JP2007212795A - 光半導体モジュール、その調整方法、及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】挿入される光ファイバの種類に関係なく、光半導体モジュールの出力を一定に保つこと。
【解決手段】本発明に係る光半導体モジュール１は、レーザー光を放射する半導体レーザー１０と、そのレーザー光を集光するレンズ２０と、集光されたレーザー光を伝送路２０１へ出力する光コネクタ３０とを備える。その光コネクタ３０は、レーザー光が入射する入射面ＩＰを有する光ファイバ３４を含むファイバフェルール３２と、その入射面ＩＰを覆うように設けられた光減衰部５０とを備える。光減衰部５０は、例えば偏光ガラスであり、その光減衰部５０におけるレーザー光の透過率は、光軸に直交する面における光減衰部５０の回転により変化する。これら半導体レーザー１０、レンズ２０、及び光コネクタ３０は、入射面ＩＰにおけるレーザー光のスポット径が上記光ファイバ３４のコアの直径よりも小さくなるように調芯される。
【選択図】図４

Description

本発明は、光半導体モジュールに関する。特に、本発明は、光半導体モジュールの出力を調整する技術に関する。

光通信の分野において、光を伝送するために用いられる「光半導体モジュール（optical semiconductor module）」が知られている（例えば、特許文献１、特許文献２、特許文献３参照）。光半導体モジュールは、発光素子である半導体レーザー（レーザーダイオード）と、光ファイバを保持する光コネクタとを有し、半導体レーザーと光ファイバを光結合させる。例えば、光コネクタとしてレセプタクルが用いられる場合、その光半導体モジュールは、「レセプタクル型光半導体モジュール」と呼ばれる。レセプタクルは、外部から挿入される光ファイバを保持し、また、その光ファイバと発光、受光素子との位置決めを行うためのコネクタである。

図１は、一般的なレセプタクル型の光半導体モジュール１００の構成を概略的に示す断面図である。この光半導体モジュール１００は、レーザー光を放射する半導体レーザー１１０、放射されたレーザー光を集光する光学レンズ１２０、及びレセプタクル１３０を備えている。半導体レーザー１１０は、ステム１１１に半田等により接合されたサブマウント１１２上に搭載されている。光学レンズ１２０はレンズキャップ１２１に固定されており、レンズキャップ１２１はステム１１１に溶接等で固定されている。半導体レーザー１１０と光学レンズ１２０との間の距離は、所定の距離に設定されている。

レセプタクル１３０は、筐体１３１と、筐体１３１に固着されるファイバフェルール１３２を有している。ファイバフェルール１３２は、フェルール１３３と光ファイバ１３４とから構成されている。フェルール１３３は、光コネクタの中で光ファイバを保持・固定するための円筒形の部品である。光ファイバ１３４は、シングルモードファイバ（SMF: Single Mode Fiber）であり、そのコアの直径は１０μｍ程度である。光学レンズ１２０により集光されたレーザー光は、このレセプタクル１３０の光ファイバ１３４に結合される。光ファイバ１３４の入射面ＩＰに入射したレーザー光は、外部の伝送路へ出力される。

スライドホルダ１４０は、半導体レーザー１１０及び光学レンズ１２０を含むユニットとレセプタクル１３０とを繋ぐ部品である。このスライドホルダ１４０により、レセプタクル１３０の光軸方向の位置は調整可能である。以下、光軸は「Ｚ軸」と参照される。Ｚ軸に直交する平面はＸＹ面と参照される。

調芯（Alignment）は、最初、光学レンズ１２０のフォーカスが入射面ＩＰに一致するように行われる。すなわち、スライドホルダ１４０によるＺ軸調芯及びレセプタクル１３０のＸ，Ｙ調芯が行われ、レーザー光が最も集光される「ピーク結合位置」に入射面ＩＰが一致するように、レセプタクル１３０の位置は調整される。しかしながら、この場合、光ファイバ１３４から出力されるレーザー光の出力強度は大きすぎ、所望の出力強度（出力規格）を上回る場合が多い。従って、光ファイバ１３４に結合されるレーザー光を減衰させる必要がある。

そのため従来、特許文献１（特開２００４−２０５８６１号公報）の段落００４４や特許文献２（特開２００４−１３８８６４号公報）の段落００１１に記載されているように、「デフォーカス」が行われている。具体的には、図１中の矢印で示されるように、レセプタクル１３０をＺ軸方向に沿って前後に移動させることにより、Ｚ軸方向の調芯がずらされる。つまり、入射面ＩＰの位置が、光学レンズ１２０のフォーカスからわざとずらされる。

図２は、デフォーカス量と入射面ＩＰにおけるビームスポット径との関係を示している。また、図３は、デフォーカス量と規格化された結合効率との関係を示している。図２及び図３において、デフォーカス量が０である位置は、ピーク結合位置ＰＣを表している。ピーク結合位置ＰＣにおいて、ビームスポット径は最小であり、ＳＭＦである光ファイバ１３４のコアの直径Ｒｓｍｆ（約１０μｍ）よりも小さい。この場合、光学レンズ１２０により集光されたレーザー光のほとんどが光ファイバ１３４に結合され、結合効率は最大となる。

デフォーカスが行われると、図２に示されるように、ビームスポット径は、デフォーカス量に応じて大きくなる。そして、ビームスポット径が光ファイバ１３４のコアの直径Ｒｓｍｆよりも大きくなると、光ファイバ１３４に結合されるレーザー光が少なくなる。その結果、図３に示されるように結合効率が減少する、すなわち、光半導体モジュール１００から出力されるレーザー光が減衰する。例えば、出力を６ｄＢ減衰させるためには、０．５ｍｍ程度デフォーカスが行われる。

このようにして、光半導体モジュール１００から出力されるレーザー光の出力強度が、デフォーカスによって調整される。所望の出力強度が実現されると、そのデフォーカス量の位置でレセプタクル１３０は固定される。レセプタクル１３０の固定は、ＹＡＧレーザー溶接等により行われる。実使用時には、図１に示されるように、ファイバフェルール２００がこの光半導体モジュール１のレセプタクル１３０に挿入される。そのファイバフェルール２００が有する光ファイバ２０１は、レセプタクル１３０において上記光ファイバ１３４と光結合する。その光ファイバ２０１を通して、レーザー光が伝達されていく。

特開２００４−２０５８６１号公報 特開２００４−１３８８６４号公報 特開平９−３０７１４４号公報

レセプタクル１３０に挿入される光ファイバ２０１は、シングルモードファイバ（ＳＭＦ）である場合も、マルチモードファイバ（ＭＭＦ）である場合もある。ＳＭＦは、１つのモードのみを伝送する光ファイバであり、そのコアの直径Ｒｓｍｆは約１０μｍである。一方、ＭＭＦは、異なるモードが混在する光ファイバであり、そのコアの直径Ｒｍｍｆは約５０μｍもしくは約６２．５μｍである（図２参照）。

本願発明者は、デフォーカスされた光半導体モジュール１００の場合、光ファイバ２０１を伝播するレーザー光の強さは、ＳＭＦかＭＭＦかによって変化することを見出した。レセプタクル１３０にＭＭＦが挿入される場合、ＳＭＦが挿入される場合に比べて、レーザー光は強くなる。従って、レセプタクル１３０に任意の光ファイバが挿入されるシステムにおいては、その光ファイバの種類に依存して特性が変化してしまう。ＳＭＦの場合でもＭＭＦの場合でも、光ファイバ２０１を伝播する光出力を同じにすることができる技術が望まれる。

尚、上述の特許文献２には、内蔵の光アイソレータを回転させることにより光量を調整することが記載されている。光アイソレータは、反射戻り光の影響を比較的受け易いＤＦＢ（Distributed Feed-Back）レーザーで用いられることが多く、また、非常に高価である。光アイソレータを必要としない光半導体モジュールに対して、光量調節専用の光アイソレータを設けることは現実的ではない。

以下に、［発明を実施するための最良の形態］で使用される番号・符号を用いて、［課題を解決するための手段］を説明する。これらの番号・符号は、［特許請求の範囲］の記載と［発明を実施するための最良の形態］との対応関係を明らかにするために括弧付きで付加されたものである。ただし、それらの番号・符号を、［特許請求の範囲］に記載されている発明の技術的範囲の解釈に用いてはならない。

本願発明者は、レセプタクルに挿入される光ファイバの種類に依存せず出力を同じにするためには、デフォーカスを実質的に行わないことが重要であることを見出した。少なくとも、レーザー光のスポット径はＳＭＦのコアの直径Ｒｓｍｆよりも小さくなるように設定され、結合効率が最大になるように調芯が行われる。但し、そのままでは、レーザー光の出力強度が規格値を上回る可能性がある。そのため、本発明によれば、光アイソレータとは異なり、レーザー光を減衰させるための光減衰部（５０）が設けられる。

すなわち、本発明に係る光半導体モジュール（１）は、レーザー光を放射する半導体レーザー（１０）と、そのレーザー光を集光するレンズ（２０）と、集光されたレーザー光を伝送路（２０１）へ出力する光コネクタ（３０）とを備える。その光コネクタ（３０）は、レーザー光が入射する入射面（ＩＰ）を有する光ファイバ（３４）を含むファイバフェルール（３２）と、その入射面（ＩＰ）を覆うように設けられた光減衰部（５０）とを備える。光減衰部（５０）は、例えば偏光ガラスであり、その光減衰部（５０）におけるレーザー光の透過率は、光軸（Ｚ）に直交する面（ＸＹ）における光減衰部（５０）の回転により変化する。この回転により、光半導体モジュール（１）から出力されるレーザー光を減衰させることが可能となる。

これら半導体レーザー（１０）、レンズ（２０）、及び光コネクタ（３０）は、入射面（ＩＰ）におけるレーザー光のスポット径が上記光ファイバ（３４）のコアの直径（Ｒｓｍｆ）よりも小さくなるように調芯される。つまり、デフォーカス量は結合効率が最大に保たれる範囲内であり、デフォーカスによるレーザー光の減衰は発生しない。この場合、光コネクタ（３０）に挿入される光ファイバ（２０１）のコアの直径は関係なくなり、光コネクタ（３０）にＳＭＦが挿入されてもＭＭＦが挿入されても、それを伝播する光出力はほぼ一定となる。従って、光コネクタ（３０）に任意の光ファイバ（２０１）が挿入されるシステムにおいて、特性が変化することが抑制される。このように、本発明によれば、挿入される光ファイバ（２０１）の種類によらず出力が一定に保たれる光半導体モジュール（１）が実現される。

本発明によれば、挿入される光ファイバの種類に関係なく、光半導体モジュールの出力を一定に保つことが可能となる。また、光量の調整に光アイソレータは用いられないので、低コストで実現される。

添付図面を参照して、本発明に係る光半導体モジュール、その調整方法、及びその製造方法を説明する。

図４は、本発明の実施の形態に係る光半導体モジュール１の構成を概略的に示す断面図である。この光半導体モジュール１は、半導体レーザー１０、光学レンズ２０、及びレセプタクル３０を備えている。

半導体レーザー１０は、レーザー光を放射するレーザーダイオードである。特に、半導体レーザー１０は、ファブリペロ型のレーザーダイオードであることが望ましい。この半導体レーザー１０は、ステム１１に半田等により接合されたサブマウント１２上に搭載されている。光学レンズ２０は、半導体レーザー１０から放射されたレーザー光を集光する。この光学レンズ２０は、レンズキャップ２１に固定されており、そのレンズキャップ２１はステム１１に溶接等で固定されている。光学レンズ２０の倍率は４倍程度が望ましい。これら半導体レーザー１０と光学レンズ２０との間の距離は、所定の距離に設定されている。

レセプタクル３０は、光コネクタであり、外部から挿入されるファイバフェルール２００を保持する。また、レセプタクル３０は、上記半導体レーザー１０とファイバフェルール２００の光ファイバ２０１とを光結合させる。このレセプタクル３０は、筐体３１と、その筐体３１に固着されたファイバフェルール３２を有している。ファイバフェルール３２は、フェルール３３と光ファイバ３４とから構成されている。光ファイバ３４は、シングルモードファイバ（ＳＭＦ）であり、そのコアの直径Ｒｓｍｆは１０μｍ程度である。光学レンズ２０により集光されたレーザー光は、このレセプタクル３０の光ファイバ３４に結合される。光ファイバ３４の入射面ＩＰに入射したレーザー光は、外部の伝送路へ出力される。

スライドホルダ４０は、半導体レーザー１０及び光学レンズ２０を含むユニットとレセプタクル３０とを繋ぐ部品である。このスライドホルダ４０により、レセプタクル３０の光軸方向の位置は調整可能である。以下、光軸は「Ｚ軸」と参照される。Ｚ軸に直交する平面はＸＹ面と参照される。調芯（Alignment）は、このスライドホルダ４０によるＺ軸調芯、及びレセプタクル３０のＸ，Ｙ調芯により実現される。

本実施の形態によれば、デフォーカスによるレーザー光の減衰が発生しないように調芯が行われている。すなわち、半導体レーザー１０、光学レンズ２０、及びレセプタクル３０は、入射面ＩＰにおけるレーザー光のスポット径が上記光ファイバ３４のコアの直径Ｒｓｍｆ（約１０μｍ）よりも小さくなるように調芯されている。この場合、光学レンズ２０により集光されたレーザー光のほとんどが光ファイバ３４に結合され、結合効率は最大となる（図３参照）。好適には、光学レンズ２０のフォーカスが入射面ＩＰに一致するように調芯が行われる。すなわち、レーザー光が最も集光されるピーク結合位置ＰＣに入射面ＩＰが一致するように、レセプタクル３０の位置は調整されている。この場合、入射面ＩＰにおけるレーザー光のスポット径は、光ファイバ３４のコアの直径よりも十分小さくなる。

このように、デフォーカス量は結合効率が最大に保たれる範囲内であり、デフォーカスによるレーザー光の減衰は発生しない。その場合、レセプタクル３０に挿入される光ファイバ２０１のコアの直径は関係なくなる。すなわち、レセプタクル３０にＳＭＦが挿入されてもＭＭＦが挿入されても、それを伝播する光出力はほぼ一定となる。従って、レセプタクル３０に任意の光ファイバ２０１が挿入されるシステムにおいて、特性が変化することが抑制される。このように、本実施の形態によれば、挿入される光ファイバ２０１の種類によらず出力が一定に保たれる光半導体モジュール１が実現される。

以上に示されたように、本実施の形態によれば、デフォーカスは実質的に行われない。従って、そのままでは、光ファイバ３４から出力されるレーザー光の出力強度が、所望の出力強度（出力規格）を上回る可能性がある。そのため、図４に示されるように、本実施の形態に係るレセプタクル３０には、入射面ＩＰを覆う光減衰部５０が設けられている。この光減衰部５０は、光アイソレータと異なる部材であり、光ファイバ３４に結合されるレーザー光を減衰させるための部材である。そして、光減衰部５０におけるレーザー光の透過率は、Ｚ軸に直交するＸＹ面における光減衰部５０の回転により変化する。この回転により、光ファイバ３４から出力されるレーザー光の出力強度を調整することが可能となる。

例えば、光減衰部５０は、双方向に光を透過させる偏光ガラスである。その偏光ガラス５０は、ファイバフェルール３２の入射面ＩＰ側に樹脂等で接着されており、ファイバフェルール３２と一体動作する。ＸＹ面において偏光ガラス５０すなわちレセプタクル３０を回転させること（θ回転）によって、その偏光ガラス５０を透過する光の量を変化させることができる。図５は、偏光ガラス５０の回転角度に対する透過率の依存性を示している。図５に示されるように、回転角度が大きくなるにつれ、透過率は減少していく。回転角度を調節することによって、光半導体モジュール１の出力を最適化することが可能となる。例えば、光出力を６ｄＢ減衰させるためには、６０°程度のθ回転が行われる。

偏光ガラス５０は光アイソレータよりも安価であり、製造コストの面で有利である。反射戻り光の影響を比較的受け易いＤＦＢレーザーでしばしば用いられる光アイソレータは、非常に高価である。反射戻り光の影響を受けにくいファブリペロ型レーザーダイオードが搭載された光半導体モジュール１は、光アイソレータを必要とせず、光量調節専用の光アイソレータをそれに設けることは現実的ではない。本実施の形態によれば、光量の調整に光アイソレータは用いられないので、光半導体モジュール１が低コストで実現される。尚、光減衰部５０は、偏光ガラスに限られない。光減衰部５０として、偏光プラスチック、光学フィルタ、反射板等を利用することも可能である。光を減衰させる機能を有し、且つ、その減衰量が可変である部材であれば、光減衰部５０として利用され得る。

次に、図６に示されたフローチャート及び図４を参照し、本実施の形態に係る光半導体モジュール１の出力調整方法及び製造方法を説明する。

まず、半導体レーザー１０がサブマウント１２上に設置され、そのサブマウント１２がステム１１（保持部）に半田等により固定される（ステップＳ１０）。続いて、光学レンズ２０がレンズキャップ２１に固定され、そのレンズキャップ２１がステム１１に溶接等で固定される（ステップＳ２０）。これら半導体レーザー１０と光学レンズ２０との間の距離は、所定の距離に設定されている。

次に、上述のレセプタクル３０が提供される（ステップＳ３０）。そのレセプタクル３０は、ファイバフェルール３２と光減衰部５０を備えている。ファイバフェルール３２は筐体３１に固着されており、光減衰部５０はファイバフェルール３２に樹脂等で接着されている。よって、レセプタクル３０（筐体３１）を回転させることによって、光減衰部５０も回転させることができる。

次に、レーザー光出力の調整が行われる（ステップＳ４０）。まず、スライドホルダ４０を用いた調芯により、レセプタクル３０の位置が調節される（ステップＳ４１）。本実施の形態によれば、デフォーカスによるレーザー光の減衰が発生しないように調芯が行われる。具体的には、レセプタクル３０の位置は、入射面ＩＰにおけるレーザー光のスポット径が上記光ファイバ３４のコアの直径Ｒｓｍｆよりも小さくなるように調整される。好適には、レセプタクル３０の位置は、光学レンズ２０のフォーカスが入射面ＩＰに一致するように調整される。この場合、入射面ＩＰがピーク結合位置ＰＣと一致する。

次に、レセプタクル３０が、ＸＹ面において回転させられる（ステップＳ４２）。このレセプタクル３０の回転に応じて光減衰部５０も回転するので、透過率が変化し、その光減衰部５０を透過する光の量が変化する（図５参照）。回転角度を調節することによって、光半導体モジュール１の出力を所望の値に設定することが可能となる。上述の通り、光減衰部５０はレセプタクル３０と一体となって回転するため、レセプタクル３０を操作するだけでレーザー光出力を容易に調整することができる。また、レセプタクル３０のみを操作することにより、レセプタクル３０の位置決定（ステップＳ４１）とレーザー光出力の調整（ステップＳ４２）をまとめて行うこともでき、好適である。

所望のレーザー光出力が実現されると、レセプタクル３０は所定の保持部に固定される（ステップＳ５０）。レセプタクル３０の固定は、ＹＡＧレーザー溶接等により行われる。このようにして、本実施の形態に係る光半導体モジュール１が構成され、また、その出力の調整が行われる。

以上に説明されたように、本発明によれば、デフォーカスによる光量の調整は行われない。その代わり、光減衰部５０の回転によって、光量の調整が行われる。その結果、挿入される光ファイバの種類に関係なく、光半導体モジュール１の出力を一定に保つことが可能となる。尚、上記説明において、光コネクタとしてレセプタクル３０が例示されたが、代わりにピグテールが光コネクタとして用いられてもよい。その場合でも同様の調整が行われ、同様の効果が得られる。

図１は、従来の光半導体モジュールの構成を概略的に示す断面図である。 図２は、デフォーカス量と入射面におけるビームスポット径との関係を示すグラフである。 図３は、デフォーカス量と規格化された結合効率との関係を示すグラフである。 図４は、本発明の実施の形態に係る光半導体モジュールの構成を概略的に示す断面図である。 図５は、偏光ガラスの回転角度に対する透過率の依存性を示すグラフである。 図６は、本実施の形態に係る光半導体モジュールの出力調整方法及び製造方法を示すフローチャートである。

符号の説明

１０ 半導体レーザー
１１ ステム
１２ サブマウント
２０ 光学レンズ
２１ レンズキャップ
３０ レセプタクル
３１ 筐体
３２ ファイバフェルール
３３ フェルール
３４ 光ファイバ
４０ スライドホルダ
５０ 偏光ガラス
ＩＰ 入射面

Claims (17)

1. レーザー光を放射する半導体レーザーと、
   前記レーザー光を集光するレンズと、
   前記集光されたレーザー光を伝送路へ出力する光コネクタと
   を具備し、
   前記光コネクタは、
   前記レーザー光が入射する入射面を有する光ファイバを含むファイバフェルールと、
   前記入射面を覆うように設けられ、前記レーザー光を減衰させる光減衰部と
   を備え、
   前記半導体レーザー、前記レンズ、及び前記光コネクタは、前記入射面における前記レーザー光のスポット径が前記光ファイバのコアの直径よりも小さくなるように調芯され、
   前記光減衰部における前記レーザー光の透過率は、光軸に直交する面における前記光減衰部の回転により変化する
   光半導体モジュール。
2. 請求項１に記載の光半導体モジュールであって、
   前記半導体レーザー、前記レンズ、及び前記光コネクタは、前記レンズのフォーカスが前記入射面に一致するように調芯された
   光半導体モジュール。
3. 請求項１又は２に記載の光半導体モジュールであって、
   前記光減衰部は、前記ファイバフェルールと一体動作するように設けられ、
   前記ファイバフェルールは、前記光コネクタの筐体に固着され、
   前記透過率は、光軸に直交する面における前記光コネクタの回転により変化する
   光半導体モジュール。
4. 請求項１乃至３のいずれかに記載の光半導体モジュールであって、
   前記光減衰部は、偏光ガラスである
   光半導体モジュール。
5. 請求項１乃至４のいずれかに記載の光半導体モジュールであって、
   前記半導体レーザーは、ファブリペロ型の半導体レーザーである
   光半導体モジュール。
6. 請求項１乃至５のいずれかに記載の光半導体モジュールであって、
   前記光コネクタは、レセプタクルである
   光半導体モジュール。
7. 請求項１乃至５のいずれかに記載の光半導体モジュールであって、
   前記光コネクタは、ピグテールである
   光半導体モジュール。
8. 筐体と、
   前記筐体に固着され、レーザー光が入射する入射面を有する光ファイバを含むファイバフェルールと、
   前記入射面を覆うように設けられ、前記レーザー光を減衰させる光減衰部と
   を備え、
   前記光減衰部は、前記ファイバフェルールと一体動作するように設けられ、
   前記光減衰部における前記レーザー光の透過率は、光軸に直交する面における前記筐体の回転により変化する
   光コネクタ。
9. 請求項８に記載の光コネクタであって、
   前記光減衰部は、偏光ガラスである
   光コネクタ。
10. 光半導体モジュールの出力を調整する調整方法であって、
    前記光半導体モジュールは、
    レーザー光を放射する半導体レーザーと、
    前記レーザー光を集光するレンズと、
    前記集光されたレーザー光を伝送路へ出力する光コネクタと
    を備え、
    前記光コネクタは、
    前記レーザー光が入射する入射面を有する光ファイバを含むファイバフェルールと、
    前記入射面を覆うように設けられ、前記レーザー光を減衰させる光減衰部と
    を備え、
    前記光減衰部における前記レーザー光の透過率は、光軸に直交する面における前記光減衰部の回転により変化し、
    前記レーザー光調整方法は、
    （Ａ）前記光コネクタの位置を、前記入射面における前記レーザー光のスポット径が前記光ファイバのコアの直径よりも小さくなるように調整するステップと、
    （Ｂ）前記レーザー光の出力が所望の値になるように、前記面において前記光減衰部を回転させるステップと
    を有する
    調整方法。
11. 請求項１０に記載の調整方法であって、
    前記（Ａ）ステップにおいて、前記光コネクタの位置は、前記レンズのフォーカスが前記入射面に一致するように調整される
    調整方法。
12. 請求項１０又は１１に記載の調整方法であって、
    前記光減衰部は、前記ファイバフェルールと一体動作するように設けられ、
    前記ファイバフェルールは、前記光コネクタの筐体に固着され、
    前記（Ｂ）ステップにおいて、前記筐体を前記面において回転させることにより、前記レーザー光の出力が調整される
    調整方法。
13. 光半導体モジュールの製造方法であって、
    （ａ）レーザー光を放射する半導体レーザーを、保持部に固定するステップと、
    （ｂ）前記レーザー光を集光するレンズを、前記保持部に固定するステップと、
    （ｃ）光コネクタを提供するステップと、
    ここで、前記光コネクタは、前記レーザー光が入射する入射面を有する光ファイバを含むファイバフェルールと、前記入射面に接着され前記レーザー光を減衰させる光減衰部とを備え、前記光減衰部における前記レーザー光の透過率は、光軸に直交する面における前記光減衰部の回転により変化し、
    （ｄ）前記光コネクタの位置を、前記入射面における前記レーザー光のスポット径が前記光ファイバのコアの直径よりも小さくなるように調整するステップと、
    （ｅ）前記光ファイバからのレーザー光の出力が所望の値になるように、前記面において前記光コネクタを回転させるステップと、
    （ｆ）前記光コネクタを前記保持部に固定するステップと
    を有する
    製造方法。
14. 請求項１３に記載の製造方法であって、
    前記（ｄ）ステップにおいて、前記光コネクタの位置は、前記レンズのフォーカスが前記入射面に一致するように調整される
    製造方法。
15. 請求項１３又は１４に記載の製造方法であって、
    前記光減衰部は、偏光ガラスである
    製造方法。
16. 請求項１３乃至１５のいずれかに記載の製造方法であって、
    前記光コネクタは、レセプタクルである
    製造方法。
17. 請求項１３乃至１５のいずれかに記載の製造方法であって、
    前記光コネクタは、ピグテールである
    製造方法。

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