JP2007221000A5 - - Google Patents

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  1. 複数枚の基板をそれぞれ間隔を置いて積層させた状態で減圧下の処理室に載置し、前記
    積層方向に延在し多数のガス噴出口を有するガスノズルによって前記基板の側方から処理
    ガスを供給して、前記基板を回転させながら処理する基板処理装置であって、
    前記複数枚の基板をそれぞれ間隔を置いて積層させた状態で保持する保持具を備えてお
    り、この保持具を構成する保持柱における前記基板のそれぞれを載置する載置部は、前記
    処理ガスの噴出方向の下流側部分もしくは上流側部分またはそのいずれにも、前記処理ガ
    スの流れおよび拡散を妨げない整流部を備えている基板処理装置。
  2. 前記整流部はC面取りまたはR面取りによって形成されている請求項1記載の基板処理装置。
  3. 複数枚の基板をそれぞれ間隔を置いて積層させた状態で減圧下の処理室に載置し、前記積層方向に延在し多数のガス噴出口を有するガスノズルによって前記基板の側方から処理ガスを供給して、前記基板を回転させながら処理する基板処理装置であって、
    前記複数枚の基板をそれぞれ間隔を置いて積層させた状態で保持する保持具を備えており、この保持具を構成する保持柱の周方向の寸法が、前記複数枚の基板の積層ピッチよりも小さい基板処理装置。
  4. 複数枚の基板をそれぞれ間隔を置いて積層させた状態で減圧下の処理室に載置し、前記積層方向に延在し多数のガス噴出口を有するガスノズルによって前記基板の側方から処理ガスを供給して、前記基板を回転させながら処理する基板処理装置であって、
    前記複数枚の基板をそれぞれ間隔を置いて積層させた状態で保持する保持具を備えており、この保持具を構成する保持柱における前記基板のそれぞれを保持する保持溝の凹部には、前記処理ガスの噴出方向の下流側部分に、前記処理ガスの流れおよび拡散を妨げない整流部を備えている基板処理装置。
  5. 前記整流部はC面取りまたはR面取りによって形成されている請求項4記載の基板処理装置。
  6. 複数枚の基板をそれぞれ間隔を置いて積層させた状態で減圧下の処理室に載置し、前記積層方向に延在し多数のガス噴出口を有するガスノズルによって前記基板の側方から処理ガスを供給して、前記基板を回転させながら処理する基板処理装置であって、
    前記複数枚の基板をそれぞれ間隔を置いて積層させた状態で保持する保持具を備えており、この保持具は前記基板のそれぞれを保持する複数本の保持柱と、前記基板のそれぞれを保持しない少なくとも1本の支柱とを備えている基板処理装置。
  7. 複数枚の基板をそれぞれ間隔を置いて積層させた状態で減圧下の処理室に載置し、前記積層方向に延在し多数のガス噴出口を有するガスノズルによって前記基板の側方から処理ガスを供給して、前記基板を回転させながら処理する基板処理装置であって、
    前記複数枚の基板をそれぞれ間隔を置いて積層させた状態で保持する保持具を備えており、この保持具の前記基板をそれぞれ載置する載置部の厚さが3mm以下になっている基板処理装置。
  8. 複数枚の基板をそれぞれ間隔を置いて積層させた状態で減圧下の処理室に載置し、前記積層方向に延在し多数のガス噴出口を有するガスノズルによって前記基板の側方から処理ガスを供給して、前記基板を回転させながら処理する基板処理装置であって、
    前記複数枚の基板をそれぞれ間隔を置いて積層させた状態で保持する保持具を備えており、この保持具を構成する保持柱は、前記基板の中心方向に貫通する通風孔を備えている基板処理装置。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP5545055B2 (ja) * 2010-06-15 2014-07-09 東京エレクトロン株式会社 支持体構造及び処理装置
JP6458547B2 (ja) * 2015-02-24 2019-01-30 株式会社デンソー シャワーヘッド、シャワーヘッドシステム、及び成膜装置
CN108695138A (zh) * 2017-03-29 2018-10-23 株式会社日立国际电气 衬底支承件、衬底处理装置及半导体器件的制造方法

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02102524A (ja) * 1988-10-11 1990-04-16 Nec Corp ウェハーボート
JP3023977B2 (ja) * 1990-11-01 2000-03-21 東京エレクトロン株式会社 縦型熱処理装置
JPH0737814A (ja) * 1993-07-23 1995-02-07 Sony Corp 薄膜形成装置

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