JP2007200944A - 基板洗浄液 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】基板洗浄液を、フッ化物塩、有機溶剤、水、25℃におけるpKaが4〜10の水溶性カルボン酸、25℃におけるpKaが7〜10のアミン、を含有するものとし、水溶性カルボン酸のアミンに対するモル比を、0.5以上、1.0未満とする。
【選択図】なし
Description
本発明の基板洗浄液は、フッ化物塩、有機溶剤、水、水溶性カルボン酸およびアミンを含有している。また、本発明の基板洗浄液は、さらに界面活性剤を含有していることが好ましい。また、本発明の基板洗浄液は、必要に応じて、さらに、水溶性高分子、金属防食剤等を含んでいてもよい。
フッ化物塩としては、フッ化アンモニウム塩、あるいはメチルアミンフッ化水素塩、エチルアミンフッ化水素塩、プロピルアミンフッ化水素塩、メチルエタノールアミンフッ化水素塩、ジメチルエタノールアミンフッ化水素塩などのアルキルアミンフッ化水素塩等が好ましく用いられる。これらの化合物は、1種類を単独で用いてもよく、また2種類以上を組み合わせて用いてもよい。
有機溶剤としては、水溶性でありかつ極性の高いものを用いることが好ましい。このような有機溶剤としては、ジメチルスルホキシドなどのスルホキシド類;N,N−ジメチルホルムアミド、N−メチルホルムアミド、N,N−ジメチルアセトアミドなどのアミド類;N−メチル−2−ピロリドンなどのラクタム類;ジオキサンなどのエーテル類;イソプロピルアルコールなどのアルコール類;ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテルなどのグリコールエーテル類などを挙げることができる。なお、上記有機溶剤を用いる際は、1種単独で用いてもよく、2種以上を組み合わせて用いてもよい。
本発明の基板洗浄液は、残渣を溶解したり分散させたりして被洗浄物である基板から除去するため、および、フッ化物塩を溶解させるために、水を必須成分として含有する。当該水としては洗浄時における汚染を防止するため、超純水を用いることが特に好ましい。なお、超純水は、半導体製造に通常用いられる超純水を意味し、Naイオン、Kイオンなどの金属カチオンの総含有量が5ppb以下であり、かつハロゲンイオンの総含有量が5ppb以下である水を意味する。
本発明の基板洗浄液において、水溶性カルボン酸は、以下において説明するアミンと共に加えられ、本発明の基板洗浄液に緩衝能を付与する。水溶性カルボン酸としては、25℃におけるpKaが4〜10の水溶性カルボン酸を使用することが好ましい。このようなpKaを有する水溶性カルボン酸を以下のアミンと組み合わせることによって、基板洗浄液における緩衝能を良好なものとすることができる。
本発明の基板洗浄液において、アミンは、上記の水溶性カルボン酸と共に加えられ、本発明の基板洗浄液に緩衝能を付与している。アミンとしては、25℃におけるpKaが7〜10のアミンを使用することが好ましい。このようなpKaを有するアミンを上記の水溶性カルボン酸と組み合わせることによって、基板洗浄液における緩衝能を良好なものとすることができる。
本発明の基板洗浄液は、界面活性剤を含有していることが好ましい。これにより、基板を本発明の基板洗浄液にて洗浄した後の水リンス工程において、基板洗浄液中に溶解しているレジストが基板上に析出することを防ぐことができる。また、Al系配線を有する基板においては、バッチ法により、同一の洗浄液によって複数の基板を洗浄するため、基板洗浄液中には、多量のレジストが溶解している。このため、洗浄工程の後の、水リンス工程において、レジストが基板上に析出するのを防ぐことが、特に重要になる。
(1)炭素数5〜50の直鎖または分岐鎖のアルキルエーテル基
(2)フェニルエーテル基
また、本発明の基板洗浄液は、必要に応じて、さらに、水溶性高分子、金属防食剤等を含んでいてもよい。
本発明の基板洗浄液の調製方法は特に限定されず、例えば、所定量の各成分を混合することにより調製することができる。このとき、温度および撹拌条件など特に制限はない。ただし、本発明の基板洗浄液は、洗浄による基板の汚染を極力少なくするため、該洗浄液中に含まれる各種金属イオンの含有量およびパーティクルの含有量は極力少ないことが好ましい。例えば各種金属イオン含有量は、それぞれ50ppb以下、より好ましくは10ppb以下に管理され、パーティクルについても好ましくは0.5ミクロン以下の粒子が1ml中に50個以内となるように、さらに好ましくは0.3ミクロン以下の粒子が1ml中に50個以内となるように管理することが望ましい。したがって、本発明の基板洗浄液を調製するに際しては、金属イオンおよびパーティクルが混入しないような条件下で行われることが好ましい。また、調製後においては、パーティクルを除去する目的でフィルターを通過させるなどの処理を行うことが好ましい。
本発明の基板洗浄液は、金属膜、絶縁膜等が形成された基板上に、電子回路パターンを製造する際において、各種残渣、および、レジストを除去するために使用される。各種残渣を除去する用途として具体的には、レジストパターンを形成して、エッチング、アッシング処理した後の、レジスト由来のアッシング残渣、また、金属膜、絶縁膜をエッチングした際に生じる、エッチング残渣(側壁堆積膜)を除去するために使用される。
表1および表2に示した組成を有する基板洗浄液を調製し、以下の評価を行った。
6インチシリコンウエハの上にTiNからなる金属膜を形成し、その上に、スパッタ装置を用いてAl−Cuからなる金属膜を形成した。そして、さらに、その上にTiNからなる金属膜を形成した。その後、この上に、市販のi線ポジ型レジストを約2ミクロンの厚さに塗布し、プリベークした。次いでi線(365nm)を照射し、現像、リンスを行い、さらにポストベークした(工程1)。これにより基板材料上にレジストパターンを形成した。その後、このレジストパターンをマスクとして上記積層した金属膜をエッチングし、そして、プラズマリアクタを用いてレジストパターンをO2プラズマアッシングした(工程2)。
(1)残渣除去性
作製した基板について、FE−SEM(電界放射型走査電子顕微鏡)観察により、エッチング残渣(側壁堆積膜)、および、アッシング残渣の有無を以下の基準により評価した。
○:完全に除去
×:除去不可能
作製した基板について、FE−SEM観察により、金属膜表面の腐食の有無を確認した。さらに、基板洗浄液を洗浄槽中において、30℃に保ちつつ、24時間経過させた後、この洗浄液中(30℃)に、工程2で得られた基板を20分間浸漬して、24時間経過後の基板洗浄液による腐食の様子を確認した。なお、観察した金属膜表面は、TiN膜表面および側壁のAl−Cu膜の両方である。評価基準を以下に示す。
○:腐食なし
×:腐食あり
工程1で作製したレジストパターンを形成した基板材料を、実施例1〜13、比較例1〜8の基板洗浄液(10L、30℃)に20分間浸漬し、同一の基板洗浄液を用いて、合計で100枚の基板材料の洗浄処理を行った。そして、これと同一の基板洗浄液(30℃)に、工程1で作製したレジストパターンを形成した基板材料を20分間浸漬した。その後、超純水で洗浄し、さらに乾燥を行った。このようにして得た基板材料について、FE−SEM観察により、レジスト除去性能を以下の基準により評価した。
○:完全に除去
×:レジストの再付着、または、レジスト残りあり
本発明の基板洗浄液(実施例1〜13)は、エッチング残渣およびアッシング残渣の除去性が良好であった。また、基板洗浄液調製時において金属膜を腐食することがないだけでなく、調製後24時間経過した後においても同様に、金属膜を腐食することがなく、長時間にわたる使用に耐えうるものであった。また、本発明の基板洗浄液は、100枚の基板を洗浄した後においても、そのレジスト除去性能は衰えていなかった。
Claims (5)
- フッ化物塩、有機溶剤、水、25℃におけるpKaが4〜10の水溶性カルボン酸、25℃におけるpKaが7〜10のアミン、を含有する基板洗浄液であって、
前記水溶性カルボン酸の前記アミンに対するモル比が、0.5以上、1.0未満である基板洗浄液。 - 前記基板洗浄液全体を基準として、さらに、0.8〜10質量%の界面活性剤を含有している、請求項1に記載の基板洗浄液。
- 前記フッ化物塩が、フッ化アンモニウムである、請求項1〜3のいずれかに記載の基板洗浄液。
- アルミニウム系配線を有する基板を洗浄するための洗浄液である、請求項1〜4のいずれかに記載の基板洗浄液。
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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Family Applications (1)
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