JP2007265839A

JP2007265839A - エレクトロルミネッセンス装置および電子機器

Info

Publication number: JP2007265839A
Application number: JP2006090393A
Authority: JP
Inventors: Osamu Yokoyama; 修横山
Original assignee: Seiko Epson Corp
Current assignee: Seiko Epson Corp
Priority date: 2006-03-29
Filing date: 2006-03-29
Publication date: 2007-10-11

Abstract

【課題】エレクトロルミネッセンス装置において、サイズが互いに異なる表画面および裏
画面に別個の画像を同時に表示可能とし、かつ、画像の表示に寄与しないＥＬ（Electro
Luminescent）素子を排する。
【解決手段】両面部１２および片面部１１を有する。両面部１２は複数の両面ドットＤ２
を有し、各両面ドットＤ２は表面用サブドットＤ２１および裏面用サブドットＤ２２を有
する。表面用サブドットＤ２１は、自己の有機ＥＬ素子Ｐ２からの光を透過させて両面部
１２の表面Ｆ２から射出する。裏面用サブドットＤ２２は、自己の有機ＥＬ素子Ｐ３から
の光を透過させて裏面Ｒ２から射出する。片面部１１は複数の片面ドットＤ１を有する。
片面ドットＤ１は、自己の有機ＥＬ素子Ｐ１からの光を透過させて片面部１１の表面Ｆ１
から射出する。
【選択図】図４

Description

本発明は、ＥＬ（Electro Luminescent）素子を有するエレクトロルミネッセンス装置
と、これを備えた電子機器に関する。

特許文献１および非特許文献１には、素子基板上に多数のＥＬ素子が平面的に配列され
た平板状のエレクトロルミネッセンス装置が開示されている。この装置は、表面および裏
面に別個の画像を同時に表示可能であり、表面の画面（表画面）および裏面の画面（裏画
面）を構成している複数の両面ドットを有する。これらの両面ドットの各々は、表面用サ
ブドットおよび裏面用サブドットを１つずつ有する。表面用サブドットは、一つのＥＬ素
子を有し、このＥＬ素子からの光を透過させて表画面から射出する。裏面用サブドットは
、他の一つのＥＬ素子を有し、このＥＬ素子からの光を透過させて裏画面から射出する。
特開２０００−３６３０３４号公報チャン・ウェン・コ（Chung-Wen Ko）、他７名、「フルカラー両面アクティブマトリクスＯＬＥＤの開発（Development of Full Color Double Sided Active Matrix OLED）」、情報ディスプレイ学会、プロシーディングズ・オブ・ザ・第１２回・インターナショナル・ディスプレイ・ワークショップ・イン・コンジャンクション・ウィズ・アジア・ディスプレイ・２００５・ボリューム１（Proceedings of The 12th International Display Workshops in conjunction with Asia Display 2005 Volume 1）、p.625−628

ここで、上記のエレクトロルミネッセンス装置を、表画面と裏画面とのサイズが異なる
装置（例えば携帯電話機）に適用することを考える。この場合、表画面と裏画面とが重な
っていない部分にも多数の両面ドットを設けることになり、これらの両面ドットの裏面用
サブドットについては、その階調を一定とせざるを得ない。具体的には、これらの裏面用
サブドットのＥＬ素子が非発光であり続けるように、または一定の輝度で発光し続けるよ
うに、装置を構成する必要がある。その結果、画像の表示に寄与しない多数のＥＬ素子を
備えた装置となってしまう。
そこで、本発明は、サイズが互いに異なる表画面および裏画面に別個の画像を同時に表
示可能であり、かつ、画像の表示に寄与しないＥＬ素子を備えずに済むエレクトロルミネ
ッセンス装置と、これを備えた電子機器を提供する。

本発明に係るエレクトロルミネッセンス装置は、表面および裏面から光を射出する板状
の両面部と、前記両面部の表面と面一の表面から光を射出する片面部とを有し、前記両面
部は、前記両面部の表面および裏面に露出している複数の両面ドットを有し、前記複数の
両面ドットの各々は、前記両面部の表面に露出している表面用サブドットと、前記両面部
の裏面に露出している裏面用サブドットとを有し、前記複数の両面ドットが有する前記表
面用サブドットの各々は、ＥＬ素子を一つだけ有し、当該ＥＬ素子からの光を透過させて
前記両面部の表面から射出し、前記複数の両面ドットが有する前記裏面用サブドットの各
々は、ＥＬ素子を一つだけ有し、当該ＥＬ素子からの光を透過させて前記両面部の裏面か
ら射出し、前記片面部は、前記片面部の表面に露出している複数の片面ドットを有し、前
記複数の片面ドットの各々は、ＥＬ素子を一つだけ有し、当該ＥＬ素子からの光を透過さ
せて前記片面部の表面から射出する、ことを特徴とする。
ここで、「ＥＬ素子」とは、電気エネルギによる励起子の励起を経て発光する固体の発
光層と当該発光層を挟む二つの電極とを有する素子である。ここでいう電気エネルギとし
ては、電流や、電圧、電流密度を例示することができる。ＥＬ素子としては、発光層が有
機材料から形成された有機ＥＬ素子や、発光層が無機材料から形成された無機ＥＬ素子を
例示することができる。また、画像を表示する画面は、サイズが共通で階調が可変の複数
の領域から構成されており、これらの領域の各々を端面とするものが「ドット」であり、
その一種が「両面ドット」および「片面ドット」である。
上記のエレクトロルミネッセンス装置によれば、内部の全てのＥＬ素子からの光が表面
または裏面から出射する両面部と、内部の全てのＥＬ素子からの光が表面から出射する片
面部のみにより構成可能であり、かつ、両面部の表面および片面部の表面のみによって表
画面を構成可能であり、かつ、片面部の裏面のみによって当該表画面よりも狭い裏画面を
構成可能である。つまり、サイズが互いに異なる表画面および裏画面に別個の画像を同時
に表示可能であり、かつ、画像の表示に寄与しないＥＬ素子を備えずに済む。

上記のエレクトロルミネッセンス装置では、通常、各両面ドットにおいて、表面用サブ
ドットが有するＥＬ素子と裏面用サブドットが有するＥＬ素子とが両面部に垂直な方向に
おいて互いに重ならない、という構成を採ることになる。この構成では、各両面ドットが
有する各ＥＬ素子の発光層は、表画面において当該両面ドットが占める領域よりも大幅に
狭くなる。普通に考えれば、表画面におけるドット間での階調のバラツキを抑制するため
に、狭い発光層に合わせて、複数の片面ドットが有するＥＬ素子の発光層を狭くする一方
、表画面全体の明るさを良好に保つために、全ての発光層の輝度を大幅に上げることにな
る。しかし、こうすると、全てのＥＬ素子の寿命が大幅に短縮してしまう。寿命が尽きた
ＥＬ素子の数が多くなれば、画像の表示品質が劣化するから、寿命が大幅に短縮するＥＬ
素子の数を減らすことが重要である。
そこで、上記のエレクトロルミネッセンス装置において、前記複数の片面ドットが有す
るＥＬ素子の各々は、発光層の面積について、前記複数の両面ドットが有するＥＬ素子の
いずれよりも広い、ようにしてもよい。
この態様のエレクトロルミネッセンス装置では、複数の片面ドットが有するＥＬ素子の
各々については、当該ＥＬ素子の発光層の輝度を大幅に上げる必要がない。したがって、
この態様のエレクトロルミネッセンス装置によれば、寿命が大幅に短縮するＥＬ素子の数
を減らすことができる。

本発明に係る電子機器は、上記のエレクトロルミネッセンス装置のいずれか一つを備え
る。よって、エレクトロルミネッセンス装置を二つ以上備えることなく、サイズが互いに
異なる表画面および裏画面に別個の画像を表示可能であり、また、画像の表示に寄与しな
いＥＬ素子を備えずに済む。

以下、添付の図面を参照し、本発明の実施の形態について説明する。ただし、図面にお
いては、各部の寸法の比率は実際のものとは適宜に異ならせてある。

＜エレクトロルミネッセンス装置＞
図１は本実施の形態に係るエレクトロルミネッセンス装置１０の表面側の斜視図であり
、図２は裏面側の斜視図である。エレクトロルミネッセンス装置１０は、長方形の平板状
をなし、表面Ｆおよび裏面Ｒを有する。また、エレクトロルミネッセンス装置１０は、中
央に位置する両面部１２と、両面部を囲んでいる片面部１１とに分かれている。なお、中
央以外に両面部１２が位置するように本実施の形態を変形してもよい。

両面部１２は長方形の平板状をなし、表面Ｆ２および裏面（裏画面）Ｒ２から光を射出
する。片面部１１は、両面部１２と等厚の平板状をなし、表面Ｆ１および裏面Ｒ１から光
を射出する。表面Ｆ２および表面Ｆ１は面一であり、表面Ｆを構成している。表面Ｆは表
画面に相当し、この表画面を構成するドットは片面部１１および両面部１２内のドットの
みである。裏面Ｒ２は裏画面に相当し、この裏画面を構成するドットは両面部１２内のド
ットのみである。

図３は、エレクトロルミネッセンス装置１０におけるドットの配置を模式的に示す図で
ある。この図に示すように、エレクトロルミネッセンス装置１０内には、光を射出する複
数のドットＤがアレイ状に配列されている。ドットＤは、出射光の色によって三種類に分
けられる。すなわち、赤色（Ｒ）光を射出するＲのドットＤ、緑色（Ｇ）光を射出するＧ
のドットＤ、青色（Ｂ）光を射出するＢのドットＤである。ドットＤのアレイでは、これ
ら三種類のドットＤが規則的に並んでいる。

全てのドットＤは、両面部１２内の両面ドットＤ２（図３においてハッチングが施され
たドットＤ）と、片面部１１内の片面ドットＤ１とに分けられる。両面部１２内の全ての
両面ドットＤ２の各々は、両面部１２の表面Ｆ２および裏面Ｒ２に露出している。片面部
１１内の全ての片面ドットＤ１の各々は、片面部１１の表面Ｆ１に露出している。全ての
ドットＤが表面Ｒにおいて占める領域は互いに同形同大であり、複数のドットＤが裏面Ｒ
２において占める領域は互いに同形同大である。

図４〜図６を参照してドットＤの構造について説明する。図４は図３の二点鎖線で囲ま
れている部分の構造を模式的に示す平面図であり、図５は図４のＡ−Ａ線矢視断面図であ
り、図６は図４のＢ−Ｂ線矢視断面図である。ただし、各図においては、一部の部材の図
示を適宜に省略してある。

図４に示すように、各片面ドットＤ１は、光源として一つの有機ＥＬ素子Ｐ（有機ＥＬ
素子Ｐ１）を有する。各両面ドットＤ２は、表面Ｆ２に露出している表面用サブドットＤ
２１と、裏面Ｒ２に露出している裏面用サブドットＤ２２とを有する。表面用サブドット
Ｄ２１は一つの有機ＥＬ素子Ｐ（有機ＥＬ素子Ｐ２）を有し、裏面用サブドットＤ２２は
一つの有機ＥＬ素子Ｐ（有機ＥＬ素子Ｐ３）を有する。各有機ＥＬ素子Ｐは、有機材料か
ら形成された固体の発光層と当該発光層を挟む二つの電極とを有し、これら二つの電極間
で流れる電流（密度）に応じた輝度で発光する。図４においては、同一の材料から形成さ
れている発光層に同一のハッチングを施してある。

図５および図６に示すように、エレクトロルミネッセンス装置１０は、ガラスやプラス
チック等の光透過率が高い材料により形成された平板状の素子基板２１を有する。素子基
板２１の下面は表面Ｆである。素子基板２１上には、有機ＥＬ素子Ｐ毎に、対応する有機
ＥＬ素子Ｐに電流を供給する薄膜トランジスタＴが形成されている。各薄膜トランジスタ
Ｔは、対応する有機ＥＬ素子Ｐを駆動する。薄膜トランジスタＴには、チャネル幅がＷ１
の薄膜トランジスタＴ１とチャネル幅がＷ２の薄膜トランジスタＴ２の二種類がある。
この際、薄膜トランジスタＴ１のチャネル幅Ｗ１と薄膜トランジスタＴ２のチャネル幅
Ｗ２は同一の場合が想定され、同一の電流を供給する場合に適用される。
また、チャネル幅Ｗ１とチャネル幅Ｗ２とが異なる場合が考慮され、有機ＥＬ素子Ｐ毎
に異なる電流の供給が必要とされる場合に適用される。

各薄膜トランジスタＴは、素子基板２１上にシリコンなどの半導体材料によって形成さ
れた半導体層２２と、半導体層２２上に、光透過性の絶縁層２３を挟んで形成されたゲー
ト電極Ｇｔと、絶縁層２３およびゲート電極Ｇｔ上に光透過性の絶縁層２４を挟んで形成
されたソース電極Ｓｔおよびドレイン電極Ｄｔとを有する。半導体層２２は、ゲート電極
Ｇtに対向するチャネル領域ＣＲと、チャネル領域ＣＲを挟むソース領域ＳＲおよびドレ
イン領域ＤＲとを含む。ソース領域ＳＲはソース電極Ｓｔに導通しており、ドレイン領域
ＤＲはドレイン電極Ｄｔに導通している。ドレイン電極Ｄｔは図示しない電源線に接続さ
れている。各薄膜トランジスタＴのチャネル幅は、図５および図６の紙面に垂直な方向に
おける当該薄膜トランジスタＴのチャネル領域ＣＲの長さである。

図５に示すように、片面ドットＤ１内には、薄膜トランジスタＴとして薄膜トランジス
タＴ１が形成されている。薄膜トランジスタＴ１および絶縁層２４上には、光透過性の絶
縁層２５を挟んで透光性陽極層２６が形成されている。透光性陽極層２６は、ＩＴＯ（In
dium Tin Oxide）のように光透過率が十分に高い導電性材料から形成されており、薄膜
トランジスタＴ１のドレイン電極Ｄｔに導通している。つまり、透光性陽極層２６は、片
面ドットＤ１において、有機ＥＬ素子Ｐ１の陽極（一方の電極）として機能する。

絶縁層２５および透光性陽極層２６上には、透光性陽極層２６の上面を囲むように隔壁
２７が形成されている。隔壁２７は例えばポリイミドから形成されている。透光性陽極層
２６および隔壁２７は凹部を画定しており、この凹部内に発光層２８が形成されている。
片面部１１内の各発光層２８は、当該発光層２８を有する片面ドットＤ１の出射光の色（
Ｒ，Ｇ，Ｂ）に応じた有機材料から形成されており、その面積（Ｓ１）は全ての有機ＥＬ
素子Ｐ１に共通である。

隔壁２７および発光層２８上には、これらを覆うように、マグネシウム銀合金などの導
電性材料から形成された十分に厚い遮光性陰極層２９が、全ての片面ドットＤ１に共通し
て形成されている。遮光性陰極層２９は、図示しない接地線に接続されており、片面ドッ
トＤ１において、有機ＥＬ素子Ｐ１の陰極（他方の電極）として機能する。

遮光性陰極層２９上には、全ての有機ＥＬ素子Ｐを覆って外気から保護する封止層（図
示略）が形成されている。封止層は、ガラスやプラスチック等の光透過率の高い材料から
形成されており、その、遮光性陰極層２９とは反対側の面（裏面Ｒ）は、全面にわたって
平坦となっている。なお、この面の一部（裏面Ｒ２）のみが平坦となるように本実施の形
態を変形してもよい。

各片面ドットＤ１において、当該片面ドットＤ１内の薄膜トランジスタＴ１のソース電
極Ｓｔに一定の電源電圧が供給され、そのゲート電極Ｇｔに電圧が供給されると、当該片
面ドットＤ１内の有機ＥＬ素子Ｐ１が駆動されて発光する。当該有機ＥＬ素子Ｐ１の発光
層２８から表面Ｆ１への出射光は、透光性陽極層２６、絶縁層２５〜２３および素子基板
２１を順に透過して表面Ｆ１から出射し、当該片面ドットＤ１が表面Ｆ１に占める領域の
階調が、当該薄膜トランジスタＴ１のゲート電極Ｇｔに供給された電圧に応じたものとな
る。一方、当該発光層２８から裏面Ｒ１への出射光は、十分に厚い遮光性陰極層２９によ
り遮られる。

図６に示すように、両面ドットＤ２の構造は片面ドットＤ１と同様である。ただし、各
表面用サブドットＤ２１内および各裏面用サブドットＤ２２内には、薄膜トランジスタＴ
として薄膜トランジスタＴ２が形成されている。また、裏面用サブドットＤ２２において
は、絶縁層２５と透光性陽極層２６との間に反射層３０が形成されている。反射層３０は
例えばアルミニウム等の光反射率が高い導電材料から形成されている。裏面用サブドット
Ｄ２２において薄膜トランジスタＴ２のドレイン電極Ｄｔに導通しているのは反射層３０
であり、反射層３０および透光性陽極層２６は一体となって有機ＥＬ素子Ｐ３の陽極（一
方の電極）として機能する。

また、両面部１２内の各発光層２８の面積（Ｓ２）は、全ての有機ＥＬ素子Ｐ２および
全ての有機ＥＬ素子Ｐ３に共通である。Ｓ２＜Ｓ１であり、Ｓ２はＳ１の約１／２倍であ
る。また、遮光性陰極層２９は、全ての表面用サブドットＤ２１に共通して形成されてい
るが、裏面用サブドットＤ２２の発光層２８上には形成されていない。そして、両面ドッ
トＤ２において、遮光性陰極層２９、発光層２８および隔壁２７上には、これらを覆うよ
うに、前述の封止層下に、マグネシウム銀合金などの材料から形成された十分に薄い透光
性陰極層３１が形成されている。透光性陰極層３１は、全ての両面ドットＤ２に共通して
おり、表面用サブドットＤ２１においては、遮光性陰極層２９と一体となって有機ＥＬ素
子Ｐ２の陰極（他方の電極）として機能し、裏面用サブドットＤ２２においては、単独で
有機ＥＬ素子Ｐ３の陰極（他方の電極）として機能する。

各表面用サブドットＤ２１において、当該表面用サブドットＤ２１内の薄膜トランジス
タＴ２のソース電極Ｓｔに一定の電源電圧が供給され、そのゲート電極Ｇｔに電圧が供給
されると、当該表面用サブドットＤ２１内の有機ＥＬ素子Ｐ２が駆動されて発光する。当
該有機ＥＬ素子Ｐ２の発光層２８から表面Ｆ２への出射光は、透光性陽極層２６、絶縁層
２５〜２３および素子基板２１を順に透過して表面Ｆ２から出射し、当該表面用サブドッ
トＤ２１を含む両面ドットＤ２が表面Ｆ２に占める領域の階調が、当該薄膜トランジスタ
Ｔ２のゲート電極Ｇｔに供給された電圧に応じたものとなる。一方、当該発光層２８から
裏面Ｒ２への出射光は、十分に厚い遮光性陰極層２９により遮られる。

各裏面用サブドットＤ２２において、当該裏面用サブドットＤ２２内の薄膜トランジス
タＴ２のソース電極Ｓｔに一定の電源電圧が供給され、そのゲート電極Ｇｔに電圧が供給
されると、当該裏面用サブドットＤ２２内の有機ＥＬ素子Ｐ３が駆動されて発光する。当
該有機ＥＬ素子Ｐ３の発光層２８から裏面Ｒ２への出射光は、十分に薄い透光性陰極層３
１および図示しない封止層を順に透過して裏面Ｒ２から出射し、当該裏面用サブドットＤ
２２を含む両面ドットＤ２が裏面Ｒ２に占める領域の階調が、当該薄膜トランジスタＴ２
のゲート電極Ｇｔに供給された電圧に応じたものとなる。一方、当該発光層２８から表面
Ｆ２への出射光は、透光性陽極層２６を透過し、反射層３０により遮られる。

表面Ｆにおいて各ドットＤが占める領域の階調は、当該領域に占める発光領域の輝度に
応じたものになる。各有機ＥＬ素子Ｐ２の発光層の面積（Ｓ２）は各有機ＥＬ素子Ｐ１の
発光層の面積（Ｓ１）の約１／２倍であるから、表面Ｆにおいて各片面ドットＤ１が占め
る領域と各両面ドットＤ２が占める領域との間で階調を揃えるためには、各有機ＥＬ素子
Ｐ１の輝度を各有機ＥＬ素子Ｐ２の輝度の約１／２倍とする必要がある。すなわち、各有
機ＥＬ素子Ｐ１を駆動する電流密度を、各有機ＥＬ素子Ｐ２を駆動する電流密度の約１／
２倍とする必要がある。電流（量）で比較すればほぼ同等である。

以上の説明より明らかなように、エレクトロルミネッセンス装置１０は、各薄膜トラン
ジスタＴのゲート電極Ｇｔに、表示すべきフルカラー画像を構成する画素の各原色成分の
階調に応じた電圧を供給する構成を採ることにより、サイズが互いに異なる表画面（表面
Ｆ）および裏画面（裏面Ｒ１）に別個のフルカラー画像を同時に表示可能な表示装置とし
て機能する。また、エレクトロルミネッセンス装置１０は、画像の表示に寄与しない有機
ＥＬ素子Ｐを備えていないから、無駄のない構成となっている。
また、エレクトロルミネッセンス装置１０によれば、両面ドットＤ２および片面ドット
Ｄ１間での表画面における階調のバラツキが抑制される。また、各有機ＥＬ素子Ｐ１につ
いて、当該有機ＥＬ素子Ｐ１に供給する電流を大幅に大きくする必要がない。したがって
、寿命が大幅に短縮する有機ＥＬ素子Ｐの数を少なく抑えることができる。
また、エレクトロルミネッセンス装置１０では、有機ＥＬ素子Ｐ３の陽極が、反射層３
０と有機ＥＬ素子Ｐ１および有機ＥＬ素子Ｐ２の陽極として機能する透光性陽極層２６と
の二層で構成され、有機ＥＬ素子Ｐ２の陰極が、有機ＥＬ素子Ｐ１の陰極として機能する
遮光性陰極層２９と有機ＥＬ素子Ｐ３の陰極として機能する透光性陰極層３１との二層で
構成されているから、簡素な工程で製造可能である。

本実施の形態では、有機ＥＬ素子の駆動方式として、各片面ドットＤ１、各表面用サブ
ドットＤ２１および各表面用サブドットＤ２２が薄膜トランジスタＴを有するアクティブ
型の駆動方式を前提としているが、これを変形し、パッシブ型の駆動方式を前提とした形
態としてもよい。また、本実施の形態を変形し、有機ＥＬ素子Ｐに代えて無機ＥＬ素子を
採用した形態としてもよい。

＜電子機器＞
次に、上記の各エレクトロルミネッセンス装置を利用した電子機器について説明する。
ここでは、電子機器の一例として、エレクトロルミネッセンス装置１０を適用した携帯電
話機３０００を挙げる。図７は、携帯電話機３０００の前面側の外観を示し、図８は、背
面側の外観を示す。これらの図に示すように、携帯電話機３０００は、複数の操作ボタン
３００１およびスクロールボタン３００２、ならびに表示装置としてのエレクトロルミネ
ッセンス装置１０を備える。スクロールボタン３００２を操作することによって、前面側
の表面（表画面）Ｆにおいてフルカラー画像がスクロール表示される。また、背面側の裏
面（裏画面）Ｒ２には別のフルカラー画像が表示される。

なお、本発明に係るエレクトロルミネッセンス装置が適用される電子機器としては、パ
ーソナルコンピュータ、携帯情報端末（ＰＤＡ：Personal Digital Assistants）、デ
ジタルスチルカメラ、テレビ、ビデオカメラ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子
手帳、電子ペーパー、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯ
Ｓ端末、プリンタ、スキャナ、複写機、ビデオプレーヤ、タッチパネルを備えた機器等な
どが挙げられる。また、本発明に係るエレクトロルミネッセンス装置の用途は画像の表示
に限定されない。

本発明の実施の形態に係るエレクトロルミネッセンス装置１０の表面側の外観を示す斜視図である。エレクトロルミネッセンス装置１０の裏面側の外観を示す斜視図である。エレクトロルミネッセンス装置１０におけるドットの配置を模式的に示す図である。図３の二点鎖線で囲まれている部分の構造を模式的に示す平面図である。図４のＡ−Ａ線矢視断面図である。図４のＢ−Ｂ線矢視断面図である。エレクトロルミネッセンス装置１０を適用した携帯電話機３０００の前面側の外観を示す斜視図である。携帯電話機３０００の背面側の外観を示す斜視図である。

符号の説明

１０…エレクトロルミネッセンス装置、１１…片面部、１２…両面部、２８…発光層、
Ｄ…ドット、Ｄ１…片面ドット、Ｄ２…両面ドット、Ｄ２１…表面用サブドット、Ｄ２２
…裏面用サブドット、Ｆ…表面（表画面）、Ｆ１，Ｆ２…表面、Ｐ（Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３）
…有機ＥＬ素子、Ｒ，Ｒ１…裏面、Ｒ２…裏面（裏画面）、Ｔ，Ｔ１，Ｔ２…薄膜トラン
ジスタ。

Claims

表面および裏面から光を射出する板状の両面部と、
前記両面部の表面と面一の表面から光を射出する片面部とを有し、
前記両面部は、前記両面部の表面および裏面に露出している複数の両面ドットを有し、
前記複数の両面ドットの各々は、前記両面部の表面に露出している表面用サブドットと
、前記両面部の裏面に露出している裏面用サブドットとを有し、
前記複数の両面ドットが有する前記表面用サブドットの各々は、エレクトロルミネッセ
ント素子を一つだけ有し、当該エレクトロルミネッセント素子からの光を透過させて前記
両面部の表面から射出し、
前記複数の両面ドットが有する前記裏面用サブドットの各々は、エレクトロルミネッセ
ント素子を一つだけ有し、当該エレクトロルミネッセント素子からの光を透過させて前記
両面部の裏面から射出し、
前記片面部は、前記片面部の表面に露出している複数の片面ドットを有し、
前記複数の片面ドットの各々は、エレクトロルミネッセント素子を一つだけ有し、当該
エレクトロルミネッセント素子からの光を透過させて前記片面部の表面から射出する、
ことを特徴とするエレクトロルミネッセンス装置。
前記複数の片面ドットが有するエレクトロルミネッセント素子の各々は、発光層の面積
について、前記複数の両面ドットが有するエレクトロルミネッセント素子のいずれよりも
広い、
ことを特徴とする請求項１に記載のエレクトロルミネッセンス装置。
請求項１又は２のいずれか一項に記載のエレクトロルミネッセンス装置を備える電子機
器。