JP2007278717A - Gyroscopic device - Google Patents

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a gyroscopic device capable of improving gyroscopic sensitivity with a comparatively simple configuration. <P>SOLUTION: The gyroscopic device comprises: a sensor body 32 provided with a plurality of vibration arms for excitation 54, 54 extending from the base 51 and vibration arms for detection 55, 55 extending from the base 51; and a package 36 for housing and supporting the sensor body. The one ends of the bonding wires 61, 61 are connected with the sensor body which is housed in the package and the other ends of the bonding wires 61, 61 are connected with inside of package or with the parts in the package. The sensor body 32 is constituted in a suspended state in the package 36. <P>COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT

Description

本発明は、圧電材料を利用したセンサ（本体）を有するジャイロ装置の改良に関する。   The present invention relates to an improvement in a gyro apparatus having a sensor (main body) using a piezoelectric material.

従来より、圧電材料を用いて形成した種々の形態のジャイロ装置が知られている。
圧電材料によりジャイロ用に形成した圧電振動片であるセンサ本体は、中心に基部を設け
、この基部から両側にそれぞれ水平に延びるように、棒状もしくは軸状の一対の支持部を
形成し、各支持部の先端からは励振用の振動腕が延びるようにする。また、前記基部から
は、支持部とは別に検出用の振動腕が延びるように形成されている（図示せず）。 2. Description of the Related Art Various types of gyro devices formed using a piezoelectric material have been known.
The sensor body, which is a piezoelectric vibrating piece made of a piezoelectric material for a gyro, is provided with a base at the center and a pair of rod-like or shaft-like support parts extending horizontally from the base to both sides. A vibrating arm for excitation extends from the tip of the part. Further, from the base portion, a vibrating arm for detection is formed separately from the support portion (not shown).

この状態でセンサ本体に所定の回転角速度などの物理量が作用した場合には、該センサ
本体の励振用振動腕は、それ自体の振動の方向と、回転角速度とのベクトル積の方向に働
くコリオリの力を受けて、所定の振動（屈曲振動）が励起される。この振動は支持部およ
び基部を介して上記した検出用振動腕の振動に基づく電荷を信号として取り出すことによ
り、回転角速度の検出を行うことができる。 In this state, when a physical quantity such as a predetermined rotational angular velocity acts on the sensor body, the excitation vibrating arm of the sensor body has a Coriolis force acting in the direction of the vector product of its own vibration direction and the rotational angular velocity. Upon receiving the force, a predetermined vibration (bending vibration) is excited. This vibration can detect the rotational angular velocity by taking out the electric charge based on the vibration of the vibration arm for detection described above as a signal through the support portion and the base portion.

図１０は上述のセンサ本体を利用した装置構成例を示す公知のジャイロ装置の概略断面
図である（特許文献１、図１参照）。
図において、パッケージ内にセンサ本体と半導体パッケージを収容した構成とされてい
る。
具体的には、カンパッケージ２は、パッケージベース３を開口に嵌入することにより封
止されている。
パッケージベース３には、支持部４，４が平行に起立固定されている。各支持部４，４
の先端には基板５が固定されて、水平に支持されている。 FIG. 10 is a schematic cross-sectional view of a known gyro apparatus showing an apparatus configuration example using the sensor main body (see Patent Document 1 and FIG. 1).
In the figure, the sensor body and the semiconductor package are accommodated in the package.
Specifically, the can package 2 is sealed by fitting the package base 3 into the opening.
Support parts 4 and 4 are fixed upright on the package base 3 in parallel. Each support part 4, 4
A substrate 5 is fixed to the tip of the substrate and supported horizontally.

基板の表裏面には、種々の電子部品８が固定されている他、表面側には半導体チップ６
がダイボンディングされている。
この半導体チップ６のほぼ中央部には接着剤９が塗布され、センサ本体７の上記基部が
接合固定されている。そして、センサ本体７は、ボンディング線１０，１０を用いて、基
板５に対して、ワイヤボンディングすることで電気的に接続されている。 Various electronic components 8 are fixed on the front and back surfaces of the substrate, and the semiconductor chip 6 is provided on the front surface side.
Is die-bonded.
Adhesive 9 is applied to substantially the center of the semiconductor chip 6, and the base of the sensor body 7 is bonded and fixed. The sensor body 7 is electrically connected to the substrate 5 by wire bonding using the bonding wires 10 and 10.

特開２００２−１８１５５０JP 2002-181550 A

ところが、このような構成のジャイロ装置１では、センサ本体７の基部が接着剤９によ
り接合されている。
しかしながら、上述したように、該センサ本体７による回転角速度検出の際には、該セ
ンサ本体７の励振用振動腕が、その振動の方向と、回転角速度とのベクトル積の方向に働
くコリオリの力を受けて、振動（屈曲振動）し、この振動が支持部および基部を介して上
記した検出用振動腕の振動に基づく電荷を信号として取り出されるものである。
このため、センサ本体７の中央部に位置する基部が、接着剤によりリジットに固定され
ると、各振動における動きが阻害されるので、Ｑ値が低下し、駆動モードにおいても検出
モードにおいてもジャイロ感度が低下する欠点がある。 However, in the gyro apparatus 1 having such a configuration, the base portion of the sensor body 7 is joined by the adhesive 9.
However, as described above, when the rotational angular velocity is detected by the sensor body 7, the Coriolis force in which the excitation vibrating arm of the sensor body 7 acts in the direction of the vector product of the direction of the vibration and the rotational angular velocity. In response, it vibrates (bending vibration), and this vibration is taken out as a signal based on the vibration of the vibration arm for detection described above via the support portion and the base portion.
For this reason, if the base part located in the center part of the sensor body 7 is fixed to the rigid by the adhesive, the movement in each vibration is hindered, so that the Q value is lowered and the gyroscope is driven in both the drive mode and the detection mode. There is a drawback that sensitivity is lowered.

本発明は、以上の課題を解決するためになされたもので、比較的簡単な構成によりジャ
イロ感度を向上させることができるジャイロ装置を提供することを目的とする。 The present invention has been made to solve the above-described problems, and an object of the present invention is to provide a gyro apparatus capable of improving gyro sensitivity with a relatively simple configuration.

上記第１の目的は、第１の発明にあっては、基部から延びる複数の励振用振動腕と、該
基部から延びる検出用振動腕とを備えるセンサ本体と、該センサ本体を収容支持するパッ
ケージとを備えるジャイロ装置であって、前記センサ本体が、前記パッケージ内に収容さ
れた状態で、該センサ本体の前記基部に対してボンディング線の一端が固定され、該ボン
ディング線の他端が前記パッケージ自体の内側もしくは該パッケージ内の部品に固定され
ることにより、前記パッケージの内で前記センサ本体が、吊り下げ支持される構成とされ
たジャイロ装置により、達成される。 According to the first aspect of the present invention, in the first invention, a sensor body including a plurality of vibration arms for excitation extending from the base, and a vibration arm for detection extending from the base, and a package for housing and supporting the sensor body A gyro apparatus having one end of a bonding wire fixed to the base of the sensor body, the other end of the bonding line being the package. This is achieved by a gyro device configured to be suspended and supported in the package by being fixed to the inside of the package or a component in the package.

第１の発明の構成によれば、センサ本体の基部は、パッケージから（パッケージ自体の
内側もしくは該パッケージ内の部品から）、ボンディング線により吊り下げされるように
して支持されている。このため、センサ本体の基部は励振用振動腕からの振動が伝搬され
た際に、この振動に応じて動くことができ、さらにはこれに基づいて検出用振動腕に形成
される電界に基づく振動が伝えられた際にも自由に動くことができる。このため、振動モ
ードにおいても、検出モードにおいても、従来のようにＱ値が低下する原因が取り除かれ
ているので、ジャイロ感度が向上する。 According to the configuration of the first invention, the base portion of the sensor body is supported from the package (inside the package itself or from a component in the package) so as to be suspended by the bonding wire. For this reason, when the vibration from the excitation vibrating arm is propagated, the base of the sensor body can move according to the vibration, and further, the vibration based on the electric field formed on the detection vibrating arm based on the vibration. You can move freely even when you are told. For this reason, in both the vibration mode and the detection mode, the cause of the decrease in the Q value is removed as in the prior art, so that the gyro sensitivity is improved.

第２の発明は、第１の発明の構成において、前記基部の両端から互いに離間する方向に
それぞれ延びる一対の支持部と、該各支持部の延びる方向と交差する方向で、かつ各支持
部の先端から互いに離間する方向にそれぞれ延びる各一対の励振用振動腕と、前記基部か
ら前記各支持部と交差する方向であって、互いに離間する方向に延びる一対の検出用振動
腕とを備え、前記基部が前記ボンディング線を介して吊り下げ支持されていることを特徴
とする。
第２の発明の構成によれば、前記基部は全体の構成の中で、中央部に位置し、この中央
部の基部を吊り下げ支持する構成であるから、支持バランスをとりやすい。 According to a second invention, in the configuration of the first invention, a pair of support portions extending in directions away from both ends of the base portion, a direction intersecting with the extending direction of each support portion, and A pair of excitation vibrating arms each extending in a direction away from the tip, and a pair of detection vibrating arms extending from the base in a direction intersecting with each support portion and in a direction away from each other, The base is supported by being suspended through the bonding wire.
According to the structure of 2nd invention, since the said base part is located in the center part in the whole structure, and is the structure which suspends and supports the base part of this center part, it is easy to take a support balance.

第３の発明は、第１または２のいずれかの発明の構成において、前記パッケージが箱状
のパッケージであって、該パッケージの内側底部に半導体チップが実装されており、かつ
前記パッケージの内部に形成した上向き段部に設けられた電極パッドに対して、前記ボン
ディング線の他端が固定されることにより、前記半導体チップの上方で、前記センサ本体
が立体的に吊り下げ支持されていることを特徴とする。
第３の発明の構成によれば、半導体チップとセンサ本体をパッケージ内に立体的に収容
することで、装置の底面積を小さくして小型化が図れると同時に、Ｑ値の低下を防止して
ジャイロ感度を向上させることができる。 According to a third aspect of the present invention, in the configuration of the first or second aspect, the package is a box-shaped package, a semiconductor chip is mounted on an inner bottom portion of the package, and the package is provided inside the package. The sensor body is supported in a three-dimensional manner above the semiconductor chip by fixing the other end of the bonding wire to the electrode pad provided on the formed upward stepped portion. Features.
According to the configuration of the third invention, the semiconductor chip and the sensor body are three-dimensionally accommodated in the package, so that the bottom area of the device can be reduced and the size can be reduced, and at the same time, the Q value can be prevented from being lowered. The gyro sensitivity can be improved.

第４の発明は、第３の発明の構成において、前記ボンディング線の他端が前記半導体チ
ップに対して固定されていることを特徴とする。
第４の発明の構成によれば、センサ本体を直接半導体チップに対して接続する構成とす
れば、パッケージ内のセンサ本体と接続されるべき電極パッドや、これを設けるべき上向
き段部の形成を減らして、パッケージを小型化することができる。
半導体チップとセンサ本体を直接ワイヤボンディングしているので、ワイヤをパッケージ
の上向き段部と接続する構成と比べると、配線が短くなり、低ノイズ化を図ることができ
る。 According to a fourth invention, in the configuration of the third invention, the other end of the bonding line is fixed to the semiconductor chip.
According to the configuration of the fourth invention, if the sensor main body is configured to be directly connected to the semiconductor chip, the electrode pad to be connected to the sensor main body in the package and the upward stepped portion to be provided with this are formed. This can reduce the size of the package.
Since the semiconductor chip and the sensor main body are directly wire-bonded, the wiring is shortened and noise can be reduced as compared with the configuration in which the wire is connected to the upward stepped portion of the package.

第５の発明は、第３の発明の構成において、前記半導体チップが、前記パッケージの前
記上向き段部に対して固定された配線基板の一面に実装されており、該基板の他面に対し
て、前記ボンディング線の他端が固定されていることを特徴とする。
第５の発明の構成によれば、パッケージ内の上向き段部に固定した基板を利用し、半導
体チップが固定でき、センサ本体と接続するボンディング線が前記基板に固定されるよう
にすれば、第４の発明と同様にパッケージ内の上向き段部の形成を減らして、確実な接続
をすることができる。
また、前記配線基板をガラスなどのウエハ材料を利用して多数枚を一度に形成し、後で
個々の大きさの配線基板に切断するようにすることができる。その場合、ウエハ状態で、
多数のセンサ本体をワイヤボンディングし、後で個々のセンサ本体に対応した配線基板に
切り分けるようにすれば、バッチ生産ができて生産効率が良い。 According to a fifth invention, in the configuration of the third invention, the semiconductor chip is mounted on one surface of a wiring substrate fixed to the upward stepped portion of the package, and the other surface of the substrate is mounted. The other end of the bonding wire is fixed.
According to the configuration of the fifth invention, if the substrate fixed to the upward stepped portion in the package is used, the semiconductor chip can be fixed, and the bonding wire connected to the sensor body is fixed to the substrate, the first As in the case of the invention of 4, the formation of the upward stepped portion in the package can be reduced, and a reliable connection can be made.
Further, a large number of the wiring boards can be formed at a time using a wafer material such as glass, and then cut into individual size wiring boards. In that case, in the wafer state,
If many sensor bodies are wire-bonded and then separated into wiring boards corresponding to the individual sensor bodies, batch production is possible and production efficiency is good.

第６の発明は、第１ないし５のいずれかの発明の構成において、前記ボンディング線が
前記センサ本体の駆動振動との共振を防ぐ形状とされていることを特徴とする。
第６の発明の構成によれば、ボンディング線がジャイロの振動モードを阻害することが
なく、静止時の出力電圧の温度特性が一定となる。 A sixth invention is characterized in that, in the configuration of any one of the first to fifth inventions, the bonding line is shaped to prevent resonance with the driving vibration of the sensor body.
According to the configuration of the sixth aspect of the invention, the bonding line does not hinder the gyro vibration mode, and the temperature characteristic of the output voltage at rest is constant.

第７の発明は、第１ないし６のいずれかの発明の構成において、前記ボンディング線の
前記一端の固定箇所および／または他端の固定箇所にダンピング材を適用したことを特徴
とする。
第７の発明の構成によれば、ボンディング線から発生する振動のＱ値を低減することが
でき、駆動における振動や高次の振動との共振を減衰し、静止時の出力電圧の温度特性が
良好となる。 A seventh invention is characterized in that, in the configuration of any one of the first to sixth inventions, a damping material is applied to the fixed portion at the one end and / or the fixed portion at the other end of the bonding wire.
According to the configuration of the seventh invention, the Q value of the vibration generated from the bonding line can be reduced, the resonance with the vibration in driving and the higher order vibration is attenuated, and the temperature characteristic of the output voltage at rest is It becomes good.

図１及び図２は、本発明のジャイロ装置の第１の実施の形態を示しており、図１はその
概略斜視図、図２は図１のＡ−Ａ線切断端面図、図３は図１のジャイロ装置の基部の拡大
した概略平面図である。
図１において、ジャイロ装置３０は、パッケージ３６内に収容されている。
センサ本体３２を収容している。パッケージ３６は、内部のセンサ本体３２を示すため、
図１では蓋体が省略されている。 1 and 2 show a first embodiment of a gyro device according to the present invention, FIG. 1 is a schematic perspective view thereof, FIG. 2 is an end view taken along line AA of FIG. 1, and FIG. FIG. 2 is an enlarged schematic plan view of a base portion of the gyro device 1.
In FIG. 1, the gyro device 30 is accommodated in a package 36.
The sensor main body 32 is accommodated. Package 36 shows the internal sensor body 32,
In FIG. 1, the lid is omitted.

図２に示すパッケージ３６は、例えば、絶縁材料として、酸化アルミニウム質のセラミ
ックグリーンシートを成形して形成される複数の基板を積層した後、焼結して形成されて
いる。複数の各基板は、その内側に所定の孔を形成することで、積層した場合に内側に所
定の内部空間Ｓを形成するようにされている。
この内部空間Ｓがセンサ本体３２等を収容するための収容空間である。
すなわち、図２に示されているように、この実施形態では、パッケージ３６は、例えば
、下から第１の積層基板６１、第２の積層基板６２、第３の積層基板６３、およびシーム
リング６４を重ねて形成されている。シームリング６４は例えば、金属製の蓋体３３を接
合するためのコバールリングなどであり、所定の厚みを有し、シーム溶接などにより蓋体
３３をパッケージ３６に対して接合するものである。 The package 36 shown in FIG. 2 is formed, for example, by laminating a plurality of substrates formed by molding an aluminum oxide ceramic green sheet as an insulating material, and then sintering. Each of the plurality of substrates is formed with a predetermined hole on the inner side thereof so that a predetermined inner space S is formed on the inner side when stacked.
This internal space S is a housing space for housing the sensor main body 32 and the like.
That is, as shown in FIG. 2, in this embodiment, the package 36 includes, for example, a first laminated substrate 61, a second laminated substrate 62, a third laminated substrate 63, and a seam ring 64 from the bottom. Are formed. The seam ring 64 is, for example, a Kovar ring for joining the metal lid 33, has a predetermined thickness, and joins the lid 33 to the package 36 by seam welding or the like.

第１の積層基板６１、第２の積層基板６２、第３の積層基板６３は、それぞれ内側の材
料を除去して枠状にしたものを順次重ねたものであり、下の基板よりも上の基板の方が内
側の材料の除去量を増やすことにより、対応する内部空間が大きくなり、上端のシームリ
ング６４も第３の積層基板６３の枠部分より細くするようにしている。これにより、第２
の積層基板６２の内側の空間Ｓ１よりも第３の積層基板６３の内側の空間Ｓ２の方が幅が
大きく、シームリング６４の内側の空間Ｓ３は空間Ｓ２よりさらに幅が大きい。
また、これにともない、第２の積層基板６２の内周には第１の上向き段部２１が形成さ
れ、第３の積層基板の内周には第２の上向き段部２２が形成されている。 The first laminated substrate 61, the second laminated substrate 62, and the third laminated substrate 63 are obtained by sequentially stacking the frame shapes obtained by removing the inner material, and above the lower substrate. By increasing the removal amount of the material on the inside of the substrate, the corresponding internal space becomes larger, and the seam ring 64 at the upper end is also made thinner than the frame portion of the third laminated substrate 63. As a result, the second
The space S2 inside the third laminated substrate 63 is wider than the space S1 inside the laminated substrate 62, and the space S3 inside the seam ring 64 is wider than the space S2.
Accordingly, the first upward step portion 21 is formed on the inner periphery of the second multilayer substrate 62, and the second upward step portion 22 is formed on the inner periphery of the third multilayer substrate. .

これら第１の上向き段部２１と第２の上向き段部２２およびパッケージ内側底部２３と
には、例えば、タングステンメタライズ上にニッケルメッキ及び金メッキで形成した電極
パッドが設けられている。
図３に示す第２の上向き段部２２に形成された電極パッド４２，４２は、パッケージ３
６内を通る図示しない導電スルーホールなどにより図２に示すパッケージ３６底部の実装
端子２５，２５などと接続されて、センサ本体に３２に駆動電圧を供給し、また、第２の
上向き段部２２に形成された電極パッド４１，４１は同様にしてパッケージ３６底部の実
装端子２５，２５から後述する回転角速度に対応した信号を送出する。 The first upward step portion 21, the second upward step portion 22 and the package inner bottom portion 23 are provided with, for example, electrode pads formed by nickel plating and gold plating on tungsten metallization.
The electrode pads 42 and 42 formed on the second upward step 22 shown in FIG.
2 is connected to the mounting terminals 25, 25, etc. at the bottom of the package 36 shown in FIG. 2 by a conductive through hole (not shown) passing through the inside 6 to supply a driving voltage to the sensor body 32, and the second upward step 22 In the same manner, the electrode pads 41 and 41 formed in the above send signals corresponding to the rotational angular velocity described later from the mounting terminals 25 and 25 at the bottom of the package 36.

また、図２のパッケージ内側底部２３にも同様の手法で図示しない電極パッドが形成さ
れており、センサ本体３２と接続される半導体チップ４５がダイボンディングされること
で実装されている。さらに、第１の上向き段部２１にも同様の手法で図示しない電極パッ
ドが形成されて、積層基板の内部に設けた導電スルーホールなどを介して第２の上向き段
部２２の電極パッドの一部と接続されている。第１の上向き段部２１の電極パッドには半
導体チップ４５の端子がボンディング線６５を用いて、ワイヤボンディングされている。 Further, an electrode pad (not shown) is formed on the inner bottom portion 23 of the package in FIG. 2 by the same method, and the semiconductor chip 45 connected to the sensor body 32 is mounted by die bonding. Further, an electrode pad (not shown) is formed on the first upward step portion 21 in the same manner, and one electrode pad of the second upward step portion 22 is formed through a conductive through hole provided in the laminated substrate. Connected to the department. The terminals of the semiconductor chip 45 are wire-bonded to the electrode pads of the first upward step portion 21 using bonding wires 65.

センサ本体３２は、圧電材料として、例えば、センサ本体３２を複数もしくは多数分離
することができる大きさの水晶ウエハを、フッ酸溶液をエッチング液として使用してウエ
ットエッチングにより外形エッチングすることで、多数個の図示の形状のセンサ本体とな
るようにして形成される。 The sensor main body 32 is a piezoelectric material, for example, a large number of crystal wafers having a size capable of separating a plurality or a large number of sensor main bodies 32 by external etching by wet etching using a hydrofluoric acid solution as an etching solution. It is formed so as to be a sensor body of the illustrated shape.

このように作られるセンサ本体３２を簡単に説明する。
図１おいて、Ｘ方向は水晶の電気軸、Ｙ方向は水晶の機械軸、Ｚ方向は水晶の光軸（成
長軸）を示しており、ジャイロ装置３０に角速度ωが作用する様子を示している。
センサ本体３２のほぼ正方形の基部５１は後述するようにパッケージ３６に対して支持
されている。基部５１からは、それぞれ左右の方向に基部５１と一体に形成された棒状も
しくは軸状の支持部５２，５２が延びている。 The sensor body 32 made in this way will be briefly described.
In FIG. 1, the X direction indicates the crystal electrical axis, the Y direction indicates the crystal mechanical axis, and the Z direction indicates the crystal optical axis (growth axis), and shows how the angular velocity ω acts on the gyro device 30. Yes.
The substantially square base 51 of the sensor body 32 is supported with respect to the package 36 as will be described later. From the base portion 51, rod-like or shaft-like support portions 52, 52 formed integrally with the base portion 51 extend in the left and right directions, respectively.

さらに、各支持部５２，５２の端部には、各支持部５２，５２の延びる方向と交差する
方向に、各支持部５２，５２の端部を起点として、両方向に延出された励振用振動腕５４
，５４が設けられている。つまり、基部５１から各支持部５２，５２を介して、励振用振
動腕５４，５４が互いに平行に延びている。そして、各励振用振動腕５４，５４には、そ
れぞれ長さ方向に並んだ長い有底の溝（図示せず）が設けられている。
この長溝は、外形エッチング後に残った励振用振動腕５４，５４をさらにハーフエッチ
ングすることにより形成できる。そして、各長溝内に励振用の電極が形成されている。 Further, at the end of each support portion 52, 52, for excitation extending in both directions starting from the end portion of each support portion 52, 52 in a direction intersecting with the extending direction of each support portion 52, 52 Vibration arm 54
, 54 are provided. That is, the excitation vibrating arms 54 and 54 extend in parallel with each other from the base 51 via the support portions 52 and 52. Each of the vibrating vibrating arms 54 and 54 is provided with a long bottomed groove (not shown) arranged in the length direction.
This long groove can be formed by further half-etching the vibration vibrating arms 54 and 54 remaining after the outer shape etching. An excitation electrode is formed in each long groove.

また、図１において基部５１の上下の辺のほぼ中央部には、上記各支持部５２，５２の
延びる方向と交差する方向に、２つの検出用振動腕５５，５５が形成されている。検出用
振動腕５５，５５と、各支持部５２，５２の端部に設けられた各励振用振動腕５４，５４
は、互いに平行とされている。 Further, in FIG. 1, two detection vibrating arms 55, 55 are formed at a substantially central portion of the upper and lower sides of the base portion 51 in a direction intersecting with the extending direction of the support portions 52, 52. Detection vibration arms 55 and 55, and excitation vibration arms 54 and 54 provided at the ends of the support portions 52 and 52, respectively.
Are parallel to each other.

図３は、基部５１の拡大平面図であり、ほぼ正方形の基部５１には、それぞれ各検出用
振動腕５５，５５の基端部には、検出用電極の電極パッド５６，５７，５６，５７が形成
され、各支持部５２，５２の基端部には、励振用電極の電極パッド５８，５９，５８，５
９が形成されている。
そして、基部５１の電極パッド５６，５７，５６，５７には、ボンディング線６１の一
端６１ａが接合され、該ボンディング線６１の他端６１ｂが、図２で説明したパッケージ
３６の第２の上向き段部２２，２２の各電極パッド４１，４１，４１，４１に接合される
ことで、ワイヤボンディングされている。
また、基部５１の電極パッド５８，５９，５８，５９にはボンディング線６１の一端６
１ａが接合され、パッケージ３６の第２の上向き段部２２，２２の各電極パッド４２，４
２，４２，４２には、該ボンディング線６１の他端６１ｂが接合されることによりワイヤ
ボンディングされて、電気的接続がなされている。図２に示すように、このボンディング
線６１，６１はパッケージ３６のシームリング６４の内側の空間Ｓ３内で延びている。 FIG. 3 is an enlarged plan view of the base 51. The substantially square base 51 has electrode pads 56, 57, 56, 57 for detection electrodes at the base ends of the detection vibrating arms 55, 55, respectively. Are formed, and electrode pads 58, 59, 58, 5 of excitation electrodes are provided at the base end portions of the support portions 52, 52, respectively.
9 is formed.
One end 61a of the bonding wire 61 is joined to the electrode pads 56, 57, 56, 57 of the base 51, and the other end 61b of the bonding wire 61 is connected to the second upward step of the package 36 described in FIG. Wire bonding is performed by bonding to the electrode pads 41, 41, 41, 41 of the portions 22, 22.
Further, one end 6 of the bonding wire 61 is attached to the electrode pads 58, 59, 58, 59 of the base 51.
1a is joined, and each electrode pad 42, 4 of the second upward step portion 22, 22 of the package 36 is joined.
2, 42 and 42 are wire-bonded by joining the other end 61b of the bonding wire 61 to be electrically connected. As shown in FIG. 2, the bonding lines 61 and 61 extend in the space S <b> 3 inside the seam ring 64 of the package 36.

ここで、ボンディング線６１としては、金（Ａｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ
）など、もしくはこれらを主成分とする線材が好適に利用できる。
そして、線材によるボンディングの際に、ワイヤボンディングのファースト側をセンサ
本体３２側、すなわち符合６１ａ側とすることが好ましい。これにより、センサ本体３２
を上方に持ち上げる方向にワイヤの張力を作用させることができる。
さらに、センサ本体３２に予め金バンプを形成しておき、その上にファーストを打って
、ワイヤボンディングすると、水晶などでなるセンサ本体３２とボンディング線との接合
強度を向上させることができて好ましい。 Here, as the bonding wire 61, gold (Au), aluminum (Al), copper (Cu
) Or the like, or a wire rod containing these as a main component can be suitably used.
In the bonding with the wire, it is preferable that the first side of the wire bonding is the sensor body 32 side, that is, the sign 61a side. Thus, the sensor body 32
The tension of the wire can be applied in the direction in which the wire is lifted upward.
Further, it is preferable to form a gold bump on the sensor body 32 in advance, and then apply a first bonding to the bump to improve the bonding strength between the sensor body 32 made of quartz or the like and the bonding wire.

これにより、センサ本体３２の励振用振動腕５４，５４は、駆動手段としての半導体チ
ップ４５に内蔵した励振回路から、駆動用電圧が印加されることにより、各矢印Ｅに示す
ように、その先端部どうしが接近したり離間したりするようにして振動する。この際に、
図１に示すように回転角速度ωが働き、さらに図示しないコリオリの力Ｆｃが作用する。
この振動は、支持部５２，５２と基部５１を介して検出用振動腕５５，５５に伝えられ
る。つまり、励振用振動腕５４，５４は、Ｘ軸方向の振動の方向と、回転角速度ωとのベ
クトル積の方向に働くコリオリの力Ｆｃを受けて、次式にしたがって、Ｙ軸に沿って（プ
ラスＹ方向とマイナスＹ方向に交互に）振動するようになっている（屈曲振動）。この振
動は支持部５２，５２を介して検出用振動腕５５，５５に伝えられる。
Ｆｃ＝２ｍＶ・ω（ｍは、励振用振動腕５４，５４の振動部分の質量、Ｖは励振用振動
腕５４，５４の速度）・・・・・・（１）式 As a result, the excitation vibration arms 54 and 54 of the sensor body 32 have their tips as indicated by arrows E by applying a drive voltage from the excitation circuit built in the semiconductor chip 45 as the drive means. The parts vibrate as the parts approach and separate. At this time,
As shown in FIG. 1, a rotational angular velocity ω works, and a Coriolis force Fc (not shown) acts.
This vibration is transmitted to the detection vibrating arms 55 and 55 via the support portions 52 and 52 and the base portion 51. In other words, the excitation vibrating arms 54 and 54 receive the Coriolis force Fc acting in the vector product direction of the vibration direction in the X-axis direction and the rotational angular velocity ω, and follow the Y-axis according to the following formula ( It vibrates (alternatively in the plus Y direction and minus Y direction) (bending vibration). This vibration is transmitted to the detection vibrating arms 55 and 55 via the support portions 52 and 52.
Fc = 2 mV · ω (m is the mass of the vibrating portion of the vibrating arms 54 and 54, V is the speed of the vibrating arms 54 and 54) (1)

これにより検出用振動腕５５，５５の屈曲振動が該検出用振動腕５５，５５に形成した
検出用電極に所定の電界を生じ、これを信号として取り出すことで、回転角速度ωの検出
を行うことができる。
ここで、本実施形態では、センサ本体３２の基部５１は、図２に示すように、パッケー
ジ３６からワイヤボンディング６１，６１により吊り下げされるようにして支持されてい
る。このため、センサ本体３２の基部５１は励振用振動腕５４，５４からの振動が伝搬さ
れた際に、この振動に応じて動くことができ、さらにはこれに基づいて検出用振動腕５５
，５５に形成される電界に基づく振動が伝えられた際にも自由に動くことができる。この
ため、振動モードにおいても、検出モードにおいても、従来のようにＱ値が低下する原因
が取り除かれているので、ジャイロ感度が向上する。 As a result, the bending vibration of the detection vibrating arms 55 and 55 generates a predetermined electric field in the detection electrodes formed on the detection vibrating arms 55 and 55, and this is taken out as a signal to detect the rotational angular velocity ω. Can do.
Here, in this embodiment, the base 51 of the sensor main body 32 is supported so as to be suspended from the package 36 by wire bonding 61 and 61 as shown in FIG. For this reason, the base 51 of the sensor main body 32 can move according to the vibration when the vibration from the excitation vibrating arms 54 and 54 is propagated. Further, based on this, the detection vibrating arm 55 can move.
, 55 can move freely even when vibration based on the electric field formed is transmitted. For this reason, in both the vibration mode and the detection mode, the cause of the decrease in the Q value is removed as in the prior art, so that the gyro sensitivity is improved.

図４は、ジャイロ装置の第２の実施形態を示す概略断面図であり、図４において第１の
実施形態で使用した符合と同一の符合を付した箇所は共通する構成であるから、重複した
説明は省略し、相違点を中心に説明する。
パッケージ３６−１は、第１の実施形態と相違し、内部に第１の上向き段部だけが形成
されており、第２の上向き段部は存在しない。 FIG. 4 is a schematic cross-sectional view showing a second embodiment of the gyro device. In FIG. 4, the same reference numerals as those used in the first embodiment in FIG. The description is omitted, and the difference will be mainly described.
The package 36-1 is different from the first embodiment, and only the first upward stepped portion is formed inside, and the second upward stepped portion does not exist.

つまり、パッケージ３６−１を構成するための第３の積層基板６３−１は第１の実施形
態の第３の積層基板６３よりも厚みが薄くされている。これにより、第１の実施形態にお
いて、センサ本体３２の基部５１がワイヤボンディングされていたパッケージ側段部は存
在しない。そして、この実施形態では、センサ本体３２の基部５１は、ボンディング線６
１−１，６１−１を用いて半導体チップ４５の能動面に設けた端子に直接ワイヤボンディ
ングされている。
これにより、本実施形態においても、センサ本体３２は、ボンディング線６１−１，６
１−１により吊り下げ支持されているので、第１の実施形態と同様の作用効果を発揮する
ことができる。 That is, the third laminated substrate 63-1 for configuring the package 36-1 is thinner than the third laminated substrate 63 of the first embodiment. Thereby, in 1st Embodiment, the package side step part in which the base 51 of the sensor main body 32 was wire-bonded does not exist. In this embodiment, the base 51 of the sensor body 32 is bonded to the bonding wire 6.
1-1 and 61-1 are directly wire-bonded to terminals provided on the active surface of the semiconductor chip 45.
Thereby, also in this embodiment, the sensor main body 32 is bonded to the bonding wires 61-1 and 6-1.
Since it is suspended and supported by 1-1, the same effects as those of the first embodiment can be exhibited.

さらに、パッケージ３６−１には、センサ本体３２と接続させるための電極パッドおよ
びそのための第２の上向き段部を形成しなくて済むから、その分小型化することができる
。
しかも、半導体チップ４５とセンサ本体３２を直接ワイヤボンディングしているので、
第１の実施形態のように、ワイヤをパッケージの上向き段部と接続する構成と比べると、
配線が短くなり、低ノイズ化を図ることができる。 Furthermore, since it is not necessary to form the electrode pad for connecting with the sensor main body 32 and the second upward step portion therefor in the package 36-1, the package 36-1 can be reduced in size accordingly.
Moreover, since the semiconductor chip 45 and the sensor body 32 are directly wire bonded,
Compared to the configuration in which the wire is connected to the upward stepped portion of the package as in the first embodiment,
Wiring is shortened and noise can be reduced.

図５は、ジャイロ装置の第３の実施形態を示す概略断面図であり、図５において第１ま
たは第２の実施形態で使用した符合と同一の符合を付した箇所は共通する構成であるから
、重複した説明は省略し、相違点を中心に説明する。
パッケージ３６−１は、第２の実施形態と同じものである。 FIG. 5 is a schematic cross-sectional view showing a third embodiment of the gyro device, and in FIG. 5, the same reference numerals as those used in the first or second embodiment are used in common. The overlapping description will be omitted and the description will focus on the differences.
The package 36-1 is the same as that in the second embodiment.

この実施形態では、第１の上向き段部２１上の電極パッドに、導電性接着剤もしくは金
属バンプ２１ａを形成して、配線基板７１を接合している。
ここで、導電性接着剤としては、接合力を発揮する接着剤成分としての合成樹脂剤に、
銀製の細粒等の導電性の粒子を含有させたものが使用でき、シリコーン系、エポキシ系ま
たはポリイミド系導電性接着剤等を利用することができる。
また、配線基板７１は、この実施形態はガラスや水晶などのウエハ基板から切り出して
形成される両面基板であり、リジットな基板を用いることが好ましい。
この両面基板である配線基板７１の下面には半導体チップ４５がダイボンディングされ
ている。 In this embodiment, a conductive adhesive or metal bump 21 a is formed on the electrode pad on the first upward step portion 21, and the wiring board 71 is bonded.
Here, as a conductive adhesive, to a synthetic resin agent as an adhesive component that exhibits a bonding force,
Those containing conductive particles such as silver fine particles can be used, and silicone-based, epoxy-based or polyimide-based conductive adhesives can be used.
The wiring board 71 is a double-sided board formed by cutting out from a wafer board such as glass or quartz in this embodiment, and a rigid board is preferably used.
A semiconductor chip 45 is die-bonded on the lower surface of the wiring board 71 which is a double-sided board.

配線基板７１の表面側には、半導体チップ４５と接続するための電極端子もしくは電極
パットが形成されており、センサ本体３２の基部５１と、配線基板７１の表面側の上記電
極パッドとはボンディング線６１−１，６１−１によりワイヤボンディングされている。
これにより、センサ本体３２は、ボンディング線６１−１，６１−１により吊り下げ支持
されているので、第１の実施形態と同様の作用効果を発揮することができる。
また、配線基板７１をガラスなどのウエハ材料を利用して多数枚を一度に形成し、後で
個々の大きさの配線基板７１に切断するようにすることができる。これにより、ウエハ状
態で、多数のセンサ本体３２をワイヤボンディングし、後で個々のセンサ本体３２に対応
した個々の配線基板７１に切り分けるようにすれば、バッチ生産ができて生産効率が良い
。 Electrode terminals or electrode pads for connection to the semiconductor chip 45 are formed on the surface side of the wiring board 71, and the base 51 of the sensor body 32 and the electrode pads on the surface side of the wiring board 71 are bonded to each other. Wire bonding is performed by 61-1 and 61-1.
Thereby, since the sensor main body 32 is suspended and supported by the bonding wires 61-1 and 61-1, the same operational effects as those of the first embodiment can be exhibited.
In addition, a large number of wiring boards 71 can be formed at a time using a wafer material such as glass and then cut into individual size wiring boards 71. As a result, if a large number of sensor main bodies 32 are wire-bonded in a wafer state and then separated into individual wiring boards 71 corresponding to the individual sensor main bodies 32, batch production is possible and production efficiency is good.

図６は、ジャイロ装置の第４の実施形態を示す概略断面図であり、図６において第１の
実施形態で使用した符合と同一の符合を付した箇所は共通する構成であるから、重複した
説明は省略し、相違点を中心に説明する。
パッケージ３６−３は、第１の実施形態と比べると、次の点が異なっている。
すなわち、パッケージ３６−３は第１ないし第３の積層基板６１，６２，６３だけでな
く、その上に第４の積層基板６５を重ねて形成され、さらにその上にシームリング６４が
位置するように構成されている。
第４の積層基板６５の壁厚を第３の積層基板６３よりも薄くすることで、第２の上向き
段部２２を形成し、その段部に図３で説明した電極パッドを形成したものである。
この実施形態では、ボンディング線６１，６１がセンサ本体３２の駆動振動との共振を防
ぐ形状とされている。 FIG. 6 is a schematic cross-sectional view showing a fourth embodiment of the gyro device. In FIG. 6, the same reference numerals as those used in the first embodiment in FIG. The description is omitted, and the difference will be mainly described.
The package 36-3 differs from the first embodiment in the following points.
That is, the package 36-3 is formed not only by the first to third laminated substrates 61, 62, and 63 but also by overlapping the fourth laminated substrate 65 thereon, and further, the seam ring 64 is positioned thereon. It is configured.
By making the wall thickness of the fourth laminated substrate 65 thinner than that of the third laminated substrate 63, the second upward step portion 22 is formed, and the electrode pad described in FIG. 3 is formed on the step portion. is there.
In this embodiment, the bonding wires 61 and 61 are shaped to prevent resonance with the drive vibration of the sensor body 32.

そのような構造とするために、先ず、図６に示されているように、第２の上向き段部２
２が、吊り下げ支持されるセンサ本体３２の上面よりもｔ１だけ低い位置に配置されるよ
うにしている。すなわち、図３で説明した電極パッド４１，４２を形成した第２の上向き
段部２２よりもセンサ本体３２の上面が高くなっており、その位置にある基部５１にボン
ディング線の一端６１ａが接合され、他端６１ｂが第２の上向き段部２２上の電極パッド
に接合されている。これにより、センサ本体３２は、ボンディング線６１，６１により吊
り下げ支持されているので、第１の実施形態と同様の作用効果を発揮することができる。 In order to obtain such a structure, first, as shown in FIG. 6, the second upward step 2
2 is arranged at a position lower by t1 than the upper surface of the sensor body 32 supported to be suspended. That is, the upper surface of the sensor body 32 is higher than the second upward step portion 22 in which the electrode pads 41 and 42 described in FIG. 3 are formed, and one end 61a of the bonding wire is joined to the base portion 51 at that position. The other end 61b is joined to the electrode pad on the second upward step portion 22. Thereby, since the sensor main body 32 is suspended and supported by the bonding wires 61 and 61, the same operation effect as 1st Embodiment can be exhibited.

さらに、上記構造とすることにより、図６において以下の構成とすることができる。
すなわち、ボンディング線６１の各接合箇所である６１ａと、６１ｂを結ぶ線分ＢＬを仮
想し（結合線ＢＬ）、結合線ＢＬからボンディング線６１の湾曲部までの高さを寸法Ｋ２
とし、また、センサ本体３２の表面からボンディング線６１の湾曲部までの高さを寸法Ｋ
１とする。
そして、Ｋ２＞Ｋ１とすることで、ボンディング線６１，６１がセンサ本体３２の駆動
振動との共振を防ぐ形状とすることができ、さらに好ましくは、Ｋ２／Ｋ１＞３とするこ
とが好ましい。
このような構成とすることによって、ボンディング線６１がセンサ本体３２であるジャ
イロの振動モードを阻害することがなく、静止時の出力電圧の温度特性が一定となる。 Further, by adopting the above structure, the following configuration can be obtained in FIG.
In other words, a line segment BL connecting 61a and 61b, which are the bonding portions of the bonding line 61, is assumed (coupling line BL), and the height from the coupling line BL to the curved portion of the bonding line 61 is a dimension K2.
Further, the height from the surface of the sensor body 32 to the curved portion of the bonding wire 61 is a dimension K.
Set to 1.
By setting K2> K1, the bonding wires 61 and 61 can be shaped to prevent resonance with the drive vibration of the sensor body 32, and more preferably K2 / K1> 3.
With such a configuration, the bonding wire 61 does not hinder the vibration mode of the gyro that is the sensor main body 32, and the temperature characteristics of the output voltage when stationary are constant.

図７は、ジャイロ装置の第５の実施形態を示す概略断面図であり、図７において第１の
実施形態で使用した符合と同一の符合を付した箇所は共通する構成であるから、重複した
説明は省略し、相違点を中心に説明する。
この実施形態では、センサ本体３２を吊り下げ支持するボンディング線６１の他端６１
ｂについて、ワイヤボンディングによる接合後にダンピング材７５を塗布することによっ
て、適用したものである。 FIG. 7 is a schematic cross-sectional view showing a fifth embodiment of the gyro device. In FIG. 7, the same reference numerals as those used in the first embodiment in FIG. The description is omitted, and the difference will be mainly described.
In this embodiment, the other end 61 of the bonding wire 61 that suspends and supports the sensor body 32 is supported.
About b, it applies by applying the damping material 75 after joining by wire bonding.

ここで、ダンピング材としては、例えば、導電性接着剤を使用することができる。すな
わち、導電性接着剤としては、接合力を発揮する接着剤成分としての合成樹脂剤に、銀製
の細粒等の導電性の粒子を含有させたものが使用でき、制振性を重視すると、シリコーン
系導電性接着剤等が適している。導電性接着剤を使用すると制振効果に加えて、電気的接
続をより確実にできるが、ワイヤボンディングにより電気的接続は確保されているので、
特に導電性接着剤を使用する必要はなく、シリコーン系接着剤などを使用するようにして
もよい。 Here, as the damping material, for example, a conductive adhesive can be used. In other words, as the conductive adhesive, it is possible to use a synthetic resin agent as an adhesive component that exhibits a bonding force, containing conductive particles such as silver fine particles. A silicone-based conductive adhesive or the like is suitable. When using conductive adhesive, in addition to the damping effect, electrical connection can be made more reliable, but since electrical connection is secured by wire bonding,
In particular, it is not necessary to use a conductive adhesive, and a silicone-based adhesive or the like may be used.

これにより、本実施形態においても、センサ本体３２は、ボンディング線６１，６１に
より吊り下げ支持されているので、第１の実施形態と同様の作用効果を発揮することがで
きる。
さらに、ボンディング線６１の他端６１ｂについて、ワイヤボンディングによる接合後
にダンピング材７５を適用したので、該ボンディング線６１から発生する振動のＱ値を低
減することができ、駆動における振動や高次の振動との共振を減衰し、静止時の出力電圧
の温度特性が良好となる。 Thereby, also in this embodiment, since the sensor main body 32 is suspended and supported by the bonding wires 61 and 61, the same effect as 1st Embodiment can be exhibited.
Furthermore, since the damping material 75 is applied to the other end 61b of the bonding wire 61 after bonding by wire bonding, the Q value of vibration generated from the bonding wire 61 can be reduced, and vibration in driving and higher-order vibration can be reduced. And the temperature characteristics of the output voltage at rest become good.

図８および図９は第５の実施形態の各変形例を示している。
図８の変形例１では、ダンピング材７５をボンディング線６１の他端６１ｂではなく、
一端６１ａ側であるセンサ本体３２の基部に塗布した例を示している。この場合にも図７
と同様の制振効果がある。
また、図９の変形例２では、ダンピング材７５をボンディング線６１の一端６１ａと他
端６１ｂの両方に塗布した例を示している。この場合には最も制振効果が期待できるもの
である。 8 and 9 show modifications of the fifth embodiment.
In the first modification of FIG. 8, the damping material 75 is not the other end 61 b of the bonding wire 61,
The example applied to the base of the sensor body 32 on the one end 61a side is shown. In this case as well, FIG.
Has the same vibration control effect.
9 shows an example in which the damping material 75 is applied to both the one end 61a and the other end 61b of the bonding wire 61. In this case, the vibration suppression effect can be expected most.

本発明は上述の実施形態および変形例に限定されない。各実施形態および変形例の各構
成はこれらを適宜組み合わせたり、省略し、図示しない他の構成と組み合わせることがで
きる。
また、この発明は、パッケージ内に圧電材料で形成したジャイロ作用を発揮するセンサ
本体を収容するものであれば、圧電デバイス、傾斜センサ、ジャイロ、加速度センサ、角
速度センサ等の名称にかかわらず、適用することができる。 The present invention is not limited to the above-described embodiments and modifications. Each configuration of each embodiment and modification can be combined or omitted as appropriate, and can be combined with other configurations not shown.
In addition, the present invention can be applied regardless of the names of piezoelectric devices, tilt sensors, gyroscopes, acceleration sensors, angular velocity sensors, etc., as long as they accommodate a sensor body that exhibits a gyro effect formed of a piezoelectric material in a package. can do.

本発明のジャイロ装置の第１の実施形態の概略斜視図。The schematic perspective view of 1st Embodiment of the gyro apparatus of this invention. 図１のジャイロ装置のＡ−Ａ線概略断面図。The AA line schematic sectional drawing of the gyro apparatus of FIG. 図１のジャイロ装置のセンサ本体の基部の拡大平面図。The enlarged plan view of the base of the sensor main body of the gyro apparatus of FIG. 本発明のジャイロ装置の第２の実施形態の概略断面図。The schematic sectional drawing of 2nd Embodiment of the gyro apparatus of this invention. 本発明のジャイロ装置の第３の実施形態の概略断面図。The schematic sectional drawing of 3rd Embodiment of the gyro apparatus of this invention. 本発明のジャイロ装置の第４の実施形態の概略断面図。The schematic sectional drawing of 4th Embodiment of the gyro apparatus of this invention. 本発明のジャイロ装置の第５の実施形態の概略断面図。The schematic sectional drawing of 5th Embodiment of the gyro apparatus of this invention. 図７のジャイロ装置の変形例１を示す概略断面図。FIG. 8 is a schematic cross-sectional view showing a first modification of the gyro device in FIG. 7. 図７のジャイロ装置の変形例２を示す概略断面図。FIG. 8 is a schematic cross-sectional view showing a second modification of the gyro device in FIG. 7. 従来のジャイロ装置の一例を示す概略断面図。The schematic sectional drawing which shows an example of the conventional gyro apparatus.

符号の説明Explanation of symbols

２１・・・第１の上向き段部、２２・・・第２の上向き段部、３０・・・ジャイロ装置
、３２・・・センサ本体、３３・・・蓋体、３６・・・パッケージ、４１，４１，４２，
４２・・・電極パッド、４５・・・半導体チップ、６１・・・ボンディング線 21... 1st upward stepped portion, 22... 2nd upward stepped portion, 30... Gyro device, 32... Sensor body, 33. , 41, 42,
42 ... Electrode pads, 45 ... Semiconductor chip, 61 ... Bonding wire

Claims (7)

基部から延びる複数の励振用振動腕と、該基部から延びる検出用振動腕とを備えるセン
サ本体と、該センサ本体を収容支持するパッケージとを備えるジャイロ装置であって、
前記センサ本体が、前記パッケージ内に収容された状態で、該センサ本体の前記基部に
対してボンディング線の一端が固定され、該ボンディング線の他端が前記パッケージ自体
の内側もしくは該パッケージ内の部品に固定されることにより、前記パッケージの内で前
記センサ本体が、吊り下げ支持される構成とされた
ことを特徴とするジャイロ装置。 A gyro apparatus comprising: a sensor main body comprising a plurality of excitation vibrating arms extending from a base; a detection vibrating arm extending from the base; and a package for accommodating and supporting the sensor main body,
In a state where the sensor body is housed in the package, one end of a bonding wire is fixed to the base of the sensor body, and the other end of the bonding wire is inside the package itself or a component in the package The gyro apparatus is characterized in that the sensor main body is supported by being suspended in the package. 前記基部の両端から互いに離間する方向にそれぞれ延びる一対の支持部と、該各支持部
の延びる方向と交差する方向で、かつ各支持部の先端から互いに離間する方向にそれぞれ
延びる各一対の励振用振動腕と、前記基部から前記各支持部と交差する方向であって、互
いに離間する方向に延びる一対の検出用振動腕とを備え、前記基部が前記ボンディング線
を介して吊り下げ支持されていることを特徴とする請求項１に記載のジャイロ装置。 A pair of support portions extending in directions away from both ends of the base portion, and a pair of excitations extending in a direction intersecting with the direction in which each support portion extends and in a direction away from the tip of each support portion. A vibrating arm and a pair of detection vibrating arms extending in a direction intersecting with the respective support portions from the base portion and being separated from each other, and the base portion is suspended and supported via the bonding wire. The gyro apparatus according to claim 1, wherein: 前記パッケージが箱状のパッケージであって、該パッケージの内側底部に半導体チップ
が実装されており、かつ前記パッケージの内部に形成した上向き段部に設けられた電極パ
ッドに対して、前記ボンディング線の他端が固定されることにより、前記半導体チップの
上方で、前記センサ本体が立体的に吊り下げ支持されていることを特徴とする請求項１ま
たは２のいずれかに記載のジャイロ装置。 The package is a box-shaped package, a semiconductor chip is mounted on the inner bottom portion of the package, and the bonding line is connected to an electrode pad provided on an upward step formed inside the package. 3. The gyro apparatus according to claim 1, wherein the sensor main body is suspended and supported three-dimensionally above the semiconductor chip by fixing the other end. 前記ボンディング線の他端が前記半導体チップに対して固定されていることを特徴とす
る請求項３に記載のジャイロ装置。 The gyro apparatus according to claim 3, wherein the other end of the bonding line is fixed to the semiconductor chip. 前記半導体チップが、前記パッケージの前記上向き段部に対して固定された配線基板の
一面に実装されており、該基板の他面に対して、前記ボンディング線の他端が固定されて
いることを特徴とする請求項３に記載のジャイロ装置。 The semiconductor chip is mounted on one surface of a wiring substrate fixed to the upward step portion of the package, and the other end of the bonding line is fixed to the other surface of the substrate. The gyro apparatus according to claim 3, wherein the gyro apparatus is characterized in that: 前記ボンディング線が前記センサ本体の駆動振動との共振を防ぐ形状とされていること
を特徴とする請求項１ないし５のいずれかに記載のジャイロ装置。 6. The gyro apparatus according to claim 1, wherein the bonding line is shaped to prevent resonance with drive vibration of the sensor body. 前記ボンディング線の前記一端の固定箇所および／または他端の固定箇所にダンピング
材を適用したことを特徴とする請求項１ないし６のいずれかに記載のジャイロ装置。 The gyro apparatus according to any one of claims 1 to 6, wherein a damping material is applied to a fixed portion at the one end and / or a fixed portion at the other end of the bonding wire.

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