JP2007227562A - プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】あらかじめ用意した電圧プローブ付き被処理基板から被処理基板の電圧Vwを測定して、静電チャック機構200に加えたバイアス電圧Vescと、静電チャック機構200を流れるバイアス電流Iescとから、静電チャック機構200の電気特性としてのインピーダンスである容量成分Cescを数値的に算出する。そして、測定しようとする被処理基板102のバイアス電圧Vescと、静電チャック機構200を流れるバイアス電流Iescと、あらかじめ取得したこのインピーダンスである容量成分Cescの数値とを用いて、所定の式に基づいて被処理基板102の電圧Vwを推定する。
【選択図】図1
Description
このピークトゥピーク電圧とは、電圧の最大値から最小値を引いた値を指す。ピークトゥピーク電圧のみでは、波形ひずみが生じた場合には電圧の大小を正確に表現できているとは言いがたく、被処理基板102のプラズマ処理特性を安定して制御することは困難となる。
図2に示す電圧モニタ207、電流モニタ208に加えて、電圧測定用プローブを付加した測定用被処理基板を、図2の基板電極103上に設置して、静電チャック機構200の各部のバイアス電圧とバイアス電流を測定した。
102:被処理基板
103:基板電極
107:バイアス電源(バイアス電圧印加手段)
110:シャワープレート
111:電磁波導入窓
112:アンテナ
113:同軸線路
114:自動整合機
115:高周波電源
116:自動整合機
117:バイアス電源
118:電磁石
200:静電チャック機構
201:サセプタ
202:電極カバー
203:直流電源
204:誘電体層
205:電極層
206:下地層
207:電圧モニタ(電圧計)
208:電流モニタ(電流計)
300:被処理基板電圧のサグ
301:測定記憶ユニット(インピーダンス値格納手段)
302:計算ユニット(被処理基板の電圧値を推定する手段)
303:制御ユニット
Claims (8)
- 被処理基板をプラズマ処理するためのプラズマ処理装置において、
前記被処理基板を収容する処理室と、
前記被処理基板を静電的に吸着して保持する静電チャック機構を有する基板電極と、
前記被処理基板に対してプラズマを供給するプラズマ生成手段と、
前記基板電極の前記被処理基板にバイアス電圧を供給するバイアス電圧印加手段と、
前記基板電極に載せた測定用被処理基板を用いて、前記測定用被処理基板から電圧を測定し、前記静電チャック機構の容量成分と、前記静電チャック機構に加えたバイアス電圧と、前記静電チャック機構を流れるバイアス電流とを用いて、取得した前記静電チャック機構のインピーダンス値を、格納するインピーダンス値格納手段と、を備え、
実際にプラズマ処理しようとする前記被処理基板に与えるバイアス電圧値とバイアス電流値と、前記静電チャック機構の前記取得したインピーダンス値を用いて、プラズマ処理しようとする前記被処理基板の電圧を推定する
ことを特徴とするプラズマ処理装置。 - 推定された前記被処理基板の電位を用いて、前記バイアス電圧印加手段の電源出力を制御することを特徴とする請求項1に記載のプラズマ処理装置。
- 前記インピーダンス値格納手段は、静電チャック機構に印加するバイアス電圧、バイアス電流を取り入れて格納し、前記静電チャック機構の電気特性であるインピーダンス値を格納し、
前記被処理基板の電圧値を推定する手段は、前記インピーダンス値格納手段に格納された、前記静電チャック機構に印加する電圧と電流と、前記静電チャック機構の電気特性であるインピーダンス値とから前記被処理基板の電圧値を推定し、
制御ユニットは、前記被処理基板の電圧値を推定する手段で推定された前記被処理基板の電圧値の推定値に基づいて、前記バイアス電圧印加手段の制御信号を作成して前記バイアス電圧印加手段に与えることを特徴とする請求項1に記載のプラズマ処理装置。 - 前記被処理基板の電圧のサグを平坦化するように前記被処理基板の前記バイアス電圧値の波形を制御することを特徴とする請求項1に記載のプラズマ処理装置。
- 被処理基板をプラズマ処理するためのプラズマ処理方法において、
前記被処理基板を処理室に収容して、前記被処理基板を基板電極の静電チャック機構に静電的に吸着して保持し、前記被処理基板に対してプラズマ生成手段からプラズマを供給し、前記基板電極の前記被処理基板にバイアス電圧印加手段からバイアス電圧を供給する際に、
前記基板電極に載せた測定用被処理基板を用いて、前記測定用被処理基板から電圧を測定し、前記静電チャック機構の容量成分と、前記静電チャック機構に加えたバイアス電圧と、前記静電チャック機構を流れるバイアス電流とを用いて、前記静電チャック機構のインピーダンス値を取得して、前記取得した前記静電チャック機構のインピーダンス値をインピーダンス値格納手段に格納し、
実際にプラズマ処理しようとする前記被処理基板に与えるバイアス電圧値とバイアス電流値と、前記静電チャック機構の前記取得したインピーダンス値を用いて、プラズマ処理しようとする前記被処理基板の電圧を推定する
ことを特徴とするプラズマ処理方法。 - 推定された前記被処理基板の電位を用いて、前記バイアス電圧印加手段の電源出力を制御することを特徴とする請求項5に記載のプラズマ処理方法。
- 前記被処理基板の電圧のサグを平坦化するように、前記被処理基板の前記バイアス電圧値の波形を制御することを特徴とする請求項5に記載のプラズマ処理方法。
- 前記インピーダンス値格納手段は、静電チャック機構に印加するバイアス電圧、バイアス電流を取り入れて格納し、前記静電チャック機構の電気特性であるインピーダンス値を格納し、
前記被処理基板の電圧値を推定する手段は、前記インピーダンス値格納手段に格納された、前記静電チャック機構に印加する電圧と電流と、前記静電チャック機構の電気特性であるインピーダンス値とから前記被処理基板の電圧値を推定し、
制御ユニットは、前記被処理基板の電圧値を推定する手段で推定された前記被処理基板の電圧値の推定値に基づいて、前記バイアス電圧印加手段の制御信号を作成して前記バイアス電圧印加手段に与えることを特徴とする請求項5に記載のプラズマ処理方法。
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Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2016054159A (ja) * | 2009-11-19 | 2016-04-14 | ラム リサーチ コーポレーションLam Research Corporation | プラズマ処理システムを制御するための方法および装置 |
JP2017228558A (ja) * | 2016-06-20 | 2017-12-28 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置、及び波形補正方法 |
US11456199B2 (en) * | 2018-12-28 | 2022-09-27 | Tokyo Electron Limited | Measurement method and measuring jig |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101394337B1 (ko) * | 2006-08-30 | 2014-05-13 | 엘아이지에이디피 주식회사 | 정전척 |
KR101045621B1 (ko) * | 2008-12-31 | 2011-06-30 | 엘아이지에이디피 주식회사 | 정전척 및 상기 정전척을 이용한 기판의 바이어스 전압 측정방법 |
JP2010199429A (ja) * | 2009-02-26 | 2010-09-09 | Fujifilm Corp | プラズマエッチング方法及びプラズマエッチング装置並びに液体吐出ヘッドの製造方法 |
US9299539B2 (en) * | 2009-08-21 | 2016-03-29 | Lam Research Corporation | Method and apparatus for measuring wafer bias potential |
JP5841917B2 (ja) * | 2012-08-24 | 2016-01-13 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
WO2020222764A1 (en) * | 2019-04-29 | 2020-11-05 | Applied Materials, Inc. | Ground strap assemblies |
US11694869B2 (en) * | 2020-12-08 | 2023-07-04 | Applied Materials Israel Ltd. | Evaluating a contact between a wafer and an electrostatic chuck |
WO2023211665A1 (en) * | 2022-04-25 | 2023-11-02 | Lam Research Corporation | Method to enhance etch rate and improve critical dimension of features and mask selectivity |
Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08124913A (ja) * | 1994-10-27 | 1996-05-17 | Nec Corp | エッチング装置 |
JPH08335567A (ja) * | 1995-06-07 | 1996-12-17 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置 |
JP2000049216A (ja) * | 1998-07-28 | 2000-02-18 | Mitsubishi Electric Corp | プラズマ処理装置および当該装置で用いられる静電チャック吸着方法 |
JP2000269195A (ja) * | 1999-03-19 | 2000-09-29 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造装置 |
JP2001338917A (ja) * | 2000-03-24 | 2001-12-07 | Hitachi Ltd | 半導体製造装置および処理方法、およびウエハ電位プローブ |
JP2002540616A (ja) * | 1999-03-31 | 2002-11-26 | ラム リサーチ コーポレーション | プラズマ処理室における不均一なウェハ処理を補正する方法及び装置 |
JP2003045846A (ja) * | 2001-08-01 | 2003-02-14 | Tokyo Electron Ltd | 半導体製造装置の監視方法及びその制御方法 |
JP2003228459A (ja) * | 2001-11-30 | 2003-08-15 | Fujitsu Component Ltd | 入力装置 |
JP2006210415A (ja) * | 2005-01-25 | 2006-08-10 | Renesas Technology Corp | 部品検査方法、部品検査装置および製造装置 |
JP2007281205A (ja) * | 2006-04-07 | 2007-10-25 | Hitachi High-Technologies Corp | プラズマ処理装置 |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5556549A (en) * | 1994-05-02 | 1996-09-17 | Lsi Logic Corporation | Power control and delivery in plasma processing equipment |
US5474648A (en) * | 1994-07-29 | 1995-12-12 | Lsi Logic Corporation | Uniform and repeatable plasma processing |
US5576629A (en) * | 1994-10-24 | 1996-11-19 | Fourth State Technology, Inc. | Plasma monitoring and control method and system |
KR100280443B1 (ko) * | 1998-02-06 | 2001-06-01 | 김영환 | 반도체식각장비의3극척장치 |
KR20000038597A (ko) | 1998-12-08 | 2000-07-05 | 윤종용 | 반도체 식각장치 |
US6563076B1 (en) | 1999-09-30 | 2003-05-13 | Lam Research Corporation | Voltage control sensor and control interface for radio frequency power regulation in a plasma reactor |
US6727655B2 (en) * | 2001-10-26 | 2004-04-27 | Mcchesney Jon | Method and apparatus to monitor electrical states at a workpiece in a semiconductor processing chamber |
TWI259546B (en) * | 2002-06-28 | 2006-08-01 | Tokyo Electron Ltd | Method and system for predicting process performance using material processing tool and sensor data |
JP4319514B2 (ja) | 2002-11-29 | 2009-08-26 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | サグ補償機能付き高周波電源を有するプラズマ処理装置 |
US7247218B2 (en) * | 2003-05-16 | 2007-07-24 | Applied Materials, Inc. | Plasma density, energy and etch rate measurements at bias power input and real time feedback control of plasma source and bias power |
US20050072444A1 (en) * | 2003-10-03 | 2005-04-07 | Shigeru Shirayone | Method for processing plasma processing apparatus |
KR100668956B1 (ko) | 2004-12-22 | 2007-01-12 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 반도체 제조 방법 |
-
2006
- 2006-02-22 JP JP2006045729A patent/JP4920991B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2006-08-11 KR KR1020060076374A patent/KR100838750B1/ko not_active IP Right Cessation
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2009
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-
2012
- 2012-02-17 US US13/399,465 patent/US20120145323A1/en not_active Abandoned
Patent Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08124913A (ja) * | 1994-10-27 | 1996-05-17 | Nec Corp | エッチング装置 |
JPH08335567A (ja) * | 1995-06-07 | 1996-12-17 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置 |
JP2000049216A (ja) * | 1998-07-28 | 2000-02-18 | Mitsubishi Electric Corp | プラズマ処理装置および当該装置で用いられる静電チャック吸着方法 |
JP2000269195A (ja) * | 1999-03-19 | 2000-09-29 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造装置 |
JP2002540616A (ja) * | 1999-03-31 | 2002-11-26 | ラム リサーチ コーポレーション | プラズマ処理室における不均一なウェハ処理を補正する方法及び装置 |
JP2001338917A (ja) * | 2000-03-24 | 2001-12-07 | Hitachi Ltd | 半導体製造装置および処理方法、およびウエハ電位プローブ |
JP2003045846A (ja) * | 2001-08-01 | 2003-02-14 | Tokyo Electron Ltd | 半導体製造装置の監視方法及びその制御方法 |
JP2003228459A (ja) * | 2001-11-30 | 2003-08-15 | Fujitsu Component Ltd | 入力装置 |
JP2006210415A (ja) * | 2005-01-25 | 2006-08-10 | Renesas Technology Corp | 部品検査方法、部品検査装置および製造装置 |
JP2007281205A (ja) * | 2006-04-07 | 2007-10-25 | Hitachi High-Technologies Corp | プラズマ処理装置 |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2016054159A (ja) * | 2009-11-19 | 2016-04-14 | ラム リサーチ コーポレーションLam Research Corporation | プラズマ処理システムを制御するための方法および装置 |
JP2017228558A (ja) * | 2016-06-20 | 2017-12-28 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置、及び波形補正方法 |
US11456199B2 (en) * | 2018-12-28 | 2022-09-27 | Tokyo Electron Limited | Measurement method and measuring jig |
Also Published As
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