JP2007199339A - 液晶装置及び電子機器 - Google Patents
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Abstract
【課題】液晶の配向状態への影響を低減することができるとともに、効率的に液晶を加熱
することができる液晶装置を提供する。
【解決手段】本発明の液晶装置100は、基板101と、該基板上に形成された電極と、
該電極上に配置された液晶とを有し、該液晶を駆動可能な複数の画素が構成されてなる駆
動領域100Aを有する液晶装置において、前記基板と前記電極との間において前記電極
と絶縁されるとともに前記駆動領域と平面的に重なるように配置されたヒータ層116と
、前記ヒータ層に導電接続され、前記駆動領域の外側に配置された給電層118A,11
8Bと、を具備することを特徴とする。
【選択図】図1
することができる液晶装置を提供する。
【解決手段】本発明の液晶装置100は、基板101と、該基板上に形成された電極と、
該電極上に配置された液晶とを有し、該液晶を駆動可能な複数の画素が構成されてなる駆
動領域100Aを有する液晶装置において、前記基板と前記電極との間において前記電極
と絶縁されるとともに前記駆動領域と平面的に重なるように配置されたヒータ層116と
、前記ヒータ層に導電接続され、前記駆動領域の外側に配置された給電層118A,11
8Bと、を具備することを特徴とする。
【選択図】図1
Description
本発明は液晶装置及び電子機器に係り、特に、液晶を加熱するための加熱機能を備えた
液晶装置の構造に関する。
液晶装置の構造に関する。
一般に、カーナビゲーション装置などの車載用機器には表示体として液晶装置が使用さ
れ、液晶装置によって地図などの所定の画像表示がなされるように構成されている。液晶
装置としては、通常、一対のガラス基板間に液晶が封入された液晶セルが構成され、この
液晶セル内には複数の画素が縦横に配列されてなる駆動領域(表示領域)が形成される。
れ、液晶装置によって地図などの所定の画像表示がなされるように構成されている。液晶
装置としては、通常、一対のガラス基板間に液晶が封入された液晶セルが構成され、この
液晶セル内には複数の画素が縦横に配列されてなる駆動領域(表示領域)が形成される。
上記の液晶装置は常温で使用される場合には特に問題はないが、−10度を超える低温
環境下では液晶の応答速度が遅くなるため、特に上記の車載用機器においては冬場におい
て画像の表示品位が低下する場合があるといった問題点が知られている。そこで、従来か
ら液晶装置を加熱するためのヒータを設け、このヒータにより液晶を加熱することで表示
品位の低下を抑制する方法が知られている(例えば、以下の特許文献1及び2参照)。
環境下では液晶の応答速度が遅くなるため、特に上記の車載用機器においては冬場におい
て画像の表示品位が低下する場合があるといった問題点が知られている。そこで、従来か
ら液晶装置を加熱するためのヒータを設け、このヒータにより液晶を加熱することで表示
品位の低下を抑制する方法が知られている(例えば、以下の特許文献1及び2参照)。
上記のヒータを備えた液晶装置としては、特許文献1に記載されているように、液晶を
挟んで対向配置される一対の液晶駆動用電極のうちの少なくとも一方の電極に電流を流し
て発熱させる方法がある。また、特許文献2に記載されているように、液晶装置とは別に
設けた透明面状ヒータを液晶装置と重ねて用いる方法も考案されている。
特開昭50−68687号公報
特開平6−283261号公報
挟んで対向配置される一対の液晶駆動用電極のうちの少なくとも一方の電極に電流を流し
て発熱させる方法がある。また、特許文献2に記載されているように、液晶装置とは別に
設けた透明面状ヒータを液晶装置と重ねて用いる方法も考案されている。
しかしながら、前述の特許文献1に記載された、液晶に電界を印加するための電極に電
流を流す方法では、液晶駆動用電極に電流を流して発熱させる必要があるので、液晶駆動
回路(例えば、液晶駆動用IC)の負荷が大きくなりすぎて実用的でなく、しかも、電流
容量を増大させるために回路の小型化が難しくなるという問題点がある。また、液晶駆動
用電極に大きな電流が流れるために当該電流による電磁気的影響を無視することができな
いことから、液晶の配向状態が悪化し、却って表示品位の低下を招く虞がある。
流を流す方法では、液晶駆動用電極に電流を流して発熱させる必要があるので、液晶駆動
回路(例えば、液晶駆動用IC)の負荷が大きくなりすぎて実用的でなく、しかも、電流
容量を増大させるために回路の小型化が難しくなるという問題点がある。また、液晶駆動
用電極に大きな電流が流れるために当該電流による電磁気的影響を無視することができな
いことから、液晶の配向状態が悪化し、却って表示品位の低下を招く虞がある。
また、特許文献2に示される透明面状ヒータを用いる場合には、液晶装置に対して、別
に設けられた複数の積層構造を有するヒータを重ねる必要があるので、透過率の低下を生
じやすいとともに、液晶装置の外側(基板の外面上)から液晶を加熱しなければならない
ので加熱効率が低く、このために消費電力が増大し、また、迅速に液晶を加熱することが
難しいという問題点がある。
に設けられた複数の積層構造を有するヒータを重ねる必要があるので、透過率の低下を生
じやすいとともに、液晶装置の外側(基板の外面上)から液晶を加熱しなければならない
ので加熱効率が低く、このために消費電力が増大し、また、迅速に液晶を加熱することが
難しいという問題点がある。
さらに、ヒータを液晶装置内に設ける場合には、ヒータ及びこれに電力を供給する給電
線を既存の配線、素子、電極等と抵触しないように構成する必要があるため、液晶装置の
内部構造が複雑になるとともに、製造工程も煩雑化し、製造コストが増大することが考え
られる。
線を既存の配線、素子、電極等と抵触しないように構成する必要があるため、液晶装置の
内部構造が複雑になるとともに、製造工程も煩雑化し、製造コストが増大することが考え
られる。
そこで、本発明は上記問題点を解決するものであり、その課題は、液晶の配向状態への
影響を低減することができるとともに、効率的に液晶を加熱することができ、しかも、製
造コストの増大を抑制することが可能なヒータ構造を備えた液晶装置及びこれを搭載した
電子機器を提供することにある。
影響を低減することができるとともに、効率的に液晶を加熱することができ、しかも、製
造コストの増大を抑制することが可能なヒータ構造を備えた液晶装置及びこれを搭載した
電子機器を提供することにある。
斯かる実情に鑑み、本発明の液晶装置は、基板と、該基板上に形成された電極と、該電
極上に配置された液晶とを有し、該液晶を駆動可能な複数の画素が構成されてなる駆動領
域を有する液晶装置において、前記基板と前記電極との間において前記電極と絶縁される
とともに前記駆動領域と平面的に重なるように配置されたヒータ層と、前記ヒータ層に導
電接続され、前記駆動領域の外側に配置された給電層と、を具備することを特徴とする。
極上に配置された液晶とを有し、該液晶を駆動可能な複数の画素が構成されてなる駆動領
域を有する液晶装置において、前記基板と前記電極との間において前記電極と絶縁される
とともに前記駆動領域と平面的に重なるように配置されたヒータ層と、前記ヒータ層に導
電接続され、前記駆動領域の外側に配置された給電層と、を具備することを特徴とする。
この発明によれば、ヒータ層が基板と電極との間において電極と絶縁されるとともに駆
動領域と平面的に重なるように配置されることにより、ヒータ層に起因する液晶の配向状
態への影響を低減することができ、また、液晶装置の外側にヒータを設けた場合に比べて
効率的に液晶を加熱することができ、しかも、基板を介在させずに直接に液晶を加熱でき
るため、迅速に加熱することが可能になる。さらに、ヒータ層と導電接続される給電層が
駆動領域の外側に配置されることで、給電層の素材上及び構造上の制約が少なくなるため
、ヒータ層に対して確実かつ効率的に電力供給を行うことが可能になる。
動領域と平面的に重なるように配置されることにより、ヒータ層に起因する液晶の配向状
態への影響を低減することができ、また、液晶装置の外側にヒータを設けた場合に比べて
効率的に液晶を加熱することができ、しかも、基板を介在させずに直接に液晶を加熱でき
るため、迅速に加熱することが可能になる。さらに、ヒータ層と導電接続される給電層が
駆動領域の外側に配置されることで、給電層の素材上及び構造上の制約が少なくなるため
、ヒータ層に対して確実かつ効率的に電力供給を行うことが可能になる。
本発明において、前記給電層における少なくとも前記ヒータ層に導電接続される部分は
、前記駆動領域の外縁に沿って伸びる延長形状を有することが好ましい。これによれば、
給電層が駆動領域の外縁に沿って伸びることにより、ヒータ層における駆動領域と平面的
に重なる範囲に対して効率的に電力を供給することが可能になるため、ヒータ層による駆
動領域の加熱の効率化及び均一化を図ることができる。
、前記駆動領域の外縁に沿って伸びる延長形状を有することが好ましい。これによれば、
給電層が駆動領域の外縁に沿って伸びることにより、ヒータ層における駆動領域と平面的
に重なる範囲に対して効率的に電力を供給することが可能になるため、ヒータ層による駆
動領域の加熱の効率化及び均一化を図ることができる。
本発明において、前記駆動領域の両側にそれぞれ形成された一対の前記給電層が設けら
れていることが好ましい。これによれば、駆動領域の両側にそれぞれ給電層が設けられる
ことにより、一方の給電層から他方の給電層へ向けてヒータ層に電流を流すことができる
ため、効率的にヒータ層を発熱させることができる。
れていることが好ましい。これによれば、駆動領域の両側にそれぞれ給電層が設けられる
ことにより、一方の給電層から他方の給電層へ向けてヒータ層に電流を流すことができる
ため、効率的にヒータ層を発熱させることができる。
本発明において、前記駆動領域において前記複数の画素の所定の配列方向に沿って伸び
る配線をさらに具備し、前記給電層が前記配線と同材質で構成され、前記配線と交差しな
いことが好ましい。これによれば、給電層を配線の形成工程において同時に形成すること
が可能になるので、液晶装置の内部構造の複雑化を抑制することができるとともに、製造
コストの増加を抑制できる。
る配線をさらに具備し、前記給電層が前記配線と同材質で構成され、前記配線と交差しな
いことが好ましい。これによれば、給電層を配線の形成工程において同時に形成すること
が可能になるので、液晶装置の内部構造の複雑化を抑制することができるとともに、製造
コストの増加を抑制できる。
本発明において、前記給電層における少なくとも前記ヒータ層に導電接続される部分は
前記配線と平行に伸びる延長形状とされていることが好ましい。これによれば、給電層を
配線と平行に伸びる延長形状とすることにより、ヒータ層に対して効率的に電力を供給で
きるとともに、駆動領域の外側に配置される給電層をコンパクトに配置できるため、液晶
装置の駆動領域を確保しつつ小型化を図ることが可能になる。
前記配線と平行に伸びる延長形状とされていることが好ましい。これによれば、給電層を
配線と平行に伸びる延長形状とすることにより、ヒータ層に対して効率的に電力を供給で
きるとともに、駆動領域の外側に配置される給電層をコンパクトに配置できるため、液晶
装置の駆動領域を確保しつつ小型化を図ることが可能になる。
本発明において、前記液晶を取り囲むシール材を有し、前記給電層は前記シール材と平
面的に重なる領域に配置されていることが好ましい。これによれば、給電層がシール材と
平面的に重なることにより、給電層による液晶装置の外観変化を抑制できるとともに、液
晶装置をさらにコンパクトに構成することが可能になる。
面的に重なる領域に配置されていることが好ましい。これによれば、給電層がシール材と
平面的に重なることにより、給電層による液晶装置の外観変化を抑制できるとともに、液
晶装置をさらにコンパクトに構成することが可能になる。
本発明において、前記ヒータ層は一体の面状に構成されていることが好ましい。これに
よれば、ヒータ層が面状に構成されていることにより、発熱領域が面状に構成されるため
、均一かつ効率的な加熱を行うことができる。この場合、液晶装置が透過型装置であると
きには、ヒータ層をITO(インジウムスズ酸化物)等の透明導電体(透明抵抗層)で構
成することが好ましい。
よれば、ヒータ層が面状に構成されていることにより、発熱領域が面状に構成されるため
、均一かつ効率的な加熱を行うことができる。この場合、液晶装置が透過型装置であると
きには、ヒータ層をITO(インジウムスズ酸化物)等の透明導電体(透明抵抗層)で構
成することが好ましい。
本発明において、前記ヒータ層は複数の相互に平行に配置されたヒータ線がストライプ
状に配列されてなることが好ましい。これによれば、液晶装置が透過型装置である場合に
おいても、ヒータ線を透明素材で構成する必要がなくなるため、金属材料等の発熱効率の
高い素材を用いることができるなどヒータ素材の選択性を高めることができる。また、上
記ヒータ線を遮光層として兼用する構成も可能になる。
状に配列されてなることが好ましい。これによれば、液晶装置が透過型装置である場合に
おいても、ヒータ線を透明素材で構成する必要がなくなるため、金属材料等の発熱効率の
高い素材を用いることができるなどヒータ素材の選択性を高めることができる。また、上
記ヒータ線を遮光層として兼用する構成も可能になる。
この場合において、前記駆動領域において前記複数の画素の所定の配列方向に沿って伸
びる配線をさらに具備し、前記ヒータ層は、前記配線に重なり、前記配線に沿って伸びて
いることが好ましい。これによれば、ヒータ層が配線に重なり、配線に沿って伸びている
ことにより、各画素における光透過率の低下を抑制できる。
びる配線をさらに具備し、前記ヒータ層は、前記配線に重なり、前記配線に沿って伸びて
いることが好ましい。これによれば、ヒータ層が配線に重なり、配線に沿って伸びている
ことにより、各画素における光透過率の低下を抑制できる。
本発明において、前記ヒータ層は、前記駆動領域において前記画素の間の領域に配置さ
れていることが好ましい。これによれば、ヒータ層が画素の間の領域(境界部分)に配置
されていることにより、各画素における光透過率の低下を抑制できるとともに、当該領域
の遮光を行うことが可能になる。
れていることが好ましい。これによれば、ヒータ層が画素の間の領域(境界部分)に配置
されていることにより、各画素における光透過率の低下を抑制できるとともに、当該領域
の遮光を行うことが可能になる。
この場合において、前記駆動領域において前記複数の画素の所定の配列方向に沿って伸
びる配線をさらに具備し、前記ヒータ層は、前記配線に重なり、前記配線に沿って伸びて
いるとともに、前記配線よりも広い幅を有することが好ましい。これによれば、ヒータ層
が配線に重なり、しかも当該配線よりも幅広に構成されていることにより、各画素の透過
率に与える影響を低減しつつ、遮光層としての機能をより完全に実現できる。
びる配線をさらに具備し、前記ヒータ層は、前記配線に重なり、前記配線に沿って伸びて
いるとともに、前記配線よりも広い幅を有することが好ましい。これによれば、ヒータ層
が配線に重なり、しかも当該配線よりも幅広に構成されていることにより、各画素の透過
率に与える影響を低減しつつ、遮光層としての機能をより完全に実現できる。
本発明において、前記画素には、透過表示領域と、反射層を備えた反射表示領域とが設
けられ、前記ヒータ層は前記反射表示領域において視認側から見て前記反射層の背後に配
置されていることが好ましい。これによれば、ヒータ層が反射表示領域に配置されている
ことにより、透過表示領域の透過率への影響を抑制できるとともに、ヒータ層が反射層の
背後に配置されていることにより、ヒータ層による反射表示領域への影響も防止できる。
また、ヒータ層は反射層の背後に形成されていればよいので、ヒータ層を液晶層に近づけ
て、効率的に加熱することが可能になる。
けられ、前記ヒータ層は前記反射表示領域において視認側から見て前記反射層の背後に配
置されていることが好ましい。これによれば、ヒータ層が反射表示領域に配置されている
ことにより、透過表示領域の透過率への影響を抑制できるとともに、ヒータ層が反射層の
背後に配置されていることにより、ヒータ層による反射表示領域への影響も防止できる。
また、ヒータ層は反射層の背後に形成されていればよいので、ヒータ層を液晶層に近づけ
て、効率的に加熱することが可能になる。
次に、本発明の電子機器は、上記のいずれかに記載の液晶装置を搭載してなることを特
徴とする。電子機器としては、液晶装置を表示体として搭載した各種の機器、例えば、コ
ンピュータ装置、モニタ装置、テレビジョン装置、プロジェクタ装置、携帯電話機などが
含まれる。特に、カーナビゲーション装置などの車載用電子機器、野外で用いる各種の電
子機器などが本発明を適用するのに好適な例として挙げられる。
徴とする。電子機器としては、液晶装置を表示体として搭載した各種の機器、例えば、コ
ンピュータ装置、モニタ装置、テレビジョン装置、プロジェクタ装置、携帯電話機などが
含まれる。特に、カーナビゲーション装置などの車載用電子機器、野外で用いる各種の電
子機器などが本発明を適用するのに好適な例として挙げられる。
[第1実施形態]
次に、添付図面を参照して本発明の実施形態について詳細に説明する。図1は本発明に
係る第1実施形態の液晶装置100の平面構成を示す概略平面図、図2は同液晶装置10
0の拡大部分断面図、図3は図2とは異なる方位から見た拡大部分断面図、図12は液晶
装置100の全体構成を示す概略斜視図である。
次に、添付図面を参照して本発明の実施形態について詳細に説明する。図1は本発明に
係る第1実施形態の液晶装置100の平面構成を示す概略平面図、図2は同液晶装置10
0の拡大部分断面図、図3は図2とは異なる方位から見た拡大部分断面図、図12は液晶
装置100の全体構成を示す概略斜視図である。
図12に示すように、液晶装置100は、ガラスやプラスチック等で構成される透明な
基板101と102とをシール材103で貼り合わせ、基板101と102の間に配置さ
れた液晶104をシール材103で封止した構造を備えている。基板101は基板102
の外形より外側へ張り出した基板張り出し部101S,101Tを備えている。ここで、
基板張り出し部101Sと101Tは基板102の隣接する二つの周辺に沿ってそれぞれ
帯状に構成されており、両者を合わせて全体としてL字状に構成されている。これらの基
板張り出し部101S、101T上には液晶駆動回路を備えた液晶駆動用ICチップ等で
構成される半導体装置131、132が実装されている。また、基板101の外面(基板
102とは反対側の面)上には偏光板105が配置(貼着)され、基板102の外面(基
板101とは反対側の面)上には偏光板106が配置(貼着)されている。
基板101と102とをシール材103で貼り合わせ、基板101と102の間に配置さ
れた液晶104をシール材103で封止した構造を備えている。基板101は基板102
の外形より外側へ張り出した基板張り出し部101S,101Tを備えている。ここで、
基板張り出し部101Sと101Tは基板102の隣接する二つの周辺に沿ってそれぞれ
帯状に構成されており、両者を合わせて全体としてL字状に構成されている。これらの基
板張り出し部101S、101T上には液晶駆動回路を備えた液晶駆動用ICチップ等で
構成される半導体装置131、132が実装されている。また、基板101の外面(基板
102とは反対側の面)上には偏光板105が配置(貼着)され、基板102の外面(基
板101とは反対側の面)上には偏光板106が配置(貼着)されている。
図1に示すように、基板101の内面(基板102側の面)上には、図示左右方向に伸
びる複数の配線111Xが所定間隔でストライプ状に配列され、これらの配線111Xは
基板張り出し部101S上に引き出されて上記半導体装置131に導電接続されている。
また、基板101上には、図示上下方向(すなわち、上記配線111Xと直交する方向)
に伸びる複数の配線111Yが所定間隔でストライプ状に配列され、これらの配線111
Yは基板張り出し部101T上に引き出されて上記半導体装置132に導電接続されてい
る。そして、これらの配線111X及び111Yが配列される駆動領域(表示領域)10
0A内には、配線111Xと配線111Yとの交点にそれぞれ対応する複数の画素がマト
リクス状に配列されている。
びる複数の配線111Xが所定間隔でストライプ状に配列され、これらの配線111Xは
基板張り出し部101S上に引き出されて上記半導体装置131に導電接続されている。
また、基板101上には、図示上下方向(すなわち、上記配線111Xと直交する方向)
に伸びる複数の配線111Yが所定間隔でストライプ状に配列され、これらの配線111
Yは基板張り出し部101T上に引き出されて上記半導体装置132に導電接続されてい
る。そして、これらの配線111X及び111Yが配列される駆動領域(表示領域)10
0A内には、配線111Xと配線111Yとの交点にそれぞれ対応する複数の画素がマト
リクス状に配列されている。
図2に示すように、本実施形態では、上記画素ごとにTFT(薄膜トランジスタ)等の
三端子非線形素子で構成される駆動素子111Tが形成されており、この駆動素子111
Tは、配線111Xをゲート線(例えば走査線)とし、配線111Yをソース線(例えば
データ線)として機能するように構成されている。この駆動素子111Tは、配線111
Xと導電接続された(配線111Xの一部で構成される)ゲート111xと、このゲート
111xに対して絶縁層112を介して対向するアモルファスシリコン等で構成される半
導体層111sと、この半導体層111sのソース領域に導電接続され、上記配線111
Yと導電接続された(配線111Yの一部で構成される)ソース電極111yと、半導体
層111sのドレイン領域に導電接続されたドレイン電極111zとを備えている。この
ドレイン電極111zは絶縁層113に設けられたコンタクトホールを通してITO(イ
ンジウムスズ酸化物)等の透明導電体で構成された駆動電極114に導電接続されている
。駆動電極114の上には配向膜115が形成され、この配向膜115は液晶104の分
子の初期配向状態を規制している。
三端子非線形素子で構成される駆動素子111Tが形成されており、この駆動素子111
Tは、配線111Xをゲート線(例えば走査線)とし、配線111Yをソース線(例えば
データ線)として機能するように構成されている。この駆動素子111Tは、配線111
Xと導電接続された(配線111Xの一部で構成される)ゲート111xと、このゲート
111xに対して絶縁層112を介して対向するアモルファスシリコン等で構成される半
導体層111sと、この半導体層111sのソース領域に導電接続され、上記配線111
Yと導電接続された(配線111Yの一部で構成される)ソース電極111yと、半導体
層111sのドレイン領域に導電接続されたドレイン電極111zとを備えている。この
ドレイン電極111zは絶縁層113に設けられたコンタクトホールを通してITO(イ
ンジウムスズ酸化物)等の透明導電体で構成された駆動電極114に導電接続されている
。駆動電極114の上には配向膜115が形成され、この配向膜115は液晶104の分
子の初期配向状態を規制している。
なお、半導体装置131、132は基板張り出し部101S,101Tの端縁に形成さ
れた入力端子119x、119yにもそれぞれ導電接続されている。これらの入力端子1
19x、119yは、図1に二点鎖線で示すように基板張り出し部101S、101Tの
端縁に実装された配線基板133、134(例えば、フレキシブル配線基板;FPC)に
それぞれ導電接続されている。
れた入力端子119x、119yにもそれぞれ導電接続されている。これらの入力端子1
19x、119yは、図1に二点鎖線で示すように基板張り出し部101S、101Tの
端縁に実装された配線基板133、134(例えば、フレキシブル配線基板;FPC)に
それぞれ導電接続されている。
なお、本実施形態では2種類の半導体装置131及び132を設けてあるが、これらの
回路構成を一つにまとめた半導体装置を形成し、配線111Xと111Yをこの半導体装
置に共通に導電接続することも可能である。
回路構成を一つにまとめた半導体装置を形成し、配線111Xと111Yをこの半導体装
置に共通に導電接続することも可能である。
本実施形態においては、上記駆動素子111Tよりも下層(基板101側)にヒータ層
116が形成されている。実際には基板101上にヒータ層116が形成され、このヒー
タ層116上に絶縁膜117が形成され、この絶縁膜117上に駆動素子111Tの最下
層構造であるゲート電極111xが形成されている。ヒータ層116は、本実施形態の場
合、少なくとも上記駆動領域100A全体と平面的に重なる一体の面状に構成されている
。ただし、図1に点線でハッチングした領域として示すように、駆動領域100Aよりも
全周に亘って一回り大きな平面範囲にヒータ層116が形成されることが好ましく、特に
、シール材103の内側の液晶封入領域全体と平面的に重なるように構成されることが望
ましい。このように構成すると、駆動領域100Aの周縁部の温度が中心部分に比べて低
下するといったことを防止でき、駆動領域100A内の液晶を均一に加熱することが可能
になる。なお、図示例では、ヒータ層116はシール材103の配置領域よりもさらに外
側に広がるように構成されている。
116が形成されている。実際には基板101上にヒータ層116が形成され、このヒー
タ層116上に絶縁膜117が形成され、この絶縁膜117上に駆動素子111Tの最下
層構造であるゲート電極111xが形成されている。ヒータ層116は、本実施形態の場
合、少なくとも上記駆動領域100A全体と平面的に重なる一体の面状に構成されている
。ただし、図1に点線でハッチングした領域として示すように、駆動領域100Aよりも
全周に亘って一回り大きな平面範囲にヒータ層116が形成されることが好ましく、特に
、シール材103の内側の液晶封入領域全体と平面的に重なるように構成されることが望
ましい。このように構成すると、駆動領域100Aの周縁部の温度が中心部分に比べて低
下するといったことを防止でき、駆動領域100A内の液晶を均一に加熱することが可能
になる。なお、図示例では、ヒータ層116はシール材103の配置領域よりもさらに外
側に広がるように構成されている。
このヒータ層116はITO等の透明導電体(透明抵抗体)で形成されている。この場
合、ヒータ層116の厚みは1000〜2000Åであることが好ましく、特に、130
0〜1700Å程度とすることが望ましい。このようにヒータ層116が透明素材によっ
て構成されていることにより、液晶装置100を図示例のように透過型液晶表示体若しく
は半透過反射型液晶表示体として構成することが可能になる。ただし、図示例とは異なる
が、液晶104の基板101側に反射層を備えた反射型液晶表示体の場合には、ヒータ層
116を透明素材で構成する必要はなく、例えば、金属薄膜等の遮光性素材で構成しても
構わない。
合、ヒータ層116の厚みは1000〜2000Åであることが好ましく、特に、130
0〜1700Å程度とすることが望ましい。このようにヒータ層116が透明素材によっ
て構成されていることにより、液晶装置100を図示例のように透過型液晶表示体若しく
は半透過反射型液晶表示体として構成することが可能になる。ただし、図示例とは異なる
が、液晶104の基板101側に反射層を備えた反射型液晶表示体の場合には、ヒータ層
116を透明素材で構成する必要はなく、例えば、金属薄膜等の遮光性素材で構成しても
構わない。
ヒータ層116は一対の給電層118A及び118Bに導電接続されている。これらの
給電層はそれぞれ駆動領域100Aに配置されている。給電層118Aと118Bは駆動
領域100Aの両側(相互に反対側)にそれぞれ配置され、ヒータ層116における一方
の端部領域と、この一方の端部領域に対して上記駆動領域100Aを挟んで対向する他方
の端部領域とにそれぞれ導電接続されている。なお、図示例の場合、ヒータ層116の両
端部領域は給電層118A及び118Bと平面的に重なるように構成され、図2に示すよ
うに、給電層118A及び118Bは絶縁膜117に設けられたコンタクトホール117
aを通してヒータ層116に導電接続されている。なお、図2には給電層118Aとヒー
タ層116の導電接続部のみを示すが、給電層118Bとヒータ層116の導電接続構造
も全く同様に構成されている。
給電層はそれぞれ駆動領域100Aに配置されている。給電層118Aと118Bは駆動
領域100Aの両側(相互に反対側)にそれぞれ配置され、ヒータ層116における一方
の端部領域と、この一方の端部領域に対して上記駆動領域100Aを挟んで対向する他方
の端部領域とにそれぞれ導電接続されている。なお、図示例の場合、ヒータ層116の両
端部領域は給電層118A及び118Bと平面的に重なるように構成され、図2に示すよ
うに、給電層118A及び118Bは絶縁膜117に設けられたコンタクトホール117
aを通してヒータ層116に導電接続されている。なお、図2には給電層118Aとヒー
タ層116の導電接続部のみを示すが、給電層118Bとヒータ層116の導電接続構造
も全く同様に構成されている。
なお、本実施形態では給電層118A及び118Bとヒータ層116は、給電層の延長
方向に配列された複数のコンタクトホール117aで導電接続されているため、ヒータ層
116への電力供給を効率的に行うことができるようになっている。ただし、上記の複数
のコンタクトホール117aの代わりに、給電層の延長方向に伸びる一体の開口を設けて
も構わない。
方向に配列された複数のコンタクトホール117aで導電接続されているため、ヒータ層
116への電力供給を効率的に行うことができるようになっている。ただし、上記の複数
のコンタクトホール117aの代わりに、給電層の延長方向に伸びる一体の開口を設けて
も構わない。
絶縁膜117は酸化シリコン(SiO2)や窒化シリコン(Si3N4)等の絶縁体で
構成され、透過型液晶装置を構成する場合には透光性を有するものとされる。厚みは20
00〜4000Å程度と比較的厚く形成することが好ましく、特に、2500〜3500
Å程度とすることが望ましい。このようにすることで、ヒータ層116とTFTアレイ(
配線111X、111Y及び駆動素子111T)との絶縁性が確保されるとともに、その
間の寄生容量等も低減される。
構成され、透過型液晶装置を構成する場合には透光性を有するものとされる。厚みは20
00〜4000Å程度と比較的厚く形成することが好ましく、特に、2500〜3500
Å程度とすることが望ましい。このようにすることで、ヒータ層116とTFTアレイ(
配線111X、111Y及び駆動素子111T)との絶縁性が確保されるとともに、その
間の寄生容量等も低減される。
給電層118A及び118Bは共に導電体で構成されるが、本実施形態の場合、配線1
11X(ゲート電極111x)と同じ導電材料で同層に構成されている。この材料として
は、典型的にはMoとAlの積層構造が好ましいが、Cu,Al,Ti、W等の他の金属
材料であってもよい。このように配線111Xと同材料で構成することによって、給電層
118A及び118Bを形成するための別途の工程を設ける必要がなくなることから製造
コストの増大を抑制できるとともに、基板101上の積層構造を複雑化させることもなく
なる。
11X(ゲート電極111x)と同じ導電材料で同層に構成されている。この材料として
は、典型的にはMoとAlの積層構造が好ましいが、Cu,Al,Ti、W等の他の金属
材料であってもよい。このように配線111Xと同材料で構成することによって、給電層
118A及び118Bを形成するための別途の工程を設ける必要がなくなることから製造
コストの増大を抑制できるとともに、基板101上の積層構造を複雑化させることもなく
なる。
また、給電層118A及び118Bはそれぞれ配線111Xと交差しないように構成さ
れている。これによって、上記のように配線111Xと給電層118A及び118Bを同
一材料で同一工程において形成することが可能になる。例えば、配線材料を蒸着法、スパ
ッタリング法、CVD法などによって成膜し、その後、エッチング等のパターニング処理
を配線材料に施すことによって、配線111Xと給電層118A及び118Bが同時に形
成される。
れている。これによって、上記のように配線111Xと給電層118A及び118Bを同
一材料で同一工程において形成することが可能になる。例えば、配線材料を蒸着法、スパ
ッタリング法、CVD法などによって成膜し、その後、エッチング等のパターニング処理
を配線材料に施すことによって、配線111Xと給電層118A及び118Bが同時に形
成される。
特に、図示例の場合、給電層118A及び118Bの少なくともヒータ層116の導電
接続される部分は配線111Xと平行に伸びる帯状に構成されている。このようにすると
、給電層118A及び118Bと配線層111Xとの間隔を十分に確保して配線層111
Xへの電気的影響を低減しつつ、液晶装置100の小型化を図ることができる。
接続される部分は配線111Xと平行に伸びる帯状に構成されている。このようにすると
、給電層118A及び118Bと配線層111Xとの間隔を十分に確保して配線層111
Xへの電気的影響を低減しつつ、液晶装置100の小型化を図ることができる。
また、給電層118A及び118Bの延長方向に見た長さは駆動領域100Aの同方向
の範囲よりも長く構成され、給電層118Aと118Bの間(例えば、給電層118Aか
ら給電層118Bへ向かう全ての直線が占有する範囲)に駆動領域100Aが全て含まれ
るように構成されている。このようにすると、給電層によりヒータ層116へ効率的に電
力供給を行うことができる。
の範囲よりも長く構成され、給電層118Aと118Bの間(例えば、給電層118Aか
ら給電層118Bへ向かう全ての直線が占有する範囲)に駆動領域100Aが全て含まれ
るように構成されている。このようにすると、給電層によりヒータ層116へ効率的に電
力供給を行うことができる。
上記給電層118A及び118Bは、本実施形態の場合、シール材103と平面的に重
なる領域に形成されている。これによって、駆動領域100A内の外観がヒータ機能を有
しない従来構造と変わらず、また、駆動領域100Aをシール材103の内側に大きく確
保することが可能になる。なお、給電層をシール材103の外側に配置することも可能で
あるが、このようにすると、シール材103の外側の領域(いわゆる額縁領域)が大きく
なるため、液晶パネルの小型化に反する場合がある。
なる領域に形成されている。これによって、駆動領域100A内の外観がヒータ機能を有
しない従来構造と変わらず、また、駆動領域100Aをシール材103の内側に大きく確
保することが可能になる。なお、給電層をシール材103の外側に配置することも可能で
あるが、このようにすると、シール材103の外側の領域(いわゆる額縁領域)が大きく
なるため、液晶パネルの小型化に反する場合がある。
給電層118A及び118Bは基板張り出し部101T上に引き出され、図3に示すよ
うに、それぞれに接続端子118sが形成される。これらの接続端子118sは、図2に
示す配線111Yの接続端子111sと並んで配置される。本実施形態の場合には、接続
端子111sと接続端子118sは共通の配線基板134に対して導電接続されるように
なっている。ただし、接続端子118sを配線基板134とは別途用意された別の配線基
板その他の配線部材に導電接続させても構わない。
うに、それぞれに接続端子118sが形成される。これらの接続端子118sは、図2に
示す配線111Yの接続端子111sと並んで配置される。本実施形態の場合には、接続
端子111sと接続端子118sは共通の配線基板134に対して導電接続されるように
なっている。ただし、接続端子118sを配線基板134とは別途用意された別の配線基
板その他の配線部材に導電接続させても構わない。
一方、基板102の内面(基板101側の面)上には、遮光層121bや複数色の着色
層121cが配列されてなり、これらの上に保護膜121dが積層されてなるカラーフィ
ルタ121が形成されている。また、このカラーフィルタ121上には、ITOその他の
透明導電体で構成される対向電極122が形成されている。対向電極122上には上記と
同様の配向膜123が形成される。この対向電極122には共通電位が与えられる。
層121cが配列されてなり、これらの上に保護膜121dが積層されてなるカラーフィ
ルタ121が形成されている。また、このカラーフィルタ121上には、ITOその他の
透明導電体で構成される対向電極122が形成されている。対向電極122上には上記と
同様の配向膜123が形成される。この対向電極122には共通電位が与えられる。
以上説明した構成を有する液晶装置100によれば、一対の接続端子118s間に所定
の電圧を印加することにより、給電層118Aと118Bのいずれか一方からヒータ層1
16を通して他方へと電流が流れ、これによってヒータ層116が発熱するため、液晶1
04が加熱される。したがって、低温下でも液晶の応答速度を維持することができ、表示
品位の悪化を抑制できる。
の電圧を印加することにより、給電層118Aと118Bのいずれか一方からヒータ層1
16を通して他方へと電流が流れ、これによってヒータ層116が発熱するため、液晶1
04が加熱される。したがって、低温下でも液晶の応答速度を維持することができ、表示
品位の悪化を抑制できる。
本実施形態では、ヒータ層116が基板101の内面上、すなわち基板101よりも液
晶104側に配置されていることにより、基板101の外面上に配置されている場合に比
べて液晶104をより直接的に加熱することができるため、効率的かつ迅速に温度を制御
することが可能になる。
晶104側に配置されていることにより、基板101の外面上に配置されている場合に比
べて液晶104をより直接的に加熱することができるため、効率的かつ迅速に温度を制御
することが可能になる。
また、配線111X,111Y、駆動素子111T及び駆動電極114とヒータ層11
6との間に絶縁膜117が設けられているため、ヒータ層116への通電が配線111X
,111Y、駆動素子111T及び駆動電極114に実質的に電気的影響を与えないよう
になっている。さらに、ヒータ層116が配線111X,111Y、駆動素子111T及
び駆動電極114よりも基板101側に配置されていることにより、液晶104に対する
電磁気的な影響を与えることもないため、液晶104の配向状態に基づく不具合(例えば
、表示品位の低下など)を招くことがない。
6との間に絶縁膜117が設けられているため、ヒータ層116への通電が配線111X
,111Y、駆動素子111T及び駆動電極114に実質的に電気的影響を与えないよう
になっている。さらに、ヒータ層116が配線111X,111Y、駆動素子111T及
び駆動電極114よりも基板101側に配置されていることにより、液晶104に対する
電磁気的な影響を与えることもないため、液晶104の配向状態に基づく不具合(例えば
、表示品位の低下など)を招くことがない。
さらに、ヒータ層116は給電層118A,118Bを介して電力供給を受けるため、
電力供給が効率的かつ均一になされ、特に、給電層が駆動領域100Aを全てカバーする
ように構成されているため、ヒータ層116による加熱を全体として効率的かつ均一に行
うことが可能になる。また、給電層118A、118Bは駆動領域100Aの外側に配線
111Xと平行に延長するように設けられ、特に、シール材103と平面的に重なるよう
に構成されているため、液晶装置100のコンパクト化に支障を与えない。
電力供給が効率的かつ均一になされ、特に、給電層が駆動領域100Aを全てカバーする
ように構成されているため、ヒータ層116による加熱を全体として効率的かつ均一に行
うことが可能になる。また、給電層118A、118Bは駆動領域100Aの外側に配線
111Xと平行に延長するように設けられ、特に、シール材103と平面的に重なるよう
に構成されているため、液晶装置100のコンパクト化に支障を与えない。
そして、給電層118A、118Bは配線111Xと同素材で同層に構成されているこ
とにより、製造工数を増加させることもなく、配線111Xの形成パターンを変更するだ
けで対処できるため、製造コストの増大を抑制することができるとともに、内部構造をい
たずらに複雑化させることもない。
とにより、製造工数を増加させることもなく、配線111Xの形成パターンを変更するだ
けで対処できるため、製造コストの増大を抑制することができるとともに、内部構造をい
たずらに複雑化させることもない。
なお、本実施形態では、図2及び図3に示すように、接続端子118sは接続端子11
1sと同じ高さに設定されているため、配線基板134などの配線材料に対して同一の実
装工程で導電接続させることができるようになっている。
1sと同じ高さに設定されているため、配線基板134などの配線材料に対して同一の実
装工程で導電接続させることができるようになっている。
[第2実施形態]
次に、図4を参照して、本発明に係る第2実施形態の液晶装置について説明する。この
実施形態は、基本的に上記第1実施形態の液晶装置100とほとんど同様に構成されてい
るので、対応する部分には同一符号を付し、同一部分についての説明は省略する。
次に、図4を参照して、本発明に係る第2実施形態の液晶装置について説明する。この
実施形態は、基本的に上記第1実施形態の液晶装置100とほとんど同様に構成されてい
るので、対応する部分には同一符号を付し、同一部分についての説明は省略する。
この第2実施形態においては、給電層118A及び118Bが基本的には第1実施形態
と同様に構成されているが、給電層118Aは基板張り出し部101S上に引き出され、
ここに接続端子118sが設けられている。一方、給電層118Bは第1実施形態と同様
に基板張り出し部101T上に引き出され、そこに接続端子118sが設けられている。
したがって、本実施形態では給電層118Aの接続端子118sと、給電層118Bの接
続端子118sとが異なる(基板102の隣接する周辺に沿ってそれぞれ形成された別の
)基板張り出し部101Sと101Tとにそれぞれ形成されている。
と同様に構成されているが、給電層118Aは基板張り出し部101S上に引き出され、
ここに接続端子118sが設けられている。一方、給電層118Bは第1実施形態と同様
に基板張り出し部101T上に引き出され、そこに接続端子118sが設けられている。
したがって、本実施形態では給電層118Aの接続端子118sと、給電層118Bの接
続端子118sとが異なる(基板102の隣接する周辺に沿ってそれぞれ形成された別の
)基板張り出し部101Sと101Tとにそれぞれ形成されている。
なお、給電層の接続端子の配置は任意であり、本実施形態の態様に限らず、例えば、図
4で給電層118Bの右端部をそのまま延長方向に伸ばして基板張り出し部101S上に
接続端子118sを設けてもよい。
4で給電層118Bの右端部をそのまま延長方向に伸ばして基板張り出し部101S上に
接続端子118sを設けてもよい。
[第3実施形態]
次に、図5及び図6を参照して本発明に係る第3実施形態の液晶装置100′について
説明する。図5は本実施形態の概略平面図、図6は拡大部分断面図である。この液晶装置
100′は、給電層の構造以外は基本的に第1実施形態と同様に構成されているので、同
一部分には同一符号を付し、それらの説明は省略する。
次に、図5及び図6を参照して本発明に係る第3実施形態の液晶装置100′について
説明する。図5は本実施形態の概略平面図、図6は拡大部分断面図である。この液晶装置
100′は、給電層の構造以外は基本的に第1実施形態と同様に構成されているので、同
一部分には同一符号を付し、それらの説明は省略する。
液晶装置100′においては、給電層118A′及び118B′が上記配線111Yと
同素材かつ同層に形成されている点で第1実施形態と異なる。そして、給電層118A′
及び118B′は絶縁膜117のコンタクトホール117a及び絶縁層112のコンタク
トホール112aを通してヒータ層116と導電接続されている。
同素材かつ同層に形成されている点で第1実施形態と異なる。そして、給電層118A′
及び118B′は絶縁膜117のコンタクトホール117a及び絶縁層112のコンタク
トホール112aを通してヒータ層116と導電接続されている。
また、給電層118A′及び118B′は図5において駆動領域100Aの左右両側に
それぞれ配置されている点、並びに、配線111Yに平行に延長する形状を有している点
でも第1実施形態とは異なる。すなわち、本実施形態では給電層118A′及び118B
′は配線111Yと交差しないように配置されている。
それぞれ配置されている点、並びに、配線111Yに平行に延長する形状を有している点
でも第1実施形態とは異なる。すなわち、本実施形態では給電層118A′及び118B
′は配線111Yと交差しないように配置されている。
本実施形態では、給電層118A′及び118B′が配線111Yと同材料で同層に構
成され、しかも、配線111Yと交差しないように構成されている点で第1実施形態とは
異なるが、配線111Xが配線111Yに置き換えられているだけで技術的意味は同様で
あるので、基本的には第1実施形態と同様の作用効果を奏する。
成され、しかも、配線111Yと交差しないように構成されている点で第1実施形態とは
異なるが、配線111Xが配線111Yに置き換えられているだけで技術的意味は同様で
あるので、基本的には第1実施形態と同様の作用効果を奏する。
以上説明した本実施形態の給電層118A′及び118B′は、配線111Yと同材料
かつ同層に構成されているが、他の導電体、例えば、駆動電極114と同材料かつ同層に
構成されていてもよい。また、給電層は、例えば、配線111X、配線111Y、駆動電
極114のうち、給電層と交差しないもののいずれか少なくとも2層以上を積層させたも
ので形成することも可能である。このようにすると、給電層の電気抵抗をさらに低減する
ことが可能になる。
かつ同層に構成されているが、他の導電体、例えば、駆動電極114と同材料かつ同層に
構成されていてもよい。また、給電層は、例えば、配線111X、配線111Y、駆動電
極114のうち、給電層と交差しないもののいずれか少なくとも2層以上を積層させたも
ので形成することも可能である。このようにすると、給電層の電気抵抗をさらに低減する
ことが可能になる。
なお、本実施形態では第2実施形態と同様に給電層118A′の接続端子118s′が
基板張り出し部101S上に形成され、給電層118B′の接続端子118s′が基板張
り出し部101T上に形成されているが、第1実施形態と同様に、双方の接続端子が同じ
基板張り出し部上に配列されていても構わない。
基板張り出し部101S上に形成され、給電層118B′の接続端子118s′が基板張
り出し部101T上に形成されているが、第1実施形態と同様に、双方の接続端子が同じ
基板張り出し部上に配列されていても構わない。
[第4実施形態]
次に、図7及び図8を参照して本発明に係る第4実施形態の液晶装置100″について
説明する。図7は本実施形態の概略平面図、図8は拡大部分断面図である。この液晶装置
100″は、配線構造及び素子構造並びに給電層の構造以外は基本的に第1実施形態と同
様に構成されているので、同一部分には同一符号を付し、それらの説明は省略する。
次に、図7及び図8を参照して本発明に係る第4実施形態の液晶装置100″について
説明する。図7は本実施形態の概略平面図、図8は拡大部分断面図である。この液晶装置
100″は、配線構造及び素子構造並びに給電層の構造以外は基本的に第1実施形態と同
様に構成されているので、同一部分には同一符号を付し、それらの説明は省略する。
液晶装置100″においては、第1実施形態とは異なり、TFD(薄膜ダイオード)等
の二端子非線形素子で構成される駆動素子111T″が設けられている。この駆動素子1
11T″は、配線111Y″と導電接続され、若しくは、一体に構成されたTa、Ta−
W等からなる第1金属層111y″と、この第1金属層111y″上に形成された陽極酸
化膜等で構成されるTa2O5等からなる絶縁膜111a″と、この絶縁膜111a″上
に形成されたCr等からなる第2金属層112″とを備えており、これらの積層構造で構
成されるMIM構造によってダイオード接合が形成されている。第2金属層112″は駆
動電極114に導電接続されている。
の二端子非線形素子で構成される駆動素子111T″が設けられている。この駆動素子1
11T″は、配線111Y″と導電接続され、若しくは、一体に構成されたTa、Ta−
W等からなる第1金属層111y″と、この第1金属層111y″上に形成された陽極酸
化膜等で構成されるTa2O5等からなる絶縁膜111a″と、この絶縁膜111a″上
に形成されたCr等からなる第2金属層112″とを備えており、これらの積層構造で構
成されるMIM構造によってダイオード接合が形成されている。第2金属層112″は駆
動電極114に導電接続されている。
本実施形態では、上記第2金属層112″と同材質かつ同層に給電層118A″及び1
18B″が設けられ、これが絶縁膜117のコンタクトホール117aを通してヒータ層
116に導電接続されている。給電層118A″及び118B″は配線111Y″と交差
しないように、駆動領域100A″の外側において配線111Y″とほぼ平行に延長する
ように帯状に構成されている。なお、給電層118A″及び118B″が駆動領域100
Aの両側にそれぞれ配置されている点は先の実施形態と同様である。
18B″が設けられ、これが絶縁膜117のコンタクトホール117aを通してヒータ層
116に導電接続されている。給電層118A″及び118B″は配線111Y″と交差
しないように、駆動領域100A″の外側において配線111Y″とほぼ平行に延長する
ように帯状に構成されている。なお、給電層118A″及び118B″が駆動領域100
Aの両側にそれぞれ配置されている点は先の実施形態と同様である。
一方、配線111X″は、基板張り出し部101S上から駆動領域100A″に向けて
伸び、駆動領域100A″の外側で基板102上に設けられた複数の帯状の対向電極12
2″に導電接続されている。配線111X″と対向電極122″の導電接続部(上下導通
部)Pは、例えば、シール材103中に導電性粒子を混入させておくことで、シール材1
03を介して導電接続される構造としてもよく、また、シール材103とは別に設けた導
体(好ましくは異方性導電体)を用いて構成してもよい。いずれの場合でも、配線111
X″は駆動領域100A″の内部には配置されない。特に、配線111X″は給電層11
8B″と交差しないように構成することが好ましい。
伸び、駆動領域100A″の外側で基板102上に設けられた複数の帯状の対向電極12
2″に導電接続されている。配線111X″と対向電極122″の導電接続部(上下導通
部)Pは、例えば、シール材103中に導電性粒子を混入させておくことで、シール材1
03を介して導電接続される構造としてもよく、また、シール材103とは別に設けた導
体(好ましくは異方性導電体)を用いて構成してもよい。いずれの場合でも、配線111
X″は駆動領域100A″の内部には配置されない。特に、配線111X″は給電層11
8B″と交差しないように構成することが好ましい。
本実施形態においても、上記の第1実施形態と同様の作用効果を奏することができる。
本実施形態では二端子非線形素子である駆動素子111T″を用いているが、ヒータ層1
16及び給電層118A″及び118B″に関しては上記実施形態と基本的に同一の技術
的意義を有する。
本実施形態では二端子非線形素子である駆動素子111T″を用いているが、ヒータ層1
16及び給電層118A″及び118B″に関しては上記実施形態と基本的に同一の技術
的意義を有する。
本実施形態では、給電層118A″及び118B″は、第2金属層112″と同材料か
つ同層に構成されているが、例えば、配線111Y″(第1金属層111y″)や駆動電
極114と同材料かつ同層に構成されていてもよい。また、本実施形態の場合には、給電
層118A″及び118B″は配線111X″にも平面的に交差しないように構成されて
いるので、配線111X″と同材料かつ同層に構成されていても構わない。
つ同層に構成されているが、例えば、配線111Y″(第1金属層111y″)や駆動電
極114と同材料かつ同層に構成されていてもよい。また、本実施形態の場合には、給電
層118A″及び118B″は配線111X″にも平面的に交差しないように構成されて
いるので、配線111X″と同材料かつ同層に構成されていても構わない。
[第5実施形態]
次に、図9を参照して、本発明に係る第5実施形態について説明する。本実施形態は、
ヒータ層116′を除いた部分については上記各実施形態と同様に構成することができる
ので、一例として当該部分を第1実施形態と同様に構成した場合について説明することと
し、同一部分には同一符号を付し、それらの説明は省略する。
次に、図9を参照して、本発明に係る第5実施形態について説明する。本実施形態は、
ヒータ層116′を除いた部分については上記各実施形態と同様に構成することができる
ので、一例として当該部分を第1実施形態と同様に構成した場合について説明することと
し、同一部分には同一符号を付し、それらの説明は省略する。
本実施形態では、少なくとも駆動領域100Aと平面的に重なる範囲に形成されたヒー
タ層116′が、給電層118Aと118Bを結ぶ線状に構成されたヒータ線116a′
を複数並列に配列させて全体としてストライプ状に構成した構造を有する点で、上記各実
施形態のヒータ層116と異なる。このヒータ層116′を構成するヒータ線116a′
は、特に限定されるものではないが、典型的にはMo等の金属薄膜で構成されることが好
ましい。これは、ヒータ線116a′の断面積は上述のヒータ層116に比べて大幅に小
さいので、十分な発熱量を得るには電気伝導度の良好な素材(金属)を用いることが要求
されるからである。ヒータ線116a′がMo等の金属で構成される場合には、その厚み
は500〜1200Åの範囲内が好ましく、特に、700〜9000Åの範囲内であるこ
とが望ましい。
タ層116′が、給電層118Aと118Bを結ぶ線状に構成されたヒータ線116a′
を複数並列に配列させて全体としてストライプ状に構成した構造を有する点で、上記各実
施形態のヒータ層116と異なる。このヒータ層116′を構成するヒータ線116a′
は、特に限定されるものではないが、典型的にはMo等の金属薄膜で構成されることが好
ましい。これは、ヒータ線116a′の断面積は上述のヒータ層116に比べて大幅に小
さいので、十分な発熱量を得るには電気伝導度の良好な素材(金属)を用いることが要求
されるからである。ヒータ線116a′がMo等の金属で構成される場合には、その厚み
は500〜1200Åの範囲内が好ましく、特に、700〜9000Åの範囲内であるこ
とが望ましい。
上記のヒータ線116a′は、それぞれ独立して設けられたコンタクトホール117a
′を通して給電層118A及び118Bに導電接続される。ただし、先の各実施形態と同
様に、複数のコンタクトホール117a′の代わりに一体の開口を絶縁膜117に設けて
もよい。
′を通して給電層118A及び118Bに導電接続される。ただし、先の各実施形態と同
様に、複数のコンタクトホール117a′の代わりに一体の開口を絶縁膜117に設けて
もよい。
この実施形態では、複数のヒータ線116a′を用いることにより、ヒータ層の素材と
して透明素材を用いる必要がなくなるという利点がある。また、ヒータ線116a′が駆
動領域100A内の遮光領域を通過するように構成すれば、液晶装置の透過率を低下させ
る虞もない。また、ヒータ線116a′自体が遮光領域を構成するための遮光層として機
能するように構成することも可能である。この場合、ヒータ線116a′を他の遮光性構
造、例えば、配線111Yよりも幅広に構成することで、別途の遮光膜を形成しなくても
、必要な遮光領域を確保することが可能になる。
して透明素材を用いる必要がなくなるという利点がある。また、ヒータ線116a′が駆
動領域100A内の遮光領域を通過するように構成すれば、液晶装置の透過率を低下させ
る虞もない。また、ヒータ線116a′自体が遮光領域を構成するための遮光層として機
能するように構成することも可能である。この場合、ヒータ線116a′を他の遮光性構
造、例えば、配線111Yよりも幅広に構成することで、別途の遮光膜を形成しなくても
、必要な遮光領域を確保することが可能になる。
図10は、上記のようにヒータ線116a′を遮光層として構成した場合の駆動領域1
00Aの一部を拡大して示す拡大部分平面図である。ここで、駆動領域100A内には縦
横に画素Gが配列されており、ヒータ線116a′は、画素G間の領域(画素間領域)に
沿って伸び、当該画素間領域に重なるように配置されている。この場合に、配線111Y
もまた当該画素間領域に沿って伸び、当該画素間領域に重なるように配置されている。ヒ
ータ線116a′は配線111Yと重なっている。また、ヒータ線116a′は配線11
1Yよりも幅広に形成されている。これによって、画素間領域における遮光をより完全に
行うことが可能になる。
00Aの一部を拡大して示す拡大部分平面図である。ここで、駆動領域100A内には縦
横に画素Gが配列されており、ヒータ線116a′は、画素G間の領域(画素間領域)に
沿って伸び、当該画素間領域に重なるように配置されている。この場合に、配線111Y
もまた当該画素間領域に沿って伸び、当該画素間領域に重なるように配置されている。ヒ
ータ線116a′は配線111Yと重なっている。また、ヒータ線116a′は配線11
1Yよりも幅広に形成されている。これによって、画素間領域における遮光をより完全に
行うことが可能になる。
また、図10に点線で示すように、複数のヒータ線116a′と交差する複数のヒータ
線116b′を設け、ヒータ116′を編み目状に構成することもできる。この場合、縦
に伸びるヒータ線116a′はヒータ線116b′により横方向にも複数箇所で導電接続
されることとなるので、縦のヒータ線116a′の抵抗値のばらつきを均等化することが
できる。また、この図示例では、横のヒータ線116b′もまた画素間領域に配置されて
いるため、遮光機能をさらに高めることができる。
線116b′を設け、ヒータ116′を編み目状に構成することもできる。この場合、縦
に伸びるヒータ線116a′はヒータ線116b′により横方向にも複数箇所で導電接続
されることとなるので、縦のヒータ線116a′の抵抗値のばらつきを均等化することが
できる。また、この図示例では、横のヒータ線116b′もまた画素間領域に配置されて
いるため、遮光機能をさらに高めることができる。
なお、上記の例ではヒータ線は画素間領域に配置されているが、本発明においては、ヒ
ータ線は駆動領域内において画素間領域に配置されていなくてもよい。すなわち、ヒータ
線が各画素の表示に寄与する部分と平面的に重なって形成されていても構わない。
ータ線は駆動領域内において画素間領域に配置されていなくてもよい。すなわち、ヒータ
線が各画素の表示に寄与する部分と平面的に重なって形成されていても構わない。
また、本実施形態は透過型液晶装置であることを前提として説明したが、反射型液晶装
置であれば、ヒータ線116a′が反射層よりも下層に配置されていれば、光学的には何
の支障も生じない。また、半透過反射型液晶装置であれば、ヒータ線116a′を光反射
領域と重なるように(光透過領域と重ならないように)配置することが好ましい。
置であれば、ヒータ線116a′が反射層よりも下層に配置されていれば、光学的には何
の支障も生じない。また、半透過反射型液晶装置であれば、ヒータ線116a′を光反射
領域と重なるように(光透過領域と重ならないように)配置することが好ましい。
図11は、図9に示す実施形態と同様の基本構成に、図9に示す構成とは異なる給電層
118A′,118B′及びヒータ116″を形成した例を示す。図11(a)は全体構
成を模式的に示す概略平面図、図11(b)は駆動領域100A内の拡大部分平面図であ
る。ここで、図11(a)では、図9に示すものと同様に構成された駆動領域100Aの
図示左右両側にそれぞれ一対の給電層118A″と118B″が図示上下方向に伸びるよ
うに形成され、ヒータ116″は、これらの給電層118A″と118B″に共に導電接
続された図示左右方向に伸びる複数のヒータ線116a″がストライプ状に形成されてな
る。
118A′,118B′及びヒータ116″を形成した例を示す。図11(a)は全体構
成を模式的に示す概略平面図、図11(b)は駆動領域100A内の拡大部分平面図であ
る。ここで、図11(a)では、図9に示すものと同様に構成された駆動領域100Aの
図示左右両側にそれぞれ一対の給電層118A″と118B″が図示上下方向に伸びるよ
うに形成され、ヒータ116″は、これらの給電層118A″と118B″に共に導電接
続された図示左右方向に伸びる複数のヒータ線116a″がストライプ状に形成されてな
る。
この例では、半透過反射型の液晶装置が構成されており、縦横に配列された各画素Gに
は、透過型液晶装置と同様の構成を有する透過表示領域Gtと、基板101上に反射層R
を備えた反射表示領域Grとが設けられている。ここで、反射表示領域Grは、複数の画
素Gに亘って図示横方向に配列されるように構成されている。そして、上記のヒータ線1
16a″は横方向に伸びていて、複数の画素Gの反射表示領域Grを通過する位置に配置
されている。この場合、ヒータ線116a″は、視認側から見て上記反射層Rの背後に配
置されているので、透過表示及び反射表示のいずれにも全く影響を与えない。
は、透過型液晶装置と同様の構成を有する透過表示領域Gtと、基板101上に反射層R
を備えた反射表示領域Grとが設けられている。ここで、反射表示領域Grは、複数の画
素Gに亘って図示横方向に配列されるように構成されている。そして、上記のヒータ線1
16a″は横方向に伸びていて、複数の画素Gの反射表示領域Grを通過する位置に配置
されている。この場合、ヒータ線116a″は、視認側から見て上記反射層Rの背後に配
置されているので、透過表示及び反射表示のいずれにも全く影響を与えない。
この場合、反射層Rは、画素Gの平面範囲を規定する画素電極を兼ねて設けられていて
もよく、当該画素電極の直下に配置されていてもよく、或いは、当該画素電極の下に絶縁
層を介して配置されていてもよい。いずれの場合でも、ヒータ線116a″は反射層Rの
背後に配置されていればよいので、ヒータ線116a″を液晶層のより近くに配置するこ
とが可能になるため、ヒータ機能をさらに向上させることができる。
もよく、当該画素電極の直下に配置されていてもよく、或いは、当該画素電極の下に絶縁
層を介して配置されていてもよい。いずれの場合でも、ヒータ線116a″は反射層Rの
背後に配置されていればよいので、ヒータ線116a″を液晶層のより近くに配置するこ
とが可能になるため、ヒータ機能をさらに向上させることができる。
なお、図示例のヒータ線116a′、116b′、116a″はいずれも直線状に構成
されているが、曲線状に構成されていてもよく、途中で屈折していても構わない。
されているが、曲線状に構成されていてもよく、途中で屈折していても構わない。
[電子機器]
最後に、図13を参照して上記液晶装置を搭載した電子機器の実施形態について説明す
る。図13は本発明に係る電子機器の一例の外観を示す概略斜視図である。図示例の電子
機器1000は、車載用のカーナビゲーションシステムであり、本体1010と、この本
体1010に接続された表示部1020とを備えている。本体1010には操作ボタン等
を配設した操作面1011が設けられるとともに、DVD等の記録媒体の導入口1012
が設けられている。表示部1020の内部には上記の液晶装置100が格納され、この液
晶装置100による表示、すなわち、ナビゲーション画像の表示が表示部1020の表示
画面1020aにて視認できるように構成されている。
最後に、図13を参照して上記液晶装置を搭載した電子機器の実施形態について説明す
る。図13は本発明に係る電子機器の一例の外観を示す概略斜視図である。図示例の電子
機器1000は、車載用のカーナビゲーションシステムであり、本体1010と、この本
体1010に接続された表示部1020とを備えている。本体1010には操作ボタン等
を配設した操作面1011が設けられるとともに、DVD等の記録媒体の導入口1012
が設けられている。表示部1020の内部には上記の液晶装置100が格納され、この液
晶装置100による表示、すなわち、ナビゲーション画像の表示が表示部1020の表示
画面1020aにて視認できるように構成されている。
上記の電子機器1000に液晶装置100を搭載することで、低温下においても液晶1
04がヒータ層116によって効率的かつ迅速に加熱されるため、起動当初から表示品位
の劣化を抑制できる。また、ヒータ機能を内蔵しているにも拘わらず、コンパクトに構成
できるため、電子機器1000の小型化や表示画面の大型化が可能になる。
04がヒータ層116によって効率的かつ迅速に加熱されるため、起動当初から表示品位
の劣化を抑制できる。また、ヒータ機能を内蔵しているにも拘わらず、コンパクトに構成
できるため、電子機器1000の小型化や表示画面の大型化が可能になる。
尚、本発明の液晶装置及び電子機器は、上述の図示例にのみ限定されるものではなく、
本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々変更を加え得ることは勿論である。例えば
、上記の液晶装置は直視タイプの透過型液晶装置を前提として説明したが、反射型液晶装
置や半透過形液晶装置であってもよく、また、投射型液晶装置(プロジェクタ)に用いる
光シャッタ装置や窓や壁面等に用いるための透過率を制御することのできる液晶パネル構
造体等であっても構わない。
本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々変更を加え得ることは勿論である。例えば
、上記の液晶装置は直視タイプの透過型液晶装置を前提として説明したが、反射型液晶装
置や半透過形液晶装置であってもよく、また、投射型液晶装置(プロジェクタ)に用いる
光シャッタ装置や窓や壁面等に用いるための透過率を制御することのできる液晶パネル構
造体等であっても構わない。
100…液晶装置、101…基板、104…液晶、111X、111Y…配線、111T
…駆動素子、112、113…絶縁層、114…駆動電極、116…ヒータ層、117…
絶縁膜、117a…コンタクトホール、118A、118B…給電層
…駆動素子、112、113…絶縁層、114…駆動電極、116…ヒータ層、117…
絶縁膜、117a…コンタクトホール、118A、118B…給電層
Claims (12)
- 基板と、該基板上に形成された電極と、該電極上に配置された液晶とを有し、該液晶を
駆動可能な複数の画素が構成されてなる駆動領域を有する液晶装置において、
前記基板と前記電極との間において前記電極と絶縁されるとともに前記駆動領域と平面
的に重なるように配置されたヒータ層と、
前記ヒータ層に導電接続され、前記駆動領域の外側に配置された給電層と、
を具備することを特徴とする液晶装置。 - 前記給電層における少なくとも前記ヒータ層に導電接続される部分は、前記駆動領域の
外縁に沿って伸びる延長形状を有することを特徴とする請求項1に記載の液晶装置。 - 前記駆動領域の両側にそれぞれ形成された一対の前記給電層が設けられていることを特
徴とする請求項1又は2に記載の液晶装置。 - 前記駆動領域において前記複数の画素の所定の配列方向に沿って伸びる配線をさらに具
備し、
前記給電層が前記配線と同材質で構成され、前記配線と交差しないことを特徴とする請
求項1乃至3のいずれか一項に記載の液晶装置。 - 前記給電層における少なくとも前記ヒータ層に導電接続される部分は前記配線と平行に
伸びる延長形状とされていることを特徴とする請求項4に記載の液晶装置。 - 前記液晶を取り囲むシール材を有し、前記給電層は前記シール材と平面的に重なる領域
に配置されていることを特徴とする請求項1乃至5のいずれか一項に記載の液晶装置。 - 前記ヒータ層は複数の相互に平行に配置されたヒータ線がストライプ状に配列されてな
ることを特徴とする請求項1乃至6のいずれか一項に記載の液晶装置。 - 前記駆動領域において前記複数の画素の所定の配列方向に沿って伸びる配線をさらに具
備し、
前記ヒータ層は、前記配線に重なり、前記配線に沿って伸びていることを特徴とする請
求項7に記載の液晶装置。 - 前記ヒータ層は、前記駆動領域において前記画素の間の領域に配置されていることを特
徴とする請求項7に記載の液晶装置。 - 前記駆動領域において前記複数の画素の所定の配列方向に沿って伸びる配線をさらに具
備し、
前記ヒータ層は、前記配線に重なり、前記配線に沿って伸びているとともに、前記配線
よりも広い幅を有することを特徴とする請求項9に記載の液晶装置。 - 前記画素には、透過表示領域と、反射層を備えた反射表示領域とが設けられ、前記ヒー
タ層は前記反射表示領域において視認側から見て前記反射層の背後に配置されていること
を特徴とする請求項7に記載の液晶装置。 - 請求項1乃至11のいずれか一項に記載の液晶装置を搭載してなることを特徴とする電
子機器。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006017323A JP2007199339A (ja) | 2006-01-26 | 2006-01-26 | 液晶装置及び電子機器 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006017323A JP2007199339A (ja) | 2006-01-26 | 2006-01-26 | 液晶装置及び電子機器 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007199339A true JP2007199339A (ja) | 2007-08-09 |
Family
ID=38454017
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006017323A Withdrawn JP2007199339A (ja) | 2006-01-26 | 2006-01-26 | 液晶装置及び電子機器 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2007199339A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014041320A (ja) * | 2012-08-22 | 2014-03-06 | Samsung Display Co Ltd | 湾曲液晶表示パネル |
JP2015537252A (ja) * | 2012-11-30 | 2015-12-24 | コピン コーポレーション | ディスプレイ加熱用の抵抗メッシュ体 |
CN105572991A (zh) * | 2015-12-22 | 2016-05-11 | 武汉华星光电技术有限公司 | 阵列基板及阵列基板中tft器件的启动方法 |
CN114690463A (zh) * | 2022-03-03 | 2022-07-01 | 上海天马微电子有限公司 | 阵列基板、显示面板及显示装置 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5068687A (ja) * | 1973-10-19 | 1975-06-09 | ||
JPH06283261A (ja) * | 1993-01-27 | 1994-10-07 | Mitsui Toatsu Chem Inc | パネルヒーター及びその製造方法 |
JPH09197437A (ja) * | 1996-01-24 | 1997-07-31 | Toshiba Corp | 液晶表示装置及びその製造方法 |
JP2005134871A (ja) * | 2003-10-30 | 2005-05-26 | Lg Phillips Lcd Co Ltd | 液晶表示装置及びその製造方法 |
-
2006
- 2006-01-26 JP JP2006017323A patent/JP2007199339A/ja not_active Withdrawn
Patent Citations (4)
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CN105572991A (zh) * | 2015-12-22 | 2016-05-11 | 武汉华星光电技术有限公司 | 阵列基板及阵列基板中tft器件的启动方法 |
WO2017107287A1 (zh) * | 2015-12-22 | 2017-06-29 | 武汉华星光电技术有限公司 | 阵列基板及阵列基板中tft器件的启动方法 |
CN105572991B (zh) * | 2015-12-22 | 2019-12-24 | 武汉华星光电技术有限公司 | 阵列基板及阵列基板中tft器件的启动方法 |
CN114690463A (zh) * | 2022-03-03 | 2022-07-01 | 上海天马微电子有限公司 | 阵列基板、显示面板及显示装置 |
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