JP2007275697A - Spin coat apparatus and spin coat method - Google Patents

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JP2007275697A JP2006101648A JP2006101648A JP2007275697A JP 2007275697 A JP2007275697 A JP 2007275697A JP 2006101648 A JP2006101648 A JP 2006101648A JP 2006101648 A JP2006101648 A JP 2006101648A JP 2007275697 A JP2007275697 A JP 2007275697A
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spin
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film thickness
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Shunji Tomioka
俊二 冨岡
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a spin coat apparatus capable of reducing nonuniformity of a film thickness generated when a viscosity of a used solution is low and increasing the film thickness without nonuniformity of the film thickness even in a solution of a low concentration in a spin coat film formation on a substrate having a recession/projection, and a spin coat method. <P>SOLUTION: The inside of a fully closed structure is previously made to a dried atmosphere by an inert gas introduction line, thereby, a solvent can be quickly dried during spin coating. As a result, when the spin coating is performed on the substrate with the recession/projection, generation of nonuniformity of the film thickness can be prevented by volatilizing the solvent at the time when the solution is reduced until an influence of the recession/projection is received. Further, even if the spin coating is performed at a high speed rotation so as to reduce nonuniformity of the film thickness in the spin coating of the solution of the low concentration, the sufficient film thickness can be ensured since volatilization of the solvent is fast. <P>COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT

Description

本発明はスピンコート装置及びスピンコート方法に関するものであり、例えば、有機Ｅ
Ｌパネルの製造におけるＴＦＴパネル基板上への有機層、磁気ディスク基板上への磁性層
、ＭＥＭＳにおけるＳｉウェハへのフォトレジスト膜を形成する際の雰囲気調整機構に特
徴のあるスピンコート装置及びスピンコート方法に関するものである。 The present invention relates to a spin coater and a spin coat method, for example, organic E
Spin coating apparatus and spin coating characterized by an atmosphere adjustment mechanism for forming an organic layer on a TFT panel substrate in the manufacture of an L panel, a magnetic layer on a magnetic disk substrate, and a photoresist film on a Si wafer in MEMS It is about the method.

半導体デバイス・磁気デバイス等の製造工程において、層間絶縁膜・パターニング用の
フォトレジストの形成にスピンコート法による成膜工程が広く用いられている（例えば、
特許文献１）。 In the manufacturing process of semiconductor devices, magnetic devices, etc., a film forming process by spin coating is widely used for forming an interlayer insulating film and a photoresist for patterning (for example,
Patent Document 1).

従来からあるＳｉウェハやガラス等のフラットな基板だけでなく有機ＥＬパネルやＭＥ
ＭＳデバイスの製造等において種々の微細な凹凸のある基板上への成膜にも利用されてい
る。 In addition to conventional flat substrates such as Si wafers and glass, organic EL panels and ME
It is also used for film formation on a substrate with various fine irregularities in the manufacture of MS devices.

特開２００３−３１１２０１号公報Japanese Patent Laid-Open No. 2003-312101

しかし、このような凹凸を有する基板上へのスピンコート成膜において、使用溶液の粘
度が低い場合、汎用的なスピンコータ―では遠心力によってその大半が飛散し液量の減少
した基板上の溶液は、基板の凹凸により流れが邪魔され、その結果膜厚ムラが生じる。 However, in spin coating film formation on such uneven substrates, if the viscosity of the solution used is low, a general-purpose spin coater will scatter most of the solution due to centrifugal force, and the amount of solution on the substrate will be reduced. The flow is obstructed by the unevenness of the substrate, resulting in uneven film thickness.

この様子を図５（ａ）〜（ｃ）に示す。図５（ａ）は、回転している塗布基板１０３に
溶剤１０４が滴下され、溶剤１０４の液量１０５が多い場合を示している。この場合、塗
布基板１０３の凹凸部１００は溶剤１０４の液量１０５の中に含まれた状態である。図５
（ｂ）に示すように、塗布基板１０３をさらに回転すると、溶剤１０４は回転による遠心
力により塗布基板１０３から飛散し、溶剤１０４の液量１０５は減少していく。図５（ｃ
）に示すように、塗布基板１０３をさらに回転すると、塗布基板１０３上に残っている溶
剤１０４の液量１０５はさらに減少する。 This state is shown in FIGS. FIG. 5A shows a case where the solvent 104 is dropped on the rotating coating substrate 103 and the liquid amount 105 of the solvent 104 is large. In this case, the concavo-convex portion 100 of the coated substrate 103 is included in the liquid amount 105 of the solvent 104. FIG.
As shown in (b), when the coating substrate 103 is further rotated, the solvent 104 is scattered from the coating substrate 103 by the centrifugal force caused by the rotation, and the liquid amount 105 of the solvent 104 is decreased. FIG.
As shown in FIG. 4, when the coated substrate 103 is further rotated, the liquid amount 105 of the solvent 104 remaining on the coated substrate 103 further decreases.

溶剤１０４の液量１０５が、塗布基板１０３の凹凸部１００の影響を受ける厚さに至っ
た場合は、塗布基板１０３の回転中心１０２と凹凸部１００とを結ぶ線分上に段差部１０
１を生ずるようになる。段差部１０１の凹凸部１００寄りの領域の溶剤１０４の液量１０
５は、他の領域と比較して薄くなり膜厚ムラが生じる。 When the liquid amount 105 of the solvent 104 reaches a thickness that is affected by the uneven portion 100 of the coated substrate 103, the step portion 10 is formed on a line segment connecting the rotation center 102 of the coated substrate 103 and the uneven portion 100.
1 will be produced. The amount of the solvent 104 in the region of the step portion 101 near the uneven portion 100 is 10
No. 5 is thinner than other regions, resulting in film thickness unevenness.

また、溶質の溶媒への溶解性が十分でない場合、スピンコート膜の膜厚は溶液濃度に依
存するため、所望の膜厚を得るためにスピンコートの回転数を低速にする必要がある。し
かし、低速回転としたことで溶液に作用する遠心力が低下し基板端部の溶液が基板外へと
飛散できずに基板の外周部に溜まり膜厚ムラが生じる。この膜厚ムラは回転数の低下に伴
い面積が拡大する。 Further, when the solubility of the solute in the solvent is not sufficient, the film thickness of the spin coat film depends on the solution concentration, and therefore, the spin coat rotation speed needs to be reduced in order to obtain a desired film thickness. However, the low-speed rotation reduces the centrifugal force acting on the solution, so that the solution at the edge of the substrate cannot be scattered outside the substrate and accumulates on the outer periphery of the substrate, resulting in uneven film thickness. The film thickness unevenness increases as the rotation speed decreases.

本発明は、このような従来の問題点に着目してなされたもので、その目的は、凹凸を有
する基板上へのスピンコート成膜において、使用溶液の粘度が低い場合に生じる膜厚ムラ
を低減し、また低濃度の溶液でも膜厚ムラの無く膜厚を増加できるスピンコート装置およ
びスピンコート方法を提供することにある。 The present invention has been made paying attention to such a conventional problem, and its purpose is to prevent film thickness unevenness that occurs when the viscosity of the solution used is low in spin coating film formation on a substrate having unevenness. An object of the present invention is to provide a spin coating apparatus and a spin coating method that can reduce the thickness and increase the film thickness even with a low concentration solution without causing film thickness unevenness.

上記課題を解決するために、本発明では、基板に溶液を滴下し、基板を所定の回転数で
回転させることで溶液を基板表面に塗布するスピンコート装置であって、スピンコート装
置の回転ステージを密閉するチャンバと、チャンバ内を減圧状態にする真空ラインと、チ
ャンバ内を不活性ガス雰囲気にする不活性ガス導入ラインとを備えることを要旨とする。 In order to solve the above-described problems, the present invention provides a spin coater that applies a solution to a substrate surface by dropping the solution onto the substrate and rotating the substrate at a predetermined number of revolutions. And a vacuum line for reducing the pressure in the chamber, and an inert gas introduction line for setting the inside of the chamber to an inert gas atmosphere.

このように、チャンバ内を減圧状態にする真空ラインとチャンバ内を不活性ガス雰囲気
にする不活性ガス導入ラインとを備えることにより、回転ステージを密閉するチャンバ内
を乾燥雰囲気にすることができ、それによって、スピンコート中に溶媒が速やかに乾燥す
ることができる。その結果、凹凸のある基板上でスピンコートを行う場合、凹凸の影響を
受けるまで溶液が減少した時点で溶媒が揮発し膜厚ムラの発生を防止することができる。
また、低濃度の溶液のスピンコートにおいて膜厚ムラ低減のために高速回転でスピンコー
トを実施しても溶媒の揮発が早いため十分な膜厚が確保することができる。 Thus, by providing a vacuum line for reducing the pressure inside the chamber and an inert gas introduction line for setting the inside of the chamber to an inert gas atmosphere, the inside of the chamber for sealing the rotary stage can be made a dry atmosphere, Thereby, the solvent can be quickly dried during spin coating. As a result, when spin coating is performed on an uneven substrate, the solvent is volatilized at the time when the solution is reduced until it is affected by the unevenness, and the occurrence of film thickness unevenness can be prevented.
In addition, even when spin coating is performed at a high speed to reduce film thickness unevenness in spin coating of a low concentration solution, sufficient film thickness can be ensured because the solvent evaporates quickly.

この場合、乾燥速度を確認するために、有機溶媒の蒸気圧を測定する蒸気圧センサ、及
び、密閉構造の内部の真空度を測定する真空計を備えることが望ましい。 In this case, in order to confirm the drying speed, it is desirable to include a vapor pressure sensor that measures the vapor pressure of the organic solvent and a vacuum gauge that measures the degree of vacuum inside the sealed structure.

また、不活性ガス導入ラインは、乾燥速度を制御するために、不活性ガスの流量を制御
するための不活性ガス導入弁、及び、マスフローコントローラを備えることが望ましい。 The inert gas introduction line preferably includes an inert gas introduction valve for controlling the flow rate of the inert gas and a mass flow controller in order to control the drying rate.

本発明のスピンコート装置は、不活性ガスとしてＮ２、Ｈｅ、Ｎｅ、Ａｒ、Ｘｅを用い
ることを要旨とする。 The gist of the spin coater of the present invention is to use N2, He, Ne, Ar, and Xe as the inert gas.

これによれば、スピンコート装置のチャンバ内を不活性ガスとしてＮ２、Ｈｅ、Ｎｅ、
Ａｒ、Ｘｅの雰囲気で満たしてあるため、溶液はスピンコートにより溶液の大半が飛散す
ると速やかに乾燥するため、基板の凹凸の影響を受けることなく膜厚ムラの無い成膜が可
能になる。 According to this, N 2, He, Ne,
Since the solution is filled with an atmosphere of Ar and Xe, the solution dries quickly when the majority of the solution is scattered by spin coating, so that film formation without film thickness unevenness is possible without being affected by the unevenness of the substrate.

本発明のスピンコート装置のチャンバは加熱機構を備えていることを要旨とする。   The gist of the present invention is that the chamber of the spin coater of the present invention includes a heating mechanism.

これによれば、チャンバを加熱することでチャンバ内の残留溶媒を速やかに飛散させ、
チャンバ内雰囲気を不活性ガス雰囲気に置換する時間を短縮することができる。 According to this, the residual solvent in the chamber is quickly scattered by heating the chamber,
The time for replacing the atmosphere in the chamber with an inert gas atmosphere can be shortened.

本発明のスピンコート装置は、チャンバを開放することなく回転ステージに基板を載置
する基板供給機構が接続されていることを要旨とする。 The gist of the spin coater of the present invention is that a substrate supply mechanism for placing the substrate on the rotary stage without opening the chamber is connected.

これによれば、チャンバを開放することなく回転ステージに基板を載置する基板供給機
構が接続されているため、チャンバ内の雰囲気を大きく変えずにスピンコート処理するこ
とができる。また、真空排気・不活性ガス導入などの手順を行う間に基板上に異物が付着
することを防止することができる。 According to this, since the substrate supply mechanism for placing the substrate on the rotation stage without opening the chamber is connected, the spin coating process can be performed without greatly changing the atmosphere in the chamber. Further, it is possible to prevent foreign matters from adhering to the substrate during procedures such as evacuation and introduction of inert gas.

本発明のスピンコート装置の回転ステージは基板加熱機構を備えていることを要旨とす
る。 The gist is that the rotary stage of the spin coater of the present invention includes a substrate heating mechanism.

これによれば、スピンコート成膜終了直後に基板を加熱し膜中の溶媒を除去することが
できる。これにより複数の塗布基板をスピンコート処理した場合でもスピンコート処理の
順序によるスピンコート工程から乾燥・ベーク工程までの待ち時間の差がほとんど無くな
る。 According to this, it is possible to remove the solvent in the film by heating the substrate immediately after the completion of the spin coat film formation. As a result, even when a plurality of coated substrates are spin-coated, there is almost no difference in waiting time from the spin coating process to the drying / baking process depending on the order of the spin coating process.

本発明の有機ＥＬ膜のスピンコート方法は、本発明のスピンコート装置を用いたことを
要旨とする。 The gist of the spin coating method of the organic EL film of the present invention is that the spin coating apparatus of the present invention is used.

これによれば、膜厚ムラのない有機ＥＬ膜を得ることができる。   According to this, an organic EL film free from film thickness unevenness can be obtained.

本発明の磁気ディスクの磁性層のスピンコート方法は、本発明のスピンコート装置を用
いたことを要旨とする。 The gist of the spin coating method of the magnetic layer of the magnetic disk of the present invention is that the spin coating apparatus of the present invention is used.

これによれば、膜厚ムラのない磁気ディスクの磁性層を得ることができる。   According to this, the magnetic layer of the magnetic disk without film thickness unevenness can be obtained.

本発明のフォトレジスト塗布のスピンコート方法は、本発明のスピンコート装置を用い
たことを要旨とする。 The gist of the spin coating method for photoresist application of the present invention is that the spin coating apparatus of the present invention is used.

これによれば、膜厚ムラのないフォトレジスト層を得ることができる。   According to this, a photoresist layer having no film thickness unevenness can be obtained.

以下、本発明を図面に示した実施例に基づいて詳細に説明する。   Hereinafter, the present invention will be described in detail based on embodiments shown in the drawings.

ここで、図１を参照して、本発明の実施例１のスピンコート装置２０を説明する。
図１は、本発明の実施例１のスピンコート装置２０の概略的構成図であり、チャンバと
してのスピンコートチャンバ１と、このスピンコートチャンバ１内に基板としての塗布基
板１０を保持して回転させる回転ステージとしての基板回転ステージ９と、塗布基板１０
上に溶液を供給する溶液供給用シリンジ８と、スピンコータ―内を密閉空間にする密閉用
上蓋５と、減圧ラインとしてのスピンコータ―内を減圧排気する真空排気装置２、及びス
ピンコータ―内を不活性ガス雰囲気に置換する不活性ガス導入ラインにより構成される。 Here, with reference to FIG. 1, the spin coater 20 of Example 1 of this invention is demonstrated.
FIG. 1 is a schematic configuration diagram of a spin coater 20 according to a first embodiment of the present invention. A spin coat chamber 1 serving as a chamber and a coating substrate 10 serving as a substrate are held in the spin coat chamber 1 and rotated. Substrate rotating stage 9 as a rotating stage to be applied, and coating substrate 10
The solution supply syringe 8 for supplying the solution above, the sealing top lid 5 for making the inside of the spin coater a sealed space, the vacuum evacuation device 2 for evacuating the inside of the spin coater as a decompression line, and the inside of the spin coater are inactive It is comprised by the inert gas introduction line substituted by gas atmosphere.

この密閉用上蓋５とスピンコートチャンバ１の接触部の一方にはＯリング等の気密保持
構造を取付ける。 An airtight holding structure such as an O-ring is attached to one of the contact portions between the sealing upper lid 5 and the spin coat chamber 1.

また、スピンコートチャンバ１には密閉空間の真空度を測定する真空計３と、使用溶液
の溶媒の蒸気圧を測定する蒸気圧センサ４を配置している。 The spin coat chamber 1 is provided with a vacuum gauge 3 for measuring the degree of vacuum in the sealed space and a vapor pressure sensor 4 for measuring the vapor pressure of the solvent of the solution used.

また、密閉用上蓋５には、不活性ガス導入ラインとしての不活性ガス導入弁６及びマス
フローコントローラ７が配設されている。不活性ガス導入弁６は不活性ガス導入管の開閉
を行う。マスフローコントローラ７は、不活性ガス導入管に配設されガスの流量を制御す
る。 In addition, the sealing upper lid 5 is provided with an inert gas introduction valve 6 and a mass flow controller 7 as an inert gas introduction line. The inert gas introduction valve 6 opens and closes the inert gas introduction pipe. The mass flow controller 7 is disposed in the inert gas introduction pipe and controls the flow rate of the gas.

次に、本発明の実施例１のスピンコート装置２０を用いたスピンコート法を説明する。
まず、塗布基板１０を真空チャックにより基板回転ステージ９に載置し、密閉用上蓋５を
閉じる。そして、真空排気装置２によりスピンコートチャンバ１内を減圧排気した後、不
活性ガス導入弁６から不活性ガスを導入しスピンコートチャンバ１内を不活性ガス雰囲気
にする。 Next, the spin coat method using the spin coat apparatus 20 of Example 1 of this invention is demonstrated.
First, the coated substrate 10 is placed on the substrate rotation stage 9 by a vacuum chuck, and the upper lid 5 for sealing is closed. Then, after evacuating the inside of the spin coat chamber 1 by the vacuum evacuation device 2, an inert gas is introduced from the inert gas introduction valve 6 to make the inside of the spin coat chamber 1 an inert gas atmosphere.

次いで、塗布基板１０上に溶液を滴下する。その際、塗布基板１０を低速で回転させつ
つ溶液を滴下する、もしくは溶液供給用シリンジ８の滴下位置を移動させながら滴下する
などの方法により塗布基板１０上に溶液を偏り無く滴下することが出来る。 Next, the solution is dropped onto the coated substrate 10. At that time, the solution can be dropped evenly on the coating substrate 10 by a method such as dropping the solution while rotating the coating substrate 10 at a low speed or dropping the solution while moving the dropping position of the solution supply syringe 8. .

次いで、塗布基板１０を所定の回転数で回転させ、溶液を飛散・乾燥させて成膜を行う
。最後に成膜の終了した塗布基板１０を取り出す。 Next, the coating substrate 10 is rotated at a predetermined rotational speed, and the solution is scattered and dried to form a film. Finally, the coated substrate 10 on which film formation has been completed is taken out.

この様に、スピンコート装置２０内を不活性ガス雰囲気で満たしてあるため、溶液はス
ピンコートにより溶液の大半が飛散すると速やかに乾燥するため、基板の凹凸の影響を受
けることなく膜厚ムラの無い成膜が可能になる。 In this way, since the inside of the spin coat apparatus 20 is filled with an inert gas atmosphere, the solution dries quickly when most of the solution is scattered by spin coating. No film formation is possible.

また、本実施例では、低濃度の溶液のスピンコートにおいて膜厚ムラ低減のために高速
回転でスピンコートを実施しても不活性ガス雰囲気でのスピンコートであるため溶媒の揮
発が早く十分な膜厚が確保することができる。 Further, in this embodiment, even when spin coating is performed at a high speed to reduce film thickness unevenness in spin coating of a low concentration solution, the volatilization of the solvent is sufficient because the spin coating is performed in an inert gas atmosphere. A film thickness can be ensured.

次に、図２を参照して、本発明の実施例２のスピンコート装置２０を説明する。
図２は、本発明の実施例２のスピンコート装置２０の概略的構成図であり、基本的構成
は上記の実施例１と同様であるが、この実施例２はスピンコートチャンバ１の外周部にチ
ャンバ加熱用ヒータ１１を設けたものである。 Next, with reference to FIG. 2, the spin coater 20 of Example 2 of this invention is demonstrated.
FIG. 2 is a schematic configuration diagram of a spin coater 20 according to a second embodiment of the present invention. The basic configuration is the same as that of the first embodiment, but the second embodiment is the outer peripheral portion of the spin coat chamber 1. Is provided with a heater 11 for heating the chamber.

このチャンバ加熱用ヒータ１１でスピンコートチャンバ１を加熱することでチャンバ内
の残留溶媒を速やかに飛散させ、チャンバ内雰囲気を不活性ガス雰囲気に置換する時間を
短縮することができる。 By heating the spin coat chamber 1 with the chamber heating heater 11, the residual solvent in the chamber is quickly scattered, and the time for replacing the atmosphere in the chamber with an inert gas atmosphere can be shortened.

次に、図３を参照して、本発明の実施例３のスピンコート装置２０を説明する。
図３は、本実施例のスピンコート装置２０の概略的構成図であり、基本的構成は上記の
実施例１と同様であるが、本実施例はスピンコートチャンバ１と同様に、減圧状態の維持
もしくは不活性ガス雰囲気内で塗布基板１０を保管できる保管用チャンバ１２と、保管用
チャンバ１２内に複数枚の塗布基板１０を互いに接触することなくストックできる基板保
管用カセット１３と、スピンコートチャンバ１と保管用チャンバ１２との間の塗布基板１
０の受け渡しを行う基板搬送用ハンド１４と、スピンコートチャンバ１から保管用チャン
バ１２への溶媒雰囲気の混入を防止する密閉シャッタ１５と、基板回転ステージ９に上下
動作機構を設けたものである。 Next, with reference to FIG. 3, the spin coater 20 of Example 3 of this invention is demonstrated.
FIG. 3 is a schematic configuration diagram of the spin coater 20 of the present embodiment. The basic configuration is the same as that of the first embodiment, but this embodiment is in a reduced pressure state, similar to the spin coat chamber 1. A storage chamber 12 capable of storing the coated substrate 10 in a maintenance or inert gas atmosphere, a substrate storage cassette 13 capable of storing a plurality of coated substrates 10 in the storage chamber 12 without contacting each other, and a spin coat chamber 1 and the coating substrate 1 between the storage chamber 12
A substrate transfer hand 14 for delivering 0, a hermetic shutter 15 for preventing the solvent atmosphere from being mixed into the storage chamber 12 from the spin coat chamber 1, and a substrate rotating stage 9 are provided with a vertical movement mechanism.

この基板供給機構としての保管用チャンバ１２、基板保管用カセット１３、基板搬送用
ハンド１４、密閉シャッタ１５を用いることで、塗布基板１０のスピンコートチャンバ１
への搬入・搬出をチャンバの雰囲気を破ることなく行える。なお、減圧排気中に搬送する
場合は保管用チャンバ１２内を減圧状態に、不活性ガス雰囲気で搬送する場合は保管用チ
ャンバ１２内を不活性ガス雰囲気にする。これによりスピンコートチャンバ１内の雰囲気
を大きく変えずにスピンコート処理が行える。また、塗布基板１０を保管用チャンバ１２
内に設置後に真空排気・不活性ガス導入などの手順を行うため、塗布基板１０上に異物が
付着することを防止することができる。 By using the storage chamber 12, the substrate storage cassette 13, the substrate transfer hand 14, and the sealing shutter 15 as the substrate supply mechanism, the spin coat chamber 1 for the coated substrate 10 is used.
Loading and unloading can be performed without breaking the chamber atmosphere. Note that the storage chamber 12 is in a reduced pressure state when transported into a vacuum exhaust, and the storage chamber 12 is in an inert gas atmosphere when transported in an inert gas atmosphere. As a result, the spin coating process can be performed without greatly changing the atmosphere in the spin coating chamber 1. Further, the coated substrate 10 is stored in the storage chamber 12.
Since the procedures such as evacuation and introduction of inert gas are performed after installation inside, it is possible to prevent foreign matter from adhering to the coated substrate 10.

次に、図４を参照して、本発明の実施例４のスピンコート装置２０を説明する。
図４は、本実施例のスピンコート装置２０の概略的構成図であり、基本的構成は上記の
実施例１と同様であるが、本実施例は回転ステージに基板加熱機構を配設したヒータ付き
基板回転ステージ１６を設けたものである。 Next, with reference to FIG. 4, the spin coater 20 of Example 4 of this invention is demonstrated.
FIG. 4 is a schematic configuration diagram of the spin coater 20 of the present embodiment. The basic configuration is the same as that of the first embodiment described above, but this embodiment is a heater in which a substrate heating mechanism is provided on a rotary stage. The attached substrate rotation stage 16 is provided.

このヒータ付き基板回転ステージ１６を用いることでスピンコート成膜終了直後に基板
を加熱し膜中の溶媒を除去することができる。これにより複数の塗布基板をスピンコート
処理した場合でもスピンコート処理の順序によるスピンコート工程から乾燥・ベーク工程
までの待ち時間の差がほとんど無くなる。 By using this substrate rotation stage 16 with a heater, the substrate can be heated and the solvent in the film can be removed immediately after completion of the spin coat film formation. As a result, even when a plurality of coated substrates are spin-coated, there is almost no difference in waiting time from the spin coating process to the drying / baking process depending on the order of the spin coating process.

本発明のスピンコート装置２０を用いて有機ＥＬ膜を成膜することによって膜厚ムラの
ない有機ＥＬ膜を得ることができる。また、本発明のスピンコート装置２０を用いて磁気
ディスクの磁性層を成膜することによって膜厚ムラのない磁気ディスクの磁性層を得るこ
とができる。また、本発明のスピンコート装置２０を用いてフォトレジスト塗布をするこ
とによって、膜厚ムラのないフォトレジスト層を得ることができる。 By forming an organic EL film using the spin coater 20 of the present invention, an organic EL film having no film thickness unevenness can be obtained. Further, by forming a magnetic layer of the magnetic disk using the spin coater 20 of the present invention, it is possible to obtain a magnetic layer of the magnetic disk with no film thickness unevenness. Further, by applying a photoresist using the spin coater 20 of the present invention, a photoresist layer having no film thickness unevenness can be obtained.

本発明の実施例１のスピンコート装置の概略的構成図。1 is a schematic configuration diagram of a spin coater according to a first embodiment of the present invention. 本発明の実施例２のスピンコート装置の概略的構成図。The schematic block diagram of the spin coater of Example 2 of this invention. 本発明の実施例３のスピンコート装置の概略的構成図。The schematic block diagram of the spin coater of Example 3 of this invention. 本発明の実施例４のスピンコート装置の概略的構成図。The schematic block diagram of the spin coater of Example 4 of this invention. （ａ）〜（ｃ）は、従来例における、低粘度の溶液を微細な凹凸のある基板上でスピンコートした際に生じるムラの発生メカニズムの模式図。(A)-(c) is a schematic diagram of the generation | occurrence | production mechanism of the nonuniformity produced when spin-coating the low-viscosity solution on the board | substrate with a fine unevenness | corrugation in a prior art example.

符号の説明Explanation of symbols

１…スピンコートチャンバ、２…真空排気装置、３…真空計、４…蒸気圧センサ、５…
密閉用上蓋、６…不活性ガス導入弁、７…マスフローコントローラ、８…溶液供給用シリ
ンジ、９…基板回転ステージ、１０…塗布基板、１１…チャンバ加熱用ヒータ、１２…保
管用チャンバ、１３…基板保管用カセット、１４…基板搬送用ハンド、１５…密閉シャッ
タ、１６…ヒータ付き基板回転ステージ。
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Spin coat chamber, 2 ... Vacuum exhaust apparatus, 3 ... Vacuum gauge, 4 ... Vapor pressure sensor, 5 ...
Upper lid for sealing, 6 ... Inert gas introduction valve, 7 ... Mass flow controller, 8 ... Syringe for solution supply, 9 ... Substrate rotating stage, 10 ... Application substrate, 11 ... Heater for chamber heating, 12 ... Chamber for storage, 13 ... Substrate storage cassette, 14... Substrate transfer hand, 15... Sealed shutter, 16.

Claims (8)

基板に溶液を滴下し、前記基板を所定の回転数で回転させることで前記溶液を前記基板
表面に塗布するスピンコート装置であって、
前記スピンコート装置の回転ステージを密閉するチャンバと、
前記チャンバ内を減圧状態にする減圧ラインと、
前記チャンバ内を不活性ガス雰囲気にする不活性ガス導入ラインと
を備えることを特徴とするスピンコート装置。 A spin coater that applies the solution onto the surface of the substrate by dropping the solution onto the substrate and rotating the substrate at a predetermined rotational speed,
A chamber for sealing the rotary stage of the spin coater;
A decompression line for reducing the pressure in the chamber;
An spin coating apparatus comprising: an inert gas introduction line for bringing the chamber into an inert gas atmosphere. 前記不活性ガスとしてＮ２、Ｈｅ、Ｎｅ、Ａｒ、Ｘｅを用いることを特徴とする請求項
１に記載のスピンコート装置。 The spin coater according to claim 1, wherein N2, He, Ne, Ar, or Xe is used as the inert gas. 前記チャンバは加熱機構を備えていることを特徴とする請求項１に記載のスピンコート
装置。 The spin coater according to claim 1, wherein the chamber includes a heating mechanism. 前記チャンバを開放することなく前記回転ステージに前記基板を載置する基板供給機構
が接続されていることを特徴とする請求項１に記載のスピンコート装置。 The spin coater according to claim 1, wherein a substrate supply mechanism for mounting the substrate is connected to the rotary stage without opening the chamber. 前記回転ステージは基板加熱機構を備えていることを特徴とする請求項１に記載のスピ
ンコート装置。 The spin coater according to claim 1, wherein the rotary stage includes a substrate heating mechanism. 請求項１乃至請求項５のいずれか一項に記載の前記スピンコート装置を用いた有機ＥＬ
膜のスピンコート方法。 An organic EL using the spin coater according to any one of claims 1 to 5.
Spin coating method of film. 請求項１乃至請求項５のいずれか一項に記載の前記スピンコート装置を用いた磁気ディ
スクの磁性層のスピンコート方法。 6. A spin coating method for a magnetic layer of a magnetic disk using the spin coating apparatus according to claim 1. 請求項１乃至請求項５のいずれか一項に記載の前記スピンコート装置を用いたフォトレ
ジスト塗布のスピンコート方法。
A spin coating method for applying a photoresist using the spin coating apparatus according to any one of claims 1 to 5.
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