JP2007227896A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】レチクル上に様々なピッチで形成されるパターンをいずれも高い解像度で安定して転写しうる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】斜入射照明を用いた露光を行うことにより、レチクル上に形成されたパターンを半導体基板上に転写する工程を有する半導体装置の製造方法において、斜入射照明を用いた露光を行う工程では、輪帯状の第１の開口部２２が形成され、第１の開口部の周辺に複数の第２の開口部２４ａ１〜２４ａ４が形成された開口絞り１６を用いて露光を行う。
【選択図】 図２

Description

本発明は、半導体装置の製造方法に係り、特に、斜入射照明を用いた半導体装置の製造方法に関する。

半導体装置の微細化に対する要求は絶え間なく続いており、近年では、半導体装置の製造プロセスで用いられる露光光源より波長の短い線幅のパターンを形成することが要求されている。

これに伴い、近時では、パターンを転写する際における解像度を向上するための様々な照明技術が提案されている。このような照明技術としては、例えば斜入射照明が提案されている。斜入射照明は、変形照明と輪帯照明とに大別される。変形照明の主な種類としては、例えば、照明系に設けられる開口絞りに２箇所の開口部が形成された２点照明（二重極照明）や、開口絞りに４箇所の開口部が形成された４点照明（四重極照明）が知られている。一方、輪帯照明は、照明系に設けられる開口絞りにリング状（輪帯状）の開口部が設けられたものである。輪帯照明における開口部の大きさは、外側のσ（アウタシグマ：σ_ｏｕｔ）や内側のシグマσ（インナシグマ：σ_ｉｎ）等により表される。図１８は、従来の輪帯照明用の開口絞りを示す平面図である。図１８における外側の輪郭は、開口絞りの有効領域の輪郭を示している。図１８に示すように、輪帯照明絞りには、輪帯状の開口部１２２が形成されている。図１９は、パターンのピッチと焦点深度（ＤＯＦ：Depth Of Focus）との関係を示すグラフである。図１９における横軸はパターンのピッチを示しており、図１９における縦軸は焦点深度を示している。なお、図１９における焦点深度は、露光寛容度（Exposure Latitude）を４％としたときの値である。

図１９における●印は、図１８に示す従来の輪帯照明絞り１１６を照明系に用いて露光を行った場合における焦点深度を示している。図１９に●印で示すように、従来の輪帯照明絞りを用いて露光を行った場合には、パターンのピッチが３００ｎｍ程度より大きい範囲では、必ずしも十分に深い焦点深度が得られない。

図２０（ａ）は、ホール（穴）を形成するためのマスクパターンのレイアウトを示す平面図である。図２０（ａ）における紙面左側は、ホールを形成するためのパターン１１８ａがレチクル上に高密度に形成されている場合を示している。一方、図２０（ａ）における紙面右側は、ホールを形成するためのパターン１１８ｂがレチクル上に孤立して形成されている場合を示している。

図２０（ｂ）は、ＣＤ−ＦＯＣＵＳ（クリティカルディメンジョン−フォーカス）曲線を示すグラフ（その１）である。図２０（ｂ）における□印は、図２０（ａ）における紙面左側の場合、即ち、ホールを形成するためのパターン１１８ａが比較的高密度に形成されている場合のものである。また、図２０（ｂ）における○印は、図２０（ａ）における紙面右側の場合、即ち、ホールを形成するためのパターン１１８ｂが孤立している場合のものである。このようなＣＤ−ＦＯＣＵＳ曲線を用いれば、焦点深度の変化がレジスト寸法に及ぼす影響を把握することが可能である。図２０（ｂ）における横軸は、パターンを露光する際におけるフォーカスのずれを示している。縦軸は、レジストに転写されたパターンの寸法を示しており、パターンの寸法が最大になったときを１００として、かかる最大寸法に対する相対的なパターン寸法がプロットされている。上に凸の放物線の傾斜が比較的緩やかであることは、焦点深度（ＤＯＦ：Depth Of Focus）は比較的広く、フォーカスマージンが比較的大きいことを意味する。一方、上に凸の放物線の傾斜が比較的急峻であることは、焦点深度が比較的狭く、フォーカスマージンが比較的狭いことを意味する。また、放物線の頂点にあたるフォーカス値のことをベストフォーカスといい、一般には、ベストフォーカスの際のレジスト寸法がもっとも大きくなる。一般に、焦点深度の深さを比較検討する際には、ベストフォーカスのときのレジスト寸法に対して９０％以上となるフォーカス範囲を実効的な焦点深度として比較検討に用いられる。

図２０（ｂ）において○印で示すように、ホールを形成するためのパターン１１８ｂが孤立している場合には、フォーカスマージンがかなり狭くなっている。

フォーカスマージンをより大きくする技術として、輪帯照明絞りを用いた露光技術と補助パターン（ＳＲＡＦ：Sub-resolution Assist Feature）技術とを併用することが提案されている。

図２１（ａ）は、焦点深度拡大のための補助パターン（アシストパターン）を設けた場合を示す平面図である。図２１（ｂ）は、ＣＤ−ＦＯＣＵＳ曲線を示すグラフ（その２）である。図２１（ａ）に示すように、ホールを形成するためのパターンの周囲には、焦点深度を拡大するためのパターン１２１が形成されている。

図２１（ｂ）における□印は、図２０（ｂ）における□印と同様のものである。即ち、図２０（ａ）における紙面左側の場合、即ち、ホールを形成するためのパターン１１８ａが比較的高密度に形成されている場合のものである。また、図２１（ｂ）における○印は、図２０（ｂ）における○印と同様のものである。即ち、図２０（ａ）における紙面右側の場合、即ち、ホールを形成するためのパターン１１８ｂが孤立している場合のものである。図２１（ｂ）における△印は、図２１（ａ）における場合、即ち、ホールを形成するためのパターン１１８ｃの周囲に補助パターン１２１を形成した場合のものである。

図２１（ｂ）から分かるように、補助パターン１２１を適宜設ければ（図２１（ａ）参照）、ホールを形成するためのパターンが孤立している場合（図２０（ａ）参照）と比較して、フォーカスマージンを大きくすることが可能となる。

また、図１９における○印は、密な領域から疎な領域に亘って適宜補助パターンをレチクル上に形成した場合を示すグラフである。図１９に○印で示すように、補助パターン技術を併用すれば、焦点深度を幾分深くすることが期待できる。
２００２−１２２９７６号公報 ２００３−２３４２８５号公報

しかしながら、図１９に○印で示すように、斜入射照明技術と補助パターン技術とを併用した場合であっても、例えばパターンのピッチが３００ｎｍ〜６００ｎｍ程度の範囲では必ずしも十分に深い焦点深度が得られない。このため、レチクル上に様々なピッチで形成されるパターンをいずれも高い解像度で転写する技術が待望されていた。

本発明の目的は、レチクル上に様々なピッチで形成されるパターンをいずれも高い解像度で安定して転写しうる半導体装置の製造方法を提供することにある。

本発明の一観点によれば、斜入射照明を用いた露光を行うことにより、レチクル上に形成されたパターンを半導体基板上に転写する工程を有する半導体装置の製造方法において、前記斜入射照明を用いた露光を行う工程では、輪帯状の第１の開口部が形成され、前記第１の開口部の周辺に複数の第２の開口部が形成された開口絞りを用いて露光を行うことを特徴とする半導体装置の製造方法が提供される。

本発明の他の観点によれば、斜入射照明を用いた露光を行うことにより、レチクル上に形成されたパターンを半導体基板上に転写する工程を有する半導体装置の製造方法において、前記斜入射照明を用いた露光を行う工程は、中心部に輪帯状の第１の開口部が形成された第１の開口絞りを用いて露光を行う工程と；周辺部に複数の第２の開口部が形成された第２の開口絞りを用いて露光を行う工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法が提供される。

本発明の更に他の観点によれば、斜入射照明を用いた露光を行うことにより、レチクル上に形成されたパターンを半導体基板上に転写する工程を有する半導体装置の製造方法において、前記斜入射照明を用いた露光を行う工程では、第１の開口部が形成され、前記第１の開口部を囲むように輪帯状の第２の開口部が形成され、前記第２の開口部を囲むように輪帯状の第３の開口部が形成された開口絞りを用いて露光を行うことを特徴とする半導体装置の製造方法が提供される。

本発明の更に他の観点によれば、斜入射照明を用いた露光を行うことにより、レチクル上に形成されたパターンを半導体基板上に転写する工程を有する半導体装置の製造方法において、前記斜入射照明を用いた露光を行う工程は、第１の開口部が形成された第１の開口絞りを用いて露光を行う工程と；前記第１の開口部の外径より内径が大きい輪帯状の第２の開口部が形成された第２の開口絞りを用いて露光を行う工程と；前記第２の開口部の外径より内径が大きい輪帯状の第３の開口部が形成された第３の開口絞りを用いて露光を行う工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法が提供される。

本発明によれば、中程度のピッチから比較的大きいピッチで配されたパターンを比較的高い解像度で転写し得る輪帯状の第１の開口部と、比較的狭いピッチで配されたパターンを比較的高い解像度で転写しうる第２の開口部とが形成された開口絞りを用いて露光を行うため、パターンのピッチが様々な値に設定されている場合であっても、焦点深度を十分に確保することができ、安定したパターンを転写することが可能となる。

また、本発明によれば、中程度のピッチから比較的大きいピッチで配されたパターンを比較的高い解像度で転写し得る輪帯状の第１の開口部が形成された第１の開口絞りを用いて第１の露光を行い、また、比較的狭いピッチで配されたパターンを比較的高い解像度で転写しうる第２の開口部が形成された第２の開口絞りを用いて第２の露光を行うため、パターンのピッチが様々な値に設定されている場合であっても、焦点深度を十分に確保することができ、安定したパターンを転写することが可能となる。

また、本発明によれば、輪帯状の第１の開口部の外側に輪帯状の第３の開口部が更に形成された開口絞りを用いてパターンを転写するため、ホールを形成するためのパターンが様々な方向に配列されている場合であっても、焦点深度を十分に確保することができ、安定してパターンを転写することができる。

また、本発明によれば、中心に円形状の第１の開口部が形成され、第１の開口部を囲むように輪帯状の第２の開口部が形成され、輪帯状の第２の開口部を囲むように輪帯状の第３の開口部が形成された開口絞りを用いてパターンを転写する。第１の開口部は、孤立パターンが比較的高い解像度で転写されるのに寄与する。また、第２の開口部は、中程度のピッチから比較的大きいピッチで配されたパターンが比較的高い解像度で転写されるのに寄与する。また、第３の開口部は、比較的狭いピッチで配されたパターンが比較的高い解像度で転写されるのに寄与する。また、第３の開口部は、様々な方向に配列されたパターンが比較的高い解像度で転写されるのにも寄与する。従って、本発明によれば、ホールを形成するためのパターンのピッチが様々な値に設定されており、ホールを形成するためのパターンが様々な方向に配列されている場合であっても、焦点深度を十分に確保することができ、ひいては安定してパターンを転写することができる。

［第１実施形態］
本発明の第１実施形態による半導体装置の製造方法を図１乃至図５を用いて説明する。図１は、本実施形態による半導体装置の製造方法で用いられる露光装置を示す概念図である。図２は、本実施形態による半導体装置の製造方法で用いられる開口絞りを示す平面図である。図３は、ハーフトーン型位相シフトマスクの原理を示す概念図である。図４は、パターンのピッチと焦点深度との関係を示すグラフである。図５は、輪帯照明絞りと四重極照明絞りとを示す平面図である。

まず、本実施形態による露光工程で用いられる露光装置を図１を用いて説明する。

図１に示すように、光源１２としては、例えばＡｒＦエキシマレーザが用いられており、図１においては光源１２が模式的に示されている。

光源１２の下方には、光源１２から発せられる光を同じ方向に揃えるためのフライアイ１４が設けられている。

フライアイ１４の下方には、開口絞り１６が設けられている。

本実施形態で用いられる開口絞り１６は、光軸上に開口部が位置しない開口絞り、即ち、斜入射照明用の開口絞り１６である。即ち、本実施形態で用いられる開口絞り１６は、図２に示すように、中心部に輪帯状の第１の開口部２２が形成され、第１の開口部２２の周辺に複数の第２の開口部２４ａ１〜２４ａ４が形成されたものである。第１の開口部２２の外側のσ（アウタシグマ：σ_ｏｕｔ）及び内側のσ（インナシグマ：σ_ｉｎ）は、図１８に示す従来の輪帯照明絞りの開口部１２２の外側のσ_ｏｕｔ及び内側のσ_ｉｎよりそれぞれ小さく設定されている。第２の開口部２４ａ１〜２４ａ４は、レチクル１８の中心から四隅に向かう方向にそれぞれ対応するように、開口絞り１６の４方に配されている。第２の開口部２４ａ１〜２４ａ４は、第２の開口部２４ａ１〜２４ａ４のうちの一部が、開口絞り１６の有効領域（図２における最も外側の輪郭）の外側にはみ出すように配されている。なお、開口絞りの有効領域とは、実際に絞りとして機能しうる領域のことである。また、図２においては、開口絞りの有効領域を除く領域は図示されていないが、実際には、開口絞りの有効領域の外側は、一般的には遮光されている。

開口絞り１６における各々の寸法は、例えば以下の通りとする。開口絞り１６の有効領域の外径は、例えば１．０とする。第１の開口部２２の外側のσ（アウタシグマ：σ_ｏｕｔ）の寸法は、例えば０．４〜０．５とする。第１の開口部２２の内側のσ（インナシグマ：σ_ｉｎ）の寸法は、例えば０．２〜０．３とする。開口絞り１６の中心と第２の開口部２４ａ１〜２４ａ４の中心との間の距離は、例えば０．８〜０．９とする。なお、ここで示された寸法は、開口絞り１６の有効領域の外径を１．０として規格化された値である。レチクル１８のいずれかの側辺に平行な直線であって、開口絞り１６の中心を通る直線（以下、中心線という）を基準とすると、開口部２４ａ１〜２４ａ４は、例えば以下のような方向に形成されている。例えば、開口絞り１６の中心と開口部２４ａ１の中心とを結ぶ線分と、開口絞り１６の中心線との為す角度θ１は、例えば４５度に設定されている。また、開口絞り１６の中心と開口部２４ａ２の中心とを結ぶ線分と、開口絞り１６の中心線との為す角度θ２は、例えば１３５度に設定されている。また、開口絞り１６の中心と開口部２４ａ３の中心とを結ぶ線分と、開口絞り１６の中心線との為す角度θ３は、例えば２２５度に設定されている。また、開口絞り１６の中心と開口部２４ａ４の中心とを結ぶ線分と、開口絞り１６の中心線との為す角度θ４は、例えば３１５度に設定されている。

開口部２２の面積Ｓ１と、開口部２４ａ１〜２４ａ４の面積の総和Ｓ２とは、ほぼ等しく設定されている。

また、開口部２４ａ１〜２４ａ４の直径は、開口部２２の外側のσ_ｏｕｔより小さく設定されている。

なお、各々の開口部２４ａ１〜２４ａ４の中心の位置Ｒ_ｐは、露光に用いる光源の波長をλ、配置ピッチをＰとすると、以下のように設定することが望ましい。

Ｒ_ｐ＝ ｓｉｎ^−１｛λ／［（√２）×Ｐ］｝
なお、本実施形態においてこのような開口絞り１６を用いている理由は、後に詳述することとする。

開口絞り１６の下方には、例えばホール（穴）を形成するためのパターンが形成されたレチクル（フォトマスク）１８が配される。

レチクル１８としては、図３に示すように、例えば、石英乾板１５にＭｏＳｉ等の半透過性の金属薄膜パターン１７が形成されたハーフトーン型位相シフトマスク１８を用いる。

図３（ａ）は、ハーフトーン型位相シフトマスクの断面図を示しており、図３（ｂ）は、レチクルを透過した光の強度分布を示している。図３（ｂ）における太線は、ハーフトーン型位相シフトマスクを用いた場合の光強度分布を示しており、図３（ｂ）における細線は、バイナリマスクを用いた場合の光強度分布を示している。

ハーフトーン型位相シフトマスク１８は、半透過性の金属薄膜パターン１７にわずかな光を透過がするとともに、開口部１８ａの光の位相が金属薄膜パターン１７の部分に対して反転するため、各々の光が重なり合うエッジ部分の光強度が低下するマスクである。図３（ｂ）において太線で示すように、開口部１８ａのエッジ部においては、半透過性の金属薄膜パターン１７をわずかに透過した光と開口部１８ａを透過した光とが互いに打ち消しあうため、光強度分布としては低下する。従って、ハーフトーン型位相シフトマスク１８は、高い解像度を得るためには有利である。

なお、レチクル１８としては、例えば石英乾板上にクロム等の遮光膜より成るパターンが形成されたマスクであるバイナリマスクを用いてもよい。また、レチクル１８として、特定の光が石英乾板を通過したときに光の位相が０度と１８０度になるような効果をもたせたレベンソン型位相ソフトマスクを用いてもよい。

レチクル１８の下方には、投影レンズ１９が配される。

投影レンズ１９の下方には、半導体基板（半導体ウェハ）２２が配される。

このような露光装置を用いて露光を行うと、レチクル１８上に形成されたパターンが半導体基板２０上に転写されることとなる。

本実施形態において図２に示すような開口絞り（Aperture）を用いるのは以下のような理由によるものである。

図４は、パターンのピッチと焦点深度との関係を示すグラフである。図４における横軸はパターンのピッチを示しており、図４における縦軸は焦点深度を示している。なお、図４に示す焦点深度は、露光寛容度（Exposure Latitude）が４％のときの値とした。

図４における●印は、図１８に示すような従来の輪帯照明絞り１１６を用いて露光を行った場合の焦点深度を示している。図４において●印で示すように、従来の輪帯照明絞り１１６を用いて露光を行った場合には、パターンのピッチが３００ｎｍ程度より大きくなると、必ずしも十分に深い焦点深度が得られない。

一方、図４における■印は、図５（ａ）に示すような輪帯照明絞り１６ｅを用いて露光を行った場合の焦点深度を示している。図５（ａ）と図１８とを比較して分かるように、図５（ａ）における輪帯状の開口部２２の内側のσ_ｉｎは図１８における輪帯状の開口部１２２の内側のσ_ｉｎより小さく設定されている。また、図５（ａ）と図１８とを比較して分かるように、図５（ａ）における輪帯状の開口部２２の外側のσ_ｏｕｔは図１８における輪帯状の開口部１２２の外側のσ_ｏｕｔより小さく設定されている。

図４における●印のプロットと■印のプロットとを比較して分かるように、輪帯照明絞りの内側のσ_ｉｎ及び外側のσ_ｏｕｔとを変化させることにより、パターンのピッチに対する焦点深度の特性が著しく異なったものとなることが分かる。

図４において■印で示すように、図５（ａ）に示すような輪帯照明絞り１６ｅを用いて露光を行った場合には、パターンのピッチが３００ｎｍ程度より大きい範囲においては比較的深い焦点深度が得られている。なお、図４において■印で示すように、図５（ａ）に示すような輪帯照明絞りを用いて露光を行った場合には、パターンのピッチが３００ｎｍより小さい範囲においては必ずしも十分に深い焦点深度が得られない。

図４における▲印は、図５（ｂ）に示すような四重極照明絞り１６ｆを用いて露光を行った場合の焦点深度を示している。図４において▲印で示すように、図５（ｂ）に示すような四重極照明絞り１６ｆを用いて露光を行った場合には、パターンのピッチの増加に伴って焦点深度が急激に減少する。なお、図４において▲印で示すように、パターンのピッチが３００ｎｍ程度より大きい範囲においては、必ずしも十分に深い焦点深度が得られない。

本願発明者らは鋭意検討した結果、図５（ａ）に示すような輪帯照明絞り１６ｅの開口部２２と、図５（ｂ）に示すような四重極照明絞り１６ｆの開口部２４ａ１〜２４ａ４とを組み合わせれば、両者の利点を用いることができ、様々なピッチにおいても深い焦点深度を実現し得ることに想到した。即ち、図５（ａ）に示すような開口絞り１６の中心に対して四方に配された比較的小さい開口部２４ａ１〜２４ａ４は、比較的狭いピッチで配されたパターンが比較的高い解像度で転写されるのに寄与する。一方、図５（ｂ）に示すような輪帯状の開口部２２は、中程度のピッチから比較的大きいピッチで配されたパターンが比較的高い解像度で転写されるのに寄与する。

図４における○印は、図２に示すような開口絞り１６を用いて露光を行った場合の焦点深度を示している。図４において○印で示すように、パターンのピッチが増加するに伴って焦点深度はある程度減少するものの、パターンのピッチが３００ｎｍより大きい範囲においても十分に深い焦点深度が得られている。このことから、本実施形態によれば、パターンのピッチが様々な値に設定されている場合であっても、焦点深度を十分に確保することができ、安定したパターンを転写することが可能となる。

次に、本実施形態による半導体装置の製造方法を図６を用いて説明する。図６は、本実施形態による半導体装置の製造方法を示す工程断面図である。

まず、図６（ａ）に示すように、半導体基板２０を用意する。半導体基板２０上には、層間絶縁膜３２が形成されている。層間絶縁膜３２上には、フォトレジスト膜３４が形成されている。なお、フォトレジスト膜３４の上層又は下層には反射防止膜を形成することもあるが、図６においては省略されている。

次に、図１及び図２を用いて上述した露光装置を用いて、レチクル１８に形成されたパターンをフォトレジスト膜３４に転写する（図６（ｂ）参照）。

次に、図６（ｃ）に示すように、フォトレジスト膜３４を現像する。

次に、図６（ｄ）に示すように、フォトレジスト膜３４をマスクとして層間絶縁膜３２をエッチングする。こうして、層間絶縁膜３２にホール（穴）等のパターンが形成される。

次に、図６（ｅ）に示すように、フォトレジスト膜３４を剥離する。

こうして本実施形態による半導体装置が製造される。

なお、ここでは、ホール（穴）を形成するためのパターン１８ａの周辺に補助パターンを設けるか否かについては特に明示しなかったが、図７に示すように、パターン１８ａの周囲に補助パターン（アシストパターン）２１を適宜形成してもよい。図７は、補助パターンが形成されたレチクルを示す平面図である。

図７に示すように、ホールを形成するためのパターン１８ａの周辺には、補助パターン２１が形成されている。図７に示すように補助パターンをレチクル上に設ければ、所望のパターンをより安定して形成することが可能となる。

（変形例（その１））
次に、本実施形態による半導体装置の製造方法の変形例（その１）を図８を用いて説明する。図８は、本変形例による半導体装置の製造方法において用いられる開口絞りを示す平面図である。

本変形例による半導体装置の製造方法は、第２の開口部２４ｂ１〜２４ｂ４が、いずれも開口絞り１６ａの有効領域の内側に配されていることに主な特徴がある。

図２に示す開口絞り１６では、第２の開口部２４ａ１〜２４ａ４のうちの一部が開口絞り１６の有効領域の外側にはみ出すように配されていたが、本変形例では、第２の開口部２４ｂ１〜２４ｂ４は、開口絞り１６ａの有効領域の内側に配されている。なお、開口絞りの有効領域とは、実際に絞りとして機能し得る領域のことである。

このように、第２の開口部２４ｂ１〜２４ｂ４は、開口絞り１６ａの有効領域の内側に配されていてもよい。

本変形例によっても、第１実施形態による半導体装置の製造方法と同様に、パターンのピッチが様々な値に設定されている場合であっても、焦点深度を十分に確保することができ、安定したパターンを転写することが可能となる。

なお、ここでは、ホールを形成するためのパターン１８ａの周辺に補助パターンを設けるか否かについては特に明示しなかったが、図７に示すように、パターン１８ａの周囲に補助パターン２１を適宜形成してもよい。図７に示すように補助パターンをレチクル上に設ければ、所望のパターンをより安定して形成することが可能となる。

（変形例（その２））
次に、本実施形態による半導体装置の製造方法の変形例（その２）を図９を用いて説明する。図９は、本変形例による半導体装置の製造方法において用いられる開口絞りを示す平面図である。

本変形例による半導体装置の製造方法は、輪帯状の開口部２２の周辺に第３の開口部２６ａ１〜２６ａ４が更に形成されていることに主な特徴がある。

図９に示すように、第３の開口部２６ａ１〜２６ａ４は、第２の開口部２４ａ１〜２４ａ４の間にそれぞれ配されている。第３の開口部２６ａ１〜２６ａ４は、開口絞り１６ｂの有効領域の内側に位置している。

換言すれば、本変形例では、輪帯状の開口部２２の周辺に比較的小さい開口部２４ａ１〜２４ａ４、２６ａ１〜２６ａ４が八方に形成されていることに主な特徴がある。

このように、輪帯状の開口部２２の周辺の八方に比較的小さい開口部２４ａ１〜２４ａ４、２６ａ１〜２６ａ４が形成された開口絞り１６ｂを用いて露光を行ってもよい。

本変形例によっても、第１実施形態による半導体装置の製造方法と同様に、パターンのピッチが様々な値に設定されている場合であっても、焦点深度を十分に確保することができ、安定したパターンを転写することが可能となる。

なお、ここでは、ホールを形成するためのパターン１８ａの周辺に補助パターンを設けるか否かについては特に明示しなかったが、図７に示すように、パターン１８ａの周囲に補助パターン２１を適宜形成してもよい。図７に示すように補助パターンをレチクル上に設ければ、所望のパターンをより安定して形成することが可能となる。

（変形例（その３））
次に、本実施形態による半導体装置の製造方法の変形例（その３）を図１０を用いて説明する。図１０は、本変形例による半導体装置の製造方法において用いられる開口絞りを示す平面図である。

本変形例による半導体装置の製造方法は、第３の開口部２８ａ１〜２８ａ４のうちの一部が輪帯状の開口部２２内に位置していることに主な特徴がある。第３の開口部２８ａ１〜２８ａ４の直径は、第２の開口部２４ａ１〜２４ａ４の直径より小さく設定されている。

このように、第３の開口部２８ａ１〜２８ａ４のうちの一部が輪帯状の開口部２２内に位置していてもよい。

本変形例によっても、第１実施形態による半導体装置の製造方法と同様に、パターンのピッチが様々な値に設定されている場合であっても、焦点深度を十分に確保することができ、安定したパターンを転写することが可能となる。

なお、ここでは、ホールを形成するためのパターン１８ａの周辺に補助パターンを設けるか否かについては特に明示しなかったが、図７に示すように、パターン１８ａの周囲に補助パターン２１を適宜形成してもよい。図７に示すように補助パターンをレチクル上に設ければ、所望のパターンをより安定して形成することが可能となる。

（変形例（その４））
次に、本実施形態による半導体装置の製造方法の変形例（その４）を図１１を用いて説明する。図１１は、本変形例による半導体装置の製造方法において用いられる開口絞りを示す平面図である。

本変形例による半導体装置の製造方法は、第３の開口部３０ａ１〜３０ａ４の直径が第２の開口部２４ａ１〜２４ａ４の直径に対して極めて小さく形成されていることに主な特徴がある。第３の開口部３０ａ１〜３０ａ４の直径は例えば０．１〜０．２となっている。なお、ここで示された寸法は、開口絞り１６の有効領域の外径を１．０として規格化された値である。

このように、第３の開口部３０ａ１〜３０ａ４の直径を第２の開口部２４ａ１〜２４ａ４の直径より小さくしてもよい。

本変形例によっても、第１実施形態による半導体装置の製造方法と同様に、パターンのピッチが様々な値に設定されている場合であっても、焦点深度を十分に確保することができ、安定したパターンを転写することが可能となる。

なお、ここでは、ホールを形成するためのパターン１８ａの周辺に補助パターンを設けるか否かについては特に明示しなかったが、図７に示すように、パターン１８ａの周囲に補助パターン２１を適宜形成してもよい。図７に示すように補助パターンをレチクル上に設ければ、所望のパターンをより安定して形成することが可能となる。

［第２実施形態］
本発明の第２実施形態による半導体装置の製造方法を図１２を用いて説明する。図１２は、本実施形態による半導体装置の製造方法において用いられる開口絞りを示す平面図である。図１乃至図１１に示す第１実施形態による半導体装置の製造方法と同一の構成要素には、同一の符号を付して説明を省略または簡潔にする。

本実施形態による半導体装置の製造方法は、中心部に輪帯状の開口部２２が形成された第１の開口絞り１６ｅを用いて第１の露光を行った後に、開口絞りの中心部に対して四方に開口部２４ａ１〜２４ａ４が形成された第２の開口絞り１６ｆを用いて第２の露光を行うことに主な特徴がある。

図１２（ａ）は、開口絞りの中心部に輪帯状の開口部２２が形成された第１の開口絞り１６ｅを示す平面図である。本実施形態で用いられる第１の開口絞り１６ｅは、中心部に輪帯状の開口部２２が形成されたものである。図１２（ａ）と図１８とを比較して分かるように、図１２（ａ）における輪帯状の開口部２２の内側のσ_ｉｎは図１８における輪帯状の開口部１２２の内側のσ_ｉｎより小さく設定されている。また、図１２（ａ）と図１８とを比較して分かるように、図１２（ａ）における輪帯状の開口部２２の外側のσ_ｏｕｔは図１８における輪帯状の開口部１２２の外側のσ_ｏｕｔより小さく設定されている。

開口絞り１６ｅにおける各々の寸法は、例えば以下の通りとする。開口絞り１６ｅの有効領域の外径は、例えば１．０とする。第１の開口部２２の外側のσ_ｏｕｔの寸法は、例えば０．４〜０．５とする。第１の開口部２２の内側のσ_ｉｎの寸法は、例えば０．２〜０．３とする。なお、ここで示された寸法は、開口絞り１６ｅの有効領域の外径を１．０として規格化された値である。

図１２（ｂ）は、中心部の周辺の四方に第２の開口部２４ａ１〜２４ａ４が形成された第２の開口絞り１６ｆを示す平面図である。図１２（ｂ）に示す第２の開口絞り１６ｆにおける第２の開口部２４ａ１〜２４ａ４の位置や形状等は、例えば、図２に示す開口絞り１６における第２の開口部２４ａ１〜２４ａ４の位置や形状等と同様とする。

本実施形態による半導体装置の製造方法では、レチクル１８上に形成されたパターンを、第１の開口絞り１６ｅを用いて露光し、更に、第２の開口絞り１６ｆを用いて露光する。本実施形態では、第１の開口絞り１６ｅを用いた露光は、中程度のピッチから比較的大きいピッチで配されたパターンが比較的高い解像度で転写されるのに寄与する。一方、第２の開口絞り１６ｆを用いた露光は、比較的狭いピッチで配されたパターンが比較的高い解像度で転写されるのに寄与する。従って、本実施形態によっても、第１実施形態において用いた開口絞り１６を用いて露光する場合と同様の効果が得られ、パターンのピッチが様々な値に設定されている場合であっても、焦点深度を十分に確保することができ、安定したパターンを転写することが可能となる。

次に、本実施形態による半導体装置の製造方法を図１３を用いて説明する。図１３は、本実施形態による半導体装置の製造方法を示す工程断面図である。

まず、図１３（ａ）に示すように、半導体基板２０を用意する。半導体基板２０上には、層間絶縁膜３２が形成されている。層間絶縁膜３２上には、フォトレジスト膜３４が形成されている。

次に、図１を用いて上述した露光装置に、図１２（ａ）に示す開口絞り１６ｅを取付け、レチクル１８に形成されたパターンを、半導体基板２０上のフォトレジスト膜３４に転写する。

次に、図１を用いて上述した露光装置に、図１２（ｂ）に示す開口絞り１６ｆを取付け、レチクル１８に形成されたパターンを、半導体基板２０上のフォトレジスト膜３４に転写する（図１３（ｂ）参照）。

次に、図１３（ｃ）に示すように、フォトレジスト膜３４を現像する。

次に、図１３（ｄ）に示すように、フォトレジスト膜３４をマスクとして層間絶縁膜３２をエッチングする。こうして、層間絶縁膜３２にホール（穴）等のパターンが形成される。

次に、図１３（ｅ）に示すように、フォトレジスト膜３４を剥離する。

こうして本実施形態による半導体装置が製造される。

なお、ここでは、ホール（穴）を形成するためのパターン１８ａの周辺に補助パターンを設けるか否かについては特に明示しなかったが、図７に示すように、パターン１８ａの周囲に補助パターン２１を適宜形成してもよい。図７は、補助パターンが形成されたレチクルを示す平面図である。

図７に示すように、ホールを形成するためのパターン１８ａの周辺には、補助パターン２１が形成されている。図７に示すように補助パターンをレチクル上に設ければ、所望のパターンをより安定して形成することが可能となる。

（変形例（その１））
次に、本実施形態による半導体装置の製造方法の変形例（その１）を図１３及び図１４を用いて説明する。図１４は、本変形例による半導体装置の製造方法において用いられる開口絞りを示す平面図である。

本変形例による半導体装置の製造方法は、図１４（ｂ）に示すように、第２回目の露光において用いられる第２の開口絞り１６ｇにおける開口部２４ｂ１〜２４ｂ４が、いずれも開口絞り１６ｇの有効領域の内側に配されていることに主な特徴がある。

図１２（ｂ）に示す開口絞り１６ｆでは、第２の開口部２４ａ１〜２４ａ４のうちの一部が開口絞り１６ｆの有効領域の外側にはみ出すように配されていたが、本変形例では、図１４（ｂ）に示すように、第２の開口部２４ｂ１〜２４ｂ４は、開口絞り１６ｇの有効領域の内側に配されている。なお、開口絞りの有効領域とは、実際に絞りとして機能し得る領域のことである。

このように、第２の開口部２４ｂ１〜２４ｂ４は、開口絞り１６ｇの有効領域の内側に配されていてもよい。

次に、本実施形態による半導体装置の製造方法を図１３を用いて説明する。図１３は、本実施形態による半導体装置の製造方法を示す工程断面図である。

次に、図１を用いて上述した露光装置に、図１４（ａ）に示す開口絞り１６ｅを取付け、レチクル１８に形成されたパターンを、半導体基板２０上のフォトレジスト膜３４に転写する。

次に、図１を用いて上述した露光装置に、図１４（ｂ）に示す開口絞り１６ｇを取付け、レチクル１８に形成されたパターンを、半導体基板２０上のフォトレジスト膜３４に転写する（図１３（ｂ）参照）。なお、フォトレジスト膜３４の上層又は下層に反射防止膜を形成することもあるが、図１３においては反射防止膜は省略されている。

次に、図１３（ｃ）に示すように、フォトレジスト膜３４を現像する。

次に、図１３（ｄ）に示すように、フォトレジスト膜３４をマスクとして層間絶縁膜３２をエッチングする。こうして、層間絶縁膜３２にホール（穴）等のパターンが形成される。

次に、図１３（ｅ）に示すように、フォトレジスト膜３４を剥離する。

こうして本実施形態による半導体装置が製造される。

本変形例によっても、第１実施形態による半導体装置の製造方法と同様に、パターンのピッチが様々な値に設定されている場合であっても、焦点深度を十分に確保することができ、安定したパターンを転写することが可能となる。

なお、ここでは、ホールを形成するためのパターン１８ａの周辺に補助パターンを設けるか否かについては特に明示しなかったが、図７に示すように、パターン１８ａの周囲に補助パターン２１を適宜形成してもよい。図７に示すように補助パターンをレチクル上に設ければ、所望のパターンをより安定して形成することが可能となる。

（変形例（その２））
次に、本実施形態による半導体装置の製造方法の変形例（その２）を図１３及び図１５を用いて説明する。図１５は、本変形例による半導体装置の製造方法において用いられる開口絞りを示す平面図である。

本変形例による半導体装置の製造方法は、図１５（ｂ）に示すように、第２回目の露光において用いられる第２の開口絞り１６ｈにおいて、第２の開口部２４ａ１〜２４ａ４の間のそれぞれに第３の開口部２６ａ１〜２６ａ４が更にそれぞれ形成されていることに主な特徴がある。

図１５（ｂ）に示すように、第３の開口部２６ａ１〜２６ａ４は、第２の開口部２４ａ１〜２４ａ４の間にそれぞれ配されている。第３の開口部２６ａ１〜２６ａ４は、開口絞り１６ｈの有効領域の内側に位置している。

換言すれば、本変形例では、輪帯状の開口部２２の周辺に比較的小さい開口部２４ａ１〜２４ａ４、２６ａ１〜２６ａ４が八方に形成されていることに主な特徴がある。

このように、輪帯状の開口部２２の周辺の八方に比較的小さい開口部２４ａ１〜２４ａ４、２６ａ１〜２６ａ４が形成された開口絞り１６ｈを用いて露光を行ってもよい。

次に、本実施形態による半導体装置の製造方法を図１３を用いて説明する。図１３は、本実施形態による半導体装置の製造方法を示す工程断面図である。

次に、図１を用いて上述した露光装置に、図１５（ａ）に示す開口絞り１６ｅを取付け、レチクル１８に形成されたパターンを、半導体基板２０上のフォトレジスト膜３４に転写する。なお、フォトレジスト膜３４の上層又は下層に反射防止膜を形成することもあるが、図１３においては省略されている。

次に、図１を用いて上述した露光装置に、図１５（ｂ）に示す開口絞り１６ｈを取付けレチクル１８に形成されたパターンを、半導体基板２０上のフォトレジスト膜３４に転写する（図１３（ｂ）参照）。

次に、図１３（ｃ）に示すように、フォトレジスト膜３４を現像する。

次に、図１３（ｄ）に示すように、フォトレジスト膜３４をマスクとして層間絶縁膜３２をエッチングする。こうして、層間絶縁膜３２にホール（穴）等のパターンが形成される。

次に、図１３（ｅ）に示すように、フォトレジスト膜３４を剥離する。

こうして本実施形態による半導体装置が製造される。

本変形例によっても、第１実施形態による半導体装置の製造方法と同様に、パターンのピッチが様々な値に設定されている場合であっても、焦点深度を十分に確保することができ、安定したパターンを転写することが可能となる。

なお、ここでは、ホールを形成するためのパターン１８ａの周辺に補助パターンを設けるか否かについては特に明示しなかったが、図７に示すように、パターン１８ａの周囲に補助パターン２１を適宜形成してもよい。図７に示すように補助パターンをレチクル上に設ければ、所望のパターンをより安定して形成することが可能となる。

（変形例（その３））
次に、本実施形態による半導体装置の製造方法の変形例（その３）を図１３及び図１６を用いて説明する。図１６は、本変形例による半導体装置の製造方法において用いられる開口絞りを示す平面図である。

本変形例による半導体装置の製造方法は、第２回目の露光においても用いられる開口絞り１６ｉにおいて、第３の開口部２８ａ１〜２８ａ４が比較的内側に形成されていることに主な特徴がある。

このように、第１回目の露光の際に用いられる開口絞り１６ｅと第２回目の露光の際に用いられる開口絞り１６ｉとを互いに重ね合わせた場合には、第３の開口部２８ａ１〜２８ａ４のうちの一部は輪帯状の開口部２２内に位置する。

このように、第２回目の露光において用いられる開口絞り１６ｉにおける第３の開口部２８ａ１〜２８ａ４が開口絞り１６ｉの比較的中心側に位置していてもよい。

次に、本実施形態による半導体装置の製造方法を図１３を用いて説明する。図１３は、本実施形態による半導体装置の製造方法を示す工程断面図である。

次に、図１を用いて上述した露光装置に、図１６（ａ）に示す開口絞り１６ｅを取付け、レチクル１８に形成されたパターンを、半導体基板２０上のフォトレジスト膜３４に転写する。

次に、図１を用いて上述した露光装置に、図１６（ｂ）に示す開口絞り１６ｉを取付けレチクル１８に形成されたパターンを、半導体基板２０上のフォトレジスト膜３４に転写する（図１３（ｂ）参照）。

次に、図１３（ｃ）に示すように、フォトレジスト膜３４を現像する。

次に、図１３（ｄ）に示すように、フォトレジスト膜３４をマスクとして層間絶縁膜３２をエッチングする。こうして、層間絶縁膜３２にホール（穴）等のパターンが形成される。

次に、図１３（ｅ）に示すように、フォトレジスト膜３４を剥離する。

こうして本実施形態による半導体装置が製造される。

本変形例によっても、第１実施形態による半導体装置の製造方法と同様に、パターンのピッチが様々な値に設定されている場合であっても、焦点深度を十分に確保することができ、安定したパターンを転写することが可能となる。

なお、ここでは、ホールを形成するためのパターン１８ａの周辺に補助パターンを設けるか否かについては特に明示しなかったが、図７に示すように、パターン１８ａの周囲に補助パターン２１を適宜形成してもよい。図７に示すように補助パターンをレチクル上に設ければ、所望のパターンをより安定して形成することが可能となる。

（変形例（その４））
次に、本実施形態による半導体装置の製造方法の変形例（その４）を図１３及び図１７を用いて説明する。図１７は、本変形例による半導体装置の製造方法において用いられる開口絞りを示す平面図である。

本変形例による半導体装置の製造方法は、第２回目の露光の際に用いられる開口絞り１６ｊにおいて、第３の開口部３０ａ１〜３０ａ４の直径が第２の開口部２４ａ１〜２４ａ４の直径より小さく形成されていることに主な特徴がある。

このように、第３の開口部３０ａ１〜３０ａ４の直径を第２の開口部２４ａ１〜２４ａ４の直径より小さくしてもよい。

次に、本実施形態による半導体装置の製造方法を図１３を用いて説明する。図１３は、本実施形態による半導体装置の製造方法を示す工程断面図である。

次に、図１を用いて上述した露光装置に、図１７（ａ）に示す開口絞り１６ｅを取付け、レチクル１８に形成されたパターンを、半導体基板２０上のフォトレジスト膜３４に転写する。

次に、図１を用いて上述した露光装置に、図１７（ｂ）に示す開口絞り１６ｊを取付けレチクル１８に形成されたパターンを、半導体基板２０上のフォトレジスト膜３４に転写する（図１３（ｂ）参照）。

次に、図１３（ｃ）に示すように、フォトレジスト膜３４を現像する。

次に、図１３（ｄ）に示すように、フォトレジスト膜３４をマスクとして層間絶縁膜３２をエッチングする。こうして、フォトレジスト膜３２にホール（穴）のパターンが形成される。

次に、図１３（ｅ）に示すように、フォトレジスト膜３２を剥離する。

こうして本実施形態による半導体装置が製造される。

本変形例によっても、第１実施形態による半導体装置の製造方法と同様に、パターンのピッチが様々な値に設定されている場合であっても、焦点深度を十分に確保することができ、安定したパターンを転写することが可能となる。

なお、ここでは、ホールを形成するためのパターン１８ａの周辺に補助パターンを設けるか否かについては特に明示しなかったが、図７に示すように、パターン１８ａの周囲に補助パターン２１を適宜形成してもよい。図７に示すように補助パターンをレチクル上に設ければ、所望のパターンをより安定して形成することが可能となる。

［第３実施形態］
第１及び第２実施形態による半導体装置の製造方法によれば、ホールを形成するためのパターンのピッチが様々な値に設定されている場合であっても、焦点深度を十分に確保することができ、安定したパターンを転写することが可能となる。

図２２は、パターンが正方格子状に配列されたレチクルを示す平面図である。図２２において、ｄ１は、互いに隣接するパターン１８ａの間隔、即ち、スペースの寸法を示している。

図２３は、正方格子状に配列されたパターンを転写する場合におけるスペースの寸法ｄ１と焦点深度との関係を示すグラフである。図２３における横軸はスペースの寸法ｄ１を示しており、図２３における縦軸は規格化された焦点深度を示している。なお、図２３における焦点深度は、露光寛容度が４％のときの値とした。図２３における●印は、図１８に示すような従来の輪帯照明絞り１１６を用いて露光を行った場合の焦点深度を示している。図２３における○印は、図２４に示すような通常の開口絞り１２４を用いて露光を行った場合の焦点深度を示している。図２４は、通常の開口絞りを示す平面図である。図２４に示すように、開口絞り１２４には比較的大きな円形状の開口部１２６が形成されている。図２３における□印は、図２に示すような開口絞り１６、即ち、第１実施形態による開口絞り１６を用いて露光を行った場合の焦点深度を示している。

図２３における●印のプロットと○印のプロットと□印のプロットとを比較して分かるように、図２に示すような開口絞り１６を用いて露光を行った場合には、スペースの寸法ｄ１が様々な値に設定されている場合であっても、焦点深度を十分に確保することが可能である。

しかしながら、本願発明者が更に鋭意検討した結果、図２に示すような開口絞り１６を用いて露光を行った場合には、ホールを形成するためのパターン１８ａがレチクル１８の辺に対して斜め方向に配列されていると、焦点深度を十分に確保し得ない場合があることが分かった。

図２５は、パターンが斜め方向に配列されたレチクルを示す平面図である。図２５に示すパターンは、レチクル１８の辺に対して４５度の方向に配列されている。図２５において、ｄ２は、互いに隣接するパターンの間隔１８ａ、即ち、スペースの寸法を示している。

図２６は、斜めに配列されたパターンを転写する場合におけるスペースの寸法ｄ２と焦点深度との関係を示すグラフである。図２６における横軸はスペースの寸法ｄ２を示しており、図２６における縦軸は規格化された焦点深度を示している。なお、図２６における焦点深度は、露光寛容度が４％のときの値とした。図２６における●印は、図１８に示すような従来の輪帯照明絞り１１６を用いて露光を行った場合の焦点深度を示している。図２６における○印は、図２４に示すような通常の開口絞り１２４を用いて露光を行った場合の焦点深度を示している。図２６における□印は、図２に示すような開口絞り１６、即ち、第１実施形態による開口絞り１６を用いて露光を行った場合の焦点深度を示している。

図２６における●印のプロットと○印のプロットと□印のプロットとを比較して分かるように、図２に示すような開口絞り１６を用いて斜めに配列されたパターンを転写する場合には、必ずしも十分な焦点深度を得ることができない。

図２に示すような開口絞り１６を用いて斜めに配列されたパターンを転写する場合に十分な焦点深度が得られないのは、開口絞り１６の中心から４５度、１３５度、２２５度及び３１５度の方向にそれぞれ配された第２の開口部２４ｂ１〜２４ｂ４が、正方格子状に配列されたパターンを転写する際には有利である一方、斜めに配列されたパターンを転写する際には不利であるためと考えられる。仮に、開口絞り１６の中心から０度、９０度、１８０度及び２７９度の方向に第２の開口部２４ｂ１〜ｂ４をそれぞれ配した場合には、斜めに配列されたパターンを転写する際には有利となり、正方格子状に配列されたパターンを転写する際には不利になる。

本願発明者は、鋭意検討した結果、図２７に示すように、輪帯状の第１の開口部２２の外側に輪帯状の第３の開口部３６を更に形成することに想到した。輪帯状の第１の開口部２２の外側に形成される輪帯状の第３の開口部３６は、第２の開口部２４ｂ１〜２４ｂ４のように特定の方向に配されるものではないため、様々な方向に配列されたパターンが比較的高い解像度で転写されるのに寄与し得る。従って、輪帯状の第１の開口部２２の外側に輪帯状の第３の開口部３６が更に形成された開口絞り１６ｋを用いてパターンを転写すれば、ホールを形成するためのパターン１８ａが様々な方向に配列されている場合であっても、焦点深度を十分に確保することができ、安定してパターンを転写することが可能となる。

本発明の第３実施形態による半導体装置の製造方法を図６及び図２７を用いて説明する。図２７は、本実施形態による半導体装置の製造方法において用いられる開口絞りを示す平面図である。図１乃至図１７に示す第１実施形態又は第２実施形態による半導体装置の製造方法と同一の構成要素には、同一の符号を付して説明を省略または簡潔にする。

図２７に示すように、本実施形態で用いられる開口絞り１６ｋは、中心部に輪帯状の第１の開口部２２が形成され、第１の開口部２２を囲むように輪帯状の第３の開口部３６が形成され、第３の開口部３６の周辺に複数の第２の開口部２４ｂ１〜２４ｂ４が形成されたものである。

第３の開口部の内側のσ（インナシグマ：σ_{ｉｎ（２）}）は、第１の開口部の外側のσ（アウタσ：σ_{ｏｕｔ（１）}）より大きく設定されている。換言すれば、第３の開口部３６の内径は、第１の開口部２２の外径より大きく設定されている。

第２の開口部２４ｂ１〜２４ｂ４は、開口絞り１６ｋの有効領域の内側に配されている。

開口絞り１６ｋにおける各々の寸法は、例えば以下の通りとする。なお、ここで示す寸法は、開口絞り１６ｋの有効領域の外径を１．０として規格化された値である。

第１の開口部２２の外側のσ（アウタシグマ：σ_{ｏｕｔ（１）}）の寸法は、例えば、０．４〜０．５とする。第１の開口部２２の内側のσ（インナシグマ：σ_{ｉｎ（１）}）の寸法は、例えば、０．２〜０．３とする。

第３の開口部３６の外側のσ（アウタシグマ：σ_{ｏｕｔ（２）}）の寸法は、例えば、０．５５〜０．７０とする。第３の開口部３６の内側のσ（インナシグマ：σ_{ｉｎ（２）}）の寸法は、例えば、０．７５〜０．９０とする。

開口絞り１６ｋの中心と第２の開口部２４ｂ１〜２４ｂ４の中心との間の距離は、例えば、０．８〜０．９とする。第２の開口部２４ｂ１〜２４ｂ４のうちの一部は、輪帯状の第３の開口部３６内に位置している。レチクル１８のいずれかの辺に平行な直線であって、開口絞り１６ｋの中心を通る直線（中心線）を基準とすると、開口部２４ｂ１〜２４ｂ４は、例えば以下のような方向に形成されている。例えば、開口絞り１６ｋの中心と開口部２４ｂ１の中心とを結ぶ線分と、開口絞り１６ｋの中心線との為す角度は、例えば４５度に設定されている。また、開口絞り１６ｋの中心と開口部２４ｂ２の中心とを結ぶ線分と、開口絞り１６ｋの中心線との為す角度は、例えば１３５度に設定されている。また、開口絞り１６ｋの中心と開口部２４ｂ３の中心とを結ぶ線分と、開口絞り１６ｋの中心線との為す角度は、例えば２２５度に設定されている。また、開口絞り１６ｋの中心と開口部２４ｂ４の中心とを結ぶ線分と、開口絞り１６ｋの中心線との為す角度は、例えば３１５度に設定されている。

こうして、本実施形態による開口絞り１６ｋが構成されている。

次に、本実施形態による半導体装置の製造方法を図６を用いて説明する。

まず、図６に示すように、層間絶縁膜３２及びフォトレジスト膜３４等が形成された半導体基板２０を用意する。

次に、図１を用いて上述した露光装置に、図２７に示す開口絞り１６ｋを取付け、レチクル１８に形成されたパターンを、半導体基板２０上のフォトレジスト膜３４に転写する（図６（ｂ）参照）。

次に、図６（ｃ）に示すように、フォトレジスト膜３４を現像する。

次に、図６（ｄ）に示すように、フォトレジスト膜３４をマスクとして層間絶縁膜３２をエッチングする。こうして、層間絶縁膜３２にホール（穴）等のパターンが形成される。

次に、図６（ｅ）に示すように、フォトレジスト膜３４を剥離する。

こうして本実施形態による半導体装置が製造される。

図２６における■印は、図２７に示すような本実施形態による開口絞り１６ｋを用いて斜めに配列されたパターン（図２５参照）を転写した場合の焦点深度を示している。図２６における□印のプロットと■印のプロットとを比較して分かるように、本実施形態による開口絞り１６ｋを用いた場合には、ホールを形成するためのパターン１８ａが斜めに配列されている場合であっても、十分な焦点深度を確保することが可能となる。

また、図２３における■印は、図２７に示すような本実施形態による開口絞り１６ｋを用いて正方格子状に配列されたパターン（図２２参照）を転写した場合の焦点深度を示している。図２３から分かるように、本実施形態による開口絞り１６ｋを用いた場合には、ホールを形成するためのパターン１８ａが正方格子状に配列されている場合であっても、十分な焦点深度を確保し得る。

これらのことから、本実施形態による開口絞り１６ｋを用いれば、ホールを形成するためのパターン１８ａが様々な方向に配列されている場合であっても、焦点深度を十分に確保し得ることが分かる。

このように、本実施形態によれば、輪帯状の第１の開口部２２の外側に輪帯状の第３の開口部３６が更に形成された開口絞り１６ｋを用いてパターンを転写するため、ホールを形成するためのパターン１８ａが様々な方向に配列されている場合であっても、焦点深度を十分に確保することができ、安定してパターンを転写することができる。

なお、ここでは、ホール（穴）を形成するためのパターン１８ａの周辺に補助パターンを設けるか否かについては特に明示しなかったが、図７に示すように、パターン１８ａの周囲に補助パターン２１を適宜形成してもよい。図７に示すように補助パターンをレチクル上に設ければ、所望のパターンをより安定して形成することが可能となる。

（変形例（その１））
次に、本実施形態による半導体装置の製造方法の変形例（その１）を図２８乃至図３０を用いて説明する。図２８は、本変形例による半導体装置の製造方法において用いられる開口絞りを示す平面図である。図２９は、正方格子状に配列されたパターンを転写する場合におけるスペースの寸法と焦点深度との関係を示すグラフである。図３０は、斜めに配列されたパターンを転写する場合におけるスペースの寸法と焦点深度との関係を示すグラフである。

本変形例における半導体装置の製造方法は、図２８に示すような開口絞り１６ｌを用いてパターンを転写することに主な特徴がある。即ち、本変形例による半導体装置の製造方法は、輪帯状の第３の開口部３６ａの外側のσ（アウタシグマ：σ_{ｏｕｔ（２）}）の寸法及び内側のσ（インナシグマ：σ_{ｉｎ（２）}）の寸法が図２７に示す開口絞り１６ｋの場合より小さく設定されており、第２の開口部２４ｂ１〜２４ｂ４が輪帯状の第３の開口部３６ａ内に位置していない開口絞り１６ｌを用いてパターンを転写することに主な特徴がある。

開口絞り１６ｌにおける各々の寸法は、例えば以下の通りとする。なお、ここで示す寸法は、開口絞り１６ｌの有効領域の外径を１．０として規格化された値である。

第１の開口部２２の外側のσ（アウタシグマ：σ_{ｏｕｔ（１）}）の寸法は、例えば０．４〜０．５とする。第１の開口部２２の内側のσ（インナシグマ：σ_{ｉｎ（１）}）の寸法は、例えば、０．２〜０．３とする。

第３の開口部３６ａの外側のσ（アウタシグマ：σ_{ｏｕｔ（２）}）の寸法は、例えば、０．５５〜０．７０とする。第３の開口部３６ａの内側のσ（インナシグマ：σ_{ｉｎ（２）}）の寸法は、例えば、０．７５〜０．９０とする。

開口絞り１６ｌの中心と第２の開口部２４ｂ１〜２４ｂ４の中心との間の距離は、例えば、０．８０〜０．９０とする。第２の開口部２４ｂ１〜２４ｂ４は、輪帯状の第３の開口部３６ａの外側に位置しており、第３の開口部３６ａ内には位置していない。即ち、第２の開口部２４ｂ１〜２４ｂ４と輪帯状の第３の開口部３６ａとは、重なり合っていない。

こうして、本変形例による開口絞り１６ｌが構成されている。

図２９は、正方格子状に配列されたパターンを転写する場合におけるスペースの寸法ｄ１と焦点深度との関係を示すグラフである。図２９における横軸はスペースの寸法ｄ１を示しており、図２９における縦軸は規格化された焦点深度を示している。なお、図２９における焦点深度は、露光寛容度が４％のときの値とした。図２９における●印は、図１８に示すような従来の輪帯照明絞り１１６を用いて露光を行った場合の焦点深度を示している。図２９における□印は、図２に示すような開口絞り１６、即ち、第１実施形態による開口絞り１６を用いて露光を行った場合の焦点深度を示している。図２９における■印は、図２７に示すような開口絞り１６ｋ、即ち、第３実施形態による開口絞り１６ｋを用いて露光を行った場合の焦点深度を示している。図２９における○印は、図２８に示すような開口絞り１６ｌ、即ち、本変形例による開口絞り１６ｌを用いて露光を行った場合の焦点深度を示している。

図２９から分かるように、本変形例による開口絞り１６ｌを用いた場合にも、十分な焦点深度を確保することが可能である。

図３０は、斜めに配列されたパターンを転写する場合におけるスペースの寸法ｄ２と焦点深度との関係を示すグラフである。図３０における横軸はスペースの寸法ｄ２を示しており、図３０における縦軸は規格化された焦点深度を示している。なお、図３０における焦点深度は、露光寛容度が４％のときの値とした。図３０における●印は、図１８に示すような従来の輪帯照明絞り１１６を用いて露光を行った場合の焦点深度を示している。図３０における□印は、図２に示すような開口絞り１６、即ち、第１実施形態による開口絞り１６を用いて露光を行った場合の焦点深度を示している。図３０における■印は、図２７に示すような開口絞り１６ｋ、即ち、第３実施形態による開口絞り１６ｋを用いて露光を行った場合の焦点深度を示している。図３０における○印は、図２８に示すような開口絞り１６ｌ、即ち、本変形例による開口絞り１６ｌを用いて露光を行った場合の焦点深度を示している。

図３０から分かるように、本変形例による開口絞り１６ｌを用いた場合にも、十分な焦点深度を確保することが可能である。

このように、本変形例によれば、第３実施形態による半導体装置の製造方法と同様に、ホールを形成するためのパターン１８ａが様々な方向に配列されている場合であっても、焦点深度を十分に確保することができ、安定してパターンを転写することが可能となる。

（変形例（その２））
次に、本実施形態による半導体装置の製造方法の変形例（その２）を図３１乃至図３３を用いて説明する。図３１は、本変形例による半導体装置の製造方法において用いられる開口絞りを示す平面図である。図３２は、正方格子状に配列されたパターンを転写する場合におけるスペースの寸法と焦点深度との関係を示すグラフである。図３３は、斜めに配列されたパターンを転写する場合におけるスペースの寸法と焦点深度との関係を示すグラフである。

本変形例による半導体装置の製造方法は、図３１に示すような開口絞り１６ｍを用いてパターンを転写することに主な特徴がある。即ち、本変形例による半導体装置の製造方法は、輪帯状の第３の開口部３６ｂの外側のσ（アウタシグマ：σ_{ｏｕｔ（２）}）の寸法及び内側のσ（インナシグマ：σ_{ｉｎ（２）}）の寸法が図２７に示す開口絞り１６ｋの場合より大きく設定されており、第２の開口部２４ｃ１〜２４ｃ４が輪帯状の第３の開口部３６ｂの内側に位置している開口絞り１６ｍを用いてパターンを転写することに主な特徴がある。

開口絞り１６ｍにおける各々の寸法は、例えば以下の通りとする。なお、ここで示す寸法は、開口絞り１６ｍの有効領域の外径を１．０として規格化された値である。

第１の開口部２２の外側のσ（アウタシグマ：σ_{ｏｕｔ（１）}）の寸法は、例えば、０．４〜０．５とする。第１の開口部２２の内側のσ（インナシグマ：σ_{ｉｎ（１）}）の寸法は、例えば、０．２〜０．３とする。

第３の開口部３６ｂの外側のσ（アウタシグマ：σ_{ｏｕｔ（２）}）の寸法は、例えば、０．８５〜０．９５とする。第３の開口部３６ｂの内側のσ（インナシグマ：σ_{ｉｎ（２）}）の寸法は、例えば、０．７５〜０．８５とする。

開口絞り１６ｍの中心と第２の開口部２４ｃ１〜２４ｃ４の中心との間の距離は、例えば、０．５５〜０．７０とする。第２の開口部２４ｃ１〜２４ｃ４は、輪帯状の第１の開口部２２の外側に位置しており、かつ、輪帯状の第３の開口部３６ｂの内側に位置している。

こうして、本変形例による開口絞り１６ｍが構成されている。

図３２は、正方格子状に配列されたパターンを転写する場合におけるスペースの寸法ｄ１と焦点深度との関係を示すグラフである。図３２における横軸はスペースの寸法ｄ１を示しており、図３２における縦軸は規格化された焦点深度を示している。なお、図３２における焦点深度は、露光寛容度が４％のときの値とした。図３２における●印は、図１８に示すような従来の輪帯照明絞り１１６を用いて露光を行った場合の焦点深度を示している。図３２における□印は、図２に示すような開口絞り１６、即ち、第１実施形態による開口絞り１６を用いて露光を行った場合の焦点深度を示している。図３２における■印は、図２７に示すような開口絞り１６ｋ、即ち、第３実施形態による開口絞り１６ｋを用いて露光を行った場合の焦点深度を示している。図３２における○印は、図３１に示すような開口絞り１６ｍ、即ち、本変形例による開口絞り１６ｍを用いて露光を行った場合の焦点深度を示している。

図３２から分かるように、本変形例による開口絞り１６ｍを用いた場合にも、十分な焦点深度を確保することが可能である。

図３３は、斜めに配列されたパターンを転写する場合におけるスペースの寸法ｄ２と焦点深度との関係を示すグラフである。図３３における横軸はスペースの寸法ｄ２を示しており、図３３における縦軸は規格化された焦点深度を示している。なお、図３３における焦点深度は、露光寛容度が４％のときの値とした。図３３における●印は、図１８に示すような従来の輪帯照明絞り１１６を用いて露光を行った場合の焦点深度を示している。図３３における□印は、図２に示すような開口絞り１６、即ち、第１実施形態による開口絞り１６を用いて露光を行った場合の焦点深度を示している。図３３における■印は、図２７に示すような開口絞り１６ｋ、即ち、第３実施形態による開口絞り１６ｋを用いて露光を行った場合の焦点深度を示している。図３３における○印は、図３１に示すような開口絞り１６ｍ、即ち、本変形例による開口絞り１６ｍを用いて露光を行った場合の焦点深度を示している。

図３３から分かるように、本変形例では、スペースの寸法ｄ２が比較的小さい場合においては、図２に示す開口絞り１６を用いた場合より、焦点深度を大きくすることが可能である。

このように、本変形例の場合にも、焦点深度を十分に確保することが可能であり、安定してパターンを転写することが可能である。

（変形例（その３））
次に、本実施形態による半導体装置の製造方法の変形例（その３）を図３４乃至図３６を用いて説明する。図３４は、本変形例による半導体装置の製造方法において用いられる開口絞りを示す平面図である。図３５は、正方格子状に配列されたパターンを転写する場合におけるスペースの寸法と焦点深度との関係を示すグラフである。図３６は、斜めに配列されたパターンを転写する場合におけるスペースの寸法と焦点深度との関係を示すグラフである。

本変形例による半導体装置の製造方法は、図３４に示すような開口絞り１６ｎを用いてパターンを転写することに主な特徴がある。即ち、本変形例による半導体装置の製造方法は、輪帯状の第３の開口部３６ｃの外側のσ（アウタシグマ：σ_{ｏｕｔ（２）}）の寸法及び内側のσ（インナシグマ：σ_{ｉｎ（２）}）の寸法が図２７に示す開口絞り１６ｋの場合より大きく設定されており、第２の開口部２４ｃ１〜２４ｃ４のうちの一部が輪帯状の第３の開口部３６ｂ内に位置している開口絞り１６ｎを用いてパターンを転写することに主な特徴がある。

開口絞り１６ｎにおける各々の寸法は、例えば以下の通りとする。なお、ここで示す寸法は、開口絞り１６ｎの有効領域の外径を１．０として規格化された値である。

第１の開口部２２の外側のσ（アウタシグマ：σ_{ｏｕｔ（１）}）の寸法は、例えば、０．４〜０．５とする。第１の開口部２２の内側のσ（インナシグマ：σ_{ｉｎ（１）}）の寸法は、例えば、０．２〜０．３とする。

第３の開口部３６ｃの外側のσ（アウタシグマ：σ_{ｏｕｔ（２）}）の寸法は、例えば、０．８〜０．９とする。第３の開口部３６ｃの内側のσ（インナシグマ：σ_{ｉｎ（２）}）の寸法は、例えば、０．７〜０．８とする。

開口絞り１６ｎの中心と第２の開口部２４ｂ１〜２４ｂ４の中心との間の距離は、例えば、０．８〜０．９とする。第２の開口部２４ｂ１〜２４ｂ４のうちの一部は、輪帯状の第３の開口部３６ｃ内に位置している。即ち、第２の開口部２４ｂ１〜２４ｂ４のうちの一部は、輪帯状の第３の開口部３６ｃと重なり合っている。

こうして、本変形例による開口絞り１６ｎが形成されている。

図３５は、正方格子状に配列されたパターンを転写する場合におけるスペースの寸法ｄ１と焦点深度との関係を示すグラフである。図３５における横軸はスペースの寸法ｄ１を示しており、図３５における縦軸は規格化された焦点深度を示している。なお、図３５における焦点深度は、露光寛容度が４％のときの値とした。図３５における●印は、図１８に示すような従来の輪帯照明絞り１１６を用いて露光を行った場合の焦点深度を示している。図３５における□印は、図２に示すような開口絞り１６、即ち、第１実施形態による開口絞り１６を用いて露光を行った場合の焦点深度を示している。図３５における■印は、図２７に示すような開口絞り１６ｋ、即ち、第３実施形態による開口絞り１６ｋを用いて露光を行った場合の焦点深度を示している。図３５における○印は、図３４に示すような開口絞り１６ｎ、即ち、本変形例による開口絞り１６ｎを用いて露光を行った場合の焦点深度を示している。

図３５から分かるように、本変形例による開口絞り１６ｎを用いた場合にも、十分な焦点深度を確保することが可能である。

図３６は、斜めに配列されたパターンを転写する場合におけるスペースの寸法ｄ２と焦点深度との関係を示すグラフである。図３６における横軸はスペースの寸法ｄ２を示しており、図３６における縦軸は規格化された焦点深度を示している。なお、図３６における焦点深度は、露光寛容度が４％のときの値とした。図３６における●印は、図１８に示すような従来の輪帯照明絞り１１６を用いて露光を行った場合の焦点深度を示している。図３６における□印は、図２に示すような開口絞り１６、即ち、第１実施形態による開口絞り１６を用いて露光を行った場合の焦点深度を示している。図３６における■印は、図２７に示すような開口絞り１６ｋ、即ち、第３実施形態による開口絞り１６ｋを用いて露光を行った場合の焦点深度を示している。図３６における○印は、図３４に示すような開口絞り１６ｎ、即ち、本変形例による開口絞り１６ｎを用いて露光を行った場合の焦点深度を示している。

図３６から分かるように、本変形例では、スペースの寸法ｄ２が比較的小さい場合においては、図２に示す開口絞り１６を用いた場合より、焦点深度を大きくすることが可能である。

このように、本変形例の場合にも、焦点深度を十分に確保することが可能であり、安定してパターンを転写することが可能である。

（変形例（その４））
次に、本実施形態による半導体装置の製造方法の変形例（その４）を図３７を用いて説明する。図３７は、本変形例による半導体装置の製造方法において用いられる開口絞りを示す平面図である。

本変形例による半導体装置の製造方法は、図３７に示すような開口絞り１６ｐを用いてパターンを転写することに主な特徴がある。即ち、本変形例による半導体装置の製造方法は、第２の開口部２４ａ１〜２４ａ６が六方に形成された開口絞り１６ｐを用いてパターンを転写することに主な特徴がある。

図３７に示すように、第２の開口部２４ａ１〜２４ａ６が六方に形成されている。

レチクル１８のいずれかの辺に平行な直線であって、開口絞り１６ｏの中心を通る直線（中心線）を基準とすると、開口部２４ｂ１〜２４ｂ６は、例えば以下のような方向に形成されている。例えば、開口絞り１６ｏの中心と開口部２４ｂ１の中心とを結ぶ線分と、開口絞り１６ｏの中心線との為す角度は、例えば３０度に設定されている。また、開口絞り１６ｏの中心と開口部２４ｂ２の中心とを結ぶ線分と、開口絞り１６ｏの中心線との為す角度は、例えば９０度に設定されている。また、開口絞り１６ｏの中心と開口部２４ｂ３の中心とを結ぶ線分と、開口絞り１６ｏの中心線との為す角度は、例えば１５０度に設定されている。また、開口絞り１６ｏの中心と開口部２４ｂ４の中心とを結ぶ線分と、開口絞り１６ｏの中心線との為す角度は、例えば２１０度に設定されている。また、開口絞り１６ｏの中心と開口部２４ｂ５の中心とを結ぶ線分と、開口絞り１６ｏの中心線との為す角度は、例えば２７０度に設定されている。また、開口絞り１６ｏの中心と開口部２４ｂ６の中心とを結ぶ線分と、開口絞り１６ｏの中心線との為す角度は、例えば３３０度に設定されている。

第２の開口部２４ｂ１〜２４ｂ６のうちの一部は、輪帯状の第３の開口部３６内に位置している。即ち、第２の開口部２４ｂ１〜２４ｂ６のうちの一部と輪帯状の第３の開口部３６とが重なり合っている。

本変形例によっても、第３実施形態による半導体装置の製造方法と同様に、ホールを形成するためのパターン１８ａが様々な方向に配列されている場合であっても、焦点深度を十分に確保することができ、安定してパターンを転写することが可能である。

（変形例（その５））
次に、本実施形態による半導体装置の製造方法の変形例（その５）を図３８を用いて説明する。図３８は、本変形例による半導体装置の製造方法において用いられる開口絞りを示す平面図である。

本変形例による半導体装置の製造方法は、図３８に示すような開口絞り１６ｐを用いてパターンを転写することに主な特徴がある。即ち、本変形例による半導体装置の製造方法は、第２の開口部２４ａ１〜２４ａ８が八方に形成された開口絞り１６ｐを用いてパターンを転写することに主な特徴がある。

図３８に示すように、第２の開口部２４ａ１〜２４ａ８が八方に形成されている。

レチクル１８のいずれかの辺に平行な直線であって、開口絞り１６ｐの中心を通る直線（中心線）を基準とすると、開口部２４ｂ１〜２４ｂ８は、例えば以下のような方向に形成されている。例えば、開口絞り１６ｐの中心と開口部２４ｂ１の中心とを結ぶ線分と、開口絞り１６ｐの中心線との為す角度は、例えば０度に設定されている。また、開口絞り１６ｐの中心と開口部２４ｂ２の中心とを結ぶ線分と、開口絞り１６ｐの中心線との為す角度は、例えば４５度に設定されている。また、開口絞り１６ｐの中心と開口部２４ｂ３の中心とを結ぶ線分と、開口絞り１６ｐの中心線との為す角度は、例えば９０度に設定されている。また、開口絞り１６ｐの中心と開口部２４ｂ４の中心とを結ぶ線分と、開口絞り１６ｐの中心線との為す角度は、例えば１３５度に設定されている。また、開口絞り１６ｐの中心と開口部２４ｂ５の中心とを結ぶ線分と、開口絞り１６ｐの中心線との為す角度は、例えば１８０度に設定されている。また、開口絞り１６ｐの中心と開口部２４ｂ６の中心とを結ぶ線分と、開口絞り１６ｐの中心線との為す角度は、例えば２２５度に設定されている。また、開口絞り１６ｐの中心と開口部２４ｂ７の中心とを結ぶ線分と、開口絞り１６ｐの中心線との為す角度は、例えば２７０度に設定されている。また、開口絞り１６ｐの中心と開口部２４ｂ８の中心とを結ぶ線分と、開口絞り１６ｐの中心線との為す角度は、例えば３１５度に設定されている。

第２の開口部２４ｂ１〜２４ｂ８のうちの一部は、輪帯状の第３の開口部３６内に位置している。即ち、第２の開口部２４ｂ１〜２４ｂ８のうちの一部と輪帯状の第３の開口部３６とが重なり合っている。

本変形例によっても、第３実施形態による半導体装置の製造方法と同様に、ホールを形成するためのパターン１８ａが様々な方向に配列されている場合であっても、焦点深度を十分に確保することができ、安定してパターンを転写することが可能である。

（変形例（その６））
次に、本実施形態による半導体装置の製造方法の変形例（その６）を図３９を用いて説明する。図３９は、本変形例による半導体装置の製造方法において用いられる開口絞りを示す平面図である。

本変形例による半導体装置の製造方法は、図３９に示すような開口絞り１６ｑを用いてパターンを転写することに主な特徴がある。即ち、本変形例による半導体装置の製造方法は、中心部に第４の開口部３８が更に形成された開口絞り１６ｑを用いてパターンを転写することに主な特徴がある。

図３９に示すように、開口絞り１６ｑの中心部、即ち、輪帯状の第１の開口部２２ａの内側には、輪帯状の第１の開口部２２ａの内側のσ（インナシグマ：σ_{ｉｎ（１）}）より直径の小さい開口部３８が形成されている。かかる開口部３８は、他のパターンから孤立しているパターン、即ち、孤立パターンが比較的高い解像度で転写されるのに寄与する。

開口絞り１６ｑにおける各々の寸法は、例えば以下の通りとする。なお、ここで示す寸法は、開口絞り１６ｑの有効領域の外径を１．０として規格化された値である。

第１の開口部２２ａの外側のσ（アウタシグマ：σ_{ｏｕｔ（１）}）の寸法は、例えば、０．４〜０．５とする。第１の開口部２２ａの内側のσ（インナシグマ：σ_{ｉｎ（１）}）の寸法は、例えば、０．２〜０．３とする。

第３の開口部３６ｄの外側のσ（アウタシグマ：σ_{ｏｕｔ（２）}）の寸法は、例えば、０．８〜０．９とする。第３の開口部３６ｄの内側のσ（インナシグマ：σ_{ｉｎ（２）}）の寸法は、例えば、０．７〜０．８とする。

開口絞り１６ｑの中心と第２の開口部２４ｂ１〜２４ｂ４の中心との間の距離は、例えば、０．８〜０．９とする。第２の開口部２４ｂ１〜２４ｂ４のうちの一部は、輪帯状の第３の開口部３６ｄ内に位置している。即ち、第２の開口部２４ｂ１〜２４ｂ４のうちの一部は、輪帯状の第３の開口部３６ｄと重なり合っている。

第４の開口部３８の直径は、例えば、０．１〜０．２５とする。

こうして、本変形例による開口絞り１６ｑが形成されている。

本変形例によれば、開口絞り１６ｑの中心に開口部３８が形成されているため、レチクル上に孤立パターンが存在している場合であっても、高い解像度でパターンを転写することが可能となる。

［第４実施形態］
本発明の第４実施形態による半導体装置の製造方法を図６及び図４０を用いて説明する。図４０は、本実施形態による半導体装置の製造方法において用いられる開口絞りを示す平面図である。図１乃至図３９に示す第１実施形態乃至第３実施形態による半導体装置の製造方法と同一の構成要素には、同一の符号を付して説明を省略または簡潔にする。

本実施形態による半導体装置の製造方法は、輪帯状の第１の開口部２２が形成された第１の開口絞り１６ｒを用いて第１の露光を行った後に、開口部２４ｂ１〜２４ｂ４が形成された第２の開口絞り１６ｓを用いて第２の露光を行い、その後、輪帯状の第３の開口部３６が形成された第３の開口絞り１６ｔを用いて第３の露光を行うことに主な特徴がある。

図４０（ａ）は、中心部に輪帯状の第１の開口部２２が形成された第１の開口絞り１６ｒを示す平面図である。本実施形態で用いられる第１の開口絞り１６ｒは、中心部に輪帯状の第１の開口部２２が形成されたものである。図４０（ａ）に示す第１の開口絞り１６ｒにおける第１の開口部２２の位置や形状等は、図２７に示す開口絞り１６ｋにおける第１の開口部２２の位置や形状等と同様とする。

図４０（ｂ）は、中心部の周辺の四方に第２の開口部２４ｂ１〜２４ｂ４が形成された第２の開口絞り１６ｓを示す平面図である。図４０（ｂ）に示す第２の開口絞り１６ｓにおける第２の開口部２４ｂ１〜２４ｂ４の位置や形状等は、図２７に示す開口絞り１６ｋにおける第２の開口部２４ｂ１〜２４ｂ４の位置や形状等と同様とする。

図４０（ｃ）は、輪帯状の第３の開口部３６が形成された第３の開口絞り１６ｔを示す平面図である。図４０（ｃ）に示す第３の開口絞り１６ｔにおける第３の開口部３６の位置や形状は、図２７に示す開口絞り１６ｋにおける第３の開口部３６の位置や形状と同様とする。

次に、本実施形態による半導体装置の製造方法を図６及び図４０を用いて説明する。

まず、図６（ａ）に示すように、層間絶縁膜３２及びフォトレジスト膜３４等が形成された半導体基板２０を用意する。

次に、図１を用いて上述した露光装置に、図４０（ａ）に示す開口絞り１６ｒを取付け、レチクル１８に形成されたパターンを、半導体基板２０上のフォトレジスト膜３４に転写する。

次に、図１を用いて上述した露光装置に、図４０（ｂ）に示す開口絞り１６ｓを取付け、レチクル１８に形成されたパターンを、半導体基板２０上のフォトレジスト膜３４に転写する。

次に、図１を用いて上述した露光装置に、図４０（ｃ）に示す開口絞り１６ｔを取付け、レチクル１８に形成されたパターンを、半導体基板２０上のフォトレジスト膜３４に転写する（図６（ｂ）参照）。

次に、図６（ｃ）に示すように、フォトレジスト膜３４を現像する。

次に、図６（ｄ）に示すように、フォトレジスト膜３４をマスクとして層間絶縁膜３２をエッチングする。こうして、層間絶縁膜３２にホール（穴）等のパターンが形成される。

次に、図６（ｅ）に示すように、フォトレジスト膜３４を剥離する。

こうして本実施形態による半導体装置が製造される。

本実施形態による半導体装置の製造方法では、レチクル１８上に形成されたパターンを、第１の開口絞り１６ｒを用いて露光した後、第２の開口絞り１６ｓを用いて露光し、この後、第３の開口絞り１６ｔを用いて露光する。第１の開口絞り１６ｒを用いた露光は、中程度のピッチから比較的大きいピッチで配されたパターンが比較的高い解像度で転写されるのに寄与する。また、第２の開口絞り１６ｓを用いた露光は、比較的狭いピッチで配されたパターンが比較的高い解像度で転写されるのに寄与する。また、第３の開口絞り１６ｔを用いた露光は、様々な方向に配列されたパターンが比較的高い解像度で転写されるのに寄与する。従って、本実施形態によっても、第３実施形態において用いた開口絞り１６ｋを用いて露光する場合と同様の効果が得られ、ホールを形成するためのパターン１８ａが様々な方向に配列されている場合であっても、焦点深度を十分に確保することができ、安定してパターンを転写することができる。

なお、ここでは、ホール（穴）を形成するためのパターン１８ａの周辺に補助パターンを設けるか否かについては特に明示しなかったが、図７に示すように、パターン１８ａの周囲に補助パターン２１を適宜形成してもよい。図７に示すように補助パターンをレチクル上に設ければ、所望のパターンをより安定して形成することが可能となる。

（変形例（その１））
次に、本実施形態による半導体装置の製造方法の変形例（その１）を図６及び図４１を用いて説明する。図４１は、本変形例による半導体装置の製造方法において用いられる開口絞りを示す平面図である。

本変形例による半導体装置の製造方法は、輪帯状の第１の開口部２２及び輪帯状の第３の開口部３６が形成された第１の開口絞り１６ｕを用いて第１の露光を行った後に、第２の開口部２４ｂ１〜２４ｂ４が形成された第２の開口絞り１６ｖを用いて第２の露光を行うことに主な特徴がある。

図４１（ａ）は、輪帯状の第１の開口部２２及び輪帯状の第３の開口部が形成された第１の開口絞り１６ｕを示す平面図である。本実施形態で用いられる第１の開口絞り１６ｕは、中心部に輪帯状の第１の開口部２２が形成され、第１の開口部２２を囲むように輪帯状の第３の開口部３６が形成されたものである。図４１（ａ）に示す第１の開口絞り１６ｕにおける第１の開口部２２及び第３の開口部３６の位置や形状等は、図２７に示す開口絞り１６ｋにおける第１の開口部２２及び第３の開口部３６の位置や形状等と同様とする。

図４１（ｂ）は、中心部の周辺の四方に第２の開口部２４ｂ１〜２４ｂ４が形成された第２の開口絞り１６ｖを示す平面図である。図４１（ｂ）に示す第２の開口絞り１６ｖにおける第２の開口部２４ｂ１〜２４ｂ４の位置や形状等は、図２７に示す開口絞り１６ｋにおける第２の開口部２４ｂ１〜２４ｂ４の位置や形状等と同様とする。

このように、輪帯状の第１の開口部２２及び輪帯状の第３の開口部３６が形成された第１の開口絞り１６ｕを用いて第１の露光を行った後に、開口部２４ｂ１〜２４ｂ４が形成された第２の開口絞り１６ｖを用いて第２の露光を行うようにしてもよい。

次に、本実施形態による半導体装置の製造方法を図６を用いて説明する。

次に、図１を用いて上述した露光装置に、図４１（ａ）に示す開口絞り１６ｕを取付け、レチクル１８に形成されたパターンを、半導体基板２０上のフォトレジスト膜３４に転写する。

次に、図１を用いて上述した露光装置に、図４１（ｂ）に示す開口絞り１６ｕを取付け、レチクル１８に形成されたパターンを、半導体基板２０上のフォトレジスト膜３４に転写する（図６（ｂ）参照）。

次に、図６（ｃ）に示すように、フォトレジスト膜３４を現像する。

次に、図６（ｄ）に示すように、フォトレジスト膜３４をマスクとして層間絶縁膜３２をエッチングする。こうして、層間絶縁膜３２にホール（穴）等のパターンが形成される。

次に、図６（ｅ）に示すように、フォトレジスト膜３４を剥離する。

こうして本実施形態による半導体装置が製造される。

本変形例によっても、第３実施形態において用いた開口絞り１６ｋを用いて露光する場合と同様の効果が得られ、ホールを形成するためのパターン１８ａが様々な方向に配列されている場合であっても、焦点深度を十分に確保することができ、安定してパターンを転写することができる。

（変形例（その２））
次に、本実施形態による半導体装置の製造方法の変形例（その２）を図６及び図４２を用いて説明する。図４２は、本変形例による半導体装置の製造方法において用いられる開口絞りを示す平面図である。

本変形例による半導体装置の製造方法は、輪帯状の第１の開口部２２が形成された第１の開口絞り１６ｗを用いて第１の露光を行った後に、第２の開口部２４ｂ１〜２４ｂ４及び輪帯状の第３の開口部３６が形成された第２の開口絞り１６ｘを用いて第２の露光を行うことに主な特徴がある。

図４２（ａ）は、輪帯状の第１の開口部２２が形成された第１の開口絞り１６ｗを示す平面図である。本実施形態で用いられる第１の開口絞り１６ｗは、中心部に輪帯状の第１の開口部２２が形成されたものである。図４２（ａ）に示す第１の開口絞り１６ｗにおける第１の開口部２２の位置や形状等は、図２７に示す開口絞り１６ｋにおける第１の開口部２２の位置や形状等と同様とする。

図４２（ｂ）は、輪帯状の第３の開口部３６が形成され、かかる第３の開口部３６の周辺の四方に第２の開口部２４ｂ１〜２４ｂ４が形成された第２の開口絞り１６ｘを示す平面図である。図４２（ｂ）に示す第２の開口絞り１６ｘにおける第２の開口部２４ｂ１〜２４ｂ４及び第３の開口部３６の位置や形状等は、図２７に示す開口絞り１６ｋにおける第２の開口部２４ｂ１〜２４ｂ４及び第３の開口部３６の位置や形状等と同様とする。

このように、輪帯状の第１の開口部２２が形成された第１の開口絞り１６ｗを用いて第１の露光を行った後に、開口部２４ｂ１〜２４ｂ４及び輪帯状の第３の開口部３６が形成された第２の開口絞り１６ｘを用いて第２の露光を行うようにしてもよい。

次に、本実施形態による半導体装置の製造方法を図６を用いて説明する。

次に、図１を用いて上述した露光装置に、図４２（ａ）に示す開口絞り１６ｗを取付け、レチクル１８に形成されたパターンを、半導体基板２０上のフォトレジスト膜３４に転写する。

次に、図１を用いて上述した露光装置に、図４２（ｂ）に示す開口絞り１６ｘを取付け、レチクル１８に形成されたパターンを、半導体基板２０上のフォトレジスト膜３４に転写する（図６（ｂ）参照）。

次に、図６（ｃ）に示すように、フォトレジスト膜３４を現像する。

次に、図６（ｄ）に示すように、フォトレジスト膜３４をマスクとして層間絶縁膜３２をエッチングする。こうして、層間絶縁膜３２にホール（穴）等のパターンが形成される。

次に、図６（ｅ）に示すように、フォトレジスト膜３４を剥離する。

こうして本実施形態による半導体装置が製造される。

本変形例によっても、第３実施形態において用いた開口絞り１６ｋを用いて露光する場合と同様の効果が得られ、ホールを形成するためのパターン１８ａが様々な方向に配列されている場合であっても、焦点深度を十分に確保することができ、安定してパターンを転写することができる。

（変形例（その３））
次に、本実施形態による半導体装置の製造方法の変形例（その３）を図６及び図４３を用いて説明する。図４３は、本変形例による半導体装置の製造方法において用いられる開口絞りを示す平面図である。

本変形例による半導体装置の製造方法は、第１の開口部２２及び第２の開口部２４ｂ１〜２４ｂ４が形成された第１の開口絞り１６ｙを用いて第１の露光を行った後に、第３の開口部３６が形成された第２の開口絞り１６ｚを用いて第２の露光を行うことに主な特徴がある。

図４３（ａ）は、第１の開口部２２及び第２の開口部２４ｂ１〜２４ｂ４が形成された第１の開口絞り１６ｙを示す平面図である。本実施形態で用いられる第１の開口絞り１６ｙは、中心部に輪帯状の第１の開口部２２が形成され、中心部の周辺の四方に第２の開口部２４ｂ１〜２４ｂ４が形成されたものである。図４３（ａ）に示す第１の開口絞り１６ｙにおける第１の開口部２２及び第２の開口部２４ｂ１〜２４ｂ４の位置や形状等は、図２７に示す開口絞り１６ｋにおける第１の開口部２２及び第２の開口部２４ｂ１〜２４ｂ４の位置や形状等と同様とする。

図４３（ｂ）は、輪帯状の第３の開口部３６が形成された第２の開口絞り１６ｚを示す平面図である。図４３（ｂ）に示す第２の開口絞り１６ｚにおける第３の開口部３６の位置や形状等は、図２７に示す開口絞り１６ｋにおける第３の開口部３６の位置や形状等と同様とする。

このように、第１の開口部２２及び第２の開口部２４ｂ１〜２４ｂ４が形成された第１の開口絞り１６ｙを用いて第１の露光を行った後に、第３の開口部３６が形成された第２の開口絞り１６ｚを用いて第２の露光を行うようにしてもよい。

次に、本実施形態による半導体装置の製造方法を図６を用いて説明する。

次に、図１を用いて上述した露光装置に、図４３（ａ）に示す開口絞り１６ｗを取付け、レチクル１８に形成されたパターンを、半導体基板２０上のフォトレジスト膜３４に転写する。

次に、図１を用いて上述した露光装置に、図４３（ｂ）に示す開口絞り１６ｘを取付け、レチクル１８に形成されたパターンを、半導体基板２０上のフォトレジスト膜３４に転写する（図６（ｂ）参照）。

次に、図６（ｃ）に示すように、フォトレジスト膜３４を現像する。

次に、図６（ｄ）に示すように、フォトレジスト膜３４をマスクとして層間絶縁膜３２をエッチングする。こうして、層間絶縁膜３２にホール（穴）等のパターンが形成される。

次に、図６（ｅ）に示すように、フォトレジスト膜３４を剥離する。

こうして本実施形態による半導体装置が製造される。

本変形例によっても、第３実施形態において用いた開口絞り１６ｋを用いて露光する場合と同様の効果が得られ、ホールを形成するためのパターン１８ａが様々な方向に配列されている場合であっても、焦点深度を十分に確保することができ、安定してパターンを転写することができる。

［第５実施形態］
本発明の第５実施形態による半導体装置の製造方法を図６及び図４４を用いて説明する。図４４は、本実施形態による半導体装置の製造方法において用いられる開口絞りを示す平面図である。図１乃至図４３に示す第１実施形態乃至第４実施形態による半導体装置の製造方法と同一の構成要素には、同一の符号を付して説明を省略または簡潔にする。

本実施形態による半導体装置の製造方法は、図４４に示すような開口絞り４０を用いてパターンを転写することに主な特徴がある。即ち、本実施形態による半導体装置の製造方法は、中心に円形状の第１の開口部３８が形成され、第１の開口部３８を囲むように輪帯状の第２の開口部２２ｂが形成され、輪帯状の第２の開口部２２ｂを囲むように輪帯状の第３の開口部３６ｅが形成された開口絞り４０を用いてパターンを転写することに主な特徴がある。

図４４に示すように、開口絞り４０の中心には円形状の第１の開口部３８が形成されている。

第１の開口部３８の周囲には、第１の開口部３８を囲むように輪帯状の第２の開口部２２ｂが形成されている。第２の開口部２２ｂの内側のσ（インナシグマ：σ_{ｉｎ（１）}）は、第１の開口部３８の直径より大きく設定されている。換言すれば、第２の開口部２２ｂの内径は、第１の開口部３８の外径より大きく設定されている。

第２の開口部２２ｂの周囲には、第２の開口部２２ｂを囲むように輪帯状の第３の開口部３６ｅが形成されている。第３の開口部３６ｅの内側のσ（インナシグマ：σ_{ｉｎ（２）}）は、第２の開口部２２ｂの外側のσ（アウタσ：σ_{ｏｕｔ（１）}）より大きく設定されている。換言すれば、第３の開口部３６ｅの内径は、第２の開口部２２ｂの外径より大きく設定されている。

開口絞り４０における各々の寸法は、例えば以下の通りとする。なお、ここで示す寸法は、開口絞り４０の有効領域の外径を１．０として規格化された値である。

第１の開口部３８の直径は、例えば、０．１〜０．２５とする。

第２の開口部２２ｂの外側のσ（アウタシグマ：σ_{ｏｕｔ（１）}）の寸法は、例えば、０．４〜０．５とする。第２の開口部３８の内側のσ（インナシグマ：σ_{ｉｎ（１）}）の寸法は、例えば、０．２〜０．３とする。

第３の開口部３６ｅの外側のσ（アウタシグマ：σ_{ｏｕｔ（２）}）の寸法は、例えば、０．８〜０．９５とする。第３の開口部３６ｅの内側のσ（インナシグマ：σ_{ｉｎ（２）}）の寸法は、例えば、０．７〜０．８とする。

こうして、本実施形態による開口絞り４０が形成されている。

次に、本実施形態による半導体装置の製造方法を図６を用いて説明する。

まず、図６に示すように、層間絶縁膜３２及びフォトレジスト膜３４等が形成された半導体基板２０を用意する。

次に、図１を用いて上述した露光装置に、図４４に示す開口絞り４０を取付け、レチクル１８に形成されたパターンを、半導体基板２０上のフォトレジスト膜３４に転写する（図６（ｂ）参照）。

次に、図６（ｃ）に示すように、フォトレジスト膜３４を現像する。

次に、図６（ｄ）に示すように、フォトレジスト膜３４をマスクとして層間絶縁膜３２をエッチングする。こうして、層間絶縁膜３２にホール（穴）等のパターンが形成される。

次に、図６（ｅ）に示すように、フォトレジスト膜３４を剥離する。

こうして本実施形態による半導体装置が製造される。

このように、本実施形態による半導体装置の製造方法は、中心に円形状の第１の開口部３８が形成され、第１の開口部３８を囲むように輪帯状の第２の開口部２２ｂが形成され、輪帯状の第２の開口部２２ｂを囲むように輪帯状の第３の開口部３６ｅが形成された開口絞り４０を用いてパターンを転写する。第１の開口部３８は、他のパターンから孤立しているパターン、即ち、孤立パターンが比較的高い解像度で転写されるのに寄与する。また、第２の開口部２２ｂは、中程度のピッチから比較的大きいピッチで配されたパターンが比較的高い解像度で転写されるのに寄与する。また、第３の開口部３６ｅは、比較的狭いピッチで配されたパターンが比較的高い解像度で転写されるのに寄与する。また、第３の開口部３６ｅは、様々な方向に配列されたパターンが比較的高い解像度で転写されるのにも寄与する。従って、本実施形態によれば、ホールを形成するためのパターン１８ａのピッチが様々な値に設定されており、ホールを形成するためのパターン１８ａが様々な方向に配列されている場合であっても、焦点深度を十分に確保することができ、ひいては安定してパターンを転写することができる。

なお、ここでは、ホール（穴）を形成するためのパターン１８ａの周辺に補助パターンを設けるか否かについては特に明示しなかったが、図７に示すように、パターン１８ａの周囲に補助パターン２１を適宜形成してもよい。図７に示すように補助パターンをレチクル上に設ければ、所望のパターンをより安定して形成することが可能となる。

［第６実施形態］
本発明の第６実施形態による半導体装置の製造方法を図６及び図４５を用いて説明する。図４５は、本実施形態による半導体装置の製造方法において用いられる開口絞りを示す平面図である。図１乃至図４４に示す第１実施形態乃至第５実施形態による半導体装置の製造方法と同一の構成要素には、同一の符号を付して説明を省略または簡潔にする。

本実施形態による半導体装置の製造方法は、円形状の第１の開口部３８が形成された第１の開口絞り４０ｒを用いて第１の露光を行った後に、輪帯状の第２の開口部２２ｂが形成された第２の開口絞り４０ｂを用いて第２の露光を行い、その後、輪帯状の第３の開口部３６ｅが形成された第３の開口絞り４０ｃを用いて第３の露光を行うことに主な特徴がある。

図４５（ａ）は、中心部に円形状の第１の開口部３８が形成された第１の開口絞り４０ａを示す平面図である。本実施形態で用いられる第１の開口絞り４０ａは、中心部に円形状の第１の開口部３８が形成されたものである。図４５（ａ）に示す第１の開口絞り４０ａにおける第１の開口部３８の位置や形状等は、図４４に示す開口絞り４０における第１の開口部３８の位置や形状等と同様とする。

図４５（ｂ）は、輪帯状の第２の開口部２２ｂが形成された第２の開口絞り４０ｂを示す平面図である。図４５（ｂ）に示す第２の開口絞り４０ｂにおける第２の開口部２２ｂの位置や形状等は、図４４に示す開口絞り４０における第２の開口部２２ｂの位置や形状等と同様とする。

図４５（ｃ）は、輪帯状の第３の開口部３６ｅが形成された第３の開口絞り４０ｃを示す平面図である。図４５（ｃ）に示す第３の開口絞り４０ｃにおける第３の開口部３６ｅの位置や形状は、図４４に示す開口絞り４０における第３の開口部３６ｅの位置や形状と同様とする。

次に、本実施形態による半導体装置の製造方法を図６及び図４５を用いて説明する。

まず、図６（ａ）に示すように、層間絶縁膜３２及びフォトレジスト膜３４等が形成された半導体基板２０を用意する。

次に、図１を用いて上述した露光装置に、図４５（ａ）に示す開口絞り４０ａを取付け、レチクル１８に形成されたパターンを、半導体基板２０上のフォトレジスト膜３４に転写する。

次に、図１を用いて上述した露光装置に、図４５（ｂ）に示す開口絞り４０ｂを取付け、レチクル１８に形成されたパターンを、半導体基板２０上のフォトレジスト膜３４に転写する。

次に、図１を用いて上述した露光装置に、図４５（ｃ）に示す開口絞り４０ｃを取付け、レチクル１８に形成されたパターンを、半導体基板２０上のフォトレジスト膜３４に転写する（図６（ｂ）参照）。

次に、図６（ｃ）に示すように、フォトレジスト膜３４を現像する。

次に、図６（ｄ）に示すように、フォトレジスト膜３４をマスクとして層間絶縁膜３２をエッチングする。こうして、層間絶縁膜３２にホール（穴）等のパターンが形成される。

次に、図６（ｅ）に示すように、フォトレジスト膜３４を剥離する。

こうして本実施形態による半導体装置が製造される。

このように、本実施形態による半導体装置の製造方法では、レチクル１８上に形成されたパターンを、第１の開口絞り４０ａを用いて露光した後、第２の開口絞り４０ｂを用いて露光し、この後、第３の開口絞り４０ｃを用いて露光する。第１の開口絞り４０ａを用いた露光は、孤立パターンを比較的高い解像度で転写するのに寄与する。第２の開口絞り４０ｂを用いた露光は、中程度のピッチから比較的大きいピッチで配されたパターンが比較的高い解像度で転写されるのに寄与する。また、第３の開口絞り４０ｃを用いた露光は、比較的狭いピッチで配されたパターンが比較的高い解像度で転写されるのに寄与する。また、第３の開口絞り４０ｃを用いた露光は、様々な方向に配列されたパターンが比較的高い解像度で転写されるのにも寄与する。従って、本実施形態によれば、第５実施形態において用いた開口絞り４０を用いて露光する場合と同様の効果が得られる。即ち、本実施形態によれば、ホールを形成するためのパターン１８ａのピッチが様々な値に設定されており、ホールを形成するためのパターン１８ａが様々な方向に配列されている場合であっても、焦点深度を十分に確保することができ、ひいては、安定してパターンを転写することができる。

なお、ここでは、ホール（穴）を形成するためのパターン１８ａの周辺に補助パターンを設けるか否かについては特に明示しなかったが、図７に示すように、パターン１８ａの周囲に補助パターン２１を適宜形成してもよい。図７に示すように補助パターンをレチクル上に設ければ、所望のパターンをより安定して形成することが可能となる。

（変形例（その１））
次に、本実施形態による半導体装置の製造方法の変形例（その１）を図６及び図４６を用いて説明する。図４６は、本変形例による半導体装置の製造方法において用いられる開口絞りを示す平面図である。

本変形例による半導体装置の製造方法は、第１の開口部３８及び第２の開口部２２ｂが形成された第１の開口絞り４０ｄを用いて第１の露光を行った後に、第３の開口部３６ｅが形成された第２の開口絞り４０ｅを用いて第２の露光を行うことに主な特徴がある。

図４６（ａ）は、第１の開口部３８及び第２の開口部２２ｂが形成された第１の開口絞り４０ｄを示す平面図である。第１の開口絞り４０ｄは、中心部に第１の開口部３８が形成され、第１の開口部３８を囲むように輪帯状の第２の開口部２２ｂが形成されたものである。図４６（ａ）に示す第１の開口絞り４０ｄにおける第１の開口部３８及び第２の開口部２２ｂの位置や形状等は、図４４に示す開口絞り４０における第１の開口部３８及び第２の開口部２２ｂの位置や形状等と同様とする。

図４６（ｂ）は、第３の開口部３６ｅが形成された第２の開口絞り４０ｅを示す平面図である。図４６（ｂ）に示す第２の開口絞り４０ｅにおける第３の開口部３６ｅの位置や形状等は、図４４に示す開口絞り４０における第３の開口部３６ｅの位置や形状等と同様とする。

次に、本実施形態による半導体装置の製造方法を図６を用いて説明する。

次に、図１を用いて上述した露光装置に、図４６（ａ）に示す開口絞り４０ｄを取付け、レチクル１８に形成されたパターンを、半導体基板２０上のフォトレジスト膜３４に転写する。

次に、図１を用いて上述した露光装置に、図４６（ｂ）に示す開口絞り４０ｅを取付け、レチクル１８に形成されたパターンを、半導体基板２０上のフォトレジスト膜３４に転写する（図６（ｂ）参照）。

次に、図６（ｃ）に示すように、フォトレジスト膜３４を現像する。

次に、図６（ｄ）に示すように、フォトレジスト膜３４をマスクとして層間絶縁膜３２をエッチングする。こうして、層間絶縁膜３２にホール（穴）等のパターンが形成される。

次に、図６（ｅ）に示すように、フォトレジスト膜３４を剥離する。

こうして本実施形態による半導体装置が製造される。

このように、第１の開口部３８及び第２の開口部２２ｂが形成された第１の開口絞り４０ａを用いて第１の露光を行った後に、第３の開口部３６ｅが形成された第２の開口絞り４０ｅを用いて第２の露光を行うようにしてもよい。

本変形例によっても、第５実施形態において用いた開口絞り４０を用いて露光する場合と同様の効果が得られる。従って、本変形例によれば、ホールを形成するためのパターン１８ａのピッチが様々な値に設定されており、ホールを形成するためのパターン１８ａが様々な方向に配列されている場合であっても、焦点深度を十分に確保することができ、ひいては安定してパターンを転写することができる。

（変形例（その２））
次に、本実施形態による半導体装置の製造方法の変形例（その２）を図６及び図４７を用いて説明する。図４７は、本変形例による半導体装置の製造方法において用いられる開口絞りを示す平面図である。

本変形例による半導体装置の製造方法は、第１の開口部３８が形成された第１の開口絞り４０ｆを用いて第１の露光を行った後に、第２の開口部２２ｂ及び第３の開口部３６ｅが形成された第２の開口絞り４０ｇを用いて第２の露光を行うことに主な特徴がある。

図４７（ａ）は、第１の開口部３８が形成された第１の開口絞り４０ｆを示す平面図である。第１の開口絞り４０ｆは、中心部に第１の開口部３８が形成されたものである。図４７（ａ）に示す第１の開口絞り４０ｆにおける第１の開口部３８の位置や形状等は、図４４に示す開口絞り４０における第１の開口部３８の位置や形状等と同様とする。

図４７（ｂ）は、第２の開口部２２ｂ及び第３の開口部３６ｅが形成された第２の開口絞り４０ｇを示す平面図である。図４７（ｂ）に示す第２の開口絞り４０ｇにおける第２の開口部２２ｂ及び第３の開口部３６ｅの位置や形状等は、図４４に示す開口絞り４０における第２の開口部２２ｂ及び第３の開口部３６ｅの位置や形状等と同様とする。

次に、本実施形態による半導体装置の製造方法を図６を用いて説明する。

次に、図１を用いて上述した露光装置に、図４７（ａ）に示す開口絞り４０ｆを取付け、レチクル１８に形成されたパターンを、半導体基板２０上のフォトレジスト膜３４に転写する。

次に、図１を用いて上述した露光装置に、図４７（ｂ）に示す開口絞り４０ｇを取付け、レチクル１８に形成されたパターンを、半導体基板２０上のフォトレジスト膜３４に転写する（図６（ｂ）参照）。

次に、図６（ｃ）に示すように、フォトレジスト膜３４を現像する。

次に、図６（ｄ）に示すように、フォトレジスト膜３４をマスクとして層間絶縁膜３２をエッチングする。こうして、層間絶縁膜３２にホール（穴）等のパターンが形成される。

次に、図６（ｅ）に示すように、フォトレジスト膜３４を剥離する。

こうして本実施形態による半導体装置が製造される。

このように、第１の開口部３８が形成された第１の開口絞り４０ｆを用いて第１の露光を行った後に、第２の開口部２２ｂ及び第３の開口部３６ｅが形成された第２の開口絞り４０ｇを用いて第２の露光を行うようにしてもよい。

本変形例によっても、第５実施形態において用いた開口絞り４０を用いて露光する場合と同様の効果が得られる。従って、本変形例によれば、ホールを形成するためのパターン１８ａのピッチが様々な値に設定されており、ホールを形成するためのパターン１８ａが様々な方向に配列されている場合であっても、焦点深度を十分に確保することができ、ひいては安定してパターンを転写することができる。

（変形例（その３））
次に、本実施形態による半導体装置の製造方法の変形例（その３）を図６及び図４８を用いて説明する。図４８は、本変形例による半導体装置の製造方法において用いられる開口絞りを示す平面図である。

本変形例による半導体装置の製造方法は、第１の開口部３８及び第３の開口部３６ｅが形成された第１の開口絞り４０ｈを用いて第１の露光を行った後に、第２の開口部２２ｂが形成された第２の開口絞り４０ｉを用いて第２の露光を行うことに主な特徴がある。

図４８（ａ）は、第１の開口部３８及び第３の開口部３６ｅが形成された第１の開口絞り４０ｈを示す平面図である。第１の開口絞り４０ｈは、第１の開口部３８と第３の開口部３６ｅとが形成されたものである。図４８（ａ）に示す第１の開口絞り４０ｈにおける第１の開口部３８及び第３の開口部３６ｅの位置や形状等は、図４４に示す開口絞り４０における第１の開口部３８及び第３の開口部３６ｅの位置や形状等と同様とする。

図４８（ｂ）は、第２の開口部２２ｂが形成された第２の開口絞り４０ｉを示す平面図である。図４８（ｂ）に示す第２の開口絞り４０ｉにおける第２の開口部２２ｂの位置や形状等は、図４４に示す開口絞り４０における第２の開口部２２ｂの位置や形状等と同様とする。

次に、本実施形態による半導体装置の製造方法を図６を用いて説明する。

次に、図１を用いて上述した露光装置に、図４７（ａ）に示す開口絞り４０ｈを取付け、レチクル１８に形成されたパターンを、半導体基板２０上のフォトレジスト膜３４に転写する。

次に、図１を用いて上述した露光装置に、図４７（ｂ）に示す開口絞り４０ｉを取付け、レチクル１８に形成されたパターンを、半導体基板２０上のフォトレジスト膜３４に転写する（図６（ｂ）参照）。

次に、図６（ｃ）に示すように、フォトレジスト膜３４を現像する。

次に、図６（ｄ）に示すように、フォトレジスト膜３４をマスクとして層間絶縁膜３２をエッチングする。こうして、層間絶縁膜３２にホール（穴）等のパターンが形成される。

次に、図６（ｅ）に示すように、フォトレジスト膜３４を剥離する。

こうして本実施形態による半導体装置が製造される。

このように、第１の開口部３８及び第３の開口部３６ｅが形成された第１の開口絞り４０ｈを用いて第１の露光を行った後に、第２の開口部２２ｂが形成された第２の開口絞り４０ｉを用いて第２の露光を行うようにしてもよい。

本変形例によっても、第５実施形態において用いた開口絞り４０を用いて露光する場合と同様の効果が得られる。従って、本変形例によれば、ホールを形成するためのパターン１８ａのピッチが様々な値に設定されており、ホールを形成するためのパターン１８ａが様々な方向に配列されている場合であっても、焦点深度を十分に確保することができ、ひいては安定してパターンを転写することができる。

［変形実施形態］
本発明は上記実施形態に限らず種々の変形が可能である。

例えば、第２実施形態では、第１回目の露光において図１２（ａ）に示す開口絞り１６ｅを用い、第２回目の露光において図１２（ｂ）に示す開口絞り１６ｆを用いる場合を例に説明したが、第１回目の露光において図１２（ｂ）に示す開口絞り１６ｆを用い、第２回目の露光において図１２（ａ）に示す開口絞り１６ｅを用いてもよい。

また、第２実施形態の変形例（その１）では、第１回目の露光において図１４（ａ）に示す開口絞り１６ｅを用い、第２回目の露光において図１４（ｂ）に示す開口絞り１６ｇを用いる場合を例に説明したが、第１回目の露光において図１４（ｂ）に示す開口絞り１６ｇを用い、第２回目の露光において図１４（ａ）に示す開口絞り１６ｅを用いてもよい。

また、第２実施形態の変形例（その２）では、第１回目の露光において図１５（ａ）に示す開口絞り１６ｅを用い、第２回目の露光において図１５（ｂ）に示す開口絞り１６ｈを用いる場合を例に説明したが、第１回目の露光において図１５（ｂ）に示す開口絞り１６ｈを用い、第２回目の露光において図１５（ａ）に示す開口絞り１６ｅを用いてもよい。

また、第２実施形態の変形例（その３）では、第１回目の露光において図１６（ａ）に示す開口絞り１６ｅを用い、第２回目の露光において図１６（ｂ）に示す開口絞り１６ｉを用いる場合を例に説明したが、第１回目の露光において図１６（ｂ）に示す開口絞り１６ｉを用い、第２回目の露光において図１６（ａ）に示す開口絞り１６ｅを用いてもよい。

また、第２実施形態の変形例（その４）では、第１回目の露光において図１７（ａ）に示す開口絞り１６ｅを用い、第２回目の露光において図１７（ｂ）に示す開口絞り１６ｊを用いる場合を例に説明したが、第１回目の露光において図１７（ｂ）に示す開口絞り１６ｊを用い、第２回目の露光において図１７（ａ）に示す開口絞り１６ｅを用いてもよい。

また、第４実施形態では、第１回目の露光において図４０（ａ）に示す開口絞り１６ｒを用い、第２回目の露光において図４０（ｂ）に示す開口絞り１６ｓを用い、第３回目の露光において図４０（ｃ）に示す開口絞り１６ｔを用いる場合を例に説明したが、第１回目の露光において図４０（ａ）に示す開口絞り１６ｒを用い、第２回目の露光において図４０（ｃ）に示す開口絞り１６ｔを用い、第３回目の露光において図４０（ｂ）に示す開口絞り１６ｓを用いてもよい。また、第１回目の露光において図４０（ｂ）に示す開口絞り１６ｓを用い、第２回目の露光において図４０（ａ）に示す開口絞り１６ｒを用い、第３回目の露光において図４０（ｃ）に示す開口絞り１６ｔを用いてもよい。また、第１回目の露光において図４０（ｂ）に示す開口絞り１６ｓを用い、第２回目の露光において図４０（ｃ）に示す開口絞り１６ｔを用い、第３回目の露光において図４０（ａ）に示す開口絞り１６ｒを用いてもよい。また、第１回目の露光において図４０（ｃ）に示す開口絞り１６ｔを用い、第２回目の露光において図４０（ａ）に示す開口絞り１６ｒを用い、第３回目の露光において図４０（ｂ）に示す開口絞り１６ｓを用いてもよい。また、第１回目の露光において図４０（ｃ）に示す開口絞り１６ｔを用い、第２回目の露光において図４０（ｂ）に示す開口絞り１６ｓを用い、第３回目の露光において図４０（ａ）に示す開口絞り１６ｒを用いてもよい。

また、第４実施形態では、開口絞り１６ｋ（図２７参照）の開口部２２と同様の開口部２２を開口絞り１６ｒに形成し、開口絞り１６ｋの開口部２４ｂ１〜２４ｂ４と同様の開口部２４ｂ１〜２４ｂ４を開口絞り１６ｓに形成し、開口絞り１６ｋの開口部３６と同様の開口部３６を開口絞り１６ｔに形成する場合を例に説明したが、開口絞り１６ｌ（図２８参照）の開口部２２と同様の開口部２２を開口絞り１６ｒに形成し、開口絞り１６ｌの開口部２４ｂ１〜２４ｂ４と同様の開口部２４ｂ１〜２４ｂ４を開口絞り１６ｓに形成し、開口絞り１６ｌの開口部３６ａと同様の開口部３６ａを開口絞り１６ｔに形成するようにしてもよい。また、開口絞り１６ｍ（図３１参照）の開口部２２と同様の開口部２２を開口絞り１６ｒに形成し、開口絞り１６ｍの開口部２４ｃ１〜２４ｃ４と同様の開口部２４ｃ１〜２４ｃ４を開口絞り１６ｓに形成し、開口絞り１６ｍの開口部３６ｂと同様の開口部３６ｂを開口絞り１６ｔに形成するようにしてもよい。また、開口絞り１６ｎ（図３４参照）の開口部２２と同様の開口部２２を開口絞り１６ｒに形成し、開口絞り１６ｎの開口部２４ｂ１〜２４ｂ４と同様の開口部２４ｂ１〜２４ｂ４を開口絞り１６ｓに形成し、開口絞り１６ｎの開口部３６ｃと同様の開口部３６ｃを開口絞り１６ｔに形成するようにしてもよい。また、開口絞り１６ｏ（図３７参照）の開口部２２と同様の開口部２２を開口絞り１６ｒに形成し、開口絞り１６ｏの開口部２４ｂ１〜２４ｂ６と同様の開口部２４ｂ１〜２４ｂ６を開口絞り１６ｓに形成し、開口絞り１６ｏの開口部３６と同様の開口部３６を開口絞り１６ｔに形成するようにしてもよい。また、開口絞り１６ｐ（図３８参照）の開口部２２と同様の開口部２２を開口絞り１６ｒに形成し、開口絞り１６ｐの開口部２４ｂ１〜２４ｂ８と同様の開口部２４ｂ１〜２４ｂ８を開口絞り１６ｐに形成し、開口絞り１６ｐの開口部３６と同様の開口部３６を開口絞り１６ｔに形成するようにしてもよい。

また、第４実施形態の変形例（その１）では、第１回目の露光において図４１（ａ）に示す開口絞り１６ｕを用い、第２回目の露光において図４１（ｂ）に示す開口絞り１６ｖを用いる場合を例に説明したが、第１回目の露光において図４１（ｂ）に示す開口絞り１６ｖを用い、第２回目の露光において図４１（ａ）に示す開口絞り１６ｕを用いてもよい。

また、第４実施形態の変形例（その１）では、開口絞り１６ｋ（図２７参照）の開口部２２、３６と同様の開口部２２、３６を開口絞り１６ｕに形成し、開口絞り１６ｋの開口部２４ｂ１〜２４ｂ４と同様の開口部２４ｂ１〜２４ｂ４を開口絞り１６ｖに形成する場合を例に説明したが、開口絞り１６ｌ（図２８参照）の開口部２２、３６ａと同様の開口部２２、３６ａを開口絞り１６ｕに形成し、開口絞り１６ｌの開口部２４ｂ１〜２４ｂ４と同様の開口部２４ｂ１〜２４ｂ４を開口絞り１６ｖに形成するようにしてもよい。また、開口絞り１６ｍ（図３１参照）の開口部２２、３６ｂと同様の開口部２２、３６ｂを開口絞り１６ｕに形成し、開口絞り１６ｍの開口部２４ｃ１〜２４ｃ４と同様の開口部２４ｃ１〜２４ｃ４を開口絞り１６ｖに形成するようにしてもよい。また、開口絞り１６ｎ（図３４参照）の開口部２２、３６ｃと同様の開口部２２、３６ｃを開口絞り１６ｕに形成し、開口絞り１６ｎの開口部２４ｂ１〜２４ｂ４と同様の開口部２４ｂ１〜２４ｂ４を開口絞り１６ｖに形成するようにしてもよい。また、開口絞り１６ｏ（図３７参照）の開口部２２、３６と同様の開口部２２、３６を開口絞り１６ｕに形成し、開口絞り１６ｏの開口部２４ｂ１〜２４ｂ６と同様の開口部２４ｂ１〜２４ｂ６を開口絞り１６ｖに形成するようにしてもよい。また、開口絞り１６ｐ（図３８参照）の開口部２２、３６と同様の開口部２２、３６を開口絞り１６ｕに形成し、開口絞り１６ｐの開口部２４ｂ１〜２４ｂ８と同様の開口部２４ｂ１〜２４ｂ８を開口絞り１６ｖに形成するようにしてもよい。

また、第４実施形態の変形例（その２）では、第１回目の露光において図４２（ａ）に示す開口絞り１６ｗを用い、第２回目の露光において図４２（ｂ）に示す開口絞り１６ｘを用いる場合を例に説明したが、第１回目の露光において図４２（ｂ）に示す開口絞り１６ｘを用い、第２回目の露光において図４２（ａ）に示す開口絞り１６ｗを用いてもよい。

また、第４実施形態の変形例（その２）では、開口絞り１６ｋ（図２７参照）の開口部２２と同様の開口部２２を開口絞り１６ｗに形成し、開口絞り１６ｋの開口部２４ｂ１〜２４ｂ４、３６と同様の開口部２４ｂ１〜２４ｂ４、３６を開口絞り１６ｘに形成する場合を例に説明したが、開口絞り１６ｌ（図２８参照）の開口部２２と同様の開口部２２を開口絞り１６ｗに形成し、開口絞り１６ｌの開口部２４ｂ１〜２４ｂ４、３６ａと同様の開口部２４ｂ１〜２４ｂ４、３６ａを開口絞り１６ｘに形成するようにしてもよい。また、開口絞り１６ｍ（図３１参照）の開口部２２と同様の開口部２２を開口絞り１６ｗに形成し、開口絞り１６ｍの開口部２４ｃ１〜２４ｃ４、３６ｂと同様の開口部２４ｃ１〜２４ｃ４、３６ｂを開口絞り１６ｘに形成するようにしてもよい。また、開口絞り１６ｎ（図３４参照）の開口部２２と同様の開口部２２を開口絞り１６ｗに形成し、開口絞り１６ｎの開口部２４ｂ１〜２４ｂ４、３６ｃと同様の開口部２４ｂ１〜２４ｂ４、３６ｃを開口絞り１６ｘに形成するようにしてもよい。また、開口絞り１６ｏ（図３７参照）の開口部２２と同様の開口部２２を開口絞り１６ｗに形成し、開口絞り１６ｏの開口部２４ｂ１〜２４ｂ６、３６と同様の開口部２４ｂ１〜２４ｂ６、３６を開口絞り１６ｘに形成するようにしてもよい。また、開口絞り１６ｐ（図３８参照）の開口部２２と同様の開口部２２を開口絞り１６ｗに形成し、開口絞り１６ｐの開口部２４ｂ１〜２４ｂ８、３６と同様の開口部２４ｂ１〜２４ｂ８、３６を開口絞り１６ｘに形成するようにしてもよい。

また、第４実施形態の変形例（その３）では、第１回目の露光において図４３（ａ）に示す開口絞り１６ｙを用い、第２回目の露光において図４３（ｂ）に示す開口絞り１６ｚを用いる場合を例に説明したが、第１回目の露光において図４３（ｂ）に示す開口絞り１６ｚを用い、第２回目の露光において図４３（ａ）に示す開口絞り１６ｙを用いてもよい。

また、第４実施形態の変形例（その３）では、開口絞り１６ｋ（図２７参照）の開口部２２、２４ｂ１〜２４ｂ４と同様の開口部２２、２４ｂ１〜２４ｂ４を開口絞り１６ｙに形成し、開口絞り１６ｋの開口部３６と同様の開口部３６を開口絞り１６ｚに形成する場合を例に説明したが、開口絞り１６ｌ（図２８参照）の開口部２２、２４ｂ１〜２４ｂ４と同様の開口部２２、２４ｂ１〜２４ｂ４を開口絞り１６ｙに形成し、開口絞り１６ｌの開口部３６ａと同様の開口部３６ａを開口絞り１６ｚに形成するようにしてもよい。また、開口絞り１６ｍ（図３１参照）の開口部２２、２４ｃ１〜２４ｃ４と同様の開口部２２、２４ｃ１〜２４ｃ４を開口絞り１６ｙに形成し、開口絞り１６ｍの開口部３６ｂと同様の開口部３６ｂを開口絞り１６ｚに形成するようにしてもよい。また、開口絞り１６ｎ（図３４参照）の開口部２２、２４ｂ１〜２４ｂ４と同様の開口部２２、２４ｂ１〜２４ｂ４を開口絞り１６ｙに形成し、開口絞り１６ｎの開口部３６ｃと同様の開口部３６ｃを開口絞り１６ｚに形成するようにしてもよい。また、開口絞り１６ｏ（図３７参照）の開口部２２、２４ｂ１〜２４ｂ６と同様の開口部２２、２４ｂ１〜２４ｂ６を開口絞り１６ｙに形成し、開口絞り１６ｏの開口部３６と同様の開口部３６を開口絞り１６ｚに形成するようにしてもよい。また、開口絞り１６ｐ（図３８参照）の開口部２２、２４ｂ１〜２４ｂ８と同様の開口部２２、２４ｂ１〜２４ｂ８を開口絞り１６ｙに形成し、開口絞り１６ｐの開口部３６と同様の開口部３６を開口絞り１６ｚに形成するようにしてもよい。

また、第６実施形態では、第１回目の露光において図４５（ａ）に示す開口絞り４０ａを用い、第２回目の露光において図４５（ｂ）に示す開口絞り４０ｂを用い、第３回目の露光において図４５（ｃ）に示す開口絞り４０ｃを用いる場合を例に説明したが、第１回目の露光において図４５（ａ）に示す開口絞り４０ａを用い、第２回目の露光において図４５（ｃ）に示す開口絞り４０ｃを用い、第３回目の露光において図４５（ｂ）に示す開口絞り４０ｂを用いてもよい。また、第１回目の露光において図４５（ｂ）に示す開口絞り４０ｂを用い、第２回目の露光において図４５（ａ）に示す開口絞り４０ａを用い、第３回目の露光において図４５（ｃ）に示す開口絞り４０ｃを用いてもよい。また、第１回目の露光において図４５（ｂ）に示す開口絞り４０ｂを用い、第２回目の露光において図４５（ｃ）に示す開口絞り４０ｃを用い、第３回目の露光において図４５（ａ）に示す開口絞り４０ａを用いてもよい。また、第１回目の露光において図４５（ｃ）に示す開口絞り４０ｃを用い、第２回目の露光において図４５（ａ）に示す開口絞り４０ａを用い、第３回目の露光において図４５（ｂ）に示す開口絞り４０ｂを用いてもよい。また、第１回目の露光において図４５（ｃ）に示す開口絞り４０ｃを用い、第２回目の露光において図４５（ｂ）に示す開口絞り４０ｂを用い、第３回目の露光において図４５（ａ）に示す開口絞り４０ａを用いてもよい。

また、第６実施形態の変形例（その１）では、第１回目の露光において図４６（ａ）に示す開口絞り４０ｄを用い、第２回目の露光において図４６（ｂ）に示す開口絞り４０ｅを用いる場合を例に説明したが、第１回目の露光において図４６（ｂ）に示す開口絞り４０ｅを用い、第２回目の露光において図４６（ａ）に示す開口絞り４０ｄを用いてもよい。

また、第６実施形態の変形例（その２）では、第１回目の露光において図４７（ａ）に示す開口絞り４０ｆを用い、第２回目の露光において図４７（ｂ）に示す開口絞り４０ｇを用いる場合を例に説明したが、第１回目の露光において図４７（ｂ）に示す開口絞り４０ｇを用い、第２回目の露光において図４７（ａ）に示す開口絞り４０ｆを用いてもよい。

また、第６実施形態の変形例（その３）では、第１回目の露光において図４８（ａ）に示す開口絞り４０ｈを用い、第２回目の露光において図４８（ｂ）に示す開口絞り４０ｉを用いる場合を例に説明したが、第１回目の露光において図４８（ｂ）に示す開口絞り４０ｉを用い、第２回目の露光において図４８（ａ）に示す開口絞り４０ｈを用いてもよい。

以上詳述した通り、本発明の特徴をまとめると以下のようになる。
（付記１）
斜入射照明を用いた露光を行うことにより、レチクル上に形成されたパターンを半導体基板上に転写する工程を有する半導体装置の製造方法において、
前記斜入射照明を用いた露光を行う工程では、輪帯状の第１の開口部が形成され、前記第１の開口部の周辺に複数の第２の開口部が形成された開口絞りを用いて露光を行う
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
（付記２）
付記１記載の半導体装置の製造方法において、
前記開口絞りは、前記第１の開口部を囲むように形成された、輪帯状の第３の開口部を更に有する
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
（付記３）
付記１又は２記載の半導体装置の製造方法において、
前記第２の開口部の数は４個以上である
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
（付記４）
付記１記載の半導体装置の製造方法において、
前記第１の開口部の面積と、前記複数の第２の開口部の面積の総和とは、互いにほぼ等しい
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
（付記５）
付記１乃至４のいずれかに記載の半導体装置の製造方法において、
前記第２の開口部の直径は、前記第１の開口部の外径より小さい
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
（付記６）
付記１乃至５のいずれかに記載の半導体装置の製造方法において、
前記第２の開口部は、前記第２の開口部のうちの一部が前記開口絞りの有効範囲からはみ出すように配されている
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
（付記７）
付記１乃至５のいずれかに記載の半導体装置の製造方法において、
前記第２の開口部は、前記開口絞りの有効範囲内に配されている
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
（付記８）
付記１記載の半導体装置の製造方法において、
前記第１の開口部の周辺における前記複数の第２の開口部の間に、第３の開口部が更にそれぞれ形成されている
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
（付記９）
付記８記載の半導体装置の製造方法において、
前記第３の開口部のうちの一部が前記第１の開口部内に位置している
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
（付記１０）
付記８記載の半導体装置の製造方法において、
前記第３の開口部の直径は、前記第２の開口部の直径より小さい
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
（付記１１）
付記２記載の半導体装置の製造方法において、
前記第２の開口部が前記第３の開口部の外側に位置している
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
（付記１２）
付記２記載の半導体装置の製造方法において、
前記第２の開口部のうちの一部が前記第３の開口部内に位置している
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
（付記１３）
付記２記載の半導体装置の製造方法において、
前記第２の開口部は、前記第３の開口部の内側に位置している
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
（付記１４）
付記２記載の半導体装置の製造方法において、
前記開口絞りは、前記第１の開口部の内側に形成された第４の開口部を更に有する
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
（付記１５）
斜入射照明を用いた露光を行うことにより、レチクル上に形成されたパターンを半導体基板上に転写する工程を有する半導体装置の製造方法において、
前記斜入射照明を用いた露光を行う工程は、中心部に輪帯状の第１の開口部が形成された第１の開口絞りを用いて露光を行う工程と；周辺部に複数の第２の開口部が形成された第２の開口絞りを用いて露光を行う工程とを有する
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
（付記１６）
付記１５記載の半導体装置の製造方法において、
前記斜入射照明を用いた露光を行う工程は、前記第１の開口部の外径より内径が大きい輪帯状の第３の開口部が形成された第３の開口絞りを用いて露光を行う工程を更に有する
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
（付記１７）
付記１５記載の半導体装置の製造方法において、
前記第１の開口絞りは、前記第１の開口部の外径より内径が大きい輪帯状の第３の開口部を更に有する
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
（付記１８）
斜入射照明を用いた露光を行うことにより、レチクル上に形成されたパターンを半導体基板上に転写する工程を有する半導体装置の製造方法において、
前記斜入射照明を用いた露光を行う工程では、第１の開口部が形成され、前記第１の開口部を囲むように輪帯状の第２の開口部が形成され、前記第２の開口部を囲むように輪帯状の第３の開口部が形成された開口絞りを用いて露光を行う
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
（付記１９）
斜入射照明を用いた露光を行うことにより、レチクル上に形成されたパターンを半導体基板上に転写する工程を有する半導体装置の製造方法において、
前記斜入射照明を用いた露光を行う工程は、第１の開口部が形成された第１の開口絞りを用いて露光を行う工程と；前記第１の開口部の外径より内径が大きい輪帯状の第２の開口部が形成された第２の開口絞りを用いて露光を行う工程と；前記第２の開口部の外径より内径が大きい輪帯状の第３の開口部が形成された第３の開口絞りを用いて露光を行う工程とを有する
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
（付記２０）
付記１乃至１９のいずれかに記載の半導体装置の製造方法において、
前記レチクルは、前記パターンの近傍に配されたアシストパターンを更に有する
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。

本発明の第１実施形態による半導体装置の製造方法で用いられる露光装置を示す概念図である。 本発明の第１実施形態による半導体装置の製造方法で用いられる開口絞りを示す平面図である。 ハーフトーン型位相シフトマスクの原理を示す概念図である。 パターンのピッチと焦点深度との関係を示すグラフ（その１）である。 輪帯照明絞りと四重極照明絞りとを示す平面図である。 本発明の第１実施形態による半導体装置の製造方法を示す工程断面図である。 補助パターンが形成されたレチクルを示す平面図である。 本発明の第１実施形態による半導体装置の製造方法の変形例（その１）において用いられる開口絞りを示す平面図である。 本発明の第１実施形態による半導体装置の製造方法の変形例（その２）において用いられる開口絞りを示す平面図である。 本発明の第１実施形態による半導体装置の製造方法の変形例（その３）において用いられる開口絞りを示す平面図である。 本発明の第１実施形態による半導体装置の製造方法の変形例（その４）において用いられる開口絞りを示す平面図である。 本発明の第２実施形態による半導体装置の製造方法において用いられる開口絞りを示す平面図である。 本発明の第２実施形態による半導体装置の製造方法を示す工程断面図である。 本発明の第２実施形態による半導体装置の製造方法の変形例（その１）において用いられる開口絞りを示す平面図である。 本発明の第２実施形態による半導体装置の製造方法の変形例（その２）において用いられる開口絞りを示す平面図である。 本発明の第２実施形態による半導体装置の製造方法の変形例（その３）において用いられる開口絞りを示す平面図である。 本発明の第２実施形態による半導体装置の製造方法の変形例（その４）において用いられる開口絞りを示す平面図である。 従来の輪帯照明用の開口絞りを示す平面図である。 パターンのピッチと焦点深度との関係を示すグラフである。 ホールを形成するためのパターンのレイアウトを示す平面図である。 近接効果補正のための補助パターンを設けた場合を示す平面図である。 パターンが正方格子状に配列されたレチクルを示す平面図である。 正方格子状に配列されたパターンを転写する場合におけるスペースの寸法と焦点深度との関係を示すグラフである。 通常の開口絞りを示す平面図である。 パターンが斜め方向に配列されたレチクルを示す平面図である。 斜めに配列されたパターンを転写する場合におけるスペースの寸法と焦点深度との関係を示すグラフである。 本発明の第３実施形態による半導体装置の製造方法において用いられる開口絞りを示す平面図である。 本発明の第３実施形態の変形例（その１）による半導体装置の製造方法において用いられる開口絞りを示す平面図である。 正方格子状に配列されたパターンを転写する場合におけるスペースの寸法と焦点深度との関係を示すグラフ（その１）である。 斜めに配列されたパターンを転写する場合におけるスペースの寸法と焦点深度との関係を示すグラフ（その１）である。 本発明の第３実施形態の変形例（その２）による半導体装置の製造方法において用いられる開口絞りを示す平面図である。 正方格子状に配列されたパターンを転写する場合におけるスペースの寸法と焦点深度との関係を示すグラフ（その１）である。 斜めに配列されたパターンを転写する場合におけるスペースの寸法と焦点深度との関係を示すグラフ（その２）である。 本発明の第３実施形態の変形例（その３）による半導体装置の製造方法において用いられる開口絞りを示す平面図である。 正方格子状に配列されたパターンを転写する場合におけるスペースの寸法と焦点深度との関係を示すグラフ（その１）である。 斜めに配列されたパターンを転写する場合におけるスペースの寸法と焦点深度との関係を示すグラフ（その２）である。 本発明の第３実施形態の変形例（その４）による半導体装置の製造方法において用いられる開口絞りを示す平面図である。 本発明の第３実施形態の変形例（その５）による半導体装置の製造方法において用いられる開口絞りを示す平面図である。 本発明の第３実施形態の変形例（その６）による半導体装置の製造方法において用いられる開口絞りを示す平面図である。 本発明の第４実施形態による半導体装置の製造方法において用いられる開口絞りを示す平面図である。 本発明の第４実施形態の変形例（その１）による半導体装置の製造方法において用いられる開口絞りを示す平面図である。 本発明の第４実施形態の変形例（その２）による半導体装置の製造方法において用いられる開口絞りを示す平面図である。 本発明の第４実施形態の変形例（その３）による半導体装置の製造方法において用いられる開口絞りを示す平面図である。 本発明の第５実施形態による半導体装置の製造方法において用いられる開口絞りを示す平面図である。 本発明の第６実施形態による半導体装置の製造方法において用いられる開口絞りを示す平面図である。 本発明の第６実施形態の変形例（その１）による半導体装置の製造方法において用いられる開口絞りを示す平面図である。 本発明の第６実施形態の変形例（その２）による半導体装置の製造方法において用いられる開口絞りを示す平面図である。 本発明の第６実施形態の変形例（その３）による半導体装置の製造方法において用いられる開口絞りを示す平面図である。

符号の説明

１２…光源
１４…フライアイ
１５…石英乾板
１６、１６ａ〜１６ｚ…開口絞り
１７…金属薄膜パターン
１８…レチクル（マスク）
１８ａ…開口部（パターン）
１９…投影レンズ
２０…半導体基板
２１…補助パターン
２２、２２ａ、２２ｂ…開口部
２４ａ１〜２４ａ４…開口部
２４ｂ１〜２４ｂ８…開口部
２６ａ１〜２６ａ４…開口部
２６ａ１〜２６ａ４…開口部
２８ａ１〜２８ａ４…開口部
３０ａ１〜３０ａ４…開口部
３２…層間絶縁膜
３４…フォトレジスト膜
３６、３６ａ〜３６ｅ…開口部
４０、４０ａ〜４０ｉ…開口絞り
１１６…開口絞り
１１８ａ〜１１８ｃ…パターン
１２１…補助パターン
１２２…開口部
１２４…開口絞り
１２６…開口部

Claims (10)

1. 斜入射照明を用いた露光を行うことにより、レチクル上に形成されたパターンを半導体基板上に転写する工程を有する半導体装置の製造方法において、
   前記斜入射照明を用いた露光を行う工程では、輪帯状の第１の開口部が形成され、前記第１の開口部の周辺に複数の第２の開口部が形成された開口絞りを用いて露光を行う
   ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
2. 請求項１記載の半導体装置の製造方法において、
   前記開口絞りは、前記第１の開口部を囲むように形成された、輪帯状の第３の開口部を更に有する
   ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
3. 請求項１又は２記載の半導体装置の製造方法において、
   前記第２の開口部の数は４個以上である
   ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
4. 請求項２記載の半導体装置の製造方法において、
   前記第２の開口部のうちの一部が前記第３の開口部内に位置している
   ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
5. 請求項２記載の半導体装置の製造方法において、
   前記開口絞りは、前記第１の開口部の内側に形成された第４の開口部を更に有する
   ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
6. 斜入射照明を用いた露光を行うことにより、レチクル上に形成されたパターンを半導体基板上に転写する工程を有する半導体装置の製造方法において、
   前記斜入射照明を用いた露光を行う工程は、中心部に輪帯状の第１の開口部が形成された第１の開口絞りを用いて露光を行う工程と；周辺部に複数の第２の開口部が形成された第２の開口絞りを用いて露光を行う工程とを有する
   ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
7. 請求項６記載の半導体装置の製造方法において、
   前記斜入射照明を用いた露光を行う工程は、前記第１の開口部の外径より内径が大きい輪帯状の第３の開口部が形成された第３の開口絞りを用いて露光を行う工程を更に有する
   ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
8. 斜入射照明を用いた露光を行うことにより、レチクル上に形成されたパターンを半導体基板上に転写する工程を有する半導体装置の製造方法において、
   前記斜入射照明を用いた露光を行う工程では、第１の開口部が形成され、前記第１の開口部を囲むように輪帯状の第２の開口部が形成され、前記第２の開口部を囲むように輪帯状の第３の開口部が形成された開口絞りを用いて露光を行う
   ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
9. 斜入射照明を用いた露光を行うことにより、レチクル上に形成されたパターンを半導体基板上に転写する工程を有する半導体装置の製造方法において、
   前記斜入射照明を用いた露光を行う工程は、第１の開口部が形成された第１の開口絞りを用いて露光を行う工程と；前記第１の開口部の外径より内径が大きい輪帯状の第２の開口部が形成された第２の開口絞りを用いて露光を行う工程と；前記第２の開口部の外径より内径が大きい輪帯状の第３の開口部が形成された第３の開口絞りを用いて露光を行う工程とを有する
   ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
10. 請求項１乃至９のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法において、
    前記レチクルは、前記パターンの近傍に配されたアシストパターンを更に有する
    ことを特徴とする半導体装置の製造方法。

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