JP2007248255A - 光強度計測方法及び光強度計測装置並びに偏光解析装置およびこれを用いた製造管理装置 - Google Patents
光強度計測方法及び光強度計測装置並びに偏光解析装置およびこれを用いた製造管理装置 Download PDFInfo
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Abstract
【課題】短時間で高精度の測定が可能な光強度計測方法及び光強度計測装置並びに偏光解析装置およびこれを用いた製造管理装置を提供する。
【解決手段】被測定物10にレーザ光2を照射する多モード半導体レーザからなる少なくとも1個の光源1と、被測定物を透過または反射したレーザ光を受光する複数の受光素子からなる検出手段13と、光源より発光されたレーザ光を被測定物に導き、また被測定物を透過または反射したレーザ光を検出手段へ導く光学系と、検出手段が検出した受光量情報から被測定物の光学特性を演算する制御手段14とから構成したもので、同時に複数のデータが取得できるため、計測時間の大幅な削減が図れると共に、データを取得する際に発生する電気的ノイズの低減が図れるため、高精度の計測が可能になる。
【選択図】図4
【解決手段】被測定物10にレーザ光2を照射する多モード半導体レーザからなる少なくとも1個の光源1と、被測定物を透過または反射したレーザ光を受光する複数の受光素子からなる検出手段13と、光源より発光されたレーザ光を被測定物に導き、また被測定物を透過または反射したレーザ光を検出手段へ導く光学系と、検出手段が検出した受光量情報から被測定物の光学特性を演算する制御手段14とから構成したもので、同時に複数のデータが取得できるため、計測時間の大幅な削減が図れると共に、データを取得する際に発生する電気的ノイズの低減が図れるため、高精度の計測が可能になる。
【選択図】図4
Description
本発明は、被測定物を透過または反射した光から、光強度を高速かつ高精度で計測する光強度計測方法及び光強度計測装置並びに偏光解析装置およびこれを用いた製造管理装置に関する。
LSI等に使用する半導体ウエハには、表面に薄膜が形成されているが、この薄膜の膜厚はLSIの電気特性に大きな影響を及ぼすことから、LSIの製造過程において精度の高い膜厚測定が必要となる。
このため従来では、膜厚を測定する被測定物に偏光した光を照射し、その反射光を偏光状態で取得して偏光解析を行うことにより、膜厚を測定する偏光解析装置(エリプソメータ)が種々開発されている(例えば特許文献1)。
図19は単一波長の光源を使用した従来のエリプソメータを示すもので、光源aより発光された光は、偏光子bにより偏光された後移相子cを経て被測定物dへ照射されるようになっている。
被測定物dで反射された反射光は、検光子eを経て検出器fに達し、検出器fで偏光情報が検出された後コンピュータgに取り込まれて、検出器fが検出した偏光情報を基に次のプロセスで膜厚を測定している。
すなわち検出器fが検出した偏光情報には、Ψ(振幅比:偏光方向の縦横比)と△(位相差)のパラメータがある。
これら偏光情報を基に予めコンピュータgは、膜質や膜厚毎の理論上のパラメータを算出して理論値として記憶手段に保存しておき、実際の測定で得られた偏光情報のパラメータと理論値を比較して、測定で得られた膜厚値を決定している。
この測定方法によれば偏光情報のパラメータを変えることにより、膜厚の測定に限らず、種々の測定が可能になる利点がある。
特開2005−337785号公報
しかし単一波長の光源を使用した従来のエリプソメータでは、検出器fが単一の素子であるため、検出器fを構成する受光素子が持つ電気ノイズ、すなわち反射光を受光素子で受光量データに変換する際や、受光データをコンピュータgに送出する際に発生する電気ノイズの影響を受けやすく、その結果受光量データより算出される位相差△及び振幅比Ψの値は、同じ条件下で連続的に測定した場合であっても安定した測定値が得られない問題がある。
このため従来では、位相差△及び振幅比Ψを安定させるために、同一対象物に対し計測を複数回行い、得られたデータを平均化してから解析を行っている。これは光源の光量を大きくして受光データを増加させ、S/Nを向上させようとしても、検出器fのダイナミックレンジによって制限(受光素子の飽和)されて、一定値以上にはS/Nを向上させることができないからである。この方法では測定時間が長くなるため、インライン、すなわち製造工程にエリプソメータを設置して膜厚測定を実施した場合、計測に時間がかかり過ぎて生産性を低下させる問題がある。
また従来のエリプソメータでは、光源aに固体レーザやガスレーザ等を使用しているが、これら光源aは大型なため、エリプソメータ全体が大型となって、インラインで膜厚を測定する際に支障をきたす等の問題もある。
本発明はかかる問題を改善するためになされたもので、短時間で高精度の測定が可能な光強度計測方法及び光強度計測装置並びに偏光解析装置およびこれを用いた製造管理装置を提供することを目的とするものである。
本発明の光強度計測方法は、光源より被測定物にレーザ光を照射し、前記被測定物を透過または反射したレーザ光を検出手段により検出して、前記検出手段が検出した受光量情報を基に制御手段により前記被測定物の光学特性を演算する光強度計測方法であって、多モード半導体レーザからなる少なくとも1個の光源により前記被測定物を照射し、かつ前記被測定物を透過または反射したレーザ光を複数の受光素子からなる検出手段により検出すると共に、前記検出手段の複数の受光素子が検出した受光量を加算して得られる受光量情報を基に制御手段により前記被測定物の光学特性を演算するようにしたものである。
複数の受光素子が検出した受光量の加算は、各受光素子の出力段階アナログ値の状態で加算しても良いし、各出力の増幅後あるいはデジタル値に変換した後に加算しても良い。
前記方法により、単一波長(シングルモード)のレーザを使用して繰り返し測定する従来の方法に比べて、同時に複数のデータが取得できるようになるため、計測時間の大幅な削減が図れるようになり、これによってLSIの製造工程等においてインラインで膜厚測定を実施した場合でも、生産性が低下することがない。
また複数の受光素子の受光量を加算することにより、データを取得する際に発生する電気的ノイズの低減も図れるため、精度の高い測定が可能になる。また、被計測物を透過または反射したレーザ光を複数の受光素子に入射させるようにすると、これまでの単一の受光素子によって受光していたときには生じなかった問題として、介在する光学系もしくは被計測物の影響によって干渉縞や干渉むらが生じ、各受光素子毎に入射光量が大きくばらつくようになる。干渉の明の部分にあたる受光素子については強度の高い光が入射し、干渉の暗の部分にあたる受光素子には強度の低い光しか入射しないこととなるので、受光素子全体に対して明の強度において飽和が生じないように受光素子の感度あるいは光源の光量を設定しなければならず、全ての受光素子についてそれぞれダイナミックレンジを十分に活用して受光させることができない。従って、各受光素子の受光量を加算してもS/Nを最大限に向上させることができないが、この問題に対しては、多モードLDを光源に使用したことにより、干渉縞や干渉むらの発生を抑制し、受光素子間の受光量のばらつきを抑えることができるので、受光素子全体についてダイナミックレンジを十分に活用して適切な受光感度および光源の光量を設定することが可能になり、各受光素子の受光量を加算することにより電気的ノイズを効果的に低減することができる。
本発明の光強度計測装置は、被測定物にレーザ光を照射する光源と、前記被測定物を透過または反射したレーザ光を受光する検出手段と、前記検出手段が検出した受光量情報から前記被測定物の光学特性を演算する制御手段とを備えた光強度計測装置であって、被測定物にレーザ光を照射する多モード半導体レーザからなる少なくとも1個の光源と、前記被測定物を透過または反射したレーザ光を受光する複数の受光素子からなる検出手段と、前記光源より発光されたレーザ光を前記被測定物に導き、また前記被測定物を透過または反射したレーザ光を前記検出手段の複数の受光素子へ導く光学系と、前記検出手段の複数の受光素子が検出した受光量を加算して得られる受光量情報から前記被測定物の光学特性を演算する制御手段とから構成したものである。
前記構成により、シングルモードのレーザを使用して繰り返し測定する従来のものに比べて、同時に複数のデータが取得できるようになるため、計測時間の大幅な削減が図れるようになり、これによってLSIの製造工程等においてインラインで膜厚測定を実施した場合でも、生産性が低下することがないと共に、光源に多モードLDを使用したことにより、計測装置全体の小型化が図れるため、製造ライン等にも容易に設置することができる。
またデータを取得する際に発生する電気的ノイズの低減も図れるため、精度の高い測定が可能になる上、同時に複数のデータを取得する際に発生することがある干渉の影響も、多モードLDを光源に使用したことにより、低減することができる。
本発明の光強度計測装置は、複数の受光素子を特定方向に配列して前記検出手段を形成し、かつ前記検出手段を前記特定の配列方向が、前記被測定物を透過したレーザ光を検出するときには前記被測定物へ照射するレーザ光の光軸または被計測物を透過した光の光軸となるように設置し、前記被測定物を反射したレーザ光を検出するときには前記被測定物へ照射するレーザ光の光軸および被計測物により反射された光の光軸により規定される入射面に垂直となるように設置したものである。
前記構成により、被測定物の表面の位置が上下方向にバタついても、検出手段における反射光の受光量強度分布は変化しないため、距離のバタツキに対して影響を受け難い光強度計測装置が得られる。
本発明の光強度計測装置は、光源に、単一波長レーザダイオード(LD)に高周波成分を含む変調をかけて多モード化した多モードLD、または自励発振型多モードLDを使用したものである。
前記構成により、光源より発せられるレーザ光のスペクトルバンド幅が拡大するため、干渉縞の発生を抑制することができる上、小型の光源が安価に得られるようになる。
本発明の光強度計測装置は、被測定物を透過または反射したレーザ光を検出手段へ導く光学系の受光レンズの焦点位置に検出手段を設置したものである。
前記構成により、被測定物の表面の位置が上下方向にバタついても、検出手段における反射光の受光量強度分布は変化しないため、距離のバタツキに対して影響を受け難い光強度計測装置が得られるようになる。
本発明の光強度計測装置は、光源より発光されたレーザ光の一部を前記特定の配列方向に垂直な線を境界として遮光する垂直遮光部を被測定物に導く光学系に設け、かつ前記レーザ光が前記垂直遮光部を通過することによって生じる、光が通過した領域と前記遮光部による影の領域との境界の位置が前記検出手段のどの受光素子で受光されたかを検出することにより、前記被測定物の傾きを測定したもので、前記遮光部として、開口によって構成する場合を含むところである。
前記構成により、得られた測定値を理論値を演算する際の補正値として使用することにより、より精度の高い計測が可能になる。
本発明の光強度計測装置は、複数の受光素子を特定の方向に配列して他の検出手段を形成し、当該他の検出手段の特定の配列方向が、前記検出手段の特定の配列方向に対して垂直になるように、かつ、前記被測定物を透過または反射したレーザ光を受光する光学系の光軸に対して垂直になるように設置し、前記光学系は前記被測定物を透過または反射したレーザ光を前記他の検出手段の複数の受光素子へもさらに導く光分岐素子を備え、前記光源より発光されたレーザ光の一部を前記検出手段の特定の配列方向に水平な線を境界として遮光する水平遮光部を被測定物に導く光学系に設け、かつ前記レーザ光が前記水平遮光部を通過することによって形成される、光が通過した領域と前記遮光部による影の領域との境界の位置が前記他の検出手段のどの受光素子で受光されたかを検出することにより、前記被測定物の傾きを測定してなるものである。
前記構成により、得られた測定値を理論値を演算する際の補正値として使用することにより、より精度の高い計測が可能になる。
本発明の光強度計測装置は、光源を波長が異なる複数の多モードレーザダイオードの光軸を同軸に合成したものである。
前記構成により、表面に複数層の薄膜が積層された被測定物に対しても、精度の高い測定が可能になる。
本発明の偏光解析装置は、レーザ光を照射する光源と、該光源から照射されるレーザ光を被測定物に偏光して照射する偏光手段と、前記被測定物を透過または反射したレーザ光を偏光状態で受光する検出手段と、前記検出手段が検出した偏光情報から偏光解析を行う制御手段とを備えた偏光解析装置であって、被測定物にレーザ光を照射する多モード半導体レーザからなる少なくとも1個の光源と、前記被測定物を透過または反射したレーザ光を受光する複数の受光素子からなる検出手段と、前記光源より発光されたレーザ光を前記被測定物に導き、また前記被測定物を透過または反射したレーザ光を前記検出手段の複数の受光素子へ導く光学系と、前記偏光情報を前記検出手段の複数の受光素子が検出した受光量を加算することにより得て、当該偏光情報から偏光解析を行う制御手段とから構成したものである。
前記構成により、シングルモードのレーザを使用して繰り返し測定する従来のものに比べて、同時に複数のデータが取得できるようになるため、計測時間の大幅な削減が図れるようになり、これによってLSIの製造工程等においてインラインで膜厚測定を実施した場合でも、生産性が低下することがないと共に、光源に多モードLDを使用したことにより、計測装置全体の小型化が図れるため、製造ライン等にも容易に設置することができる。
またデータを取得する際に発生する電気的ノイズの低減も図れるため、精度の高い測定が可能になる上、同時に複数のデータを取得する際に発生することがある干渉縞も、多モードLDを光源に使用したことにより、低減することができる。
本発明の製造管理装置は、光強度計測装置または偏光解析装置により計測された計測結果により膜質や膜厚の傾向を把握し、得られた計測データを基に製膜装置を微調整する等の製造管理を行うようにしたものである。
前記構成により、製造工程において、連続的に流れてくるワークの膜厚を順次計測し、計測結果により膜質や膜厚の傾向を把握して、製膜装置を微調整したり、異常が発見された場合に警報を発して、製造ラインを非常停止する等の製造管理を行うことにより、不良品の発生を未然に防止したり、不良品の歩留まりを低減することができる。
本発明によれば、シングルモードのレーザを使用して繰り返し測定する従来のものに比べて、同時に複数のデータが取得できるようになるため、計測時間の大幅な削減が図れるようになり、これによってLSIの製造工程等においてインラインで膜厚測定を実施した場合でも、生産性が低下することがないと共に、光源に多モードLDを使用したことにより、計測装置全体の小型化が図れるため、製造ライン等にも容易に設置することができる。
またデータを取得する際に発生する電気的ノイズの低減も図れるため、精度の高い測定が可能になる上、同時に複数のデータを取得する際に発生することがある干渉の影響も、多モードLDを光源に使用したことにより、低減することができる。
(第1の実施形態)
本発明の第1の実施形態を、図面を参照して詳述する。
本発明の第1の実施形態を、図面を参照して詳述する。
図1は光強度計測装置の正面図、図2は制御方法のブロック図である。
図1において光源は、多モード(多波長)レーザダイオード(LD)で、光源より発光されたレーザ光2は、コリメートレンズ3によりコリメートされ、投光レンズ9により被測定物体10の表面に集光される。
被測定物体10の表面で反射した反射光は、受光レンズ11により集光されて再びコリメートされた後、検出手段13へ入射される。
検出手段13は、多数の受光素子を入射面に対して垂直な方向にアレイ状に配置した受光素子アレイにより構成された例えば1次元CCDより形成されていて、受光素子アレイの各光電変換部から得られた一連の受光量データが図2に示す制御手段14へ送られるようになっている。
制御手段14は、演算処理部15を有するマイクロコンピュータからなり、検出手段13より送られてきた受光量データは、A/D変換部17によりA/D変換された後、演算処理部15で受光量データから反射光の反射率や偏光情報等の光学特性が演算されるようになっている。
また制御手段14には、各種のシステムプログラムが予め格納されたROMや、演算した光学特性データ等を保存するRAM、ハードディスク(HD)から構成された記憶手段19、計測条件等のパラメータを人為的に入力するキーボードやマウス等の入力手段(図示せず)と演算処理部15を接続する入出力IF20、計測時の状況や計測結果を表示する表示手段24と演算処理部15を接続する表示IF21も設けられている。
(第1変形例)
なお図3はレーザ光2を被測定物体10に入射し、被測定物体10から受光レンズ11を透過した透過光2−1を検出手段13へ入射する第1変形例を示すもので、透過光2−1を検出する以外は前記第1の実施形態と構造及び作用は同じなのでその説明は省略する。
なお図3はレーザ光2を被測定物体10に入射し、被測定物体10から受光レンズ11を透過した透過光2−1を検出手段13へ入射する第1変形例を示すもので、透過光2−1を検出する以外は前記第1の実施形態と構造及び作用は同じなのでその説明は省略する。
(第2の実施形態)
次に、図4乃至図11及び前記第1の実施形態の説明において使用した図2を用いて、光強度計測装置を偏光解析装置(エリプソメータ)に適用した第2の実施形態にについて説明する。
次に、図4乃至図11及び前記第1の実施形態の説明において使用した図2を用いて、光強度計測装置を偏光解析装置(エリプソメータ)に適用した第2の実施形態にについて説明する。
図4は本発明の第1の実施形態になる光強度計測装置を示す正面図、図5は同平面図、図6乃至図11は偏光解析装置の説明図である。
図4において1は、多モード(多波長)レーザダイオード(LD)よりなる光源で、これら光源1より発光されたレーザ光2は、コリメートレンズ3によりコリメートされた後、ビームスプリッタのような分光素子よりなる光学素子4により同軸に合成されて偏光子5に達すると共に、偏光子5を通過した偏光成分は移相子6に達するようになっている。
移相子6は、モータのような回転駆動手段7によりレーザ光2の光軸2aを中心回転自在となっていて、偏光子5を通過した偏光成分の波長の4分の1だけ位相を遅らすことができるようになっており、移相子6を通過したレーザ光2は、スリット板8のスリット8を通過する際周辺部のエッジが成形された後、投光レンズ9により被測定物10の表面に形成された薄膜10a表面に集光されるようになっている。
被測定物10の薄膜10a表面で反射した反射光は、受光レンズ11により集光されて再びコリメートされた後、検光子12に達するようになっており、検光子12により偏光成分のみが通過されて、検出手段13へ入射されるようになっている。
検出手段13は、多数の受光素子を横方向にアレイ状に配置した受光素子アレイにより構成された例えば1次元CCDより形成されていて、受光素子アレイの各光電変換部から得られた一連の受光量データが図2に示す制御手段14へ送られるようになっている。
制御手段14は、演算処理部15を有するマイクロコンピュータからなり、検出手段13より送られてきた受光量データは、A/D変換部17によりA/D変換された後、演算処理部15で受光量データから反射光の反射率や偏光情報等の光学特性が演算されるようになっている。
制御手段14は、光学特性の演算を行うと同時に、光源1の制御や検出手段13の制御も行うようになっており、光源1に光源制御信号S1を出力する光源駆動回路16や、検出手段13に検出手段制御信号S3を出力する検出手段駆動回路18を有している。
また制御手段14には、各種のシステムプログラムが予め格納されたROMや、演算した光学特性データ等を保存するRAM、ハードディスク(HD)から構成された記憶手段19、計測条件等のパラメータを人為的に入力するキーボードやマウス等の入力手段(図示せず)と演算処理部15を接続する入出力IF20、計測時の状況や計測結果を表示する表示手段24と演算処理部15を接続する表示IF21も設けられている。
次に前記構成された光強度計測装置により、被測定物10である例えば半導体ウエハの表面に形成された酸化膜等の薄膜10aの膜厚を計測する方法を、図6ないし図11を参照して説明する。
被測定物10の膜厚を半導体ウエハの製造ラインの工程中、すなわちインラインで計測する場合は、光強度計測装置を製造工程中の検査工程部分に配置する。
そして製造工程で製造された半導体ウエハが検査工程へと送られてきた段階で、被測定物10の表面に光源1よりレーザ光2が照射される。
光源1から発せられたレーザ光2は、コリメートレンズ3によりコリメート光にコリメートされた後、光学素子4により同軸に合成されて偏光子5、位相子6を経て投光レンズ9に達し、投光レンズ9により被測定物10の薄膜10a表面に集光される。
被測定物10の膜厚測定点は、入射光のほぼ集光位置となるように予め被測定物10が設置されているため、このときθ0〜θ1の範囲の連続した入射角成分を有するレーザ光2が被測定物10の表面に入射されることになる。
投光レンズ9を介して入射されたレーザ光2は、被測定物10表面の薄膜10aで反射されて反射光となり、この反射光は受光レンズ11によりコリメート光となって、検出子11を経て検出手段13に達し、検出手段13により反射光の光量が受光量として検出される。
検出手段13は1次元CCDから形成されていて、各受光素子(画素)の受光量データをシリアルに並べたものに相当する1次元CCD出力信号S2が検出手段13より制御手段14へ出力される。
制御手段14は、検出手段13より送られてきた出力信号S2に基づいて、入射角(θ0〜θ1)のそれぞれに応じた反射光強度分布を検出する。
同時に移相子6を回転駆動する回転駆動手段7へ駆動信号を送って、回転駆動手段7により移相子6を角度x°ずつ回転し、順次1次元CCDデータを計測する。
そして移相子6が180度回転したところで、これらを演算処理部15で演算処理することにより、実測値の位相差△と振幅比Ψを算出し、同時に理論値の位相差△と振幅比Ψを算出して、得られた実測値と理論値を対比することにより、被測定物10の表面に形成された薄膜10aの膜厚を求めるもので、制御手段14の演算処理部15で実測値の位相差△と振幅比Ψの算出は、次の回転補償子法や、後述するカーブフィティング法で行う。
回転補償子法では、1次元CCDで検出される光強度波形Iは一般的に以下の数1で表される。
また、規格化フーリエ級数とストークスパラメータS0、Sl、S2、S3には一般的に以下の関係式がある。
ここでPは偏光子の方位角、Aは検光子の方位角、φは移相子の位相差、λは波長を示す。
また、ストークスパラメータS0、Sl、S2、S3と位相差△および振幅比Ψには一般的に以下の関係式がある。なお、pは偏光度を示す。
上記に示した式(1)〜(8)より実測値の位相差△および振幅比Ψを算出することができる。
次に理論値の位相差△と振幅比Ψの算出法方法を説明する。
例えばSi基板上に成膜された酸化膜(ゲート酸化膜など)の膜厚を測定する場合、前記方法により、空気(屈折率=N0)中から角度θ0で照射された楕円偏光状態の入射光は、酸化膜(屈折率=N1)表面で反射するとともに、そのほとんどは酸化膜内に入射する。
そして、酸化膜内に入射した光は、Si基板界面(基板面)(屈折率=N2)で反射して酸化膜内から空気中に戻り、酸化膜表面での反射光と偏光干渉する。
このような光について、それぞれp偏光成分とs偏光成分を計算し、それぞれの位相差△と振幅比Ψから膜厚が算出される。
Si基板面での反射光のp偏光成分(r1p)と、S偏光成分(rls)は、それぞれ以下の式によって計算される。
また演算処理部15での膜厚の算出方法として、次のカーブフィツティング法を使用してもよい。
カーブフィツティング法とは、予め計算してテーブルとして記憶しておいた各膜厚に対する理論値の位相差△、振幅比Ψの波形データ(テーブルデータ)と測定した受光量データから算出した実測値の位相差△、振幅比Ψの波形データを比較し、最小自乗法により最も誤差の少ないデータを抽出して、その波形データの膜厚を測定対象となっている薄膜の膜厚とする方法であり、膜厚の計算処理法としては、他にも極値探索法または位相差△、振幅比Ψに重みづけをするような膜厚の計算方法を利用することも可能である。
膜厚を演算するに当たって、予め測定対象となる薄膜の屈折率n及びr0、r1を、キーボード等の入力手段から入力すると、演算処理部15では、膜厚d及び入射角βの各値に対する位相差△、振幅比Ψの値を演算し、これらを制御手段14の記憶手段19にテーブルとし保持する。
次にカーブフィツティングを実行すると、演算処理部15は、A/D変換部17によりデジタル化された計測データを取得し、図4に示すフローチャートのステップSt1で、実測値の位相差△_ex(β)、振幅比Ψ_ex(β)を算出する。
次にステップSt2で膜厚dを最小膜厚dxとし、理論テーブルを用いて、膜厚d=dxにおける理論値の位相差△dx(β)、振幅比Ψdx(β)と実測値の位相差△−ex(β)、振幅比Ψ_ex(β)との差の自乗[△_ex(θ)−△dx(θ)]2+[Ψ_ex(θ)−Ψdx(θ)]2を入射角範囲θpからθqまでΔθ刻みで計算し、ステップSt3でその和を、評価式P(d)=Σ([△_ex(θ)−△dx(θ)]2+[Ψ_ex(θ)−Ψdx(θ)]2)を求めて、記憶手段19に記憶しておく。
なお、フイツティングにおける評価式P(d)は、理論値と実測値の差を表すものであれば、これ以外でもよい。
次にステップSt4で、膜厚dが最大膜厚dyに達するまで膜厚dの値を順次Δdずつ増加させ、ステップSt5そのときの膜厚における理論データと測定データの差の自乗和を求め、ステップSt3へ戻って記憶手段19に記憶する。
こうして、最大膜厚dyまで自乗和の計算が終了したら、ステップSt5からステップSt6へ進んで、記憶手段19に記憶しておいた膜厚範囲dx〜dyにおける自乗和P(dx)〜P(dx)の中から最小の値をとる自乗和P(dz)を抽出し、ステップSt7でこのときの膜厚dzを測定膜厚とする。
以上説明したように、検出手段13に多数の受光素子をアレイ状に配置した受光素子アレイにより構成された1次元CCDを採用することにより、同時に複数のデータが取得できるようになるため計測時間の短縮が図れると同時に、データを取得する際に発生する電気的ノイズの低減も図れるようになる。
データの取得時発生する電気的ノイズは、測定精度に影響するので取り除く必要がある。
図7の(a)は、単一画素の検出手段により被測定物10からの反射光を受光した場合を示すもので、単一画素による検出手段により計測を繰り返した場合、図8の(b)に示すようにバラツキが大きくなって電気的ノイズの原因になるが、図8の(a)に示すように複数画素による検出手段13で繰返し計測した場合には、図7の(b)に示すように電気的ノイズが平均化されるため、電気的ノイズの低減も図れるようになる。
また図9の(a)に示すように、前記第1の実施形態では、光軸上に複数の光学系を配置しているため、これら光学系の表裏面で反射が起こり、この反射により干渉が発生して、図9の(b)に示すようにうねりが観測される。
このうねりにより干渉縞が発生して測定精度に影響を及ぼすが、多モードLDを光源1に使用することにより、干渉縞の抑制も図れる。
シングルモードのLDを多モード化する方法としては、高周波重畳回路を使用して高周波を重畳する方法と、自励発振型LDを使用する方法がある。
図10(a)は高周波を重畳した際の分光特性を示すもので、光源1の変調周波数400MHz、波長の広がり1nm、コーヒーレンス長(干渉波長)0.5mmである。
図10(b)は、シングルモードLDの分光特性を示すもので、これと比較して、図10(a)に示すように、高周波重畳により多モード化することにより、シングルモードの場合に比べて波長が1nm程度広がることになる。
光学系のうち最も薄い素子は検出手段13に使用されているカバーガラスであり、その厚みは0.7mm程度である。干渉が防止できるコーヒーレンス長は0.5mmであることから、0.7mm離れていれば0.5mmより大きいため干渉が発生しないことになり、多モードLDを使用したことによる効果が得られるようになる。
図11は多モードLDを使用したことによる効果を示すもので、図11の(a)に示すシングルモードに比べて図11の(b)に示すように、多モードLDを光源1に使用した場合、うねりを低減できることが明らかであり、またLDに高周波を重畳した場合電気的ノイズの発生が考えられるが、レーザ光を受光する検出手段13が信号を受光する時間に比べて光源1の発光周期は非常に短いため、検出手段13側でノイズとして検出されることはない。
(第1変形例)
なお図12及び図13は、多モードLDを複数個光源1に使用した第1変形例を示すもので、光源1を複数個にした点以外は前記第1の実施形態と構成及び作用が同様なので、その説明は省略するが、光源1を複数個にすることにより、表面に複数層の薄膜が積層された被測定物に対しても、精度の高い測定が可能になる。
なお図12及び図13は、多モードLDを複数個光源1に使用した第1変形例を示すもので、光源1を複数個にした点以外は前記第1の実施形態と構成及び作用が同様なので、その説明は省略するが、光源1を複数個にすることにより、表面に複数層の薄膜が積層された被測定物に対しても、精度の高い測定が可能になる。
また図12は、被測定物10からの反射光は複数の波長成分を含んでいる。そのため、試料と検出手段の間に複数の分光素子を含む。複数の分光素子は入射面に対して垂直に配置するため単一の受光手段により一括に受光することができる。
(第2変形例)
また図14は、被測定物10からの反射光を2個の検出手段13a,13bにより同時に受光するため、検光子12と検出手段13の間にハーフミラーのような分光素子26を設けた第2変形例を示すものである。この場合、各検出手段13a,13bと分光素子26の間に、分光素子(バンドパスフィルタ)を配置する。この場合、光源の各波長の情報を独立して検出手段で受光することができるため、前記図1に示す第1の字実施形態と同じ受光量データを各波長において得ることができ高精度な計測が可能となる。その他の構成は、後述する第2の実施形態を示す図15におけるエリプソメータと同様のため、説明は省略する。
また図14は、被測定物10からの反射光を2個の検出手段13a,13bにより同時に受光するため、検光子12と検出手段13の間にハーフミラーのような分光素子26を設けた第2変形例を示すものである。この場合、各検出手段13a,13bと分光素子26の間に、分光素子(バンドパスフィルタ)を配置する。この場合、光源の各波長の情報を独立して検出手段で受光することができるため、前記図1に示す第1の字実施形態と同じ受光量データを各波長において得ることができ高精度な計測が可能となる。その他の構成は、後述する第2の実施形態を示す図15におけるエリプソメータと同様のため、説明は省略する。
一方光強度計測装置やエリプソメータをLSI等の製造工程に配置して、インラインで被測定物10の膜厚測定を行う場合、被測定物10の高さに変動が生じることがある。
この変動を距離のバタツキと称しているが、この距離のバタツキは計測精度に大きく影響する。
このため距離のバタツキに影響を受けることが少ない検出手段13の配置例について図16および図17で説明する。
図17に示すように受光レンズ11後方の焦点距離に検出手段13を設置することにより、被測定物10の表面の位置が上下方向にバタついても、検出手段13における反射光の受光量強度分布は変化しない。
図16の(a)は、検出手段13を入射面に対して垂直な方向に設置した場合を示し、図16の(b)は、検出手段13を入射面に対して平行な方向に設置した例を示している。
光源1より被測定物10に照射されたレーザ光は、被測定物10の表面で反射し、反射光が検出手段13に到達するが、図16の(a)に示すように検出手段13を入射面に対して平行な方向に設置している場合、被測定物10の表面が基準面より例えば下方へずれていると、被測定物10の表面で反射した反射光は、破線で示すようにその一部分が受光レンズ11に到達しない。
すなわち図16の(b)では、受光量強度分布を検出手段で取得することができなくなる。
そこで図16の(a)に示すように、検出手段13を入射面に対して垂直な方向に予め設置しておけば、被測定物10の表面が基準面より下方へずれていても、破線で示すように受光レンズに入りやすくなるため、検出手段13へ入射する反射光の強度分布はほとんど変わらない。これより、距離ばたつきに対して影響を受けにくい光強度計測装置及びエリプソメータが得られる。
また、入射面に対して平行に検出手段13を設置する場合、検出手段13が検出する受光量データは入射角が異なるため、入射角ごとに解析を行う必要がある。しかし、垂直な方向に検出手段13を設置することで、検出手段13が検出する受光量データの被測定物体11に対する入射角は等しく、一括して入射角を設定し解析できるため、解析を短時間で行うこともできる。
(第3の変形例)
図18は投光レンズ9の手前に開口板8を設けて、この開口板8の開口8aで制限されたレーザ光2が検出手段13のどの位置で受光されたかを検出することにより、被測定物10の傾きを検出するようにしたもので、被測定物10より反射した反射光をハーフミラーのような分光素子25で分光して、検出手段13で検出するようになっており、直行して設置した2個の検出手段13a,13bにより被測定物10の表面に入射するレーザ光2の入射角を検出し、得られた入射角から被測定物10の傾きを算出して、理論値を演算する際に補正値として使用したり、被測定物10の傾きの補正に使用することにより、より精度の高い計測が可能になる。
図18は投光レンズ9の手前に開口板8を設けて、この開口板8の開口8aで制限されたレーザ光2が検出手段13のどの位置で受光されたかを検出することにより、被測定物10の傾きを検出するようにしたもので、被測定物10より反射した反射光をハーフミラーのような分光素子25で分光して、検出手段13で検出するようになっており、直行して設置した2個の検出手段13a,13bにより被測定物10の表面に入射するレーザ光2の入射角を検出し、得られた入射角から被測定物10の傾きを算出して、理論値を演算する際に補正値として使用したり、被測定物10の傾きの補正に使用することにより、より精度の高い計測が可能になる。
(第2の実施形態)
一方図15は、光強度計測装置をS/P偏光を分離して受光する偏光解析装置に適用した第2の実施形態を示すもので、次にこれを説明する。
一方図15は、光強度計測装置をS/P偏光を分離して受光する偏光解析装置に適用した第2の実施形態を示すもので、次にこれを説明する。
なお前記第1の実施形態と同一部分は、同一符号を付してその説明は省略する。
光源1から発せられたレーザ光2は、コリメートレンズ3によりコリメート光にコリメートされた後、偏光子5、位相子6を経て投光レンズ9に達し、投光レンズ9により被測定物10の表面に集光される。
投光レンズ9を介して入射されたレーザ光2は、被測定物10表面の薄膜10aで反射されて反射光となり、この反射光は受光レンズ11によりコリメート光にコリメートされ、検光子12に達する。
検光子12と検出手段13の間には、偏光ビームスプリッタからなる分光手段25が設けられていて、検光子12を通過した反射光は、分光手段によりS偏光とP偏光に分光される。
そしてS偏光は、光軸と直交するように配置された検出手段13aに受光され、P偏光は、光軸上に配置された検出手段13bに受光される。
各検出手段13a,13bにより受光されたS偏光及びP偏光の受光量は制御手段14の演算処理15へと送られて、演算処理部15によりS偏光の反射率比とP偏光の反射率比(実測値Rs/Rp)が算出され、同時に演算処理部15で理論値のS偏光の反射率比とP偏光の反射率比(理論値Rs/Rp)が算出されて両者を比較することにより、被測定物10の膜厚が計測できるようになる。
(第2変形例)
また図15は、被測定物10からの反射光を2個の検出手段13a,13bにより同時に受光するため、検光子12と検出手段13の間にハーフミラーのような分光素子26を設けた題2変形例を示すもので、その他の構成は、図13に示すエリプソメータと同様のため、説明は省略する。
また図15は、被測定物10からの反射光を2個の検出手段13a,13bにより同時に受光するため、検光子12と検出手段13の間にハーフミラーのような分光素子26を設けた題2変形例を示すもので、その他の構成は、図13に示すエリプソメータと同様のため、説明は省略する。
上記第2変形例によれば、被測定物10の表面の位置が上下方向にバタついても、検出手段13における反射光の受光量強度分布は変化しないため、距離のバタツキに対して影響を受け難い光強度計測装置が得られる。
以上のようにして光強度計測装置及びエリプソメータで得られた計測データは、製造ラインにおける膜質や膜厚の傾向管理に使用することにより、品質の良好な製品の製造に寄与することができる。
すなわち製造工程において、連続的に流れてくるワークの膜厚を順次計測し、計測結果により膜質や膜厚の傾向を把握して、製膜装置を微調整したり、異常が発見された場合に警報を発して、製造ラインを非常停止する等の製造管理を行うことにより、不良品の発生を未然に防止したり、不良品の歩留まりを低減することもできるようになる。
本発明は、シングルモードのレーザを使用して繰り返し測定する従来のものに比べて、同時に複数のデータが取得できるようになるため、計測時間の大幅な削減が図れるようになり、これによってLSIの製造工程等においてインラインで膜厚測定を実施した場合でも、生産性が低下することがないと共に、光源に多モードLDを使用したことにより、計測装置全体の小型化が図れるため、製造ライン等にも容易に設置することができ、またデータを取得する際に発生する電気的ノイズの低減も図れるため、精度の高い測定が可能になる上、同時に複数のデータを取得する際に発生することがある干渉縞も、多モードLDを光源に使用したことにより、低減することができるため、被測定物を透過または反射した光から、光強度を高速かつ高精度で計測する光強度計測方法及び光強度計測装置並びに偏光解析装置およびこれを用いた製造管理装置等に最適である。
1 光源
2 レーザ光
5 偏光子
6 位相子
8a 開口
9 投光レンズ
10 被測定物
11 受光レンズ
12 検光子
13 検出手段
14 制御手段
15 演算処理部
2 レーザ光
5 偏光子
6 位相子
8a 開口
9 投光レンズ
10 被測定物
11 受光レンズ
12 検光子
13 検出手段
14 制御手段
15 演算処理部
Claims (10)
- 光源より被測定物にレーザ光を照射し、前記被測定物を透過または反射したレーザ光を検出手段により検出して、前記検出手段が検出した受光量情報を基に制御手段により前記被測定物の光学特性を演算する光強度計測方法であって、多モード半導体レーザからなる少なくとも1個の光源により前記被測定物を照射し、かつ前記被測定物を透過または反射したレーザ光を複数の受光素子からなる検出手段により検出すると共に、前記検出手段の複数の受光素子が検出した受光量を加算して得られる受光量情報を基に制御手段により前記被測定物の光学特性を演算すること特徴とする光強度計測方法。
- 被測定物にレーザ光を照射する光源と、前記被測定物を透過または反射したレーザ光を受光する検出手段と、前記検出手段が検出した受光量情報から前記被測定物の光学特性を演算する制御手段とを備えた光強度計測装置であって、被測定物にレーザ光を照射する多モード半導体レーザからなる少なくとも1個の光源と、前記被測定物を透過または反射したレーザ光を受光する複数の受光素子からなる検出手段と、前記光源より発光されたレーザ光を前記被測定物に導き、また前記被測定物を透過または反射したレーザ光を前記検出手段の複数の受光素子へ導く光学系と、前記検出手段の複数の受光素子が検出した受光量を加算して得られる受光量情報から前記被測定物の光学特性を演算する制御手段とを具備したこと特徴とする光強度計測装置。
- 複数の受光素子を特定方向に配列して前記検出手段を形成し、かつ前記検出手段を前記特定の配列方向が、前記被測定物を透過したレーザ光を検出するときには前記被測定物へ照射するレーザ光の光軸または被計測物を透過した光の光軸に垂直となるように設置し、前記被測定物を反射したレーザ光を検出するときには前記被測定物へ照射するレーザ光の光軸および被計測物により反射された光の光軸により規定される入射面に垂直となるように設置してなる請求項2に記載の光強度計測装置。
- 前記光源に、単一波長レーザダイオード(LD)に高周波成分を含む変調をかけて多モード化した多モードLD、または自励発振型多モードLDを使用してなる請求項2または3に記載の光強度計測装置。
- 前記被測定物を透過または反射したレーザ光を前記検出手段へ導く光学系の受光レンズの焦点位置に前記検出手段を設置してなる請求項2ないし4の何れかに記載の光強度計測装置。
- 前記光源より発光されたレーザ光の一部を前記特定の配列方向に垂直な線を境界として遮光する垂直遮光部を被測定物に導く光学系に設け、かつ前記レーザ光が前記垂直遮光部を通過することによって生じる、光が通過した領域と前記遮光部による影の領域との境界の位置が前記検出手段のどの受光素子で受光されたかを検出することにより、前記被測定物の傾きを測定してなる請求項2ないし5のいずれかに記載の光強度計測装置。
- 複数の受光素子を特定の方向に配列して他の検出手段を形成し、当該他の検出手段の特定の配列方向が、前記検出手段の特定の配列方向に対して垂直になるように、かつ、前記被測定物を透過または反射したレーザ光を受光する光学系の光軸に対して垂直になるように設置し、
前記光学系は前記被測定物を透過または反射したレーザ光を前記他の検出手段の複数の受光素子へもさらに導く光分岐素子を備え、
前記光源より発光されたレーザ光の一部を前記検出手段の特定の配列方向に水平な線を境界として遮光する水平遮光部を被測定物に導く光学系に設け、かつ前記レーザ光が前記水平遮光部を通過することによって形成される、光が通過した領域と前記遮光部による影の領域との境界の位置が前記他の検出手段のどの受光素子で受光されたかを検出することにより、前記被測定物の傾きを測定してなる請求項3ないし5のいずれかに記載の光強度計測装置。 - 前記光源を波長が異なる複数の多モードレーザダイオードの光軸を同軸に合成してなる請求項1に記載の光強度計測装置。
- レーザ光を照射する光源と、該光源から照射されるレーザ光を被測定物に偏光して照射する偏光手段と、前記被測定物を透過または反射したレーザ光を偏光状態で受光する検出手段と、前記検出手段が検出した偏光情報から偏光解析を行う制御手段とを備えた偏光解析装置であって、被測定物にレーザ光を照射する多モード半導体レーザからなる少なくとも1個の光源と、前記被測定物を透過または反射したレーザ光を受光する複数の受光素子からなる検出手段と、前記光源より発光されたレーザ光を前記被測定物に導き、また前記被測定物を透過または反射したレーザ光を前記検出手段の複数の受光素子へ導く光学系と、前記偏光情報を前記検出手段の複数の受光素子が検出した受光量を加算することにより得て、当該偏光情報から偏光解析を行う制御手段とを具備したこと特徴とする偏光解析装置。
- 請求項2ないし8に記載の光強度計測装置または請求項9に記載の偏光解析装置により計測された計測結果により膜質や膜厚の傾向を把握し、得られた傾向データを基に製膜装置を微調整する等の製造管理を行うことを特徴とする製造管理装置。
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