JP2007257739A - Nonvolatile semiconductor memory device - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、不揮発性半導体記憶装置に関するもので、特に、フローティングゲートと制御ゲートとを有するMOS(Metal Oxide Semiconductor)トランジスタ構造の複数のメモリセルを含み、負電圧を使用する不揮発性半導体記憶装置に関する。 The present invention relates to a nonvolatile semiconductor memory device, and more particularly to a nonvolatile semiconductor memory device including a plurality of memory cells having a MOS (Metal Oxide Semiconductor) transistor structure having a floating gate and a control gate and using a negative voltage. .
従来、デジタルカメラなどに用いられるデータストレージ用のメモリとして、NAND型フラッシュメモリが知られている。NAND型フラッシュメモリは、データの書き込みおよび消去に、FN(Fowler−Nordheim)トンネリングを用いている。また、同じくFNトンネリングを用いてデータの書き込みおよび消去を行うメモリとして、NOR型フラッシュメモリが知られている。 Conventionally, a NAND flash memory is known as a data storage memory used in a digital camera or the like. The NAND flash memory uses FN (Fowler-Nordheim) tunneling for writing and erasing data. Similarly, a NOR flash memory is known as a memory for writing and erasing data using FN tunneling.
さらに、近年では、NOR型フラッシュメモリおよびNAND型フラッシュメモリの両者の長所を兼ね備えたフラッシュメモリが提案されている。このフラッシュメモリは、1つのメモリセルトランジスタと1つの選択トランジスタとを含んで、1つのメモリセルが構成されている。以下では、このようなフラッシュメモリを、2Tr.フラッシュメモリと呼ぶ。 Furthermore, in recent years, a flash memory that combines the advantages of both a NOR flash memory and a NAND flash memory has been proposed. This flash memory includes one memory cell transistor and one selection transistor to constitute one memory cell. In the following, such a flash memory is referred to as 2Tr. Called flash memory.
ところで、フラッシュメモリに代表されるような、負電圧を使用する不揮発性半導体記憶装置の場合、たとえばデータの書き込みを行うプログラム(Prg)時には、選択セルのワード線WLに正電圧VPP_Pを、基板側に負電圧VPP_Nを、それぞれ印加する。ワード線WLおよび基板には、それぞれ、寄生容量が存在する(基板寄生容量>>WL寄生容量)。また、ワード線WLと基板との間にも寄生容量が存在する。そのため、正電圧VPP_Pの立ち上げ/立ち下げ(DisCharge)の際、および、負電圧VPP_Nの立ち上げ/立ち下げ(DisCharge)の際には、ワード線WLと基板との間の寄生容量により、他方の電圧が影響を受ける。 By the way, in the case of a non-volatile semiconductor memory device using a negative voltage as represented by a flash memory, for example, in a program (Prg) for writing data, the positive voltage VPP_P is applied to the word line WL of the selected cell. A negative voltage VPP_N is applied to each. The word line WL and the substrate each have a parasitic capacitance (substrate parasitic capacitance >> WL parasitic capacitance). There is also a parasitic capacitance between the word line WL and the substrate. Therefore, when the positive voltage VPP_P rises / falls (DisCharge) and when the negative voltage VPP_N rises / falls (DisCharge), the other is caused by the parasitic capacitance between the word line WL and the substrate. The voltage of is affected.
通常のPrg時においては、選択されるワード線WLが1本のため、ワード線WLと基板との間の寄生容量は小さく、大きな影響はない。しかし、テスト時間の短縮(コストの削減など)のため、たとえば全ワード線WLを同時に選択する一括Prg時などの場合、ワード線WLと基板との間の寄生容量が無視できなくなる。つまり、負電圧VPP_NのDisChargeの際に、正電圧VPP_Pが通常のPrg時よりも上昇する(ワード線WLの寄生容量小)。正電圧VPP_Pの上昇がセルの耐圧を超える場合、セルが破壊される恐れがある。 In normal Prg, since the selected word line WL is one, the parasitic capacitance between the word line WL and the substrate is small, and there is no significant influence. However, in order to shorten the test time (cost reduction, etc.), for example, in the case of collective Prg in which all the word lines WL are simultaneously selected, the parasitic capacitance between the word line WL and the substrate cannot be ignored. That is, at the time of Discharge of the negative voltage VPP_N, the positive voltage VPP_P is higher than that at the normal Prg (the parasitic capacitance of the word line WL is small). If the increase of the positive voltage VPP_P exceeds the breakdown voltage of the cell, the cell may be destroyed.
正電圧VPP_Pの異常な上昇を防止する方法としては、負電圧VPP_NのDisCharge電流を下げ、DisCharge時間を長くすることが考えられる。しかしながら、この方法の場合、トータルのPrg時間(State)が長くなり、結果としてテスト時間が長くなるという問題があった。 As a method of preventing an abnormal increase in the positive voltage VPP_P, it is conceivable to decrease the DisCharge current of the negative voltage VPP_N and increase the Discharge time. However, in this method, there is a problem that the total Prg time (State) becomes long, and as a result, the test time becomes long.
なお、本発明に関連した先行技術として、電源電位発生回路の出力を所定期間放電する第2放電回路と、前記電源電位発生回路の出力を検知し、前記電源電位発生回路の出力が所定の電位よりも小さくなった場合に前記第2放電回路を停止させる第2検知回路とを備えた半導体集積回路がすでに提案されている(たとえば、特許文献1参照)。
本発明は、上記の問題点を解決すべくなされたもので、第2の電圧の立ち上げ時間を長くすることなく、第1の電圧の異常な上昇を防止でき、第1の電圧の異常な上昇によるセルの破壊を阻止することが可能な不揮発性半導体記憶装置を提供することを目的とする。 The present invention has been made to solve the above-described problems, and can prevent an abnormal rise of the first voltage without increasing the rise time of the second voltage. An object of the present invention is to provide a nonvolatile semiconductor memory device capable of preventing cell destruction due to rising.
本願発明の一態様によれば、半導体基板と、前記半導体基板上に設けられた、フローティングゲートおよび制御ゲートを備えたMOS(Metal Oxide Semiconductor)トランジスタ構造を有する複数のメモリセルがマトリクス状に配置されたメモリセルアレイと、前記複数のメモリセルの前記制御ゲートを、同一行ごとに共通に接続する複数のワード線と、前記複数のワード線に第1の電圧を供給する第1の電圧供給源と、前記第1の電圧供給源による、前記第1の電圧の立ち上げおよび立ち下げを制御する第1の制御回路と、前記半導体基板に第2の電圧を供給する第2の電圧供給源と、前記第2の電圧供給源による、前記第2の電圧の立ち上げおよび立ち下げを制御する第2の制御回路とを具備し、前記第1の電圧供給源により、前記複数のワード線に同時に前記第1の電圧を供給する際には、少なくとも、前記第2の電圧の立ち上げに同期させて、前記第1の電圧供給源による前記第1の電圧の立ち下げを制御するようにしたことを特徴とする不揮発性半導体記憶装置が提供される。 According to one embodiment of the present invention, a plurality of memory cells having a semiconductor substrate and a MOS (Metal Oxide Semiconductor) transistor structure having a floating gate and a control gate provided on the semiconductor substrate are arranged in a matrix. A memory cell array; a plurality of word lines commonly connecting the control gates of the plurality of memory cells for each same row; a first voltage supply source for supplying a first voltage to the plurality of word lines; A first control circuit for controlling the rise and fall of the first voltage by the first voltage supply source; a second voltage supply source for supplying a second voltage to the semiconductor substrate; A second control circuit for controlling the rise and fall of the second voltage by the second voltage supply source, and the first power supply. When the first voltage is simultaneously supplied to the plurality of word lines by the pressure supply source, the first voltage supply source synchronizes with the rising of the second voltage at least. There is provided a non-volatile semiconductor memory device characterized in that the falling of the voltage is controlled.
上記の構成により、ワード線と基板との間における寄生容量によるカップリングの影響を軽減できるようになる結果、第2の電圧の立ち上げ時間を長くすることなく、第1の電圧の異常な上昇を防止でき、第1の電圧の異常な上昇によるセルの破壊を阻止することが可能な不揮発性半導体記憶装置を提供できる。 With the above configuration, the influence of coupling due to parasitic capacitance between the word line and the substrate can be reduced. As a result, the first voltage is increased abnormally without increasing the rise time of the second voltage. Thus, it is possible to provide a nonvolatile semiconductor memory device that can prevent cell destruction due to an abnormal increase in the first voltage.
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。ただし、図面は模式的なものであり、寸法の比率などは現実のものとは異なることに留意すべきである。また、図面の相互間においても、互いの寸法の関係や比率が異なる部分が含まれていることは勿論である。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. However, it should be noted that the drawings are schematic and dimensional ratios and the like are different from actual ones. Moreover, it is a matter of course that portions having different dimensional relationships and ratios are included between the drawings.
[第1の実施形態]
図1は、本発明の第1の実施形態にしたがった、不揮発性半導体記憶装置の基本構成を示すものである。なお、ここでは、2Tr.フラッシュメモリを例に、システムLSI(Large Scale Integrated circuit)に適用した場合について説明する。
[First Embodiment]
FIG. 1 shows a basic configuration of a nonvolatile semiconductor memory device according to the first embodiment of the present invention. Here, 2Tr. A case where the present invention is applied to a system LSI (Large Scale Integrated circuit) will be described taking a flash memory as an example.
図1に示すように、このシステムLSI1は、CPU(Central Processing Unit)2および2Tr.フラッシュメモリ3を備えている。CPU2は、フラッシュメモリ3との間で、データの授受を行う。フラッシュメモリ3は、メモリセルアレイ10、書き込み用デコーダ20、セレクトゲートデコーダ30、カラムデコーダ40、書き込み回路50、カラムセレクタ60、センスアンプ70、ソース線ドライバ80、スイッチ群90、アドレスバッファ100、ライトステートマシーン110、および、電圧発生回路120を備えている。LSI1には、外部から電圧Vcc1(〜1.5v)が与えられており、このVcc1は、電圧発生回路120および書き込み回路50に与えられる。
As shown in FIG. 1, the
メモリセルアレイ10は、マトリクス状に配置された複数個のメモリセルを有している。メモリセルアレイ10の構成について、図2を用いて説明する。図2は、メモリセルアレイ10の一部領域の回路図である。
The
メモリセルアレイ10は、((m+1)×(n+1)ただし、m,nは自然数)個のメモリセルブロックBLK、メモリセルブロックBLKごとに設けられたセレクタSEL、および、MOSトランジスタ11を有している。なお、図2では、(2×2)個のメモリセルブロックBLKのみを示しているが、この数は特に限定されるものではない。
The
各々のメモリセルブロックBLKは、MOSトランジスタ構造を有する複数のメモリセルMCを含んでいる。つまり、メモリセルMCは、互いに電流経路が直列に接続されたメモリセルトランジスタMTと選択トランジスタSTとを有している。メモリセルトランジスタMTは、半導体基板上にゲート絶縁膜を介在して形成されたフローティングゲートと、フローティングゲート上にゲート間絶縁膜を介在して形成されたコントロールゲートとを有する積層ゲート構造を備えている。選択トランジスタSTも、半導体基板上にゲート絶縁膜を介在して形成された第1多結晶シリコン層と、第1多結晶シリコン層上にゲート間絶縁膜を介在して形成された第2多結晶シリコン層とを有する積層ゲート構造を備えている。そして、メモリセルトランジスタMTのソース領域が選択トランジスタSTのドレイン領域に接続されている。本構成のメモリセルMCが、各々のメモリセルブロックBLKには(4×2)個ずつ含まれている。なお、列方向に配置されたメモリセルMCの数は、図2では4個であるが、この数も一例に過ぎず、たとえば8個や16個などでも良く、限定されるものではない。 Each memory cell block BLK includes a plurality of memory cells MC having a MOS transistor structure. That is, the memory cell MC has a memory cell transistor MT and a selection transistor ST whose current paths are connected in series with each other. Memory cell transistor MT has a stacked gate structure having a floating gate formed on a semiconductor substrate with a gate insulating film interposed therebetween, and a control gate formed on the floating gate with an inter-gate insulating film interposed therebetween. Yes. The selection transistor ST also includes a first polycrystalline silicon layer formed on the semiconductor substrate with a gate insulating film interposed therebetween, and a second polycrystalline silicon layer formed on the first polycrystalline silicon layer with an inter-gate insulating film interposed therebetween. A stacked gate structure having a silicon layer is provided. The source region of the memory cell transistor MT is connected to the drain region of the selection transistor ST. Each memory cell block BLK includes (4 × 2) memory cells MC of this configuration. Although the number of memory cells MC arranged in the column direction is four in FIG. 2, this number is only an example, and may be eight or sixteen, for example, and is not limited.
また、列方向で隣接するメモリセルMC同士は、選択トランジスタSTのソース領域、または、メモリセルトランジスタMTのドレイン領域を共有している。そして、2列のメモリセルMCのメモリセルトランジスタMTのドレイン領域は、2本のローカルビット線LBL0,LBL1にそれぞれ接続されている。ローカルビット線LBL0,LBL1の一端はセレクタSELに接続され、他端はMOSトランジスタ12の電流経路を介して、書き込み用デコーダ20に接続されている。
The memory cells MC adjacent in the column direction share the source region of the select transistor ST or the drain region of the memory cell transistor MT. The drain regions of the memory cell transistors MT of the two columns of memory cells MC are connected to two local bit lines LBL0 and LBL1, respectively. One end of each of the local bit lines LBL0 and LBL1 is connected to the selector SEL, and the other end is connected to the
さらに、メモリセルアレイ10内においては、同一行のメモリセルトランジスタMTのコントロールゲートが、それぞれ、ワード線WL0〜WL(4m−1)のいずれかに共通に接続されている。また、同一行の選択トランジスタSTのゲートは、それぞれ、セレクトゲート線SG0〜SG(4m−1)のいずれかに共通に接続されている。前述のローカルビット線LBL0,LBL1は、おのおののメモリセルブロックBLK内において、メモリセルトランジスタMTを共通に接続するのに対して、ワード線WLおよびセレクトゲート線SGは、同一行にあるメモリセルトランジスタMTおよび選択トランジスタSTをメモリセルブロックBLK間においても共通に接続する。
Further, in the
そして、ワード線WL0〜WL(4m−1)は書き込み用デコーダ20に接続され、セレクトゲート線SG0〜SG(4m−1)は書き込み用デコーダ20およびセレクトゲートデコーダ30に接続されている。また、選択トランジスタSTのソース領域(ソース線SL(SL0〜SL2m−1))は、複数のメモリセルブロックBLK間で共通に接続され、ソース線ドライバ80に接続されている。
The word lines WL0 to WL (4m−1) are connected to the
次に、セレクタSELの構成について説明する。セレクタSELのおのおのは、直列に接続された4つのMOSトランジスタ13〜16を備えている。すなわち、MOSトランジスタ13の電流経路の一端がMOSトランジスタ14の電流経路の一端に接続され、MOSトランジスタ14の電流経路の他端がMOSトランジスタ15の電流経路の一端に接続され、MOSトランジスタ15の電流経路の他端がMOSトランジスタ16の電流経路の一端に接続されている。MOSトランジスタ13,16のゲートは、書き込み用デコーダ20に接続され、MOSトランジスタ14,15のゲートは、カラムデコーダ40に接続されている。そして、MOSトランジスタ13とMOSトランジスタ14との接続ノードに、対応するメモリセルブロックBLKのローカルビット線LBL0が接続され、MOSトランジスタ15とMOSトランジスタ16との接続ノードに、対応するメモリセルブロックBLKのローカルビット線LBL1が接続されている。さらに、セレクタSELのMOSトランジスタ13,16の他端は、書き込み用グローバルビット線WGBL0〜WGBL(2n−1)のいずれかに接続されている。
Next, the configuration of the selector SEL will be described. Each selector SEL includes four
書き込み用グローバルビット線WGBL0〜WGBL(2n−1)のそれぞれは、同一列にあるセレクタSELのMOSトランジスタ13またはMOSトランジスタ16の電流経路の他端を共通に接続する。そして、書き込み用グローバルビット線WGBL0〜WGBL(2n−1)の一端は、書き込み回路50に接続されている。書き込み回路50は、書き込み用グローバルビット線ごとに設けられたラッチ回路51を有しており、それぞれのラッチ回路51が、対応する書き込み用グローバルビット線WGBL0〜WGBL(2n−1)に接続されている。
Each of the write global bit lines WGBL0 to WGBL (2n-1) commonly connects the other ends of the current paths of the
また、MOSトランジスタ14とMOSトランジスタ15の接続ノードには、読み出し用グローバルビット線RGBL0〜RGBL(n−1)が接続されている。読み出し用グローバルビット線RGBL0〜RGBL(n−1)のそれぞれは、同一列にあるセレクタSELにおけるMOSトランジスタ14とMOSトランジスタ15との接続ノードを共通に接続する。そして、読み出し用グローバルビット線RGBL0〜RGBL(n−1)の一端は、それぞれMOSトランジスタ11の電流経路を介してカラムセレクタ60に接続されている。各MOSトランジスタ11のゲートは共通に接続され、セレクトゲートデコーダ30に接続されている。
Further, read global bit lines RGBL0 to RGBL (n−1) are connected to a connection node between the
上記メモリセルアレイ10の構成は次のようにも説明できる。メモリセルアレイ10内には、複数のメモリセルMCがマトリクス状に配置されている。同一行にあるメモリセルMCのメモリセルトランジスタMTの制御ゲートは、ワード線WL0〜WL(4m−1)のいずれかに共通に接続され、同一行にあるメモリセルMCの選択トランジスタSTのゲートは、セレクトゲート線SG0〜SG(4m−1)のいずれかに接続されている。そして、同一列にあり、直列に接続された4つのメモリセルMCのメモリセルトランジスタMTのドレイン領域は、ローカルビット線LBL0,LBL1のいずれかに共通に接続されている。
The configuration of the
すなわち、メモリセルアレイ10内の複数のメモリセルMCは、一列に並んだ4つのメモリセルMCごとに、異なるローカルビット線LBL0,LBL1に接続されている。そして、同一行にあるローカルビット線LBL0,LBL1の一端は、MOSトランジスタ12を介して共通に接続され、書き込み用デコーダ20に接続されている。また、同一列にあるローカルビット線LBL0,LBL1の他端は、それぞれMOSトランジスタ13,16を介して書き込み用グローバルビット線WGBL0〜WGBL(2n−1)のいずれかに共通に接続されており、かつ、それぞれMOSトランジスタ14,15を介して読み出し用グローバルビット線RGBL0〜RGBL(n−1)のいずれかに共通に接続されている。そして、メモリセルMCの選択トランジスタSTのソース領域(ソース線SL(SL0〜SL2m−1))は共通に接続され、ソース線ドライバ80に接続されている。
That is, the plurality of memory cells MC in the
上記した構成のメモリセルアレイ10において、同一のローカルビット線LBLに接続された4つのメモリセルMCが2列集まって、1つのメモリセルブロックBLKが構成されている。同一列のメモリセルブロックBLKは、共通の書き込み用グローバルビット線WGBLおよび読み出し用グローバルビット線RGBLに接続されている。他方、互いに異なる列にあるメモリセルブロックBLKは、それぞれ、異なる書き込み用グローバルビット線WGBLおよび読み出し用グローバルビット線RGBLに接続されている。
In the
図1に戻って、LSI1の説明を続ける。
Returning to FIG. 1, the description of the
電圧発生回路120は、外部から入力される電圧Vcc1にもとづいて、複数の内部電圧を生成する。電圧発生回路120は、負のチャージポンプ回路および正のチャージポンプ回路を備えており、それぞれが、負電圧VPP_N(たとえば、−5V)および正電圧VPP_P1(たとえば、10V),VPP_P2(たとえば、3V)を生成する。この電圧発生回路120で生成された正電圧VPP_P1,VPP_P2および負電圧VPP_Nは、書き込み用デコーダ20、セレクトゲートデコーダ30、および、書き込み回路50などに与えられる。
The
書き込み回路50は、CPU2から与えられる書き込みデータ(Write data)をラッチする。前述の通り、書き込み回路50は、書き込み用グローバルビット線WGBLごとに設けられたラッチ回路51を備えている。図3は、ラッチ回路51の一構成例を示す回路図である。図3に示すように、ラッチ回路51は2つのインバータ52,53を備えている。インバータ52の入力端は、インバータ53の出力端に接続され、インバータ52の出力端は、インバータ53の入力端に接続されている。そして、インバータ52の入力端とインバータ53の出力端との接続ノードが、書き込み用グローバルビット線WGBLに接続されている。インバータ52,53の電源電圧は、電圧発生回路120が出力する負電圧VPP_Nと、正電圧VPP_P2またはグランド電位GNDである。電源電圧の高電圧側が電圧Vcc1であるか、グランド電位GNDであるかは、スイッチ素子54によって選択される。
The
書き込み用デコーダ20は、ロウアドレス信号をデコードして、ロウアドレスデコード信号を得る。そして、書き込み用デコーダ20は、ワード線WL0〜WL(4m−1)、および、セレクトゲート線SG0〜SG(4m−1)のいずれかを選択する。
The
セレクトゲートデコーダ30は、読み出し時において、セレクトゲート線SG0〜SG(4m−1)のいずれかを選択する。
The
書き込み用デコーダ20およびセレクトゲートデコーダ30の構成について、図4を用いて説明する。書き込み用デコーダ20は、書き込み(Prg)時において、ワード線WL0〜WL(4m−1)のいずれかを選択し、その選択ワード線WLに正電圧VPP_P1を印加するとともに、全てのセレクトゲート線SG0〜SG(4m−1)に負電圧VPP_Nを印加する。また、消去(Ers)時において、全ワード線WLに負電圧VPP_Nを印加するとともに、全セレクトゲート線SG0〜SG(4m−1)に正電圧VPP_P1を印加する。
The configuration of the
セレクトゲートデコーダ30は、読み出し時において、セレクトゲート線SG0〜SG(4m−1)のいずれかを選択し、その選択セレクトゲート線SGに正電圧VPP_P2を印加する。
The
まず、セレクトゲートデコーダ30の構成について説明する。セレクトゲートデコーダ30は、ロウアドレスデコード回路31およびスイッチ素子群32を備えている。ロウアドレスデコード回路31は、正電圧VPP_P2(3V)で動作し、(i+1)ビットのロウアドレス信号RA0〜RAiをデコードしてロウアドレスデコード信号を得る。ロウアドレスデコード回路31は、セレクトゲート線SG0〜SG(4m−1)ごとに設けられたNAND回路33およびインバータ34を有している。NAND回路33は、ロウアドレス信号RA0〜RAiの各ビットのNAND演算を行う。そして、インバータ34がNAND演算結果を反転し、それをロウアドレスデコード信号として出力する。
First, the configuration of the
スイッチ素子群32は、nチャネルMOSトランジスタ35を有している。nチャネルMOSトランジスタ35は、セレクトゲート線SG0〜SG(4m−1)ごとに設けられている。そして、インバータ34の出力が、nチャネルMOSトランジスタ35の電流経路を介して、セレクトゲート線SG0〜SG(4m−1)に与えられる。なお、nチャネルMOSトランジスタ35のゲートには、制御信号ZISOGが入力される。そして、制御信号ZISOGによって、書き込み時には、MOSトランジスタ35はオフ状態とされ、読み出し時にはオン状態とされる。
The
次に、書き込み用デコーダ20の構成について説明する。書き込み用デコーダ20は、ロウアドレスデコード回路21およびスイッチ素子群22を備えている。ロウアドレスデコード回路21は、(i+1)ビットのロウアドレス信号RA0〜RAiをデコードしてロウアドレスデコード信号を得る。このロウアドレスデコード信号が、ワード線WL0〜WL(4m−1)に与えられる。ロウアドレスデコード回路21は、ワード線WL0〜WL(4m−1)ごとに設けられたNAND回路23およびインバータ24を有している。NAND回路23およびインバータ24は、正電圧VPP_P1、負電圧VPP_N、または、0Vを電源電圧として動作する。NAND回路23は、ロウアドレス信号RA0〜RAiの各ビットのNAND演算を行う。そして、インバータ24がNAND演算結果を反転して、それをロウアドレスデコード信号として出力する。
Next, the configuration of the
スイッチ素子群22は、nチャネルMOSトランジスタ25を有している。MOSトランジスタ25は、セレクトゲート線SG0〜SG(4m−1)ごとに設けられている。MOSトランジスタ25の電流経路の一端はセレクトゲート線SG0〜SG(4m−1)に接続され、他端には、負電圧VPP_Nまたは正電圧VPP_P1が印加され、ゲートには、制御信号WSGが入力される。そして、制御信号WSGによって、MOSトランジスタ25は、書き込み時および消去時にオン状態とされる。
The
さらに、書き込み用デコーダ20は、メモリセルアレイ10が形成されている半導体基板(ウェル領域)に対しても電圧VPWを印加する。また、セレクタSEL内のMOSトランジスタ13,16のゲートに電圧を供給する。さらに、MOSトランジスタ12のゲートおよびローカルビット線の共通接続ノードに電圧を供給する。
Further, the
カラムデコーダ40は、カラムアドレス信号をデコードして、カラムアドレスデコード信号を得る。さらに、読み出し時において、セレクタSEL内のMOSトランジスタ14,15のいずれかを選択し、その選択したMOSトランジスタのゲートに電圧を供給する。また、MOSトランジスタ11のゲートに電圧を供給する。
The
カラムセレクタ60は、読み出し時において、カラムアドレスデコード信号にもとづいて、読み出し用グローバルビット線RGBL0〜RGBL(n−1)のいずれかを選択する。
The
センスアンプ70は、セレクトゲートデコーダ30およびカラムデコーダ40によって選択されたメモリセルMCから読み出したデータを増幅する。そして、そのデータをCPU2に出力する。
The
ソース線ドライバ80は、ソース線SL(SL0〜SL2m−1)に電圧を供給する。
The
スイッチ群90は、CPU2から与えられる書き込みデータを、書き込み回路50に転送する。
The
アドレスバッファ100は、上記CPU2から与えられるアドレス信号(Address signal)を保持する。そして、カラムアドレス信号CAをカラムデコーダ40に供給し、ロウアドレス信号RAを書き込み用デコーダ20、セレクトゲートデコーダ30および書き込み回路50に供給する。
The
ライトステートマシーン110は、CPU2から与えられる命令信号(Command signal)にもとづいて、フラッシュメモリ3に含まれる各回路の動作を制御し、データの書き込み、消去、読み出しのタイミング制御を行い、また、各動作について決められた所定のアルゴリズムを実行する。
The
次に、上記した構成の2Tr.フラッシュメモリ3の動作について説明する。
Next, 2Tr. The operation of the
<書き込み動作>
データの書き込みは、いずれかのワード線WLに接続された全てのメモリセルMCに対して一括して行われる。すなわち、ページ一括書き込みである。そして、メモリセルトランジスタMTのフローティングゲートに電子を注入するか否かで“0”データ,“1”データを書き分ける。電子のフローティングゲートへの注入は、Fowler−Nordheim(FN) tunnelingによって行われる。
<Write operation>
Data writing is performed collectively for all the memory cells MC connected to any one of the word lines WL. That is, page batch writing. Then, “0” data and “1” data are written depending on whether electrons are injected into the floating gate of the memory cell transistor MT. The injection of electrons into the floating gate is performed by Fowler-Nordheim (FN) tunneling.
まず、図1において、CPU2から書き込みデータ(“1”,“0”)が入力され、その書き込みデータがスイッチ群90を介して、書き込み回路50内のラッチ回路51のそれぞれに入力される。ラッチ回路51に“1”データが格納されると、ラッチ回路51の出力は高電圧側、すなわち0Vとなる。逆に、“0”データが格納されると、ラッチ回路51の出力は低電圧側、すなわちVPP_N(−5V)となる。これらの電圧が、対応する書き込み用グローバルビット線WGBLに与えられる。
First, in FIG. 1, write data (“1”, “0”) is input from the
そして、書き込み用デコーダ20が、ワード線WL0〜WL(4m−1)のいいずれかを選択するとともに、MOSトランジスタ12をオフ状態にする。これにより、たとえば図5に示すように、選択ワード線WLには、正電圧VPP_P1(10V)が与えられる。なお、非選択ワード線WLには、0V(GND)が与えられる。また、書き込み用デコーダ20は、全てのセレクトゲート線SG0〜SG(4m−1)に負電圧VPP_Nを印加する。したがって、全ての選択トランジスタSTはオフ状態となる。
Then, the
また、書き込み用デコーダ20は、選択ワード線WLを含むメモリセルブロックBLKに対応するセレクタSEL内のMOSトランジスタ13,16をオン状態にする。その結果、書き込み用グローバルビット線WGBLとローカルビット線LBLとが電気的に接続される。ただし、選択ワード線WLを含まないメモリセルブロックBLKに対応するセレクタSEL内のMOSトランジスタ13,16はオフ状態とされる。他方、カラムデコーダ40は、全てのセレクタSEL内のMOSトランジスタ14,15をオフ状態にする。したがって、読み出し用グローバルビット線RGBLとローカルビット線LBLとは、電気的に分離されている。さらに、書き込み用デコーダ20は、メモリセルMCが形成されている、半導体基板(この例では、N型ウェル領域(Nwell))199上のP型ウェル領域(Pwell))200の電圧VPWを負電圧VPP_N(−5V)とする。
The
上記の結果、セレクタSEL内のMOSトランジスタ13,16を介して、書き込み用グローバルビット線WGBLから、選択ワード線WLを含むメモリセルブロックBLKのローカルビット線LBLに、“1”データまたは“0”データに対応する電位が与えられる。この電位は、コンタクトプラグ(図示していない)を介して、メモリセルトランジスタMTのドレイン領域340に与えられる。すると、選択ワード線WL(コントロールゲート330)には正電圧VPP_P1が印加され、“1”データを書き込むべきメモリセルMCのドレイン領域340には0Vが印加され、“0”データを書き込むべきメモリセルMCのドレイン領域340には負電圧VPP_Nが印加される。したがって、“1”データを書き込むべきメモリセルMCではゲート・ドレイン間の電位差(10V)が十分ではないので、フローティングゲート310に電子(e- )は注入されず、メモリセルMCは負の閾値を保持する。他方、“0”データを書き込むべきメモリセルMCでは、ゲート・ドレイン間の電位差(15V)が大きいため、フローティングゲート310に電子がFN tunnelingによって注入される。その結果、メモリセルMCの閾値は正に変化する。
As a result, “1” data or “0” is transferred from the write global bit line WGBL to the local bit line LBL of the memory cell block BLK including the selected word line WL via the
以上により、メモリセルMCへの書き込み動作が行われる。 Thus, the write operation to the memory cell MC is performed.
<読み出し動作>
データの読み出しにおいては、いずれかのワード線WLに接続された複数のメモリセルMCから一括して読み出すことが可能である。そして、データは各ブロック当たり1つのメモリセルMCから読み出される。
<Read operation>
In reading data, it is possible to read data from a plurality of memory cells MC connected to any one of the word lines WL. Data is read from one memory cell MC per block.
まず、図1において、セレクトゲートデコーダ30が、セレクトゲート線SG0〜SG(4m−1)のいずれかを選択する。セレクトゲートデコーダ30は、選択セレクトゲート線SGに正電圧VPP_P2(3V)を印加する。これにより、非選択セレクトゲート線SGは、全て0Vとされる。したがって、選択セレクトゲート線SGに接続された選択トランジスタSTはオン状態となり、非選択セレクトゲート線SGに接続された選択トランジスタSTはオフ状態となる。また、書き込み用デコーダ20は、全てのワード線WL0〜WL(4m−1)に0Vを与えるとともに、MOSトランジスタ12をオフ状態とする。また、ソース線ドライバ80は、ソース線SLの電位を0Vとする。さらに、P型ウェル領域200の電位も0Vとされる。
First, in FIG. 1, the
また、カラムデコーダ40は、選択セレクトゲート線SGを含む、メモリセルブロックBLKに対応するセレクタSEL内のMOSトランジスタ14,15のいずれかをオン状態にする。その結果、読み出し用グローバルビット線RGBL0〜RGBL(n−1)と、ローカルビット線LBL0またはLBL1とが電気的に接続される。ただし、選択セレクトゲート線SGを含まない、メモリセルブロックBLKに対応するセレクタSEL内のMOSトランジスタ14,15はオフ状態とする。他方、書き込み用デコーダ20は、全てのセレクタSEL内のMOSトランジスタ13,16をオフ状態にする。したがって、書き込み用グローバルビット線WGBLとローカルビット線LBLとは、電気的に分離されている。さらに、セレクトゲートデコーダ30は、MOSトランジスタ11をオン状態とする。
The
上記の結果、セレクタSEL内のMOSトランジスタ14またはMOSトランジスタ15、読み出し用グローバルビット線RGBL0〜RGBL(n−1)、および、カラムセレクタ60を介して、ローカルビット線LBL0またはLBL1がセンスアンプ70に電気的に接続される。
As a result, the local bit line LBL0 or LBL1 is supplied to the
そして、読み出し用グローバルビット線RGBL0〜RGBL(n−1)に、たとえば1V程度の電圧が与えられる。すると、“1”データが書き込まれているメモリセルMCのメモリセルトランジスタMTは、閾値電圧が負であるから、オン状態となる。したがって、選択セレクトゲート線SGに接続されているメモリセルMCでは、読み出し用グローバルビット線RGBLから、ローカルビット線LBL、メモリセルトランジスタMT、および、選択トランジスタSTを介して、ソース線SLに向かって電流が流れる。他方、“0”データが書き込まれているメモリセルMCのメモリセルトランジスタMTは、閾値電圧が正であるから、オフ状態である。したがって、読み出し用グローバルビット線RGBLには電流が流れない。 Then, a voltage of about 1 V, for example, is applied to the read global bit lines RGBL0 to RGBL (n−1). Then, the memory cell transistor MT of the memory cell MC in which “1” data is written is turned on because the threshold voltage is negative. Accordingly, in the memory cell MC connected to the selected select gate line SG, from the read global bit line RGBL toward the source line SL via the local bit line LBL, the memory cell transistor MT, and the select transistor ST. Current flows. On the other hand, the memory cell transistor MT of the memory cell MC in which “0” data is written is in the off state because the threshold voltage is positive. Therefore, no current flows through the read global bit line RGBL.
以上のようにして、読み出し用グローバルビット線RGBLの電位が変化し、その変化量をセンスアンプ70で増幅させることによって、読み出し動作が行われる。
As described above, the potential of the read global bit line RGBL changes, and the change amount is amplified by the
<消去動作>
データの消去は、ウェル領域を共用する全てのメモリセルMCについて一括して行われる。したがって、図1の例であると、メモリセルアレイ10に含まれる全てのメモリセルMCのデータが同時に消去される。
<Erase operation>
Data is erased collectively for all the memory cells MC sharing the well region. Therefore, in the example of FIG. 1, the data of all the memory cells MC included in the
たとえば図6に示すように、書き込み用デコーダ20は、全てのワード線WL0〜WL(4m−1)の電位を−5Vとする。また、基板199およびP型ウェル領域200の電位は、正電圧VPP_P1とされる。その結果、メモリセルMCのメモリセルトランジスタMTのフローティングゲート310から、電子がFN tunnelingによって半導体基板199側に引き抜かれる。こうして、全てのメモリセルMCの閾値電圧が負となり、データが消去される。この際、全てのセレクトゲート線SGには、書き込み用デコーダ20によって、負電圧VPP_Nが印加される。
For example, as shown in FIG. 6, the
次に、本実施形態にしたがった電圧発生回路120の構成について、より具体的に説明する。なお、ここでは、書き込み動作に適用した場合について説明する。
Next, the configuration of the
図7は、本実施形態に係る電圧発生回路120の構成例を示すものである。すなわち、この電圧発生回路120は、たとえば図7に示すように、正のチャージポンプ回路(Charge Pump)などを含むVPP_P供給源(第1の電圧供給源)121、および、負のチャージポンプ回路などを含むVPP_N供給源(第2の電圧供給源)123を備えている。
FIG. 7 shows a configuration example of the
VPP_P供給源121には、第1の電圧である正電圧VPP_P(VPP_P1)の立ち上げおよび立ち下げを制御するVPP_P DisCharge回路122が接続されている。このVPP_P DisCharge回路122は、VPP_P DisCharge1回路122-1と、VPP_P DisCharge2回路122-2とを有している。VPP_P DisCharge1回路122-1は、たとえばライトステートマシーン110からの制御信号VPP_P DisCrg1 ENによりイネーブル状態となる。VPP_P DisCharge2回路122-2は、たとえばライトステートマシーン110からの制御信号VPP_P DisCrg2 ENによりイネーブル状態となる。
Connected to the
VPP_N供給源123には、第2の電圧である負電圧VPP_Nの立ち上げおよび立ち下げを制御するVPP_N DisCharge回路124が接続されている。このVPP_N DisCharge回路124は、たとえばライトステートマシーン110からの制御信号VPP_N DisCrg ENによりイネーブル状態となる。
Connected to the
図8は、上記したVPP_P DisCharge回路122の構成例を示すものである。本実施形態の場合、VPP_P DisCharge回路122は、たとえば、DisCharge制御回路122aと、このDisCharge制御回路122aを制御するための制御ロジック回路122bとを有して構成されている。
FIG. 8 shows a configuration example of the
すなわち、DisCharge制御回路122aは、たとえば同図(a)に示すように、pチャネルMOSトランジスタPQ1,PQ2、および、抵抗素子R1,R2を有している。一方の、たとえばpチャネルMOSトランジスタPQ1の電流通路の一端には、上記VPP_P供給源121より正電圧VPP_Pが供給されている。他端は、直列に接続された抵抗素子R1,R2を介して接地されている。また、pチャネルMOSトランジスタPQ1のゲートには、制御ロジック回路122bからの制御信号DISEN1が供給されるようになっている。他方の、たとえばpチャネルMOSトランジスタPQ2の電流通路の一端には、上記VPP_P供給源121より正電圧VPP_Pが供給されている。他端は、直列に接続された抵抗素子R1,R2の接続点(中間ノード)に接続されている。また、pチャネルMOSトランジスタPQ2のゲートには、制御ロジック回路122bからの制御信号DISEN2が供給されるようになっている。
That is, the
上記抵抗素子R1,R2は、たとえば通常Prg時に、正電圧VPP_Pの電位をディスチャージするためのもので、特に、上記抵抗素子R2は、たとえば一括Prg時に、負電圧VPP_NのDisCharge動作にともなって余計に上昇する正電圧VPP_Pの電位(ディスチャージ電流)に応じて、その抵抗値が設定されている。 The resistance elements R1 and R2 are for discharging the potential of the positive voltage VPP_P, for example, during normal Prg. In particular, the resistance element R2 is superfluous with the Discharge operation of the negative voltage VPP_N, for example, at the time of collective Prg. The resistance value is set according to the potential (discharge current) of the rising positive voltage VPP_P.
これに対し、制御ロジック回路122bは、たとえば同図(b)に示すように、上記制御信号VPP_P DisCrg1 ENの供給に応じて制御信号DISEN1を生成するインバータ回路LC1と、上記制御信号VPP_P DisCrg2 ENおよび一括Prg時にアクティブ状態となる信号PrgALL(または、制御信号VPP_N DisCrg EN)の供給に応じて制御信号DISEN2を生成するナンド回路LC2とを有している。
On the other hand, the
なお、本実施形態の場合、DisCharge制御回路122aのpチャネルMOSトランジスタPQ1および抵抗素子R1,R2と、制御ロジック回路122bのインバータ回路LC1とによって、VPP_P DisCharge回路122のVPP_P DisCharge1回路122-1が、DisCharge制御回路122aのpチャネルMOSトランジスタPQ2および抵抗素子R2と、制御ロジック回路122bのナンド回路LC2とによって、VPP_P DisCharge回路122のVPP_P DisCharge2回路122-2が、それぞれ構成されている。
In the case of this embodiment, the VPP_P DisCharge1 circuit 122-1 of the
次に、上記した構成による、Prg時のディスチャージ動作について説明する。たとえば、メモリセルMCへのデータの書き込みが終了すると、まず、負電圧VPP_Nによる基板側の電位、続いて、正電圧VPP_Pによるワード線WL側の電位の順に、各電位が戻される。 Next, the discharge operation at the time of Prg by the above configuration will be described. For example, when the writing of data into the memory cell MC is completed, first, the potentials are returned in the order of the potential on the substrate side by the negative voltage VPP_N and then the potential on the word line WL side by the positive voltage VPP_P.
すなわち、通常のPrgでは、たとえば図9(b)に示すように、制御信号VPP_N DisCrg ENが“H(HIGH)”となり、VPP_N DisCharg回路124が制御される。これにより、負電圧VPP_Nの電位がディスチャージされる(VPP_N DisChrg State)。続いて、制御信号VPP_P DisCrg1 ENが“H”となり、VPP_P DisCharg1回路122-1が制御される。これにより、正電圧VPP_Pの電位がディスチャージされる(VPP_P DisChrg State)。
That is, in normal Prg, for example, as shown in FIG. 9B, the control signal VPP_N DisCrg EN becomes “H (HIGH)”, and the
これに対し、テストなどのために、全ワード線WLを同時に選択する一括Prgでは、たとえば図9(a)に示すように、制御信号VPP_N DisCrg ENが“H”となり、VPP_N DisCharg回路124が制御される。これにより、負電圧VPP_Nの電位がディスチャージされる(VPP_N DisChrg State)。この際、一括Prg時のように、選択されたワード線WLの本数が多いと、ワード線WL−基板(Nwell199)間の容量が大となり、カップリングにより正電圧VPP_Pの電位が余計に上昇しようとする(図9(c)のVPP_N DisChrg State参照)。
On the other hand, in the collective Prg that simultaneously selects all the word lines WL for testing or the like, for example, as shown in FIG. 9A, the control signal VPP_N DisCrg EN becomes “H” and the
ここで、負電圧VPP_Nをディスチャージする際、正電圧VPP_Pのノードにはディスチャージ用のパスがない(VPP_Pレベルをセンシングしている場合にはSENSE回路のパスが存在するが、チャージポンプの供給電流を無駄に消費してしまうため、通常、流す電流は最小限に抑えられる)。そのため、カップリングによる正電圧VPP_Pの上昇分を下げることができない。よって、正電圧VPP_Pは本来の電圧よりも高くなり、そのレベルによっては、印加されているセルMCの耐圧を超えてしまい、セルMCを破壊してしまう。 Here, when discharging the negative voltage VPP_N, there is no discharge path at the node of the positive voltage VPP_P (the SENSE circuit path exists when the VPP_P level is sensed, but the charge pump supply current is Usually, the current that flows is kept to a minimum because it is consumed wastefully). Therefore, the increase in the positive voltage VPP_P due to coupling cannot be reduced. Therefore, the positive voltage VPP_P becomes higher than the original voltage, and depending on the level, the withstand voltage of the applied cell MC is exceeded, and the cell MC is destroyed.
そこで、一括Prgでは、たとえば同図(a)に示すように、負電圧VPP_NのDisCharge Stateの際に、同時に、VPP_P DisCharge2回路122-2により正電圧VPP_Pの電位をディスチャージさせる。つまり、制御信号VPP_P DisCrg2 ENおよび制御信号PrgALLがともに“H”となり、制御ロジック回路122bのナンド回路LC2からの制御信号DISEN2が“L”となる(インバータ回路LC1からの制御信号DISEN1は“H”)。すると、DisCharge制御回路122aのpチャネルMOSトランジスタPQ2がオンし、正電圧VPP_Pの電位がディスチャージされる(VPP_N DisChrg State参照)。これにより、ワード線WL−基板間のカップリングによる電位の上昇を抑えることが可能となり、ディスチャージ時間(Stateの期間)を変更することなしに、正電圧VPP_Pの異常な上昇を抑えることが可能となる。
Therefore, in the collective Prg, for example, as shown in FIG. 5A, at the time of the Discharge State of the negative voltage VPP_N, the potential of the positive voltage VPP_P is simultaneously discharged by the
すなわち、DisCharge制御回路122aにディスチャージ用のパスを設け、その抵抗値をモード(通常Prg時/一括Prg時)に応じて切り換えることにより、ディスチャージ電流を変更できるようにしている。したがって、ディスチャージ時間(Stateの期間)を変更することなしに、一括Prg時の、負電圧VPP_Nのディスチャージにともなう正電圧VPP_Pの異常な上昇を抑えることが可能となる。
That is, a discharge path is provided in the
上記したように、ワード線と基板との間における寄生容量によるカップリングの影響を軽減できるようになる。その結果、負電圧VPP_Nのディスチャージ時間を長くすることなく、正電圧VPP_Pの異常な上昇を防止できるようになる。ゆえに、正電圧VPP_Pの異常な上昇によるセルの破壊を阻止しつつ、モードによらず、短時間にプログラムすることが容易に可能となるものである。 As described above, the influence of coupling due to parasitic capacitance between the word line and the substrate can be reduced. As a result, the abnormal increase of the positive voltage VPP_P can be prevented without increasing the discharge time of the negative voltage VPP_N. Therefore, it is possible to easily program in a short time regardless of the mode while preventing the destruction of the cell due to the abnormal rise of the positive voltage VPP_P.
[第2の実施形態]
図10は、本発明の第2の実施形態にしたがった、不揮発性半導体記憶装置に用いられるVPP_P DisCharge回路の他の構成を示すものである。なお、ここでは、一括Prg時に上昇する正電圧VPP_Pのディスチャージ電流が、通常Prg時の正電圧VPP_Pのディスチャージ電流とほぼ同じ場合について説明する。
[Second Embodiment]
FIG. 10 shows another configuration of the VPP_P DisCharge circuit used in the nonvolatile semiconductor memory device according to the second embodiment of the present invention. Here, a case will be described in which the discharge current of the positive voltage VPP_P that rises during the collective Prg is substantially the same as the discharge current of the positive voltage VPP_P during the normal Prg.
本実施形態の場合、VPP_P DisCharge回路122Aは、DisCharge制御回路122a’と制御ロジック回路122b’とを有して構成されている。すなわち、一括Prg時に上昇する正電圧VPP_Pのディスチャージ電流が、通常Prg時の正電圧VPP_Pのディスチャージ電流とほぼ同じ場合、上記したDisCharge制御回路122aにおけるディスチャージ用のパスを省略できる。具体的には、たとえば同図(a)に示すように、DisCharge制御回路122a’は、1つのpチャネルMOSトランジスタPQと1つの抵抗素子Rとを有して構成される。上記抵抗素子Rは、たとえば通常Prg時に、正電圧VPP_Pの電位をディスチャージするためのものであり、たとえば一括Prg時に、負電圧VPP_NのDisCharge動作にともなって余計に上昇する正電圧VPP_Pの電位(ディスチャージ電流)に応じて、その抵抗値が設定されている。なお、上記pチャネルMOSトランジスタPQおよび上記抵抗素子Rが直列に接続されてなる構成は、従来のDisCharge回路の構成と同様であり、従来のDisCharge回路をそのまま利用できる。
In the case of this embodiment, the
一方、制御ロジック回路122b’は、たとえば同図(b)に示すように、上記制御信号VPP_P DisCrg2 ENと一括Prg時にアクティブ状態となる信号PrgALL(または、制御信号VPP_N DisCrg EN)とのAND出力を生成するアンド回路LC3、および、そのAND出力と上記制御信号VPP_P DisCrg1 ENとのNOR出力により、上記pチャネルMOSトランジスタPQのゲートに与えられる制御信号DISENを生成するノア回路LC4を有している。
On the other hand, the
なお、本実施形態の場合、DisCharge制御回路122a’のpチャネルMOSトランジスタPQおよび抵抗素子Rと、制御ロジック回路122b’のアンド回路LC3およびノア回路LC4とによって、VPP_P DisCharge回路122のVPP_P DisCharge1回路122-1およびVPP_P DisCharge2回路122-2が、それぞれ構成されている。
In the present embodiment, the
次に、上記した構成による、Prg時のディスチャージ動作について説明する。たとえば、メモリセルMCへのデータの書き込みが終了すると、まず、負電圧VPP_Nによる基板側の電位、続いて、正電圧VPP_Pによるワード線WL側の電位の順に、各電位が戻される。 Next, the discharge operation at the time of Prg by the above configuration will be described. For example, when the writing of data into the memory cell MC is completed, first, the potentials are returned in the order of the potential on the substrate side by the negative voltage VPP_N and then the potential on the word line WL side by the positive voltage VPP_P.
すなわち、一括Prgでは、たとえば図11に示すように、まず、制御信号VPP_N DisCrg ENが“H”となり、VPP_N DisCharg回路124が制御される。これにより、負電圧VPP_Nの電位がディスチャージされる(VPP_N DisChrg State)。
That is, in the collective Prg, for example, as shown in FIG. 11, first, the control signal VPP_N DisCrg EN becomes “H”, and the
また、この負電圧VPP_NのDisCharge Stateの際には、同時に、VPP_P DisCharge2回路122-2により正電圧VPP_Pの電位をディスチャージさせる。つまり、制御信号VPP_P DisCrg2 ENおよび制御信号PrgALLがともに“H”となり(制御信号VPP_P DisCrg1 ENは“L”)、制御ロジック回路122b’のノア回路LC4からの制御信号DISENが“L”となる。すると、DisCharge制御回路122a’のpチャネルMOSトランジスタPQがオンし、余計に上昇した正電圧VPP_Pの電位がディスチャージされる(VPP_N DisChrg State参照)。
Further, at the time of the Discharge State of the negative voltage VPP_N, the potential of the positive voltage VPP_P is simultaneously discharged by the VPP_P DisCharge2 circuit 122-2. That is, the control signal VPP_P DisCrg2 EN and the control signal PrgALL are both “H” (the control signal VPP_P DisCrg1 EN is “L”), and the control signal DISEN from the NOR circuit LC4 of the
これに対し、負電圧VPP_Nの電位をディスチャージした後の、正電圧VPP_PのDisCharge Stateの際には、たとえば図11に示すように、引き続き、VPP_P DisCharge2回路122-2により正電圧VPP_Pの電位をディスチャージさせる。つまり、制御信号VPP_P DisCrg1 ENが“H”となり(制御信号VPP_P DisCrg2 ENおよび制御信号PrgALLはともに“L”)、制御ロジック回路122b’のノア回路LC4からの制御信号DISENが“L”となる。これにより、DisCharge制御回路122a’のpチャネルMOSトランジスタPQがオンし、正電圧VPP_Pの電位がディスチャージされる。
On the other hand, at the time of Discharge State of the positive voltage VPP_P after discharging the potential of the negative voltage VPP_N, for example, as shown in FIG. 11, the potential of the positive voltage VPP_P is continuously discharged by the VPP_P DisCharge2 circuit 122-2. Let That is, the control signal VPP_P DisCrg1 EN becomes “H” (the control signal VPP_P DisCrg2 EN and the control signal PrgALL are both “L”), and the control signal DISEN from the NOR circuit LC4 of the
このように、本実施形態の場合においても、ワード線WL−基板間のカップリングによる電位の上昇を抑えることが可能となり、ディスチャージ時間(Stateの期間)を変更することなしに、正電圧VPP_Pの異常な上昇を抑えることが可能となる。 As described above, also in the case of this embodiment, it is possible to suppress an increase in potential due to coupling between the word line WL and the substrate, and the positive voltage VPP_P can be reduced without changing the discharge time (State period). Abnormal rise can be suppressed.
つまり、一括Prg時に上昇する正電圧VPP_Pのディスチャージ電流が、通常Prg時の正電圧VPP_Pのディスチャージ電流とほぼ同じ場合には、特別にDisCharge制御回路122aにおけるディスチャージ用のパスを形成せずとも、ワード線と基板との間における寄生容量によるカップリングの影響を軽減できるようになる。その結果、負電圧VPP_Nのディスチャージ時間を長くすることなく、正電圧VPP_Pの異常な上昇を防止できるようになる。ゆえに、正電圧VPP_Pの異常な上昇によるセルの破壊を阻止しつつ、モードによらず、短時間にプログラムすることが容易に可能となるものである。
That is, when the discharge current of the positive voltage VPP_P that rises at the time of the collective Prg is substantially the same as the discharge current of the positive voltage VPP_P at the time of the normal Prg, it is not necessary to form a discharge path in the
[第3の実施形態]
図12は、本発明の第3の実施形態にしたがった、不揮発性半導体記憶装置に用いられるVPP_P DisCharge回路(DisCharge制御回路)の、さらに別の構成を示すものである。なお、ここでは、トランジスタのディメンジョンを変更することによって、モードに応じたディスチャージ電流の切り換えを可能にした場合について説明する。
[Third Embodiment]
FIG. 12 shows still another configuration of the VPP_P DisCharge circuit (DisCharge control circuit) used in the nonvolatile semiconductor memory device according to the third embodiment of the present invention. Here, a case will be described in which the discharge current can be switched in accordance with the mode by changing the transistor dimensions.
本実施形態のVPP_P DisCharge回路122Bは、たとえば、DisCharge制御回路122cと、このDisCharge制御回路122cを制御するための制御ロジック回路122bとを有して構成されている。すなわち、DisCharge制御回路122cは、たとえば同図(a)に示すように、差動アンプSA、抵抗素子Ra、pチャネルMOSトランジスタPQa,PQb、および、nチャネルMOSトランジスタNQa,NQb,NQc,NQd,NQeを有している。たとえば、pチャネルMOSトランジスタPQaの電流通路の一端およびバックゲートには、電源VCCが接続されている。その電流通路の他端には、抵抗素子Raの一端が接続され、この抵抗素子Raの他端は接地されている。
The
pチャネルMOSトランジスタPQaの電流通路と抵抗素子Raとの接続点には、差動アンプSAの反転入力端が接続されている。この差動アンプSAの非反転入力端には、基準電圧VREFが供給されている。そして、差動アンプSAの出力端は、pチャネルMOSトランジスタPQa,PQbの各ゲートに接続されている。 The inverting input terminal of the differential amplifier SA is connected to the connection point between the current path of the p-channel MOS transistor PQa and the resistance element Ra. A reference voltage VREF is supplied to the non-inverting input terminal of the differential amplifier SA. The output terminal of the differential amplifier SA is connected to the gates of the p-channel MOS transistors PQa and PQb.
pチャネルMOSトランジスタPQbの電流通路の一端およびバックゲートには、電源VCCが接続されている。その電流通路の他端には、nチャネルMOSトランジスタNQaのゲートおよび電流通路の一端、nチャネルMOSトランジスタNQbのゲート、および、nチャネルMOSトランジスタNQcのゲートが、それぞれ接続されている。nチャネルMOSトランジスタNQbの電流通路の一端には、nチャネルMOSトランジスタNQdの電流通路の一端およびバックゲートが接続されている。nチャネルMOSトランジスタNQdのゲートには、制御ロジック回路122bのインバータ回路LC1の出力端が接続されており、制御信号DISEN1が供給されるようになっている。nチャネルMOSトランジスタNQcの電流通路の一端には、nチャネルMOSトランジスタNQeの電流通路の一端およびバックゲートが接続されている。nチャネルMOSトランジスタNQeのゲートには、制御ロジック回路122bのナンド回路LC2の出力端が接続されており、制御信号DISEN2が供給されるようになっている。
A power supply VCC is connected to one end of the current path of the p-channel MOS transistor PQb and the back gate. The other end of the current path is connected to the gate of n channel MOS transistor NQa and one end of the current path, the gate of n channel MOS transistor NQb, and the gate of n channel MOS transistor NQc. One end of the current path of n channel MOS transistor NQb and the back gate are connected to one end of the current path of n channel MOS transistor NQb. The output terminal of the inverter circuit LC1 of the
nチャネルMOSトランジスタNQd,NQeの電流通路の他端には、それぞれ、上記VPP_P供給源121より正電圧VPP_P(VPP_P1)が供給されている。nチャネルMOSトランジスタNQa,NQb,NQcの電流通路の他端およびバックゲートは、それぞれ接地されている。
A positive voltage VPP_P (VPP_P1) is supplied from the
なお、本実施形態の場合、主に、DisCharge制御回路122cのnチャネルMOSトランジスタNQb,NQdと、制御ロジック回路122bのインバータ回路LC1とによって、VPP_P DisCharge回路122のVPP_P DisCharge1回路122-1が、DisCharge制御回路122cのnチャネルMOSトランジスタNQc,NQeと、制御ロジック回路122bのナンド回路LC2とによって、VPP_P DisCharge回路122のVPP_P DisCharge2回路122-2が、それぞれ構成されている。
In the case of the present embodiment, the
すなわち、上記した構成においては、定電流源をミラーしているnチャネルMOSトランジスタNQb,NQcのディメンジョン(NMOS1,NMOS2)が、ディスチャージする電流に応じて、それぞれ設定されている。本実施形態の場合、nチャネルMOSトランジスタNQbのディメンジョンが、nチャネルMOSトランジスタNQcのディメンジョンよりも小さい(NMOS1<NMOS2)。これらディメンジョンの異なる2つのnチャネルMOSトランジスタNQb,NQcを、モードに応じて切り換える。たとえば、通常Prg時には、DisCharge制御回路122cのnチャネルMOSトランジスタNQdをオンさせるように制御し、一括Prg時には、DisCharge制御回路122cのnチャネルMOSトランジスタNQeをオンさせるように制御する。こうして、モードに応じてディスチャージ電流を変更することにより、負電圧VPP_Nの電位がディスチャージされると同時に、余計に上昇した正電圧VPP_Pの電位をディスチャージできる。
That is, in the above-described configuration, the dimensions (NMOS1, NMOS2) of the n-channel MOS transistors NQb, NQc mirroring the constant current source are set according to the current to be discharged. In the present embodiment, the dimension of the n-channel MOS transistor NQb is smaller than the dimension of the n-channel MOS transistor NQc (NMOS1 <NMOS2). These two n-channel MOS transistors NQb and NQc having different dimensions are switched according to the mode. For example, during normal Prg, control is performed so that the n-channel MOS transistor NQd of the
[第4の実施形態]
図13は、本発明の第4の実施形態にしたがった、不揮発性半導体記憶装置に用いられるSENSE回路の構成を示すものである。なお、ここでは、電圧発生回路120内に設けられるSENSE回路によって、モードに応じたディスチャージ電流の切り換えを可能にした場合について説明する。
[Fourth Embodiment]
FIG. 13 shows a configuration of a SENSE circuit used in the nonvolatile semiconductor memory device according to the fourth embodiment of the present invention. Here, a case will be described in which the discharge current can be switched according to the mode by the SENSE circuit provided in the
本実施形態のSENSE回路125は、たとえば、VPP_P供給源121の前段に設けられ、モードに応じて回路125内の抵抗値を切り換えて、正電圧VPP_Pのセンスレベルを変更することにより、Charge Pump回路(図示していない)の動作を制御するとともに、ディスチャージ電流を変更して正電圧VPP_Pの上昇を抑えるようにしたものである。すなわち、SENSE回路125は、たとえば図13に示すように、5つの抵抗素子ra,rb,rc,rd,reが直列に接続されてなる抵抗列Rrを有している。この抵抗列Rrの一端には正電圧VPP_Pが供給され、他端にはnチャネルMOSトランジスタNQ1の電流通路の一端が接続されている。このnチャネルMOSトランジスタNQ1の電流通路の他端およびバックゲートは接地されている。nチャネルMOSトランジスタNQ1のゲートには、たとえば、ライトステートマシーン110からの制御信号SENSE ENが供給されるようになっている。
The
抵抗列Rrのうち、抵抗素子rd,reの接続点には、差動アンプSA1の反転入力端が接続されている。この差動アンプSA1の非反転入力端には、基準電圧VREFが供給されている。そして、差動アンプSA1の出力端は、2段接続されたインバータ回路INV1,INV2における、インバータ回路INV1の入力端に接続されている。インバータ回路INV2の出力端からは、VPP_P供給源121への制御信号(Charge Pump EN)が出力されるようになっている。
In the resistor string Rr, the inverting input terminal of the differential amplifier SA1 is connected to a connection point between the resistor elements rd and re. A reference voltage VREF is supplied to the non-inverting input terminal of the differential amplifier SA1. The output terminal of the differential amplifier SA1 is connected to the input terminal of the inverter circuit INV1 in the inverter circuits INV1 and INV2 connected in two stages. A control signal (Charge Pump EN) to the
また、抵抗素子rc,rdの接続点には、nチャネルMOSトランジスタNQ2の電流通路の一端およびバックゲートが接続されている。このnチャネルMOSトランジスタNQ2の電流通路の他端には、正電圧VPP_Pが供給されている。nチャネルMOSトランジスタNQ2のゲートには、たとえば、一括Prg時にアクティブ状態“H”となる制御信号DISENが供給されるようになっている。 Further, one end of the current path of n channel MOS transistor NQ2 and the back gate are connected to the connection point of resistance elements rc and rd. A positive voltage VPP_P is supplied to the other end of the current path of n channel MOS transistor NQ2. For example, a control signal DISEN which is in an active state “H” at the time of collective Prg is supplied to the gate of the n-channel MOS transistor NQ2.
この実施形態の場合、たとえば一括Prg時に、正電圧VPP_Pのセンスレベルを下げ、Charge Pump回路の動作を停止させるとともに、ディスチャージ電流を上げることにより、正電圧VPP_Pの上昇を抑えることが可能となる。 In the case of this embodiment, for example, at the time of collective Prg, it is possible to suppress the increase of the positive voltage VPP_P by lowering the sense level of the positive voltage VPP_P, stopping the operation of the Charge Pump circuit and increasing the discharge current.
上記したように、モード(通常/一括)に応じてディスチャージ電流を制御することにより、ディスチャージの際に正電圧VPP_Pが異常に上昇するのを防止でき、セルを破壊から保護し得るとともに、モードによらず、短時間でプログラム動作を完了させることが可能となるものである。 As described above, by controlling the discharge current according to the mode (normal / batch), it is possible to prevent the positive voltage VPP_P from rising abnormally at the time of discharge, to protect the cell from destruction, and to enter the mode. Regardless, the program operation can be completed in a short time.
なお、上述した各実施形態においては、モードに応じてディスチャージ電流を制御するようにした場合について説明したが、これに限らず、たとえばステートに応じてディスチャージ電流を制御するようにした場合にも同様な効果が期待できる。 In each of the above-described embodiments, the case where the discharge current is controlled according to the mode has been described. However, the present invention is not limited to this. For example, the same applies when the discharge current is controlled according to the state. Can be expected.
また、書き込み時に限らず、たとえば消去時において、負電圧VPP_N(第1の電圧)のディスチャージ時間を長くしたりすることなく、正電圧VPP_P(第2の電圧)の上昇を防止でき、正電圧VPP_Pの異常な上昇によるセルの破壊を阻止することも可能である。 Further, not only at the time of writing but also at the time of erasing, for example, the increase of the positive voltage VPP_P (second voltage) can be prevented without increasing the discharge time of the negative voltage VPP_N (first voltage), and the positive voltage VPP_P It is also possible to prevent the destruction of the cell due to the abnormal rise of the cell.
さらに、2Tr.フラッシュメモリに限らず、負電圧を使用する各種の不揮発性半導体記憶装置に適用できる。 Furthermore, 2Tr. The present invention can be applied not only to a flash memory but also to various nonvolatile semiconductor memory devices that use a negative voltage.
その他、本願発明は、上記(各)実施形態に限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で種々に変形することが可能である。さらに、上記(各)実施形態には種々の段階の発明が含まれており、開示される複数の構成要件における適宜な組み合わせにより種々の発明が抽出され得る。たとえば、(各)実施形態に示される全構成要件からいくつかの構成要件が削除されても、発明が解決しようとする課題の欄で述べた課題(の少なくとも1つ)が解決でき、発明の効果の欄で述べられている効果(の少なくとも1つ)が得られる場合には、その構成要件が削除された構成が発明として抽出され得る。 In addition, the present invention is not limited to the above (each) embodiment, and various modifications can be made without departing from the scope of the invention in the implementation stage. Further, the above (each) embodiment includes various stages of the invention, and various inventions can be extracted by appropriately combining a plurality of disclosed constituent elements. For example, even if several constituent requirements are deleted from all the constituent requirements shown in the (each) embodiment, the problem (at least one) described in the column of the problem to be solved by the invention can be solved. When the effect (at least one of the effects) described in the “Effect” column is obtained, a configuration from which the constituent requirements are deleted can be extracted as an invention.
3…2Tr.フラッシュメモリ、10…メモリセルアレイ、120…電圧発生回路、121…VPP_P供給源、122,122A,122B…VPP_P DisCharge回路、122a,122a’,122c…DisCharge制御回路、122b,122b’…制御ロジック回路、122-1…VPP_P DisCharge1回路、122-2…VPP_P DisCharge2回路、123…VPP_N供給源、124…VPP_N DisCharge回路、125…SENSE回路。 3 ... 2Tr. Flash memory, 10 ... memory cell array, 120 ... voltage generation circuit, 121 ... VPP_P supply source, 122, 122A, 122B ... VPP_P Discharge circuit, 122a, 122a ', 122c ... DisCharge control circuit, 122b, 122b' ... control logic circuit, 122-1 ... VPP_P DisCharge1 circuit, 122-2 ... VPP_P DisCharge2 circuit, 123 ... VPP_N supply source, 124 ... VPP_N DisCharge circuit, 125 ... SENSE circuit.
Claims (5)
前記半導体基板上に設けられた、フローティングゲートおよび制御ゲートを備えたMOS(Metal Oxide Semiconductor)トランジスタ構造を有する複数のメモリセルがマトリクス状に配置されたメモリセルアレイと、
前記複数のメモリセルの前記制御ゲートを、同一行ごとに共通に接続する複数のワード線と、
前記複数のワード線に第1の電圧を供給する第1の電圧供給源と、
前記第1の電圧供給源による、前記第1の電圧の立ち上げおよび立ち下げを制御する第1の制御回路と、
前記半導体基板に第2の電圧を供給する第2の電圧供給源と、
前記第2の電圧供給源による、前記第2の電圧の立ち上げおよび立ち下げを制御する第2の制御回路と
を具備し、
前記第1の電圧供給源により、前記複数のワード線に同時に前記第1の電圧を供給する際には、少なくとも、前記第2の電圧の立ち上げに同期させて、前記第1の電圧供給源による前記第1の電圧の立ち下げを制御するようにしたことを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。 A semiconductor substrate;
A memory cell array in which a plurality of memory cells having a MOS (Metal Oxide Semiconductor) transistor structure having a floating gate and a control gate provided in the semiconductor substrate are arranged in a matrix;
A plurality of word lines commonly connecting the control gates of the plurality of memory cells for each same row;
A first voltage supply source for supplying a first voltage to the plurality of word lines;
A first control circuit for controlling the rise and fall of the first voltage by the first voltage supply source;
A second voltage supply source for supplying a second voltage to the semiconductor substrate;
A second control circuit for controlling the rise and fall of the second voltage by the second voltage supply source, and
When the first voltage is simultaneously supplied to the plurality of word lines by the first voltage supply source, the first voltage supply source is synchronized with at least the rise of the second voltage. A non-volatile semiconductor memory device characterized by controlling the fall of the first voltage due to the above.
前記第1の電圧供給源により、前記複数のワード線に同時に前記第1の電圧を供給する際の、前記第1の電圧の立ち下げを、前記第3の制御回路によって制御するようにしたことを特徴とする請求項1に記載の不揮発性半導体記憶装置。 A third control circuit is further provided separately from the first control circuit,
The third control circuit controls the fall of the first voltage when the first voltage is simultaneously supplied to the plurality of word lines by the first voltage supply source. The nonvolatile semiconductor memory device according to claim 1.
テスト時には、前記第1の電圧供給源により、前記複数のワード線に同時に前記第1の電圧としての正電圧が供給され、前記第2の電圧供給源により、前記半導体基板に前記第2の電圧としての負電圧が供給される
ことを特徴とする請求項1に記載の不揮発性半導体記憶装置。 At the time of writing, a positive voltage as the first voltage is selectively supplied to the plurality of word lines by the first voltage supply source, and the second voltage supply source supplies the second voltage to the semiconductor substrate. Negative voltage is supplied as
At the time of the test, a positive voltage as the first voltage is simultaneously supplied to the plurality of word lines by the first voltage supply source, and the second voltage is applied to the semiconductor substrate by the second voltage supply source. The non-volatile semiconductor memory device according to claim 1, wherein a negative voltage is supplied.
テスト時には、前記第1の電圧供給源により、前記複数のワード線に同時に前記第1の電圧としての負電圧が供給され、前記第2の電圧供給源により、前記半導体基板に前記第2の電圧としての正電圧が供給される
ことを特徴とする請求項1に記載の不揮発性半導体記憶装置。 At the time of erasing, the first voltage supply source selectively supplies a negative voltage as the first voltage to the plurality of word lines, and the second voltage supply source supplies the second voltage to the semiconductor substrate. A positive voltage is supplied as
During the test, a negative voltage as the first voltage is simultaneously supplied to the plurality of word lines by the first voltage supply source, and the second voltage is applied to the semiconductor substrate by the second voltage supply source. The non-volatile semiconductor memory device according to claim 1, wherein a positive voltage is supplied.
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