JP2007227153A - Electronic flash device - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To limit a strobe charge current at low temperatures by arranging a temperature sensor in a circuit in order to improve the service life of a battery at low temperatures, in a strobe circuit. <P>SOLUTION: In relation to a time constant of oscillation determined by C and R in the past, a thermistor is added. When it is assumed that the resistance of the thermistor is R(t), the time constant is obtained from C×R×R(t). Since the resistance R(t) becomes sufficiently greater than R at low temperatures, the time constant can be obtained from CR(t), the time constant increases as compared with that at ordinary temperatures, an oscillation frequency is lowered and a current flowing to a transformer is reduced. <P>COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT

Description

本発明は、電子閃光装置に関するものである。   The present invention relates to an electronic flash device.

従来の電子閃光装置の回路図を図5に示す。電源である電池は昇圧回路部に接続されており、電池電圧を昇圧する。昇圧回路部の後段には主コンデンサと、主コンデンサの電圧を検出するための電圧検出回路が接続されている。その後段にはトリガーコイル、Xe管、IGBTからなる発光部が接続されている。昇圧回路、電圧検出回路、発光部には制御部からの制御信号線が接続されている。   A circuit diagram of a conventional electronic flash device is shown in FIG. A battery as a power source is connected to a booster circuit unit and boosts the battery voltage. A main capacitor and a voltage detection circuit for detecting the voltage of the main capacitor are connected to the subsequent stage of the booster circuit section. A light emitting unit composed of a trigger coil, an Xe tube, and an IGBT is connected to the subsequent stage. A control signal line from the control unit is connected to the booster circuit, the voltage detection circuit, and the light emitting unit.

この回路の動作を以下に示す。まず制御部から充電開始のための制御信号が送られると、昇圧回路が電池電圧の昇圧動作を行い、後段の主コンデンサへの充電が行われる。昇圧回路はトランスおよび発振回路からなり、充電開始制御信号が送られると、電源SW用トランジスタがONし、トランスおよび発振回路に電池電圧が印加される。発信回路中のC,Rにより設定された発振周波数で昇圧トランスが駆動し、電池電圧が昇圧され、主コンデンサへの充電が行われる。充電中は主コンデンサと並列に接続された電圧検出回路により出力される充電電圧検出信号が制御部へ送られ、主コンデンサの充電電圧を検知する。制御部により充電電圧があらかじめ設定された任意の電圧になった時点で、制御部は充電を止める。充電完了後、制御部からの発光制御信号が送られると、発光部内のIGBTがONすることでトリガーコイルに接続されたトリガーコンデンサの放電を行い、これによりトリガーコイルが駆動され、Xe管に高電圧が印加される。Xe管はトリガーコイルから印加された高電圧および主コンデンサに蓄積された電荷を用いて発光動作を行う。   The operation of this circuit is shown below. First, when a control signal for starting charging is sent from the control unit, the booster circuit boosts the battery voltage and charges the main capacitor in the subsequent stage. The booster circuit is composed of a transformer and an oscillation circuit. When a charge start control signal is sent, the power supply SW transistor is turned on, and a battery voltage is applied to the transformer and the oscillation circuit. The step-up transformer is driven at the oscillation frequency set by C and R in the transmission circuit, the battery voltage is boosted, and the main capacitor is charged. During charging, a charging voltage detection signal output from a voltage detection circuit connected in parallel with the main capacitor is sent to the control unit to detect the charging voltage of the main capacitor. When the charging voltage reaches an arbitrary voltage set in advance by the control unit, the control unit stops charging. When a light emission control signal is sent from the control unit after the charging is completed, the trigger capacitor connected to the trigger coil is discharged by turning on the IGBT in the light emitting unit, which drives the trigger coil and causes the Xe tube to rise. A voltage is applied. The Xe tube emits light using the high voltage applied from the trigger coil and the charge stored in the main capacitor.

又、別の従来例としては、特許文献1をあげることが出来る。
特開2002−281747号公報
As another conventional example, Patent Document 1 can be cited.
JP 2002-281747 A

上記電子閃光装置においては、使用上の使い勝手を良くするために、充電時間をできるだけ短くする必要がある。このため、昇圧回路部の前段には大きな電流を流し、かつ充電のための発信周波数は短く設定されていた。しかしながら、このような短時間での大電流の消費は、電源である電池の特性とは反するものであり、電池の持ちに影響していた。特に電圧降下が早い低温時においては、連続した発光動作を行う場合、常温に比べ発光回数が低下し、逆に使い勝手が悪化することがあった。   In the above electronic flash device, it is necessary to make the charging time as short as possible in order to improve the usability in use. For this reason, a large current is allowed to flow before the booster circuit section, and the transmission frequency for charging is set short. However, such a large current consumption in a short time is contrary to the characteristics of the battery as the power source, and has an effect on the battery life. In particular, at a low temperature where the voltage drop is fast, when performing a continuous light emission operation, the number of times of light emission is lower than that at room temperature, and the usability may be worsened.

本発明では、上述したような、低温時における電池の急速な消耗を抑えることのできる電子閃光装置を構成することにある。   It is an object of the present invention to configure an electronic flash device that can suppress rapid battery consumption at low temperatures as described above.

本発明は、上記事情を考慮してなされたもので、自励式昇圧回路部分において、発振周波数を決定する素子に、抵抗値が温度とともに低下する、NTCサーミスタなどの負の温度特性をもつ素子を使用することを特徴としている。   The present invention has been made in view of the above circumstances, and in the self-excited booster circuit portion, an element having a negative temperature characteristic, such as an NTC thermistor, whose resistance value decreases with temperature is determined as an element that determines the oscillation frequency. It is characterized by use.

また、この昇圧回路部分の発振周波数は、入力電源である電池等の温度特性に合わせることを特徴としている。   In addition, the oscillation frequency of the booster circuit portion is characterized by matching the temperature characteristics of a battery or the like as an input power source.

また、この発振周波数は、正の温度特性を持つ抵抗と、負の温度特性をもつ素子との合成抵抗と、コンデンサの容量とを構成要素とすることも特徴としている。   In addition, this oscillation frequency is characterized in that a component is a combined resistance of a resistor having a positive temperature characteristic, an element having a negative temperature characteristic, and a capacitance of a capacitor.

本発明によれば、電子閃光装置における自励式昇圧回路部分において、発振周波数を決定する素子に、抵抗値が温度とともに低下する、NTCサーミスタなどの負の温度特性をもつ素子を使用することにより、電源に対して不利な低温下においても消費電流の変動を抑え、安定した動作をすることができる。   According to the present invention, in the self-excited booster circuit portion in the electronic flash device, by using an element having a negative temperature characteristic, such as an NTC thermistor, whose resistance value decreases with temperature, as an element that determines the oscillation frequency, Even at low temperatures which are disadvantageous to the power supply, fluctuations in current consumption can be suppressed and stable operation can be achieved.

また、この昇圧回路部分の発振周波数は、入力電源である電池等の温度特性に合わせることで、低温下においても安定した使用が可能である。   In addition, the oscillation frequency of the booster circuit portion can be used stably even at low temperatures by matching the temperature characteristics of the battery as an input power source.

また、この発振周波数を、正の温度特性を持つ抵抗と、負の温度特性をもつ素子との合成抵抗と、コンデンサの容量とを構成要素とすることで、いかなる環境温度下での使用においても安定して発振することで、安定した動作が可能である。   In addition, this oscillation frequency can be used under any environmental temperature by using a combined resistance of a resistor having a positive temperature characteristic, a combined resistance of an element having a negative temperature characteristic, and the capacitance of a capacitor. Stable operation is possible by stable oscillation.

次に、本発明の詳細を実施例の記述に従って説明する。   Next, details of the present invention will be described in accordance with the description of the embodiments.

以下、本発明の詳細を図示の実施例によって説明する。図1は本発明の第1の実施例に係わる、電子閃光回路のブロック図である。101は電源である電池、102、103は電池から昇圧ブロックへの電源供給を制御するためのトランジスタであり、103のトランジスタのベースは制御部104へ接続されている。また、制御部へは電池101の端子電圧も供給され、図示しない検知手段により電池電圧が充電可能な電圧を供給しているかを判別している。昇圧ブロック110は以下の構成となる。111は電池電圧を昇圧するための昇圧トランス、112は発振状態を制御する発振トランジスタであり、コレクタ側は昇圧トランスの一次巻線111aに接続され、エミッタ側はGNDに接続される。発振トランジスタ112のコレクタ−エミッタ間には、昇圧トランスの一次巻線111aに発生した逆電流を放電させるためのダイオード113が接続され、また一次巻線と並列に共振用コンデンサ114が接続されている。発振トランジスタ112のベースおよび昇圧トランスの帰還巻線111bの間は、発振の時定数を決定する抵抗115、負の温度特性を持つNTCサーミスタ116、コンデンサ117が接続される。発振トランジスタ112のベースと電源、GND間には抵抗118、119が接続される。昇圧トランスの二次巻線111cは充電ブロック120へ接続される。   The details of the present invention will be described below with reference to the illustrated embodiments. FIG. 1 is a block diagram of an electronic flash circuit according to a first embodiment of the present invention. Reference numeral 101 denotes a battery as a power source, reference numerals 102 and 103 denote transistors for controlling power supply from the battery to the booster block, and a base of the transistor 103 is connected to the control unit 104. In addition, the terminal voltage of the battery 101 is also supplied to the control unit, and it is determined whether or not the battery voltage is supplied by a detection unit (not shown). The booster block 110 has the following configuration. 111 is a step-up transformer for stepping up the battery voltage, 112 is an oscillation transistor for controlling the oscillation state, the collector side is connected to the primary winding 111a of the step-up transformer, and the emitter side is connected to GND. Between the collector and emitter of the oscillation transistor 112, a diode 113 for discharging a reverse current generated in the primary winding 111a of the step-up transformer is connected, and a resonance capacitor 114 is connected in parallel with the primary winding. . Between the base of the oscillation transistor 112 and the feedback winding 111b of the step-up transformer, a resistor 115 that determines the time constant of oscillation, an NTC thermistor 116 having negative temperature characteristics, and a capacitor 117 are connected. Resistors 118 and 119 are connected between the base of the oscillation transistor 112, the power supply, and GND. The secondary winding 111 c of the step-up transformer is connected to the charging block 120.

充電ブロック120は以下のような構成となる。充電用主コンデンサ121は正極側を高圧整流用ダイオード122を介して昇圧トランスの二次巻線111cに接続され、負極側はGNDへ接続される。主コンデンサ121の両端には主コンデンサ121の充電電圧を分圧するための抵抗123,124が直列に接続され、抵抗123と抵抗124により分圧された電圧が充電電圧検知信号として制御部104へ接続されている。コンデンサ125は主コンデンサと並列に接続され、充電検知時の分圧用抵抗123,124にかかる電圧の変動を抑えている。   The charging block 120 has the following configuration. The main capacitor 121 for charging is connected to the secondary winding 111c of the step-up transformer via the high-voltage rectifier diode 122 on the positive electrode side, and connected to GND on the negative electrode side. Resistors 123 and 124 for dividing the charging voltage of the main capacitor 121 are connected in series to both ends of the main capacitor 121, and the voltage divided by the resistor 123 and the resistor 124 is connected to the control unit 104 as a charging voltage detection signal. Has been. The capacitor 125 is connected in parallel with the main capacitor, and suppresses fluctuations in the voltage applied to the voltage dividing resistors 123 and 124 when charging is detected.

発光ブロック130は以下の構成となっている。抵抗131は一方が主コンデンサの正極に接続されて、もう一方はトリガ用コンデンサ132に接続されている。133はトリガコイルであり、一次巻線側はトリガ用コンデンサ132の他の片側に接続され、二次巻き線側は閃光放電管であるXe管134へ接続されている。抵抗131のトリガ用コンデンサ接続側には、発光開始のためのIGBT135のソース側が接続されている。このソース側と主コンデンサの間には閃光放電管であるXe管134が接続されている。IGBT135のドレイン側はGNDに接地され、またゲートは静電防止用抵抗136,137を介して制御部104へ接続されている。   The light emitting block 130 has the following configuration. One of the resistors 131 is connected to the positive electrode of the main capacitor, and the other is connected to the trigger capacitor 132. 133 is a trigger coil, the primary winding side is connected to the other side of the trigger capacitor 132, and the secondary winding side is connected to the Xe tube 134 which is a flash discharge tube. The source side of the IGBT 135 for starting light emission is connected to the trigger capacitor connection side of the resistor 131. An Xe tube 134 which is a flash discharge tube is connected between the source side and the main capacitor. The drain side of the IGBT 135 is grounded to GND, and the gate is connected to the control unit 104 via antistatic resistors 136 and 137.

上記回路の動作を以下に述べる。まずは常温での動作として、サーミスタ116の抵抗値はそれと直列に接続された抵抗115の抵抗値に比べて十分小さいものとする。制御部104は電池101の電圧が充電動作を行うのに十分な電圧であることを、図示しない検知手段により検知したのち、充電を開始する。充電開始時、制御部104から充電開始の信号がトランジスタ103へ加えられると、トランジスタ103、102はONとなり、電源である電池101の電圧が昇圧ブロック110へ印加される。昇圧ブロック110では、最初は発振用トランジスタ112はOFF状態であり、昇圧トランス111の一次巻線111aには電流は流れない。電池電圧はまず抵抗118を介して発振時定数を決めている素子である抵抗115、サーミスタ116、コンデンサ117へ印加される。抵抗115、サーミスタ116の合成抵抗で決定された電流値がコンデンサ117へ流れ込み、コンデンサ117の端子電圧が徐々に上がっていく。このとき、サーミスタ116の抵抗値は抵抗115に比べて十分小さいので、常温下では抵抗115の抵抗値とコンデンサ117の容量で決定されるCR時定数により電圧の上昇時間が決定される。コンデンサ117の電圧が上昇すると、それに伴い発振トランジスタ112のベース電圧も上昇し、任意の電圧値になったときに、発振トランジスタ112がONする。発振トランジスタ112がONすると、昇圧トランス111の一次巻線側111aに電流が流れ、一次巻線側には磁気エネルギーが蓄えられる。二次巻線側111cには電圧が誘導されるが、充電ブロックの高圧整流用ダイオードに阻止される。また、二次巻線111cに電流が流れると帰還巻線111bにも電流が流れ、コンデンサ117の電位を上げ、これにより発振トランジスタ112が完全にONする。トランジスタ112が完全にONすると一次巻線111aに大電流が流れる。このとき、電源に接続されている抵抗118の抵抗値がコンデンサ117につながる抵抗115の抵抗値が小さいものとすると、発振トランジスタ112のベースにはコンデンサ117から電流が供給され、ベース電位が下がり、発振トランジスタは急激にOFFとなる。このとき、一次巻線111aとコンデンサ114が共振し、これまでと逆の電圧がかかる。二次巻線111cにおいても逆の電圧がかかり、これにより高圧整流用ダイオード122がONし、充電ブロックへ電流を供給する。また、帰還巻線にも逆電圧がかかり、コンデンサ117の電位を下げる。これにより、抵抗115、NTCサーミスタ116、コンデンサ117による充電が再開され、以降二次巻線側へ電流を供給するための発振動作を繰り返す。   The operation of the above circuit will be described below. First, as an operation at room temperature, the resistance value of the thermistor 116 is assumed to be sufficiently smaller than the resistance value of the resistor 115 connected in series therewith. The control unit 104 starts charging after detecting that the voltage of the battery 101 is sufficient to perform the charging operation by a detection unit (not shown). When a charging start signal is applied from the control unit 104 to the transistor 103 at the start of charging, the transistors 103 and 102 are turned on, and the voltage of the battery 101 as a power source is applied to the booster block 110. In the step-up block 110, the oscillation transistor 112 is initially in an OFF state, and no current flows through the primary winding 111a of the step-up transformer 111. The battery voltage is first applied to the resistor 115, the thermistor 116, and the capacitor 117, which are elements that determine the oscillation time constant, via the resistor 118. The current value determined by the combined resistance of the resistor 115 and the thermistor 116 flows into the capacitor 117, and the terminal voltage of the capacitor 117 gradually increases. At this time, since the resistance value of the thermistor 116 is sufficiently smaller than that of the resistor 115, the voltage rise time is determined by the CR time constant determined by the resistance value of the resistor 115 and the capacitance of the capacitor 117 at room temperature. When the voltage of the capacitor 117 rises, the base voltage of the oscillation transistor 112 rises accordingly. When the voltage becomes an arbitrary voltage value, the oscillation transistor 112 is turned on. When the oscillation transistor 112 is turned on, a current flows in the primary winding side 111a of the step-up transformer 111, and magnetic energy is stored in the primary winding side. A voltage is induced on the secondary winding side 111c but is blocked by the high voltage rectifier diode of the charging block. Further, when a current flows through the secondary winding 111c, a current also flows through the feedback winding 111b, raising the potential of the capacitor 117, whereby the oscillation transistor 112 is completely turned on. When the transistor 112 is completely turned on, a large current flows through the primary winding 111a. At this time, if the resistance value of the resistor 118 connected to the power supply is small, the resistance value of the resistor 115 connected to the capacitor 117 is small, current is supplied from the capacitor 117 to the base of the oscillation transistor 112, the base potential decreases, The oscillation transistor is suddenly turned off. At this time, the primary winding 111a and the capacitor 114 resonate and a reverse voltage is applied. A reverse voltage is also applied to the secondary winding 111c, whereby the high voltage rectifier diode 122 is turned on and supplies a current to the charging block. Further, a reverse voltage is also applied to the feedback winding, and the potential of the capacitor 117 is lowered. As a result, charging by the resistor 115, the NTC thermistor 116, and the capacitor 117 is resumed, and the oscillation operation for supplying current to the secondary winding side is repeated thereafter.

充電ブロック120では、以下の動作となる。高圧整流ダイオードがONすると、主コンデンサへ電荷が蓄積される。同様にコンデンサ125および抵抗123,124の両端にも同じ電圧が発生し、抵抗123,124で任意の割合に分圧された充電検知電圧が制御部104へ送られる。制御部104では、前記充電検知電圧を図示しない比較手段により任意の閾値と比較し、閾値以下の電圧の場合は充電を継続する。充電検知電圧が任意の閾値を超えると、制御部は充電を終了するため充電制御信号をOFFし、トランジスタ103をOFFする。トランジスタ103がOFFされると、トランジスタ102もOFFされ、昇圧ブロックへの電源供給が停止し、主コンデンサへの充電が終了する。充電動作中、発光ブロック130への制御は行われず、発光ブロックは動作しない。   The charging block 120 operates as follows. When the high voltage rectifier diode is turned on, charge is accumulated in the main capacitor. Similarly, the same voltage is generated at both ends of the capacitor 125 and the resistors 123 and 124, and the charge detection voltage divided by the resistors 123 and 124 at an arbitrary ratio is sent to the control unit 104. In the control unit 104, the charging detection voltage is compared with an arbitrary threshold value by a comparison unit (not shown), and charging is continued if the voltage is equal to or lower than the threshold value. When the charge detection voltage exceeds an arbitrary threshold value, the control unit turns off the charge control signal and turns off the transistor 103 in order to end the charge. When the transistor 103 is turned off, the transistor 102 is also turned off, power supply to the booster block is stopped, and charging of the main capacitor is finished. During the charging operation, the light emitting block 130 is not controlled and the light emitting block does not operate.

発光時の動作は以下のようになる。充電終了時において、主コンデンサ121、トリガコンデンサ132には任意の電圧がかかっている状態となっている。このとき、制御部から発光開始信号がIGBT135のゲートへ印加される。発光開始信号によりIGBT135がONすると、トリガコンデンサ132から電流が流れ、これによりトリガコイル133の一次巻線にパルスが印加される。このとき、主コンデンサからは抵抗131のために電流はほとんど流れない。トリガコイルの一次巻線にパルスが印加されると、Xe管134へ高電圧が印加され、Xe管134内部での初期放電が開始される。Xe管134内部に初期放電が開始されると、引き続き主コンデンサ121から供給される電圧により放電が持続し、発光動作が行われる。発光の終了は、制御部からの発光開始信号をOFFすることにより、IGBT135がOFFし、発光が停止する。制御部104ではあらかじめ発光時間を決定し、その時間に対応した発光開始信号をIGBT135に印加することで発光量の制御を行う。   The operation during light emission is as follows. At the end of charging, an arbitrary voltage is applied to the main capacitor 121 and the trigger capacitor 132. At this time, a light emission start signal is applied from the control unit to the gate of the IGBT 135. When the IGBT 135 is turned on by the light emission start signal, a current flows from the trigger capacitor 132, whereby a pulse is applied to the primary winding of the trigger coil 133. At this time, almost no current flows from the main capacitor due to the resistor 131. When a pulse is applied to the primary winding of the trigger coil, a high voltage is applied to the Xe tube 134 and an initial discharge inside the Xe tube 134 is started. When the initial discharge is started inside the Xe tube 134, the discharge is continued by the voltage supplied from the main capacitor 121, and the light emission operation is performed. The end of light emission is performed by turning off the light emission start signal from the control unit, thereby turning off the IGBT 135 and stopping light emission. The control unit 104 determines the light emission time in advance, and controls the light emission amount by applying a light emission start signal corresponding to the time to the IGBT 135.

次に温度に対する動作特性について述べる。まず電源となる電池101は、常温時に比べ、低温時は負荷電流に対する出力電圧が低下するため、充電動作が可能な電圧範囲は常温時に比べ狭くなる。したがって、低温時において、常温時と同程度の電池の持ちを実現する場合、充電時の負荷電流を減らす設定にする必要がある。負荷電流を決定しているのは、充電時の発振周波数である。先に述べたように、充電時の発振周波数は、抵抗115、サーミスタ116、およびコンデンサ117による、トランジスタ112のベース電位の充電時間により決定される。このうち抵抗115、コンデンサ117は、低温時にはその特性値が減少するため、この2つの素子のみでは低温時に時定数が短くなる特性となる。したがって、低温時に抵抗値が上がるNTCサーミスタ116の特性を考慮し、抵抗115とサーミスタ116、コンデンサで決定される時定数が、低温時には電池の能力に比例して大きくなるように設定することで、低温時の電池の消耗を抑えることが可能となる。   Next, operating characteristics with respect to temperature will be described. First, the battery 101 serving as a power source has a lower output voltage with respect to the load current at a low temperature than at a normal temperature, so that a voltage range in which a charging operation can be performed is narrower than that at a normal temperature. Therefore, in order to achieve the same battery life as that at room temperature at low temperatures, it is necessary to set the load current during charging to be reduced. It is the oscillation frequency at the time of charging that determines the load current. As described above, the oscillation frequency at the time of charging is determined by the charging time of the base potential of the transistor 112 by the resistor 115, the thermistor 116, and the capacitor 117. Among these, since the characteristic value of the resistor 115 and the capacitor 117 decreases at a low temperature, the time constant is shortened at a low temperature only with these two elements. Therefore, by considering the characteristics of the NTC thermistor 116 whose resistance value increases at low temperatures, the time constant determined by the resistor 115, the thermistor 116, and the capacitor is set to increase in proportion to the battery capacity at low temperatures. It is possible to suppress battery consumption at low temperatures.

サーミスタ116および抵抗115の温度特性を図4に示す。サーミスタ116の抵抗値は、図4に示すように低温環境下では指数関数的に増大する。逆に抵抗115の抵抗値は温度の低下に比例して減少する。この2つの素子の特性を適当に組み合わせる。まず常温以上ではサーミスタ116の抵抗値が抵抗115の抵抗値に比べ非常に小さくなるようにし、常温下ではサーミスタ116の影響をなくすことができる。また、低温時においては、サーミスタ116の抵抗値は抵抗115に比べ非常に大きくなるため、サーミスタ116の抵抗値により発振周波数が決定する。発振周波数の変化を電池の温度特性とあうようにすることで、温度に左右されない充電電流の制御が可能となっている。図4での合成抵抗が任意の抵抗とNTCサーミスタを直列に接続した場合のものであり、使用温度範囲内においてほぼ一定の値をとり、かつ低温時には常温に比べ抵抗値を上げ、発振周波数をさげる特性が実現できる。   The temperature characteristics of the thermistor 116 and the resistor 115 are shown in FIG. The resistance value of the thermistor 116 increases exponentially in a low temperature environment as shown in FIG. Conversely, the resistance value of the resistor 115 decreases in proportion to the decrease in temperature. The characteristics of these two elements are appropriately combined. First, the resistance value of the thermistor 116 is made extremely smaller than the resistance value of the resistor 115 at room temperature or higher, and the influence of the thermistor 116 can be eliminated at room temperature. Further, since the resistance value of the thermistor 116 is much larger than that of the resistor 115 at a low temperature, the oscillation frequency is determined by the resistance value of the thermistor 116. By making the change in the oscillation frequency match the temperature characteristic of the battery, it is possible to control the charging current independent of the temperature. The combined resistance shown in Fig. 4 is the case where an arbitrary resistance and NTC thermistor are connected in series. It takes an almost constant value within the operating temperature range, and when the temperature is low, the resistance value is increased compared to room temperature, and the oscillation frequency is increased. The characteristic to be reduced can be realized.

以上述べてきたように、本実施例では、電子閃光装置において、自励式の発振周波数を構成する素子のひとつに負の温度特性をもつNTCサーミスタを用いることで、低温化での電池の性能低下に合わせて充電電流を変化させることができ、周囲温度に関係なく安定した動作を行うことができる。   As described above, in this embodiment, in the electronic flash device, by using an NTC thermistor having a negative temperature characteristic as one of the elements constituting the self-excited oscillation frequency, the performance of the battery is lowered at a low temperature. The charging current can be changed in accordance with the above, and stable operation can be performed regardless of the ambient temperature.

本発明の第2の実施例を図2に示す。本実施例では、第1の実施例における、発振周波数を決定する回路部分の構成を図3に示すようにしたものである。図3において、115aは抵抗値R1の抵抗,115bは抵抗値R2の抵抗、116は抵抗値R3(t)のNTCサーミスタ、117は容量C4のコンデンサである。   A second embodiment of the present invention is shown in FIG. In this embodiment, the configuration of the circuit portion for determining the oscillation frequency in the first embodiment is as shown in FIG. In FIG. 3, 115a is a resistor having a resistance value R1, 115b is a resistor having a resistance value R2, 116 is an NTC thermistor having a resistance value R3 (t), and 117 is a capacitor having a capacitance C4.

動作については、第1の実施例と同じであるので、省略する。   Since the operation is the same as that of the first embodiment, a description thereof will be omitted.

発振周波数は温度によって以下のように決定される。   The oscillation frequency is determined by temperature as follows.

まず、常温時、サーミスタ116は抵抗115a、115bに比べて十分低い抵抗値となるので、R2には電流が流れない。従って発振時定数tは
t=R1・R3(t)・C4 ≒ R1・C4
となる。
First, since the thermistor 116 has a sufficiently lower resistance value than the resistors 115a and 115b at room temperature, no current flows through R2. Therefore, the oscillation time constant t is t = R1 / R3 (t) / C4≈R1 / C4
It becomes.

次に、低温時においては、サーミスタは指数関数的に抵抗値が増加するため、抵抗203に比べて十分大きくなる。従って、発振時定数tは
t=R1・(R2//R3(t))・C4
ここで、R2とR3(t)の合成抵抗Rを求めると、R3(t)の抵抗値がR2に比べて十分大きい場合には、以下のようになる
R =(R2・R3(t))/(R2+R3(t))≒ R2 (R3(t)>>R2)
従って、発振周波数は
t=R1・R2・C4
となる。また、R2とR3(t)が同じオーダーの大きさの場合には、合成抵抗はR2より小さくなる。
Next, since the resistance value of the thermistor increases exponentially at low temperatures, it becomes sufficiently larger than the resistance 203. Therefore, the oscillation time constant t is t = R1 · (R2 // R3 (t)) · C4
Here, when the combined resistance R of R2 and R3 (t) is obtained, when the resistance value of R3 (t) is sufficiently larger than R2, it becomes as follows: R = (R2 · R3 (t)) / (R2 + R3 (t)) ≈R2 (R3 (t) >> R2)
Therefore, the oscillation frequency is t = R1, R2, C4
It becomes. When R2 and R3 (t) have the same order of magnitude, the combined resistance is smaller than R2.

よって、全温度範囲における発振周波数は、
R1・C4 < t < R1・R2・C4
となり、発振周波数範囲が限定される。
Therefore, the oscillation frequency over the entire temperature range is
R1 · C4 <t <R1 · R2 · C4
Thus, the oscillation frequency range is limited.

これより、温度により抵抗値が大きく変化するサーミスタを使用する場合においても、本実施例での構成をとることで、発振周波数の範囲を任意に決定することができ、極端に発振周波数が落ちることなく、温度に追従した動作を行うことができる。   As a result, even when using a thermistor whose resistance value varies greatly depending on the temperature, the range of the oscillation frequency can be arbitrarily determined by adopting the configuration of this embodiment, and the oscillation frequency extremely decreases. And can follow the temperature.

以上述べてきたように、本実施例では、電子閃光装置において、温度により抵抗値が大きく変わるNTCサーミスタを用いる場合においても、発振周波数を任意の範囲内になるように設定することができ、低温化での電池の性能低下に合わせて充電電流を変化させることができ、周囲温度に関係なく安定した動作を行うことができる。   As described above, in this embodiment, in the electronic flash device, even when using an NTC thermistor whose resistance value greatly changes depending on the temperature, the oscillation frequency can be set to be in an arbitrary range. The charging current can be changed in accordance with the deterioration of the battery performance due to the conversion, and a stable operation can be performed regardless of the ambient temperature.

第1の実施例における、電子閃光装置のブロック図。1 is a block diagram of an electronic flash device in a first embodiment. 第2の実施例における、電子閃光装置のブロック図。The block diagram of the electronic flash apparatus in a 2nd Example. 第2の実施例における、時定数部分の回路図。The circuit diagram of the time constant part in the 2nd example. 第1の実施例における、抵抗・サーミスタの温度に対する抵抗値変化を示す図。The figure which shows resistance value change with respect to the temperature of resistance and thermistor in the 1st Example. 従来例における、撮像装置の概略を示す図。The figure which shows the outline of the imaging device in a prior art example.

符号の説明Explanation of symbols

101 電池
102、103 トランジスタ
104 制御部
110 昇圧ブロック
111 昇圧トランス
112 発振トランジスタ
113 ダイオード
114 コンデンサ
115 抵抗
116 サーミスタ
117 コンデンサ
118、119 抵抗
120 充電ブロック
121 主コンデンサ
122 ダイオード
123、124 抵抗
130 発光ブロック
131 抵抗
132 コンデンサ
133 トリガーコイル
134 Xe管
135 IGBT
101 battery
102, 103 transistor
104 Control unit
110 Boost block
111 step-up transformer
112 Oscillation transistor
113 diode
114 capacitors
115 resistance
116 thermistor
117 capacitors
118, 119 resistance
120 charging block
121 Main capacitor
122 diode
123, 124 resistance
130 light-emitting block
131 resistance
132 capacitors
133 Trigger coil
134 Xe tube
135 IGBT

Claims (4)

自励式の昇圧回路を構成要素にもった電子閃光装置において、前記自励式昇圧回路部分の、発振周波数を決定する素子に、抵抗値が温度とともに低下する、負の温度特性をもつ素子を使用することを特徴とする電子閃光装置。   In an electronic flash device having a self-excited booster circuit as a component, an element having a negative temperature characteristic in which a resistance value decreases with temperature is used as an element for determining an oscillation frequency of the self-excited booster circuit part. An electronic flash device characterized by that. 請求項1に記載の電子閃光装置において、負の温度特性をもつ素子として、NTCサーミスタを使用することを特徴とする電子閃光装置。   2. The electronic flash device according to claim 1, wherein an NTC thermistor is used as an element having a negative temperature characteristic. 請求項1に記載の電子閃光装置において、昇圧回路部分の発振周波数は、入力電源の温度特性に合わせることを特徴とする電子閃光装置。   2. The electronic flash device according to claim 1, wherein the oscillation frequency of the booster circuit portion is matched with the temperature characteristic of the input power supply. 請求項3に記載の電子閃光装置において、発振周波数は、正の温度特性を持つ抵抗と、負の温度特性をもつ素子との合成抵抗と、コンデンサの容量とで決定される時定数により決定される構成をもつことを特徴とする電子閃光装置。   4. The electronic flash device according to claim 3, wherein the oscillation frequency is determined by a time constant determined by a combined resistance of a resistor having a positive temperature characteristic and an element having a negative temperature characteristic, and a capacitance of the capacitor. An electronic flash device characterized by having a configuration as described above.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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