JP2007226210A - 液晶表示装置用下基板の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】同一のフォトマスクを使用し、第一段階のフォトマスク(リソグラフィーエッチング)プロセス及び第二段階のフォトマスク(リソグラフィーエッチング)プロセスを行うため、第一金属層と半導体層のパターンは相同である。これにより、本発明で必要なフォトマスク数は4個だけでありながら、5段階のフォトマスク(リソグラフィーエッチング)プロセスを行うことができ、1段階のフォトマスクの製造費用を削減することができる。
【選択図】図10
Description
図1〜5に示すように、一般の5段階フォトマスク(リソグラフィーエッチング)プロセスは薄膜トランジスターアレー中の各構成部品の定義に5個のフォトマスクを必要とする。
図1に示すように、第一金属層を定義、つまり第一金属層に対してパターン化を行う。該パターン化した第一金属層32はTFTのゲート極321、補助キャパシタの下電極322、端子線323などの構成部品を含む。
次に図2に示すように、第二段階のフォトマスク(リソグラフィーエッチング)プロセスでは、薄膜トランジスターの半導体層36とオーム接触層38を定義する。
図1のパターン化した第一金属層32と図2の半導体層36及びオーム接触層38の形状と位置を比較すると、第一段階フォトマスクのパターンと第二段階フォトマスクのパターンが相同でないことは明らかである。つまり、第一段階フォトマスクプロセスと第二段階フォトマスクプロセスに同一のフォトマスクを使用し、リソグラフィーエッチングを行うことはできないということである。
さらに図4に示すように、第四段階フォトマスク(リソグラフィーエッチング)プロセスでは、平坦層44と保護層42をパターン化し、ドレイン極接触層511或いは端子接触窓512を形成する。ここでは、保護層42だけが形成でき、或いは平坦層44が形成でき、或いは同時に保護層と平坦層44を形成し、しかも2層の順序はどちらでも良い。
最後に図5に示すように、第五段階フォトマスク(リソグラフィーエッチング)プロセスでは、透明導電層46をパターン化し、画素電極を形成する。
上記5段階のフォトマスク(リソグラフィーエッチング)が定義する構成部品の形状、位置はみな不相同であるため、5段階のフォトマスク(リソグラフィーエッチング)プロセスでは、5個の異なるフォトマスクを使用し、薄膜トランジスターアレー基板中の各構成部品を定義する必要がある。
それは4個のフォトマスク数で5段階のフォトマスク(リソグラフィーエッチング)プロセスを行うことができ、1段階のフォトマスクの設計と製造費用を削減することができ、こうして製造コストの低下を実現し、しかもフォトマスクを1個削減すると同時に、フォトマスクを合わせる時に生じる誤差を1回分省くこともでき、歩留まりを向上させることができる。
A.基板を提供し、
B.該基板上に第一金属層を積層し、第一フォトマスクを利用し、該第一金属層をパターン化し、
C.該基板と該第一金属層上に第一絶縁層を形成し、
D.該第一絶縁層上に半導体層を形成し、該第一フォトマスクを利用し、該半導体層をパターン化し、しかも該半導体層は該第一金属層の上に位置し、
E.該半導体層上には第二金属層を形成し、該第二金属層をパターン化し、
F.該第二金属層、該半導体層、該第一絶縁層上方に第二絶縁層を形成し、該第二絶縁層をパターン化し、
G.該第二絶縁層上方に透明電極層を形成し、該透明電極層をパターン化し、
該第一金属層と該半導体のパターンは相同であるため、本発明では同一のフォトマスクを使用し、第一段階のフォトマスク(リソグラフィーエッチング)プロセス及び第二段階のフォトマスク(リソグラフィーエッチング)プロセスを行うため、1段階のフォトマスクの設計と製造費用を削減することができ、よって本発明では4個のフォトマスク数で5段階のフォトマスク(リソグラフィーエッチング)プロセスを行うことができる。
また本発明はさらに別種の液晶表示装置用下基板の製造方法を提供し、該方法は以下のステップを含み、
A.基板を提供し、
B.該基板上に第一金属層を積層し、第一フォトマスクを利用し、該第一金属層をパターン化し、
C.該基板と該第一金属層上に第一絶縁層を形成し、
D.該第一絶縁層上に半導体層を形成し、該第一金属層をフォトマスクとし、該半導体層をパターン化し、しかも該半導体層は該第一金属層の上に位置し、
E.該半導体層上には第二金属層を形成し、該第二金属層をパターン化し、
F.該第二金属層、該半導体層、該第一絶縁層上方に第二絶縁層を形成し、該第二絶縁層をパターン化し、
G.該第二絶縁層上方に透明電極層を形成し、該透明電極層をパターン化し、
こうして製造工程に必要とするフォトマスクの数を減らすことができる。
本発明の方法は半導体層表面にオーム接触層を形成することもでき、こうして半導体層と第二金属層間の接触電気抵抗を低下させ、該半導体は公知のあらゆる薄膜トランジスターに使用される半導体層で、アモルファスシリコン層が望ましく、該オーム接触層はあらゆる公知の半導体のオーム接触層で、N+アモルファスシリコンが望ましく、
本発明の方法において、第二絶縁層はあらゆる公知の方式によりパターン化することができ、フォトエッチングが望ましく、該第二絶縁層は複数の貫通孔を備えることができ、該貫通孔の内の少なくとも1個は第二絶縁層と第一絶縁層を貫通し、これにより第一金属層は露出し、下基板の端子接触窓となり、少なくとも1個の貫通孔は第二絶縁層を貫通し、第二金属層を露出させ、下基板のドレイン極接触窓となる。
本発明の方法の第二金属層は薄膜トランジスターの多くの構成部品を構成可能で、第二金属層の一部は薄膜トランジスターのソース極或いはドレイン極で、
本発明の方法の基板はあらゆる公知の材料とすることができ、ガラスが望ましく、
本発明の方法の絶縁層はあらゆる公知の材料とすることができ、酸化シリコン或いは窒化シリコンが望ましく、
本発明の方法の透明電極層はあらゆる金属酸化物とすることができ、インジウムとスズの酸化物(ITO)、或いはインジウムと亜鉛の酸化物(IZO)であることが望ましいことを特徴とする液晶表示装置用下基板の製造方法である。
A.基板を提供し、
B.該基板上に第一金属層を積層し、第一フォトマスクを利用し、該第一金属層をパターン化し、
C.該基板と該第一金属層上に第一絶縁層を形成し、
D.該第一絶縁層上に半導体層を形成し、該第一フォトマスクを利用し、該半導体層をパターン化し、しかも該半導体層は該第一金属層の上に位置し、
E.該半導体層上には第二金属層を形成し、該第二金属層をパターン化し、
F.該第二金属層、該半導体層、該第一絶縁層上方に第二絶縁層を形成し、該第二絶縁層をパターン化し、
G.該第二絶縁層上方に透明電極層を形成し、該透明電極層をパターン化することを特徴とする液晶表示装置用下基板の製造方法としている。
請求項2の発明は、請求項1記載の液晶表示装置用下基板の製造方法において、前記第二絶縁層は保護層と平坦層を含むことを特徴とする液晶表示装置用下基板の製造方法としている。
請求項3の発明は、請求項1記載の液晶表示装置用下基板の製造方法において、前記半導体層はアモルファスシリコンであることを特徴とする液晶表示装置用下基板の製造方法としている。
請求項4の発明は、請求項1記載の液晶表示装置用下基板の製造方法において、前記液晶表示装置用下基板の製造方法はさらに1つのステップを含み、該半導体層表面にオーム接触層を形成することを特徴とする液晶表示装置用下基板の製造方法としている。
請求項5の発明は、請求項4記載の液晶表示装置用下基板の製造方法において、前記オーム接触層はN+アモルファスシリコンであることを特徴とする液晶表示装置用下基板の製造方法としている。
請求項6の発明は、請求項1記載の液晶表示装置用下基板の製造方法において、前記第二絶縁層は複数の貫通孔を備えることを特徴とする液晶表示装置用下基板の製造方法としている。
請求項7の発明は、請求項6記載の液晶表示装置用下基板の製造方法において、前記貫通孔の内の少なくとも1個の貫通孔は該第二絶縁層、該半導体層、該第一絶縁層を貫通し、該第一金属層において露出することを特徴とする液晶表示装置用下基板の製造方法としている。
請求項8の発明は、請求項7記載の液晶表示装置用下基板の製造方法において、前記貫通孔の内の少なくとも1個の貫通孔は該第二絶縁層を貫通し、該第二金属層において露出することを特徴とする液晶表示装置用下基板の製造方法としている。
請求項9の発明は、請求項1記載の液晶表示装置用下基板の製造方法において、前記第一金属層の一部は薄膜トランジスターのゲート極であることを特徴とする液晶表示装置用下基板の製造方法としている。
請求項10の発明は、請求項1記載の液晶表示装置用下基板の製造方法において、前記第一金属層の一部は補助キャパシタの電極であることを特徴とする液晶表示装置用下基板の製造方法としている。
請求項11の発明は、請求項1記載の液晶表示装置用下基板の製造方法において、前記第一金属層の一部は表示区外の端子線であることを特徴とする液晶表示装置用下基板の製造方法としている。
請求項12の発明は、請求項1記載の液晶表示装置用下基板の製造方法において、前記第二金属層の一部は薄膜トランジスターのソース極或いはドレイン極であることを特徴とする液晶表示装置用下基板の製造方法としている。
請求項13の発明は、請求項1記載の液晶表示装置用下基板の製造方法において、前記基板はガラスであることを特徴とする液晶表示装置用下基板の製造方法としている。
請求項14の発明は、請求項1記載の液晶表示装置用下基板の製造方法において、前記第一絶縁層は酸化シリコン或いは窒化シリコンであることを特徴とする液晶表示装置用下基板の製造方法としている。
請求項15の発明は、請求項1記載の液晶表示装置用下基板の製造方法において、前記透明電極はインジウムと亜鉛の酸化物或いはインジウムとスズの酸化物であることを特徴とする液晶表示装置用下基板の製造方法としている。
A.基板を提供し、
B.該基板上に第一金属層を積層し、第一フォトマスクを利用し、該第一金属層をパターン化し、
C.該基板と該第一金属層上に第一絶縁層を形成し、
D.該第一絶縁層上に半導体層を形成し、該第一金属層をフォトマスクとし、該半導体層をパターン化し、しかも該半導体層は該第一金属層の上に位置し、
E.該半導体層上には第二金属層を形成し、該第二金属層をパターン化し、
F.該第二金属層、該半導体層、該第一絶縁層上方に第二絶縁層を形成し、該第二絶縁層をパターン化し、
G.該第二絶縁層上方に透明電極層を形成し、該透明電極層をパターン化することを特徴とする液晶表示装置用下基板の製造方法としている。
請求項17の発明は、請求項16記載の液晶表示装置用下基板の製造方法において、前記第二絶縁層は保護層と平坦層を含むことを特徴とする液晶表示装置用下基板の製造方法としている。
請求項18の発明は、請求項16記載の液晶表示装置用下基板の製造方法において、前記液晶表示装置用下基板の製造方法はさらに1つのステップを含み、該半導体層表面にオーム接触層を形成することを特徴とする液晶表示装置用下基板の製造方法としている。
請求項19の発明は、請求項16記載の液晶表示装置用下基板の製造方法において、前記第二絶縁層は複数の貫通孔を備えることを特徴とする液晶表示装置用下基板の製造方法としている。
図6に示すように、先ず基板30を提供する。該基板30はガラス基底、石英基底、プラスチック基底である。
次に、該基板30上に第一金属層32を積層し、第一フォトマスクを利用しフォトマスク(リソグラフィーエッチング)プロセスを行い、該第一金属層32をパターン化する。つまり、該第一金属層32を該基板30に積層後、パターン化したフォトマスクにより保護し、さらに該第一金属層32に対して乾式エッチング或いは湿式エッチング工程を行いパターン化を完成させる。
本実施例中では、パターン化された第一金属層32はTFTのゲート極321、補助キャパシタの下電極322、及び表示区外の端子線323を含む。しかも、該パターン化された第一金属層32は単層或いは多層構造で、その材料は単一金属或いは合金である。その材料はアルミニウム(Al)、タングステン(W)、クロム(Cr)、銅(Cu)、チタン(Ti)、窒化チタン(TiNx)、アルミ合金、クロム合金、モリブデン(Mo)金属或いはその組合せである。
本実施例において、該第一絶縁層34は酸化シリコン(SiOx)、窒化シリコン(SiNy)、或いは窒酸化シリコン(Silicon oxynitride)で、該半導体層36はアモルファスシリコン(amorphous silicon)、或いは多結晶シリコン(polycrystalline silicon)で、該オーム接触層38はn+-Si(n-type doped silicon)などのドープシリコンである。
つまり、該第一金属層32、該半導体層36(該オーム接触層38)のパターンは相同であるため、同一フォトマスクを使用しパターン化を行うことができ、1段階のフォトマスクの設計と製造コストを削減することができる。
さらに、該第一金属層32、該半導体層36、該オーム接触層38のパターンは相同であるため、パターン化された第一金属層34をフォトマスクとし、該半導体層36と該オーム接触層38に対して背面露光及びエッチングを行い、1段階のフォトマスクの設計と製造コストを削減することができる。
該パターン化された第二金属層40はTFTのソース極401、ドレイン極402、補助キャパシタの上電極403を含む。しかも該パターン化された第二金属層40と該パターン化された第一金属層32は相同で、単層或いは多層構造とすることができ、その材料は単一金属或いは合金である。その材料はアルミニウム(Al)、タングステン(W)、クロム(Cr)、銅(Cu)、チタン(Ti)、窒化チタン(TiNx)、アルミ合金、クロム合金、モリブデン(Mo)金属或いはその組合せである。また第一絶縁層の材料は酸化シリコン(SiOx)、窒化シリコン(SiNy)である。
本実施例において、該複数の貫通孔52、54の内少なくとも1個の貫通孔52は、該平坦層44と該保護層42を貫通し、これにより該補助キャパシタの上電極403は露出する。該貫通孔52はTFTのドレイン接触窓(contact of drain electrode)を提供し、またさらに少なくとも1個の貫通孔54は該平坦層44、該保護層42、該オーム接触層38、該半導体層36、該第一絶縁層34を含むことができる。露出表示区外の端子線323は端子線の接触窓(contact of terminal PAD)とする。
本実施例においては、保護層42だけを形成し、或いは平坦層44だけを形成し、或いは同時に保護層42と平坦層44を形成することができ、該2層の順序に決まりはない。
本実施例において、該第一金属層32と該半導体層36(オーム接触層38)のパターンは相同であるため、同一フォトマスクを使用し第一段階のフォトマスク(リソグラフィーエッチング)プロセス及び第二段階のフォトマスク(リソグラフィーエッチング)プロセスを行うことができる。これにより1段階のフォトマスクの設計と製造費用を削減することができる。
或いは、第一段階のフォトマスク(リソグラフィーエッチング)プロセスにより第一金属層32を定義した後、該パターン化した第一金属層32をフォトマスクとし、第二段階のフォトマスク(リソグラフィーエッチング)プロセスを行うことができ、こうして1段階のフォトマスクの設計と製造費用を削減することができる。
32 第一金属層
321 TFTのゲート極
322 補助キャパシタの下電極
323 端子線
34 第一絶縁層
36 半導体層
38 オーム接触層
40 第二金属層
401 ソース極
402 ドレイン極
403 補助キャパシタの上電極
42 保護層
44 平坦層
46 透明電極層
52、54 貫通孔
511 ドレイン極接触層
512 端子接触窓
Claims (19)
- 一種の液晶表示装置用下基板の製造方法において、以下のステップを含み、
A.基板を提供し、
B.該基板上に第一金属層を積層し、第一フォトマスクを利用し、該第一金属層をパターン化し、
C.該基板と該第一金属層上に第一絶縁層を形成し、
D.該第一絶縁層上に半導体層を形成し、該第一フォトマスクを利用し、該半導体層をパターン化し、しかも該半導体層は該第一金属層の上に位置し、
E.該半導体層上には第二金属層を形成し、該第二金属層をパターン化し、
F.該第二金属層、該半導体層、該第一絶縁層上方に第二絶縁層を形成し、該第二絶縁層をパターン化し、
G.該第二絶縁層上方に透明電極層を形成し、該透明電極層をパターン化することを特徴とする液晶表示装置用下基板の製造方法。 - 請求項1記載の液晶表示装置用下基板の製造方法において、前記第二絶縁層は保護層と平坦層を含むことを特徴とする液晶表示装置用下基板の製造方法。
- 請求項1記載の液晶表示装置用下基板の製造方法において、前記半導体層はアモルファスシリコンであることを特徴とする液晶表示装置用下基板の製造方法。
- 請求項1記載の液晶表示装置用下基板の製造方法において、前記液晶表示装置用下基板の製造方法はさらに1つのステップを含み、該半導体層表面にオーム接触層を形成することを特徴とする液晶表示装置用下基板の製造方法。
- 請求項4記載の液晶表示装置用下基板の製造方法において、前記オーム接触層はN+アモルファスシリコンであることを特徴とする液晶表示装置用下基板の製造方法。
- 請求項1記載の液晶表示装置用下基板の製造方法において、前記第二絶縁層は複数の貫通孔を備えることを特徴とする液晶表示装置用下基板の製造方法。
- 請求項6記載の液晶表示装置用下基板の製造方法において、前記貫通孔の内の少なくとも1個の貫通孔は該第二絶縁層、該半導体層、該第一絶縁層を貫通し、該第一金属層において露出することを特徴とする液晶表示装置用下基板の製造方法。
- 請求項7記載の液晶表示装置用下基板の製造方法において、前記貫通孔の内の少なくとも1個の貫通孔は該第二絶縁層を貫通し、該第二金属層において露出することを特徴とする液晶表示装置用下基板の製造方法。
- 請求項1記載の液晶表示装置用下基板の製造方法において、前記第一金属層の一部は薄膜トランジスターのゲート極であることを特徴とする液晶表示装置用下基板の製造方法。
- 請求項1記載の液晶表示装置用下基板の製造方法において、前記第一金属層の一部は補助キャパシタの電極であることを特徴とする液晶表示装置用下基板の製造方法。
- 請求項1記載の液晶表示装置用下基板の製造方法において、前記第一金属層の一部は表示区外の端子線であることを特徴とする液晶表示装置用下基板の製造方法。
- 請求項1記載の液晶表示装置用下基板の製造方法において、前記第二金属層の一部は薄膜トランジスターのソース極或いはドレイン極であることを特徴とする液晶表示装置用下基板の製造方法。
- 請求項1記載の液晶表示装置用下基板の製造方法において、前記基板はガラスであることを特徴とする液晶表示装置用下基板の製造方法。
- 請求項1記載の液晶表示装置用下基板の製造方法において、前記第一絶縁層は酸化シリコン或いは窒化シリコンであることを特徴とする液晶表示装置用下基板の製造方法。
- 請求項1記載の液晶表示装置用下基板の製造方法において、前記透明電極はインジウムと亜鉛の酸化物或いはインジウムとスズの酸化物であることを特徴とする液晶表示装置用下基板の製造方法。
- 一種の液晶表示装置用下基板の製造方法において、以下のステップを含み、
A.基板を提供し、
B.該基板上に第一金属層を積層し、第一フォトマスクを利用し、該第一金属層をパターン化し、
C.該基板と該第一金属層上に第一絶縁層を形成し、
D.該第一絶縁層上に半導体層を形成し、該第一金属層をフォトマスクとし、該半導体層をパターン化し、しかも該半導体層は該第一金属層の上に位置し、
E.該半導体層上には第二金属層を形成し、該第二金属層をパターン化し、
F.該第二金属層、該半導体層、該第一絶縁層上方に第二絶縁層を形成し、該第二絶縁層をパターン化し、
G.該第二絶縁層上方に透明電極層を形成し、該透明電極層をパターン化することを特徴とする液晶表示装置用下基板の製造方法。 - 請求項16記載の液晶表示装置用下基板の製造方法において、前記第二絶縁層は保護層と平坦層を含むことを特徴とする液晶表示装置用下基板の製造方法。
- 請求項16記載の液晶表示装置用下基板の製造方法において、前記液晶表示装置用下基板の製造方法はさらに1つのステップを含み、該半導体層表面にオーム接触層を形成することを特徴とする液晶表示装置用下基板の製造方法。
- 請求項16記載の液晶表示装置用下基板の製造方法において、前記第二絶縁層は複数の貫通孔を備えることを特徴とする液晶表示装置用下基板の製造方法。
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Cited By (3)
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---|---|---|---|---|
JP2009124123A (ja) * | 2007-10-23 | 2009-06-04 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置の作製方法 |
WO2014038501A1 (ja) * | 2012-09-07 | 2014-03-13 | シャープ株式会社 | アクティブマトリクス基板、及び製造方法 |
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TWI409561B (zh) * | 2009-10-30 | 2013-09-21 | Innolux Corp | 液晶顯示器與其製造方法 |
CN102890378B (zh) * | 2012-09-17 | 2015-01-21 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种阵列基板及其制造方法 |
KR20160107413A (ko) | 2015-03-03 | 2016-09-19 | 삼성디스플레이 주식회사 | 액정 렌즈의 제조 방법 |
KR102373440B1 (ko) * | 2017-03-17 | 2022-03-14 | 삼성디스플레이 주식회사 | 디스플레이 패널 및 이를 구비하는 디스플레이 장치 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6273670A (ja) * | 1985-09-26 | 1987-04-04 | Seiko Instr & Electronics Ltd | 薄膜トランジスタ装置の製造方法 |
JPS6326628A (ja) * | 1985-11-26 | 1988-02-04 | Stanley Electric Co Ltd | 液晶カラ−表示装置およびその製造方法 |
JPH06337439A (ja) * | 1993-05-27 | 1994-12-06 | Dainippon Printing Co Ltd | アクティブマトリクス基板 |
JP2001042355A (ja) * | 1999-07-29 | 2001-02-16 | Hitachi Ltd | 液晶表示装置 |
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---|---|---|---|---|
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KR100225098B1 (ko) * | 1996-07-02 | 1999-10-15 | 구자홍 | 박막트랜지스터의 제조방법 |
KR100451381B1 (ko) * | 1998-07-30 | 2005-06-01 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 박막트랜지스터및그제조방법 |
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JP3391343B2 (ja) * | 1999-10-26 | 2003-03-31 | 日本電気株式会社 | アクティブマトリクス基板及びその製造方法 |
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Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6273670A (ja) * | 1985-09-26 | 1987-04-04 | Seiko Instr & Electronics Ltd | 薄膜トランジスタ装置の製造方法 |
JPS6326628A (ja) * | 1985-11-26 | 1988-02-04 | Stanley Electric Co Ltd | 液晶カラ−表示装置およびその製造方法 |
JPH06337439A (ja) * | 1993-05-27 | 1994-12-06 | Dainippon Printing Co Ltd | アクティブマトリクス基板 |
JP2001042355A (ja) * | 1999-07-29 | 2001-02-16 | Hitachi Ltd | 液晶表示装置 |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009124123A (ja) * | 2007-10-23 | 2009-06-04 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置の作製方法 |
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US8866142B2 (en) | 2011-02-09 | 2014-10-21 | Samsung Display Co., Ltd. | Display device and manufacturing method thereof |
WO2014038501A1 (ja) * | 2012-09-07 | 2014-03-13 | シャープ株式会社 | アクティブマトリクス基板、及び製造方法 |
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