JP2007258700A - 垂直型発光素子及びその製造方法 - Google Patents
垂直型発光素子及びその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2007258700A JP2007258700A JP2007054043A JP2007054043A JP2007258700A JP 2007258700 A JP2007258700 A JP 2007258700A JP 2007054043 A JP2007054043 A JP 2007054043A JP 2007054043 A JP2007054043 A JP 2007054043A JP 2007258700 A JP2007258700 A JP 2007258700A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- light emitting
- forming
- electrode
- emitting device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 57
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 20
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 73
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 70
- 238000000605 extraction Methods 0.000 claims abstract description 24
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 claims description 61
- 239000004038 photonic crystal Substances 0.000 claims description 52
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 44
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 claims description 21
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 claims description 21
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 20
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 16
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 5
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 3
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 93
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 92
- 239000000463 material Substances 0.000 description 13
- 230000008569 process Effects 0.000 description 12
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 7
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 6
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 6
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 5
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 5
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 3
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 3
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 3
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 238000007788 roughening Methods 0.000 description 3
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- 238000011982 device technology Methods 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 2
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 2
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 2
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 description 2
- 238000011160 research Methods 0.000 description 2
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- -1 Gallium nitride compound Chemical class 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 description 1
- 125000002524 organometallic group Chemical group 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 238000000638 solvent extraction Methods 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/20—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0083—Periodic patterns for optical field-shaping in or on the semiconductor body or semiconductor body package, e.g. photonic bandgap structures
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Led Devices (AREA)
Abstract
【解決手段】基板上に光抽出層を形成する段階と、前記光抽出層上に複数の半導体層を形成する段階と、前記複数の半導体層上に第1電極を形成する段階と、前記第1電極上に支持層を形成する段階と、前記基板を除去する段階と、前記基板の除去された面に、第2電極を形成する段階と、を含んでなる構成とした。
【選択図】図9
Description
ことが好ましい。
<第1実施例>
以下、添付図面に基づき、本発明の第1実施例について詳細に説明する。
<第2実施例>
次に、添付図面を参照して、本発明の第2実施例について詳細に説明する。
<第3実施例>
一方、第3実施例として、図13に示すように、基板100上に通常の半導体薄膜成長装置を用いてGaN半導体薄膜110を成長させ、このGaN薄膜110上に上記の誘電物質柱200を形成することができる。
Claims (29)
- 基板上に光抽出層を形成する段階と、
前記光抽出層上に複数の半導体層を形成する段階と、
前記複数の半導体層上に第1電極を形成する段階と、
前記第1電極上に支持層を形成する段階と、
前記基板を除去する段階と、
前記基板の除去された面に、第2電極を形成する段階と、
を含んで構成されることを特徴とする、垂直型発光素子製造方法。 - 前記基板は、サファイア、Si、ZnO、SiCのうちのいずれか一つであることを特徴とする、請求項1に記載の垂直型発光素子製造方法。
- 前記光抽出層を形成する段階は、
前記基板上にn−型半導体層を形成する段階と、
前記n−型半導体層をエッチングして複数のホールを形成する段階と、
を含んで構成されることを特徴とする、請求項1に記載の垂直型発光素子製造方法。 - 前記複数のホールは、規則的に配列されることを特徴とする、請求項3に記載の垂直型発光素子製造方法。
- 前記複数のホールには、誘電物質が充填されることを特徴とする、請求項3に記載の垂直型発光素子製造方法。
- 前記複数のホールを形成する段階では、
単位素子区分領域を同時にエッチングして前記複数のホールを形成することを特徴とする、請求項3に記載の垂直型発光素子製造方法。 - 前記複数の半導体層を形成する段階は、
前記光抽出層上にn−型半導体層を形成する段階と、
前記n−型半導体層上に活性層を形成する段階と、
前記活性層上にp−型半導体層を形成する段階と、
を含むことを特徴とする、請求項1に記載の垂直型発光素子製造方法。 - 前記p−型半導体層上には、n−型半導体層を形成する段階をさらに含むことを特徴とする、請求項7に記載の垂直型発光素子製造方法。
- 前記第1電極を形成する段階は、
オーミック電極を形成する段階と、
前記オーミック電極上に反射電極を形成する段階と、
を含んで構成されることを特徴とする、請求項1に記載の垂直型発光素子製造方法。 - 前記第2電極を形成する段階は、
前記基板の除去された面に、透明オーミック層を形成する段階と、
前記透明オーミック層の形成された面上に、電極パッドを形成する段階と、
を含んで構成されることを特徴とする、請求項1に記載の垂直型発光素子製造方法。 - 少なくとも前記電極パッドが形成された面の下側に位置する前記光抽出層には、誘電物質が充填されることを特徴とする、請求項10に記載の垂直型発光素子製造方法。
- 前記光抽出層を形成する段階は、前記基板上に複数の柱を形成する段階を含んでなることを特徴とする、請求項1に記載の垂直型発光素子製造方法。
- 前記複数の柱は、誘電物質で形成されることを特徴とする、請求項12に記載の垂直型発光素子製造方法。
- 前記複数の柱を形成する段階は、前記基板上に形成された半導体薄膜上に複数の柱を形成することを特徴とする、請求項12に記載の垂直型発光素子製造方法。
- 前記半導体薄膜は、単位素子形成領域に形成することを特徴とする、請求項14に記載の垂直型発光素子製造方法。
- 支持層と、
前記支持層上に位置する第1電極と、
前記第1電極上に位置する複数の半導体層と、
前記半導体層上に位置し、周期的に配列された複数のホールによって形成される光結晶層と、
前記光結晶層上に位置する第2電極と、
を備えて構成されることを特徴とする、垂直型発光素子。 - 前記光結晶層のうち少なくとも前記第2電極が形成される部分には、誘電物質が充填されたことを特徴とする、請求項16に記載の垂直型発光素子。
- 前記誘電物質は、シリコン酸化物、シリコン窒化物のうちのいずれか一つであることを特徴とする、請求項17に記載の垂直型発光素子。
- 前記光結晶層は、前記ホールの深さが0.05乃至10μmであることを特徴とする請求項16に記載の垂直型発光素子。
- 前記光結晶層は、前記ホールの半径が0.01乃至6μmであるであることを特徴とする、請求項16に記載の垂直型発光素子。
- 前記光結晶層は、前記複数のホールが配置される周期が0.03乃至18μmであることを特徴とする、請求項16に記載の垂直型発光素子。
- 前記光結晶層と第2電極との間には、透明オーミック層をさらに備えることを特徴とする請求項16に記載の垂直型発光素子。
- 前記透明オーミック層と第2電極との間には、反射層が位置することを特徴とする、請求項22に記載の垂直型発光素子。
- 前記複数の半導体層は、
前記第1電極上に位置するp−型GaN層と、
前記p−型GaN層上に位置する発光層と、
前記発光層上に位置するn−型GaN層と、
を備えて構成されることを特徴とする、請求項16に記載の垂直型発光素子。 - 前記支持層は、Cu、Au、Niのうちの一つまたはこれらの合金からなる金属、または半導体基板であることを特徴とする、請求項16に記載の垂直型発光素子。
- 前記第2電極と半導体層との間には、オーミック形成層がさらに備えられることを特徴とする、請求項16に記載の垂直型発光素子。
- 前記オーミック形成層は、n−型GaN層であることを特徴とする、請求項26に記載の垂直型発光素子。
- 前記第2電極は、ITO、ZnO、AlZnO、及びInZnOのうちの少なくともいずれか一つで形成されたことを特徴とする、請求項16に記載の垂直型発光素子。
- 前記支持層と第1電極との間には反射電極をさらに備えることを特徴とする、請求項16に記載の垂直型発光素子。
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020060025692A KR100734375B1 (ko) | 2006-03-21 | 2006-03-21 | 수직형 발광 소자 및 그 제조방법 |
KR10-2006-0025691 | 2006-03-21 | ||
KR10-2006-0025692 | 2006-03-21 | ||
KR1020060025691A KR100734374B1 (ko) | 2006-03-21 | 2006-03-21 | 수직형 발광 소자 및 그 제조방법 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012127702A Division JP5475833B2 (ja) | 2006-03-21 | 2012-06-05 | 垂直型発光素子 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007258700A true JP2007258700A (ja) | 2007-10-04 |
JP5237570B2 JP5237570B2 (ja) | 2013-07-17 |
Family
ID=38532402
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007054043A Active JP5237570B2 (ja) | 2006-03-21 | 2007-03-05 | 垂直型発光素子製造方法 |
JP2012127702A Active JP5475833B2 (ja) | 2006-03-21 | 2012-06-05 | 垂直型発光素子 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012127702A Active JP5475833B2 (ja) | 2006-03-21 | 2012-06-05 | 垂直型発光素子 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US7687811B2 (ja) |
JP (2) | JP5237570B2 (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010067984A (ja) * | 2008-09-10 | 2010-03-25 | Samsung Electronics Co Ltd | 発光素子の製造方法、発光装置の製造方法、発光素子、および発光装置 |
JP2010135798A (ja) * | 2008-12-04 | 2010-06-17 | Lg Innotek Co Ltd | 発光素子及びその製造方法 |
JP2011238913A (ja) * | 2010-04-22 | 2011-11-24 | Imec | 発光ダイオードの製造方法 |
US8538224B2 (en) | 2010-04-22 | 2013-09-17 | 3M Innovative Properties Company | OLED light extraction films having internal nanostructures and external microstructures |
Families Citing this family (30)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20090026486A1 (en) * | 2007-07-26 | 2009-01-29 | Sharp Kabushiki Kaisha | Nitride based compound semiconductor light emitting device and method of manufacturing the same |
US8378567B2 (en) * | 2007-11-21 | 2013-02-19 | Industrial Technology Research Institute | Light-polarizing structure |
US20090140279A1 (en) * | 2007-12-03 | 2009-06-04 | Goldeneye, Inc. | Substrate-free light emitting diode chip |
KR101499952B1 (ko) * | 2008-02-20 | 2015-03-06 | 엘지이노텍 주식회사 | 반도체 발광소자 및 그 제조방법 |
US7781780B2 (en) * | 2008-03-31 | 2010-08-24 | Bridgelux, Inc. | Light emitting diodes with smooth surface for reflective electrode |
TWI473246B (zh) * | 2008-12-30 | 2015-02-11 | Epistar Corp | 發光二極體晶粒等級封裝 |
KR100969126B1 (ko) | 2009-03-10 | 2010-07-09 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자 |
KR20110043282A (ko) * | 2009-10-21 | 2011-04-27 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광소자 및 그 제조방법 |
US8217488B2 (en) * | 2010-07-19 | 2012-07-10 | Walsin Lihwa Corporation | GaN light emitting diode and method for increasing light extraction on GaN light emitting diode via sapphire shaping |
US8536594B2 (en) | 2011-01-28 | 2013-09-17 | Micron Technology, Inc. | Solid state lighting devices with reduced dimensions and methods of manufacturing |
US8816379B2 (en) | 2012-05-17 | 2014-08-26 | High Power Opto, Inc. | Reflection curved mirror structure of a vertical light-emitting diode |
US8546831B1 (en) * | 2012-05-17 | 2013-10-01 | High Power Opto Inc. | Reflection convex mirror structure of a vertical light-emitting diode |
US8748928B2 (en) | 2012-05-17 | 2014-06-10 | High Power Opto, Inc. | Continuous reflection curved mirror structure of a vertical light-emitting diode |
KR20140032691A (ko) * | 2012-09-07 | 2014-03-17 | 일진엘이디(주) | 발광 소자 및 그 제조 방법 |
KR101715843B1 (ko) * | 2012-12-14 | 2017-03-14 | 삼성전자주식회사 | 광추출 효율이 향상된 발광 소자 |
EP2955762B1 (en) * | 2013-07-17 | 2017-09-13 | Marubun Corporation | Semiconductor light-emitting element and production method thereof |
EP2942818B1 (en) | 2014-03-06 | 2018-01-31 | Marubun Corporation | Deep ultraviolet led and method for manufacturing the same |
CN107210336B (zh) | 2015-01-16 | 2019-05-10 | 丸文株式会社 | 深紫外led及其制造方法 |
KR102357585B1 (ko) * | 2015-08-18 | 2022-02-04 | 삼성전자주식회사 | 반도체 자외선 발광소자 |
CN108292695B (zh) | 2015-09-03 | 2021-01-22 | 丸文株式会社 | 深紫外led及其制造方法 |
WO2017168811A1 (ja) | 2016-03-30 | 2017-10-05 | 丸文株式会社 | 深紫外led及びその製造方法 |
CN107887487B (zh) * | 2017-10-27 | 2020-04-10 | 扬州乾照光电有限公司 | 一种发光二极管及其制造方法 |
CN107978628B (zh) * | 2017-11-14 | 2020-11-06 | 厦门市三安集成电路有限公司 | 一种覆盖纳米柱势垒的GaN晶体管及其制备方法 |
WO2019146737A1 (ja) | 2018-01-26 | 2019-08-01 | 丸文株式会社 | 深紫外led及びその製造方法 |
US11418008B2 (en) * | 2019-03-20 | 2022-08-16 | Electronics And Telecommunications Research Institute | Laser device |
JP2021057442A (ja) * | 2019-09-30 | 2021-04-08 | セイコーエプソン株式会社 | 発光装置およびプロジェクター |
JP7027500B1 (ja) | 2020-09-10 | 2022-03-01 | 昭和アルミニウム缶株式会社 | 合金板材供給装置および缶成形装置 |
CN112038459A (zh) * | 2020-09-14 | 2020-12-04 | 扬州乾照光电有限公司 | 一种光子晶体led结构及制作方法 |
CN112750924A (zh) * | 2020-12-31 | 2021-05-04 | 北京中科优唯科技有限公司 | 具有自体光子晶体结构的紫外发光二极管芯片的制备方法 |
CN115466939A (zh) * | 2022-10-10 | 2022-12-13 | 中国科学院上海微***与信息技术研究所 | 一种光调制化学气相沉积装置以及利用其调制薄膜生长温度的方法 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH098403A (ja) * | 1995-06-15 | 1997-01-10 | Nichia Chem Ind Ltd | 窒化物半導体素子の製造方法及び窒化物半導体素子 |
JP2000101139A (ja) * | 1998-09-25 | 2000-04-07 | Toshiba Corp | 半導体発光素子及びその製造方法並びに半導体発光装置 |
JP2006049855A (ja) * | 2004-06-28 | 2006-02-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体発光素子およびその製造方法 |
JP2006073822A (ja) * | 2004-09-02 | 2006-03-16 | Sharp Corp | 窒化物系化合物半導体発光素子、その構造体およびその製造方法 |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4233268B2 (ja) * | 2002-04-23 | 2009-03-04 | シャープ株式会社 | 窒化物系半導体発光素子およびその製造方法 |
JP4610863B2 (ja) * | 2003-03-19 | 2011-01-12 | フィリップス ルミレッズ ライティング カンパニー リミテッド ライアビリティ カンパニー | フォトニック結晶構造を使用するled効率の改良 |
US7109048B2 (en) * | 2003-09-30 | 2006-09-19 | Lg Electronics Inc. | Semiconductor light emitting device and fabrication method thereof |
KR20050041536A (ko) * | 2003-10-31 | 2005-05-04 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광소자 |
US20050152417A1 (en) * | 2004-01-08 | 2005-07-14 | Chung-Hsiang Lin | Light emitting device with an omnidirectional photonic crystal |
US20050173714A1 (en) * | 2004-02-06 | 2005-08-11 | Ho-Shang Lee | Lighting system with high and improved extraction efficiency |
JP2005268601A (ja) * | 2004-03-19 | 2005-09-29 | Sumitomo Chemical Co Ltd | 化合物半導体発光素子 |
US20050205883A1 (en) * | 2004-03-19 | 2005-09-22 | Wierer Jonathan J Jr | Photonic crystal light emitting device |
JP2007533133A (ja) * | 2004-04-07 | 2007-11-15 | ティンギ テクノロジーズ プライベート リミテッド | 半導体発光ダイオード上での反射層の作製 |
US7161188B2 (en) * | 2004-06-28 | 2007-01-09 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor light emitting element, semiconductor light emitting device, and method for fabricating semiconductor light emitting element |
US7375380B2 (en) * | 2004-07-12 | 2008-05-20 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor light emitting device |
JP2006066903A (ja) * | 2004-07-29 | 2006-03-09 | Showa Denko Kk | 半導体発光素子用正極 |
US7442964B2 (en) * | 2004-08-04 | 2008-10-28 | Philips Lumileds Lighting Company, Llc | Photonic crystal light emitting device with multiple lattices |
US7563625B2 (en) * | 2005-01-11 | 2009-07-21 | SemiLEDs Optoelectronics Co., Ltd. | Method of making light-emitting diodes (LEDs) with improved light extraction by roughening |
-
2007
- 2007-02-09 US US11/704,390 patent/US7687811B2/en active Active
- 2007-03-05 JP JP2007054043A patent/JP5237570B2/ja active Active
-
2010
- 2010-03-16 US US12/725,258 patent/US8368087B2/en active Active
-
2012
- 2012-06-05 JP JP2012127702A patent/JP5475833B2/ja active Active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH098403A (ja) * | 1995-06-15 | 1997-01-10 | Nichia Chem Ind Ltd | 窒化物半導体素子の製造方法及び窒化物半導体素子 |
JP2000101139A (ja) * | 1998-09-25 | 2000-04-07 | Toshiba Corp | 半導体発光素子及びその製造方法並びに半導体発光装置 |
JP2006049855A (ja) * | 2004-06-28 | 2006-02-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体発光素子およびその製造方法 |
JP2006073822A (ja) * | 2004-09-02 | 2006-03-16 | Sharp Corp | 窒化物系化合物半導体発光素子、その構造体およびその製造方法 |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010067984A (ja) * | 2008-09-10 | 2010-03-25 | Samsung Electronics Co Ltd | 発光素子の製造方法、発光装置の製造方法、発光素子、および発光装置 |
JP2010135798A (ja) * | 2008-12-04 | 2010-06-17 | Lg Innotek Co Ltd | 発光素子及びその製造方法 |
TWI487142B (zh) * | 2008-12-04 | 2015-06-01 | Lg Innotek Co Ltd | 發光裝置 |
JP2011238913A (ja) * | 2010-04-22 | 2011-11-24 | Imec | 発光ダイオードの製造方法 |
US8538224B2 (en) | 2010-04-22 | 2013-09-17 | 3M Innovative Properties Company | OLED light extraction films having internal nanostructures and external microstructures |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20070221907A1 (en) | 2007-09-27 |
JP5475833B2 (ja) | 2014-04-16 |
JP2012212896A (ja) | 2012-11-01 |
JP5237570B2 (ja) | 2013-07-17 |
US8368087B2 (en) | 2013-02-05 |
US20100187554A1 (en) | 2010-07-29 |
US7687811B2 (en) | 2010-03-30 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5237570B2 (ja) | 垂直型発光素子製造方法 | |
KR100735496B1 (ko) | 수직구조 질화갈륨계 led 소자의 제조방법 | |
JP5270088B2 (ja) | 垂直型発光素子及びその製造方法 | |
KR101978968B1 (ko) | 반도체 발광소자 및 발광장치 | |
US7781242B1 (en) | Method of forming vertical structure light emitting diode with heat exhaustion structure | |
US20140246647A1 (en) | Nanostructure light emitting device and method of manufacturing the same | |
JP2007096300A (ja) | 窒化ガリウム系半導体発光素子及びその製造方法 | |
KR20110128545A (ko) | 발광 소자, 발광 소자의 제조방법 및 발광 소자 패키지 | |
JP4852755B2 (ja) | 化合物半導体素子の製造方法 | |
US20130193448A1 (en) | Patterned substrate and stacked light emitting diode | |
WO2011079645A1 (en) | Epitaxial wafer for light emitting diode, light emitting diode chip and methods for manufacturing the same | |
TWI493747B (zh) | 發光二極體及其形成方法 | |
JP2013034010A (ja) | 縦型発光素子 | |
KR100774198B1 (ko) | 수직형 발광 소자 | |
KR20070093556A (ko) | 수직형 발광 소자 제조방법 | |
JP5638543B2 (ja) | 発光素子の製造方法 | |
KR100762003B1 (ko) | 수직구조 질화물계 발광다이오드 소자의 제조방법 | |
KR20090076163A (ko) | 질화물 반도체 발광소자 제조방법 및 이에 의해 제조된질화물 반도체 발광소자 | |
JP5165668B2 (ja) | 半導体発光素子及びその製造方法 | |
JP2009105088A (ja) | 半導体発光素子およびそれを用いる照明装置ならびに半導体発光素子の製造方法 | |
JP2006210961A (ja) | 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子 | |
KR100734374B1 (ko) | 수직형 발광 소자 및 그 제조방법 | |
KR20080023820A (ko) | 발광 다이오드의 제조방법 | |
KR100734375B1 (ko) | 수직형 발광 소자 및 그 제조방법 | |
KR100808197B1 (ko) | 수직형 발광 소자 및 그 제조방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20090925 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120306 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120605 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120911 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20121211 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130305 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130329 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Ref document number: 5237570 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20160405 Year of fee payment: 3 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |