JP2007266265A - 不純物拡散方法及び半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】不純物ピーク濃度が高くまたは拡散プロファイルの制御が容易な不純物拡散方法及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板の半導体の表面に酸化膜を形成する酸化工程と、不純物元素を含む化合物ガスのガス分圧を0.1トール以上800トール以下とし、前記基板の温度を750℃以上950℃以下として、前記酸化膜を介して前記半導体に前記不純物元素を拡散させる拡散工程と、を備えたことを特徴とする不純物拡散方法を提供する。
【選択図】図2
【解決手段】基板の半導体の表面に酸化膜を形成する酸化工程と、不純物元素を含む化合物ガスのガス分圧を0.1トール以上800トール以下とし、前記基板の温度を750℃以上950℃以下として、前記酸化膜を介して前記半導体に前記不純物元素を拡散させる拡散工程と、を備えたことを特徴とする不純物拡散方法を提供する。
【選択図】図2
Description
本発明は、不純物拡散方法及び半導体装置の製造方法に関し、より詳細には、n型やp型の不純物元素を含むガスを用いた不純物拡散方法及び半導体装置の製造方法に関する。
半導体に対する不純物のドーピングには、イオン注入法や気相拡散法などが用いられている。
イオン注入法は、不純物イオンを加速して打ち込み、所望の不純物ピーク濃度を有する拡散層を形成する技術である。しかし、この方法は注入方向に依存するので、例えば、DRAM(Dynamic Random Access Memory)におけるディープトレンチの側壁のように、不純物イオンを注入しにくいところには、不純物濃度が高く浅い拡散層が得られにくい。また、不純物イオンを加速して打ち込むので、ダメージを与えてしまう恐れがある。
イオン注入法は、不純物イオンを加速して打ち込み、所望の不純物ピーク濃度を有する拡散層を形成する技術である。しかし、この方法は注入方向に依存するので、例えば、DRAM(Dynamic Random Access Memory)におけるディープトレンチの側壁のように、不純物イオンを注入しにくいところには、不純物濃度が高く浅い拡散層が得られにくい。また、不純物イオンを加速して打ち込むので、ダメージを与えてしまう恐れがある。
一方、気相拡散法は、不純物元素を有するガス雰囲気中で熱処理を施して、半導体中に不純物元素を拡散する技術である。したがって、不純物ガスに晒した部分に拡散層を形成することができる。そのため、ディープトレンチの側壁であっても問題なく拡散層を形成できる。しかし、この方法は、不純物ピーク濃度と拡散深さの制御が困難であった。特に、例えば、3×1019 cm−3以上の高い不純物ピーク濃度や浅い拡散層などを安定して得ることが容易でなかった。
これに対して、気相拡散法を用いて半導体基板に不純物層を吸着させた後、酸素などを供給して不純物の外方拡散や揮発を抑制する層を形成し、熱拡散させることにより、より高濃度化させる方法が開示されている。(特許文献1)。
特開平11−204450号公報
本発明は、不純物ピーク濃度が高くまたは拡散プロファイルの制御が容易な不純物拡散方法及び半導体装置の製造方法を提供する。
本発明の一態様によれば、基板の半導体の表面に酸化膜を形成する酸化工程と、不純物元素を含む化合物ガスのガス分圧を0.1トール以上800トール以下とし、前記基板の温度を750℃以上950℃以下として、前記酸化膜を介して前記半導体に前記不純物元素を拡散させる拡散工程と、を備えたことを特徴とする不純物拡散方法が提供される。
また、本発明のさらに他の一態様によれば、不純物元素が拡散された半導体を有する半導体装置の製造方法であって、上記の不純物拡散方法により前記半導体に前記不純物元素を拡散させることを特徴とする半導体装置の製造方法が提供される。
本発明によれば、不純物ピーク濃度が高くまたは拡散プロファイルの制御が容易な不純物拡散方法及び半導体装置の製造方法を提供できる。
以下、図面を参照しつつ、本発明の実施の形態について説明する。本実施の形態の説明においては、基板または半導体基板の一例として、単結晶シリコン基板を使用するものとする(以下これについては省略する)。
本発明の実施例として、不純物ピーク濃度が高い拡散層を形成する不純物拡散方法について以下に述べる。
図1は、本発明の第1実施例に関連する不純物拡散方法を表すフローチャートである。
まず、半導体基板を処理チャンバに導入する。その後、処理チャンバ内を真空にして還元ガスを供給し、加熱して、半導体基板の表面に形成された酸化膜を除去する(ステップS100)。
これにより、半導体基板の表面が清浄化される。ここで、酸化膜を除去する条件としては、例えば、還元ガスを水素ガスとし、また、還元ガスの圧力を1トール(Torr)程度とし、半導体基板の温度を950℃にして1時間保持する。
これにより、半導体基板の表面が清浄化される。ここで、酸化膜を除去する条件としては、例えば、還元ガスを水素ガスとし、また、還元ガスの圧力を1トール(Torr)程度とし、半導体基板の温度を950℃にして1時間保持する。
その後、還元ガスの供給を停止し、不純物元素を含むガスを流す。不純物元素を含むガスとしては、例えば、ホスフィン(PH3)ガスを用い、そのガス分圧は1トールより大とする。また、半導体基板の温度を750〜950℃とする。このようにして、気相拡散法を用いて、半導体基板の表面付近に不純物元素を含む拡散層を形成することができる(ステップS110)。ただし、化合物ガスのキャリアガスには、例えば、窒素(N2)ガスを用いることができる。この際、化合物ガスの全圧は、例えば、380トールとすることができる。
この工程において、半導体基板の清浄化された表面に、ガスが分解して生成されたリンやリン化合物などが付着する。そして、リンが半導体基板の内部に拡散する。これにより、半導体基板の表面近傍には、3×1019cm−3以上の高い不純物ピーク濃度を有するn型の拡散層が形成される。
また、本技術の製造方法は、半導体基板の表面に形成された酸化膜を除去した後、還元ガスから化合物ガスに置換して、不純物元素を含む拡散層を形成することができる。
同一の処理チャンバを用いて連続的に形成することが可能となる。
また、本技術の製造方法は、半導体基板の表面に形成された酸化膜を除去した後、還元ガスから化合物ガスに置換して、不純物元素を含む拡散層を形成することができる。
同一の処理チャンバを用いて連続的に形成することが可能となる。
図2は、本参考例により得られた不純物プロファイルを例示するグラフ図である。
ここで、横軸は拡散深さ(ナノメータ)であり、縦軸はリン濃度(cm−3)である。このリン濃度はSIMS(Secondary Ion Mass Spectrometry)を用いて測定した。気相拡散法の条件は、PH3ガスの分圧が20トールであり、半導体基板の温度が850℃であり、処理時間が10分間である。
ここで、横軸は拡散深さ(ナノメータ)であり、縦軸はリン濃度(cm−3)である。このリン濃度はSIMS(Secondary Ion Mass Spectrometry)を用いて測定した。気相拡散法の条件は、PH3ガスの分圧が20トールであり、半導体基板の温度が850℃であり、処理時間が10分間である。
本参考例によれば、表面から約10ナノメータの拡散深さにおいて、例えば、2×1020cm−3の不純物ピーク濃度が得られることが分かる。このように、PH3ガス分圧及び半導体基板の温度を制御することで、不純物ピーク濃度が高いn型の拡散層を形成することができる。
ただし、化合物ガスのガス分圧が0.1トールより小であると、3×1019cm−3以上の不純物ピーク濃度が得られない。また、半導体基板の温度が750℃以下になると、十分拡散できないので、やはり2×1020cm−3の不純物ピーク濃度が得られない。一方、半導体基板の温度が1200℃以上だと、半導体基板に対するリンの溶解度が低下し、拡散ピーク濃度が低下する傾向が認められる。
本参考例によれば、半導体基板の形状には依存せずに、例えば、DRAM(Dynamic Random Access Memory)におけるディープトレンチの側壁にも、高い不純物ピーク濃度を有する浅い拡散層を形成することが可能となる。また、例えば、CMOSトランジスタ等の半導体デバイスのソースやドレインを形成する過程においても、所定の位置に、浅く且つ高いピーク濃度を有する不純物拡散層を容易に形成することが可能である。
次に、本発明の実施例として、不純物プロファイルを制御する方法について説明する。 図3は、本発明の実施例の不純物拡散方法を表すフローチャートである。
本実施例においては、半導体基板の表面を薬液処理して、膜厚が1ナノメータ以下の酸化膜を形成する(ステップS200)。ここで、薬液としては、例えば、塩酸(HCl)と過酸化水素(H2O2)と純水(H2O)の組成割合が1:1:5(体積比)の混合溶液や、アンモニア(NH4OH)と過酸化水素(H2O2)と純水(H2O)の組成割合が1:1:5(体積比)の混合溶液を用いることができる。
続いて、還元ガスの供給を停止した後、n型の不純物元素を含む、例えばPH3ガスなどの化合物ガスのガスを処理チャンバに供給する。
そして、化合物ガスのガス分圧を、後述するように0.1〜800トールとし、半導体基板の温度を750〜950℃として、気相拡散を用いて半導体基板の表面に不純物元素を含む拡散層を形成する(ステップS210)。ここで、温度が750℃よりも低いと十分なドーピングが困難となり、温度が950℃を超えると半導体基板の上に形成した酸化膜が還元除去されてしまうおそれがある。
そして、化合物ガスのガス分圧を、後述するように0.1〜800トールとし、半導体基板の温度を750〜950℃として、気相拡散を用いて半導体基板の表面に不純物元素を含む拡散層を形成する(ステップS210)。ここで、温度が750℃よりも低いと十分なドーピングが困難となり、温度が950℃を超えると半導体基板の上に形成した酸化膜が還元除去されてしまうおそれがある。
ここでは、半導体基板の表面に形成した酸化膜にPH3ガスが分解して生成されたリンやその化合物が付着する。そして、付着したリンが半導体基板の内部に拡散することにより、半導体基板の表面近傍に、不純物プロファイルが制御されたn型の拡散層が形成される。
図4は、本実施例により半導体基板に形成された酸化膜の膜厚に対する不純物プロファイルを表すグラフ図である。
ここで、横軸は拡散深さ(ナノメータ)であり、縦軸はリン濃度(cm−3)である。酸化膜の膜厚は、曲線(a)がゼロナノメータであり、曲線(b)が0.3ナノメータであり、曲線(c)が1.0ナノメータである。リン濃度は、SIMSを用いて測定した。気相拡散法の条件は、PH3ガスの分圧が20トールであり、半導体基板の温度が850℃であり、処理時間が10分間である。
ここで、横軸は拡散深さ(ナノメータ)であり、縦軸はリン濃度(cm−3)である。酸化膜の膜厚は、曲線(a)がゼロナノメータであり、曲線(b)が0.3ナノメータであり、曲線(c)が1.0ナノメータである。リン濃度は、SIMSを用いて測定した。気相拡散法の条件は、PH3ガスの分圧が20トールであり、半導体基板の温度が850℃であり、処理時間が10分間である。
図4から、酸化膜の膜厚の増加に伴い、リン元素の拡散深さ及び不純物ピーク濃度が低下することが分かる。このように、酸化膜の厚みをコントロールすることで、リン元素の拡散深さ及び不純物ピーク濃度を制御することが可能となる。
ここで、例えば、硫酸(H2SO4)と過酸化水素(H2O2)の組成割合が4:1(体積比)の混合溶液を用いた場合、酸化膜の膜厚が1ナノメータよりも大きくなり、不純物濃度は大きく低下してしまい、所望の不純物ピーク濃度が得られない。
図5は、半導体基板において、酸化膜の厚みに対するシート抵抗の関係を表すグラフ図である。
ここで、横軸は酸化膜の厚み(ナノメータ)であり、縦軸はシート抵抗(Ω/□)である。不純物濃度と抵抗値の関係から、ここでは、酸化膜の膜厚の度合と、シート抵抗値、ひいては、例えばリン元素等の拡散の深さや不純物ピーク濃度の度合と、の関係を把握することができる。
ここで、横軸は酸化膜の厚み(ナノメータ)であり、縦軸はシート抵抗(Ω/□)である。不純物濃度と抵抗値の関係から、ここでは、酸化膜の膜厚の度合と、シート抵抗値、ひいては、例えばリン元素等の拡散の深さや不純物ピーク濃度の度合と、の関係を把握することができる。
図5から、酸化膜が厚くなるにしたがって、半導体基板のシート抵抗が上昇し、酸化膜の厚みが1ナノメータを超えるとシート抵抗は高いレベルに変化してしまうことが分かる。
図6は、本実施例において、リンをドーピングするときの化合物ガスのガス分圧に対する不純物プロファイルを表すグラフ図である。
ここで、横軸は拡散深さ(ナノメータ)であり、縦軸はリン濃度の対数(cm−3)である。化合物ガスのガス分圧は、曲線(a)が0.08トールであり、曲線(b)が0.2トールであり、曲線(c)が5トールであり、曲線(d)が20トールである。リン濃度は、SIMSを用いて測定した。気相拡散法の条件は、酸化膜の膜厚が0.3ナノメータであり、半導体基板の温度が850℃であり、処理時間が10分間である。
ここで、横軸は拡散深さ(ナノメータ)であり、縦軸はリン濃度の対数(cm−3)である。化合物ガスのガス分圧は、曲線(a)が0.08トールであり、曲線(b)が0.2トールであり、曲線(c)が5トールであり、曲線(d)が20トールである。リン濃度は、SIMSを用いて測定した。気相拡散法の条件は、酸化膜の膜厚が0.3ナノメータであり、半導体基板の温度が850℃であり、処理時間が10分間である。
図6から、化合物ガスのガス分圧の低下に伴い、拡散深さ及び不純物ピーク濃度が低下することが分かる。そして、図4、図5及び図6から、酸化膜の厚みと化合物ガスのガス分圧をコントロールすることにより、リン元素の拡散深さ及び不純物ピーク濃度を精密に制御することが可能となることが分かる。
ここで、図6から分かるように、化合物ガスのガス分圧が0.1トールより小であると、所望の不純物ピーク濃度が得られない。また、半導体装置の製造に際する安全性の観点から化合物ガスのガス分圧は、大気プラス5パーセント程度の800トールを超えないよようにすることが望ましい。また、温度が950℃以上では、形成した酸化膜が還元除去されてしまうため、不純物プロファイルを制御することが困難となる。
以上説明したように、本実施例によれば、薬液処理により酸化膜の膜厚をコントロールし、リンなどの不純物を有する化合物ガスのガス分圧をコントロールして気相拡散法を行うことで、不純物の不純物プロファイルを精密に制御することができる。
(実施例2)
次に、本発明の第2の本実施例として、上述した第1実施例に記載した不純物拡散方法を組み合わせることにより、不純物ピーク濃度が高く且つ不純物プロファイルを制御した不純物拡散方法について説明する。
図7は、本発明の第2実施例の不純物拡散方法を表すフローチャートである。
次に、本発明の第2の本実施例として、上述した第1実施例に記載した不純物拡散方法を組み合わせることにより、不純物ピーク濃度が高く且つ不純物プロファイルを制御した不純物拡散方法について説明する。
図7は、本発明の第2実施例の不純物拡散方法を表すフローチャートである。
まず、第1実施例と同様に、半導体基板を処理チャンバに導入した後、処理チャンバの圧力が1トール程度となるように還元ガスを供給し、半導体基板の表面に形成された酸化膜を除去する。(ステップS300)。これにより、半導体基板の表面を、清浄にできる。ここで、還元処理の条件としては、例えば、第1実施例と同様に、還元ガスが水素であり、圧力が1トールであり、半導体基板の温度が950℃、保持時間が1時間である。
そして、処理チャンバから取りだし、半導体基板の表面を薬液処理して膜厚が1ナノメータ以下の酸化膜を形成する(ステップS310)。ここで、薬液としては、第1実施例に関して前述したように、例えば、塩酸(HCl)と過酸化水素(H2O2)と純水(H2O)の組成割合が1:1:5(体積比)からなる混合溶液などを用いることができる。また、酸化膜の膜厚は1ナノメータ以下とし、例えば、0.3ナノメータとすることができる。このように薬液処理を用いることで、膜厚が1ナノメータ以下の酸化膜を得ることができる。
続いて、半導体基板を処理チャンバ内に導入する。
そして、n型の不純物元素を含む、例えばPH3ガスなどの化合物ガスの分圧を1〜20トールとし、半導体基板の温度を750〜950℃として、気相反応を用いて、半導体基板の表面にn型の不純物元素を含む拡散層を形成する。(ステップS320)。
そして、n型の不純物元素を含む、例えばPH3ガスなどの化合物ガスの分圧を1〜20トールとし、半導体基板の温度を750〜950℃として、気相反応を用いて、半導体基板の表面にn型の不純物元素を含む拡散層を形成する。(ステップS320)。
ここでは、実施例1に関して前述したものと同様に、半導体基板の表面に形成された酸化膜にPH3ガスが分解して生成したリンやその化合物が付着する。そして、リンが半導体基板の内部に拡散する。これにより、半導体基板の表面近傍に、高い不純物ピーク濃度と浅い拡散プロファイルを有するn型の拡散層を形成することができる。
以下、本実施例において拡散時間を変化させて拡散層を形成したときの拡散深さについて説明する。
図8は、本具体例においてリンを拡散するときの処理時間に対する不純物プロファイルを表すグラフ図である。
以下、本実施例において拡散時間を変化させて拡散層を形成したときの拡散深さについて説明する。
図8は、本具体例においてリンを拡散するときの処理時間に対する不純物プロファイルを表すグラフ図である。
ここで、横軸は拡散深さ(ナノメータ)であり、縦軸はリン濃度(cm−3)である。処理時間は、曲線(a)が10分であり、曲線(b)が30分であり、曲線(c)が60分であり、曲線(d)が120分である。リン濃度は、SIMSを用いて測定した。 図8から、処理時間に依存せずに、1×1020cm−3程度の不純物ピーク濃度が得られることが分かる。また、処理時間の増加に伴い、拡散深さが大きくなるプロファイルを示している。すなわち、拡散深さと拡散時間との間に相関があることが分かる。したがって、酸化膜の厚みと処理時間を用途や目的に合わせることで、拡散層の拡散プロファイルを制御できる。
以上、具体例を参照しつつ、本発明の実施の形態について説明した。しかし、本発明はこれらの具体例に限定されるものではない。例えば、本発明は、DRAM、SRAM(Static Random Access Memory)やフラッシュメモリ、トランジスタやIGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)、ダイオードなどのディスクリート素子、マイクロプロセッサや論理回路などの集積回路装置を含むなどの半導体装置についても広く適用可能である。
また、前述した具体例においては、化合物ガスとしてPH3ガスを用いたが、本発明はこれには限定せず、例えば、アルシン(AsH3)ガスを用いても同様の効果が得られる。
図9は、アルシンを用いてヒ素をドーピングした場合の不純物プロファイルを表すグラフ図である。ここで、横軸は拡散深さ(ナノメータ)であり、縦軸はヒ素濃度(cm−3)である。
ここでは、第1実施例と同様の方法により、半導体基板の表面付近にAsが拡散された拡散層を形成した。アルシンを用いた気相拡散工程の処理時間は120分とし、半導体基板の温度は950℃とした。ここで、アルシンのガス分圧は、曲線(a)が19トールであり、曲線(b)が4トールであり、曲線(c)が0.02トールである。ヒ素濃度は、SIMSを用いて測定した。
ここでは、第1実施例と同様の方法により、半導体基板の表面付近にAsが拡散された拡散層を形成した。アルシンを用いた気相拡散工程の処理時間は120分とし、半導体基板の温度は950℃とした。ここで、アルシンのガス分圧は、曲線(a)が19トールであり、曲線(b)が4トールであり、曲線(c)が0.02トールである。ヒ素濃度は、SIMSを用いて測定した。
上述した第1実施例と同様に、アルシンのガス分圧の増加に伴い、不純物ピーク濃度が高くなり、拡散深さは大きくなることが分かる。そして、アルシン分圧を0.1トールとすることで、ヒ素のピーク濃度を3×1019cm−3 以上にすることができた。
本発明によれば、このようにヒ素を含有する化合物ガスを用いても、化合物ガスの分圧を高めることで、不純物ピーク濃度が高く且つ浅いn型を示す拡散層を形成できる。
なお、図9に表すようにヒ素の不純物プロファイルは、図2、図4及び図7に表したリンとは異なる傾向を示す。すなわち、リンのプロファイルは、拡散深さの増加に伴い、リン濃度が線形的に低下する傾向を示す。これに対して、ヒ素の場合は、例えば、表面からの拡散深さが約0.1〜0.15マイクロメータ程度までは、不純物ピーク濃度が略一定であり、拡散深さがさらに大きくなると、ヒ素の濃度が急激に低下することが分かる。このプロファイルの違いは、ヒ素とリンの拡散速度の差異に依存すると推察される。
一方、本発明によれば、例えば、ボロン(B)などのp型不純物を含有した化合物ガスを用いた場合にも、同様にして高い濃度ピークや浅い拡散プロファイルを実現できる。
また、本実施例において、薬液処理を用いて酸化膜を形成したが、これには限定されない。また、本発明の不純物拡散方法において、酸化膜を除去する方法や、酸化膜を形成する方法の各要素などについては、当業者が適宜変更を加えたものであっても、本発明の要旨を包含する限りにおいて本発明の範囲に包含される。
前述のように、本実施の形態では、一例として、単結晶シリコン基板を使用している。従って、本実施の形態では、不純物のピーク濃度と拡散のプロファイルの制御性を高め、単結晶シリコン基板において、高濃度ピークの不純物拡散層を浅い位置に形成する等のことが可能となる。
また、上述したように本実施の形態において、半導体基板の形状には依存せずに、例えば、DRAM(Dynamic Random Access Memory)におけるディープトレンチの側壁にも、高い不純物ピーク濃度を有する浅い拡散層を形成することが可能となる。
また、例えば、CMOSトランジスタ等の半導体デバイスのソースやドレインを形成する過程においても、所定の位置に、浅く且つ高いピーク濃度を有する不純物拡散層を容易に形成することが可能である。
また、例えば、CMOSトランジスタ等の半導体デバイスのソースやドレインを形成する過程においても、所定の位置に、浅く且つ高いピーク濃度を有する不純物拡散層を容易に形成することが可能である。
S100〜S320 ステップ
Claims (8)
- 基板の半導体の表面に酸化膜を形成する酸化工程と、
不純物元素を含む化合物ガスのガス分圧を0.1トール以上800トール以下とし、前記基板の温度を750℃以上950℃以下として、前記酸化膜を介して前記半導体に前記不純物元素を拡散させる拡散工程と、
を備えたことを特徴とする不純物拡散方法。 - 前記酸化工程の前に、還元ガスを供給して前記半導体の表面に形成された酸化膜を除去する還元工程をさらに備えたことを特徴とする請求項1記載の不純物拡散方法。
- 前記酸化膜の厚みは、1ナノメータ以下であることを特徴とする請求項1または2に記載の不純物拡散方法。
- 前記酸化膜は、前記半導体に薬液を接触させることにより形成することを特徴とする請求項1〜3のいずれか1つに記載の不純物拡散方法。
- 前記半導体に拡散した前記不純物のピーク濃度は、3×1019cm−3以上であることを特徴とする請求項1〜4のいずれか1つに記載の不純物拡散方法
- 前記不純物元素は、リンあるいはヒ素であることを特徴とする請求項1〜5のいずれか1つに記載の不純物拡散方法。
- 前記基板は、単結晶シリコン基板であることを特徴とする請求項1〜6のいずれか1つに記載の不純物拡散方法。
- 不純物元素が拡散された半導体を有する半導体装置の製造方法であって、
請求項1〜7のいずれか1つの不純物拡散方法により前記半導体に前記不純物元素を拡散させることを特徴とする半導体装置の製造方法。
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