JP2007242243A - 有機半導体装置および電子機器 - Google Patents
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Abstract
【課題】有機半導体装置が備える有機半導体素子の特性の経時的な低減を抑制または防止することができる有機半導体装置、および、かかる有機半導体装置を備え信頼性の高い電子機器を提供すること。
【解決手段】有機EL装置(有機半導体装置)1は、閉空間24を画成し、樹脂材料を主材料として構成される上基板(樹脂部)22を備えるケーシング2と、閉空間24内に設けられ、主として有機半導体材料で構成される有機半導体層(有機半導体膜)32を備える有機EL素子(有機半導体素子)3と、閉空間24内に設けられ、水分を吸湿する吸湿剤4と、閉空間24内に設けられ、吸湿剤4および上基板22を加熱する機能を有する加熱手段5と、加熱手段5の作動を制御する機能を有する制御手段6とを有しており、制御手段6は、加熱手段5を作動させることにより、吸湿剤4および上基板22を加熱するよう構成されていることを特徴とする。
【選択図】図1
【解決手段】有機EL装置(有機半導体装置)1は、閉空間24を画成し、樹脂材料を主材料として構成される上基板(樹脂部)22を備えるケーシング2と、閉空間24内に設けられ、主として有機半導体材料で構成される有機半導体層(有機半導体膜)32を備える有機EL素子(有機半導体素子)3と、閉空間24内に設けられ、水分を吸湿する吸湿剤4と、閉空間24内に設けられ、吸湿剤4および上基板22を加熱する機能を有する加熱手段5と、加熱手段5の作動を制御する機能を有する制御手段6とを有しており、制御手段6は、加熱手段5を作動させることにより、吸湿剤4および上基板22を加熱するよう構成されていることを特徴とする。
【選択図】図1
Description
本発明は、有機半導体装置および電子機器に関する。
有機半導体材料を使用したエレクトロルミネッセンス素子(有機EL素子)は、固体発光型の安価な大面積フルカラー表示装置が備える有機発光素子としての用途が有望視され、多くの開発が行われている(例えば、特許文献1参照)。
一般に、有機EL素子は、陰極と陽極との間に有機半導体材料(有機発光材料)で構成される有機半導体膜(有機発光層)を有する構成であり、陰極と陽極との間に電界を印加すると、有機発光層に陰極側から電子が注入され、陽極側から正孔が注入される。
一般に、有機EL素子は、陰極と陽極との間に有機半導体材料(有機発光材料)で構成される有機半導体膜(有機発光層)を有する構成であり、陰極と陽極との間に電界を印加すると、有機発光層に陰極側から電子が注入され、陽極側から正孔が注入される。
そして、注入された電子と正孔とが有機発光層において再結合し、エネルギー準位が伝導帯から価電子帯に戻る際の失活エネルギーの少なくとも一部を光エネルギーとして放出することにより、有機発光層が発光する。
このような有機EL素子における発光効率等の特性を向上させることを目的に、用いる有機発光材料の種類や、デバイス構造等について活発な研究が行われている。
このような有機EL素子における発光効率等の特性を向上させることを目的に、用いる有機発光材料の種類や、デバイス構造等について活発な研究が行われている。
ところで、有機発光材料は、一般的に、水に対する反応性が高いため、水分と接触すると経時的に変質・劣化することとなる。すなわち、有機発光層が経時的に変質・劣化することとなる。そのため、有機発光層の特性が低下したり、有機発光層が接触する層との間に剥離が生じること等に起因して、有機EL素子の発光効率等の特性が低下するという問題がある。
かかる問題を解決すること、すなわち、有機発光材料の変質・劣化を防止することを目的に、水蒸気バリア性を有する封止材を用いて有機EL素子を封止して、有機EL素子の外部から内部への水分の移動(浸入)を抑制または防止する必要があるが、このようなデバイス構造として、以下のようなものが提案されている。
例えば、非特許文献1には、ガラス基板上に形成された有機EL素子を、この有機EL素子を収納し得るように形成されたガラス製の封止缶で取り囲み、ガラス基板と封止缶との接触部分を、エポキシ樹脂等の樹脂材料を用いて接着することにより、有機EL素子を封止するデバイス構造が提案されている。
ここで、このようなデバイス構造では、前記樹脂材料を介した有機EL素子中への水分の浸入を完全には防止できないため、一般的に、封止缶の内側に吸湿剤が配置される。
ここで、このようなデバイス構造では、前記樹脂材料を介した有機EL素子中への水分の浸入を完全には防止できないため、一般的に、封止缶の内側に吸湿剤が配置される。
しかしながら、吸湿剤を配置する構成とした場合であっても、吸湿剤の吸湿能が経時的に低減してしまうことから、有機EL素子の特性の低減を十分に防止できていないのが実情である。
さらに、近年、基板および封止材を樹脂材料で構成することにより、表示装置全体に可撓性を付与したフレキシブルディスプレイが提案されている。ところが、この場合、樹脂材料の水蒸気バリア性がガラス材料の水蒸気バリア性と比較して低いことから、基板および封止材を介した表示装置内への水分の浸入が認められることに起因して、吸湿剤の吸湿能の低減がより顕著となるという問題がある。
また、このような問題は、有機半導体材料を使用した有機薄膜トランジスタ(有機TFT)においても同様に生じている。
さらに、近年、基板および封止材を樹脂材料で構成することにより、表示装置全体に可撓性を付与したフレキシブルディスプレイが提案されている。ところが、この場合、樹脂材料の水蒸気バリア性がガラス材料の水蒸気バリア性と比較して低いことから、基板および封止材を介した表示装置内への水分の浸入が認められることに起因して、吸湿剤の吸湿能の低減がより顕著となるという問題がある。
また、このような問題は、有機半導体材料を使用した有機薄膜トランジスタ(有機TFT)においても同様に生じている。
本発明の目的は、有機半導体装置が備える有機半導体素子の特性の経時的な低減を抑制または防止することができる有機半導体装置、および、かかる有機半導体装置を備え信頼性の高い電子機器を提供することにある。
このような目的は、下記の本発明により達成される。
本発明の有機半導体装置は、閉空間を画成し、樹脂材料を主材料として構成される樹脂部を備えるケーシングと、
前記閉空間内に設けられ、主として有機半導体材料で構成される有機半導体膜を備える有機半導体素子と、
前記閉空間内に設けられ、水分を吸湿する吸湿剤と、
前記閉空間内に設けられ、該吸湿剤および前記樹脂部を加熱する機能を有する加熱手段と、
前記加熱手段の作動を制御する機能を有する制御手段とを有し、
前記制御手段は、前記加熱手段を作動させることにより、前記吸湿剤および前記樹脂部を加熱するよう構成されていることを特徴とする。
これにより、吸湿剤の吸湿能の低下を好適に抑制または防止することができ、有機半導体素子の特性の経時的な低減を抑制または防止することができる有機半導体装置とすることができる。
本発明の有機半導体装置は、閉空間を画成し、樹脂材料を主材料として構成される樹脂部を備えるケーシングと、
前記閉空間内に設けられ、主として有機半導体材料で構成される有機半導体膜を備える有機半導体素子と、
前記閉空間内に設けられ、水分を吸湿する吸湿剤と、
前記閉空間内に設けられ、該吸湿剤および前記樹脂部を加熱する機能を有する加熱手段と、
前記加熱手段の作動を制御する機能を有する制御手段とを有し、
前記制御手段は、前記加熱手段を作動させることにより、前記吸湿剤および前記樹脂部を加熱するよう構成されていることを特徴とする。
これにより、吸湿剤の吸湿能の低下を好適に抑制または防止することができ、有機半導体素子の特性の経時的な低減を抑制または防止することができる有機半導体装置とすることができる。
本発明の有機半導体装置では、前記樹脂部は、加熱により水蒸気透過度が上昇することが好ましい。
これにより、樹脂部は、加熱手段による加熱時に、閉空間から有機半導体装置の外側に水分を排出する排出膜としての機能を好適に発揮する。
本発明の有機半導体装置では、前記樹脂部は、雰囲気の温度を25℃とした時の前記樹脂部の水蒸気透過度(JIS K 7129に規定)をA[g/m2・day・90%RH]とし、雰囲気の温度を80℃とした時の前記樹脂部の水蒸気透過度(JIS K 7129に準拠)をB[g/m2・day・90%RH]としたとき、B/Aが2以上となる関係を満足することが好ましい。
これにより、樹脂部は、加熱手段による加熱時に、閉空間から有機半導体装置の外側に水分を排出する排出膜としての機能をより好適に発揮する。
これにより、樹脂部は、加熱手段による加熱時に、閉空間から有機半導体装置の外側に水分を排出する排出膜としての機能を好適に発揮する。
本発明の有機半導体装置では、前記樹脂部は、雰囲気の温度を25℃とした時の前記樹脂部の水蒸気透過度(JIS K 7129に規定)をA[g/m2・day・90%RH]とし、雰囲気の温度を80℃とした時の前記樹脂部の水蒸気透過度(JIS K 7129に準拠)をB[g/m2・day・90%RH]としたとき、B/Aが2以上となる関係を満足することが好ましい。
これにより、樹脂部は、加熱手段による加熱時に、閉空間から有機半導体装置の外側に水分を排出する排出膜としての機能をより好適に発揮する。
本発明の有機半導体装置では、前記樹脂部は、前記A[g/m2・day・90%RH]が、10以下であることが好ましい。
かかる関係を満足することにより、樹脂部は、常温時に、有機半導体装置の外側から閉空間への水分の浸入を抑制する封止材としての機能をより好適に発揮する。
本発明の有機半導体装置では、前記樹脂部は、前記B[g/m2・day・90%RH]が、20以上であることが好ましい。
かかる関係を満足することにより、樹脂部は、加熱手段による加熱時に、閉空間から有機半導体装置の外側に水分を排出する排出膜としての機能をより好適に発揮する。
かかる関係を満足することにより、樹脂部は、常温時に、有機半導体装置の外側から閉空間への水分の浸入を抑制する封止材としての機能をより好適に発揮する。
本発明の有機半導体装置では、前記樹脂部は、前記B[g/m2・day・90%RH]が、20以上であることが好ましい。
かかる関係を満足することにより、樹脂部は、加熱手段による加熱時に、閉空間から有機半導体装置の外側に水分を排出する排出膜としての機能をより好適に発揮する。
本発明の有機半導体装置では、前記有機半導体素子と前記加熱手段とは、その間に吸湿剤を介在していることが好ましい。
かかる構成とすれば、加熱手段により樹脂部および吸湿剤を加熱する際に、吸湿剤に加熱手段から有機半導体素子側への熱伝導を防止する断熱材としての機能を発揮させることができ、有機半導体素子の加熱が好適に抑制または防止されて、有機半導体膜が変質・劣化するのを好適に抑制または防止することができる。
かかる構成とすれば、加熱手段により樹脂部および吸湿剤を加熱する際に、吸湿剤に加熱手段から有機半導体素子側への熱伝導を防止する断熱材としての機能を発揮させることができ、有機半導体素子の加熱が好適に抑制または防止されて、有機半導体膜が変質・劣化するのを好適に抑制または防止することができる。
本発明の有機半導体装置では、前記有機半導体素子と前記加熱手段とは、離間していることが好ましい。
かかる構成とすれば、加熱手段により樹脂部および吸湿剤を加熱する際に、有機半導体素子が加熱されるのを防止できることから、有機半導体膜が変質・劣化するのを確実に防止することができる。
かかる構成とすれば、加熱手段により樹脂部および吸湿剤を加熱する際に、有機半導体素子が加熱されるのを防止できることから、有機半導体膜が変質・劣化するのを確実に防止することができる。
本発明の有機半導体装置では、複数の前記加熱手段を有し、
各前記加熱手段は、前記吸湿剤に接触することが好ましい。
これにより、吸湿剤を迅速かつ確実に加熱することができる。
本発明の有機半導体装置では、前記吸湿剤に接触する第1の加熱手段と、前記樹脂部に接触する第2の加熱手段とを有し、
前記第1の加熱手段と前記第2の加熱手段とは、同期的に作動することが好ましい。
かかる構成とすることにより、吸湿剤の加熱と樹脂部の加熱とを、独立して同期的に行うことができる。
各前記加熱手段は、前記吸湿剤に接触することが好ましい。
これにより、吸湿剤を迅速かつ確実に加熱することができる。
本発明の有機半導体装置では、前記吸湿剤に接触する第1の加熱手段と、前記樹脂部に接触する第2の加熱手段とを有し、
前記第1の加熱手段と前記第2の加熱手段とは、同期的に作動することが好ましい。
かかる構成とすることにより、吸湿剤の加熱と樹脂部の加熱とを、独立して同期的に行うことができる。
本発明の有機半導体装置では、前記吸湿剤を加熱した後、前記樹脂部を加熱するよう構成されていることが好ましい。
かかる構成とすることにより、吸湿剤を加熱した後に、樹脂部を加熱することができる。そのため、吸湿剤に吸着した水分が脱離し、かつ、閉空内の圧力が上昇した後に、樹脂部の水蒸気バリア性が低下することとなる。これにより、閉空間内から有機半導体装置の外側への水分の排出をより確実に行うことができる。
かかる構成とすることにより、吸湿剤を加熱した後に、樹脂部を加熱することができる。そのため、吸湿剤に吸着した水分が脱離し、かつ、閉空内の圧力が上昇した後に、樹脂部の水蒸気バリア性が低下することとなる。これにより、閉空間内から有機半導体装置の外側への水分の排出をより確実に行うことができる。
本発明の有機半導体装置では、前記制御手段は、前記加熱手段により、前記有機半導体素子の非駆動時に、前記吸湿剤および前記樹脂部を加熱するよう構成されていることが好ましい。
制御手段をかかる構成とすることにより、有機半導体素子の非駆動時に、閉空間から有機半導体装置の外側に水分を排出する排出膜としての機能を樹脂部に発揮させることができる。
制御手段をかかる構成とすることにより、有機半導体素子の非駆動時に、閉空間から有機半導体装置の外側に水分を排出する排出膜としての機能を樹脂部に発揮させることができる。
本発明の有機半導体装置では、前記吸湿剤および前記樹脂部の加熱温度は、50〜180℃の範囲内であることが好ましい。
これにより、吸湿剤に吸着した水分をより確実に脱離させることができるとともに、この脱離した水分を、樹脂部を透過させて有機半導体装置の外部により確実に排出することができる。
これにより、吸湿剤に吸着した水分をより確実に脱離させることができるとともに、この脱離した水分を、樹脂部を透過させて有機半導体装置の外部により確実に排出することができる。
本発明の有機半導体装置では、前記加熱手段は、ヒータで構成されていることが好ましい。
これにより、樹脂部と吸湿剤の双方を比較的容易に、かつ、確実に加熱することができる。
本発明の有機半導体装置では、前記有機半導体素子を冷却する冷却手段を備えることが好ましい。
これにより、有機半導体素子を冷却して、有機半導体膜中に含まれる有機半導体材料の変質・劣化を好適に抑制または防止することができる。
これにより、樹脂部と吸湿剤の双方を比較的容易に、かつ、確実に加熱することができる。
本発明の有機半導体装置では、前記有機半導体素子を冷却する冷却手段を備えることが好ましい。
これにより、有機半導体素子を冷却して、有機半導体膜中に含まれる有機半導体材料の変質・劣化を好適に抑制または防止することができる。
本発明の有機半導体装置では、前記制御手段は、前記冷却手段により、前記有機半導体素子の駆動時に、前記有機半導体素子を冷却するよう構成されていることが好ましい。
これにより、有機半導体素子の駆動時に、有機半導体素子を冷却して、有機半導体膜中に含まれる有機半導体材料の変質・劣化を好適に抑制または防止することができる。
本発明の有機半導体装置では、前記有機半導体素子の冷却温度は、−50〜0℃の範囲内であることが好ましい。
有機半導体素子の駆動時において、この素子の温度を、かかる範囲内に設定することにより、有機半導体材料の変質・劣化をより好適に抑制または防止することができる。
これにより、有機半導体素子の駆動時に、有機半導体素子を冷却して、有機半導体膜中に含まれる有機半導体材料の変質・劣化を好適に抑制または防止することができる。
本発明の有機半導体装置では、前記有機半導体素子の冷却温度は、−50〜0℃の範囲内であることが好ましい。
有機半導体素子の駆動時において、この素子の温度を、かかる範囲内に設定することにより、有機半導体材料の変質・劣化をより好適に抑制または防止することができる。
本発明の有機半導体装置では、前記冷却手段は、ペルチェ素子で構成されていることが好ましい。
ペルチェ素子によれば、ペルチェ素子が備える冷却面を有機半導体素子に接触させるという比較的簡単な構成で、有機半導体素子を確実に冷却することができる。
本発明の有機半導体装置では、前記ケーシングは、そのほぼ全てが前記樹脂部で構成されることが好ましい。
これにより、有機半導体装置に可撓性を付与することができる。そして、かかる構成の有機半導体装置では、ケーシングの水蒸気バリア性が低下する傾向を示すが、このような半導体装置に、吸湿剤の吸湿能が低減するのを好適に抑制または防止することができる本発明の有機半導体装置を適用することは特に有効である。
ペルチェ素子によれば、ペルチェ素子が備える冷却面を有機半導体素子に接触させるという比較的簡単な構成で、有機半導体素子を確実に冷却することができる。
本発明の有機半導体装置では、前記ケーシングは、そのほぼ全てが前記樹脂部で構成されることが好ましい。
これにより、有機半導体装置に可撓性を付与することができる。そして、かかる構成の有機半導体装置では、ケーシングの水蒸気バリア性が低下する傾向を示すが、このような半導体装置に、吸湿剤の吸湿能が低減するのを好適に抑制または防止することができる本発明の有機半導体装置を適用することは特に有効である。
本発明の有機半導体装置では、前記有機半導体素子は、有機発光素子であることが好ましい。
これにより、吸湿剤の吸湿能の低下を好適に抑制または防止することができ、有機発光素子の特性の経時的な低減を抑制または防止することができる有機発光装置とすることができる。
本発明の電子機器は、本発明の有機半導体装置を備えることを特徴とする。
これにより、信頼性の高い電子機器を得ることができる。
これにより、吸湿剤の吸湿能の低下を好適に抑制または防止することができ、有機発光素子の特性の経時的な低減を抑制または防止することができる有機発光装置とすることができる。
本発明の電子機器は、本発明の有機半導体装置を備えることを特徴とする。
これにより、信頼性の高い電子機器を得ることができる。
以下、本発明の有機半導体装置および電子機器を添付図面に示す好適実施形態に基づいて詳細に説明する。
なお、以下では、本発明の有機半導体装置を、有機発光装置に適用した場合を一例に説明する。
なお、以下では、本発明の有機半導体装置を、有機発光装置に適用した場合を一例に説明する。
<有機発光装置>
まず、本発明の有機半導体装置を、有機発光装置(有機エレクトロルミネッセンス装置)に適用した場合の第1実施形態を説明する。
<<第1実施形態>>
図1は、本発明の有機半導体装置を適用した有機エレクトロルミネッセンス装置の第1実施形態を示した模式図(縦断面図)である。なお、以下の説明では、図1中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
まず、本発明の有機半導体装置を、有機発光装置(有機エレクトロルミネッセンス装置)に適用した場合の第1実施形態を説明する。
<<第1実施形態>>
図1は、本発明の有機半導体装置を適用した有機エレクトロルミネッセンス装置の第1実施形態を示した模式図(縦断面図)である。なお、以下の説明では、図1中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
図1に示す有機エレクトロルミネッセンス(有機EL)装置1aは、ケーシング2と、ケーシング2内に設けられた有機EL素子(有機半導体素子)3、吸湿剤4および加熱手段5と、有機EL素子3および加熱手段5の作動を制御する制御手段6とを有している。
ケーシング2は、基板21と、基板21に対向するように配置された上基板22と、これらの基板21、上基板22同士をその縁部で封止するように接合する封止部23とで構成されている。そして、これら基板21、上基板22および封止部23によって閉空間24が画成され、この閉空間24内に有機EL素子3、吸湿剤4および加熱手段5が設けられている。
ケーシング2は、基板21と、基板21に対向するように配置された上基板22と、これらの基板21、上基板22同士をその縁部で封止するように接合する封止部23とで構成されている。そして、これら基板21、上基板22および封止部23によって閉空間24が画成され、この閉空間24内に有機EL素子3、吸湿剤4および加熱手段5が設けられている。
基板21は、その上面に有機EL素子3が設けられ、この有機EL素子3を支持する支持体となるものであるとともに、有機EL素子3の下側で、有機EL素子3、吸湿剤4および加熱手段5を気密的に封止する封止材として機能するものである。
また、本実施形態の有機EL装置1aは、基板21(後述する陽極31)側から光を取り出す構成(ボトムエミッション型)であるため、基板21は、実質的に透明(無色透明、着色透明、半透明)とされる。
このような基板21には、透光性を有する各種ガラス材料基板および各種樹脂基板が好適に用いられる。
また、本実施形態の有機EL装置1aは、基板21(後述する陽極31)側から光を取り出す構成(ボトムエミッション型)であるため、基板21は、実質的に透明(無色透明、着色透明、半透明)とされる。
このような基板21には、透光性を有する各種ガラス材料基板および各種樹脂基板が好適に用いられる。
具体的には、例えば、石英ガラス、ソーダガラスのようなガラス材料や、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリプロピレン、シクロオレフィンポリマー、ポリアミド、ポリエーテルサルフォン、ポリメチルメタクリレート、ポリカーボネート、ポリアリレートのような樹脂材料等を主材料として構成される基板を用いることができる。
上基板22は、その下面に吸湿剤4および加熱手段5が設けられ、これら吸湿剤4および加熱手段5を支持する支持体となるものであるとともに、有機EL素子3の上側で、有機EL素子3、吸湿剤4および加熱手段5を気密的に封止する封止材として機能するものである。
そして、本実施形態では、この上基板22が、樹脂材料を主材料として構成され、加熱手段5により加熱された際に、吸湿剤4から離脱した水分を有機EL装置1aの外側に排出する排出膜(透過膜)としての機能を発揮する。すなわち、本実施形態では、ケーシング2において、上基板22が樹脂材料を主材料とする樹脂部を構成し、この樹脂部が前記排出膜としての機能を発揮する。
そして、本実施形態では、この上基板22が、樹脂材料を主材料として構成され、加熱手段5により加熱された際に、吸湿剤4から離脱した水分を有機EL装置1aの外側に排出する排出膜(透過膜)としての機能を発揮する。すなわち、本実施形態では、ケーシング2において、上基板22が樹脂材料を主材料とする樹脂部を構成し、この樹脂部が前記排出膜としての機能を発揮する。
この上基板(樹脂部)22には、常温時に優れた水蒸気バリア性を備え、かつ、基板の温度が上昇すること、すなわち、基板中に含まれる樹脂材料同士の間の空隙率が高くなることにより、水蒸気透過度が上昇するものが好適に選択される。かかる構成のものを選択することにより、上基板22は、常温時に、有機EL装置1aの外側から閉空間24への水分の浸入を抑制する封止材(水蒸気バリア層)としての機能を好適に発揮するとともに、加熱手段5による加熱時に、閉空間24から有機EL装置1aの外側に水分を排出する排出膜としての機能を好適に発揮する。
このような上基板22としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリカーボネート、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニリデン、エチレン−ビニルアルコール共重合体、ポリアクリロニトリル、ポリ塩化ビニル、ポリパラキシリレンのような樹脂材料を主材料として構成される基板が挙げられ、これらの中でも、特に、ポリエチレンテレフタレートを主材料として構成される基板が好適に用いられる。
また、このような上基板22は、雰囲気の温度を25℃とした時の上基板22の水蒸気透過度(JIS K 7129に規定)をA[g/m2・day・90%RH]とし、雰囲気の温度を80℃とした時の上基板22の水蒸気透過度(JIS K 7129に準拠)をB[g/m2・day・90%RH]としたとき、B/Aが2以上となる関係を満足するのが好ましく、B/Aが10〜1000の範囲内となる関係を満足するのがより好ましい。これにより、上基板22は、加熱手段による加熱時に排出膜としての機能をより好適に発揮する。
さらに、上基板22は、雰囲気の温度を25℃とした時の水蒸気透過度(JIS K 7129に規定)A[g/m2・day・90%RH]が、10以下であるのが好ましく、0.01〜1程度であるのがより好ましい。これにより、上基板22は、常温時に、有機EL装置1aの外側から閉空間24への水分の浸入を抑制する封止材としての機能をより好適に発揮する。
また、上基板22は、雰囲気の温度を80℃とした時の水蒸気透過度(JIS K 7129に準拠)B[g/m2・day・90%RH]が、20以上であるのが好ましく、50〜1000程度であるのがより好ましい。これにより、上基板22は、加熱手段による加熱時に排出膜としての機能をより好適に発揮する。
なお、前記Aは、JIS K 7129の規定に従って、試験(雰囲気)温度(25±0.5℃)、相対湿度差(90±2%RH)の条件下で、感湿センサー法を用いて算出でき、前記Bは、JIS K 7129の規定に準拠して、試験温度を80±0.5℃に代える以外は前記と同様にして算出できる。
なお、前記Aは、JIS K 7129の規定に従って、試験(雰囲気)温度(25±0.5℃)、相対湿度差(90±2%RH)の条件下で、感湿センサー法を用いて算出でき、前記Bは、JIS K 7129の規定に準拠して、試験温度を80±0.5℃に代える以外は前記と同様にして算出できる。
なお、感湿センサー法とは、上基板22(試験片)の片側を水蒸気飽和状態とし、その反対(低湿度)側の湿度を10%RHに設定する。次に、この試験片を透過した水蒸気量による湿度変化を低湿度側に設置した感湿センサーで検出し、電気信号に変換する。そして、一定の相対湿度幅(90%RH)の水蒸気透過時間を測定し、その水蒸気透過速度の定常状態を確認後、その数値から水蒸気透過度を算出する方法である。
封止部23は、基板21と上基板22との間で形成された空間を、これらの縁部において封止することにより、有機EL素子3の周辺部で、有機EL素子3、吸湿剤4および加熱手段5を気密的に封止する封止材として機能するものである。
封止部23の構成材料としては、例えば、Al、Au、Cr、Nb、Ta、Tiまたはこれらを含む合金、酸化シリコン、エポキシ系樹脂のような樹脂材料等が挙げられる。
封止部23の構成材料としては、例えば、Al、Au、Cr、Nb、Ta、Tiまたはこれらを含む合金、酸化シリコン、エポキシ系樹脂のような樹脂材料等が挙げられる。
なお、基板21または上基板22のうち少なくとも一方が可撓性を有する場合、封止部23の形成を省略して、この可撓性を有する基板を撓ませた後、これらの基板同士が接合する周辺部において封止することにより、基板21および/または上基板22に封止部23としての機能を発揮させることができる。
また、有機EL装置1aを可撓性を有するフレキシブルディスプレイとする場合には、ケーシング2、すなわち、上述した基板21、上基板22および封止部23の全てを、樹脂材料を主材料として構成すればよい。
また、有機EL装置1aを可撓性を有するフレキシブルディスプレイとする場合には、ケーシング2、すなわち、上述した基板21、上基板22および封止部23の全てを、樹脂材料を主材料として構成すればよい。
なお、フレキシブルディスプレイとすること、すなわち、基板21、上基板22および封止部23の全てを樹脂材料で構成することにより、ケーシング2の水蒸気バリア性が低下して、早期に吸湿剤4の吸湿能が低減する傾向を示すこととなる。そのため、フレキシブルディスプレイに、後述するような吸湿剤4の吸湿能が低減するのを防止し得る本発明の有機半導体装置を適用することは特に有効である。
吸湿剤4は、上基板22の下(下面)に接合して設けられ、閉空間24内に残存または浸入した水分を吸湿(吸着)する機能を有するものである。
この吸湿剤4は、下記に示す吸湿性材料をブロック状としたものであってもよいが、吸湿性材料を樹脂材料で担持させた層状のもの、すなわち、吸湿性材料を樹脂材料中に分散させて層状としたものであるのが好ましい。吸湿剤4をかかる構成とすることにより、上基板22の下面に吸湿剤4を確実に接合することができるとともに、吸湿性材料の粉末が発生して閉空間24内に飛散するのを確実に防止することができる。
なお、吸湿剤4を層状のものとする場合、吸湿剤4は、多孔質体であるのが好ましい。
これにより、吸湿剤4の表面積が大きくなり、閉空間24と接触する吸湿性材料の絶対量を増大させることができる。そのため、閉空間24中に存在する水分をより確実に吸湿性材料に吸着させることができる。
この吸湿剤4は、下記に示す吸湿性材料をブロック状としたものであってもよいが、吸湿性材料を樹脂材料で担持させた層状のもの、すなわち、吸湿性材料を樹脂材料中に分散させて層状としたものであるのが好ましい。吸湿剤4をかかる構成とすることにより、上基板22の下面に吸湿剤4を確実に接合することができるとともに、吸湿性材料の粉末が発生して閉空間24内に飛散するのを確実に防止することができる。
なお、吸湿剤4を層状のものとする場合、吸湿剤4は、多孔質体であるのが好ましい。
これにより、吸湿剤4の表面積が大きくなり、閉空間24と接触する吸湿性材料の絶対量を増大させることができる。そのため、閉空間24中に存在する水分をより確実に吸湿性材料に吸着させることができる。
吸湿性材料としては、各種のものを用いることができるが、例えば、シリカゲルA型、シリカゲルB型、天然ゼオライト、モレキュラーシーブスのような合成ゼオライト、セピオナイト、アルミナシリカゲル、ベントナイト、アロフェン、パーライト、活性白土、活性炭等が挙げられ、これらのうちの1種または2種以上を組み合わせて用いることができる。
また、吸湿性材料を担持する樹脂材料としては、各種のものを用いることができるが、例えば、低密度ポリエチレン、超低密度ポリエチレン、高密度ポリエチレン、エチレン−プロピレン共重合体等のオレフィン系樹脂、エチレン−酢酸ビニル共重合樹脂、ポリスチレン系樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリウレタン系樹脂、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリブチレンサクシネート、ポリブチレンアジペート、ポリ乳酸、ポリカプロラクトン等のポリエステル系樹脂、ポリアミド6、ポリアミド66等のポリアミド系樹脂、ポリ(メタ)アクリル酸系樹脂、ポリアクリロニトリル系樹脂、ポリテトラフルオロエチエン、テトラフルオロエチレン−パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体、エチレン−テトラフルオロエチレン共重合体、テトラフルオロエチレン−ヘキサフルオロエチレン−ビニリデンフロライド共重合体等のフッ素系樹脂等が挙げられる。
また、加熱手段5は、吸湿剤4と接触した状態で上基板22の下(下面)に接合して設けられ、上基板22と吸湿剤4との双方を加熱する機能を有するものである。
加熱手段5を上基板22と吸湿剤4との双方を加熱し得る構成とすることにより、吸湿剤4に吸着した水分を確実に吸湿剤4から離脱させることができるとともに、この離脱した水分を上基板22から有機EL装置1aの外側に排出することができる。
加熱手段5を上基板22と吸湿剤4との双方を加熱し得る構成とすることにより、吸湿剤4に吸着した水分を確実に吸湿剤4から離脱させることができるとともに、この離脱した水分を上基板22から有機EL装置1aの外側に排出することができる。
加熱手段5としては、特に限定されず、例えば、その加熱方式がヒータ(抵抗加熱)、高周波加熱およびレーザー加熱等いずれのものであってもよいが、ヒータであるのが好ましい。これにより、上基板22と吸湿剤4の双方を比較的容易、かつ、確実に加熱することができる。
このヒータとしては、特に限定されず、タンタル、モリブデン、タングステン、銅、ニッケル等の金属材料を主材料とする電熱線を、シリコンゴムやポリイミド等の絶縁材料で被膜した構成のものを好適に用いることができる。かかる構成とすることにより、所望の形状の加熱手段5を、上基板22の下に接合することができる。
このヒータとしては、特に限定されず、タンタル、モリブデン、タングステン、銅、ニッケル等の金属材料を主材料とする電熱線を、シリコンゴムやポリイミド等の絶縁材料で被膜した構成のものを好適に用いることができる。かかる構成とすることにより、所望の形状の加熱手段5を、上基板22の下に接合することができる。
加熱手段5による、吸湿剤4および上基板22の加熱温度は、特に限定されないが、50〜180℃程度であるのが好ましく、80〜120℃程度であるのがより好ましい。かかる範囲内に設定することにより、吸湿剤4に吸着した水分をより確実に脱離させることができるとともに、この脱離した水分を上基板22を透過させて有機EL装置1aの外部により確実に排出することができる。
また、加熱手段5を接合する方法としては、特に限定されないが、例えば、上基板22と加熱手段5との間に粘着剤や接着剤のような固定部材を介在させる方法等が挙げられる。
なお、本実施形態では、図1に示すように、上基板22の下面に、吸湿剤4および加熱手段5がそれぞれ2つおよび3つ設けられ、1つの吸湿剤4を2つの加熱手段5で両側から挟むように、加熱手段5と吸湿剤4とが左側からこの順で交互に配置されている。このように、吸湿剤4に複数の加熱手段5が接触する構成とすることにより、上基板22と吸湿剤4の双方を迅速かつ確実に加熱することができる。
なお、本実施形態では、図1に示すように、上基板22の下面に、吸湿剤4および加熱手段5がそれぞれ2つおよび3つ設けられ、1つの吸湿剤4を2つの加熱手段5で両側から挟むように、加熱手段5と吸湿剤4とが左側からこの順で交互に配置されている。このように、吸湿剤4に複数の加熱手段5が接触する構成とすることにより、上基板22と吸湿剤4の双方を迅速かつ確実に加熱することができる。
また、吸湿剤4および加熱手段5は、それぞれ、その数が2つおよび3つのものに限定されず、それぞれ1つ以上のものであればよい。なお、吸湿剤4を2つ以上設ける場合、加熱手段5は、その数を吸湿剤4の数よりも多くなるように設定するのが好ましい。
また、本実施形態では、閉空間24において、上述したように有機EL素子3は基板21上に設けられ、吸湿剤4および加熱手段5とは上基板22の下に設けられおり、有機EL素子3と吸湿剤4および加熱手段5とは、接触することなく離間している。かかる構成とすることにより、加熱手段5により上基板22および吸湿剤4を加熱する際に、有機EL素子3が加熱されるのを防止できることから、有機半導体層(有機半導体膜)32が変質・劣化するのを確実に防止することができる。
また、本実施形態では、閉空間24において、上述したように有機EL素子3は基板21上に設けられ、吸湿剤4および加熱手段5とは上基板22の下に設けられおり、有機EL素子3と吸湿剤4および加熱手段5とは、接触することなく離間している。かかる構成とすることにより、加熱手段5により上基板22および吸湿剤4を加熱する際に、有機EL素子3が加熱されるのを防止できることから、有機半導体層(有機半導体膜)32が変質・劣化するのを確実に防止することができる。
有機EL素子3は、基板21上に設けられている。
図1に示すように、有機EL素子3は、陽極31と、陰極33と、陽極31と陰極33との間に設けられた有機半導体層(有機半導体膜)32とを有している。
この有機半導体層32は、I:陽極31側から正孔輸送層と有機発光層と電子輸送層とがこの順で積層された積層体、II:Iの構成から正孔輸送層または電子輸送層のいずれかを省略した積層体、III:Iの構成から正孔輸送層および電子輸送層を省略した単層体等有機発光層を備えるものであればいかなる構成であってもよいが、以下ではIの場合を代表に説明する。
図1に示すように、有機EL素子3は、陽極31と、陰極33と、陽極31と陰極33との間に設けられた有機半導体層(有機半導体膜)32とを有している。
この有機半導体層32は、I:陽極31側から正孔輸送層と有機発光層と電子輸送層とがこの順で積層された積層体、II:Iの構成から正孔輸送層または電子輸送層のいずれかを省略した積層体、III:Iの構成から正孔輸送層および電子輸送層を省略した単層体等有機発光層を備えるものであればいかなる構成であってもよいが、以下ではIの場合を代表に説明する。
陽極31は、有機半導体層32(本実施形態では、正孔輸送層)に正孔を注入する電極である。
この陽極31の構成材料(陽極材料)としては、有機EL装置1aが陽極31側から光を取り出すボトムエミッション構造であるため透光性を有する導電材料が選択され、特に、仕事関数が大きく、優れた導電性を有するものが好適に用いられる。
この陽極31の構成材料(陽極材料)としては、有機EL装置1aが陽極31側から光を取り出すボトムエミッション構造であるため透光性を有する導電材料が選択され、特に、仕事関数が大きく、優れた導電性を有するものが好適に用いられる。
このような陽極31の構成材料としては、インジウムティンオキサイド(ITO)、フッ素含有インジウムティンオキサイド(FITO)、アンチモンティンオキサイド(ATO)、インジウムジンクオキサイド(IZO)、アルミニウムジンクオキサイド(AZO)、酸化スズ(SnO2)、酸化亜鉛(ZnO)、フッ素含有酸化スズ(FTO)、フッ素含有インジウムオキサイド(FIO)、インジウムオキサイド(IO)、等の透明導電性材料が挙げられ、これらのうちの少なくとも1種を用いることができる。
このような陽極31は、その光(可視光領域)の透過率が好ましくは60%以上、より好ましくは80%以上となっている。これにより、光を効率よく陽極31側から取り出すことができる。
このような陽極31は、その光(可視光領域)の透過率が好ましくは60%以上、より好ましくは80%以上となっている。これにより、光を効率よく陽極31側から取り出すことができる。
一方、陰極33は、有機半導体層32(本実施形態では、電子輸送層)に電子を注入する電極である。
この陰極33の構成材料(陽極材料)としては、電子輸送層への電子の注入効率を向上させることを目的に、優れた導電性を発揮するもののうち、特に、仕事関数が小さいものが好適に用いられる。
このような陰極33の構成材料としては、例えば、Li、Na、K、Rb、CsおよびFrからなるアルカリ金属、および、Be、Mg、Ca、Sr、BaおよびRaからなるアルカリ土類金属等が挙げられ、これらのうち1種または2種以上を組み合わせて用いることができる。
この陰極33の構成材料(陽極材料)としては、電子輸送層への電子の注入効率を向上させることを目的に、優れた導電性を発揮するもののうち、特に、仕事関数が小さいものが好適に用いられる。
このような陰極33の構成材料としては、例えば、Li、Na、K、Rb、CsおよびFrからなるアルカリ金属、および、Be、Mg、Ca、Sr、BaおよびRaからなるアルカリ土類金属等が挙げられ、これらのうち1種または2種以上を組み合わせて用いることができる。
また、陰極33の構成材料として、上述したような金属を含む合金を用いる場合には、Ag、Al、Cu等の安定な金属を含む合金、具体的には、MgAg、AlLi、CuLi等の合金を用いるようにすればよい。かかる合金を陰極33の構成材料として用いることにより、電子の電子輸送層への注入効率および陰極33の安定性の向上を図ることができる。
陽極31と陰極33との間には、前述したように、正孔輸送層と有機発光層と電子輸送層とが陽極31側からこの順で積層された有機半導体層32が設けられている。
なお、かかる構成の有機半導体層32においては、正孔輸送層、有機発光層および電子輸送層の構成材料が、有機半導体材料を構成する。
陽極31と陰極33との間には、前述したように、正孔輸送層と有機発光層と電子輸送層とが陽極31側からこの順で積層された有機半導体層32が設けられている。
なお、かかる構成の有機半導体層32においては、正孔輸送層、有機発光層および電子輸送層の構成材料が、有機半導体材料を構成する。
正孔輸送層は、陽極31から注入された正孔を有機発光層まで輸送する機能を有するものである。
この正孔輸送層の構成材料(正孔輸送材料)としては、例えば、ポリエチレンジオキシチオフェン:ポリスチレンスルホネート、ポリアニリン:ポリスチレンスルホネート、ポリアリールアミン、フルオレン−アリールアミン共重合体、フルオレン−ビチオフェン共重合体、ポリ(N−ビニルカルバゾール)、ポリビニルピレン、ポリビニルアントラセン、ポリチオフェン、ポリアルキルチオフェン、ポリヘキシルチオフェン、ポリ(p−フェニレンビニレン)、ポリチニレンビニレン、ピレンホルムアルデヒド樹脂、エチルカルバゾールホルムアルデヒド樹脂またはその誘導体等が挙げられ、これらのうちの1種または2種以上を組み合わせて用いることができる。
この正孔輸送層の構成材料(正孔輸送材料)としては、例えば、ポリエチレンジオキシチオフェン:ポリスチレンスルホネート、ポリアニリン:ポリスチレンスルホネート、ポリアリールアミン、フルオレン−アリールアミン共重合体、フルオレン−ビチオフェン共重合体、ポリ(N−ビニルカルバゾール)、ポリビニルピレン、ポリビニルアントラセン、ポリチオフェン、ポリアルキルチオフェン、ポリヘキシルチオフェン、ポリ(p−フェニレンビニレン)、ポリチニレンビニレン、ピレンホルムアルデヒド樹脂、エチルカルバゾールホルムアルデヒド樹脂またはその誘導体等が挙げられ、これらのうちの1種または2種以上を組み合わせて用いることができる。
なお、陽極31と正孔輸送層との間には、例えば、陽極31からの正孔注入効率を向上させる正孔注入層を設けるようにしてもよい。
この正孔注入層の構成材料(正孔注入材料)としては、例えば、銅フタロシアニンや、4,4’,4’’−トリス(N,N−フェニル−3−メチルフェニルアミノ)トリフェニルアミン(m−MTDATA)等が挙げられる。
また、電子輸送層は、陰極33から注入された電子を有機発光層まで輸送する機能を有するものである。
この正孔注入層の構成材料(正孔注入材料)としては、例えば、銅フタロシアニンや、4,4’,4’’−トリス(N,N−フェニル−3−メチルフェニルアミノ)トリフェニルアミン(m−MTDATA)等が挙げられる。
また、電子輸送層は、陰極33から注入された電子を有機発光層まで輸送する機能を有するものである。
電子輸送層の構成材料(電子輸送材料)としては、例えば、1,3,5−トリス[(3−フェニル−6−トリ−フルオロメチル)キノキサリン−2−イル]ベンゼン(TPQ1)のようなベンゼン系化合物、ナフタレン系化合物、フェナントレン系化合物、クリセン系化合物、ペリレン系化合物、アントラセン系化合物、ピレン系化合物、アクリジン系化合物、スチルベン系化合物、BBOTのようなチオフェン系化合物、ブタジエン系化合物、クマリン系化合物、キノリン系化合物、ビスチリル系化合物、ジスチリルピラジンのようなピラジン系化合物、キノキサリン系化合物、2,5−ジフェニル−パラ−ベンゾキノンのようなベンゾキノン系化合物、ナフトキノン系化合物、アントラキノン系化合物、2−(4−ビフェニリル)−5−(4−t−ブチルフェニル)−1,3,4−オキサジアゾール(PBD)のようなオキサジアゾール系化合物、3,4,5−トリフェニル−1,2,4−トリアゾールのようなトリアゾール系化合物、オキサゾール系化合物、アントロン系化合物、1,3,8−トリニトロ−フルオレノン(TNF)のようなフルオレノン系化合物、MBDQのようなジフェノキノン系化合物、MBSQのようなスチルベンキノン系化合物、アントラキノジメタン系化合物、チオピランジオキシド系化合物、フルオレニリデンメタン系化合物、ジフェニルジシアノエチレン系化合物、フローレン系化合物、ピロール系化合物、フォスフィンオキサイド系化合物、8−ヒドロキシキノリン アルミニウム(Alq3)、ベンゾオキサゾールやベンゾチアゾールを配位子とする錯体のような各種金属錯体等が挙げられ、これらのうちの1種または2種以上を組み合わせて用いることができる。
なお、陰極33と電子輸送層との間には、例えば、陰極33から電子輸送層への電子の注入効率を向上させる電子注入層を設けるようにしてもよい。
この電子注入層の構成材料(電子注入材料)としては、例えば、8−ヒドロキシキノリン、オキサジアゾール、または、これらの誘導体(例えば、8−ヒドロキシキノリンを含む金属キレートオキシノイド化合物)等が挙げられ、これらのうちの1種または2種以上組み合わせて用いることができる。
この電子注入層の構成材料(電子注入材料)としては、例えば、8−ヒドロキシキノリン、オキサジアゾール、または、これらの誘導体(例えば、8−ヒドロキシキノリンを含む金属キレートオキシノイド化合物)等が挙げられ、これらのうちの1種または2種以上組み合わせて用いることができる。
ここで、陽極31と陰極33との間に通電(電圧を印加)すると、正孔輸送層中を移動した正孔が有機発光層に注入され、また、電子輸送層中を移動した電子が有機発光層に注入され、この有機発光層において正孔と電子とが再結合する。そして、有機発光層ではエキシトン(励起子)が生成し、このエキシトンが基底状態に戻る際にエネルギー(蛍光やりん光)を放出(発光)する。
有機発光層の構成材料(有機発光材料)としては、例えば、1,3,5−トリス[(3−フェニル−6−トリ−フルオロメチル)キノキサリン−2−イル]ベンゼン(TPQ1)、1,3,5−トリス[{3−(4−t−ブチルフェニル)−6−トリスフルオロメチル}キノキサリン−2−イル]ベンゼン(TPQ2)のようなベンゼン系化合物、フタロシアニン、銅フタロシアニン(CuPc)、鉄フタロシアニンのような金属または無金属のフタロシアニン系化合物、トリス(8−ヒドロキシキノリノレート)アルミニウム(Alq3)、ファクトリス(2−フェニルピリジン)イリジウム(Ir(ppy)3)のような低分子系のものや、オキサジアゾール系高分子、トリアゾール系高分子、カルバゾール系高分子、フルオレン系高分子のような高分子系のものが挙げられ、これらの1種または2種以上を組み合わせて用いることができる。各種の高分子材料や、各種の低分子材料を単独または組み合わせて用いることができる。
なお、図1では、基板21上に有機EL素子3が1つ設けられている場合を示したが、これは模式的に示したものであり、このような場合に限定されず、複数の有機EL素子が基板上に設けられ、これらの素子により複数の画素が形成されるものであってもよい。
制御手段6は、有機EL素子3および加熱手段5に接続され、これらの作動を制御する機能を有する。
制御手段6は、有機EL素子3および加熱手段5に接続され、これらの作動を制御する機能を有する。
このような制御手段6は、一対の電極31、33間に電圧を印加して有機EL素子3が駆動する時に、加熱手段5による上基板22および吸湿剤4の加熱を停止する。また、これとは逆に、制御手段6は、有機EL素子3の非駆動時に、加熱手段5の作動を制御して、この加熱手段5により上基板22および吸湿剤4を加熱する。制御手段6をかかる構成とすることにより、上基板22は、有機EL素子3の駆動時に、有機EL装置1aの外側から閉空間24への水分の浸入を抑制する封止材としての機能を発揮し、有機EL素子3の非駆動時で、かつ、加熱手段5を作動した時に、閉空間24から有機EL装置1aの外側に水分を排出する排出膜としての機能を発揮する。
以上のような構成の有機EL装置1aにおいて、上基板22と、制御手段6に接続される有機EL素子3、吸湿剤4および加熱手段5との相互的な関係について以下に説明する。
以上のような構成の有機EL装置1aにおいて、上基板22と、制御手段6に接続される有機EL素子3、吸湿剤4および加熱手段5との相互的な関係について以下に説明する。
ここで、加熱手段5を作動することなく有機EL装置1aを使用していると、前述した従来技術で説明したように、ケーシング2を通過して有機EL装置1aの外部から内部に侵入する水分が吸湿剤4に吸着されるにともなって、この吸湿剤4の吸着能が低減する。そのため、有機EL装置1aの内部に浸入した水分は、さらに有機EL素子3の内部にも侵入することとなる。その結果、有機半導体層32が変質・劣化し、これに起因して、有機半導体層32の特性が低下し、また、有機半導体層32と電極31、33との間に剥離が生じることから、有機EL素子3の発光効率等の特性が低下してしまう。
これに対して、吸湿剤4の吸湿能が低減するのに先立って、有機EL素子3の非駆動時に制御手段6により加熱手段5を作動して吸湿剤4および上基板22を加熱すると、吸湿剤4に吸着している水分が脱離するとともに、上基板22の水蒸気バリア性が低下する。
そして、このとき、閉空間24の雰囲気の温度も上昇して、その内部の圧力が高くなることから、上基板22を介した閉空間24内から有機EL装置1aの外部への水分の移動が生じることとなる。すなわち、閉空間24内の水分が強制的に有機EL装置1aの外側に排出される。
そして、このとき、閉空間24の雰囲気の温度も上昇して、その内部の圧力が高くなることから、上基板22を介した閉空間24内から有機EL装置1aの外部への水分の移動が生じることとなる。すなわち、閉空間24内の水分が強制的に有機EL装置1aの外側に排出される。
以上のようにして、吸湿剤4に吸着していた水分を有機EL装置1aの外部に排出し得ることから、吸湿剤4の水分の吸湿能が経時的に低減するのを防止できる。その結果、たとえ有機EL装置1a(閉空間24)内に水分が浸入したとしても、この水分を吸湿剤4に吸着させて、有機EL素子3内に浸入するのを経時的に防止できることから、有機EL素子3の特性の低下を好適に抑制または防止することができる。
なお、加熱手段5は、有機EL素子3の非駆動時に制御手段6の制御により作動するものとしたが、その作動するタイミングおよび時間等は、有機EL装置1aの構成等に応じて、任意に設定すればよい。すなわち、有機EL素子3の駆動を停止させる毎に加熱手段5が所定時間作動する構成としてもよいし、定期的に加熱手段5が所定時間作動する構成としてもよい。
以上、説明した有機EL装置1aは、例えばディスプレイ用として用いることができるが、その他にも光源等としても使用可能であり、種々の光学的用途等に用いることが可能である。
また、有機EL装置1aをディスプレイに適用する場合、その駆動方式としては、特に限定されず、アクティブマトリックス方式、パッシブマトリックス方式のいずれであってもよい。
また、有機EL装置1aをディスプレイに適用する場合、その駆動方式としては、特に限定されず、アクティブマトリックス方式、パッシブマトリックス方式のいずれであってもよい。
<<第2実施形態>>
次に、本発明の有機半導体装置を、有機EL装置に適用した場合の第2実施形態について説明する。
図2は、本発明の有機半導体装置を適用した有機EL装置の第2実施形態を示した模式図(縦断面図)である。なお、以下の説明では、図2中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
次に、本発明の有機半導体装置を、有機EL装置に適用した場合の第2実施形態について説明する。
図2は、本発明の有機半導体装置を適用した有機EL装置の第2実施形態を示した模式図(縦断面図)である。なお、以下の説明では、図2中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
以下、第2実施形態について、前記第1実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。
図2に示す有機EL装置1bは、1つの吸湿剤4と1つの加熱手段5を備え、この吸湿剤4が有機EL素子3と接触している以外は、前記第1実施形態の有機EL装置1aと同様である。
図2に示す有機EL装置1bは、1つの吸湿剤4と1つの加熱手段5を備え、この吸湿剤4が有機EL素子3と接触している以外は、前記第1実施形態の有機EL装置1aと同様である。
すなわち、本実施形態では、上基板22側から、加熱手段5および吸湿剤4が、この順で層状に積層され、この層状の吸湿剤4が有機EL素子3の形状に対応して陰極33に接触する構成となっている。
かかる構成とすることにより、吸湿剤4と陰極33との間に空間を設ける必要がないことから、有機EL装置1bの製造が容易であるとともに、有機EL装置1bの小型化を図ることすなわち厚さの薄い有機EL装置1bとすることができる。
かかる構成とすることにより、吸湿剤4と陰極33との間に空間を設ける必要がないことから、有機EL装置1bの製造が容易であるとともに、有機EL装置1bの小型化を図ることすなわち厚さの薄い有機EL装置1bとすることができる。
なお、有機EL装置1bをかかる構成とした場合、吸湿剤4は、加熱手段5の作動時における、加熱手段5側から有機EL素子3側への熱伝導を抑制する断熱材としても機能する。そのため、本実施形態では、吸湿剤4は、前記第1実施形態で説明したものの多孔質体で構成されるのが好ましい。その結果、吸湿剤4は、断熱材としての機能をより顕著に発揮するものとなる。
また、本実施形態のように、吸湿剤4を有機EL素子3に接合することにより、閉空間24内に浸入した水分を、有機EL素子3内に浸入させることなくより確実に吸湿剤4に吸着させることができる。
また、本実施形態のように、吸湿剤4を有機EL素子3に接合することにより、閉空間24内に浸入した水分を、有機EL素子3内に浸入させることなくより確実に吸湿剤4に吸着させることができる。
<<第3実施形態>>
次に、本発明の有機半導体装置を、有機EL装置に適用した場合の第3実施形態について説明する。
図3は、本発明の有機半導体装置を適用した有機EL装置の第3実施形態を示した模式図(縦断面図)である。なお、以下の説明では、図3中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
次に、本発明の有機半導体装置を、有機EL装置に適用した場合の第3実施形態について説明する。
図3は、本発明の有機半導体装置を適用した有機EL装置の第3実施形態を示した模式図(縦断面図)である。なお、以下の説明では、図3中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
以下、第3実施形態について、前記第1実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。
図3に示す有機EL装置1cは、有機EL素子3上に冷却手段7を備える以外は、前記第1実施形態の有機EL装置1aと同様である。
冷却手段7は、有機EL素子3上に接合して設けられ、有機EL素子3を冷却する機能を有するものである。
そして、この冷却手段7は、制御手段6に接続され、有機EL素子3を駆動する時に、制御手段6により作動するよう構成されている。
図3に示す有機EL装置1cは、有機EL素子3上に冷却手段7を備える以外は、前記第1実施形態の有機EL装置1aと同様である。
冷却手段7は、有機EL素子3上に接合して設けられ、有機EL素子3を冷却する機能を有するものである。
そして、この冷却手段7は、制御手段6に接続され、有機EL素子3を駆動する時に、制御手段6により作動するよう構成されている。
ここで、有機EL素子3を駆動して、一対の電極31、33間に電圧を印加することにより、有機半導体層32を発光させると、この発光にともなって、有機半導体層32が発熱する。この発熱により、有機半導体層32に含まれる有機半導体材料(特に、有機発光材料)が変質・劣化する傾向を示すが、上述したような冷却手段7を備える構成とすることにより、有機EL素子3を冷却して、この有機半導体材料の変質・劣化を好適に抑制または防止することができる。その結果、有機EL素子3の発光効率等の特性の低下が好適に抑制または防止される。
冷却手段6による有機EL素子3の冷却温度は、特に限定されないが、−50〜0℃程度であるのが好ましく、−30〜0℃程度であるのがより好ましい。かかる範囲内に設定することにより、有機半導体材料の変質・劣化をより好適に抑制または防止することができる。
冷却手段6としては、各種の方法を用いることができるが、特に、ペルチェ素子を用いるのが好ましい。ペルチェ素子によれば、ペルチェ素子が備える冷却面を陰極33(有機EL素子3)に接触させるという比較的簡単な構成で、有機EL素子3を確実に冷却することができる。
冷却手段6としては、各種の方法を用いることができるが、特に、ペルチェ素子を用いるのが好ましい。ペルチェ素子によれば、ペルチェ素子が備える冷却面を陰極33(有機EL素子3)に接触させるという比較的簡単な構成で、有機EL素子3を確実に冷却することができる。
また、冷却手段6を接合する方法としては、特に限定されないが、例えば、上基板22と加熱手段5との間に粘着剤や接着剤のような固定部材を介在させる方法等が挙げられる。
なお、本実施形態では、図3に示すように、冷却手段7は、有機EL素子3に接合している。これにより、冷却手段7により確実に有機EL素子3を冷却することができる。
なお、本実施形態では、図3に示すように、冷却手段7は、有機EL素子3に接合している。これにより、冷却手段7により確実に有機EL素子3を冷却することができる。
<<第4実施形態>>
次に、本発明の有機半導体装置を、有機EL装置に適用した場合の第4実施形態について説明する。
図4は、本発明の有機半導体装置を適用した有機EL装置の第4実施形態を示した模式図(縦断面図)である。なお、以下の説明では、図4中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
次に、本発明の有機半導体装置を、有機EL装置に適用した場合の第4実施形態について説明する。
図4は、本発明の有機半導体装置を適用した有機EL装置の第4実施形態を示した模式図(縦断面図)である。なお、以下の説明では、図4中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
以下、第4実施形態について、前記第1実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。
図4に示す有機EL装置1dは、1つの吸湿剤4と2つの加熱手段(第1の加熱手段51および第2の加熱手段52)と1つの断熱材8を備え、吸湿剤4に接触する第1の加熱手段51と上基板22に接触する第2の加熱手段52との間に断熱材8が介在する構成となっている以外は、前記第1実施形態の有機EL装置1aと同様である。
すなわち、本実施形態では、上基板22側から、第2の加熱手段52、断熱材8、吸湿剤4および第1の加熱手段51が、この順で層状に積層された構成となっている。
図4に示す有機EL装置1dは、1つの吸湿剤4と2つの加熱手段(第1の加熱手段51および第2の加熱手段52)と1つの断熱材8を備え、吸湿剤4に接触する第1の加熱手段51と上基板22に接触する第2の加熱手段52との間に断熱材8が介在する構成となっている以外は、前記第1実施形態の有機EL装置1aと同様である。
すなわち、本実施形態では、上基板22側から、第2の加熱手段52、断熱材8、吸湿剤4および第1の加熱手段51が、この順で層状に積層された構成となっている。
そして、第1の加熱手段51および第2の加熱手段52に制御手段6が接続され、制御手段6により第1の加熱手段51と第2の加熱手段52とは、同期的に作動するよう構成されている。すなわち、本実施形態では、第1の加熱手段51と第2の加熱手段52とはそれぞれ独立して、有機EL素子3の非駆動時に、制御手段6により、第1の加熱手段51が作動した後、第2の加熱手段52が作動するよう構成されている。かかる構成とすることにより、吸湿剤4を加熱した後に、上基板22を加熱することができる。そのため、吸湿剤4に吸着した水分が脱離し、かつ、閉空間24内の圧力が上昇した後に、上基板22の水蒸気バリア性が低下することとなる。これにより、閉空間24内から有機EL装置1の外側への水分の排出をより確実に行うことができる。
また、断熱材8は、断熱材8の吸湿剤4側から上基板22側への熱伝導を防止する機能を有するものである。このような断熱材8を備える構成とすることにより、上基板22の加熱を、吸湿剤4の加熱の後により確実に行うことができる。
断熱材8としては、熱伝導度の低い構成材料で構成されていればよく、特に限定されるものではないが、例えば、SiO2、Al2O3、ZnOのような無機材料や、ポリウレタン、ポリエチレンテレフタレートのような無機材料で構成される多孔質体等が挙げられ、これらのうちの1種または2種以上を組み合わせて用いることができる。
断熱材8としては、熱伝導度の低い構成材料で構成されていればよく、特に限定されるものではないが、例えば、SiO2、Al2O3、ZnOのような無機材料や、ポリウレタン、ポリエチレンテレフタレートのような無機材料で構成される多孔質体等が挙げられ、これらのうちの1種または2種以上を組み合わせて用いることができる。
<<第5実施形態>>
次に、本発明の有機半導体装置を、有機EL装置に適用した場合の第5実施形態について説明する。
図5は、本発明の有機半導体装置を適用した有機EL装置の第5実施形態を示した模式図(縦断面図)である。なお、以下の説明では、図5中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
次に、本発明の有機半導体装置を、有機EL装置に適用した場合の第5実施形態について説明する。
図5は、本発明の有機半導体装置を適用した有機EL装置の第5実施形態を示した模式図(縦断面図)である。なお、以下の説明では、図5中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
以下、第5実施形態について、前記第1実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。
図5に示す有機EL装置1eは、第1の加熱手段51に代えてペルチェ素子9を備え、このペルチェ素子9の冷却面が陰極33に接触し、ペルチェ素子9の排熱面が吸湿剤4に接触する構成となっている以外は、前記第4実施形態の有機EL装置1dと同様である。
図5に示す有機EL装置1eは、第1の加熱手段51に代えてペルチェ素子9を備え、このペルチェ素子9の冷却面が陰極33に接触し、ペルチェ素子9の排熱面が吸湿剤4に接触する構成となっている以外は、前記第4実施形態の有機EL装置1dと同様である。
すなわち、本実施形態では、ペルチェ素子9が、吸湿剤4を加熱する加熱手段としての機能と、有機EL素子3を冷却する冷却手段としての機能とを併せ持つ構成となっている。かかる構成とすることにより、有機EL素子3の非駆動時における吸湿剤4の加熱と、有機EL素子3の駆動時おける陰極33(有機EL素子3)の冷却との双方をペルチェ素子9の作動により行うことができる。
<電子機器>
このような有機EL装置(本発明の有機半導体装置)1a〜1eは、各種の電子機器に組み込むことができる。
図6は、本発明の電子機器を適用したモバイル型(またはノート型)のパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。
このような有機EL装置(本発明の有機半導体装置)1a〜1eは、各種の電子機器に組み込むことができる。
図6は、本発明の電子機器を適用したモバイル型(またはノート型)のパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。
この図において、パーソナルコンピュータ1100は、キーボード1102を備えた本体部1104と、表示部を備える表示ユニット1106とにより構成され、表示ユニット1106は、本体部1104に対しヒンジ構造部を介して回動可能に支持されている。
このパーソナルコンピュータ1100において、表示ユニット1106が前述の有機EL装置1a〜1eを備えている。
このパーソナルコンピュータ1100において、表示ユニット1106が前述の有機EL装置1a〜1eを備えている。
図7は、本発明の電子機器を適用した携帯電話機(PHSも含む)の構成を示す斜視図である。
この図において、携帯電話機1200は、複数の操作ボタン1202、受話口1204および送話口1206とともに、表示部を備えている。
携帯電話機1200において、この表示部が前述の有機EL装置1a〜1eを備えている。
この図において、携帯電話機1200は、複数の操作ボタン1202、受話口1204および送話口1206とともに、表示部を備えている。
携帯電話機1200において、この表示部が前述の有機EL装置1a〜1eを備えている。
図8は、本発明の電子機器を適用したディジタルスチルカメラの構成を示す斜視図である。なお、この図には、外部機器との接続についても簡易的に示されている。
ここで、通常のカメラは、被写体の光像により銀塩写真フィルムを感光するのに対し、ディジタルスチルカメラ1300は、被写体の光像をCCD(Charge Coupled Device)などの撮像素子により光電変換して撮像信号(画像信号)を生成する。
ここで、通常のカメラは、被写体の光像により銀塩写真フィルムを感光するのに対し、ディジタルスチルカメラ1300は、被写体の光像をCCD(Charge Coupled Device)などの撮像素子により光電変換して撮像信号(画像信号)を生成する。
ディジタルスチルカメラ1300におけるケース(ボディー)1302の背面には、表示部が設けられ、CCDによる撮像信号に基づいて表示を行う構成になっており、被写体を電子画像として表示するファインダとして機能する。
ディジタルスチルカメラ1300において、この表示部が前述の有機EL装置1a〜1eを備えている。
ディジタルスチルカメラ1300において、この表示部が前述の有機EL装置1a〜1eを備えている。
ケースの内部には、回路基板1308が設置されている。この回路基板1308は、撮像信号を格納(記憶)し得るメモリが設置されている。
また、ケース1302の正面側(図示の構成では裏面側)には、光学レンズ(撮像光学系)やCCDなどを含む受光ユニット1304が設けられている。
撮影者が表示部に表示された被写体像を確認し、シャッタボタン1306を押下すると、その時点におけるCCDの撮像信号が、回路基板1308のメモリに転送・格納される。
また、ケース1302の正面側(図示の構成では裏面側)には、光学レンズ(撮像光学系)やCCDなどを含む受光ユニット1304が設けられている。
撮影者が表示部に表示された被写体像を確認し、シャッタボタン1306を押下すると、その時点におけるCCDの撮像信号が、回路基板1308のメモリに転送・格納される。
また、このディジタルスチルカメラ1300においては、ケース1302の側面に、ビデオ信号出力端子1312と、データ通信用の入出力端子1314とが設けられている。そして、図示のように、ビデオ信号出力端子1312にはテレビモニタ1430が、デ−タ通信用の入出力端子1314にはパーソナルコンピュータ1440が、それぞれ必要に応じて接続される。さらに、所定の操作により、回路基板1308のメモリに格納された撮像信号が、テレビモニタ1430や、パーソナルコンピュータ1440に出力される構成になっている。
なお、本発明の電子機器は、図8のパーソナルコンピュータ(モバイル型パーソナルコンピュータ)、図7の携帯電話機、図6のディジタルスチルカメラの他にも、例えば、テレビや、ビデオカメラ、ビューファインダ型、モニタ直視型のビデオテープレコーダ、ラップトップ型パーソナルコンピュータ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳(通信機能付も含む)、電子辞書、電卓、電子ゲーム機器、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、防犯用テレビモニタ、電子双眼鏡、POS端末、タッチパネルを備えた機器(例えば金融機関のキャッシュディスペンサー、自動券売機)、医療機器(例えば電子体温計、血圧計、血糖計、心電表示装置、超音波診断装置、内視鏡用表示装置)、魚群探知機、各種測定機器、計器類(例えば、車両、航空機、船舶の計器類)、フライトシュミレータ、その他各種モニタ類、プロジェクター等の投射型表示装置等に適用することができる。また、本発明の電子機器は、表示機能を有しない発光機能のみを有するものであってもよい。
以上、本発明の有機半導体装置および電子機器を図示の実施形態に基づいて説明したが、本発明はこれらに限定されるものではない。
例えば、本発明の有機半導体装置は、各前記実施形態のうち任意の2以上の構成(特徴)を組み合わせたものであってもよい。
また、本発明の有機半導体装置は、上述した有機発光装置に適用できる他、有機薄膜トランジスタ(有機TFT)のようなスイッチング素子を備えるスイッチング装置にも適用することができる。
さらに、本発明の有機半導体装置の各部の構成は、同様の機能を発揮し得る任意のものと置換することができ、あるいは、任意の構成のものを付加することもできる。
例えば、本発明の有機半導体装置は、各前記実施形態のうち任意の2以上の構成(特徴)を組み合わせたものであってもよい。
また、本発明の有機半導体装置は、上述した有機発光装置に適用できる他、有機薄膜トランジスタ(有機TFT)のようなスイッチング素子を備えるスイッチング装置にも適用することができる。
さらに、本発明の有機半導体装置の各部の構成は、同様の機能を発揮し得る任意のものと置換することができ、あるいは、任意の構成のものを付加することもできる。
1a、1b、1c、1d、1e……有機EL装置 2……ケーシング 21……基板 22……上基板 23……封止部 24……閉空間 3……有機EL素子 31……陽極 32……有機半導体層 33……陰極 4……吸湿剤 5……加熱手段 51……第1の加熱手段 52……第2の加熱手段 6……制御手段 7……冷却手段 8……断熱材 9……ペルチェ素子 1100……パーソナルコンピュータ 1102……キーボード 1104……本体部 1106……表示ユニット 1200……携帯電話機 1202……操作ボタン 1204……受話口 1206……送話口 1300……ディジタルスチルカメラ 1302……ケース(ボディー) 1304……受光ユニット 1306……シャッタボタン 1308……回路基板 1312……ビデオ信号出力端子 1314……データ通信用の入出力端子 1430……テレビモニタ 1440……パーソナルコンピュータ
Claims (20)
- 閉空間を画成し、樹脂材料を主材料として構成される樹脂部を備えるケーシングと、
前記閉空間内に設けられ、主として有機半導体材料で構成される有機半導体膜を備える有機半導体素子と、
前記閉空間内に設けられ、水分を吸湿する吸湿剤と、
前記閉空間内に設けられ、該吸湿剤および前記樹脂部を加熱する機能を有する加熱手段と、
前記加熱手段の作動を制御する機能を有する制御手段とを有し、
前記制御手段は、前記加熱手段を作動させることにより、前記吸湿剤および前記樹脂部を加熱するよう構成されていることを特徴とする有機半導体装置。 - 前記樹脂部は、加熱により水蒸気透過度が上昇する請求項1に記載の有機半導体装置。
- 前記樹脂部は、雰囲気の温度を25℃とした時の前記樹脂部の水蒸気透過度(JIS K 7129に規定)をA[g/m2・day・90%RH]とし、雰囲気の温度を80℃とした時の前記樹脂部の水蒸気透過度(JIS K 7129に準拠)をB[g/m2・day・90%RH]としたとき、B/Aが2以上となる関係を満足する請求項2に記載の有機半導体装置。
- 前記樹脂部は、前記A[g/m2・day・90%RH]が、10以下である請求項2または3に記載の有機半導体装置。
- 前記樹脂部は、前記B[g/m2・day・90%RH]が、20以上である請求項2ないし4のいずれかに記載の有機半導体装置。
- 前記有機半導体素子と前記加熱手段とは、その間に吸湿剤を介在している請求項1ないし5のいずれかに記載の有機半導体装置。
- 前記有機半導体素子と前記加熱手段とは、離間している請求項1ないし6のいずれかに記載の有機半導体装置。
- 複数の前記加熱手段を有し、
各前記加熱手段は、前記吸湿剤に接触する請求項1ないし7のいずれかに記載の有機半導体装置。 - 前記吸湿剤に接触する第1の加熱手段と、前記樹脂部に接触する第2の加熱手段とを有し、
前記第1の加熱手段と前記第2の加熱手段とは、同期的に作動する請求項8に記載の有機半導体装置。 - 前記吸湿剤を加熱した後、前記樹脂部を加熱するよう構成されている請求項9に記載の有機半導体装置。
- 前記制御手段は、前記加熱手段により、前記有機半導体素子の非駆動時に、前記吸湿剤および前記樹脂部を加熱するよう構成されている請求項1ないし10のいずれかに記載の有機半導体装置。
- 前記吸湿剤および前記樹脂部の加熱温度は、50〜180℃の範囲内である請求項1ないし11のいずれかに記載の有機半導体装置。
- 前記加熱手段は、ヒータで構成されている請求項1ないし12のいずれかに記載の有機半導体装置。
- 前記有機半導体素子を冷却する冷却手段を備える請求項1ないし13のいずれかに記載の有機半導体装置。
- 前記制御手段は、前記冷却手段により、前記有機半導体素子の駆動時に、前記有機半導体素子を冷却するよう構成されている請求項14に記載の有機半導体装置。
- 前記有機半導体素子の冷却温度は、−50〜0℃の範囲内である請求項14または15に記載の有機半導体装置。
- 前記冷却手段は、ペルチェ素子で構成されている請求項14ないし16のいずれかに記載の有機半導体装置。
- 前記ケーシングは、そのほぼ全てが前記樹脂部で構成される請求項1ないし17のいずれかに記載の有機半導体装置。
- 前記有機半導体素子は、有機発光素子である請求項1ないし18のいずれかに記載の有機半導体装置。
- 請求項1ないし19のいずれかに記載の有機半導体装置を備えることを特徴とする電子機器。
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