JP2007281079A - Optical constituent driving device, and substrate exposure apparatus - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、積層ピエゾアクチュエータ等の駆動手段を用いてレンズ等の光学要素を精密に駆動するための駆動機構に関するものである。更に具体的には、マスクアライナやステッパ等の半導体露光装置、あるいは液晶基板露光装置などで使用される投影光学系において、マスクあるいはレチクルと呼ばれる原版の像をウェハ等の基板に投影露光する際、より正確な結像関係を得るためにレンズやミラー等の光学要素を所望の方向に駆動するための光学要素駆動装置に関する。 The present invention relates to a driving mechanism for precisely driving an optical element such as a lens using a driving means such as a laminated piezoelectric actuator. More specifically, in a projection optical system used in a semiconductor aligner such as a mask aligner or a stepper, or a liquid crystal substrate exposure apparatus, an image of an original plate called a mask or a reticle is projected and exposed on a substrate such as a wafer. The present invention relates to an optical element driving device for driving an optical element such as a lens or a mirror in a desired direction in order to obtain a more accurate imaging relationship.
半導体露光装置は、数多くの異なる種類のパターンを有する原版(レチクル)をシリコンウェハ(基板)に転写する装置である。高集積度の回路を作成するためには、投影光学系の解像性能だけでなく重ね合せ精度の向上が不可欠である。 A semiconductor exposure apparatus is an apparatus for transferring an original (reticle) having many different types of patterns onto a silicon wafer (substrate). In order to create a highly integrated circuit, it is essential to improve not only the resolution performance of the projection optical system but also the overlay accuracy.
半導体露光装置における重ね合せ誤差はアライメント誤差、像歪み、および倍率誤差に分類される。アライメント誤差は、原版(レチクルあるいはマスク)と基板(ウェハ)との相対位置調整によって軽減される。一方、倍率誤差は、投影光学系の一部を光軸方向に移動させることによって調整可能である。光軸方向に移動させる際には、移動方向以外の他成分、とりわけ平行偏心、および傾き誤差が大きくならないようにしなければならない。また像歪みは、投影光学系の一部を意図的に平行偏心あるいは傾き偏心させることにより、調整可能である。そしてこれらの位置調整機構には、充分な調整範囲と、超高精度な位置決め能力の両立が求められる。 Overlay errors in a semiconductor exposure apparatus are classified into alignment errors, image distortions, and magnification errors. The alignment error is reduced by adjusting the relative position between the original (reticle or mask) and the substrate (wafer). On the other hand, the magnification error can be adjusted by moving a part of the projection optical system in the optical axis direction. When moving in the optical axis direction, it is necessary to prevent other components other than the moving direction, in particular parallel eccentricity and tilt error, from increasing. The image distortion can be adjusted by intentionally decentering a part of the projection optical system in parallel or tilt. These position adjustment mechanisms are required to have both a sufficient adjustment range and an extremely high precision positioning capability.
従来、半導体露光装置用の光学素子、あるいは一般的な機械装置の駆動機構としては、以下のような技術が開示されている。 Conventionally, the following techniques have been disclosed as drive elements for optical elements for semiconductor exposure apparatuses or general mechanical devices.
例えば特許文献1には、複数の光学素子からなる光学系において、2種類の位置調整装置を用いる技術が開示されている。具体的には、第1の位置調整機構は図13に開示されたごとく、所定の光学素子が操作部材によって所定方向に移動可能に保持される。また第2の位置調整機構は図2に開示されたごとく、他の光学素子がピエゾ素子からなるアクチュエータにより、所定方向に移動可能に保持される。そして、前記第1及び第2の位置調整機構はそれぞれ異なる場面で調整動作を行ない、例えば第2の位置調整機構は露光装置の稼動状態で動作する旨の記述がなされている。
For example,
また特許文献2には、投影光学系と該投影光学系により像が投影される平板状物体の光軸方向の相対位置を調整する機構において、上記物体を上記投影光学系の光軸方向に粗略に駆動する粗動手段と、微細に駆動する微動手段を備え、両手段の駆動量を適正に振り分ける技術が開示されている。具体的には、図3における要部断面図において、平板状物体であるウェハを光軸方向に駆動するZステージは、粗動手段としてのパルスモータで駆動される機構と、微動手段としてのピエゾアクチュエータで駆動される機構の2段構造となっている。すなわち、粗動機構と微動機構の出力変位が1対1で加算されてZステージの駆動量となる。また当機構には、Zステージの変位を検出するエアセンサと、微動機構の変位を検出する渦電流型位置センサが具備されており、図2に開示されたフローチャートに基づき、両センサの出力を用いて粗動機構と微動機構のストローク割り振りを最適化している。
In
また特許文献3には、半導体製造装置等に用いるステージ装置において、超音波モータで駆動する粗動ステージの上に、ピエゾアクチュエータで駆動する微動ステージを搭載し、大ストロークかつ高精度位置決めを可能とする技術が開示されている。そして当機構には、ベース基盤に対する微動ステージの位置を検出するための位置検出手段がベース基盤上に設けられる。すなわち該位置検出センサは、粗動機構と微動機構の両機構の合計変位を観測している。
しかしながら上述の公知技術には、以下のような欠点があった。 However, the above known techniques have the following drawbacks.
特許文献1において開示された駆動機構においては、第1の位置調整機構はアクチュエータを備えていないため、露光装置の稼動時には駆動することができない。よって、露光装置稼動時の光学性能最適化は、駆動ストロークの小さな第2の位置調整機構のみに頼らざるを得ず、最適化の自由度が少ない。
In the drive mechanism disclosed in
特許文献2において開示された駆動機構は、露光装置のウェハステージ駆動に好適な形態ではあるが、投影光学系の光学素子駆動に適した構造ではない。また、駆動制御方法も焦点調節用に最適化されたもので、露光装置の組み立て時及び稼動時に必要とされる光学素子の制御技術に関する開示はない。
The drive mechanism disclosed in
特許文献3において開示された駆動機構では、露光装置のウェハステージ駆動に好適な形態ではあるが、投影光学系の光学素子駆動に適した構造ではない。従って露光装置の組み立て時及び稼動時に必要とされる光学素子の制御技術に関する開示もない。また、微動ステージの位置制御に用いるセンサは1組のみのため、粗動機構と微動機構の駆動量割り振り最適化が困難である。
The drive mechanism disclosed in
上記の課題を解決するために、請求項1に記載の発明は、光学要素と、該光学要素を直進あるいはチルト駆動するために該光学要素に隣接して配置された複数組の駆動機構と、該駆動機構を保持するベース部材とを備えた光学要素駆動装置において、前記駆動機構は第1の駆動手段と、前記第1の駆動手段とは駆動ストローク及び駆動精度の異なる第2の駆動手段と、前記第1及び第2の駆動手段の駆動変位出力を合成する手段からなることを特徴とする。
In order to solve the above problems, the invention described in
上記構成によれば、駆動ストローク及び駆動精度の異なる2種類の駆動手段を用いることで、光学要素の駆動範囲を大きく、かつ駆動位置決めを高精度に行なうことができる。 According to the above configuration, by using two types of drive means having different drive strokes and drive accuracy, the drive range of the optical element can be increased and drive positioning can be performed with high accuracy.
また、請求項2に記載の発明は、前記第1の駆動手段はモータと、該モータの回転運動を直進運動に変換する直動手段を有することを特徴とする。
The invention according to
上記構成によれば、光学要素を大ストローク駆動できるとともに、モータ停止後にモータへの通電を遮断しても直動手段の自己保持機能により、光学要素を一定位置に保持可能である。 According to the above configuration, the optical element can be driven with a large stroke, and the optical element can be held at a fixed position by the self-holding function of the linear motion means even when the motor is turned off after the motor is stopped.
また、請求項3に記載の発明は、前記第2の駆動手段はピエゾアクチュエータを含むことを特徴とする。
The invention according to
上記構成によれば、光学要素を高速かつ高精度で位置決め制御可能な光学要素駆動装置を提供できる。 According to the above configuration, it is possible to provide an optical element driving device that can position and control an optical element at high speed and with high accuracy.
また、請求項4に記載の発明は、前記駆動機構は、前記第1の駆動手段の出力変位を検出する第1の位置検出手段と、前記ベース部材に対する前記光学要素の変位を検出する第2の位置検出手段の出力に基づいて制御されることを特徴とする。 According to a fourth aspect of the present invention, the drive mechanism includes a first position detection unit that detects an output displacement of the first drive unit, and a second that detects a displacement of the optical element with respect to the base member. It is controlled based on the output of the position detecting means.
上記構成によれば、第1の駆動手段を用いて光学要素を広範囲に高速で制御できるとともに、第2の駆動手段を用いて光学要素を高精度で位置決め可能である。 According to the above configuration, the optical element can be controlled over a wide range at high speed using the first driving means, and the optical element can be positioned with high accuracy using the second driving means.
また、請求項5に記載の発明は、前記第1あるいは第2の駆動手段を駆動制御する場合に、一方の駆動手段を駆動する際は他方の駆動手段の出力変位が実質上一定となるように制御することを特徴とする。 According to a fifth aspect of the present invention, when driving the first or second driving unit, when driving one driving unit, the output displacement of the other driving unit is substantially constant. It is characterized by controlling to.
上記構成によれば、各駆動手段を駆動する際の位置検出センサへの干渉が防止でき、正確な駆動制御が可能となる。 According to the above configuration, interference with the position detection sensor when driving each driving unit can be prevented, and accurate drive control can be performed.
また、請求項6に記載の発明は、基板露光装置であって、前記光学要素駆動装置を含む投影光学系と、照明手段と、マスク保持手段と、感光性基板保持手段とを有し、前記光学要素駆動装置の駆動により、前記投影光学系による前記マスクと前記感光性基板の投影関係を調節することを特徴とする。 The invention according to claim 6 is a substrate exposure apparatus, comprising a projection optical system including the optical element driving device, an illumination unit, a mask holding unit, and a photosensitive substrate holding unit, The projection relationship between the mask and the photosensitive substrate by the projection optical system is adjusted by driving an optical element driving device.
上記構成によれば、投影光学系の投影条件や設置場所の環境条件が大きく変わっても常に良好な結像性能を得て、高品質な基板を短時間で大量に製造する基板露光装置を提供できる。 According to the above configuration, there is provided a substrate exposure apparatus that always obtains good imaging performance even when the projection conditions of the projection optical system and the environmental conditions of the installation location greatly change, and manufactures a high-quality substrate in a large amount in a short time. it can.
以上の実施例によると、レンズ等の光学要素を駆動する機構を、モータと直動機構からなる粗動機構と、ピエゾアクチュエータからなる微動機構とで構成し、両機構の出力変位を所定の比率で加算した出力にて光学要素を駆動することで、
(1)光学要素を大きく駆動する際は粗動機構、正確に駆動する際は微動機構を用いることで、光学要素及びこれを保持する各部材の製造誤差が大きくとも確実に所定の位置に調整できるとともに、位置決め調整精度を非常に高めることができる。
という効果がある。また、モータの出力変位をモータ近傍に配置されたエンコーダに基づいて制御することで、
(2)粗動機構駆動時の制御が簡便になり、大きな駆動量を必要とする粗動駆動工程の時間が短縮化される。
という効果がある。また、ピエゾアクチュエータによる微動機構駆動時は、光学要素の変位を検出する手段の出力に基づいて制御することで、
(3)最終的な被駆動対象である光学要素の位置に基づいて制御するため、制御誤差を低減でき、高精度制御が可能となる。
という効果がある。また、モータ駆動時は、ピエゾアクチュエータへの通電を遮断するか一定電圧印加とすることで、ピエゾが実質上固定制御される。またピエゾアクチュエータ駆動時は、モータ駆動を行なわず、モータは実質上固定制御される。よって、
(4)位置検出センサの個数を増やすことなく、各アクチュエータを正確に駆動制御することができる。
という効果がある。また、これらの機構を半導体露光装置等に適用することで、
(5)大ストロークの粗動機構を備えるので、光学要素やこれを保持する部材の製造誤差が大きくとも、確実に光学要素を所望の位置に調整でき、投影光学系の組立て調整能率を向上させることができる。
According to the above embodiment, the mechanism for driving the optical element such as the lens is constituted by the coarse movement mechanism including the motor and the linear movement mechanism and the fine movement mechanism including the piezo actuator, and the output displacement of both mechanisms is set to a predetermined ratio. By driving the optical element with the output added in,
(1) By using a coarse movement mechanism when driving the optical element largely and using a fine movement mechanism when driving the optical element accurately, the optical element and each member holding the optical element are reliably adjusted to a predetermined position even if there is a large manufacturing error. In addition, the positioning adjustment accuracy can be greatly increased.
There is an effect. In addition, by controlling the output displacement of the motor based on an encoder arranged in the vicinity of the motor,
(2) Control during driving of the coarse movement mechanism is simplified, and the time of the coarse movement drive process requiring a large drive amount is shortened.
There is an effect. In addition, when driving the fine movement mechanism by the piezo actuator, by controlling based on the output of the means for detecting the displacement of the optical element,
(3) Since control is performed based on the position of the optical element that is the final driven object, the control error can be reduced, and high-precision control is possible.
There is an effect. When the motor is driven, the piezo is substantially fixed and controlled by cutting off the energization to the piezo actuator or applying a constant voltage. When the piezo actuator is driven, the motor is not driven and the motor is substantially fixedly controlled. Therefore,
(4) Each actuator can be accurately driven and controlled without increasing the number of position detection sensors.
There is an effect. In addition, by applying these mechanisms to semiconductor exposure equipment, etc.,
(5) Since a large stroke coarse movement mechanism is provided, the optical element can be reliably adjusted to a desired position even if there is a large manufacturing error of the optical element or a member for holding the optical element, thereby improving the assembly adjustment efficiency of the projection optical system. be able to.
(6)高精度かつ高速応答性の微動機構を備えるので、投影光学系の稼動時に光学性能が変化しても、この変化をリアルタイムで補正することができ、常に安定した結像性能を得て基板の品質を安定させることができる。
という効果がある。
(6) Since a fine movement mechanism with high accuracy and high speed response is provided, even if the optical performance changes during operation of the projection optical system, this change can be corrected in real time, and stable imaging performance can always be obtained. The quality of the substrate can be stabilized.
There is an effect.
次に、本発明の詳細を実施例の記述に従って説明する。 Next, details of the present invention will be described in accordance with the description of the embodiments.
図1ないし図14は、本発明の実施例に係わる図である。 1 to 14 are diagrams according to an embodiment of the present invention.
図2は、本発明が適用される半導体露光装置の概略構成を示す図である。該装置は、スリット照明下でレチクルをスキャン駆動し、これに同期して半導体ウェハをスキャン駆動しながら露光動作を行なう、スキャナ式露光装置である。同図において、1は本発明の光学要素駆動装置を搭載した投影光学系で、投影用光学要素として所定の光学パワーを有したレンズ、該レンズの駆動機構、及びこれらを収納する固定鏡筒で構成されたものを個々のレンズユニットとし、複数のレンズユニットが積層されて1本の投影光学系を構成する。
FIG. 2 is a view showing a schematic configuration of a semiconductor exposure apparatus to which the present invention is applied. This apparatus is a scanner type exposure apparatus that scans a reticle under slit illumination and performs an exposure operation while scanning a semiconductor wafer in synchronization with the reticle. In the figure,
11は半導体露光装置本体、13は前記投影光学系1を該本体11に固定するための鏡筒マウントで、設置地面の振動が投影光学系1に伝達しないよう、本体1と鏡筒マウント13はダンパ手段12を介して締結される。
14は感光剤が塗布された半導体ウェハ、15は該ウェハを保持するウェハステージである。該ウェハステージはウェハ14の光軸方向の位置調整、すなわちフォーカス調整を行なうとともに、前記レチクルステージ6のスキャン動作に同期してウェハを光軸と直交する方向にスキャン制御する。16は球面ミラーで、投影光学系1の光学収差を計測する際に用いられる。
21は半導体回路パターンの原版となるレチクル、22は該レチクルをスキャン駆動するレチクルステージ、23は該レチクルステージ6を前記鏡筒マウント13に固定するためのレチクル架台である。
Reference numeral 21 denotes a reticle serving as an original plate of a semiconductor circuit pattern, 22 denotes a reticle stage for scanning the reticle, and 23 denotes a reticle mount for fixing the reticle stage 6 to the
31は照明ユニットで、レーザ光源ユニット32、前記レチクル21を照明する際に用いられる露光用照明手段33、後述する収差計測工程の際に用いられる収差計測用照明手段34、照明光路切り換えミラー35より構成される。 An illumination unit 31 includes a laser light source unit 32, an exposure illumination unit 33 used when illuminating the reticle 21, an aberration measurement illumination unit 34 used in an aberration measurement process described later, and an illumination optical path switching mirror 35. Composed.
41は干渉計、42は全反射ミラー、43はハーフミラー、44はコリメータレンズである。これら41ないし44の部材は、投影光学系1の光学収差を計測する際に用いられる。また、ハーフミラー43及びコリメータレンズ44は前記レチクルステージ22に搭載され、投影光学系の光束入射部に対して進退可能に構成されている。
41 is an interferometer, 42 is a total reflection mirror, 43 is a half mirror, and 44 is a collimator lens. These members 41 to 44 are used when measuring the optical aberration of the projection
71はレンズ制御手段で、所定の制御フローに従って本発明の光学要素駆動装置を制御する。具体的には、投影光学系1の組立て調整時、半導体露光装置が納入先に設置された際の光学系微調整、及び半導体露光装置稼動中の光学収差最適化のために、あらかじめ記憶されたプログラムに基づいて所定のレンズを調整駆動することで、投影光学系1の光学性能を最適化する。
Reference numeral 71 denotes lens control means for controlling the optical element driving device of the present invention in accordance with a predetermined control flow. Specifically, when assembling and adjusting the projection
図3は本発明の駆動機構を複数個搭載して、レンズを所望の方向に駆動可能な光学要素駆動装置を示した図である。同図(a)はレンズ及びレンズ枠を取り除いた平面図、同図(b)はレンズ及びレンズ枠を搭載した平面図、同図(c)は同図(b)におけるA−A断面図である。同図(a)及び(c)において、101は固定鏡筒で、後述する駆動機構及びレンズ位置検出手段を固定する平坦部と、上下に隣接する他のレンズユニットと結合するための側壁円筒部を有する。110は本発明の駆動機構で、同一の駆動機構3組が固定鏡筒101の底面平坦部に設置される。731はレンズ枠104の光軸方向変位及び光軸と直交する半径方向変位を検出するレンズ位置検出手段で、半導体レーザを用いた干渉型測長器が好適に用いられる。
FIG. 3 is a view showing an optical element driving device which is equipped with a plurality of driving mechanisms of the present invention and can drive a lens in a desired direction. 4A is a plan view with the lens and the lens frame removed, FIG. 4B is a plan view with the lens and the lens frame mounted, and FIG. 3C is a cross-sectional view taken along the line AA in FIG. is there. In FIGS. 1A and 1C,
同図(b)は同図(a)の構造体にレンズとレンズ枠を搭載した状態を示した図で、レンズ103を収納するレンズ枠104は上面にフランジ部が設けられ、該フランジ部が前記3組の駆動機構110の変位出力部にレンズ枠取付ネジ105を用いて締結される。また該フランジ部には、120度間隔の3箇所において更に外側に延出した突起が設けられ、レンズ枠変位検出用のターゲットミラーを設置する部材として利用される。その構造を同図(a)及び(c)で説明する。
FIG. 6B is a view showing a state in which a lens and a lens frame are mounted on the structure of FIG. 6A. The lens frame 104 that houses the
レンズ位置検出手段731は、レンズ103の光軸方向(Z軸方向)に検出用レーザビームを投射するZ変位検出センサ732と、レンズ103の半径方向に検出用レーザビームを投射する横変位検出センサ734とを備える。一方レンズ枠104のフランジ延出部下面にはZ変位検出ターゲット735が固定され、Z変位検出センサ732から射出したレーザビームを反射して該センサ732に戻す。同様にレンズ枠104の円筒部外側には横変位検出ターゲット736が固定され、横変位検出センサ734から射出したレーザビームを反射して該センサ734に戻す。すると、各センサは反射して戻って来たレーザ光の干渉情報から、対向する各ターゲットまでの変位を検出し、出力する。
The lens position detection unit 731 includes a Z
以上の構成において、3組の駆動機構110を等量だけ駆動するとレンズ103を光軸方向、すなわち同図(c)に示したZ軸方向に並進駆動することができる。また3組の駆動機構の駆動量に所定の差を設けることで、同図(b)に示したθa及びθb方向のチルト駆動が可能である。この際、前記3個のZ変位検出センサ732の出力に所定の座標変換を施し、その結果をフィードバックすることで、レンズ103のZ方向並進量及びチルト駆動量を正確に制御できる。また、前記3個の横変位検出センサ734の出力をモニタすることで、レンズ103の光軸に直交した平面内での平行偏心に伴う像のシフト量を計算する。そして該計算結果を、図2に示したウェハステージの駆動量に加味することで、レンズ偏心に伴うレチクル像のアライメント誤差を解消する。
In the above configuration, when the three sets of
図1は本発明の駆動機構詳細図で、図3に示した駆動機構100の詳細構造を示したものである。同図(a)はレンズ103の光軸方向上方から俯瞰した平面図で、X軸及びY軸を図示のように定義する。同図(b)はレンズ103の中心から見た側面図で、X軸及びZ軸を図示のように定義する。
FIG. 1 is a detailed view of the drive mechanism of the present invention, and shows the detailed structure of the
まず、駆動機構110を構成する各部材について説明する。111は変位拡大部材で、単一の金属ブロックからワイヤ放電加工及び切削加工にて形成された、弾性ヒンジとリンクからなるリンク機構である。112は微動用駆動手段としての積層型ピエゾアクチュエータで、電歪素子と電極が交互に積層された駆動源が密閉型円筒容器内に封入され、X軸方向の全長が印加電圧に略比例して増加する。113はピエゾアクチュエータ112を前記変位拡大部材111に取り付けるためのピエゾ取り付けネジである。114は粗動用駆動手段としてのモータ駆動機構で、超音波モータからなるモータ本体114m、モータの回転運動を直進運動に変換する直動機構としてのボールネジ部114a、前記ボールネジによりX軸方向に変位する出力部114b、前記モータの回転量を検出するエンコーダ114eからなる。
First, each member constituting the
115は方向変換部材で、単一の金属ブロックからワイヤ放電加工及び切削加工にて形成された、弾性ヒンジとリンクからなるリンク機構である。該方向変換部材115は前記ピエゾアクチュエータ112とモータ駆動機構の合成出力変位をZ軸方向に変換する。116は剛体部結合ネジで、変位拡大部材111と方向変換部材115の剛体部同士を結合するネジである。117は出力部結合ネジで、変位拡大部材111の出力端部111jと、方向変換部材115の水平リンク115aを結合する。以上の111ないし117の各部材により、駆動機構110が構成される。
118は駆動機構固定ネジで、駆動機構110を固定鏡筒101に対して固定する。
A driving
次に駆動機構110の組立手順を説明する。
Next, the assembly procedure of the
まず変位拡大部材111と方向変換部材115の剛体部両端を組み合わせ、2本の剛体部結合ネジ116で両部材を結合する。ついで、変位拡大部材111の出力端部111jと方向変換部材115の水平リンク115aを、2本の出力部結合ネジ117で結合する。この際、該結合動作の障害にならないよう、変位拡大部材111にはネジ逃げ穴111m及び111kが、方向変換部材115にもネジ逃げ穴115kが予め設けられている。
First, both ends of the rigid body portion of the
次にピエゾアクチュエータ112を変位拡大部材111の中央部に挿入し、ピエゾアクチュエータ112の左端とピエゾ受け部111bを不図示のネジあるいはレーザ溶接にて結合する。ついでピエゾ受け部111fのネジ穴にピエゾ取り付けネジ113を装着し、ピエゾアクチュエータ112の右端を押圧し固定する。この際、該ネジ113の装着動作の障害にならないよう、変位拡大部材111にはネジ逃げ穴111u及び111vが予め設けられている。
Next, the
次にモータ駆動機構114を変位拡大部材111の中央部に挿入し、モータ駆動機構114の左端とモータ固定部111cを不図示のネジあるいはレーザ溶接にて結合する。ついでモータ駆動機構の出力部114bとモータ出力伝達部111dを不図示のネジあるいはレーザ溶接にて結合する。以上で駆動機構110の組立てが完了する。
Next, the motor drive mechanism 114 is inserted into the central portion of the
次に駆動機構110の詳細構造と動作原理について説明する。まず、モータ駆動機構114のモータ本体114mを所定方に回転させると、出力部114bは図1(a)においてX軸方向左側に繰り込まれる。するとモータ出力伝達部111dも一緒に変位し、その結果変位合成リンク111eは弾性ヒンジH21を中心に反時計方向に微小角度回動する。すると該リンク111eに対してヒンジ結合されたピエゾ受け部111fも左方向に微小量変位し、その結果ピエゾ取り付けネジ113を介してピエゾアクチュエータ112全体が左方向に移動する。
Next, the detailed structure and operation principle of the
次いでピエゾアクチュエータ112に所定の電圧を印加して所定量の伸びを発生させる。よってピエゾアクチュエータ112の左端の変位量は、前述したモータ駆動機構114による変位量とピエゾアクチュエータ112自身の伸張量の合計値となり、ピエゾ受け部111bは該合計変位量だけ左方向に移動する。すると該受け部111bに対してヒンジ結合された変位取り出しリンク111aは、弾性ヒンジH31を中心に時計方向に微小角度回動する。その結果、出力部111jは左方向に所定量変位する。
Next, a predetermined voltage is applied to the
すると、該出力部111jに結合された水平リンク115aも、図1(b)において同量だけX軸方向左側に移動する。ここで水平リンク115aは、2本のサポートリンク115s及び115tを介して、方向変換部材115の底部115wに対してヒンジ結合されている。よって、水平リンク115はX軸方向の運動のみが許容され、Y軸方向及びZ軸方向の運動が規制される。また、水平リンク115aの上面とレンズ枠駆動リンク115gの下面は、X軸に対して略45度方向に延伸した方向変換リンク115c及び115dを介してヒンジ結合されている。よって水平リンク115aが左方向に変位すると、方向変換リンク115c及び115dは時計方向に旋回し、レンズ枠駆動リンク115gをZ軸方向上方に押し上げる。ここでレンズ枠駆動リンク115gは、2本のサポートリンク115e及び115fを介して、方向変換部材の両側剛体部にヒンジ結合されている。よって、レンズ枠駆動リンク115gはZ軸方向の運動のみが許容され、X軸方向及びY軸方向の運動が規制される。
Then, the
図4は上述した駆動機構110のリンク動作を説明するための図で、図4(a)は図1(a)の平面図を模式化したもの、図4(b)は図1(b)の側面図を模式化したものである。図4において、図1に該当する部材は同一の符号にて示されている。まずは図4(a)を用いて変位拡大部材111のリンク機構の駆動量について詳しく説明する。
4A and 4B are diagrams for explaining the link operation of the
モータ駆動機構114を駆動して出力部114bをdMだけ左方向に駆動させると、モータ出力伝達部111dの変位量dX1は、
dX1=dM …(式1)
となり、変位合成リンク111eは弾性ヒンジH21を中心に反時計方向に所定角度回動し、ピエゾ受け部111fは左方向にdX2だけ変位する。この際、弾性ヒンジH21とH23の間隔と、H21とH22の間隔の比が3対1に設定されているので、ピエゾ受け部111fの変位量は3分の1に縮小される。すなわち、
dX2=(1/3)*dM …(式2)
となる。
When the motor drive mechanism 114 is driven to drive the
dX1 = dM (Formula 1)
Thus, the displacement combining link 111e rotates by a predetermined angle counterclockwise around the elastic hinge H21, and the piezo receiving
dX2 = (1/3) * dM (Formula 2)
It becomes.
次に、ピエゾアクチュエータ112に所定電圧を印加した際の伸張量をdPとする。すると、ピエゾ受け部111bの変位量dX3は、
dX3=dX2+dP=(1/3)*dM+dP …(式3)
となる。このピエゾ受け部111bの変位に伴って、変位取り出しリンク111aは、弾性ヒンジH31を中心に時計方向に所定角度回動する。その結果、出力部111jは左方向に所定量変位する。この際、弾性ヒンジH31とH32の間隔と、H31とH33の間隔の比が1対2に設定されているので、出力端部111jの変位量dX4は2倍に拡大される。すなわち、
dX4=2*dX3=2*{(1/3)*dM+dP} …(式4)
となる。
Next, an extension amount when a predetermined voltage is applied to the
dX3 = dX2 + dP = (1/3) * dM + dP (Formula 3)
It becomes. With the displacement of the piezo receiving
dX4 = 2 * dX3 = 2 * {(1/3) * dM + dP} (Formula 4)
It becomes.
次に図4(b)を用いて方向変換部材115のリンク機構の駆動量について説明する。前述の出力端部111jの変位量dX4は等倍で水平リンク115aに伝達される。そして水平リンク115aとレンズ枠駆動リンク115gを連結する方向変換リンク115c及び115dは、X軸方向に対して略45度方向に延伸しているため、レンズ枠駆動リンク115gのZ方向変位量dZはdX4とほぼ等しい。すなわち、
dZ=dX4=2*dX3=2*{(1/3)*dM+dP} …(式5)
となる。
Next, the drive amount of the link mechanism of the
dZ = dX4 = 2 * dX3 = 2 * {(1/3) * dM + dP} (Formula 5)
It becomes.
以上のごとく、変位拡大部材111により、粗動機構の変位量と微動機構の変位量を所定の比率にて加算し、加算された変位を更に所定の比率で拡大する。その後、方向変換部材115を用いて前記加算された変位を所望の方向に変換する。そしてこのような駆動機構を光学要素の近傍に複数配置することで、光学要素を所望の姿勢に駆動制御する。この際、各リンクの長さや弾性ヒンジの位置を所望の値に設定することにより、粗動機構と微動機構の変位加算割合を所望の値に調節できる。
As described above, the
図5は図2に示した半導体露光装置の露光動作やレンズ駆動動作を制御するための制御回路図である。81は露光装置全体の動作を制御する本体制御手段、811はその中心となる本体CPUである。812は鏡筒マウント13の除振動作を制御するマウント制御手段、814は照明ユニット31の照明モードや光量を制御する照明制御手段、816はレチクルステージ22の駆動制御を行なうレチクルステージ制御手段、818はウェハステージ15の駆動制御を行なうウェハステージ制御手段、820は干渉計41の計測制御を行なう干渉計制御手段である。
FIG. 5 is a control circuit diagram for controlling the exposure operation and lens driving operation of the semiconductor exposure apparatus shown in FIG. Reference numeral 81 denotes a main body control means for controlling the operation of the entire exposure apparatus, and 811 denotes a main body CPU as the center. 812 is a mount control means for controlling the vibration isolation operation of the
71はレンズ制御手段で、複数のレンズCPU711を有し、図3に示した1組の光学要素駆動装置には1個のレンズCPUが対で設けられる。すなわち、投影光学系1に内蔵された光学要素駆動装置の個数と同一個数のレンズCPUが設けられる。そして各レンズCPU711には、3組のZ機構制御手段721が接続され、各制御手段は図3に示した3組の駆動機構110を駆動制御する。そしてZ機構制御手段には、ピエゾドライバ722が内蔵され、図1で説明したピエゾアクチュエータ112を駆動する。また、Z機構制御手段721にはモータドライバ724とモータエンコーダ114eも内蔵され、図1で説明したモータ本体114mの駆動量を制御する。
Reference numeral 71 denotes lens control means, which has a plurality of lens CPUs 711, and a pair of lens CPUs is provided in a pair of optical element driving devices shown in FIG. That is, the same number of lens CPUs as the number of optical element driving devices incorporated in the projection
731は図3(a)で説明したレンズ位置検出手段で、Z変位検出センサ732と横変位検出センサ734とを有する。そしてレンズ位置検出手段731は、ひとつのレンズCPU711に対して同一のものが3組備えられる。
Reference numeral 731 denotes the lens position detection unit described with reference to FIG. 3A, and includes a Z
そして、投影光学系1に光学要素駆動装置が複数組内蔵される場合は、上述のレンズCPU711とそれに付随するZ機構制御手段及びレンズ位置検出手段も同一組数分が備えられ、各レンズCPU711は本体CPU811と通信して、所定のプログラムに基づいて各レンズを駆動制御する。
When a plurality of sets of optical element driving devices are incorporated in the projection
図6は、1組の光学要素駆動装置の制御ブロック図である。レンズ目標位置演算ブロックB1では、レンズ103のZ方向駆動座標、例えばレンズ第一面の頂点の光軸方向における駆動目標位置Z0in、及び図3(b)に記したθa、θbの2方向チルト角目標値θain、θbinを算出し、その結果を加算点P1を経由して次の座標変換ブロックB2に入力する。
FIG. 6 is a control block diagram of a set of optical element driving devices. In the lens target position calculation block B1, the Z-direction drive coordinates of the
座標変換ブロックB2では、前記目標位置Z0in、θain、θbinを3組の駆動機構110のZ方向駆動目標値Z1in、Z2in、Z3inに変換する。ここでZ1inないしZ3inは、粗動アクチュエータと微動アクチュエータの駆動量の合計値、すなわち図4(b)のdZに相当する。駆動量分割ブロックB3では、前記値Z1in、Z2in、Z3inをそれぞれ粗動アクチュエータの駆動目標値と微動アクチュエータの駆動目標値に分割する。例えば所定の駆動機構110の駆動目標値がZ1の場合、Z1を実現するためのモータ本体114mの駆動量Z1mと、ピエゾアクチュエータ112の駆動目標値Z1pを演算する。するとモータドライバ724は該目標値Z1mに基づいて、エンコーダ114eの出力をモニタしながらモータ114mを駆動制御する。すなわち本実施例においては、モータ制御部分はモータの回転量をエンコーダでモニタして制御するマイナーループが構成される。
In the coordinate conversion block B2, the target positions Z0in, θain, and θbin are converted into Z-direction drive target values Z1in, Z2in, and Z3in of the three sets of
モータ駆動完了後、ピエゾドライバ724は該目標値Z1pに基づいて、所定電圧をピエゾアクチュエータ112に印加すると、ピエゾアクチュエータ112は所定量伸張する。以上の制御により粗動アクチュエータと微動アクチュエータの駆動が行なわれたので、両アクチュエータの駆動変位は図4で説明した駆動機構110のリンク機構により所定の割合にて加算され、Z方向にZ1outの変位を生じる。そして同様に残り2組の駆動機構もZ方向の変位Z2out、Z3outを発生させ、レンズ枠104は所定位置へ駆動される。
After the motor drive is completed, when the
次いで、座標変換ブロックB4は、レンズ枠104の位置を観測する3個のZ変位検出センサの出力h1ないしh3と、3個の横変位検出センサの出力s1ないしs3を入力し、所定の座標変換を施してレンズ103の駆動到達位置Z0out、θaout、θboutを出力する。次いでこの出力結果を加算点P1に反転入力することで、前記目標値Z0in、θain、θbinとの差分、すなわち駆動誤差成分が改めて座標変換ブロックB2に入力される。そして該誤差成分を解消するようにピエゾアクチュエータ112を再駆動することで、駆動誤差の低減を図り、レンズ103の高精度な位置制御が可能となる。
Next, the coordinate conversion block B4 inputs the outputs h1 to h3 of the three Z displacement detection sensors that observe the position of the lens frame 104 and the outputs s1 to s3 of the three lateral displacement detection sensors, and performs a predetermined coordinate conversion. And the driving arrival positions Z0out, θaout, and θbout of the
図7は、図3に示した光学要素駆動装置のユニット検査ルーチンのフローチャートである。また図8は該検査フロー実行時のタイミングチャートで、横軸は時刻あるいは検査プロセス、縦軸は駆動機構110のZ方向変位換算での粗動機構と微動機構の出力変位である。当実施例においては、粗動機構であるモータ駆動機構114のZ方向換算での最大変位(ストローク)を150μm、微動機構であるピエゾアクチュエータ112のZ方向換算での最大変位(ストローク)を50μm、両機構の合計変位を200μmとしている。以下に図8を用いながら、該ユニットの検査フローを説明する。なお、当検査は駆動機構110及びレンズ位置検出手段731の故障検知を目的としているため、図3の固定鏡筒101は検査台に設置し、制御回路は図5に示した回路と同等の機能を有する検査用駆動制御回路を用いる。
FIG. 7 is a flowchart of a unit inspection routine of the optical element driving device shown in FIG. FIG. 8 is a timing chart at the time of execution of the inspection flow. The horizontal axis represents time or the inspection process, and the vertical axis represents the output displacement of the coarse movement mechanism and the fine movement mechanism in terms of displacement in the Z direction of the
ステップS101よりフローを開始してステップS103では、3組の駆動機構110が内蔵するモータ114mをエンコーダ114eの出力に基づいて、同時に最大変位まで駆動し、その後初期位置に戻す往復駆動を行なう。図8のタイミングチャートでは、時刻t11からt12の動作に相当する。ステップS105では、前記モータ114mの往復駆動動作が正常に完了したか否かの判定を行なう。そして当ステップでの判定がNOであれば、モータあるいはエンコーダが故障しているので、ステップS107にジャンプして所定の故障解析プログラムを実行する。具体的には、異常が生じたモータのみ再駆動する等の検査を行ない、ステップS129にジャンプして検査結果の表示を行ない、ステップS131にて検査ルーチンを終了する。
The flow is started from step S101, and in step S103, the
ステップS105の判定結果が正常であれば、ステップS109に移行してZ変位検出センサ732の出力を判定し、レンズ枠104の駆動量が規定値どおりであったか否かの判定を行なう。そして当ステップでの判定がNOであれば、Z変位検出センサ732が故障している可能性があるので、ステップS111にジャンプして所定の故障解析プログラムを実行する。具体的には、3組の駆動機構に異なる駆動変位を与え、レンズ枠104をチルト駆動させてZ変位検出センサ732の出力を再検査する。その後ステップS129にジャンプして検査結果の表示を行ない、ステップS131にて検査ルーチンを終了する。
If the determination result in step S105 is normal, the process proceeds to step S109, where the output of the Z
ステップS109の判定結果が正常であれば、ステップS113に移行して、3組の駆動機構110が内蔵するピエゾアクチュエータ112を同時に最大変位まで駆動し、その後初期位置に戻す往復駆動を行なう。図8のタイミングチャートでは、時刻t12からt13の動作に相当する。そしてステップS115にてZ変位検出センサ732の出力を判定し、レンズ枠104の駆動量が規定値どおりであったか否かの判定を行なう。そして当ステップでの判定がNOであれば、ピエゾアクチュエータ112が故障している可能性があるので、ステップS117にジャンプして所定の故障解析プログラムを実行する。具体的には、3組の駆動機構に異なる駆動変位を与え、レンズ枠104をチルト駆動させてZ変位検出センサ732の出力を再検査する。その後ステップS129にジャンプして検査結果の表示を行ない、ステップS131にて検査ルーチンを終了する。
If the determination result in step S109 is normal, the process proceeds to step S113, and the
ステップS115の判定結果が正常であれば、ステップS119に移行して、3組の駆動機構110が内蔵するモータ114mを同時に最大変位まで駆動し、ステップS121では3個のピエゾアクチュエータ112を同時に最大変位まで駆動し、その後初期位置に戻す往復駆動を行なう。そしてステップS123にて、3個のモータ114mを基底状態すなわち初期位置に復帰させる。以上のステップは、図8のタイミングチャートでは時刻t13からt14の動作に相当し、レンズ枠104を駆動範囲の下限と上限の間、すなわちフルストロークで往復動作させることになる。そしてステップS125にてZ変位検出センサ732の出力を判定し、レンズ枠104の駆動量が規定値どおりであったか否かの判定を行なう。そして当ステップでの判定がNOであれば、レンズ枠104の移動経路に障害物が存在するか、駆動機構110内に異物が入り込んで動作を阻害している可能性があるので、ステップS127にジャンプして所定の故障解析プログラムを実行する。具体的には、3組の駆動機構のうち、異常と思われる機構に最大変位を与え、レンズ枠104を大きくチルト駆動させてZ変位検出センサ732の出力を再検査する。その後ステップS129にジャンプして検査結果の表示を行ない、ステップS131にて検査ルーチンを終了する。
If the determination result in step S115 is normal, the process proceeds to step S119, and the
ステップS125の判定結果が正常であれば、当光学素子駆動機構は正常に動作することが確認できたので、ステップS129に移行して正常終了する旨を表示し、ステップS131にて検査ルーチンを終了する。 If the determination result in step S125 is normal, it can be confirmed that the optical element driving mechanism operates normally. Therefore, the process shifts to step S129 to display that the operation ends normally, and the inspection routine is ended in step S131. To do.
次に、半導体露光装置の投影光学系1を組立て、該光学系1の光学性能、例えば波面収差の諸成分が最小になるように該光学系を調整する工程を説明する。
Next, a process of assembling the projection
図9は図2に示した半導体露光装置において、投影光学系の調整を行なう場合の配置を示す図である。図2に示したウェハ露光モードに対して、以下の手順で所定の部材を移動させる。 FIG. 9 is a view showing an arrangement when adjusting the projection optical system in the semiconductor exposure apparatus shown in FIG. With respect to the wafer exposure mode shown in FIG. 2, a predetermined member is moved in the following procedure.
まず、レーザ光源ユニット32から射出するレーザ光の光路から、光路切り換えミラー35を右方向に退避させ、該レーザ光を収差計測用照明手段34に入射させる。また、レチクルステージ22を駆動し、投影光学系1の光軸上よりレチクル21を右方向に退避させ、代わりに全反射ミラー42とコリメータレンズ44を前記光軸上に進入させる。更に、ウェハステージ15を駆動し、投影光学系1の光軸上よりウェハ14を右方向に退避させ、代わりに球面ミラー16を前記光軸上に進入させる。以上で収差測定準備が完了したので、次に収差測定原理を説明する。
First, the optical path switching mirror 35 is retracted to the right from the optical path of the laser light emitted from the laser light source unit 32, and the laser light is incident on the aberration measurement illumination means 34. Further, the reticle stage 22 is driven, the reticle 21 is retracted to the right from the optical axis of the projection
レーザ光源ユニット32から射出したレーザ光は収差計測用照明手段34に入射し、所定の波形調整が施されて平行光束となったのち、ハーフミラー43に到達する。そしてハーフミラー43の表面で反射した光束は右方向に進み、全反射ミラー42で下方向に折り返されてコリメータレンズ44に入射する。コリメータレンズは該レーザ光束をレチクル面と等価な面、すなわち投影光学系1の予定物体面に集光させ、その後レーザ光は投影光学系の第1面から内部に入射する。投影光学系の各レンズを透過した光束は該光学系の最終面から射出し、ウェハ面と等価な面、すなわち予定結像面に集光し、その後発散して球面ミラー16に到達する。ここで、球面ミラー16の曲率中心は投影光学系1の予定結像面と一致しているので、該ミラーで反射した光束は往路と同一の経路をたどる。すなわち、投影光学系の最終面から入射して第1面から射出し、コリメータレンズ44を通過して平行光束となり、全反射ミラー42を介してハーフミラー43に到達する。そしてハーフミラー43を通過して干渉計41に入射し、該光束の干渉信号を得る。ここで、コリメータレンズ44と球面ミラー16が実質的に無収差光学系であると、干渉計41に入射した光束には投影光学系1の収差情報が含まれる。そこで、干渉計41で収差を解析し、例えばZernike各項を演算することで、投影光学系1を構成する各レンズの理想位置からの偏差量を求めることができる。このような干渉計の構造は、本出願人による特開2000−277412号公報等に記載されたものが利用できるので、詳細な説明は省略する。
The laser light emitted from the laser light source unit 32 enters the aberration measurement illumination unit 34, is subjected to predetermined waveform adjustment to become a parallel light beam, and then reaches the half mirror 43. The light beam reflected by the surface of the half mirror 43 travels in the right direction, is folded downward by the
図10は、図9に示した投影光学系1の組立て後に、該光学系1の初期収差を計測するフローチャート、図11は該光学系1の収差を低減する収差調整ルーチンのフローチャートである。また図12は図10及び図11のフロー実行時のタイミングチャートで、図8と同様に横軸は時刻あるいは検査プロセス、縦軸は駆動機構110のZ方向変位換算での粗動機構と微動機構の出力変位である。
FIG. 10 is a flowchart for measuring the initial aberration of the
図12を用いながら、最初に図10の初期計測ルーチンのフローを説明する。 First, the flow of the initial measurement routine of FIG. 10 will be described with reference to FIG.
ステップS201よりフローを開始してステップS203では、3組の駆動機構110が内蔵するピエゾアクチュエータ112の初期駆動量Z1p、Z2p、Z3pを、レンズCPU711が内蔵するROMから読み出す。ここで初期駆動量について説明する。投影光学系1の稼動時、すなわちウェハへの露光中の光学特性変化要因のひとつに、照明光吸収による光学系の発熱の結果、光学系が昇温して屈折率が稼動中に変化するという現象がある。この現象は、露光動作の経過とともに進展し、レチクル交換や露光装置の定期メンテナンス等で露光動作が停止すると元に戻るほか、この昇温及び冷却の程度は、露光用照明手段33の照明モード毎に異なる。これらの挙動は、例えば特開平5−251299号公報に記載されている。一方で、図10及び図11の計測及び調整フロー実行時は、照明光学系の出力を低下させているため、照明光吸収による光学系の昇温は極めて少なく、光学系が冷却された状態で光学特性の計測及び最適調整がなされる。すなわち投影光学系1は、稼動時と収差計測時では光学特性が異なっており、収差計測時に最適化された状態が、稼動時にも継続維持されるわけではない。
The flow is started from step S201, and in step S203, initial drive amounts Z1p, Z2p, Z3p of the
したがって、計測及び調整フローによって投影光学系1の各光学系の位置を最適調整する場合、駆動ストロークの短い微動機構、すなわちピエゾアクチュエータの駆動範囲を、上記昇温や他の状態変化要因に起因する補正駆動量を考慮して設定する必要がある。すなわち、ステップS203で読み出される初期駆動量とは、投影光学系の稼動時に想定される微動アクチュエータの駆動範囲を想定し、微動アクチュエータの基底状態(例えば印加電圧オフ状態)に対する調整時の設計最適値を意味する。そしてこの値は、各光学要素駆動装置が駆動するレンズ103ごとに固有の値であるため、その数値が各駆動装置と対になったレンズCPU711、及び本体CPU811にも記憶されている。
Therefore, when the position of each optical system of the projection
以上のごとく、ステップS203にてピエゾアクチュエータ112の初期駆動量Z1pないしZ3pが読み出されると、ステップS205にて該読み出し値を目標値として3個のピエゾアクチュエータ112を駆動する。図12のタイミングチャートでは、時刻t211からt212の動作に相当する。ステップS207では、駆動したピエゾアクチュエータ112を定位置制御する。ステップS209では、投影光学系の波面収差計測回数をカウントするカウンタCNTを0にリセットする。ステップS211では、前記カウンタの数値を判定し、CNT=0、すなわち波面収差計測をまだ実行していない場合はステップS221にジャンプする。
As described above, when the initial driving amounts Z1p to Z3p of the
ステップS221では、図9に示した装置構成において、干渉計41により投影光学系1の波面収差を計測する。すなわち当ステップにおいては、図3の光学要素駆動装置に内蔵されたレンズ103が最下点に近い位置での、投影光学系1の波面収差を測定する。図12のタイミングチャートでは、時刻t212からt213の動作に相当する。その後ステップS223ではカウンタCNTの数値を1つ進める。ステップS225では、カウンタCNTの数値を判別し、その数値が3に達していないときはステップS211に戻る。ここで、ステップS225を最初に通過する場合は、CNT=1なのでステップS211に戻り、ステップS213に分岐する。ステップS213では、設計上のレンズ最適位置を、レンズCPU711が内蔵するROMから読み出す。続いてステップS217では、レンズ103を前記最適位置まで駆動するための、3個の粗動用モータの駆動量Z1mないしZ3mを算出する。そして、ステップS219にて該算出値を目標値として3個のモータ114mを駆動する。図12のタイミングチャートでは、時刻t213からt214の動作に相当する。
In step S221, the wavefront aberration of the projection
ステップS221では、干渉計41により投影光学系1の波面収差を計測する。すなわち当ステップにおいては、図3の光学要素駆動装置に内蔵されたレンズ103が設計上の最適位置に駆動された場合の、投影光学系1の波面収差を測定する。よって、今回得られた波面収差は、前回得られた収差よりもかなり少ない値となっているはずである。図12のタイミングチャートでは、時刻t214からt215の動作に相当する。その後ステップS223ではカウンタCNTの数値を1つ進める。ステップS225では、カウンタCNTの数値を判別し、その数値が3に達していないときはステップS211に戻る。ここで、今回はCNT=2となっているのでステップS211に戻り、ステップS215に分岐する。ステップS215では、設計上のレンズ上限位置を、レンズCPU711が内蔵するROMから読み出す。続いてステップS217では、レンズ103を前記上限位置まで駆動するための、3個の粗動用モータの駆動量Z1mないしZ3mを算出する。そして、ステップS219にて該算出値を目標値として3個のモータ114mを駆動する。図12のタイミングチャートでは、時刻t215からt216の動作に相当する。
In step S221, the wavefront aberration of the projection
ステップS221では、干渉計41により投影光学系1の波面収差を計測する。すなわち当ステップにおいては、図3の光学要素駆動装置に内蔵されたレンズ103が設計上の上限位置近傍にある場合の、投影光学系1の波面収差を測定する。図12のタイミングチャートでは、時刻t216からt217の動作に相当する。その後ステップS223ではカウンタCNTの数値を1つ進める。ステップS225では、カウンタCNTの数値を判別する。そして今までのフローにて波面収差を3回測定しているので、今回はCNT=3となっている。よってステップS225からステップS227に移行し、初期計測ルーチンを終了する。以上の初期計測ルーチンによって、レンズ103が下限位置近傍、設計上の最適位置、及び上限位置近傍にそれぞれ位置制御された場合の、投影光学系1の波面収差が取得される。
In step S221, the wavefront aberration of the projection
なお本実施例では、レンズ103の可動範囲が大きいため、該レンズの複数位置での波面収差計測を行なうことで、干渉計41の収差計測上のダイナミックレンジがそれほど大きくない場合でも、必ず1回は波面収差計測が可能となるようにしている。干渉計41の収差計測上のダイナミックレンジが充分に大きい場合は、レンズ103が設計上の最適位置に制御された状態のみで波面計測を行なえばよいのはもちろんである。
In this embodiment, since the movable range of the
続いて図12を用いながら、図11の収差調整ルーチンのフローを説明する。収差調整ルーチンは、投影光学系1の各レンズが発熱していない状態下での、投影光学系1全系の収差を最小とするための調整フローである。
Subsequently, the flow of the aberration adjustment routine of FIG. 11 will be described with reference to FIG. The aberration adjustment routine is an adjustment flow for minimizing the aberration of the entire projection
ステップS241よりフローを開始してステップS243では、図10で取得した3回の波面収差情報から、投影光学系1の収差を最小とするための、光学要素駆動装置内のレンズ103の制御目標位置を算出する。続いてステップS245では、レンズ103を前記最適位置まで駆動するための、3個の粗動用モータの駆動量Z1MないしZ3Mを算出する。そして、ステップS247にて該算出値を目標値として3個のモータ114mを駆動する。図12のタイミングチャートでは、時刻t217からt218の動作に相当する。
In step S243, the flow is started from step S241. In step S243, the control target position of the
ステップS249では、干渉計41により投影光学系1の波面収差を計測する。図12のタイミングチャートでは、時刻t218からt219の動作に相当する。ステップS251では、測定した波面収差の大小判別を行ない、所定値以下であればステップS271にジャンプする。すなわち当ステップにおいては、本来は投影光学系1の波面収差は極めて少ない値に調整されているはずであるが、図10で取得した波面収差の計測誤差、あるいは粗動機構を構成するモータ114mの駆動誤差により、ステップS249で測定した波面収差にも所定以上の残渣が生じている場合がある。よって波面収差が所定値以上の場合はステップS253に移行し、波面収差の残渣を解消するための、3個のピエゾアクチュエータ112の駆動目標値Z1p、Z2p、及びZ3pを演算する。そしてステップS255にて3個のピエゾアクチュエータの駆動を行なう。図12のタイミングチャートでは、時刻t219からt220の動作に相当する。
In step S249, the wavefront aberration of the projection
ステップS257では、図3に示した3個のZ変位検出センサの値からレンズ103の駆動制御残渣を計算し、ステップS259で該制御残渣の大小判別を行なう。そして制御残渣が所定値より大きい場合はステップS261に移行して、3個のピエゾアクチュエータ112の駆動目標値Z1p、Z2p、及びZ3pを再計算し、ステップS255ないしステップS259を繰り返し実行する。
In step S257, the driving control residue of the
以上の制御を実行し、ステップS259にてレンズ103の制御残渣が所定値以下に収束した場合は、ステップS249に戻って波面収差の再計測を行なう。図12のタイミングチャートでは、時刻t220からt221の動作に相当する。そしてステップS251にて波面収差の再判定を行ない、収差が所定値以下の場合、すなわち投影光学系1の結像性能が所定の性能に調整できた場合は、ステップS271に移行して、このときのレンズ103の位置を記憶する。次いでステップS273にて3個のピエゾアクチュエータ112への給電を停止し、該アクチュエータの伸張を解消し、初期長状態に戻す。図12のタイミングチャートでは、時刻t221からt222の動作に相当する。そしてステップS275にて収差調整ルーチンを終了する。
When the above control is executed and the control residue of the
以上の初期計測ルーチン及び収差調整ルーチンによって、投影光学系1の製造段階での収差低減調整が完了し、投影光学系1は半導体露光装置本体から分離され、納入先に輸送されて、再び半導体露光装置本体に組み込まれる。
By the above initial measurement routine and aberration adjustment routine, the aberration reduction adjustment in the manufacturing stage of the projection
また、納入先にて該半導体露光装置をウェハ生産のために稼動する前に、図10及び図11のフローを再度実行することで、輸送中の振動による各レンズの微小な位置ずれ等を補正でき、投影光学系1の結像性能を常に最良の状態に維持することができる。
Further, before the semiconductor exposure apparatus is operated for wafer production at the delivery destination, the flow shown in FIGS. 10 and 11 is executed again to correct a minute position shift of each lens due to vibration during transportation. The imaging performance of the projection
次に、半導体露光装置の稼動時、すなわち半導体の回路パターンが形成されたレチクルの像をシリコン等のウェハ上に焼き付ける工程中に、投影光学系1の光学性能、例えば波面収差の諸各成分が最小になるように、光学要素駆動装置をリアルタイムで補正駆動する工程を説明する。
Next, during operation of the semiconductor exposure apparatus, that is, during the process of printing an image of a reticle on which a semiconductor circuit pattern is formed on a wafer such as silicon, various components of the optical performance of the projection
図9は半導体露光装置の収差計測及び調整工程時の配置であったが、以下の手順で部材を元に戻す。 FIG. 9 shows the arrangement of the semiconductor exposure apparatus during the aberration measurement and adjustment process. The member is returned to the original by the following procedure.
まず、レーザ光源ユニット32から射出するレーザ光の光路中に、光路切り換えミラー35を左方向に挿入させ、該レーザ光を露光用照明手段33に入射させる。また、レチクルステージ22を駆動し、投影光学系1の光軸上より全反射ミラー42とコリメータレンズ44を左方向に退避させ、代わりにレチクル21を前記光軸上に進入させる。更に、ウェハステージ15を駆動し、投影光学系1の光軸上より球面ミラー16を左右方向に退避させ、代わりにウェハ14を前記光軸上に進入させる。以上の操作により、半導体露光装置は図2示すウェハ露光モードに設定される。
First, the optical path switching mirror 35 is inserted in the left direction in the optical path of the laser light emitted from the laser light source unit 32, and the laser light is incident on the exposure illumination means 33. Further, the reticle stage 22 is driven, the
図13は、図2に示した半導体露光装置の稼動時に、図3の光学要素駆動装置を駆動制御して、投影光学系1の結像性能を逐次最良に調節するための露光時補正ルーチンのフローチャート、図14は図13のフロー実行時のタイミングチャートで、図8あるいは図12と同様に横軸は時刻あるいは調整プロセス、縦軸は駆動機構110のZ方向変位換算での粗動機構と微動機構の出力変位である。図14を用いながら、図13のフローを説明する。
FIG. 13 shows an exposure correction routine for driving and controlling the optical element driving device shown in FIG. 3 to adjust the imaging performance of the projection
ステップS301よりフローを開始してステップS303では、図11のステップS271で記憶した、投影光学系1の波面収差最小状態に対応するレンズ103の制御位置を読み出す。
The flow is started from step S301, and in step S303, the control position of the
続いてステップS305では、図3のレンズ103を前記読み出し位置まで駆動するための、3個のピエゾアクチュエータ112の駆動量Z1pないしZ3pを算出する。そしてステップS307にて3個のピエゾアクチュエータの駆動を行なう。
In step S305, driving amounts Z1p to Z3p of the three
ステップS309では、図3に示した3個のZ変位検出センサの値からレンズ103の駆動制御残渣を計算し、ステップS311で該制御残渣の大小判別を行なう。そして制御残渣が所定値より大きい場合はステップS313に移行して、3個のピエゾアクチュエータ112の駆動目標値Z1pないしZ3pを再計算し、ステップS307ないしステップS313を繰り返し実行する。
In step S309, the drive control residue of the
以上の制御を実行し、ステップS311にてレンズ103の制御残渣が所定値以下に収束した場合は、投影光学系1の結像性能がウェハ露光に必要な性能に達したとみなされ、ステップS321にジャンプする。
When the above control is executed and the control residue of the
ステップS321では、図2のウェハステージ15上にウェハ14を供給する。ステップS323では、不図示の気圧センサ出力より投影光学系1の鏡筒内を循環する気体の圧力を検出し、その屈折率変動によるレンズ位置補正量を算出する。ステップS325では、本体CPU811より、照明光が投影光学系の各レンズに吸収されて発熱することによる光学特性変化を補正するための、被駆動対象レンズ103の駆動波形に関するルックアップテーブルを読み込む。ステップS327では、前記ステップS323及びステップS325にて演算した補正値を、レンズ103を駆動する3個のピエゾアクチュエータ112の駆動量Z1pないしZ3pに変換する。そしてステップS329にてピエゾアクチュエータに所定電圧を印加し、レンズ103の駆動を行なう。
In step S321, the
ステップS331では、図3に示した3個のZ変位検出センサの値からレンズ103の駆動制御残渣を計算し、ステップS333で該制御残渣の大小判別を行なう。そして制御残渣が所定値より大きい場合はステップS335に移行して、3個のピエゾアクチュエータ112の駆動目標値Z1pないしZ3pを再計算し、ステップS329ないしステップS335を繰り返し実行する。
In step S331, the drive control residue of the
以上の制御を実行し、ステップS333にてレンズ103の制御残渣が所定値以下に収束した場合は、ステップS341にジャンプしてウェハ14への露光を行なう。ステップS343では、ウェハ14の全領域への露光が完了したか否かを判別する。そして全領域への露光が完了していなければ、ステップS345にてウェハ14の未露光領域を投影光学系1の結像領域内に移動させ、ステップS323に戻り、ステップS323ないしステップS345を繰り返し実行する。
When the above control is executed and the control residue of the
そして、1枚のウェハの全領域への露光が完了すると、ステップS343からステップS351にジャンプし、露光完了済みのウェハを排出し、ステップS353へ移行する。ステップS353では、規定枚数ウェハの露光が完了したか否かの判別を行ない、完了していなければステップS321に戻って未露光ウェハの供給を行ない、ステップS323ないしステップS353を繰り返し実行して、未露光ウェハを順次露光する。そして規定枚数のウェハの露光が完了すると、ステップS353からステップS355に移行し、3個のピエゾアクチュエータ112への通電を停止する。そしてステップS357にて露光時補正ルーチンを終了する。
When the exposure of the entire area of one wafer is completed, the process jumps from step S343 to step S351, the exposed wafer is discharged, and the process proceeds to step S353. In step S353, it is determined whether or not the exposure of the specified number of wafers is completed. If not completed, the process returns to step S321 to supply the unexposed wafer, and steps S323 to S353 are repeatedly executed. The exposed wafer is exposed sequentially. When the exposure of the specified number of wafers is completed, the process proceeds from step S353 to step S355, and energization to the three
以上の動作を図14のタイミングチャートにて説明する。まず、図13のステップS303ないしステップS313で実行した、波面収差最小位置へのレンズ駆動は、図14のタイミングチャートでは、時刻t31からt32の動作に相当する。実際の所要時間は数秒程度であるため、図14においては時間軸方向に拡大して示している。 The above operation will be described with reference to the timing chart of FIG. First, the lens driving to the wavefront aberration minimum position executed in steps S303 to S313 in FIG. 13 corresponds to the operation from time t31 to t32 in the timing chart in FIG. Since the actual required time is about several seconds, FIG. 14 shows an enlarged view in the time axis direction.
次に、図13のステップS321ないしステップS353における、規定枚数のウェハ露光に伴うレンズ駆動は、図14のタイミングチャートでは、時刻t32からt33の動作に相当する。この動作においては、複数毎のウェハを連続して高速露光するため、照明光吸収によるレンズの温度は実質上連続的に上昇する。従って、この昇温に伴う収差変動を補正するためのレンズ103の駆動波形も、図14に示したように、ウェハ露光動作の進行とともにほぼ連続した波形となるよう、予めプログラムされている。そして時刻t32からt33までの実際の所要時間は数10分程度であるため、図14においては時間軸方向に縮小して示している。
Next, lens driving associated with exposure of a specified number of wafers in steps S321 to S353 in FIG. 13 corresponds to the operation from time t32 to t33 in the timing chart of FIG. In this operation, since a plurality of wafers are continuously exposed at a high speed, the temperature of the lens due to absorption of illumination light rises substantially continuously. Accordingly, the driving waveform of the
最後に、図13のステップS355ないしステップS357の停止動作は、図14のタイミングチャートでは、時刻t33からt34の動作に相当する。この動作においては、投影光学系1やウェハステージ15の初期化動作、あるいはレチクル交換のために照明光学系が消灯するため、投影光学系の発熱が停止してその温度は連続的に低下する。従って、この冷却に伴う収差変動を補正するためのレンズ103の駆動波形も、図14に示したように、露光ジョブの停止時間に応じてほぼ連続した波形となるよう、予めプログラムされている。
Finally, the stopping operation in steps S355 to S357 in FIG. 13 corresponds to the operation from time t33 to t34 in the timing chart in FIG. In this operation, since the illumination optical system is turned off for the initialization operation of the projection
なお、以上の実施例の説明において、図8、図12及び図14のタイミングチャートでは、各光学素子駆動装置に備えられた3組のZ駆動機構のうち、1組の機構の変位を代表して説明しているが、3組それぞれが最適な駆動量にて制御されるのは説明するまでもない。 In the description of the above embodiments, the timing charts of FIGS. 8, 12, and 14 represent the displacement of one set of the three sets of Z drive mechanisms provided in each optical element driving device. However, it is needless to say that each of the three sets is controlled with an optimum driving amount.
また、図7ないし図13のフロー図も、投影光学系1が有する複数組の光学要素駆動装置、すなわち各レンズユニット毎に、最適なパラメータにて駆動されることももちろんである。
Also, the flow charts of FIGS. 7 to 13 are of course driven with optimum parameters for each of a plurality of sets of optical element driving devices of the projection
[変形例]
以上の実施例において、粗動機構は超音波モータと直動機構により構成されていたが、該モータはステップモータ、直流モータ等でもよい。また、モータの回転量を検出するエンコーダは、回折格子を用いたレーザ式ロータリーエンコーダ、フォトインタラプタとスリット板を用いたエンコーダ等が好適である。あるいはモータの回転検出の代わりに、ボールネジ等の直動機構の変位を検出するポテンショメータで代用してもよい。
[Modification]
In the above embodiments, the coarse movement mechanism is constituted by an ultrasonic motor and a linear movement mechanism, but the motor may be a step motor, a direct current motor or the like. As the encoder for detecting the rotation amount of the motor, a laser rotary encoder using a diffraction grating, an encoder using a photo interrupter and a slit plate, and the like are suitable. Alternatively, instead of detecting the rotation of the motor, a potentiometer that detects the displacement of a linear motion mechanism such as a ball screw may be substituted.
また、レンズ枠104の変位検出手段はレーザ干渉式測長器としたが、レーザ光源と回折格子を用いたリニアスケール手段でも構わない。 Further, the displacement detecting means of the lens frame 104 is a laser interference type length measuring device, but a linear scale means using a laser light source and a diffraction grating may be used.
また、本実施例の光学要素はレンズであるが、平行平板ガラス、曲面ミラー、平面ミラー等の光学要素でも構わない。 The optical element of this embodiment is a lens, but it may be an optical element such as a parallel flat glass, a curved mirror, or a flat mirror.
また、投影光学系の波面収差計測手段は、図9に示したように半導体露光装置に組み込まれた干渉計を用いているが、特許第3352298号公報に記載されたような、専用の波面収差計測手段を用いても構わない。 As the wavefront aberration measuring means of the projection optical system, an interferometer incorporated in a semiconductor exposure apparatus as shown in FIG. 9 is used, but a dedicated wavefront aberration as described in Japanese Patent No. 3352298 is used. Measurement means may be used.
また本実施例では、光学要素駆動装置は半導体露光装置に応用されているが、液晶モニタ用基板、プラズマディスプレイパネル、その他の基板を製造する基板露光装置に応用しても同様の効果を得られるのはもちろんである。 In this embodiment, the optical element driving apparatus is applied to a semiconductor exposure apparatus, but the same effect can be obtained by applying it to a substrate exposure apparatus for manufacturing a liquid crystal monitor substrate, a plasma display panel, and other substrates. Of course.
[産業上の利用可能性]
本発明は、大ストロークかつ高精度の光学要素駆動装置を提供するもので、特に半導体露光装置等に用いられる投影光学系に有用である。
[Industrial applicability]
The present invention provides an optical element driving apparatus with a large stroke and high accuracy, and is particularly useful for a projection optical system used in a semiconductor exposure apparatus or the like.
1 投影光学系
10 レンズ制御手段
11 半導体露光装置本体
14 ウェハ
15 ウェハステージ
16 球面ミラー
21 レチクル
22 レチクルステージ
31 照明ユニット
32 レーザ光源ユニット
33 露光用照明手段
34 収差計測用照明手段
35 照明光路切り換えミラー
41 干渉計
42 全反射ミラー
43 ハーフミラー
44 コリメータレンズ
71 レンズ制御手段
101 固定鏡筒
102 レンズ位置検出手段
103 レンズ
104 レンズ枠
110 駆動機構
111 変位拡大部材
112 ピエゾアクチュエータ
113 ピエゾ調整ネジ
114 モータ駆動機構
114a ボールネジ
114m モータ本体
114e モータエンコーダ
115 方向変換部材
711 レンズCPU
721 Z機構制御手段
722 ピエゾドライバ
724 モータドライバ
731 レンズ位置検出手段
732 Z変位検出センサ
734 横変位検出センサ
811 本体CPU
812 マウント制御手段
814 照明制御手段
816 レチクルステージ制御手段
818 ウェハステージ制御手段
820 干渉計制御手段
DESCRIPTION OF
721 Z mechanism control means 722
812 Mount control means 814 Illumination control means 816 Reticle stage control means 818 Wafer stage control means 820 Interferometer control means
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