JP2007257711A - 垂直記録磁気ヘッドの製造方法及び垂直記録磁気ヘッド - Google Patents
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Abstract
【課題】垂直記録ヘッドの主磁極とサイドシールドとの間隔、主磁極とトレーリングシールドとの間隔を正確に規定することは困難である。
【解決手段】記録素子の浮上面絶縁膜20とヨーク26上にめっき下地膜38、非磁性絶縁膜37、エッチングストッパ膜60を形成する。次に、主磁極32とサイドシールド36を形成する部分に開口部を有するレジストパターン40を形成し、これをマスクにして反応性イオンエッチングを行い、非磁性絶縁膜37に開口部を形成する。主磁極32となる部分の開口部は狭いので、下側が狭く上側が広い形状にエッチングされる。サイドシールド36となる部分の開口部は広いので、上側と下側が略同じ幅でエッチングされる。次に、主磁極32及びサイドシールド36となる磁性膜をめっきにて形成し、平坦化した後、めっき下地膜39を製膜し、トレーリングシールド35となる磁性膜をめっきする。
【選択図】図5
【解決手段】記録素子の浮上面絶縁膜20とヨーク26上にめっき下地膜38、非磁性絶縁膜37、エッチングストッパ膜60を形成する。次に、主磁極32とサイドシールド36を形成する部分に開口部を有するレジストパターン40を形成し、これをマスクにして反応性イオンエッチングを行い、非磁性絶縁膜37に開口部を形成する。主磁極32となる部分の開口部は狭いので、下側が狭く上側が広い形状にエッチングされる。サイドシールド36となる部分の開口部は広いので、上側と下側が略同じ幅でエッチングされる。次に、主磁極32及びサイドシールド36となる磁性膜をめっきにて形成し、平坦化した後、めっき下地膜39を製膜し、トレーリングシールド35となる磁性膜をめっきする。
【選択図】図5
Description
本発明は、垂直記録用の単磁極ヘッドを備える磁気ヘッドの製造方法及び垂直記録磁気ヘッドに関する。
コンピュータ等の情報処理装置の外部記録装置として使用される磁気記録再生装置であるハードディスク装置は、大容量化・小型化が進み、それに対応するため主に記録密度の向上を行っている。しかし、従来の長手磁気記録方式を用いて高密度化を行うと媒体上の磁化の転移領域で反磁界が大きいため記録層厚を薄くする必要があり、その結果、熱的な錯乱によって記録されたデータが消えてしまうという問題がある。一方、記録磁化の方向が媒体の膜厚方向である垂直磁気記録方式は、磁化転移領域で反磁界が小さいため媒体の膜厚を薄くする必要が比較的少なく、高記録密度化を達成しやすい。
垂直記録媒体に垂直記録用磁気ヘッドすなわち単磁極ヘッドを用いて信号を記録する場合、電気的信号はコイルによって磁気的信号に変換され、主磁極及び副磁極に磁束が励起される。この磁束の一部は副磁極から主磁極を通間し、記録媒体の垂直記録層を貫通する。そして、垂直記録層の下層の軟磁性下地層を通り副磁極へと戻る閉ループを描く。この際、副磁極は、主磁極から記録媒体の垂直記録層及び軟磁性下地層に生じた磁束を磁気的に効率よく、再び主磁極に戻すために用いられる。このような磁束の流れによって垂直記録媒体上に磁化として信号の記録が行われる。こうした磁気ヘッドについては、特許文献1にその例が開示されている。
これらの垂直記録磁気ヘッドにおいて、面記録密度の向上に伴い、記録トラック幅の縮小が望まれている。またハードディスク装置において磁気記録媒体の内周から外周にわたって広範囲に記録再生を行う必要がある。しかし、磁気記録媒体の内周及び外周において、磁気記録媒体の回転方向の接線に対して磁気ヘッドは約−15〜15°範囲内においてスキュー角がついた状態で記録再生を行う。この際、主磁極の浮上面における形状が矩形形状であると記録トラック幅を縮小できないため、リーディング側の磁極幅をトレーリング側の磁極幅に対して狭い形状にして狭トラック化に対応する方法が提案されている。
浮上面における主磁極のリーディング側のトラック幅がトレーリング側のトラック幅より小さい形状を有する磁気ヘッドの形成方法として、特許文献2には非磁性絶縁膜上にレジストフレームを形成し、リアクティブ・イオン・エッチング(RIE)により非磁性絶縁膜に溝を作り、この溝に磁性膜をめっきした後、ケミカル・メカニカル・ポリッシュ(CMP)を行うことにより逆台形形状をした主磁極を形成する方法が開示されている。
特許文献3には、めっき下地膜上にレジストフレームを形成した後、磁性膜及び非磁性膜をめっきし、逆台形形状を有する主磁極を形成する方法が開示されている。特許文献4には、磁性膜上に非磁性膜を成膜した後、レジストフレームを形成し、めっきを行った後、ドライエッチングにより逆台形形状を有する主磁極を形成する方法が開示されている。
一方、こうした記録トラック幅の縮小は記録ヘッドから媒体側へ生じる記録磁界の低下を引き起こす。したがって、記録トラック幅の縮小とともに媒体―フレアポイント間を小さくし、大きな記録磁界を発生させる必要がある。しかしながら、記録磁界を大きくすると、記録に寄与しないフリンジ磁界の問題が発生する。この問題を解決するために、主磁極の両脇や上部、もしくはその両方に磁性膜を配置する磁気ヘッドが提案されている。特許文献5には主磁極を形成した後に非磁性膜を形成し、CMPを行った後に非磁性膜を製膜し、その上に磁性膜を形成する方法が開示されている。また、特許文献6には主磁極となるべき部分の両脇にレジストを形成し、主磁極の部分とそのレジストの外側も同時にめっきを行う方法が開示されている。本方法によれば、主磁極とそれ以外の部分も同時に磁性膜をめっき形成するため、スループットが向上するというものである。さらに、特許文献7には、主磁極を形成し、非磁性絶縁膜を製膜した後、トレーリングシールド及びサイドシールドを形成する方法が開示されている。本方法によればサイドシールドとトレーリングシールドとを一体形成できるため、スループットが従来に較べて改善するというものである。
前述のとおり、垂直記録用の磁気ヘッドでは記録媒体に対して大きな記録磁界を発生させることが重要であり、磁気ヘッドの主磁極は、媒体対向面から略直交に延びるトラック規定部を含み、さらにトラック規定部から連なる媒体対向面から離れるにしたがって断面積が大きくなる磁束導入部を含む形状となっている。また、主磁極からのフリンジ磁界を吸収するために、主磁極の両脇や上部、もしくはその両方に磁性膜が配置されている。上記特許文献5に記載の方法によれば、主磁極と主磁極上の磁性膜との間隔は高精度に規定できるが、主磁極の両脇に磁性膜がないため、記録磁界がトラック幅方向の広範囲に大きく漏洩する。また、特許文献6に記載の方法によれば、主磁極とそれ以外の部分も同時に磁性膜をめっき形成できるためスループットを向上することができるが、しかし、レジストを除去した後、その部分に非磁性膜を形成し、主磁極を覆う必要がある。レジストの部位は非常に小さいため、非磁性膜を形成して主磁極を覆うのは困難である。特許文献7に記載の方法によれば、サイドシールドとトレーリングシールドとを一体形成できるため、スループットを従来に較べて改善できるが、主磁極とサイドシールドとの間隔は非磁性絶縁膜の主磁極両脇への付きまわりにより変動するため正確には規定することができない。
したがって、垂直記録磁気ヘッドにおいては、大きな記録磁界を発生し、フリンジ磁界が媒体に影響しない構成が必要であり、そのためには、主磁極のトラック幅の高精度化及び主磁極と非磁性膜を挟んで配置されるサイドシールド及びトレーリングシールドとの間隔を高精度に規定できる方法が必要である。
本発明の目的は、主磁極と非磁性膜を挟んで配置されるサイドシールドとの間隔を高精度に規定できる垂直記録磁気ヘッドの製造方法を提供することである。
本発明の他の目的は、生産性が高い垂直記録磁気ヘッドを提供することである。
本発明は、再生素子と記録素子とを有し、記録素子が浮上面に露出する主磁極と、浮上面と反対側において主磁極と磁気的に接続された副磁極と、主磁極の両脇に非磁性絶縁膜を介して設けられたサイドシールドと、主磁極のトレーリング側に設けられたトレーリングシールドと、主磁極と副磁極とを磁気的に励起するコイルとを有する垂直記録磁気ヘッドの製造方法において、前記主磁極とサイドシールドとトレーリングシールドを形成するステップは、
前記記録素子の浮上面絶縁膜とヨークの上部に、めっき下地膜と非磁性絶縁膜とエッチングストッパ膜を形成するステップと、
前記エッチングストッパ膜の上部に主磁極とサイドシールドを形成する部分に開口部を有するレジストパターンを形成するステップと、
前記レジストパターンをマスクとして前記エッチングストッパ膜をエッチングするステップと、
前記エッチングストッパ膜をエッチングした後、反応性イオンエッチングにより前記非磁性絶縁膜に開口部を形成するステップと、
前記非磁性絶縁膜の開口部に、主磁極とサイドシールドとなる磁性膜を形成するステップと、
前記磁性膜の上部を研磨して平坦化することにより主磁極とサイドシールドの高さを規定するステップと、
前記平坦化した面にめっき下地膜を形成し、このめっき下地膜の上にトレーリングシールドとなる磁性膜を形成するステップと、を含むものである。
前記記録素子の浮上面絶縁膜とヨークの上部に、めっき下地膜と非磁性絶縁膜とエッチングストッパ膜を形成するステップと、
前記エッチングストッパ膜の上部に主磁極とサイドシールドを形成する部分に開口部を有するレジストパターンを形成するステップと、
前記レジストパターンをマスクとして前記エッチングストッパ膜をエッチングするステップと、
前記エッチングストッパ膜をエッチングした後、反応性イオンエッチングにより前記非磁性絶縁膜に開口部を形成するステップと、
前記非磁性絶縁膜の開口部に、主磁極とサイドシールドとなる磁性膜を形成するステップと、
前記磁性膜の上部を研磨して平坦化することにより主磁極とサイドシールドの高さを規定するステップと、
前記平坦化した面にめっき下地膜を形成し、このめっき下地膜の上にトレーリングシールドとなる磁性膜を形成するステップと、を含むものである。
また、本発明の垂直記録磁気ヘッドの製造方法における、主磁極とサイドシールドとトレーリングシールドを形成するステップは、
記録素子の浮上面絶縁膜とヨークの上部に、めっき下地膜と非磁性絶縁膜とエッチングストッパ膜を形成するステップと、
前記エッチングストッパ膜の上部に主磁極を形成する部分に開口部を有するレジストパターンを形成するステップと、
前記レジストパターンをマスクとして前記エッチングストッパ膜と非磁性絶縁膜をエッチングして前記非磁性絶縁膜に開口部を形成するステップと、
前記非磁性絶縁膜の開口部に主磁極となる磁性膜を形成するステップと、
前記磁性膜の上部を研磨して平坦化することにより主磁極の高さを規定するステップと、
前記主磁極の両側の前記非磁性絶縁膜に、反応性イオンエッチングによりサイドシールドを形成するための開口部を形成するステップと、
前記非磁性絶縁膜の開口部と前記主磁極の上部にめっき下地膜を形成し、このめっき下地膜の上にサイドシールド及びトレーリングシールドとなる磁性膜を形成するステップと、を含むものである。
記録素子の浮上面絶縁膜とヨークの上部に、めっき下地膜と非磁性絶縁膜とエッチングストッパ膜を形成するステップと、
前記エッチングストッパ膜の上部に主磁極を形成する部分に開口部を有するレジストパターンを形成するステップと、
前記レジストパターンをマスクとして前記エッチングストッパ膜と非磁性絶縁膜をエッチングして前記非磁性絶縁膜に開口部を形成するステップと、
前記非磁性絶縁膜の開口部に主磁極となる磁性膜を形成するステップと、
前記磁性膜の上部を研磨して平坦化することにより主磁極の高さを規定するステップと、
前記主磁極の両側の前記非磁性絶縁膜に、反応性イオンエッチングによりサイドシールドを形成するための開口部を形成するステップと、
前記非磁性絶縁膜の開口部と前記主磁極の上部にめっき下地膜を形成し、このめっき下地膜の上にサイドシールド及びトレーリングシールドとなる磁性膜を形成するステップと、を含むものである。
本発明の垂直記録磁気ヘッドは、再生素子と、浮上面に露出する主磁極と、浮上面と反対側において前記主磁極と磁気的に接続された副磁極と、前記主磁極の両脇に非磁性絶縁膜を介して設けられたサイドシールドと、前記主磁極のトレーリング側に設けられたトレーリングシールドと、前記主磁極と前記副磁極とを磁気的に励起するコイルとを有し、前記主磁極と前記サイドシールドは同じ磁性材料で構成されていることを特徴とする。
本発明によれば、主磁極とサイドシールドとの間隔、主磁極とトレーリングシールドとの間隔を高精度に規定することができる。また、生産性が高い垂直記録磁気ヘッドを提供することができる。
以下、図面を用いて本発明の実施の形態を詳細に説明する。
図1〜図4に、第1の実施例の製造方法により製造される垂直記録磁気ヘッド(以下、磁気ヘッドと略す)の構成を示す。図1は、磁気ヘッドの断面図であり、媒体対向面及び基板面双方の面に対して垂直な面を示している。図2は、その平面図であり、副磁極21と層間絶縁膜23を省略した図である。図3は磁気ヘッドの媒体対向面(浮上面)を示している。図4は、図3の主磁極近傍の拡大図である。図1及び図3において、磁気ヘッド10の再生素子は、基板11の上部に、絶縁膜12、下部シールド13、ギャップ膜14、磁気抵抗効果素子16、上部シールド15を積層して構成される。磁気抵抗効果素子16はギャップ膜14の中に形成されている。記録素子は再生素子の上部にセパレート膜19を介して、ヨーク26、浮上面絶縁膜20、主磁極32、サイドシールド36、無機絶縁膜22、コイル24、有機絶縁膜28、トレーリングシールド35、後部ヨーク25、層間絶縁膜23、副磁極21を積層して構成される。なお、C−C′は磁気ヘッド10の浮上面を示す。
図1〜図4に、第1の実施例の製造方法により製造される垂直記録磁気ヘッド(以下、磁気ヘッドと略す)の構成を示す。図1は、磁気ヘッドの断面図であり、媒体対向面及び基板面双方の面に対して垂直な面を示している。図2は、その平面図であり、副磁極21と層間絶縁膜23を省略した図である。図3は磁気ヘッドの媒体対向面(浮上面)を示している。図4は、図3の主磁極近傍の拡大図である。図1及び図3において、磁気ヘッド10の再生素子は、基板11の上部に、絶縁膜12、下部シールド13、ギャップ膜14、磁気抵抗効果素子16、上部シールド15を積層して構成される。磁気抵抗効果素子16はギャップ膜14の中に形成されている。記録素子は再生素子の上部にセパレート膜19を介して、ヨーク26、浮上面絶縁膜20、主磁極32、サイドシールド36、無機絶縁膜22、コイル24、有機絶縁膜28、トレーリングシールド35、後部ヨーク25、層間絶縁膜23、副磁極21を積層して構成される。なお、C−C′は磁気ヘッド10の浮上面を示す。
図3に示すように再生素子の磁気抵抗効果膜16の両脇には、磁区制御膜17と電極18が設けられている。磁気抵抗効果膜16には、AMR(異方性磁気抵抗効果)膜、GMR(巨大磁気抵抗効果)膜等の磁気抵抗効果を有する膜を用いることができる。また、磁気抵抗効果膜16として、電流を膜に垂直に流すTMR(トンネル磁気抵抗効果)膜やCPP形磁気抵抗効果膜を用いることができる。TMR膜やCPP形磁気抵抗効果膜を用いた場合は、下部シールド13と上部シールド15は電極を兼ねることができる。図1に示すように記録素子は、ヨーク26上に無機絶縁膜22を介してコイル24が形成され、コイル24は有機絶縁膜28に覆われている。副磁極21は、後部ヨーク25,ヨーク26を介して主磁極32と磁気的に結合されている。図2の平面図に示すように、主磁極32は浮上面から離れた領域において広がった形状を有する。このような構造により記録媒体に対して大きな磁界を発生することができる。
図4に示すように、磁気ヘッド10の浮上面には、浮上面絶縁膜20上にめっき下地膜38を介して主磁極32が形成されている。また、サイドシールド36も非磁性絶縁体37を隔てて主磁極32と同様に浮上面絶縁膜20上にめっき下地膜38を介して形成されている。主磁極32とサイドシールド36は同一の磁性材料からなり、FeCo,CoNiFe等の高飽和磁束密度を有する磁性膜、もしくはFeCoと非磁性膜との積層膜で構成される。めっき下地膜38としてはAu,Ru,Rh,Pt等が用いられる。また、非磁性絶縁膜37にはAl2O3,SiO2,SiNが用いられる。めっき下地膜39には、めっき下地膜38と同様にAu,Ru,Rh,Pt等が用いられる。めっき下地膜39は、下層にAl2O3等の絶縁膜やCr,Ta,NiCr等の導電性膜を形成し、その上にAu,Ru,Rh,Pt等を積層した構成としてもよい。
また、図4に示すように、浮上面における主磁極32の下底の幅を、上底の幅より狭い構造にすることで、スキュー角がついた状態で記録を行う際に、近接のトラックのデータを誤って消去することのない磁気ヘッド10が得られる。単層の磁性膜あるいは磁性膜と非磁性膜との積層構造を有する主磁極32のトラック幅は、記録密度が高まるにつれて狭くなるが、例えば40〜250nmである。主磁極32の膜厚は、トラック幅に対し0.5〜3の範囲とし、主磁極32のトラック規定面におけるトレーリング側の一辺とその側辺とが作る内角αは75〜88°の範囲が望ましい。めっき下地膜38の膜厚は、2〜50nmの範囲が望ましい。本図では、主磁極32の上底の端と下底の端とは直線に描かれているが、内側に凸の弧や外側に凸の弧で結ばれていてもよい。また、めっき下地膜39の膜厚は主磁極32の上底の幅に対して0.2〜0.5の範囲で選ばれる。
次に図5を参照して、第1の実施例による磁気ヘッドの製造方法、特に主磁極32、サイドシールド36、トレーリングシールド35の形成方法について説明する。図5(a)〜図5(g)では、再生素子と、記録素子の浮上面絶縁膜20とヨーク26を形成した後の工程を浮上面側から示している。再生素子と浮上面絶縁膜20及びヨーク26は、スパッタリングやめっき及びエッチング等の薄膜形成プロセスにて形成する。まず図5(a)に示すように、浮上面絶縁膜20及びヨーク26上にスパッタリングによりめっき下地膜38、非磁性絶縁膜37を順次形成し、CVDによりエッチングストッパ膜60を形成する。ここでめっき下地膜38にはAu,Ru,Rh,Pt等を用い、膜厚は10nm〜60nmの範囲で選択した。非磁性絶縁膜37にはAl2O3,SiO2,SiN等を用い、膜厚は50〜300nmの範囲で選択した。エッチングストッパ膜60は、ケミカル・メカニカル・ポリッシュ(CMP)に対して高い耐性を示す膜とするために、ダイヤモンドライクカーボン(DLC)を用い、膜厚は5〜20nmとした。なお、浮上面絶縁膜20との密着性を高めるために、めっき下地膜38の下層に導電性膜を形成してもよい。
次に図5(b)に示すように、エッチングストッパ膜60上にレジストパターン40を形成する。レジストパターン40は、主磁極32とサイドシールド36を形成するための開口部を有するマスクである。レジストパターン40の形成には、レジストが感光性樹脂の場合には露光・現像を行い形成する方法や、レジストの上部に感光性樹脂等を形成し、O2イオンエッチング等により形成する方法がある。
続いて図5(c)に示すように、レジストパターン40をマスクにしてエッチングストッパ膜60及び非磁性絶縁膜37をエッチングする。エッチングストッパ膜60はO2やCO2を用いたエッチングにより、レジストパターン40の開口部の部分が除去される。さらにSF6,CF4,CHF3等のガスを用いた反応性イオンエッチング(RIE)により、非磁性絶縁膜37に開口部を形成する。ここで、主磁極32となる部分のレジストパターン40の開口部は狭いので(40〜250nm)、非磁性絶縁膜37の開口部は、下側が狭く上側が広い形状にエッチングされる。サイドシールド36となる部分のレジストパターン40の開口部は広いので、非磁性絶縁膜37の開口部は上側と下側が略同じ幅でエッチングされる。したがって、主磁極32とサイドシールド36との間隔を決定する非磁性絶縁膜37の幅は正確に規定される。エッチング終了後、残存するレジストパターン40を除去する。
続いて図5(d)に示すように、めっき下地膜38を下地膜として主磁極32及びサイドシールド36となる磁性膜をめっきにて形成する。したがって、主磁極32とサイドシールド36とは同一めっき膜である。主磁極32及びサイドシールド36となる磁性膜は、FeCoやCoNiFe等の飽和磁束密度が高い材料が用いられ、膜厚は非磁性絶縁膜37とエッチングストッパ膜60とを合わせた膜厚よりも厚い膜厚をめっき成長させ、60nm〜500nmとした。ここで、めっき膜厚は次工程でCMPを行うため、エッチングストッパ膜60の高さに対して、10〜200nm高くなるように設定した。なお、この段差は小さいほうが望ましい。
続いて図5(e)に示すように、主磁極32及びサイドシールド36となる磁性膜をCMPにより、エッチングストッパ膜60が現れるまで加工して平坦化し、主磁極32とサイドシールド36を分離する。エッチングストッパ膜60は主磁極32及びサイドシールド36となる磁性膜に対して、高い選択比を有するので、主磁極32及びサイドシールド36の高さを高精度に制御することができる。
続いて図5(f)に示すように、エッチングストッパ膜60をO2やCO2のガスを用いたエッチングにより除去する。ここではエッチングストッパ膜60を除去したが、エッチングストッパ膜60は非磁性膜であるため、主磁極32と次工程で形成するトレーリングシールド35との間の磁気的な分離膜として残しても良い。
続いて図5(g)に示すように、トレーリングシールド35となる磁性膜をめっきするために、主磁極32、サイドシールド36、非磁性絶縁膜37上にめっき下地膜39を製膜する。次に、図示はしていないが、めっき下地膜39上にレジストフレームを形成し、トレーリングシールド35となる磁性膜をめっき成長させる。主磁極32とトレーリングシールド35の間隔は、めっき下地膜39の膜厚で決めることができるので、正確に形成することができる。この後、めっき下地膜38やめっき下地膜39は、他の端子等との間の短絡防止のため、除去するのが望ましい。
さらに、ヨーク26の上部に、コイル24、層間絶縁膜23、後部ヨーク25、副磁極21を、スパッタリングやめっき及びエッチング等の薄膜形成プロセスにて形成する。
以上の説明の通り、上記第1の実施例によれば、主磁極32とサイドシールド36との間隔、及び主磁極32とトレーリングシールド35との間隔は正確に規定され、磁気ヘッドの性能のバラつきを小さくすることができる。また、主磁極32とサイドシールド36とを同時に形成することができるため、スループットを向上することができる。
次に図6を用いて第2の実施例による磁気ヘッドの製造方法を説明する。第1の実施例と同様に、再生素子と、記録素子の浮上面絶縁膜20及びヨーク26を形成した後の工程について説明する。図6(a)に示すように、浮上面絶縁膜20及びヨーク26上に、めっき下地膜38、非磁性絶縁膜37、エッチングストッパ膜60を形成するところまでは、第1の実施例と同じである。
続いて図6(b)に示すように、主磁極32となる部分に開口部を有するにレジストパターン40を形成する。レジストパターン40の開口部の幅は40nm〜250nmの範囲で選ばれる。
続いて図6(c)に示すように、レジストパターン40の開口部の部分のエッチングストッパ膜60及び非磁性絶縁膜37を、O2やCO2を用いたエッチングにより除去する。ここで、レジストパターン40の開口部は狭いので、非磁性絶縁膜37の開口部は、下側が狭く上側が広い形状にエッチングされる。
次に図6(d)に示すように、主磁極32となる磁性膜のめっきを行い、図6(e)に示すようにエッチングストッパ膜60の面までCMPにより平坦化加工を行う。CMPによって加工研磨される磁性膜(主磁極32)の領域は、第1の実施例と比較して小さい。続いて図6(f)に示すように、エッチングストッパ膜60を除去した後、主磁極32の両脇にサイドシールド36を形成するための開口部を有するレジストパターン50を形成する。
続いて図6(c)に示すように、レジストパターン40の開口部の部分のエッチングストッパ膜60及び非磁性絶縁膜37を、O2やCO2を用いたエッチングにより除去する。ここで、レジストパターン40の開口部は狭いので、非磁性絶縁膜37の開口部は、下側が狭く上側が広い形状にエッチングされる。
次に図6(d)に示すように、主磁極32となる磁性膜のめっきを行い、図6(e)に示すようにエッチングストッパ膜60の面までCMPにより平坦化加工を行う。CMPによって加工研磨される磁性膜(主磁極32)の領域は、第1の実施例と比較して小さい。続いて図6(f)に示すように、エッチングストッパ膜60を除去した後、主磁極32の両脇にサイドシールド36を形成するための開口部を有するレジストパターン50を形成する。
次に図6(g)に示すように、レジストパターン50をマスクとして、SF6,CF4,CHF3等のガスを用いた反応性イオンエッチング(RIE)を行い非磁性絶縁膜37に開口部を形成する。レジストパターン50の開口部は広いので、非磁性絶縁膜37の開口部は上側と下側が略同じ幅でエッチングされる。したがって、主磁極32の両脇に形成された非磁性絶縁膜37の幅は、正確な寸法を有している。エッチング終了後、残存するレジストパターン50を除去する。
次に図6(h)に示すように、めっき下地膜39を製膜した後、図示しないレジストフレームを形成し、その開口部の部分にめっきにより磁性膜を形成して、サイドシールド36とトレーリングシールド35とを同時に形成する。
さらに、ヨーク26の上部に、コイル24、層間絶縁膜23、後部ヨーク25、副磁極21を、第1の実施例と同様に、スパッタリングやめっき及びエッチング等の薄膜形成プロセスにて形成する。
以上の説明の通り、第2の実施例によれば、主磁極32とサイドシールド36との間隔は、非磁性絶縁膜37の幅とめっき下地膜39の膜厚で規定できるので、高精度に形成することができる。また、主磁極32とトレーリングシールド35との間隔は、めっき下地膜39の膜厚で規定できるので、正確に形成することができる。したがって、磁気ヘッドの性能のバラツキを小さくすることができる。なお、本実施例では図6(f)に示したようにレジストパターン50を形成した後に、反応性イオンエッチングにより非磁性絶縁膜37に開口部を形成したが、主磁極32は非磁性絶縁膜37に対して十分な選択比を有しているため、主磁極32をマスクにして非磁性絶縁膜37のエッチングを行ってもよい。このような工程にすることによって非常に簡便な磁気ヘッドの製造方法とすることができる。
次に、図7及び図8を参照して、磁気ヘッド10の変形例を説明する。図7は浮上面における主磁極32近傍の拡大図であり、図8は平面図である。上記した実施例による製造方法によれば、主磁極32の上面は平坦な面となる。したがって図7及び図8に示すように、主磁極32の上面に5〜30nmの厚さの磁性膜62を形成することができる。磁性膜62には、FeCoやCoNiFeのような高飽和磁束密度の材料が適している。このように薄い磁性膜62を形成することにより、記録素子から記録媒体に向かって生じる記録磁界を大きくすることができる。磁性膜62の膜厚が5nmの場合には、記録磁界が3%程度向上し、30nmの場合には記録磁界が15%程度向上することが確認できた。また、磁性膜62の膜厚が30nmを超える場合には、記録素子の磁界分布が劣化することがわかった。図8に磁性膜62の平面形状を示すが、磁性膜62は浮上面において主磁極32よりも10〜50nm程度広い幅を有し、浮上面から遠ざかるにつれてトラック幅方向の幅が広がる構造となっている。磁性層62の浮上面における広がり角βは80〜30°とした。このような範囲を選ぶことによって、主磁極32のトレーリング側の磁界強度を効果的に向上することができる。広がり角βが30°未満の場合には、記録磁界の分布の劣化が認められた。また10°以下の場合には磁界強度の向上は僅かであった。
図9に上記磁気ヘッド10が用いられる磁気ディスク装置の概略構成を示す。磁気ディスク装置は磁気ディスク2と、磁気ディスク2を支持し回転させるスピンドルモータ4と、磁気ヘッド10を支持し磁気ディスク2の半径方向に移動させるアクチュエータ6と、記録・再生回路と機構制御回路を実装した回路基板8等から構成される。
10…垂直記録磁気ヘッド、
11…基板、
12…絶縁膜、
13…下部シールド、
14…ギャップ膜、
15…上部シールド、
16…磁気抵抗効果膜、
17…磁区制御膜、
18…電極、
20…セパレート膜、
21…副磁極、
22…無機絶縁膜、
23…層間絶縁膜、
24…コイル、
25…後部ヨーク、
26…ヨーク、
32…主磁極、
35…トレーリングシールド、
36…サイドシールド、
37…非磁性絶縁膜、
38…めっき下地膜、
39…めっき下地膜、
40…レジストパターン、
50…レジストパターン、
60…エッチングストッパ膜、
62…磁性膜。
11…基板、
12…絶縁膜、
13…下部シールド、
14…ギャップ膜、
15…上部シールド、
16…磁気抵抗効果膜、
17…磁区制御膜、
18…電極、
20…セパレート膜、
21…副磁極、
22…無機絶縁膜、
23…層間絶縁膜、
24…コイル、
25…後部ヨーク、
26…ヨーク、
32…主磁極、
35…トレーリングシールド、
36…サイドシールド、
37…非磁性絶縁膜、
38…めっき下地膜、
39…めっき下地膜、
40…レジストパターン、
50…レジストパターン、
60…エッチングストッパ膜、
62…磁性膜。
Claims (10)
- 基板上に再生素子を形成するステップと、
前記再生素子の上部にヨークと浮上面絶縁膜を形成するステップと、
前記浮上面絶縁膜とヨークの上部に、めっき下地膜と非磁性絶縁膜とエッチングストッパ膜を形成するステップと、
前記エッチングストッパ膜の上部に主磁極とサイドシールドを形成する部分に開口部を有するレジストパターンを形成するステップと、
前記レジストパターンをマスクとして前記エッチングストッパ膜をエッチングするステップと、
前記エッチングストッパ膜をエッチングした後、反応性イオンエッチングにより前記非磁性絶縁膜に開口部を形成するステップと、
前記非磁性絶縁膜の開口部に、主磁極とサイドシールドとなる磁性膜を形成するステップと、
前記磁性膜の上部を研磨して平坦化することにより主磁極とサイドシールドの高さを規定するステップと、
前記平坦化した面にめっき下地膜を形成し、該めっき下地膜の上にトレーリングシールドとなる磁性膜を形成するステップと、
前記ヨークの上部にコイルと、層間絶縁膜と、副磁極を形成するステップと、
を含むことを特徴とする垂直記録磁気ヘッドの製造方法。 - 前記エッチングストッパ膜は、ダイヤモンドライクカーボンであることを特徴とする請求項1記載の垂直記録磁気ヘッドの製造方法。
- 前記非磁性絶縁膜に開口部を形成するステップにおける反応性イオンエッチングは、SF6、CF4又はCHF3ガスを用いて行うことを特徴とする請求項1記載の垂直記録磁気ヘッドの製造方法。
- 前記平坦化した面にめっき下地膜を形成するステップの前に、絶縁膜を形成するステップを含むことを特徴とする請求項1記載の垂直記録磁気ヘッドの製造方法。
- 基板上に再生素子を形成するステップと、
前記再生素子の上部にヨークと浮上面絶縁膜を形成するステップと、
前記浮上面絶縁膜とヨークの上部に、めっき下地膜と非磁性絶縁膜とエッチングストッパ膜を形成するステップと、
前記エッチングストッパ膜の上部に主磁極を形成する部分に開口部を有するレジストパターンを形成するステップと、
前記レジストパターンをマスクとして前記エッチングストッパ膜と非磁性絶縁膜をエッチングして前記非磁性絶縁膜に開口部を形成するステップと、
前記非磁性絶縁膜の開口部に主磁極となる磁性膜を形成するステップと、
前記磁性膜の上部を研磨して平坦化することにより主磁極の高さを規定するステップと、
前記主磁極の両側の前記非磁性絶縁膜に、反応性イオンエッチングによりサイドシールドを形成するための開口部を形成するステップと、
前記非磁性絶縁膜の開口部と前記主磁極の上部にめっき下地膜を形成し、該めっき下地膜の上にサイドシールド及びトレーリングシールドとなる磁性膜を形成するステップと、
前記ヨークの上部にコイルと、層間絶縁膜と、副磁極を形成するステップと、
を含むことを特徴とする垂直記録磁気ヘッドの製造方法。 - 前記非磁性絶縁膜にサイドシールドを形成するための開口部を形成するステップは、
前記平坦化した面に、サイドシールドを形成する部分に開口部を有するレジストパターンを形成するステップと、該レジストパターンをマスクとして反応性イオンエッチングを行うステップを含むことを特徴とする請求項5記載の垂直記録磁気ヘッドの製造方法。 - 前記非磁性絶縁膜にサイドシールドを形成するための開口部を形成するステップは、
前記平坦化した後の主磁極をマスクとして反応性イオンエッチングにより行うステップであることを特徴とする請求項5記載の垂直記録磁気ヘッドの製造方法。 - 再生素子と、浮上面に露出する主磁極と、浮上面と反対側において前記主磁極と磁気的に接続された副磁極と、前記主磁極の両脇に非磁性絶縁膜を介して設けられたサイドシールドと、前記主磁極のトレーリング側に設けられたトレーリングシールドと、前記主磁極と前記副磁極とを磁気的に励起するコイルとを有し、前記主磁極と前記サイドシールドは同じ磁性材料で構成されていることを特徴とする垂直記録磁気ヘッド。
- 前記主磁極のトレーリング側に設けられ、浮上面において前記主磁極のトラック幅よりも広い幅を有し、浮上面から遠ざかるにつれて幅が広がる磁性膜を有することを特徴とする請求項8記載の垂直記録磁気ヘッド。
- 前記磁性膜の浮上面における広がり角は、80〜30°であることを特徴とする請求項9記載の垂直記録磁気ヘッド。
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JP2006078644A JP2007257711A (ja) | 2006-03-22 | 2006-03-22 | 垂直記録磁気ヘッドの製造方法及び垂直記録磁気ヘッド |
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- 2006-03-22 JP JP2006078644A patent/JP2007257711A/ja active Pending
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