser device according to claim 1,
A method of manufacturing a semiconductor laser device, wherein the protective film is a film dissolved in an organic solvent. 請求項１に記載の半導体レーザ素子の製造方法において、
上記保護膜は、上記切断面上に位置する幅１０μｍ以上の領域を除いて形成されていることを特徴とする半導体レーザ素子の製造方法。 In the manufacturing method of the semiconductor laser device according to claim 1,
The method of manufacturing a semiconductor laser device, wherein the protective film is formed excluding a region having a width of 10 μm or more located on the cut surface. 請求項１に記載の半導体レーザ素子の製造方法において、
上記保護膜は、メッキで形成された金属膜であり、
上記電極は、Ａｕを含むＡｕメッキ膜であることを特徴とする半導体レーザ素子の製造方法。 In the manufacturing method of the semiconductor laser device according to claim 1,
The protective film is a metal film formed by plating,
The method for manufacturing a semiconductor laser device, wherein the electrode is an Au plating film containing Au. 請求項１に記載の半導体レーザ素子の製造方法において、
上記半導体レーザバーが、リッジ部を有するリッジ導波路型半導体レーザ素子を含み、
上記リッジ部により上記電極に生じた凸部の高さよりも、上記保護膜の厚さが厚いことを特徴とする半導体レーザ素子の製造方法。 In the manufacturing method of the semiconductor laser device according to claim 1,
The semiconductor laser bar includes a ridge waveguide type semiconductor laser element having a ridge portion,
A method of manufacturing a semiconductor laser device, wherein the protective film is thicker than a height of a convex portion formed on the electrode by the ridge portion. 請求項１に記載の半導体レーザ素子の製造方法において、
上記保護膜上に、上記保護膜を残した状態で除去することが可能な埋め込み膜を形成する工程を備え、
上記半導体レーザバーが、リッジ部を有するリッジ導波路型半導体レーザ素子を含み、
上記リッジ部により上記電極に生じた凸部の高さよりも、上記埋め込み膜の厚さが厚いことを特徴とする半導体レーザ素子の製造方法。
In the manufacturing method of the semiconductor laser device according to claim 1,
Forming a buried film that can be removed on the protective film while leaving the protective film;
The semiconductor laser bar includes a ridge waveguide type semiconductor laser element having a ridge portion,
A method of manufacturing a semiconductor laser device, wherein the buried film is thicker than a height of a convex portion generated in the electrode by the ridge portion.
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